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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024022998
(43)【公開日】2024-02-21
(54)【発明の名称】ワーク保持部材及び積層体
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240214BHJP
B32B 27/00 20060101ALI20240214BHJP
B32B 7/06 20190101ALI20240214BHJP
B32B 7/022 20190101ALI20240214BHJP
B32B 7/027 20190101ALI20240214BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20240214BHJP
C09J 7/38 20180101ALI20240214BHJP
H05K 3/34 20060101ALI20240214BHJP
C09J 183/04 20060101ALN20240214BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311Q
B32B27/00 L
B32B7/06
B32B7/022
B32B7/027
H01L23/30 R
C09J7/38
H05K3/34 507Z
C09J183/04
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022126509
(22)【出願日】2022-08-08
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002734
【氏名又は名称】弁理士法人藤本パートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】伊関 亮
(72)【発明者】
【氏名】秋月 伸也
【テーマコード（参考）】
4F100
4J004
4J040
4M109
5E319
5F044
【Ｆターム（参考）】
4F100AA20B
4F100AB04A
4F100AB11C
4F100AD00C
4F100AG00C
4F100AK01C
4F100AK17B
4F100AK52B
4F100AN02B
4F100BA02
4F100BA03
4F100BA07
4F100BA10A
4F100BA10B
4F100BA10C
4F100CA13B
4F100CA18B
4F100DD07A
4F100DD07B
4F100DJ01B
4F100GB41
4F100JA02A
4F100JA13B
4F100JK06B
4F100JK15A
4F100JL04
4F100YY00A
4F100YY00B
4J004AA11
4J004AB01
4J004AC03
4J004CA07
4J004CB03
4J004CC02
4J004FA05
4J004FA08
4J040EK031
4J040EK042
4J040HA306
4J040HA356
4J040JB02
4J040KA14
4J040KA38
4J040MA02
4J040MA10
4M109AA01
4M109BA04
4M109CA26
4M109DB17
4M109EA10
4M109EA20
4M109EC04
5E319AC02
5E319AC04
5E319CD37
5E319CD45
5E319GG15
5F044KK02
5F044KK03
5F044KK04
5F044KK05
5F044KK06
5F044KK18
5F044LL13
(57)【要約】
【課題】本発明は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることを抑制できることに加えて、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークを十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークを取り外し易いワーク保持部材を提供する。
【解決手段】本発明に係るワーク保持部材は、支持体と、該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備え、前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である。
【選択図】 図１
【解決手段】本発明に係るワーク保持部材は、支持体と、該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備え、前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持体と、該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備え、
前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、
前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である
ワーク保持部材。
前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、
前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である
ワーク保持部材。
【請求項2】
前記支持体の３点曲げ応力が５Ｎ／１０ｍｍ以上である
請求項１に記載のワーク保持部材。
請求項１に記載のワーク保持部材。
【請求項3】
前記支持体の線膨張係数が３０×１０－６／℃以下である
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
【請求項4】
前記９０°剥離力の値Ｐに対する前記せん断粘着力の値Ｓの比（Ｓ／Ｐ）が５以上である
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
【請求項5】
前記支持体は、前記ワーク保持層が積層される面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
【請求項6】
前記樹脂組成物は、シリコーン樹脂またはフッ素樹脂を含む
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
【請求項7】
前記ワーク保持層は、ゴム層または発泡体層として構成されている
請求項６に記載のワーク保持部材。
請求項６に記載のワーク保持部材。
【請求項8】
前記発泡体層の見掛け密度は、０．０５ｇ／ｃｍ３以上０．９０ｇ／ｃｍ３以下である
請求項７に記載のワーク保持部材。
請求項７に記載のワーク保持部材。
【請求項9】
前記発泡体層の平均気泡径は、１μｍ以上１００μｍ以下である
請求項７に記載のワーク保持部材。
請求項７に記載のワーク保持部材。
【請求項10】
前記発泡体層は、前記支持体に当接される面の算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上５０μｍ以下である
請求項７に記載のワーク保持部材。
請求項７に記載のワーク保持部材。
【請求項11】
前記ワークは、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、及び、樹脂フィルム基板からなる群から選択される１種である
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
【請求項12】
前記ワークの表面に電子部品を実装するために用いられる
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
請求項１または２に記載のワーク保持部材。
【請求項13】
支持体と該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層とを備えるワーク保持部材と、
前記ワーク保持層上に保持されているワークと、を備え、
前記ワーク保持部材が、請求項１または２に記載のワーク保持部材である
積層体。
前記ワーク保持層上に保持されているワークと、を備え、
前記ワーク保持部材が、請求項１または２に記載のワーク保持部材である
積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ワーク保持部材及び積層体に関する。より詳しくは、本発明は、ワーク保持部材、及び、該ワーク保持部材上にワークが保持された積層体に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、電子部品装置の製造において、電子部品を基板などのワークの表面に実装すること、すなわち、電子部品をワークに表面実装することが知られている（例えば、下記特許文献１及び２）。
【0003】
下記特許文献１には、電子部品装置たる半導体装置の製造において、電子部品たる半導体チップを基板（ワーク）の表面に取り付けたり、基板に取り付けた後の半導体チップにリフロー処理を行ったりしてなどして実装するときに、ステージ上に基板を載置することが開示されている。
より具体的には、下記特許文献１には、バンプ電極を備える複数の半導体チップを高さ方向に積層させた半導体チップ積層体を得て、該半導体チップ積層体を支持基板（ワーク）上に取り付けた状態とし、前記半導体チップ積層体を取り付けた支持基板を第１のステージたる搬送板上に載置した後、該第１のステージたる搬送板を第２のステージたる加熱炉内のステージ上に載置してリフロー処理を行い、支持基板上に半導体チップを実装することにより、半導体装置を製造することが開示されている。
なお、前記リフロー処理では、前記半導体チップ積層体を取り付けた支持基板は、通常、１８０℃以上もの高温で所定時間処理される。
より具体的には、下記特許文献１には、バンプ電極を備える複数の半導体チップを高さ方向に積層させた半導体チップ積層体を得て、該半導体チップ積層体を支持基板（ワーク）上に取り付けた状態とし、前記半導体チップ積層体を取り付けた支持基板を第１のステージたる搬送板上に載置した後、該第１のステージたる搬送板を第２のステージたる加熱炉内のステージ上に載置してリフロー処理を行い、支持基板上に半導体チップを実装することにより、半導体装置を製造することが開示されている。
なお、前記リフロー処理では、前記半導体チップ積層体を取り付けた支持基板は、通常、１８０℃以上もの高温で所定時間処理される。
【0004】
下記特許文献２には、電子部品装置たる有機ＥＬ装置の製造において、電子部品たるＩＺＯ膜やＩＴＯ膜などといった透明電極膜を透明基板（ワーク）上に取り付けて、前記透明電極膜をアニールして実装するときに、ステージ上に前記透明基板を載置することが開示されている。
より具体的には、下記特許文献２には、前記透明基板を基板ステージ上に載置し、スパッタリング法により前記透明基板上に電子部品たる透明電極膜を取り付けた後、アニール処理を行って前記透明基板上に前記透明電極膜を実装して、有機ＥＬ装置を製造することが開示されている。
なお、前記アニール処理は、前記透明電極膜の機能を十分に発現させるために、通常、１５０℃程度の温度で実施される。
より具体的には、下記特許文献２には、前記透明基板を基板ステージ上に載置し、スパッタリング法により前記透明基板上に電子部品たる透明電極膜を取り付けた後、アニール処理を行って前記透明基板上に前記透明電極膜を実装して、有機ＥＬ装置を製造することが開示されている。
なお、前記アニール処理は、前記透明電極膜の機能を十分に発現させるために、通常、１５０℃程度の温度で実施される。
【0005】
上記のように電子部品を基板（ワーク）に実装させる時には、前記基板は、通常、何らかの部材を介在させてステージ上に載置される。
例えば、前記基板は、支持体と該支持体上に積層されたワーク保持層とを備えるワーク保持部材を介在させてステージ上に載置される。
より具体的には、前記ワーク保持部材の前記ワーク保持層に基板（ワーク）を保持させた状態で前記支持体をステージ上に載置することにより、前記基板はステージ上に載置される。
例えば、前記基板は、支持体と該支持体上に積層されたワーク保持層とを備えるワーク保持部材を介在させてステージ上に載置される。
より具体的には、前記ワーク保持部材の前記ワーク保持層に基板（ワーク）を保持させた状態で前記支持体をステージ上に載置することにより、前記基板はステージ上に載置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０２０－１５０２０２号公報
【特許文献2】特開２００８－１４０７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、近年、ますます、半導体装置や有機ＥＬ装置の薄型化の要望が高まっており、この要望に応じて、半導体チップを取り付ける基板や透明電極膜を取り付ける基板も薄型化されている。
そして、このように基板が薄型化されると、半導体チップの実装時におけるリフロー処理温度や前記透明電極膜の実装時におけるアニール処理温度によって、前記基板に熱による変形が生じて前記基板に反りが生じてしまうことがある。
すなわち、電子部品の表面実装時の加熱処理により、前記基板に反りが生じてしまうことがある。
基板に上記のような反りが生じると、前記基板上において半導体チップや透明電極膜などの電子部品の取り付け状態が不良となることがあるため好ましくない。
そして、このように基板が薄型化されると、半導体チップの実装時におけるリフロー処理温度や前記透明電極膜の実装時におけるアニール処理温度によって、前記基板に熱による変形が生じて前記基板に反りが生じてしまうことがある。
すなわち、電子部品の表面実装時の加熱処理により、前記基板に反りが生じてしまうことがある。
基板に上記のような反りが生じると、前記基板上において半導体チップや透明電極膜などの電子部品の取り付け状態が不良となることがあるため好ましくない。
【0008】
しかしながら、電子部品の表面実装時の加熱処理により基板に反りが生じることを抑制することについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。
【0009】
また、前記基板は、リフロー処理前やアニール処理前などの電子部品の表面実装時の加熱処理前においては、前記ワーク保持部材（より詳しくは、前記ワーク保持部材のワーク保持層）に固定されているものの、リフロー処理後やアニール処理後などの電子部品の表面実装時の加熱処理後においては、前記ワーク保持部材から取り外される。
そのため、効率良く電子部品装置を製造する観点から、前記基板は、電子部品の表面実装時の加熱処理前においては前記ワーク保持部材に十分に固定されていることが好ましく、電子部品の表面実装時の加熱処理後においては前記ワーク保持部材から取り外し易いことが好ましい。
そのため、効率良く電子部品装置を製造する観点から、前記基板は、電子部品の表面実装時の加熱処理前においては前記ワーク保持部材に十分に固定されていることが好ましく、電子部品の表面実装時の加熱処理後においては前記ワーク保持部材から取り外し易いことが好ましい。
【0010】
しかしながら、電子部品の表面実装時の加熱処理前においては、前記ワーク保持部材に前記基板を十分に固定しておき、電子部品の表面実装時の加熱処理後においては、前記ワーク保持部材から前記基板を取り外し易くすることについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。
【0011】
そこで、本発明は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることを抑制できることに加えて、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークを十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークを取り外し易いワーク保持部材を提供することを課題とする。
また、本発明は、前記ワーク保持部材にワークが保持された積層体を提供することを課題とする。
また、本発明は、前記ワーク保持部材にワークが保持された積層体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明者が鋭意検討したところ、支持体と、該支持体に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備えるワーク保持部材において、前記支持体を、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の比を０．３以上とし、前記ワーク保持層を、樹脂組成物で構成されたものとし、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓを１Ｎ／１００ｍｍ２以上とし、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐを７Ｎ／２０ｍｍ以下とすることにより、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることを抑制できることを見出した。
また、支持体及びワーク保持層を上記のものとすることにより、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークを十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークを取り外し易くなることも見出した。
そして、本発明を想到するに至った。
また、支持体及びワーク保持層を上記のものとすることにより、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークを十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークを取り外し易くなることも見出した。
そして、本発明を想到するに至った。
【0013】
すなわち、本発明に係るワーク保持部材は、
支持体と、該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備え、
前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、
前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である。
支持体と、該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備え、
前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、
前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、電子部品の表面実装時にワークに反りが生じることを抑制できることに加えて、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いワーク保持部材を提供することができる。
また、前記ワーク保持部材にワークが保持された積層体を提供することができる。
また、前記ワーク保持部材にワークが保持された積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の一実施形態に係るワーク保持部材の構成を示す断面図。
【図2】本発明の一実施形態に係る積層体の構成を示す断面図。
【図3A】ワーク保持部材のワーク保持層上にワークを保持する様子を示す断面図。
【図3B】ワーク保持部材のワーク保持層上にワークを保持した状態を示す断面図。
【図3C】ワーク上に半導体チップを取り付ける様子を示す断面図。
【図3D】ワーク上に取り付けられた半導体チップを樹脂封止する様子を示す断面図。
【図3E】樹脂封止された半導体チップが取り付けられたワークをワーク保持部材から取り外す様子を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
［ワーク保持部材］
以下、図１を参照しながら、本発明の一実施形態に係るワーク保持部材について説明する。
なお、以下では、本発明の一実施形態に係るワーク保持部材を、単に、本実施形態に係るワーク保持部材と称することがある。
以下、図１を参照しながら、本発明の一実施形態に係るワーク保持部材について説明する。
なお、以下では、本発明の一実施形態に係るワーク保持部材を、単に、本実施形態に係るワーク保持部材と称することがある。
【0017】
本実施形態に係るワーク保持部材１０は、支持体１と、支持体１に積層されてワークを保持するワーク保持層２と、を備える。
本実施形態に係るワーク保持部材１０においては、支持体１は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上である。
ここで、３点曲げ応力の値が低くなるほど、支持体１は曲がり易くなるので、ワーク保持層２に保持されたワークに反りが生じ易くなる。
また、線膨張係数の値が高くなるほど、支持体１は膨張し易くなるので、ワーク保持層２に保持されたワークは、支持体１の膨張に伴って反り易くなる。
そのため、ワーク保持部材１０において、ワーク保持部材１０のワーク保持層２に保持されたワークに生じる反りを抑制するためには、支持体１において、線膨張係数の値は低いほど好ましく、３点曲げ応力の値は高いほど好ましい。
本実施形態に係るワーク保持部材１０では、上記したように、支持体１について、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上となっている、すなわち、線膨張係数の値が低くなり、かつ、３点曲げ応力の値が高くなるような比となっているので、支持体１には反りが生じ難くなっている。
そのため、電子部品の表面実装時の加熱処理においても、ワーク保持層２に保持されたワークに反りが生じることを抑制できる。
本実施形態に係るワーク保持部材１０においては、支持体１は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上である。
ここで、３点曲げ応力の値が低くなるほど、支持体１は曲がり易くなるので、ワーク保持層２に保持されたワークに反りが生じ易くなる。
また、線膨張係数の値が高くなるほど、支持体１は膨張し易くなるので、ワーク保持層２に保持されたワークは、支持体１の膨張に伴って反り易くなる。
そのため、ワーク保持部材１０において、ワーク保持部材１０のワーク保持層２に保持されたワークに生じる反りを抑制するためには、支持体１において、線膨張係数の値は低いほど好ましく、３点曲げ応力の値は高いほど好ましい。
本実施形態に係るワーク保持部材１０では、上記したように、支持体１について、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上となっている、すなわち、線膨張係数の値が低くなり、かつ、３点曲げ応力の値が高くなるような比となっているので、支持体１には反りが生じ難くなっている。
そのため、電子部品の表面実装時の加熱処理においても、ワーク保持層２に保持されたワークに反りが生じることを抑制できる。
【0018】
本実施形態に係るワーク保持部材１０においては、ワーク保持層２は樹脂組成物によって構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である。
ここで、電子部品の表面実装時の加熱としては、リフロー処理時の加熱及びアニール処理時の加熱などが挙げられるが、これらの処理時の加熱温度は、通常、１５０℃以上とされる。
上記のような加熱処理温度を考慮すると、１５０℃未満の温度では、ワークはワーク保持層２に十分に固定されていることが好ましく、１５０℃以上の温度に加熱された後の状態では、ワークは、ワーク保持層２から取り外し易いことが好ましい。
本実施形態に係るワーク保持部材１０では、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であるので、電子部品の表面実装時の加熱処理前においては、ワーク保持層２はワークを十分に保持することができる。
また、本実施形態に係るワーク保持部材１０では、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下となっているので、電子部品の表面実装時の加熱処理後においては、ワーク保持層２からワークを取り外し易くなる。
さらに、このような物性を備えることにより、本実施形態に係るワーク保持部材１０のワーク保持層２は、繰り返し使用可能となる。
ここで、電子部品の表面実装時の加熱としては、リフロー処理時の加熱及びアニール処理時の加熱などが挙げられるが、これらの処理時の加熱温度は、通常、１５０℃以上とされる。
上記のような加熱処理温度を考慮すると、１５０℃未満の温度では、ワークはワーク保持層２に十分に固定されていることが好ましく、１５０℃以上の温度に加熱された後の状態では、ワークは、ワーク保持層２から取り外し易いことが好ましい。
本実施形態に係るワーク保持部材１０では、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であるので、電子部品の表面実装時の加熱処理前においては、ワーク保持層２はワークを十分に保持することができる。
また、本実施形態に係るワーク保持部材１０では、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下となっているので、電子部品の表面実装時の加熱処理後においては、ワーク保持層２からワークを取り外し易くなる。
さらに、このような物性を備えることにより、本実施形態に係るワーク保持部材１０のワーク保持層２は、繰り返し使用可能となる。
【0019】
１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断接着力の値Ｓ、及び、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐは、ポリイミドフィルムに当接されるワーク保持層２の面（以下、ワーク保持層２の当接面という）の算術平均粗さＲａにより調整できる。
具体的には、ワーク保持層２の当接面の算術平均粗さＲａを大きくすることにより、せん断接着力の値Ｓ及び９０°剥離力の値Ｐを小さくすることができ、ワーク保持層２の当接面の算術平均粗さＲａを小さくすることにより、せん断接着力の値Ｓ及び９０°剥離力の値Ｐを大きくすることができる。
なお、ワーク保持層２の当接面の算術平均粗さＲａは、各種公知の方法で調整することができる。
例えば、ワーク保持層２が、一の樹脂フィルムに樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成した後、該樹脂層の露出面に他の樹脂フィルムを被せるようにして作製されるものである場合には、前記他の樹脂フィルムとしてマット処理が施されたものを用いることにより、前記算術平均粗さＲａを調整することができる。
具体的には、ワーク保持層２の当接面の算術平均粗さＲａを大きくすることにより、せん断接着力の値Ｓ及び９０°剥離力の値Ｐを小さくすることができ、ワーク保持層２の当接面の算術平均粗さＲａを小さくすることにより、せん断接着力の値Ｓ及び９０°剥離力の値Ｐを大きくすることができる。
なお、ワーク保持層２の当接面の算術平均粗さＲａは、各種公知の方法で調整することができる。
例えば、ワーク保持層２が、一の樹脂フィルムに樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成した後、該樹脂層の露出面に他の樹脂フィルムを被せるようにして作製されるものである場合には、前記他の樹脂フィルムとしてマット処理が施されたものを用いることにより、前記算術平均粗さＲａを調整することができる。
【0020】
本実施形態に係るワーク保持部材１０は、例えば、ワークの表面に電子部品を実装するために用いられる。
より具体的には、本実施形態に係るワーク保持部材１０は、半導体装置の製造において、回路基板の表面に半導体チップを実装するために用いられ、また、有機ＥＬ装置の製造において、透明基板上にＩＺＯ膜やＩＴＯ膜などの透明電極膜を実装するために用いられる。
より具体的には、本実施形態に係るワーク保持部材１０は、半導体装置の製造において、回路基板の表面に半導体チップを実装するために用いられ、また、有機ＥＬ装置の製造において、透明基板上にＩＺＯ膜やＩＴＯ膜などの透明電極膜を実装するために用いられる。
【0021】
支持体１は、該支持体１上に積層されるワーク保持層２を支持する。
支持体１としては、例えば、金属板やガラス板などが挙げられる。
金属板としては、ステンレス板やアルミニウム板などが挙げられ、ガラス板としては、板ガラスやスライドガラスなどが挙げられる。
支持体１としては、例えば、金属板やガラス板などが挙げられる。
金属板としては、ステンレス板やアルミニウム板などが挙げられ、ガラス板としては、板ガラスやスライドガラスなどが挙げられる。
【0022】
支持体１の厚さは、０．３ｍｍ以上であることが好ましく、０．５ｍｍ以上であることがより好ましく、１．０ｍｍ以上であることがより好ましい。
また、支持体１の厚さは、５．０ｍｍ以下であることが好ましく、４．０ｍｍ以下であることがより好ましく、３．０ｍｍ以下であることがより好ましく、２．０ｍｍ以下であることがより好ましく、１．５ｍｍ以下であることがより好ましい。
支持体１の厚さは、シックネスゲージを用いて測定することができる。
シックネスゲージとしては、例えば、尾崎製作所社製のシックネスゲージＪＡ－２５７（端子サイズ：上下φ２０ｍｍ）が挙げられる。
また、支持体１の厚さは、５．０ｍｍ以下であることが好ましく、４．０ｍｍ以下であることがより好ましく、３．０ｍｍ以下であることがより好ましく、２．０ｍｍ以下であることがより好ましく、１．５ｍｍ以下であることがより好ましい。
支持体１の厚さは、シックネスゲージを用いて測定することができる。
シックネスゲージとしては、例えば、尾崎製作所社製のシックネスゲージＪＡ－２５７（端子サイズ：上下φ２０ｍｍ）が挙げられる。
【0023】
支持体１の３点曲げ応力は、５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、６Ｎ／１０ｍｍ以上であることがより好ましく、７Ｎ／１０ｍｍ以上であることがさらに好ましく、８Ｎ／１０ｍｍ以上であることが特に好ましい。
支持体１の３点曲げ応力の上限値は、通常、２００Ｎ／１０ｍｍである。
支持体１の３点曲げ応力は、引張圧縮試験機（型式「ＴＧ－５ＫＮ」、ミネビア社製）を用いて、以下の手順にしたがって測定することができる。
（１）幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍの支持体を試験体として準備する。
（２）前記試験体について、中心から長さ方向の一端側に向かって３５ｍｍ離れた箇所、及び、中心から長さ方向の他端側に向かって３５ｍｍ離れた箇所を、前記引張圧縮試験機の把持部材でそれぞれ把持する。
（３）前記引張圧縮試験機の押込み部材で、前記試験体の中心を押込み速度５ｍｍ／ｍｉｎで上方から下方に向けて押込み、押し込んだ際の最大荷重を３点曲げ応力とする。
支持体１の３点曲げ応力の上限値は、通常、２００Ｎ／１０ｍｍである。
支持体１の３点曲げ応力は、引張圧縮試験機（型式「ＴＧ－５ＫＮ」、ミネビア社製）を用いて、以下の手順にしたがって測定することができる。
（１）幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍの支持体を試験体として準備する。
（２）前記試験体について、中心から長さ方向の一端側に向かって３５ｍｍ離れた箇所、及び、中心から長さ方向の他端側に向かって３５ｍｍ離れた箇所を、前記引張圧縮試験機の把持部材でそれぞれ把持する。
（３）前記引張圧縮試験機の押込み部材で、前記試験体の中心を押込み速度５ｍｍ／ｍｉｎで上方から下方に向けて押込み、押し込んだ際の最大荷重を３点曲げ応力とする。
【0024】
支持体１の線膨張係数は、３０×１０－６／℃以下であることが好ましく、２５×１０－６／℃以下であることがより好ましく、１０×１０－６／℃以下であることがさらに好ましく、８×１０－６／℃以下であることが特に好ましい。
支持体１の線膨張係数の下限値は、通常、５×１０－６／℃である。
支持体１の線膨張係数は、熱機械分析（ＴＭＡ法）にて測定することができる。
熱機械分析（ＴＭＡ法）は、以下の条件にて実施することができる。
・装置名：熱機械分析装置（商品名「ＴＭＡ／ＳＳ７１００、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製」
・測定モード：引っ張り法
・温度範囲：－５０℃～３００℃
・昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
・サンプル形状：５ｍｍ角、高さ１０ｍｍの角柱状
・標準試料：アルミナ
なお、支持体１について、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比は、上のようにして求めた、３点曲げ応力の値を線膨張係数の値で除することにより求めることができる。
支持体１の線膨張係数の下限値は、通常、５×１０－６／℃である。
支持体１の線膨張係数は、熱機械分析（ＴＭＡ法）にて測定することができる。
熱機械分析（ＴＭＡ法）は、以下の条件にて実施することができる。
・装置名：熱機械分析装置（商品名「ＴＭＡ／ＳＳ７１００、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製」
・測定モード：引っ張り法
・温度範囲：－５０℃～３００℃
・昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
・サンプル形状：５ｍｍ角、高さ１０ｍｍの角柱状
・標準試料：アルミナ
なお、支持体１について、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比は、上のようにして求めた、３点曲げ応力の値を線膨張係数の値で除することにより求めることができる。
【0025】
支持体１は、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、０．４μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、支持体１は、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａが０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．０１５μｍ以上であることがさらに好ましい。
支持体１において、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａが上記の数値範囲であることにより、支持体１にワーク保持層２をより十分に固定することができる。
支持体１における、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（１９９４）に準拠して測定することができる。
測定条件としては、以下のものを採用することができる。
・測定装置：共焦点レーザ顕微鏡（型式：ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００、オリンパス社製）
・設定：高精度設定
・対物レンズ：１０倍
・評価長さ：１２７９μｍ
・フィルタ：ガウシアンフィルタ
・カットオフ：λｃ＝８０．０００μｍ、λｓ＝なし、λｆ＝なし
また、支持体１は、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａが０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．０１５μｍ以上であることがさらに好ましい。
支持体１において、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａが上記の数値範囲であることにより、支持体１にワーク保持層２をより十分に固定することができる。
支持体１における、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（１９９４）に準拠して測定することができる。
測定条件としては、以下のものを採用することができる。
・測定装置：共焦点レーザ顕微鏡（型式：ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００、オリンパス社製）
・設定：高精度設定
・対物レンズ：１０倍
・評価長さ：１２７９μｍ
・フィルタ：ガウシアンフィルタ
・カットオフ：λｃ＝８０．０００μｍ、λｓ＝なし、λｆ＝なし
【0026】
ワーク保持層２は、支持体１に支持されている面と反対面側にワークを保持する。
ワーク保持層２は、接着性を有する。
ワーク保持層２では、樹脂組成物に含まれる樹脂によって接着性が発現される。
これにより、ワーク保持層２は、接着力によってワークを保持することができる。
また、ワーク保持層２は、接着力によって支持体１に保持させた状態で該支持体１に支持させることができる。
前記ワークは、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、及び、樹脂フィルム基板からなる群から選択される１種であることが好ましい。
前記樹脂フィルム基板としては、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどが挙げられる。
前記ワークが、半導体装置の製造に用いられる基板である場合には、該基板は、少なくとも一方面に回路が形成された回路基板であってもよい。
また、前記回路には、センサ素子が含まれていてもよい。
ワーク保持層２は、接着性を有する。
ワーク保持層２では、樹脂組成物に含まれる樹脂によって接着性が発現される。
これにより、ワーク保持層２は、接着力によってワークを保持することができる。
また、ワーク保持層２は、接着力によって支持体１に保持させた状態で該支持体１に支持させることができる。
前記ワークは、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、及び、樹脂フィルム基板からなる群から選択される１種であることが好ましい。
前記樹脂フィルム基板としては、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどが挙げられる。
前記ワークが、半導体装置の製造に用いられる基板である場合には、該基板は、少なくとも一方面に回路が形成された回路基板であってもよい。
また、前記回路には、センサ素子が含まれていてもよい。
【0027】
ワーク保持層２の厚さは、１０μｍ以上３５００μｍ以下であることが好ましい。
ワーク保持層２の厚さは、２０μｍ以上であることがより好ましく、３０μｍ以上であることがさらに好ましく、４０μｍ以上であることがよりさらに好ましく、５０μｍ以上であることが特に好ましい。
また、ワーク保持層２の厚さは、７５０μｍ以下であることがより好ましく、７００μｍ以下であることがさらに好ましく、６５０μｍ以下であることがよりさらに好ましく、６００μｍ以下であることが特に好ましい。
ワーク保持層２の厚さは、測定単位の直径（φ）が２０ｍｍである１／１００ダイヤルゲージを用いて測定することができる。
ワーク保持層２の厚さは、２０μｍ以上であることがより好ましく、３０μｍ以上であることがさらに好ましく、４０μｍ以上であることがよりさらに好ましく、５０μｍ以上であることが特に好ましい。
また、ワーク保持層２の厚さは、７５０μｍ以下であることがより好ましく、７００μｍ以下であることがさらに好ましく、６５０μｍ以下であることがよりさらに好ましく、６００μｍ以下であることが特に好ましい。
ワーク保持層２の厚さは、測定単位の直径（φ）が２０ｍｍである１／１００ダイヤルゲージを用いて測定することができる。
【0028】
ワーク保持層２の厚さＨ１に対する支持体１の厚さＨ２の比（Ｈ２／Ｈ１）は、０．１以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、１．０以上であることがより好ましい。
また、Ｈ２／Ｈ１は、１００以下であることが好ましく、７０以下であることがより好ましく、５０以下であることがより好ましい。
また、Ｈ２／Ｈ１は、１００以下であることが好ましく、７０以下であることがより好ましく、５０以下であることがより好ましい。
【0029】
上記したように、ワーク保持層２は、樹脂組成物によって構成されている。
前記樹脂組成物は、シリコーン樹脂またはフッ素樹脂を含んでいることが好ましい。
ワーク保持層２は、ゴム層または発泡体層として構成されていることが好ましい。
ワーク保持層２がゴム層または発泡体層として構成されていることにより、ワーク保持層２はクッション性に優れるものとなる。
また、ワーク保持層２が発泡体層として構成されている場合には、該ワーク保持層２はより一層クッション性に優れるものとなる。
ワーク保持層２が発泡体層として構成される場合、前記発泡体層は気泡を有する。
該気泡は種々の形状を有していてもよい。前記気泡の形状は、真球状であってもよいし、部分的にひずみのある略球状であってもよい。
また、前記気泡は、大きくひずんで不定形状となっていてもよい。
要すれば、前記気泡は、内部に空気などの気体を含んでいればどのような形状であってもよい。
前記樹脂組成物は、シリコーン樹脂またはフッ素樹脂を含んでいることが好ましい。
ワーク保持層２は、ゴム層または発泡体層として構成されていることが好ましい。
ワーク保持層２がゴム層または発泡体層として構成されていることにより、ワーク保持層２はクッション性に優れるものとなる。
また、ワーク保持層２が発泡体層として構成されている場合には、該ワーク保持層２はより一層クッション性に優れるものとなる。
ワーク保持層２が発泡体層として構成される場合、前記発泡体層は気泡を有する。
該気泡は種々の形状を有していてもよい。前記気泡の形状は、真球状であってもよいし、部分的にひずみのある略球状であってもよい。
また、前記気泡は、大きくひずんで不定形状となっていてもよい。
要すれば、前記気泡は、内部に空気などの気体を含んでいればどのような形状であってもよい。
【0030】
前記樹脂組成物として、シリコーンゴムを含む樹脂組成物（以下、シリコーンゴム含有組成物ともいう）またはフッ素ゴムを含む樹脂組成物（以下、フッ素ゴム含有組成物ともいう）を用いることにより、ワーク保持層２をゴム層として構成することができる。
シリコーンゴム含有組成物としては、付加（ヒドロシリル化）反応型のシリコーンゴム組成物や有機過酸化物硬化型のシリコーンゴム組成物などが挙げられる。
前記付加（ヒドロシリル化）反応型のシリコーンゴム組成物としては、ビニル基に代表されるアルケニル基を１分子中に２個以上有するアルケニル基含有オルガノポリシロキサンと、ＳｉＨ基を２個以上、好ましくは３個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン（通常、アルケニル基に対するＳｉＨ基のモル比が０．５～４となる量）と、白金又は白金化合物に代表される白金族金属系付加反応触媒（通常、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンに対し１～１，０００ｐｐｍ）と、を含有するものが挙げられる。
前記有機過酸化物硬化型のシリコーンゴム組成物としては、アルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサンに硬化剤として有機過酸化物を硬化有効量（通常、上記オルガノポリシロキサン１００質量部に対して１～１０質量部）配合したものが挙げられる。
また、フッ素ゴム含有組成物には、フッ素ゴムとして、通常、主鎖を構成する炭素原子に結合しているフッ素原子を有し、かつ、ゴム弾性を有する共重合体が含まれている。
このようなフッ素ゴムとしては、例えば、ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）共重合体、ＶｄＦ／ＨＦＰ／テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）共重合体、ＴＦＥ／プロピレン共重合体、ＴＦＥ／プロピレン／ＶｄＦ共重合体、エチレン／ＨＦＰ共重合体、エチレン／ＨＦＰ／ＶｄＦ共重合体、エチレン／ＨＦＰ／ＴＦＥ共重合体などが挙げられる。
シリコーンゴム含有組成物としては、付加（ヒドロシリル化）反応型のシリコーンゴム組成物や有機過酸化物硬化型のシリコーンゴム組成物などが挙げられる。
前記付加（ヒドロシリル化）反応型のシリコーンゴム組成物としては、ビニル基に代表されるアルケニル基を１分子中に２個以上有するアルケニル基含有オルガノポリシロキサンと、ＳｉＨ基を２個以上、好ましくは３個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン（通常、アルケニル基に対するＳｉＨ基のモル比が０．５～４となる量）と、白金又は白金化合物に代表される白金族金属系付加反応触媒（通常、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンに対し１～１，０００ｐｐｍ）と、を含有するものが挙げられる。
前記有機過酸化物硬化型のシリコーンゴム組成物としては、アルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサンに硬化剤として有機過酸化物を硬化有効量（通常、上記オルガノポリシロキサン１００質量部に対して１～１０質量部）配合したものが挙げられる。
また、フッ素ゴム含有組成物には、フッ素ゴムとして、通常、主鎖を構成する炭素原子に結合しているフッ素原子を有し、かつ、ゴム弾性を有する共重合体が含まれている。
このようなフッ素ゴムとしては、例えば、ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）共重合体、ＶｄＦ／ＨＦＰ／テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）共重合体、ＴＦＥ／プロピレン共重合体、ＴＦＥ／プロピレン／ＶｄＦ共重合体、エチレン／ＨＦＰ共重合体、エチレン／ＨＦＰ／ＶｄＦ共重合体、エチレン／ＨＦＰ／ＴＦＥ共重合体などが挙げられる。
【0031】
また、前記樹脂組成物を発泡させた状態でワーク保持層２を構成することにより、ワーク保持層２を発泡層とすることができる。
前記樹脂組成物がフッ素樹脂を含む樹脂組成物（以下、フッ素樹脂含有組成物ともいう）である場合には、フッ素樹脂含有組成物に、フッ素樹脂に加えて、各種発泡剤を加えることにより、前記樹脂組成物を発泡させた状態とすることができる。
前記フッ素樹脂含有組成物に含まれるフッ素樹脂としては、例えば、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン－エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）などが挙げられる。
各種発泡剤としては、フロンガス、不活性ガス（アルゴンなど）、二酸化炭素、窒素、炭化水素（プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサンなど）が挙げられる。
また、前記フッ素樹脂含有組成物は、前記フッ素樹脂及び各種発泡剤に加えて、成核剤を含んでいてもよい。
前記成核剤としては、窒化ホウ素（ＢＮ）、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナ、マグネシアなどが挙げられる。
前記樹脂組成物がフッ素樹脂を含む樹脂組成物（以下、フッ素樹脂含有組成物ともいう）である場合には、フッ素樹脂含有組成物に、フッ素樹脂に加えて、各種発泡剤を加えることにより、前記樹脂組成物を発泡させた状態とすることができる。
前記フッ素樹脂含有組成物に含まれるフッ素樹脂としては、例えば、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン－エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）などが挙げられる。
各種発泡剤としては、フロンガス、不活性ガス（アルゴンなど）、二酸化炭素、窒素、炭化水素（プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサンなど）が挙げられる。
また、前記フッ素樹脂含有組成物は、前記フッ素樹脂及び各種発泡剤に加えて、成核剤を含んでいてもよい。
前記成核剤としては、窒化ホウ素（ＢＮ）、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナ、マグネシアなどが挙げられる。
【0032】
前記樹脂組成物がシリコーン樹脂を含む樹脂組成物（以下、シリコーン樹脂含有組成物ともいう）である場合には、シリコーン樹脂含有組成物を熱硬化することにより発泡させて、ワーク保持層２を発泡層として構成してもよい。
すなわち、ワーク保持層２を発泡として構成するに際しては、シリコーン樹脂含有組成物として熱硬化により発泡するものを用いてもよい。
このようなシリコーン樹脂含有組成物としては、少なくとも、以下のような（Ａ）成分～（Ｆ）成分を以下の質量比率で含有するものが挙げられる。
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン１００質量部、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン（（Ａ）成分中のアルケニル基１モルに対して（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子が０．４モル以上２０モル以下となる量）、
（Ｃ）水と無機系増粘剤からなる混合物１００質量部以上１０００質量部以下
（Ｄ）（Ｄ－１）ＨＬＢの値が３以上であるノニオン系界面活性剤、及び、（Ｄ－２）ＨＬＢの値が３未満であるノニオン系界面活性剤０．１質量部以上１５質量部以下（ただし、（Ｄ－２）成分に対する（Ｄ－１）成分の質量比が少なくとも１）
（Ｅ）ヒドロキシシリル化反応触媒、及び、
（Ｆ）硬化遅延剤０．００１質量部以上５質量部以下。
すなわち、ワーク保持層２を発泡として構成するに際しては、シリコーン樹脂含有組成物として熱硬化により発泡するものを用いてもよい。
このようなシリコーン樹脂含有組成物としては、少なくとも、以下のような（Ａ）成分～（Ｆ）成分を以下の質量比率で含有するものが挙げられる。
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン１００質量部、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン（（Ａ）成分中のアルケニル基１モルに対して（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子が０．４モル以上２０モル以下となる量）、
（Ｃ）水と無機系増粘剤からなる混合物１００質量部以上１０００質量部以下
（Ｄ）（Ｄ－１）ＨＬＢの値が３以上であるノニオン系界面活性剤、及び、（Ｄ－２）ＨＬＢの値が３未満であるノニオン系界面活性剤０．１質量部以上１５質量部以下（ただし、（Ｄ－２）成分に対する（Ｄ－１）成分の質量比が少なくとも１）
（Ｅ）ヒドロキシシリル化反応触媒、及び、
（Ｆ）硬化遅延剤０．００１質量部以上５質量部以下。
【0033】
（Ａ）成分は、本シリコーン樹脂含有組成物の主剤である。
（Ａ）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基が挙げられ、好ましくは、ビニル基である。
また、（Ａ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基などのアリール基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；３，３，３－トリフルオロプロピル基などのハロゲン置換アルキル基などが挙げられ、好ましくは、メチル基である。
（Ａ）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基が挙げられ、好ましくは、ビニル基である。
また、（Ａ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基などのアリール基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；３，３，３－トリフルオロプロピル基などのハロゲン置換アルキル基などが挙げられ、好ましくは、メチル基である。
【0034】
（Ａ）成分は、具体的には、ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体が例示され、好ましくは、主鎖が実質的に直鎖状であるジオルガノポリシロキサンである。
【0035】
（Ｂ）成分は、本シリコーン樹脂含有組成物の架橋剤である。
（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子の結合位置は限定されず、分子鎖末端および／ または分子鎖側鎖が例示される。（Ｂ）成分中の水素原子以外のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３，３，３－トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基等が例示され、好ましくは、メチル基である。
（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子の結合位置は限定されず、分子鎖末端および／ または分子鎖側鎖が例示される。（Ｂ）成分中の水素原子以外のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３，３，３－トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基等が例示され、好ましくは、メチル基である。
【0036】
このような（Ｂ）成分としては、ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、(ＣＨ３)３ＳｉＯ１／２で示されるシロキサン単位とＨ(ＣＨ３)２ＳｉＯ１／２で示されるシロキサン単位とＳｉＯ４／２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサンが例示され、好ましくは、直鎖状のオルガノポリシロキサンである。
【0037】
（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分中のアルケニル基１モルに対して、（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子が０．４モル以上２０モル以下の範囲内となる量であり、１．５モル以上２０モル以下の範囲内となる量であることが好ましく、１．５モル以上１０モル以下の範囲内となる量であることがより好ましい。
これは、（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素のモル数が上記範囲内であると、本シリコーン樹脂含有組成物で構成されたワーク保持層２の圧縮永久歪が改善されるからである。
これは、（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素のモル数が上記範囲内であると、本シリコーン樹脂含有組成物で構成されたワーク保持層２の圧縮永久歪が改善されるからである。
【0038】
（Ｃ）成分は、本シリコーン樹脂含有組成物を架橋して得られるシリコーン架橋体から（Ｃ）成分中の水を除去することにより、得られるワーク保持層２をシリコーンスポンジとするための成分である。（Ａ）成分中に（Ｃ）成分が安定して分散することから、（Ｃ）成分中の水はイオン交換水であることが好ましい。
本シリコーン樹脂含有組成物では、（Ｃ）成分中の水が除去されることにより架橋されて硬化された後において発泡体が形成される。
そのため、前記発泡体においては、水が除去されるときの経路が連通された構造となっている。
すなわち、本シリコーン樹脂含有組成物によって形成される前記発泡体は、連通気泡構造を有するものとなる。
本シリコーン樹脂含有組成物では、（Ｃ）成分中の水が除去されることにより架橋されて硬化された後において発泡体が形成される。
そのため、前記発泡体においては、水が除去されるときの経路が連通された構造となっている。
すなわち、本シリコーン樹脂含有組成物によって形成される前記発泡体は、連通気泡構造を有するものとなる。
【0039】
（Ｃ）成分中の無機系増粘剤は、水の粘度を高め、（Ａ）成分中に（Ｃ）成分が容易に分散し、（Ｃ）成分の分散状態を安定させるために配合される。
この無機増粘剤としては、天然または合成のものがあり、ベントナイト、モンモリロナイト、ヘクトライト、サポナイト、ソーコナイト、バイデライトおよびノントロナイト等の天然または合成のスメクタイトクレー；ケイ酸アルミニウムマグネシウム；および、これらとカルボキシビニルポリマーなどの水溶性有機ポリマーとの複合品が例示され、好ましくは、ベントナイトやモンモリロナイトなどのスメクタイトクレーである。
このような、スメクタイトクレーとしては、例えば、水熱合成品であるスメクトンＳＡ（クニミネ工業社製）天然精製品であるベンゲル（ホージュン社製）が入手可能である。これらのスメクタイトクレーのｐＨは前記シリコーンスポンジの耐熱性を維持する点から５．０以上９．０以下の範囲内であることが好ましい。また、（Ｃ）成分中の無機系増粘剤の含有量は、水１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下の範囲内であることが好ましく、０．５質量部以上５質量部以下の範囲内であることがより好ましい。
この無機増粘剤としては、天然または合成のものがあり、ベントナイト、モンモリロナイト、ヘクトライト、サポナイト、ソーコナイト、バイデライトおよびノントロナイト等の天然または合成のスメクタイトクレー；ケイ酸アルミニウムマグネシウム；および、これらとカルボキシビニルポリマーなどの水溶性有機ポリマーとの複合品が例示され、好ましくは、ベントナイトやモンモリロナイトなどのスメクタイトクレーである。
このような、スメクタイトクレーとしては、例えば、水熱合成品であるスメクトンＳＡ（クニミネ工業社製）天然精製品であるベンゲル（ホージュン社製）が入手可能である。これらのスメクタイトクレーのｐＨは前記シリコーンスポンジの耐熱性を維持する点から５．０以上９．０以下の範囲内であることが好ましい。また、（Ｃ）成分中の無機系増粘剤の含有量は、水１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下の範囲内であることが好ましく、０．５質量部以上５質量部以下の範囲内であることがより好ましい。
【0040】
（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１００質量部以上１０００質量部以下の範囲内であり、１００質量部以上８００質量部以下の範囲内であることが好ましく、１００質量部以上５００質量部以下の範囲であることがより好ましく、２００質量部以上５００質量部以下の範囲内であることがさらに好ましく、２００質量部以上３５０質量部以下の範囲内であることが特に好ましい。これは、（Ｃ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られるワーク保持層２を低密度とすることができるからであり、上記範囲の上限以下であると、得られるワーク保持層２を均一で微細な連続気泡構造を有するものとすることができるからである。
【0041】
（Ｄ）成分の界面活性剤は、（Ｄ－１）ＨＬＢの値が３以上であるノニオン系界面活性剤および（Ｄ－２）ＨＬＢの値が３未満であるノニオン系界面活性剤からなる。
（Ｄ）成分の界面活性剤としては、グリセリン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、スクロース脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリプロピレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロック共重合体、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミドが例示される。
（Ｄ）成分の界面活性剤としては、グリセリン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、スクロース脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリプロピレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロック共重合体、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミドが例示される。
【0042】
（Ｄ）成分は、（Ｄ－１）成分と（Ｄ－２）成分からなり、（Ｄ－２）成分に対する（Ｄ－１）成分の質量比が１以上であり、５以上であることが好ましく、８以上であることがより好ましく、１０以上であることがさらに好ましく、１５以上であることが特に好ましい。
また、（Ｄ－２）成分に対する（Ｄ－１）成分の質量比は、１００以下であることが好ましく、８０以下であることがより好ましく、７０以下であることがさらに好ましく、６０以下であることが特に好ましく、５０以下であることがより特に好ましい。
これは、この質量比が上記下限より大きくなれば、ワーク保持層２を均一で微細な連続気泡構造を有する低密度のものとすることができ、上記上限より小さくなれば、（Ａ）成分と（Ｂ）成分中に（Ｃ）成分を安定性良く分散することができ、結果として、ワーク保持層２を均一で微細な連続気泡構造を有するものとすることができるからである。
また、（Ｄ－２）成分に対する（Ｄ－１）成分の質量比は、１００以下であることが好ましく、８０以下であることがより好ましく、７０以下であることがさらに好ましく、６０以下であることが特に好ましく、５０以下であることがより特に好ましい。
これは、この質量比が上記下限より大きくなれば、ワーク保持層２を均一で微細な連続気泡構造を有する低密度のものとすることができ、上記上限より小さくなれば、（Ａ）成分と（Ｂ）成分中に（Ｃ）成分を安定性良く分散することができ、結果として、ワーク保持層２を均一で微細な連続気泡構造を有するものとすることができるからである。
【0043】
（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．１質量部以上１５質量部以下の範囲内であり、０．２質量部以上３質量部以下の範囲内であることが好ましい。
これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、ワーク保持層２を均一で微細な連続気泡構造を有するものとすることができ、上記範囲の上限以下であると、ワーク保持層２を耐熱性に優れるものとすることができるからである。
これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、ワーク保持層２を均一で微細な連続気泡構造を有するものとすることができ、上記範囲の上限以下であると、ワーク保持層２を耐熱性に優れるものとすることができるからである。
【0044】
（Ｅ）成分は、本シリコーン樹脂含有組成物においてヒドロシリル化反応を促進するためのヒドロシリル化反応触媒であり、例えば、白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒が挙げられる。
これらの各種触媒の中でも、白金系触媒を用いることが好ましい。
このような（Ｅ）成分としては、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィン類、ビニルシロキサン又はアセチレン化合物との配位化合物、白金のオレフィン類、ビニルシロキサン又はアセチレン化合物との配位化合物、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウムが挙げられる。
これらの各種触媒の中でも、白金系触媒を用いることが好ましい。
このような（Ｅ）成分としては、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィン類、ビニルシロキサン又はアセチレン化合物との配位化合物、白金のオレフィン類、ビニルシロキサン又はアセチレン化合物との配位化合物、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウムが挙げられる。
【0045】
（Ｅ）成分の含有量は、本シリコーン樹脂含有樹成物を架橋させるに十分な量である。
具体的には、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の合計量に対して、（Ｅ）成分中の触媒金属が質量換算で、０．０１ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下の範囲内となる量であることが好ましく、０．１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の範囲内となる量であることがより好ましい。
具体的には、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の合計量に対して、（Ｅ）成分中の触媒金属が質量換算で、０．０１ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下の範囲内となる量であることが好ましく、０．１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の範囲内となる量であることがより好ましい。
【0046】
硬化速度や作業可使時間を調整するため、本シリコーン樹脂含有樹組成物は、（Ｆ）硬化遅延剤を含有してもいてもよい。
このような（Ｆ）成分としては、３－メチル－１－ブチン－３－オール、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、３－フェニル－１－ブチン－３－オール、１－エチニル－１－シクロヘキサノール等のアルキンアルコールが例示される。（Ｆ）成分の含有量は、本シリコーン樹脂含有組成物の使用方法や成形方法に応じて適宜選択されるが、一般的には、（Ａ）成分１００質量部に対して０．００１質量部以上５質量部以下の範囲内である。
このような（Ｆ）成分としては、３－メチル－１－ブチン－３－オール、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、３－フェニル－１－ブチン－３－オール、１－エチニル－１－シクロヘキサノール等のアルキンアルコールが例示される。（Ｆ）成分の含有量は、本シリコーン樹脂含有組成物の使用方法や成形方法に応じて適宜選択されるが、一般的には、（Ａ）成分１００質量部に対して０．００１質量部以上５質量部以下の範囲内である。
【0047】
得られるワーク保持層２の強度を向上させる観点から、本シリコーン樹脂含有組成物は、さらに（Ｇ）補強性シリカ微粉末を含有していてもよい。
このような（Ｇ）成分としては、ＢＥＴ比表面積が、５０ｍ２／ｇ以上３５０ｍ２／ｇ以下であるシリカ微粉末が好ましく、８０ｍ２／ｇ以上２５０ｍ２／ｇ以下であるシリカ微粉末がより好ましい。
このようなシリカ微粉末としては、ヒュームドシリカ、沈降シリカが挙げられる。
また、これらのシリカ微粉末は、オルガノシラン等で表面処理されていてもよい。
このような（Ｇ）成分としては、ＢＥＴ比表面積が、５０ｍ２／ｇ以上３５０ｍ２／ｇ以下であるシリカ微粉末が好ましく、８０ｍ２／ｇ以上２５０ｍ２／ｇ以下であるシリカ微粉末がより好ましい。
このようなシリカ微粉末としては、ヒュームドシリカ、沈降シリカが挙げられる。
また、これらのシリカ微粉末は、オルガノシラン等で表面処理されていてもよい。
【0048】
（Ｇ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、２０質量部以下であり、１５質量部以下であることが好ましく、１０質量部以下であることがより好ましい。
また、（Ｇ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部以上であることが好ましい。
また、（Ｇ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部以上であることが好ましい。
【0049】
本シリコーン樹脂含有組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、カーボンブラックやベンガラ等の顔料を含有していてもよい。
【0050】
本シリコーン樹脂含有組成物は、上記各成分あるいはこれらに必要に応じて各種添加剤を配合した組成物を公知の混練手段により均一に混合することにより容易に製造することができる。
ここで使用するミキサーとしてはホモミキサー、パドルミキサー、ホモディスパー、コロイドミル、真空混合攪拌ミキサー、自転公転ミキサー等が例示されるが、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を（Ａ）成分に十分に分散させることができるものであれば特に限定されるものではない。
ここで使用するミキサーとしてはホモミキサー、パドルミキサー、ホモディスパー、コロイドミル、真空混合攪拌ミキサー、自転公転ミキサー等が例示されるが、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を（Ａ）成分に十分に分散させることができるものであれば特に限定されるものではない。
【0051】
なお、上で説明したフッ素樹脂含有組成物の例と同様にして、シリコーン樹脂含有組成物を用いてワーク保持層２を発泡体層として構成してもよい。
すなわち、シリコーン樹脂含有組成物として、シリコーン樹脂に加えて、各種発泡剤を含むものを用いて、ワーク保持層２を発泡体層として構成してもよい。
すなわち、シリコーン樹脂含有組成物として、シリコーン樹脂に加えて、各種発泡剤を含むものを用いて、ワーク保持層２を発泡体層として構成してもよい。
【0052】
ワーク保持層２を発泡体層として構成する場合、該発泡体層の見掛け密度は、０．０５ｇ／ｃｍ３以上０．９０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。
前記発泡体層の見掛け密度は、０．１０ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましく、０．１５ｇ／ｃｍ３以上であることがさらに好ましい。
また、前記発泡体層の見掛け密度は、０．８５ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましく、０．８０ｇ／ｃｍ３以下であることがさらに好ましい。
前記発泡体層の見掛け密度は、０．１０ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましく、０．１５ｇ／ｃｍ３以上であることがさらに好ましい。
また、前記発泡体層の見掛け密度は、０．８５ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましく、０．８０ｇ／ｃｍ３以下であることがさらに好ましい。
【0053】
前記発泡体層の見掛け密度は、以下の手順にしたがって測定することができる。
（１）１００ｍｍ×１００ｍｍの打抜き刃型にて発泡体層として構成されたワーク保持層２を平面視矩形状に打ち抜いて、試験体を得る。
（２）前記試験体の平面寸法を測定するとともに、測定端子の直径（φ）が２０ｍｍである１／１００ダイヤルゲージを用いて、前記試験体の厚さを測定する。
（３）前記試験体の平面寸法と前記試験体の厚さとから、前記試験体の体積を算出する。
（４）最小目盛りが０．０１ｇ以上の上皿天秤を用いて、前記試験体の質量を測定する。
（５）前記試験体の体積と前記試験体の質量とから、前記試験体の見掛け密度を算出し、この算出値を、前記発泡体層の見掛け密度とする。
（１）１００ｍｍ×１００ｍｍの打抜き刃型にて発泡体層として構成されたワーク保持層２を平面視矩形状に打ち抜いて、試験体を得る。
（２）前記試験体の平面寸法を測定するとともに、測定端子の直径（φ）が２０ｍｍである１／１００ダイヤルゲージを用いて、前記試験体の厚さを測定する。
（３）前記試験体の平面寸法と前記試験体の厚さとから、前記試験体の体積を算出する。
（４）最小目盛りが０．０１ｇ以上の上皿天秤を用いて、前記試験体の質量を測定する。
（５）前記試験体の体積と前記試験体の質量とから、前記試験体の見掛け密度を算出し、この算出値を、前記発泡体層の見掛け密度とする。
【0054】
ワーク保持層２を発泡体層として構成する場合、前記発泡体層の平均気泡径は、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
前記発泡体層の平均気泡径は、２μｍ以上であることがより好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。
また、前記発泡体層の平均気泡径は、８０μｍ以下であることがより好ましく、７０μｍ以下であることがさらに好ましい。
前記発泡体層の平均気泡径は、２μｍ以上であることがより好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。
また、前記発泡体層の平均気泡径は、８０μｍ以下であることがより好ましく、７０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【0055】
前記発泡体層の平均気泡径は、低真空走査電子顕微鏡（「Ｓ－３４００Ｎ型走査電子顕微鏡」、日立ハイテクサイエンスシステムズ社製）を用いて撮像した拡大画像を画像解析ソフト（商品名「Ｗｉｎ ＲＯＯＦ」、三谷商事社製）にて画像解析することにより求めることができる。
なお、取り込んだ拡大画像にて確認される気泡数は１００個程度である。
また、前記発泡体の断面は、カミソリ刃を用いて、ＴＤ方向（樹脂流れ方向に直交する方向）、かつ、前記発泡体の主面に対して垂直方向（厚さ方向）に前記発泡体を切断して得られる断面である。
さらに、画像解析では、各気泡のＴＤ方向の長さを求める。
なお、取り込んだ拡大画像にて確認される気泡数は１００個程度である。
また、前記発泡体の断面は、カミソリ刃を用いて、ＴＤ方向（樹脂流れ方向に直交する方向）、かつ、前記発泡体の主面に対して垂直方向（厚さ方向）に前記発泡体を切断して得られる断面である。
さらに、画像解析では、各気泡のＴＤ方向の長さを求める。
【0056】
ワーク保持層２を発泡体層として構成する場合、前記発泡体層は、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
前記発泡体層は、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａが０．５μｍ以上であることがより好ましく、１．０μｍ以上であることがさらに好ましい。
また、前記発泡体層は、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａが３０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
前記発泡体層において、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａが上記数値範囲であることにより、前記発泡体層を支持体１により十分に固定することができる。
前記発泡体層において、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａは、先に説明した、「支持体１における、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａ」と同様にして測定することができる。
前記発泡体層は、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａが０．５μｍ以上であることがより好ましく、１．０μｍ以上であることがさらに好ましい。
また、前記発泡体層は、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａが３０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
前記発泡体層において、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａが上記数値範囲であることにより、前記発泡体層を支持体１により十分に固定することができる。
前記発泡体層において、支持体１に当接される面の算術平均粗さＲａは、先に説明した、「支持体１における、ワーク保持層２が保持される面の算術平均粗さＲａ」と同様にして測定することができる。
【0057】
ワーク保持層２を発泡体層として構成する場合、前記発泡体層は、連続気泡構造を有していることが好ましい。
連続気泡構造は、例えば、上で説明したような、シリコーン樹脂含有組成物を用いて形成することができる。
連続気泡構造とは、前記発泡体層において、隣接する気泡どうしが繋がっている構造を意味する。
前記発泡体が連続気泡構造を有していることにより、発泡体層たるワーク保持層２の一方面を第１の被着体たる支持体１に被着させたり、他方面を第２の被着体たるワーク（基板など）に被着させたりするときに、前記第１の被着体の被着面と発泡体層たるワーク保持層２の一方面との間、及び、前記第２の着体の被着面と発泡体層たるワーク保持層２の他方面との間に気泡が噛み込むことを抑制できる。
そのため、前記第１の被着体及び前記第２の被着体を、発泡体層たるワーク保持層２に好適に保持させることができる。
また、前記発泡体層が連続気泡構造を備えていることにより、電子部品装置の製造において、電子部品をワークたる基板に実装した後に、発泡体層たるワーク保持層２から、前記基板を糊残りなく剥がし易くなる。
さらに、発泡体層たるワーク保持層２が汚れたとしても、水洗いすることでワーク保持層２の保持性（吸着性）を回復させることができ、ワーク保持層２の繰り返し使用性を向上させることができる。
また、前記発泡体層が連続気泡構造を有していることにより、前記発泡体層の厚みを薄くしたとしても、上記の各効果を十分に発現させることができる。
連続気泡構造は、例えば、上で説明したような、シリコーン樹脂含有組成物を用いて形成することができる。
連続気泡構造とは、前記発泡体層において、隣接する気泡どうしが繋がっている構造を意味する。
前記発泡体が連続気泡構造を有していることにより、発泡体層たるワーク保持層２の一方面を第１の被着体たる支持体１に被着させたり、他方面を第２の被着体たるワーク（基板など）に被着させたりするときに、前記第１の被着体の被着面と発泡体層たるワーク保持層２の一方面との間、及び、前記第２の着体の被着面と発泡体層たるワーク保持層２の他方面との間に気泡が噛み込むことを抑制できる。
そのため、前記第１の被着体及び前記第２の被着体を、発泡体層たるワーク保持層２に好適に保持させることができる。
また、前記発泡体層が連続気泡構造を備えていることにより、電子部品装置の製造において、電子部品をワークたる基板に実装した後に、発泡体層たるワーク保持層２から、前記基板を糊残りなく剥がし易くなる。
さらに、発泡体層たるワーク保持層２が汚れたとしても、水洗いすることでワーク保持層２の保持性（吸着性）を回復させることができ、ワーク保持層２の繰り返し使用性を向上させることができる。
また、前記発泡体層が連続気泡構造を有していることにより、前記発泡体層の厚みを薄くしたとしても、上記の各効果を十分に発現させることができる。
【0058】
前記発泡体層が連続気泡構造を有する場合、連続気泡率は、９０％以上であることが好ましく、９０％以上１００％以下であることがより好ましく、９２％以上１００％以下であることがさらに好ましく、９５％以上１００％以下であることがよりさらに好ましく、９９％以上１００％以下であることが特に好ましく、実質的に１００％であることが最適である。
連続気泡率が、上記数値範囲内であることにより、優れた気泡抜け性を発現でき、基板や支持体などの被着体の被着面と前記発泡体層の表面との間に気泡が噛み込むことを抑制できる。
また、前記発泡体層から基板などの被着体を糊残りなく剥がし易くなる。
連続気泡率が、上記数値範囲内であることにより、優れた気泡抜け性を発現でき、基板や支持体などの被着体の被着面と前記発泡体層の表面との間に気泡が噛み込むことを抑制できる。
また、前記発泡体層から基板などの被着体を糊残りなく剥がし易くなる。
【0059】
前記発泡体層は、全気泡の９０％以上の気泡径が８０μｍ以下であることが好ましく、全気泡の９２％以上の気泡径が８０μｍ以下であることがより好ましく、全気泡の９５％以上の気泡径が８０μｍ以下であることがさらに好ましく、全気泡の９７％以上の気泡径が８０μｍ以下であることがよりさらに好ましく、全セルの実質的に１００％の気泡径が８０μｍ以下であることが最適である。
全気泡において気泡径８０μｍの気泡が上記数値範囲であることにより、前記発泡体層において、より優れた気抜け性を発現でき、基板や支持体などの被着体の被着面と前記発泡体層の表面との間に気泡が噛み込むことをより一層抑制できる。
また、前記発泡体層から基板などの被着体をより一層糊残りなく剥がし易くなる。
全気泡において気泡径８０μｍの気泡が上記数値範囲であることにより、前記発泡体層において、より優れた気抜け性を発現でき、基板や支持体などの被着体の被着面と前記発泡体層の表面との間に気泡が噛み込むことをより一層抑制できる。
また、前記発泡体層から基板などの被着体をより一層糊残りなく剥がし易くなる。
【0060】
ワーク保持層２は、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上である。
なお、１５０℃は、有機ＥＬ装置の製造において、ＩＺＯ膜やＩＴＯ膜などの透明電極膜をスパッタリングなどで透明基板上に取り付けた後、アニール処理を行って実装するときの、前記アニール処理の温度である。
前記せん断粘着力の値Ｓは、２Ｎ／１００ｍｍ２以上であることが好ましく、３Ｎ／１００ｍｍ２以上であることがより好ましく、４Ｎ／１００ｍｍ２以上であることがさらに好ましく、５Ｎ／１００ｍｍ２以上であることが特に好ましい。
また、前記せん断粘着力の値Ｓは、１０Ｎ／１００ｍｍ２以下であることが好ましく、９Ｎ／１００ｍｍ２以下であることがより好ましく、８Ｎ／１００ｍｍ２以下であることがさらに好ましく、７Ｎ／１００ｍｍ２以下であることがよりさらに好ましく、６Ｎ／１００ｍｍ２以下であることが特に好ましい。
１５０℃以上の温度の上限値は、２７０℃であることが好ましい。
ここで、半導体装置の製造においては、半導体チップを配線回路基板に取り付けて半導体チップ付の配線回路基板を得た後、前記半導体チップ付の配線回路基板をリフロー炉にてリフロー処理する。
そして、前記リフロー処理は、前記半導体チップ付の配線回路基板を１８０℃で所定時間加熱した後、２７０℃で所定時間加熱するようにして実施される。
すなわち、２７０℃は、リフロー処理における最高到達温度である。
１５０℃以上の温度で加熱する前における支持体１に対するワーク保持層２のせん断粘着力の値Ｓは、引張試験機（型式：ＤＴ９５０３－１０００Ｎ、タンスイ社製）を用いて、以下の手順にしたがって測定することができる。
また、ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いることができる。
（１）平面寸法が３０ｍｍ×３０ｍｍのワーク保持層２の一方面に支持体１を載置して第１積層体を得た後、該第１積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、支持体１にワーク保持層２を圧着させる。
なお、取り付け時には、可能な限り気泡を巻き込まないように注意する。
その後、熱風式オーブンを用いて、圧着処理後の第１積層体を温度２６０℃で３時間加熱処理する。
これにより、ワーク保持部材１０を作製する。
（２）２３℃まで降温して該温度で１２０分間放置した後、ワーク保持層２の露出面（支持体１が取り付けられている側の反対面）に、ポリイミドフィルムを載置して第２積層体を得た後、該第２積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させて、せん断粘着力評価用の試験体を得る。
（３）ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させてから３０分後に、前記試験体の中心線と引張試験機のつかみの中心線とが一致するように、前記試験体を前記引張試験機にセットする。
そして、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎでポリイミドフィルムをせん断方向に引っ張った際に、ポリイミドフィルムがワーク保持層２からはく離するときの荷重（すなわち、最大荷重）を測定する。
（４）５個の試験体について、（１）～（３）を実施して、各試験体について最大荷重を測定した後、これらの測定値を算術平均する。
そして、算術平均値を１００ｍｍ２当たりの値に比例換算してせん断接着力を求める。
なお、１５０℃は、有機ＥＬ装置の製造において、ＩＺＯ膜やＩＴＯ膜などの透明電極膜をスパッタリングなどで透明基板上に取り付けた後、アニール処理を行って実装するときの、前記アニール処理の温度である。
前記せん断粘着力の値Ｓは、２Ｎ／１００ｍｍ２以上であることが好ましく、３Ｎ／１００ｍｍ２以上であることがより好ましく、４Ｎ／１００ｍｍ２以上であることがさらに好ましく、５Ｎ／１００ｍｍ２以上であることが特に好ましい。
また、前記せん断粘着力の値Ｓは、１０Ｎ／１００ｍｍ２以下であることが好ましく、９Ｎ／１００ｍｍ２以下であることがより好ましく、８Ｎ／１００ｍｍ２以下であることがさらに好ましく、７Ｎ／１００ｍｍ２以下であることがよりさらに好ましく、６Ｎ／１００ｍｍ２以下であることが特に好ましい。
１５０℃以上の温度の上限値は、２７０℃であることが好ましい。
ここで、半導体装置の製造においては、半導体チップを配線回路基板に取り付けて半導体チップ付の配線回路基板を得た後、前記半導体チップ付の配線回路基板をリフロー炉にてリフロー処理する。
そして、前記リフロー処理は、前記半導体チップ付の配線回路基板を１８０℃で所定時間加熱した後、２７０℃で所定時間加熱するようにして実施される。
すなわち、２７０℃は、リフロー処理における最高到達温度である。
１５０℃以上の温度で加熱する前における支持体１に対するワーク保持層２のせん断粘着力の値Ｓは、引張試験機（型式：ＤＴ９５０３－１０００Ｎ、タンスイ社製）を用いて、以下の手順にしたがって測定することができる。
また、ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いることができる。
（１）平面寸法が３０ｍｍ×３０ｍｍのワーク保持層２の一方面に支持体１を載置して第１積層体を得た後、該第１積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、支持体１にワーク保持層２を圧着させる。
なお、取り付け時には、可能な限り気泡を巻き込まないように注意する。
その後、熱風式オーブンを用いて、圧着処理後の第１積層体を温度２６０℃で３時間加熱処理する。
これにより、ワーク保持部材１０を作製する。
（２）２３℃まで降温して該温度で１２０分間放置した後、ワーク保持層２の露出面（支持体１が取り付けられている側の反対面）に、ポリイミドフィルムを載置して第２積層体を得た後、該第２積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させて、せん断粘着力評価用の試験体を得る。
（３）ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させてから３０分後に、前記試験体の中心線と引張試験機のつかみの中心線とが一致するように、前記試験体を前記引張試験機にセットする。
そして、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎでポリイミドフィルムをせん断方向に引っ張った際に、ポリイミドフィルムがワーク保持層２からはく離するときの荷重（すなわち、最大荷重）を測定する。
（４）５個の試験体について、（１）～（３）を実施して、各試験体について最大荷重を測定した後、これらの測定値を算術平均する。
そして、算術平均値を１００ｍｍ２当たりの値に比例換算してせん断接着力を求める。
【0061】
ワーク保持層２は、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である。
前記剥離力の値Ｐは、１０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、５Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましく、１Ｎ／２０ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であることがよりさらに好ましい。
前記剥離力の値Ｐの下限値は、通常、０．０１Ｎ／２０ｍｍである。
上記したように、１５０℃以上の温度の上限値は、２７０℃であることが好ましい。
１５０℃以上の温度で５分間加熱した後のポリイミドフィルムに対するワーク保持層２の９０°剥離力は、引張試験機（型式：ＡＧＳ－Ｘ－５０００Ｎ、島津製作所社製）を用いて、以下の手順にしたがって測定することができる。
また、ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いることができる。
（１）平面寸法が３０ｍｍ×３０ｍｍのワーク保持層２の一方面に支持体１を載置して第１積層体を得た後、該第１積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、支持体１にワーク保持層２を圧着させる。
なお、取り付け時には、可能な限り気泡を巻き込まないように注意する。
その後、熱風式オーブンを用いて、圧着処理後の第１積層体を温度２６０℃で３時間加熱処理する。
これにより、ワーク保持部材１０を作製する。
（２）２３℃まで降温して該温度で１２０分間放置した後、ワーク保持層２の露出面（支持体１が取り付けられている側の反対面）に、２０ｍｍ幅のポリイミドフィルムを載置して第２積層体を得た後、該第２積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させて、９０°剥離力評価用の試験体を得る。
（３）ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させてから３０分後に、９０°剥離力評価用の試験体を以下の条件でリフロー処理する。
・リフロー処理条件
（ａ）炉内温度を５０℃としたリフロー炉内に９０°剥離力評価用の試験体を入れた後、温度５０℃で前記９０°剥離力評価用の試験体を５０秒間保持する。
（ｂ）炉内温度を５０℃から１８０℃まで６０秒で昇温した後、温度１８０℃で１００秒間保持する。
（ｃ）炉内温度を１８０℃から２７０℃まで６０秒で昇温した後、温度２７０℃で１００秒間保持する。
（ｄ）炉内温度を２７０℃から１００℃まで１００秒で降温させる。
そして、炉内温度を２３℃まで降温させて該温度で前記９０°剥離力評価用の試験体を３０分間放置した後、前記リフロー炉から前記９０°剥離力評価用の試験体を取り出す。
次に、前記リフロー炉内から取り出した前記９０°剥離力評価用の試験体について、前記引張試験機を用いて、剥離角度９０°、引張速度３００ｍｍ／分の条件にて、リフロー後を通した後の試験体についてワーク保持層２からポリイミドフィルムを引き剥がした際の剥離力（Ｎ／２０ｍｍ）を測定する。
（４）５個の試験体について、（１）～（３）を実施して、各試験体について９０°剥離力を測定し、これらの測定値を算術平均したものを、９０°剥離力とする。
前記剥離力の値Ｐは、１０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、５Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましく、１Ｎ／２０ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であることがよりさらに好ましい。
前記剥離力の値Ｐの下限値は、通常、０．０１Ｎ／２０ｍｍである。
上記したように、１５０℃以上の温度の上限値は、２７０℃であることが好ましい。
１５０℃以上の温度で５分間加熱した後のポリイミドフィルムに対するワーク保持層２の９０°剥離力は、引張試験機（型式：ＡＧＳ－Ｘ－５０００Ｎ、島津製作所社製）を用いて、以下の手順にしたがって測定することができる。
また、ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いることができる。
（１）平面寸法が３０ｍｍ×３０ｍｍのワーク保持層２の一方面に支持体１を載置して第１積層体を得た後、該第１積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、支持体１にワーク保持層２を圧着させる。
なお、取り付け時には、可能な限り気泡を巻き込まないように注意する。
その後、熱風式オーブンを用いて、圧着処理後の第１積層体を温度２６０℃で３時間加熱処理する。
これにより、ワーク保持部材１０を作製する。
（２）２３℃まで降温して該温度で１２０分間放置した後、ワーク保持層２の露出面（支持体１が取り付けられている側の反対面）に、２０ｍｍ幅のポリイミドフィルムを載置して第２積層体を得た後、該第２積層体上に２ｋｇのローラを１往復させて、ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させて、９０°剥離力評価用の試験体を得る。
（３）ワーク保持層２にポリイミドフィルムを圧着させてから３０分後に、９０°剥離力評価用の試験体を以下の条件でリフロー処理する。
・リフロー処理条件
（ａ）炉内温度を５０℃としたリフロー炉内に９０°剥離力評価用の試験体を入れた後、温度５０℃で前記９０°剥離力評価用の試験体を５０秒間保持する。
（ｂ）炉内温度を５０℃から１８０℃まで６０秒で昇温した後、温度１８０℃で１００秒間保持する。
（ｃ）炉内温度を１８０℃から２７０℃まで６０秒で昇温した後、温度２７０℃で１００秒間保持する。
（ｄ）炉内温度を２７０℃から１００℃まで１００秒で降温させる。
そして、炉内温度を２３℃まで降温させて該温度で前記９０°剥離力評価用の試験体を３０分間放置した後、前記リフロー炉から前記９０°剥離力評価用の試験体を取り出す。
次に、前記リフロー炉内から取り出した前記９０°剥離力評価用の試験体について、前記引張試験機を用いて、剥離角度９０°、引張速度３００ｍｍ／分の条件にて、リフロー後を通した後の試験体についてワーク保持層２からポリイミドフィルムを引き剥がした際の剥離力（Ｎ／２０ｍｍ）を測定する。
（４）５個の試験体について、（１）～（３）を実施して、各試験体について９０°剥離力を測定し、これらの測定値を算術平均したものを、９０°剥離力とする。
【0062】
［積層体］
本発明の一実施形態に係る積層体２０は、図２に示したように、支持体１’と支持体１’上に積層されてワークを保持するワーク保持層２’とを備えるワーク保持部材１０’と、ワーク保持層２’上に保持されているワーク３と、を備える。
本実施形態に係る積層体２０では、ワーク保持部材１０’は、先に説明した、本実施形態に係るワーク保持部材１０として構成されている。
すなわち、支持体１’及びワーク保持層２’も、先に説明した、支持体１及びワーク保持層２と同様に構成されている。
また、ワーク３は、先に説明したように、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、及び、樹脂フィルム基板からなる群から選択される１種であることが好ましい。
前記樹脂フィルム基板としては、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどが挙げられる。
本実施形態に係る積層体２０は、上記のように構成されているので、電子部品の表面実装時にワーク３に反りが生じることが抑制されることに加えて、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワーク３（基板）を十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワーク保持層２’からワーク３（基板）を取り外し易いものとなる。
本発明の一実施形態に係る積層体２０は、図２に示したように、支持体１’と支持体１’上に積層されてワークを保持するワーク保持層２’とを備えるワーク保持部材１０’と、ワーク保持層２’上に保持されているワーク３と、を備える。
本実施形態に係る積層体２０では、ワーク保持部材１０’は、先に説明した、本実施形態に係るワーク保持部材１０として構成されている。
すなわち、支持体１’及びワーク保持層２’も、先に説明した、支持体１及びワーク保持層２と同様に構成されている。
また、ワーク３は、先に説明したように、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、及び、樹脂フィルム基板からなる群から選択される１種であることが好ましい。
前記樹脂フィルム基板としては、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどが挙げられる。
本実施形態に係る積層体２０は、上記のように構成されているので、電子部品の表面実装時にワーク３に反りが生じることが抑制されることに加えて、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワーク３（基板）を十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワーク保持層２’からワーク３（基板）を取り外し易いものとなる。
【0063】
［電子部品装置の製造方法］
本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法は、
支持体と該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層とを備えるワーク保持部材の前記ワーク保持層上にワークを保持させるワーク保持工程Ｓ１と、
前記ワーク保持層上に保持させた前記ワークの一表面上に電子部品を実装する電子部品実装工程Ｓ２と、
前記電子部品を実装させた前記ワークを前記ワーク保持部材の前記ワーク保持層から取り外すワーク取り外し工程Ｓ３と、を有する。
また、本実施形態に係る電子部品の製造方法では、前記ワーク保持部材は、先に説明した、本実施形態に係るワーク保持部材１０として構成されている。
本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法は、
支持体と該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層とを備えるワーク保持部材の前記ワーク保持層上にワークを保持させるワーク保持工程Ｓ１と、
前記ワーク保持層上に保持させた前記ワークの一表面上に電子部品を実装する電子部品実装工程Ｓ２と、
前記電子部品を実装させた前記ワークを前記ワーク保持部材の前記ワーク保持層から取り外すワーク取り外し工程Ｓ３と、を有する。
また、本実施形態に係る電子部品の製造方法では、前記ワーク保持部材は、先に説明した、本実施形態に係るワーク保持部材１０として構成されている。
【0064】
以下では、電子部品装置の製造方法として半導体装置の製造方法を例に挙げて、図３Ａ～３Ｅを参照しながら説明する。
なお、以下では、ワーク３上に半導体チップＳＣを取り付けた後、封止樹脂によって樹脂封止するまでを電子部品実装工程Ｓ２として説明する。
なお、以下では、ワーク３上に半導体チップＳＣを取り付けた後、封止樹脂によって樹脂封止するまでを電子部品実装工程Ｓ２として説明する。
【0065】
（ワーク保持工程Ｓ１）
図３Ａ及び３Ｂに示したように、ワーク保持工程Ｓ１では、ワーク保持部材１０のワーク保持層２上にワーク３たる基板を保持させる。
すなわち、先に説明したような積層体２０を形成する。
半導体装置の製造方法においては、前記基板は、少なくとも一表面に回路が形成された配線回路基板であることが好ましい。
なお、ワーク保持部材１０は、ワーク保持層２上にワーク３たる基板を保持させる前に、支持体１上にワーク保持層２を積層させることにより得ることができる。
支持体１へのワーク保持層２の積層は、支持体１にフィルム状に形成されたワーク保持層２を積層させることにより実施することができる。
あるいは、支持体１にワーク保持層２の原料となる樹脂組成物を塗布して乾燥させて、支持体１上にフィルム体のワーク保持層２を形成することにより実施することができる。
なお、支持体１にワーク保持層２の原料となる樹脂組成物を塗布して乾燥させる場合においては、該樹脂組成物を支持体１に塗布する前に、支持体１にプライマー液を塗布しておいてもよい。
すなわち、支持体１にプライマー液を塗布した後、さらに前記樹脂組成物を塗布して乾燥させることにより、支持体１上にワーク保持層２を形成してもよい。
前記プライマー液としては、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの各種公知の樹脂を含む樹脂組成物を用いることができる。
以上のようにして、ワーク保持工程Ｓ１を実施する。
図３Ａ及び３Ｂに示したように、ワーク保持工程Ｓ１では、ワーク保持部材１０のワーク保持層２上にワーク３たる基板を保持させる。
すなわち、先に説明したような積層体２０を形成する。
半導体装置の製造方法においては、前記基板は、少なくとも一表面に回路が形成された配線回路基板であることが好ましい。
なお、ワーク保持部材１０は、ワーク保持層２上にワーク３たる基板を保持させる前に、支持体１上にワーク保持層２を積層させることにより得ることができる。
支持体１へのワーク保持層２の積層は、支持体１にフィルム状に形成されたワーク保持層２を積層させることにより実施することができる。
あるいは、支持体１にワーク保持層２の原料となる樹脂組成物を塗布して乾燥させて、支持体１上にフィルム体のワーク保持層２を形成することにより実施することができる。
なお、支持体１にワーク保持層２の原料となる樹脂組成物を塗布して乾燥させる場合においては、該樹脂組成物を支持体１に塗布する前に、支持体１にプライマー液を塗布しておいてもよい。
すなわち、支持体１にプライマー液を塗布した後、さらに前記樹脂組成物を塗布して乾燥させることにより、支持体１上にワーク保持層２を形成してもよい。
前記プライマー液としては、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの各種公知の樹脂を含む樹脂組成物を用いることができる。
以上のようにして、ワーク保持工程Ｓ１を実施する。
【0066】
（電子部品実装工程Ｓ２）
半導体装置の製造方法における電子部品実装工程Ｓ２では、まず、図３Ｃに示したように、ワーク３たる基板上に半導体チップＳＣを取り付ける。
本実施形態に係る電子部品の製造方法では、半導体チップＳＣは、半導体チップ本体ＣＢと、該半導体チップ本体ＣＢの一表面に配されるバンプ電極ＢＥとを備えている。
また、ワーク３たる基板の一表面には、接続用導体部が形成されている（図示せず）。
そのため、ワーク３たる基板上への半導体チップＳＣの取り付けは、ワーク３たる基板の接続用導体部に半導体チップＳＣのバンプ電極ＢＥを接続することにより実施される。
ワーク３たる基板の接続用導体部への半導体チップＳＣのバンプ電極ＢＥの接続は、前記接続用導体部にバンプ電極ＢＥを当接させた状態で半導体チップＳＣをワーク３たる基板上に配した集合体を得た後、リフロー炉内で該集合体を加熱する（リフロー処理する）ことにより実施することができる。
前記リフロー処理では、前記半導体チップ積層体を取り付けた支持基板は、通常、１８０℃以上もの高温で所定時間処理される。
そして、前記リフロー処理での最高到達温度は、通常、２７０℃である。
ここで、半導体装置の製造方法に用いられるワーク保持部材は、本実施形態に係るワーク保持部材１０であるので、リフロー処理後においても、ワーク３たる基板が反ることを抑制できる。
また、リフロー処理前においては、ワーク保持部材のワーク保持層上にワーク３たる基板を十分に固定することができる。
半導体装置の製造方法における電子部品実装工程Ｓ２では、まず、図３Ｃに示したように、ワーク３たる基板上に半導体チップＳＣを取り付ける。
本実施形態に係る電子部品の製造方法では、半導体チップＳＣは、半導体チップ本体ＣＢと、該半導体チップ本体ＣＢの一表面に配されるバンプ電極ＢＥとを備えている。
また、ワーク３たる基板の一表面には、接続用導体部が形成されている（図示せず）。
そのため、ワーク３たる基板上への半導体チップＳＣの取り付けは、ワーク３たる基板の接続用導体部に半導体チップＳＣのバンプ電極ＢＥを接続することにより実施される。
ワーク３たる基板の接続用導体部への半導体チップＳＣのバンプ電極ＢＥの接続は、前記接続用導体部にバンプ電極ＢＥを当接させた状態で半導体チップＳＣをワーク３たる基板上に配した集合体を得た後、リフロー炉内で該集合体を加熱する（リフロー処理する）ことにより実施することができる。
前記リフロー処理では、前記半導体チップ積層体を取り付けた支持基板は、通常、１８０℃以上もの高温で所定時間処理される。
そして、前記リフロー処理での最高到達温度は、通常、２７０℃である。
ここで、半導体装置の製造方法に用いられるワーク保持部材は、本実施形態に係るワーク保持部材１０であるので、リフロー処理後においても、ワーク３たる基板が反ることを抑制できる。
また、リフロー処理前においては、ワーク保持部材のワーク保持層上にワーク３たる基板を十分に固定することができる。
【0067】
半導体装置の製造方法における電子部品実装工程Ｓ２では、次に、図３Ｄに示したように、バンプ電極ＢＥを前記接続用導体部に接続することによって、ワーク３たる基板上に取り付けられた半導体チップＳＣを封止樹脂ＥＲで樹脂封止する。
封止樹脂ＥＲとしては、通常、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。
そのため、ワーク３たる基板上に取り付けられた半導体チップＳＣを樹脂封止するに際しては、半導体チップＳＣを封止樹脂ＥＲで覆った後、該封止樹脂ＥＲを熱硬化させる温度（例えば、１５０℃）で加熱する。
以上のようにして、半導体装置の製造方法における電子部品実装工程Ｓ２を実施する。
これにより、ワーク３たる基板上に半導体パッケージＰが形成される。
封止樹脂ＥＲとしては、通常、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。
そのため、ワーク３たる基板上に取り付けられた半導体チップＳＣを樹脂封止するに際しては、半導体チップＳＣを封止樹脂ＥＲで覆った後、該封止樹脂ＥＲを熱硬化させる温度（例えば、１５０℃）で加熱する。
以上のようにして、半導体装置の製造方法における電子部品実装工程Ｓ２を実施する。
これにより、ワーク３たる基板上に半導体パッケージＰが形成される。
【0068】
（ワーク取り外し工程Ｓ３）
半導体装置の製造方法におけるワーク取り外し工程Ｓ３では、半導体パッケージＰが配されたワーク３たる基板をワーク保持部材のワーク保持層２から取り外す。
ワーク保持層２からのワーク３たる基板の取り外しは、例えば、吸引装置を用いて、ワーク保持層２がワーク３たる基板を保持する力よりも大きな吸引力で、ワーク３たる基板が配されていない側の半導体パッケージＰの面を吸引することにより実施することができる。
なお、半導体装置の製造方法に用いられるワーク保持部材は、本実施形態に係るワーク保持部材１０であるので、リフロー処理後においては、ワーク３たる基板に対するワーク保持層２の保持力（接着力）は小さくなっている。
すなわち、ワーク保持層２からワーク３たる基板は取り外し易くなっている。
そのため、比較的小さな吸引力でも、ワーク保持層２からワーク３たる基板を効率良く取り外すことができる。
上記のように、ワーク３たる基板をワーク保持層２から取り外されたワーク３付の半導体パッケージＰは、そのままの状態で半導体装置とされてもよい。
あるいは、ワーク３付の半導体パッケージＰは、ダイシングブレードなどで所定数の半導体チップＳＣを含むような形で分割されて、複数の半導体装置とされてもよい。
半導体装置の製造方法におけるワーク取り外し工程Ｓ３では、半導体パッケージＰが配されたワーク３たる基板をワーク保持部材のワーク保持層２から取り外す。
ワーク保持層２からのワーク３たる基板の取り外しは、例えば、吸引装置を用いて、ワーク保持層２がワーク３たる基板を保持する力よりも大きな吸引力で、ワーク３たる基板が配されていない側の半導体パッケージＰの面を吸引することにより実施することができる。
なお、半導体装置の製造方法に用いられるワーク保持部材は、本実施形態に係るワーク保持部材１０であるので、リフロー処理後においては、ワーク３たる基板に対するワーク保持層２の保持力（接着力）は小さくなっている。
すなわち、ワーク保持層２からワーク３たる基板は取り外し易くなっている。
そのため、比較的小さな吸引力でも、ワーク保持層２からワーク３たる基板を効率良く取り外すことができる。
上記のように、ワーク３たる基板をワーク保持層２から取り外されたワーク３付の半導体パッケージＰは、そのままの状態で半導体装置とされてもよい。
あるいは、ワーク３付の半導体パッケージＰは、ダイシングブレードなどで所定数の半導体チップＳＣを含むような形で分割されて、複数の半導体装置とされてもよい。
【0069】
なお、ワーク保持工程Ｓ１と電子部品実装工程Ｓ２との間に、プラズマ放電でワーク３たる基板を処理するプラズマ処理工程Ｓ１’を実施してもよい。
プラズマ処理工程Ｓ１’は、各種公知のプラズマ洗浄装置を用いて実施することができる。
電子部品実装工程Ｓ２の前にプラズマ処理工程Ｓ１’を実施することにより、ワーク３たる基板の表面に露出している基板パッド金属表面などを洗浄して有機系汚染物を除去することができる。
プラズマ処理工程Ｓ１’は、各種公知のプラズマ洗浄装置を用いて実施することができる。
電子部品実装工程Ｓ２の前にプラズマ処理工程Ｓ１’を実施することにより、ワーク３たる基板の表面に露出している基板パッド金属表面などを洗浄して有機系汚染物を除去することができる。
【0070】
また、電子部品実装工程Ｓ２において、封止樹脂ＥＲで樹脂封止を実施する前に、半導体チップＳＣにプラズマ処理を実施してもよい。
半導体チップＳＣのプラズマ処理は、先に説明したプラズマ処理工程Ｓ１’と同様にして実施することができる。
さらに、半導体チップＳＣにプラズマ処理を実施した後であって、封止樹脂ＥＲで樹脂封止を実施する前に、バンプ電極ＢＥの周辺をエポキシ樹脂などのアンダーフィル材によって封止させるアンダーフィル処理を実施してもよい。
アンダーフィル処理を実施すれば、封止樹脂ＥＲが行き渡り難いバンプ電極ＢＥの周辺に前記アンダーフィル材を配することができるので、封止樹脂ＥＲでの樹脂封止を精度よく実施することができる。
半導体チップＳＣのプラズマ処理は、先に説明したプラズマ処理工程Ｓ１’と同様にして実施することができる。
さらに、半導体チップＳＣにプラズマ処理を実施した後であって、封止樹脂ＥＲで樹脂封止を実施する前に、バンプ電極ＢＥの周辺をエポキシ樹脂などのアンダーフィル材によって封止させるアンダーフィル処理を実施してもよい。
アンダーフィル処理を実施すれば、封止樹脂ＥＲが行き渡り難いバンプ電極ＢＥの周辺に前記アンダーフィル材を配することができるので、封止樹脂ＥＲでの樹脂封止を精度よく実施することができる。
【0071】
上では、半導体装置の製造方法を例に挙げて電子部品装置の製造方法について説明したが、該電子部品装置の製造方法は半導体装置の製造方法以外にも適用することができる。
例えば、前記電子部品装置の製造方法は、有機ＥＬ装置の製造方法にも適用することができる。
なお、有機ＥＬ装置の製造方法においては、ワークとして透明基板を用い、電子部品実装工程Ｓ２において、主として、ワークたる透明基板上に電子部品たるＩＺＯやＩＴＯなどの透明電極膜をスパッタリングなどにより取り付ける。
そして、電子部品実装工程Ｓ２においては、前記透明基板上に前記透明電極膜を取り付けた後、該透明電極膜を１５０℃程度の温度でアニール処理する。
電子部品実装工程Ｓ２においてアニール処理を伴う、上記のような電子部品の製造方法においても、アニール処理後にワークたる透明基板が反ることを抑制できる。
また、アニール処理前においては、ワーク保持部材のワーク保持層上にワークたる透明基板を十分に固定することができる。
さらに、ワーク取り外し工程Ｓ３において、ワーク保持層からワークたる透明基板を比較的容易に取り外すことができる。
例えば、前記電子部品装置の製造方法は、有機ＥＬ装置の製造方法にも適用することができる。
なお、有機ＥＬ装置の製造方法においては、ワークとして透明基板を用い、電子部品実装工程Ｓ２において、主として、ワークたる透明基板上に電子部品たるＩＺＯやＩＴＯなどの透明電極膜をスパッタリングなどにより取り付ける。
そして、電子部品実装工程Ｓ２においては、前記透明基板上に前記透明電極膜を取り付けた後、該透明電極膜を１５０℃程度の温度でアニール処理する。
電子部品実装工程Ｓ２においてアニール処理を伴う、上記のような電子部品の製造方法においても、アニール処理後にワークたる透明基板が反ることを抑制できる。
また、アニール処理前においては、ワーク保持部材のワーク保持層上にワークたる透明基板を十分に固定することができる。
さらに、ワーク取り外し工程Ｓ３において、ワーク保持層からワークたる透明基板を比較的容易に取り外すことができる。
【0072】
本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
【0073】
（１）
支持体と、該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備え、
前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、
前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である
ワーク保持部材。
支持体と、該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層と、を備え、
前記支持体は、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の値の比が０．３以上であり、
前記ワーク保持層は、樹脂組成物で構成されており、１５０℃以上の温度で加熱する前においてポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓが１Ｎ／１００ｍｍ２以上であり、かつ、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後においてポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐが７Ｎ／２０ｍｍ以下である
ワーク保持部材。
【0074】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることを抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークを十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においては基板を取り外し易いものとなる。
【0075】
（２）
前記支持体の３点曲げ応力が５Ｎ／１０ｍｍ以上である
上記（１）に記載のワーク保持部材。
前記支持体の３点曲げ応力が５Ｎ／１０ｍｍ以上である
上記（１）に記載のワーク保持部材。
【0076】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることをより一層抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いものとなる。
【0077】
（３）
前記支持体の線膨張係数が３０×１０－６／℃以下である
上記（１）または（２）に記載のワーク保持部材。
前記支持体の線膨張係数が３０×１０－６／℃以下である
上記（１）または（２）に記載のワーク保持部材。
【0078】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることをより一層抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いものとなる。
【0079】
（４）
前記９０°剥離力の値Ｐに対する前記せん断粘着力の値Ｓの比（Ｓ／Ｐ）が５以上である
上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のワーク保持部材。
前記９０°剥離力の値Ｐに対する前記せん断粘着力の値Ｓの比（Ｓ／Ｐ）が５以上である
上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のワーク保持部材。
【0080】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることをより一層抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いものとなる。
【0081】
（５）
前記支持体は、前記ワーク保持層が積層される面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である
上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のワーク保持部材。
前記支持体は、前記ワーク保持層が積層される面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である
上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のワーク保持部材。
【0082】
斯かる構成によれば、前記支持体に前記ワーク保持層をより十分に固定することができる。
【0083】
（６）
前記樹脂組成物は、シリコーン樹脂またはフッ素樹脂を含む
上記（１）乃至（５）のいずれかに記載のワーク保持部材。
前記樹脂組成物は、シリコーン樹脂またはフッ素樹脂を含む
上記（１）乃至（５）のいずれかに記載のワーク保持部材。
【0084】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時にワークに反りが生じることをより一層抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いものとなる。
【0085】
（７）
前記ワーク保持層は、ゴム層または発泡体層として構成されている
上記（６）に記載のワーク保持部材。
前記ワーク保持層は、ゴム層または発泡体層として構成されている
上記（６）に記載のワーク保持部材。
【0086】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時にワークに反りが生じることをより一層抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いものとなる。
【0087】
（８）
前記発泡体層の見掛け密度は、０．０５ｇ／ｃｍ３以上０．９０ｇ／ｃｍ３以下である
上記（７）に記載のワーク保持部材。
前記発泡体層の見掛け密度は、０．０５ｇ／ｃｍ３以上０．９０ｇ／ｃｍ３以下である
上記（７）に記載のワーク保持部材。
【0088】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時にワークに反りが生じることをより一層抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いものとなる。
【0089】
（９）
前記発泡体層の平均気泡径は、１μｍ以上１００μｍ以下である
上記（７）または（８）に記載のワーク保持部材。
前記発泡体層の平均気泡径は、１μｍ以上１００μｍ以下である
上記（７）または（８）に記載のワーク保持部材。
【0090】
斯かる構成によれば、前記ワーク保持部材は、電子部品の表面実装時にワークに反りが生じることをより一層抑制できるものとなることに加え、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークをより一層十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークをより一層取り外し易いものとなる。
【0091】
（１０）
前記ワーク保持部材においては、
前記発泡体層は、前記支持体に当接される面の算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上５０μｍ以下である
上記（７）乃至（９）のいずれかに記載のワーク保持部材。
前記ワーク保持部材においては、
前記発泡体層は、前記支持体に当接される面の算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上５０μｍ以下である
上記（７）乃至（９）のいずれかに記載のワーク保持部材。
【0092】
斯かる構成によれば、前記発泡体層を前記支持体により十分に固定することができる。
【0093】
（１１）
前記ワークは、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、及び、樹脂フィルム基板からなる群から選択される１種である
上記（１）乃至（１０）のいずれかに記載のワーク保持部材。
前記ワークは、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、及び、樹脂フィルム基板からなる群から選択される１種である
上記（１）乃至（１０）のいずれかに記載のワーク保持部材。
【0094】
（１２）
前記ワークの表面に電子部品を実装するために用いられる
上記（１）乃至（１１）のいずれかに記載のワーク保持部材。
前記ワークの表面に電子部品を実装するために用いられる
上記（１）乃至（１１）のいずれかに記載のワーク保持部材。
【0095】
（１３）
支持体と該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層とを備えるワーク保持部材と、
前記ワーク保持層上に保持されているワークと、を備え、
前記ワーク保持部材が、上記（１）乃至（１２）のいずかに記載のワーク保持部材である
積層体。
支持体と該支持体上に積層されてワークを保持するワーク保持層とを備えるワーク保持部材と、
前記ワーク保持層上に保持されているワークと、を備え、
前記ワーク保持部材が、上記（１）乃至（１２）のいずかに記載のワーク保持部材である
積層体。
【0096】
なお、本発明に係るワーク保持部材及び積層体は、上記実施形態によって限定されるものではない。
また、本発明に係るワーク保持部材及び積層体は、上記した作用効果によって限定されるものでもない。
本発明に係るワーク保持部材及び積層体は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
また、本発明に係るワーク保持部材及び積層体は、上記した作用効果によって限定されるものでもない。
本発明に係るワーク保持部材及び積層体は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【実施例0097】
次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
【0098】
＜実施例１＞
・支持体
ステンレス板（ＳＵＳ３０４ＢＡ）を用いた。
該ステンレス板（ＳＵＳ３０４ＢＡ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは０．５ｍｍであった。
なお、前記ステンレス板の厚さは、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。以下の各例についても同様である。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は、下記表１に示した（１）～（１０）の各材料を下記表１に示した配合量で用いて、以下の手順にしたがって作製した。
（ａ）撹拌装置（あわとり練太郎、型式「ＡＲＥ－５０１」、シンキー社製）を用いて、下記表１の（１）～（１０）の各材料を下記表１の配合量で１５分間混合して乳化溶液を得る。
そして、該乳化溶液を室温（２３±２℃）で５分間減圧乾燥して脱泡を行って樹脂組成物を得る。
（ｂ）前記樹脂組成物をフロロシリコーン処理ＰＥＴフィルム（ニッパシートＰＥＴ３８ｘ１－ＳＳ４Ａ、ニッパ社製）の表面にアプリケータを用いて塗布して樹脂層を形成した後、前記樹脂層の露出面にＰＥＴフィルム（ルミラーＳ１０、東レ社製）を被せて、前記樹脂層の一方面に前記フロロシリコーン処理ＰＥＴフィルムが配され、前記樹脂層の他方面に前記ＰＥＴフィルムが配された三層積層体を得る。
（ｃ）前記三層積層体を熱風オーブンによって８５℃で６分間加熱して、前記樹脂層を硬化させる。
（ｄ）前記樹脂層を硬化させた後、前記樹脂層の一方面から前記フロロシリコーン処理ＰＥＴフィルムを剥離させるとともに、前記樹脂層の他方面から前記ＰＥＴフィルムを剥離させて、前記樹脂層の硬化体を得る。
（ｅ）前記樹脂層の硬化体を２００℃で３分間加熱乾燥する。
上記の手順にしたがって得られたシリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であった。
また、前記シリコーン発泡体は、連続気泡構造を有しており、連続気泡率が１００％であった。
さらに、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は、０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
なお、前記シリコーン発泡体の厚さ、前記シリコーン発泡体の連続気泡率、及び、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。以下の各例についても同様である。
・支持体
ステンレス板（ＳＵＳ３０４ＢＡ）を用いた。
該ステンレス板（ＳＵＳ３０４ＢＡ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは０．５ｍｍであった。
なお、前記ステンレス板の厚さは、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。以下の各例についても同様である。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は、下記表１に示した（１）～（１０）の各材料を下記表１に示した配合量で用いて、以下の手順にしたがって作製した。
（ａ）撹拌装置（あわとり練太郎、型式「ＡＲＥ－５０１」、シンキー社製）を用いて、下記表１の（１）～（１０）の各材料を下記表１の配合量で１５分間混合して乳化溶液を得る。
そして、該乳化溶液を室温（２３±２℃）で５分間減圧乾燥して脱泡を行って樹脂組成物を得る。
（ｂ）前記樹脂組成物をフロロシリコーン処理ＰＥＴフィルム（ニッパシートＰＥＴ３８ｘ１－ＳＳ４Ａ、ニッパ社製）の表面にアプリケータを用いて塗布して樹脂層を形成した後、前記樹脂層の露出面にＰＥＴフィルム（ルミラーＳ１０、東レ社製）を被せて、前記樹脂層の一方面に前記フロロシリコーン処理ＰＥＴフィルムが配され、前記樹脂層の他方面に前記ＰＥＴフィルムが配された三層積層体を得る。
（ｃ）前記三層積層体を熱風オーブンによって８５℃で６分間加熱して、前記樹脂層を硬化させる。
（ｄ）前記樹脂層を硬化させた後、前記樹脂層の一方面から前記フロロシリコーン処理ＰＥＴフィルムを剥離させるとともに、前記樹脂層の他方面から前記ＰＥＴフィルムを剥離させて、前記樹脂層の硬化体を得る。
（ｅ）前記樹脂層の硬化体を２００℃で３分間加熱乾燥する。
上記の手順にしたがって得られたシリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であった。
また、前記シリコーン発泡体は、連続気泡構造を有しており、連続気泡率が１００％であった。
さらに、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は、０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
なお、前記シリコーン発泡体の厚さ、前記シリコーン発泡体の連続気泡率、及び、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。以下の各例についても同様である。
【0099】
【表1】
【0100】
＜実施例２＞
・支持体
ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）を用いた。
なお、該ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例２においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
・支持体
ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）を用いた。
なお、該ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例２においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
【0101】
＜実施例３＞
・支持体
ステンレス板（ヘアラインＳＵＳ）を用いた。
なお、該ステンレス板（ヘアラインＳＵＳ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．５ｍｍであった。
ここで、ヘアラインＳＵＳとは、ヘアライン加工を施したステンレス板のことである。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例３においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
・支持体
ステンレス板（ヘアラインＳＵＳ）を用いた。
なお、該ステンレス板（ヘアラインＳＵＳ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．５ｍｍであった。
ここで、ヘアラインＳＵＳとは、ヘアライン加工を施したステンレス板のことである。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例３においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
【0102】
＜実施例４＞
・支持体
アルミニウム板（Ａ５０５２Ｐ）を用いた。
なお、該アルミニウム板（Ａ５０５２Ｐ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例４においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
・支持体
アルミニウム板（Ａ５０５２Ｐ）を用いた。
なお、該アルミニウム板（Ａ５０５２Ｐ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例４においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
【0103】
＜実施例５＞
・支持体
ガラス板（スライドガラス）を用いた。
なお、該ガラス板（スライドガラス）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例５においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
・支持体
ガラス板（スライドガラス）を用いた。
なお、該ガラス板（スライドガラス）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例５においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
【0104】
＜実施例６＞
・支持体
ガラス板（板ガラス）を用いた。
なお、該ガラス板（板ガラス）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは３．４ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例６においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
・支持体
ガラス板（板ガラス）を用いた。
なお、該ガラス板（板ガラス）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは３．４ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、実施例６においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
【0105】
＜比較例１＞
・支持体
アルミニウム板（Ａ－１０５０）を用いた。
なお、該アルミニウム板（Ａ－１０５０）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは０．４ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、比較例１においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
・支持体
アルミニウム板（Ａ－１０５０）を用いた。
なお、該アルミニウム板（Ａ－１０５０）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは０．４ｍｍであった。
・ワーク保持層
シリコーン発泡体層を用いた。
シリコーン発泡体層は実施例１と同様にして作製した。
すなわち、比較例１においても、前記シリコーン発泡体の厚さは、０．２ｍｍ（２００μｍ）であり、前記シリコーン発泡体の連続気泡率は１００％であり、前記シリコーン発泡体の見掛け密度は０．５５ｇ／ｃｍ３であった。
【0106】
＜比較例２＞
・支持体
ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）を用いた。
なお、該ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いて、以下のようにして作製した。
（１）過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤（ＤＯＷＳＩＬ（登録商標）ＳＨ４２８０ＰＳＡ、ダウ・東レ社製）をｎ－ヘプタンで固形分濃度が３０％となるように希釈してシリコーン粘着剤組成物を得る。なお、前記シリコーン粘着剤組成物には、硬化触媒（ＤＯＷＳＩＬ（登録商標）ＳＲＸ－２１２、ダウ・東レ社製）を適量添加する。
（２）フロロシリコーン離型処理を施したＰＥＴフィルム（ニッパシートＰＥＴ３８ｘ１－ＳＳ４Ａ、ニッパ社製）上に、アプリケータを用いて前記シリコーン粘着剤組成物を厚さ０．０８ｍｍ（８０μｍ）となるように塗布する。
（３）前記シリコーン粘着剤組成物を塗布した後の前記ＰＥＴフィルムを熱風オーブンにて１４０℃で３分間加熱して、ｎ－ヘプタンを揮発させるとともに、前記過酸化物硬化型シリコーン粘着剤を硬化させて、シリコーン粘着剤層を得る。
シリコーン粘着剤層の厚さは、０．０８ｍｍ（８０μｍ）であった。
シリコーン粘着剤層の厚さも、シリコーン発泡体層と同様にして測定した。
また、シリコーン粘着剤層を得るに際して、前記シリコーン粘着剤組成物には上記のように何らの発泡処理も施されていなかった。
すなわち、シリコーン粘着剤層は、非発泡体層であった。
・支持体
ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）を用いた。
なお、該ステンレス板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）の平面寸法は、３０ｍｍ×３０ｍｍであり、厚さは１．０ｍｍであった。
・ワーク保持層
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いて、以下のようにして作製した。
（１）過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤（ＤＯＷＳＩＬ（登録商標）ＳＨ４２８０ＰＳＡ、ダウ・東レ社製）をｎ－ヘプタンで固形分濃度が３０％となるように希釈してシリコーン粘着剤組成物を得る。なお、前記シリコーン粘着剤組成物には、硬化触媒（ＤＯＷＳＩＬ（登録商標）ＳＲＸ－２１２、ダウ・東レ社製）を適量添加する。
（２）フロロシリコーン離型処理を施したＰＥＴフィルム（ニッパシートＰＥＴ３８ｘ１－ＳＳ４Ａ、ニッパ社製）上に、アプリケータを用いて前記シリコーン粘着剤組成物を厚さ０．０８ｍｍ（８０μｍ）となるように塗布する。
（３）前記シリコーン粘着剤組成物を塗布した後の前記ＰＥＴフィルムを熱風オーブンにて１４０℃で３分間加熱して、ｎ－ヘプタンを揮発させるとともに、前記過酸化物硬化型シリコーン粘着剤を硬化させて、シリコーン粘着剤層を得る。
シリコーン粘着剤層の厚さは、０．０８ｍｍ（８０μｍ）であった。
シリコーン粘着剤層の厚さも、シリコーン発泡体層と同様にして測定した。
また、シリコーン粘着剤層を得るに際して、前記シリコーン粘着剤組成物には上記のように何らの発泡処理も施されていなかった。
すなわち、シリコーン粘着剤層は、非発泡体層であった。
【0107】
（支持体の３点曲げ応力）
各例に係る支持体について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって３点曲げ応力を測定した。
その結果を以下の表２に示した。
各例に係る支持体について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって３点曲げ応力を測定した。
その結果を以下の表２に示した。
【0108】
（支持体の線膨張係数）
各例に係る支持体について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって線膨張係数を測定した。
その結果を以下の表１に示した。
また、各例に係る支持体について測定した３点曲げ応力の測定値と各例の支持体について測定した線膨張係数の値とを用いて、各例に係る支持体について、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の比（３点曲げ応力／線膨張係数）を算出した。
その結果を以下の表２に示した。
各例に係る支持体について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって線膨張係数を測定した。
その結果を以下の表１に示した。
また、各例に係る支持体について測定した３点曲げ応力の測定値と各例の支持体について測定した線膨張係数の値とを用いて、各例に係る支持体について、線膨張係数の値に対する３点曲げ応力の比（３点曲げ応力／線膨張係数）を算出した。
その結果を以下の表２に示した。
【0109】
（支持体の算術平均表面粗さＲａ）
各例に係る支持体について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがってワーク保持層が積層される面の算術平均粗さＲａを測定した。
その結果を以下の表２に示した。
各例に係る支持体について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがってワーク保持層が積層される面の算術平均粗さＲａを測定した。
その結果を以下の表２に示した。
【0110】
（発泡体層の算術平均表面粗さＲａ）
各実施例に係るワーク保持層及び比較例１に係るワーク保持層について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって支持体に当接される側の発泡体層の面の算術平均表面粗さＲａを測定した。
その結果を以下の表２に示した。
各実施例に係るワーク保持層及び比較例１に係るワーク保持層について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって支持体に当接される側の発泡体層の面の算術平均表面粗さＲａを測定した。
その結果を以下の表２に示した。
【0111】
（せん断粘着力の値Ｓ）
各例に係るワーク保持層について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって、１５０℃以上の温度で加熱する前のポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓを測定した。
なお、ポリイミドフィルムの厚さは、２５μｍであった。
また、前記ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いた。
その結果を以下の表２に示した。
各例に係るワーク保持層について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって、１５０℃以上の温度で加熱する前のポリイミドフィルムに対するせん断粘着力の値Ｓを測定した。
なお、ポリイミドフィルムの厚さは、２５μｍであった。
また、前記ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いた。
その結果を以下の表２に示した。
【0112】
（剥離力の値Ｐ）
各例に係るワーク保持層について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後のポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐを測定した。
なお、ポリイミドフィルムの厚さは、２５μｍであった。
また、前記ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いた。
その結果を以下の表２に示した。
また、各例に係るワーク保持層について測定したせん断粘着力の値Ｓと各例に係るワーク保持層について測定した９０°剥離力の値Ｐとを用いて、各例に係るワーク保持層について、９０°剥離力の値Ｐに対するせん断粘着力の値Ｓの比（Ｓ／Ｐ）を算出した。
その結果を以下の表２に示した。
各例に係るワーク保持層について、上の実施形態の項で説明した方法にしたがって、１５０℃以上の温度で５分間加熱した後のポリイミドフィルムに対する９０°剥離力の値Ｐを測定した。
なお、ポリイミドフィルムの厚さは、２５μｍであった。
また、前記ポリイミドフィルムとしては、例えば、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いた。
その結果を以下の表２に示した。
また、各例に係るワーク保持層について測定したせん断粘着力の値Ｓと各例に係るワーク保持層について測定した９０°剥離力の値Ｐとを用いて、各例に係るワーク保持層について、９０°剥離力の値Ｐに対するせん断粘着力の値Ｓの比（Ｓ／Ｐ）を算出した。
その結果を以下の表２に示した。
【0113】
（基材の反り）
各例について、以下の手順にしたがって、基材の反りを評価した。
（１）平面寸法として幅２０ｍｍ×長さ１００ｍｍを有する支持体の表面に、これと同じ平面寸法を有するワーク保持層を積層させた後、該ワーク保持層の露出面に基材たるポリイミドフィルムを積層させて、前記支持体、前記ワーク保持層、及び、前記ポリイミドフィルムがこの順に積層された三層積層体を得る。
（２）前記三層積層体について、前記ポリイミドフィルムの露出面側から２ｋｇローラを一往復させて、反り評価用の試験体を得る。
（３）前記反り評価用の試験体を以下の条件でリフロー処理する。
・リフロー処理条件
（ａ）炉内温度を５０℃としたリフロー炉内に前記反り評価用の試験体を入れた後、温度５０℃で前記反り評価用の試験体を５０秒間保持する。
（ｂ）炉内温度を５０℃から１８０℃まで６０秒で昇温した後、温度１８０℃で１００秒間保持する。
（ｃ）炉内温度を１８０℃から２７０℃まで６０秒で昇温した後、温度２７０℃で１００秒間保持する。
（ｄ）炉内温度を２７０℃から１００℃まで１００秒で降温させる。
そして、炉内温度を２３℃まで降温させて該温度で前記反り評価用の試験体を１２０分間放置した後、前記リフロー炉から前記反り評価用の試験体を取り出す。
そして、前記リフロー炉内から取り出した前記反り評価用の試験体から基材たるポリイミドフィルムを取り外して、該ポリイミドフィルムの反りを評価した。
前記反り評価用の試験体からの前記ポリイミドフィルムの取り外しは、前記反り評価用の試験体の長さ方向の一端（片方の長辺の一端）側から３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で９０°の方向に前記ポリイミドフィルムを引き剥がすことにより実施した。
前記ポリイミドフィルムは前記反り評価用の試験体から上のようにして取り外されるので、取り外された前記ポリイミドフィルムでは、幅方向の両端側に反りが生じていた。
そのため、前記ポリイミドフィルムを平坦面に載置することにより、基材たるポリイミドフィルムの反り（幅方向の両端側の反り）を評価した。
具体的には、前記平坦面からの前記ポリイミドフィルムの幅方向の一端縁の浮きＨ１を測定するとともに、前記平坦面からの前記ポリイミドフィルムの幅方向の他端縁の浮きＨ２を測定し、Ｈ１とＨ２との合算値（Ｈ１＋Ｈ２）を前記ポリイミドフィルムの反りとした。
基材たるポリイミドフィルムの反りは、以下の基準にしたがって評価した。
◎：反りが２ｍｍ未満。
○：反りが２ｍｍ以上５ｍｍ未満。
×：反りが５ｍｍ以上。
その結果を以下の表２に示した。
なお、前記ポリイミドフィルムとしては、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いた。
また、前記ポリイミドフィルムの厚さは２５μｍであった。
各例について、以下の手順にしたがって、基材の反りを評価した。
（１）平面寸法として幅２０ｍｍ×長さ１００ｍｍを有する支持体の表面に、これと同じ平面寸法を有するワーク保持層を積層させた後、該ワーク保持層の露出面に基材たるポリイミドフィルムを積層させて、前記支持体、前記ワーク保持層、及び、前記ポリイミドフィルムがこの順に積層された三層積層体を得る。
（２）前記三層積層体について、前記ポリイミドフィルムの露出面側から２ｋｇローラを一往復させて、反り評価用の試験体を得る。
（３）前記反り評価用の試験体を以下の条件でリフロー処理する。
・リフロー処理条件
（ａ）炉内温度を５０℃としたリフロー炉内に前記反り評価用の試験体を入れた後、温度５０℃で前記反り評価用の試験体を５０秒間保持する。
（ｂ）炉内温度を５０℃から１８０℃まで６０秒で昇温した後、温度１８０℃で１００秒間保持する。
（ｃ）炉内温度を１８０℃から２７０℃まで６０秒で昇温した後、温度２７０℃で１００秒間保持する。
（ｄ）炉内温度を２７０℃から１００℃まで１００秒で降温させる。
そして、炉内温度を２３℃まで降温させて該温度で前記反り評価用の試験体を１２０分間放置した後、前記リフロー炉から前記反り評価用の試験体を取り出す。
そして、前記リフロー炉内から取り出した前記反り評価用の試験体から基材たるポリイミドフィルムを取り外して、該ポリイミドフィルムの反りを評価した。
前記反り評価用の試験体からの前記ポリイミドフィルムの取り外しは、前記反り評価用の試験体の長さ方向の一端（片方の長辺の一端）側から３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で９０°の方向に前記ポリイミドフィルムを引き剥がすことにより実施した。
前記ポリイミドフィルムは前記反り評価用の試験体から上のようにして取り外されるので、取り外された前記ポリイミドフィルムでは、幅方向の両端側に反りが生じていた。
そのため、前記ポリイミドフィルムを平坦面に載置することにより、基材たるポリイミドフィルムの反り（幅方向の両端側の反り）を評価した。
具体的には、前記平坦面からの前記ポリイミドフィルムの幅方向の一端縁の浮きＨ１を測定するとともに、前記平坦面からの前記ポリイミドフィルムの幅方向の他端縁の浮きＨ２を測定し、Ｈ１とＨ２との合算値（Ｈ１＋Ｈ２）を前記ポリイミドフィルムの反りとした。
基材たるポリイミドフィルムの反りは、以下の基準にしたがって評価した。
◎：反りが２ｍｍ未満。
○：反りが２ｍｍ以上５ｍｍ未満。
×：反りが５ｍｍ以上。
その結果を以下の表２に示した。
なお、前記ポリイミドフィルムとしては、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン１００Ｈ」を用いた。
また、前記ポリイミドフィルムの厚さは２５μｍであった。
【0114】
（固定性及び剥離性）
各例について、せん断粘着力の値Ｓの測定結果及び剥離力の値Ｐの測定結果から、ワーク保持層に対する基板の固定性及びワーク保持層からの基板の剥離性について評価した。
固定性及び剥離性は、以下の基準にしたがって評価した。
◎：せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上であり、かつ、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下である。
×：上記以外。
その結果を以下の表２に示した。
なお、上記の評価基準から、固定性については、せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上であれば◎と評価でき、剥離性については、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下であれば◎と評価できることが把握される。
各例について、せん断粘着力の値Ｓの測定結果及び剥離力の値Ｐの測定結果から、ワーク保持層に対する基板の固定性及びワーク保持層からの基板の剥離性について評価した。
固定性及び剥離性は、以下の基準にしたがって評価した。
◎：せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上であり、かつ、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下である。
×：上記以外。
その結果を以下の表２に示した。
なお、上記の評価基準から、固定性については、せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上であれば◎と評価でき、剥離性については、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下であれば◎と評価できることが把握される。
【0115】
（繰り返し使用性）
各例について、ワーク保持層の繰り返し使用性について評価した。
繰り返し使用性は、１個のワーク保持部材を用いて、せん断粘着力の値Ｓの測定及び剥離力の値Ｐの測定を繰り返し行うことにより評価した。
繰り返し使用性は、以下の基準にしたがって評価した。
◎：１００回繰り返して使用した場合に、せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上を維持しており、かつ、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下を維持している。
○：５０回繰り返し使用した場合に、せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上を維持しており、かつ、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下を維持している。
×：上記以外。
その結果を以下の表２に示した。
各例について、ワーク保持層の繰り返し使用性について評価した。
繰り返し使用性は、１個のワーク保持部材を用いて、せん断粘着力の値Ｓの測定及び剥離力の値Ｐの測定を繰り返し行うことにより評価した。
繰り返し使用性は、以下の基準にしたがって評価した。
◎：１００回繰り返して使用した場合に、せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上を維持しており、かつ、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下を維持している。
○：５０回繰り返し使用した場合に、せん断粘着力の値Ｓが１Ｎ以上を維持しており、かつ、剥離力の値Ｐが７Ｎ以下を維持している。
×：上記以外。
その結果を以下の表２に示した。
【0116】
（支持体の脆性）
各例について、支持体の脆性を評価した。
支持体の脆性の評価は、支持体の３点曲げ応力測定において、前記引張試験機の押込み部材で前記支持体を押し込んだ際に、前記支持体に破断が生じたときの変位の大きさを基準として実施した。
支持体の脆性は、以下の基準にしたがって評価した。
○：変位が１０ｍｍ以上。
△：変位が２ｍｍ以上１０ｍｍ未満。
×：変位が２ｍｍ未満。
その結果を以下の表２に示した。
各例について、支持体の脆性を評価した。
支持体の脆性の評価は、支持体の３点曲げ応力測定において、前記引張試験機の押込み部材で前記支持体を押し込んだ際に、前記支持体に破断が生じたときの変位の大きさを基準として実施した。
支持体の脆性は、以下の基準にしたがって評価した。
○：変位が１０ｍｍ以上。
△：変位が２ｍｍ以上１０ｍｍ未満。
×：変位が２ｍｍ未満。
その結果を以下の表２に示した。
【0117】
【表2】
【0118】
表１より、各実施例では、基板（ポリイミドフィルム）の反りの評価が、○または◎となっているのに対し、比較例１では、基板（ポリイミドフィルム）の反りの評価が、×となっていることが分かる。
また、各実施例では、ワーク保持層に対する基板（ポリイミドフィルム）の固定性及びワーク保持層からの基板（ポリイミドフィルム）の剥離性の評価が、◎となっているのに対し、比較例２では、ワーク保持層に対する基板（ポリイミドフィルム）固定性及びワーク保持層からの基板（ポリイミドフィルム）の剥離性の評価が、×となっていることが分かる。
このことから、本発明に係るワーク保持部材は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることを抑制できることに加えて、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークを十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークを取り外し易いものとなることが分かる。
また、各実施例では、ワーク保持層に対する基板（ポリイミドフィルム）の固定性及びワーク保持層からの基板（ポリイミドフィルム）の剥離性の評価が、◎となっているのに対し、比較例２では、ワーク保持層に対する基板（ポリイミドフィルム）固定性及びワーク保持層からの基板（ポリイミドフィルム）の剥離性の評価が、×となっていることが分かる。
このことから、本発明に係るワーク保持部材は、電子部品の表面実装時の加熱処理によりワークに反りが生じることを抑制できることに加えて、電子部品の表面実装時の加熱処理前においてはワークを十分に固定でき、かつ、電子部品の表面実装時の加熱処理後においてはワークを取り外し易いものとなることが分かる。
【符号の説明】
【0119】
１ 支持体、２ ワーク保持層、３ ワーク、１０ ワーク保持部材、２０ 積層体、
１’ 支持体、２’ ワーク保持層、
ＳＣ 半導体チップ、ＣＢ 半導体チップ本体、ＢＥ バンプ電極、ＥＲ 封止樹脂、Ｐ 半導体パッケージ。
１’ 支持体、２’ ワーク保持層、
ＳＣ 半導体チップ、ＣＢ 半導体チップ本体、ＢＥ バンプ電極、ＥＲ 封止樹脂、Ｐ 半導体パッケージ。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
