(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024023716
(43)【公開日】2024-02-21
(54)【発明の名称】バックグラインドテープ用の用基体フィルム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240214BHJP
C09J 201/00 20060101ALI20240214BHJP
C09J 199/00 20060101ALI20240214BHJP
C09J 7/38 20180101ALN20240214BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 631
C09J201/00
C09J199/00
C09J7/38
【審査請求】有
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023213556
(22)【出願日】2023-12-19
(62)【分割の表示】P 2018222356の分割
【原出願日】2018-11-28
(71)【出願人】
【識別番号】000001339
【氏名又は名称】グンゼ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100150072
【弁理士】
【氏名又は名称】藤原 賢司
(74)【代理人】
【識別番号】100185719
【弁理士】
【氏名又は名称】北原 悠樹
(72)【発明者】
【氏名】栗原 啓太
(72)【発明者】
【氏名】末藤 壮一
(57)【要約】
【課題】ウェハのバックグラインド工程において、十分な硬度を有するバックグラインドテープ用の基体フィルムを提供する。
【解決手段】半導体ウェハのバックグラインド工程で使用されるバックグラインドテープ用の基体フィルムであって、少なくとも、スチレン系樹脂層を含む。また、スチレン系樹脂層の少なくとも片面側にポリオレフィン系樹脂層を有していてもよい。
【選択図】なし
【解決手段】半導体ウェハのバックグラインド工程で使用されるバックグラインドテープ用の基体フィルムであって、少なくとも、スチレン系樹脂層を含む。また、スチレン系樹脂層の少なくとも片面側にポリオレフィン系樹脂層を有していてもよい。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ウェハのバックグラインド工程で使用されるバックグラインドテープ用の基体フィルムであって、
少なくとも、スチレン系樹脂層を含むことを特徴とするバックグラインドテープ用の基体フィルム。
少なくとも、スチレン系樹脂層を含むことを特徴とするバックグラインドテープ用の基体フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウェハの裏面研削（以下、「バックグラインド」という）する際に、その半導体ウェハを固定する際に用いるバックグラインドテープ用の基体フィルムに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体チップを生産する際、半導体ウェハを固定する為に固定用フィルム（粘着テープ）が用いられる。この固定用フィルムは使用後に、半導体ウェハから剥離される。
【0003】
固定用フィルムを用いて半導体ウェハを固定する工程として、半導体ウェハの裏面を研削するバックグラインド工程、半導体ウェハをチップ状に切断分離するダイシング工程等が有る。
【0004】
バックグラインド工程では、半導体ウェハを所望の厚さに調整（薄化）する。この際、半導体ウェハにパターニングされた面を保護する目的で、半導体ウェハのパターン形成面に、バックグラインドフィルムが貼り付けられる。バックグラインドフィルムは、基体フィルム層及び粘着剤層から構成され、半導体ウェハは、その粘着剤層を介して接着される。
【0005】
従来、バックグラインド工程において半導体ウェハを薄厚化する際に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着テープとして、基材上に粘着剤層が積層されており、前記基材が、ポリエステル層及びポリオレフィン層を含む2層以上からなり、前記基材の最外層が前記ポリオレフィン層である半導体ウェハ加工用粘着テープが知られている（特許文献1）。
【0006】
現在、半導体ウェハの超薄型化（25μm程度）により、その様な薄型半導体ウェハのバックグラインド工程で使用するバックグラインドフィルムが必要である。そして、バックグラインドフィルムには、研削時のチャックテーブルへ良好に吸着すること、研削時に半導体ウェハの割れを抑制すること、研削時にウェハの反りを抑制すること等が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】公開特許公報 特開2012-209429号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、ウェハのバックグラインド工程において、十分な硬度を有するバックグラインドテープ用の基体フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者は、バックグラインドテープ用の基体フィルムが、以下の特徴を備えることにより、十分な硬度を有することを見出した。
【0010】
項１．
半導体ウェハのバックグラインド工程で使用されるバックグラインドテープ用の基体フィルムであって、
少なくとも、スチレン系樹脂層を含むことを特徴とするバックグラインドテープ用の基体フィルム。
半導体ウェハのバックグラインド工程で使用されるバックグラインドテープ用の基体フィルムであって、
少なくとも、スチレン系樹脂層を含むことを特徴とするバックグラインドテープ用の基体フィルム。
【0011】
項２．
前記スチレン系樹脂層の少なくとも片面側にポリオレフィン系樹脂層を有する前記項1に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
前記スチレン系樹脂層の少なくとも片面側にポリオレフィン系樹脂層を有する前記項1に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
【0012】
項３．
前記スチレン系樹脂層を構成するスチレン系樹脂は、スチレン系単量体と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体、及び／又はジエン系単量体との共重合体である、前記項1又は2に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
前記スチレン系樹脂層を構成するスチレン系樹脂は、スチレン系単量体と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体、及び／又はジエン系単量体との共重合体である、前記項1又は2に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
【発明の効果】
【0013】
本発明は、半導体ウェハのバックグラインド工程において、十分な硬度を有するバックグラインドテープ用の基体フィルムを提供することを目的とすることができる。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明は、バックグラインドテープ用の基体フィルムに関する。
【0015】
（1）バックグラインドテープ用の基体フィルム
本発明は、バックグラインドテープ用の基体フィルムであって、少なくとも、スチレン系樹脂層を含むことを特徴とする。
本発明は、バックグラインドテープ用の基体フィルムであって、少なくとも、スチレン系樹脂層を含むことを特徴とする。
【0016】
本発明は、バックグラインドテープ用の基体フィルムであって、前記スチレン系樹脂層の少なくとも片面側にポリオレフィン系樹脂層を有することが好ましい。
【0017】
（1-1）スチレン系樹脂層
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層を有するので、優れた硬度を示し、バックグラインドした後のウェハに反りが発生しない。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層を有するので、バックグラインドによる発熱（60℃以上）に耐えることができる。
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層を有するので、優れた硬度を示し、バックグラインドした後のウェハに反りが発生しない。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層を有するので、バックグラインドによる発熱（60℃以上）に耐えることができる。
【0018】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムでは、前記スチレン系樹脂層を構成するスチレン系樹脂は、スチレン系単量体と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体、及び／又はジエン系単量体との共重合体である、ことが好ましい。
【0019】
スチレン系単量体
スチレン系単量体は、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1-ジフェニルエチレン、N,N-ジメチル-p-アミノエチルスチレン、N,N-ジエチル-p-アミノエチルスチレン等を好ましく用いることができる。スチレン系単量体は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
スチレン系単量体は、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1-ジフェニルエチレン、N,N-ジメチル-p-アミノエチルスチレン、N,N-ジエチル-p-アミノエチルスチレン等を好ましく用いることができる。スチレン系単量体は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
【0020】
（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体
（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸イソペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどのアルキル基の炭素数が１～２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体は単独で、又は２種以上組み合わせて使用することができる。中でも、アルキル基の炭素数が１～１４の（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体が好ましく、より好ましくはアルキル基の炭素数が１～１０の（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体である。
（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸イソペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどのアルキル基の炭素数が１～２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体は単独で、又は２種以上組み合わせて使用することができる。中でも、アルキル基の炭素数が１～１４の（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体が好ましく、より好ましくはアルキル基の炭素数が１～１０の（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体である。
【0021】
ジエン系単量体
ジエン系単量体は、1対の共役二重結合を有するジオレフィンであり、例えば1,3-ブタジエン、2-メチル-1,3-ブタジエン（イソプレン）、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、2-メチル-1,3-ペンタジエン、1,3-ヘキサジエン等を好ましく用いることができる。このうち、特に、一般的なものとして、1,3-ブタジエン、イソプレン等を好ましく用いることができる。ジエン系単量体は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
ジエン系単量体は、1対の共役二重結合を有するジオレフィンであり、例えば1,3-ブタジエン、2-メチル-1,3-ブタジエン（イソプレン）、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、2-メチル-1,3-ペンタジエン、1,3-ヘキサジエン等を好ましく用いることができる。このうち、特に、一般的なものとして、1,3-ブタジエン、イソプレン等を好ましく用いることができる。ジエン系単量体は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
【0022】
スチレン系樹脂の構成
スチレン系樹脂は、スチレン系単量体と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体、及び／又はジエン系単量体との共重合体である、ことが好ましい。
スチレン系樹脂は、スチレン系単量体と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体、及び／又はジエン系単量体との共重合体である、ことが好ましい。
【0023】
スチレン系樹脂は、スチレン系単量体と（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体とジエン系単量体との共重合体であることが好ましい。スチレン系樹脂は、具体的には、スチレン系単量体単位35重量%～67重量%と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体単位30重量%～62重量%と、ジエン系単量体単位3重量%～35重量%と、からなる共重合体であることが好ましい。
【0024】
また、スチレン系樹脂は、スチレン系単量体とジエン系単量体との共重合体である。スチレン系樹脂は、具体的には、スチレン系単量体65～90重量％と、ジエン系単量体10～35重量％と、からなる共重合体であることが好ましい。
【0025】
スチレン系樹脂は硬質樹脂であり、その硬度（JIS K6253 デュロメータータイプD）は、20～50程度が好ましく、30～40程度がより好ましい。
【0026】
スチレン系樹脂の比重（ASTM D297）は、1.02～1.11程度であることが好ましい。
【0027】
スチレン系樹脂のメルトフローレート（MFR）（ISO1133：200℃、49N）は、2.0g／10分～6.0g／10分程度が好ましい。
【0028】
スチレン系樹脂のビカット軟化温度は、JIS K 7206に準拠して測定した値で、60℃～95℃程度が好ましく、70℃～90℃程度がより好ましい。（スチレン系単量体とジエン系単量体との共重合体の場合は10N荷重、スチレン単量体と（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体とジエン系単量体との共重合体の場合は50N荷重）
【0029】
スチレン系樹脂の重量平均分子量（Mw）は、10万～40万程度が好ましく、10万～20万程度がより好ましい。このMwは、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）を用いて測定できる。
【0030】
スチレン系樹脂層は、必要に応じてスチレン系エラストマーを添加することができる。スチレン系エラストマーとしては、スチレン系単量体とジエン系単量体からなる共重合体及びその水素添加物であることが好ましい。スチレン系エラストマーは、弾性を有する軟質の熱可塑性樹脂であり、それ自身フィルム成形も可能である。
【0031】
スチレン系単量体とジエン系単量体との共重合体
スチレン系エラストマーを構成するスチレン系単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1-ジフェニルエチレン、N,N-ジメチル-p-アミノエチルスチレン、N,N-ジエチル-p-アミノエチルスチレン等を好ましく用いることができる。このうち、特に、スチレンが好適である。スチレン系単量体は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
スチレン系エラストマーを構成するスチレン系単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1-ジフェニルエチレン、N,N-ジメチル-p-アミノエチルスチレン、N,N-ジエチル-p-アミノエチルスチレン等を好ましく用いることができる。このうち、特に、スチレンが好適である。スチレン系単量体は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
【0032】
スチレン系エラストマーを構成するジエン系単量体は、1対の共役二重結合を有するジオレフィンであり、例えば、1,3-ブタジエン、2-メチル-1,3-ブタジエン（イソプレン）、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、2-メチル-1,3-ペンタジエン、1,3-ヘキサジエン等を好ましく用いることができる。特に一般的なものとしては1,3-ブタジエン、イソプレン等を好ましく用いることができる。このうち、特に、ブタジエンが好適である。ジエン系単量体は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
【0033】
スチレン系エラストマーにおけるスチレン系単量体単位の含有量は、通常8重量%～60重量%程度が好ましく、10重量%～55重量%程度がより好ましい。スチレン系単量体単位の含有量は、紫外分光光度計又は核磁気共鳴装置（NMR）を用いて測定することができる。
【0034】
スチレン系樹脂におけるジエン系単量体単位の含有量は、通常40重量%～92重量%程度が好ましく、45重量%～90重量%程度がより好ましい。ジエン系単量体単位の含有量は、核磁気共鳴装置（NMR）を用いて測定することができる。
【0035】
スチレン系エラストマーの硬度（JIS K6253 デュロメータータイプA）は、40～90程度が好ましく、50～80程度がより好ましい。
【0036】
スチレン系エラストマーの比重（ASTM D297）は、0.85～1.0程度が好ましい。
【0037】
スチレン系エラストマーのメルトフローレート（MFR）（ASTM D1238：230℃、21.2N）は、3g／10分～6g／10分程度が好ましい。
【0038】
スチレン系エラストマーのガラス転移温度（Tg）は、示差走査熱量測定法（DSC法）により測定した値で、-50℃～30℃程度が好ましく、-40℃～20℃程度がより好ましい。
【0039】
スチレン系樹脂の重量平均分子量（Mw）は、例えば、10万～50万程度が好ましく、15万～30万程度がより好ましい。このMwは、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）を用いて測定できる。
【0040】
水素添加物
本発明で使用するスチレン系エラストマーとしては、上記スチレン系単量体とジエン系単量体からなる共重合物を用いても良い。ジエン系単量体由来の二重結合が残っているので、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等）して飽和にしておくのが良い。これにより、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂になるからである。そのスチレン系樹脂の水添率は、共重合体中の共役ジエン化合物に基づく二重結合の85%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、95%以上が更に好ましい。この水添率は、核磁気共鳴装置（NMR）を用いて測定できる。
本発明で使用するスチレン系エラストマーとしては、上記スチレン系単量体とジエン系単量体からなる共重合物を用いても良い。ジエン系単量体由来の二重結合が残っているので、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等）して飽和にしておくのが良い。これにより、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂になるからである。そのスチレン系樹脂の水添率は、共重合体中の共役ジエン化合物に基づく二重結合の85%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、95%以上が更に好ましい。この水添率は、核磁気共鳴装置（NMR）を用いて測定できる。
【0041】
本発明で使用するスチレン系エラストマーとしては、スチレン系単量体とジエン系単量体からなるランダム共重合体の水素添加物（以下、「水添ランダム共重合体」とも呼ぶ）、スチレン系単量体とジエン系単量体からなるブロック共重合体の水素添加物（以下、「水添ブロック共重合体」とも呼ぶ）、或いはそれらをブレンドしたもの等を好ましく用いることができる。
【0042】
水添ランダム共重合体
水添ランダム共重合体の具体例としては、式：-CH（C6H5）CH2-で示されるスチレン系単量体単位と、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位と、式：-CH（C2H5）CH2-で示されるブチレン単位とがランダムに結合している水添ランダム共重合体を好ましく用いることができる。
水添ランダム共重合体の具体例としては、式：-CH（C6H5）CH2-で示されるスチレン系単量体単位と、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位と、式：-CH（C2H5）CH2-で示されるブチレン単位とがランダムに結合している水添ランダム共重合体を好ましく用いることができる。
【0043】
上記水添ランダム共重合体において、スチレン系単量体単位の含有量は、60重量%～75重量％程度が好ましく、65重量%～70重量%程度がより好ましい。
【0044】
水添ランダム共重合体のガラス転移温度（Tg）は、0℃～30℃程度が好ましく、10℃～20℃程度がより好ましい。
【0045】
水添ランダム共重合体の重量平均分子量（Mw）は、10万～50万程度が好ましく、15万～30万程度がより好ましい。このMwは、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）を用いて測定できる。
【0046】
水添ブロック共重合体（1）
一方、水添ブロック共重合体としては、該共重合体の一端又は両末端にスチレン系単量体由来のブロックセグメントを有し、更にジエン系単量体由来のブロックセグメントを有するもの、或いはこれらをブレンドしたもの等を好ましく用いることができる。
一方、水添ブロック共重合体としては、該共重合体の一端又は両末端にスチレン系単量体由来のブロックセグメントを有し、更にジエン系単量体由来のブロックセグメントを有するもの、或いはこれらをブレンドしたもの等を好ましく用いることができる。
【0047】
水添ブロック共重合体としては、例えば、該共重合体の一端に、式：-CH（C6H5）CH2-で示されるスチレン系単量体由来のブロックセグメントを有し、その中程に、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位、及び／又は、式：-CH（C2H5）CH2-で示されるブチレン単位を含むブロックセグメントを有し、該共重合体の他端に、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位を含むセグメントを有する水添ブロック共重合体を好ましく用いることができる。
【0048】
上記水添ブロック共重合体において、スチレン系単量体単位の含有量は、8重量%～50重量%程度が好ましく、10重量%～40重量%程度がより好ましい。
【0049】
水添ブロック共重合体のガラス転移温度（Tg）は、-50℃～0℃程度が好ましく、-40℃～-10℃程度がより好ましい。
【0050】
水添ブロック共重合体の重量平均分子量（Mw）は、10万～50万程度が好ましく、15万～30万程度がより好ましい。このMwは、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）を用いて測定できる。
【0051】
上記特性を有する水添ブロック共重合体の具体例として、スチレン-エチレン／ブチレン-エチレンブロック共重合体（SEBC）が例示される。
【0052】
水添ブロック共重合体（2）
或いは、水添ブロック共重合体として、例えば、該共重合体の両末端に、式：-CH（C6H5）CH2-で示されるスチレン系単量体由来のブロックセグメントを有し、その中程に、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位、及び／又は、式：-CH（C2H5）CH2-で示されるブチレン単位を含むブロックセグメントを有する水添ブロック共重合体を好ましく用いることができる。
或いは、水添ブロック共重合体として、例えば、該共重合体の両末端に、式：-CH（C6H5）CH2-で示されるスチレン系単量体由来のブロックセグメントを有し、その中程に、式：-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位、及び／又は、式：-CH（C2H5）CH2-で示されるブチレン単位を含むブロックセグメントを有する水添ブロック共重合体を好ましく用いることができる。
【0053】
上記水添ブロック共重合体において、スチレン系単量体単位の含有量は、8重量%～50重量%程度が好ましく、10重量%～40重量%程度がより好ましい。
【0054】
水添ブロック共重合体のガラス転移温度（Tg）は、-50℃～0℃程度が好ましく、-40℃～-10℃程度がより好ましい。
【0055】
水添ブロック共重合体の重量平均分子量（Mw）は、10万～50万程度が好ましく、15万～30万程度がより好ましい。このMwは、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）を用いて測定できる。
【0056】
上記の様な特性を有する水添ブロック共重合体の具体例としては、スチレン-エチレン／ブチレン-スチレンブロック共重合体（SEBS）が例示される。
【0057】
本発明では、スチレン系樹脂としてSEBC、SEBS等を好ましく用いることができる。
【0058】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層に加えて、ポリオレフィン系樹脂層を有するので、硬過ぎることなく、バックグラインド工程時に、チップの欠けや飛びが発生しない。
【0059】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層に加えて、ポリオレフィン系樹脂層を有するので、バックグラインド工程時に、チャックテーブルと良好に密着し、バックグラインドテープ用の基体フィルムは動かず、チップの欠けや飛びは発生しない。バックグラインド工程が精度良く行われ、ウェハは割れない。
【0060】
（1-2）ポリオレフィン系樹脂層
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムでは、前記スチレン系樹脂層の少なくとも片面側にポリオレフィン系樹脂層を有することが好ましい。
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムでは、前記スチレン系樹脂層の少なくとも片面側にポリオレフィン系樹脂層を有することが好ましい。
【0061】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムに含まれるポリオレフィン系樹脂層は、研削（バックグラインド）時のチャックテーブル側である。
【0062】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層に加えて、ポリオレフィン系樹脂層を有するので、硬過ぎることなく、バックグラインド工程時に、チップの欠けや飛びが発生しない。
【0063】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層に加えて、ポリオレフィン系樹脂層を有するので、バックグラインド工程時に、チャックテーブルと良好に密着し、バックグラインドテープ用の基体フィルムは動かず、チップの欠けや飛びは発生しない。バックグラインド工程が精度良く行われ、ウェハは割れない。
【0064】
ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、又はこれらの混合物を例示することができる。
【0065】
ポリエチレン系樹脂としては、エチレン単独重合体、エチレンと炭素数3～8のオレフィン単量体との共重合体、又は、エチレンと（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体との共重合体である、ことが好ましい。
【0066】
ポリオレフィン系樹脂層を構成するポリエチレン系樹脂は、ポリエチレン単位を主成分としてなる高分子であれば良く、例えば、エチレン単独重合体（エチレンホモポリマー）、エチレンと炭素数3～8のオレフィン単量体との共重合体、又は、エチレンと（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体との共重合体等を好適に用いることができる。
【0067】
ポリエチレン系樹脂として共重合体を用いる時は、ポリエチレン単位を80重量%以上含有しているものが好ましく、90重量%以上含有しているものがより好ましい。
【0068】
ポリエチレン系樹脂の中でも、分岐鎖状低密度ポリエチレン（LDPE）、直鎖状低密度ポリエチレン（LLDPE）、エチレン-酢酸ビニル共重合体（EVA）、エチレン-メチルアクリレート共重合体（EMA）、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体（EMMA）及びエチレン-メタクリル酸共重合体（EMAA）が好ましい。このうち、特に、LDPE、LLDPE等が好適である。ポリエチレン系樹脂は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。
【0069】
ポリエチレン系樹脂のMFR（ASTM D1238：230℃、21.2N）は、0.5g／10分～10.0g／10分程度であることが好ましい。
【0070】
ポリエチレン系樹脂のガラス転移温度（Tg）は、示差走査熱量測定法（DSC法）により測定した値で、-130℃～0℃程度であることが好ましく、-120℃～-10℃程度であることがより好ましい。
【0071】
ポリエチレン系樹脂の重量平均分子量（Mw）は、10万～30万程度であることが好ましく、15万～20万程度であることがより好ましい。このMwは、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）を用いて測定できる。
【0072】
ポリプロピレン系樹脂としては、プロピレン単独重合体、又はプロピレンとそれ以外のα-オレフィンとの共重合体を例示できる。
【0073】
上記プロピレン単独重合体は、13C核磁気共鳴スペクトル（NMR）（測定温度：130℃）により測定されるメソペンタッド分率（mmmm）が90％～98％の範囲内であるものが好ましく、91％～95％の範囲内であるものがより好ましい。
【0074】
上記プロピレン以外のα-オレフィンとしては、例えば、炭素数2～20のプロピレン以外のα-オレフィンを挙げることができる。具体的には、例えば、エチレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、4-メチル-1-ペンテン、3-メチル-1-ペンテン、1-オクテン、3-メチル-1-ブテン、1-デセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、1-エイコセン、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、5-エチル-2-ノルボルネン、テトラシクロドデセン、2-エチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレンが挙げられる。この中、炭素数2～4の、例えば、エチレン、ブテンが好ましく、エチレンがより好ましい。これらプロピレン以外のα-オレフィンは、1種であっても、2種以上の併用であってもよい。
【0075】
プロピレン系共重合体中のプロピレン以外のα-オレフィンの含有割合は、0.5モル%～15モル%の範囲内が適当であり、1モル%～12モル%の範囲内が好ましく、3モル%～10モル%の範囲内がより好ましい。
【0076】
上記プロピレン系共重合体としては、プロピレンとそれ以外のα-オレフィンとの共重合体であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、プロピレン-エチレン共重合体、プロピレン-ブテン共重合体、プロピレン-エチレン-ブテン共重合体等を挙げることができる。この中、プロピレン-エチレン共重合体、プロピレン-エチレン-ブテン共重合体が好ましく、プロピレン-エチレン共重合体がより好ましい。また、これらの混合物であってもよい。
【0077】
当該プロピレン系共重合体の曲げ弾性率は、日本工業規格（JIS）K-7171（1997）に準拠して測定した場合、少なくとも700MPaを有する。かかる上限の目安としては、1,400MPaを挙げることができる。好ましい当該曲げ弾性率は750MPa～1,300MPaの範囲内であり、より好ましくは800MPa～1,200MPaの範囲内である。
【0078】
上記プロピレン系共重合体の中、国際標準化機構（ISO）規格1133（1997）に準拠して測定した場合（条件：230℃、21.18N荷重）のメルトフローレート（MFR）値が、0.5g／10分～100g／10分の範囲内であるプロピレン系共重合体が好ましい。また当該MFR値が、1g／10分～30g／10分の範囲内であるプロピレン系ランダム共重合体がより好ましい。なお、重合体のMFR値は、プロピレン以外のα-オレフィンの種類や含有量、重合体の分子量や重合度によって適宜調整することができる。
【0079】
また、上記プロピレン系共重合体の中、日本工業規格（JIS）K-7112（1999）に準拠して測定した場合の密度が、850kg／m3～950kg／m3の範囲内であるプロピレン系共重合体が好ましく、860kg／m3～920kg／m3の範囲内であるプロピレン系共重合体がより好ましい。
【0080】
（1-3）接着層
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムでは、前記スチレン系樹脂層と前記ポリオレフィン系樹脂層との間に接着層を設けることができる。
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムでは、前記スチレン系樹脂層と前記ポリオレフィン系樹脂層との間に接着層を設けることができる。
【0081】
本発明接着層は、スチレン系樹脂層とポリオレフィン系樹脂層との接着性を付与する機能を有している。
【0082】
本発明の接着層に使用される樹脂は、スチレン系樹脂及びポリオレフィン系樹脂に接着性を示すものであればよく、例えば、熱可塑性エラストマー（オレフィン系エラストマーやスチレン系エラストマー等）、又はその変性物等が挙げられる。
【0083】
オレフィン系エラストマー
オレフィン系エラストマーとしては、融点が110℃以下、好ましくは100℃以下、更に好ましくは80℃以下、又は融点が観測されない炭素数2～20のα-オレフィン重合体、又は共重合体、ないしはエチレンと不飽和カルボン酸、又は不飽和カルボン酸エステルとの共重合体である。
オレフィン系エラストマーとしては、融点が110℃以下、好ましくは100℃以下、更に好ましくは80℃以下、又は融点が観測されない炭素数2～20のα-オレフィン重合体、又は共重合体、ないしはエチレンと不飽和カルボン酸、又は不飽和カルボン酸エステルとの共重合体である。
【0084】
具体的には、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・1-ブテン共重合体、エチレン・1-ヘキセン共重合体、エチレン・4-メチルペンテン-1共重合体、エチレン・1-オクテン共重合体、プロピレン単独共重合体、プロピレン・エチレン共重合体、プロピレン・エチレン・1-ブテン共重合体、1-ブテン単独重合体、1-ブテン・エチレン共重合体、1-ブテン・プロピレン共重合体、4-メチルペンテン-1単独重合体、4-メチルペンテン-1・プロピレン共重合体、4-メチルペンテン-1・1-ブテン共重合体、4-メチルペンテン-1・プロピレン・1-ブテン共重合体、プロピレン・1-ブテン共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン・メタクリル酸メチル共重合体等を挙げることができる。粘着力の経時安定性の点から、好ましくは、プロピレン単独共重合体、プロピレン・エチレン共重合体、プロピレン・1-ブテン共重合体、プロピレン・エチレン・1-ブテン共重合体である。
【0085】
スチレン系エラストマー
スチレン系エラストマーとしては、上記スチレン系樹脂層で用いることができるものと同様のものを用いることができる。
スチレン系エラストマーとしては、上記スチレン系樹脂層で用いることができるものと同様のものを用いることができる。
【0086】
熱可塑性エラストマー変性物
熱可塑性エラストマーの変性物としては、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物及びそれらの誘導体をグラフト変性したものを挙げることができる。
熱可塑性エラストマーの変性物としては、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物及びそれらの誘導体をグラフト変性したものを挙げることができる。
【0087】
不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物及びそれらの誘導体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸等の不飽和カルボン酸、該不飽和カルボン酸の無水物、該不飽和カルボン酸及び該不飽和カルボン酸無水物の誘導体（例えば酸ハライド、アミド、イミド、エステル等）が挙げられる。具体的には、無水マレイン酸、無水イタコン酸、マレイン酸ジメチル、マレイン酸モノメチル、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジメチル、シトラコン酸ジエチル等が挙げられる。不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物及びそれらの誘導体は、製造し易さの観点から、マレイン酸及び／又は無水マレイン酸であることが好ましい。
【0088】
（1-4）層構成
本発明は、バックグラインドテープ用の基体フィルムであって、少なくとも、スチレン系樹脂層を含む、ことを特徴とする態様を含む。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、単層であっても良い。
本発明は、バックグラインドテープ用の基体フィルムであって、少なくとも、スチレン系樹脂層を含む、ことを特徴とする態様を含む。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、単層であっても良い。
【0089】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、少なくとも、ポリオレフィン系樹脂層、接着層、及びスチレン系樹脂層が順に積層された構成を含み、前記ポリオレフィン系樹脂層はチャックテーブル側である、ことを特徴とする。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、3層構造であってもよい。
【0090】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、5層構造としても良い。5層構造の基体フィルムである場合、両面の層がポリオレフィン系樹脂層を有することが好ましい。5層構造の基体フィルムである場合、研削（バックグラインド）時のチャックテーブル側から、ポリオレフィン系樹脂層、接着層、スチレン系樹脂層、接着層、及びポリオレフィン系樹脂層（ウェハ側）の構造であることが好ましい。
【0091】
バックグラインドテープ用の基体フィルムは、単層構造又は多層構造とする場合、その厚みは、好ましくは60μm～250μm程度であり、より好ましくは80μm～200μm程度であり、更に好ましくは100μm～160μm程度である。バックグラインドテープ用の基体フィルムの厚さを調整することにより、半導体ウェハを衝撃から保護することが可能となる。
【0092】
ポリオレフィン系樹脂層の厚さは、1つの層として、2μm～30μm程度が好ましく、5μm～20μm程度がより好ましい。ポリオレフィン系樹脂層が複層である時は、1つの層として上記の厚み範囲内で、複層を形成すればよい。
【0093】
接着層の厚さは、1つの層として、2μm～30μm程度が好ましく、5μm～20μm程度がより好ましい。スチレン系樹脂層が複層である時は、1つの層として上記の厚み範囲内で、複層を形成すればよい。
【0094】
スチレン系樹脂層の厚さは30μm～150μm程度が好ましく、60μm～120μm程度がより好ましい。
【0095】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、優れた硬度を示す。
【0096】
（1-5）バックグラインドテープ用の基体フィルムの物性値
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、バックグラインド工程において、半導体ウェハを固定する時に用いる基体フィルムであり、この用途で好ましい物性を示す。
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、バックグラインド工程において、半導体ウェハを固定する時に用いる基体フィルムであり、この用途で好ましい物性を示す。
【0097】
剛性評価（ループスティフネス）
ループスティフネステスタ（東洋精機社製）を用いて、基体フィルムのMD方向、及びTD方向の値を測定する。
ループスティフネステスタ（東洋精機社製）を用いて、基体フィルムのMD方向、及びTD方向の値を測定する。
【0098】
基体フィルムのループスティフネステスタの値は、0.3mN／μm以上であることが好ましく、0.4mN／μmであることがより好ましい。
【0099】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、優れた硬度を示す。
【0100】
現在、半導体ウェハの超薄型化（25μm程度）により、その様な薄型半導体ウェハのバックグライディング工程で使用するバックグラインドフィルムが必要である。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、バックグラインドフィルムとして用いると、研削時のチャックテーブルへ良好に吸着すること、研削時に半導体ウェハの割れを抑制すること、研削時にウェハの反りを抑制すること等の効果を発揮する。
【0101】
（2）バックグラインドテープ用の基体フィルムの製造方法
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、単層構造とする場合、或いは多層構造とする場合、Tダイス又は環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等により、成形することができる。基体フィルムの厚み精度を考慮すると、Tダイスを使用した押出法が好ましい。
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、単層構造とする場合、或いは多層構造とする場合、Tダイス又は環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等により、成形することができる。基体フィルムの厚み精度を考慮すると、Tダイスを使用した押出法が好ましい。
【0102】
Tダイスを使用した押出法について説明する。
【0103】
樹脂組成物を、ドライブレンドするか、又は溶融混練し調製することが好ましい。層を構成する樹脂組成物には、必要に応じて添加剤を加えることができる。
【0104】
樹脂組成物を、温度調整したスクリュー式押出機に供給し、180℃～350℃のTダイスからフィルム状に押出し、これを20℃～150℃程度（好ましくは30℃～70℃程度）の冷却ロールに通しながら冷却して、実質的に無延伸で引き取ることが好ましい（押出成形）。
【0105】
基体フィルムは、バックグラインドテープ用の基体フィルムとして用いる時、引き取りの際に、実質的に無延伸とすることで、バックグラインド工程において、延伸したことによるフィルムの収縮を抑制することができる。この実質的に無延伸は、無延伸、或いは、バックグラインド時のウェハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含む。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。
【0106】
（3）バックグラインドテープ
本発明の基体フィルムは、半導体ウェハを固定する時に用いる基体フィルムであり、バックグラインドテープ用の基体フィルムとして用いることが好ましい。このバックグラインドテープ用の基体フィルムの表面に、粘着剤層及び離型フィルムを形成することで、バックグラインドテープを作製することができる。
本発明の基体フィルムは、半導体ウェハを固定する時に用いる基体フィルムであり、バックグラインドテープ用の基体フィルムとして用いることが好ましい。このバックグラインドテープ用の基体フィルムの表面に、粘着剤層及び離型フィルムを形成することで、バックグラインドテープを作製することができる。
【0107】
本発明のバックグラインドテープ（フィルム）は、前記バックグラインドテープ用の基体フィルムのウェハ側の面に粘着剤層及び離型フィルムを有する、ことが好ましい。
【0108】
バックグラインドテープ用の基体フィルムの片方の表面上に、公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成される。粘着剤層の厚さは、好ましくは10μm～200μm程度である。
【0109】
粘着剤として、感圧性粘着剤、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を用いることが好ましい。半導体ウェハヘの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等を考慮すると、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。
【0110】
バックグラインドテープ用の基体フィルムの表面上に粘着剤層が形成され、更にその上に離型フィルムが設けられて、バックグラインドテープが製造される。離型フィルムの厚さは、好ましくは10μm～200μm程度である。
【0111】
バックグラインドテープは、本発明の基体フィルムを含むことで、ウェハのバックグラインド工程において、優れた硬度を示す。
【実施例0112】
以下に、本発明を、実施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0113】
（1）バックグラインドテープ用の基体フィルムの原料
表層1及び裏層1：ポリオレフィン系樹脂層
（a）LDPE（分岐状低密度ポリエチレン）
MFR（190℃、21.18N荷重）：5g／10分
密度：922kg／m3
（b）EVA（エチレン-酢酸ビニル共重合体）
MFR（190℃、21.18N荷重）：9.0g／10分
密度：929kg／m3
VA含量（酢酸ビニル含有割合）：10%
（c）SEBS（スチレン-ブタジエンブロック共重合体水素添加物）
MFR（230℃、21.18N荷重）：5.0g／10分
密度：1,000kg／m3
表層1及び裏層1：ポリオレフィン系樹脂層
（a）LDPE（分岐状低密度ポリエチレン）
MFR（190℃、21.18N荷重）：5g／10分
密度：922kg／m3
（b）EVA（エチレン-酢酸ビニル共重合体）
MFR（190℃、21.18N荷重）：9.0g／10分
密度：929kg／m3
VA含量（酢酸ビニル含有割合）：10%
（c）SEBS（スチレン-ブタジエンブロック共重合体水素添加物）
MFR（230℃、21.18N荷重）：5.0g／10分
密度：1,000kg／m3
【0114】
表層2及び裏層2：接着層
（a）表層2及び裏層2で用いたSEBSは、上記SEBSと同じ。
（a）表層2及び裏層2で用いたSEBSは、上記SEBSと同じ。
【0115】
中間層：スチレン系樹脂層
（a）中間層で用いたSEBSは、上記SEBSと同じ。
（b）MBS（メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合体）
MFR（200℃、49N荷重）：2.7g／10分
MFR（200℃、98N荷重）：34g／10分
密度（23℃）：1,080kg／m3
（c）SBC（スチレン-ブタジエン共重合体）
MFR（200℃、49N荷重）：6.7g／10分
密度：1,030kg／m3
（a）中間層で用いたSEBSは、上記SEBSと同じ。
（b）MBS（メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合体）
MFR（200℃、49N荷重）：2.7g／10分
MFR（200℃、98N荷重）：34g／10分
密度（23℃）：1,080kg／m3
（c）SBC（スチレン-ブタジエン共重合体）
MFR（200℃、49N荷重）：6.7g／10分
密度：1,030kg／m3
【0116】
（2）バックグラインドテープ用の基体フィルムの製造
表1に記載の層構成（5層）となるように、各成分及び組成で樹脂組成物を配合し、バックグラインドテープ用の基体フィルムを作製した。各層を構成する樹脂組成物を、220℃に調整された夫々の押出機に投入し5層の順序になるように、220℃のTダイスにより押出し、積層し、30℃の冷却水が循環するチルロール上に共押出しせしめて、フラット状の5層フィルムを得た。
表1に記載の層構成（5層）となるように、各成分及び組成で樹脂組成物を配合し、バックグラインドテープ用の基体フィルムを作製した。各層を構成する樹脂組成物を、220℃に調整された夫々の押出機に投入し5層の順序になるように、220℃のTダイスにより押出し、積層し、30℃の冷却水が循環するチルロール上に共押出しせしめて、フラット状の5層フィルムを得た。
【0117】
（3）バックグラインドテープ用の基体フィルムの評価
ループスティフネスは、ループスティフネステスターDA（東洋精機社製）を用いて下記の測定条件により測定した。
サンプル形状：長さ200mm、幅12.5mm
（MD方向の測定は、長さ方向をMD方向とする。）
圧子の押し込み速度：3.3mm／sec
圧子の押し込み幅：3mm
ループスティフネスは、ループスティフネステスターDA（東洋精機社製）を用いて下記の測定条件により測定した。
サンプル形状：長さ200mm、幅12.5mm
（MD方向の測定は、長さ方向をMD方向とする。）
圧子の押し込み速度：3.3mm／sec
圧子の押し込み幅：3mm
【0118】
本発明で用いる値は、ループスティフネステスターで測定した負荷荷重の値（mN）を、サンプルの厚み（μm）で割って求めた。
【0119】
【表1】
【0120】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、優れた硬度を示した。
【0121】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、バックグラインドフィルムとして用いると、ウェハのバックグラインド工程（研削時）において、優れた硬度を示し、チャックテーブルへ良好に吸着すること、研削時に半導体ウェハの割れを抑制すること、研削時にウェハの反りを抑制すること等の効果を発揮する。
【0122】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層を有するので、優れた硬度を示し、バックグラインドしたウェハに反りが発生しない。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層を有するので、バックグラインドによる発熱（60℃以上）に耐えることができる。
【0123】
本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層に加えて、ポリオレフィン系樹脂層を有するので、硬過ぎることなく、バックグラインド工程時に、チップの欠けや飛びが発生しない。本発明のバックグラインドテープ用の基体フィルムは、スチレン系樹脂層に加えて、ポリオレフィン系樹脂層を有するので、バックグラインド工程時に、チャックテーブルと良好に密着し、バックグラインドテープ用の基体フィルムは動かず、チップの欠けや飛びは発生しない。バックグラインド工程が精度良く行われ、ウェハは割れない。
【手続補正書】
【提出日】2024-01-10
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ウェハのバックグラインド工程で使用されるバックグラインドテープ用の基体フィルムであって、
少なくとも、スチレン系樹脂層を含み、
前記基体フィルムのループスティフネスは、0.3mN／μm以上である、
バックグラインドテープ用の基体フィルム。
少なくとも、スチレン系樹脂層を含み、
前記基体フィルムのループスティフネスは、0.3mN／μm以上である、
バックグラインドテープ用の基体フィルム。
【請求項2】
前記基体フィルムのループスティフネスは、0.4mN／μm以上である、
請求項1に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
請求項1に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
【請求項3】
前記スチレン系樹脂層の少なくとも片面側に、ポリエチレン系樹脂からなるポリオレフィン系樹脂層を有する、請求項1又は2に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
【請求項4】
前記スチレン系樹脂層の両側に、ポリエチレン系樹脂からなるポリオレフィン系樹脂層を有する、請求項1又は2に記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。
【請求項5】
前記スチレン系樹脂層を構成するスチレン系樹脂は、スチレン系単量体と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体、及び／又はジエン系単量体との共重合体である、請求項1から4のいずれかに記載のバックグラインドテープ用の基体フィルム。