特開 2024-25625 プリント回路基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024025625

(43)【公開日】2024-02-26

(54)【発明の名称】プリント回路基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240216BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20240216BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20240216BHJP

   H05K 3/42 20060101ALI20240216BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 Q

H05K1/11 H

H05K3/40 E

H05K3/42 610B

H05K3/40 K

H05K1/11 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023001876

(22)【出願日】2023-01-10

(31)【優先権主張番号】10-2022-0099855

(32)【優先日】2022-08-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】金 秀娟

(72)【発明者】

【氏名】金 正守

【テーマコード（参考）】

5E316

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E316AA04

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB03

5E316BB04

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316DD25

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE13

5E316EE33

5E316FF04

5E316FF07

5E316FF08

5E316FF09

5E316FF10

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH32

5E316JJ12

5E316JJ13

5E316JJ22

5E316JJ26

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB03

5E317BB12

5E317BB13

5E317BB14

5E317BB15

5E317CC32

5E317CC33

5E317CD25

5E317CD32

5E317CD34

5E317GG16

(57)【要約】

【課題】基板の製造リードタイムを短縮することができ、コア層の厚さが厚い場合にも貫通孔内部の充填が容易であるプリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本開示は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層を貫通する貫通孔と、上記貫通孔に配置され、上記第１絶縁層の上面及び下面からそれぞれ上記貫通孔の内側にリセスされた第１及び第２溝部を有するビア導体層と、上記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティと、上記キャビティに配置される電子部品と、上記第１絶縁層の少なくとも一部を覆い、上記貫通孔及び上記キャビティのそれぞれの少なくとも一部を満たす第２絶縁層と、を含むプリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に配置され、前記第１絶縁層の上面及び下面からそれぞれ前記貫通孔の内側にリセスされた第１溝部及び第２溝部を有するビア導体層と、
前記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティと、
前記キャビティに配置される電子部品と、
前記第１絶縁層の少なくとも一部を覆い、前記貫通孔及び前記キャビティのそれぞれの少なくとも一部を満たす第２絶縁層と、を含む、プリント回路基板。

【請求項2】

前記ビア導体層は、
前記貫通孔の内壁に配置された第１導体層、及び
前記第１導体層から延びて前記貫通孔の中心部に配置され、前記第１溝部及び前記第２溝部を物理的に分離させる第２導体層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記第１導体層及び前記第２導体層は、パルスめっき層を含む、請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記第２絶縁層は、
前記第１絶縁層の上面上に配置され、前記第１溝部及び前記キャビティのそれぞれの少なくとも一部を満たす第２－１絶縁層、及び
前記第１絶縁層の下面上に配置され、前記第２溝部の少なくとも一部を満たす第２－２絶縁層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記貫通孔及び前記キャビティは、互いに離隔して配置され、前記第１絶縁層の上面及び下面間をそれぞれ貫通する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記第１絶縁層の上面に配置される第１配線層と、
前記第１絶縁層の下面に配置される第２配線層と、をさらに含み、
前記ビア導体層は、前記第１絶縁層の上面及び下面に延長配置され、前記第１配線層及び前記第２配線層のそれぞれと電気的に連結される、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記ビア導体層の前記第１絶縁層の上面及び下面に延長配置された部分は、前記貫通孔の内壁に配置された部分より多数の導体層を含む、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記第２絶縁層の上面に配置される第３配線層と、
前記第２絶縁層の一部を貫通し、前記第１配線層及び前記第３配線層を電気的に連結する第１ビアと、
前記第２絶縁層の下面に配置される第４配線層と、
前記第２絶縁層の他の一部を貫通し、前記第２配線層及び前記第４配線層を電気的に連結する第２ビアと、を含む、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記第１絶縁層はＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）を含み、
前記第２絶縁層はＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ）を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

第１絶縁層に貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔に前記第１絶縁層の上面及び下面からそれぞれ前記貫通孔の内側にリセスされる第１溝部及び第２溝部を有するビア導体層を形成する段階と、
前記第１絶縁層にキャビティを形成する段階と、
前記キャビティに電子部品を配置する段階と、
前記第１絶縁層上に第２絶縁層を積層し、前記貫通孔及び前記キャビティのそれぞれの少なくとも一部を前記第２絶縁層で満たす段階と、を含む、プリント回路基板の製造方法。

【請求項11】

前記第１絶縁層上に前記第２絶縁層を積層する際に、前記貫通孔及び前記キャビティのそれぞれの少なくとも一部は、前記第２絶縁層で同時に満たされる、請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項12】

前記キャビティは、前記第１絶縁層を貫通するように形成される、請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項13】

前記電子部品を配置する段階は、
前記第１絶縁層の下側にテープを付着する段階、及び
前記キャビティを介して露出する前記テープ上に前記電子部品を付着する段階、を含む、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項14】

前記第２絶縁層を積層する段階は、
前記第１絶縁層の上側に第２－１絶縁層を積層して、前記第１溝部及び前記キャビティのそれぞれの少なくとも一部を満たす段階、
前記テープを除去する段階、及び
前記第１絶縁層の下側に第２－２絶縁層を積層して、前記第２溝部の少なくとも一部を満たす段階を含む、請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項15】

前記ビア導体層を形成する段階は、
前記貫通孔の内壁に第１導体層を形成する段階、及び
前記貫通孔の中心部に前記第１導体層から延びて前記第１溝部及び前記第２溝部を物理的に分離させる第２導体層を形成する段階を含む、請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記第１導体層及び前記第２導体層はパルスめっきで形成される、請求項１５に記載のプリント回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プリント回路基板及びその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

最近、人工知能技術などの発達により幾何級数的に増加したデータを処理するために、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ、高帯域幅メモリ）などのメモリチップとＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、中央処理装置）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、グラフィックスプロセッシングユニット）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、特定用途向け集積回路）などのプロセッサチップなどを含むマルチチップパッケージが開発されている。例えば、キャビティが形成されたパッケージ基板の内部に半導体チップなどの電子部品を埋め込み、配線長さを短縮して、回路処理速度を向上させたパッケージ技術の開発が活発に進められている。このようなパッケージ基板は、一般的にコア層にＰＴＨ（Ｐｌａｔｅｄ Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｈｏｌｅ、めっきスルーホール）などを形成して電気的連結経路を提供している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本開示の様々な目的の一つは、基板の製造リードタイムを短縮することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。

【0004】

本開示の様々な目的のもう一つは、コア層の厚さが厚い場合にも貫通孔内部の充填が容易であるプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示を介して提案する様々な解決手段の一つは、パルスめっき方式で貫通孔にブリッジめっき層を形成し、その後、ビルドアップ絶縁層を積層して貫通孔の充填と電子部品の埋め込み工程を実質的に同時に行うことである。

【0006】

例えば、一例によるプリント回路基板は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層を貫通する貫通孔と、上記貫通孔に配置され、上記第１絶縁層の上面及び下面からそれぞれ上記貫通孔の内側にリセスされた第１及び第２溝部を有するビア導体層と、上記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティと、上記キャビティに配置される電子部品と、上記第１絶縁層の少なくとも一部を覆い、上記貫通孔及び上記キャビティのそれぞれの少なくとも一部を満たす第２絶縁層と、を含むものであることができる。

【0007】

例えば、一例によるプリント回路基板の製造方法は、第１絶縁層に貫通孔を形成する段階と、上記貫通孔の内壁にめっきを行い、上記貫通孔に上記第１絶縁層の上面及び下面からそれぞれ上記貫通孔の内側にリセスされる第１及び第２溝部を有するビア導体層を形成する段階と、上記第１絶縁層にキャビティを形成する段階と、上記キャビティに電子部品を配置する段階と、上記第１絶縁層上に第２絶縁層を積層して、上記貫通孔及び上記キャビティのそれぞれの少なくとも一部を上記第２絶縁層で満たす段階と、を含むものであることができる。

【発明の効果】

【0008】

本開示の様々な効果のうち一つとして、基板の製作リードタイムを短縮させることができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。

【0009】

本開示の様々な効果のうちもう一つとして、コア層の厚さが厚い場合にも貫通孔内部の充填が容易であるプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。

【図4】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【図5】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【図6】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【図7】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【図8】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【図9】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【図10】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【図11】図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、添付の図面を参照して本開示について説明する。図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがある。

【0012】

電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。

【0013】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは、後述する他の電子部品とも結合されて、様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0014】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップと、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップと、アナログ‐デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ‐ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の形態のチップ関連の電子部品が含まれることもできる。さらに、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせることもできる。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であることもできる。

【0015】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ‐Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ‐ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されず、これ以外にもその他の多数の無線または有線標準やプロトコルのいずれかが含まれ得る。また、ネットワーク関連部品１０３０がチップ関連部品１０２０とともに互いに組み合わされることもできる。

【0016】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ‐Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、低温同時焼成セラミックス）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、電磁干渉）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ‐Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、多層セラミックキャパシタ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の様々な用途のために用いられるチップ部品の形態の受動素子などが含まれ得る。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせることもできる。

【0017】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例を挙げると、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）なども挙げられる。これ以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれることもできる。

【0018】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビジョン（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）部品などであることができる。但し、これらに限定されず、これ以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であることもできる。

【0019】

図２は、電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【0020】

図面を参照すると、電子機器は例えば、スマートフォン１１００であることができる。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。さらに、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカー１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されないこともできる他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であることができ、例えば、部品パッケージ１１２１であることができるが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面に実装配置されたプリント回路基板の形態であることができる。または、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であることもできる。一方、電子機器は必ずスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であることもできる。

【0021】

プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。

【0022】

図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００は、第１絶縁層１１１、第１絶縁層１１１を貫通する貫通孔Ｈ、貫通孔Ｈに配置され、第１絶縁層１１１の上面及び下面からそれぞれ貫通孔Ｈの内側にリセスされた第１溝部ｈ１及び第２溝部ｈ２を有するビア導体層１２０、第１絶縁層１１１の少なくとも一部を貫通するキャビティＣ、キャビティＣに配置される電子部品１３０、及び第１絶縁層１１１の少なくとも一部を覆い、貫通孔Ｈ及びキャビティＣのそれぞれの少なくとも一部を満たす第２絶縁層１１２を含む。

【0023】

必要に応じては、一例に係るプリント回路基板１００は、第１絶縁層１１１の上面に配置される第１配線層１４１、第１絶縁層１１１の下面に配置される第２配線層１４２、第２絶縁層１１２の上面に配置される第３配線層１４３、第２絶縁層１１２の一部を貫通して第１配線層１４１及び第３配線層１４３を電気的に連結する第１ビア１５１、第２絶縁層１１２の下面に配置される第４配線層１４４、第２絶縁層１１２の他の一部を貫通して第２配線層１４２及び第４配線層１４４を電気的に連結する第２ビア１５２、第２絶縁層１１２の上面上に配置され、第３配線層１４３の少なくとも一部を覆う第１レジスト層１６１、及び／または第２絶縁層１１２の下面上に配置され、第４配線層１４４の少なくとも一部を覆う第２レジスト層１６２をさらに含むことができる。

【0024】

このように、一例に係るプリント回路基板１００は、貫通孔Ｈの充填と電子部品１３０の埋め込みが同一の第２絶縁層１１２によって行われることができる。したがって、基板の製作リードタイムを短縮させることができる。また、一例に係るプリント回路基板１００は、ビア導体層１２０が貫通孔Ｈの中心部でブリッジされることができる。例えば、ビア導体層１２０は、貫通孔Ｈの内壁に配置された第１導体層ａと第１導体層ａから延びて貫通孔Ｈの中心部を塞ぐように配置された第２導体層ｂを含むことができる。第２導体層ｂによって第１溝部ｈ１及び第２溝部ｈ２は物理的に分離されることができる。第２絶縁層１１２は、第１絶縁層１１１の上面上に配置され、貫通孔Ｈの第１溝部ｈ１とキャビティＣのそれぞれの少なくとも一部を満たす第２－１絶縁層１１２－１と第１絶縁層１１１の下面上に配置され、第２溝部ｈ２の少なくとも一部を満たす第２－２絶縁層１１２－２を含むことができる。したがって、第２絶縁層１１２による貫通孔Ｈの充填がより容易であることができる。また、プラグ工程を削除することができるため、基板ストレス減少及びめっき厚さ散布改善が可能である。また、プラグ材料の削除により絶縁材料の種類が減少して、材料間の熱膨張係数のミスマッチング及び信頼性リスクが減少することができるため、より高信頼性の確保が可能である。

【0025】

以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板１００の構成要素についてより詳細に説明する。

【0026】

第１絶縁層１１１はコア層であることができる。第１絶縁層１１１は絶縁物質を含むことができる。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やポリイミドなどの熱可塑性樹脂などの絶縁樹脂、またはこれらの樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、または無機フィラーとともにガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、例えば、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、銅張積層板）などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。

【0027】

第２絶縁層１１２はビルドアップ絶縁層であることができる。第２絶縁層１１２も絶縁物質を含むことができる。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やポリイミドなどの熱可塑性樹脂などの絶縁樹脂、またはこれらの樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、例えば、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ、味の素ビルドアップフィルム）などが用いられることができるが、これに限定されない。第２絶縁層１１２は、複数の層１１２－１、１１２－２で構成されることができ、これらは互いに境界なしに一体化するか、または互いに区分されることができる。これらの間の境界は、図示したよりも上側に形成されることもできる。例えば、第２－２絶縁層１１２－２は、キャビティＣの少なくとも一部を満たすことができる。

【0028】

貫通孔Ｈは、第１絶縁層１１１の上面及び下面間を貫通することができる。断面上において、貫通孔Ｈは、第１絶縁層１１１の上面から第１絶縁層１１１の下面までの幅が実質的に同一の形態を有することができる。貫通孔Ｈの壁面としては、第１絶縁層１１１に含まれた無機フィラー及び／又はガラス繊維のそれぞれの少なくとも一部が突出されることができるが、これに限定されない。

【0029】

キャビティＣは、貫通孔Ｈとは離隔して配置され、第１絶縁層１１１の上面及び下面間を貫通する貫通キャビティであることができる。断面上において、キャビティＣは、第１絶縁層１１１の上面から第１絶縁層１１１の下面までの幅が実質的に同一の形態を有することができるが、これに限定されるものではなく、上面での幅が下面での幅より大きいテーパー形状を有することもできる。キャビティＣの壁面には、第１絶縁層１１１に含まれた無機フィラー及び／またはガラス繊維のそれぞれの少なくとも一部が突出されることができるが、これに限定されない。

【0030】

ビア導体層１２０はパルスめっき層（Ｐｕｌｓｅ Ｐｌａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）を含むことができる。例えば、ビア導体層１２０は、貫通孔Ｈの壁面に配置された第１導体層ａ及び貫通孔Ｈの中心部に配置された第２導体層ｂを含むことができる。このとき、第１導体層ａ及び第２導体層ｂは、パルスめっき層を含むことができる。第１導体層ａは、無電解めっき層、例えば化学銅めっき層をさらに含むことができる。第１導体層ａ及び第２導体層ｂは、互いに境界なしに一体化して連結されることができる。第１導体層ａ及び第２導体層ｂは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されない。ビア導体層１２０は、第１絶縁層１１１に複数個で形成されることができ、その数は特に限定されない。

【0031】

ビア導体層１２０は、第１絶縁層１１１の上面及び下面に延長配置されることができ、第１配線層１４１及び第２配線層１４２のそれぞれと電気的に連結されることができる。例えば、ビア導体層１２０は、第１絶縁層１１１の上面及び下面に配置された銅箔ｃをさらに含むことができ、第１導体層ａは、銅箔ｃ上に延長配置されることができる。この場合、ビア導体層１２０の第１絶縁層１１１の上面及び下面に延長配置された部分ａ、ｃは、貫通孔Ｈの内壁に配置された部分ａよりも多数の導体層を含むことができる。

【0032】

電子部品１３０は、能動部品及び／または受動部品であることができる。能動部品は、半導体チップを含むことができる。受動部品は、チップタイプの受動部品、例えば、チップタイプのキャパシタ、チップタイプのインダクタなどであることができる。電子部品１３０は複数個であることができ、複数の電子部品１３０はキャビティＣに一緒に埋め込まれたり、または第１絶縁層１１１に複数のキャビティＣを形成した後に各キャビティＣに埋め込むことができる。

【0033】

半導体チップは、数百から数百万個以上の素子が一つのチップ内に集積化された集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。このとき、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーションプロセッサ（例えば、ＡＰ）、アナログ‐デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ‐ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであることができるが、これに限定されず、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ、またはＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ、電力管理集積回路）などの他の種類であることもできる。

【0034】

半導体チップは、アクティブウエハに基づいて形成されたものであることができ、この場合、本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが用いられることができる。本体には、様々な回路が形成されていることができる。本体には、接続パッドが形成されることができ、接続パッドは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。接続パッドは、ビアを介して第１配線層１４１と電気的に連結されることができる。半導体チップはベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であることができるが、これに限定されず、パッケージングダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であることもできる。

【0035】

第１配線層１４１、第２配線層１４２、第３配線層１４３、第４配線層１４４は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。第１配線層１４１、第２配線層１４２、第３配線層１４３、第４配線層１４４は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これらに限定されない。第１配線層１４１及び第２配線層１４２は銅箔ｃをさらに含むことができる。第１配線層１４１、第２配線層１４２、第３配線層１４３、第４配線層１４４は、それぞれ該当層の設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除いた各種信号、例えばデータ信号などを含むことができる。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（Ｐｌａｎｅ）パターン、及び／またはパッド（Ｐａｄ）パターンを含むことができる。

【0036】

第１ビア１５１及び第２ビア１５２は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。第１ビア１５１及び第２ビア１５２は、それぞれ第３配線層１４３及び第４配線層１４４を形成する際に一緒に形成されることができ、したがって、それぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されない。第１ビア１５１及び第２ビア１５２は、ビアホールが金属物質で充填されたフィールドタイプであることができるが、これに限定されず、ビアホールの壁面に沿って金属物質が配置されたコンフォーマルタイプであることもできる。第１ビア１５１及び第２ビア１５２は、それぞれ断面上で互いに反対方向のテーパー形状を有することができる。第１ビア１５１及び第２ビア１５２はそれぞれ複数個で形成されることができ、これらはそれぞれ該当層の設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除いた各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。

【0037】

第１レジスト層１６１及び第２レジスト層１６２は、それぞれプリント回路基板１００の最外側に配置され、内部構成要素を保護することができる。第１レジスト層１６１及び第２レジスト層１６２の材料は、特に限定されない。例えば、絶縁物質が用いられることができるが、このとき、絶縁物質としてはソルダーレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）が用いられることができるが、これに限定されない。第１レジスト層１６１及び第２レジスト層１６２には、必要に応じて第３配線層１４３及び第４配線層１４４のそれぞれの少なくとも一部を開口させる開口が形成されることができる。

【0038】

一方、プリント回路基板１００は、図示したものより多層の基板であることができる。例えば、第２絶縁層１１２の上面及び下面上にそれぞれビルドアップ絶縁層がさらに配置されることができ、各ビルドアップ絶縁層には配線層とビアが形成されることができる。ビルドアップ絶縁層とこれに形成される配線層及びビアの層数は特に限定されない。ビルドアップ絶縁層、配線層、ビアにはそれぞれ上述した第２絶縁層１１２、第３配線層１４３及び第４配線層１４４、第１ビア１５１及び第２ビア１５２の内容が適用されることができる。

【0039】

図４～図１１は、図３のプリント回路基板の製造一例を概略的に示した工程図である。

【0040】

図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００の製造方法は、第１絶縁層１１１に貫通孔Ｈを形成する段階、貫通孔Ｈに第１絶縁層１１１の上面及び下面からそれぞれ貫通孔Ｈの内側にリセスされる第１溝部ｈ１及び第２溝部ｈ２を有するビア導体層１２０を形成する段階、第１絶縁層１１１にキャビティＣを形成する段階、キャビティＣに電子部品１３０を配置する段階、及び第１絶縁層１１１上に第２絶縁層１１２を積層して貫通孔Ｈ及びキャビティＣのそれぞれの少なくとも一部を第２絶縁層１１２で満たす段階を含む。

【0041】

必要に応じては、一例に係るプリント回路基板１００の製造方法は、第１絶縁層１１１の上面及び下面にそれぞれ第１配線層１４１及び第２配線層１４２を形成する段階、第２絶縁層１１２の上面及び下面にそれぞれ第３配線層１４３及び第４配線層１４４を形成する段階、第２絶縁層１１２に第１配線層１４１及び第３配線層１４３を電気的に連結する第１ビア１５１を形成する段階、第２絶縁層１１２に第２配線層１４２及び第４配線層１４４を電気的に連結する第２ビア１５２を形成する段階、第２絶縁層１１２の上面上に第１レジスト層１６１を形成する段階、及び／または第２絶縁層１１２の下面上に第２レジスト層１６２を形成する段階をさらに含むことができる。

【0042】

以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板１００の製造方法についてより詳細に説明する。

【0043】

図４を参照すると、第１絶縁層１１１を用意する。第１絶縁層１１１は、上述したようにＣＣＬであることができ、この場合、上面及び下面には銅箔ｃが配置されることができる。

【0044】

図５を参照すると、第１絶縁層１１１に貫通孔Ｈを形成する。貫通孔Ｈは、レーザドリル、機械的ドリルなどを用いて形成することができる。貫通孔Ｈは、第１絶縁層１１１を貫通するように形成されることができる。

【0045】

図６を参照すると、めっきを用いて貫通孔Ｈにビア導体層１２０を形成する。例えば、化学銅を形成した後、化学銅上にパルスめっきを行い、貫通孔Ｈの内壁と中心部に第１導体層ａ及び第２導体層ｂを形成することができる。また、第１絶縁層１１１の上面及び下面にめっきにより第１配線層１４１及び第２配線層１４２を形成する。第１導体層ａは、銅箔ｃ上に延びることができる。

【0046】

図７を参照すると、第１絶縁層１１１にキャビティＣを形成する。キャビティＣは、レーザドリル、機械的ドリルなどを用いて形成することができる。または、ブラスト加工を用いることもできる。キャビティＣは、第１絶縁層１１１を貫通するように形成されることができる。

【0047】

図８を参照すると、第１絶縁層１１１の下側にテープ１７０を付着する。その後、キャビティＣを介して露出するテープ１７０上に電子部品１３０を付着する。テープ１７０は、公知の接着または粘着テープであることができる。

【0048】

図９を参照すると、第１絶縁層１１１の上側に第２－１絶縁層１１２－１を積層して第１溝部ｈ１及びキャビティＣのそれぞれの少なくとも一部を満たす。このとき、貫通孔Ｈの第１溝部ｈ１とキャビティＣのそれぞれの少なくとも一部は、第２－１絶縁層１１２－１によって実質的に同時に満たされることができる。

【0049】

図１０を参照すると、テープ１７０を除去する。その後、第１絶縁層１１１の下側に第２－２絶縁層１１２－２を積層して第２溝部ｈ２の少なくとも一部を満たす。

【0050】

図１１を参照すると、第２絶縁層１１２の上部及び下部にビアホールを加工した後、めっき工程で第３配線層１４３及び第４配線層１４４と第１ビア１５１及び第２ビア１５２を形成する。また、第２絶縁層１１２の上面及び下面上にそれぞれ液状のはんだレジストを塗布するか、またはフィルムタイプのはんだレジストを積層して第１レジスト層１６１及び第２レジスト層１６２を形成する。

【0051】

一連の過程を介して、上述した一例に係るプリント回路基板１００が製造されることができる。それ以外の他の内容は、上述した一例に係るプリント回路基板１００で説明したものと実質的に同一であり、一例に係るプリント回路基板１００の製造方法にも同様に適用されることができるため、これに対する重複する説明は省略する。

【0052】

本開示における幅は、プリント回路基板の研磨または切断断面を基準に走査顕微鏡または光学顕微鏡、例えば、オリンパス社の光学顕微鏡（１０００倍）を用いて測定することができる。

【0053】

本開示における実質的という意味は、工程誤差による微細な差異を含む概念であることができる。例えば、実質的に同一であるということは、完全に同一の場合だけでなく、工程誤差によって大略的に発生する微細な差異が存在する場合も含むものであることができる。また、実質的に同時に満たされることは、同一工程によって大略的に同時に満たされることを含むことができる。

【0054】

本開示における断面上という意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物をサイドビューから見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上という意味は、対象物を水平に切断したときの形状、または対象物をトップビューまたはボトムビューから見たときの平面形状であることができる。

【0055】

本開示における水平方向は、平面上での任意の方向であることができ、垂直方向は、断面上での水平方向と垂直な上部または下部方向であることができる。

【0056】

本開示において、上面、上側、上部及び下面、下側、下部は、第１方向を基準として判断することができる。例えば、上面は第１方向を基準としてトップ面を意味することができ、下面は第１方向を基準としてボトム面を意味することができる。

【0057】

本開示において、連結されるという意味は、直接連結された場合だけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結された場合を含む概念である。また、電気的に連結されるという意味は、物理的に連結された場合と、連結されていない場合をともに含む概念である。さらに、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、該当構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。

【0058】

本開示で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一例に関連した説明であると理解することができる。

【0059】

本開示で用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0060】

１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
１００ プリント回路基板
１１１、１１２、１１２－１、１１２－２ 絶縁層
１２０ ビア導体層
１３０ 電子部品
１４１、１４２、１４３、１４４ 配線層
１５１、１５２ ビア
１６１、１６２ レジスト層
１７０ テープ
Ｈ 貫通孔
Ｃ キャビティ
ａ、ｂ 導体層
ｃ 銅箔
ｈ１、ｈ２ 溝部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】