特開 2024-25670 発光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024025670

(43)【公開日】2024-02-26

(54)【発明の名称】発光素子

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240216BHJP

   G09F 9/302 20060101ALI20240216BHJP

   H10K 50/80 20230101ALI20240216BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240216BHJP

   H10K 50/85 20230101ALI20240216BHJP

   H10K 50/858 20230101ALI20240216BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240216BHJP

   H10K 59/121 20230101ALI20240216BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20240216BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20240216BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 349C

G09F9/30 365

G09F9/302 Z

H10K50/80

H10K50/10

H10K50/85

H10K50/858

H10K59/122

H10K59/121

H10K77/10

H10K59/80

【審査請求】有

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023109753

(22)【出願日】2023-07-04

(31)【優先権主張番号】202210966677.5

(32)【優先日】2022-08-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】523171733

【氏名又は名称】タイチョウ グァンユー テクノロジー カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100120891

【弁理士】

【氏名又は名称】林 一好

(74)【代理人】

【識別番号】100165157

【弁理士】

【氏名又は名称】芝 哲央

(74)【代理人】

【識別番号】100205659

【弁理士】

【氏名又は名称】齋藤 拓也

(74)【代理人】

【識別番号】100126000

【弁理士】

【氏名又は名称】岩池 満

(74)【代理人】

【識別番号】100185269

【弁理士】

【氏名又は名称】小菅 一弘

(72)【発明者】

【氏名】イェン チー－チェン

(72)【発明者】

【氏名】シュー クオ－チェン

(72)【発明者】

【氏名】ファン チェン－イー

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC37

3K107DD11

3K107DD89

3K107EE07

3K107EE27

3K107FF06

3K107FF15

5C094AA12

5C094BA27

5C094CA20

5C094DA13

5C094ED15

5C094FA01

5C094FA02

5C094JA08

5C094JA09

5C094JA13

(57)【要約】

【課題】 発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 本出願は、発光素子に関する。発光素子は、基板と、有効発光領域とを備える。前記基板は、反対側にある第１面及び第２面を有し、透明材料を含み、遮光層は前記基板の前記第１面に配置され、前記遮光層の第１縁部及び第２縁部が互いに分離されることで、開口部を形成し、前記有効発光領域は前記基板の前記第２面に画定され、前記有効発光領域と前記遮光層の前記第１縁部が横方向に第１の距離がずれされ、前記第１の距離は前記基板の屈折率、前記遮光層の前記開口部内の材料の屈折率、及び前記基板の厚さに関連する。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

反対側にある第１面及び第２面を有し、透明材料を含む基板と、
前記基板の前記第１面に配置され、第１縁部及び第２縁部が互いに分離されることで、開口部を形成する遮光層と、
前記基板の前記第２面に画定され、横方向において前記遮光層の前記第１縁部と第１の距離のずれが生じる有効発光領域とを備えた発光素子であって、
前記第１の距離は、前記基板の屈折率、前記遮光層の前記開口部内の材料の屈折率、及び前記基板の厚さに関連する発光素子。

【請求項2】

前記第１の距離は、前記有効発光領域の第１外縁から発せられる光が前記遮光層の前記第１縁部に入射する入射角度及び前記第１面での前記光の出射角度に関連する請求項１に記載の発光素子。

【請求項3】

前記第１の距離はＤ１、前記基板の前記屈折率はｎ１、前記遮光層の前記開口部内の前記材料の前記屈折率はｎ２、前記第１面での前記光の出射角度はθ２、前記基板の前記厚さはＬであり、ここで前記距離Ｄ１は次の式を満たす請求項１に記載の発光素子。

【数1】

【請求項4】

前記有効発光領域は、横方向において前記遮光層の前記第２縁部と第２の距離のずれが生じ、前記第２の距離は前記基板の屈折率、前記遮光層の前記開口部内の前記材料の屈折率、及び前記基板の前記厚さに関連する請求項１に記載の発光素子。

【請求項5】

前記第２の距離は、前記有効発光領域の第２外縁から発せられる光が前記遮光層の前記第２縁部に入射する入射角度、及び前記基板の前記第１面での前記光の出射角度に関連する請求項４に記載の発光素子。

【請求項6】

第１側面が前記基板の前記第２面に配置され、前記第２面にある位置が前記遮光層間の前記開口部にほぼ対応する導電層をさらに備える請求項１に記載の発光素子。

【請求項7】

前記基板の前記第２面に間隔をあけて配置され、前記導電層の横に少なくとも位置することで、前記導電層と前記有効発光領域を共同で画定する複数のバンプをさらに備える請求項６に記載の発光素子。

【請求項8】

前記複数のバンプの一部は、前記導電層の前記第１側面に対向する第２側面の縁部を覆うことで、前記導電層の非有効発光領域を画定する請求項７に記載の発光素子。

【請求項9】

前記遮光層の前記開口部は、前記有効発光領域及び前記非有効発光領域を少なくとも露出させる請求項８に記載の発光素子。

【請求項10】

前記開口部は、前記複数のバンプの前記導電層に近い部分をさらに露出させる請求項９に記載の発光素子。

【請求項11】

前記遮光層における前記開口部は、十字形輪郭を有する請求項８に記載の発光素子。

【請求項12】

前記十字形輪郭の外側から見ると、前記有効発光領域は、非有効発光領域及び前記複数のバンプの前記導電層に近い部分に取り囲まれる請求項１１に記載の発光素子。

【請求項13】

前記導電層の上に位置し、前記複数のバンプに接触された積層有機発光層をさらに備える請求項７前記発光素子。

【請求項14】

前記積層有機発光層は、
キャリア注入層と、
キャリア輸送層と、
有機発射層と、
有機キャリア輸送層と
を含む請求項１３に記載の発光素子。

【請求項15】

前記有効発光領域の前記第２面にある幅は、前記遮光層における前記開口部の距離より小さい請求項１に記載の発光素子。

【請求項16】

前記第１面の上に設けられ、前記遮光層を覆う光透過層をさらに備える請求項１に記載の発光素子。

【請求項17】

前記基板の前記屈折率は、前記光透過層の屈折率とは異なる請求項１６に記載の発光素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、発光素子に関し、特に有機発光素子に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光ディスプレイは、最もハイエンドな電子機器で広く使用されている。しかしながら、従来技術の限界により有機ＥＬディスプレイ内の発光材料の発光効果を効果的に制御することができず、視野角拡大という消費者の期待に応えるような場合において、画像欠けの問題を引き起こしやすく、有機ＥＬディスプレイの光学効果は期待通りにいかなかった。本開示は、上述の課題を解決できる装置を提供する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本出願が解決しようとする技術的課題の１つは、上記の従来技術の不足を克服し、基板に設けられ、特定波長の光を遮断（又は吸収）する遮光層を含む発光素子を提供する。基板の他側に配置された有効発光領域と遮光層の縁部が横方向にずれる第１の距離は、基板の屈折率、遮光層の開口部内の材料の屈折率及び基板の厚さに関連することにより、画像欠けの問題を解決し、最大視野角の増加を実現し、異なるアプリケーションシナリオニーズに従い適用する最適な視野角のディスプレイを設計できる。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本出願の一態様は、基板と、有効発光領域とを備えた発光素子を提供する。前記基板は、反対側にある第１面及び第２面を有し、透明材料を含み、遮光層は前記基板の前記第１面に配置され、前記遮光層の第１縁部及び第２縁部が互いに分離されることで、開口部を形成し、前記有効発光領域は前記基板の前記第２面に画定され、前記有効発光領域と前記遮光層の前記第１縁部が横方向に第１の距離がずれされ、前記第１の距離は前記基板の屈折率、前記遮光層の前記開口部内の材料の屈折率、及び前記基板の厚さに関連する。

【0005】

いくつかの実施形態において、前記第１の距離は、前記有効発光領域の第１外縁から発せられる光が前記遮光層の前記第１縁部に入射する入射角度及び前記第１面での前記光の出射角度に関連する。

【0006】

いくつかの実施形態において、前記第１の距離はＤ１、前記基板の前記屈折率はｎ１、前記遮光層の前記開口部内の前記材料の前記屈折率はｎ２、前記第１面での前記光の出射角度はθ２、前記基板の前記厚さはＬであり、ここで前記距離Ｄ１は次の式を満たす。

【0007】

【数1】

【0008】

いくつかの実施形態において、前記有効発光領域は、横方向において前記遮光層の前記第２縁部と第２の距離のずれが生じ、前記第２の距離は前記基板の屈折率、前記遮光層の前記開口部内の材料の屈折率、及び前記基板の厚さに関連する。

【0009】

いくつかの実施形態において、前記第２の距離は、前記有効発光領域の第２外縁から発せられる光が前記遮光層の前記第２縁部に入射する入射角度、及び前記基板の前記第１面での前記光の出射角度に関連する。

【0010】

いくつかの実施形態において、前記発光素子は、第１側面が前記基板の前記第２面に配置され、前記基板の前記第２面にある前記導電層の位置が前記遮光層間の前記開口部にほぼ対応する導電層をさらに備える。

【0011】

いくつかの実施形態において、前記発光素子は、前記基板の前記第２面に間隔をあけて配置され、前記導電層の横に少なくとも位置することで、前記導電層と前記有効発光領域を共同で画定する複数のバンプをさらに備える。

【0012】

いくつかの実施形態において、前記複数のバンプの一部は、前記導電層の前記第１側面に対向する第２側面の縁部を覆うことで、前記導電層の非有効発光領域を画定する。

【0013】

いくつかの実施形態において、前記遮光層の前記開口部は、前記有効発光領域及び前記非有効発光領域を少なくとも露出させる。

【0014】

いくつかの実施形態において、前記開口部は、前記複数のバンプの前記導電層に近い部分をさらに露出させる。

【0015】

いくつかの実施形態において、前記遮光層における前記開口部は、十字形輪郭を有する。

【0016】

いくつかの実施形態において、前記十字形輪郭は、前記有効発光領域を取り囲む非有効発光領域及前記複数のバンプの前記導電層に近い部分を露出させる。

【0017】

いくつかの実施形態において、前記発光素子は、前記導電層の上に位置し、前記複数のバンプに接触された積層有機発光層をさらに備える。

【0018】

いくつかの実施形態において、前記積層有機発光層は、キャリア注入層と、キャリア輸送層と、有機発射層と、有機キャリア輸送層とを含む。

【0019】

いくつかの実施形態において、前記有効発光領域の前記基板の前記第２面にある幅は、前記遮光層における前記開口部の距離より小さい。

【0020】

いくつかの実施形態において、前記発光素子は、前記第１面に設けられ、前記遮光層を覆う光透過層をさらに備える。

【0021】

いくつかの実施形態において、前記基板の前記屈折率は、前記光透過層の屈折率とは異なる。

【0022】

本出願の特徴、内容及び利点、ならびに奏することができる効果をより明確に理解するため、以下に添付の図面を参照しつつ実施形態の表現の形で本出願を詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本出願の実施例１による発光素子の上面図（発光素子の中間製品を示す）である。

【図2】図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図（発光ユニットから発せられた光を示す）である。

【図3A】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3B】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3C】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3D】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3E】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3F】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3G】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3H】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図3I】本出願の一実施形態による発光素子製造の流れを示す概略図である。

【図4A】本出願の実施例２による発光素子の上面図である。

【図4B】本出願の実施例３による遮光層の上面図である。

【図4C】本出願の実施例４による発光素子の上面図である。

【図5】本出願の実施例５による発光素子の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、添付の図面を参照しつつ本出願の実施例を具体的に説明する。添付の図面を参照しながら以下の具体的実施例の説明を読むことによって、本出願の各態様をより容易に理解する。言及すべき点は、これらの実施例が単なる例示であり、本出願の技術的手段を解釈、説明することだけに使われ、本出願に対する限定と理解してはいけない。当業者は、これらの実施例に基づいて様々な変形及び変更を行うことができる。均等な方法で変更することによって得られる全ての技術的手段は、本出願の保護範囲に属する。

【0025】

もちろん、これらは単なる例であり、本出願を限定することを意図したものではない。以下の説明に言及される第１の特徴が第２の特徴の上方又は上に形成することは、第１の特徴が第２の特徴と直接接触して形成される実施形態を含み得、また、第１の特徴が第２の特徴と直接接触しないように、追加の特徴は第１の特徴と第２の特徴との間に形成できる実施形態を含んでもよい。また、本出願は、様々な例において図面の符号及び／又は英字を繰り返すことができる。この繰り返しは、単純化及び明確化を目的としたものであり、かつ異なる実施例及び／又は論述する構成間の関係を示すものではない。

【0026】

また、本出願において「……の下に」、「……より低い」、「……比較低い」、「……より高い」、「……比較的高い」などのような、空間的に相対的な用語が、図面に示す１つの要素又は特徴部分と他の要素又は特徴部分との関係についての説明を容易にするために用いられる。空間的に相対的な用語は、図面に描かれている方位に加えて、使用時又は操作時における装置の別の方位も含むものである。装置は、これ以外に配向されることもあり（９０°又は他の方位に回転することもあり）、この場合には、本出願において用いられている空間的に相対的な用語も、これに応じて解釈される。

【0027】

本開示の広い範囲を示す数値範囲及びパラメータは、概数値であるが、具体的実施例内の関連数値をできる限り正確に提示されている。ただし、一部の数値には、それぞれのテスト測定で見つかった標準偏差に必然的に起因する誤差が含まれている場合がある。また、本明細書で使用される場合、「約」という用語は、一般に、所与の値又は範囲の１０％、５％、１％、又は０．５％以内を意味する。若しくは、当業者によって一般的に理解されるように、「約」という用語は、平均値の許容可能な標準誤差内を意味する。操作／動作の実施例を除いて、又は特に明記されていない限り、数値範囲、量、値及び百分率（例えば本明細書に開示されている材料の数量、持続時間、温度、操作条件、量の比率及びそれらに準じるものなど）は、全ての場合において、「約」という用語で修飾されると理解される。したがって、反対に示されない限り、本開示及び特許請求の範囲に記載された数値パラメータは、変動し得る概数値である。少なくとも、報告された有効桁数に照らして、通常の丸め手法を使用することにより、各数値パラメータを理解すべきである。範囲は、本明細書では、一方の端点から他方の端点まで、又は２つの端点の間として表すことができる。本明細書で示される範囲は、別段の明示的な指定がない限り、その端点を含む。

【0028】

本出願の発明の主要技術的思想：基板上の一側に特定波長の光を遮断（又は吸収）する遮光層が配置される。基板の他側上の有効発光領域と遮光層の縁部が横方向にずれる第１の距離は、基板の屈折率、遮光層の開口部内の材料の屈折率及び基板の厚さに関連することにより、画像欠けの問題を解決し、最大視野角の増加を実現し、異なるアプリケーションシナリオニーズに従い適用する最適な視野角のディスプレイを設計できる。

【実施例0029】

（１）発光素子
図１は、本出願の一実施形態による発光素子１０の上面図で、発光素子１０の中間製品を示している。発光素子１０は、発光層２０と、前記発光層２０の上に位置する被覆層４０とを備える。発光層２０について、発光画素アレイを収容するための凹部アレイを提供するようにスペーサ２１を設計できる。いくつかの実施形態において、スペーサ２１は、感光性材料を含み得る。

【0030】

図２は、図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図であり、発光ユニット１０ａから発せられた第１光Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ及び第２光Ｓ２ａ、Ｓ２ｂを示している。簡単にするため、ここで被覆層４０を省略する。スペーサ２１は、発光画素パターンを定義するため、複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂを有する。凹部は、２つの隣り合うバンプ１０５ａ、１０５ｂ間にあり、発光画素を収容するための空間を提供する。当業者は、断面図から観察すると、バンプ１０５ａ、１０５ｂが切り離されて示されているが、図１の上面図から観察すると、これらは図１に示すスペーサ２１の他の部分を介して互いに連結され得ることを理解すべきである。

【0031】

発光素子１０は、１つ又は複数の第１有機発光ユニット１０ａを含む１つ又は複数の発光アレイを備える。発光ユニット１０ａは、有機発光ユニット１０ａであり得、本出願において発光画素と呼ばれることもある。いくつかの実施形態において、発光ユニット１０ａは、第１電極１０４と、バンプ１０５ａ、１０５ｂと、第１電極１０４の上にある積層有機発光層とを備える。いくつかの実施形態において、積層有機発光層は、キャリア注入層１０６Ｌ１と、キャリア注入層１０６Ｌ１の上にあるキャリア輸送層１０６Ｌ２と、キャリア輸送層１０６Ｌ２の一部の上にある有機発射層１０６Ｌ３と、有機発射層１０６Ｌ３の上にある有機キャリア輸送層１０６Ｌ４とを備える。換言すれば、キャリア注入層１０６Ｌ１、キャリア輸送層１０６Ｌ２、有機発射層１０６Ｌ３，及び有機キャリア輸送層１０６Ｌ４は、総称されて積層有機発光層と呼ぶことができる。

【0032】

いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、第１電極１０４とキャリア輸送層１０６Ｌ２との間に配置される。発光ユニット１０ａは、有機材料を含み、該有機材料は異なる実施形態に従い発光ユニット１０ａ内のキャリア輸送層１０６Ｌ２、キャリア注入層１０６Ｌ１又は有機発射層１０６Ｌ３のうちのいずれか層に配置されることができる。この有機材料は、いくつかの実施形態において、特定の波長の吸収率は、５０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長の吸収率は６０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長の吸収率は７０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長の吸収率は８０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長の吸収率は９０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長の吸収率は９５％以上である。

【0033】

いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は３５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は３００ｎｍであり、いくつかの実施形態において、特定の波長は２５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は２００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は１５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は１００ｎｍである。

【0034】

基板１００は、反対側にある第１面１００ａ及び第２面１００ｂを有し、透明材料を含む。基板１００は、第１電極１０４の下にある。基板１００の第２面１００ｂは、第１電極１０４に接触される。いくつかの実施形態において、基板１００は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイを備え得る。いくつかの実施形態において、基板１００は、基材（図示せず）と、誘電体層（図示せず）と、基材上又は基材内に設けられた１或は複数の回路（図示せず）とを備え得る。いくつかの実施形態において、基材は、透明基材である又は少なくとも部分的に透明である。いくつかの実施形態において、基材は、非可撓性基材であり、かつ基材の材料には玻璃、石英、低温ポリシリコン（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）又は他の適切な材料が含まれ得る。いくつかの実施形態において、基材は、可撓性基材であり、かつ基材の材料には透明エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、メタクリル酸メチル又は他の適切な材料が含まれ得る。誘電体層は、必要に応じて基材に設けられることができる。いくつかの実施形態において、誘電体層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン又は他の適切な材料を含み得る。

【0035】

いくつかの実施形態において、回路は、相補型金属酸化膜半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、ＣＭＯＳ）回路、又は複数のトランジスタ及びトランジスタに近い複数のコンデンサを含み得、ここでトランジスタ及びコンデンサは誘電体層に形成される。いくつかの実施形態において、トランジスタは、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）である。各トランジスタは、ソース／ドレイン領域（少なくとも１つのソース領域及びドレイン領域を含む）と、ソース／ドレイン領域間に介在するチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）領域と、チャネル領域の上に設けられたゲート電極と、チャネル領域とゲート電極との間に介在するゲート絶縁体とを備える。トランジスタのチャネル領域は、半導体材料、例えばシリコン或いはＩＶ族元素又はＩＩＩ元素族及びＶ族元素から選択された他の元素で作られてもよい。

【0036】

複数の遮光層１０１ａ、１０１ｂは、基板１００の下に形成される。遮光層１０１ａ、１０１ｂは、基板１００の第１表面１００ａに接触される。遮光層１０１ａ、１０１ｂは、基板１００から分離される。遮光層１０１ａ、１０１ｂを総称してパターン化された遮光層１０１ａ、１０１ｂと呼ぶこともできる。遮光層１０１ａ、１０１ｂは、互いに分離した第１縁部１０１ａ２と第２縁部１０１ｂ２とを有することで、その間に開口部１０７を形成し、遮光層１０１ａ、１０１ｂは開口部１０７が幅Ｗ１に達するように互いに分離されている。複数の遮光層１０１ａ、１０１ｂが互いにつながっていてもよいが、互いに分離された部分を開口部１０７と呼んでもよい。開口部１０７は横方向Ｘに幅Ｗ１を有する。遮光層１０１ａ、１０１ｂは、可視光の９０％以上を吸収することができる。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂは、黒体材料を含み得る。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂは、１層の単一の材料を含む。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂは、複数の材料から形成された複合層を含む。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂは、有機材料を含む。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂは、無機材料を含む。図２に示す実施形態において、開口部１０７の間と開口部１０７の外側に空気又は真空があり、他の構成要素は配置されていない。

【0037】

遮光層１０１ａ、１０１ｂは、それぞれ第１傾斜部分１０１ａ１及び第２傾斜部分１０１ｂ１を有し得、第１縁部１０１ａ２は第１傾斜部分１０１ａ１に配置され、第２縁部１０１ｂ２は第２傾斜部分１０１ｂ１に配置される。第１縁部１０１ａ２及び第２縁部１０１ｂ２は、基板１００の第１面１００ａから遮光層１０１ａ、１０１ｂの内部に向けて傾斜し、すなわち、第１縁部１０１ａ２は図２内の左側から傾斜し、第２縁部１０１ｂ２は図２内の右側から傾斜する。その他の実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂは、第１傾斜部分１０１ａ１及び第２傾斜部分１０１ｂ１を有しなくてもよく、第１縁部１０１ａ２及び第２縁部１０１ｂ２は基板１００の第１面１００ａに垂直であってもよい。

【0038】

導電層（例えば第１電極１０４）は、基板１００の第２面１００ｂに形成される。第１電極１０４は、基板１００に接触される。遮光層１０１ａ、１０１ｂ間の開口部１０７は、第１電極１０４に大体対応する。本実施例において、図２の角度から第１電極１０４の縦方向Ｙに対向する第１側面１０４ａ及び第２側面１０４ｂを有し、第１電極１０４の左右両側の横方向Ｘに第１側辺１０４ｆ及び第２側辺１０４ｇを有することが分かる。第１電極１０４の第１側面１０４ａは、基板１００の第２面１００ｂに接触される。第１電極１０４は、互いに分離されている。複数の第１電極１０４は、基板１００と電気的に接続する。図２には１つの第１電極１０４のみが示されているが、当業者であれば、図２の発光素子１０が互いに分離されて基板１００上に配置された複数の第１電極１０４を有し得ることを容易に理解することができる。

【0039】

図２に示すように、複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂは、基板１００の第２面１００ｂに間隔をあけて配置され第１電極１０４の一部を覆う。いくつかの実施形態において、バンプ１０５ａ、１０５ｂは、第１電極１０４の横に少なくとも位置する。第１電極１０４の対向する両側の周囲領域は、バンプ１０５ａ、１０５ｂによって覆われている。いくつかの実施形態において、第１電極１０４の第１側辺１０４ｆ及び第２側面１０４ｂの左隅は、バンプ１０５ａの右側によって完全に包囲される。第１電極１０４の第２側辺１０４ｇ及び第２側面１０４ｂの右隅は、バンプ１０５ｂの左側によって完全に包囲される。いくつかの実施形態において、第１電極１０４の第１側辺１０４ｆ及び第２側辺１０４ｇはバンプ１０５ａ、１０５ｂに完全に接触される。いくつかの実施形態において、第１電極１０４両側の２つのバンプ１０５ａ、１０５ｂは、互いに分離されている。いくつかの実施形態において、２つの第１電極１０４は、１つのバンプ１０５ａを介して互いに分離され得る。本実施例において、第１電極１０４は、アノードであってもよい。いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、有効発光領域１０４ｃ及び非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅを画定することができる。第１電極１０４とバンプ１０５ａ、１０５ｂとの間の配置は、有効発光領域１０４ｃ及び非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅの範囲を画定できる。本実施例において、バンプ１０５ａ、１０５ｂが接触する第１電極１０４の第２側面１０４ｂ下の部分は、線分Ｌ１の左側の領域及び線分Ｌ２の右側の領域である非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅと画定される。本実施例において、バンプ１０５ａ、１０５ｂに接触されていない第１電極１０４の第２側面１０４ｂ下の部分は、線分Ｌ１、Ｌ２間の領域である有効発光領域１０４ｃと画定される。いくつかの実施形態において、発光ユニット１０ａは、発光している時暗い領域（例えば非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅ）及び明るい領域（例えば有効発光領域１０４ｃ）を有する。暗い領域の総面積は、有効発光領域の総面積の少なくとも５０％未満である。有効発光領域１０４ｃは、有効照明領域とも呼ぶことができる。

【0040】

いくつかの実施形態において、有効発光領域１０４ｃは、少なくとも１０ミクロン未満の幅Ｗ３を有する。いくつかの実施形態において、有効発光領域１０４ｃは、３ミクロン～６ミクロン程度の幅Ｗ３を有する。いくつかの実施形態において、有効発光領域１０４ｃは、４ミクロン～６ミクロン程度の幅Ｗ３を有する。有効発光領域１０４ｃは、図１内の発光素子１０の画素サイズを決定する。有効発光領域１０４ｃの幅Ｗ３を１０ミクロン以下に制御できるため、発光素子１０の画素密度は、１０００又は２０００ｐｐｉを超えることができる。本実施例において、非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅの幅Ｗ４、Ｗ５の和は、有効発光領域１０４ｃの幅Ｗ３より小さい。

【0041】

図２において、基板１００は、縦方向Ｙに厚さＬを有し、遮光層１０１ａ、１０１ｂは縦方向Ｙに厚さ１０１Ｉを有する。第１電極１０４は、縦方向Ｙに厚さ１０４Ｔを有する。いくつかの実施形態において、基板１００の厚さＬは遮光層１０１ａ、１０１ｂの厚さ１０１Ｉよりも大きく、基板１００の厚さＬは第１電極１０４の厚さ１０４Ｔよりも大きい。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂの厚さ１０１Ｉより、第１電極１０４の厚さ１０４Ｔより大きい。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂの厚さ１０１Ｉは、第１電極１０４の厚さ１０４Ｔに等しい。いくつかの実施形態において、遮光層１０１ａ、１０１ｂの厚さ１０１Ｉは、第１電極１０４の厚さ１０４Ｔより小さい。

【0042】

第１電極１０４は、縦方向Ｙに１５００Å～２７００Å程度の全厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、１８００Å～２２００Å程度の全厚さを有する。いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、２０００Å程度の全厚さを有する。第１電極１０４は、導電層であり得る。第１電極１０４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＡｌＣｕ合金、ＡｇＭｏ合金、５０Å～５００Å程度のＩＴＯ（又はＩＺＯ或いはＩＧＺＯ）と５００Å～２０００Å程度の金属膜（Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ）及び５０Å～１０００Å程度のＩＴＯ（又はＩＺＯ或いはＩＧＺＯ）を含み得る。

【0043】

いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、複合構造である。例えば第１電極１０４は、導電膜と、その上にある透明導電膜とを有する。導電膜は、透明導電膜と基板１００との間に位置する。いくつかの実施形態において、導電膜は、アルミニウム、金、銀、銅等を含む。いくつかの実施形態において、透明導電膜は、包含インジウム、スズ、グラフェン、亜鉛、酸素等を含む。いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、透明導電薄膜を含む。いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む。いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を含む。いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）を含む。いくつかの実施形態において、透明導電膜の粗さＲａ＜１０Åとなる。導電膜の厚さは、１５００Å～３０００Å程度の間であり得る。透明導電膜の厚さは、８０Å～１０００Å程度の間であり得る。

【0044】

いくつかの実施形態において、第１電極１０４は、少なくとも３つの異なるフィルムを有する。導電膜（例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等）は、２つの透明導電膜の間に挟入される。場合によっては、２つの透明導電膜のうちの１つは、ＩＴＯであり、一側は基板１００と接触し、他側が導電膜と接触する。場合によっては、２つの透明導電膜のうちの１つは、ＩＴＯであり、一側は導電膜と接触し、他側がバンプ１０５ａ、１０５ｂ又は発光材料と接触する。

【0045】

いくつかの実施形態において、各バンプ１０５ａ、１０５ｂは、基板１００から離れて突出し、第１電極１０４の両側の外周領域を覆う曲面を有する。バンプ１０５ａ、１０５ｂは、異なる形状であってもよい。本実施例において、バンプ１０５ａ、１０５ｂは、湾曲した凸面を有する。いくつかの実施形態において、バンプ１０５ａ、１０５ｂの形状は、台形である。いくつかの実施形態において、バンプ１０５ａ、１０５ｂの形状は、矩形である。バンプ１０５ａ、１０５ｂのパターンは、画素配置に基づいて設計され、パターン化されたバンプ１０５ａ、１０５ｂは、画素定義層（ｐｉｘｅｌ ｄｅｆｉｎｅｄ ｌａｙｅｒ、ＰＤＬ）とも呼ばれる。バンプ１０５ａ、１０５ｂは、基板１００の上に配置される。各バンプ１０５ａ、１０５ｂは、２つの隣り合う第１電極１０４間の隙間を埋める。各第１電極１０４の対向する両側は、バンプ１０５ａ、１０５ｂによって部分的に覆われている。バンプ１０５ａ、１０５ｂは、感光性材料を含み得る。

【0046】

本実施例において、第１電極１０４の有効発光領域１０４ｃの左縁（第１外縁１０４ｈ）は、横方向Ｘにおいて、遮光層１０１ａ、１０１ｂの第１縁部１０１ａ２と位置合わせされない。第１電極１０４の有効発光領域１０４ｃの左縁（第１外縁１０４ｈ）は、横方向Ｘにおいて、遮光層１０１ａの第１縁部１０１ａ２と第１の距離Ｄ１のずれが生じる。本実施例において、有効発光領域１０４ｃの右縁（第２外縁１０４ｉ）は、横方向Ｘにおいて、遮光層１０１ｂの第２縁部１０１ｂ２と位置合わせされない。有効発光領域１０４ｃの右縁（第２外縁１０４ｉ）は、横方向Ｘにおいて、遮光層１０１ｂの第２縁部１０１ｂ２と第２の距離Ｄ２のずれが生じる。本実施例において、第１電極１０４の幅Ｗ２は、開口部１０７の幅Ｗ１より小さい。第１の距離Ｄ１の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、１％以上であり得る。第１の距離Ｄ１の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、５％以上であり得る。第１の距離Ｄ１の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、１０％以上であり得る。第１の距離Ｄ１の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、１５％以上であり得る。第２の距離Ｄ２の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、１％以上であり得る。第２の距離Ｄ２の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、５％以上であり得る。第２の距離Ｄ２の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、１０％以上であり得る。第２の距離Ｄ２の遮光層１０１ａ、１０１ｂの幅に占める割合は、１５％以上であり得る。

【0047】

いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ１０５ａ、１０５ｂの吸収率は、５０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ１０５ａ、１０５ｂの吸収率は、６０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ１０５ａ、１０５ｂの吸収率は、７０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ１０５ａ、１０５ｂの吸収率は、８０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ１０５ａ、１０５ｂの吸収率は、９０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ１０５ａ、１０５ｂの吸収率は９５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、３５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、３００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、２５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、２００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、１５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、１００ｎｍ未満である。

【0048】

キャリア注入層１０６Ｌ１は、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面に設けられる。キャリア注入層１０６Ｌ１は、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面を連続的に覆っている。いくつかの実施形態において、各第１電極１０４の露出面は、１つの発光ユニット１０ａの有効発光領域に用いられるよう構成される。任意選択的に、キャリア注入層１０６Ｌ１は、バンプ１０５ａ、１０５ｂと接触する。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、第１電極１０４と接触する。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、有機体である。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、正孔注入を行うように構成される。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、正孔注入層である。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、８０Å～５００Å程度の厚さを有し得る。

【0049】

キャリア輸送層１０６Ｌ２は、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面に設けられる。キャリア輸送層１０６Ｌ２は、キャリア注入層１０６Ｌ１の上に設けられ、キャリア注入層１０６Ｌ１を完全に覆う。キャリア注入層１０６Ｌ１は、キャリア輸送層１０６Ｌ２の下に設けられる。キャリア輸送層１０６Ｌ２は、キャリア注入層１０６Ｌ１を連続的に覆っている。キャリア輸送層１０６Ｌ２は、複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂ及び複数の第１電極１０４を覆う。任意選択的に、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、キャリア注入層１０６Ｌ１と接触する。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、有機体である。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、正孔輸送を行うように構成される。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、第１正孔輸送層である。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、８０Å～５００Å程度の厚さを有する。

【0050】

有機発射層１０６Ｌ３は、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４的露出面に設けられる。有機発射層１０６Ｌ３は、キャリア輸送層１０６Ｌ２の上に設けられ、キャリア輸送層１０６Ｌ２を完全に覆う。キャリア輸送層１０６Ｌ２は、有機発射層１０６Ｌ３の下に設けられる。有機発射層１０６Ｌ３は、キャリア輸送層１０６Ｌ２を連続的に覆う。有機発射層１０６Ｌ３は、複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂ及び複数の第１電極１０４を覆う。任意選択的に、有機発射層１０６Ｌ３は、キャリア輸送層１０６Ｌ２と接触する。有機発射層１０６Ｌ３は、第１の色を発光するように構成される。

【0051】

いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機発射層１０６Ｌ３の吸収率は、５０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機発射層１０６Ｌ３の吸収率は、６０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機発射層１０６Ｌ３の吸収率は、７０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機発射層１０６Ｌ３の吸収率は、８０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機発射層１０６Ｌ３の吸収率は、９０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機発射層１０６Ｌ３の吸収率は９５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、３５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、３００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、２５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、２００ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、１５０ｎｍ未満であり、いくつかの実施形態において、特定の波長は、１００ｎｍ未満である。

【0052】

いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２及び有機発射層１０６Ｌ３のうちの少なくとも１つは、有機材料を含む。前記有機材料は、共鳴構造を有する分子構造を含み得る。前記有機材料は、スピロ－トリアリールアミン、ビストリアリールアミン及びこれらの組み合わせからなる群から選択されることができる。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２及び有機発射層１０６Ｌ３のうちの少なくとも１つは、スピロ－トリアリールアミンを含む。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２及び有機発射層１０６Ｌ３のうちの少なくとも１つは、ビストリアリールアミンを含む。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２及び有機発射層１０６Ｌ３は、同じ材料を含む。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、

【化1】

を含み、有機発射層１０６Ｌ３は

【化2】

を含む。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、

【化3】

を含み、有機発射層１０６Ｌ３は

【化4】

を含む。

【0053】

有機キャリア輸送層１０６Ｌ４は、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面に設けられる。有機キャリア輸送層１０６Ｌ４は、有機発射層１０６Ｌ３の上に設けられ、有機発射層１０６Ｌ３を完全に覆う。有機発射層１０６Ｌ３は、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４の下に設けられる。有機キャリア輸送層１０６Ｌ４は、有機発射層１０６Ｌ３を連続的に覆う。有機キャリア輸送層１０６Ｌ４は、複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂ及び複数の第１電極１０４を覆う。任意選択的に、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４は、有機発射層１０６Ｌ３と接触する。

【0054】

他の実施形態において、積層有機発光層のキャリア注入層１０６Ｌ１、キャリア輸送層１０６Ｌ２、有機発射層１０６Ｌ３及び有機キャリア輸送層１０６Ｌ４の少なくとも一部は、バンプ１０５ａ、１０５ｂに設けられることなく、第１電極１０４にのみ設けられてもよい。

【0055】

本実施例において、第２電極１０６Ｄは、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面に設けられる。第２電極１０６Ｄは、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４の上に位置し、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４を完全に覆う。場合によっては、第２電極１０６Ｄは、各発光画素の有効発光領域１０４ｃのみを覆うようにパターン化される。場合によっては、第２電極１０６Ｄは、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４と接触する。

【0056】

本実施例において、第２電極１０６Ｄは、８０Å～５００Å程度の厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、８０Å～１５０Å程度の厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、１５０Å～２００Å程度の厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、２００Å～３００Åの厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、３００Å～４００Å程度の厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、４００Å～５００Åの厚さを有し得る。

【0057】

本出願において、第２電極１０６Ｄは、カソードであってもよい。第２電極１０６Ｄは、例えば銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の金属材料であり得る。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を含む。

【0058】

いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、複合構造である。例えば第２電極１０６Ｄは、導電膜と、その上の透明導電膜とを有する。導電膜は、透明導電膜と有機キャリア輸送層１０６Ｌ４との間に位置する。いくつかの実施形態において、導電膜は、アルミニウム、金、銀、銅、マグネシウム、モリブデン等を含む。いくつかの実施形態において、透明導電膜は、インジウム、スズ、グラフェン、亜鉛、酸素等を含む。いくつかの実施形態において、透明導電膜は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）である。いくつかの実施形態において、透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）である。いくつかの実施形態において、透明導電膜は、導電膜と有機キャリア輸送層１０６Ｌ４との間に位置する。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、パターン化された導電層、又はパターン化された絶縁層を有するパターン化された導電層であり得る。

【0059】

図２を参照すると、第１の光Ｓ１ａは、第１電極１０４の有効発光領域１０４ｃの左縁から遮光層１０１ａの第１縁部１０１ａ２に発せられる光である。第１の光Ｓ１ａが有効発光領域１０４ｃの左縁（第１外縁１０４ｈ）から発せられる時、有効発光領域１０４ｃの左縁（第１外縁１０４ｈ）と遮光層１０１ａとが横方向においてずれ（第１の距離Ｄ１）が生じるため、縦方向Ｙに対して斜めの角度から出射されることになり、有効発光領域１０４ｃの第１外縁１０４ｈから発せられる光が遮光層１０１ａの第１縁部１０１ａ２に入射する時入射角度θ１を有させる。第１の光Ｓ１ａが基板１００の第１側面１０４ａから出射される時、基板１００の屈折率ｎ１は、遮光層の開口部内の材料（本実施例では空気）の屈折率ｎ２とは異なるため、第１の光Ｓ１ａは偏向されて出射角度θ２を有する第１の光Ｓ１ｂになる。出射角度θ２は、入射角度θ１より大きい。このように、有効発光領域１０４ｃと遮光層１０１ａの配置により、光の照射範囲が広がる。

【0060】

第２の光Ｓ２ａは、第１電極１０４の有効発光領域１０４ｃの右縁（第２外縁１０４ｉ）から遮光層１０１ｂの第２縁部１０１ｂ２に発せられる光である。第２の光Ｓ２ａが有効発光領域１０４ｃの右縁（第２外縁１０４ｉ）から発せられる時、有効発光領域１０４ｃの右縁（第２外縁１０４ｉ）と遮光層１０１ｂとが横方向においてずれ（第２の距離Ｄ２）が生じるため、縦方向Ｙに対して斜めの角度から出射されることになり、有効発光領域１０４ｃの第２外縁１０４ｉから発せられる第２の光Ｓ２ａが遮光層１０１ｂの第２縁部１０１ｂ２に入射する時入射角度θ３を有させる。第２の光Ｓ２ａが基板１００の第１側面１０４ａから出射される時、基板１００の屈折率ｎ１は、遮光層の開口部内の材料（本実施例では空気）の屈折率ｎ２とは異なるため、第２の光Ｓ２ａは偏向されて出射角度θ４を有する第２の光Ｓ２ｂになる。出射角度θ４は、入射角度θ３より大きい。このように、有効発光領域１０４ｃと遮光層１０１ｂの配置により、光の照射範囲が広がる。

【0061】

いくつかの実施形態において、有効発光領域１０４ｃは、横方向Ｘにおいて、遮光層１０１ａの第１縁部１０１ａ２と第１の距離Ｄ１のずれが生じ、基板１００の屈折率ｎ１、遮光層１０１ａの開口部１０７内の材料（本実施例では空気）の屈折率ｎ２、及び基板１００の厚さＬに関連する。いくつかの実施形態において、前記第１の距離Ｄ１ は、さらに有効発光領域１０４ｃの第１外縁１０４ｈから発せられる第１の光Ｓ１ａから遮光層１０１ａの第１縁部１０１ａ２（及び基板１００の第１面１００ａ）までの入射角度θ１、及び第１縁部１０１ａ２（及び基板１００の第１面１００ａ）での第１の光Ｓ１ａの出射角度θ２に関連する。いくつかの実施形態において、前記第１の距離Ｄ１は、次の式を満たす。

【0062】

【数2】

【0063】

いくつかの実施形態において、基板１００の屈折率ｎ１は、遮光層１０１ａ、１０１ｂの開口部１０７内の材料（本実施例では空気）の屈折率ｎ２より大きい。

【0064】

有効発光領域１０４ｃは、横方向Ｘにおいて遮光層１０１ｂの第２縁部１０１ｂ２と第２の距離Ｄ２のずれが生じ、基板１００の屈折率ｎ１、遮光層１０１ｂの開口部１０７内の材料の屈折率ｎ２、及び基板１００の厚さＬに関連する。いくつかの実施形態において、前記第２の距離Ｄ２は、さらに有効発光領域１０４ｃの第２外縁１０４ｉから発せられる第２の光Ｓ２ａから遮光層１０１ｂの第２縁部１０１ｂ２（及び基板１００の第１面１００ａ）までの入射角度θ３、及び第２縁部１０１ｂ１（及び基板１００の第１面１００ａ）での第２の光Ｓ２ａの出射角度θ４に関連する。いくつかの実施形態において、前記第２の距離Ｄ２は、次の式を満たす。

【0065】

【数3】

【0066】

上述の相関関係から、有効発光領域１０４ｃと遮光層１０１ａ、１０１ｂのずれ、基板１００の屈折率ｎ１、遮光層１０１ａ、１０１ｂ間の開口部１０７内の材料の屈折率ｎ２、及び基板１００の厚さＬ、ならびに第１面１００ａでの第１の光Ｓ１ａと第２の光Ｓ２ａの出射角度θ２、θ４を調整することにより、第１電極１０４から発せられる光を制御してパターンの結像効果を改善することができる。図２において、発光素子１０は、基板１００と、基板１００上の複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂと、バンプ１０５ａ、１０５ｂによって分離された複数の発光ユニット（例えば発光ユニット１０ａ）とを備える。複数の発光ユニット１０ａは類似の特徴を有するように図示されているが、これは例示に過ぎず、これらの実施形態を限定するものではない。複数の発光ユニット１０ａは、所望の機能要件を満たすため、類似の構造又は異なる構造を有し得る。

【0067】

複数の発光ユニット１０ａは、少なくとも積層有機発光層の厚さが互いに異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、３つの発光ユニット１０ａは、それぞれ緑色光、赤色光及び青色光を発することができる。

【0068】

いくつかの実施形態において、発光ユニット１０ａは、少なくとも３つの異なる群に分けられるように構成され、各群が他の群とは異なる色を発する。各積層有機発光層の厚さは、対応する発光ユニット１０ａによって表示される色に関連し得る。発光ユニット１０ａの積層有機発光層は、例えば気相成長、液体噴射又はインクジェット印刷の各種処理を介して形成することができる。

【0069】

（２）発光素子の製造方法
図３Ａ～図３Ｉは、一実施形態による発光素子の製造方法を示す。

【0070】

図３Ａにおいて、第１面１００ａ及び第１面１００ａとは反対側の第２面１００ｂを有する基板１００を用意する。

【0071】

図３Ｂにおいて、基板１００の第１面１００ａに複数の遮光層１０１ａ、１０１ｂを設ける。各遮光層１０１ａ、１０１ｂは、基板の同じ側に配置される。各遮光層１０１ａ、１０１ｂは、互いに分離されて互いの間に開口部１０７を形成し、第１傾斜部分１０１ａ１の第１縁部１０１ａ２及び第２傾斜部分１０１ｂ１の第２縁部１０１ｂ２が幅Ｗ１を有する。いくつかの実施形態において、各遮光層１０１ａ、１０１ｂは、化学気相成長（ＣＶＤ）、物理気相成長（ＰＶＤ）及びスピン・オン・ガラス（ＳＯＧ Ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）のいずれかにより、基板１００の上に形成される。

【0072】

図３Ｃにおいて、先に基板１００をひっくり返し、基板１００の第２面１００ｂに複数の第１電極１０４（すなわち、導電層であり、図３には１つの第１電極１０４のみが示されている）を設ける。各第１電極１０４は、基板１００に電気的に接続されるように配置される。画素の配列を考慮して第１電極１０４のアレイパターンを設計する。第１電極１０４は、互いに対向する第１側面１０４ａ及び第２側面１０４ｂを有し、第１電極１０４の第１側面１０４ａは基板１００の第２面１００ｂに接触される。第１電極１０４は、左右に対向する第１側辺１０４ｆ及び第２側辺１０４ｇを有し得る。本実施例において、第１電極１０４は、遮光層１０１ａ、１０１ｂ間の開口部１０７に対応する。本実施例において、遮光層１０１ａ、１０１ｂ間の開口部１０７の幅Ｗ１は、第１電極１０４の幅Ｗ２より大きい。

【0073】

図３Ｄにおいて、第１電極１０４に感光層１０５Ｌを設ける。いくつかの実施形態において、感光層１０５Ｌを第１電極１０４の第２側面１０４ｂにコーティングし、第１電極１０４の第１側辺１０４ｆ及び第２側辺１０４ｇを覆う。同時に感光層１０５Ｌは、隣り合う複数の第１電極１０４間の隙間を埋める。感光層１０５Ｌを所定の温度に加熱した後、指定された波長で露光させる。感光層１０５Ｌは、可視光の９０％以上を吸収することができる。露光後、感光層１０５Ｌを溶液に浸潤させて現象する。

【0074】

図３Ｅに示すように、感光層１０５Ｌの一部を除去し、残りの部分は隣り合う第１電極１０４間の隙間を部分的に覆う。この断面図において、残った感光層１０５Ｌは複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂを形成し、各バンプ１０５ａ、１０５ｂが第１電極１０４の第２側面１０４ｂの一部の両側に形成され、第１電極１０４の第１側辺１０４ｆ及び第２側辺１０４ｇを覆う。バンプ１０５ａ、１０５ｂは、各第１電極１０４を部分的に覆う。バンプ１０５ａ、１０５ｂと第１電極１０４との接触縁部が線分Ｌ１、Ｌ２によって第１側面１０４ａに垂直に投影される位置は、第１外縁１０４ｈ及び第２外縁１０４ｉを画定することができる。

【0075】

バンプ１０５ａ、１０５ｂは、異なる形状に形成されてもよい。図３Ｅにおいて、バンプ１０５ａ、１０５ｂは曲面を有する。いくつかの実施形態において、バンプ１０５ａ、１０５ｂの形状は、台形である。バンプ１０５ａ、１０５ｂを形成した後、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面を洗浄するため、洗浄操作を実行し得る。一実施形態において、洗浄操作の間、脱イオン水を３０℃～８０℃の間の温度に加熱する。脱イオン水の温度が所定の温度まで上昇した後、脱イオン水をバンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面に導く。

【0076】

いくつかの実施形態において、洗浄操作の間に超音波を使用する。超音波を洗浄剤（例えば水又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等）に導入する。いくつかの実施形態において、二酸化炭素を洗浄剤に導入する。洗浄操作の後、加熱操作によって洗浄剤を露出面から除去する。加熱操作の間、基板１００及びバンプ１０５ａ、１０５ｂを８０℃～１１０℃の間の温度に加熱し得る。いくつかの実施形態において、加熱しながら残留洗浄剤を除去するのを助けため、圧縮空気を露出面に導く。

【0077】

加熱操作の後、Ｏ_２、Ｎ_２、又はＡｒプラズマで露出面を処理できる。プラズマは、露出面を粗くするために用いられる。いくつかの実施形態において、露出面の表面状態を調整するため、オゾンを使用する。

【0078】

図３Ｆに示すように、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面にキャリア注入層１０６Ｌ１を設ける。キャリア注入層１０６Ｌ１は、露出面に沿って連続的にライニング（ｌｉｎｉｎｇ）する。より具体的に第１電極１０４のバンプ１０５ａ、１０５ｂに接触されていない表面下の領域は、発光ユニット（すなわち、画素）の有効発光領域１０４ｃとして構成され、バンプ１０５ａ、１０５ｂで覆われた領域が非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅである。この実施形態において、全ての発光ユニットは、キャリア注入層１０６Ｌ１を使用する。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、正孔注入に用いられる。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、電子注入に用いられる。キャリア注入層１０６Ｌ１は、複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面を連続的に覆う。任意選択的に、キャリア注入層１０６Ｌ１は、バンプ１０５ａ、１０５ｂと接触する。一実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、第１電極１０４と接触する。いくつかの実施形態において、キャリア注入層１０６Ｌ１は、有機物である。

【0079】

図３Ｇに示すように、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面にキャリア輸送層１０６Ｌ２を設ける。キャリア注入層１０６Ｌ１は、キャリア輸送層１０６Ｌ２の下に設けられる。キャリア輸送層１０６Ｌ２は、キャリア注入層１０６Ｌ１に沿って連続的にライニングする。この実施形態において、全ての発光ユニットは、キャリア輸送層１０６Ｌ２を使用する。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、正孔注入に用いられる。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、電子注入に用いられる。キャリア輸送層１０６Ｌ２は、複数のバンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の上を連続的に覆う。任意選択的に、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、キャリア注入層１０６Ｌ１と接触する。いくつかの実施形態において、キャリア輸送層１０６Ｌ２は、有機物である。

【0080】

図３Ｈにおいて、有機発射層１０６Ｌ３は、バンプ１０５ａ、１０５ｂ及び第１電極１０４の露出面に設けられる。有機発射層１０６Ｌ３は、キャリア輸送層１０６Ｌ２を覆う。有機発射層１０６Ｌ３は、露出したキャリア輸送層１０６Ｌ２を完全に覆う。有機発射層１０６Ｌ３は、第１の色を発光するよう構成される。

【0081】

図３Ｉに示すように、有機発射層１０６Ｌ３に有機キャリア輸送層１０６Ｌ４を設ける。有機キャリア輸送層１０６Ｌ４は、正孔又は電子輸送層であり得る。いくつかの実施形態において、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４及びキャリア輸送層１０６Ｌ２は、それぞれ相反する原子価状態で構成される。

【0082】

図２に示すように、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４に第２電極１０６Ｄを設ける。第２電極１０６Ｄは、有機キャリア輸送層１０６Ｌ４を覆う。第２電極１０６Ｄは、金属材料、例えば銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）等であり得る。いくつかの実施形態において、第２電極１０６Ｄは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を含む。いくつかの実施形態において、断面図から見て各発光ユニット（すなわち、画素）は、独立した第２電極１０６Ｄを有する。

【0083】

図３Ａ～３Ｉ及び図２に示す操作を繰り返して異なる色の発光ユニット１０ａを形成することができる。

【0084】

図２に示すように、発光ユニット１０ａによって生成された光（例えば第１の光Ｓ１ａ及び第２の光Ｓ２ａ）は、基板１００に向けて外側に発することができる。いくつかの実施形態において、光の一部が第２電極１０６Ｄに向けて外側に発する。第２の電極１０６Ｄに向かう光が第２電極１０６Ｄに当たると、第２電極１０６Ｄ内の異なる材料により異なる反射光が生成される場合がある。反射光は、発光ユニット１０ａが基板１００に向けて発する光（例えば第１の光Ｓ１ａ及び第２の光Ｓ２ａ）と干渉するため、ハレーション及び光学的なクロストーク等の問題を引き起こし、有機ＥＬディスプレイの光学効果は期待通りにいかない。本開示の遮光層１０１ａ、１０１ｂによれば、適切な構成（例えば上述のように周囲光を遮蔽できるものを用いる）を経て、光（例えば第１の光Ｓ１ａ及び第２の光Ｓ２ａ）に対する反射光Ｌ２ｒの干渉を大幅に低減することができることで、ハレーション及び光学的なクロストーク等の問題を解決し、発光ユニットのコントラストを向上させることができる。

【実施例0085】

図４Ａを参照すると、本出願の実施例２による発光素子の上面図である。いくつかの実施形態において、遮光層１０１は、上面の角度から見て十字形輪郭を有する凹部５００を有し得る。十字形輪郭を有する凹部５００は、発光ユニット１０ａから発せられた光を透過させることができる。いくつかの実施形態において、十字形輪郭を有する凹部５００は、単一の発光ユニット１０ａから発せられた光を透過させることができる。いくつかの実施形態において、十字形輪郭を有する凹部５００は、複数の発光ユニット１０ａから発せられた光を透過させることができる。本実施例において、十字形輪郭を有する凹部５００は、発光ユニット１０ａの第１電極１０４の有効発光領域１０４ｃ及び非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅを少なくとも露出させる。本実施例において、第１電極１０４の第１側辺１０４ｆ及び第２側辺１０４ｇは、バンプ１０５ａ、１０５ｂの縁部にそれぞれ接触される。十字形輪郭を有する凹部５００は、非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅのバンプ１０５ａ、１０５ｂに近い部分を少なくとも露出させる。図から分かるように、線分Ｌ１、Ｌ２（破線で示す）内の領域は、第１電極１０４の有効発光領域１０４ｃであり、十字形輪郭を呈し、第１電極１０４における線分Ｌ１、Ｌ２外の領域が非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅである。非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅは、有効発光領域１０４ｃを取り囲む。バンプ１０５ａ、１０５ｂは、第１電極１０４の有効発光領域１０４ｃ及び非有効発光領域１０４ｄ、１０４ｅを取り囲む。