特開 2024-25674 磁気記録層中へのチタンの拡散を低減するように構成された下地層を有する磁気記録媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024025674

(43)【公開日】2024-02-26

(54)【発明の名称】磁気記録層中へのチタンの拡散を低減するように構成された下地層を有する磁気記録媒体

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/738 20060101AFI20240216BHJP

   G11B 5/82 20060101ALI20240216BHJP

   G11B 5/70 20060101ALI20240216BHJP

   G11B 5/84 20060101ALI20240216BHJP

【ＦＩ】

G11B5/738

G11B5/82

G11B5/70

G11B5/84 Z

【審査請求】有

【請求項の数】24

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023113790

(22)【出願日】2023-07-11

(31)【優先権主張番号】17/886,244

(32)【優先日】2022-08-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】504056130

【氏名又は名称】ウェスタン デジタル テクノロジーズ インコーポレーテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100207837

【弁理士】

【氏名又は名称】小松原 寿美

(72)【発明者】

【氏名】ホアン コン ホー

(72)【発明者】

【氏名】フア ユアン

(72)【発明者】

【氏名】関 智孔

(72)【発明者】

【氏名】ポール クリストファー ドーシー

【テーマコード（参考）】

5D112

【Ｆターム（参考）】

5D112AA03

5D112AA24

5D112BD03

(57)【要約】      （修正有）

【課題】酸化マグネシウム－酸化チタン（ＭＴＯ）下地層上に磁気記録層を有する、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）媒体を提供する装置、システム、方法及び媒体を提供する。
【解決手段】ＨＡＭＲ媒体３００において、ＭＴＯ下地層３１４は、チタンと化学結合する添加材料を含む。添加材料は、酸化鉄、鉄、炭素又は様々な酸化アルミニウムを含む。ＭＴＯのうちのチタンと化学結合する添加材料を、ＭＴＯに提供することによって、ＭＴＯ下地層から磁気記録層中へのチタンの拡散が軽減され、面密度が向上し、改善された記録層が提供される。いくつかの実施形態では、より多くの添加材料を含み得る、追加の酸化マグネシウム－窒素下地層も提供される。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上のヒートシンク層と、
前記ヒートシンク層上の、ＭｇＯＴｉＯ（ＭＴＯ）を含む下地層であって、チタンと化学結合するように構成された添加材料を更に含む、下地層と、
前記下地層上の磁気記録層と、を備える、磁気記録媒体。

【請求項2】

前記添加材料が、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項3】

前記下地層が、
（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸを含み、
式中、Ｘは、前記添加材料であり、
式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、
式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項4】

前記添加材料が、前記下地層から前記磁気記録層中へのチタンの拡散量を、前記添加材料なしで生じる拡散量と比べて、低減させるように構成されている、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項5】

前記下地層と前記磁気記録層との間にＭｇＯ－Ｎ_２層を更に備え、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項6】

前記ＭｇＯ－Ｎ_２層が、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを更に含む、請求項５に記載の磁気記録媒体。

【請求項7】

前記基板と前記ヒートシンク層との間に接着層、軟下地層（ＳＵＬ）及びシード層を、この順に更に備え、前記ヒートシンク層と前記下地層との間に、熱抵抗層を更に備え、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項8】

前記接着層がＮｉＴａを含み、前記シード層がＲｕＡｌを含み、前記ヒートシンク層がＣｒを含み、前記熱抵抗層がＲｕＡｌＴｉＯ_２を含む、請求項７に記載の磁気記録媒体。

【請求項9】

前記磁気記録層上のキャッピング層と、前記キャッピング層上のカーボンオーバーコート（ＣＯＣ）と、を更に備える、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項10】

前記磁気記録層がＦｅＰｔを含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項11】

前記添加材料が、前記下地層のうちの５％（モル％）に相当するＦｅＯを含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項12】

前記磁気記録媒体が、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）用に構成されている、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項13】

データ記憶デバイスであって、
磁気ヘッドを含むスライダと、
請求項１２に記載のＨＡＭＲ媒体と、を備え、
前記スライダが、前記ＨＡＭＲ媒体の磁気記録層に情報を書き込むように構成されている、データ記憶デバイス。

【請求項14】

記録媒体を製造するための方法であって、前記方法は、
基板を設けることと、
前記基板上に、ヒートシンク層を設けることと、
前記ヒートシンク層上に、ＭｇＯＴｉＯ（ＭＴＯ）を含む下地層であって、前記下地層は、チタンと化学結合するように構成された添加材料を更に含む、下地層を設けることと、
前記下地層上に、磁気記録層を設けることと、を含む、方法。

【請求項15】

前記添加材料が、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記下地層が、
（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸを含み、
式中、Ｘは、前記添加材料であり、
式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、
式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である、請求項１４に記載の方法。

【請求項17】

前記下地層における前記添加材料の量が、前記下地層から前記磁気記録層中へのチタンの拡散量を、前記添加材料なしで生じる拡散量と比べて、低減させるように選択されている、請求項１４に記載の方法。

【請求項18】

前記下地層と前記磁気記録層との間にＭｇＯ－Ｎ_２層を設けることを更に含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項19】

前記ＭｇＯ－Ｎ_２層が、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを更に含む、請求項１８に記載の方法。

【請求項20】

前記基板と前記ヒートシンク層との間に接着層、軟下地層（ＳＵＬ）及びシード層を、この順に設けることと、前記ヒートシンク層と前記下地層との間に、熱抵抗層を設けることと、を更に含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項21】

前記磁気記録層が、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）用に構成されている、請求項１４に記載の方法。

【請求項22】

熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）用に構成された媒体であって、前記ＨＡＭＲ媒体は、
基板と、
前記基板上のヒートシンク層と、
前記ヒートシンク層上の、ＭｇＯＴｉＯ（ＭＴＯ）を含む下地層と、
前記下地層上の磁気記録層と、を含み、
前記下地層は、前記下地層から前記磁気記録層中へのＴｉの拡散量を２ナノメートル以下に低減させる、添加材料を更に含む、ＨＡＭＲ媒体。

【請求項23】

前記下地層の前記添加材料が、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを含む、請求項２２に記載のＨＡＭＲ媒体。

【請求項24】

前記下地層が、
（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸを含み、
式中、Ｘは、前記添加材料であり、
式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、
式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である、請求項２２に記載のＨＡＭＲ媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、いくつかの態様では、磁気記録媒体に関する。より具体的には、排他的ではないが、本開示は、熱アシスト磁気記録（heat-assisted magnetic recording、ＨＡＭＲ）とともに使用するために構成された、磁気記録媒体に関する。

【0002】

序論
ハードディスクドライブ（hard disk drive、ＨＤＤ）などの磁気記憶システムは、静止及びモバイルコンピューティング環境における多種多様なデバイスにおいて利用される。磁気記憶システムを組み込んだデバイスの例としては、デスクトップコンピュータ、ポータブルノートブックコンピュータ、ポータブルハードディスクドライブ、高精細テレビ（high-definition television、ＨＤＴＶ）受信機、テレビセットトップボックス、家庭用ゲーム機及びポータブルメディアプレーヤが挙げられる。

【0003】

典型的なディスクドライブは、１つ以上のフラットディスクの形態の磁気記憶媒体を含む。ディスクは、一般に、いくつかの主要物質、すなわち、ディスクに構造及び剛性を与える基板材料と、デジタルデータを記憶する磁気インパルス又は磁気モーメントを保持する磁気記録層と、磁気記録層を保護する媒体オーバーコート及び潤滑剤層と、から形成される。典型的なディスクドライブはまた、一般に、ディスクの記録層に記憶された磁場を感知及び／又は変更することができる磁気変換器の形態の読み取りヘッド及び書き込みヘッドを含む。

【0004】

熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）システムは、様々な磁気媒体上に磁気的に記録される、情報の面密度を高めることができる。磁気記憶のためのより高い面密度を達成するために、より小さい磁性粒子サイズ（例えば、６ナノメートル（ｎｍ）未満）が必要とされ得る。ＨＡＭＲでは、小さな粒子への記録を容易にするために、書き込み中に媒体に高温が加えられる。高温は、ＨＡＭＲディスクドライブのスライダのレーザダイオードに結合された近接場トランスデューサを使用して、達成され得る。

【0005】

ＨＡＭＲとともに使用するための少なくともいくつかの磁気記録媒体は、１つ以上の磁気記録層の下に、マグネシウムチタン酸化物（magnesium-titanium oxide、ＭＴＯ）層を採用する。ＭＴＯ層から磁気記録層中へのチタンの拡散に関与する問題が生じる可能性がある。本開示の態様は、ＨＡＭＲ又は他の磁気記録媒体とともに使用するための磁気記録媒体内の拡散問題に対処することを対象とする。

【発明の概要】

【0006】

以下で、本開示のいくつかの態様の基本的な理解を提供するために、そのような態様の簡略化された概要を提示する。この概要は、本開示の全ての企図される特徴の広範な概観ではなく、本開示の全ての態様の鍵となる要素又は重要な要素を識別することも、本開示のいずれか又は全ての態様の範囲を定めることも意図していない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして、本開示のいくつかの態様の様々な概念を、簡略化された形態で提示することである。

【0007】

一実施形態では、磁気記録媒体であって、基板と、基板上のヒートシンク層と、ヒートシンク層上の、ＭｇＯＴｉＯ（ＭＴＯ）を含む下地層であって、チタンと化学結合するように構成された添加材料を更に含む、下地層と、下地層上の磁気記録層と、を含む、磁気記録媒体が提供される。いくつかの態様では、記録媒体は、エネルギー／熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）とともに使用するように構成されている。いくつかの態様では、添加材料は、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの態様では、ＭＴＯ下地層における添加材料は、磁気記録層中へのチタンの拡散量を、添加材料なしで生じる拡散量と比べて、低減させるように構成されている。いくつかの態様では、ＭＴＯ下地層は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸを含み、式中、Ｘは、添加材料であり、式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。いくつかの態様では、記録媒体はまた、ＭＴＯ下地層と磁気記録層との間にＭｇＯ－Ｎ_２層も含む。いくつかの態様では、ＭｇＯ－Ｎ_２層は、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを更に含む。いくつかの態様では、記録媒体はまた、基板とヒートシンク層との間に接着層、軟下地層（soft underlayer、ＳＵＬ）及びシード層を、この順に更に含み、ヒートシンク層とＭＴＯ下地層との間に、熱抵抗層を更に含む。いくつかの態様では、磁気記録層上にキャッピング層が設けられ、キャッピング層上にカーボンオーバーコート（carbon overcoat、ＣＯＣ）が設けられる。

【0008】

別の実施形態では、記録媒体を製造するための方法が提供される。本方法は、基板を設けることと、基板上に、ヒートシンク層を設けることと、ヒートシンク層上に、ＭＴＯを含む下地層であって、下地層は、チタンと化学結合するように構成された添加材料を更に含む、下地層を設けることと、を含む。いくつかの態様では、添加材料は、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの態様では、ＭＴＯ下地層における添加材料の量は、磁気記録層中へのチタンの拡散量を、添加材料なしで生じる拡散量と比べて、低減させるように選択される。いくつかの態様では、ＭＴＯ下地層は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸを含み、式中、Ｘは添加材料であり、式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。いくつかの態様では、本方法はまた、ＭＴＯ下地層と磁気記録層との間にＭｇＯ－Ｎ_２層を設けることも含む。いくつかの態様では、ＭｇＯ－Ｎ_２層は、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを更に含む。いくつかの態様では、本方法はまた、基板とヒートシンク層との間に接着層、ＳＵＬ及びシード層を、この順に設けることと、ヒートシンク層とＭＴＯ下地層との間に熱抵抗層を設けることと、も含む。いくつかの態様では、本方法は、磁気記録層上にキャッピング層を設けることと、キャッピング層上にＣＯＣを設けることと、を含む。

【0009】

更に別の実施形態では、ＨＡＭＲ用に構成された媒体であって、基板と、基板上のヒートシンク層と、ヒートシンク層上の、ＭｇＯＴｉＯ（ＭＴＯ）を含む下地層と、下地層上の磁気記録層と、を含み、下地層は、下地層から磁気記録層中へのチタンの拡散量を２ナノメートル以下に低減させる添加材料を更に含む、媒体が提供される。例えば、いくつかの態様では、下地層のＭＴＯは、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸを含み、式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。いくつかの態様では、添加材料Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ又はＡｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを含む。

【0010】

本開示のこれら及び他の態様は、以下の詳細な説明を検討することにより、より完全に理解されるであろう。本開示の他の態様、特徴及び実装形態は、添付の図面とともに、本開示の特定の実装形態の以下の説明を検討すると、当業者には明らかになるであろう。本開示の特徴は、以下の特定の実装形態及び図に関して論じられ得るが、本開示の全ての実装形態は、本明細書で論じられる有利な特徴のうちの１つ以上を含むことができる。言い換えれば、１つ以上の実装形態は、特定の有利な特徴を有するものとして論じられ得るが、そのような特徴のうちの１つ以上はまた、本明細書で論じられる本開示の様々な実装形態に従って使用され得る。同様に、特定の実装形態が、デバイス、システム又は方法の実装形態として以下で論じられ得るが、そのような実装形態は、様々なデバイス、システム、及び方法において実装され得ることを理解されたい。

【図面の簡単な説明】

【0011】

添付図面に示される特定の態様を参照して、以下により詳しい説明を含める。これらの図面は本開示のある態様のみを示し、したがってその範囲を限定するものとして見なされるべきではないと理解した上で、以下の添付図面を使用して、付加的な特殊性及び詳細を伴って本開示を記述し説明する。

【図1】本開示の一態様による、スライダと、酸化マグネシウム－酸化チタン（ＭＴＯ）下地層を有するＨＡＭＲ媒体と、を含む、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）用に構成された、例示的なディスクドライブであって、ＭＴＯ下地層は、ＭＴＯ中のチタンと化学結合して、磁気記録層中へのチタンの拡散を低減する、ＦｅＯなどの添加材料を含む、ディスクドライブの上面概略図である。

【図2】本開示の一態様による、図１の例示的なスライダ及びＨＡＭＲ媒体の側面概略図である。

【図3】本開示の一態様による、数ある層の中でもとりわけ、チタンと化学結合する添加材料を含むＭＴＯ下地層を含む、例示的なＨＡＭＲ媒体の側面概略図である。

【図4】本開示のいくつかの態様による、チタンと化学結合する添加材料を有するＭＴＯ下地層を含む、ＨＡＭＲ媒体を製造するための例示的なプロセスのフローチャートである。

【図5】本開示の一態様による、数ある層の中でもとりわけ、チタンと化学結合する添加材料を両方とも含む、ＭＴＯ下地層及び酸化マグネシウム（magnesium oxide、ＭｇＯ）下地層を含む、例示的なＨＡＭＲ媒体の側面概略図である。

【図6】本開示のいくつかの態様による、チタンと化学結合する添加材料を両方とも有する、ＭＴＯ下地層及びＭｇＯ下地層を含む、ＨＡＭＲ媒体を製造するための例示的なプロセスのフローチャートである。

【図7】本開示の一態様による、数ある層の中でもとりわけ、ＭＴＯ下地層及びＭｇＯ下地層を含む例示的なＨＡＭＲ媒体であって、ＭＴＯ層は、チタンと化学結合する添加材料を含むが、ＭＧＯ層は、添加材料を含まない、ＨＡＭＲ媒体の側面概略図である。

【図8】本開示の一態様による、ＭＴＯ下地層及びＭｇＯ下地層を含む、ＨＡＭＲ媒体を製造するための例示的なプロセスであって、ＭＴＯ層は、チタンと化学結合する添加材料を含むが、ＭＧＯ層は、添加材料を含まない、プロセスのフローチャートである。

【図9】本開示の一態様による、ＭＴＯと、チタンと化学結合する添加材料と、を含む、下地層を含む、例示的な磁気記録媒体の側面概略図である。

【図10】本開示の一態様による、ＭＴＯと、チタンと化学結合する添加材料と、を有する、下地層を含む、磁気記録媒体を製造するための例示的なプロセスのフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下の詳細な説明では、その一部をなす添付図面を参照する。上述した例示的な態様、態様及び特徴に加えて、更なる態様、態様及び特徴を、図面及び以下の詳細な説明を参照することにより明らかにする。各図における要素の説明は、先の図の要素を参照し得る。同様の番号は、図において同様の要素を参照する場合があり、それは同様の要素の代替の態様を含む。

【0013】

本開示は、いくつかの態様では、数ある特徴の中でもとりわけ、マグネシウムチタン酸化物（ＭＴＯ）層から磁気記録層中へのチタンの拡散を低減することができる、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）媒体などの、磁気記録媒体を提供するための様々な装置、システム、方法及び媒体に関する。例えば、磁気記録層が鉄（Ｆｅ）－白金（Ｐｔ）から形成される場合、チタン（Ｔｉ）及びＦｅは、プロセス温度範囲（例えば、ＨＡＭＲ温度）内で金属間化合物を形成し得るので、拡散は重要な問題であり得る。ＨＡＭＲは、エネルギーアシスト磁気記録（Energy-Assisted Magnetic Recording、ＥＡＭＲ）の一種であり、ＨＡＭＲだけでなく、マイクロ波アシスト磁気記録（Microwave Assisted Magnetic Recording、ＭＡＭＲ）をカバーする、より広い用語である。本開示の少なくともいくつかの態様は、ＨＡＭＲに限定されず、ＥＡＭＲに適用可能である。また、ＭＴＯ層は、本明細書では「下地層」と称されるが、ＭＴＯ層は、「中間層」、「シード層」などの他の名称で称されることもあることに留意されたい。

【0014】

少なくともいくつかのＨＡＭＲ媒体では、ＭＴＯ層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び酸化チタン（titanium oxide、ＴｉＯ）を含む。ＭＴＯ層のＴｉＯからのチタンの少なくとも一部は、隣接する磁気記録層（例えば、Ｆｅ－Ｐｔ記録層）中に拡散する可能性があり、これは記録層を劣化させ、例えば、達成可能な全体的な面密度を低下させる可能性がある。この問題に対処するために、少なくともいくつかのＨＡＭＲ媒体は、ＭＴＯ－Ｎ_２を含み、ＮはＴｉと結合される。しかしながら、Ｎ_２ガスをスパッタリングしたＭＴＯ層は、著しく高いレベル又は量の欠陥を引き起こす可能性がある。他の場合には、いくつかのＨＡＭＲ媒体は、ＭＴＯ層と記録層との間にＭｇＯ－Ｎ_２層を含む。ＭｇＯ－Ｎ_２層は、ＭＴＯ層からＦｅＰｔ磁気記録層中へのＴｉＯの拡散を防止する（又は低減する）ためのバリアとして働く。（ＭＴＯ層及びＭｇＯ－Ｎ_２層は、まとめて「二層」又は「二重層」下地層と称されることがあることに留意されたい。）追加のＭｇＯ層を用いることで、ＭＴＯ層から磁気記録層中へのチタンの拡散を軽減することができるが、ＭｇＯは、低い無線周波数（radio-frequency、ＲＦ）スパッタ率を有し、（媒体ディスク上に形成される、より多くの量の欠陥をもたらす）粒子スピッティング、及び腐食の影響を受けやすく、したがって、理想的ではない。

【0015】

本明細書では、これら及び他の問題に対処するために、磁気記録媒体であって、基板と、基板上のヒートシンク層と、ヒートシンク層上の下地層であって、ＭＴＯと、チタンと化学結合する添加材料と、を含む下地層と、下地層上の磁気記録層と、を含む、磁気記録媒体が提供される。いくつかの実施例では、添加材料は、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含む。いくつかの態様では、ＭＴＯ層は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸであり、式中、Ｘは、添加材料であり、式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。（本明細書では、モル百分率（モル％）は、化合物中に存在する総モルに対する、特定の成分のモルの百分率として定義される。）特定の一実施例では、ａは５％であり、添加材料（Ｘ）はＦｅＯであり、したがって、この例では、ＭＴＯ層は、５％のＦｅＯを含む（例えば、９５ＭＴＯ－５ＦｅＯ）。ＭＴＯ下地層中のチタンと化学結合又は接合する、添加材料を提供することによって、ＭＴＯ下地層から磁気記録層中へのチタンの拡散が軽減され、面密度が向上し得る、改善された記録層（例えば、ＦｅＰｔ層）が提供される。いくつかの実施形態では、追加のＭｇＯ層（上述）は使用されない。しかしながら、他の実施形態では、いくらかの量の添加材料も含む、追加のＭｇＯ層がそれでも提供される。すなわち、いくつかの実施例では、添加材料は、ＦｅＰｔ磁気記録層中へのチタンの拡散を更に低減するように、ＭＴＯ下地層及び追加のＭｇＯ層の両方の中に提供される。更に他の実施例では、追加のＭｇＯ層が設けられるが、添加材料は提供されない。

【0016】

例示的な実施例及び実施形態
図１は、磁気記録のために構成され、スライダ１０８と、磁気記録層の下にＭＴＯ層を含む磁気記録媒体１０２と、を備える、データ記憶デバイス１００（例えば、ディスクドライブ又は磁気記録デバイス）の上面概略図であり、ＭＴＯ層は、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料を含む。例示的な実施例では、磁気記録媒体１０２は、ＨＡＭＲ媒体を含む。レーザ（図１では見えていないが、図２の１１４を参照）は、磁気ヘッド／スライダ１０８によって位置決めされる。ディスクドライブ１００は、データを記憶するための１つ以上のディスク／媒体１０２を含み得る。ディスク／媒体１０２は、ドライブハウジング１０６に取り付けられているスピンドルアセンブリ１０４上に存在する。データは、ディスク１０２の磁気記録層内のトラックに沿って記憶され得る。データの読み取り及び書き込みは、読み取り及び書き込み要素（１０８ａ及び１０８ｂ）の両方を有し得るヘッド１０８（スライダ）によって達成される。書き込み要素１０８ａは、ディスク１０２の磁気記録層の特性を変更し、それによって、そこに情報を書き込むために使用される。一態様では、ヘッド１０８は、読み取り用のトンネル磁気抵抗（tunnel magneto-resistive、ＴＭＲ）要素などの磁気抵抗（magneto-resistive、ＭＲ）ベースの要素と、書き込み用に通電され得るコイルを有する書き込み極と、を有し得る。動作中、スピンドルモータ（図示せず）は、スピンドルアセンブリ１０４を回転させ、それによってディスク１０２を回転させて、所望のディスクトラック１０７に沿った特定の場所にヘッド１０８を位置決めする。ディスク１０２に対するヘッド１０８の位置は、制御回路１１０（例えば、マイクロコントローラ）によって制御され得る。例示的なＨＡＭＲシステムが示されているが、本開示の少なくともいくつかの態様は、シングル書き込み磁気記録（shingle-written magnetic recording、ＳＭＲ）媒体、垂直磁気記録（perpendicular magnetic recording、ＰＭＲ）媒体又はマイクロ波アシスト磁気記録（ＭＡＭＲ）媒体を含む、他のＨＡＭＲ若しくはＥＡＭＲ磁気データ記録システム、又は非ＨＡＭＲ若しくは非ＥＡＭＲ磁気データ記録システムにおいて使用され得ることに留意されたい。

【0017】

図２は、図１のスライダ１０８及び磁気記録媒体１０２の側面概略図である。磁気記録媒体１０２は、磁気記録層の下にＭＴＯ層を含み、ＭＴＯ層は、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料を含む。スライダ１０８は、スライダ１０８の上面に取り付けられたサブマウント１１２を含み得る。レーザ１１４は、サブマウント１１２に、及び場合によってはスライダ１０８に取り付けられ得る。スライダ１０８は、それぞれ媒体１０２に情報を書き込み、かつ媒体１０２から情報を読み取るために、スライダの空気ベアリング表面（air bearing surface、ＡＢＳ）１０８ｃに沿って位置決めされた書き込み要素（例えば、ライタ）１０８ａ及び読み取り要素（例えば、リーダ）１０８ｂを含む。他の態様では、スライダはまた、Ｓｉ又はＳｉクラッド１２０の層も含み得る。この層は任意選択である。

【0018】

動作中、レーザ１１４は、スライダ１０８の空気軸受面（例えば、底面）１０８ｃの近くの近接場トランスデューサ（near field transducer、ＮＦＴ）１２２に光を方向付けるスライダ内の導波管に（例えば、破線に沿って）光エネルギーを発生させかつ方向付けるように構成されている。導波管を介してレーザ１１４から光を受信すると、ＮＦＴ１２２は、書き込み要素１０８ａ内又は近くの、及び読み取り要素１０８ｂの近くの媒体１０２の一部分を加熱する局所的な熱エネルギーを生成する。予想される記録温度は、約３５０℃～４００℃の範囲内である。図２に示す態様では、レーザ指向光は、ライタ１０８ａ内に、かつスライダの後縁の近くに配置されている。他の態様では、レーザ指向光は、代わりに、ライタ１０８ａとリーダ１０８ｂとの間に位置決めされ得る。図１及び図２は、ＨＡＭＲシステムの特定の実施例を示す。他の実施例では、磁気記録媒体１０２は、他の好適なＨＡＭＲシステム（例えば、ＨＡＭＲ用に構成された他のスライダを有する）において使用することができる。

【0019】

図３は、本開示の一態様による、例示的なＨＡＭＲ媒体３００の側面概略図である。図３の実施例では、添加材料を含むＭＴＯ層は、ＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層と称され、式中、Ｘは、チタンと化学結合する添加材料を示す。

【0020】

図３のＨＡＭＲ媒体３００は、底層／基層における基板３０２、基板３０２上の（例えば、ＮｉＴａから形成され得る）接着層３０４、接着層３０４上の軟下地層（ＳＵＬ）３０６、ＳＵＬ３０６上の（例えば、ＲｕＡｌから形成され得る）シード層３０８、シード層３０８上の（例えば、Ｃｒから形成され得る）ヒートシンク層３１０、（例えば、ＲｕＡｌＴｉＯ_２から形成され得、粗さを低減するためにＩｎｔｅｖａｃ（商標）のＮｅｗ Ｃａｒｂｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｓｙｓｔｅｍを用いてエッチングされ得る）エッチングされた熱抵抗層３１２、熱抵抗層３１２上のＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層３１４（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）を有する、積層構造を有する。いくつかの実施例では、ＭＴＯ下地層３１４は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸであり、式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。いくつかの態様では、ＸがＦｅＯである場合、「ａ」値は（ＦｅＯの濃度５％に対応する）５が好ましく、「ｂ」値は（ＭＴＯ中のＭｇＯ及びＴｉＯのほぼ等しい濃度に対応する）５０が好ましい。いくつかの態様では、添加剤は、下地層から磁気記録層中へのチタンの拡散量を、磁気記録層中への２ナノメートル（ｎｍ）以下に、又は、１．５ｎｍ～２．５ｎｍの範囲若しくはより狭い１．７５ｎｍ～２．２５ｎｍの範囲内の他の所定の距離値に低減するように選択された材料である。この点では、いくつかの分析は、Ｔｉが、下地層がＭＴＯのみである媒体中の磁性層中に３ｎｍまで拡散するのに対して、Ｔｉは、下地層がＭＴＯ－５％ＦｅＯである媒体中の磁性層中に２ｎｍまでしか拡散しないことを示している。いくつかの態様では、添加材料は、下地層から磁気記録層中へのＴｉの拡散への抑制効果を有する材料である。いくつかの態様では、添加材料は、磁気記録層中のＴｉの量を所定の閾値濃度未満に低減する材料である。

【0021】

（例えば、ＦｅＰｔから形成され得る）磁気記録層（magnetic recording layer、ＭＲＬ）３１６は、ＭＴＯ下地層３１４上にある。（例えば、ＣｏＦｅから形成され得る）キャッピング層３１８は、ＭＲＬ３１６上にある。優先的にエッチングされたカーボンオーバーコート層（ＣＯＣ）３２０は、キャッピング層３１８上にある。優先的にエッチングされたＣＯＣは、媒体の表面粗さを低減するために、炭素堆積の前にエッチング工程を含む。図示されていないが、追加の潤滑剤層がＣＯＣ層３２０上にあってもよい。本図（又は、本明細書の他の図）の層は、縮尺通りには示されていないことに留意されたい。

【0022】

本明細書で使用されるとき、「上方」、「下方」、「上」及び「間」という用語は、他の層に対する１つの層の相対位置を指す。したがって、別の層の上、上方又は下方に堆積又は配置された１つの層は、他の層と直接接触し得、又は１つ以上の介在層を有し得る。更に、層の間に堆積又は配置された１つの層は、それらの層と直接接触し得、又は１つ以上の介在層を有し得る。

【0023】

いくつかの態様では、層は以下の厚さを有する。基板３０２の厚さは０．５ｍｍ～０．６３５ｍｍの範囲である。接着層３０４の厚さは、４５ｎｍ～１８０ｎｍの範囲である。ＳＵＬ３０６の厚さは８５ｎｍ～１３０ｎｍの範囲である。シード層３０８の厚さは、２ｎｍ～３４ｎｍの範囲である。ヒートシンク層３１０の厚さは、５５ｎｍ～１００ｎｍの範囲である。エッチングされた熱抵抗層３１２の厚さは、０．５ｎｍ～２．０ｎｍの範囲である。ＭＴＯ－Ｘ下地層３１４の厚さは、１～４ｎｍの範囲である（いくつかの実施例では、厚さは２．５ｎｍが好ましい）。ＭＲＬ３１６の厚さは、８ｎｍ～１１ｎｍの範囲である。キャッピング層３１８の厚さは１ｎｍ～３ｎｍの範囲であり、優先的にエッチングされるＣＯＣ３２０の厚さは３２Å～４０Åの範囲である。潤滑剤層の厚さ（設けられている場合）は、７Å～９．５Åの範囲である。そうでなければ、日常的な実験を使用して、動作温度、データの所望の面密度などのシステムの特定の特性に基づいて、実用的なＨＡＭＲシステム内で使用するための、好適な若しくは好ましい層厚及び／又は好適な若しくは好ましい化合物の百分率濃度を決定することができる。

【0024】

いくつかの実施例では、基板３０２は、約９７ｍｍの外径（すなわち、ｏｕｔｅｒ ｄｉａｍｅｔｅｒ、ＯＤ）及び約０．５ｍｍの厚さを有する。他の実施例では、ＯＤは９５ｍｍ又は９５．１ｍｍであってもよい。（一般的に言えば、そのようなディスクは全て「３．５インチ」ディスクと称される。）いくつかの態様では、基板３０２は、Ａｌ合金、ＮｉＰめっきＡｌ、ガラス、ガラスセラミック、及び／又はそれらの組み合わせなどの、１つ以上の材料で作製され得る。

【0025】

いくつかの態様では、（代替的に、プレシード層と称される場合がある）接着層３０４は、接着層の上方に堆積された層又は膜の剥離を低減するために使用される。接着層３０４は、ＮｉＴａ（図示されるように、又はＣｒＴｉ）などの金属合金であってもよい。

【0026】

いくつかの態様では、ＳＵＬ３０６は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂ、Ｃｒ若しくは他の軟磁性材料、又はそれらの組み合わせなどの、１つ以上の材料から作製することができる。ＳＵＬ３０６は、非晶質化合物、又は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ及びＢからの１つ以上の元素を添加したＣｏ及びＦｅの組み合わせ（例えば、ＣｏＦｅ合金）を含み得る。ＳＵＬ３０６は、データ記憶動作中に、磁気記録層構造３１６の磁化を支援するように構成され得る。より具体的には、ＳＵＬ３０６は、書き込み動作中に印加される磁場用の帰還路を提供するように構成されてもよい。

【0027】

いくつかの態様では、シード層３０８は、ヒートシンク層３１０及びＭＲＬ３１６を含む、続いて堆積される膜用の成長テンプレートを作成するために使用される。シード層３０８の機能的ゴールには、小さい粒子サイズ及び良好な結晶学的組織が含まれ、両方とも、良好な媒体記録性能にとって望ましい場合がある。

【0028】

いくつかの態様では、ヒートシンク層３１０は、図示されるようなＣｒ、又はＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｗ、ＣｕＺｒ、ＭｏＣｕ、ＡｇＰｄ、ＣｒＲｕ、ＣｒＶ、ＣｒＷ、ＣｒＭｏ、ＣｒＮｄ、ＮｉＡｌ、ＮｉＴａ、それらの組み合わせ、及び／若しくは、当該技術分野で公知の他の好適な材料などの、１つ以上の材料から作製することができる。

【0029】

いくつかの態様では、熱抵抗層３１２は、ヒートシンク層３１０に熱抵抗を提供するために堆積される。上述のように、熱抵抗層３１２は、粗さを低減するためにエッチングされてもよい。

【0030】

いくつかの態様では、上記のＭＴＯ－Ｘ下地層３１４は、例えば、ＭＲＬ３１６が、小さな粒子を有する良好な結晶学的組織を有するように、ＭＲＬ３１６内での正常な結晶成長を可能にするように、核形成を支援するために提供される。

【0031】

いくつかの態様では、ＭＲＬ３１６は、データを磁気的に記憶するための１つ以上の磁気記録層を含む（図３には明示せず）。例えば、ＭＲＬ３１６は、磁気記録副層及び交換制御副層（exchange control sub-layer、ＥＣＬ）を含み得る。まとめて、副層は、例えば、厚さ１００～２００オングストローム（Å）であり得る、ＭＲＬ構造３１６を形成する。いくつかの態様では、ＭＲＬ３１６は、ＦｅＰｔで作製され得る。いくつかの態様では、ＭＲＬ３１６は、ＦｅＰｔＹから選択される合金の代わりに作製されてもよく、ここで、Ｙは、Ｃｕ、Ｎｉ、及びそれらの組み合わせから選択される材料である。他の態様では、ＭＲＬ３１６は、ＣｏＰｔ合金の代わりに作製されてもよい。いくつかの態様では、ＭＲＬ３１６は、Ｃ、ＢＮ、ＳｉＯ_２、Ａｇ、及びそれらの組み合わせなどの、分離体を有する高異方性Ｌ１_０ＦｅＰｔから形成され得る。いくつかの態様では、ＭＲＬは４層ＭＲＬである。ＭＲＬの各層は、分離体を有してもよく、分離体の量はＭＲＬ内の層ごとに異なる。

【0032】

いくつかの態様では、ＣｏＦｅキャッピング層３１８は、Ｃｏ、Ｐｔ、又はＰｄだけの代わりに作製されてもよい。一実施例では、キャッピング層３１８は、Ｃｏを含む上層と、Ｐｔ又はＰｄを含む底層と、を有する、二層構造とすることができる。上層及び底層のＣｏ／Ｐｔ及びＣｏ／Ｐｄの組み合わせに加えて、上層材料及び底層材料の特定の組み合わせは、例えば、Ｃｏ／Ａｕ、Ｃｏ／Ａｇ、Ｃｏ／Ａｌ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ｉｒ、Ｃｏ／Ｍｏ、Ｃｏ／Ｎｉ、Ｃｏ／Ｏｓ、Ｃｏ／Ｒｕ、Ｃｏ／Ｔｉ、Ｃｏ／Ｖ、Ｆｅ／Ａｇ、Ｆｅ／Ａｕ、Ｆｅ／Ｃｕ、Ｆｅ／Ｍｏ、Ｆｅ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｎｉ／Ｍｏ、Ｎｉ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ｒｅなどを含み得る。追加の実施例では、上層材料及び底層材料は、Ｐｔ及びＰｄの任意の組み合わせ（例えば、合金）、又は、以下の元素：Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｒｅなどの単独若しくは組み合わせのいずれかを含む。

【0033】

いくつかの態様では、潤滑剤層もまた、ＣＯＣ３２０上に設けられる場合、潤滑剤層（図示せず）は、ポリマーベースの潤滑材料で作製され得る。

【0034】

図４は、本開示のいくつかの態様による、ＭＴＯ－Ｘ層を有するＨＡＭＲ媒体を製造するためのプロセス４００のフローチャートである。一態様では、プロセス４００を使用して、図３との関連で上述したＨＡＭＲ媒体を製造することができる。ブロック４０２では、プロセスは基板を設ける。ブロック４０４では、プロセスは、基板上に、（例えば、ＮｉＴａから形成され得る）接着層を設ける。ブロック４０６では、プロセスは、接着層上にＳＵＬを設ける。ブロック４０８では、プロセスは、ＳＵＬ上に、（例えば、ＲｕＡｌから形成され得る）シード層を設ける。ブロック４１０では、プロセスは、シード層上に、（例えば、Ｃｒから形成され得る）ヒートシンク層を設ける。ブロック４１２では、プロセスは、（例えば、ＲｕＡｌＴｉＯ_２から形成され得る）熱抵抗層を設け、次いで、熱抵抗層をエッチングする。ブロック４１４では、プロセスは、熱抵抗層上に、ＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）を設ける。ブロック４１６では、プロセスは、ＭＴＯ－Ｘ下地層上に、（例えば、ＦｅＰｔから形成され得る）ＭＲＬを設ける。ブロック４１８では、プロセスは、ＭＲＬ上に、（例えば、ＣｏＦｅから形成され得る）キャッピング層３１８を設ける。ブロック４２０では、プロセスは、キャッピング層上にＣＯＣを設け、次いで、ＣＯＣを優先的にエッチングする。図示されていないが、プロセスはまた、ＣＯＣ上に潤滑剤層を設けることもできる。追加又は代替の例示的な材料は、上記に列挙されている。

【0035】

したがって、図３及び図４は、（ＭＴＯ層から磁気記録層中へのチタンの拡散を軽減するために設けられた）上述の追加のＭｇＯ－Ｎ_２層が省略されている、ＨＡＭＲ媒体及び方法を示す。追加のＭｇＯ－Ｎ_２層を設けるのではなく、ＭＴＯ－Ｘ層には、磁気記録層中へのチタンの拡散を軽減するために、チタンと化学結合する添加材料（Ｘ）が設けられる。ＭＴＯ－Ｘ層が５％のＦｅＯを含む実施例では、ＭＴＯ－ＦｅＯ層を有する（かつ、追加のＭｇＯ－Ｎ_２層を有さない）ＨＡＭＲ媒体は、（ＦｅＯを有さない）ＭＴＯ層及びＭｇＯ－Ｎ_２層を有するＨＡＭＲ媒体と比較して、同様の性能を提供することが分かった。すなわち、追加のＭｇＯ－Ｎ_２層の省略にも関わらず、ＨＡＭＲ媒体はほぼ同様に機能し、したがって、ＦｅＯ添加材料の添加が、磁気記録層中へのチタン拡散を軽減することを実証する。

【0036】

次の実施例（図５及び図６）では、追加のＭｇＯ－Ｎ_２層を省略するのではなく、添加材料も含むＭｇＯ－Ｎ_２層が設けられる。ＭＴＯ－Ｘ層に加えてＭｇＯ－Ｎ_２－Ｘ層を設けることによって、チタン拡散を更に軽減することができる。

【0037】

図５は、ＭＴＯ層とＭＲＬとの間に追加の下地層を含む、本開示の一態様による、例示的なＨＡＭＲ媒体５００の側面概略図である。本実施例では、追加の下地層はＭｇＯ－Ｎ_２層である。図５の実施例では、ＭＴＯ層及び追加のＭｇＯ－Ｎ_２層は両方とも添加材料Ｘを含み、ここで、Ｘは、チタンと化学結合する添加材料を示す。ＭＴＯ層内の特定の添加材料は、ＭｇＯ－Ｎ_２層内の特定の添加材料によって異なっていてもよく、又は、添加材料は同じであるが、異なる濃度で提供されてもよいことに留意されたい。図３のＨＡＭＲ媒体と同様に、図５のＨＡＭＲ媒体５００は、底層／基層における基板５０２と、基板５０２上の接着層５０４と、接着層５０４上のＳＵＬ５０６と、ＳＵＬ５０６上のシード層５０８と、シード層５０８上のヒートシンク層５１０と、エッチングされた熱抵抗層５１２と、熱抵抗層５１２上のＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層５１４（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）と、を有する、積層構造を有する。いくつかの実施例では、ＭＴＯ５１４下地層は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸであり、式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。加えて、ＭｇＯ－Ｎ_２－Ｘ下地層５１５（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）が、ＭＧＯ－Ｘ層５１５上に設けられる。ＭＲＬ５１６はＭＴＯ下地層５１４上にあり、キャッピング層５１８はＭＲＬ５１６上にあり、優先的にエッチングされたＣＯＣ５２０は、キャッピング層５１８上にある。図示されていないが、追加の潤滑剤層がＣＯＣ層５２０上にあってもよい。これらの層も、縮尺通りには示されていない。様々な層で使用され得る、例示的な化合物に関する更なる情報については、上記を参照されたい。

【0038】

図６は、本開示のいくつかの態様による、ＭＴＯ－Ｘ層及びＭＧＯ－Ｎ_２－Ｘ層を有する、ＨＡＭＲ媒体を製造するためのプロセス６００のフローチャートである。一態様では、プロセス６００を使用して、図５との関連で上述したＨＡＭＲ媒体を製造することができる。ブロック６０２では、プロセスは基板を設ける。ブロック６０４では、プロセスは、基板上に、（例えば、ＮｉＴａから形成され得る）接着層を設ける。ブロック６０６では、プロセスは、接着層上にＳＵＬを設ける。ブロック６０８では、プロセスは、ＳＵＬ上に、（例えば、ＲｕＡｌから形成され得る）シード層を設ける。ブロック６１０では、プロセスは、シード層上に、（例えば、Ｃｒから形成され得る）ヒートシンク層を設ける。ブロック６１２では、プロセスは、（例えば、ＲｕＡｌＴｉＯ_２から形成され得る）熱抵抗層を設け、次いで、熱抵抗層をエッチングする。ブロック６１４では、プロセスは、熱抵抗層上に、ＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）を設ける。ブロック６１５では、プロセスは、ＭＴＯ－Ｘ層上に、ＭｇＯ－Ｎ_２－Ｘ下地層（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）を設ける。ブロック６１６では、プロセスは、ＭＴＯ－Ｘ下地層上に、（例えば、ＦｅＰｔから形成され得る）ＭＲＬを設ける。ブロック６１８では、プロセスは、ＭＲＬ上に、（例えば、ＣｏＦｅから形成され得る）キャッピング層３１８を設ける。ブロック６２０では、プロセスは、キャッピング層上にＣＯＣを設け、次いで、ＣＯＣを優先的にエッチングする。図示されていないが、プロセスはまた、ＣＯＣ上に潤滑剤層を設けることもできる。追加又は代替の例示的な材料は、上記に列挙されている。

【0039】

次の実施例（図７及び図８）では、追加のＭｇＯ－Ｎ_２層が設けられるが、追加のＭｇＯ－Ｎ_２層は添加材料を含まない。それにも関わらず、追加のＭｇＯ－Ｎ_２層は、依然としてチタン拡散を妨げるバリアを提供するのに役立ち、したがって、少なくとも図３及び図４の実施形態と比較して、その拡散を更に軽減することができる。

【0040】

図７は、ＭＴＯ層とＭＲＬとの間に追加の下地層を含む、本開示の一態様による、例示的なＨＡＭＲ媒体７００の側面概略図である。本実施例では、追加の下地層は、添加材料を含まないＭｇＯ－Ｎ_２層である。図３及び図４のＨＡＭＲ媒体と同様に、図７のＨＡＭＲ媒体７００は、底層／基層における基板７０２と、基板７０２上の接着層７０４と、接着層７０４上のＳＵＬ７０６と、ＳＵＬ７０６上のシード層７０８と、シード層７０８上のヒートシンク層７１０と、エッチングされた熱抵抗層７１２と、熱抵抗層７１２上のＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層７１４（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）と、を有する、積層構造を有する。いくつかの実施例では、ＭＴＯ下地層７１４は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸであり、式中、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、式中、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。加えて、ＭｇＯ－Ｎ_２下地層７１５が、ＭＧＯ－Ｘ層７１５上に設けられている。ＭＲＬ７１６はＭＴＯ下地層７１４上にあり、キャッピング層７１８はＭＲＬ７１６上にあり、優先的にエッチングされたＣＯＣ７２０は、キャッピング層７１８上にある。図示されていないが、追加の潤滑剤層がＣＯＣ層７２０上にあってもよい。層は、縮尺通りには示されていない。様々な層で使用され得る、例示的な化合物に関する更なる情報については、上記を参照されたい。

【0041】

図８は、本開示のいくつかの態様による、ＭＴＯ－Ｘ層及びＭＧＯ－Ｎ_２層を有する、ＨＡＭＲ媒体を製造するためのプロセス８００のフローチャートである。一態様では、プロセス８００を使用して、図５との関連で上述したＨＡＭＲ媒体を製造することができる。ブロック８０２では、プロセスは基板を設ける。ブロック８０４では、プロセスは、基板上に、（例えば、ＮｉＴａから形成され得る）接着層を設ける。ブロック８０６では、プロセスは、接着層上にＳＵＬを設ける。ブロック８０８では、プロセスは、ＳＵＬ上に、（例えば、ＲｕＡｌから形成され得る）シード層を設ける。ブロック８１０では、プロセスは、シード層上に、（例えば、Ｃｒから形成され得る）ヒートシンク層を設ける。ブロック８１２では、プロセスは、（例えば、ＲｕＡｌＴｉＯ_２から形成され得る）熱抵抗層を設け、次いで、熱抵抗層をエッチングする。ブロック８１４では、プロセスは、熱抵抗層上に、ＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）を設ける。ブロック８１５では、プロセスは、ＭＴＯ－Ｘ層上にＭｇＯ－Ｎ_２層を設ける。ブロック８１６では、プロセスは、ＭｇＯ－Ｎ_２層上に、（例えば、ＦｅＰｔから形成され得る）ＭＲＬを設ける。ブロック８１８では、プロセスは、ＭＲＬ上に、（例えば、ＣｏＦｅから形成され得る）キャッピング層３１８を設ける。ブロック８２０では、プロセスは、キャッピング層上にＣＯＣを設け、次いで、ＣＯＣを優先的にエッチングする。図示されていないが、プロセスはまた、ＣＯＣ上に潤滑剤層を設けることもできる。追加又は代替の例示的な材料は、上記に列挙されている。

【0042】

本明細書に記載のプロセスに関する限り、プロセスは、場合によっては、異なる順序で一連のアクションを実行することができる。別の態様では、プロセスは、アクションのうちの１つ以上をスキップすることができる。更に他の態様では、アクションのうちの１つ以上が同時に実行される。いくつかの態様では、追加のアクションを実行することができる。層の少なくとも一部の堆積は、物理蒸着（physical vapor deposition、ＰＶＤ）、スパッタ堆積及びイオンビーム堆積、プラズマ強化化学蒸着（plasma enhanced chemical vapor deposition、ＰＥＣＶＤ）、並びに、ＰＥＣＶＤ、低圧化学蒸着（low pressure chemical vapor deposition、ＬＰＣＶＤ）及び原子層化学蒸着（atomic layer chemical vapor deposition、ＡＬＣＶＤ）以外の他の形態の化学蒸着（chemical vapor deposition、ＣＶＤ）を含むが、それらに限定されない、様々な堆積プロセス又はサブプロセスのいずれかを使用して行うことができる。他の態様では、当該技術分野で公知の他の好適な堆積技術も使用され得る。

【0043】

追加の実施例及び実施形態
図９は、本開示の別の態様による、例示的なＨＡＭＲ媒体９００の側面概略図である。ＨＡＭＲ媒体９００は、基板９０２と、基板上のヒートシンク層９０３と、ヒートシンク層９０３上のＭＴＯを含む下地層９０４であって、チタンと化学結合するように構成された添加材料を更に含む、下地層と、下地層９０４上のＭＲＬ９０６と、を有する、積層構造を有する。いくつかの態様では、添加材料は、下地層から磁気記録層中へのチタンの拡散量を２ｎｍ以下に低減する材料である。いくつかの態様では、基板９０２は、Ａｌ合金、ＮｉＰめっきＡｌ、ガラス、ガラスセラミック、及び／又はそれらの組み合わせなどの、１つ以上の材料で作製され得る。いくつかの態様では、下地層９０４は、ＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層であってもよい（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）。いくつかの態様では、下地層９０４は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸであり、式中、Ｘは、添加材料であり、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。いくつかの態様では、ヒートシンク層９０３は、Ｃｒを含み得る。いくつかの態様では、ＭＲＬ９０６は、ＦｅＰｔで作製され得る。いくつかの態様では、ＭＲＬ９０６は、ＦｅＰｔＹから選択される合金の代わりに作製されてもよく、ここで、Ｙは、Ｃｕ、Ｎｉ、及びそれらの組み合わせから選択される材料である。他の態様では、ＭＲＬ９０６は、ＣｏＰｔ合金の代わりに作製されてもよい。いくつかの態様では、ＭＲＬ９０６は、分離体を有する高異方性Ｌ１_０ＦｅＰｔから形成され得る。いくつかの実施例では、ＭＲＬ９０６は、図９には明示されていない、１つ以上の磁気記録層を含み得る。上記で議論されているように、ＳＵＬ、キャッピング層及び接着層などの、ＨＡＭＲ媒体の追加の層が設けられてもよい。

【0044】

図１０は、本開示のいくつかの態様による、ＨＡＭＲ媒体を製造するためのプロセス１０００のフローチャートである。一態様では、プロセス１０００を使用して、図９との関連で上述したＨＡＭＲ媒体を製造することができる。ブロック１００２では、プロセスは基板を設ける。ブロック１００３では、プロセスは、基板上に、ヒートシンク層を設ける。ブロック１００４では、プロセスは、ヒートシンク層上に下地層を設け、下地層は、チタンと化学結合するように構成された添加材料を更に含む。ブロック１００６では、プロセスは、例えば、下地層上にＭＲＬを堆積させることによって、下地層上にＭＲＬを設ける。いくつかの態様では、基板は、Ａｌ合金、ＮｉＰめっきＡｌ、ガラス、ガラスセラミック、及び／又はそれらの組み合わせなどの、１つ以上の材料で作製され得る。いくつかの態様では、ヒートシンク層は、Ｃｒで作製され得る。いくつかの態様では、下地層は、ＭｇＯ－ＴｉＯ－Ｘ（ＭＴＯ－Ｘ）下地層であってもよい（式中、Ｘは、ＦｅＯ、Ｆｅ、Ｃ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３などの、チタンと化学結合する添加材料である）。いくつかの態様では、下地層は、（１００－ａ）［（１００－ｂ）ＭｇＯ－ｂＴｉＯ］－ａＸであり、式中、Ｘは、添加材料であり、ａは、０．１～１０モル％（両端値を含む）の範囲であり、ｂは、４０～１００モル％（両端値を含む）の範囲である。いくつかの態様では、ＭＲＬは、ＦｅＰｔで作製され得る。いくつかの態様では、ＭＲＬは、ＦｅＰｔＹから選択される合金の代わりに作製されてもよく、ここで、Ｙは、Ｃｕ、Ｎｉ、及びそれらの組み合わせから選択される材料である。他の態様では、ＭＲＬは、ＣｏＰｔ合金の代わりに作製されてもよい。いくつかの態様では、ＭＲＬは、分離体を有する高異方性Ｌ１_０ＦｅＰｔから形成され得る。いくつかの実施例では、ＭＲＬは、図１０には明示されていない、１つ以上の磁気記録層を含み得る。上記で議論されているように、ＳＵＬ、キャッピング層及び接着層などの、ＨＡＭＲ媒体の追加の層が設けられてもよい。

【0045】

追加の態様
本明細書に記載される実施例は、本開示の特定の概念を例示するために提供される。上記で示された装置、デバイス又は構成要素は、本明細書に記載の方法、特徴又は工程のうちの１つ以上を実行するように構成され得る。当業者は、これらが本質的に単なる例示であり、他の実施例が、本開示及び添付の特許請求の範囲の範囲内に含まれ得ることを理解するであろう。本明細書の教示に基づいて、当業者には、本明細書で開示される態様が、任意の他の態様から独立して実装され得ること、及び、これらの態様のうちの２つ以上が、様々な方法で組み合わせられ得ることを理解されたい。例えば、本明細書に記載される任意の数の態様を使用して、装置が実装され得るか、又は方法が実施され得る。加えて、本明細書に記載される態様のうちの１つ以上に加えて、又はそれら以外に、他の構造、機能、又は構造及び機能を使用して、そのような装置が実装され得るか、又はそのような方法が実施され得る。

【0046】

本開示の態様は、本開示の態様に従って、方法、装置、システム、及びコンピュータプログラムプロダクトの概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図を参照して上述されている。概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図の各ブロック、並びに概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図におけるブロックの組み合わせは、コンピュータプログラム命令によって実装することができると理解される。これらのコンピュータプログラム命令は、コンピュータ又は他のプログラマブルデータ処理装置のプロセッサに提供されて、プロセッサ又は他のプログラマブルデータ処理装置を介して実行する命令が、概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図のブロックで指定された機能及び／又は作用を実装するための手段を作成するように、マシンを生成してもよい。

【0047】

本明細書に記載の主題は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装され得る。したがって、本明細書で使用されるとき、「機能」、「モジュール」などの用語は、説明されている特徴を実装するための、ソフトウェア構成要素及び／又はファームウェア構成要素も含み得る、ハードウェアを指すことがある。例示的な一実装形態では、本明細書に記載の主題は、コンピュータ（例えば、プロセッサ）によって実行されたときに、本明細書に記載の機能を実行するようにコンピュータを制御する、コンピュータ実行可能命令を記憶したコンピュータ可読媒体を使用して、実装され得る。本明細書に記載の主題を実装するのに適したコンピュータ可読媒体の例としては、ディスクメモリデバイス、チップメモリデバイス、プログラマブル論理デバイス及び特定用途向け集積回路などの、非一時的コンピュータ可読媒体が挙げられる。加えて、明細書に記載の主題を実装するコンピュータ可読媒体は、単一のデバイス若しくはコンピューティングプラットフォーム上に位置してもよく、又は、複数のデバイス若しくはコンピューティングプラットフォームにわたって分散されてもよい。

【0048】

また、いくつかの代替の実装形態では、ブロック内で示された機能は、図において示された順序とは異なって生じてもよいことに留意されたい。例えば、連続して示す２つのブロックが実質的に並行して実行されてもよいか、又はそれらのブロックが、関連する機能に応じて逆の順序で実行される場合があってもよい。他の工程及び方法として、機能、論理、又は効果の点で、示された図の１つ以上のブロック、又はその部分と同等なものを着想してもよい。様々な矢印の種類及び線の種類がフローチャート及び／又はブロック図で採用され得るが、それらは対応する態様の範囲を限定しないものとして理解される。例えば、矢印は、図示された態様の列挙された工程間の不特定の継続時間の待ち又は監視期間を示してもよい。

【0049】

上述した様々な特徴及びプロセスは、互いに独立して使用されてもよく、又は様々な方法で組み合わされてもよい。全ての可能な組み合わせ及び副次的組み合わせは、本開示の範囲内に含むことを意図している。加えて、いくつかの実装形態では、特定の方法、イベント、状態、又はプロセスブロックが省略され得る。本明細書に記載の方法及びプロセスはまた、任意の特定の順序に限定されず、それに関連するブロック又は状態は、適切な他の順序で行うことができる。例えば、記載されるタスク又はイベントは、具体的に開示されたもの以外の順序で実行されてもよく、又は、複数のものが単一のブロック又は状態に組み合わされてもよい。例示的なタスク又はイベントは、直列に、並列に、又は何らかの他の好適な方式で実行され得る。タスク又はイベントは、開示された例示的な態様に追加されてもよく、又は、開示された例示的な態様から除去されてもよい。本明細書に記載の例示的なシステム及び構成要素は、記載されるものとは異なるように構成されてもよい。例えば、開示された例示的な態様と比較して、要素が追加され、除去され、又は再配置され得る。

【0050】

情報及び信号は、様々な異なる技術及び技法のいずれかを使用して表され得ることが、当業者には理解されよう。例えば、上記の説明全体を通して言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、記号及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光学場若しくは光学粒子、又はそれらの任意の組み合わせによって表され得る。

【0051】

「例示的な」という語は、本明細書では、「例、事例、又は例示として機能すること」を意味するために使用される。本明細書において「例示的な」として記載されたいかなる態様も、他の態様よりも必ずしも好ましい又は有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、全ての態様が、論じられる特徴、利点、又は動作モードを含むことを要求しない。

【0052】

上記の説明は、本発明の多くの特定の態様を含むが、これらは本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではなく、むしろ、その特定の態様の例として解釈されるべきである。したがって、本発明の範囲は、例示された態様によってではなく、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物によって決定されるべきである。更に、本明細書の全体を通して、「一態様（one aspect）」、「一態様（an aspect）」、又はそれに類似した言葉への言及は、本態様に関連して記載される特定の特徴、構造又は特性が、本開示の少なくとも１つの態様に含まれることを意味する。したがって、本明細書の全体を通して、「一態様では（in one aspect）」、「一態様では（in an aspect）」、及びそれに類似した言葉の語句の出現は、必ずしも全て同一の態様を指すのではなく、特に明示しない限り、「１つ以上ではあるが全てではない態様」を意味し得る。

【0053】

本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明するためだけのものであり、実施形態を限定することを意図するものではない。本明細書で使用される場合、単数形の「ある（a）」、「ある（an）」及び「その（the）」は、文脈が明らかに他のことを示さない限り、複数形（すなわち、１つ以上）も含むことを意図している。列挙された項目の一覧は、特に明示しない限り、それらの項目のいずれか又は全てを相互に排他する及び／又は相互に含めることを暗に意味するものではない。「備える（comprises）」、「備える（comprising）」、「含む（includes）」、「含む（including）」、「有する（having）」という用語、及びそれらの変形は、本明細書で使用される場合、特に明示しない限り、「含むが、それに限定されない」ことを意味することが更に理解される。すなわち、これらの用語は、記載された特徴、整数、工程、動作、要素又は構成要素の存在を指定し得るが、１つ以上の他の特徴、整数、工程、動作、要素、構成要素、又はそれらのグループの存在又は追加を排除するものではない。更に、「又は」という語は、ブール演算子「ＯＲ」と同じ意味を有し、すなわち、「いずれか」及び「両方」の可能性を包含し、特に明記しない限り、「排他的論理和」（「ＸＯＲ」）に限定されないことが理解される。２つの隣接する単語の間の記号「／」は、特に明記しない限り、「又は」と同じ意味を有することも理解される。更に、「に接続された」、「に結合された」又は「と連通する」などの句は、特に明記しない限り、直接接続に限定されない。

【0054】

「第１の」、「第２の」など、指定を使用する、本明細書における要素へのいかなる言及も、一般に、それらの要素の量又は順序を限定しない。むしろ、これらの指定は、本明細書において、２つ以上の要素、又は要素の事例を区別する便利な方法として使用され得る。したがって、第１の要素及び第２の要素への言及は、２つの要素のみがそこで使用され得ること、又は、第１の要素が、何らかの方式で第２の要素に先行しなければならないことを意味しない。また、特に明記しない限り、要素のセットは、１つ以上の要素を含み得る。加えて、説明又は特許請求の範囲で使用される「ａ、ｂ又はｃのうちの少なくとも１つ」又は「ａ、ｂ、ｃ、又はそれらの任意の組み合わせ」という形態の用語は、「ａ又はｂ又はｃ又はこれらの要素の任意の組み合わせ」を意味する。例えば、この用語は、ａ、又はｂ、又はｃ、又はａ及びｂ、又はａ及びｃ、又はａ及びｂ及びｃ、又は２ａ、又は２ｂ、又は２ｃ、又は２ａ及びｂなどを含み得る。

【0055】

本明細書で使用される場合、「決定する（determining）」という用語は、多種多様なアクションを包含する。例えば、「決定する（determining）」は、計算する（calculating）、算出する（computing）、処理する（processing）、導出する（deriving）、調査する（investigating）、調べる（looking up）（例えば、テーブル、データベース、又は別のデータ構造を調べる）、確認する（ascertaining）などを含み得る。また、「決定する（determining）」は、受信する（receiving）（例えば、情報を受信する）、アクセスする（accessing）（例えば、メモリのデータにアクセスする）などを含み得る。また、「決定する（determining）」は、解決する（resolving）、選択する（selecting）、選ぶ（choosing）、確立する（establishing）などを含み得る。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【外国語明細書】