知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024002571
(43)【公開日】2024-01-11
(54)【発明の名称】検査装置、治具及び検査方法
(51)【国際特許分類】
G01R 29/10 20060101AFI20231228BHJP
G01R 1/073 20060101ALI20231228BHJP
【ＦＩ】
G01R29/10 E
G01R1/073 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022101841
(22)【出願日】2022-06-24
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000970
【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】大島 啓吾
(72)【発明者】
【氏名】多胡 茂
(72)【発明者】
【氏名】冨桝 勝仁
【テーマコード（参考）】
2G011
【Ｆターム（参考）】
2G011AA02
2G011AA12
2G011AA15
2G011AB01
2G011AB03
2G011AB04
2G011AB09
2G011AC14
2G011AC32
2G011AE11
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、検査装置を容易に組み立てることができると共に、高い検査精度を有する検査装置、治具及び検査方法を提供することである。
【解決手段】回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えている。検査装置は、第１治具及び第２治具を備えている。第１治具は、支持部材と、支持部材よりＺ軸の負方向に位置するように支持部材に固定され、かつ、回路素子正主面に接触する絶縁部材と、を含んでいる。第２治具は、第１治具よりＺ軸の負方向に位置し、かつ、１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、含んでいる。第１治具は、第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する。
【選択図】 図１
【解決手段】回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えている。検査装置は、第１治具及び第２治具を備えている。第１治具は、支持部材と、支持部材よりＺ軸の負方向に位置するように支持部材に固定され、かつ、回路素子正主面に接触する絶縁部材と、を含んでいる。第２治具は、第１治具よりＺ軸の負方向に位置し、かつ、１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、含んでいる。第１治具は、第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
回路素子の検査装置であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記検査装置は、第１治具及び第２治具を備えており、
前記第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定され、かつ、前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
を含んでおり、
前記第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具は、前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する、
検査装置。
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記検査装置は、第１治具及び第２治具を備えており、
前記第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定され、かつ、前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
を含んでおり、
前記第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具は、前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する、
検査装置。
【請求項2】
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記回路素子と前記支持部材との前記Ｚ軸方向の距離は、前記基準距離より長い、
請求項１に記載の検査装置。
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記回路素子と前記支持部材との前記Ｚ軸方向の距離は、前記基準距離より長い、
請求項１に記載の検査装置。
【請求項3】
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記基準距離を半径とし、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の中心を中心とする円を基準円と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準円は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
前記基準距離を半径とし、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の中心を中心とする円を基準円と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準円は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項4】
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の外縁から前記基準距離だけ前記回路素子から離れる方向に位置する線に囲まれた領域を基準領域と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準領域は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の外縁から前記基準距離だけ前記回路素子から離れる方向に位置する線に囲まれた領域を基準領域と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準領域は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項5】
前記第１治具は、
前記絶縁部材において前記Ｚ軸方向と直交する方向に位置する側面を覆う電磁波吸収部材を、
更に含んでいる、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
前記絶縁部材において前記Ｚ軸方向と直交する方向に位置する側面を覆う電磁波吸収部材を、
更に含んでいる、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項6】
前記第１治具は、
前記絶縁部材より前記Ｚ軸の正方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記絶縁部材と重なる金属箔を、
更に含んでいる、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
前記絶縁部材より前記Ｚ軸の正方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記絶縁部材と重なる金属箔を、
更に含んでいる、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項7】
前記絶縁部材の材料の比誘電率は、１０以下であり、
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．０１以下である、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．０１以下である、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項8】
前記絶縁部材の材料の比誘電率は、４以下であり、
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．００１以下である、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．００１以下である、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項9】
前記絶縁部材の材料は、ポリスチレンである、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項10】
前記回路素子には、前記外部電極を介して高周波信号が入力される、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項11】
前記回路素子は、アンテナを備えている、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項12】
前記絶縁部材は、前記絶縁部材の内部に空洞が設けられた中空構造を有しており、
前記絶縁部材が前記回路素子に接触する面に、前記空洞に繋がる孔が設けられており、
前記Ｚ軸方向に見て、前記アンテナは、前記孔の外縁内に収まっている、
請求項１１に記載の検査装置。
前記絶縁部材が前記回路素子に接触する面に、前記空洞に繋がる孔が設けられており、
前記Ｚ軸方向に見て、前記アンテナは、前記孔の外縁内に収まっている、
請求項１１に記載の検査装置。
【請求項13】
前記支持部材は、金属部材である、
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
【請求項14】
回路素子の検査装置に用いられる治具であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記治具は、
前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸と直交する方向に位置する側面を覆う第１電磁波吸収部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸の正方向に位置する第２電磁波吸収部材と、
を備えている、
治具。
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記治具は、
前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸と直交する方向に位置する側面を覆う第１電磁波吸収部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸の正方向に位置する第２電磁波吸収部材と、
を備えている、
治具。
【請求項15】
回路素子の検査方法であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定されている絶縁部材と、
を含んでおり、
第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置している１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具を前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動させることにより、前記回路素子正主面に前記絶縁部材を接触させると共に、前記１以上の外部電極に１以上の端子を接触させ、
前記回路素子の電気的特性を測定する、
検査方法。
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定されている絶縁部材と、
を含んでおり、
第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置している１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具を前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動させることにより、前記回路素子正主面に前記絶縁部材を接触させると共に、前記１以上の外部電極に１以上の端子を接触させ、
前記回路素子の電気的特性を測定する、
検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路素子の検査に用いられる検査装置、治具及び検査方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の検査装置に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のモジュールソケットが知られている。モジュールソケットは、無線モジュールを保持する。そこで、モジュールソケットは、ベース部、ソケット蓋及びフックを備えている。ベース部は、無線モジュールの下に位置する。ソケット蓋は、無線モジュールの上に位置する。フックは、ベース部とソケット蓋とを固定する。
【0003】
ソケット蓋には、貫通孔が設けられている。無線モジュールが放射した電磁波は、貫通孔から上方向に進行する。これにより、測定器は、電磁波を受信する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１５－９４７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、特許文献１に記載のモジュールソケットにおいて、モジュールソケットの組み立てを容易にしつつ、無線モジュールの検査精度の向上を図りたいという要望がある。
【0006】
そこで、本発明の目的は、検査装置を容易に組み立てることができると共に、高い検査精度を有する検査装置、治具及び検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一形態に係る検査装置は、
回路素子の検査装置であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記検査装置は、第１治具及び第２治具を備えており、
前記第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定され、かつ、前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
を含んでおり、
前記第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具は、前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する。
回路素子の検査装置であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記検査装置は、第１治具及び第２治具を備えており、
前記第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定され、かつ、前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
を含んでおり、
前記第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具は、前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する。
【0008】
本発明の一形態に係る治具は、
回路素子の検査装置に用いられる治具であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記治具は、
前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸と直交する方向に位置する側面を覆う第１電磁波吸収部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸の正方向に位置する第２電磁波吸収部材と、
を備えている。
回路素子の検査装置に用いられる治具であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記治具は、
前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸と直交する方向に位置する側面を覆う第１電磁波吸収部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸の正方向に位置する第２電磁波吸収部材と、
を備えている。
【0009】
本発明の一形態に係る検査方法は、
回路素子の検査方法であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定されている絶縁部材と、
を含んでおり、
第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置している１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具を前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動させることにより、前記回路素子正主面に前記絶縁部材を接触させると共に、前記１以上の外部電極に１以上の端子を接触させ、
前記回路素子の電気的特性を測定する。
回路素子の検査方法であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定されている絶縁部材と、
を含んでおり、
第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置している１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具を前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動させることにより、前記回路素子正主面に前記絶縁部材を接触させると共に、前記１以上の外部電極に１以上の端子を接触させ、
前記回路素子の電気的特性を測定する。
【発明の効果】
【0010】
本発明に係る検査用コネクタによれば、検査装置を容易に組み立てることができると共に、検査精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
（実施形態）
［検査装置の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る検査装置１０について図面を参照しながら説明する。図１は、検査装置１０の正面図である。なお、図１では、支持部材１８のみ断面を示した。図２は、絶縁部材１６及び電磁波吸収部材１７の斜視図である。図３は、絶縁部材１６の斜視図である。図４は、回路素子５０及び第２治具１４の断面図である。図５は、マザー回路素子５０Ｍの上面図、回路素子５０の上面図及び回路素子５０の下面図である。図６は、絶縁部材１６及びマザー回路素子５０Ｍの上面図である。
［検査装置の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る検査装置１０について図面を参照しながら説明する。図１は、検査装置１０の正面図である。なお、図１では、支持部材１８のみ断面を示した。図２は、絶縁部材１６及び電磁波吸収部材１７の斜視図である。図３は、絶縁部材１６の斜視図である。図４は、回路素子５０及び第２治具１４の断面図である。図５は、マザー回路素子５０Ｍの上面図、回路素子５０の上面図及び回路素子５０の下面図である。図６は、絶縁部材１６及びマザー回路素子５０Ｍの上面図である。
【0013】
以下では、回路素子５０の上主面Ｓ１（回路素子正主面）及び下主面Ｓ２（回路素子負主面）が並ぶ方向を上下方向と定義する。上方向は、Ｚ軸の正方向と一致する。下方向は、Ｚ軸の負方向と一致する。また、上下方向に直交する方向を前後方向及び左右方向と定義する。前後方向は、左右方向と直交する。ただし、上下方向、左右方向及び前後方向は、説明の便宜上定義した方向である。従って、上下方向、左右方向及び前後方向は、検査装置１０の使用時の上下方向、左右方向及び前後方向と一致していなくてもよい。
【0014】
検査装置１０は、回路素子５０の検査を行う。具体的には、検査装置１０は、回路素子５０に高周波信号を入力させて、回路素子５０の動作確認を行う。高周波信号の周波数は、例えば、２０ＧＨｚ以上である。検査装置１０は、図１に示すように、第１治具１２及び第２治具１４を備えている。
【0015】
第１治具１２は、絶縁部材１６、電磁波吸収部材１７，２０、支持部材１８及び金属箔２２を含んでいる。支持部材１８は、金属部材である。本実施形態では、支持部材１８は、上主面及び下主面を有する金属板である。ただし、支持部材１８の下主面には、窪みＧが設けられている。支持部材１８の材料は、例えば、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）である。
【0016】
絶縁部材１６は、支持部材１８より下（Ｚ軸の負方向）に位置するように支持部材１８に固定されている。また、絶縁部材１６は、回路素子５０の上主面Ｓ１（回路素子正主面）に接触する。
【0017】
より詳細には、絶縁部材１６は、図２及び図３に示すように、平板部１６ａ、円柱部１６ｂ及び突起部１６ｃを含んでいる。平板部１６ａは、上主面及び下主面を有する板形状を有している。平板部１６ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。平板部１６ａは、支持部材１８の下主面に固定される。このとき、平板部１６ａは、窪みＧと重なっている。
【0018】
円柱部１６ｂは、上下方向に延びる中心軸線を有する円柱形状を有している。円柱部１６ｂは、平板部１６ａの下主面の中央から下方向に突出している。また、円柱部１６ｂは、上下方向に見て、窪みＧと重なっている。
【0019】
突起部１６ｃは、円柱部１６ｂの下面から下方向に突出している。突起部１６ｃは、四角錘台形状を有している。これにより、突起部１６ｃの下端は、平面である。また、突起部１６ｃの下面には、複数の位置マークＭが設けられている。
【0020】
電磁波吸収部材１７は、図２に示すように、円柱部１６ｂの側面を覆っている。すなわち、電磁波吸収部材１７（第１電磁波吸収部材）は、絶縁部材１６において上下方向（Ｚ軸方向）と直交する方向に位置する側面を覆っている。電磁波吸収部材２０は、図１に示すように、平板部１６ａ（図２参照）の上主面に固定されている。従って、電磁波吸収部材２０は、窪みＧ内に位置している。これにより、電磁波吸収部材２０（第２電磁波吸収部材）は、絶縁部材１６の上に位置している。電磁波吸収部材１７，２０の材料は、例えば、発泡ポリエチレン又は発泡ポリウレタンである。
【0021】
金属箔２２は、図１に示すように、絶縁部材１６より上（Ｚ軸の正方向）に位置し、かつ、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、絶縁部材１６と重なっている。本実施形態では、金属箔２２は、電磁波吸収部材２０の上主面に貼り付けられている。これにより、金属箔２２は、窪みＧ内に位置している。金属箔２２の材料は、アルミニウムである。
【0022】
第２治具１４は、図１に示すように、保持部材２４、端子２５ｂ～２５ｆ及び治具基板２６を含んでいる。保持部材２４は、図４に示すように、上主面及び下主面を有する金属板である。ただし、保持部材２４には、上下方向に貫通する複数の貫通孔ｈが設けられている。保持部材２４の材料は、例えば、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）である。このような保持部材２４は、グランド電位に接続される。
【0023】
端子２５ｂ～２５ｆは、図１に示すように、第１治具１２より下（Ｚ軸の負方向）に位置している。端子２５ｂ～２５ｆは、上下方向に見て、突起部１６ｃと重なっている。端子２５ｂ，２５ｅ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｆは、左から右へとこの順に並んでいる。また、端子２５ｂ～２５ｆは、保持部材２４の貫通孔ｈを上下方向に貫通している。これにより、端子２５ｂ～２５ｆは、保持部材２４により支持されている。以下に、端子２５ｂ～２５ｆの構造について説明する。
【0024】
端子２５ｂは、筒部２５０、下ピン２５２、上ピン２５４及びスプリング２５６を含んでいる。筒部２５０は、上下方向に延びる筒形状を有している。本実施形態では、筒部２５０は、上下方向に延びる中心軸線を有する円筒形状を有している。筒部２５０の上端及び下端は、開口している。筒部２５０の上端部及び下端部の直径は、筒部２５０の残余の部分の直径より小さい。すなわち、筒部２５０は、筒部２５０の上端部及び下端部が少し絞られた形状を有している。
【0025】
下ピン２５２は、上下方向に延びる棒状部材である。下ピン２５２の上部は、筒部２５０の内部に位置している。下ピン２５２の下部は、筒部２５０から下方向に突出している。ただし、下ピン２５２の上部の直径は、下ピン２５２の下部の直径より大きい。これにより、下ピン２５２は、筒部２５０の下端の開口を下方向に通過することができない。
【0026】
上ピン２５４は、上下方向に延びる棒状部材である。上ピン２５４の下部は、筒部２５０の内部に位置している。上ピン２５４の上部は、筒部２５０から上方向に突出している。ただし、上ピン２５４の下部の直径は、上ピン２５４の上部の直径より大きい。これにより、上ピン２５４は、筒部２５０の上端の開口を上方向に通過することができない。
【0027】
スプリング２５６は、筒部２５０内に位置している。スプリング２５６の下端は、下ピン２５２の上端に接触している。スプリング２５６の上端は、上ピン２５４の下端に接触している。これにより、スプリング２５６は、下ピン２５２を下方向に押す共に、上ピン２５４を上方向に押している。以上の構造を有する端子２５ｂは、スプリング２５６が上下方向に伸縮することにより、上下方向に伸縮することができる。具体的には、上ピン２５４が下方向に押される、又は、下ピン２５２が上方向に押されることにより、スプリング２５６が縮む。これにより、上ピン２５４が下方向に移動する、又は、下ピン２５２が上方向に移動する。その結果、端子２５ｂが縮む。以上のような端子２５ｂは、例えば、ベリリウム銅により作製されている。
【0028】
端子２５ｂは、貫通孔ｈ内に位置している。筒部２５０の外周面は、貫通孔ｈの内周面に接触している。これにより、端子２５ｂは、グランド電位に接続されている。また、下ピン２５２の下端部は、貫通孔ｈから下方向に突出している。上ピン２５４の上端部は、貫通孔ｈから上方向に突出している。なお、端子２５ｃ，２５ｄの構造は、端子２５ｂと同じであるので説明を省略する。
【0029】
端子２５ｆは、筒部２６０、下ピン２６２、上ピン２６４、スプリング２６６、バレル２６８、下絶縁部材２７０及び上絶縁部材２７２を含んでいる。
【0030】
バレル２６８は、上下方向に延びる筒形状を有している。本実施形態では、バレル２６８は、上下方向に延びる中心軸線を有する円筒形状を有している。バレル２６８の上端及び下端は、開口している。バレル２６８の上端部及び下端部の直径は、バレル２６８の残余の部分の直径より小さい。すなわち、バレル２６８は、バレル２６８の上端部及び下端部が少し絞られた形状を有している。バレル２６８には、グランド電位が接続される。
【0031】
下絶縁部材２７０は、上下方向に延びる中心軸線を有する円筒形状を有している。下絶縁部材２７０は、バレル２６８内に位置している。下絶縁部材２７０は、バレル２６８の下端部に位置している。
【0032】
上絶縁部材２７２は、上下方向に延びる中心軸線を有する円筒形状を有している。上絶縁部材２７２は、バレル２６８内に位置している。上絶縁部材２７２は、バレル２６８の上端部に位置している。下絶縁部材２７０及び上絶縁部材２７２の材料は、例えば、樹脂である。
【0033】
筒部２６０、下ピン２６２、上ピン２６４及びスプリング２６６の構造のそれぞれは、筒部２５０、下ピン２５２、上ピン２５４及びスプリング２５６の構造と同じであるので説明を省略する。筒部２６０、下ピン２６２、上ピン２６４及びスプリング２６６は、バレル２６８を上下方向に貫通している。ただし、下ピン２６２及び筒部２６０は、下絶縁部材２７０に支持されている。上ピン２６４及び筒部２６０は、上絶縁部材２７２に支持されている。これにより、筒部２６０、下ピン２６２、上ピン２６４及びスプリング２６６は、バレル２６８と絶縁されている。
【0034】
端子２５ｅは、貫通孔ｈ内に位置している。バレル２６８の外周面は、貫通孔ｈの内周面に接触している。これにより、端子２５ｅは、グランド電位に接続されている。また、下ピン２６２の下端部は、貫通孔ｈから下方向に突出している。上ピン２６４の上端部は、貫通孔ｈから上方向に突出している。なお、端子２５ｅの構造は、端子２５ｆと同じであるので説明を省略する。
【0035】
なお、第２治具１４は、端子２５ｂ～２５ｆ以外にも複数の端子を備えている。ただし、複数の端子の構造は、端子２５ｂ～２５ｆと同じであるので説明を省略する。
【0036】
治具基板２６は、端子２５ｂ～２５ｆ及び保持部材２４より下に位置している。治具基板２６は、基板本体２６ａ及び外部電極２６ｂ～２６ｆを含んでいる。基板本体２６ａは、上下方向に並ぶ上主面及び下主面を有する板形状を有している。外部電極２６ｂ～２６ｆは、基板本体２６ａの上主面に位置している。外部電極２６ｂ～２６ｆのそれぞれは、端子２５ｂ～２５ｆの下端に接触している。外部電極２６ｂ～２６ｄには、グランド電位が接続される。外部電極２６ｅ，２６ｆから、高周波信号が出力される。
【0037】
次に、回路素子５０について説明する。回路素子５０は、図１に示すように、下方向（Ｚ軸の負方向）に向かってこの順に並ぶ上主面Ｓ１（回路素子正主面）及び下主面Ｓ２（回路素子負主面）を有している。回路素子５０は、図５に示すように、本体５０ａ、外部電極５０ｂ～５０ｆ及びアンテナ５０ｈ，５０ｇを備えている。
【0038】
本体５０ａは、複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している。絶縁体層の材料は、例えば、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマである。
【0039】
アンテナ５０ｈ，５０ｇは、上下方向に見て、長方形状を有している。アンテナ５０ｈ，５０ｇは、本体５０ａ内に位置している。アンテナ５０ｈ，５０ｇは、高周波信号の電磁波を放射又は受信する。
【0040】
外部電極５０ｂ～５０ｆは、回路素子５０の下主面Ｓ２（回路素子負主面）に位置している。外部電極５０ｂ，５０ｅ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｆは、左から右へとこの順に並んでいる。端子２５ｂ～２５ｆの上端のそれぞれは、図４に示すように、外部電極５０ｂ～５０ｆに接触する。これにより、外部電極５０ｂ～５０ｄは、グランド電位に接続される。外部電極５０ｅ，５０ｆには、高周波信号が入力される。その結果、回路素子５０には、外部電極５０ｅ，５０ｆを介して高周波信号が入力される。
【0041】
なお、回路素子５０は、外部電極５０ｂ～５０ｅ以外にも外部電極を備えている。ただし、外部電極５０ｂ～５０ｅ以外の外部電極の構造は、外部電極５０ｂ～５０ｆと同じであるので説明を省略する。
【0042】
マザー回路素子５０Ｍは、図５に示すように、複数の回路素子５０を備えている。複数の回路素子５０は、上下方向に見て、マトリクス状に配列される。
【0043】
以上のような検査装置１０は、複数の回路素子５０を連続して検査する。具体的には、第１治具１２は、第２治具１４に対して上下方向（Ｚ軸方向）に相対的に移動できる構造を有する。まず、第１治具１２を、端子２５ｂ～２５ｆに対して上下方向（Ｚ軸方向）に移動させる。第１治具１２が下降して、絶縁部材１６の突起部１６ｃを回路素子５０の上主面（正主面）に接触させる。このとき、上下方向に見て、アンテナ５０ｇ，５０ｈは、突起部１６ｃの外縁内に収まっている。そして、外部電極２６ｂ～２６ｆに端子２５ｂ～２５ｆを接触させる。これにより、端子２５ｂ～２５ｆは、外部電極５０ｂ～５０ｆに押し付けられる。この後、回路素子５０の電気的特性を測定する。具体的には、図示しない高周波信号発生装置は、高周波信号を発生する。この高周波信号は、外部電極２６ｅ，２６ｆ、端子２５ｅ，２５ｆを介して、外部電極５０ｅ，５０ｆに入力される。そして、アンテナ５０ｈ，５０ｇは、高周波信号の電磁波を上方向に放射する。高周波発生装置は、このときの回路素子５０の伝送特性を測定する。
【0044】
回路素子５０の伝送特性の測定が完了すると、第１治具１２が上昇して、絶縁部材１６の突起部１６ｃが回路素子５０から離れる。更に、端子２５ｂ～２５ｆも外部電極５０ｂ～５０ｆから離れる。そして、図示しない搬送機構は、マザー回路素子５０Ｍを前後方向又は左右方向に移動させる。この後、検査装置１０は、伝送特性を測定した回路素子５０の隣の回路素子５０の伝送特性を測定する。
【0045】
ところで、回路素子５０が実際に使用されるときには、回路素子５０は、空気中に高周波信号の電磁波を放射する。従って、回路素子５０の伝送特性の測定時の環境は、回路素子５０が空気中に高周波信号電磁波を放射する環境に近いことが好ましい。ただし、回路素子５０の伝送特性を測定するためには、回路素子５０を端子２５ｂ～２５ｆに押し付ける必要がある。そのため、絶縁部材１６が、回路素子５０の上主面に接触する。
【0046】
そこで、絶縁部材１６の比誘電率は、空気の比誘電率（１）に近いことが好ましい。絶縁部材１６の材料の比誘電率は、例えば、１０以下である。ただし、絶縁部材１６の材料の比誘電率は、４以下であることが好ましい。これにより、回路素子５０の伝送特性の測定時の環境は、回路素子５０が空気中に高周波信号電磁波を放射する環境に近くなる。そして、回路素子５０が放射した高周波信号の電磁波は、絶縁部材１６により反射されにくくなる。
【0047】
また、高周波信号の電磁波は、絶縁部材１６内を通過するときに、絶縁部材１６に吸収されないことが望ましい。そこで、絶縁部材１６の材料の誘電体損失角は、例えば、０．０１以下である。ただし、絶縁部材１６の材料の誘電体損失角は、０．００１以下であることが好ましい。
【0048】
また、絶縁部材１６は、回路素子５０に強く接触する。そのため、絶縁部材１６は、回路素子５０に接触した際に、大きく変形しない硬さを有する。従って、絶縁部材１６の材料のヤング率は、例えば、３ＧＰａである。以上の条件を満たす絶縁部材１６の材料は、例えば、ポリスチレンである。
【0049】
更に、検査装置１０では、回路素子５０が放射した高周波信号の電磁波が支持部材１８において反射する場合がある。このような反射波が回路素子５０に入力すると、回路素子５０の検査精度が低下する。そこで、検査装置１０では、以下に説明する構造を備えている。
【0050】
まず、回路素子５０内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離Ｄと定義する。電磁波の発生源から基準距離Ｄより近くに位置する領域を近傍界と呼ぶ。電磁波の発生源から基準距離Ｄより遠くに位置する領域を遠方界と呼ぶ。
【0051】
電磁波の振幅は、近傍界において急激に変動し、遠方界では大きく変動しない。従って、支持部材１８が近傍界に位置していると、大きな振幅を有する反射波が回路素子５０に入力する可能性がある。この場合、回路素子５０の検査精度が低下しやすい。
【0052】
そこで、検査装置１０では、支持部材１８は、遠方界に位置している。具体的には、図１に示すように、絶縁部材１６が回路素子５０の上主面Ｓ１（回路素子正主面）に接している状態で、回路素子５０と支持部材１８との上下方向（Ｚ軸方向）の距離Ｌは、基準距離Ｄより長い。これにより、大きな振幅を有する反射波が回路素子５０に入力する可能性が低減される。よって、回路素子５０の検査精度が向上する。
【0053】
更に、図６に示すように、基準距離Ｄを半径とし、かつ、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、回路素子５０の中心Ｃ０を中心とする円を基準円Ｃ１と定義する。絶縁部材１６が回路素子５０の上主面Ｓ１（回路素子正主面）に接している状態で、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、基準円Ｃ１は、絶縁部材１６の外縁内に収まっている。本実施形態では、図６に示すように、絶縁部材１６が回路素子５０の上主面Ｓ１（回路素子正主面）に接している状態で、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、基準円Ｃ１は、絶縁部材１６の円柱部１６ｂの外縁内に収まっている。そして、電磁波吸収部材１７は、円柱部１６ｂの側面を覆っている。これにより、電磁波吸収部材１７は、遠方界に位置している。そのため、遠方界における電磁波の吸収に適した材料が電磁波吸収部材１７に採用されることにより、電磁波吸収部材１７は、遠方界において、円柱部１６ｂの外部に漏れ出る電磁波を効果的に吸収するようになる。その結果、高周波信号の電磁波が支持部材１８により反射されにくくなる。以上より、回路素子５０の検査精度が向上する。
【0054】
なお、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、回路素子５０の外縁から基準距離Ｄだけ回路素子５０から離れる方向に位置する線に囲まれた領域を基準領域Ａ２と定義する。絶縁部材１６が回路素子５０の上主面Ｓ１（回路素子正主面）に接している状態で、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、基準領域Ａ２は、絶縁部材１６の外縁内に収まっている。本実施形態では、絶縁部材１６が回路素子５０の上主面Ｓ１（回路素子正主面）に接している状態で、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、基準領域Ａ２は、絶縁部材１６の円柱部１６ｂの外縁内に収まっている。これにより、電磁波吸収部材１７は、円柱部１６ｂの外部に漏れ出る電磁波をより効果的に吸収するようになる。その結果、高周波信号の電磁波が支持部材１８により反射されにくくなる。以上より、回路素子５０の検査精度が向上する。
【0055】
検査装置１０では、回路素子５０の検査時に、絶縁部材１６が回路素子５０の上主面に上から接触し、端子２５ｂ～２５ｆが外部電極５０ｂ～５０ｆに下から接触する。従って、絶縁部材１６、端子２５ｂ～２５ｆ及び回路素子５０をフックにより固定する必要がない。従って、検査装置１０を容易に組み立てることができる。
【0056】
検査装置１０では、金属箔２２は、絶縁部材１６より上に位置し、かつ、上下方向に見て、絶縁部材１６と重なっている。これにより、高周波信号の電磁波が、金属箔２２より上にノイズとして放射されにくくなる。
【0057】
（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る検査装置１０ａについて図面を参照しながら説明する。図７は、検査装置１０ａの絶縁部材１６及び電磁波吸収部材１７の斜視図である。図８は、回路素子５０及び第２治具１４の断面図である。図９は、絶縁部材１６及びマザー回路素子５０Ｍの上面図である。
以下に、第１変形例に係る検査装置１０ａについて図面を参照しながら説明する。図７は、検査装置１０ａの絶縁部材１６及び電磁波吸収部材１７の斜視図である。図８は、回路素子５０及び第２治具１４の断面図である。図９は、絶縁部材１６及びマザー回路素子５０Ｍの上面図である。
【0058】
検査装置１０ａは、図７及び図８に示すように、絶縁部材１６が、絶縁部材１６の内部に空洞Ｓｐが設けられた中空構造を有している点において検査装置１０と相違する。そして、絶縁部材１６が回路素子５０に接触する面に、空洞Ｓｐに繋がる孔Ｈ０が設けられている。このような検査装置１０ａでは、図９に示すように、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、アンテナ５０ｇ，５０ｈは、孔Ｈ０の外縁内に収まっている。すなわち、上下方向に見て、突起部１６ｃの外縁は、アンテナ５０ｇ，５０ｈを囲むように回路素子５０に接触する。これにより、アンテナ５０ｇ，５０ｈが放射した電磁波は、空洞Ｓｐ内を上方向に伝搬される。その結果、アンテナ５０ｇ，５０ｈが放射した電磁波が、反射により回路素子５０に入力することが抑制される。更に、突起部１６ｃがアンテナ５０ｇ，５０ｈの周囲に接触するので、回路素子５０に反りが発生しにくい。その結果、端子２５ｂ～２５ｆが外部電極５０ｂ～５０ｆに接触しやすくなる。検査装置１０ａのその他の構造は、検査装置１０と同じであるので説明を省略する。
【0059】
（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る検査装置１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１０は、検査装置１０ｂの正面図である。
以下に、第２変形例に係る検査装置１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１０は、検査装置１０ｂの正面図である。
【0060】
検査装置１０ｂは、第１治具１２が複数の絶縁部材１６を備えている点において検査装置１０と相違する。これにより、検査装置１０ｂは、第１治具１２を移動させずに複数の回路素子５０を検査できる。検査装置１０ｂのその他の構造は、検査装置１０と同じであるので説明を省略する。
【0061】
（その他の実施形態）
本発明に係る検査装置は、検査装置１０，１０ａ，１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、検査装置１０，１０ａ，１０ｂの構造を任意に組わせてもよい。
本発明に係る検査装置は、検査装置１０，１０ａ，１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、検査装置１０，１０ａ，１０ｂの構造を任意に組わせてもよい。
【0062】
なお、絶縁部材１６の材料は、ポリスチレンに限らない。絶縁部材１６の材料は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等の樹脂であってもよいし、石英であってもよい。
【0063】
なお、高周波信号の周波数は、２０ＧＨｚであるとした。しかしながら、高周波信号の周波数は、２０ＧＨｚより低くてもよい。高周波信号の周波数は、５ＧＨｚであってもよい。ただし、検査装置１０，１０ａ，１０ｂは、２０ＧＨｚ以上の高周波信号の回路素子５０の検査に適している。
【0064】
なお、回路素子５０は、アンテナ５０ｇ，５０ｈを備えている。しかしながら、回路素子５０は、アンテナ５０ｇ，５０ｈを備えていなくてもよい。
【0065】
なお、検査装置１０，１０ａ，１０ｂは、１以上の端子を備えていればよい。また、回路素子５０は、１以上の外部電極を備えていればよい。
【0066】
なお、第１治具１２が第２治具１４に対して上下方向に相対的に移動すればよいので、第１治具１２が上下動する代わりに、第２治具１４が上下動してもよい。
【0067】
なお、絶縁部材１６は、突起部１６ｃを含んでいなくてもよい。この場合、円柱部１６ｂの下端が回路素子５０の上主面に接触する。
【0068】
なお、第１治具１２は、第２治具１４より下に位置していてもよい。
【0069】
なお、支持部材１８の材料は、金属以外であってもよい。支持部材１８は、例えば、セラミックや硬質樹脂であってもよい。セラミック硬質樹脂も、金属と同様に、電磁波を反射する。ただし、支持部材１８の材料は、金属であることが好ましい。
【0070】
本発明は、以下の構造を備える。
【0071】
（１）
回路素子の検査装置であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記検査装置は、第１治具及び第２治具を備えており、
前記第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定され、かつ、前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
を含んでおり、
前記第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具は、前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する、
検査装置。
回路素子の検査装置であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記検査装置は、第１治具及び第２治具を備えており、
前記第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定され、かつ、前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
を含んでおり、
前記第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記１以上の外部電極に接触する１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具は、前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動できる構造を有する、
検査装置。
【0072】
（２）
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記回路素子と前記支持部材との前記Ｚ軸方向の距離は、前記基準距離より長い、
（１）に記載の検査装置。
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記回路素子と前記支持部材との前記Ｚ軸方向の距離は、前記基準距離より長い、
（１）に記載の検査装置。
【0073】
（３）
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記基準距離を半径とし、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の中心を中心とする円を基準円と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準円は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
（１）又は（２）に記載の検査装置。
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記基準距離を半径とし、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の中心を中心とする円を基準円と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準円は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
（１）又は（２）に記載の検査装置。
【0074】
（４）
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の外縁から前記基準距離だけ前記回路素子から離れる方向に位置する線に囲まれた領域を基準領域と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準領域は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
（１）ないし（３）のいずれかに記載の検査装置。
前記回路素子内を伝送される信号の波長を２πで割った値を基準距離と定義し、
前記Ｚ軸方向に見て、前記回路素子の外縁から前記基準距離だけ前記回路素子から離れる方向に位置する線に囲まれた領域を基準領域と定義し、
前記絶縁部材が前記回路素子正主面に接している状態で、前記Ｚ軸方向に見て、前記基準領域は、前記絶縁部材の外縁内に収まっている、
（１）ないし（３）のいずれかに記載の検査装置。
【0075】
（５）
前記第１治具は、
前記絶縁部材において前記Ｚ軸方向と直交する方向に位置する側面を覆う電磁波吸収部材を、
更に含んでいる、
（１）ないし（４）のいずれかに記載の検査装置。
前記第１治具は、
前記絶縁部材において前記Ｚ軸方向と直交する方向に位置する側面を覆う電磁波吸収部材を、
更に含んでいる、
（１）ないし（４）のいずれかに記載の検査装置。
【0076】
（６）
前記第１治具は、
前記絶縁部材より前記Ｚ軸の正方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記絶縁部材と重なる金属箔を、
更に含んでいる、
（１）ないし（５）のいずれかに記載の検査装置。
前記第１治具は、
前記絶縁部材より前記Ｚ軸の正方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記絶縁部材と重なる金属箔を、
更に含んでいる、
（１）ないし（５）のいずれかに記載の検査装置。
【0077】
（７）
前記絶縁部材の材料の比誘電率は、１０以下であり、
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．０１以下である、
（１）ないし（６）のいずれかに記載の検査装置。
前記絶縁部材の材料の比誘電率は、１０以下であり、
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．０１以下である、
（１）ないし（６）のいずれかに記載の検査装置。
【0078】
（８）
前記絶縁部材の材料の比誘電率は、４以下であり、
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．００１以下である、
（１）ないし（７）のいずれかに記載の検査装置。
前記絶縁部材の材料の比誘電率は、４以下であり、
前記絶縁部材の材料の誘電体損失角は、０．００１以下である、
（１）ないし（７）のいずれかに記載の検査装置。
【0079】
（９）
前記絶縁部材の材料は、ポリスチレンである、
（１）ないし（８）のいずれかに記載の検査装置。
前記絶縁部材の材料は、ポリスチレンである、
（１）ないし（８）のいずれかに記載の検査装置。
【0080】
（１０）
前記回路素子には、前記外部電極を介して高周波信号が入力される、
（１）ないし（９）のいずれかに記載の検査装置。
前記回路素子には、前記外部電極を介して高周波信号が入力される、
（１）ないし（９）のいずれかに記載の検査装置。
【0081】
（１１）
前記回路素子は、アンテナを備えている、
（１）ないし（１０）のいずれかに記載の検査装置。
前記回路素子は、アンテナを備えている、
（１）ないし（１０）のいずれかに記載の検査装置。
【0082】
（１２）
前記絶縁部材は、前記絶縁部材の内部に空洞が設けられた中空構造を有しており、
前記絶縁部材が前記回路素子に接触する面に、前記空洞に繋がる孔が設けられており、
前記Ｚ軸方向に見て、前記アンテナは、前記孔の外縁内に収まっている、
（１１）のいずれかに記載の検査装置。
前記絶縁部材は、前記絶縁部材の内部に空洞が設けられた中空構造を有しており、
前記絶縁部材が前記回路素子に接触する面に、前記空洞に繋がる孔が設けられており、
前記Ｚ軸方向に見て、前記アンテナは、前記孔の外縁内に収まっている、
（１１）のいずれかに記載の検査装置。
【0083】
（１３）
前記支持部材は、金属部材である、
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の検査装置。
前記支持部材は、金属部材である、
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の検査装置。
【0084】
（１４）
回路素子の検査装置に用いられる治具であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記治具は、
前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸と直交する方向に位置する側面を覆う第１電磁波吸収部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸の正方向に位置する第２電磁波吸収部材と、
を備えている、
治具。
回路素子の検査装置に用いられる治具であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
前記治具は、
前記回路素子正主面に接触する絶縁部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸と直交する方向に位置する側面を覆う第１電磁波吸収部材と、
前記絶縁部材の前記Ｚ軸の正方向に位置する第２電磁波吸収部材と、
を備えている、
治具。
【0085】
（１５）
回路素子の検査方法であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定されている絶縁部材と、
を含んでおり、
第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置している１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具を前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動させることにより、前記回路素子正主面に前記絶縁部材を接触させると共に、前記１以上の外部電極に１以上の端子を接触させ、
前記回路素子の電気的特性を測定する、
検査方法。
回路素子の検査方法であって、
前記回路素子は、Ｚ軸の負方向に向かってこの順に並ぶ回路素子正主面及び回路素子負主面を有し、かつ、前記回路素子負主面に位置する１以上の外部電極を備えており、
第１治具は、
支持部材と、
前記支持部材より前記Ｚ軸の負方向に位置するように前記支持部材に固定されている絶縁部材と、
を含んでおり、
第２治具は、
前記第１治具より前記Ｚ軸の負方向に位置している１以上の端子を、
含んでおり、
前記第１治具を前記第２治具に対してＺ軸方向に相対的に移動させることにより、前記回路素子正主面に前記絶縁部材を接触させると共に、前記１以上の外部電極に１以上の端子を接触させ、
前記回路素子の電気的特性を測定する、
検査方法。
【符号の説明】
【0086】
１０，１０ａ，１０ｂ：検査装置
１２：第１治具
１４：第２治具
１６：絶縁部材
１６ａ：平板部
１６ｂ：円柱部
１６ｃ：突起部
１７，２０：電磁波吸収部材
１８：支持部材
２２：金属箔
２４：保持部材
２５ｂ～２５ｆ：端子
２６：治具基板
２６ａ：基板本体
２６ｂ～２６ｆ，５０ｂ～５０ｆ：外部電極
５０：回路素子
５０Ｍ：マザー回路素子
５０ａ：本体
５０ｇ，５０ｈ：アンテナ
２５０，２６０：筒部
２５２，２６２：下ピン
２５４，２６４：上ピン
２５６，２６６：スプリング
２６８：バレル
２７０：下絶縁部材
２７２：上絶縁部材
Ａ２：基準領域
Ｃ０：中心
Ｃ１：基準円
Ｇ：窪み
ｈ：貫通孔
Ｈ０：孔
Ｍ：位置マーク
Ｓ１：上主面
Ｓ２：下主面
Ｓｐ：空洞
１２：第１治具
１４：第２治具
１６：絶縁部材
１６ａ：平板部
１６ｂ：円柱部
１６ｃ：突起部
１７，２０：電磁波吸収部材
１８：支持部材
２２：金属箔
２４：保持部材
２５ｂ～２５ｆ：端子
２６：治具基板
２６ａ：基板本体
２６ｂ～２６ｆ，５０ｂ～５０ｆ：外部電極
５０：回路素子
５０Ｍ：マザー回路素子
５０ａ：本体
５０ｇ，５０ｈ：アンテナ
２５０，２６０：筒部
２５２，２６２：下ピン
２５４，２６４：上ピン
２５６，２６６：スプリング
２６８：バレル
２７０：下絶縁部材
２７２：上絶縁部材
Ａ２：基準領域
Ｃ０：中心
Ｃ１：基準円
Ｇ：窪み
ｈ：貫通孔
Ｈ０：孔
Ｍ：位置マーク
Ｓ１：上主面
Ｓ２：下主面
Ｓｐ：空洞
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】