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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024002572
(43)【公開日】2024-01-11
(54)【発明の名称】半導体装置及び半導体装置製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20231228BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20231228BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20231228BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20231228BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20231228BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
H01L33/62
H01L33/00 L
G09F9/33
G09F9/00 338
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022101843
(22)【出願日】2022-06-24
(71)【出願人】
【識別番号】000000295
【氏名又は名称】沖電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100174104
【弁理士】
【氏名又は名称】奥田 康一
(72)【発明者】
【氏名】飯野 皓宏
(72)【発明者】
【氏名】小酒 達
(72)【発明者】
【氏名】古田 裕典
(72)【発明者】
【氏名】松尾 元一郎
(72)【発明者】
【氏名】十文字 伸哉
(72)【発明者】
【氏名】川田 寛人
(72)【発明者】
【氏名】篠▲原▼ 悠貴
【テーマコード（参考）】
5C094
5F142
5G435
【Ｆターム（参考）】
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA23
5C094CA19
5C094CA24
5C094DA12
5C094DB01
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB15
5C094JA01
5C094JA08
5F142AA54
5F142BA32
5F142CA11
5F142CB07
5F142CB14
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD15
5F142CD49
5F142CG01
5F142DB24
5F142DB44
5F142DB54
5F142EA02
5F142FA30
5F142FA34
5F142GA02
5G435AA17
5G435BB04
5G435CC09
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】位置精度を向上させる。
【解決手段】ＬＥＤディスプレイ装置１は、絶縁性を有するベース層２６Ｒと、ベース層上面２６ＲＳ１に形成される複数の薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、薄膜ＬＥＤ３０Ｒに接続されるカソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と、ベース層上面２６ＲＳ１とは反対側の面であるベース層下面２６ＲＳ２に設けられた通気溝５０Ｒとを設け、通気溝５０Ｒは、ベース層２６Ｒにおける上面と直交する発光方向Ｄｅから見たときに薄膜ＬＥＤ３０Ｒと重ならない領域に形成されるようにする。
【選択図】図２
【解決手段】ＬＥＤディスプレイ装置１は、絶縁性を有するベース層２６Ｒと、ベース層上面２６ＲＳ１に形成される複数の薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、薄膜ＬＥＤ３０Ｒに接続されるカソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と、ベース層上面２６ＲＳ１とは反対側の面であるベース層下面２６ＲＳ２に設けられた通気溝５０Ｒとを設け、通気溝５０Ｒは、ベース層２６Ｒにおける上面と直交する発光方向Ｄｅから見たときに薄膜ＬＥＤ３０Ｒと重ならない領域に形成されるようにする。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁性を有する平坦化層と、
前記平坦化層における第１の面上に形成される複数の半導体素子と、
前記半導体素子に接続される接続部と、
前記平坦化層における前記第１の面とは反対側の面である第２の面に設けられた溝部と
を有し、
前記溝部は、前記第１の面と直交する第１の方向から見たときに前記半導体素子と重ならない領域に形成される
半導体装置。
前記平坦化層における第１の面上に形成される複数の半導体素子と、
前記半導体素子に接続される接続部と、
前記平坦化層における前記第１の面とは反対側の面である第２の面に設けられた溝部と
を有し、
前記溝部は、前記第１の面と直交する第１の方向から見たときに前記半導体素子と重ならない領域に形成される
半導体装置。
【請求項2】
前記溝部は、
前記第１の方向から見たときに前記半導体素子及び前記接続部と重ならない領域に形成される
請求項１に記載の半導体装置。
前記第１の方向から見たときに前記半導体素子及び前記接続部と重ならない領域に形成される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記接続部は、
前記平坦化層の前記第２の面に露出しており、前記半導体素子と、前記平坦化層の前記第２の面側に位置する他の接続部とを導通させる
請求項２に記載の半導体装置。
前記平坦化層の前記第２の面に露出しており、前記半導体素子と、前記平坦化層の前記第２の面側に位置する他の接続部とを導通させる
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記溝部は、
前記平坦化層における、前記第１の面に沿う面方向の端面において前記平坦化層の外部と連通している
請求項１に記載の半導体装置。
前記平坦化層における、前記第１の面に沿う面方向の端面において前記平坦化層の外部と連通している
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記溝部は、
前記第１の方向から見たときに少なくとも前記半導体素子よりも外側において前記半導体素子を囲うように形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
前記第１の方向から見たときに少なくとも前記半導体素子よりも外側において前記半導体素子を囲うように形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記溝部は、
前記第１の方向から見たときに前記接続部よりも外側において前記半導体素子及び前記接続部を囲うように形成されている
請求項５に記載の半導体装置。
前記第１の方向から見たときに前記接続部よりも外側において前記半導体素子及び前記接続部を囲うように形成されている
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記溝部は、
前記第１の方向から見たときに格子状である
請求項５又は請求項６に記載の半導体装置。
前記第１の方向から見たときに格子状である
請求項５又は請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記溝部は、
複数の前記半導体素子が配列された方向を少なくとも一部分に含む方向に延在する
請求項１に記載の半導体装置。
複数の前記半導体素子が配列された方向を少なくとも一部分に含む方向に延在する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記溝部における前記第１の方向の深さは、前記平坦化層における前記第１の方向の厚さの半分以下である
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記溝部は、
前記平坦化層における前記第２の面において、前記第２の面から前記第１の面に向かって凹む
請求項１に記載の半導体装置。
前記平坦化層における前記第２の面において、前記第２の面から前記第１の面に向かって凹む
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記平坦化層である第１の平坦化層と、前記半導体素子である第１の半導体素子と、前記接続部である第１の接続部と、前記溝部である第１の溝部とを含む第１の層と、
前記第１の平坦化層における前記第２の面が当接するように前記第１の層が積層され、少なくとも前記第１の半導体素子を制御する制御基板と、
前記第１の層における前記制御基板とは逆側の面に積層され、第２の半導体素子を含む第２の層と、
前記第２の層における前記第１の層とは逆側の面に積層され、第３の半導体素子を含む第３の層と
を有する請求項１に記載の半導体装置。
前記第１の平坦化層における前記第２の面が当接するように前記第１の層が積層され、少なくとも前記第１の半導体素子を制御する制御基板と、
前記第１の層における前記制御基板とは逆側の面に積層され、第２の半導体素子を含む第２の層と、
前記第２の層における前記第１の層とは逆側の面に積層され、第３の半導体素子を含む第３の層と
を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記第２の層は、
前記第１の層と当接し絶縁性を有する第２の平坦化層と、
前記第２の平坦化層における前記第３の層側の面である第１の面上に形成される複数の前記第２の半導体素子と、
前記第２の半導体素子に接続される第２の接続部と、
前記第２の平坦化層における前記第１の面とは反対側の面である第２の面に設けられた第２の溝部と
を有し、
前記第３の層は、
前記第２の層と当接し絶縁性を有する第３の平坦化層と、
前記第３の平坦化層における前記第２の層とは逆側の面である第１の面上に形成される複数の前記第３の半導体素子と、
前記第３の半導体素子に接続される第３の接続部と、
前記第３の平坦化層における前記第１の面とは反対側の面である第２の面に設けられた第３の溝部と
を有し、
前記第２の溝部は、前記第１の方向から見たときに前記第２の半導体素子と重ならない領域に形成され、
前記第３の溝部は、前記第１の方向から見たときに前記第３の半導体素子と重ならない領域に形成される
請求項１１に記載の半導体装置。
前記第１の層と当接し絶縁性を有する第２の平坦化層と、
前記第２の平坦化層における前記第３の層側の面である第１の面上に形成される複数の前記第２の半導体素子と、
前記第２の半導体素子に接続される第２の接続部と、
前記第２の平坦化層における前記第１の面とは反対側の面である第２の面に設けられた第２の溝部と
を有し、
前記第３の層は、
前記第２の層と当接し絶縁性を有する第３の平坦化層と、
前記第３の平坦化層における前記第２の層とは逆側の面である第１の面上に形成される複数の前記第３の半導体素子と、
前記第３の半導体素子に接続される第３の接続部と、
前記第３の平坦化層における前記第１の面とは反対側の面である第２の面に設けられた第３の溝部と
を有し、
前記第２の溝部は、前記第１の方向から見たときに前記第２の半導体素子と重ならない領域に形成され、
前記第３の溝部は、前記第１の方向から見たときに前記第３の半導体素子と重ならない領域に形成される
請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第１の溝部、前記第２の溝部及び前記第３の溝部は、
前記第１の方向から見たときに前記第１の半導体素子、前記第２の半導体素子及び前記第３の半導体素子と重ならない領域に形成される
請求項１２に記載の半導体装置。
前記第１の方向から見たときに前記第１の半導体素子、前記第２の半導体素子及び前記第３の半導体素子と重ならない領域に形成される
請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記半導体素子は、発光素子である
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項15】
形成基板上に、該形成基板と接する面とは逆側の面に凸部を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記犠牲層上に絶縁性を有する平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、
前記平坦化層における第１の面上に複数の半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
前記平坦化層に、前記半導体素子と接続されるように接続部を形成する接続部形成工程と、
前記犠牲層を除去することで前記平坦化層の前記第１の面と反対側の第２の面に溝部を形成する溝部形成工程と
を含み、
前記凸部は、前記第１の面と直交する方向から見たときに前記半導体素子と重ならない領域に配置される
半導体装置製造方法。
前記犠牲層上に絶縁性を有する平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、
前記平坦化層における第１の面上に複数の半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
前記平坦化層に、前記半導体素子と接続されるように接続部を形成する接続部形成工程と、
前記犠牲層を除去することで前記平坦化層の前記第１の面と反対側の第２の面に溝部を形成する溝部形成工程と
を含み、
前記凸部は、前記第１の面と直交する方向から見たときに前記半導体素子と重ならない領域に配置される
半導体装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は半導体装置及び半導体装置製造方法に関し、例えば半導体素子が回路基板に実装された発光装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【0002】
近年、回路基板にマトリクス状に実装された複数の半導体素子を選択的に駆動して発光させることにより、画像を表示する発光装置である半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような半導体装置においては、発光素子である半導体素子を有するフィルム状の部材である接合物が、被接合物である基板等に、発光素子の発光面に直交する方向に積層されるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－２３２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
このような半導体装置においては、接合物が作成された後に被接合物に接合される際に気泡が発生し、位置精度良く転写されない可能性があった。
【0005】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、位置精度を向上し得る半導体装置及び半導体装置製造方法を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
かかる課題を解決するため本発明の半導体装置においては、絶縁性を有する平坦化層と、平坦化層における第１の面上に形成される複数の半導体素子と、半導体素子に接続される接続部と、平坦化層における第１の面とは反対側の面である第２の面に設けられた溝部とを設け、溝部は、第１の面と直交する第１の方向から見たときに半導体素子と重ならない領域に形成されるようにした。
【0007】
また本発明の半導体装置製造方法においては、形成基板上に、該形成基板と接する面とは逆側の面に凸部を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層上に絶縁性を有する平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、平坦化層における第１の面上に複数の半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、平坦化層に、半導体素子と接続されるように接続部を形成する接続部形成工程と、犠牲層を除去することで平坦化層の第１の面と反対側の第２の面に溝部を形成する溝部形成工程とを含み、凸部は、第１の面と直交する方向から見たときに半導体素子と重ならない領域に配置されるようにした。
【0008】
本発明は、被接合物に接合される際に半導体装置と被接合物との間において空気が局所的に溜まってしまうことを防いで分散させることにより、光学特性を維持しつつ、被接合物に対する半導体装置の位置精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、位置精度を向上し得る半導体装置及び半導体装置製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】ＬＥＤディスプレイ装置の構成を示す斜視図である。
【図6】第１の実施の形態による第１の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図7】第１の実施の形態による第２の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図8】第１の実施の形態による第３の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図14】第２の実施の形態による第１の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図15】第２の実施の形態による第２の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図16】第２の実施の形態による第３の薄膜層の構成を示す平面図である。
【図17】第３の実施の形態による薄膜層の構成を示す平面図である。
【図19】第４の実施の形態による薄膜層の構成を示す平面図である。
【図21】他の実施の形態による通気溝の構成（１）を示す平面図である。
【図22】他の実施の形態による通気溝の構成（２）を示す平面図である。
【図23】他の実施の形態による通気溝の構成（３）を示す平面図である。
【図24】他の実施の形態による通気溝の構成（４）を示す平面図である。
【図25】他の実施の形態による通気溝の構成（５）を示す平面図である。
【図26】他の実施の形態による通気溝の構成（６）を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、発明を実施するための形態（以下実施の形態とする）について、図面を用いて説明する。
【0012】
［１．第１の実施の形態］
［１－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１及び図２に示すように、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２、放熱部材３、接続ケーブル４、接続端子部５及び駆動ドライバ６等を有している。ＬＥＤディスプレイ装置１は、マイクロＬＥＤディスプレイとも呼ばれており、赤色、緑色及び青色でなる１組のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたディスプレイデバイスとなっている。すなわち、ＬＥＤディスプレイ表示部２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。回路基板１０は、ピクセル内のＬＥＤを選択的に駆動するために、配線層と、配線層に接続される駆動素子や駆動回路とが配置されており、ＬＥＤとの電気的接続を行う基板である。以下では図１において紙面上で左から右へ向かう方向を＋Ｘ方向とし、紙面上で右上から左下へ向かう方向を＋Ｙ方向とし、紙面上で下から上へ向かう方向を＋Ｚ方向とする。
［１－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１及び図２に示すように、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２、放熱部材３、接続ケーブル４、接続端子部５及び駆動ドライバ６等を有している。ＬＥＤディスプレイ装置１は、マイクロＬＥＤディスプレイとも呼ばれており、赤色、緑色及び青色でなる１組のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたディスプレイデバイスとなっている。すなわち、ＬＥＤディスプレイ表示部２は、アクティブマトリクス回路基板である回路基板１０上にマトリクス状に無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を含む素子をピクセル（１画素）として配列した表示装置である。回路基板１０は、ピクセル内のＬＥＤを選択的に駆動するために、配線層と、配線層に接続される駆動素子や駆動回路とが配置されており、ＬＥＤとの電気的接続を行う基板である。以下では図１において紙面上で左から右へ向かう方向を＋Ｘ方向とし、紙面上で右上から左下へ向かう方向を＋Ｙ方向とし、紙面上で下から上へ向かう方向を＋Ｚ方向とする。
【0013】
［１－２．ＬＥＤディスプレイ表示部の全体構成］
ＬＥＤディスプレイ表示部２は、図４及び図５に示すように、平板状の制御基板としての回路基板１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの３つの薄膜層２０からなる薄膜層群１８が積層された構成となっている。以下では、第１の層としての第１の薄膜層２０Ｒ、第２の層としての第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の層としての第３の薄膜層２０Ｂをまとめて、薄膜層２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、ＬＥＤディスプレイ表示部２のディスプレイサイズと同等となっている。このためＬＥＤディスプレイ表示部２は、各薄膜層２０のフィルムが、１画素毎に独立している訳ではなく、ディスプレイ全面のサイズとなっており、各薄膜層２０の１枚のフィルムの範囲がディスプレイ全面の範囲を占めている。
ＬＥＤディスプレイ表示部２は、図４及び図５に示すように、平板状の制御基板としての回路基板１０における＋Ｚ方向側の表面（以下ではこれを基板表面１０Ｓとも呼ぶ）に設定された表示領域内に、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの３つの薄膜層２０からなる薄膜層群１８が積層された構成となっている。以下では、第１の層としての第１の薄膜層２０Ｒ、第２の層としての第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の層としての第３の薄膜層２０Ｂをまとめて、薄膜層２０とも呼ぶ。それぞれの薄膜層２０は、発光素子が格子状に並んだフィルム形状であり、そのフィルムサイズは、ＬＥＤディスプレイ表示部２のディスプレイサイズと同等となっている。このためＬＥＤディスプレイ表示部２は、各薄膜層２０のフィルムが、１画素毎に独立している訳ではなく、ディスプレイ全面のサイズとなっており、各薄膜層２０の１枚のフィルムの範囲がディスプレイ全面の範囲を占めている。
【0014】
放熱部材３（図１）は、例えばアルミニウムのように比較的高い熱伝導性を有する金属材料により、全体として扁平な直方体状に構成されている。この放熱部材３は、ＬＥＤディスプレイ表示部２の－Ｚ方向側、すなわち画像等を表示する面の反対側において、該ＬＥＤディスプレイ表示部２に当接するように設置されていることにより、回路基板１０の熱を放熱する。接続ケーブル４は、接続端子部５を介して所定の制御装置（図示せず）と電気的に接続されることにより、該制御装置から供給される画像信号を伝送して駆動ドライバ６に供給する。
【0015】
駆動ドライバ６は、例えば回路基板１０の表面に実装されており、接続ケーブル４及びＬＥＤディスプレイ表示部２とそれぞれ電気的に接続されている。この駆動ドライバ６は、例えば接続ケーブル４を介して供給される画像信号を基に赤色、緑色及び青色それぞれの駆動信号すなわち回路基板１０のゲート駆動信号を生成し、これらの駆動信号に基づいた駆動電流をＬＥＤディスプレイ表示部２に供給する。この結果、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２の表示領域に、制御装置（図示せず）等から供給される画像信号に基づいた画像を表示する。
【0016】
以下では、図２及び図３に示すように、ＬＥＤディスプレイ表示部２における回路基板１０及び薄膜層群１８のうち、１画素分の領域である画素部８について説明する。また以下では、カソード端子に関わる部材の符号の末尾には「Ｃ」を付し、第１の薄膜層２０Ｒの薄膜ＬＥＤ３０Ｒに関わる部材の符号の末尾には「Ｒ」を付し、第２の薄膜層２０Ｇの薄膜ＬＥＤ３０Ｇに関わる部材の符号の末尾には「Ｇ」を付し、第３の薄膜層２０Ｂの薄膜ＬＥＤ３０Ｂに関わる部材の符号の末尾には「Ｂ」を付す。さらに以下では、第１の薄膜層２０Ｒのベース層２６Ｒの＋Ｚ方向側の面である上面に直交する方向（すなわちＺ方向）を、発光方向Ｄｅとも呼ぶ。さらに以下では、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂが積層される方向（すなわちＺ方向）を、積層方向とも呼ぶ。さらに以下では、図４において紙面上で左右に沿う方向、すなわち、図２におけるＡ－Ａ矢視断面に沿う方向をＡＡ断面方向Ｄａとも呼ぶ。また以下では、図５において紙面上で左右に沿う方向、すなわち、図２におけるＢ－Ｂ矢視断面に沿う方向をＢＢ断面方向Ｄｂとも呼ぶ。
【0017】
［１－３．回路基板の構成］
図３、図４及び図５に示すように、回路基板１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳ（Complementary MOS）バックプレーン回路基板である。回路基板１０は、基材部１０Ｍ、絶縁層１１、回路接続パッド１２（回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）、アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ及び１４Ｃ）並びに配線層１６を有している。
図３、図４及び図５に示すように、回路基板１０は、シリコンプロセスにより製造されたＣＭＯＳ（Complementary MOS）バックプレーン回路基板である。回路基板１０は、基材部１０Ｍ、絶縁層１１、回路接続パッド１２（回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）、アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ及び１４Ｃ）並びに配線層１６を有している。
【0018】
基材部１０Ｍは、シリコンウェハである。絶縁層１１は、十分な絶縁性を備えており、配線層１６を＋Ｚ方向側から覆うように配設されている。
【0019】
回路接続パッド１２（回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）は、基板表面１０Ｓにおいてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃをまとめて回路接続パッド１２とも呼ぶ。この回路接続パッド１２は、１画素に対応しており、４個の回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃにより、回路接続パッド組１２Ｔが構成されている。回路接続パッド組１２Ｔは、回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃの外接矩形よりも内側（すなわち画素エリア内）に、発光部２４（図２）が位置するように配置されている。
【0020】
回路接続パッド１２Ｒは、金、銅、アルミニウムや酸化インジウムスズ等の導電性材料により構成されており、＋Ｚ方向側から見た際に例えば正方形状であり、回路接続パッド組１２Ｔのうちの＋Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また回路接続パッド１２Ｒは、垂直方向配線２２Ｒにおけるアノードパッド４４ａＲの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、回路接続パッド１２Ｒの＋Ｚ方向側の表面（上面）を露出させている。さらに回路接続パッド１２Ｒは、回路基板１０の内部においてアクティブ素子１４Ｒと電気的に接続されていると共に、＋Ｚ方向側の表面（上面）が第１の薄膜層２０Ｒにおけるアノードパッド４４ａＲの－Ｚ方向側の表面（下面）に接触し電気的に接続されている。以下では、＋Ｚ方向側の表面を上面とも呼び、－Ｚ方向側の表面を下面とも呼ぶ。
【0021】
回路接続パッド１２Ｇは、回路接続パッド１２Ｒと同様に構成されており、回路接続パッド組１２Ｔのうちの＋Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。また回路接続パッド１２Ｇは、垂直方向配線２２Ｇにおけるアノードパッド４４ａＧ１の－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、回路接続パッド１２Ｇの上面を露出させている。さらに回路接続パッド１２Ｇは、回路基板１０の内部においてアクティブ素子１４Ｇと電気的に接続されていると共に、上面が第１の薄膜層２０Ｒにおけるアノードパッド４４ａＧ１の下面に接触し電気的に接続されている。
【0022】
回路接続パッド１２Ｂは、回路接続パッド１２Ｒと同様に構成されており、回路接続パッド組１２Ｔのうちの＋Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また回路接続パッド１２Ｂは、垂直方向配線２２Ｂにおけるアノードパッド４４ａＢ１の－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、回路接続パッド１２Ｂの上面を露出させている。さらに回路接続パッド１２Ｂは、回路基板１０の内部においてアクティブ素子１４Ｂと電気的に接続されていると共に、上面が第１の薄膜層２０Ｒにおけるアノードパッド４４ａＢ１の下面に接触し電気的に接続されている。
【0023】
回路接続パッド１２Ｃは、回路接続パッド１２Ｒと同様に構成されており、回路接続パッド組１２Ｔのうちの－Ｘ－Ｙ方向側に位置している。また回路接続パッド１２Ｃは、垂直方向配線２２Ｃにおけるカソードパッド４１ｃＲの－Ｚ方向側に配され、基板表面１０Ｓに、回路接続パッド１２Ｃの上面を露出させている。さらに回路接続パッド１２Ｃは、回路基板１０の内部においてアクティブ素子１４Ｃを介し配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されていると共に、上面が第１の薄膜層２０Ｒにおけるカソードパッド４１ｃＲの下面と接触し電気的に接続されている。
【0024】
アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ及び１４Ｃ）は、回路基板１０内部においてマトリクス状（すなわち格子状）に配列されている。以下では、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ及び１４Ｃをまとめてアクティブ素子１４とも呼ぶ。
【0025】
アクティブ素子１４Ｒは、例えば２個のＭＯＳトランジスタと１個のコンデンサとからなる薄膜トランジスタ及びコンデンサにより構成されており、回路接続パッド１２Ｒの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。アクティブ素子１４Ｇ及び１４Ｂは、アクティブ素子１４Ｒと同様に構成されており、それぞれ回路接続パッド１２Ｇ及び１２Ｂの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部の配線と電気的に接続されている。アクティブ素子１４Ｃは、アクティブ素子１４Ｒと同様に構成されており、回路接続パッド１２Ｃの－Ｚ方向側に配され配線層１６内部のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0026】
配線層１６内部の配線は、詳細には図示されないが、金、銅、アルミニウムや酸化インジウムスズ等の導電性材料により構成され、マトリクス状（すなわち格子状）に配置されており、アクティブ素子１４（アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ及び１４Ｃ）並びに回路接続パッド１２（１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃ）と適宜電気的に接続されていると共に、駆動ドライバ６と電気的に接続されている。
【0027】
回路基板１０は、基板表面１０Ｓが極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち回路基板１０では、絶縁層１１並びに回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃの上面が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、絶縁層１１並びに回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃの上面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0028】
具体的に回路基板１０では、基板表面１０Ｓの表面粗さ、すなわち、絶縁層１１並びに回路接続パッド１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ及び１２Ｃの上面における表面粗さ（ラフネス、表面最大段差とも呼ぶ）Ｒｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0029】
［１－４．薄膜層群の構成］
図４及び図５に示すように、薄膜層群１８は、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの３つの薄膜層２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群１８は、回路基板１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板１０と電気的にも接続されている。
図４及び図５に示すように、薄膜層群１８は、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの３つの薄膜層２０が、－Ｚ方向から＋Ｚ方向へ向かって積層されている。薄膜層群１８は、回路基板１０上に分子間力により物理的に接合されると共に、該回路基板１０と電気的にも接続されている。
【0030】
薄膜層群１８には、ＬＥＤディスプレイ表示部２の領域内においてマトリクス状に配列された複数の画素（画素部８）が配置されている。薄膜層群１８におけるそれぞれの画素部８は、ＸＹ方向の長さが１［ｍｍ］以上であり、Ｚ方向の厚さが１００［μｍ］以下である。画素部８は、主に、Ｚ方向から見た際に、四隅に配置されアノードやカソードに対応した４つの垂直方向配線２２（垂直方向配線２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ及び２２Ｃ）と、垂直方向配線２２に囲まれ画素部８の内部に配置される１つの発光部２４とにより構成されている。以下では、垂直方向配線２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ及び２２Ｃをまとめて、垂直方向配線２２とも呼ぶ。
【0031】
垂直方向配線２２Ｒは、アノードパッド４４ａＲ、ダミーピラー４５Ｒ、ダミーパッド４７Ｇ、ダミーピラー４５Ｇ２、ダミーパッド４７Ｂ２及びダミーピラー４５Ｂ４により構成されている。垂直方向配線２２Ｇは、アノードパッド４４ａＧ１、アノードピラー４２ａＧ、アノードパッド４４ａＧ２、ダミーピラー４５Ｇ１、ダミーパッド４７Ｂ１及びダミーピラー４５Ｂ３により構成されている。垂直方向配線２２Ｂは、アノードパッド４４ａＢ１、アノードピラー４２ａＢ１、アノードパッド４４ａＢ２、アノードピラー４２ａＢ２、アノードパッド４４ａＢ３及びダミーピラー４５Ｂ１により構成されている。垂直方向配線２２Ｃは、カソードパッド４１ｃＲ、カソードピラー４０ｃＲ、カソードパッド４１ｃＧ、カソードピラー４０ｃＧ、カソードパッド４１ｃＢ及びダミーピラー４５Ｂ２により構成されている。
【0032】
発光部２４は、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かって並ぶように薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０ＢがＺ方向から見た際に重複することにより構成されている。薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂは、互いの中心が一致し、該中心が画素部８の中心（すなわち画素エリアの中央）に位置すると共に、外形のＸ方向及びＹ方向の位置が一致するように、Ｚ方向に重なっている。以下では、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂをまとめて、薄膜ＬＥＤ３０とも呼ぶ。
【0033】
回路基板１０の内部には、カソード共通配線が設けられている。カソード共通配線は、ＬＥＤディスプレイ表示部２の領域外においてＸ方向及びＹ方向に沿って直線状に配置されていると共に、Ｘ方向に並ぶ複数の発光部２４からなる１列の発光部列と、該発光部列に対しＹ方向に隣接する発光部列との間において、Ｘ方向に沿って直線状に配置されている。またこのカソード共通配線は、駆動ドライバ６の共通カソード接続端子に終端している。
【0034】
［１－４－１．第１の薄膜層の構成］
図４、図５及び図６に示すように、第１の薄膜層２０Ｒは、第１の平坦化層としてのベース層２６Ｒ、カバー層２８Ｒ、第１の半導体素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ、カソードピラー４０ｃＲ、カソードパッド４１ｃＲ並びにダミーピラー４５Ｒにより構成されている。
図４、図５及び図６に示すように、第１の薄膜層２０Ｒは、第１の平坦化層としてのベース層２６Ｒ、カバー層２８Ｒ、第１の半導体素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ、カソードピラー４０ｃＲ、カソードパッド４１ｃＲ並びにダミーピラー４５Ｒにより構成されている。
【0035】
ベース層２６Ｒは、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の有機絶縁材料や、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁材料からなる透明絶縁材料により構成されており、十分な絶縁性を備えている。このベース層２６Ｒは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図４）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されている。またベース層２６Ｒは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図５）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されている。以下では、ベース層２６Ｒの上面をベース層上面２６ＲＳ１とも呼び、ベース層２６Ｒの下面をベース層下面２６ＲＳ２とも呼ぶ。
【0036】
薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、カバー層２８Ｒ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｒの上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、例えばＧａＡｓ系材料等のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料により形成された、赤色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｒは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒの＋Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0037】
引出配線３６ａＲ（図５）は、アノード電極３２Ｒにおける上面とアノードパッド４４ａＲとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ａＲは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ａＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ａＲは、引出配線３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0038】
引出配線３６ｃＲ（図４）は、カソード電極３４Ｒにおける上面とカソードパッド４１ｃＲとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ｃＲは、層間絶縁膜３８ａＲ（図５）と同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ｃＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ｃＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ｃＲは、引出配線３６ｃＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0039】
アノードピラー４２ａＧ（図４）は、回路基板１０の回路接続パッド１２ＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｇの一部分を構成している。このアノードピラー４２ａＧは、アノードパッド４４ａＧ１上（＋Ｚ方向側）に該アノードパッド４４ａＧ１と一体化して形成されている。またこのアノードピラー４２ａＧは、上面をカバー層２８Ｒから露出させている。またアノードパッド４４ａＧ１は、下面をベース層２６Ｒから露出させている。
【0040】
アノードピラー４２ａＢ１（図５）は、回路基板１０の回路接続パッド１２ＢとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｂの一部分を構成している。このアノードピラー４２ａＢ１は、アノードパッド４４ａＢ１上（＋Ｚ方向側）に該アノードパッド４４ａＢ１と一体化して形成されている。またこのアノードピラー４２ａＢ１は、上面をカバー層２８Ｒから露出させている。またアノードパッド４４ａＢ１は、下面をベース層２６Ｒから露出させている。
【0041】
カソードピラー４０ｃＲ（図４）は、回路基板１０の回路接続パッド１２ＣとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｃの一部分を構成している。このカソードピラー４０ｃＲは、カソードパッド４１ｃＲ上（＋Ｚ方向側）に該カソードパッド４１ｃＲと一体化して形成されている。またこのカソードピラー４０ｃＲは、上面をカバー層２８Ｒから露出させている。またカソードパッド４１ｃＲは、下面をベース層２６Ｒから露出させている。
【0042】
ダミーピラー４５Ｒ（図５）は、回路基板１０の回路接続パッド１２ＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｒの一部分を構成している。このダミーピラー４５Ｒは、アノードパッド４４ａＲ上（＋Ｚ方向側）に該アノードパッド４４ａＲと一体化して形成されている。またこのダミーピラー４５Ｒは、上面をカバー層２８Ｒから露出させている。またアノードパッド４４ａＲは、下面をベース層２６Ｒから露出させている。
【0043】
上述したアノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲは、金、銅、アルミニウムや酸化インジウムスズ等の導電性材料により構成されている。またアノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１、カソードピラー４０ｃＲ並びにダミーピラー４５Ｒは、金、銅やアルミニウム等の熱伝導率の高い導電性材料により構成されている。さらに層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0044】
カバー層２８Ｒは、例えば、ベース層２６Ｒと同一の透明絶縁材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。このカバー層２８Ｒは、アノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１、カソードピラー４０ｃＲ並びにダミーピラー４５Ｒを除いた、ベース層２６Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲを、ベース層２６Ｒとの間において内部に埋め込んでいる。
【0045】
また第１の薄膜層２０Ｒは、上面（以下ではこれを第１の薄膜層上面２０ＲＳ１とも呼ぶ）が、極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層２０Ｒでは、カバー層２８Ｒ、アノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１、カソードピラー４０ｃＲ並びにダミーピラー４５Ｒの上面が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、カバー層２８Ｒ、アノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１、カソードピラー４０ｃＲ並びにダミーピラー４５Ｒの上面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0046】
具体的に第１の薄膜層２０Ｒでは、第１の薄膜層上面２０ＲＳ１の表面粗さ、すなわち、カバー層２８Ｒ、アノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１、カソードピラー４０ｃＲ並びにダミーピラー４５Ｒの上面における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0047】
さらに第１の薄膜層２０Ｒは、下面（以下ではこれを第１の薄膜層下面２０ＲＳ２とも呼ぶ）が、通気溝５０Ｒ（詳細は後述する）を除いて極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第１の薄膜層２０Ｒでは、ベース層２６Ｒ、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲの下面が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、ベース層２６Ｒ、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0048】
具体的に第１の薄膜層２０Ｒでは、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２の表面粗さ、すなわち、ベース層２６Ｒ、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＢ１及び４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲの下面における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0049】
［１－４－２．通気溝の構成］
図２、図４、図５及び図６に示すように、ベース層下面２６ＲＳ２の全面には、横断面が半円形状で＋Ｚ方向に向かって凹んだ第１の溝部としての通気溝５０Ｒが形成されている。このためベース層下面２６ＲＳ２（すなわち第１の薄膜層下面２０ＲＳ２）は、通気溝５０Ｒが形成されていない箇所が基板表面１０Ｓと接触している一方、通気溝５０Ｒが形成されている箇所が基板表面１０Ｓと接触しておらず基板表面１０Ｓとの間に隙間が形成されている。この通気溝５０Ｒは、ベース層下面２６ＲＳ２の全面において互いにつながっていると共に、ＸＹ方向の端部が、ベース層２６ＲのＸＹ方向の端面に達している。このため通気溝５０Ｒは、ベース層２６ＲのＸＹ方向の端面に形成された半円形状の通気口を介しベース層２６Ｒの外部と連通しており、通気溝５０Ｒ内の空気をベース層２６Ｒの外部へ排出可能となっている。
図２、図４、図５及び図６に示すように、ベース層下面２６ＲＳ２の全面には、横断面が半円形状で＋Ｚ方向に向かって凹んだ第１の溝部としての通気溝５０Ｒが形成されている。このためベース層下面２６ＲＳ２（すなわち第１の薄膜層下面２０ＲＳ２）は、通気溝５０Ｒが形成されていない箇所が基板表面１０Ｓと接触している一方、通気溝５０Ｒが形成されている箇所が基板表面１０Ｓと接触しておらず基板表面１０Ｓとの間に隙間が形成されている。この通気溝５０Ｒは、ベース層下面２６ＲＳ２の全面において互いにつながっていると共に、ＸＹ方向の端部が、ベース層２６ＲのＸＹ方向の端面に達している。このため通気溝５０Ｒは、ベース層２６ＲのＸＹ方向の端面に形成された半円形状の通気口を介しベース層２６Ｒの外部と連通しており、通気溝５０Ｒ内の空気をベース層２６Ｒの外部へ排出可能となっている。
【0050】
また通気溝５０Ｒは、Ｚ方向から見た際に、各画素部８間においてＸ方向に沿って延びる直線形状と、各画素部８間においてＹ方向に沿って延びる直線形状とが組み合わされ、各画素部８を囲う正方形を有する格子状となっている。このため通気溝５０Ｒは、各画素部８において、画素部８の中心から見た際に、垂直方向配線２２（カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ）よりもＸＹ方向の外側に配置されている。これにより通気溝５０Ｒは、Ｚ方向から見た際に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢと重ならない領域（すなわち避けた領域）に配置されている。以下では、カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１を、第１の接続部とも呼ぶ。このような通気溝５０Ｒは、換言すれば、複数の薄膜ＬＥＤ３０Ｒが配列されたＸＹ方向を少なくとも一部分に含む方向に延在しているとも言える。
【0051】
さらに通気溝５０Ｒは、Ｚ方向の高さ（深さ）がベース層２６Ｒの高さの２分の１以下であり、ベース層下面２６ＲＳ２の全面においてその高さが同一となっている。このようにＬＥＤディスプレイ装置１は、通気溝５０Ｒの高さを高くしすぎないことにより、ベース層２６Ｒの強度を保っている。またＬＥＤディスプレイ装置１は、ベース層２６Ｒの強度を保てる範囲内で通気溝５０Ｒの高さを高くし横断面の面積を可能な限り広く設定すると、ベース層２６Ｒと基板表面１０Ｓとの間から空気を外部へ排出しやすくなるため好ましい。
【0052】
［１－４－３．第２の薄膜層の構成］
図４、図５及び図７に示すように、第２の薄膜層２０Ｇは、第２の平坦化層としてのベース層２６Ｇ、カバー層２８Ｇ、第２の半導体素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ、アノードピラー４２ａＢ２、アノードパッド４４ａＢ２及び４４ａＧ２、カソードピラー４０ｃＧ、カソードパッド４１ｃＧ、ダミーピラー４５Ｇ１及び４５Ｇ２並びにダミーパッド４７Ｇにより構成されている。
図４、図５及び図７に示すように、第２の薄膜層２０Ｇは、第２の平坦化層としてのベース層２６Ｇ、カバー層２８Ｇ、第２の半導体素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ、アノードピラー４２ａＢ２、アノードパッド４４ａＢ２及び４４ａＧ２、カソードピラー４０ｃＧ、カソードパッド４１ｃＧ、ダミーピラー４５Ｇ１及び４５Ｇ２並びにダミーパッド４７Ｇにより構成されている。
【0053】
ベース層２６Ｇは、ベース層２６Ｒと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇが発する光の波長に対して透明となっている。このベース層２６Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図４）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されている。またベース層２６Ｇは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図５）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されている。以下では、ベース層２６Ｇの上面をベース層上面２６ＧＳ１とも呼び、ベース層２６Ｇの下面をベース層下面２６ＧＳ２とも呼ぶ。
【0054】
薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、カバー層２８Ｇ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｇの上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｇは、例えばＧａＮ系材料やＧａＰ系材料により形成された、緑色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｇは、薄膜ＬＥＤ３０Ｇの＋Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0055】
引出配線３６ａＧ（図４）は、アノード電極３２Ｇにおける上面とアノードパッド４４ａＧ２とにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ａＧは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ａＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ａＧは、引出配線３６ａＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0056】
引出配線３６ｃＧ（図４）は、カソード電極３４Ｇにおける上面とカソードパッド４１ｃＧとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ｃＧは、層間絶縁膜３８ａＧと同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ｃＧよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ｃＧは、引出配線３６ｃＧと薄膜ＬＥＤ３０Ｇとの不要な部分の短絡を保護する。
【0057】
アノードピラー４２ａＢ２（図５）は、第１の薄膜層２０Ｒのアノードピラー４２ａＢ１とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｂの一部分を構成している。このアノードピラー４２ａＢ２は、アノードパッド４４ａＢ２上（＋Ｚ方向側）に該アノードパッド４４ａＢ２と一体化して形成されている。またこのアノードピラー４２ａＢ２は、上面をカバー層２８Ｇから露出させている。またアノードパッド４４ａＢ２は、下面をベース層２６Ｇから露出させている。
【0058】
カソードピラー４０ｃＧ（図４）は、第１の薄膜層２０Ｒのカソードピラー４０ｃＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｃの一部分を構成している。このカソードピラー４０ｃＧは、カソードパッド４１ｃＧ上（＋Ｚ方向側）に該カソードパッド４１ｃＧと一体化して形成されている。またこのカソードピラー４０ｃＧは、上面をカバー層２８Ｇから露出させている。またカソードパッド４１ｃＧは、下面をベース層２６Ｇから露出させている。
【0059】
ダミーピラー４５Ｇ１（図４）は、第１の薄膜層２０Ｒのアノードピラー４２ａＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｇの一部分を構成している。このダミーピラー４５Ｇ１は、アノードパッド４４ａＧ２上（＋Ｚ方向側）に該アノードパッド４４ａＧ２と一体化して形成されている。またこのダミーピラー４５Ｇ１は、上面をカバー層２８Ｇから露出させている。またアノードパッド４４ａＧ２は、下面をベース層２６Ｇから露出させている。
【0060】
ダミーピラー４５Ｇ２（図５）は、第１の薄膜層２０Ｒのダミーピラー４５ＲとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｒの一部分を構成している。このダミーピラー４５Ｇ２は、ダミーパッド４７Ｇ上（＋Ｚ方向側）に該ダミーパッド４７Ｇと一体化して形成されている。またこのダミーピラー４５Ｇ２は、上面をカバー層２８Ｇから露出させている。またダミーパッド４７Ｇは、下面をベース層２６Ｇから露出させている。
【0061】
上述したアノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、アノードパッド４４ａＢ２及び４４ａＧ２、カソードパッド４１ｃＧ並びにダミーパッド４７Ｇは、金、銅、アルミニウムや酸化インジウムスズ等の導電性材料により構成されている。またアノードピラー４２ａＢ２、カソードピラー４０ｃＧ並びにダミーピラー４５Ｇ１及び４５Ｇ２は、金、銅やアルミニウム等の熱伝導率の高い導電性材料により構成されている。さらに層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０Ｇが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0062】
カバー層２８Ｇは、例えば、ベース層２６Ｇと同一の透明絶縁材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び３０ＢＧが発する光の波長に対して透明となっている。このカバー層２８Ｇは、アノードピラー４２ａＢ２、カソードピラー４０ｃＧ並びにダミーピラー４５Ｇ１及び４５Ｇ２を除いた、ベース層２６Ｇ、薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ、アノードパッド４４ａＢ２、カソードパッド４１ｃＧ、アノードパッド４４ａＧ２並びにダミーパッド４７Ｇを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｇ、アノード電極３２Ｇ、カソード電極３４Ｇ、引出配線３６ａＧ及び３６ｃＧ、層間絶縁膜３８ａＧ及び３８ｃＧ、アノードパッド４４ａＢ２、カソードパッド４１ｃＧ、アノードパッド４４ａＧ２並びにダミーパッド４７Ｇをベース層２６Ｇとの間において内部に埋め込んでいる。
【0063】
また第２の薄膜層２０Ｇは、上面（以下ではこれを第２の薄膜層上面２０ＧＳ１とも呼ぶ）が、極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層２０Ｇでは、カバー層２８Ｇ、アノードピラー４２ａＢ２、カソードピラー４０ｃＧ並びにダミーピラー４５Ｇ１及び４５Ｇ２の上面が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、カバー層２８Ｇ、アノードピラー４２ａＢ２、カソードピラー４０ｃＧ並びにダミーピラー４５Ｇ１及び４５Ｇ２の上面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0064】
具体的に第２の薄膜層２０Ｇでは、第２の薄膜層上面２０ＧＳ１の表面粗さ、すなわち、カバー層２８Ｇ、アノードピラー４２ａＢ２、カソードピラー４０ｃＧ並びにダミーピラー４５Ｇ１及び４５Ｇ２の上面における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0065】
さらに第２の薄膜層２０Ｇは、下面（以下ではこれを第２の薄膜層下面２０ＧＳ２とも呼ぶ）が、通気溝５０Ｇを除いて極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第２の薄膜層２０Ｇでは、ベース層２６Ｇ、アノードパッド４４ａＢ２、カソードパッド４１ｃＧ、アノードパッド４４ａＧ２及びダミーパッド４７Ｇの下面が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、ベース層２６Ｇ、アノードパッド４４ａＢ２、カソードパッド４１ｃＧ、アノードパッド４４ａＧ２及びダミーパッド４７Ｇの下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0066】
具体的に第２の薄膜層２０Ｇでは、第２の薄膜層下面２０ＧＳ２の表面粗さ、すなわち、ベース層２６Ｇ、アノードパッド４４ａＢ２、カソードパッド４１ｃＧ、アノードパッド４４ａＧ２及びダミーパッド４７Ｇの下面における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0067】
［１－４－４．通気溝の構成］
図２、図４、図５及び図７に示すように、第２の溝部としての通気溝５０Ｇは、ベース層下面２６ＧＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝５０Ｒと同様に構成されている。すなわち通気溝５０Ｇは、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝５０Ｒと同一となっている。以下では、アノードパッド４４ａＢ２及び４４ａＧ２、カソードパッド４１ｃＧ並びにダミーパッド４７Ｇを、第２の接続部とも呼ぶ。
図２、図４、図５及び図７に示すように、第２の溝部としての通気溝５０Ｇは、ベース層下面２６ＧＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝５０Ｒと同様に構成されている。すなわち通気溝５０Ｇは、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝５０Ｒと同一となっている。以下では、アノードパッド４４ａＢ２及び４４ａＧ２、カソードパッド４１ｃＧ並びにダミーパッド４７Ｇを、第２の接続部とも呼ぶ。
【0068】
［１－４－５．第３の薄膜層の構成］
図４、図５及び図８に示すように、第３の薄膜層２０Ｂは、第３の平坦化層としてのベース層２６Ｂ、カバー層２８Ｂ、第３の半導体素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ、ダミーピラー４５Ｂ１、４５Ｂ２、４５Ｂ３及び４５Ｂ４並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２により構成されている。
図４、図５及び図８に示すように、第３の薄膜層２０Ｂは、第３の平坦化層としてのベース層２６Ｂ、カバー層２８Ｂ、第３の半導体素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ、ダミーピラー４５Ｂ１、４５Ｂ２、４５Ｂ３及び４５Ｂ４並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２により構成されている。
【0069】
ベース層２６Ｂは、ベース層２６Ｒと同様の材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂが発する光の波長に対して透明となっている。このベース層２６Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａ（図４）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されている。またベース層２６Ｂは、ＢＢ断面方向Ｄｂ（図５）に関して、画素部８における一端部から他端部までに亘って延設されている。以下では、ベース層２６Ｂの上面をベース層上面２６ＢＳ１とも呼び、ベース層２６Ｂの下面をベース層下面２６ＢＳ２とも呼ぶ。
【0070】
薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに関し画素部８における中央部に配され、ＡＡ断面方向Ｄａ及びＢＢ断面方向Ｄｂに所定の範囲の長さを有し、Ｚ方向の厚さが３［μｍ］以下であり、カバー層２８Ｂ内に埋め込まれた薄膜無機発光素子である。薄膜ＬＥＤ３０Ｂの上面である発光面は、ＸＹ方向に沿った平面となっている。この薄膜ＬＥＤ３０Ｂは、例えばＧａＮ系材料により形成された、青色の光を発するＬＥＤである。アノード電極３２Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側の中央部に形成されたアノード上に配置されている。カソード電極３４Ｂは、薄膜ＬＥＤ３０Ｂの＋Ｚ方向側における－Ｘ－Ｙ方向側に形成されたカソード上に配置されている。
【0071】
引出配線３６ａＢ（図５）は、アノード電極３２Ｂにおける上面とアノードパッド４４ａＢ３とにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ａＢは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ａＢよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ａＢは、引出配線３６ａＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの不要な部分の短絡を保護する。
【0072】
引出配線３６ｃＢ（図４）は、カソード電極３４Ｂにおける上面とカソードパッド４１ｃＢとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ｃＢは、層間絶縁膜３８ａＲと同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ｃＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ｃＢよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ｃＢは、引出配線３６ｃＢと薄膜ＬＥＤ３０Ｂとの不要な部分の短絡を保護する。
【0073】
ダミーピラー４５Ｂ１（図５）は、第２の薄膜層２０Ｇのアノードピラー４２ａＢ２とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｂの一部分を構成している。このダミーピラー４５Ｂ１は、アノードパッド４４ａＢ３上（＋Ｚ方向側）に該アノードパッド４４ａＢ３と一体化して形成されている。またこのダミーピラー４５Ｂ１は、上面をカバー層２８Ｂから露出させている。またアノードパッド４４ａＢ３は、下面をベース層２６Ｂから露出させている。
【0074】
ダミーピラー４５Ｂ２（図４）は、第２の薄膜層２０Ｇのカソードピラー４０ｃＧとＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｃの一部分を構成している。このダミーピラー４５Ｂ２はカソードパッド４１ｃＢ上（＋Ｚ方向側）に該カソードパッド４１ｃＢと一体化して形成されている。またこのダミーピラー４５Ｂ２は、上面をカバー層２８Ｂから露出させている。またカソードパッド４１ｃＢは、下面をベース層２６Ｂから露出させている。
【0075】
ダミーピラー４５Ｂ３（図４）は、第２の薄膜層２０Ｇのダミーピラー４５Ｇ１とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｇの一部分を構成している。このダミーピラー４５Ｂ３は、ダミーパッド４７Ｂ１上（＋Ｚ方向側）に該ダミーパッド４７Ｂ１と一体化して形成されている。またこのダミーピラー４５Ｂ３は、上面をカバー層２８Ｂから露出させている。またダミーパッド４７Ｂ１は、下面をベース層２６Ｂから露出させている。
【0076】
ダミーピラー４５Ｂ４（図５）は、第２の薄膜層２０Ｇのダミーピラー４５Ｇ２とＺ方向に対向する位置に配され、垂直方向配線２２Ｒの一部分を構成している。このダミーピラー４５Ｂ４は、ダミーパッド４７Ｂ２上（＋Ｚ方向側）に該ダミーパッド４７Ｂ２と一体化して形成されている。またこのダミーピラー４５Ｂ４は、上面をカバー層２８Ｂから露出させている。またダミーパッド４７Ｂ２は、下面をベース層２６Ｂから露出させている。
【0077】
上述したアノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２は、金、銅、アルミニウムや酸化インジウムスズ等の導電性材料により構成されている。またダミーピラー４５Ｂ１、４５Ｂ２、４５Ｂ３及び４５Ｂ４は、金、銅やアルミニウム等の熱伝導率の高い導電性材料により構成されている。さらに層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0078】
カバー層２８Ｂは、例えば、ベース層２６Ｂと同一の透明絶縁材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂが発する光の波長に対して透明となっている。このカバー層２８Ｂは、ダミーピラー４５Ｂ１、４５Ｇ２、４５Ｇ３及び４５Ｇ４を除いた、ベース層２６Ｂ、薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２を＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｂ、アノード電極３２Ｂ、カソード電極３４Ｂ、引出配線３６ａＢ及び３６ｃＢ、層間絶縁膜３８ａＢ及び３８ｃＢ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２を、ベース層２６Ｂとの間において内部に埋め込んでいる。
【0079】
また第３の薄膜層２０Ｂは、下面（以下ではこれを第３の薄膜層下面２０ＢＳ２とも呼ぶ）が、通気溝５０Ｂを除いて極めて平坦な平面状に形成されている。すなわち第３の薄膜層２０Ｂでは、ベース層２６Ｂ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２の下面が何れも極めて平坦であり、且つそれぞれが互いに平行な平面となっており、さらにそれぞれのＺ方向に関する距離（すなわち段差）も極めて小さくなっている。すなわち、ベース層２６Ｂ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２の下面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0080】
具体的に第３の薄膜層２０Ｂでは、第３の薄膜層下面２０ＢＳ２の表面粗さ、すなわち、ベース層２６Ｂ、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２の下面における表面粗さＧｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。また以下では、引出配線３６ａＲ、３６ｃＲ、３６ａＧ、３６ｃＧ、３６ａＢ及び３６ｃＢをまとめて、引出配線３６とも呼ぶ。
【0081】
［１－４－６．通気溝の構成］
図２、図４、図５及び図８に示すように、第３の溝部としての通気溝５０Ｂは、ベース層下面２６ＢＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝５０Ｒとベース層２６Ｇにおける通気溝５０Ｇと同様に構成されている。すなわち通気溝５０Ｂは、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒ及び５０Ｇと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝５０Ｒ及び５０Ｇと同一となっている。以下では、通気溝５０Ｒ、５０Ｇ及び５０Ｂをまとめて通気溝５０とも呼ぶ。また以下では、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２を、第３の接続部とも呼ぶ。
図２、図４、図５及び図８に示すように、第３の溝部としての通気溝５０Ｂは、ベース層下面２６ＢＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝５０Ｒとベース層２６Ｇにおける通気溝５０Ｇと同様に構成されている。すなわち通気溝５０Ｂは、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒ及び５０Ｇと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝５０Ｒ及び５０Ｇと同一となっている。以下では、通気溝５０Ｒ、５０Ｇ及び５０Ｂをまとめて通気溝５０とも呼ぶ。また以下では、アノードパッド４４ａＢ３、カソードパッド４１ｃＢ並びにダミーパッド４７Ｂ１及び４７Ｂ２を、第３の接続部とも呼ぶ。
【0082】
［１－５．薄膜層及び回路基板の接続関係］
［１－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層２０Ｒの第１の薄膜層下面２０ＲＳ２とは、通気溝５０Ｒを除いた面において分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層２０Ｒの第１の薄膜層上面２０ＲＳ１と、第２の薄膜層２０Ｇの第２の薄膜層下面２０ＧＳ２とは、通気溝５０Ｇを除いた面において分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層２０Ｇの第２の薄膜層上面２０ＧＳ１と、第３の薄膜層２０Ｂの第３の薄膜層下面２０ＢＳ２とは、通気溝５０Ｂを除いた面において分子間力により物理的に接合されている。
［１－５－１．回路基板及び薄膜層の物理的接続関係］
回路基板１０の基板表面１０Ｓと、第１の薄膜層２０Ｒの第１の薄膜層下面２０ＲＳ２とは、通気溝５０Ｒを除いた面において分子間力により物理的に接合されている。また、第１の薄膜層２０Ｒの第１の薄膜層上面２０ＲＳ１と、第２の薄膜層２０Ｇの第２の薄膜層下面２０ＧＳ２とは、通気溝５０Ｇを除いた面において分子間力により物理的に接合されている。さらに、第２の薄膜層２０Ｇの第２の薄膜層上面２０ＧＳ１と、第３の薄膜層２０Ｂの第３の薄膜層下面２０ＢＳ２とは、通気溝５０Ｂを除いた面において分子間力により物理的に接合されている。
【0083】
このようにＬＥＤディスプレイ表示部２においては、それぞれ、基板表面１０Ｓと第１の薄膜層下面２０ＲＳ２と、第１の薄膜層上面２０ＲＳ１と第２の薄膜層下面２０ＧＳ２と、第２の薄膜層上面２０ＧＳ１と第３の薄膜層下面２０ＢＳ２とが、金属接合ではなく、分子間力接合されている。以下では、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２、第２の薄膜層下面２０ＧＳ２及び第３の薄膜層下面２０ＢＳ２をまとめて、薄膜層下面２０Ｓ２（図示せず）とも呼ぶ。
【0084】
［１－５－２．回路基板及び薄膜層の電気的接続関係］
回路接続パッド１２Ｒ（図５）は、上面が第１の薄膜層２０Ｒのアノードパッド４４ａＲの下面に分子間力により物理的に接合されており、アノードパッド４４ａＲ及び引出配線３６ａＲを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｒのアノード電極３２Ｒに電気的に接続されている。またダミーピラー４５Ｒは、上面が第２の薄膜層２０Ｇのダミーパッド４７Ｇの下面に分子間力により物理的に接合されている。ダミーピラー４５Ｇ２は、上面が第３の薄膜層２０Ｂのダミーパッド４７Ｂ２の下面に分子間力により物理的に接合されている。
回路接続パッド１２Ｒ（図５）は、上面が第１の薄膜層２０Ｒのアノードパッド４４ａＲの下面に分子間力により物理的に接合されており、アノードパッド４４ａＲ及び引出配線３６ａＲを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｒのアノード電極３２Ｒに電気的に接続されている。またダミーピラー４５Ｒは、上面が第２の薄膜層２０Ｇのダミーパッド４７Ｇの下面に分子間力により物理的に接合されている。ダミーピラー４５Ｇ２は、上面が第３の薄膜層２０Ｂのダミーパッド４７Ｂ２の下面に分子間力により物理的に接合されている。
【0085】
回路接続パッド１２Ｇ（図４）は、上面が第１の薄膜層２０Ｒのアノードパッド４４ａＧ１の下面に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー４２ａＧは、上面が第２の薄膜層２０Ｇのアノードパッド４４ａＧ２の下面に分子間力により物理的に接合されている。アノードパッド４４ａＧ２は、引出配線３６ａＧと物理的に接触している。このため回路接続パッド１２Ｇは、アノードパッド４４ａＧ１、アノードピラー４２ａＧ、アノードパッド４４ａＧ２及び引出配線３６ａＧを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｇのアノード電極３２Ｇに電気的に接続されている。またダミーピラー４５Ｇ１は、上面が第３の薄膜層２０Ｂのダミーパッド４７Ｂ１の下面に分子間力により物理的に接合されている。
【0086】
回路接続パッド１２Ｂ（図５）は、上面が第１の薄膜層２０Ｒのアノードパッド４４ａＢ１の下面に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー４２ａＢ１は、上面が第２の薄膜層２０Ｇのアノードパッド４４ａＢ２の下面に分子間力により物理的に接合されている。アノードピラー４２ａＢ２は、上面が第３の薄膜層２０Ｂのアノードパッド４４ａＢ３の下面に分子間力により物理的に接合されている。アノードパッド４４ａＢ３は、引出配線３６ａＢと物理的に接触している。このため回路接続パッド１２Ｂは、アノードパッド４４ａＢ１、アノードピラー４２ａＢ１、アノードパッド４４ａＢ２、アノードピラー４２ａＢ２、アノードパッド４４ａＢ３及び引出配線３６ａＢを介し薄膜ＬＥＤ３０Ｂのアノード電極３２Ｂに電気的に接続されている。
【0087】
回路接続パッド１２Ｃ（図４）は、上面が第１の薄膜層２０Ｒのカソードパッド４１ｃＲの下面に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー４０ｃＲは、上面が第２の薄膜層２０Ｇのカソードパッド４１ｃＧの下面に分子間力により物理的に接合されている。カソードピラー４０ｃＧは、上面が第３の薄膜層２０Ｂのカソードパッド４１ｃＢの下面に分子間力により物理的に接合されている。カソードパッド４１ｃＢは、引出配線３６ｃＢと物理的に接触している。このためカソード電極３４Ｂは、引出配線３６ｃＢ、カソードパッド４１ｃＢ、カソードピラー４０ｃＧ、カソードパッド４１ｃＧ、カソードピラー４０ｃＲ、カソードパッド４１ｃＲ及び回路接続パッド１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0088】
また引出配線３６ｃＧは、カソードパッド４１ｃＧと物理的に接触している。このためカソード電極３４Ｇは、引出配線３６ｃＧ、カソードパッド４１ｃＧ、カソードピラー４０ｃＲ、カソードパッド４１ｃＲ及び回路接続パッド１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0089】
さらに引出配線３６ｃＲは、カソードパッド４１ｃＲと物理的に接触している。このためカソード電極３４Ｒは、引出配線３６ｃＲ、カソードパッド４１ｃＲ及び回路接続パッド１２Ｃを介し、配線層１６のカソード共通配線と電気的に接続されている。
【0090】
［１－６．ＬＥＤディスプレイ表示部の製造方法］
次に、ＬＥＤディスプレイ装置１におけるＬＥＤディスプレイ表示部２の画素部８あたりの製造方法の一例を、図９及び図１０を用いて説明する。因みに、図９及び図１０は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
次に、ＬＥＤディスプレイ装置１におけるＬＥＤディスプレイ表示部２の画素部８あたりの製造方法の一例を、図９及び図１０を用いて説明する。因みに、図９及び図１０は、何れも＋Ｚ方向を上方向に向けた状態を表す模式的な断面図となっている。説明の都合上、ここでは、＋Ｚ方向を上方向とも呼び、－Ｚ方向を下方向とも呼ぶ。
【0091】
［１－６－１．第１の薄膜層の製造方法］
まず、第１の薄膜層２０Ｒの製造方法について、図９を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、犠牲層形成工程として、図９（Ａ）に示すように、所定の形成基板６８Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、例えばＳｉＯ２、アルミニウムやアルミナ等から構成された、エッチングにより除去可能な犠牲層７０Ｒを形成する。犠牲層７０Ｒには、通気溝５０Ｒに対応する凸部７２Ｒが格子状に形成されている。また、犠牲層７０Ｒの表面は、格子状の凸部７２Ｒを除き表面粗さＲｐｖが１０［ｎｍ］以下で平坦化されている。なお犠牲層７０Ｒは、同一薬液で除去可能な複数の素材を組み合わせた構造でも良い。例えば、平坦なアルミナ上にアルミニウムによる格子状の凸部７２Ｒを形成した場合、製造装置６０は、アルミナとアルミニウムとをリン酸で同時に除去可能である。
まず、第１の薄膜層２０Ｒの製造方法について、図９を参照しながら説明する。まず製造装置６０は、犠牲層形成工程として、図９（Ａ）に示すように、所定の形成基板６８Ｒの上側、すなわち＋Ｚ方向側に、例えばＳｉＯ２、アルミニウムやアルミナ等から構成された、エッチングにより除去可能な犠牲層７０Ｒを形成する。犠牲層７０Ｒには、通気溝５０Ｒに対応する凸部７２Ｒが格子状に形成されている。また、犠牲層７０Ｒの表面は、格子状の凸部７２Ｒを除き表面粗さＲｐｖが１０［ｎｍ］以下で平坦化されている。なお犠牲層７０Ｒは、同一薬液で除去可能な複数の素材を組み合わせた構造でも良い。例えば、平坦なアルミナ上にアルミニウムによる格子状の凸部７２Ｒを形成した場合、製造装置６０は、アルミナとアルミニウムとをリン酸で同時に除去可能である。
【0092】
次に製造装置６０は、平坦化層形成工程として、図９（Ｂ）に示すように、犠牲層７０Ｒの上側にベース層２６Ｒを製膜し、半導体素子形成工程として、図９（Ｃ）に示すように、さらにその上側に１又は複数の薄膜ＬＥＤ３０Ｒを接合して形成する。次に製造装置６０は、接続部形成工程として、図９（Ｄ）に示すように、エッチング処理によりベース層２６Ｒに開口のパターニングを行うと共に、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及びベース層２６Ｒの上に、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、アノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ（図５）及び４４ａＢ１（図５）並びにカソードパッド４１ｃＲを形成する。
【0093】
次に製造装置６０は、引出配線形成工程として、図９（Ｅ）に示すように、リソグラフィやスパッタリング等の手法によりパターニング処理を行い、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及びベース層２６Ｒの上に層間絶縁膜３８ｃＲ及び３８ａＲ（図５）を形成すると共に、引出配線３６ｃＲ及び３６ａＲ（図５）を形成し、カソード電極３４Ｒとカソードパッド４１ｃＲとを接続し、アノード電極３２Ｒ（図５）とアノードパッド４４ａＲ（図５）とを接続する。
【0094】
次に製造装置６０は、導電ピラー形成工程として、図９（Ｆ）に示すように、カバー層２８Ｒにより埋め込みを行い該カバー層２８Ｒに開口のパターニングを行った後に、開口から露出しているアノードパッド４４ａＧ１、カソードパッド４１ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ（図５）及びアノードパッド４４ａＢ１（図５）上に、アノードピラー４２ａＧ、カソードピラー４０ｃＲ、ダミーピラー４５Ｒ（図５）及びアノードピラー４２ａＢ１（図５）をメッキ法により形成する。次に製造装置６０は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）による平坦化処理を行い、カバー層２８Ｒ、アノードピラー４２ａＧ、カソードピラー４０ｃＲ、ダミーピラー４５Ｒ（図５）及びアノードピラー４２ａＢ１（図５）の上面を平坦化する。これにより、アノードピラー４２ａＧ、カソードピラー４０ｃＲ、ダミーピラー４５Ｒ（図５）及びアノードピラー４２ａＢ１（図５）の上面がカバー層２８Ｒから露出する。ここで、接続部形成工程として引出配線形成工程（図９（Ｅ））及び導電ピラー形成工程（図９（Ｆ））を含めても良い。
【0095】
第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの製造方法は、上述した第１の薄膜層２０Ｒの製造方法とほぼ同様であるため、その説明を省略する。
【0096】
［１－６－２．積層接合の工程］
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂを、回路基板１０に積層させる積層接合の工程について、図１０を参照しながら説明する。
次に、上述した製造方法により製造された第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂを、回路基板１０に積層させる積層接合の工程について、図１０を参照しながら説明する。
【0097】
まず製造装置６０は、溝部形成工程として、図１０（Ａ）の左側に示すように、エッチング処理により犠牲層７０Ｒ（図９（Ｆ））をエッチングして除去することにより、第１の薄膜層２０Ｒを形成基板６８Ｒから分離する。これにより、アノードパッド４４ａＧ１、カソードパッド４１ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ（図５）及びアノードパッド４４ａＢ１（図５）の下面がベース層２６Ｒから露出する。このとき、ベース層２６Ｒの下面に格子状の凹部である通気溝５０Ｒが形成される。これらベース層２６Ｒ、アノードパッド４４ａＧ１、カソードパッド４１ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ（図５）及びアノードパッド４４ａＢ１（図５）の下面は、通気溝５０Ｒを除いて、犠牲層７０Ｒ（図９）の上面に追従して表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下に平坦となっている。
【0098】
次に製造装置６０は、図１０（Ａ）の右側に示すように、分離した第１の薄膜層２０Ｒを公知のボンディング方法により、回路基板１０の上面に分子間力により接合する。このとき、製造装置６０は、回路基板１０と第１の薄膜層２０Ｒとの間の空気を通気溝５０Ｒを通して第１の薄膜層２０ＲのＸＹ方向の端面から外部へ放出することにより、第１の薄膜層２０Ｒが微細にうねってしまい回路基板１０と第１の薄膜層２０Ｒとの間に気泡が生じることを防止する。
【0099】
次に製造装置６０は、図１０（Ｂ）の左側に示すように、エッチング処理により犠牲層（図示せず）をエッチングして除去することにより、第２の薄膜層２０Ｇを形成基板６８Ｇから分離する。これにより、アノードパッド４４ａＧ２、カソードパッド４１ｃＧ、アノードパッド４４ａＢ２（図５）及びダミーパッド４７Ｇ（図５）の下面がベース層２６Ｇから露出する。このとき、ベース層２６Ｇの下面に格子状の凹部である通気溝５０Ｇが形成される。これらベース層２６Ｇ、アノードパッド４４ａＧ２、カソードパッド４１ｃＧ、アノードパッド４４ａＢ２（図５）及びダミーパッド４７Ｇ（図５）の下面は、通気溝５０Ｇを除いて、犠牲層（図示せず）の上面に追従して表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下に平坦となっている。
【0100】
次に製造装置６０は、図１０（Ｂ）の右側に示すように、分離した第２の薄膜層２０Ｇを公知のボンディング方法により、図１０（Ａ）で回路基板１０に接合させた第１の薄膜層２０Ｒの上面に分子間力により接合する。このとき製造装置６０は、第１の薄膜層２０Ｒと第２の薄膜層２０Ｇとの間の空気を通気溝５０Ｇを通して第２の薄膜層２０ＧのＸＹ方向の端面から外部へ放出することにより、第２の薄膜層２０Ｇが微細にうねってしまい第１の薄膜層２０Ｒ及び第２の薄膜層２０Ｇとの間に気泡が生じることを防止する。
【0101】
次に製造装置６０は、図１０（Ｃ）の左側に示すように、エッチング処理により犠牲層（図示せず）をエッチングして除去することにより、第３の薄膜層２０Ｂを形成基板６８Ｂから分離する。これにより、ダミーパッド４７Ｂ１、カソードパッド４１ｃＢ、アノードパッド４４ａＢ３（図５）及びダミーパッド４７Ｂ２（図５）の下面がベース層２６Ｂから露出する。このとき、ベース層２６Ｂの下面に格子状の凹部である通気溝５０Ｂが形成される。これらベース層２６Ｂ、ダミーパッド４７Ｂ１、カソードパッド４１ｃＢ、アノードパッド４４ａＢ３（図５）及びダミーパッド４７Ｂ２（図５）の下面は、通気溝５０Ｂを除いて、犠牲層（図示せず）の上面に追従して表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下に平坦となっている。
【0102】
次に製造装置６０は、図１０（Ｃ）の右側に示すように、分離した第３の薄膜層２０Ｂを公知のボンディング方法により、図１０（Ｂ）で第１の薄膜層２０Ｒに接合させた第２の薄膜層２０Ｇの上面に分子間力により接合する。このとき製造装置６０は、第２の薄膜層２０Ｇと第３の薄膜層２０Ｂとの間の空気を通気溝５０Ｂを通して第３の薄膜層２０ＢのＸＹ方向の端面から外部へ放出することにより、第３の薄膜層２０Ｂが微細にうねってしまい第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂとの間に気泡が生じることを防止する。
【0103】
［１－７．動作］
かかる構成において、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２を駆動する際、図示しない外部回路から接続端子部５を介し駆動ドライバ６に電源、クロック信号及び画像データ等が入力される。続いてＬＥＤディスプレイ装置１は、駆動ドライバ６から回路基板１０の配線層１６に、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフ信号及び駆動電流を選択的に供給する。供給された駆動電流は、回路接続パッド１２を介し、垂直方向配線２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂと、各薄膜層２０（第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂ）内の引出配線３６とを通過し、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂに、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフに応じて供給される。これによりＬＥＤディスプレイ表示部２が発光する。
かかる構成において、ＬＥＤディスプレイ装置１は、ＬＥＤディスプレイ表示部２を駆動する際、図示しない外部回路から接続端子部５を介し駆動ドライバ６に電源、クロック信号及び画像データ等が入力される。続いてＬＥＤディスプレイ装置１は、駆動ドライバ６から回路基板１０の配線層１６に、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフ信号及び駆動電流を選択的に供給する。供給された駆動電流は、回路接続パッド１２を介し、垂直方向配線２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂと、各薄膜層２０（第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂ）内の引出配線３６とを通過し、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、３０Ｇ及び３０Ｂに、アクティブ素子１４Ｒ、１４Ｇ及び１４Ｂのオンオフに応じて供給される。これによりＬＥＤディスプレイ表示部２が発光する。
【0104】
［１－８．効果］
以上の構成においてＬＥＤディスプレイ装置１は、各薄膜層２０の薄膜層下面２０Ｓ２において、通気溝５０を設けるようにした。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、接合時において、各薄膜層２０（以下では、接合物とも呼ぶ）が、各薄膜層２０の－Ｚ方向側に位置する回路基板１０又は薄膜層２０（以下では、被接合物とも呼ぶ）に対し分子間力で接合される際に、接合物と被接合物との間において空気が局所的に溜まってしまうことを防いで分散させ、該空気を通気溝５０を介し外部へ排出できる。これによりＬＥＤディスプレイ装置１は、接合物がうねっていたとしても、接合時において、接合物と被接合物との間に気泡が生じることを防止できる。かくしてＬＥＤディスプレイ装置１は、製造時において、フィルム状で厚さの薄い各薄膜層２０が、Ｚ方向に移動されつつ接合される際に、各薄膜層２０を被接合物に精度良く接合させることができる。
以上の構成においてＬＥＤディスプレイ装置１は、各薄膜層２０の薄膜層下面２０Ｓ２において、通気溝５０を設けるようにした。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、接合時において、各薄膜層２０（以下では、接合物とも呼ぶ）が、各薄膜層２０の－Ｚ方向側に位置する回路基板１０又は薄膜層２０（以下では、被接合物とも呼ぶ）に対し分子間力で接合される際に、接合物と被接合物との間において空気が局所的に溜まってしまうことを防いで分散させ、該空気を通気溝５０を介し外部へ排出できる。これによりＬＥＤディスプレイ装置１は、接合物がうねっていたとしても、接合時において、接合物と被接合物との間に気泡が生じることを防止できる。かくしてＬＥＤディスプレイ装置１は、製造時において、フィルム状で厚さの薄い各薄膜層２０が、Ｚ方向に移動されつつ接合される際に、各薄膜層２０を被接合物に精度良く接合させることができる。
【0105】
またＬＥＤディスプレイ装置１は、各薄膜層２０の薄膜層下面２０Ｓ２において通気溝５０を設けることにより、専用の特殊な装置や素材を必要とせずに既存手法の応用だけで、製造時において各薄膜層２０を被接合物に接合される際に各薄膜層２０と被接合物との間に気泡が生じることを防止できる。
【0106】
ここで、ベース層２６Ｒの下面を削ることにより通気溝５０Ｒを形成することも考えられる。しかしながらその場合、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２の表面粗さＲｐｖを保ちにくくなってしまうと共に、通気溝５０のＺ方向の高さを精度良く調整しにくくなってしまう。
【0107】
これに対しＬＥＤディスプレイ装置１は、製造時において、凸部７２Ｒを除き表面粗さＲｐｖが１０［ｎｍ］以下で平坦化された犠牲層７０Ｒの上面に凸部７２Ｒを格子状に形成し、エッチング処理により犠牲層７０Ｒ（図９（Ｆ））をエッチングして除去することにより、第１の薄膜層２０Ｒを形成基板６８Ｒから分離するようにした。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２を、通気溝５０Ｒを除いて、犠牲層７０Ｒ（図９）の上面に追従して表面粗さＲｐｖを何れも１０［ｎｍ］以下に平坦にできると共に、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２からの通気溝５０ＲのＺ方向の高さを２０～５０［μｍ］程度まで精度良く調整できる。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。
【0108】
さらにＬＥＤディスプレイ装置１は、製造時において、接合物と被接合物との間の空気を除去しつつ接合させるために、Ｘ方向又はＹ方向の一方向の端部から他方向の端部に向かって徐々に接合物が被接合物に接触するよう接合物を撓ませるように変形させつつ接合させる必要がない。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、平坦な状態を保ったまま接合物をＺ方向に移動させつつ被接合物に接合できる。これによりＬＥＤディスプレイ装置１は、ＸＹ方向に関し１［μｍ］程度の高い精度で接合物を被接合物に実装できる。またＬＥＤディスプレイ装置１は、接合物を変形させるために必要な装置や工程を不要にでき、実装工程を簡潔にできる。
【0109】
ここで、仮に、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｒと重なるように配置されていた場合、薄膜ＬＥＤ３０Ｒから照射された光が通気溝５０Ｒを通過する際に通気溝５０Ｒにより散乱してしまう可能性があると共に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発する熱の放熱性が悪化して発光効率が下がってしまう可能性がある。
【0110】
これに対しＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見た際に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒを囲うように、すなわち、該薄膜ＬＥＤ３０Ｒと重ならないように、通気溝５０Ｒを配置するようにした。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒから照射された光が通気溝５０Ｒを通過する際に通気溝５０Ｒにより散乱してしまうことを防止できると共に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発する熱の放熱性を維持でき、光学特性を維持できる。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。
【0111】
また、仮に、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒが垂直方向配線２２と重なるように配置されていた場合、通気溝５０Ｒが薄膜ＬＥＤ３０Ｒと回路基板１０との導通を妨げてしまう可能性がある。
【0112】
これに対しＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見た際に、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び垂直方向配線２２を囲うようにこれらの周縁部に、すなわち、該薄膜ＬＥＤ３０Ｒ及び垂直方向配線２２と重ならないように、通気溝５０Ｒを配置するようにした。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと回路基板１０との電気的接続を妨げることを防止できる。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。またＬＥＤディスプレイ装置１は、各薄膜層２０において、アノードパッド、カソードパッド又はダミーパッド上に、電極ピラーとしてのアノードピラー、カソードピラー又はダミーピラーを設けた垂直方向配線２２を構成するようにした。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜ＬＥＤ３０が発する熱を垂直方向配線２２を介し各薄膜層２０の外部に放熱することができ、放熱性を高めることができる。
【0113】
ここで、第１の薄膜層２０Ｒが回路基板１０に接合される際に第１の薄膜層下面２０ＲＳ２と基板表面１０Ｓとの間の空気を除去しやすくさせるために、ベース層２６Ｒの下面ではなく、基板表面１０Ｓにおいて－Ｚ方向に向かって凹んだ通気溝を形成することも考えられる。しかしながら、回路基板１０の基板表面１０Ｓを凹ませるように加工することは、第１の薄膜層２０Ｒのベース層２６Ｒに通気溝５０Ｒを形成することよりも製造難易度が高い。
【0114】
これに対しＬＥＤディスプレイ装置１は、製造時において、凸部７２Ｒをエッチング処理により除去するだけで、ベース層２６Ｒの下面に通気溝５０Ｒを容易に形成できる。
【0115】
さらにＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒ、５０Ｇ及び５０Ｂ全てを互いに重複した同一形状とした。このためＬＥＤディスプレイ装置１は、全ての薄膜層２０において構造の対称性を保つと共に光学特性を揃えやすくできる。またＬＥＤディスプレイ装置１は、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの積層接合の工程において、通気溝５０Ｒ、５０Ｇ及び５０Ｂ全てがＸＹ方向の位置ずれなく揃っていることを確認させやすくできる。
【0116】
以上の構成によればＬＥＤディスプレイ装置１は、絶縁性を有するベース層２６Ｒと、第１の面としてのベース層上面２６ＲＳ１に形成される複数の薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、薄膜ＬＥＤ３０Ｒに接続されるカソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と、ベース層上面２６ＲＳ１とは反対側の面である第２の面としてのベース層下面２６ＲＳ２に設けられた通気溝５０Ｒとを設け、通気溝５０Ｒは、ベース層２６Ｒにおける上面と直交する第１の方向としての発光方向Ｄｅから見たときに薄膜ＬＥＤ３０Ｒと重ならない領域に形成されるようにした。
【0117】
これによりＬＥＤディスプレイ装置１は、ベース層２６Ｒが被接合物である回路基板１０に接合される際にベース層２６Ｒと回路基板１０との間において空気が局所的に溜まってしまうことを防いで分散させることにより、光学特性を維持しつつ、回路基板１０に対する第１の薄膜層２０Ｒの位置精度を向上させることができる。
【0118】
［２．第２の実施の形態］
［２－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１と、図２と対応する部材に同一符号を付した図１１とに示すように、第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
［２－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１と、図２と対応する部材に同一符号を付した図１１とに示すように、第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【0119】
［２－２．ＬＥＤディスプレイ表示部の全体構成］
図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図１２及び図１３に示すように、第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部１０２は、ＬＥＤディスプレイ表示部２と比較して、薄膜層群１１８が薄膜層群１８と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図１２及び図１３に示すように、第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部１０２は、ＬＥＤディスプレイ表示部２と比較して、薄膜層群１１８が薄膜層群１８と相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【0120】
［２－３．薄膜層群の構成］
第２の実施の形態による薄膜層群１１８は、薄膜層群１８と比較して、第１の薄膜層１２０Ｒ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｂが第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂと相違するものの、他の点については同様に構成されている。以下では、第１の薄膜層１２０Ｒ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｂをまとめて、薄膜層１２０とも呼ぶ。また以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２における回路基板１０及び薄膜層群１１８のうち、１画素分の領域である画素部１０８について説明する。
第２の実施の形態による薄膜層群１１８は、薄膜層群１８と比較して、第１の薄膜層１２０Ｒ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｂが第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂと相違するものの、他の点については同様に構成されている。以下では、第１の薄膜層１２０Ｒ、第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｂをまとめて、薄膜層１２０とも呼ぶ。また以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部１０２における回路基板１０及び薄膜層群１１８のうち、１画素分の領域である画素部１０８について説明する。
【0121】
［２－３－１．第１の薄膜層の構成］
図１１、図１２及び図１３と、図６と対応する部材に同一符号を付した図１４とに示すように、第２の実施の形態による第１の薄膜層１２０Ｒは、第１の薄膜層２０Ｒと比較して、通気溝１５０Ｒが通気溝５０Ｒと相違するものの、他の点については同様に構成されている。
図１１、図１２及び図１３と、図６と対応する部材に同一符号を付した図１４とに示すように、第２の実施の形態による第１の薄膜層１２０Ｒは、第１の薄膜層２０Ｒと比較して、通気溝１５０Ｒが通気溝５０Ｒと相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【0122】
［２－３－２．通気溝の構成］
ベース層下面２６ＲＳ２の全面には、通気溝５０Ｒと同様に横断面が半円形状で＋Ｚ方向に向かって凹んだ通気溝１５０Ｒが形成されている。このためベース層下面２６ＲＳ２（すなわち第１の薄膜層下面２０ＲＳ２）は、通気溝１５０Ｒが形成されていない箇所が基板表面１０Ｓと接触している一方、通気溝１５０Ｒが形成されている箇所が基板表面１０Ｓと接触しておらず基板表面１０Ｓとの間に隙間が形成されている。この通気溝１５０Ｒは、ベース層下面２６ＲＳ２の全面において互いにつながっていると共に、ＸＹ方向の端部が、ベース層２６ＲのＸＹ方向の端面に達している。このため通気溝１５０Ｒは通気溝５０Ｒと同様に、ＸＹ方向の端面に形成された半円形状の通気口を介しベース層２６Ｒの外部と連通しており、通気溝１５０Ｒ内の空気をベース層２６Ｒの外部へ排出可能となっている。
ベース層下面２６ＲＳ２の全面には、通気溝５０Ｒと同様に横断面が半円形状で＋Ｚ方向に向かって凹んだ通気溝１５０Ｒが形成されている。このためベース層下面２６ＲＳ２（すなわち第１の薄膜層下面２０ＲＳ２）は、通気溝１５０Ｒが形成されていない箇所が基板表面１０Ｓと接触している一方、通気溝１５０Ｒが形成されている箇所が基板表面１０Ｓと接触しておらず基板表面１０Ｓとの間に隙間が形成されている。この通気溝１５０Ｒは、ベース層下面２６ＲＳ２の全面において互いにつながっていると共に、ＸＹ方向の端部が、ベース層２６ＲのＸＹ方向の端面に達している。このため通気溝１５０Ｒは通気溝５０Ｒと同様に、ＸＹ方向の端面に形成された半円形状の通気口を介しベース層２６Ｒの外部と連通しており、通気溝１５０Ｒ内の空気をベース層２６Ｒの外部へ排出可能となっている。
【0123】
また通気溝１５０Ｒは、Ｚ方向から見た際に、各画素部１０８における、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと垂直方向配線２２Ｂ（アノードパッド４４ａＢ１）との間と、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと垂直方向配線２２Ｒ（アノードパッド４４ａＲ）との間とを通過し、＋Ｘ方向に対し＋Ｙ方向側へ４５［°］傾斜して延びる直線形状と、各画素部１０８における、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと垂直方向配線２２Ｇ（アノードパッド４４ａＧ１）との間と、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと垂直方向配線２２Ｃ（カソードパッド４１ｃＲ）との間とを通過し、＋Ｘ方向に対し－Ｙ方向側へ４５［°］傾斜して延びる直線形状とが組み合わされた形状となっている。このため通気溝１５０Ｒは、各薄膜ＬＥＤ３０Ｒを囲う正方形と、４つの薄膜ＬＥＤ３０Ｒにより囲まれた垂直方向配線２２Ｃ、２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂ（カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１）を囲う正方形とを有する格子状となっている。このため通気溝１５０Ｒは、各画素部１０８において、画素部１０８の中心から見た際に、薄膜ＬＥＤ３０ＲよりもＸＹ方向の外側であり、且つ垂直方向配線２２よりもＸＹ方向の内側に配置されている。これにより通気溝１５０Ｒは、Ｚ方向から見た際に、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ並びに層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲとは重なるものの、薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と重ならない領域（すなわち避けた領域）に配置されている。このような通気溝１５０Ｒは、換言すれば、複数の薄膜ＬＥＤ３０Ｒが配列されたＸＹ方向を少なくとも一部分に含む方向に延在しているとも言える。
【0124】
さらに通気溝１５０Ｒは、通気溝５０Ｒと同様に、Ｚ方向の高さ（深さ）がベース層２６Ｒの高さの２分の１以下であり、ベース層２６Ｒの下面の全面においてその高さが同一となっている。このようにＬＥＤディスプレイ装置１０１は、通気溝１５０Ｒの高さを高くしすぎないことにより、ベース層２６Ｒの強度を保っている。またＬＥＤディスプレイ装置１０１は、ベース層２６Ｒの強度を保てる範囲内で通気溝１５０Ｒの高さを高くし横断面の面積を可能な限り広く設定すると、ベース層２６Ｒと基板表面１０Ｓとの間から空気を外部へ排出しやすくなるため好ましい。
【0125】
［２－３－３．第２の薄膜層及び通気溝の構成］
図１１、図１２及び図１３と、図７と対応する部材に同一符号を付した図１５とに示すように、第２の実施の形態による第２の薄膜層１２０Ｇは、第２の薄膜層２０Ｇと比較して、通気溝１５０Ｇが通気溝５０Ｇと相違するものの、他の点については同様に構成されている。通気溝１５０Ｇは、ベース層下面２６ＧＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝１５０Ｒと同様に構成されている。すなわち通気溝１５０Ｇは、Ｚ方向から見た際に通気溝１５０Ｒと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝５０Ｒと同一となっている。
図１１、図１２及び図１３と、図７と対応する部材に同一符号を付した図１５とに示すように、第２の実施の形態による第２の薄膜層１２０Ｇは、第２の薄膜層２０Ｇと比較して、通気溝１５０Ｇが通気溝５０Ｇと相違するものの、他の点については同様に構成されている。通気溝１５０Ｇは、ベース層下面２６ＧＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝１５０Ｒと同様に構成されている。すなわち通気溝１５０Ｇは、Ｚ方向から見た際に通気溝１５０Ｒと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝５０Ｒと同一となっている。
【0126】
［２－３－４．第３の薄膜層及び通気溝の構成］
図１１、図１２及び図１３と、図８と対応する部材に同一符号を付した図１６とに示すように、第２の実施の形態による第３の薄膜層１２０Ｂは、第３の薄膜層２０Ｂと比較して、通気溝１５０Ｂが通気溝５０Ｂと相違するものの、他の点については同様に構成されている。通気溝１５０Ｂは、ベース層下面２６ＢＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝１５０Ｒとベース層２６Ｇにおける通気溝１５０Ｂと同様に構成されている。すなわち通気溝１５０Ｂは、Ｚ方向から見た際に通気溝１５０Ｒ及び１５０Ｇと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝１５０Ｒ及び１５０Ｇと同一となっている。以下では、通気溝１５０Ｒ、１５０Ｇ及び１５０Ｂをまとめて通気溝１５０とも呼ぶ。
図１１、図１２及び図１３と、図８と対応する部材に同一符号を付した図１６とに示すように、第２の実施の形態による第３の薄膜層１２０Ｂは、第３の薄膜層２０Ｂと比較して、通気溝１５０Ｂが通気溝５０Ｂと相違するものの、他の点については同様に構成されている。通気溝１５０Ｂは、ベース層下面２６ＢＳ２において、ベース層２６Ｒにおける通気溝１５０Ｒとベース層２６Ｇにおける通気溝１５０Ｂと同様に構成されている。すなわち通気溝１５０Ｂは、Ｚ方向から見た際に通気溝１５０Ｒ及び１５０Ｇと重複して同一形状であり、且つ、Ｚ方向の高さ（深さ）が通気溝１５０Ｒ及び１５０Ｇと同一となっている。以下では、通気溝１５０Ｒ、１５０Ｇ及び１５０Ｂをまとめて通気溝１５０とも呼ぶ。
【0127】
［２－４．ＬＥＤディスプレイ表示部の製造方法］
第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部１０２の製造方法は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２の製造方法（図９及び図１０）と同様である。
第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部１０２の製造方法は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２の製造方法（図９及び図１０）と同様である。
【0128】
［２－５．効果］
第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１と同様の作用効果を奏し得る。
第２の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１０１は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１と同様の作用効果を奏し得る。
【0129】
［３．第３の実施の形態］
［３－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１に示すように、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ装置２０１は、赤色のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたモノカラーのディスプレイデバイスとなっている。
［３－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１に示すように、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、ＬＥＤディスプレイ装置１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２がＬＥＤディスプレイ表示部２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ装置２０１は、赤色のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたモノカラーのディスプレイデバイスとなっている。
【0130】
［３－２．ＬＥＤディスプレイ表示部の全体構成］
図７と対応する部材に同一符号を付した図１７と、図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図１８とに示すように、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、ＬＥＤディスプレイ表示部２と比較して、回路基板１０に代わる回路基板２１０と、薄膜層群１８に代わる薄膜層２２０Ｒとが設けられている点が相違するものの、他の点については同様に構成されている。このようにＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、１層の薄膜層２２０Ｒのみの単層構造となっている。以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２における回路基板２１０及び薄膜層２２０Ｒのうち、１画素分の領域である画素部２０８について説明する。
図７と対応する部材に同一符号を付した図１７と、図４及び図５と対応する部材に同一符号を付した図１８とに示すように、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、ＬＥＤディスプレイ表示部２と比較して、回路基板１０に代わる回路基板２１０と、薄膜層群１８に代わる薄膜層２２０Ｒとが設けられている点が相違するものの、他の点については同様に構成されている。このようにＬＥＤディスプレイ表示部２０２は、１層の薄膜層２２０Ｒのみの単層構造となっている。以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２における回路基板２１０及び薄膜層２２０Ｒのうち、１画素分の領域である画素部２０８について説明する。
【0131】
［３－３．回路基板の構成］
回路基板２１０は、回路基板１０と比較して、回路接続パッド１２Ｇ及び１２Ｂ並びにアクティブ素子１４Ｇ及び１４Ｂが省略されていると共に、回路接続パッド１２Ｒ及びアクティブ素子１４Ｒが、薄膜ＬＥＤ３０Ｒに対する＋Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。
回路基板２１０は、回路基板１０と比較して、回路接続パッド１２Ｇ及び１２Ｂ並びにアクティブ素子１４Ｇ及び１４Ｂが省略されていると共に、回路接続パッド１２Ｒ及びアクティブ素子１４Ｒが、薄膜ＬＥＤ３０Ｒに対する＋Ｘ＋Ｙ方向側に位置している。
【0132】
［３－４．薄膜層の構成］
薄膜層２２０Ｒは、ベース層２６Ｒ、カバー層２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲにより構成されている。
薄膜層２２０Ｒは、ベース層２６Ｒ、カバー層２８Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ並びにカソードパッド４１ｃＲにより構成されている。
【0133】
ベース層２６Ｒ及び薄膜ＬＥＤ３０Ｒは、第１の薄膜層２０Ｒ（図４）と同様に構成されている。引出配線３６ａＲは、アノード電極３２Ｒにおける上面とアノードパッド４４ａＲとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ａＲは、絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ａＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ａＲは、引出配線３６ａＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0134】
引出配線３６ｃＲは、カソード電極３４Ｒにおける上面とカソードパッド４１ｃＲとにそれぞれ接触し、両者を電気的に接続している。層間絶縁膜３８ｃＲは、層間絶縁膜３８ａＲと同様に絶縁性を有する材料により構成されており、引出配線３６ｃＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの間に配され、Ｚ方向に沿って見た際に引出配線３６ｃＲよりも大きく形成されている。この層間絶縁膜３８ｃＲは、引出配線３６ｃＲと薄膜ＬＥＤ３０Ｒとの不要な部分の短絡を保護する。
【0135】
アノードパッド４４ａＲは、回路基板２１０の回路接続パッド１２ＲとＺ方向に対向する位置に配され、下面をベース層２６Ｒから露出させている。カソードパッド４１ｃＲは、回路基板２１０の回路接続パッド１２ＣとＺ方向に対向する位置に配され、下面をベース層２６Ｒから露出させている。
【0136】
上述したアノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ及びカソードパッド４１ｃＲは、金、銅、アルミニウムや酸化インジウムスズ等の導電性材料により構成されている。また層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲは、薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発する光の波長に対して透明であることが望ましい。
【0137】
カバー層２８Ｒは、例えば、ベース層２６Ｒと同一の透明絶縁材料により構成されており、十分な絶縁性を備えていると共に、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒが発する光の波長に対して透明となっている。このカバー層２８Ｒは、ベース層２６Ｒ、薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ及びカソードパッド４１ｃＲを＋Ｚ方向側から覆うように配設されており、これら薄膜ＬＥＤ３０Ｒ、アノード電極３２Ｒ、カソード電極３４Ｒ、引出配線３６ａＲ及び３６ｃＲ、層間絶縁膜３８ａＲ及び３８ｃＲ、アノードパッド４４ａＲ及びカソードパッド４１ｃＲをベース層２６Ｒとの間において内部に埋め込んでいる。
【0138】
また薄膜層２２０Ｒは、上面が極めて平坦な平面状に形成されている。具体的に薄膜層２２０Ｒでは、上面の表面粗さ、すなわち、カバー層２８Ｒの上面における表面粗さＲｐｖが何れも１０［ｎｍ］以下となっている。
【0139】
【0140】
［３－６．ＬＥＤディスプレイ表示部の製造方法］
第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２０２の製造方法は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２の製造方法（図９及び図１０）において第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの積層接合の工程を省略した場合と同様である。
第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２０２の製造方法は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２の製造方法（図９及び図１０）において第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの積層接合の工程を省略した場合と同様である。
【0141】
［３－７．効果］
第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１と同様の作用効果を奏し得る。
第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１は、第１の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置１と同様の作用効果を奏し得る。
【0142】
［４．第４の実施の形態］
［４－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１に示すように、第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置３０１は、ＬＥＤディスプレイ装置２０１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部３０２がＬＥＤディスプレイ表示部２０２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ装置３０１は、赤色のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたモノカラーのディスプレイデバイスとなっている。
［４－１．ＬＥＤディスプレイ装置の構成］
図１に示すように、第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置３０１は、ＬＥＤディスプレイ装置２０１と比較して、ＬＥＤディスプレイ表示部３０２がＬＥＤディスプレイ表示部２０２と相違するものの、他の点については同様に構成されている。ＬＥＤディスプレイ装置３０１は、赤色のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたモノカラーのディスプレイデバイスとなっている。
【0143】
［４－２．ＬＥＤディスプレイ表示部の全体構成］
図１７と対応する部材に同一符号を付した図１９と、図１８と対応する部材に同一符号を付した図２０とに示すように、第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部３０２は、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２と比較して、薄膜層３２０Ｒが薄膜層２２０Ｒと相違するものの、他の点については同様に構成されている。以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部３０２における回路基板２１０及び薄膜層３２０Ｒのうち、１画素分の領域である画素部３０８について説明する。
図１７と対応する部材に同一符号を付した図１９と、図１８と対応する部材に同一符号を付した図２０とに示すように、第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部３０２は、ＬＥＤディスプレイ表示部２０２と比較して、薄膜層３２０Ｒが薄膜層２２０Ｒと相違するものの、他の点については同様に構成されている。以下では、ＬＥＤディスプレイ表示部３０２における回路基板２１０及び薄膜層３２０Ｒのうち、１画素分の領域である画素部３０８について説明する。
【0144】
［４－３．薄膜層の構成］
第４の実施の形態による薄膜層３２０Ｒは、薄膜層２２０Ｒと比較して、通気溝１５０Ｒが通気溝５０Ｒと相違するものの、他の点については同様に構成されている。通気溝１５０Ｒは、ベース層２６Ｒの下面において、第１の薄膜層１２０Ｒ（図１２）と同様に構成されている。
第４の実施の形態による薄膜層３２０Ｒは、薄膜層２２０Ｒと比較して、通気溝１５０Ｒが通気溝５０Ｒと相違するものの、他の点については同様に構成されている。通気溝１５０Ｒは、ベース層２６Ｒの下面において、第１の薄膜層１２０Ｒ（図１２）と同様に構成されている。
【0145】
［４－４．ＬＥＤディスプレイ表示部の製造方法］
第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部３０２の製造方法は、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２０２の製造方法と同様である。
第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部３０２の製造方法は、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ表示部２０２の製造方法と同様である。
【0146】
［４－５．効果］
第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置３０１は、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１と同様の作用効果を奏し得る。
第４の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置３０１は、第３の実施の形態によるＬＥＤディスプレイ装置２０１と同様の作用効果を奏し得る。
【0147】
［５．他の実施の形態］
なお上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見たときに薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と重ならない領域に通気溝５０Ｒ（図６）を配置する場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見たときに、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒと重ならない領域に通気溝５０Ｒを配置すれば、カソードパッド４１ｃＲ又はアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ若しくは４４ａＢ１の少なくとも一部分と重なる領域に通気溝５０Ｒを配置しても良い。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。また第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
なお上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見たときに薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と重ならない領域に通気溝５０Ｒ（図６）を配置する場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見たときに、少なくとも薄膜ＬＥＤ３０Ｒと重ならない領域に通気溝５０Ｒを配置すれば、カソードパッド４１ｃＲ又はアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ若しくは４４ａＢ１の少なくとも一部分と重なる領域に通気溝５０Ｒを配置しても良い。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。また第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0148】
また上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、通気溝５０Ｒ（図４、図５及び図６）をベース層２６Ｒの外部と連通させる場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、通気溝５０Ｒをベース層２６Ｒの外部と連通させなくても良い。その場合であってもＬＥＤディスプレイ装置１は、ベース層２６Ｒが回路基板１０に接合される際にベース層２６Ｒと回路基板１０との間における空気が局所的に溜まってしまうことを防いで分散させることができる。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。また第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0149】
また上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、通気溝５０Ｒ（図４、図５及び図６）を、ベース層２６ＲのＸＹ方向の端面において外部と連通させる場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、例えば、隣接する画素部８同士の間において第３の薄膜層２０Ｂの上面から－Ｚ方向に向かって通気溝５０Ｒまで孔部を設ける等、通気溝５０Ｒを他の種々の箇所において第１の薄膜層２０Ｒの外部と連通させても良い。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。また第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0150】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、全ての薄膜層２０の薄膜層下面２０Ｓ２（第１の薄膜層下面２０ＲＳ２、第２の薄膜層下面２０ＧＳ２及び第３の薄膜層下面２０ＢＳ２）において通気溝５０を設ける場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、第１の薄膜層２０Ｒのみに通気溝５０Ｒを設け、第２の薄膜層２０Ｇの通気溝５０Ｇと第３の薄膜層２０Ｂの通気溝５０Ｂとは設けない等、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２、第２の薄膜層下面２０ＧＳ２及び第３の薄膜層下面２０ＢＳ２のうち、何れかの通気溝５０は設けず省略しても良い。第２の実施の形態においても同様である。特にＬＥＤディスプレイ装置１は、被接合物の上面に接合物を接合させるのではなく成長させる場合、該接合物において被接合物の上面に対向する下面には、通気溝５０を形成しなくても良い。
【0151】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２、第２の薄膜層下面２０ＧＳ２及び第３の薄膜層下面２０ＢＳ２それぞれにおける通気溝５０のＺ方向の高さを同一とする場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、第１の薄膜層下面２０ＲＳ２、第２の薄膜層下面２０ＧＳ２及び第３の薄膜層下面２０ＢＳ２における何れかの薄膜層下面２０Ｓ２の通気溝５０のうちの少なくとも何れか１つの薄膜層下面２０Ｓ２の通気溝５０の高さを、他の薄膜層下面２０Ｓ２の通気溝５０の高さとは異なるようにしても良い。第２の実施の形態においても同様である。
【0152】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、１つの薄膜層下面２０Ｓ２内における通気溝５０全体のＺ方向の高さを同一とする場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、１つの薄膜層下面２０Ｓ２内における通気溝５０のＺ方向の高さを、ＸＹ方向の場所に応じて異なるようにしても良い。第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0153】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見た際に通気溝５０を格子状とする場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、通気溝５０を、例えば、Ｘ方向に沿う直線状のみとしたり、Ｙ方向に沿う直線状のみとしたりする等、Ｚ方向から見た際に他の種々の配置としても良い。第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0154】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、通気溝５０の横断面を半円形状とする場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、通気溝５０の横断面を他の種々の形状としても良い。第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0155】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒ、５０Ｇ及び５０Ｂ全てを互いに重複した同一形状とする場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、Ｚ方向から見た際に通気溝５０Ｒ、５０Ｇ及び５０Ｂのうち少なくとも何れか１つの通気溝５０を、他の通気溝５０とは異なる形状としても良い。第２の実施の形態においても同様である。
【0156】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、接合物が被接合物に積層接合された後の工程において、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の有機絶縁材料や、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁材料を含む透明絶縁材料により、液状の材料又はその原料が毛細管現象を利用して通気口を介し外部から通気溝５０に充填され硬化されることや、気体の材料又はその原料が通気口を介し外部から通気溝５０に供給され気相成長により固体の材料が堆積されることにより、通気溝５０の一部又は全てを樹脂で埋めて硬化させても良い。第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0157】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、１つの画素部８ずつ囲うように通気溝５０（図２）を配置する場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、図２と対応する部材に同一符号を付した図２１及び図２２に示すＬＥＤディスプレイ表示部１００２及び１１０２のように、例えば、４個の画素部８ずつ囲うように通気溝１０５０を配置したり、１６個の画素部８ずつ囲うように通気溝１１５０を配置したりする等、他の種々の個数の画素部８ずつ囲うように通気溝を配置しても良い。第３の実施の形態においても同様である。
【0158】
また上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜層下面２０Ｓ２において通気溝５０全体を繋げる場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、例えば、薄膜層下面２０Ｓ２の全体を、＋Ｘ方向側の半分と－Ｘ方向側の半分との２個のブロックや、４個のブロック等、種々のブロックに分割し、それらのブロック内で通気溝５０を接続させても良い。また、それらのブロック同士の通気溝５０を接続しても良い。第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0159】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜層群１８を第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂの３層が積層された積層構造とする場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、薄膜層群１８を、２層の薄膜層２０が積層された積層構造の２色のディスプレイとしたり、第３の実施の形態のように１層の薄膜層２０のみの単層構造としたりする等、３層の薄膜層２０以外の、１層、２層又は４層以上の任意の層数の薄膜層２０を設けても良い。第２の実施の形態においても同様である。
【0160】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、回路基板１０をアクティブマトリクス回路基板とする場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、回路基板１０をパッシブマトリクス回路基板としても良い。第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0161】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、図１０に示したように、製造装置６０により、エッチング処理により犠牲層７０Ｒ（図９（Ｆ））をエッチングして除去することにより、第１の薄膜層２０Ｒを形成基板６８Ｒから分離して該第１の薄膜層２０Ｒを回路基板１０の上面に分子間力により接合し、エッチング処理により第２の薄膜層２０Ｇの犠牲層（図示せず）をエッチングして除去することにより、第２の薄膜層２０Ｇを形成基板６８Ｇから分離して該第２の薄膜層２０Ｇを回路基板１０に接合させた第１の薄膜層２０Ｒの上面に分子間力により接合し、エッチング処理により第３の薄膜層２０Ｂの犠牲層（図示せず）をエッチングして除去することにより、第３の薄膜層２０Ｂを形成基板６８Ｂから分離して該第３の薄膜層２０Ｂを第１の薄膜層２０Ｒに接合させた第２の薄膜層２０Ｇの上面に分子間力により接合することにより、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂを、回路基板１０に積層させる場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、製造装置６０により、エッチング処理により第２の薄膜層２０Ｇの犠牲層（図示せず）をエッチングして除去することにより、第２の薄膜層２０Ｇを形成基板６８Ｇから分離して、該第２の薄膜層２０Ｇを、形成基板６８Ｒ及び犠牲層７０Ｒの上側における第１の薄膜層２０Ｒの上面に分子間力により接合し、エッチング処理により第３の薄膜層２０Ｂの犠牲層（図示せず）をエッチングして除去することにより、第３の薄膜層２０Ｂを形成基板６８Ｂから分離して該第３の薄膜層２０Ｂを第１の薄膜層２０Ｒに接合させた第２の薄膜層２０Ｇの上面に分子間力により接合し、エッチング処理により犠牲層７０Ｒ（図９（Ｆ））をエッチングして除去することにより、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂを形成基板６８Ｒから分離して該第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂを回路基板１０の上面に分子間力により接合することにより、第１の薄膜層２０Ｒ、第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂを、回路基板１０に積層させても良い。第２の実施の形態においても同様である。
【0162】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、ダミーピラー４５Ｒ、４５Ｇ１、４５Ｇ２、４５Ｂ１、４５Ｂ２、４５Ｂ３及び４５Ｂ４並びにダミーパッド４７Ｇ、４７Ｂ１及び４７Ｂ２を設けることにより、画素部８の構造の対称性を保つと共に放熱性を確保する場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、ダミーピラー４５Ｒ、４５Ｇ１、４５Ｇ２、４５Ｂ１、４５Ｂ２、４５Ｂ３若しくは４５Ｂ４又はダミーパッド４７Ｇ、４７Ｂ１若しくは４７Ｂ２の少なくとも一部は省略しても良い。
【0163】
さらに上述した第１の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１は、第１の薄膜層２０Ｒにおいて、接続部としてのパッド部材であるカソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と、電極ピラー部としてのピラー部材であるカソードピラー４０ｃＲ、ダミーピラー４５Ｒ並びにアノードピラー４２ａＧ及び４２ａＢ１とにより、垂直方向配線２２を構成する場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１は、パッド部材とピラー部材とを種々の導電性材料により一体で接続部としての垂直方向配線２２として形成しても良い。その場合、ベース層下面２６ＲＳ２においてＺ方向から見た際に垂直配線配線２２をよけて通気溝５０Ｒを形成しても良い。第２の薄膜層２０Ｇ及び第３の薄膜層２０Ｂにおいても同様である。また、第２の実施の形態においても同様である。
【0164】
さらに上述した第２の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１０１は、全ての画素部８における薄膜ＬＥＤ３０と全ての垂直方向配線２２との間を通過するように通気溝１５０（図１１）を配置する場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１０１は、図１１と対応する部材に同一符号を付した図２３及び図２４に示すＬＥＤディスプレイ表示部１２０２及び１３０２のように、例えば、通気溝１５０（図１１）における２本おきに通気溝１２５０を配置したり、通気溝１５０（図１１）における３本おきに通気溝１３５０を配置したりする等、他の種々の間隔で通気溝を配置しても良い。ここで、通気溝１５０（図１１）における２本おきに通気溝１２５０を配置する場合（図２３）、例えばＹ方向に並ぶ２つの画素部１０８ずつ囲う場合は、Ｘ方向に並ぶ１組が４つの垂直方向配線２２を２組ずつ囲うように通気溝１２５０（図２３）が配置されている。また、通気溝１５０（図１１）における３本おきに通気溝１３５０を配置する場合（図２４）、例えば５つの画素部８ずつ囲う場合は、１組が４つの垂直方向配線２２を４組ずつ囲うように通気溝１３５０（図２４）が配置されている。第４の実施の形態においても同様である。
【0165】
さらに上述した第２の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置１０１は、全ての画素部１０８における薄膜ＬＥＤ３０と全ての垂直方向配線２２との間をＸ方向及びＹ方向に対し４５［°］傾斜して通過するように通気溝１５０（図１１）を配置する場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置１０１は、図１４と対応する部材に同一符号を付した図２５に示す第１の薄膜層１４２０Ｒのように、例えば、全ての画素部１４０８における薄膜ＬＥＤ３０Ｒと全ての垂直方向配線２２（すなわち、カソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１）との間をＸ方向及びＹ方向と少なくとも略平行に通過するように通気溝１４５０Ｒを配置しても良い。第２の薄膜層１２０Ｇ及び第３の薄膜層１２０Ｂにおいても同様である。
【0166】
さらに上述した第３の実施の形態においてＬＥＤディスプレイ装置２０１は、回路基板２１０の上面に赤色の薄膜層２２０Ｒの画素部２０８を単層構造で配列させており、赤色のＬＥＤ素子を１つの画素と対応させたモノカラーのディスプレイデバイスである場合について述べた。本発明はこれに限らずＬＥＤディスプレイ装置２０１は、図２６に示すように、回路基板２１０の上面に、赤色の薄膜層の画素部２０８Ｒと、緑色の薄膜層の画素部２０８Ｇと、青色の薄膜層の画素部２０８Ｂとを単層構造で順次配列させ、フルカラーのディスプレイデバイスとしても良い。第４の実施の形態においても同様である。
【0167】
さらに上述した第１の実施の形態においては、直視型であるＬＥＤディスプレイ装置１に本発明を適用する場合について述べた。本発明はこれに限らず、プロジェクタや光源として使用されるディスプレイに本発明を適用しても良い。第２乃至第４の実施の形態においても同様である。
【0168】
さらに上述した実施の形態においては、半導体素子として薄膜ＬＥＤ３０を用いる場合について述べた。本発明はこれに限らず、半導体素子としてフォトダイオードやトランジスタ等、他の種々の半導体素子を用いても良い。すなわち、上述した実施の形態においては、半導体装置としてＬＥＤディスプレイ装置１、１０１、２０１及び３０１を用いたが、上述した他の種々の半導体素子を用いた半導体装置にも発明の適用範囲が及ぶものである。
【0169】
さらに本発明は、上述した各実施の形態及び他の実施の形態に限定されるものではない。すなわち本発明は、上述した各実施の形態と上述した他の実施の形態の一部又は全部を任意に組み合わせた実施の形態にも本発明の適用範囲が及ぶものである。また本発明は、上述した各実施の形態及び他の実施の形態のうち任意の実施の形態に記載された構成の一部を抽出し、上述した各実施の形態及び他の実施の形態のうちの任意の実施の形態の構成の一部と置換・転用した実施の形態や、抽出された構成の一部を任意の実施の形態に追加した実施の形態にも本発明の適用範囲が及ぶものである。
【0170】
さらに上述した第１の実施の形態においては、平坦化層としてのベース層２６Ｒと、半導体素子としての薄膜ＬＥＤ３０Ｒと、接続部としてのカソードパッド４１ｃＲ並びにアノードパッド４４ａＧ１、４４ａＲ及び４４ａＢ１と、溝部としての通気溝５０Ｒとによって、半導体装置としてのＬＥＤディスプレイ装置１を構成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる平坦化層と、半導体素子と、接続部と、溝部とによって、半導体装置を構成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【0171】
本発明は、例えば複数のＬＥＤを配置してなるＬＥＤディスプレイで利用できる。
【符号の説明】
【0172】
１、１０１、２０１、３０１……ＬＥＤディスプレイ装置、２、１０２、２０２、３０２、１００２、１１０２、１２０２、１３０２……ＬＥＤディスプレイ表示部、３……放熱部材、４……接続ケーブル、５……接続端子部、６……駆動ドライバ、８、１０８、２０８、３０８、１４０８……画素部、１０、２１０……回路基板、１０Ｍ……基材部、１０Ｓ……基板表面、１１……絶縁層、１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｇ、１２Ｃ……回路接続パッド、１２Ｔ……回路接続パッド組、１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｃ……アクティブ素子、１６……配線層、１８、１１８……薄膜層群、２０Ｒ、１２０Ｒ、１４２０Ｒ……第１の薄膜層、２０Ｇ、１２０Ｇ……第２の薄膜層、２０Ｂ、１２０Ｂ……第３の薄膜層、２２０Ｒ……薄膜層、２０ＲＳ１……第１の薄膜層上面、２０ＲＳ２……第１の薄膜層下面、２０ＧＳ１……第２の薄膜層上面、２０ＧＳ２……第２の薄膜層下面、２０ＢＳ２……第３の薄膜層下面、２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ、２２Ｃ……垂直方向配線、２４……発光部、２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂ……ベース層、２６ＲＳ１、２６ＧＳ１、２６ＢＳ１……ベース層上面、２６ＲＳ２、２６ＧＳ２、２６ＢＳ２……ベース層下面、２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ……カバー層、３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ……薄膜ＬＥＤ、３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂ……アノード電極、３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂ……カソード電極、３６ａＲ、３６ａＧ、３６ａＢ、３６ｃＲ、３６ｃＧ、３６ｃＢ……引出配線、３８ａＲ、３８ａＧ、３８ａＢ……層間絶縁膜、４０ｃＲ、４０ｃＧ……カソードピラー、４１ｃＲ、４１ｃＧ、４１ｃＢ……カソードパッド、４２ａＧ、４２ａＢ１、４２ａＢ２……アノードピラー、４４ａＧ１、４４ａＢ１、４４ａＲ、４４ａＢ２、４４ａＧ２、４４ａＢ３……アノードパッド、４５Ｒ、４５Ｇ１、４５Ｇ２、４５Ｂ１、４５Ｂ２、４５Ｂ３、４５Ｂ４……ダミーピラー、４７Ｇ、４７Ｂ１、４７Ｂ２……ダミーパッド、５０Ｒ、５０Ｇ、５０Ｂ、１５０Ｒ、１５０Ｇ、１５０Ｂ……通気溝、６０……製造装置、６８Ｒ、６８Ｇ、６８Ｒ……形成基板、７０Ｂ、７０Ｇ、７０Ｒ……犠牲層、７２Ｒ……凸部、Ｄａ……ＡＡ断面方向、Ｄｂ……ＢＢ断面方向、Ｄｅ……発光方向。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】