(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024026590
(43)【公開日】2024-02-28
(54)【発明の名称】窒化珪素基板およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
C04B 35/587 20060101AFI20240220BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240220BHJP
H01L 23/36 20060101ALI20240220BHJP
【ＦＩ】
C04B35/587
H01L23/12 J
H01L23/36 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023221990
(22)【出願日】2023-12-27
(62)【分割の表示】P 2021067895の分割
【原出願日】2021-04-13
(31)【優先権主張番号】P 2020128406
(32)【優先日】2020-07-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】501415752
【氏名又は名称】日本ファインセラミックス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000800
【氏名又は名称】デロイトトーマツ弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】田邉 恵介
(72)【発明者】
【氏名】有馬 聡平
(72)【発明者】
【氏名】奥野 照久
(57)【要約】
【課題】厚さ方向において熱伝導性に優れた窒化珪素基板を提供する。
【解決方法】本発明の窒化珪素基板は、基板面にＸ線を照射した際に、β－Ｓｉ３Ｎ４の
Ｘ線回折ピークを有し、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の
長軸（ｃ軸）の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であって、厚さ方向の熱伝導率
が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。
【選択図】図２
【解決方法】本発明の窒化珪素基板は、基板面にＸ線を照射した際に、β－Ｓｉ３Ｎ４の
Ｘ線回折ピークを有し、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の
長軸（ｃ軸）の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であって、厚さ方向の熱伝導率
が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板面にＸ線を照射した際に、β－Ｓｉ３Ｎ４のＸ線回折ピークを有し、
窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸）の割合を
示す配向度ｆａが０～０．３の範囲に含まれ、
厚さ方向の熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
窒化珪素基板。
窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸）の割合を
示す配向度ｆａが０～０．３の範囲に含まれ、
厚さ方向の熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
窒化珪素基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、厚さ方向に優れた熱伝導性を有する窒化珪素基板およびその製造方法に関す
る。
る。
【背景技術】
【0002】
近年、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）基板をパワー半導体等の半導体回路基板に適用すること
が試みられている。半導体回路基板としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）基板が使用されている。アルミナ基板は熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ程度
であるが、低コスト化が可能である。また、窒化アルミニウム基板は熱伝導率が１６０Ｗ
／ｍ・Ｋ以上となる高熱伝導化が可能である。一方、窒化珪素基板としては、熱伝導率が
５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の基板が開発されている。
が試みられている。半導体回路基板としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）基板が使用されている。アルミナ基板は熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ程度
であるが、低コスト化が可能である。また、窒化アルミニウム基板は熱伝導率が１６０Ｗ
／ｍ・Ｋ以上となる高熱伝導化が可能である。一方、窒化珪素基板としては、熱伝導率が
５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の基板が開発されている。
【0003】
窒化珪素基板は、窒化アルミニウム基板と比較して熱伝導率は低いが、３点曲げ強度が
５００ＭＰａ以上と優れている。窒化アルミニウム基板の３点曲げ強度は通常３００～４
００ＭＰａ程度であり、熱伝導率が高くなるほどに強度が下がる傾向にある。高強度の利
点を生かすことにより窒化珪素基板は薄型化が可能である。基板の薄型化により熱抵抗を
下げることが可能になるので放熱性が向上する。
５００ＭＰａ以上と優れている。窒化アルミニウム基板の３点曲げ強度は通常３００～４
００ＭＰａ程度であり、熱伝導率が高くなるほどに強度が下がる傾向にある。高強度の利
点を生かすことにより窒化珪素基板は薄型化が可能である。基板の薄型化により熱抵抗を
下げることが可能になるので放熱性が向上する。
【0004】
このような特性を生かして窒化珪素基板は、金属板などの回路部を設けて回路基板とし
て広く使用されている。また、国際公開番号ＷＯ２０１１／０１０５９７号パンフレット
（特許文献１）に示したような圧接構造用の回路基板として使用する方法もある。
て広く使用されている。また、国際公開番号ＷＯ２０１１／０１０５９７号パンフレット
（特許文献１）に示したような圧接構造用の回路基板として使用する方法もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】国際公開番号ＷＯ２０１１／０１０５９７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、窒化珪素基板は、上述のように窒化アルミニウム等と比較して熱伝導率
が低いために、半導体回路基板に使用した場合に半導体チップで発生する熱をヒートシン
クに効率的に逃がすことができず、半導体回路基板に投入できる電力も制限されていた。
したがって、窒化珪素基板は特に厚さ方向においてより高い熱伝導性を有することが求め
られている。
が低いために、半導体回路基板に使用した場合に半導体チップで発生する熱をヒートシン
クに効率的に逃がすことができず、半導体回路基板に投入できる電力も制限されていた。
したがって、窒化珪素基板は特に厚さ方向においてより高い熱伝導性を有することが求め
られている。
【0007】
本発明は、厚さ方向において熱伝導性に優れた窒化珪素基板を提供することを目的とす
る。
る。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決すべく、本発明は、基板面にＸ線を照射した際に、β－Ｓｉ３Ｎ４のＸ
線回折ピークを有し、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長
軸（ｃ軸）の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であって、厚さ方向の熱伝導率が
８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、窒化珪素基板に関する。
線回折ピークを有し、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長
軸（ｃ軸）の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であって、厚さ方向の熱伝導率が
８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、窒化珪素基板に関する。
【0009】
ｆａ＝（Ｐ－Ｐ０）／（１－Ｐ０） ‥（１）。
【0010】
式（１）において、Ｐは、式（２）で表され、前記β型窒化珪素基板における（１０°
≦２θ≦８０°）の範囲でｃ軸に関連するすべてのＸ線回析線強度比（具体的に（１０１
）面、（１１１）面、（２０１）面、（１２１）面、（３０１）面、（２２１）面、（１
３１）面、（００２）面、（４０１）面、（１０２）面、（１１２）面、（２３１）面、
（２０２）面、（１４１）面、（２１２）面、（３０２）面、（５０１）面）のＸ線回析
強度が対象）、Ｐ０は、式（３）で表され、β型窒化珪素粉末における（１０°≦２θ≦
８０°）の範囲でｃ軸に関連するすべてのＸ線回析線強度比（具体的に（１０１）面、（
１１１）面、（２０１）面、（１２１）面、（３０１）面、（２２１）面、（１３１）面
、（００２）面、（４０１）面、（１０２）面、（１１２）面、（２３１）面、（２０２
）面、（１４１）面、（２１２）面、（３０２）面、（５０１）面）のＸ線回析強度が対
象）を意味している。
≦２θ≦８０°）の範囲でｃ軸に関連するすべてのＸ線回析線強度比（具体的に（１０１
）面、（１１１）面、（２０１）面、（１２１）面、（３０１）面、（２２１）面、（１
３１）面、（００２）面、（４０１）面、（１０２）面、（１１２）面、（２３１）面、
（２０２）面、（１４１）面、（２１２）面、（３０２）面、（５０１）面）のＸ線回析
強度が対象）、Ｐ０は、式（３）で表され、β型窒化珪素粉末における（１０°≦２θ≦
８０°）の範囲でｃ軸に関連するすべてのＸ線回析線強度比（具体的に（１０１）面、（
１１１）面、（２０１）面、（１２１）面、（３０１）面、（２２１）面、（１３１）面
、（００２）面、（４０１）面、（１０２）面、（１１２）面、（２３１）面、（２０２
）面、（１４１）面、（２１２）面、（３０２）面、（５０１）面）のＸ線回析強度が対
象）を意味している。
【0011】
Ｐ＝（Ｉ（１０１）＋Ｉ（１１１）＋Ｉ（２０１）＋Ｉ（１２１）＋Ｉ（３０１）＋Ｉ
（２２１）＋Ｉ（１３１）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（４０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１２）
＋Ｉ（２３１）＋Ｉ（２０２）＋Ｉ（１４１）＋Ｉ（２１２）＋Ｉ（３０２）＋Ｉ（５０
１））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（２００）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１２０）＋
Ｉ（１１１）＋Ｉ（３００）＋Ｉ（２０１）＋Ｉ（２２０）＋Ｉ（１２１）＋Ｉ（１３０
）＋Ｉ（３０１）＋Ｉ（４００）＋Ｉ（２２１）＋Ｉ（１３１）＋Ｉ（２３０）＋Ｉ（０
０２）＋Ｉ（１４０）＋Ｉ（４０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（２３１）＋Ｉ
（２０２）＋Ｉ（５００）＋Ｉ（１４１）＋Ｉ（３３０）＋Ｉ（２１２）＋Ｉ（２４０）
＋Ｉ（３０２）＋Ｉ（５０１））‥（２）。
（２２１）＋Ｉ（１３１）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（４０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１２）
＋Ｉ（２３１）＋Ｉ（２０２）＋Ｉ（１４１）＋Ｉ（２１２）＋Ｉ（３０２）＋Ｉ（５０
１））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（２００）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１２０）＋
Ｉ（１１１）＋Ｉ（３００）＋Ｉ（２０１）＋Ｉ（２２０）＋Ｉ（１２１）＋Ｉ（１３０
）＋Ｉ（３０１）＋Ｉ（４００）＋Ｉ（２２１）＋Ｉ（１３１）＋Ｉ（２３０）＋Ｉ（０
０２）＋Ｉ（１４０）＋Ｉ（４０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（２３１）＋Ｉ
（２０２）＋Ｉ（５００）＋Ｉ（１４１）＋Ｉ（３３０）＋Ｉ（２１２）＋Ｉ（２４０）
＋Ｉ（３０２）＋Ｉ（５０１））‥（２）。
【0012】
Ｐ０＝（Ｉ０（１０１）＋Ｉ０（１１１）＋Ｉ０（２０１）＋Ｉ０（１２１）＋Ｉ０（
３０１）＋Ｉ０（２２１）＋Ｉ０（１３１）＋Ｉ０（００２）＋Ｉ０（４０１）＋Ｉ０（
１０２）＋Ｉ０（１１２）＋Ｉ０（２３１）＋Ｉ０（２０２）＋Ｉ０（１４１）＋Ｉ０（
２１２）＋Ｉ０（３０２）＋Ｉ０（５０１））／（Ｉ０（１００）＋Ｉ０（１１０）＋Ｉ
０（２００）＋Ｉ０（１０１）＋Ｉ０（１２０）＋Ｉ０（１１１）＋Ｉ０（３００）＋Ｉ
０（２０１）＋Ｉ０（２２０）＋Ｉ０（１２１）＋Ｉ０（１３０）＋Ｉ０（３０１）＋Ｉ
０（４００）＋Ｉ０（２２１）＋Ｉ０（１３１）＋Ｉ０（２３０）＋Ｉ０（００２）＋Ｉ
０（１４０）＋Ｉ０（４０１）＋Ｉ０（１０２）＋Ｉ０（１１２）＋Ｉ０（２３１）＋Ｉ
０（２０２）＋Ｉ０（５００）＋Ｉ０（１４１）＋Ｉ０（３３０）＋Ｉ０（２１２）＋Ｉ
０（２４０）＋Ｉ０（３０２）＋Ｉ０（５０１））‥（３）。
３０１）＋Ｉ０（２２１）＋Ｉ０（１３１）＋Ｉ０（００２）＋Ｉ０（４０１）＋Ｉ０（
１０２）＋Ｉ０（１１２）＋Ｉ０（２３１）＋Ｉ０（２０２）＋Ｉ０（１４１）＋Ｉ０（
２１２）＋Ｉ０（３０２）＋Ｉ０（５０１））／（Ｉ０（１００）＋Ｉ０（１１０）＋Ｉ
０（２００）＋Ｉ０（１０１）＋Ｉ０（１２０）＋Ｉ０（１１１）＋Ｉ０（３００）＋Ｉ
０（２０１）＋Ｉ０（２２０）＋Ｉ０（１２１）＋Ｉ０（１３０）＋Ｉ０（３０１）＋Ｉ
０（４００）＋Ｉ０（２２１）＋Ｉ０（１３１）＋Ｉ０（２３０）＋Ｉ０（００２）＋Ｉ
０（１４０）＋Ｉ０（４０１）＋Ｉ０（１０２）＋Ｉ０（１１２）＋Ｉ０（２３１）＋Ｉ
０（２０２）＋Ｉ０（５００）＋Ｉ０（１４１）＋Ｉ０（３３０）＋Ｉ０（２１２）＋Ｉ
０（２４０）＋Ｉ０（３０２）＋Ｉ０（５０１））‥（３）。
【0013】
また、本発明は、珪素粉末、焼結助剤および分散媒を混合してスラリーを作製する工程
と、前記スラリーからシート体を成形する工程と、前記シート体を窒素含有雰囲気中で熱
処理して、前記シート体中の珪素を窒化させ、窒化珪素を形成する工程と、前記窒化珪素
を含む前記シート体を焼結して、窒化珪素基板を製造する工程と、を含み、少なくとも前
記窒化珪素を形成する工程において、焼結助剤の揮発を制御し前記焼結助剤の移動の方向
である厚み方向に窒化ケイ素粒子を配向させることを特徴とする、窒化珪素基板の製造方
法に関する。
と、前記スラリーからシート体を成形する工程と、前記シート体を窒素含有雰囲気中で熱
処理して、前記シート体中の珪素を窒化させ、窒化珪素を形成する工程と、前記窒化珪素
を含む前記シート体を焼結して、窒化珪素基板を製造する工程と、を含み、少なくとも前
記窒化珪素を形成する工程において、焼結助剤の揮発を制御し前記焼結助剤の移動の方向
である厚み方向に窒化ケイ素粒子を配向させることを特徴とする、窒化珪素基板の製造方
法に関する。
【0014】
本発明によれば、窒化工程を経て珪素から窒化珪素、さらには焼結工程を経て窒化珪素
基板を得る際に、少なくとも窒化珪素を得る際に焼結助剤の揮発を促すようにしている。
したがって、焼結助剤の揮発による拡散移動により、生成した窒化珪素β粒子は厚さ方向
に配向するようになる。
基板を得る際に、少なくとも窒化珪素を得る際に焼結助剤の揮発を促すようにしている。
したがって、焼結助剤の揮発による拡散移動により、生成した窒化珪素β粒子は厚さ方向
に配向するようになる。
【0015】
結果として、基板面にＸ線を照射した際に、β－Ｓｉ３Ｎ４のＸ線回折ピークを有し、
窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸）の割合を示
す配向度ｆａが０～０．３の範囲の窒化珪素基板が得られる。この基板は、厚さ方向の熱
伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるので、従来の窒化珪素基板に比較して高い熱伝導率を
有する。
窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸）の割合を示
す配向度ｆａが０～０．３の範囲の窒化珪素基板が得られる。この基板は、厚さ方向の熱
伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるので、従来の窒化珪素基板に比較して高い熱伝導率を
有する。
【0016】
したがって、半導体回路基板に使用した場合にも半導体チップで発生する熱をヒートシ
ンクに効率的に逃がすことができ、半導体回路基板に投入できる電力を向上させることが
できるようになる。すなわち、窒化珪素基板の優れた強度と相俟ってパワー半導体を初め
とする種々の半導体回路基板に対して適用することができる。
ンクに効率的に逃がすことができ、半導体回路基板に投入できる電力を向上させることが
できるようになる。すなわち、窒化珪素基板の優れた強度と相俟ってパワー半導体を初め
とする種々の半導体回路基板に対して適用することができる。
【0017】
本発明の窒化珪素基板およびその製造方法において、焼結助剤は、希土類酸化物および
マグネシウム化合物の少なくとも一方であることが好ましい。これによって、上述した焼
結助剤から生成した液相の厚さ方向の移動が促進されるので、上述した作用効果をより顕
著に奏することができる。
マグネシウム化合物の少なくとも一方であることが好ましい。これによって、上述した焼
結助剤から生成した液相の厚さ方向の移動が促進されるので、上述した作用効果をより顕
著に奏することができる。
【0018】
また、本発明の窒化珪素基板においては、３点法による抗折強度が５００ＭＰａ以上で
あり、厚さが０．１～１．２ｍｍであることが好ましい。これによって、実用に足る強度
の窒化珪素基板を得ることができる。
あり、厚さが０．１～１．２ｍｍであることが好ましい。これによって、実用に足る強度
の窒化珪素基板を得ることができる。
【0019】
さらに、本発明の窒化珪素基板においては、主面の大きさが４００～４００００ｍｍ２
であり、密度が３．１５～３．４０ｇ／ｃｍ３であり、絶縁耐圧が２０ｋＶ／ｍｍ以上で
あることが好ましい。この場合、実用に足る絶縁耐力の窒化珪素基板を得ることができる
。
であり、密度が３．１５～３．４０ｇ／ｃｍ３であり、絶縁耐圧が２０ｋＶ／ｍｍ以上で
あることが好ましい。この場合、実用に足る絶縁耐力の窒化珪素基板を得ることができる
。
【発明の効果】
【0020】
以上説明したように、本発明によれば、厚さ方向において熱伝導性に優れた窒化珪素基
板を提供することができる。
板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【発明を実施するための形態】
【0022】
【0023】
本発明の窒化珪素基板は、窒化珪素の含有量が８５質量％以上であることが好ましく、
より好ましくは８７質量％以上である。これによって、以下に説明するように、窒化珪素
の結晶系（結晶構造）に起因して、窒化珪素基板の厚さ方向の熱伝導率が向上するように
なる。窒化珪素の含有量が８５質量％未満であると、上記窒化珪素の割合が少なくなるた
めに窒化珪素基板の厚さ方向の熱伝導率の向上が不十分となる。
より好ましくは８７質量％以上である。これによって、以下に説明するように、窒化珪素
の結晶系（結晶構造）に起因して、窒化珪素基板の厚さ方向の熱伝導率が向上するように
なる。窒化珪素の含有量が８５質量％未満であると、上記窒化珪素の割合が少なくなるた
めに窒化珪素基板の厚さ方向の熱伝導率の向上が不十分となる。
【0024】
また、窒化珪素の含有量が９５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは９３
質量％以下である。窒化珪素の含有量が９５質量％を超えると、窒化珪素基板に含有され
る焼結助剤の含有量が減少するために、液相の量が減少し、分離剤層中に向かう垂直方向
の液相の移動が減少するので、生成した窒化珪素が窒化珪素基板の厚さ方向に配向するの
が困難になり、窒化珪素基板の厚さ方向の熱伝導率を向上させることができない。
質量％以下である。窒化珪素の含有量が９５質量％を超えると、窒化珪素基板に含有され
る焼結助剤の含有量が減少するために、液相の量が減少し、分離剤層中に向かう垂直方向
の液相の移動が減少するので、生成した窒化珪素が窒化珪素基板の厚さ方向に配向するの
が困難になり、窒化珪素基板の厚さ方向の熱伝導率を向上させることができない。
【0025】
本発明の窒化珪素基板において、焼結助剤の含有量は５質量％以上であることが好まし
く、より好ましくは７質量％以上である。焼結助剤を５質量％以上の割合で含むことによ
り、以下に説明するように、窒化珪素基板を焼結して製造する際の液相の割合が最適化さ
れ、窒化珪素粒子が厚さ方向に垂直に配向するとともに、窒化珪素の割合が最適化され、
窒化珪素基板の厚さ方向における熱伝導率が向上する。
く、より好ましくは７質量％以上である。焼結助剤を５質量％以上の割合で含むことによ
り、以下に説明するように、窒化珪素基板を焼結して製造する際の液相の割合が最適化さ
れ、窒化珪素粒子が厚さ方向に垂直に配向するとともに、窒化珪素の割合が最適化され、
窒化珪素基板の厚さ方向における熱伝導率が向上する。
【0026】
一方、本発明の窒化珪素基板において、焼結助剤の含有量は１５質量％以下であること
が必要である。焼結助剤を１５質量％を超えて含有すると、窒化珪素の割合が減少するの
で、窒化珪素に由来する窒化珪素基板の厚さ方向における熱伝導率が減少する。
が必要である。焼結助剤を１５質量％を超えて含有すると、窒化珪素の割合が減少するの
で、窒化珪素に由来する窒化珪素基板の厚さ方向における熱伝導率が減少する。
【0027】
なお、本発明の窒化珪素基板は、上述のような窒化珪素や焼結助剤に加えて、不可避的
不純物を含む。この不可避的不純物とは、例えば窒化珪素基板の製造過程で使用する分散
媒としての有機溶媒やバインダー、可塑剤等の添加剤等である。
不純物を含む。この不可避的不純物とは、例えば窒化珪素基板の製造過程で使用する分散
媒としての有機溶媒やバインダー、可塑剤等の添加剤等である。
【0028】
本発明の窒化珪素基板は、基板面にＸ線を照射した際に、β－Ｓｉ３Ｎ４のＸ線回折ピ
ークを有し、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸
）の割合を示す配向度ｆａが０～０．３範囲であることが好ましい。
ークを有し、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸
）の割合を示す配向度ｆａが０～０．３範囲であることが好ましい。
【0029】
図１に示すように、β－Ｓｉ３Ｎ４の結晶系（結晶構造）は、（２００）面および（１
２０）面含む複数の面を側面に有し、（００２）面を端面に有する六角柱状である。した
がって、基板面にＸ線を照射した際に、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓ
ｉ３Ｎ４粒子の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であるということは、窒化珪素
基板の厚さ方向において、β－Ｓｉ３Ｎ４粒子が優先的に配向し、図２に示すような形態
で、窒化珪素基板１０内に柱状のβ―Ｓｉ３Ｎ４粒子１１の大部分が厚さ方向に配向して
いることを意味する。なお、参照数字１２は焼結助剤等に起因した粒界相を示す。
２０）面含む複数の面を側面に有し、（００２）面を端面に有する六角柱状である。した
がって、基板面にＸ線を照射した際に、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓ
ｉ３Ｎ４粒子の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であるということは、窒化珪素
基板の厚さ方向において、β－Ｓｉ３Ｎ４粒子が優先的に配向し、図２に示すような形態
で、窒化珪素基板１０内に柱状のβ―Ｓｉ３Ｎ４粒子１１の大部分が厚さ方向に配向して
いることを意味する。なお、参照数字１２は焼結助剤等に起因した粒界相を示す。
【0030】
本来的に、窒化珪素粒子の熱伝導率は、六角柱の長さ方向においてその他の方向よりも
高くなる。すなわち、本発明では、例えば図２に示すように、六角柱状の窒化珪素（β－
Ｓｉ３Ｎ４）が窒化珪素基板の厚さ方向に沿って配向する割合が高くなる。したがって、
本発明では、厚さ方向において高熱伝導率を呈することができる。
高くなる。すなわち、本発明では、例えば図２に示すように、六角柱状の窒化珪素（β－
Ｓｉ３Ｎ４）が窒化珪素基板の厚さ方向に沿って配向する割合が高くなる。したがって、
本発明では、厚さ方向において高熱伝導率を呈することができる。
【0031】
なお、窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の割合を示す配向
度ｆａが０未満、すなわち負の範囲では、面方向への配向が強くなり、上述した作用効果
を十分に奏することができず、窒化珪素基板の厚さ方向において高い熱伝導率を得ること
ができない。また、配向度ｆａの上限は現状では０．３であるが熱伝導率の観点からは高
いほど好ましい。但し、この比があまり高くなりすぎると、厚さ方向における破壊強度等
の機械的強度が低下するようになる。
度ｆａが０未満、すなわち負の範囲では、面方向への配向が強くなり、上述した作用効果
を十分に奏することができず、窒化珪素基板の厚さ方向において高い熱伝導率を得ること
ができない。また、配向度ｆａの上限は現状では０．３であるが熱伝導率の観点からは高
いほど好ましい。但し、この比があまり高くなりすぎると、厚さ方向における破壊強度等
の機械的強度が低下するようになる。
【0032】
本発明の窒化珪素基板においては、厚さ方向の熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、
好ましくは８５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。これによって、本発明の窒化珪素基板を半導体回
路基板に使用した場合にも、半導体チップで発生する熱をヒートシンクに効率的に逃がす
ことができ、半導体回路基板に投入できる電力を向上させることができるようになる。す
なわち、窒化珪素基板の優れた強度と相俟ってパワー半導体を初めとする種々の半導体回
路基板に対して適用することができる。
好ましくは８５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。これによって、本発明の窒化珪素基板を半導体回
路基板に使用した場合にも、半導体チップで発生する熱をヒートシンクに効率的に逃がす
ことができ、半導体回路基板に投入できる電力を向上させることができるようになる。す
なわち、窒化珪素基板の優れた強度と相俟ってパワー半導体を初めとする種々の半導体回
路基板に対して適用することができる。
【0033】
なお、上記熱伝導率は、本発明の窒化珪素基板が上述した窒化珪素および焼結助剤の含
有量、並びにＸ線回折の要件を満足することにより得ることができる。
有量、並びにＸ線回折の要件を満足することにより得ることができる。
【0034】
また、本発明の窒化珪素基板においては、３点法による抗折強度が５００ＭＰａ以上で
あり、厚さが０．１～１．２ｍｍであることが好ましい。これによって、実用に足る強度
の窒化珪素基板を得ることができる。また、後述の表１に示すように、本発明の窒化珪素
基板においては、３点法による抗折強度として６５０ＭＰａ以上、好ましくは７００ＭＰ
ａ以上を有し得る。
あり、厚さが０．１～１．２ｍｍであることが好ましい。これによって、実用に足る強度
の窒化珪素基板を得ることができる。また、後述の表１に示すように、本発明の窒化珪素
基板においては、３点法による抗折強度として６５０ＭＰａ以上、好ましくは７００ＭＰ
ａ以上を有し得る。
【0035】
さらに、本発明の窒化珪素基板においては、主面の大きさが４００～４００００ｍｍ２
であり、密度が３．１５～３．４０ｇ／ｃｍ３であり、絶縁耐圧が２０ｋＶ／ｍｍ以上で
あることが好ましい。この場合、実用に足る絶縁耐力の窒化珪素基板を得ることができる
。
であり、密度が３．１５～３．４０ｇ／ｃｍ３であり、絶縁耐圧が２０ｋＶ／ｍｍ以上で
あることが好ましい。この場合、実用に足る絶縁耐力の窒化珪素基板を得ることができる
。
【0036】
次に本発明の窒化珪素基板の製造方法について説明する。
【0037】
最初に、原料として、珪素粉末、焼結助剤粉末を用意する。珪素粉末は、例えばメジア
ン径Ｄ５０が５０μｍ以下であり、不純物酸素含有量が０．６質量％以下であることが好
ましい。なお、焼結助剤の量は、珪素粉末１００質量部に対して１５質量部であることが
好ましい。
ン径Ｄ５０が５０μｍ以下であり、不純物酸素含有量が０．６質量％以下であることが好
ましい。なお、焼結助剤の量は、珪素粉末１００質量部に対して１５質量部であることが
好ましい。
【0038】
焼結助剤は、例えばメジアン径Ｄ５０が１０μｍ以下の金属化合物粉末であることが好ま
しい。金属化合物粉末としては、希土類元素、マグネシウム、チタン、ハフニウムなどの
酸化物が挙げられるが、より好ましくは希土類元素酸化物、マグネシウム化合物（マグネ
シア等）である。これらの焼結助剤は流動性に優れるため、以下に説明するような流体挙
動を呈し、窒化珪素（粒子）を厚さ方向に配向しやすくする。
しい。金属化合物粉末としては、希土類元素、マグネシウム、チタン、ハフニウムなどの
酸化物が挙げられるが、より好ましくは希土類元素酸化物、マグネシウム化合物（マグネ
シア等）である。これらの焼結助剤は流動性に優れるため、以下に説明するような流体挙
動を呈し、窒化珪素（粒子）を厚さ方向に配向しやすくする。
【0039】
次いで、珪素粉末および焼結助剤に分散媒を添加して、例えばボールミルでメディア分
散し、粉砕混合してスラリーを作製する。分散媒としては、トルエン、エタノール、ブタ
ノール等の有機溶媒を用いることができる。
散し、粉砕混合してスラリーを作製する。分散媒としては、トルエン、エタノール、ブタ
ノール等の有機溶媒を用いることができる。
【0040】
次いで、上記スラリーに対して、必要に応じてバインダー、可塑剤などを添加し、さら
に真空脱泡してスラリーの粘度調整を行う。バインダーとしては、ブチルメタクリレート
、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート等の有機バインダーを用いることが
できる。
に真空脱泡してスラリーの粘度調整を行う。バインダーとしては、ブチルメタクリレート
、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート等の有機バインダーを用いることが
できる。
【0041】
次いで、粘度調整したスラリーをドクターブレード法、ロール法等のシート成形法によ
りシート状に成形し、例えば厚さ０．２～１．５ｍｍのシート体を形成する。なお、当該
シート体は、例えばスラリーをフィルム上に塗布して形成した後、乾燥後にフィルムを除
去して得られる。
りシート状に成形し、例えば厚さ０．２～１．５ｍｍのシート体を形成する。なお、当該
シート体は、例えばスラリーをフィルム上に塗布して形成した後、乾燥後にフィルムを除
去して得られる。
【0042】
次いで、必要に応じて当該シート体の主面上にセラミック粉末および分散媒からなるス
ラリーを塗布し分離剤層を形成する。なお、分散媒としては、上記同様に、トルエン、エ
タノール、ブタノール等の有機溶媒を用いることができる。また、塗布方法としては、ス
プレー法、バーコート法、スクリーン印刷法などを用いることができる。
ラリーを塗布し分離剤層を形成する。なお、分散媒としては、上記同様に、トルエン、エ
タノール、ブタノール等の有機溶媒を用いることができる。また、塗布方法としては、ス
プレー法、バーコート法、スクリーン印刷法などを用いることができる。
【0043】
次いで、必要に応じてシート体の脱脂を、例えば非酸化性雰囲気中、６００℃以下の温
度で数時間行う。その後、上記シート体を窒素含有雰囲気中、１２００～１５００℃の温
度で２～８時間保持することにより、シート体を構成する珪素の窒化を行い、窒化珪素を
形成する。なお、窒素含有雰囲気中の窒素分圧は例えば０．０５～０．５ＭＰａとする。
度で数時間行う。その後、上記シート体を窒素含有雰囲気中、１２００～１５００℃の温
度で２～８時間保持することにより、シート体を構成する珪素の窒化を行い、窒化珪素を
形成する。なお、窒素含有雰囲気中の窒素分圧は例えば０．０５～０．５ＭＰａとする。
【0044】
次いで、同じく窒素含有雰囲気中、１８００～１９５０℃の温度で６～２４時間保持す
ることにより、窒化珪素の焼結を行う。
ることにより、窒化珪素の焼結を行う。
【0045】
なお、本発明では窒化焼結工程において重石板を使用するが、（１）珪素の窒化の際に
、重石板を用いずに上面をフリーの状態にしておき、焼結の際にのみ重石板を用いる方法
や（２）重石板として多孔質板を用い、珪素の窒化および窒化珪素の焼結と連続して成形
体に荷重をかける方法、（３）あるいは重石板として緻密板を用い、成形体と緻密板との
間に分離剤層を設ける方法などがある。
、重石板を用いずに上面をフリーの状態にしておき、焼結の際にのみ重石板を用いる方法
や（２）重石板として多孔質板を用い、珪素の窒化および窒化珪素の焼結と連続して成形
体に荷重をかける方法、（３）あるいは重石板として緻密板を用い、成形体と緻密板との
間に分離剤層を設ける方法などがある。
【0046】
分離剤層はセラミック粉末から構成するが、窒化および焼結において熱的に安定であっ
て、焼結完了後に、緻密板を分離できるものであれば特に限定されるものではないが、窒
化硼素が好ましい。
て、焼結完了後に、緻密板を分離できるものであれば特に限定されるものではないが、窒
化硼素が好ましい。
【0047】
また、セラミック粉末として窒化硼素を用いる場合、その純度は９５％以上であること
が好ましく、その平均粒径は５～２０μｍであることが好ましい。また、分離剤層の厚さ
は１０～６０μｍ、あるいは２０～６０μｍであることが好ましい。
が好ましく、その平均粒径は５～２０μｍであることが好ましい。また、分離剤層の厚さ
は１０～６０μｍ、あるいは２０～６０μｍであることが好ましい。
【0048】
分離剤層が主面上に形成されたシート体を、当該分離剤層を介して複数積層させること
もできる。この場合、上述した窒化および焼結の工程を経ることにより、複数の窒化珪素
基板を同時に製造することができる。
もできる。この場合、上述した窒化および焼結の工程を経ることにより、複数の窒化珪素
基板を同時に製造することができる。
【0049】
結果として、基板面にＸ線を照射した際に、β－Ｓｉ３Ｎ４のＸ線回折ピークを有し、
窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸）の割合を示
す配向度ｆａが０～０．３範囲である窒化珪素基板が得られるようになる。
窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ－Ｓｉ３Ｎ４粒子の長軸（ｃ軸）の割合を示
す配向度ｆａが０～０．３範囲である窒化珪素基板が得られるようになる。
【0050】
（実施例）
【0051】
（実施例１）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤（希土類酸化物およびマグネシウム化合物）、分散剤（ポ
リオキシアルキレン型分散剤）、ならびに、分散媒（エタノール、ブタノール）を、ボー
ルミルを用いて３５時間にわたり混合した。金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化
珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０．８９：０．１１となるよう調節された。その
後、当該混合物に、分散媒（エタノール、メチルエチルケトン）、有機バインダー（アク
リル樹脂）および可塑剤を追加して再混合することによりスラリーを作製した。続いて、
作製したスラリーをボールミルより取り出し、脱泡機に移した後、真空脱泡によりスラリ
ーの粘度を調整し、シート状に成形して１００×１００×ｔ０．３８ｍｍのシート成形体
が作製された。シート成形法としてドクターブレード法が採用された。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤（希土類酸化物およびマグネシウム化合物）、分散剤（ポ
リオキシアルキレン型分散剤）、ならびに、分散媒（エタノール、ブタノール）を、ボー
ルミルを用いて３５時間にわたり混合した。金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化
珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０．８９：０．１１となるよう調節された。その
後、当該混合物に、分散媒（エタノール、メチルエチルケトン）、有機バインダー（アク
リル樹脂）および可塑剤を追加して再混合することによりスラリーを作製した。続いて、
作製したスラリーをボールミルより取り出し、脱泡機に移した後、真空脱泡によりスラリ
ーの粘度を調整し、シート状に成形して１００×１００×ｔ０．３８ｍｍのシート成形体
が作製された。シート成形法としてドクターブレード法が採用された。
【0052】
その後、窒化硼素からなるセラミックスラリーをシート成形体に塗布することにより厚
さ１０μｍの分離剤層を当該シート成形体の表面に形成した後、シート成形体に対して非
酸化性雰囲気において５５０℃で脱脂処理を施した。
さ１０μｍの分離剤層を当該シート成形体の表面に形成した後、シート成形体に対して非
酸化性雰囲気において５５０℃で脱脂処理を施した。
【0053】
次に、窒化硼素からなる分離剤層が主面に形成されたシート成形体に対して、窒素分圧
０．２ＭＰａの窒素含有雰囲気において１４００℃で２時間にわたり窒化処理を施した。
さらに、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素含有雰囲気において１８２０℃で９時間にわたり焼
結し、実施例１の窒化珪素基板を作製した。
０．２ＭＰａの窒素含有雰囲気において１４００℃で２時間にわたり窒化処理を施した。
さらに、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素含有雰囲気において１８２０℃で９時間にわたり焼
結し、実施例１の窒化珪素基板を作製した。
【0054】
（実施例２）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８９５：０．１０５となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ２０μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例２の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８９５：０．１０５となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ２０μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例２の窒化珪素基板を作製した。
【0055】
（実施例３）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８７８：０．１２２となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ２５μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例３の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８７８：０．１２２となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ２５μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例３の窒化珪素基板を作製した。
【0056】
（実施例４）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８８５：０．１１５となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ３５μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例４の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８８５：０．１１５となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ３５μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例４の窒化珪素基板を作製した。
【0057】
（実施例５）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８８３：０．１１７となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ３５μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例５の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８８３：０．１１７となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ３５μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例５の窒化珪素基板を作製した。
【0058】
（実施例６）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８８５：０．１１５となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ５０μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例６の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．８８５：０．１１５となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ５０μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１と同様の作製条件にしたがって実施例６の窒化珪素基板を作製した。
【0059】
（実施例７）
シート成形体の表面に分離剤層がない状態でシート成形体に対して脱脂処理が施され、
シート成形体が重石板のない状態で焼結されたほかは、実施例１と同様の作製条件にした
がって実施例７の窒化珪素基板を作製した。
シート成形体の表面に分離剤層がない状態でシート成形体に対して脱脂処理が施され、
シート成形体が重石板のない状態で焼結されたほかは、実施例１と同様の作製条件にした
がって実施例７の窒化珪素基板を作製した。
【0060】
（実施例８）
シート成形体の表面に分離剤層に代えて気孔率４０％の多孔質板が形成され、その状態
でシート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例１と同様の作製条件にしたが
って実施例８の窒化珪素基板を作製した。
シート成形体の表面に分離剤層に代えて気孔率４０％の多孔質板が形成され、その状態
でシート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例１と同様の作製条件にしたが
って実施例８の窒化珪素基板を作製した。
【0061】
（実施例９）
シート成形体の表面に分離剤層に代えて気孔率１５％の半緻密質板が形成され、その状
態でシート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例１と同様の作製条件にした
がって実施例８の窒化珪素基板を作製した。
シート成形体の表面に分離剤層に代えて気孔率１５％の半緻密質板が形成され、その状
態でシート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例１と同様の作製条件にした
がって実施例８の窒化珪素基板を作製した。
【0062】
（実施例１０）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２１：０．０７９となるよう調節され、２４０×１８０×ｔ０．２９ｍｍのシート成
形体が作製され、シート成形体の表面に厚さ２０μｍの分離剤層が形成され、その状態で
当該シート成形体に対して脱脂処理が施され、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素含有雰囲気に
おいて１８４０℃で１２時間にわたり焼結されたほかは、実施例１と同様の作製条件にし
たがって実施例１０の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２１：０．０７９となるよう調節され、２４０×１８０×ｔ０．２９ｍｍのシート成
形体が作製され、シート成形体の表面に厚さ２０μｍの分離剤層が形成され、その状態で
当該シート成形体に対して脱脂処理が施され、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素含有雰囲気に
おいて１８４０℃で１２時間にわたり焼結されたほかは、実施例１と同様の作製条件にし
たがって実施例１０の窒化珪素基板を作製した。
【0063】
（実施例１１）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２：０．０８となるよう調節され、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素含有雰囲気において
１８３０℃で１２時間にわたり焼結されたほかは、実施例１０と同様の作製条件にしたが
って実施例１１の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２：０．０８となるよう調節され、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素含有雰囲気において
１８３０℃で１２時間にわたり焼結されたほかは、実施例１０と同様の作製条件にしたが
って実施例１１の窒化珪素基板を作製した。
【0064】
（実施例１２）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２６：０．０７４となるよう調節され、２４０×１８０×ｔ０．３８ｍｍのシート成
形体が作製され、シート成形体の表面に厚さ１０μｍの分離剤層が形成され、その状態で
当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例１１と同様の作製条件にし
たがって実施例１２の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２６：０．０７４となるよう調節され、２４０×１８０×ｔ０．３８ｍｍのシート成
形体が作製され、シート成形体の表面に厚さ１０μｍの分離剤層が形成され、その状態で
当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例１１と同様の作製条件にし
たがって実施例１２の窒化珪素基板を作製した。
【0065】
（実施例１３）
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２７：０．０７３となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ２０μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１２と同様の作製条件にしたがって実施例１３の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量の質量比で０
．９２７：０．０７３となるよう調節され、シート成形体の表面に厚さ２０μｍの分離剤
層が形成され、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施されたほかは、実施例
１２と同様の作製条件にしたがって実施例１３の窒化珪素基板を作製した。
【0066】
（比較例）
【0067】
（比較例１）
金属Ｓｉ粉末窒化珪素粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量
の質量比で０．９０９：０．０９１となるよう調節され、１００×１００×ｔ０．３８ｍ
ｍのシート成形体が作製され、シート成形体の表面に厚さ３５μｍの分離剤層が形成され
、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施され、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素
含有雰囲気において１８２０℃で９時間にわたり焼結し窒化珪素基板を作製した。された
ほかは、実施例１と同様の作製条件にしたがって比較例１の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末窒化珪素粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量
の質量比で０．９０９：０．０９１となるよう調節され、１００×１００×ｔ０．３８ｍ
ｍのシート成形体が作製され、シート成形体の表面に厚さ３５μｍの分離剤層が形成され
、その状態で当該シート成形体に対して脱脂処理が施され、窒素分圧０．７ＭＰａの窒素
含有雰囲気において１８２０℃で９時間にわたり焼結し窒化珪素基板を作製した。された
ほかは、実施例１と同様の作製条件にしたがって比較例１の窒化珪素基板を作製した。
【0068】
（比較例２）
金属Ｓｉ粉末窒化珪素粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量
の質量比で０．９０４：０．０９６となるよう調節されたほかは、比較例１と同様の作製
条件にしたがって比較例２の窒化珪素基板を作製した。
金属Ｓｉ粉末窒化珪素粉末および焼結助剤が焼結後の窒化珪素含有量と焼結助剤含有量
の質量比で０．９０４：０．０９６となるよう調節されたほかは、比較例１と同様の作製
条件にしたがって比較例２の窒化珪素基板を作製した。
【0069】
（評価方法）
各実施例および各比較例の窒化珪素基板の特性を次のように評価した。
各実施例および各比較例の窒化珪素基板の特性を次のように評価した。
【0070】
（Ｘ線回折ピーク強度による配向度）
Ｘ線回折は、４０ｋＶ、１５ｍＡで励起したＣｕ－Ｋα線を用いて、θ－２θ法による
走査を、０．０１°のステップ幅で測定を行った。
Ｘ線回折は、４０ｋＶ、１５ｍＡで励起したＣｕ－Ｋα線を用いて、θ－２θ法による
走査を、０．０１°のステップ幅で測定を行った。
【0071】
（元素分析）
Ｓｉ、Ｎ、Ｍｇおよび希土類元素の定量分析は、Ｒｉｇａｋｕ社製ＺＳＸ Ｐｒｉｍｕ
ｓＩＩを用いて蛍光Ｘ線分析法により行なった。一方、Ｏの分析は、ＨＯＲＩＢＡ社製Ｅ
ＭＧＡー９２０を用いて不活性ガス融解―非分散型赤外線吸収（ＮＤＩＲ）法により行な
った。ＳｉおよびＮの量および量比よりＳｉＮの含有量を計算し、ＭｇおよびＯの量およ
び量比、並びに希土類元素およびＯの量および量比より焼結助剤の量を計算した。
Ｓｉ、Ｎ、Ｍｇおよび希土類元素の定量分析は、Ｒｉｇａｋｕ社製ＺＳＸ Ｐｒｉｍｕ
ｓＩＩを用いて蛍光Ｘ線分析法により行なった。一方、Ｏの分析は、ＨＯＲＩＢＡ社製Ｅ
ＭＧＡー９２０を用いて不活性ガス融解―非分散型赤外線吸収（ＮＤＩＲ）法により行な
った。ＳｉおよびＮの量および量比よりＳｉＮの含有量を計算し、ＭｇおよびＯの量およ
び量比、並びに希土類元素およびＯの量および量比より焼結助剤の量を計算した。
【0072】
（熱伝導率）
熱拡散率の測定は、フラッシュ法により、ＮＥＴＺＳＣＨ社製ＬＦＡ ４６７ Ｈｙｐ
ｅｒＦｌａｓｈ装置を用いて行なった。本装置にて、パルス幅２０μｓｅｃのキセノンフ
ラッシュ光を照射することにより、ＩＲ検出器でＡＣ温度応答を測定し、その温度応答の
振幅と位置に対する減衰率から熱拡散率を算出した。１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズの試験
片の表面に黒化処理が施されたうえで測定が実施された。
熱拡散率の測定は、フラッシュ法により、ＮＥＴＺＳＣＨ社製ＬＦＡ ４６７ Ｈｙｐ
ｅｒＦｌａｓｈ装置を用いて行なった。本装置にて、パルス幅２０μｓｅｃのキセノンフ
ラッシュ光を照射することにより、ＩＲ検出器でＡＣ温度応答を測定し、その温度応答の
振幅と位置に対する減衰率から熱拡散率を算出した。１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズの試験
片の表面に黒化処理が施されたうえで測定が実施された。
【0073】
（密度測定）
密度測定にはアルキメデス法により行なった。
密度測定にはアルキメデス法により行なった。
【0074】
（３点法による抗折強度）
３点曲げ強度は、４ｍｍ×３５ｍｍの試験片に対して、ＪＩＳ Ｒ１６０１：２００８
にしたがって、室温（２５℃）にて、２支点間の間隔が３０ｍｍで、２支点の中間点から
曲げたときの３点曲げ強度として測定し、１０個の試験片の３点曲げ強度の平均値とした
。
３点曲げ強度は、４ｍｍ×３５ｍｍの試験片に対して、ＪＩＳ Ｒ１６０１：２００８
にしたがって、室温（２５℃）にて、２支点間の間隔が３０ｍｍで、２支点の中間点から
曲げたときの３点曲げ強度として測定し、１０個の試験片の３点曲げ強度の平均値とした
。
【0075】
表１には、各実施例および各比較例の窒化ケイ素基板の作製条件の一部および当該評価
結果がまとめて示されている。
結果がまとめて示されている。
【0076】
【表1】
【0077】
シート体の片主面上に分離剤層を形成した実施例１～５、１０～１３および多孔質板を
形成した実施例６～９においては、いずれも窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ
－Ｓｉ３Ｎ４粒子の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であって、厚さ方向の熱伝
導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが判明した。
形成した実施例６～９においては、いずれも窒化珪素基板において厚さ方向に配向したβ
－Ｓｉ３Ｎ４粒子の割合を示す配向度ｆａが０～０．３の範囲であって、厚さ方向の熱伝
導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが判明した。
【符号の説明】
【0078】
１０ 窒化珪素基板
１１ 窒化珪素粒子
１２ 粒界相
１１ 窒化珪素粒子
１２ 粒界相
【図1】
【図2】