特開 2024-27384 受光素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024027384

(43)【公開日】2024-03-01

(54)【発明の名称】受光素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/10 20060101AFI20240222BHJP

   H01L 21/66 20060101ALI20240222BHJP

【ＦＩ】

H01L31/10 A

H01L21/66 X

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022130146

(22)【出願日】2022-08-17

(71)【出願人】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】岡田 毅

【テーマコード（参考）】

4M106

5F149

5F849

【Ｆターム（参考）】

4M106AA02

4M106CA04

4M106CA38

4M106DB04

5F149AA02

5F149AB07

5F149BA28

5F149CB14

5F149DA02

5F149FA05

5F149GA06

5F149HA03

5F149HA12

5F149LA01

5F149XB03

5F149XB18

5F149XB36

5F849AA02

5F849AB07

5F849BA28

5F849CB14

5F849DA02

5F849FA05

5F849GA06

5F849HA03

5F849HA12

5F849LA01

5F849XB03

5F849XB18

5F849XB36

(57)【要約】

【課題】受光素子の信頼性を高めることができる受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】受光素子の製造方法は、第１主面と、前記第１主面の反対の第２主面とを有する基板を準備する工程と、前記第１主面の上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上に開口部を有する保護膜を形成する工程と、前記開口部により露出した前記半導体層の上に電極を形成する工程と、前記電極が形成された後に前記保護膜をエッチング液に接触させる工程と、前記エッチング液に接触させる工程の後に特性を検査する工程と、を有し、前記エッチング液は、前記保護膜よりも前記半導体層に対するエッチング速度が大きい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面と、前記第１主面の反対の第２主面とを有する基板を準備する工程と、
前記第１主面の上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に開口部を有する保護膜を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記半導体層の上に電極を形成する工程と、
前記電極が形成された後に前記保護膜をエッチング液に接触させる工程と、
前記エッチング液に接触させる工程の後に特性を検査する工程と、
を有し、
前記エッチング液は、前記保護膜よりも前記半導体層に対するエッチング速度が大きい、
受光素子の製造方法。

【請求項2】

前記エッチング液に接触させる工程は、前記基板を前記エッチング液に浸漬させることを含む、
請求項１に記載の受光素子の製造方法。

【請求項3】

前記エッチング液に接触させる工程は、前記保護膜の上に前記エッチング液を塗布することを含む、
請求項１に記載の受光素子の製造方法。

【請求項4】

前記特性を検査する工程は、外観を検査することを含む、
請求項１に記載の受光素子の製造方法。

【請求項5】

前記特性を検査する工程は、電気特性を検査することを含む、
請求項１に記載の受光素子の製造方法。

【請求項6】

前記エッチング液は、臭化水素酸である、
請求項１に記載の受光素子の製造方法。

【請求項7】

前記電極を形成する工程の後に、前記第２主面を研磨する工程を更に有し、
前記エッチング液に接触させる工程は、前記第２主面を研磨する工程の後に行われ、かつ前記第２主面を前記エッチング液に接触させることを含む、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の受光素子の製造方法。

【請求項8】

前記電極を形成する工程の後に、前記第２主面に反射防止膜を形成する工程を更に有し、
前記エッチング液に接触させる工程は、前記反射防止膜を形成する工程の後に行われる、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の受光素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、受光素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近赤外光を検出する受光素子として、近赤外光を吸収する受光層にIII－V属化合物半導体が用いられているフォトダイオードがあり、例えばメサを形成したメサ型フォトダイオードが開示されている。受光層は、例えば保護膜により覆われる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－３４６４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

受光素子の製造において保護膜にピンホール等の欠陥があると、受光素子の信頼性が低下する。

【0005】

本開示は、受光素子の信頼性を高めることができる受光素子の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の受光素子の製造方法は、第１主面と、前記第１主面の反対の第２主面とを有する基板を準備する工程と、前記第１主面の上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上に開口部を有する保護膜を形成する工程と、前記開口部により露出した前記半導体層の上に電極を形成する工程と、前記電極が形成された後に前記保護膜をエッチング液に接触させる工程と、前記エッチング液に接触させる工程の後に特性を検査する工程と、を有し、前記エッチング液は、前記保護膜よりも前記半導体層に対するエッチング速度が大きい。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、受光素子の信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係る受光素子を示す断面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図3】図３は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図4】図４は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図5】図５は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図6】図６は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図7】図７は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図8】図８は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図9】図９は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その８）である。

【図10】図１０は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その９）である。

【図11】図１１は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その１０）である。

【図12】図１２は、実施形態に係る受光素子の製造方法を示す断面図（その１１）である。

【図13】図１３は、実施形態に係る２次元アレイ型の受光素子の上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

実施するための形態について、以下に説明する。

【0010】

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一又は対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。

【0011】

〔１〕 本開示の一態様に係る受光素子の製造方法は、第１主面と、前記第１主面の反対の第２主面とを有する基板を準備する工程と、前記第１主面の上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上に開口部を有する保護膜を形成する工程と、前記開口部により露出した前記半導体層の上に電極を形成する工程と、前記電極が形成された後に前記保護膜をエッチング液に接触させる工程と、前記エッチング液に接触させる工程の後に特性を検査する工程と、を有し、前記エッチング液は、前記保護膜よりも前記半導体層に対するエッチング速度が大きい。この場合、保護膜にピンホール等の欠陥があると、保護膜をエッチング液に接触させる工程において、エッチング液が欠陥を通って半導体層に到達するため半導体層がエッチングされる。半導体層がエッチングされると、受光素子の外観や電気特性が変化するため、特性を検査する工程において受光素子の異常を容易に検出できる。一方、保護膜に欠陥がない場合、保護膜をエッチング液に接触させる工程において、エッチング液が半導体層に到達しないため半導体層はエッチングされない。このため、特性を検査する工程において受光素子が正常であると判定できる。結果として、受光素子の信頼性を高めることができる。

【0012】

〔２〕 〔１〕において、前記エッチング液に接触させる工程は、前記基板を前記エッチング液に浸漬させることを含んでもよい。この場合、第１主面及び第２主面がエッチング液に接触するので、第２主面を研磨したときに生じうるキズ等を除去できる。

【0013】

〔３〕 〔１〕において、前記エッチング液に接触させる工程は、前記保護膜の上に前記エッチング液を塗布することを含んでもよい。この場合、第１主面の側のみに選択的にエッチング液を接触させることができる。このため、第２主面をエッチングしたくない場合に有効である。

【0014】

〔４〕 〔１〕から〔３〕のいずれかにおいて、前記特性を検査する工程は、外観を検査することを含んでもよい。この場合、受光素子の異常を外観により検出できる。

【0015】

〔５〕 〔１〕から〔４〕のいずれかにおいて、前記特性を検査する工程は、電気特性を検査することを含んでもよい。この場合、受光素子の異常を電気特性により検出できる。

【0016】

〔６〕 〔１〕から〔５〕のいずれかにおいて、前記エッチング液は、臭化水素酸であってもよい。この場合、保護膜に対して半導体層を選択的にエッチングしやすい。

【0017】

〔７〕 〔１〕から〔６〕のいずれかにおいて、前記電極を形成する工程の後に、前記第２主面を研磨する工程を更に有し、前記エッチング液に接触させる工程は、前記第２主面を研磨する工程の後に行われ、かつ前記第２主面を前記エッチング液に接触させることを含んでもよい。この場合、第２主面を研磨したときに生じうるキズ等を除去できる。

【0018】

〔８〕 〔１〕から〔６〕のいずれかにおいて、前記電極を形成する工程の後に、前記第２主面に反射防止膜を形成する工程を更に有し、前記エッチング液に接触させる工程は、前記反射防止膜を形成する工程の後に行われてもよい。この場合、第２主面が反射防止膜で覆われているので、第２主面がエッチング液に接触しない。このため、第２主面をエッチングしたくない場合に有効である。

【0019】

［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。

【0020】

（受光素子）
図１を参照し、実施形態に係る受光素子１００について説明する。受光素子１００は、近赤外光を検出する受光素子である。受光素子１００は、いわゆる裏面入射型受光素子である。図１に示されるように、受光素子１００は、基板１０を含む。

【0021】

基板１０は、例えばＩｎＰ基板である。基板１０は、不純物元素として鉄（Ｆｅ）がドープされており半絶縁化されている。基板１０の厚さは、約６００μｍである。基板１０は、第１主面１０ａと、第１主面１０ａと反対の第２主面１０ｂとを有する。第１主面１０ａの上には、ｎ型コンタクト層２１と、受光層２２と、ワイドギャップ層２３と、ｐ型コンタクト層２４とがこの順に設けられている。第２主面１０ｂには、反射防止膜８０が設けられている。反射防止膜８０は、例えば膜厚が１５０ｎｍのＳｉＮ膜により形成されている。

【0022】

ｎ型コンタクト層２１は、基板１０の上に設けられている。ｎ型コンタクト層２１は、ｎ－ＩｎＰにより形成されており、ｎ型となる不純物元素として珪素（Ｓｉ）が約２×１０^１８ｃｍ^－３の濃度でドープされている。

【0023】

受光層２２は、ｎ型コンタクト層２１の上に設けられている。受光層２２は、不純物元素がドープされていないＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７Ａｓにより形成されている。

【0024】

ワイドギャップ層２３は、受光層２２の上に設けられている。ワイドギャップ層２３は、例えばｎ型ワイドギャップ層と、ｐ型ワイドギャップ層とを含む。ｎ型ワイドギャップ層は、ｎ－ＩｎＰにより形成されており、ｎ型となる不純物元素としてＳｉが約２×１０^１５ｃｍ^－３の濃度でドープされている。ｐ型ワイドギャップ層は、ｐ－ＩｎＰにより形成されており、ｐ型となる不純物元素として亜鉛（Ｚｎ）が約２×１０^１５ｃｍ^－３の濃度でドープされている。ｎ型ワイドギャップ層とｐ型ワイドギャップ層との界面には、ｐｎ接合が形成されている。

【0025】

ｐ型コンタクト層２４は、ワイドギャップ層２３の上に設けられている。ｐ型コンタクト層２４は、ｐ－ＩｎＧａＡｓにより形成されており、ｐ型となる不純物元素としてＺｎが約１×１０^１９ｃｍ^－３の濃度でドープされている。

【0026】

受光素子１００には、画素分離するための第１溝７１と、ｎ型コンタクト層２１を露出させるための第２溝７２とが形成されている。

【0027】

第１溝７１は、ｐ型コンタクト層２４及びワイドギャップ層２３の一部を除去することにより形成されている。第１溝７１の深さは、約０．７μｍである。第１溝７１は、底面においてワイドギャップ層２３が露出する。第１溝７１により分離されたメサ７０により、各々の画素が形成される。メサ７０におけるｐ型コンタクト層２４の上には、ｐ電極６２が形成されている。ｐ電極６２は、例えば膜厚が約５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚が約８０ｎｍの白金（Ｐｔ）膜との積層膜により形成されている。露出するｐ型コンタクト層２４の上と、ワイドギャップ層２３及びｐ型コンタクト層２４の側面とには、保護膜５０が設けられている。ワイドギャップ層２３のｐｎ接合の側面は、保護膜５０と接触している。保護膜５０は、例えば膜厚が約０．２μｍのＳｉＮ膜により形成されている。

【0028】

第２溝７２は、ｐ型コンタクト層２４、ワイドギャップ層２３、受光層２２及びｎ型コンタクト層２１の一部を除去することにより形成されている。第２溝７２は、外周に沿って形成されている。第２溝７２の深さは、約６μｍである。第２溝７２は、底面においてｎ型コンタクト層２１が露出する。露出するｎ型コンタクト層２１の上には、ｎ電極６１が形成されている。ｎ電極６１は、例えば膜厚が約５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚が約８０ｎｍのＰｔ膜との積層膜により形成されている。

【0029】

第２溝７２により分離された外周のメサ７３におけるｐ型コンタクト層２４の上には、配線電極６３が設けられている。配線電極６３は、例えば膜厚が５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚が約８０ｎｍのＰｔ膜との積層膜により形成されている。配線電極６３は、配線６４によりｎ電極６１と電気的に接続されている。配線６４は、例えば膜厚が約５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚が約６００ｎｍのＡｕ膜との積層膜により形成されている。露出するｎ型コンタクト層２１の上と、ｎ型コンタクト層２１、受光層２２、ワイドギャップ層２３及びｐ型コンタクト層２４の側面とには、保護膜５０が設けられている。

【0030】

ｐ電極６２及び配線電極６３の上には、Ｉｎバンプ６５が設けられている。Ｉｎバンプ６５は、例えば高さが約１０μｍである。ｐ電極６２及び配線電極６３とＩｎバンプ６５との間には、例えば不図示の下地金属（under bump metal：ＵＢＭ）が設けられていてもよい。下地金属は、例えば膜厚が５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚が１００ｎｍのＮｉ膜と、膜厚が３０ｎｍのＡｕ膜との積層膜により形成されている。

【0031】

（受光素子の製造方法）
図２から図１３を参照し、実施形態に係る受光素子１００の製造方法について説明する。

【0032】

まず、図２に示されるように、基板１０の第１主面１０ａに、エピタキシャル成長により、ｎ型コンタクト層２１、受光層２２、ワイドギャップ層２３及びｐ型コンタクト層２４をこの順に形成する。

【0033】

基板１０は、例えばＩｎＰ基板である。基板１０は、不純物元素としてＦｅ（鉄）がドープされており半絶縁化されている。基板１０の厚さは、約６００μｍである。

【0034】

ｎ型コンタクト層２１は、ｎ－ＩｎＰにより形成されており、ｎ型となる不純物元素としてＳｉが約２×１０^１８ｃｍ^－３の濃度でドープされている。

【0035】

受光層２２は、不純物元素がドープされていないＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７Ａｓにより形成されている。

【0036】

ワイドギャップ層２３は、例えばｎ型ワイドギャップ層と、ｐ型ワイドギャップ層とを含む。ｎ型ワイドギャップ層は、ｎ－ＩｎＰにより形成されており、ｎ型となる不純物元素としてＳｉが約２×１０^１５ｃｍ^－３の濃度でドープされている。ｐ型ワイドギャップ層は、ｐ－ＩｎＰにより形成されており、ｐ型となる不純物元素としてＺｎが約２×１０^１５ｃｍ^－３の濃度でドープされている。ｎ型ワイドギャップ層とｐ型ワイドギャップ層との界面には、ｐｎ接合が形成されている。

【0037】

ｐ型コンタクト層２４は、ｐ－ＩｎＧａＡｓにより形成されており、ｐ型となる不純物元素としてＺｎが約１×１０^１９ｃｍ^－３の濃度でドープされている。

【0038】

次に、図３に示されるように、画素分離のための第１溝７１を形成する。具体的には、ｐ型コンタクト層２４の上に、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）により不図示のＳｉＮ膜を成膜する。この後、成膜されたＳｉＮ膜の上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、不図示のレジストパターンを形成する。レジストパターンは、第１溝７１が形成される領域に開口部を有する。レジストパターンの開口部におけるＳｉＮ膜を、バッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去することにより、ＳｉＮ膜によりマスクを形成する。この後、不図示のレジストパターンを有機溶剤等により除去する。この後、ＳｉＮ膜が除去された領域のｐ型コンタクト層２４、ワイドギャップ層２３の一部を反応性イオンエッチング（reactive ion etching：ＲＩＥ）等のドライエッチングにより除去することにより、第１溝７１を形成する。この後、不図示のＳｉＮ膜はバッファードフッ酸により除去する。

【0039】

第１溝７１の深さは、約０．７μｍである。第１溝７１は、底面においてワイドギャップ層２３が露出する。第１溝７１により分離されたメサ７０により、各々の画素が形成される。

【0040】

次に、図４に示されるように、外周に沿ってｎ型コンタクト層２１を露出させるための第２溝７２を形成する。具体的には、ｐ型コンタクト層２４等の上に、プラズマＣＶＤにより不図示のＳｉＮ膜を成膜する。この後、成膜されたＳｉＮ膜の上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、不図示のレジストパターンを形成する。レジストパターンは、第２溝７２が形成される領域に開口部を有する。レジストパターンの開口部におけるＳｉＮ膜を、バッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去することにより、ＳｉＮ膜によりマスクを形成する。この後、不図示のレジストパターンを有機溶剤等により除去する。この後、ＳｉＮ膜が除去された領域のワイドギャップ層２３、受光層２２、ｎ型コンタクト層２１の一部をＲＩＥ等のドライエッチングにより除去することにより、第２溝７２を形成する。この後、不図示のＳｉＮ膜はバッファードフッ酸により除去する。

【0041】

第２溝７２の深さは、約６μｍである。第２溝７２は、底面においてｎ型コンタクト層２１が露出する。

【0042】

次に、図５に示されるように、保護膜５０を形成する。具体的には、全面に、プラズマＣＶＤにより保護膜５０を成膜する。この後、成膜された保護膜５０の上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、不図示のレジストパターンを形成する。レジストパターンは、ｎ電極６１、ｐ電極６２及び配線電極６３が形成される領域に開口部を有する。レジストパターンの開口部における保護膜５０をＲＩＥ等のドライエッチングにより除去することにより、ｐ型コンタクト層２４の表面及びｎ型コンタクト層２１が露出した保護膜５０を形成する。この後、不図示のレジストパターンを有機溶剤等により除去する。保護膜５０は、例えば膜厚が約０．２μｍのＳｉＮ膜により形成されている。

【0043】

次に、図６に示されるように、ｎ型コンタクト層２１の上にｎ電極６１を形成し、メサ７０におけるｐ型コンタクト層２４の上にｐ電極６２を形成し、外周のメサ７３におけるｐ型コンタクト層２４の上に配線電極６３を形成する。ｎ電極６１、ｐ電極６２及び配線電極６３は、リフトオフ法により形成する。具体的には、各々の電極が形成される領域に開口部を有するレジストパターンを形成し、電子ビーム（electron beam：ＥＢ）蒸着により金属膜を成膜した後、有機溶剤等に浸漬させることにより、レジストパターンと共にレジストパターンの上の金属膜を除去することにより形成する。ｎ電極６１、ｐ電極６２及び配線電極６３は、例えば膜厚が約５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚が約８０ｎｍのＰｔ膜との積層膜により形成されている。

【0044】

次に、図７に示されるように、ｎ電極６１と配線電極６３とを電気的に接続する配線６４をリフトオフ法により形成する。配線６４は、例えば膜厚が約５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚が約６００ｎｍのＡｕ膜との積層膜により形成されている。

【0045】

次に、図８に示されるように、化学機械研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）により、基板１０の第２主面１０ｂを研磨する。研磨後の基板１０の厚さは、約５５０μｍである。

【0046】

次に、図９に示されるように、保護膜５０をエッチング液９０に接触させる。エッチング液９０は、保護膜５０よりもｎ型コンタクト層２１、受光層２２、ワイドギャップ層２３及びｐ型コンタクト層２４に対するエッチング速度が大きい薬液である。エッチング液９０は、例えば臭化水素酸であってよい。この場合、保護膜５０に対してｎ型コンタクト層２１、受光層２２、ワイドギャップ層２３及びｐ型コンタクト層２４を選択的にエッチングしやすい。エッチング液９０は、例えば塩酸、硫酸過水であってもよい。

【0047】

図９に示されるように、保護膜５０にピンホール５０ｈがない場合、保護膜５０に覆われているｎ型コンタクト層２１、受光層２２、ワイドギャップ層２３及びｐ型コンタクト層２４は、エッチング液９０と接触しないためエッチングされない。一方、図１０に示されるように、ワイドギャップ層２３を覆う保護膜５０にピンホール５０ｈがある場合、エッチング液９０がピンホール５０ｈを通ってワイドギャップ層２３と接触するため、ワイドギャップ層２３をエッチングする。このため、ピンホール５０ｈの直下に位置するワイドギャップ層２３に穴２３ｈが生じる。ワイドギャップ層２３のエッチングは等方的に進行するため、第１主面１０ａに垂直な方向から平面視したときに、ワイドギャップ層２３にはピンホール５０ｈよりも直径が大きい穴２３ｈが生じる。ｎ型コンタクト層２１、受光層２２及びｐ型コンタクト層２４を覆う保護膜５０にピンホール５０ｈがある場合においても同様である。

【0048】

保護膜５０をエッチング液９０に接触させる際、例えば第２主面１０ｂをエッチング液９０に接触させてもよい。この場合、第２主面１０ｂを研磨したときに生じうるキズ等を除去できる。例えば、エッチング液９０で満たされた容器内に基板１０を浸漬させることにより、第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂがエッチング液９０に接触する。この場合、第２主面１０ｂを研磨したときに生じうるキズ等を除去できる。容器内に基板１０を浸漬させる際には、例えばフッ素樹脂製の基板カセットに複数枚の基板１０を収納し、基板カセットをエッチング液９０で満たされた容器内に浸漬させてもよい。この場合、複数枚の基板１０を同時に処理できるので生産性が向上する。

【0049】

保護膜５０をエッチング液９０に接触させる際、例えば保護膜５０の上にエッチング液９０を塗布してもよい。この場合、第１主面１０ａの側のみに選択的にエッチング液９０を接触させることができる。このため、第２主面１０ｂをエッチングしたくない場合に有効である。

【0050】

次に、図１１に示されるように、基板１０の第２主面１０ｂに反射防止膜８０を形成する。具体的には、第２主面１０ｂの全面に、プラズマＣＶＤにより、反射防止膜８０を成膜する。反射防止膜８０は、例えば膜厚が１５０ｎｍのＳｉＮ膜により形成されている。

【0051】

次に、図１２に示されるように、ｐ電極６２及び配線電極６３の上に、高さが約１０μｍのＩｎバンプ６５をリフトオフ法により形成する。なお、ｐ電極６２及び配線電極６３の上に不図示の下地金属を形成した後、下地金属の上にＩｎバンプ６５を形成してもよい。下地金属は、例えば膜厚が５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚が１００ｎｍのＮｉ膜と、膜厚が３０ｎｍのＡｕ膜との積層膜により形成されている。

【0052】

次に、ダイシングにより、基板１０を複数のチップに分割する。以上により、図１３に示されるように、第１溝７１により分離された画素が２次元に配列された２次元アレイ型の受光素子１００が形成される。

【0053】

次に、受光素子１００の特性の検査を行う。具体的には、カメラ等を含む外観検査装置により、受光素子１００の外観を検査する。この場合、受光素子１００の異常を外観により検出できる。前述したように、ワイドギャップ層２３を覆う保護膜５０にピンホール５０ｈがある場合、保護膜５０をエッチング液９０に接触させると、ワイドギャップ層２３にピンホール５０ｈよりも直径が大きい穴２３ｈが生じる。このため、受光素子１００の外観を検査することにより、製品不良を容易に検出できる。これに対し、保護膜５０をエッチング液９０に接触させない場合には、小さいピンホール５０ｈを外観の検査によって検出することが困難である。ｎ型コンタクト層２１、受光層２２及びｐ型コンタクト層２４を覆う保護膜５０にピンホール５０ｈがある場合においても同様である。

【0054】

また、電流電圧源等を含む電気特性検査装置により、暗電流等の受光素子１００の電気特性を検査する。この場合、受光素子１００の異常を電気特性により検出できる。前述したように、ｎ型コンタクト層２１、受光層２２、ワイドギャップ層２３、ｐ型コンタクト層２４に穴が生じると、所望の電気特性が得られない。例えば、暗電流が大きくなる。このため、受光素子１００の電気特性を検査することにより、製品不良を容易に検出できる。これに対し、保護膜５０をエッチング液９０に接触させない場合には、ピンホール５０ｈが小さいと初期の電気特性に異常が見られないことがあり、電気特性の検査によって製品不良を検出することが困難である。

【0055】

以上に説明したように、実施形態に係る受光素子１００の製造方法によれば、保護膜５０をエッチング液９０に接触させた後に受光素子１００の特性を検査する。この場合、保護膜５０にピンホール５０ｈがある場合、エッチング液９０がピンホール５０ｈを通ってｎ型コンタクト層２１、受光層２２、ワイドギャップ層２３及びｐ型コンタクト層２４等の半導体層と接触するため、半導体層をエッチングする。半導体層がエッチングされると、受光素子１００の外観や電気特性が変化するため、特性を検査する工程において受光素子１００の異常を容易に検出できる。特に、長期信頼性が劣る受光素子１００を取り除くことができるので、フィールドでの不具合を未然に防止できる。このため、受光素子１００の信頼性を高めることができる。一方、保護膜５０にピンホール５０ｈがない場合、保護膜５０に覆われている半導体層はエッチング液９０と接触しないためエッチングされない。このため、特性を検査する工程において受光素子１００が正常であると判定できる。

【0056】

上記の実施形態では、第２主面１０ｂを研磨した後かつ第２主面１０ｂに反射防止膜８０を形成する前に、保護膜５０をエッチング液９０に接触させる場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば第２主面１０ｂに反射防止膜８０を形成した後に、保護膜５０をエッチング液９０に接触させてもよい。この場合、第２主面１０ｂが反射防止膜８０で覆われているので、第２主面１０ｂがエッチング液９０に接触しない。このため、第２主面１０ｂをエッチングしたくない場合に有効である。

【0057】

上記の実施形態では、受光素子１００が２次元アレイ型である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、受光素子１００は第１溝７１により分離された画素が１次元に配列されたものであってもよい。

【0058】

以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

【符号の説明】

【0059】

１０ 基板
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
２１ ｎ型コンタクト層
２２ 受光層
２３ ワイドギャップ層
２３ｈ 穴
２４ ｐ型コンタクト層
５０ 保護膜
５０ｈ ピンホール
６１ ｎ電極
６２ ｐ電極
６３ 配線電極
６４ 配線
６５ Ｉｎバンプ
７０ メサ
７１ 第１溝
７２ 第２溝
７３ メサ
８０ 反射防止膜
９０ エッチング液
１００ 受光素子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】