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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024002837
(43)【公開日】2024-01-11
(54)【発明の名称】配線基板の評価方法および評価装置
(51)【国際特許分類】
G01N 21/59 20060101AFI20231228BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20231228BHJP
G01N 27/00 20060101ALI20231228BHJP
G01N 27/06 20060101ALI20231228BHJP
【ＦＩ】
G01N21/59 Z
H05K3/00 Q
G01N27/00 Z
G01N27/06 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022102280
(22)【出願日】2022-06-25
(71)【出願人】
【識別番号】598014825
【氏名又は名称】株式会社クオルテック
(72)【発明者】
【氏名】長谷川将司
(72)【発明者】
【氏名】杉林祐至
(72)【発明者】
【氏名】中西泰介
【テーマコード（参考）】
2G059
2G060
【Ｆターム（参考）】
2G059AA01
2G059AA05
2G059BB15
2G059BB16
2G059BB20
2G059CC03
2G059DD03
2G059EE01
2G059HH02
2G059HH06
2G059JJ01
2G059KK01
2G059MM01
2G060AA06
2G060AC05
2G060AE17
2G060AF08
(57)【要約】
【課題】
配線パターンのライン／スペースが狭いとマイグレーションが発生する。マイグレーションが発生するが、ライン／スペースとマイグレーション発生との関係が定量化されていない。
【解決手段】
水２０２に配線基板１０２を浸水させることにより、銅配線パターン１０４より銅イオンが水２０２に溶出し、フラックスのイオン成分が溶出する。溶出した銅イオンはイオン交換樹脂２０３により吸着させる。銅イオンを吸着したイオン交換樹脂２０３は再生液２０４に浸け、再生液２０４に銅イオンを溶出させる。再生液２０４に中和液２０５で中和させた後、試薬バソクプロインを滴下して発色させる。発色した再生液は、波長分光装置で吸光度（Ａｂｓ）を測定し、銅イオン量を定量化する。フラックスのイオン成分は、導電率計で定量化する。
【選択図】図１
配線パターンのライン／スペースが狭いとマイグレーションが発生する。マイグレーションが発生するが、ライン／スペースとマイグレーション発生との関係が定量化されていない。
【解決手段】
水２０２に配線基板１０２を浸水させることにより、銅配線パターン１０４より銅イオンが水２０２に溶出し、フラックスのイオン成分が溶出する。溶出した銅イオンはイオン交換樹脂２０３により吸着させる。銅イオンを吸着したイオン交換樹脂２０３は再生液２０４に浸け、再生液２０４に銅イオンを溶出させる。再生液２０４に中和液２０５で中和させた後、試薬バソクプロインを滴下して発色させる。発色した再生液は、波長分光装置で吸光度（Ａｂｓ）を測定し、銅イオン量を定量化する。フラックスのイオン成分は、導電率計で定量化する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属配線が形成された基板を、第１の水溶液に浸水させる第１の工程と、
前記第１の工程後の前記第１の水溶液から、金属イオンをイオン交換樹脂に吸着させる第２の工程と、
前記イオン交換樹脂から、前記金属イオンを第２の水溶液に溶出させる第３の工程と、
前記第２の水溶液を中和させる中和液を混合させる第４の工程と、
前記第２の水溶液に、前記金属イオンと錯体を形成する反応材料を混合させる第５の工程と、
前記第５の工程後の前記第２の水溶液の透過率または吸光度を測定する第６の工程と、
前記第１の水溶液の導電率を測定する第７の工程を有することを特徴とする配線基板の評価方法。
前記第１の工程後の前記第１の水溶液から、金属イオンをイオン交換樹脂に吸着させる第２の工程と、
前記イオン交換樹脂から、前記金属イオンを第２の水溶液に溶出させる第３の工程と、
前記第２の水溶液を中和させる中和液を混合させる第４の工程と、
前記第２の水溶液に、前記金属イオンと錯体を形成する反応材料を混合させる第５の工程と、
前記第５の工程後の前記第２の水溶液の透過率または吸光度を測定する第６の工程と、
前記第１の水溶液の導電率を測定する第７の工程を有することを特徴とする配線基板の評価方法。
【請求項2】
前記反応材料は、ネオクプロインとバソクプロインのうち、少なくとも一方であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の評価方法。
【請求項3】
前記イオン交換樹脂は、強陽イオン交換樹脂であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の評価方法。
【請求項4】
前記金属イオンは、銅イオンであることを特徴とする請求項１記載の配線基板の評価方法。
【請求項5】
金属配線が形成された基板から、第１の水溶液に金属イオンを溶出させる第１の手段と、
前記第１の水溶液から、金属イオンをイオン交換樹脂に吸着させる第２の手段と、
前記イオン交換樹脂から、前記金属イオンを第２の水溶液に溶出させる第３の手段と、
前記第２の水溶液に、前記金属イオンと錯体を形成する反応材料を混合させる第４の手段と、
前記第２の水溶液の透過率または吸光度を測定する第５の手段を具備することを特徴とする配線基板の評価装置。
前記第１の水溶液から、金属イオンをイオン交換樹脂に吸着させる第２の手段と、
前記イオン交換樹脂から、前記金属イオンを第２の水溶液に溶出させる第３の手段と、
前記第２の水溶液に、前記金属イオンと錯体を形成する反応材料を混合させる第４の手段と、
前記第２の水溶液の透過率または吸光度を測定する第５の手段を具備することを特徴とする配線基板の評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プリント基板、電子回路基板、積層基板、積層フィルム、フィルム配線基板等の耐マイグレーション性予測法、マイグレーション評価方法、電子部品の実装評価方法、半田付け評価方法、半田付け予測方法、フラックス／ソルダーレジストの選定に関するものである。
【0002】
また、配線基板の良否判定方法および当該評価装置、予測装置に関するものである。また、配線基板のライン／スペース（Ｌ／Ｓ）の設計指針、評価に関するものである。これらの評価装置、検証装置に関するものである。
【背景技術】
【0003】
携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ等のデジタル電子機器は、高機能化・多機能化の流れが、近年ますます加速している。高機能化・多機能化のためには半導体部品等の高密度実装が進展しているため、半導体部品を搭載するプリント配線板のライン／スペースも精細化の一途をたどっている。
【0004】
プリント配線板のライン／スペースは、電子部品等の高密度実装のためには、重要な事項であるが、フラックス、レジストの性能、種類も電子部品等の高密度実装を左右する。
【0005】
プリント配線板においては耐マイグレーション性に優れ、高い絶縁信頼性を確保するための研究開発が活発に実施されている。ところが、耐マイグレーション性を評価するには、長期間に及ぶ絶縁信頼性試験を行う必要があり、プリント基板の設計、研究開発効率の点で時間的な障害となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００９－０８００９４号公報
【0007】
特許文献１には、加速劣化試験環境において劣化させたプリント配線板に交流電圧を印加して、Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅプロットを得ること、および得られたＣｏｌｅ－Ｃｏｌｅプロット上のワールブルグインピーダンス（Ｆｗ）の存在に基づいて、プリント配線板の耐マイグレーション性を予測することが記載されている。
【発明の概要】
【0008】
本願発明は、水含む水溶液に、フラックス１０１を塗布等した基板１０２等を浸水させて（浸けて）、銅配線（銅箔）パターンを構成する銅等の金属イオン、フラックスのイオン成分等を取り出す。金属イオンはイオン交換樹脂で吸着させた後、再生溶液にイオン交換樹脂を入れ、イオン交換樹脂を再生させて金属イオンを再生溶液に取り出す。再生溶液は中和して、吸光度測定を行う。フラックスのイオン成分は、導電度（率）計で、導電度（率）を測定する。
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
特許文献１の方法では、Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅプロット上のワールブルグインピーダンス（Ｆｗ）の存在に基づいて、計算等を実施する必要がある。Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅプロットは時間を要し、また、Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅプロットによりマイグレーションを予測することは、間接的であり、現実と乖離した結果になることが多い。
【0010】
配線パターンのライン／スペースが狭いとマイグレーションが発生する。マイグレーションが発生するが、ライン／スペースとマイグレーション発生との関係が定量化されていないため、実験、信頼性試験を実施し、ライン／スペースの検証と設計を進める必要がある。この期間は長期間を必要とするため、基板の配線設計に長期間を必要とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本願発明は、水２０２に配線基板１０２を浸水させる（浸ける）ことにより、銅配線パターン１０４から銅イオンが水２０２に溶出する。また、フラックスのイオン成分が水２０２に溶出する。溶出した銅イオンはイオン交換樹脂２０３により吸着させる。
【0012】
銅イオンを吸着したイオン交換樹脂２０３は再生液２０４に浸け、再生液２０４に銅イオンを溶出させる。再生液２０４に中和液２０５で中和させた後、試薬バソクプロイン２０６等を滴下して発色させる。発色した再生液は、波長分光装置で吸光度（Ａｂｓ）を測定し、銅イオン量（銅イオン濃度）を定量化する。
【0013】
水２０２に溶出したフラックスのイオン成分（イオン量、イオン濃度）は、水２０２の導電率を変化させる。水２０２の導電率を導電率計で測定することにより、イオン量（イオン濃度）を定量化する。
【0014】
本願発明の配線基板の評価方法は、金属配線が形成された基板を第１の水溶液に浸水させる第１の工程と、第１の工程後の前記第１の水溶液から金属イオンをイオン交換樹脂に吸着させる第２の工程と、イオン交換樹脂から金属イオンを第２の水溶液に溶出させる第３の工程と、第２の水溶液を中和させる中和液を混合させる第４の工程と、第２の水溶液に金属イオンと錯体を形成する反応材料を混合させる第５の工程と、第５の工程後の第２の水溶液の透過率または吸光度を測定する第６の工程と、第１の水溶液の導電率を測定する第７の工程を有することを特徴とする。
【0015】
好ましくは、反応材料は、ネオクプロインとバソクプロインのうち、少なくとも一方であり、イオン交換樹脂は、強酸性陽イオン交換樹脂であることが好ましい。
【0016】
本願発明の配線基板の評価装置は、金属配線が形成された基板から第１の水溶液に金属イオンを溶出させる第１の手段と、第１の水溶液から金属イオンをイオン交換樹脂に吸着させる第２の手段と、イオン交換樹脂から金属イオンを第２の水溶液に溶出させる第３の手段と、
【0017】
第２の水溶液に金属イオンと錯体を形成する反応材料を混合させる第４の手段と、第２の水溶液の透過率または吸光度を測定する第５の手段を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【0018】
金属イオン量により発色させ、測定対象成分を含む溶液の吸光度を測定することより金属イオン量を定量化でき、フラックス等から溶出したイオン量を定量化するため、効率的で、簡単かつ迅速に配線基板の評価を実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の配線基板の評価方法の説明図である。
【図2】本発明の配線基板の評価に使用する配線基板の説明図である。
【図3】本発明の配線基板の評価に使用する配線基板の説明図である。
【図4】本発明の配線基板の評価に使用する配線基板の説明図である。
【図5】本発明の配線基板の評価装置の説明図である。
【図6】分光波長に対する吸光度（Abs:Absorbance）のグラフである。
【図7】分光波長に対する吸光度（Abs:Absorbance）のグラフである。
【図8】分光波長に対する吸光度（Abs:Absorbance）のグラフである。
【図9】配線パターンのスペースに対する吸光度（Abs:Absorbance）のグラフである。
【図10】配線パターンのスペースに対する吸光度（Abs:Absorbance）のグラフである。
【図11】銅とキレートを形成したネオクプロイン、バソクプロインの構造式である。
【図12】配線基板の浸水させた水溶液の抵抗値変化を示すグラフである。
【図13】配線基板の浸水させた水溶液のイオン量の変化を示す説明図である。
【図14】配線基板の浸水させた水溶液の伝導率変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。発明を実施するための形態を説明するための各図面において、同一あるいは類似の機能を有する要素あるいは構成には同一の符号を付し、また、説明を省略する場合がある。また、本明細書に記載する本発明の実施例は、それぞれの実施例と一部または全部と組み合わせることができる。
なお、本発明の図面等で、説明を容易にするため、理解を容易にするため、図示を容易にするため等に、省略、拡大、縮小等した箇所がある。
なお、本発明の図面等で、説明を容易にするため、理解を容易にするため、図示を容易にするため等に、省略、拡大、縮小等した箇所がある。
【0021】
本願発明は、プリント配線板等の耐マイグレーション性の評価等だけでなく、フラックス残渣、フラックスの信頼性、フラックスの酸価、半田材料の適否、半田付け条件の適否、ソルダペーストの適否、フレックス、ソルダペーストの供給量、電子部品の実装、リフロー条件、リフロー方法、洗浄等の評価、採用、適用、検証することができる。
【0022】
また、フラックスから水溶液に溶出したイオン量を定量化することにおり、フラックス残渣、フラックスの信頼性、フラックスの酸価、半田材料の適否、半田付け条件の適否、ソルダペーストの適否、フレックス、ソルダペーストの供給量、電子部品の実装、リフロー条件、リフロー方法、洗浄等の評価、採用、適用、検証することができる。
【0023】
したがって、以下の実施例、図面等において、フラックス１０１として説明するが、フラックス１０１は半田、ソルダペースト等に置き換えても良いことは言うまでもない。また、フラックス１０１は、半田、ソルダペースト等に読み替えて良いことは言うまでもない。
本発明の配線基板の評価方法、配線基板の評価装置は、評価基板等の評価、解析、分析に対しても適用することができ、また、評価指針を定量化できる。
本発明の配線基板の評価方法、配線基板の評価装置は、評価基板等の評価、解析、分析に対しても適用することができ、また、評価指針を定量化できる。
【0024】
フラックス残渣はフラックスの蒸気、加熱されたフラックスおよび加熱されないフラックスなどに起因しており、その作用は単なる変色から製品の機能の完全破壊にまで及ぶ場合がある。フラックス残渣の影響により絶縁抵抗が減少する問題は腐食と密接に関係している。腐食による故障や絶縁抵抗の減少についての予測は難しく、一般に認められた評価方法がない。
【0025】
フラックスの酸化性は、フラックス固形分１ｇ中の遊離酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのミリグラム数で表される。同じ酸価のフラックスであっても活性度や腐食性にはかなりの違いがある。酸価はｐＨの値とはまったく関係がない量である。予測は難しく、一般に認められた評価方法はない。
【0026】
ソルダペーストは、半田粉末を高粘度のフラックス(ベヒクル)に混合分散したものであり、面実装分野で多量に使われている。ソルダペーストは通常７５～９０重量パーセントの半田粉を含んでおり、半田粉末とフラックスの分離の防止、粘性およびチクソトロピー性(揺変性)を付与するための特殊な補助成分が添加されている。
【0027】
高密度実装およびリフロー後の無洗浄化の目的で、酸化の少ない球形粉を使用したソルダペーストが注目されている。球形粉は保存を十分管理することによって長期間酸化を防止することができるが、予測は難しく、また、評価方法がない。
【0028】
面実装におけるソルダペーストの供給方法は、スクリーンまたはメタルマスクを使用した印刷法とニードルから一定量を押し出すディスペンサ法が主に用いられている。しかし、ソルダペーストの供給量は、印刷法とニードルから一定量を押し出すディスペンサ法とも、具体的にどの程度を供給すれば良いかは、実装評価を行って決定している。実装評価以外に予測は難しく、また、評価方法がない。
【0029】
リフロー方法には赤外線輻射加熱法、熱風循環加熱法、蒸気相凝縮加熱法（ＶＰＳ）および不活性ガス雰囲気加熱法などがある。赤外線輻射加熱法は設備費用、ランニングコストのいずれにおいても低廉で生産性にも優れているが、熱容量に大きな違いのある部品の実装、耐熱性のない部品の実装などには不向きである。
【0030】
熱風循環加熱法は熱容量の異なる部品の実装、耐熱性のない部品の実装などに適しているが、低温長時間加熱による接合部の酸化が問題視されている。リフロー方法と接合部の酸化の関係等が不明であり、酸化の予測は難しい。また、適切な評価、方法がない。
【0031】
日本における民生機器の半田付けは、ほとんどの分野で無洗浄化されている。しかし、最近の面実装化の普及と高密度化により民生用といえども、検査機の自動化に対応させる目的で洗浄を行っているのが現状である。
【0032】
洗浄方法洗浄方法は溶剤中に浸漬して、超音波による振動を利用して残渣を洗浄する方法、溶剤蒸気で洗浄する方法、および溶剤を高圧スプレーして除去する方法などがある。洗浄に関して、洗浄効果の予測は難しく、また、評価方法がない。
【0033】
以上の課題に対して、実質的に評価方法、予測方法、評価装置はない。電子部品等を実装し、信頼性試験等を実施して、各課題に対する条件を見出し、改善を行っているのが実情である。
【0034】
本発明は上記の課題に対して、本発明の評価方法を実施、あるいは本発明の評価装置を適用し、発色による吸光度を測定することにより、評価の基準、課題の程度を定量化し、設計指針、対策方策の策定に寄与できるものである。
【0035】
本発明では、実施態様として、吸光度（Ａｂｓ：Ａｂｓｏｒｂａｎｃｅ）を測定するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、透過率を測定しても良いことは言うまでもない。また、反射率で測定し、評価しても良い。また、これらの組み合わせにより評価等を実施しても良い。
【0036】
また、フラックスを溶け込んだ水溶液のイオン濃度（イオン量）を、電気導電率（伝導度、伝導率、導電率、導電度）を導電率計で測定するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、マルチ水質チェッカ、ｐＨメータ、水質分析器等でも間接的にあるいは直接的にイオン濃度（イオン量）を定量化できることは言うまでもない。
【0037】
また、発色した溶液などを吸収紙等に吸着あるいは吸収させ、前記吸収紙の分光透過率、分光反射率等を測定しても良い。また、色差を求め、あるいは数値で表現して定量化しても良い。
図２は、配線基板の評価を行うために、標準として使用する本発明の配線基板（標準基板と呼ぶ）を模式的に示す説明図である。
図２は、配線基板の評価を行うために、標準として使用する本発明の配線基板（標準基板と呼ぶ）を模式的に示す説明図である。
【0038】
標準基板（評価基板）１０２として、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、セラミック基板、フレキシブル基板、メタルベース基板、リジット基板が例示される。なお、構造として、積層基板に限定されず、ビルドアップ基板、エニーレイヤー基板、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板等でも良い。
【0039】
また、本発明は、配線パターン１０４が形成された基板１０２に限定されるものではなく、金属部品、薄膜形成材料、電子部品、めっき部品、金属部品にも適用あるいは採用できるものである。
基板１０２には、配線パターン１０４が形成されている。配線パターンのＬ／Ｓ（ライン／スペース）は、目的にあわせて複数種類のパターンが形成される。
基板１０２には、配線パターン１０４が形成されている。配線パターンのＬ／Ｓ（ライン／スペース）は、目的にあわせて複数種類のパターンが形成される。
【0040】
図２は１枚の基板１０２に１種類の銅配線パターンを例示しているが、実施態様として、１枚に基板１０２に複数のＬ／Ｓ（ライン／スペース）の銅配線パターン１０４が同時に形成あるいは作製され、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）が異なる評価基板として割取りされる。同時に複数種類のＬ／Ｓ（ライン／スペース）等が異なるものを形成し、同一エッチング条件等にすることにより、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）の差異が明確になる。
【0041】
図２では、銅配線パターンは数本を図示しているが、実際には、スペース（Ｓ）０．５ｍｍ、１ｍｍ等で、１００本（組）以上が形成される。一般的に銅配線パターン上にフラックス１０１が塗布、印刷等される。
【0042】
銅配線パターン１０４は、平面上に配置あるいは構成されているものに限定されない。絶縁材料を介して、複数の配線が交差配線されている基板、フィルムにも本発明は適用できる。また、配線基板のコンタクトホール（ビアホール等）の評価、検証等にも本発明は適用できる。
【0043】
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡＡ’線での断面図である。銅配線パターン１０４上には、フラックス１０１（フラックスに限定されるものではなく、ソルダーレジスト、固体半田等を含む）が塗布あるいは印刷されている。
【0044】
接続パターン１０５ａは、銅配線パターン１０４ａを電気的に接続している。接続パターン１０５ａに印加した電圧値が、銅配線パターン１０４ａに印加される。接続パターン１０５ｂは、銅配線パターン１０４ｂを電気的に接続している。接続パターン１０５ａに印加した電圧値が、銅配線パターン１０４ｂに印加される。
【0045】
フラックス１０１は、半田付け促進剤である。通常、金属の表面には酸化被膜が存在するため、単純に半田を熱によって溶かしただけでは母材と接合できない。酸化被膜は一度除去しても、空気中の酸素と結びついて、酸化被膜ができる。フラックス１０１は、主剤、活性剤、溶媒から構成あるいは形成される。
【0046】
フラックス１０１の主剤は樹脂(ロジン、合成樹脂等)である。主剤が加熱されて、半田や被着面の表面にある酸化被膜を除去し、同時に、半田と被着面表面を保護し再酸化を防止する。
【0047】
活性剤は、半田と被着面の表面にある酸化被膜を除去する力を増大させる添加剤である。半田種類や半田付けの温度や時間によっては複数種の活性剤を含む場合がある。
【0048】
フラックス１０１には活性剤して、マロン酸、アジピン酸、セバシン酸、エチルアミン塩酸塩等が含有、添加等がされている。これらの活性剤によりイオンが発生、生成する。
【0049】
溶媒にはアルコール系溶剤が使用され、主剤である固形の樹脂を溶解する。また、フラックス１０１の粘度を調整し、プリント配線板などへの均一塗付や母材へのぬれ、隙間への浸透を改善する等の働きをする。
【0050】
半田付けを行うためには、母材と半田が通常の半田付け条件(半田の融点プラス３０～８０℃)において両者の間に合金を生成することが必要である。そのためには母材と半田の両者を活性な状態(原子状態)にする必要がある。
【0051】
フラックスは、半田および母材金属の活性化の役割とこの活性化された表面と大気中の酸素との接触による再酸化を防止して、活性化された表面を保護する役割をもっている。
【0052】
特に活性剤の影響により、マイグレーションを引き起こすことが多い。フラックス１０１に使用される活性剤には、有機酸、アミノ酸、アミン、アミンのハロゲン化水素酸塩系がある。
【0053】
半田付け作業の能率を左右するフラックスを選択するのであるから、その基準となるのは当然フラックスの作業性、すなわちフラックスの効力があげられる。一方、電子部品の組み立てに使用する面からは、フラックスの腐食性、電気絶縁性すなわちフラックスの信頼性があげられる。
【0054】
この二つの基準すなわち効力と信頼性は相反しており、高活性フラックスは腐食性が強く、非腐食性フラックスは活性度があったとしてもきわめて少ない。多くの電子部品は腐食に敏感である。
【0055】
銅配線の質と、銅配線のライン／スペース（Ｌ／Ｓ）（特にＳ（スペース））に対するフラックスの選定が重要であるが、実務上、対象配線基板に対して、多種多様のフラックスを使用し、実装評価を実施しないと選定の良否、対象配線基板とフラックスとの組み合わせの適否が判定することができない。
【0056】
本発明はこの問題に対して、実装評価を行うことなく、フラックスの選定の良否、対象配線基板とフラックスとの組み合わせの適否を判定、評価、判断できる技術的思想を提供するものである。
【0057】
マイグレーションには、特にＳ（スペース）が重要である。Ｓ（スペース）が所定距離よりも狭い方が、マイグレーションが発生し易い傾向にある。Ｌ（ライン）は、銅配線（銅箔）パターンの表面積が影響するため、図４に図示するように、Ｌ（ライン）幅を共通にして、Ｓ（スペース）を変化した評価基板を作製することが好ましい。
【0058】
本発明の実施例において配線パターンは、銅箔であるとして説明するがこれに限定するものではない。アルミニウムからなる配線パターンでも本発明は適用できる。また、金ありは鉄等の他の金属からなる配線パターン、金属構成であっても良い。また、金属めっきに関しても本発明が適用できることは言うまでもない。
【0059】
図２（ｂ）、図３、図４は、図２（ａ）のＡＡ’線での断面図を示している。銅配線パターンの厚みはＤである。１つの割取り基板で、異なるＬ／Ｓ（ライン／スペース）の銅配線パターン１０４を形成した場合、各割取り基板の銅配線パターン１０４の厚みＤは同一になる。したがって、割取り基板で異なるＬ／Ｓ（ライン／スペース）の銅配線パターン１０４を形成することが好ましい。
【0060】
マイグレーションの発生は、銅箔の厚みＤも影響する。Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）は、変化させた場合であっても銅箔の厚みＤは、同一に形成する。銅箔の厚みＤを一定にして、フラックス１０１等を塗布等し、本発明の評価方法および評価装置を適用する。
本発明は、配線パターン１０４のＬ／Ｓ評価だけでなく、配線パターンの厚みの評価、検証にも適用できることは言うまでもない。
本発明は、配線パターン１０４のＬ／Ｓ評価だけでなく、配線パターンの厚みの評価、検証にも適用できることは言うまでもない。
【0061】
銅配線パターン１０４の長さＫは長い方が、本発明の実施におけるマイグレーションの評価判定、評価結果が良好になる。銅配線パターン１０４ａと銅配線パターン１０４ｂとが面する距離が長いほどマイグレーション発生の影響が大きい。
【0062】
また、フラックス残渣、フラックスの信頼性、フラックスの酸価、ソルダペーストの適否、ソルダペースト等の残渣、電子部品の実装信頼性、リフロー条件不良、洗浄不良等の問題も発生し易い。したがって、本願発明の評価方法を実施すること、本願発明の評価装置を使用することにより、課題量の定量化、対応策の実施が容易となる。
【0063】
本願発明は、フラックス１０１、ソルダーレジスト１０１の選定、評価だけでなく、半田付けの良否、半田の選定、半田付けの状態を定量化し、対応策方法を明確化できる方法、装置に関するものであり、また、適応できる。
【0064】
図３の実施例での基板１０２には、銅配線パターン１０４が形成されている。配線パターンのＬ／Ｓ（ライン／スペース）は、目的にあわせて複数種類のパターンが構成あるいは作製される。
【0065】
【0066】
図３（ａ）はＬ１／Ｓ１（ライン／スペース）、図３（ｂ）はＬ２／Ｓ２（ライン／スペース）、図３（ｃ）はＬ３／Ｓ３（ライン／スペース）である。各基板にフラックス１０１を塗布等し、本発明の評価方法を実施する。
図３の銅配線パターンでは、異なるＬ／Ｓ（ライン／スペース）でのマイグレーション等の評価を実施することができる。
図３の銅配線パターンでは、異なるＬ／Ｓ（ライン／スペース）でのマイグレーション等の評価を実施することができる。
【0067】
【0068】
図４（ａ）はＳ１（スペース）、図３（ｂ）はＳ２（スペース）、図３（ｃ）はS３（スペース）である。各基板にフラックス１０１を塗布等し、本発明の評価方法を実施する。
図４の銅配線パターンでは、異なるＳ（スペース）でのマイグレーション等の評価を実施することができる。
図４の銅配線パターンでは、異なるＳ（スペース）でのマイグレーション等の評価を実施することができる。
【0069】
マイグレーションの評価には、スペース（Ｓ）が重要である。スペース（Ｓ）が狭い（短い）ほど、マイグレーションは発生しやすくなる。ライン（Ｌ）は、本発明のマイグレーションの評価では、狭い方が良い。マイグレーションが発生し易いからである。スペース（Ｓ）が異なる構成の基板１０２で評価することにより、スペース（Ｓ）がいくら以上必要かを、評価あるいは判断できる。判断は、フラックス１０１の種類、品質、構成により、定量的に実施できることになる。
基板１０２に複数のＬ／Ｓ（ライン／スペース）あるいはＳ（スペース）の異なる銅配線パターン１０４が同時に形成あるいは作製される。
基板１０２に複数のＬ／Ｓ（ライン／スペース）あるいはＳ（スペース）の異なる銅配線パターン１０４が同時に形成あるいは作製される。
【0070】
図２、図３、図４の評価基板等を使用し、フラックス１０１の塗布前に、洗浄等を行う。洗浄液あるいは洗浄時間の差異によってもマイグレーションの発生は異なる。したがって、フラックス１０１を共通にし、洗浄液、洗浄時間、洗浄方法を異ならせて、本発明の評価方法を実施することにより、どの洗浄液、洗浄時間、洗浄方法が適正かを評価、判断することができる。
【0071】
図２では、銅配線パターンは数本を図示しているが、実際には、スペース（Ｓ）０．５ｍｍ、１ｍｍ等等比的に形成された銅配線パターン１０４が、１００本以上が形成される。銅配線パターン上にフラックス１０１が塗布、印刷等される。
【0072】
接続パターン１０５ａは、銅配線パターン１０４ａを電気的に接続している。接続パターン１０５ａに印加した電圧値が、銅配線パターン１０４ａに印加される。接続パターン１０５ｂは、銅配線パターン１０４ｂを電気的に接続している。接続パターン１０５ａに印加した電圧値が、銅配線パターン１０４ｂに印加される。必要に応じて、接続パターン１０５の一端には電圧印加ランドが形成される。
【0073】
本願発明は、イオン交換水等の水に、フラックス１０１を塗布等した基板１０２を浸水させて（浸けて、浸して）、銅箔を構成する銅等の金属イオンを取り出す。なお、水または水蒸気２０２を吹き付けても（噴霧しても）良い。
【0074】
水溶液２０２にはフラックス由来のイオン性残渣が溶け出る。水溶液２０２のイオン濃度が高いと、伝導度が高くなる。イオン濃度は伝導度で把握することができる。イオン性残渣、イオン濃度はマイグレーション発生に密接に関係する。したがって、伝導度を伝導率計等で測定することにおより、マイグレーション発生を定量化することができる。
【0075】
金属イオンはイオン交換樹脂で吸着させた後、再生溶液にイオン交換樹脂を入れ、イオン交換樹脂を再生させて金属イオンを再生溶液に取り出す。再生溶液は中和して、吸光度測定を行う。
【0076】
【0077】
【0078】
フラックス１０１の塗布方法として、ハケ塗り方式、滴下方式、噴霧方式等が例示される。これらの方式においてどの方式が適正かについても本発明の配線基板の評価方法の適用することができる。
【0079】
フラックス１０１の適正な種類、品質を評価する場合は、フラックス１０１を塗布して評価するとした。たとえば、フラックス１０１の清浄化作用、酸化防止作用、表面張力低下作用がある。フラックス１０１の種類を変化させて、本発明の本発明の配線基板の評価方法、配線基板の評価装置を適用することができる。
【0080】
本発明は、フラックス１０１に限定されるものではなく、ソルダーレジスト、半田、フラックス含有する半田等に置き換えることができることは言うまでもない。
【0081】
基板１０２を水２０２に浸水させる期間は、１２時間から３６時間である。また、水２０２をヒータ（加熱冷却器）２０７で加温する。加温温度は、５０～８０℃であり、所定値に維持する。浸水時間および加温温度により、銅配線パターン１０４から流出する銅イオン量は変化する。フラックス１０１が含有する活性物質の酸化性が強い場合は、銅配線パターン１０４から流出する銅イオン量は大きくなる。
【0082】
本発明は、水２０２に限定されない。アルコール等の溶液を使用しても良い。水を採用する場合は、純水が好ましいが、イオン交換水であれば、試薬による発色の変化に差異は生じない。水溶液２０２は、溶液である。水に特定されるものではない。
フラックス１０１による銅配線パターン１０４の被覆度が強いと銅配線パターン１０４から流出する銅イオン量は少なくなる。
フラックス１０１による銅配線パターン１０４の被覆度が強いと銅配線パターン１０４から流出する銅イオン量は少なくなる。
【0083】
基本的には、銅配線パターン１０４から流出する銅イオン量が多いほど、マイグレーションを引き起こしやすくなる。本発明は銅イオンをキレート化し、発色剤で発色させる。発色の程度は、吸光度を測定することにより測定できる。したがって、原理的には水に流出した銅イオンの量により、マイグレーションの発生し易さを定量化できる。
また、イオン残渣が多いほど、マイグレーションを引き起こしやすくなる。本発明はイオン残渣を導電率計等で測定し、定量化する。
配線基板の評価は、導電率計等で測定したイオン残渣（イオン濃度）と吸光度で定量化する。
また、イオン残渣が多いほど、マイグレーションを引き起こしやすくなる。本発明はイオン残渣を導電率計等で測定し、定量化する。
配線基板の評価は、導電率計等で測定したイオン残渣（イオン濃度）と吸光度で定量化する。
【0084】
銅イオンの流出量、イオン化量は、フラックス１０１の含有物（活性物質等）、フラックス１０１の種類、銅配線パターン１０４の表面酸化量、銅配線パターンの清浄度等により異なる。また、銅配線パターンのライン／スペース（Ｌ／Ｓ）により異なる。本発明は、銅イオンの流出量を吸光度で定量化することにより、最低必要な、スペース（Ｓ）、フラックス１０１の適切な活性度を把握できることになる。
【0085】
フラックス１０１あるいはソルダーレジスト１０１等の含有物（活性物質等）、粘度、銅配線パターン１０４の被覆性、銅配線パターン１０４の洗浄度、環境温度、銅配線パターン１０４のＬ／Ｓ等により、流出する金属イオン（銅イオン量）は変化する。変化する金属イオン（銅イオン量）を定量化することにより、銅箔パターン（銅配線パターン）１０４の設計指針、フラックス１０１あるいはソルダーレジスト１０１等、基板１０２の洗浄指針、選択指針、設計指針を明確にすることができる。また、決定することができる。
【0086】
本願発明は、イオン交換水に、フラックス１０１を塗布等した基板１０２を浸水させて、銅箔を構成する銅等の金属イオンを取り出す。金属イオンはイオン交換樹脂で吸着させた後、再生溶液にイオン交換樹脂を入れ、イオン交換樹脂を再生させて金属イオンを再生溶液に取り出す。再生溶液は中和して、吸光度測定を行う。
【0087】
フラックス残渣は、マイグレーション、高周波特性の悪化、樹脂封止の不具合などの原因となる。はんだ付け後のフラックス残渣が品質上の問題となるかは、対象となる実装製品の要求特定やその後工程により異なる。フラックス残渣が招く代表的な不具合としては、マイグレーション、高周波特性の悪化など電気的信頼性の低下や、樹脂モールド工程での不濡れ、硬化不良、密着不良などが挙げられる。フラックスのイオン残渣、イオン濃度は、イオン伝導度測定計を用いて、伝導度を測定して定量化する。
【0088】
本発明は、溶液中の金属イオン濃度を測定するためにキレート試薬を使用し、吸光分析を実施する。以下の実施例では、銅イオンの検出を例示して説明するが、本願発明はこれに限定するものではない。
【0089】
水銀イオンに対してＴＡＮ（１－（２－チアゾリルアゾ）－２－ナフト－ル）、鉄イオンに対してバソフェナントロリン、コバルトイオンに対してＰＡＮ（１－（２－Ｐｙｒｉｄｙｌａｚｏ）－２－ｎａｐｈｔｈｏｌ）とすることが好ましく、また、抽出剤は、ｏ－ニトロフェニルオクチルエーテル（ｏ－ＮＰＯＥ）とすることができる。
【0090】
金属イオンとしては、いかなるイオンであっても良いが、銅イオン、水銀イオン、コバルトイオン、鉄イオンを挙げることができる。発色剤は、これらイオンと反応して発色するものであればいかなるものであっても良い。
【0091】
銅イオンに対してはバソクプロイン（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、水銀イオンに対してはＴＡＮ、鉄イオンに対してはバソフェナントロリン、コバルトイオンに対してはＰＡＮといったキレート剤が好ましい。
【0092】
また、抽出剤は、これら金属イオンと発色剤とが反応して生成される反応生成物を良好に抽出することができるものであればいかなるものであってもよく、たとえば、ｏ－ＮＰＯＥ等のエーテルやフタル酸エステル等のエステルとすることができる。
図５は、一実施態様としての本願発明の配線基板の評価装置の説明図であり、図１は一実施態様としての本願発明の配線基板の評価装方法説明図である。
以下、図１、図５を参照しながら、本願発明の配線基板の評価装置および評価方法について説明をする。
図５は、一実施態様としての本願発明の配線基板の評価装置の説明図であり、図１は一実施態様としての本願発明の配線基板の評価装方法説明図である。
以下、図１、図５を参照しながら、本願発明の配線基板の評価装置および評価方法について説明をする。
【0093】
図１（ａ）に図示するように、基板１０２をイオン交換水（水）２０２に浸水させる。水２０２は、ヒータ（加熱冷却器）２０７で加温し、５０～７０℃の所定温度に維持させる。水の温度は、マイグレーションの進行に依存する。ヒータ（加熱冷却器）２０７はヒータ（加熱冷却器）コントローラ５０１で温度制御される。
【0094】
なお、ヒータ（加熱冷却器）２０７は加温だけでなく、所定温度にするものであるから、冷却装置機能を有するものが好ましい。つまり、加熱冷却装置（加熱冷却器、温度設定回路、温度維持器）２０７である。したがって、ヒータ（加熱冷却器）２０７は、ペルチェ素子、温風器等の他の発熱装置／発熱手段あるいは冷却装置／冷却手段に置き換えても良い。以上の事項は本発明の他の実施例においても同様である。
容器２０１ａには、タンク（水）５０５に出力側に配置された電磁弁５０３ａの開閉操作により実施する。
電磁弁５０３はコントロール回路５１７により制御される。なお、電磁弁５０３は手動であっても良い。
容器２０１ａには、タンク（水）５０５に出力側に配置された電磁弁５０３ａの開閉操作により実施する。
電磁弁５０３はコントロール回路５１７により制御される。なお、電磁弁５０３は手動であっても良い。
【0095】
イオン交換水２０２はヒータ（加熱冷却器）２０７ａで加温あるいは冷却されて、所定温度に維持される。イオン交換水２０２は攪拌ファン５０２ａで攪拌される。
【0096】
基板１０２をイオン交換水（水）２０２に浸水させる時間は、１２～３６時間の所定時間に設定される。時間が長い方が、イオン交換水２０２に溶け出る金属イオン量が多くなる。しかし、時間の経過とともに、溶出する金属イオン量が頭打ちになる場合がある。したがって、実験により設定時間を検討する。
また、フラックスのイオン残渣もイオン交換水（水）２０２に溶出する。イオン残渣は比較的短時間に溶出する。
また、フラックスのイオン残渣もイオン交換水（水）２０２に溶出する。イオン残渣は比較的短時間に溶出する。
【0097】
【0098】
図５では、電磁弁５０３ｂを開いて、配管５１８ａを介して、容器２０１ｂに移動させる。また、電磁弁５０３ｂｅ開いて、配管５１８ｂを介して、容器２０１ｅに移動させる。
水溶液２０２（水２０２）の移動には、ポンプ５０４を使用し、水２０２を短時間、かつ所定水量を移動させる。
水溶液２０２（水２０２）の移動には、ポンプ５０４を使用し、水２０２を短時間、かつ所定水量を移動させる。
【0099】
容器２０１ｂには、イオン交換樹脂２０３が充填あるいは配置されている。イオン交換樹脂２０３として、カチオン交換樹脂（陽イオン交換樹脂）が例示される。
【0100】
カチオン交換樹脂（陽イオン交換樹脂）は、内部にマイナスの電荷の固定イオンを有し、それを電気的に中和するプラスの電荷のイオンが存在する。このプラスイオンは他のイオンと交換することが可能である。イオン交換樹脂２０３は水中に存在する＋イオンを吸着する。カチオン交換樹脂（陽イオン交換樹脂）は、強酸性カチオン交換樹脂、弱酸性カチオン交換樹脂が例示される。
【0101】
強酸性カチオン交換樹脂は幅広いｐＨ領域で使用でき、多くの＋イオンを吸着できる。イオン交換樹脂はイオンの種類によって、交換性にし易さ・し難さがある。一般に、強酸樹脂のイオンの選択性は電荷が高いイオンほど交換捕捉しやすく、また水和イオンの小さいもの（原子番号の大きいもの）は交換しやすい傾向がる。したがって、銅イオンは吸着しやすい。
強酸性カチオン交換樹脂は薬剤で再生して再利用する。薬剤は一般的に塩酸または硫酸水溶液を使用する。
強酸性陽イオン交換樹脂は強酸性のため再生しにくく、高い再生率を得るためには理論化学当量より多量の再生剤が必要となる。
強酸性カチオン交換樹脂は薬剤で再生して再利用する。薬剤は一般的に塩酸または硫酸水溶液を使用する。
強酸性陽イオン交換樹脂は強酸性のため再生しにくく、高い再生率を得るためには理論化学当量より多量の再生剤が必要となる。
【0102】
イオン交換樹脂２０３として、弱酸性陽イオン交換樹脂を使用しても良い。弱酸性陽イオン交換樹脂はカルボン酸基を交換基として持つ樹脂であり、酢酸等と同様に弱酸性を示す。
【0103】
化学構造的にメタクリル酸系とアクリル酸系の2つの種類がある。その違いは交換基の酸性度が異なる。メタクリル酸系の使用できるｐＨ範囲は約５以上であり、アクリル酸系は約４以上である。使用できるｐＨ範囲に制限があるため強酸性陽イオン交換樹脂に比べて用途は限られるが、再生しやすいという特長がある。
【0104】
弱酸性陽イオン交換樹脂の各種イオンに対する吸着の強さ（選択性）は、強酸性陽イオン交換樹脂と大体類似している。価数が高いイオン程選択性が大きくなる。Ｈイオンに対する選択性が非常に大きい。このため、Ｈイオンが他の陽イオンで交換された後、薬剤（一般的に塩酸または硫酸水溶液）を使用してＲ－ＣＯＯＨの形に戻して繰り返し使用する時の再生が容易である。理論化学当量より僅かに多い程度の薬剤量で再生が可能である。
【0105】
その他、イオン交換樹脂として、キレート樹脂を用いても良い。キレート樹脂は特定の金属イオンと非常に強く結合して錯体を形成する。金属イオンに対して選択吸着性があり、特定の金属イオンを選択的に吸着することができる。
【0106】
キレート樹脂は、特定の金属イオンに対する選択性がカチオン樹脂や、アニオン樹脂と比較して非常に大きい。キレート樹脂の種類により金属イオンに対する選択性が異なるため、対象となる金属種によりキレート樹脂を選定する必要がある。
【0107】
フラックス１０１は、主剤、活性剤、溶媒から構成あるいは形成される。主剤は、樹脂(ロジン、合成樹脂等)である。主剤が加熱されて、半田や被着面の表面にある酸化被膜を除去し、同時に、半田と被着面表面を保護し再酸化を防ぐ。
【0108】
活性剤は、半田と被着面の表面にある酸化被膜を除去する力を増大させる添加剤である。半田の種類や半田付けの温度や時間によっては複数種の活性剤を含む場合がある。
【0109】
フラックス１０１には活性剤して、マロン酸、アジピン酸、セバシン酸、エチルアミン塩酸塩等が含有、添加等がされている。これらの活性剤によりイオンが発生、生成する。 溶媒は、アルコール系溶剤が使用され、主剤である固形の樹脂を溶解する。また、フラックスの粘度を調整し、プリント配線板などへの均一塗付や母材へのぬれ、隙間への浸透を改善する等の働きを担う。
【0110】
図１（ｂ１）に図示するように、銅イオンを含有する水２０２中にイオン交換樹脂２０３を投入する。あるいは、イオン交換樹脂２０３が配置された容器２０１ｂ内に銅イオンを含有する水２０２を注入する。
【0111】
図５では、容器２０１ｂ内にイオン交換樹脂２０３が配置され、容器２０１ｂにポンプ５０４で容器２０１ａ内の水２０２を注入する。イオン交換樹脂２０３は注入された水２０２から金属イオン（銅イオン）を吸着する。
【0112】
図１（ａ）の水２０２には、金属イオン（たとえば、銅イオン）以外に、主剤の樹脂が溶出し、水２０２が着色する。着色した水２０２の吸光度を測定する場合、溶出した樹脂の影響を受け、銅イオンを選択して検出することができない。
【0113】
【0114】
イオン交換樹脂２０３は銅イオンを吸着し、主剤の樹脂成分等は吸着しない。結果、イオン交換樹脂２０３は銅イオンを吸着し、水２０２から銅イオンを分離することができる。次に、イオン交換樹脂２０３を水洗し、イオン交換樹脂２０３の表面に付着した樹脂成分等を洗い流す。
【0115】
水洗したイオン交換樹脂２０３は、図１（ｃ１）に図示するように、容器２０１ｃに充填されたイオン交換樹脂２０３の再生液（イオン交換樹脂再生水溶液）２０４に浸水される。
【0116】
再生液（再生水溶液）２０４は、塩酸または硫酸水溶液を使用する。再生液２０４を使用することにより、イオン交換樹脂２０３を再利用することができる。再生液２０４にイオン交換樹脂２０３を浸水させることにより、イオン交換樹脂２０３は金属イオンを放出する。
強酸性イオン交換樹脂２０３がＮａ－＞Ｈ形場合は、再生液（再生水溶液）２０４として、３～８％塩酸水溶液または硫酸水溶液を使用することが好ましい。
強酸性イオン交換樹脂２０３がＮａ－＞Ｈ形場合は、再生液（再生水溶液）２０４として、３～８％塩酸水溶液または硫酸水溶液を使用することが好ましい。
【0117】
Ｈ―＞Ｎａ形の場合は、イオン交換樹脂をカラムに詰め、０．５～２．０％の塩化ナトリウム水溶液あるいは水酸化ナトリウム水溶液を２～４ＢＶ＊（＊ＢＶ：（Ｂｅｄ Ｖｏｌｕｍｅ）：充填したイオン交換樹脂体積量を１ＢＶとする）通液させる。このとき、液の接触時間は最低１５分以上とする（イオン形が変換されている間は酸性あるいは中性の溶液が流出する）。
【0118】
Ｈ－＞Ｋ形の場合は、０．５Ｍ （～３ｗｔ％）の水酸化カリウム水溶液を３～４．５ＢＶ＊通液させる。Ｎａ－＞Ｈ形の場合は、５～８％の塩酸水溶液を５～６ＢＶ＊通液させる。
たとえば、Ｈ形の陽イオン交換樹脂をＮａ形に変換したい場合、１Ｎの塩化ナトリウム溶液で浸漬・リンスすることによってＮａ形に変換できる。
たとえば、Ｈ形の陽イオン交換樹脂をＮａ形に変換したい場合、１Ｎの塩化ナトリウム溶液で浸漬・リンスすることによってＮａ形に変換できる。
【0119】
図１（ｃ１）に図示するように、再生液（イオン交換樹脂再生水溶液）２０４に浸水したイオン交換樹脂２０３は、金属イオン（銅イオン）を再生液２０４中に流出する。金属イオンを再生液２０４に取り出すことができる。
【0120】
図５では、イオン交換樹脂２０３が配置された容器２０１ｂに、タンク（再生液）５０７からイオン交換樹脂再生水溶液（再生液）２０４が注入される。注入は、コントロール回路５１７が電磁弁５０３ｃを制御することにより行う。容器２０１ｂ内には、ヒータ（加熱冷却器）２０７ｂが配置され、再生液２０４を所定温度となるように維持する。
【0121】
次に、図１（ｄ１）に図示するように、容器２０１ｄの再生液２０４に中和水溶液（中和液）２０５が加えられる。再生液２０４が塩酸ＨＣｌの場合は、中和液２０５として、水酸化ナトリウムＮａＯＨが例示される。酸と塩基が反応して，互いにその性質を打ち消し合うことにより、中和される。塩酸と水酸化ナトリウム水溶液とを混合すると，次の反応が起こり，塩化ナトリウムと水を生じる。
【0122】
中和させるのは、図１（ｅ１）、図５の試薬の反応時に、ｐＨを中性にすることが好ましいためである。ただし、ｐＨが、試薬による発色に影響しない場合、あるいは影響が小さい場合は中和工程を省略できることは言うまでもない。
【0123】
図１（ｅ１）、図５において、試薬を滴下し、発色させて吸光度を測定するとしたが、発色後の水溶液を濃縮させた後、吸光度を測定しても良い。また、発色させた水溶液を吸着紙等の吸着させた後、吸着紙の分光透過率あるいは分光反射率を測定しても良い。
試薬として銅イオンの場合は、ネオクプロインとバソクプロインのうち、少なくとも一方を採用することが好ましい。
試薬として銅イオンの場合は、ネオクプロインとバソクプロインのうち、少なくとも一方を採用することが好ましい。
【0124】
図１（ｅ１）、図５において、吸光度（Ａｂｓ）を測定するとしたが、吸光度に限定されるものではない。金属イオン等により発色した程度あるいは割合を定量化できるものであればいずれの方法であっても良い。たとえば、反射率、透過率であっても良いことは言うまでもない。
【0125】
図５では、容器２０１ｂに、タンク（中和液）５０８から中和液（中和水溶液）２０５が注入され、再生液（再生水溶液）２０４が中和される。中和時に、ｐＨ測定器５１９により、ｐＨ測定を行う。ｐＨは５以上９以下となるように調整される。好ましくは、ｐＨは６以上８以下となるように調整される。
【0126】
中和液２０５は、電磁弁５０３ｄの開くことにより容器２０１ｂに注入される。電磁弁５０３ｄの開閉度合いにより、中和液２０５の注入量、注入速度が可変あるいは一定制御される。
【0127】
以上の実施例では、タンク（中和液）５０８から中和液２０５を注入するとしたが、これに限定するものではない。中和液の他、緩衝液、還元剤、対イオン溶液が添加し、注入しても良いことは言うまでもない。また、中和は水溶液に限定されるものではなく、固体、粉末からなる中和剤を使用しても良い。
緩衝液として酢酸アンモニウム、還元剤として硫酸ヒドロキシルアミン（（ＮＨ３ＯＨ）２ＳＯ４）、対イオン溶液としてピクリン酸溶液が例示される。
緩衝液として酢酸アンモニウム、還元剤として硫酸ヒドロキシルアミン（（ＮＨ３ＯＨ）２ＳＯ４）、対イオン溶液としてピクリン酸溶液が例示される。
【0128】
ｐＨが調整された再生液２０４は、容器５１５に送られる。容器への送水は電磁弁５０３ｇの制御により実施する。容器への送水量は、吸光度が測定できる容量でよく、１～４ｃｃのわずかな量で良い。残りの再生液２０４は、電磁弁５０３ｆを開くことにより容器２０１ｂから排出される。再生液２０４の排出後、イオン交換樹脂２０３は、水で洗浄される。
図１（ｅ１）で、中和された再生液２０４は評価液（評価溶液）５１６となり、評価液５１６に試薬２０６が滴下される。
図１（ｅ１）で、中和された再生液２０４は評価液（評価溶液）５１６となり、評価液５１６に試薬２０６が滴下される。
【0129】
測定対象成分を銅イオンの場合は、試薬２０６として、バソクプロイン（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）が例示される。バソクプロイン（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）と銅イオンとが反応し、バソクプロインが配位子（リガンド）として銅イオンに配位し、対イオンとともに選択的に錯体を形成する。銅イオンと錯体を形成したバソクプロインのモデルを図１１（ｂ）に図示する。
【0130】
銅イオンに配位したバソクプロインは正電荷をもっており、これとイオンペアを形成するために負電荷をもつ対イオンが添加される。なお、この場合の対イオンとしては、ピクリン酸を挙げることができる。
この錯体は、濃度に応じて薄黄色から赤色に発色する。異なる色に変色等するため、約３０℃～約６０℃にすることが好ましい。
発色は、評価液５１６のｐＨによって発色が異なる。良好な発色が得られるようにｐＨを調整することが好ましい。また、金属イオン等の測定対象成分は、酸化によって発色剤との反応が低下し、他の金属イオンの妨害を受けやすくなる。このため、測定対象成分を含む溶液に、緩衝液、還元剤を添加することができる。これにより、ｐＨを所定範囲に維持することができ、また、還元状態を維持することができる。
この錯体は、濃度に応じて薄黄色から赤色に発色する。異なる色に変色等するため、約３０℃～約６０℃にすることが好ましい。
発色は、評価液５１６のｐＨによって発色が異なる。良好な発色が得られるようにｐＨを調整することが好ましい。また、金属イオン等の測定対象成分は、酸化によって発色剤との反応が低下し、他の金属イオンの妨害を受けやすくなる。このため、測定対象成分を含む溶液に、緩衝液、還元剤を添加することができる。これにより、ｐＨを所定範囲に維持することができ、また、還元状態を維持することができる。
【0131】
バソクプロインの他、ネオクプロイン（２，９－ジメチル－１，１０－フェナントロリン、ＤＭＰＨＥＮ）でも良い。銅イオンと錯体を形成したネオクプロインのモデルを図１１（ａ）に図示する。
【0132】
本発明の評価方法は、銅を含む評価溶液（評価液）５１６に、ネオクプロインまたはバソクプロインを注入して銅とネオクプロインまたはバソクプロインとの錯体を形成させ、該錯体含有溶液を吸光分析する点に特徴がある。
評価溶液５１６を採取してバソクプロインを滴下すれば、試料中の銅は酸化の影響を受けずに測定できる。また、バソクプロインと同様に銅と特異的に反応するネオクプロインについても同じ結果が得られる。
本願発明は、イオン交換水に、フラックス１０１等を塗布等した基板１０２を浸水させて、銅箔を構成する銅等の金属イオンを取り出す。金属イオンはイオン交換樹脂で吸着させた後、再生溶液にイオン交換樹脂を入れ、イオン交換樹脂を再生させて金属イオンを再生溶液に取り出す。再生溶液は中和して、吸光度測定を行う。
評価溶液５１６を採取してバソクプロインを滴下すれば、試料中の銅は酸化の影響を受けずに測定できる。また、バソクプロインと同様に銅と特異的に反応するネオクプロインについても同じ結果が得られる。
本願発明は、イオン交換水に、フラックス１０１等を塗布等した基板１０２を浸水させて、銅箔を構成する銅等の金属イオンを取り出す。金属イオンはイオン交換樹脂で吸着させた後、再生溶液にイオン交換樹脂を入れ、イオン交換樹脂を再生させて金属イオンを再生溶液に取り出す。再生溶液は中和して、吸光度測定を行う。
【0133】
銅イオンを例示したが、本願発明はこれに限定するものではない。水銀イオンに対してＴＡＮ（１－（２－チアゾリルアゾ）－２－ナフト－ル）、鉄イオンに対してバソフェナントロリン、コバルトイオンに対してＰＡＮ（１－（２－Ｐｙｒｉｄｙｌａｚｏ）－２－ｎａｐｈｔｈｏｌ）とすることが好ましく、また、抽出剤は、ｏ－ニトロフェニルオクチルエーテル（ｏ－ＮＰＯＥ）とすることができる。
【0134】
金属イオンとしては、いかなるイオンであっても良いが、銅イオン、水銀イオン、コバルトイオン、鉄イオンを挙げることができる。発色剤は、これらイオンと反応して発色するものであればいかなるものであっても良い。
【0135】
銅イオンに対してはバソクプロイン（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、水銀イオンに対してはＴＡＮ、鉄イオンに対してはバソフェナントロリン、コバルトイオンに対してはＰＡＮといったキレート剤が好ましい。
【0136】
また、抽出剤は、これら金属イオンと発色剤とが反応して生成される反応生成物を良好に抽出することができるものであればいかなるものであってもよく、たとえば、ｏ－ＮＰＯＥ等のエーテルやフタル酸エステル等のエステルとすることができる。
【0137】
容器５１５の評価液５１６には、試薬滴下器５１４からバソフェナントロリン等の試薬が滴下される。試薬により図１１に図示するように錯体が形成され、錯体の形成により、試薬により、評価液５１６が発色する。
【0138】
図５に図示するように、分光器５１１により波長分光された光が発生し、発生した光は入射光５１０ａとなり、容器５１５に注入された評価液５１６に照射される。評価液は入射光５１０ａを吸収または透過し、出射光５１０ｂは、受光素子５１２に入射する。入射光５１０ａと出射光５１０ｂの強度の関係から吸光度（Ａｂｓ）が測定される。
【0139】
分光器５１１は、コントロール回路（制御装置）５１７によって制御される。分光器５１１から所定波長の光を照射し、評価液５１６の発色試料を透過した光を受光素子５１２で受光する。受光した光は、受光素子５１２で電圧信号等に変換され、透過率が計算され、その透過率から吸光度が算出される。
計算手段としては、プロセッサおよびメモリ等の記憶手段を備えるコンピュータを挙げることができ、受け取った電圧信号等から透過率を計算し、透過率から吸光度を算出するプログラムを保持し、実行することができるものとされる。
計算手段としては、プロセッサおよびメモリ等の記憶手段を備えるコンピュータを挙げることができ、受け取った電圧信号等から透過率を計算し、透過率から吸光度を算出するプログラムを保持し、実行することができるものとされる。
【0140】
銅錯体の吸光度は、波長４８５ｎｍ付近である。したがって、吸光度は４８０ｎｍ以上４９０ｎｍで求めることが好ましい。一例として、４８５ｎｍで比色する。バソクプロイン酸を加え、４８５ｎｍの吸光度を測定する。
【0141】
図６は、波長と吸光度（Ａｂｓ）の関係を示すグラフである。一点鎖線は、銅イオンが少ない場合であり、点線は銅イオンが多い場合である。実線は銅イオンが少ない場合と銅イオンが多い場合との中間的な測定例である。
【0142】
【0143】
図１のいずれのグラフにおいても、４８５ｎｍ近傍の吸光度（Ａｂｓ）が高くなっている。したがって、４８５ｎｍ近傍の吸光度を測定すること、あるいは求めることにより、銅イオン量を定量化できる。
【0144】
実線、点線、一点鎖線のグラフは、フラックス（半田、ソルダーレジスト等を含む）１０１の種類により変化する。フラックス１０１は活性剤などを含有し、活性剤の種類等により、銅配線パターン１０４の酸化状態が変化するのが一因である。酸化状態はマイグレーションの発生に影響するため、フラックス１０１の種類に対して、４８５ｎｍの吸光度を測定することにより、フラックス１０１の選定、評価が定量化できる。
【0145】
図７は、フラックス（ソルダーレジスト）１０１を同一として、配線基板１０２の洗浄方法を変更した実施例である。洗浄の方法により、４８５ｎｍの吸光度が変化する。したがって、４８５ｎｍの吸光度を測定することにより、配線基板１０２の洗浄方法の選定、評価が定量化できる。
吸光度の測定波長は、４７０ｍｍ～４９５ｎｍの範囲が好ましく、特に、４８０ｎｍ～４９０ｎｍの範囲が好ましい。
吸光度の測定波長は、４７０ｍｍ～４９５ｎｍの範囲が好ましく、特に、４８０ｎｍ～４９０ｎｍの範囲が好ましい。
【0146】
図８は、４８５ｎｍの吸光度の測定において、時間経過に対する吸光度の変化を測定したグラフである。バソクプロイン等の試薬を評価液５１６に滴下すると、発色が開始される。発色により吸光度（Ａｂｓ）は高くなっていく。発色は２０分程度で飽和状態となる。したがって、試薬と注入後、攪拌して２０分以上経過してから吸光度を測定することが好ましい。
【0147】
【0148】
基板１０２を水２０２に浸水させると、銅配線パターン１０４等から銅イオンが水２０２に溶出する。溶出する銅イオン量が増加すると、図１（ｅ１）の測定における吸光度が上昇する。
【0149】
銅イオンの溶出は、時間の経過とともに上昇する。図８のグラフに図示するように、１２時間の経過後で吸光度は０．７５（規格値）を越え、１８時間には、ほぼ飽和状態の吸光度（規格値）１．０となる。したがって、図１（ａ）における基板１０２の浸水時間は、１８時間以上とすることが好ましい。更に好ましくは２４時間以上とすることが好ましい。
【0150】
【0151】
また、図１（ａ）、図５において、基板１０２を水２０２に浸水、浸ける、水等を噴霧するとしたが、水２０２に限定するものではない。たとえば、アルコール等に基板１０２を浸アルコール、浸ける、アルコール等の溶剤、希釈剤を噴霧しても良い。
【0152】
４８５ｎｍ等での吸光度の測定において、バソクプロイン等の試薬を評価液５１６に滴下すると、発色が開始される。発色により吸光度（Ａｂｓ）は高くなっていく。発色は２０分程度で飽和状態となる。したがって、試薬と注入後、攪拌して２０分以上、経過してから吸光度を測定することが好ましい。
図９は、配線基板１０２の銅配線パターン１０４のスペース（Ｓ）（図４を参照）に対する吸光度（Ａｂｓ）の測定結果のグラフである。
図９は、配線基板１０２の銅配線パターン１０４のスペース（Ｓ）（図４を参照）に対する吸光度（Ａｂｓ）の測定結果のグラフである。
【0153】
吸光度が高いほど水２０２に溶出する銅イオン量が多いこと示す。吸光度が低いほど水２０２に溶出する銅イオン量が少ないこと示す。スペース（Ｓ）が０．１５ｍｍで、グラフは変曲点となる。したがって、銅配線パターン１０４のスペース（Ｓ）は、０．１５ｍｍ以上とすることが好ましい。したがって、測定した基板１０２に使用するフラックス１０１では、銅配線パターン１０４をスペースＳ＝０．１５ｍｍ以上とすることが好ましいと言う設計指針を得ることができる。
【0154】
図１０は図９と同様に、配線基板１０２の銅配線パターン１０４のスペース（Ｓ）（図４を参照）に対する吸光度（Ａｂｓ）の測定結果のグラフである。フラックス１０１の種類をフラックスＡ、フラックスＢ、フラックスＣの３種類の場合を例示している。吸光度が高いほど水２０２に溶出する銅イオン量が多いこと示す。吸光度が低いほど水２０２に溶出する銅イオン量が少ないこと示す。
【0155】
吸光度の測定に合わせて、あるいは、吸光度の測定の替りに、蛍光あるいは燐光の発光特性を測定することが好ましい。ネオクプロイン、バソクプロイン等により金属イオンが錯体を形成する。評価液５１６に紫外線領域の波長の光を照射することにより、錯体が紫外線等を吸収して発光する。
【0156】
発光強度が大きい光波長により、錯体の金属が特定され、発光強度により金属イオン（銅イオン）の含有量を定量化できる。蛍光（燐光）発光特性と、吸光度の両方を加味することにより、銅配線パターン等から溶出した銅イオン（金属イオン）量を定量化できる。
【0157】
本発明の実施例では、主として銅配線パターン等から溶出した銅イオン量を検出あるいは評価することを例示して説明するが、これに限定するものではない。たとえば、半田から流出する鉛、錫、銀等を本発明の評価方法、評価装置で検出、評価できる。
【0158】
フラックスＡの場合は、スペース（Ｓ）が０．２ｍｍ近傍で、グラフは変曲点となる。したがって、フラックスＡは、銅配線パターン１０４のスペース（Ｓ）が０．２ｍｍ以上とすることが好ましい。したがって、測定した基板１０２に使用するフラックスＡでは、銅配線パターン１０４をスペースＳ＝０．２ｍｍ以上とすることが好ましいと言う設計指針、評価データを得ることができる。
【0159】
フラックスＢの場合は、スペース（Ｓ）が０．１ｍｍ近傍で、グラフは変曲点となる。したがって、フラックスＢは、銅配線パターン１０４のスペース（Ｓ）が０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。したがって、測定した基板１０２に使用するフラックスＢでは、銅配線パターン１０４をスペースＳ＝０．１ｍｍ以上とすることが好ましいと言う設計指針、評価データを得ることができる。
【0160】
フラックスＣの場合は、スペース（Ｓ）が０．１５ｍｍ近傍で、グラフは変曲点となる。したがって、フラックスＣは、銅配線パターン１０４のスペース（Ｓ）が０．１５ｍｍ以上とすることが好ましい。したがって、測定した基板１０２に使用するフラックスＣでは、銅配線パターン１０４をスペースＳ＝０．１５ｍｍ以上とすることが好ましいと言う設計指針、評価データ、設計ルールを得ることができる。
以上のことから、図１０に示す実施例では、配線パターン１０４のスペースＳを狭ピッチとする場合は、フラックスＢを採用することが好ましい。
以上のことから、図１０に示す実施例では、配線パターン１０４のスペースＳを狭ピッチとする場合は、フラックスＢを採用することが好ましい。
【0161】
図１０のグラフは、フラックス１０１（ソルダーレジスト１０１）の種類、粘度、乾燥状態等で変化する。また、基板１０２の洗浄状態によっても変化する。したがって、本発明の配線基板の評価方法を実施することにより、基板１０２の設計指針、採用するフラックス１０１等の選択基準を決定することができる。また、定量的な評価データを得ることができる。
【0162】
以上の実施例では、配線基板等がから溶出する銅イオンの量を吸光度により定量化することを例示して説明したが、本願発明はこれに限定するものではない。基板はアルミ基板等があり、配線は、金めっき、錫めっき、亜鉛めっきされたものもある。これらから溶出する金属イオンも本発明の評価方法あるいは評価装置で定量化できる。また、含有する水銀の溶出量も評価できる。
【0163】
水銀イオンに対してＴＡＮ（１－（２－チアゾリルアゾ）－２－ナフト－ル）、鉄イオンに対してバソフェナントロリン、コバルトイオンに対してＰＡＮ（１－（２－Ｐｙｒｉｄｙｌａｚｏ）－２－ｎａｐｈｔｈｏｌ）とすることが好ましく、また、抽出剤は、ｏ－ニトロフェニルオクチルエーテル（ｏ－ＮＰＯＥ）とすることができる。
【0164】
フラックス１０１は、活性剤を含有する。フラックス１０１は数種の活性剤を含む場合がある。フラックス１０１の活性剤として、マロン酸、アジピン酸、セバシン酸、エチルアミン塩酸塩等が含有、添加等がされている。これらの活性剤によりイオンが発生、生成する。活性剤の炭素鎖が短くなるほど、イオン化濃度が高く、銅の溶出量が多く、活性力が高い傾向がある。カルボン酸は炭素鎖が短いほど、カルボン酸と銅との接触回数が増え、反応性が大きくなるため、炭素鎖が短いほど、反応点であるカルボン酸の密度が高い。
【0165】
マイグレーション、デンドライトが生成され易いのはＣｕの溶出力が高い活性剤であることが多い。溶出力の高い活性剤により、正極で銅が＋イオンとなって溶出し、負極に引き寄せられ、負極で電子を受け取り、還元されて析出する。
したがって、フラックス１０１が有するイオン化濃度を評価、定量化することは、配線基板の設計、あるいは配線基板の評価方法として有用である。
したがって、フラックス１０１が有するイオン化濃度を評価、定量化することは、配線基板の設計、あるいは配線基板の評価方法として有用である。
【0166】
イオン濃度が高いと伝導度が高くなる。イオンが減少すると水溶液の抵抗値が高くなる。図２、図３、図４で説明した評価基板にフラックスを塗布し通電する。通電後、評価基板を水溶液に浸水させ、溶液の抵抗値を測定すると図１２となる。
【0167】
図１２は、横軸は通電時間であり、縦軸は測定した導電率から抵抗値に換算した抵抗値である。抵抗値は１０１０Ωで規格化している。時間（ｈ）＝０は、通電していない時であり、フラックスのイオン性残渣を示す。通電により、フラックス由来のイオン性残渣が消費され、フラックスなし基板の抵抗値に近づく傾向がある。
【0168】
図１３は、イオン残渣の変化の説明図である。フラックス１０１を塗布等した配線基板の銅配線パターン１０４ａ、銅配線パターン１０４ｂ間に、フラックスのイオン５２３が多数存在する（図１３（ａ））。銅配線パターン１０４ａ、銅配線パターン１０４ｂに通電すると、通電によってイオンが消費される（図１３（ｂ））。イオンの消費により、抵抗値が上昇する。
イオンが全て消費されると、抵抗値の上昇が停止する（図１３（ｃ））。
イオンが全て消費されると、抵抗値の上昇が停止する（図１３（ｃ））。
【0169】
図１４は、Ｌ／Ｓ＝０．１６ｍｍ（実線）、Ｌ／Ｓ＝０．３２ｍｍ（点線）を、通電の経過時間２０時間（ｈ）および経過時間５０時間（ｈ）の伝導度（μＳ／ｃｍ）を測定した結果である。イオン交換水（一点鎖線）の伝導度（μＳ／ｃｍ）は、１．５４μS/ｃｍである。
【0170】
Ｌ／Ｓ＝０．１６ｍｍ（実線）、Ｌ／Ｓ＝０．３２ｍｍ（点線）とも通電により伝導度が減少する。経過時間５０（ｈ）では、伝導度がイオン交換水と同水準である。
【0171】
フラックス由来のイオン性残渣が多いと、マイグレーション、デンドライトが生成され易い。したがって、配線基板に採用するフラックスの選定方法として、イオン残渣を定量化することが好ましい。イオン残渣は導電率の測定により、定量化できる。また、フラックスは、銅イオンの生成にも寄与する。
【0172】
したがって、銅イオン量を吸光度測定することにより定量化することが好ましい。本発明は、イオン残渣（イオン濃度）の定量化、銅イオンの定量化を行うことにより、配線基板の設計に大きな効果を発揮する。
【0173】
図１（ｂ２）に図示するように、容器２０１ａの水溶液２０２は、容器２０１ｅに水溶液２０２ａとして注入される。水溶液２０２ａは、イオン交換水５２４で、１００倍以上１０００倍以下に希釈される。
次に、図１（ｃ２）に図示するように、水溶液は、ヒータ（加熱冷却器）２０７ｃで３０秒以上１２０秒以下の時間、沸騰させる。
次に、図１（ｃ２）に図示するように、水溶液は、ヒータ（加熱冷却器）２０７ｃで３０秒以上１２０秒以下の時間、沸騰させる。
【0174】
次に、図１（ｄ２）に図示するように、容器２０１ｆに満たした水５２５に容器２０１ｅと浸けて、２０（±２）℃になるまで静置する。水５２５は、ヒータ（加熱冷却器）２０７ｃで２０（±２）℃に保持される。
次に、図１（ｅ２）に図示するように、容器２０１ｅの水溶液２０２ａの電気導電率（導電度）（μＳ／ｃｍ）を測定する。
次に、図１（ｅ２）に図示するように、容器２０１ｅの水溶液２０２ａの電気導電率（導電度）（μＳ／ｃｍ）を測定する。
【0175】
電気伝導率（導電率、電気伝導度）は、どの程度電気を通しやすいかを表す指標となる値である。一般的に電気伝導率を表す場合、Ｓではなく単位長さ当たりの量である比伝導率Ｓｍ－１（Ｓ／ｍ）を用いて表す。単位長さ当たりで電気伝導率を表す方が、物質の性質を示すのに都合がよいためである。本実施例では導電率計の目盛としてはμＳ／ｃｍを用いている。
導電率計は、２つの電極間に交流電圧をかけて電気伝導率を測定する装置である。水の電気伝導率はイオン性の不純物が多いほど上昇する。
導電率計は、２つの電極間に交流電圧をかけて電気伝導率を測定する装置である。水の電気伝導率はイオン性の不純物が多いほど上昇する。
【0176】
図５に図示するように、容器２０１ａの水溶液２０２は、電磁弁５０３ｅを開き、配管５１８ｄを介して、容器２０１ｅに注入される。容器２０１ａに注入された水溶液は、水溶液２０２ａとしている。
【0177】
容器２０１ｅには、タンク（水）５２２から、イオン交換水５２４が注入される。水溶液２０２ａは、イオン交換水５２４で、１００倍以上１０００倍以下に希釈される。
【0178】
水溶液２０２ａは、ヒータ（加熱冷却器）２０７ｃで３０秒以上１２０秒以下の時間、沸騰させる。水溶液２０２ａは、攪拌ファン５０２ｂで攪拌される。ヒータ（加熱冷却器）２０７ｃは、ヒータ（加熱冷却器）コントローラ５０１で制御され、水溶液２０２ａは沸騰あるいは所定の温度に保持される。水溶液２０２ａは沸騰後、ヒータ（加熱冷却器）２０７ｃで２０（±２）℃まで冷却される。
【0179】
溶液２０２ａは、配管５１８ｅを介して容器２０１ｇに送られる。容器２０１ｇへの溶液２０２ａの注入は、電磁弁５０３ｊの制御により実施される。溶液２０２ａの電気導電率（導電度）は、導電率計５２１で計測される。
【0180】
導電率計５２１、吸光度測定器５０９はコントロール回路５１７で制御される。分光器５１１から所定波長の光を照射し、評価液５１６の発色試料を透過した光を受光素子５１２で受光する。受光した光は、受光素子５１２で電圧信号等に変換され、透過率が計算され、その透過率から吸光度が算出される。
導電率計５２１の測定データは、イオン濃度を示し、フラックス１０１等の活性度を定量化することができる。
吸光度および電気導電率（導電度）から、銅配線パターン１０４の銅（Ｃｕ）との反応性が定量化することができる。
導電率計５２１の測定データは、イオン濃度を示し、フラックス１０１等の活性度を定量化することができる。
吸光度および電気導電率（導電度）から、銅配線パターン１０４の銅（Ｃｕ）との反応性が定量化することができる。
【0181】
本発明はプリント基板、電子回路基板、積層基板、積層フィルム、フィルム配線基板等の耐マイグレーション性予測法、マイグレーション評価方法、電子部品の実装評価方法、半田付け評価方法、半田付け予測方法、配線基板の良否判定方法に適用することができる。
【0182】
また、配線基板に限定されるものではなく、金属めっき部材、金属の塗装状態、金属部品、電気部材、電気素子等に対しても適用することができる。その他、金属物、金属薄膜を使用する機器、たとえば、タッチパネル装置（タッチパネル）、ＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）、液晶表示装置（液晶表示パネル）等の電子機器にも適用することができる。
【0183】
本明細書、本図面で開示した技術的思想は、これらの電子機器装置の適用に限定されるものではない。たとえば、モバイル機器、テレビ機器、家電製品、通信機器、パーソナルコンピュータ機器等、外部に金属薄膜等の構成物が形成または配置された機器に適用できることは言うまでもない。
【0184】
また、タッチパネル装置（タッチパネル）、ＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）、液晶表示装置（液晶表示パネル）が取り付けられた家電機器、通信機器等の機器にも適用できることは言うまでもない。
【0185】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものでは無く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えることができる。また、それぞれの実施例の一部または全部を組み合わせることができる。
【産業上の利用可能性】
【0186】
本開示は、配線基板の設計指針、配線基板の製造方法、タッチパネル装置、ＥＬあるいは液晶表示装置等の電子機器等の評価にも有用である。
【符号の説明】
【0187】
１０１ フラックス
１０２ 基板
１０４ 銅配線パターン
１０５ 接続パターン
２０１ 容器
２０２ 水（水溶液）
２０３ イオン交換樹脂
２０４ イオン交換樹脂再生水溶液
２０５ 中和水溶液
２０６ 試薬
２０７ ヒータ（加熱冷却器）
５０１ ヒータ（加熱冷却器）コントローラ
５０２ 攪拌ファン
５０３ 電磁弁
５０４ ポンプ
５０５ タンク（水）
５０７ タンク（再生液）
５０８ タンク（中和液）
５０９ 吸光度測定器
５１０ａ 入射光
５１０ｂ 透過光
５１１ 分光器
５１２ 受光素子
５１４ 試薬滴下器
５１５ 容器
５１６ 評価液
５１７ コントロール回路
５１８ 配管
５１９ ｐＨ測定器
５２１ 導電率計
５２２ タンク（水）
５２３ イオン
５２４ イオン交換水
５２５ 水
１０２ 基板
１０４ 銅配線パターン
１０５ 接続パターン
２０１ 容器
２０２ 水（水溶液）
２０３ イオン交換樹脂
２０４ イオン交換樹脂再生水溶液
２０５ 中和水溶液
２０６ 試薬
２０７ ヒータ（加熱冷却器）
５０１ ヒータ（加熱冷却器）コントローラ
５０２ 攪拌ファン
５０３ 電磁弁
５０４ ポンプ
５０５ タンク（水）
５０７ タンク（再生液）
５０８ タンク（中和液）
５０９ 吸光度測定器
５１０ａ 入射光
５１０ｂ 透過光
５１１ 分光器
５１２ 受光素子
５１４ 試薬滴下器
５１５ 容器
５１６ 評価液
５１７ コントロール回路
５１８ 配管
５１９ ｐＨ測定器
５２１ 導電率計
５２２ タンク（水）
５２３ イオン
５２４ イオン交換水
５２５ 水
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】