特開 2024-2883 バッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024002883

(43)【公開日】2024-01-11

(54)【発明の名称】バッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20231228BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20231228BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

H01L21/304 651Z

H01L21/304 648A

H01L21/304 642A

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023000357

(22)【出願日】2023-01-05

(31)【優先権主張番号】10-2022-0077421

(32)【優先日】2022-06-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】リン，ジュン ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】チェ，ジュン ヨン

(72)【発明者】

【氏名】ジャン，ヨン ジン

(72)【発明者】

【氏名】パク，グイ ス

(72)【発明者】

【氏名】イ，ヤン フン

【テーマコード（参考）】

5F131

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA18

5F131BB03

5F131BB23

5F131CA06

5F131CA32

5F131DA32

5F131DA33

5F131DA42

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5F131DB22

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5F131DB57

5F131DB62

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5F131DB73

5F131DB77

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5F131GA13

5F131GA14

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5F131HA09

5F131HA12

5F131HA13

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5F131KB32

5F131KB53

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5F157AC56

5F157DA21

5F157DB02

5F157DB22

5F157DB32

5F157DC90

(57)【要約】

【課題】本発明は、基板を処理する装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板をバッチ式で処理するバッチ処理槽と、前記基板を枚葉式で処理する枚葉処理チャンバと、及び前記バッチ処理槽と前記枚葉処理チャンバの間で返送される前記基板の返送経路上に配置されるが、前記基板がウェッティング状態を維持するように液を供給するバッファーチャンバを含むことができる。
【選択図】図１７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する装置において:
基板をバッチ式で処理するバッチ処理槽と、
前記基板を枚葉式で処理する枚葉処理チャンバと、及び
前記バッチ処理槽と前記枚葉処理チャンバとの間で返送される前記基板の返送経路上に配置されるが、前記基板がウェッティング状態を維持できるように液を供給するバッファーチャンバを含む、基板処理装置。

【請求項2】

前記バッファーチャンバは:
前記基板を支持及び回転させるチャックと、及び
前記チャックに支持されて回転する前記基板に前記液を供給する液供給部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記液供給部は:
前記チャックに支持された前記基板の上面に第１液を供給するように構成される第１液供給部と、及び
前記チャックに支持された前記基板の下面に第２液を供給するように構成される第２液供給部を含む、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第２液供給部は、前記第１液供給部が供給する前記第１液より揮発性が高い種類の液である前記第２液を供給するように構成される、請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第２液供給部は、イソプロピルアルコール(IPA)である前記第２液を供給するように構成される、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記第１液供給部は、水である前記第１液を供給するように構成される、請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記装置は:
前記バッファーチャンバを制御するように構成される制御機をさらに含み、
前記制御機は、前記液供給部で前記液を供給する間に前記チャックの回転速度が３００RPM乃至５００RPMになるように前記バッファーチャンバを制御する、請求項４乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記装置は:
前記バッファーチャンバと前記枚葉処理チャンバを制御するように構成される制御機をさらに含み、
前記制御機は、前記バッファーチャンバでの前記基板の処理時間が前記枚葉処理チャンバでの前記基板の処理時間より短いように前記バッファーチャンバ及び前記枚葉処理チャンバを制御する、請求項４乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記装置は:
前記バッチ処理槽と前記バッファーチャンバとの間に配置される姿勢変更処理槽をさらに含み、
前記姿勢変更処理槽に底流する液は前記液供給部が供給する液と同一な種類の液である、請求項２乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記枚葉処理チャンバは:
前記基板に処理液を供給して前記基板を処理する枚葉式液処理チャンバと、及び
前記基板を乾燥処理する枚葉式乾燥チャンバを含み、
前記装置は:
前記枚葉式液処理チャンバ、前記枚葉式乾燥チャンバ、そして、前記バッファーチャンバの間に基板を返送する返送ロボットをさらに含む、請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記返送ロボットは、
第１ハンドと、
前記第１ハンドより低い高さに設置される第２ハンドと、及び
前記第２ハンドより低い高さに設置される第３ハンドを含む、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記装置は:
前記返送ロボットを制御するように構成される制御機をさらに含み、
前記制御機は、前記枚葉式乾燥チャンバで乾燥処理された前記基板を返送時には前記第１ハンドを使って、前記バッファーチャンバで前記ウェッティングされた前記基板を返送時には前記第３ハンドを使って、前記枚葉式液処理チャンバで前記枚葉式乾燥チャンバに前記基板を返送時には前記第２ハンドを使用するように前記返送ロボットを制御する、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記装置は:
前記バッファーチャンバを制御するように構成される制御機をさらに含み、
前記制御機は、前記第１液供給部で前記第１液の供給を始めて設定時間が経過された以後前記第２液供給部で前記第２液の供給を始めるように前記バッファーチャンバを制御する、請求項４乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。

【請求項14】

バッファーチャンバにおいて、
基板を支持及び回転させるチャックと、
前記チャックに支持された前記基板の第１面に第１液を供給するように構成される第１液供給部と、及び
前記チャックに支持された前記基板の第２面-前記第２面は前記第１面と相異な面である-に前記第１液より揮発性が高い第２液を供給するように構成される第２液供給部を含む、バッファーチャンバ。

【請求項15】

前記チャックは、制御ユニットによって３００RPM乃至５００RPMの速度で回転されるように制御される、請求項１４に記載のバッファーチャンバ。

【請求項16】

前記チャンバは:
前記第１液及び前記第２液を回収するための処理コップと、及び
前記処理コップを昇降させる昇降駆動機を含み、
前記処理コップは、複数のコップらで構成されてお互いに異なる種類の液を回収する少なくともふたつ以上の回収経路らを定義し、
前記昇降駆動機は、前記処理コップを昇降させるように構成されて前記第１液を前記回収経路らのうちで何れか一つによって回収し、前記第２液を前記回収経路らのうちで他の一つによって回収する、請求項１４に記載のバッファーチャンバ。

【請求項17】

基板を処理する装置において、
バッチ式で基板を処理する第１工程処理部と、
枚葉式で前記基板を処理する第２工程処理部と、及び
制御機を含み、
前記第１工程処理部は、
垂直姿勢の前記基板らを処理するバッチ処理槽を含み、
前記第２工程処理部は、
回転される前記基板に処理液を供給して前記基板を液処理する枚葉式液処理チャンバと、
前記基板に超臨界流体を供給して基板を乾燥処理する枚葉式乾燥チャンバと、
前記基板のウェッティング状態を維持するように前記基板に液を供給するバッファーチャンバと、及び
前記バッファーチャンバ、前記枚葉式液処理チャンバ、そして、前記枚葉式乾燥チャンバの間に前記基板を返送する返送ロボットを含む、基板処理装置。

【請求項18】

前記第１工程処理部は、
垂直姿勢の前記基板を水平姿勢に変更する姿勢変更処理槽-前記姿勢変更処理槽は液が収容される収容空間を有して、前記収容空間で前記基板を垂直姿勢で支持する支持部材が配置される-と、及び
前記基板の姿勢を前記垂直姿勢から水平姿勢に変更する姿勢変更ロボット-前記姿勢変更ロボットはハンド及び前記ハンドを移動させるアームを有する-をさらに含み、
前記バッファーチャンバは、
前記姿勢変更ロボットが前記姿勢変更処理槽から搬出した前記基板の搬入を受けることができる位置に配置される、請求項１７に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記バッファーチャンバは:
前記基板を支持及び回転させるチャックと、
前記チャックに支持された前記基板の上面に第１液を供給するように構成される第１液供給部と、及び
前記チャックに支持された前記基板の下面に前記第１液より揮発性が高い第２液を供給するように構成される第２液供給部を含む、請求項１８に記載の基板処理装置。

【請求項20】

前記装置は:
複数の前記枚葉式液処理チャンバを含むが、複数の前記枚葉式液処理チャンバはお互いに積層されて設置され、
前記バッファーチャンバは、複数の前記枚葉式液処理チャンバらのうちで一番下に設置される前記枚葉式液処理チャンバよりは高い位置に設置され、複数の前記枚葉式液処理チャンバらのうちで一番上に設置される前記枚葉式液処理チャンバよりは低い位置に設置される、請求項１８に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、バッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を製造するために、基板に写真、蝕刻、アッシング、イオン注入、そして、薄膜蒸着などの多様な工程らを通じて所望のパターンをウェハーなどの基板上に形成する。それぞれの工程には多様な処理液、処理ガスらが使用され、工程進行中にはパーティクル、そして、工程副産物が発生する。このような基板上の薄膜、パーティクル、そして、工程副産物を基板から除去するためにそれぞれの工程前後には基板に対する液処理工程が遂行される。一般的な液処理工程は、基板をケミカル及びリンス液で処理した後乾燥処理する。液処理工程では基板上のSiNがStripすることができる。

【0003】

ケミカル及び/またはリンス液のような処理液で基板を処理する方法は、複数枚の基板を垂直姿勢でまとめて処理する(Batch)処理方法、そして、水平姿勢の基板を１枚ずつ処理する枚葉式処理方法で区分することができる。

【0004】

複数枚の基板をまとめて処理するバッチ式処理方法は、ケミカルまたはリンス液が底流する処理槽内に複数枚の基板を垂直姿勢でまとめて浸漬して基板処理を行う。このために、基板処理の量産性がすぐれて、また各基板の間の処理品質が均一である。しかし、バッチ式処理方法は基板が垂直姿勢で浸漬されるため、基板上に形成されたパターンが高アスペクト比を有する場合、基板を処理槽から有する上げるなどの過程で基板上に形成されたパターンにパターンリニング(Pattern Leaning)現象が発生されることがある。また、複数枚の基板が一度に空気中に露出された状態で速い時間内に乾燥処理が行われない場合、空気中に露出された複数枚の基板中で一部にはウォーターマーク(Water Mark)が発生される恐れがある。

【0005】

反面、基板を１枚ずつ処理する枚葉式処理方法の場合、水平姿勢で回転する単一の基板に対してケミカルまたはリンス液を供給するものに基板処理を行う。また、枚葉式処理方法では、返送される基板が水平姿勢を維持するから上述したパターンリニング現象が発生される危険が少なくて、また、１枚ずつ基板を処理して処理された基板を直ちに乾燥処理するか、または、液処理を遂行するために上述したウォーターマークの発生危険が少ない。しかし、枚葉式処理方法の場合基板処理の量産性が落ちて、バッチ式処理方法と比べる時相対的に各基板間の処理品質が不均一である。また、基板を回転させてスピン乾燥する場合、基板上に形成されたパターンが高アスペクト比を有する場合、基板上に形成されたパターンが崩れるリニング現象が発生される恐れがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】韓国特許公開第10-2016-0147162号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、基板を効率的に処理することができるバッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

【0008】

また、本発明は、基板処理の量産性を改善することができるバッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

【0009】

また、本発明は、各基板の間の処理品質の均一性をさらに高めることができるバッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

【0010】

また、本発明は、基板上に形成されたパターンにリニング現象が発生されることを最小化することができる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。

【0011】

また、本発明は、高アスペクト比を有するパターンが形成された基板を効率的に処理することができるバッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

【0012】

また、本発明は、バッチ式に処理された基板が枚葉処理チャンバに返送される過程で基板のパターンが形成された上面が乾燥されることを最小化することができるバッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

【0013】

また、本発明は、バッチ式で処理された基板が枚葉処理に返送される過程で基板を返送するハンドが汚染されることを最小化することができるバッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

【0014】

また、本発明は、バッチ式に処理された基板の上面が自然乾燥されることを防止するように基板上にウェッティング液の液膜を形成するが、基板の下面は洗浄してバッチ式に処理された基板が枚葉処理を遂行するチャンバに返送される過程で基板を返送する返送ロボットのハンドが汚染されることを最小化することができるバッファーチャンバ、基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

【0015】

本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載らから通常の技術者が明確に理解されることができるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0016】

本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、基板をバッチ式で処理するバッチ処理槽と、前記基板を枚葉式で処理する枚葉処理チャンバと、及び前記バッチ処理槽と前記枚葉処理チャンバとの間で返送される前記基板の返送経路上に配置されるが、前記基板がウェッティング状態を維持するように液を供給するバッファーチャンバを含むことができる。

【0017】

一実施例によれば、前記バッファーチャンバは:前記基板を支持及び回転させるチャックと、及び前記チャックに支持されて回転する前記基板に前記液を供給する液供給部を含むことができる。

【0018】

一実施例によれば、前記液供給部は:前記チャックに支持された前記基板の上面に第１液を供給するように構成される第１液供給部と、及び前記チャックに支持された前記基板の下面に第２液を供給するように構成される第２液供給部を含むことができる。

【0019】

一実施例によれば、前記第２液供給部は、前記第１液供給部が供給する前記第１液より揮発性が高い種類の液である前記第２液を供給するように構成されることができる。

【0020】

一実施例によれば、前記第２液供給部は、イソプロピルアルコール(IPA)である前記第２液を供給するように構成されることができる。

【0021】

一実施例によれば、前記第１液供給部は、水である前記第１液を供給するように構成されることができる。

【0022】

一実施例によれば、前記装置は:前記バッファーチャンバを制御するように構成される制御機をさらに含み、前記制御機は、前記液供給部で前記液を供給する間に前記チャックの回転速度が３００RPM乃至５００RPMになるように前記バッファーチャンバを制御することができる。

【0023】

一実施例によれば、前記装置は:前記バッファーチャンバと前記枚葉処理チャンバを制御するように構成される制御機をさらに含み、前記制御機は、前記バッファーチャンバでの前記基板の処理時間が前記枚葉処理チャンバでの前記基板の処理時間より短いように前記バッファーチャンバ及び前記枚葉処理チャンバを制御することができる。

【0024】

一実施例によれば、前記装置は:前記バッチ処理槽と前記バッファーチャンバとの間に配置される姿勢変更処理槽をさらに含み、前記姿勢変更処理槽に底流する液は前記液供給部が供給する液と同一な種類の液であることができる。

【0025】

一実施例によれば、前記枚葉処理チャンバは:前記基板に処理液を供給して前記基板を処理する枚葉式液処理チャンバと、及び前記基板を乾燥処理する枚葉式乾燥チャンバを含み、前記装置は:前記枚葉式液処理チャンバ、前記枚葉式乾燥チャンバ、そして、前記バッファーチャンバの間に基板を返送する返送ロボットをさらに含むことができる。

【0026】

一実施例によれば、前記返送ロボットは、第１ハンドと、前記第１ハンドより低い高さに設置される第２ハンドと、及び前記第２ハンドより低い高さに設置される第３ハンドを含むことができる。

【0027】

一実施例によれば、前記装置は:前記返送ロボットを制御するように構成される制御機をさらに含み、前記制御機は、前記枚葉式乾燥チャンバで乾燥処理された前記基板を返送時には前記第１ハンドを使って、前記バッファーチャンバで前記ウェッティングされた前記基板を返送時には前記第３ハンドを使って、前記枚葉式液処理チャンバで前記枚葉式乾燥チャンバに前記基板を返送時には前記第２ハンドを使用するように前記返送ロボットを制御することができる。

【0028】

一実施例によれば、前記装置は:前記バッファーチャンバを制御するように構成される制御機をさらに含み、前記制御機は、前記第１液供給部で前記第１液の供給を始めて、設定時間が経過された以後前記第２液供給部で前記第２液の供給を始めるように前記バッファーチャンバを制御することができる。

【0029】

また、本発明は、バッファーチャンバを提供する。バッファーチャンバは、基板を支持及び回転させるチャックと、前記チャックに支持された前記基板の第１面に第１液を供給するように構成される第１液供給部と、及び前記チャックに支持された前記基板の第２面-前記第２面は前記第１面と相異な面である-に前記第１液より揮発性が高い第２液を供給するように構成される第２液供給部を含むことができる。

【0030】

一実施例によれば、前記チャックは、制御ユニットによって３００RPM乃至５００RPMの速度で回転されるように制御されることができる。

【0031】

一実施例によれば、前記チャンバは:前記第１液及び前記第２液を回収するための処理コップと、及び前記処理コップを昇降させる昇降駆動機を含み、前記処理コップは、複数コップらで構成されてお互いに異なる種類の液を回収する少なくともふたつ以上の回収経路らを定義し、前記昇降駆動機は、前記処理コップを昇降させるように構成されて前記第１液を前記回収経路らのうちで何れか一つによって回収し、前記第２液を前記回収経路らのうちで他の一つによって回収することができる。

【0032】

また、本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、バッチ式で基板を処理する第１工程処理部と、枚葉式で前記基板を処理する第２工程処理部と、及び制御機を含み、前記第１工程処理部は、垂直姿勢の前記基板らを処理するバッチ処理槽を含み、前記第２工程処理部は、回転される前記基板に処理液を供給して前記基板を液処理する枚葉式液処理チャンバと、前記基板に超臨界流体を供給して基板を乾燥処理する枚葉式乾燥チャンバと、前記基板のウェッティング状態を維持できるように前記基板に液を供給するバッファーチャンバと、及び前記バッファーチャンバ、前記枚葉式液処理チャンバ、そして、前記枚葉式乾燥チャンバの間に前記基板を返送する返送ロボットを含むことができる。

【0033】

一実施例によれば、前記第１工程処理部は、垂直姿勢の前記基板を水平姿勢に変更する姿勢変更処理槽-前記姿勢変更処理槽は液が収容される収容空間を有して、前記収容空間で前記基板を垂直姿勢で支持する支持部材が配置される-と、及び前記基板の姿勢を前記垂直姿勢から水平姿勢に変更する姿勢変更ロボット-前記姿勢変更ロボットはハンド及び前記ハンドを移動させるアームを有する-をさらに含み、前記バッファーチャンバは、前記姿勢変更ロボットが前記姿勢変更処理槽から搬出した前記基板の搬入を受けることができる位置に配置されることができる。

【0034】

一実施例によれば、前記バッファーチャンバは:前記基板を支持及び回転させるチャックと、前記チャックに支持された前記基板の上面に第１液を供給するように構成される第１液供給部と、及び前記チャックに支持された前記基板の下面に前記第１液より揮発性が高い第２液を供給するように構成される第２液供給部を含むことができる。

【0035】

一実施例によれば、前記装置は:複数の前記枚葉式液処理チャンバを含むが、複数の前記枚葉式液処理チャンバはお互いに積層されて設置され、前記バッファーチャンバは、複数の前記枚葉式液処理チャンバらのうちで一番下に設置される前記枚葉式液処理チャンバよりは高い位置に設置され、複数の前記枚葉式液処理チャンバらのうちで一番上に設置される前記枚葉式液処理チャンバよりは低い位置に設置されることができる。

【0036】

また、本発明は、基板処理方法を提供する。基板を処理する方法は、垂直姿勢の複数の前記基板に対する液処理を遂行するバッチ式処理段階と、前記バッチ式処理段階が遂行された前記基板の姿勢を前記垂直姿勢から水平姿勢に変更する姿勢変更段階と、前記姿勢が変更された前記基板にウェッティング液を供給して前記基板のウェッティング状態を維持するウェッティング段階と、及び前記ウェッティング段階が遂行され、水平姿勢の単一の前記基板に対する処理が遂行される枚葉式処理段階を含むことができる。

【0037】

一実施例によれば、前記ウェッティング段階は、チャックが前記基板を支持及び回転させるが、前記チャックに支持されて回転する前記基板に前記ウェッティング液を供給して遂行されることができる。

【0038】

一実施例によれば、前記ウェッティング段階は、前記基板の上面に前記ウェッティング液を供給し、前記基板の下面に前記ウェッティング液と相異な種類である洗浄液を供給して遂行されることができる。

【0039】

一実施例によれば、前記洗浄液は前記ウェッティング液より揮発性が高い種類である液であることができる。

【0040】

一実施例によれば、前記ウェッティング液は水を含む液であり、前記洗浄液はイソプロピルアルコール(IPA)を含む液であることができる。

【0041】

一実施例によれば、前記洗浄液の供給は前記ウェッティング液の供給が始まった以後、設定時間が経過された以後遂行されることができる。

【0042】

一実施例によれば、前記ウェッティング段階が遂行された前記基板を枚葉式処理段階が遂行される枚葉処理チャンバに返送する返送段階をさらに含むが、前記返送段階を遂行する返送ロボットは複数のハンドを有して、前記返送段階は前記複数のハンドらのうちで一番下に位置するハンドによって前記基板が前記枚葉処理チャンバに返送されて遂行されることがある。

【0043】

一実施例によれば、前記ウェッティング段階が遂行される時間は、前記枚葉式処理段階が遂行される時間より短いことがある。

【0044】

また、本発明は、基板を処理する方法を提供する。基板処理方法は、第１チャンバで前記基板の第１面に第１液を供給し、前記基板の第２面に前記第１液より揮発性が高い第２液を供給して前記基板を処理し、前記基板の前記第２面を返送ロボットのハンドが支持した状態で前記第１チャンバから搬出し、前記第１チャンバから搬出された前記基板を前記第１チャンバと相異な第２チャンバに搬入することができる。

【0045】

一実施例によれば、前記第１面に前記第１液及び前記第２液を供給する間、前記基板は回転されることができる。

【0046】

一実施例によれば、前記返送ロボットが前記基板を返送時、前記第１面には前記第１液の液膜が形成されることができる。

【0047】

一実施例によれば、前記第１液は前記基板の上面をウェッティングさせるウェッティング液であり、前記第２液は前記基板の下面を洗浄する有機溶剤であることができる。

【0048】

一実施例によれば、前記第１液は脱イオン水であり、前記第２液はイソプロピルアルコール(IPA)であることがある。

【0049】

一実施例によれば、前記第１チャンバは前記基板が臨時保管されるバッファーチャンバであり、前記第２チャンバは前記基板を枚葉式で処理する枚葉式処理チャンバであることがある。

【0050】

一実施例によれば、前記第２チャンバは、前記基板の前記第１面に有機溶剤を供給して前記基板を処理する枚葉式液処理チャンバであることができる。

【0051】

一実施例によれば、前記第２チャンバは、前記基板に超臨界状態の処理流体を伝達して前記基板を乾燥処理する枚葉式乾燥チャンバであることができる。

【0052】

一実施例によれば、前記基板はバッチ式処理槽で処理された以後、前記第１チャンバに搬入されることができる。

【0053】

一実施例によれば、前記基板は前記バッチ式処理槽で処理された以後、垂直姿勢から水平姿勢に姿勢が変更されて前記第１チャンバに搬入されることができる。

【0054】

一実施例によれば、前記基板の姿勢変更は前記第１液と同一な種類の液が盛られた姿勢変更処理槽で前記基板が浸された状態で遂行されることができる。

【発明の効果】

【0055】

本発明の一実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。

【0056】

また、本発明の一実施例によれば、基板処理の量産性を改善することができる。

【0057】

また、本発明の一実施例によれば、各基板間の処理品質の均一性をさらに高めることができる。

【0058】

また、本発明の一実施例によれば、基板上にウォーターマークが発生される危険を最小化することができる。

【0059】

また、本発明の一実施例によれば、基板上に形成されたパターンにリニング現象が発生されることを最小化することができる。

【0060】

また、本発明の一実施例によれば、高アスペクト比を有するパターンが形成された基板を効率的に処理することができる。

【0061】

また、本発明の一実施例によれば、バッチ式に処理された基板が枚葉処理チャンバに返送される過程で基板のパターンが形成された上面が乾燥されることを最小化することができる。

【0062】

また、本発明の一実施例によれば、バッチ式に処理された基板が枚葉処理で返送される過程で基板を返送するハンドが汚染されることを最小化することができる。

【0063】

また、本発明の一実施例によれば、バッチ式に処理された基板の上面が自然乾燥されることを防止できるように基板上にウェッティング液の液膜を形成するが、基板の下面は洗浄してバッチ式に処理された基板が枚葉処理を遂行するチャンバに返送される過程で基板を返送する返送ロボットのハンドが汚染されることを最小化することができる。

【0064】

本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面らから本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者に明確に理解されることができるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0065】

【図1】本発明の一実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。

【図2】図１のバッチ処理槽らのうちで何れか一つのバッチ処理槽の姿を見せてくれる図面である。

【図3】図１の姿勢変更処理槽の姿を見せてくれる図面である。

【図4】図１の姿勢変更ロボットの姿を概略的に示した図面である。

【図5】図４のハンドを示した図面である。

【図6】図１の枚葉式液処理チャンバとバッファーチャンバとの配置を概略的に示した図面である。

【図7】図６のバッファーチャンバを概略的に示した図面である。

【図8】図１の第１返送ロボットを概略的に示した図面である。

【図9】図１の枚葉式液処理チャンバの姿を概略的に示した図面である。

【図10】図１の枚葉式乾燥チャンバの姿を概略的に示した図面である。

【図11】本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれるフローチャートである。

【図12】図１１の第２姿勢変更段階で姿勢変更ロボットが基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更する姿を見せてくれる図面である。

【図13】同じく、図１１の第２姿勢変更段階で姿勢変更ロボットが基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更する姿を見せてくれる図面である。

【図14】図１１の第１ウェッティング段階を遂行する姿勢変更ロボットの姿を見せてくれる図面である。

【図15】図１１の第１ウェッティング段階で液供給部材がウェッティング液を供給する姿を上部から眺めた図面である。

【図16】図１１の第１ウェッティング段階で液供給部材がウェッティング液を供給する姿を側部から眺めた図面である。

【図17】図１１の第２ウェッティング段階を遂行するバッファーチャンバの姿を見せてくれる図面である。

【図18】図１７の第２ウェッティング段階を遂行時基板に供給される第１液及び第２液の供給オン(On)、オフ(Off)時点の一例を概略的に示したグラフである。

【図19】図１７の第２ウェッティング段階を遂行時基板に供給される第１液及び第２液の供給オン(On)、オフ(Off)時点の他の例を概略的に示したグラフである。

【図20】本発明の他の実施例によるハンドの姿を見せてくれる図面である。

【図21】図２０の液供給部材が基板にウェッティング液を供給する姿を上部から眺めた図面である。

【図22】本発明の他の実施例による姿勢変更ロボットの姿を見せてくれる図面である。

【図23】本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。

【図24】本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。

【図25】本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。

【図26】図１７の第２ウェッティング段階を遂行時基板に供給される第１液及び第２液の供給オン(On)、オフ(Off)時点の他の例を概略的に示したグラフである。

【図27】図１７の第２ウェッティング段階を遂行時基板に供給される第１液及び第２液の供給オン(On)、オフ(Off)時点の他の例を概略的に示したグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0066】

以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。

【0067】

ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。

【0068】

単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

【0069】

第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明するのに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似に第２構成要素も第１構成要素で命名されることができる。

【0070】

ある構成要素が異なる構成要素に“連結されて”いるか、または“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されなければならないであろう。反面に、ある構成要素が異なる構成要素に“直接連結されて”いるか、または“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことで理解されなければならないであろう。構成要素らとの関係を説明する他の表現ら、すなわち“～間に”と“すぐ～間に”または“～に隣合う”と“～に直接隣合う”なども同じく解釈されなければならない。

【0071】

異なるように定義されない限り、技術的であるか科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語らは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されることと等しい意味である。一般に使用される前もって定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であることで解釈されなければならないし、本出願で明白に定義しない限り、理想的や過度に形式的な意味で解釈されない。

【0072】

また、以下で説明する基板Wを返送する構成ら、例えば、以下の返送ユニットまたは返送ロボットらは、返送モジュールと呼ばれることもある。

【0073】

以下では、図１乃至図２５を参照して本発明の実施例に対して説明する。

【0074】

図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。

【0075】

図１を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置１０は第１工程処理部１００、第２工程処理部２００、そして、制御機６００を含むことができる。第１工程処理部１００、そして、第２工程処理部２００は上部から眺める時、第１方向(X)に沿って配列されることができる。以下では、上部から眺める時、第１方向(X)に垂直な方向を第２方向(Y)といって、第１方向(X)及び第２方向(Y)に垂直な方向を第３方向(Z)という。

【0076】

第１工程処理部１００はバッチ(Batch)式で複数の基板Wをまとめて液処理することができる。例えば、第１工程処理部１００はバッチ(Batch)式で複数の基板Wをまとめて洗浄処理することができる。第１工程処理部１００では垂直姿勢(基板Wの上面または下面が地面に垂直な方向と平行な姿勢)の複数の基板Wらを同時に処理することができる。

【0077】

第１工程処理部１００は第１ロードポートユニット１１０、インデックスチャンバ１２０、返送ユニット１３０、バッチ処理部１４０、及び姿勢変更部１５０を含むことができる。

【0078】

第１ロードポートユニット１１０は少なくとも一つ以上のロードポートを含むことができる。第１ロードポートユニット１１０が有するロードポートには少なくとも一つ以上の基板Wが収納された移送容器Fが置かれることができる。移送容器Fには複数の基板Wらが収納されることができる。例えば、移送容器Fには２５枚の基板が収納されることができる。移送容器Fはカセット(Cassette)、ポッド(FOD)、フープ(FOUP)などで呼ばれることができる。移送容器Fは容器返送装置によって第１ロードポートユニット１１０にローディング(Loading)されることができる。第１ロードポートユニット１１０に置かれる移送容器Fに収納された基板Wらは未処理基板Wであることがある。未処理基板Wは、例えば、処理が遂行されない基板Wや、または一部処理が遂行されたが、液処理が要求される基板Wらであることがある。

【0079】

また、第１ロードポートユニット１１０には未処理された基板Wが収納された容器Fだけ置かれることができる。すなわち、第１ロードポートユニット１１０は処理が要求される基板Wがローディング(Loading)される役割のみを遂行することができる。

【0080】

インデックスチャンバ１２０には第１ロードポートユニット１１０が結合されることができる。インデックスチャンバ１２０と第１ロードポートユニット１１０は第２方向(Y)に沿って配列されることができる。第１インデックスチャンバ１２０はインデックスロボット１２２、そして、姿勢変更ユニット１２４を含むことができる。インデックスロボット１２２は第１ロードポートユニット１１０に安着された容器Fから未処理された、または、処理が要求される基板Wを搬出することができる。第１返送ロボット１２２は容器Fから基板Wを搬出して第１インデックスチャンバ１２０内に提供された収納容器(C)に基板Wを搬入することができる。第１返送ロボット１２２は複数枚(例えば、２５枚)の基板Wを同時に把持及び返送することができる配置ハンドを有することができる。

【0081】

収納容器(C)は概して桶形状を有することができる。収納容器(C)は内部に収納空間を有することができる。収納容器(C)の収納空間には複数の基板Wが収納されることができる。例えば、収納容器(C)の収納空間には５０枚の基板Wが収納されることができる。収納容器(C)は、収納容器(C)が有する面らのうちで少なくともふたつ以上の面が開放された桶形状を有することができる。収納容器(C)の収納空間には基板Wを支持/把持する支持部材が提供されることができる。

【0082】

移送容器Fから搬出された基板Wが収納容器(C)に搬入が完了されれば、収納容器(C)は、図示されない返送手段(例えば、返送レールまたはリニアモータガイドなど)によってインデックスチャンバ１２０内に配置された姿勢変更ユニット１２４に返送されることができる。姿勢変更ユニット１２４は収納容器(C)を回転させることができる。例えば、姿勢変更ユニット１２４は収納容器(C)の開放された部分が上部に向けるように収納容器(C)を回転させることができる。収納容器(C)の開放された部分が上部に向けるように回転されれば、収納容器(C)に収納された基板Wは水平姿勢(基板Wの上面及び下面が地面と水平した姿勢)から垂直姿勢にその姿勢が変更されることができる。水平姿勢は基板W上面(例えば、パターンが形成された面)がX-Y平面(すなわち、地面)と並んでいるような状態を意味し、垂直姿勢は基板Wの上面がX-Z平面またはY-Z平面(すなわち、地面に垂直な面)と並んでいるような状態を意味することができる。

【0083】

返送ユニット１３０はインデックスチャンバ１２０とバッチ処理部１４０との間に基板Wを返送する第１返送ユニット１３２、そして、バッチ処理部１４０と後述する姿勢変更部１５０との間に基板Wを返送する第２返送ユニット１３４を含むことができる。

【0084】

第１返送ユニット１３２は第１方向(X)に沿って延長されるレール、そして、複数の基板Wを一度に返送できるように構成されるハンドを含むことができる。第１返送ユニット１３２は姿勢変換ユニット１２４で姿勢が変換された基板Wらを把持し、把持された基板Wをバッチ処理部１４０に返送することができる。例えば、第１返送ユニット１３２は姿勢変換ユニット１２４で姿勢が変換された基板Wらをバッチ処理部１４０が有するバッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２のうちで選択された何れか一つの処理槽に返送されることができる。例えば、第１返送ユニット１３２は姿勢変換ユニット１２４で姿勢が変換された基板Wらを第１-１バッチ処理槽１４１-B１に返送することができる。

【0085】

第２返送ユニット１３４は第１方向(X)に沿って延長されるレール、そして、複数の基板Wを一度に返送できるように構成されるハンドを含むことができる。第２返送ユニット１３４はバッチ処理部１４０が有する第１バッチ処理部１４１、第２バッチ処理部１４２、そして、第３バッチ処理部１４３の間で基板Wを返送するように構成されることができる。また、第２返送ユニット１３４はバッチ処理部１４０、そして、姿勢変更部１５０の間で基板Wを返送するように構成されることができる。

【0086】

また、姿勢変更ユニット１２４によって姿勢が変更されて収納容器(C)に収納された基板Wらの位置と、バッチ処理部１４０が有するバッチ処理槽に収納される基板Wらの位置は上部から眺める時、第１方向(X)に沿って並んでいるように配列されることができる。

【0087】

また、バッチ処理部１４０が有するバッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２に収納される基板Wらと姿勢変更部１５０が有する姿勢変更処理槽１５１に収納される基板Wらは上部から眺める時、第１方向(X)に沿って並んでいるように配列されることができる。また、バッチ処理部１４０が有するバッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２に収納される基板Wらは上部から眺める時、第１方向(X)に沿って並んでいるように配列されることができる。すなわち、バッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２らそれぞれが有する支持部材１４１-B１-６及び姿勢変更処理槽１５１が有する支持部材１５３は上部から眺める時、第１方向(X)に沿って並んでいるように配列されることができる。

【0088】

バッチ処理部１４０は複数の基板Wを一度に液処理することができる。バッチ処理部１４０では処理液を利用して複数の基板Wを一度に洗浄処理することができる。バッチ処理部１４０では処理液を利用して複数の基板Wを一度に液処理することができる。バッチ処理部１４０で使用される処理液はケミカル及び/またはリンス液であることができる。例えば、ケミカルは強酸または強塩基の性質を有するケミカルであることができる。また、リンス液は純水であることがある。例えば、ケミカルはAPM(Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture)、HPM(Hydrochloricacid-Hydrogen Peroxide Mixture)、FPM(Hydrofluoricacid-Hydrogen Peroxide Mixture)、DHF(Diluted Hydrofluoric acid)、DSP(Diluted Sulfuricacid Peroxide)、SiNを除去するケミカル、リン酸を含むケミカル、硫酸を含むケミカルなどで適切に選択されることができる。リンス液は水を含む液であることがある。例えば、リンス液は純水、またはオゾン水などで適切に選択されることができる。

【0089】

バッチ処理部１４０は第１バッチ処理部１４１、第２バッチ処理部１４２、そして、第３バッチ処理部１４３を含むことができる。

【0090】

第１バッチ処理部１４１は第１-１バッチ処理槽１４１-B１、第１-２バッチ処理槽１４１-B２、そして、第１配置返送ユニット１４１-TR)を含むことができる。

【0091】

第１-１バッチ処理槽１４１-B１ではDSPのようなケミカルで複数枚の基板Wを同時に液処理することができる。第１-２バッチ処理槽１４１-B２ではDHFのようなケミカルで複数枚の基板Wを同時に処理することができる。しかし、これに限定されるものではなくて、第１-１バッチ処理槽１４１-B１と第１-２バッチ処理槽１４１-B２で使用される処理液は上述した処理液らのうちで選択された処理液で多様に変形されることができる。

【0092】

第１配置返送ユニット１４１-TR)は第１-１バッチ処理槽１４１-B１及び第１-２バッチ処理槽１４１-B２の間で基板Wを返送できるように構成されることができる。

【0093】

第２バッチ処理部１４２は第２-１バッチ処理槽１４２-B１、第２-２バッチ処理槽１４２-B２、そして、第２配置返送ユニット１４２-TR)を含むことができる。

【0094】

第２-１バッチ処理槽１４２-B１ではリン酸を含むケミカルで複数枚の基板Wを同時に液処理することができる。第２-２バッチ処理槽１４２-B２ではリンス液で複数枚の基板Wを同時に処理することができる。しかし、これに限定されるものではなくて、第２-１バッチ処理槽１４２-B１と第２-２バッチ処理槽１４２-B２で使用される処理液は上述した処理液らのうちで選択された処理液で多様に変形されることができる。

【0095】

第２配置返送ユニット１４２-TRは第２-１バッチ処理槽１４１-B１及び第２-２バッチ処理槽１４２-B２の間で基板Wを返送できるように構成されることができる。

【0096】

第３バッチ処理部１４３は第３-１バッチ処理槽１４２-B１、第３-２バッチ処理槽１４３-B２、そして、第３配置返送ユニット１４３-TRを含むことができる。

【0097】

第３-１バッチ処理槽１４３-B１ではリン酸を含むケミカルで複数枚の基板Wを同時に液処理することができる。第３-２バッチ処理槽１４３-B２ではリンス液で複数枚の基板Wを同時に処理することができる。しかし、これに限定されるものではなくて、第３-１バッチ処理槽１４３-B１と第３-２バッチ処理槽１４３-B２で使用される処理液は上述した処理液らのうちで選択された処理液で多様に変形されることができる。

【0098】

第３配置返送ユニット１４３-TRは第３-１バッチ処理槽１４３-B１及び第３-２バッチ処理槽１４３-B２の間で基板Wを返送するように構成されることができる。

【0099】

バッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２は使用される処理液(L)の種類を除いてお互いに同一または類似な構造を有するので、以下では第１-１バッチ処理槽１４１-B１に対して説明し、残りバッチ処理槽ら１４１-B２乃至１４３-B２に対する繰り返される説明は略する。

【0100】

図２は、図１のバッチ処理槽らのうちで何れか一つのバッチ処理槽の姿を見せてくれる図面である。例えば、図２ではバッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２のうちで第１-１バッチ処理槽１４１-B１に関して示す。

【0101】

図２を参照すれば、第１-１バッチ処理槽１４１-B１は、処理槽１４１-B１-１、加熱部材１４１-B１-３、供給ライン１４１-B１-４、回収ライン１４１-B１-５、そして、支持部材１４１-B１-６を含むことができる。

【0102】

処理槽１４１-B１-１は内部に収容空間１４１-B１-２を有することができる。処理槽１４１-B１-１は上部が開放された桶形状を有することができる。処理槽１４１-B１-１が有する収容空間１４１-B１-２には処理液(L)が収容(底流)されることができる。収容空間１４１-B１-２に底流する処理液(L)の温度を調節するため、処理槽１４１-B１-１には加熱部材１４１-B１-３が設置されることができる。加熱部材１４１-B１-３は図示されない温度センサーがセンシングする処理液(L)の温度に根拠し、処理槽１４１-B１-１の収容空間１４１-B１-２に底流する処理液(L)の温度を設定温度で加熱することができる。

【0103】

供給ライン１４１-B１-４は収容空間１４１-B１-２に処理液(L)を供給することができる。回収ライン１４１-B１-５は収容空間１４１-B１-２で処理液(L)をドレンすることができる。供給ライン１４１-B１-４と回収ライン１４１-B１-５それぞれにはバルブが設置され、図示されない液面レベルセンサーがセンシングする処理液(L)の液面レベルに根拠し、収容空間１４１-B１-２に供給された処理液(L)の液面(すなわち、収容空間１４１-B１-２に底流する処理液(L)の量)を設定レベルで調節することができる。

【0104】

支持部材１４１-B１-６は収容空間１４１-B１-２に配置されて基板Wを支持することができる。支持部材１４１-B１-６は複数の基板Wを支持するように構成されることができる。例えば、支持部材１４１-B１-６は５０枚の基板Wを支持できるように構成されることができる。支持部材１４１-B１-６は一対の棒形状の胴体がお互いに向い合うように配置され、それぞれの胴体に基板Wが支持されることができる支持溝(図示せず)が形成されて構成されることができる。

【0105】

再び図１を参照すれば、姿勢変更部１５０は基板Wの姿勢を変更することができる。姿勢変更部１５０は垂直姿勢の基板Wを水平姿勢に変更することができる。姿勢変更部１５０はバッチ処理部１４０から垂直姿勢に処理された基板Wが、水平姿勢に単一枚の基板Wに対して基板Wを処理する枚葉処理チャンバ２３０、２４０で後処理されることができるように基板Wの姿勢を変更することができる。姿勢変更部１５０はバッチ処理部１４０と第２工程処理部２００との間に配置されることができる。

【0106】

姿勢変更部１５０は姿勢変更処理槽１５１、そして、姿勢変更ロボット１５６を含むことができる。姿勢変更処理槽１５１は上部から眺める時、バッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２よりさらに大幅を有することができる。例えば、姿勢変更処理槽１５１は上部から眺める時、バッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２より第２方向(Y、一方向)にさらに大幅を有することができる。また、姿勢変更処理槽１５１は上部から眺める時、バッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２と第１方向(X、他の方向)に同じ幅を有することができる。

【0107】

図３は、図１の姿勢変更処理槽の姿を見せてくれる図面である。

【0108】

図３を参照すれば、姿勢変更処理槽１５１は処理槽１５２、支持部材１５３、供給ライン１５４、そして、回収ライン１５５を含むことができる。

【0109】

処理槽１５２は上部が開放された桶形状を有することができる。処理槽１５２は上部が開放された四角の桶形状を有することができる。処理槽１５２は内部に処理液(L)が収容(底流)されることができる収容空間(A、B)を有することができる。処理槽１５２に底流する処理液(L)は水を含む液であることができる。処理槽１５２に底流する処理液(L)の種類は後述するバッファーチャンバ２１０で噴射するウェッティング液と同じ種類の液であることができる。例えば、処理槽１５２に底流する処理液(L)及びバッファーチャンバ２１０で噴射するウェッティング液はすべて水を含む液であることができる。

【0110】

支持部材１５３は収容空間(A、B)に配置されて基板Wを支持することができる。支持部材(A、B)は複数の基板Wを支持するように構成されることができる。例えば、支持部材１５３は５０枚の基板Wを支持するように構成されることができる。支持部材１５３は一対の棒形状の胴体がお互いに向い合うように配置され、それぞれの胴体に基板Wが支持されることができる支持溝(図示せず)が形成されて構成されることができる。

【0111】

供給ライン１５４は収容空間(A、B)に処理液(L)を供給することができる。回収ライン１５５は収容空間(A、B)に処理液(L)をドレンすることができる。供給ライン１５４と回収ライン１５５それぞれにはバルブが設置され、図示されない液面レベルセンサーがセンシングする処理液(L)の液面レベルに根拠し、収容空間(A、B)に供給された処理液(L)の液面(すなわち、収容空間(A、B))に底流する処理液(L)の量)を設定レベルで調節することができる。

【0112】

また、収容空間(A、B)は支持領域(A)及び姿勢変更領域(B)を含むことができる。支持領域(A)は支持部材１５３が基板Wを支持する領域であることができる。姿勢変更領域(B)は後述する姿勢変更ロボット１５６によって基板Wの姿勢が変更される領域であることができる。

【0113】

再び図１を参照すれば、姿勢変更ロボット１５６は姿勢変更処理槽１５１の一側に配置されることができる。姿勢変更ロボット１５６は姿勢変更処理槽１５１と後述するバッファーチャンバ２１０との間に配置されることができる。姿勢変更ロボット１５６はハンド１５６-H、そして、関節部１５６-Rを含むことができる。ハンド１５６-Hは関節部１５６-Rと結合されることができる。関節部１５６-Rはハンド１５６-Hの位置を変更させることができる。

【0114】

図４は、図１の姿勢変更ロボットの姿を概略的に示した図面である。図４を参照すれば、本発明の一実施例による姿勢変更ロボット１５６は姿勢変更処理槽１５１で基板Wの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更させ、水平姿勢に変更された基板Wを第２工程処理部２００のバッファーチャンバ２１０に返送することができる。また、姿勢変更ロボット１５６はすべて関節ロボットであることができる。姿勢変更ロボット１５６は６軸多関節ロボットであることができる。

【0115】

関節部１５６-Rは少なくともふたつ以上の軸で構成される多関節アームであることができる。例えば、関節部１５６-Rは６軸多関節アームであることができる。関節部１５６-Rはハンド１５６-Hを第１方向(X)、第２方向(Y)及び第３方向(Z)のうちで少なくとも一つ以上の方向に沿ってハンド１５６-Hを移動させてハンド１５６-Hの位置を変更させることができる。また、関節部１５６-Rはハンド１５６-Hを第１方向(X)、第２方向(Y)及び第３方向(Z)のうちで一つの軸を基準でハンド１５６-Hを回転させることができる。

【0116】

姿勢変更ロボット１５６の関節部１５６-Rはベース１７１、回転ボディー１７２、第１アーム１７３、第２アーム１７４、第３アーム１７５、そして、第４アーム１７６を含むことができる。

【0117】

ベース１７１は回転ボディー１７２と結合されることができる。回転ボディー１７２はベース１７１を基準で回転することができる。回転ボディー１７２は地面に垂直な方向を回転軸にして回転されることができる。第１アーム１７３は回転ボディー１７２と結合されることができる。第１アーム１７３は回転ボディーに対して水平方向を回転軸にして回転されることができる。第２アーム１７４は第１アーム１７３と結合されることができる。第２アーム１７４は第１アーム１７３に対して水平方向を回転軸にして回転されることができる。第３アーム１７５は第２アーム１７４と結合されることができる。第３アーム１７５は第２アーム１７４の長さ方向(または、第３アーム１７５の長さ方向)を回転軸にして回転されることができる。第４アーム１７６は第３アーム１７５の長さ方向に垂直な方向を回転軸にして回転されることができる。また、第４アーム１７６はハンド１５６-Hを回転させることができる。例えば、第４アーム１７６はハンド１５６-Hを回転させることができる回転シャフト(図示せず)を有することができる。ハンド１５６-Hは第４アーム１７６の回転軸に垂直な方向を回転軸にして回転されることができる。

【0118】

図５は、図４のハンドを示した図面である。図５を参照すれば、姿勢変更ロボット１５６のハンド１５６-Hは、支持ボディー１６１、第１ガイド部１６２、第２ガイド部１６３、駆動部材１６４、チャッキングボディー１６５、締結ボディー１６６、ビジョン部材１６７、そして、液供給部材１６８を含むことができる。

【0119】

支持ボディー１６１は基板Wの下面を支持することができる。支持ボディー１６１は基板Wのパターンが形成された上面、そして、パターンが形成されない下面のうちで、基板Wの下面を支持することができる。すなわち、支持ボディー１６１には基板Wが置かれることができる。

【0120】

支持ボディー１６１には第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３が提供されることができる。第１ガイド部１６２は後述する締結ボディー１６６と近接した支持パッドであることができる。第２ガイド部１６３は後述する締結ボディー１６６と遠い支持パッドであることができる。第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３はそれぞれ一対で提供されることができる。第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３は基板Wの下面及び/または側面を支持することができる。第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３はその上面が段差になった形状を有することができる。例えば、第１ガイド部１６２の上面のうちで基板Wの下面を支持する内側領域の高さは、基板Wの下面を支持しない外側領域の高さより低いことがある。これと類似に、第２ガイド部１６３の上面のうちで基板Wの下面を支持する内側領域の高さは、基板Wの下面を支持しない外側領域の高さより低いことがある。すなわち、基板Wは支持ボディー１６１に設置される第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３を媒介で支持ボディー１６１に置かれることができる。支持ボディー１６１に基板Wが置かれるということは、支持ボディー１６１と基板Wが直接的に接触する場合のみならず、基板Wが支持ボディー１６１に設置される第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３に置かれることも含むことで解釈されなければならない。

【0121】

駆動部材１６４は締結ボディー１６６に締結されることができる。駆動部材１６４はチャッキングボディー１６５を側方向に移動させることができる駆動機であることがある。駆動部材１６４は一対で提供されることができる。例えば、駆動部材１６４は一対で提供されるチャッキングボディー１６５それぞれに対応するように提供されることができる。一対の駆動部材１６４は一対のチャッキングボディー１６５を側方向に移動させることができる。チャッキングボディー１６５らは基板Wの側部と近くなる方向、そして、基板Wの側部から遠くなる方向に移動されることができる。これに、チャッキングボディー１６５は支持ボディー１６１に置かれた基板Wをチャッキングすることができる。言い換えれば、支持ボディー１６１及びチャッキングボディー１６５は基板Wを把持するボディーであることができる。

【0122】

締結ボディー１６６はチャッキングボディー１６５、そして、支持ボディー１６１を関節部１５６-Rに結合させるボディーであることができる。締結ボディー１６６はチャッキングボディー１６５、そして、支持ボディー１６１を関節部１５６-Rの第４アーム１７６に結合させるボディーであることができる。締結ボディー１６６は関節部１５６-Rの第４アーム１７６が有する回転シャフトと締結されることができる。

【0123】

支持ボディー１６１それぞれには、第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３が提供されることができる。第１ガイド部１６２は後述する締結ボディー１６６と近接した突起であることができる。第２ガイド部１６３は後述する締結ボディー１６６と相対的に遠い突起であることができる。第２ガイド部１６３は第１ガイド部１６２より締結ボディー１６６と遠く配置されることができる。第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１６３は基板Wの側部を支持することができる。第１ガイド部１６２及び第２ガイド部１２６３は基板Wの側部を支持し、この二つの間の間隔は基板Wが有する直径よりは少し小さいことがある。

【0124】

ビジョン部材１６７は基板W及び/または支持ボディー１６１を撮影してイメージを獲得することができる。獲得されたイメージは後述する制御機６００に伝送されることができる。制御機６００はビジョン部材１６７が獲得するイメージに根拠して姿勢変更ロボット１５６の駆動を制御する制御信号を発生させることができる。

【0125】

液供給部材１６８は支持ボディー１６１におく基板Wでウェッティング液(WL)を供給することができる。ウェッティング液(WL)は水を含むことができる。液供給部材１６８が供給するウェッティング液(WL)は収容空間(A、B)に底流する処理液(L)と同じ種類の液であることができる。また、液供給部材１６８が供給するウェッティング液(WL)は後述するバッファーチャンバ２１０に供給するウェッティング液(WL)と同じ種類の液であることができる。

【0126】

液供給部材１６８は第１ノズル１６８a、そして、第２ノズル１６８bを含むことができる。第１ノズル１６８a、そして、第２ノズル１６８bそれぞれは少なくとも一つ以上が提供されることができる。第１ノズル１６８a、そして、第２ノズル１６８bはそれぞれ複数で提供されることができる。第１ノズル１６８aは支持ボディー１６１に置かれた基板Wの第１領域でウェッティング液(WL)を供給することができる。第２ノズル１６８bは支持ボディー１６１に置かれた基板Wの第２領域でウェッティング液(WL)を供給することができる。第１領域と第２領域はお互いに相異な領域であることができる。第１領域と第２領域は後述するところのように基板Wの縁領域であることができる。第１領域は第１ノズル１６８aと接して、第２領域は第２ノズル１６８bと接することができる。

【0127】

第１領域と第１ノズル１６８aとの間の距離は、第２領域と第２ノズル１６８bとの間の距離より短いことがある。すなわち、第１ノズル１６８aで供給されるウェッティング液(WL)の噴射距離は、第２ノズル１６８bで供給されるウェッティング液(WL)の噴射距離と相異なことがある。例えば、第１ノズル１６８aで供給されるウェッティング液(WL)の噴射距離は、第２ノズル１６８bで供給されるウェッティング液(WL)の噴射距離より短いことがある。

【0128】

また、上部から眺める時、第１ノズル１６８aらは第２ノズル１６８bらの間に配置されることができる。第２ノズル１６８bらは相対的にチャッキングボディー１６５と近い位置、すなわち、外側に配置されることができる。第１ノズル１６８aらは相対的にチャッキングボディー１６５と遠い位置、すなわち、内側に配置されることができる。

【0129】

第１ノズル１６８aと第２ノズル１６８bのウェッティング液(WL)噴射方向はお互いに相異なことがある。例えば、上部から眺める時、基板Wの中心及びビジョン部材１６７の中心を通る仮想のベースラインを基準で、第１ノズル１６８aはこのベースラインと平行な方向にウェッティング液(WL)を供給し、第２ノズル１６８bはこのベースラインに傾いた方向にウェッティング液(WL)を供給することができる。

【0130】

第１ノズル１６８aと第２ノズル１６８bの噴射ホールの直径はお互いに相異なことがある。例えば、第１ノズル１６８aの噴射ホールの直径は第２ノズル１６８aの噴射ホールの直径より大きくなることがある。例えば、第１ノズル１６８aと第２ノズル１６８bに伝達されるウェッティング液(WL)の単位時間当り供給流量はお互いに等しいことがある。よって、第１ノズル１６８aで噴射されるウェッティング液(WL)の噴射距離は、第２ノズル１６８bで噴射されるウェッティング液(WL)の噴射距離より短いことがある。

【0131】

また、第１ノズル１６８aと第２ボディー１６８bは支持ボディー１６１上に設置されることができる。

【0132】

再び図１を参照すれば、第２工程処理部２００は第１工程処理部１００で処理された基板Wを処理することができる。第２工程処理部２００は第１工程処理部１００で処理された基板Wを処理し、枚葉式で基板Wを液処理または乾燥処理することができる。

【0133】

第２工程処理部２００はバッファーチャンバ２１０、第１返送チャンバ２２０、枚葉式液処理チャンバ２３０、乾燥チャンバ２４０、バッファー部２５０、第２返送チャンバ２６０、そして、第２ロードポートユニット２７０を含むことができる。枚葉式液処理チャンバ２３０と乾燥チャンバ２４０はすべて枚葉処理チャンバで称されることができる。

【0134】

バッファーチャンバ２１０は基板Wを臨時保管することができる。バッファーチャンバ２１０はバッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２で処理された基板Wらが姿勢変更部１５０で姿勢変更ロボット１５６によって姿勢変更され、枚葉処理チャンバ２３０、２４０に返送される基板Wの返送経路上に配置されることができる。すなわち、バッファーチャンバ２１０はバッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２と枚葉処理チャンバ２３０、２４０との間で返送される基板Wの返送経路上に配置されることができる。

【0135】

姿勢変更ロボット１５６は基板Wの姿勢を変更し、姿勢が変更された基板Wをバッファーチャンバ２１０に搬入することができる。バッファーチャンバ２１０では基板Wを臨時保管し、基板Wがウェッティング状態を維持できるようにウェッティング液を供給することができる。バッファーチャンバ２１０では基板Wにウェッティング液を供給して液膜を形成することができる。液膜が形成された基板Wは後述する第１返送ロボット２２２によってバッファーチャンバ２１０から搬出されることができる。バッファーチャンバ２１０から搬出された基板Wは枚葉処理チャンバ２３０、２４０で第１返送ロボット２２２によって枚葉処理チャンバ２３０、２４０に返送されることができる。

【0136】

また、バッファーチャンバ２１０は姿勢変更処理槽１５１より高い位置に配置されることができる。例えば、姿勢変更処理槽１５１が１層に配置されたら、バッファーチャンバ２１０は２層や、１．５層程度の高さに配置されることができる。

【0137】

また、バッファーチャンバ２１０は後述する枚葉式液処理チャンバ２３０と第２方向(Y)に沿って並んで配列されることができる。

【0138】

また、後述する枚葉式液処理チャンバ２３０は複数個で提供されることができる。枚葉式液処理チャンバ２３０らはお互いに積層されて設置されることができる。例えば、枚葉式液処理チャンバらは図６に示されたところのように３個で提供されてお互いに積層されて設置されることができる。バッファーチャンバ２１０は複数の枚葉式液処理チャンバ２３０らのうちで一番下に設置される枚葉式液処理チャンバ２３０よりは高い位置に設置され、複数の枚葉式液処理チャンバ２３０らのうちで一番上に設置される枚葉式液処理チャンバ２３０よりは低い位置に設置されることができる。例えば、バッファーチャンバ２１０は１．５層または２．５層程度の高さに設置されることができる。これは姿勢変更ロボット１５６がバッファーチャンバ２１０に基板Wをより容易に搬入するようにするためである。

【0139】

図７は、図６のバッファーチャンバを概略的に示した図面である。図７を参照すればバッファーチャンバ２１０はチャック３１０、液供給部３２０、３３０、コップ３４０、ドレンライン３５０、そして、昇降駆動機３６０を含むことができる。

【0140】

チャック３１０は基板Wを支持及び回転させることができる。チャック３１０はチャックボディー３１２、支持ピン３１４、回転シャフト３１５及び中空モータ３１６を含むことができる。

【0141】

チャックボディー３１２は板形状を有することができる。チャックボディー３１２は上部から眺める時、中央領域が貫通開口が形成されてあり得る。チャックボディー３１２に形成された貫通開口には後述する液供給シャフト３２６の少なくとも一部分が挿入されることができる。チャックボディー３１２には支持ピン３１４が設置されることができる。支持ピン３１４は基板Wの下面及び/または側面を支持及びチャッキングすることができる。支持ピン３１４は図示されないピン移動メカニズムによって側方向に移動可能に提供されることができる。

【0142】

回転シャフト３１５はチャックボディー３１２と結合されることができる。回転シャフト３１５は中空空間を有する中空シャフトであることができる。回転シャフト３１５はチャックボディー３１２と結合されてチャックボディー３１２を回転させることができる。回転シャフト３１５は中空モータ３１６と結合されて中空モータ３１６から動力の伝達を受けて回転されることができる。回転シャフト３１５が有する中空空間には後述する液供給シャフト３２６が挿入されることができる。

【0143】

液供給部３２０、３３０は基板Wに液を供給することができる。液供給部３２０、３３０は基板Wにウェッティング液と洗浄液を供給することができる。液供給部３２０は第１液供給部３２０と第２液供給部３３０を含むことができる。第１液供給部３２０と第２液供給部３３０は回転する基板WＮいウェッティング液または洗浄液を供給することができる。例えば、第１液供給部３２０は回転する基板Wの上面でウェッティング液であり、水である第１液を供給できるように構成されることができる。また、第２液供給部３３０は回転する基板Wの下面で洗浄液であり、イソプロピルアルコール(IPA)である第２液を供給できるように構成されることができる。

【0144】

第１液供給部３２０はチャック３１０に支持された基板Wの上面に第１液を供給するように構成されることができる。第１液供給部３２０は第１ノズル３２２と第１液供給源３２４を含むことができる。

【0145】

第１ノズル３２２は基板Wの上面に第１液を供給することができる。第１液供給源３２４は第１液を貯蔵し、第１液を第１ノズル３２２に供給することができる。第１液供給源３２４から第１液の伝達を受けた第１ノズル３２２は基板Wに第１液を吐出することができる。第１ノズル３２２は図示されないノズル移動メカニズムによって上下方向及び/または側方向に移動可能に提供されることができる。

【0146】

第２液供給部３３０はチャック３１０に支持された基板Wの下面に第２液を供給するように構成されることができる。第２液供給部３３０は第１液供給部３２０が供給する第１液(例えば、ウェッティング液である水)より揮発性が高い種類の液である第２液(例えば、洗浄液であるイソプロピルアルコール)を供給するように構成されることができる。

【0147】

第２液供給部３３０は第２ノズル３３２、第２液供給ライン３３３、第２液供給源３３４、カバー３３５、液供給シャフト３３６、そして、ベアリング３３７を含むことができる。

【0148】

第２ノズル３３２は回転する基板Wの下面に第２液を供給するように構成されることができる。第２ノズル３３２はチャック３１０に支持されて回転する基板Wの下面に第２液を供給するように構成されることができる。第２ノズル３３２は第２液供給ライン３３３に連結されることができる。第２液供給ライン３３３は第２液供給源３３４と連結されることができる。第２液供給源３３４が供給する第２液は第２液供給ライン３３３を通じて第２ノズル３３２に伝達されることができる。第２液供給ライン３３３を通じて第２ノズル３３２に伝達された第２液はチャック３１０に支持されて回転する基板Wの下面に供給されることができる。

【0149】

また、カバー３３５は上述したチャックボディー３１２の中央領域に形成された貫通開口をカバーすることができる。これに、第１液供給部３２０と第２液供給部３３０が供給する液がチャックボディー３１２に形成された貫通開口に流入されることを最小化することができる。また、前述した第２ノズル３３２はカバー３３５に設置されることができる。

【0150】

液供給シャフト３３６はチャックボディー３１２に形成された貫通開口に少なくとも一部分が挿入されることができる。液供給シャフト３３６の外側面とチャックボディー３１２との間にはベアリング３３７が設置されることができる。よって、中空モータ３１６によって回転シャフト３１５が回転されても液供給シャフト３３６は回転されないで固定されることができる。すなわち、液供給シャフト３３６は回転シャフト３１５の回転に対して独立的であることがある。前述した第２液供給ライン３３３は液供給シャフト３３６が有する中空空間に提供されることができる。これに、第２液供給ライン３３３がチャックボディー３１２などの回転によって損傷されるか、または、第２液供給ライン３３３が第１液または第２液に露出されて第２液供給ライン３３３が損傷されることを最小化することができる利点がある。

【0151】

コップ３４０は液供給部３２０、３３０が供給する液を回収することができる。コップ３４０は第１液供給部３２０が供給する第１液と、第２液供給部３３０が供給する第２液別々に回収するように構成されることができる。また、コップ３４０は液供給部３２０、３３０が供給する外部に飛散されることを遮断することができる。

【0152】

コップ３４０は第１コップ３４１、第２コップ３４２、そして、第３コップ３４３を含むことができる。第１コップ３４１は内側コップであることができる。第１コップ３４１は第１ドレン空間３４１a、第２ドレン空間３４１b、そして、第３ドレン空間３４１cを定義することができる。第１ドレン空間３４１a、第２ドレン空間３４１b、そして、第３ドレン空間３４１cは基板Wに供給されて飛散された液を収集する空間であることができる。例えば、第１ドレン空間３４１aは第１液供給部３２０が基板Wに供給して基板Wから飛散された第１液を収集する空間であることができる。また、第２ドレン空間３４１bは第２液供給部３３０が基板Wに供給して基板Wから飛散された第２液を収集する空間であることができる。また、第３ドレン空間３４１cは第１液供給部３２０及び第２液供給部３３０が供給して基板Wから飛散されるが、第１ドレン空間３４１a及び第２ドレン空間３４１bがまだ収集することができなかった残りの液を収集する空間であることができる。

【0153】

第１ドレン空間３４１aはチャック３１０に接するように位置し、第２ドレン空間３４１bは第１ドレン空間３４１aよりチャック３１０と遠く位置され、第３ドレン空間３４１cは第２ドレン空間３４１bよりチャック３１０と遠く位置されることができる。

【0154】

また、ドレンライン３５０は上述したドレン空間ら３４１a乃至３４１cに収集された液ら外部に排出することができる。ドレンライン３５０は第１ドレン空間３４１aに連結される第１ドレンライン３５１と、第２ドレン空間３４１bに連結される第２ドレンライン３５２と、第３ドレン空間３４１cに連結される第３ドレンライン３５３を含むことができる。

【0155】

第２コップ３４２は中間コップであることができる。第３コップ３４３は外側コップであることができる。第１コップ３４１は第１ドレン空間３４１aと対応される第１回収経路D１を定義することができる。第１コップ３４１と第２コップ３４２はお互いに組合されて第２ドレン空間３４１bと対応される第２回収経路D２を定義することができる。第２回収経路D２を通じて上述した第２液供給部３３０が供給する第２液を回収することができる。第２コップ３４２と第３コップ３４３はお互いに組合されて第３回収経路D３を定義することができる。第３回収経路D３を通じて上述した第１液供給部３２０が供給する第１液を回収することができる。

【0156】

昇降駆動機３６０はコップ３４０を昇降することができる。昇降駆動機３６０は第１コップ３４１、第２コップ３４２、そして、第３コップ３４３をお互いに独立的に昇降させることができる。昇降駆動機３６０は第１コップ３４１を昇降させる第１昇降駆動機３６１、第２コップ３４２を昇降させる第２昇降駆動機３６２、そして、第３コップ３４３を昇降させる第３昇降駆動機３６３を含むことができる。昇降駆動機３６０はコップら３５１、３５２、３５３の高さを調節して上述した回収経路らD１、D２、D２の高さ、そして、回収経路らD１、D２の間隔などを調節することができる。

【0157】

再び図１を参照すれば、バッファーチャンバ２１０と枚葉式液処理チャンバ２３０の一側には第１返送チャンバ２２０が配置されることができる。前述したバッファーチャンバ２１０は第１返送チャンバ２２０と姿勢変更部１５０との間に配置されることができる。また、第１返送チャンバ２２０はバッファーチャンバ２１０と後述する枚葉式乾燥チャンバ２４０との間に配置されることができる。また、第１返送チャンバ２２０は後述する枚葉式液処理チャンバ２３０と枚葉式乾燥チャンバ２４０との間に配置されることができる。

【0158】

第１返送チャンバ２２０には第１返送ロボット２２２と返送レール２２３を含むことができる。第１返送ロボット２２２は第１返送レール２２３に沿って移動することができる。返送レール２２３はその長さ方向が第２方向(Y)と並んでいるようなことがある。第１返送ロボット２２２は返送レール２２３に沿って移動することができる。

【0159】

図８は、図１の第１返送ロボットを概略的に示した図面である。図８を参照すれば、第１返送ロボット２２２はレール走行部２２２A、ハンド駆動部２２２B、そして、ハンド部２２２Cを含むことができる。レール走行部２２２Aは上述した返送レール２２３にスライディング可能に提供されることができる。レール走行部２２２Aは返送レール２２３に沿って走行することができるように駆動モータを含むことができる。

【0160】

ハンド駆動部２２２Bはハンド部２２２Cを回転させることができる。ハンド駆動部２２２Bはハンド部２２２Cを上下方向に移動させることができる。ハンド駆動部２２２Bは駆動ボックス２２２B１と、駆動シャフト２２２B２を含むことができる。駆動ボックス２２２B１は駆動シャフト２２２B２を回転させるか、または、駆動シャフト２２２B２を上下方向に移動させる駆動装置を含むことができる。駆動シャフト２２２B２はハンド部２２２Cを３６０度回転させることができる。すなわち、ハンド部２２２Cはレール走行部２２２Aによって第２方向(Y)による位置が変更されることができるし、ハンド駆動部２２２Bによって第３方向(Z)を軸にして回転されるか、または、第３方向(Z)による高さが変更されることができる。

【0161】

ハンド部２２２Cは第１ハンド２２２C-A１、第１ハンド移動胴体２２２C-A２、第２ハンド２２２C-B１、第２ハンド移動胴体２２２C-B２、第３ハンド２２２C-C１、第３ハンド移動胴体２２２C-C２、そして、スライディング胴体２２２C-Dを含むことができる。

【0162】

第１ハンド２２２C-A１は基板Wの下面を支持できるように構成されることができる。第１ハンド２２２C-A１は第２ハンド２２２C-B１及び第３ハンド２２２C-C１より高い高さに設置されることができる。第１ハンド２２２C-A１は第１ハンド移動胴体２２２C-A２と結合されることができる。第１ハンド移動胴体２２２C-A２はスライディング胴体２２２C-Dに形成された第２スライディング溝２２２C-D２にスライディング可能に設置されることができる。第１ハンド２２２C-A１は第１ハンド移動胴体２２２C-A２の移動によって前、後進可能に構成されることができる。

【0163】

第２ハンド２２２C-B１は基板Wの下面を支持するように構成されることができる。第２ハンド２２２C-B１は第３ハンド２２２C-C１より高い高さに、そして、第１ハンド２２２C-A１より低い高さに設置されることができる。第２ハンド２２２C-B１は第２ハンド移動胴体２２２C-B２と結合されることができる。第２ハンド移動胴体２２２C-B２はスライディング胴体２２２C-Dに形成された第１スライディング溝２２２C-D１にスライディング可能に設置されることができる。第２ハンド２２２C-B１は第２ハンド移動胴体２２２C-B２の移動によって前、後進可能に構成されることができる。

【0164】

第３ハンド２２２C-C１は基板Wの下面を支持するように構成されることができる。第３ハンド２２２C-C１は第１ハンド２２２C-A１及び第２ハンド２２２C-B１より低い高さに設置されることができる。第３ハンド２２２C-C１は第３ハンド移動胴体２２２C-C２と結合されることができる。第３ハンド移動胴体２２２C-C２はスライディング胴体２２２C-Dに形成された第１スライディング溝２２２C-D１または第２スライディング溝２２２C-D２に第１、２ハンド移動胴体とは反対側にスライディング可能に設置されることができる。これと異なり、第３ハンド移動胴体２２２C-C２はスライディング胴体２２２C-Dに形成された上の第１スライディング溝２２２C-D１及び第２スライディング溝２２２C-D２と相異な溝である第３スライディング溝(図示せず)に第１、２ハンド移動胴体とは反対側にスライディング可能に設置されることができる。第３ハンド２２２C-C１は第３ハンド移動胴体２２２C-C２の移動によって前、後進可能に構成されることができる。

【0165】

再び図１を参照すれば、第１返送チャンバ２２０の一側及び他の側には枚葉処理チャンバが配置されることができる。枚葉処理チャンバは枚葉式液処理チャンバ２３０、そして、枚葉式乾燥チャンバ２４０を含むことができる。第１返送チャンバ２２０の一側には枚葉式液処理チャンバ２３０が配置されることができる。第１返送チャンバ２２０の他の側には枚葉式乾燥チャンバ２４０が配置されることができる。枚葉式液処理チャンバ２３０と枚葉式乾燥チャンバ２４０はそれぞれ複数で提供されることができる。枚葉式液処理チャンバ２３０は上述したところのように複数個で提供されてお互いに積層されるように設置されることができる。また、枚葉式乾燥チャンバ２４０も複数個で提供されてお互いに積層されるように設置されることができる。枚葉式液処理チャンバ２３０及び枚葉式乾燥チャンバ２４０はそれぞれn個(nは自然数)が提供されることができる。

【0166】

図９は、図１の枚葉式液処理チャンバの姿を概略的に示した図面である。

【0167】

枚葉式液処理チャンバ２３０は水平姿勢の基板Wを回転させるが、回転される基板Wに処理液を供給して基板Wを処理することができる。枚葉式液処理チャンバ２３０では基板Wを１枚ずつ処理することができる。枚葉式液処理チャンバ２３０に供給される処理液は有機溶剤であることができる。例えば、枚葉式液処理チャンバ２３０に供給される処理液はイソプロピルアルコール(IPA)であることがある。枚葉式液処理チャンバ２３０では回転する基板Wに有機溶剤を供給し、基板Wを回転させて基板Wを乾燥処理することができる。これと異なり、枚葉式液処理チャンバ９２３０では回転する基板Wに有機溶剤を供給し、基板Wが有機溶剤に濡れた状態で後述する乾燥チャンバ２４０に返送され、乾燥チャンバ２４０から基板Wが乾燥することができる。

【0168】

枚葉式液処理チャンバ２３０はハウジング４１０、処理容器４２０、支持ユニット４４０、昇降ユニット４６０、そして、液供給ユニット４８０を含むことができる。

【0169】

ハウジング４１０は内部に処理空間４１２を有する。ハウジング４１０は内部に空間を有する桶形状を有することができる。ハウジング４１０が有する内部空間４１２には処理容器４２０、支持ユニット４４０、昇降ユニット４６０、液供給ユニット４８０が提供されることができる。ハウジング４１０は正断面から眺める時四角の形状を有することができる。しかし、これに限定されるものではなくて、ハウジング４１０は処理空間４１２を有することができる多様な形状で変形されることができる。

【0170】

処理容器４２０は上部が開放された桶形状を有する。処理容器４２０は内部回収桶４２２及び外部回収桶４２６を有する。それぞれの回収桶４２２、４２６は工程に使用された処理液らのうちでお互いに相異な処理液を回収する。内部回収桶４２２は基板支持ユニット４４０をくるむ環形のリング形状で提供され、外部回収桶４２６は内部回収桶４２６をくるむ環形のリング形状で提供される。内部回収桶４２２の内側空間４２２A及び内部回収桶４２２は内部回収桶４２２に処理液が流入される第１流入口４２２Aとして機能する。内部回収桶４２２と外部回収桶４２６との間空間４２６aは外部回収桶４２６に処理液が流入される第２流入口４２６aとして機能する。一例によれば、それぞれの流入口４２２a、４２６aはお互いに相異な高さに位置されることができる。それぞれの回収桶４２２、４２６の底面の下には回収ライン４２２b、４２６bが連結される。それぞれの回収桶４２２、４２６に流入された処理液らは回収ライン４２２b、４２６bを通じて外部の処理液再生システム(図示せず)に提供されて再使用されることができる。

【0171】

支持ユニット４４０は処理空間４１２で基板Wを支持する。支持ユニット４４０は工程進行のうちで基板Wを支持及び回転させる。支持ユニット４４０は支持板４４２、支持ピン４４４、チャックピン４４６、そして、回転駆動部材４４８、４４９を有する。

【0172】

支持板４４２は概して円形の板形状で提供され、上面及び底面を有する。下部面は上部面に比べて小さな直径を有する。すなわち、支持板４４２は上部面が広くて下部面が狭い上広下狭の形状を有することができる。上面及び底面はその中心軸がお互いに一致するように位置される。また、支持板４４２には加熱手段(図示せず)が提供されることができる。支持板４４２に提供される加熱手段は支持板４４２に置かれた基板Wを加熱することができる。加熱手段は熱を発生させることができる。加熱手段が発生させる熱は温熱または冷熱であることができる。加熱手段が発生させた熱は支持板４４２に置かれた基板Wに伝達することができる。また、基板Wに伝達された熱は基板Wに供給された処理液を加熱することができる。加熱手段はヒーター及び/または冷却コイルであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて加熱手段は公知の装置で多様に変形されることができる。

【0173】

支持ピン４４４は複数個提供される。支持ピン４４４は支持板４４２の上面の縁部に所定間隔で離隔されるように配置されて支持板４４２で上部に突き出される。支持ピン４４４らはお互いに間に組合によって全体的に環形のリング形状を有するように配置される。支持ピン４４４は支持板４４２の上部面から基板Wが一定距離離隔されるように基板Wの後面縁を支持する。

【0174】

チャックピン４４６は複数個提供される。チャックピン４４６は支持板４４２の中心で支持ピン４４４より遠く離れるように配置される。チャックピン４４６は支持板４４２の上面から上に突き出されるように提供される。チャックピン４４６は支持板４４２が回転される時基板Wが正位置から側方向に離脱されないように基板Wの側部を支持する。チャックピン４４６は支持板４４２の半径方向に沿って外側位置と内側位置との間に直線移動が可能になるように提供される。外側位置は内側位置に比べて支持板４４２の中心から遠く離れた位置である。基板Wが支持板４４２にローディングまたはアンローディング時チャックピン４４６は外側位置に位置され、基板Wに対して工程遂行時チャックピン４４６は内側位置に位置される。内側位置はチャックピン４４６と基板Wの側部がお互いに接触される位置であり、外側位置はチャックピン４４６と基板Wがお互いに離隔される位置である。

【0175】

回転駆動部材４４８、４４９は支持板４４２を回転させる。支持板４４２は回転駆動部材４４８、４４９によって自己中心軸を中心に回転可能である。回転駆動部材４４８、４４９は支持軸４４８及び駆動部４４９を含む。支持軸４４８は第４方向１６を向ける桶形状を有する。支持軸４４８の上端は支持板４４２の底面に固定結合される。一例によれば、支持軸４４８は支持板４４２の底面中心に固定結合されることができる。駆動部４４９は支持軸４４８が回転されるように駆動力を提供する。支持軸４４８は駆動部４４９によって回転され、支持板４４２は支持軸４４８と一緒に回転可能である。

【0176】

昇降ユニット４６０は処理容器４２０を上下方向に直線移動させる。処理容器４２０が上下に移動されることによって支持板４４２に対する処理容器４２０の相対高さが変更される。昇降ユニット４６０は基板Wが支持板４４２にローディングされるか、または、アンローディングされる時支持板４４２が処理容器４２０の上部に突き出されるように処理容器４２０は下降される。また、工程が進行される時には基板Wに供給された処理液の種類によって処理液が既設定された回収桶４２２、４２６に流入されることができるように処理容器４２０の高さを調節する。昇降ユニット４６０はブラケット４６２、移動軸４６４、そして、駆動機４６６を有する。ブラケット４６２は処理容器４２０の外壁に固定設置され、ブラケット４６２には駆動機４６６によって上下方向に移動される移動軸４６４が固定結合される。選択的に、昇降ユニット４６０は支持板４４２を上下方向に移動させることができる。

【0177】

液供給ユニット４８０は基板Wに処理液を供給することができる。処理液は有機溶剤、前述したケミカルまたはリンス液であることができる。有機溶剤はイソプロピルアルコール(IPA)液であることがある。

【0178】

液供給ユニット４８０は移動部材４８１、そして、ノズル４８９を含むことができる。移動部材４８１はノズル４８９を工程位置及び待機位置に移動させる。工程位置はノズル４８９が支持ユニット４４０に支持された基板Wと対向される位置である。一例によれば、工程位置は基板Wの上面に処理液を吐出する位置である。また、工程位置は第１供給位置及び第２供給位置を含む。第１供給位置は第２供給位置より基板Wの中心にさらに近い位置であり、第２供給位置は基板の端部を含む位置であることができる。選択的に第２供給位置は基板の端部に隣接した領域であることができる。待機位置はノズル４８９が工程位置を脱した位置で定義する。一例によれば、待機位置は基板Wに工程処理前または工程処理が完了した以後にノズル４８９が待機する位置であることができる。

【0179】

移動部材４８１はアーム４８２、支持軸４８３、そして、駆動機４８４を含む。支持軸４８３は処理容器４２０の一側に位置される。支持軸４８３はその長さ方向が第４方向を向けるロード形状を有する。支持軸４８３は駆動機４８４によって回転可能になるように提供される。支持軸４８３は昇降移動が可能になるように提供される。アーム４８２は支持軸４８３の上端に結合される。アーム４８２は支持軸４８３から垂直するように延長される。アーム４８２の末端にはノズル４８９が結合される。支持軸４８３が回転されることによってノズル４８９はアーム４８２と一緒にスイング移動されることができる。ノズル４８９はスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。選択的にアーム４８２はその長さ方向を向けて前進及び後進移動が可能になるように提供されることができる。上部から眺める時ノズル４８９が移動される経路は工程位置で基板Wの中心軸と一致することができる。

【0180】

図１０は、図１の枚葉式乾燥チャンバの姿を概略的に示した図面である。

【0181】

枚葉式乾燥チャンバ２４０は複数で提供されることができる。枚葉式乾燥チャンバ２４０は複数で提供されて上下方向に積層されることができる。枚葉式乾燥チャンバ２４０では超臨界流体を利用して基板Wを処理することができる。枚葉式乾燥チャンバ２４０は一つの基板Wを枚葉式で乾燥処理する超臨界チャンバであることができる。枚葉式乾燥チャンバ２４０は超臨界流体を利用して基板Wを乾燥処理する超臨界チャンバであることができる。

【0182】

枚葉式乾燥チャンバ２４０は超臨界状態の乾燥用流体(G)を利用して基板W上に残留する処理液を除去することができる。枚葉式乾燥チャンバ２４０は超臨界流体を利用して基板W上に残留する処理液(例えば、リンス液または有機溶剤)を除去する超臨界チャンバであることができる。例えば、枚葉式乾燥チャンバ２４０は超臨界状態の二酸化炭素(CO２)を利用して基板W上に残留する有機溶剤を除去する乾燥工程を遂行することができる。

【0183】

枚葉式乾燥チャンバ２４０はボディー５１０、加熱部材５２０、流体供給ユニット５３０、流体排気ユニット５５０、そして、昇降部材５６０を含むことができる。ボディー５１０は基板Wが処理される内部空間５１８を有することができる。ボディー５１０は基板Wが処理される内部空間５１８を提供することができる。ボディー５１０は超臨界状態の乾燥用流体(G)によって基板Wが乾燥処理される内部空間５１８を提供することができる。

【0184】

ボディー５１０は上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４を含むことができる。上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４はお互いに組合されて前記内部空間５１８を形成することができる。基板Wは内部空間５１８で支持されることができる。例えば、基板Wは内部空間５１８で支持部材(図示せず)によって支持されることができる。支持部材は基板Wの縁領域の下面を支持するように構成されることができる。上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４のうちで何れか一つは昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動されることができる。例えば、下部ボディー５１４は昇降部材５６０と結合され、昇降部材５６０によって上下方向に移動されることができる。これに、ボディー５１０の内部空間５１８は選択的に密閉されることができる。前述した例では下部ボディー５１４が昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動することを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上部ボディー５１２が昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動することもできる。

【0185】

加熱部材５２０は内部空間５１８に供給される乾燥用流体(G)を加熱することができる。加熱部材５２０はボディー５１０の内部空間５１８温度を昇温させて内部空間５１８に供給される乾燥用流体(G)を超臨界状態で相変化させることができる。また、加熱部材５２０はボディー５１０の内部空間５１８温度を昇温させて内部空間５１８に供給される超臨界状態の乾燥用流体(G)が超臨界状態を維持するようにできる。

【0186】

また、加熱部材５２０はボディー５１０内に埋設されることができる。例えば、加熱部材５２０は上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４のうちで何れか一つに埋設されることができる。例えば、加熱部材５２０は下部ボディー５１４内に提供されることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、加熱部材５２０は内部空間５１８の温度を昇温させることができる多様な位置に提供されることができる。また、加熱部材５２０はヒーターであることがある。しかし、これに限定されるものではなくて、加熱部材５２０は内部空間５１８の温度を昇温させることがある公知された装置で多様に変形されることができる。

【0187】

流体供給ユニット５３０はボディー５１０の内部空間５１８に乾燥用流体(G)を供給することができる。流体供給ユニット５３０が供給する乾燥用流体(G)は二酸化炭素(CO２)を含むことができる。流体供給ユニット５３０は流体供給源５３１、第１供給ライン５３３、第１供給バルブ５３５、第２供給ライン５３７、そして、第２供給バルブ５３９を含むことができる。

【0188】

流体供給源５３１はボディー５１０の内部空間５１８に供給される乾燥用流体(G)を貯蔵及び/または供給することができる。流体供給源５３１は第１供給ライン５３３及び/または第２供給ライン５３７に乾燥用流体(G)を供給することができる。例えば、第１供給ライン５３３には第１供給バルブ５３５が設置されることができる。また、第２供給ライン５３７には第２供給バルブ５３９が設置されることができる。第１供給バルブ５３５と第２供給バルブ５３９はオン/オフバルブであることができる。第１供給バルブ５３５と第２供給バルブ５３９のオン/オフによって、第１供給ライン５３３または第２供給ライン５３７に選択的に乾燥用流体(G)が流れることができる。

【0189】

前述した例では一つの流体供給源５３１に第１供給ライン５３３、そして、第２供給ライン５３７が連結されることを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、流体供給源５３１は複数で提供され、第１供給ライン５３３は複数の流体供給源５３１のうちで何れか一つと連結され、第２供給ライン５３７は流体供給源５３１らのうちで他の一つと連結されることもできる。

【0190】

また、第１供給ライン５３３はボディー５１０の内部空間５１８の上部で乾燥用ガスを供給する上部供給ラインであることができる。例えば、第１供給ライン５３３はボディー５１０の内部空間５１８に上から下に向ける方向に乾燥用ガスを供給することができる。例えば、第１供給ライン５３３は上部ボディー５１２に連結されることができる。また、第２供給ライン５３７はボディー５１０の内部空間５１８の下部に乾燥用ガスを供給する下部供給ラインであることができる。例えば、第２供給ライン５３７はボディー５１０の内部空間５１８に下から上に向ける方向に乾燥用ガスを供給することができる。例えば、第２供給ライン５３７は下部ボディー５１４に連結されることができる。

【0191】

流体排気ユニット５５０はボディー５１０の内部空間５１８から乾燥用流体(G)を排気することができる。

【0192】

再び図１を参照すれば、枚葉処理チャンバで処理された基板Wは第１返送ロボット２２２によってバッファー部２５０に返送されることができる。バッファー部２５０は第１返送チャンバ２２０と第２返送チャンバ２６０との間に配置されることができる。バッファー部２５０は枚葉式処理チャンバと第２ロードポートユニット２７０との間に配置されることができる。

【0193】

バッファー部２５０は基板Wが臨時貯蔵または保管される空間を提供することができる。例えば、バッファー部２５０は枚葉式処理チャンバである枚葉式液処理チャンバ２３０及び/または枚葉式乾燥チャンバ２４０で処理された基板Wを臨時保管することができる。バッファー部２５０は複数の基板Wを臨時貯蔵または保管されることができる棚であることがある。

【0194】

第２返送チャンバ２６０はバッファー部２５０と第２ロードポートユニット２７０との間に配置されることができる。第２返送チャンバ２６０には第２返送ロボット２６２が提供されることができる。第２返送ロボット２６２は処理が完了されてバッファー部２５０に収納された基板Wを移送容器Fに返送することができる。

【0195】

第２返送ロボット２６２が有するハンドは、基板Wを１枚ずつ返送する枚葉ハンドであることができる。第２返送ロボット２６２が有する返送ハンドは第１方向(X)、第２方向(Y)、そして、第３方向(Z)に沿って移動可能に提供されることができる。また、第２返送ロボット２６２が有する返送ハンドは第３方向(Z)を回転軸にして回転可能に提供されることができる。

【0196】

第２ロードポートユニット２７０は少なくとも一つ以上のロードポートを含むことができる。第２ロードポートユニット２７０が有するロードポートには複数の基板Wを収納することができる移送容器Fが置かれることができる。例えば、第２ロードポートユニット２７０に置かれる移送容器Fは第１工程処理部１００及び第２工程処理部２００で処理が完了された基板Wらが収納されることができる。第２ロードポートユニット２７０に置かれる移送容器Fは第１工程処理部１００及び第２工程処理部２００で処理が完了された基板Wらだけ収納されることができる。すなわち、第２ロードポートユニット２７０は処理された基板Wを基板処理装置からアンローディング(Unloading)する機能を遂行することができる。

【0197】

前述した第２返送ロボット２６２は処理された基板Wを第２ロードポートユニット２７０が有するロードポートに置かれた容器Fに搬入することができる。容器Fは上述した物品返送装置(例えば、OHT)によって基板処理装置１０の外部に返送されることができる。

【0198】

制御機６００は基板処理装置１０を制御することができる。例えば、制御機６００は基板処理装置１０が有する構成らを制御することができる。例えば、制御機６００は基板処理装置１０が基板Wを処理する工程を遂行できるように基板処理装置１０を制御することができる。

【0199】

例えば、制御機６００は第１ロードポートユニット１１０、インデックスチャンバ１２０、返送ユニット１３０、バッチ処理部１４０、姿勢変更部１５０、バッファーチャンバ２１０、第１返送チャンバ２２０、枚葉式液処理チャンバ２３０、枚葉式乾燥チャンバ２４０、第２返送チャンバ２６０のうちで少なくとも一つ以上を第２ロードポートユニット２７０を制御することができる。

【0200】

また、制御機６００は基板処理装置１０の制御を行うマイクロプロセッサー(コンピューター)でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置１０を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置１０で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されてあり得る。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されてあり得て、記憶媒体は、ハードディスクでもなって、CD-ROM、DVDなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。

【0201】

図１１は、本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれるフローチャートである。

【0202】

図１１を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理方法は、基板ローディング段階(S１０)、第１姿勢変更段階(S２０)、バッチ式処理段階(S３０)、第２姿勢変更段階(S４０)、ウェッティング段階(S５０)、枚葉式処理段階(S６０)、そして、基板アンローディング段階(S７０)を含むことができる。

【0203】

基板ローディング段階(S１０)には処理が要求される、いわゆる未処理状態の基板Wが基板処理装置１０にローディングされることができる。基板ローディング段階(S１０)には第１ロードポートユニット１１０に移送容器Fが置かれることができる。

【0204】

移送容器Fに収納された基板Wはインデックスロボット１２２によって搬出されて収納容器(C)に返送されることができる。

【0205】

第１姿勢変更段階(S２０)には基板Wの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変更することができる。第１姿勢変更段階(S２０)には収納容器(C)が姿勢変更ユニット１２４によって第１方向(X)を軸に回転することで基板Wの姿勢が変更されることができる。姿勢変更ユニット１２４は収納容器(C)を第１方向(X)を軸に回転させることができる回転軸を有することができる。第１姿勢変更段階(S２０)には複数枚の基板Wの姿勢が一度に変更されることができる。

【0206】

垂直姿勢に変更された基板Wは第１返送ユニット１３２によって第１バッチ処理部１４１に返送されることができる。

【0207】

バッチ式処理段階(S３０)には垂直姿勢の複数の基板Wに対する液処理が遂行されることができる。バッチ式処理段階(S３０)には少なくとも一つ以上のバッチ処理槽ら１４１-B１乃至１４３-B２に基板Wらが返送されて基板Wに対する液処理が遂行されることができる。バッチ式処理段階(S３０)は、第１バッチ式処理部１４１で前処理され、第２バッチ式処理部１４２または第３バッチ式処理部１４３で後処理される方式で遂行されることができる。

【0208】

例えば、第１バッチ式処理部１４１に返送された基板Wは第１-１バッチ処理槽１４１-B１及び/または第１-２バッチ処理槽１４１-B２で液処理されることができる。第１-１バッチ処理槽１４１-B１及び/または第１-２バッチ処理槽１４１-B２で液処理された基板Wは第２バッチ式処理部１４２または第３バッチ式処理部１４３のうちで選択された何れか一つの処理部に返送されて処理されることができる。第１-１バッチ処理槽１４１-B１から基板WはDSPのようなケミカル(第１薬液の一例)で処理され、第１-２バッチ処理槽１４１-B２から基板WはDHFのようなケミカル(第２薬液の一例)で処理されることができる。

【0209】

例えば、第２バッチ式処理部１４２に基板Wが返送されたら、基板Wはまず第２-１バッチ式処理槽１４２-B１でリン酸を含むケミカル(第３薬液の一例)によって処理され、以後第２-２バッチ式処理槽１４２-B２で水を含むリンス液によってリンス処理されることができる。

【0210】

リンス処理された基板Wらは第２返送ユニット１３４によって姿勢変更処理槽１５１に返送されることができる。

【0211】

第２姿勢変更段階(S４０)は姿勢変更部１５０で遂行されることができる。第２姿勢変更段階(S４０)は基板Wをグリップするグリップ段階、そして、基板Wの姿勢を変更する回転段階で構成されることができる。第２姿勢変更段階(S４０)では基板Wの姿勢変更を１枚ずつ遂行することができる。

【0212】

例えば、図１２に示されたところのように第２姿勢変更段階(S４０)のうちでグリップ段階には、ハンド１５６-Hが支持部材１５３に垂直姿勢で支持されている基板Wらのうちで何れか一つの基板Wに近付くことができる。ハンド１５６-Hは第１ガイド部１６２と第２ガイド部１６３との間に基板Wが位置するように、移動されることができる。第１ガイド部１６２と第２ガイド部１６３との間に基板Wが位置されれば、チャッキングボディー１６５はチャッキング位置に移動し、基板Wをグリップすることができる。

【0213】

ハンド１５６-Hが基板Wをグリップすれば、基板Wが支持部材１５３に形成されて支持溝から脱するように、基板Wを上の方向に移動させることができる。

【0214】

以後、図１３に示されたところのように第２姿勢変更段階(S４０)のうちで回転段階には、締結ボディー１６６が回転される一軸を基準で基板Wを回転させながら、基板Wを一方向(例えば、水平方向)に沿って直線移動して基板Wの位置を変更することができる。すなわち、回転段階には姿勢変更ロボット１５６のハンド１５６-Hが一軸を基準で回転しながら、ハンド１５６-Hが水平方向に沿って直線移動することができる。この場合、基板Wの一端は仮想の曲線(例えば、切断された抛物線)を描きながら処理液(L)に浸された状態で姿勢が垂直姿勢から水平姿勢に変更されることができる。また、基板Wの回転は、基板Wの一端がハンド１５６-Hから遠くなる方向で成り立つことができる。

【0215】

また、基板Wの回転が終了される時点と、基板Wの直線移動が終了される時点の差は設定時間以下になることがある。例えば、このふたつ時点はお互いに同一な時点であることができる。すなわち、基板Wの直線移動が終了されることと共に、締結ボディー１６６による基板Wの回転はすべて終了されることがある。

【0216】

また、基板Wがグリップされ、基板Wが回転する間、ビジョン部材１６７は処理液(L)に浸されないこともある。すなわち、ビジョン部材１６７は姿勢変更処理槽１５１に底流する処理液(L)に浸されない位置に敷設されることができる。これに、処理液(L)によってビジョン部材１６７が損傷される問題点を最小化することができる。

【0217】

基板Wが処理液(L)に浸された状態で姿勢が変更される場合、基板Wが処理液(L)による抵抗によって損傷されることができる。しかし、本願発明のように基板Wが処理液(L)浸された状態で直線移動と回転が一緒になされて姿勢が変更される場合、処理液(L)による抵抗が基板Wに伝達されることを最大限抑制することができる。また、基板Wを処理液(L)から脱するようにして(すなわち、空気に露出されるようにした状態で)姿勢を変更させる場合、基板Wの濡れ性が維持されることができなくて基板W上にウォーターマークが発生されることがあるが、本願発明は処理液(L)に浸された状態で基板Wの姿勢を変更することで、このような問題点を最小化することができる。

【0218】

第２姿勢変更段階(S４０)が遂行された以後ウェッティング段階(S５０)が遂行されることができる。ウェッティング段階(S５０)は第２姿勢変更段階(S４０)、そして、枚葉式処理段階(S６０)の間に遂行されることができる。ウェッティング段階(S５０)は姿勢変更ロボット１５６及び/またはバッファーチャンバ２１０によって遂行されることができる。ウェッティング段階(S５０)には処理液(L)から脱して外部に露出された基板Wにウェッティング液を噴射して基板Wの自然乾燥を防止することができる。ウェッティング液は上述した姿勢変更処理槽１５１に底流する処理液(L)と同じ種類の液であることができる。

【0219】

また、ウェッティング段階(S５０)は姿勢変更ロボット１５６によって遂行される第１ウェッティング段階(S５１)とバッファーチャンバ２１０によって遂行される第２ウェッティング段階(S５２)を含むことができる。

【0220】

第１ウェッティング段階(S５１)には姿勢変更ロボット１５６によって遂行されることができる。図１４を参照すれば、基板Wの姿勢変更が完了すれば、姿勢変更ロボット１５６は基板Wを姿勢変更処理槽１５２に収容された処理液(L)から脱するように基板Wを上の方向に移動させることができる。基板Wが処理液(L)から脱すれば、液供給部材１６８はウェッティング液(WL)を供給することができる。この時、ウェッティング液(WL)は図１５及び図１６に示されたところのように基板Wの縁領域である第１領域及び第２領域に供給されることができる。基板Wの縁領域に供給されたウェッティング液(WL)は基板Wの上面に沿って流れながら基板Wの上面に液膜を形成することができる。このようにウェッティング液(WL)が基板Wの縁領域に沿って流れながら液膜を形成するようになれば、ウェッティング液(WL)の飛び現象が最大限抑制され、基板Wをより効率的に処理することができるようになる。

【0221】

姿勢変更ロボット１５６はウェッティング液(WL)によるウェッティング状態が維持される基板Wをバッファーチャンバ２１０に搬入することができる。

【0222】

第２ウェッティング段階(S５２)はバッファーチャンバ２１０によって遂行されることができる。図１７を参照すれば、バッファーチャンバ２１０に搬入された基板Wはチャック３１０によって支持されることができる。チャック３１０に支持された基板Wは支持ピン３１４によって支持及び/またはチャッキングされることができる。そして、昇降駆動機３６０はコップ３４０を昇降して第１回収経路D１の高さと第２回収経路D２の高さを調整することができる。

【0223】

以後、チャック３１０は基板Wを回転させることができる。チャック３１０が回転されれば、第１液供給部３２０は基板Wの上面に第１液(DIW、ウェッティング液と称する)を供給することができる。また、第２液供給部３３０も基板Wの下面に第２液(IPA、洗浄液と称する)を供給することができる。基板Wに供給されて飛散される第１液(DIW)は第１回収経路D１を通じてバッファーチャンバ２１０の外部にドレンされることができる。また、第２液(IPA)は第２回収経路D２を通じてバッファーチャンバ２１０の外部にドレンされることができる。

【0224】

第１液(DIW)は基板Wの上面に供給されて基板W上に液膜を形成することができる。第２液(IPA)は基板Wの下面に供給されて基板Wの下面を洗浄することができる。バッファーチャンバ２１０から基板Wの下面に第２液(IPA)を供給して基板Wの下面を洗浄することは、バッファーチャンバ２１０から基板Wを搬出して枚葉式処理チャンバ２３０に基板Wを返送する第１返送ロボット２２２のハンドが汚染することを最小化するためである。また、パターンが形成された基板Wの上面に第１液(DIW、ウェッティング液)による液膜を形成することは基板Wが枚葉式液処理チャンバ２３０に返送される過程で基板Wの上面が自然乾燥してウォーターマークが形成されるか、または、基板W上に形成されたパターンにリニング(Leaning)現象が発生することを防止するためである。

【0225】

第２ウェッティング段階(S５２)で制御機６００はチャック３１０の回転速度が３００RPM乃至５００RPM程度になるように中空モータ３１６の駆動を制御することができる。チャック３１０の回転速度が過度に速い場合、基板Wの上面にウェッティング液の液膜が適切に形成されることができないため、本発明の一実施例によれば、チャック３１０の回転速度を３００RPM乃至５００RPMで調節する。チャック３１０の回転速度が３００RPMより低い場合基板Wに供給される第１液基板W上で適切に拡散されることができなくて、チャック３１０の回転速度が５００RPMより大きい場合、第１液が基板Wから過度に飛散されて第１液が基板W上で液膜を形成することができないためである。

【0226】

また、第２ウェッティング段階(S５２)で基板Wの下面に供給される第２液を第１液より揮発性が高い液で提供されることができる。第１返送ロボット２２２が有するハンドが汚染されることを最小化するためには、基板Wの下面は洗浄されるが、基板Wの下面がなるべくなら乾燥された状態で第１返送ロボット２２２が基板Wを返送することが適切であることがある。仮に、第２液を第１液と同一な種類の液(例えば、水)を使って基板Wの下面を洗浄したら、基板Wの下面は洗浄されることはできても適切に乾燥されることは難しい。基板Wの下面を乾燥させるためにチャック３１０の回転速度を速くしたら、基板Wの上面に液膜の形成が難しくできる。これに、本発明の一実施例によれば基板Wの上面には第１液を供給し、基板Wの下面には揮発性が強い第２液を供給し、チャック３１０の等しい回転速度でも基板Wの上部はウェッティング状態を維持するが、基板Wの下部は速く揮発されて乾燥されるように誘導する。

【0227】

また、図１８に示されたところのように第１液と第２液の供給は同時に始まることもできるが、図１９に示されたところのように第１液供給部３２０で第１液供給を始めて、設定時間が経過された以後第２液供給部３３０で第２液供給を始めることもできる。

【0228】

また、制御機６００はバッファーチャンバ２１０での基板Wの処理時間が枚葉式液処理チャンバ２３０及び/または枚葉式乾燥チャンバ２４０での基板Wの処理時間より短いようにバッファーチャンバ２１０、枚葉式液処理チャンバ２３０、そして、枚葉式乾燥チャンバ２４０を制御することができる。

【0229】

例えば、バッファーチャンバ２１０での基板Wの処理時間は８秒～１２秒程度であり、枚葉式液処理チャンバ２３０での基板Wの処理時間は６０秒～７０秒程度であることができる。

【0230】

枚葉式処理段階(S６０)は水平姿勢の単一の基板Wに対する処理が遂行されることができる。枚葉式処理段階(S６０)は液処理段階(S６１)、そして、乾燥段階(S６２)を含むことができる。

【0231】

液処理段階(S６１)は枚葉式で基板Wを液処理することができる。液処理段階(S６１)はバッファーチャンバ２１０で臨時保管された基板Wが枚葉式液処理チャンバ２３０に返送されれば、枚葉式液処理チャンバ２３０で遂行されることができる。液処理段階(S４０)には基板W上にIPAのような有機溶剤を供給することができる。

【0232】

乾燥段階(S６２)は枚葉式で基板Wを乾燥処理することができる。乾燥段階(S６２)は、液処理段階(S６１)で液処理された基板Wが乾燥チャンバ２４０に返送されれば、乾燥チャンバ２４０で遂行されることができる。乾燥段階(S５０)には基板Wに超臨界状態の処理流体(例えば、超臨界状態の二酸化炭素)を基板W上に供給して基板上に残留する有機溶剤、ウェッティング液または処理液(L)などを除去することができる。

【0233】

場合によって、乾燥段階(S５０)は乾燥チャンバ２４０で遂行されないで、枚葉式液処理チャンバ２３０で基板Wを速い速度で回転させて基板Wを乾燥させることもできる(いわゆる、スピン乾燥)。

【0234】

枚葉式処理段階(S６０)以後に遂行される基板アンローディング段階(S７０)には枚葉式処理段階(S６０)が遂行された基板Wはバッファー部２５０に返送され、以後第２返送チャンバ２６０の第２返送ロボット２６２によって第２ロードポートユニット２７０に置かれた移送容器Fに返送されることができるし、第２ロードポートユニット２７０に置かれた移送容器FをOHTのような返送装置が把持して基板処理装置１０からアンローディングさせることができる。

【0235】

また、バッファーチャンバ２１０で枚葉式液処理チャンバ２３０への基板W返送は第１返送ロボット２２２のハンドらのうちで、第３ハンド２２２C-C１によって遂行されることができる。また、枚葉式液処理チャンバ２３０で枚葉式乾燥チャンバ２４０への基板W返送は第１返送ロボット２２２のハンドらのうちで、第２ハンド２２２C-B１によって遂行されることができる。また、枚葉式乾燥チャンバ２４０でバッファー部２５０への基板W返送は第１ハンド２２２C-A１によって遂行されることができる。第１返送ロボット２２２のハンドらはお互いに異なる高さに設置されるが、設置された高さによって清浄度が異なることがある。例えば、相対的に高い位置に設置されたハンドが清浄度が優秀なことがある。これに、本発明は枚葉式乾燥チャンバ２４０で処理が完了された基板Wは第１ハンド２２２C-A１が返送し、枚葉式液処理チャンバ２３０で液処理が遂行された基板Wは第２ハンド２２２C-B１が返送し、枚葉式液処理チャンバ２３０で液処理が遂行される前基板Wは第３ハンド２２２C-C１が返送して基板Wの清浄度を維持することができる。

【0236】

前述したように、本発明の一実施例による基板処理装置１０はバッチ式処理部１４０、そして、枚葉式液処理チャンバ２３０をすべて含むことができる。これに、バッチ式液処理方法、そして、枚葉式液処理方法が有する利点をすべて有することができる。

【0237】

例えば、バッチ式処理部１４０では複数の基板Wらを一度に処理することができて、基板W処理の量産性が非常に優秀であり、基板Wらの間の処理均一度が非常に高い。また、基板Wに形成されたパターンが高アスペクト比を有する場合、バッチ式処理部１４０でまだ処理されることができなかった(例えば、まだ蝕刻されることができなかった部分)を枚葉式液処理チャンバ２３０でケミカル、リンス液などを供給して補うことができる。また、枚葉式液処理チャンバ２３０またはバッファーチャンバ２１０で供給される有機溶剤によってウェッティングされた基板(W、例えばウェハー)は超臨界流体を供給して基板Wを乾燥する乾燥チャンバ２４０に返送されることができる。超臨界流体は基板W上に形成されたパターンの間の空間に対して高い浸透力を有して、基板Wを回転させないで基板Wを乾燥することができて、前述したパターンリニング現象が発生されることを最小化することができる。また、本発明の基板処理装置１０は枚葉式液処理方法、バッチ式液処理方法、そして、超臨界流体を利用して基板Wを乾燥する方法をすべて遂行可能であり、パーティクル(Partcle)、落性及び流れ性によるディフェクト(Defect)を改善することができる。また、バッチ式処理部１４０で処理可能な基板Wの数が相対的に多くて、多くの数の液処理チャンバが要求されないので、基板処理装置１０が有するフットプリント(Footprint)を減少させることができる利点がある。また、前述したように枚葉式液処理チャンバ２３０をさらに具備することで、バッチ式処理部１４０のみを利用して基板Wを処理時発生されることができる基板W上のパターンにSiO２の異常成長に対する問題を解消することができる。

【0238】

また、本発明の一実施例による基板処理装置１０のように、バッチ式処理部１４０、そして、枚葉式液処理チャンバ２３０をすべて具備する場合基板Wの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更することが必須である。これに、本発明の一実施例による基板処理装置１０は姿勢変更ロボット１５６を具備して基板Wの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する。この時、基板Wの濡れ性を最大限維持できるように(そうではなければ基板Wが乾燥されてウォーターマークが発生されることがあるので)、基板Wの姿勢変更は処理液(L)に基板Wが浸漬された状態でなされる。

【0239】

前述した例では液供給部材１６８が支持ボディー１６１に設置されることを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２０に示されたところのように液供給部材１６９は締結ボディー１６６に設置されることもできる。液供給部材１６９は第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして、第３ノズル１６８cが形成された供給管であることができる。第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして、第３ノズル１６８cは下向き傾いた方向に基板Wを向けてウェッティング液(WL)を噴射することができる。第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして、第３ノズル１６８cはそれぞれ少なくとも一つ以上が形成されることができる。例えば、第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして、第３ノズル１６８cは複数個が形成されることができる。第１ノズル１６９aらは第２ノズル１６９bらの間に配置され、第２ノズル１６９bらは第３ノズル１６９cらの間に配置されることができる。第１ノズル１６９aらは相対的に内側に配置され、第３ノズル１６９cらは相対的に外の方に配置されることができる。また、図２１に示されたところのように第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして、第３ノズル１６８cの噴射ホールの直径はお互いに相異なことがある。第１ノズル１６９aの噴射ホールの直径は第２ノズル１６８bより大きくて、第２ノズル１６９bの噴射ホールの直径は第３ノズル１６８cより大きくなることがある。また、第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして、第３ノズル１６８cに伝達される単位時間当りウェッティング液(WL)の供給流量はお互いに同じであることがある。これに、第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして第３ノズル１６８cに供給するウェッティング液(WL)の噴射距離は第１ノズル１６９aが一番短くて、第３ノズル１６９cが一番長いことがある。また、第１ノズル１６９a、第２ノズル１６８b、そして、第３ノズル１６８cは基板Wの縁領域にウェッティング液(WL)を供給することができる。

【0240】

前述した例では、姿勢変更ロボット１５６が基板Wの縁領域にウェッティング液(WL)を供給することを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２２に示されたところのように液供給部材１７７は第３アーム１７５に締結されることができる。そして、液供給部材１７７は第４アーム１７６が回転する方向と平行な方向を回転軸にして回転可能に提供され、ハンド１５６-Hに置かれた基板Wの中央領域にウェッティング液(WL)を供給できるように構成されることができる。

【0241】

前述した例ではバッファーチャンバ２１０と枚葉式液処理チャンバ２３０がお互いに異なる形態の液処理構造を有することを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、枚葉式液処理チャンバ２３０はバッファーチャンバ２１０と等しい液処理構造を有することができる。

【0242】

また、前述した例ではバッファーチャンバ２１０の第１液供給部３２０が基板Wの上面に水を供給することを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、バッファーチャンバ２１０の第１液供給部３２０は第２液供給部３３０と等しくIPAを供給するように構成されることができる。この場合、枚葉式液処理チャンバ２３０ですべて基板Wに対する液処理が遂行されていたら、バッファーチャンバ２１０で基板Wの上面にIPAを供給し、基板Wをバッファーチャンバ２１０で枚葉式乾燥チャンバ２４０に直ちに返送することもできる。

【0243】

図２３は、本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。図２３を参照すれば、基板処理装置１０Aは搬出入部T２と、枚葉式処理部T３と、インターフェース部T５と、バッチ式処理部T６を含むことができる。搬出入部T２は容器Fを積載する積載台T２２を有する。搬出入部T２と枚葉式処理部T３とインターフェース部T５とバッチ式処理部T６は第１方向(TX)に沿って並んで配列されることができる。

【0244】

搬出入部T２は第１返送領域T２３を有して、第１返送領域T２３は積載台T２２に接してあり得る。第１返送装置T２４は容器Fと第１バッファー部T２６との間で基板Wを返送することができる。

【0245】

枚葉処理部T３は第２返送領域T３１を有して、第２返送領域T３１は、第１バッファー部T２６と接することができる。第２返送領域T３１には第２返送装置T３２が設置されることができる。第２返送装置T３２は基板TWを第１バッファー部T２６から搬出して第２バッファー部T３３に搬入することができる。第１返送装置T３２の一側には枚葉式液処理チャンバT３４が配置され、他側には枚葉式乾燥チャンバT３５が配置されることができる。

【0246】

インターフェース部T５はロット形成部T５１、返送部T５２、そして、バッファーチャンバ２１０Aを有することができる。バッファーチャンバ２１０Aは上述したバッファーチャンバ２１０と等しい構造を有することができる。返送部T５２は第２バッファー部T３３に返送された基板(TW)をロット形成部T５１に返送し、またバッチ式処理部T６で処理された基板(TW)を枚葉式処理部T３の枚葉式液処理チャンバT３４に返送することができる。

【0247】

バッチ式処理部T６は第３返送領域T６１を有して、第３返送領域T６１はインターフェース部T５に接する。第３返送領域T６１には第３返送装置T６２が用意され、第３返送領域T６１に隣接した装置の間で基板(TW)を返送することができる。第３返送装置は複数個の基板を一括的に返送することができる。

【0248】

バッチ式処理部T６の隣りには第１薬液槽T６３と第１リンス液槽T６４と第２薬液槽T６５と、第２リンス液槽T６６と、第３薬液槽T６７と、第３リンス液槽T６８を含むことができる。

【0249】

第１薬液槽T６３ではDHF(希フッ酸)またはBHF(フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液)を利用して自然酸化膜を除去することができる。第１リンス液槽T６４では脱イオン水を利用して基板TWを処理することができる。第２薬液槽T６５ではリン酸水溶液を利用してシリコン酸化膜とシリコン窒化膜のうちでシリコン窒化膜を選択的にエッチングすることができる。第２リンス液槽T６６は脱イオン水を利用して基板TWを処理することができる。第３薬液槽T６７ではSC１(アンモニアと過酸化水素と水の混合液)を利用して基板TWを処理し、第３リンス液槽T６８では脱イオン水を利用して基板TWを処理することができる。

【0250】

また、バッチ式処理部T６では基板TWを返送及び支持する第１支持部材T７１と第１駆動部材T７２、第２支持部材T７３及び第２駆動部材T７４、第３支持部材T７５及び第３駆動部材T７６３、第４支持部材T８１１、そして、第４駆動部材T８１８を含むことができる。また、第３リンス液槽T６８では第５支持部材T８１４が設置されることができる。

【0251】

バッチ式処理部T６の第３リンス液槽T６８に浸漬された基板TWは返送部T５２によって搬出されてバッファーチャンバ２１０Aに搬入されることができる。バッファーチャンバ２１０Aでは基板TWの上面に第１液(水)を供給し、基板TWの下面に第２液(IPA)を供給することができる。返送ユニットT５２は上述した第１返送ロボットT２２２と同一、類似な構造を有することができる。

【0252】

図２４は、本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた図面である。図２４を参照すれば、本発明の他の実施例による基板処理装置(T１０B)は基板TWが搬入される搬入部T２Aと、基板TWが搬出される搬出部T２Bが区分される点で図２３の実施例と差異を有する。搬入部T２Aに搬入された未処理基板TWは追加インターフェース部T５の返送機構T５７によってロット(L)に返送され、バッチ式処理部T６Aで処理された以後、返送ロボットT５８によってバッファーチャンバ２１０Bに搬入されることができる。バッファーチャンバ２１０Bは上述したバッファーチャンバ２１０、２１０Aと同一または類似な構造を有することができる。

【0253】

図２５は、本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた図面である。図２５を参照すれば、本発明の他の実施例による基板処理装置T１０Cはバッファーチャンバ２１０C１、２１０C２が複数個で提供される点で図２４の実施例と差異を有する。返送ロボットT５８によってバッチ式処理部T６で搬出された基板TWは第１バッファーチャンバ２１０C１に返送され、以後移送レールT５９２及び移送ハンドT５９４によって第２バッファーチャンバ２１０C２に搬入されることができる。第２バッファーチャンバ２１０C２に搬入された基板TWは移送ロボットT６８によって枚葉式液処理チャンバT３４に搬入されることができる。

【0254】

前述した例では、図１８に示されたところのように第１液と第２液の供給が同時に始まるか、または、図１９に示されたところのように第１液の供給が始まって、設定時間が経過された以後第２液の供給が始まることを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２６に示されたところのように第１液と第２液の供給が同時に始まるが、第２液の供給終了時点が第１液の供給終了時点よりさらに速いことがある。IPAであることがある第２液は基板Wの下面を洗浄し、乾燥されることで十分であるため、第２液の供給終了時点をさらに速くすることで第２液が浪費される問題点を最小化することができる。また、図２７に示されたところのように第２液供給のスタート時点は第１液供給スタート時点より遅れて、第２液の供給終了時点は第１液の供給終了時点より速いことがある。同じく、IPAであることがある第２液は基板Wの下面を洗浄し、乾燥されることで十分であるため、第２液の供給終了時点をさらに速くし、第１液の供給スタート時点をさらに遅くすることで、第２液が浪費される問題点を最小化することができる。

【0255】

また、前述した基板Wの上面はパターンが形成されてあり得るパターン面であることができるし、第１面と指称されることができる。また、前述した基板Wの下面はパターンが形成されていない非パターン面であることができるし、第２面と指称されることができる。

【0256】

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。

【符号の説明】

【0257】

W 基板
F 移送容器
C 収納容器
１０ 基板処理装置
１００ 第１工程処理部
１１０ 第１ロードポートユニット
１２０ インデックスチャンバ
１２２ インデックス返送ロボット
１２４ 姿勢変更ユニット
１３０ 返送ユニット
１３２ 第１返送ユニット
１３４ 第２返送ユニット
１４０ バッチ処理部
１４１ 第１バッチ処理部
１４１-B１ 第１-１バッチ処理槽
１４１-B１-１ 処理槽
１４１-B１-２ 収容空間
１４１-B１-３ 加熱部材
１４１-B１-４ 供給ライン
１４１-B１-５ 回収ライン
１４１-B１-６ 支持部材
１４１-B２ 第１-２バッチ処理槽
１４１-TR 第１配置返送ユニット
１４２ 第２バッチ処理部
１４２-B１ 第２-１バッチ処理槽
１４２-B２ 第２-２バッチ処理槽
１４２-TR 第２配置返送ユニット
１４３ 第３バッチ処理部
１４３-B１ 第３-１バッチ処理槽
１４３-B２ 第３-２バッチ処理槽
１４３-TR 第３配置返送ユニット
１５０ 姿勢変更部
１５１ 姿勢変更処理槽
１５２ 処理槽
A、B 収容空間
A 回転空間
B 支持空間
１５３ 支持部材
１５４ 供給ライン
１５５ 回収ライン
１５６ 姿勢変更ロボット
１５６-H ハンド
１５６-R アーム
２００ 第２工程処理部
２１０ バッファーチャンバ
２２０ 第１返送チャンバ
２２２ 第１返送ロボット
２２２A レール走行部
２２２B ハンド駆動部
２２２B１ 駆動ボックス
２２２B２ 駆動シャフト
２２２C ハンド部
２２２C-A１ 第１ハンド
２２２C-A２ 第１ハンド移動胴体
２２２C-B１ 第２ハンド
２２２C-B２ 第２ハンド移動胴体
２２２C-C１ 第３ハンド
２２２C-C１ 第３ハンド移動胴体
２２２C-D スライディング胴体
２２２C-D１ 第１スライディング溝
２２２C-D２ 第２スライディング溝
２２３ 返送レール
２３０ 枚葉式液処理チャンバ
２４０ 枚葉式乾燥チャンバ
２５０ バッファー部
２６０ 第２返送チャンバ
２６２ 第２返送ロボット
２７０ 第２ロードポートユニット
２１０ バッファーチャンバ
３１０ チャック
３１２ チャックボディー
３１４ 支持ピン
３１５ 回転シャフト
３１６ 中空モータ
３２０ 第１液供給部
３２２ 第１ノズル
３２４ 第１液供給源
３３０ 第２液供給部
３３２ 第２ノズル
３３３ 第２液供給ライン
３３４ 第２液供給源
３３５ カバー
３３６ 液供給シャフト
３３７ ベアリング
３４０ コップ
３４１ 第１コップ
３４１a 第１ドレン空間
３４１b 第２ドレン空間
３４１c 第３ドレン空間
３４２ 第２コップ
３４３ 第３コップ
３５０ ドレンライン
３５１ 第１ドレンライン
３５２ 第２ドレンライン
３５３ 第３ドレンライン
３６０ 昇降駆動機
３６１ 第１昇降駆動機
３６２ 第２昇降駆動機
３６３ 第３昇降駆動機
D１ 第１回収経路
D２ 第２回収経路
D３ 第３回収経路
６００ 制御機

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】