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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024029645
(43)【公開日】2024-03-06
(54)【発明の名称】光源装置及び測距装置
(51)【国際特許分類】
H01S 5/0683 20060101AFI20240228BHJP
H01S 5/042 20060101ALI20240228BHJP
G01S 7/484 20060101ALI20240228BHJP
【ＦＩ】
H01S5/0683
H01S5/042 630
G01S7/484
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022132014
(22)【出願日】2022-08-22
(71)【出願人】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】増田 貴志
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 大輔
(72)【発明者】
【氏名】檜山 甲太
(72)【発明者】
【氏名】大澤 拓
【テーマコード（参考）】
5F173
5J084
【Ｆターム（参考）】
5F173SA34
5F173SC10
5F173SE01
5F173SE02
5F173SF15
5F173SF43
5F173SF74
5F173SG05
5F173SG09
5F173SJ04
5F173SJ10
5F173SJ12
5F173SJ16
5J084AA05
5J084BA07
5J084CA03
5J084CA55
5J084CA64
5J084CA69
5J084EA40
(57)【要約】
【課題】発光素子の発光電流の変化による光量の変化を低減する。
【解決手段】光源装置は、複数の発光素子と、上記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、上記複数のスイッチ素子を制御することにより上記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、上記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を上記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、上記発光電流に応じた電流制御信号を上記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、上記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて上記発光電流を調整する発光電流調整部とを有する。
【選択図】図１
【解決手段】光源装置は、複数の発光素子と、上記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、上記複数のスイッチ素子を制御することにより上記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、上記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を上記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、上記発光電流に応じた電流制御信号を上記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、上記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて上記発光電流を調整する発光電流調整部とを有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を有する光源装置。
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を有する光源装置。
【請求項2】
前記発光電流調整部は、前記発光電流制御部における前記発光電流の値を調整することにより前記発光を調整する請求項１に記載の光源装置。
【請求項3】
前記電流制限素子は、ゲートを前記制御端子とするＭＯＳトランジスタにより構成され、
前記発光電流制御部は、前記複数の電流制限素子とカレントミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタを備えて当該ＭＯＳトランジスタのゲート電圧を前記電流制御信号として前記複数の電流制限素子に供給し、
前記発光電流調整部は、前記発光電流制御部における前記カレントミラー回路の参照電流を調整することにより前記発光電流の値を調整する
請求項２に記載の光源装置。
前記発光電流制御部は、前記複数の電流制限素子とカレントミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタを備えて当該ＭＯＳトランジスタのゲート電圧を前記電流制御信号として前記複数の電流制限素子に供給し、
前記発光電流調整部は、前記発光電流制御部における前記カレントミラー回路の参照電流を調整することにより前記発光電流の値を調整する
請求項２に記載の光源装置。
【請求項4】
前記発光電流調整部は、前記発光制御部における発光期間を調整することにより前記発光電流を調整する請求項１に記載の光源装置。
【請求項5】
前記複数の発光素子は、複数の領域に分割されて配置される請求項１に記載の光源装置。
【請求項6】
前記発光電流調整部は、複数の前記領域毎に前記発光電流を調整する請求項５に記載の光源装置。
【請求項7】
前記発光電流の過電流を所定の閾値に基づいて検出する過電流検出部と、
前記発光素子数に応じて前記閾値を調整する閾値調整部と
を更に有する請求項１に記載の光源装置。
前記発光素子数に応じて前記閾値を調整する閾値調整部と
を更に有する請求項１に記載の光源装置。
【請求項8】
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を備える光源装置と、
前記光源装置から出射された光が対象物に反射された反射光を検出する光検出素子と、
前記光の出射から前記反射光の検出までの時間を測定することにより前記対象物までの距離を測定する測距部と
を有する測距装置。
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を備える光源装置と、
前記光源装置から出射された光が対象物に反射された反射光を検出する光検出素子と、
前記光の出射から前記反射光の検出までの時間を測定することにより前記対象物までの距離を測定する測距部と
を有する測距装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光源装置及び当該光源装置を使用する測距装置に関する。
【背景技術】
【0002】
複数の発光素子がアレイ状に配置されて構成された光源装置が使用されている。例えば、レーザダイオードを発光素子として使用する光源装置が使用されている。高出力のレーザダイオードをアレイ状に配置することにより高光量の光源装置を形成することができる。このような光源装置において、駆動のための定電流を供給する駆動トランジスタが発光素子毎に配置される光源装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【0003】
この光源装置では、カレントミラー回路によりそれぞれの駆動トランジスタに一定の発光電流（駆動電流）を供給する。すなわち、それぞれの駆動トランジスタとカレントミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタとが配置され、このＭＯＳトランジスタの参照電流がそれぞれの駆動トランジスタにミラーされ、発光電流として供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２０－０４３２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記の従来技術では、駆動トランジスタのソース側の配線の共通インピーダンスに複数の発光素子の発光電流が流れる場合に駆動トランジスタのソース電位が変化し、発光電流が変動するという問題がある。このため、光源装置の光量が変動するという問題を生じる。
【0006】
そこで、本開示では、発光素子の発光電流の変化による光量の変化を低減する光源装置及び測距装置を提案する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示に係る光源装置は、複数の発光素子と、上記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、上記複数のスイッチ素子を制御することにより上記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、上記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を上記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、上記発光電流に応じた電流制御信号を上記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、上記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて上記発光電流を調整する発光電流調整部とを有する。
【0008】
また、本開示の測距装置は、複数の発光素子と、上記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、上記複数のスイッチ素子を制御することにより上記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、上記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を上記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、上記発光電流に応じた電流制御信号を上記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、上記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて上記発光電流を調整する発光電流調整部とを備える光源装置と、上記光源装置から出射された光が対象物に反射された反射光を検出する光検出素子と、上記光の出射から反射光の検出までの時間を測定することにより上記対象物までの距離を測定する測距部とを有する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本開示の第１の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。
【図2】本開示の実施形態に係る発光電流の変動を説明する図である。
【図3】本開示の第１の実施形態に係る発光電流調整部の構成例を示す図である。
【図4】本開示の第１の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。
【図5】本開示の第２の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。
【図6】本開示の第２の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。
【図7】本開示の第２の実施形態に係る調整電流の他の例を示す図である。
【図8A】本開示の第２の実施形態に係る領域の一例を示す図である。
【図8B】本開示の第２の実施形態に係る領域の一例を示す図である。
【図8C】本開示の第２の実施形態に係る領域の一例を示す図である。
【図9】本開示の第３の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。
【図10】本開示の第３の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。
【図11】本開示の第４の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。
【図12】本開示の第４の実施形態に係る発光電流調整部の構成例を示す図である。
【図13】本開示の第４の実施形態に係る発光制御部の構成例を示す図である。
【図14A】本開示の第４の実施形態に係る発光信号生成回路の構成例を示す図である。
【図14B】本開示の第４の実施形態に係る発光信号の生成の一例を示す図である。
【図15】本開示の第５の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。
【図16】本開示の実施形態の第１の変形例に係る光源装置の構成例を示す図である。
【図17】本開示の実施形態の第２の変形例に係る光源装置の構成例を示す図である。
【図18A】本開示の実施形態に係る発光素子の構成例を示す図である。
【図18B】本開示の実施形態に係る発光素子の他の構成例を示す図である。
【図19A】本開示の実施形態に係る発光素子の発光の一例を示す図である。
【図19B】本開示の実施形態に係る発光素子の発光の一例を示す図である。
【図20】本開示の実施形態に係る光源装置を適用可能な測距装置の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、本開示の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。説明は、以下の順に行う。なお、以下の各実施形態において、同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．第４の実施形態
５．第５の実施形態
６．変形例
７．発光素子の構成
８．測距装置への適用例
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．第４の実施形態
５．第５の実施形態
６．変形例
７．発光素子の構成
８．測距装置への適用例
【0011】
（１．第１の実施形態）
［光源装置の構成］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。光源装置１０は、複数（ｎ個）の発光素子１０１乃至１０３と、複数（ｎ個）のスイッチ素子１２１乃至１２３と、複数（ｎ個）の電流制限素子１１１乃至１１３と、ＭＯＳトランジスタ１２４と、発光制御部２０とを備える。また、光源装置１０は、発光電流調整部３０と、発光電流制御部４０と、制御部５０とを更に備える。
［光源装置の構成］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。光源装置１０は、複数（ｎ個）の発光素子１０１乃至１０３と、複数（ｎ個）のスイッチ素子１２１乃至１２３と、複数（ｎ個）の電流制限素子１１１乃至１１３と、ＭＯＳトランジスタ１２４と、発光制御部２０とを備える。また、光源装置１０は、発光電流調整部３０と、発光電流制御部４０と、制御部５０とを更に備える。
【0012】
発光素子１０１乃至１０３は、発光電流を流すことにより発光する半導体の素子である。発光素子１０１等には、例えばレーザダイオードを使用することができる。
【0013】
スイッチ素子は、複数の発光素子１０１乃至１０３毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す素子である。このスイッチ素子にはｎチャネルＭＯＳトランジスタを使用することができる。
【0014】
電流制限素子１１１乃至１１３は、複数の発光素子１０１乃至１０３毎に配置されて発光素子１０１乃至１０３に流れる電流を発光電流に制限する素子である。
【0015】
発光電流制御部４０は、発光電流に応じた電流制御信号を複数の電流制限素子１１１乃至１１３の制御端子に供給するものである。なお、電流制限素子１１１乃至１１３のゲートが制御端子に該当する。この発光電流制御部４０は、定電流回路１３０及びＭＯＳトランジスタ１１４を備える。
【0016】
光源装置１０の回路の結線について説明する。発光素子１０１のアノードは電源を供給する電源線Ｖｄｄに接続され、発光素子１０１のカソードは電流制限素子１１１のドレインに接続される。電流制限素子１１１のソースはスイッチ素子１２１のドレインに接続され、スイッチ素子１２１のソースは接地される。このように、直列に接続される発光素子１０１、電流制限素子１１１及びスイッチ素子１２１は、電源線Ｖｄｄ及び接地線の間に接続される。発光素子１０２、電流制限素子１１２及びスイッチ素子１２２並びに発光素子１０３、電流制限素子１１３及びスイッチ素子１２３においても同様の結線となる。このような直列に接続された発光素子１０１、電流制限素子１１１及びスイッチ素子１２１のノードを以下発光素子ノードと称する。この発光素子ノードが光源装置１０にｎ個配置される。なお、スイッチ素子１２１乃至１２３のゲートは、それぞれ発光電流制御部４０の出力に接続される。
【0017】
発光電流制御部４０の定電流回路１３０のシンク側端子は電源線Ｖｄｄに接続され、ソース側端子はＭＯＳトランジスタ１１４のドレイン及びゲート並びに電流制限素子１１１乃至１１３のゲートに接続される。ＭＯＳトランジスタ１１４のソースはＭＯＳトランジスタ１２４のドレインに接続され、ＭＯＳトランジスタ１２４のソースは接地される。ＭＯＳトランジスタ１２４のゲートは電源線Ｖｄｄに接続される。
【0018】
同図に表したように、発光電流制御部４０のＭＯＳトランジスタ１１４と電流制限素子１１１乃至１１３とはカレントミラー回路を構成する。すなわち、ＭＯＳトランジスタ１１４に流れる電流である参照電流が電流制限素子１１１乃至１１３にミラーされる。なお、ＭＯＳトランジスタ１２４は、スイッチ素子１２１に相当する電圧降下を得るために接続される素子である。このため、カレントミラー回路のミラー比は１：１となる。例えば、スイッチ素子１２１乃至１２３を導通させることにより電流制限素子１１１乃至１１３のソース及び接地線の間が略短絡状態になる。このため、定電流回路１３０の参照電流に等しい電流が電流制限素子１１１乃至１１３にそれぞれ流れる。この電流が発光電流となる。
【0019】
スイッチ素子１２１乃至１２３を選択して導通させることにより、所望の発光素子を発光させることができる。なお、定電流回路１３０の参照電流は、後述する発光電流調整部３０により制御される。
【0020】
なお、同図の光源装置１０は、発光素子１０１乃至１０３及び発光電流制御部４０が同一の電源（電源線Ｖｄｄ）に接続される例を表したものであるが、発光素子１０１等の回路構成は、この例に限定されない。例えば、発光素子１０１乃至１０３と発光電流制御部４０とに異なる電源（回路）を接続することもできる。この際、発光素子１０１乃至１０３と発光電流制御部４０とにおいて異なる電圧の電源を供給することもできる。また、発光電流制御部４０のＭＯＳトランジスタ１１４と電流制限素子１１１乃至１１３とにより構成されるカレントミラー回路のミラー比を異なる値にすることもできる。例えば、ＭＯＳトランジスタ１１４に対する電流制限素子１１１乃至１１３のアスペクト比をＮ倍にすることにより、ミラー比を１：Ｎにすることができる。これにより、発光電流制御部４０等の消費電力を低減することができる。なお、この場合には、ＭＯＳトランジスタ１２４に対するスイッチ素子１２１乃至１２３のアスペクト比もＮ倍にする必要がある。
【0021】
発光制御部２０は、複数のスイッチ素子１２１乃至１２３を制御することにより複数の発光素子１０１乃至１０３の発光を制御するものである。この発光制御部２０は、スイッチ素子１２１乃至１２３を個別に導通させて制御する。発光制御部２０は、スイッチ素子１２１乃至１２３を構成するＭＯＳトランジスタのオン信号を出力する。このオン信号は、ＭＯＳトランジスタを導通状態にするゲートソース間電圧Ｖｇｓ以上の電圧の信号である。このオン信号がゲートに印加されたスイッチ素子１２１等が導通状態になる。
【0022】
発光制御部２０には、駆動信号及び発光パタンが入力される。駆動信号は、発光素子１０１乃至１０３を発光させるタイミングを示す信号であり、スイッチ素子１２１乃至１２３を導通状態にするタイミングを示す信号である。また、発光パタンは、発光素子１０１乃至１０３のうち発光させる発光素子を示す信号である。発光制御部２０は、発光パタンに基づいてスイッチ素子１２１乃至１２３を選択し、駆動信号に基づくタイミングにおいて選択したスイッチ素子１２１乃至１２３にオン信号を出力する。
【0023】
発光電流調整部３０は、発光電流制御部４０の発光電流を制御する。具体的には、発光電流調整部３０は、発光電流制御部４０の定電流回路１３０に発光電流に相当する参照電流を流す制御を行う。また、発光電流調整部３０は、複数の発光素子１０１乃至１０３のうちの発光させる発光素子数に応じた発光電流の調整を更に行う。後述するように、カレントミラー回路を構成する電流制限素子１１１乃至１１３は、発光素子数に応じて発光電流が変化する。発光電流調整部３０は、この発光電流の変化を補償するため、発光電流を調整する。発光電流調整部３０の構成の詳細については後述する。
【0024】
制御部５０は、光源装置１０の全体を制御するものである。この制御部５０は、外部の装置からの指示に基づいて電流制御信号、発光パタン及び駆動信号を生成し、発光電流調整部３０及び発光制御部２０に対して出力する。
【0025】
［発光電流の変動］
図２は、本開示の実施形態に係る発光電流の変動を説明する図である。同図は、図１の発光素子１０１乃至１０３の回路部分を記載した図である。同図において、Ｉ０はＭＯＳトランジスタ１１４の電流（参照電流）を表す。また、Ｉ１乃至Ｉｎは、電流制限素子１１１乃至１１３の発光電流を表す。また、同図にはカレントミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタ１１４並びに電流制限素子１１１乃至１１３のソース側配線の寄生抵抗を記載した。同図の破線の抵抗器が寄生抵抗に該当する。通常、配線には配線抵抗に基づく寄生抵抗が存在する。このため、配線に電流を流すと電圧降下を生じる。これらの寄生抵抗がＭＯＳトランジスタ１１４と電流制限素子１１１乃至１１３とにおいて異なる場合、ＭＯＳトランジスタ１１４等のソース電圧が変化し、ミラー比が変化して発光電流Ｉ１乃至Ｉｎにばらつきを生じる。
図２は、本開示の実施形態に係る発光電流の変動を説明する図である。同図は、図１の発光素子１０１乃至１０３の回路部分を記載した図である。同図において、Ｉ０はＭＯＳトランジスタ１１４の電流（参照電流）を表す。また、Ｉ１乃至Ｉｎは、電流制限素子１１１乃至１１３の発光電流を表す。また、同図にはカレントミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタ１１４並びに電流制限素子１１１乃至１１３のソース側配線の寄生抵抗を記載した。同図の破線の抵抗器が寄生抵抗に該当する。通常、配線には配線抵抗に基づく寄生抵抗が存在する。このため、配線に電流を流すと電圧降下を生じる。これらの寄生抵抗がＭＯＳトランジスタ１１４と電流制限素子１１１乃至１１３とにおいて異なる場合、ＭＯＳトランジスタ１１４等のソース電圧が変化し、ミラー比が変化して発光電流Ｉ１乃至Ｉｎにばらつきを生じる。
【0026】
電流制限素子１１１を例に挙げて説明すると、電流制限素子１１１のソース側配線には、寄生抵抗３０１及び３０２が存在する。この寄生抵抗３０１及び３０２がＭＯＳトランジスタ１１４の寄生抵抗と異なる場合、電流制限素子１１１及びＭＯＳトランジスタ１１４の実効的なゲートソース間電圧Ｖｇｓが異なるため、電流制限素子１１１の発光電流Ｉ１は電流制限素子１１１の電流Ｉ０とは異なる値になる。
【0027】
また、接地線にも寄生抵抗が存在する。この寄生抵抗のうち、複数の発光電流が共通に流れる寄生抵抗は共通インピーダンスと称される。同図の寄生抵抗３０３は、発光電流Ｉ１乃至Ｉｎが流れる共通インピーダンスに該当する。この共通インピーダンスとなる寄生抵抗３０３の電圧降下は、流れる発光電流により変化する。すなわち、寄生抵抗３０３の電圧降下は、発光素子１０１乃至１０３の発光素子数により変化する。このため、寄生抵抗３０３に発光電流Ｉ１が流れる電流制限素子１１１は、他の発光素子ノードから発光電流により、実効的なゲートソース間電圧Ｖｇｓが変化し、発光電流が変動する。
【0028】
具体的には、発光素子１０１のみを発光させる際には、寄生抵抗３０３に発光電流Ｉ１のみが流れるため、寄生抵抗３０３の電圧降下がＭＯＳトランジスタ１１４における接地線の寄生抵抗３０４の電圧降下と略等しくなる。このため、発光素子１０１の発光電流Ｉ１はＩ０と略等しい電流となる。これに対し、発光素子１０１乃至１０３の全てが発光する場合、寄生抵抗３０３の電圧降下が増加して実効的なゲートソース間電圧Ｖｇｓが低下するため発光電流Ｉ１がＩ０より低下する。このように、発光素子１０１乃至１０３のうちの発光素子数に応じて発光電流が変化する。発光電流調整部３０は、この発光電流の変化を補償する動作を行う。
【0029】
［発光電流調整部の構成］
図３は、本開示の第１の実施形態に係る発光電流調整部の構成例を示す図である。同図は、発光電流調整部３０の構成例を表すブロック図である。同図の発光電流調整部３０は、発光素子数検出部３１と、駆動調整部３２と、調整電流保持部３３とを備える。
図３は、本開示の第１の実施形態に係る発光電流調整部の構成例を示す図である。同図は、発光電流調整部３０の構成例を表すブロック図である。同図の発光電流調整部３０は、発光素子数検出部３１と、駆動調整部３２と、調整電流保持部３３とを備える。
【0030】
発光素子数検出部３１は、発光パタンに基づいて発光素子数を検出するものである。この発光素子数検出部３１は、発光素子数を駆動調整部３２に出力する。
【0031】
駆動調整部３２は、電流制御信号に基づいて、発光電流調整部３０の定電流回路１３０に参照電流を流す制御を行う。また、駆動調整部３２は、発光素子数検出部３１からの発光素子数に基づいて定電流回路１３０の参照電流を調整する制御を更に行う。駆動調整部３２は、調整電流保持部３３の調整電流に基づいて参照電流の調整を行う。
【0032】
調整電流保持部３３は、参照電流を調整するための調整電流の情報を保持するものである。調整電流保持部３３は、発光素子数及び調整電流の対応を表すテーブルを備える。
【0033】
［調整電流］
図４は、本開示の第１の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。同図は、調整電流保持部３３に保持される調整電流の一例を表す図である。同図の発光素子数は、発光素子１０１乃至１０３のうちの発光素子数を表す。同図は、発光素子（発光素子ノード）が１０個の場合を表したものである。同図の調整電流は、発光電流の調整値を表す。同図の調整電流は、発光素子数が１０の場合を基準とし、発光素子数の減少に伴い値が増加する例を表したものである。具体的には、発光素子数が「１」の場合には、調整電流が「－５％」となる。この場合、駆動調整部３２は、発光素子数が「１０」の場合の発光電流（参照電流）に対して５％減じる調整を行う。駆動調整部３２は、この調整後の参照電流を流すように定電流回路１３０を制御する。これにより、発光素子数に応じて発光電流の値が調整される。
図４は、本開示の第１の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。同図は、調整電流保持部３３に保持される調整電流の一例を表す図である。同図の発光素子数は、発光素子１０１乃至１０３のうちの発光素子数を表す。同図は、発光素子（発光素子ノード）が１０個の場合を表したものである。同図の調整電流は、発光電流の調整値を表す。同図の調整電流は、発光素子数が１０の場合を基準とし、発光素子数の減少に伴い値が増加する例を表したものである。具体的には、発光素子数が「１」の場合には、調整電流が「－５％」となる。この場合、駆動調整部３２は、発光素子数が「１０」の場合の発光電流（参照電流）に対して５％減じる調整を行う。駆動調整部３２は、この調整後の参照電流を流すように定電流回路１３０を制御する。これにより、発光素子数に応じて発光電流の値が調整される。
【0034】
このように、本開示の第１の実施形態の光源装置１０は、発光素子数に応じて発光素子１０１乃至１０３の発光電流を調整する。これにより、発光素子１０１乃至１０３の発光電流の変動を低減することができ、光源装置１０の光量の変動を低減することができる。
【0035】
（２．第２の実施形態）
上述の第１の実施形態の光源装置１０は、複数の発光素子が配置されていた。これに対し、本開示の第２の実施形態の光源装置１０は、複数の発光素子が複数の領域に分割される点で、上述の第１の実施形態と異なる。
上述の第１の実施形態の光源装置１０は、複数の発光素子が配置されていた。これに対し、本開示の第２の実施形態の光源装置１０は、複数の発光素子が複数の領域に分割される点で、上述の第１の実施形態と異なる。
【0036】
［光源装置の構成］
図５は、本開示の第２の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、発光素子ノードが複数の領域に分割される点で、図１の光源装置１０と異なる。
図５は、本開示の第２の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、発光素子ノードが複数の領域に分割される点で、図１の光源装置１０と異なる。
【0037】
同図の光源装置１０は、発光素子１０１乃至１０３の発光素子ノードからなる領域１００と発光素子１５１乃至１５３の発光素子ノードからなる領域１５０を備える。領域１５０は、発光素子１５１乃至１５３、電流制限素子１６１乃至１６３及びスイッチ素子１７１乃至１７３を備える。これらの発光素子１５１乃至１５３がそれぞれ発光素子ノードを構成する。なお、同図の領域１５０は、領域１００と同数の発光素子ノードを備える例を表したものである。また、領域１５０の電流制限素子１６１乃至１６３は、ＭＯＳトランジスタ１１４とカレントミラー回路を構成する。このような領域１００及び１５０を備える構成は、複数の発光素子１０１等がハードウェア的に分割される場合に適用されるものである。
【0038】
［調整電流］
図６は、本開示の第２の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。同図は、図４と同様に、調整電流保持部３３に保持される調整電流の一例を表す図である。同図の「領域♯１」及び「領域♯２」は、それぞれ領域１００及び１５０の発光素子数を表す。領域１００及び１５０において発光素子数が「５」のときに最も小さい（絶対値が最も大きい）調整値となる。
図６は、本開示の第２の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。同図は、図４と同様に、調整電流保持部３３に保持される調整電流の一例を表す図である。同図の「領域♯１」及び「領域♯２」は、それぞれ領域１００及び１５０の発光素子数を表す。領域１００及び１５０において発光素子数が「５」のときに最も小さい（絶対値が最も大きい）調整値となる。
【0039】
図７は、本開示の第２の実施形態に係る調整電流の他の例を示す図である。同図は、図６と同様に、調整電流保持部３３に保持される調整電流の一例を表す図である。同図は、発光電流に応じて調整値を変化させる例を表したものである。同図の左端の調整電流は、発光電流が低い場合（低光量の場合）の調整電流を表したものである。また、同図の中央の調整電流は、中位の発光電流の場合の調整電流を表したものである。また、同図の右端の調整電流は、発光電流が大きい場合（高光量の場合）の調整電流を表したものである。同図に表したように、発光電流が大きい場合には、調整値を大きくすることができる。共通インピーダンスである寄生抵抗３０３の電圧降下が増加するためである。
【0040】
［領域の構成］
図８Ａ－８Ｃは、本開示の第２の実施形態に係る領域の一例を示す図である。同図の矩形は発光素子１０１等を表す。同図において発光素子１０１等は、２次元行列状に配置される。また、同図の白抜きの矩形は、領域１００に含まれる発光素子を表し、斜線ハッチングを付した矩形は、領域１５０に含まれる発光素子を表す。
図８Ａ－８Ｃは、本開示の第２の実施形態に係る領域の一例を示す図である。同図の矩形は発光素子１０１等を表す。同図において発光素子１０１等は、２次元行列状に配置される。また、同図の白抜きの矩形は、領域１００に含まれる発光素子を表し、斜線ハッチングを付した矩形は、領域１５０に含まれる発光素子を表す。
【0041】
図８Ａは、複数の発光素子１０１等が長方形の形状の領域１００及び１５０に２等分される例を表したものである。
【0042】
図８Ｂは、複数の発光素子１０１等のうちの外周の発光素子が領域１５０に配置され、内側の発光素子が領域１００に配置される例を表したものである。
【0043】
図８Ｃは、複数の発光素子１０１等が列毎に領域１００及び１５０に交互に振りわけられる例を表したものである。
【0044】
これ以外の光源装置１０の構成は本開示の第１の実施形態における光源装置１０の構成と同様であるため、説明を省略する。
【0045】
このように、本開示の第２の実施形態の光源装置１０は、複数の発光素子１０１等が複数の領域１００等に分割される場合において、発光素子数に応じて発光素子１０１乃至１０３の発光電流を調整する。
【0046】
（３．第３の実施形態）
上述の第２の実施形態の光源装置１０は、複数の発光素子１０１等が領域１００及び１５０に分割されていた。これに対し、本開示の第３の実施形態の光源装置１０は、分割された領域毎に電流制限素子１６１等のカレントミラー回路を構成する点で、上述の第２の実施形態と異なる。
上述の第２の実施形態の光源装置１０は、複数の発光素子１０１等が領域１００及び１５０に分割されていた。これに対し、本開示の第３の実施形態の光源装置１０は、分割された領域毎に電流制限素子１６１等のカレントミラー回路を構成する点で、上述の第２の実施形態と異なる。
【0047】
［光源装置の構成］
図９は、本開示の第３の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図５と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、領域１００及び１５０において異なるカレントミラー回路が配置される点で、図５の光源装置１０と異なる。
図９は、本開示の第３の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図５と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、領域１００及び１５０において異なるカレントミラー回路が配置される点で、図５の光源装置１０と異なる。
【0048】
同図の光源装置１０は、定電流回路１３１、ＭＯＳトランジスタ１６４及び１７４を更に備える。なお、定電流回路１３１及びＭＯＳトランジスタ１６４の回路は、発光電流制御部４１を構成する。
【0049】
発光電流制御部４１の定電流回路１３１のシンク側端子は電源線Ｖｄｄに接続され、ソース側端子はＭＯＳトランジスタ１６４のドレイン及びゲート並びに電流制限素子１６１乃至１６３のゲートに接続される。ＭＯＳトランジスタ１６４のソースはＭＯＳトランジスタ１７４のドレインに接続され、ＭＯＳトランジスタ１７４のソースは接地される。ＭＯＳトランジスタ１７４のゲートは、電源線Ｖｄｄ接続される。
【0050】
また、同図の光源装置１０の発光電流調整部３０（不図示）は、複数の発光電流制御部４０及び４１の発光電流の調整を行う。
【0051】
［調整電流］
図１０は、本開示の第３の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。同図は、図６と同様に、調整電流保持部３３に保持される調整電流の一例を表す図である。同図に表したように、本開示の第３の実施形態に係る調整電流保持部３３は、領域１００及び１５０毎に調整電流を保持する。これら領域１００及び１５０毎の調整電流に基づいて、発光電流調整部３０は、領域１００及び１５０毎に発光電流の調整を行うことができる。例えば、図８Ｂの領域１００及び１５０のように、領域毎に共通インピーダンスである寄生抵抗の配置が大きく異なる場合であっても、領域１００及び１５０毎に発光電流を補償することができる。
図１０は、本開示の第３の実施形態に係る調整電流の一例を示す図である。同図は、図６と同様に、調整電流保持部３３に保持される調整電流の一例を表す図である。同図に表したように、本開示の第３の実施形態に係る調整電流保持部３３は、領域１００及び１５０毎に調整電流を保持する。これら領域１００及び１５０毎の調整電流に基づいて、発光電流調整部３０は、領域１００及び１５０毎に発光電流の調整を行うことができる。例えば、図８Ｂの領域１００及び１５０のように、領域毎に共通インピーダンスである寄生抵抗の配置が大きく異なる場合であっても、領域１００及び１５０毎に発光電流を補償することができる。
【0052】
これ以外の光源装置１０の構成は本開示の第２の実施形態における光源装置１０の構成と同様であるため、説明を省略する。
【0053】
このように、本開示の第３の実施形態の光源装置１０は、領域１００及び１５０毎に発光電流制御部４０及び４１を備える。これにより、発光電流の変動を更に低減することができる。
【0054】
（４．第４の実施形態）
上述の第１の実施形態の光源装置１０は、発光電流値を調整することにより、発光電流の調整を行っていた。これに対し、本開示の第４の実施形態の光源装置１０は、発光電流が流れる期間を調整することにより、発光電流を調整する点で、上述の第１の実施形態と異なる。
上述の第１の実施形態の光源装置１０は、発光電流値を調整することにより、発光電流の調整を行っていた。これに対し、本開示の第４の実施形態の光源装置１０は、発光電流が流れる期間を調整することにより、発光電流を調整する点で、上述の第１の実施形態と異なる。
【0055】
［光源装置の構成］
図１１は、本開示の第４の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、発光制御部２０が発光電流調整部３０から出力される発光期間調整信号に基づいて発光素子１０１等の発光期間を調整する点で、図１の光源装置１０と異なる。
図１１は、本開示の第４の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、発光制御部２０が発光電流調整部３０から出力される発光期間調整信号に基づいて発光素子１０１等の発光期間を調整する点で、図１の光源装置１０と異なる。
【0056】
同図の発光電流調整部３０は、発光電流制御部４０の発光電流（参照電流）の調整を行う必要がない。その代わり、同図の発光電流調整部３０は、発光期間調整信号を発光制御部２０に対して出力する。この発光期間調整信号は、発光素子数に応じて発光期間を調整する信号である。
【0057】
同図の発光制御部２０は、発光期間調整信号に基づいて発光期間が調整されたバルス状のオン信号をスイッチ素子１２１乃至１２３に出力する。
【0058】
［発光電流調整部の構成］
図１２は、本開示の第４の実施形態に係る発光電流調整部の構成例を示す図である。同図は、図３と同様に、発光電流調整部３０の構成例を表すブロック図である。同図の発光電流調整部３０は、参照電流制御部３４を更に備え、駆動調整部３２が発光期間調整信号を生成して出力する点で、図３の発光電流調整部３０と異なる。
図１２は、本開示の第４の実施形態に係る発光電流調整部の構成例を示す図である。同図は、図３と同様に、発光電流調整部３０の構成例を表すブロック図である。同図の発光電流調整部３０は、参照電流制御部３４を更に備え、駆動調整部３２が発光期間調整信号を生成して出力する点で、図３の発光電流調整部３０と異なる。
【0059】
参照電流制御部３４は、電流制御信号に基づいて発光電流制御部４０の定電流回路１３０に参照電流を流す制御を行うものである。
【0060】
同図の駆動調整部３２は、発光素子数検出部３１からの発光素子数に基づいて発光期間調整信号を生成する。この発光期間調整信号は、後述する発光制御部２０の発光信号生成回路２２の遅延回路２２１に入力される。発光期間調整信号は、遅延回路２２１の遅延時間を指示する信号である。
【0061】
［発光制御部の構成］
図１３は、本開示の第４の実施形態に係る発光制御部の構成例を示す図である。同図は、発光制御部２０の構成例を表すブロック図である。同図の発光制御部２０は、非反転バッファ２１と、発光信号生成回路２２と、発光素子選択部２３と、複数のゲート駆動回路２４とを備える。
図１３は、本開示の第４の実施形態に係る発光制御部の構成例を示す図である。同図は、発光制御部２０の構成例を表すブロック図である。同図の発光制御部２０は、非反転バッファ２１と、発光信号生成回路２２と、発光素子選択部２３と、複数のゲート駆動回路２４とを備える。
【0062】
非反転バッファ２１は、緩衝増幅器に相当し、駆動信号を増幅して発光信号生成回路２２に出力するものである。
【0063】
発光信号生成回路２２は、非反転バッファ２１を介して入力される駆動信号に基づいてパルス状の発光信号を生成する回路である。また、発光信号生成回路２２は、発光電流調整部３０からの発光期間調整信号に基づいて発光信号のハルス幅の調整を更に行う。発光信号生成回路２２の構成の詳細については後述する。
【0064】
発光素子選択部２３は、発光パタンに基づいて発光させる発光素子１０１等を選択し、選択した発光素子１０１等の発光素子ノードに発光信号を出力するものである。
【0065】
ゲート駆動回路は、発光素子ノード毎に配置され、発光素子選択部２３からの発光信号に基づいてパルス状のオン信号を生成し、出力するものである。
【0066】
［発光信号生成回路の構成］
図１４Ａは、本開示の第４の実施形態に係る発光信号生成回路の構成例を示す図である。同図は、発光信号生成回路２２の構成例を表すブロック図である。同図の発光信号生成回路２２は、遅延回路２２１と、ＡＮＤゲート２２２とを備える。
図１４Ａは、本開示の第４の実施形態に係る発光信号生成回路の構成例を示す図である。同図は、発光信号生成回路２２の構成例を表すブロック図である。同図の発光信号生成回路２２は、遅延回路２２１と、ＡＮＤゲート２２２とを備える。
【0067】
遅延回路２２１は、発光期間調整信号に基づいて駆動信号を遅延させる回路である。ＡＮＤゲート２２２は、駆動信号及び遅延回路２２１により遅延された駆動信号の論理積演算を行うゲートである。ＡＮＤゲート２２２の出力が発光信号に該当する。
【0068】
［発光信号の生成］
図１４Ｂは、本開示の第４の実施形態に係る発光信号の生成の一例を示す図である。同図の「駆動信号」は、駆動信号の波形を表す。また、同図の「遅延回路出力」は、遅延回路２２１の出力信号の波形を表す。また、同図の「発光信号」は、ＡＮＤゲート２２２の出力信号である発光信号の波形を表す。
図１４Ｂは、本開示の第４の実施形態に係る発光信号の生成の一例を示す図である。同図の「駆動信号」は、駆動信号の波形を表す。また、同図の「遅延回路出力」は、遅延回路２２１の出力信号の波形を表す。また、同図の「発光信号」は、ＡＮＤゲート２２２の出力信号である発光信号の波形を表す。
【0069】
同図において、駆動信号としてパルス幅２ｎｓの信号を想定する。また、同図の遅延回路出力の波形は、遅延回路２２１が駆動信号を１ｎｓ遅延させる例を表したものである。これら２つ信号波形を論理積演算することにより、発光信号を生成することができる。同図に表したように、この発光信号は、遅延回路２２１の遅延時間に応じてバルス幅が変化する信号である。
【0070】
本開示の第４の実施形態の発光電流調整部３０は、発光素子数に応じた発光期間調整信号を出力する。この発光期間調整信号は、例えば、図４に表した調整値に応じたパルス幅のとなる遅延時間を指示する信号となる。この発光期間調整信号が遅延回路２２１に入力され、発光信号のパルス幅が調整される。例えば、発光素子数が「１」の場合には、発光信号のパルス幅を５％減じる調整が行われる。これにより、発光期間における光源装置１０の光量の総和（積算値）を平準化することができる。
【0071】
これ以外の光源装置１０の構成は本開示の第１の実施形態における光源装置１０の構成と同様であるため、説明を省略する。
【0072】
このように、本開示の第４の実施形態の光源装置１０は、発光素子１０１等の発光素子数に応じて発光期間を調整する。これにより、発光期間における光量の総和の変化を低減することができる。
【0073】
（５．第５の実施形態）
上述の第１の実施形態の光源装置１０に過電流検出部を付加する例について説明する。
上述の第１の実施形態の光源装置１０に過電流検出部を付加する例について説明する。
【0074】
［光源装置の構成］
図１５は、本開示の第５の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、過電流検出部６０及び閾値調整部７０を更に備える点で、図１の光源装置１０と異なる。
図１５は、本開示の第５の実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、過電流検出部６０及び閾値調整部７０を更に備える点で、図１の光源装置１０と異なる。
【0075】
過電流検出部６０は、抵抗６３及び６４と、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ６１及び６２と、定電流回路６５と、比較器６６とを備える。抵抗６３の一端は電源線Ｖｄｄに接続され、他の一端はＭＯＳトランジスタ６１のドレイン及び比較器６６の比較入力に接続される。ＭＯＳトランジスタ６１のソースはＭＯＳトランジスタ６２のドレインに接続され、ＭＯＳトランジスタ６２のソースは接地される。ＭＯＳトランジスタ６１のゲートはＭＯＳトランジスタ１４のドレインに接続され、ＭＯＳトランジスタ６２のゲートは電源線Ｖｄｄに接続される。抵抗６４の一端は電源線Ｖｄｄに接続され、他の一端は定電流回路６５のシンク側端子及び比較器６６の参照入力に接続される。定電流回路６５のソース側端子は、接地される。
【0076】
定電流回路６５は、閾値調整部７０からの制御信号に基づく定電流を供給する回路である。定電流回路６５のシンク側端子の電位は、過電流検出の閾値電圧となる。また、ＭＯＳトランジスタ６１のドレインの電位は、発光電流に応じた電位となる。比較器６６は、参照入力に入力される閾値電圧と比較入力に入力される発光電流に応じた電圧とを比較し、発光電流に応じた電圧が閾値電圧を超える場合に過電流を検出し、検出信号を出力する。このように、同図の過電流検出部６０は、発光素子１０１等の過電流を間接的に検出するものである。
【0077】
閾値調整部７０は、発光パタンに基づいて発光素子１０１等の発光素子数を検出し、閾値を調整するものである。上述の発光電流調整部３０は、発光素子１０１等の発光素子数に応じて発光電流を調整する。そこで、閾値調整部７０を配置し、発光素子１０１等の発光素子数に応じて閾値を調整することにより、過電流検出の精度を向上させることができる。
【0078】
これ以外の光源装置１０の構成は本開示の第１の実施形態における光源装置１０の構成と同様であるため、説明を省略する。
【0079】
このように、本開示の第５の実施形態の光源装置１０は、過電流検出部６０を備えて発光素子１０１等の発光電流の過電流を検出する。また、過電流検出の際の閾値を発光素子１０１等の発光素子数に応じて調整する。これにより、発光素子数に応じて発光電流が調整される場合であっても過電流検出の精度を向上させることができる。
【0080】
（６．変形例）
光源装置１０の変形例について説明する。
光源装置１０の変形例について説明する。
【0081】
［光源装置の構成］
図１６は、本開示の実施形態の第１の変形例に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、図１のスイッチ素子１２１乃至１２３及び電流制限素子１１１乃至１１３の接続順を入れ替えて配線される例を表したものである。これに合わせて、ＭＯＳトランジスタ１１４及び１２４も入れ替えて配線される。
図１６は、本開示の実施形態の第１の変形例に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、図１のスイッチ素子１２１乃至１２３及び電流制限素子１１１乃至１１３の接続順を入れ替えて配線される例を表したものである。これに合わせて、ＭＯＳトランジスタ１１４及び１２４も入れ替えて配線される。
【0082】
図１７は、本開示の実施形態の第２の変形例に係る光源装置の構成例を示す図である。同図は、図１と同様に、光源装置１０の構成例を表すブロック図である。同図の光源装置１０は、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのスイッチ素子１２５乃至１２７及び電流制限素子１１５乃至１１７を使用する場合に例を表したものである。また、発光電流制御部４０のＭＯＳトランジスタ１１８及びＭＯＳトランジスタ１１８のソースに接続されるＭＯＳトランジスタ１２８にもｐチャネルＭＯＳトランジスタを使用する。
【0083】
これ以外の光源装置１０の構成は本開示の第１の実施形態における光源装置１０の構成と同様であるため、説明を省略する。
【0084】
（７．発光素子の構成）
発光素子１０１等の構成について説明する。
発光素子１０１等の構成について説明する。
【0085】
［発光素子の構成］
図１８Ａは、本開示の実施形態に係る発光素子の構成例を示す図である。同図は、複数の発光素子がアレイ状配置されて構成される発光素子アレイ４１０を有する発光素子チップ４００の構成例を表す図である。
図１８Ａは、本開示の実施形態に係る発光素子の構成例を示す図である。同図は、複数の発光素子がアレイ状配置されて構成される発光素子アレイ４１０を有する発光素子チップ４００の構成例を表す図である。
【0086】
発光素子アレイ４１０は、発光素子であるレーザダイオード４１１が２次元行列状に配置されて構成される。このレーザダイオード４１１には、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）を適用することができる。このレーザダイオード４１１の両側の黒丸は、接続端子４１２を表す。
【0087】
発光素子アレイ４１０は、発光素子チップ４００に実装される。この発光素子チップ４００には、図１の発光素子１０１乃至１０３以外の回路を配置することができる。発光素子チップ４００の端部にはパッド４０１が配置される。このパッド４０１及び接続端子４１２の間は、ボンディングワイヤにより接続することができる。
【0088】
図１８Ｂは、本開示の実施形態に係る発光素子の他の構成例を示す図である。同図は、発光素子アレイ４１０の裏面に配置されるバンプ４１３を介して発光素子チップ４００と接続される例を表したものである。
【0089】
［発光素子の発光例］
図１９Ａ及び１９Ｂは、本開示の実施形態に係る発光素子の発光の一例を示す図である。同図は、発光素子アレイ４１０の発光の一例を表した図である。同図において、斜線ハッチングを付したレーザダイオード４１１は、発光状態のレーザダイオード４１１を表す。
図１９Ａ及び１９Ｂは、本開示の実施形態に係る発光素子の発光の一例を示す図である。同図は、発光素子アレイ４１０の発光の一例を表した図である。同図において、斜線ハッチングを付したレーザダイオード４１１は、発光状態のレーザダイオード４１１を表す。
【0090】
【0091】
（８．測距装置への適用例）
［測距装置の構成］
図２０は、本開示の実施形態に係る光源装置を適用可能な測距装置の構成例を示す図である。同図は、測距装置７００の構成例を表す図である。測距装置７００は、対象物との距離を測定する装置である。同図の測距装置７００は、物体７０１との間の距離を測定する例を表したものである。測距装置７００は、光源装置７１０と、光検出素子７２０と、測距部７３０と、制御部７４０とを備える。なお、同図の白抜きの矢印は、光の伝達を表す。同図において、測距装置７００の光源装置７１０から出射された出射光７０２が物体７０１により反射されて反射光７０３を生じる。この反射光７０３が測距装置７００に到達して光検出素子７２０により検出される。この出射光７０２の出射から反射光７０３の検出までの時間（飛行時間）を計時することにより、測距装置７００から物体７０１までの距離を測定することができる。
［測距装置の構成］
図２０は、本開示の実施形態に係る光源装置を適用可能な測距装置の構成例を示す図である。同図は、測距装置７００の構成例を表す図である。測距装置７００は、対象物との距離を測定する装置である。同図の測距装置７００は、物体７０１との間の距離を測定する例を表したものである。測距装置７００は、光源装置７１０と、光検出素子７２０と、測距部７３０と、制御部７４０とを備える。なお、同図の白抜きの矢印は、光の伝達を表す。同図において、測距装置７００の光源装置７１０から出射された出射光７０２が物体７０１により反射されて反射光７０３を生じる。この反射光７０３が測距装置７００に到達して光検出素子７２０により検出される。この出射光７０２の出射から反射光７０３の検出までの時間（飛行時間）を計時することにより、測距装置７００から物体７０１までの距離を測定することができる。
【0092】
光源装置７１０は、測距の対象物に光を照射するものである。なお、光源装置７１０には、上述の光源装置１０を適用することができる。
【0093】
光検出素子７２０は、入射光に応じた画像信号を生成する複数の画素を備えるものである。この光検出素子７２０は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型の撮像素子により構成することができる。光検出素子７２０は、出射光７０２の発光期間及び非発光期間に同期する期間に受光した反射光７０３の撮像を行い、画像信号を生成する。光検出素子７２０は、生成した画像信号を測距部７３０に対して出力する。
【0094】
測距部７３０は、物体７０１までの距離を測定するものである。この測距部７３０は、光検出素子７２０から出力される画像信号に基づいて上述の飛行時間の計時を行って距離を測定する。測距部７３０により計測された距離は、距離データとして測距装置７００の外部に出力される。
【0095】
制御部７４０は、測距装置７００の全体を制御するものである。例えば、制御部７４０は、光源装置７１０に対して光の出射を指示するとともに、光の出射開始を測距部７３０に対して通知する。この通知により、測距部７３０が飛行時間の計時を開始する。また、制御部７４０は、光検出素子７２０に対して画像信号の生成等の制御を行う。制御部７４０は、制御信号を出力することにより、光源装置７１０等の制御を行う。
【0096】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
【0097】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を有する光源装置。
（２）
前記発光電流調整部は、前記発光電流制御部における前記発光電流の値を調整することにより前記発光を調整する前記（１）に記載の光源装置。
（３）
前記電流制限素子は、ゲートを前記制御端子とするＭＯＳトランジスタにより構成され、
前記発光電流制御部は、前記複数の電流制限素子とカレントミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタを備えて当該ＭＯＳトランジスタのゲート電圧を前記電流制御信号として前記複数の電流制限素子に供給し、
前記発光電流調整部は、前記発光電流制御部における前記カレントミラー回路の参照電流を調整することにより前記発光電流の値を調整する
前記（２）に記載の光源装置。
（４）
前記発光電流調整部は、前記発光制御部における発光期間を調整することにより前記発光電流を調整する前記（１）に記載の光源装置。
（５）
前記複数の発光素子は、複数の領域に分割されて配置される前記（１）から（４）の何れかに記載の光源装置。
（６）
前記発光電流調整部は、複数の前記領域毎に前記発光電流を調整する前記（５）に記載の光源装置。
（７）
前記発光電流の過電流を所定の閾値に基づいて検出する過電流検出部と、
前記発光素子数に応じて前記閾値を調整する閾値調整部と
を更に有する前記（１）から（６）の何れかに記載の光源装置。
（８）
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を備える光源装置と、
前記光源装置から出射された光が対象物に反射された反射光を検出する光検出素子と、
前記光の出射から前記反射光の検出までの時間を測定することにより前記対象物までの距離を測定する測距部と
を有する測距装置。
（１）
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を有する光源装置。
（２）
前記発光電流調整部は、前記発光電流制御部における前記発光電流の値を調整することにより前記発光を調整する前記（１）に記載の光源装置。
（３）
前記電流制限素子は、ゲートを前記制御端子とするＭＯＳトランジスタにより構成され、
前記発光電流制御部は、前記複数の電流制限素子とカレントミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタを備えて当該ＭＯＳトランジスタのゲート電圧を前記電流制御信号として前記複数の電流制限素子に供給し、
前記発光電流調整部は、前記発光電流制御部における前記カレントミラー回路の参照電流を調整することにより前記発光電流の値を調整する
前記（２）に記載の光源装置。
（４）
前記発光電流調整部は、前記発光制御部における発光期間を調整することにより前記発光電流を調整する前記（１）に記載の光源装置。
（５）
前記複数の発光素子は、複数の領域に分割されて配置される前記（１）から（４）の何れかに記載の光源装置。
（６）
前記発光電流調整部は、複数の前記領域毎に前記発光電流を調整する前記（５）に記載の光源装置。
（７）
前記発光電流の過電流を所定の閾値に基づいて検出する過電流検出部と、
前記発光素子数に応じて前記閾値を調整する閾値調整部と
を更に有する前記（１）から（６）の何れかに記載の光源装置。
（８）
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子毎に直列に接続されて発光期間に発光電流を流す複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子を制御することにより前記複数の発光素子の発光を制御する発光制御部と、
前記複数の発光素子毎に配置されて発光素子に流れる電流を前記発光電流に制限する複数の電流制限素子と、
前記発光電流に応じた電流制御信号を前記複数の電流制限素子の制御端子に供給する発光電流制御部と、
前記複数の発光素子のうちの発光させる発光素子数に応じて前記発光電流を調整する発光電流調整部と
を備える光源装置と、
前記光源装置から出射された光が対象物に反射された反射光を検出する光検出素子と、
前記光の出射から前記反射光の検出までの時間を測定することにより前記対象物までの距離を測定する測距部と
を有する測距装置。
【符号の説明】
【0098】
１０ 光源装置
２０ 発光制御部
３０ 発光電流調整部
４０ 発光電流制御部
６０ 過電流検出部
１００、１５０ 領域
１０１～１０３、１５１～１５３ 発光素子
１１１～１１３、１１５～１１７、１６１～１６３ 電流制限素子
１２１～１２３、１２５～１２７、１７１～１７３ スイッチ素子
７００ 測距装置
７１０ 光源装置
７２０ 光検出素子
７３０ 測距部
２０ 発光制御部
３０ 発光電流調整部
４０ 発光電流制御部
６０ 過電流検出部
１００、１５０ 領域
１０１～１０３、１５１～１５３ 発光素子
１１１～１１３、１１５～１１７、１６１～１６３ 電流制限素子
１２１～１２３、１２５～１２７、１７１～１７３ スイッチ素子
７００ 測距装置
７１０ 光源装置
７２０ 光検出素子
７３０ 測距部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18A】
【図18B】
【図19A】
【図19B】
【図20】