特開 2024-29858 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024029858

(43)【公開日】2024-03-07

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/11 20060101AFI20240229BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20240229BHJP

【ＦＩ】

H05K1/11 N

H05K3/40 K

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022132282

(22)【出願日】2022-08-23

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】池田 大介

【テーマコード（参考）】

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB12

5E317CC13

5E317CC25

5E317CC32

5E317CC33

5E317GG03

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記絶縁層と前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第１導体層と前記第２導体層の少なくとも一方は、上に凸形状の上面を有する第１種導体回路を含み、前記第１種導体回路の前記上面と側面は絶縁性密着層で覆われている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されている第１導体層と、
前記絶縁層と前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第１導体層と前記第２導体層の少なくとも一方は、上に凸形状の上面を有する第１種導体回路を含み、
前記第１種導体回路の前記上面と側面は絶縁性密着層で覆われている。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層は、前記ビア導体の上方に形成されていて、下に凹形状の上面を有する第２種導体回路を含み、前記第２種導体回路の前記上面と側面は前記絶縁性密着層で覆われている。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層は、前記ビア導体の上方に形成されていて、上に凸形状の上面を有する第３種導体回路を含み、前記第３種導体回路の前記上面と側面は前記絶縁性密着層で覆われている。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記第１種導体回路を含み、前記第１種導体回路の下方には前記ビア導体が形成されていない。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１種導体回路の前記上面の突出量は０．５μｍ以上５μｍ以下であり、前記突出量は、前記第１種導体回路の前記上面の突出部分の開始地点に、前記第１種導体回路の下面と平行に引いた第１直線から上方に突出する量である。

【請求項6】

請求項２のプリント配線板であって、前記第２種導体回路の前記上面の凹み量は１μｍ以上１０μｍ以下であり、前記凹み量は、前記第２種導体回路の前記上面の上端部分に、前記第２種導体回路の下面と平行に引いた第２直線から下方に凹む量である。

【請求項7】

請求項３のプリント配線板であって、前記第３種導体回路の前記上面の突出量は０．５μｍ以上７μｍ以下であり、前記突出量は、前記第３種導体回路の前記上面の上端部分に、前記第３種導体回路の下面と平行に引いた第３直線から上方に突出する量である。

【請求項8】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層の表面と前記第２導体層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

【請求項9】

請求項１のプリント配線板であって、前記絶縁性密着層は、窒素系有機材料か、あるいは、シランカップリング剤を混合して形成されている。

【請求項10】

請求項１のプリント配線板であって、前記絶縁性密着層の厚みは、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

【請求項11】

請求項１のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記樹脂絶縁層中の前記無機粒子の量は７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、銅配線層と、銅配線層の表面を覆う窒化ケイ素製の密着層と、銅配線層上に形成されている樹脂絶縁層、とを有するプリント配線板を開示している。銅配線層の表面は粗化されていない。銅配線層と樹脂絶縁層は密着層を介して密着している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１２１３４８号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の技術では、例えば樹脂絶縁層内の無機フィラーの含有量が多い場合に銅配線層と樹脂絶縁層の密着性が不足すると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記絶縁層と前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第１導体層と前記第２導体層の少なくとも一方は、上に凸形状の上面を有する第１種導体回路を含み、前記第１種導体回路の前記上面と側面は絶縁性密着層で覆われている。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、第１導体層と第２導体層の少なくとも一方は上に凸形状の上面を有する第１種導体回路を含む。第１種導体回路の上面と側面の表面積は、上面が平坦な導体回路の表面積にくらべて大きい。絶縁性密着層を介して密着する第１種導体回路と樹脂絶縁層の面積が大きい。従って、実施形態のプリント配線板では、第１種導体回路と樹脂絶縁層の密着性が高い。第１種導体回路と樹脂絶縁層が剥がれにくい。高い品質を有するプリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4I】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5】改変例１のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図6】改変例１のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２と図３は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０と第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０を有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第１面６（図中の上面）と第１面６と反対側の第２面８（図中の下面）を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第１面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。信号配線１２の上面とパッド１４の上面は上方に凸形状に形成されている。信号配線１２とパッド１４の表面（上面と側面）は低粗度に形成されている。信号配線１２とパッド１４の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

【0011】

第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは第１面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成されている。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。シード層１０ａは、単層の無電解銅めっきで形成されてもよい。

【0012】

第１層１１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層１１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層１１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層１１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0013】

第１導体層１０の表面は第１表面と第２表面で形成される。第１表面は開口２６から露出していて、絶縁性密着層５０で覆われていない。第２表面は第１表面以外の部分であって、絶縁性密着層５０で覆われている。すなわち第１導体層１０の表面は、開口２６から露出する部分（第１表面）を除いて絶縁性密着層５０で覆われている。また、第１導体層１０から露出する絶縁層４の第１面６は絶縁性密着層５０で覆われている。

【0014】

絶縁性密着層５０は、ケイ素と窒素と酸素を含む。絶縁性密着層５０は窒化ケイ素層である。他の例では絶縁性密着層５０は窒化ケイ素と酸化ケイ素の混合層である。である。他の例では絶縁性密着層５０はシランカップリング剤を混合して形成されている。

【0015】

絶縁性密着層５０は、第１導体層１０と第２導体層３０を電気的に絶縁するとともに、第１導体層１０と第１樹脂絶縁層２０を密着させる機能を果たす。絶縁性密着層５０は均一密度及び均一組成を有している。窒化ケイ素と酸化ケイ素の化合物が均一に分布している。実施形態の絶縁性密着層５０はスパッタによって形成されるスパッタ膜である。絶縁性密着層５０の厚みは２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

【0016】

第１樹脂絶縁層２０は、絶縁性密着層５０を介し絶縁層４の第１面６と第１導体層１０上に形成されている。絶縁性密着層５０は第１導体層１０と第１樹脂絶縁層２０で挟まれている。第１樹脂絶縁層２０は第３面２２（図中の上面）と第３面２２と反対側の第４面２４（図中の下面）を有する。第１樹脂絶縁層２０の第４面２４は第１導体層１０と対向する。第１樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。第１樹脂絶縁層２０はエポキシ系樹脂とエポキシ系樹脂内に分散されている無機粒子で形成されている。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子は、例えば、シリカやアルミナである。第１樹脂絶縁層２０中の無機粒子の量は７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下である。

【0017】

第１樹脂絶縁層２０の第３面２２には無機粒子がほとんど露出しない。そのため第３面２２はほぼ平滑に形成されている。開口２６の内壁面は樹脂と無機粒子の平坦面で形成されている。内壁面は平滑に形成されている。無機粒子の平坦面は、球状の無機粒子を平面で切断することで得られる。

【0018】

第２導体層３０は第１樹脂絶縁層２０の第３面２２上に形成されている。第２導体層３０は信号配線３２とパッド３４とランド３６とを含む。図に示されていないが、第２導体層３０は信号配線３２とパッド３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。信号配線３２の上面とパッド３４の上面は上方に凸形状に形成されている。ランド３６の上面は下方に凹形状に形成されている。信号配線３２とパッド３４とランド３６の表面（上面と側面）は低粗度に形成されている。信号配線３２とパッド３４とランド３６の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

【0019】

第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第３面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第３面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金（銅合金）で形成されている。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第３面２２に接している。シード層３０ａは、単層の無電解銅めっきで形成されてもよい。

【0020】

第１層３１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層３１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層３１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層３１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0021】

第２導体層３０の表面は第３表面と第４表面で形成される。第３表面は開口１２６から露出していて、絶縁性密着層７０で覆われていない。第４表面は第３表面以外の部分であって、絶縁性密着層７０で覆われている。すなわち第２導体層３０の表面は、開口１２６から露出する部分（第３表面）を除いて絶縁性密着層７０で覆われている。また、第２導体層３０から露出する第１樹脂絶縁層２０の第３面２２は絶縁性密着層７０で覆われている。

【0022】

絶縁性密着層７０は、ケイ素と窒素と酸素を含む。絶縁性密着層７０は窒化ケイ素層である。他の例では絶縁性密着層７０は窒化ケイ素と酸化ケイ素の混合層である。他の例では絶縁性密着層７０はシランカップリング剤を混合して形成されている。

【0023】

絶縁性密着層７０は、第２導体層３０と第３導体層１３０を電気的に絶縁するとともに、第２導体層３０と第２樹脂絶縁層１２０を密着させる機能を果たす。絶縁性密着層７０は均一密度及び均一組成を有している。窒化ケイ素と酸化ケイ素の化合物が均一に分布している。実施形態の絶縁性密着層７０はスパッタによって形成されるスパッタ膜である。絶縁性密着層７０の厚みは２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

【0024】

第１ビア導体４０は開口２６内に形成されている。第１ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１では第１ビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。第１ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。第１ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。

【0025】

第２樹脂絶縁層１２０は第１樹脂絶縁層２０の第３面２２と第２導体層３０上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は第５面１２２（図中の上面）と第５面１２２と反対側の第６面１２４（図中の下面）を有する。第２樹脂絶縁層１２０の第６面１２４は第２導体層３０と対向する。第２樹脂絶縁層１２０はランド３６を露出する開口１２６を有している。第２樹脂絶縁層１２０はエポキシ系樹脂とエポキシ系樹脂内に分散されている無機粒子で形成されている。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子は、例えば、シリカやアルミナである。第２樹脂絶縁層１２０中の無機粒子の量は７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下である。

【0026】

第３導体層１３０は第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２上に形成されている。第３導体層１３０はランド１３２と信号配線１３４を含む。図に示されていないが、第３導体層１３０はランド１３２と信号配線１３４以外の導体回路も含んでいる。ランド１３２の上面は下方に凹形状に形成されている。ランド１３２の上面と信号配線１３４の上面は上方に凸形状に形成されている。ランド１３２と信号配線１３４の表面（上面と側面）は低粗度に形成されている。ランド１３２と信号配線１３４の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。改変例ではランド１３２と信号配線１３４の表面（上面と側面）は粗化されていてもよい。算術平均粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以上であってもよい。

【0027】

第３導体層１３０は主に銅によって形成される。第３導体層１３０は、第５面１２２上のシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。シード層１３０ａ、電解めっき層１３０ｂは第２導体層３０のシード層３０ａ、電解めっき層３０ｂと同様である。シード層１３０ａは第５面１２２上の第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂで形成されている。第１層１３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成されている。第２層１３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１３０ｂは銅で形成されている。シード層１３０ａは、単層の無電解銅めっきで形成されてもよい。

【0028】

第１層１３１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層１３１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層１３１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層１３１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0029】

第２ビア導体１４０は開口１２６内に形成されている。第２ビア導体１４０は第２導体層３０と第３導体層１３０を接続する。図１では第２ビア導体１４０はパッド３４とランド１３２を接続する。第２ビア導体１４０はシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第２ビア導体１４０を形成するシード層１３０ａと第３導体層１３０を形成するシード層１３０ａは共通である。

【0030】

上記の通り、信号配線１２とパッド１４と信号配線３２とパッド３４と信号配線１３４は、上方に凸形状の上面を有する。信号配線１２とパッド１４と信号配線３２とパッド３４と信号配線１３４の下方にはビア導体（図１の４０、１４０等）が形成されていない。図２は、信号配線３２と信号配線３２の表面（上面と側面）を覆う絶縁性密着層７０を示す。図２に示されるように、信号配線３２の上面は上方に突出する凸形状である。信号配線３２の上面の突出量Ｄ１は０．５μｍ以上５μｍ以下である。突出量Ｄ１は、信号配線３２の上面の突出部分の開始地点に、信号配線３２の下面と平行に引いた第１直線Ｌ１から上方に突出する量である。図２は信号配線３２の例を示しているが、パッド１４と信号配線３２とパッド３４と信号配線１３４の各上面も同様の形状を有する。パッド１４と信号配線３２とパッド３４と信号配線１３４の上面の突出量（図２のＤ１参照）も０．５μｍ以上５μｍ以下である。

【0031】

一方、ランド３６とランド１３２は、下方に凹形状の上面を有する。ランド３６は第１ビア導体４０の上方に形成されている。ランド１３２は第２ビア導体１４０の上方に形成されている。図３は、ランド３６とランド３６の表面（上面と側面）を覆う絶縁性密着層７０を示す。図３に示されるように、ランド３６の上面は下方に凹む凹形状である。ランド３６の上面のうち開口２６の上方は凹形状である。なおランド３６の上面のうち開口２６の周囲の上方は僅かに上に凸形状である。ランド３６の上面の凹み量Ｄ２は１μｍ以上１０μｍ以下である。凹み量Ｄ２は、ランド３６の上面の上端部分（開口２６の周囲の上方部分）に、ランド３６の下面と平行に引いた第２直線Ｌ２から下方に凹む量である。図３はランド３６の例を示しているが、ランド１３２の上面も同様の形状を有する。ランド１３２の上面の凹み量（図３のＤ２参照）も１μｍ以上１０μｍ以下である。

【0032】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図４Ａ～図４Ｉは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図４Ａ～図４Ｉは断面図である。図３Ａは絶縁層４と絶縁層４の第１面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタで形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。この時点で、信号配線１２の上面とパッド１４の上面は上方に凸形状を有する。

【0033】

図４Ｂに示されるように、第１導体層１０の表面と第１導体層１０から露出する絶縁層４の第１面６上に絶縁性密着層５０が形成される。絶縁性密着層５０はスパッタによって形成される。絶縁性密着層５０の厚みは２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。信号配線１２とパッド１４の表面が絶縁性密着層５０によって覆われる。

【0034】

図４Ｃに示されるように、絶縁性密着層５０で覆われている絶縁層４と第１導体層１０上に第１樹脂絶縁層２０と保護膜２００が形成される。第１樹脂絶縁層２０の第４面２４が絶縁性密着層５０を介して絶縁層４の第１面６と対向している。第１樹脂絶縁層２０の第３面２２上に保護膜２００が形成されている。

【0035】

保護膜２００は第１樹脂絶縁層２０の第３面２２を完全に覆っている。保護膜２００の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜２００と第１樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0036】

図４Ｄに示されるように、保護膜２００の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜２００と第１樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。パッド１４を覆う絶縁性密着層５０に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。レーザ光Ｌによっては絶縁性密着層５０が完全に除去されない。開口２６によりパッド１４を覆う絶縁性密着層５０が露出される。開口２６が形成される時、第３面２２は保護膜２００で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第３面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0037】

図４Ｅに示されるように、開口２６内が洗浄される。開口２６内を洗浄することにより開口２６から露出する絶縁性密着層５０が除去される。開口２６からパッド１４が露出する。開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。第１樹脂絶縁層２０の第４面２４とパッド１４の間に形成されている絶縁性密着層５０は除去されない。そのため、第１樹脂絶縁層２０の第４面２４とパッド１４の間に隙間が形成されない。プラズマにより、樹脂から突出している無機粒子が選択的に除去される。プラズマの影響で、開口２６の形成時に開口２６の内壁面から突出していた球状の無機粒子が平面で切断され、平坦部が形成される。この結果、開口２６の内壁面は、第１樹脂絶縁層２０を形成する樹脂と無機粒子の平坦部とによって平滑に形成される。一方、第１樹脂絶縁層２０の第３面２２は保護膜２００で覆われている。第３面２２はプラズマの影響を受けない。第１樹脂絶縁層２０の第３面２２には凹凸が形成されない。

【0038】

図４Ｆに示されるように、第１樹脂絶縁層２０から保護膜２００が除去される。保護膜２００除去後、第１樹脂絶縁層２０の第３面２２がクリーニングされる。第３面２２がドライエッチングされる。ドライエッチングはアルゴンガスを用いたスパッタリング（アルゴンスパッタリング）によって行われる。ドライエッチングにより第３面２２にわずかに無機粒子が露出する。第３面２２はほぼ平滑に形成されている。第１樹脂絶縁層２０の第３面２２を荒らすことは行われない。

【0039】

図４Ｇに示されるように、第１樹脂絶縁層２０の第３面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層３１ａが第３面２２上に形成される。同時に、開口２６から露出する内壁面とパッド１４上に第１層３１ａが形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂが形成される。シード層３０ａは開口２６から露出するパッド１４の上面と開口２６の内壁面にも形成される。第１層３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0040】

図４Ｈに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト２１０が形成される。めっきレジスト２１０は、信号配線３２とパッド３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。

【0041】

図４Ｉに示されるように、めっきレジスト２１０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第３面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、信号配線３２とパッド３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１ビア導体４０が形成される。第１ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。

【0042】

電解めっき層３０ｂの形成条件が調整されることによって、信号配線３２の上面とパッド３４の上面は上方に凸形状に形成される（図２参照）。信号配線３２とパッド３４の下方には開口２６が存在しない。そのため下方に開口２６が存在するランド３６に比べて電解めっきによって銅が高く形成されやすいためである。一方、ランド３６の上面は、下方に凹形状に形成される（図３参照）。ランド３６の下方には開口２６が存在する。電解めっき層３０ｂは開口２６から順に形成される。そのため、信号配線３２とパッド３４に比べて、銅が高く形成されにくいためである。

【0043】

その後、めっきレジスト２１０が除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。第２導体層３０と第１ビア導体４０は同時に形成される。

【0044】

その後、第２導体層３０と第３面２２上に、絶縁性密着層７０と第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０が形成される。絶縁性密着層７０と第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０は、第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０が形成された方法と同様の方法で形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0045】

実施形態のプリント配線板２では、第１導体層１０は上に凸形状の上面を有する信号配線１２とパッド１４を有する。第２導体層３０は上に凸形状の上面を有する信号配線３２とパッド３４とを有する。信号配線１２とパッド１４と信号配線３２とパッド３４の各表面積（上面と側面の総面積）は、上面が平坦な導体回路の表面積に比べて大きい。そのため、絶縁性密着層５０を介して密着する信号配線１２と第１樹脂絶縁層２０の面積及び絶縁性密着層５０を介して密着するパッド１４と第１樹脂絶縁層２０の面積が大きい。信号配線１２及びパッド１４と第１樹脂絶縁層２０の密着性が高い。特に、第１樹脂絶縁層２０中の無機粒子の量が多い（７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下）場合であっても信号配線１２及びパッド１４と第１樹脂絶縁層２０の密着性が高い。信号配線１２及びパッド１４と第１樹脂絶縁層２０が剥がれにくい。同様に、絶縁性密着層７０を介して密着する信号配線３２と第２樹脂絶縁層１２０の面積及び絶縁性密着層７０を介して密着するパッド３４と第２樹脂絶縁層１２０の面積が大きい。信号配線３２及びパッド３４と第２樹脂絶縁層１２０の密着性が高い。特に、第２樹脂絶縁層１２０中の無機粒子の量が多い（７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下）場合であっても信号配線３２及びパッド３４と第２樹脂絶縁層１２０の密着性が高い。信号配線３２及びパッド３４と第２樹脂絶縁層１２０が剥がれにくい。従って、高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0046】

実施形態のプリント配線板２では、さらに、第２導体層３０は下に凹形状の上面を有するランド３６を有する。ランド３６の表面積（上面と側面の総面積）は、上面が平坦な導体回路の表面積に比べて大きい。そのため、絶縁性密着層７０を介して密着するランド３６と第２樹脂絶縁層１２０の面積が大きい。ランド３６と第２樹脂絶縁層１２０の密着性が高い。特に、第２樹脂絶縁層１２０中の無機粒子の量が多い（７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下）場合であってもランド３６と第２樹脂絶縁層１２０の密着性が高い。ランド３６と第２樹脂絶縁層１２０が剥がれにくい。より高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0047】

信号配線１２とパッド１４と信号配線３２とパッド３４が「第１種導体回路」の一例である。ランド３６が「第２種導体回路」の一例である。

【0048】

［実施形態の改変例１］
図５は実施形態の改変例１を示す。図５に示されるように、改変例１のプリント配線板５０２では、ランド３６、１３２の上面は上に凸形状である。図６は、改変例１のランド３６とランド３６の表面（上面と側面）を覆う絶縁性密着層７０を示す。図６に示されるように、ランド３６の上面は上方に突出する凸形状である。ランド３６の上面の突出量Ｄ３は０．５μｍ以上７μｍ以下である。突出量Ｄ３は、ランド３６の上面の突出部分の開始地点に、ランド３６の下面と平行に引いた第３直線Ｌ３から上方に突出する量である。図６はランド３６の例を示しているが、ランド１３２の上面も同様の形状を有する。ランド１３２の上面の突出量（図６のＤ３参照）も０．５μｍ以上７μｍ以下である。

【0049】

電解めっき層３０ｂの形成条件が調整されることによって、ランド３６の上面は上方に凸形状に形成される（図６参照）。ランド３６の下方には開口２６が存在するが、電解めっき層３０ｂを多めに形成させることで、ランド３６の上面を上方に凸形状に形成することができる。

【0050】

改変例１のプリント配線板５０２では、第２導体層３０は上に凸形状の上面を有するランド３６を有する。ランド３６の表面積（上面と側面の総面積）は、上面が平坦な導体回路の表面積に比べて大きい。そのため、絶縁性密着層７０を介して密着するランド３６と第２樹脂絶縁層１２０の面積が大きい。ランド３６と第２樹脂絶縁層１２０の密着性が高い。特に、第２樹脂絶縁層１２０中の無機粒子の量が多い（７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下）場合であってもランド３６と第２樹脂絶縁層１２０の密着性が高い。ランド３６と第２樹脂絶縁層１２０が剥がれにくい。従って、高い品質を有するプリント配線板５０２が提供される。改変例１のランド３６が「第３種導体回路」の一例である。

【0051】

［改変例１の別例］
改変例１の別例では、第２導体層３０は、上に凸形状の上面を有するランド（図３参照）と、下に凹形状の上面を有するランド（図６参照）を両方有している。さらに他の例では、上に凸形状の上面を有するランド（図３参照）と、下に凹形状の上面を有するランド（図６参照）が複数の導体層内に亘って存在していてもよい。

【0052】

［実施形態の改変例２］
改変例２のプリント配線板２では、絶縁性密着層５０、７０は有機製の材料で形成されている。有機製の材料は窒素系有機化合物（窒素系有機材料）である。窒素系有機化合物は例えばテトラゾール化合物である。窒素系有機化合物の例は特開２０１５－５４９８７号公報に開示されている。改変例２では、絶縁性密着層５０は第１導体層１０から露出する絶縁層４の第１面６を覆っていない。絶縁性密着層７０は第２導体層３０から露出する第１樹脂絶縁層２０の第３面２２を覆っていない。

【0053】

絶縁性密着層５０は、第１導体層１０が形成されている途中基板を窒素系有機化合物を含む薬液に浸漬することによって形成される。薬液のｐｈは７以下である。途中基板が薬液に浸漬される前に第１導体層１０の上面と側面の酸化膜が除去される。他の例では絶縁性密着層５０は、第１導体層１０上に薬液を塗布することによって形成される。同様に、絶縁性密着層７０は、第２導体層３０が形成されている途中基板を窒素系有機化合物を含む薬液に浸漬することによって形成される。薬液のｐｈは７以下である。途中基板が薬液に浸漬される前に第２導体層３０の上面と側面の酸化膜が除去される。他の例では絶縁性密着層５０は、第１導体層１０上に薬液を塗布することによって形成される。

【0054】

［実施形態の改変例３］
改変例３のプリント配線板２では、第１導体層１０のシード層１０ａと第２導体層３０のシード層３０ａは無電解めっき膜である。シード層１０ａ、３０ａは１つの層で形成されている。

【0055】

［実施形態の改変例４］
改変例４のプリント配線板２では、第１導体層１０は上に凸形状の上面を有する信号配線１２とパッド１４を有し、第２導体層３０は上に凸形状の上面を有する導体回路を有さない。改変例４の別例では、第２導体層３０は上に凸形状の上面を有する信号配線３２とパッド３４とを有し、第１導体層１０は上に凸形状の上面を有する導体回路を有さない。

【符号の説明】

【0056】

２：プリント配線板
４：絶縁層
１０：第１導体層
１２：信号配線
１４：パッド
２０：第１樹脂絶縁層
２６：開口
３０：第２導体層
３２：信号配線
３４：パッド
３６：ランド
４０：第１ビア導体
５０：絶縁性密着層
７０：絶縁性密着層
１２０：第２樹脂絶縁層
１２６：開口
１３０：第３導体層
１３２：ランド
１３４：信号配線
１４０：第２ビア導体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図5】

【図6】