特開 2024-29939 高電圧貫通型コンデンサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024029939

(43)【公開日】2024-03-07

(54)【発明の名称】高電圧貫通型コンデンサ

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/35 20060101AFI20240229BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20240229BHJP

   H01G 4/228 20060101ALI20240229BHJP

   H01G 2/10 20060101ALI20240229BHJP

【ＦＩ】

H01G4/35 301

H01G4/30 550

H01G4/35 341

H01G4/228 K

H01G2/10 300

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022132421

(22)【出願日】2022-08-23

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】加茂 雄大

(72)【発明者】

【氏名】田中 寿

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB01

5E001AC05

5E001AD05

5E001AG01

5E082AB06

5E082BC35

5E082CC09

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG13

5E082FG26

5E082FG52

5E082GG04

5E082HH02

5E082HH28

5E082HH47

5E082KK06

(57)【要約】

【課題】信頼性を向上する高電圧貫通型コンデンサを提供する。
【解決手段】高電圧貫通型コンデンサＨＣ１は、互いに対向している第一主面１０ａと第二主面１０ｂとを有していると共に、第一主面１０ａと第二主面１０ｂとに開口している貫通孔１５，１６が形成されている素体１０と、第一主面１０ａに配置されている第一電極１１と、第二主面１０ｂに配置されている第二電極１２と、貫通孔１５，１６に挿通されていると共に、第一電極１１に電気的に接続されている貫通導体３０，４０と、を備える。第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の開口面積は、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６の開口面積よりも大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向している第一主面と第二主面とを有していると共に、前記第一主面と前記第二主面とに開口している貫通孔が形成されている素体と、
前記第一主面に配置されている第一電極と、
前記第二主面に配置されている第二電極と、
前記貫通孔に挿通されていると共に、前記第一電極に電気的に接続されている貫通導体と、を備え、
前記第二主面における前記貫通孔の開口面積は、前記第一主面における前記貫通孔の開口面積よりも大きい、
高電圧貫通型コンデンサ。

【請求項2】

前記貫通孔は、前記貫通孔のサイズが拡大された拡大部を前記第二主面側の端部に有している、
請求項１に記載の高電圧貫通型コンデンサ。

【請求項3】

前記拡大部は、前記第二主面に向かうにつれて前記貫通孔のサイズが拡大されたテーパ形状を呈している、
請求項２に記載の高電圧貫通型コンデンサ。

【請求項4】

前記拡大部の内面と第二主面とがなす角度は、９０度以上１３５度以下である、
請求項２に記載の高電圧貫通型コンデンサ。

【請求項5】

前記貫通導体の周りを囲むように、前記貫通孔内に充填されている樹脂を更に備える、
請求項１～４のいずれか一項に記載の高電圧貫通型コンデンサ。

【請求項6】

前記第二主面における前記貫通孔の開口面積は、前記第一主面における前記貫通孔の開口面積の１．１倍以上９倍以下である、
請求項１～４のいずれか一項に記載の高電圧貫通型コンデンサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、高電圧貫通型コンデンサに関する。

【背景技術】

【0002】

知られている高電圧貫通型コンデンサは、素体と、第一電極と、第二電極と、貫通導体と、を備えている（たとえば、特許文献１参照）。素体には、貫通孔が形成されている。第一電極及び第二電極は、貫通孔が開口する素体の両面に設けられている。貫通導体は、貫通孔に挿通されていると共に、第一電極に電気的に接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００１－３５１８３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の一つの態様は、信頼性を向上する高電圧貫通型コンデンサを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一つの態様に係る高電圧貫通型コンデンサは、互いに対向している第一主面と第二主面とを有していると共に、第一主面と第二主面とに開口している貫通孔が形成されている素体と、第一主面に配置されている第一電極と、第二主面に配置されている第二電極と、貫通孔に挿通されていると共に、第一電極に電気的に接続されている貫通導体と、を備え、第二主面における貫通孔の開口面積は、第一主面における貫通孔の開口面積よりも大きい。

【0006】

本発明者らは、信頼性を向上する高電圧貫通型コンデンサについて、調査研究を行った。この結果、本発明者らは、以下の事項を新たに見出した。
第二電極と貫通導体との二つの導体間に形成される電界の強度は、高電圧貫通型コンデンサの信頼性に影響を与える。以下、第二電極と貫通導体との間に形成される電界の強度は、単に「導体間電界強度」と称されることがある。導体間電界強度が高い高電圧貫通型コンデンサでは、絶縁破壊が生じやすい。絶縁破壊は、たとえば、貫通孔を画成する素体の内面に沿う放電により生じる。したがって、導体間電界強度を低下させる構成が採用された高電圧貫通型コンデンサでは、絶縁破壊が生じがたい。すなわち、導体間電界強度を低下させる構成が採用された高電圧貫通型コンデンサは、信頼性を向上する。

【0007】

本発明者らは、導体間電界強度を低下させる構成について、調査研究を行った。この結果、本発明者らは、第二主面における貫通孔の開口面積が第一主面における貫通孔の開口面積よりも大きい構成は、第二電極と貫通導体との間の距離を長くする結果、導体間電界強度を低下させることを見出した。

【0008】

上記一つの態様では、貫通孔は、貫通孔のサイズが拡大された拡大部を第二主面側の端部に有していてもよい。この場合、拡大部により、貫通孔の第二主面における開口面積を、貫通孔の第一主面における開口面積よりも大きくすることができる。

【0009】

上記一つの態様では、拡大部は、第二主面に向かうにつれて貫通孔のサイズが拡大されたテーパ形状を呈していてもよい。この場合、拡大部がテーパ形状を呈していない構成に比べて、素体の体積が貫通孔により減少することを抑制しながら、第二電極と貫通導体との間の距離を長くすることができる。よって、コンデンサの性能を維持しながら、導体間電界強度をより低下させることができる。

【0010】

上記一つの態様では、拡大部の内面と第二主面とがなす角度は、９０度以上１３５度以下であってもよい。この場合、導体間電界強度を効果的に低下させることができる。

【0011】

上記一つの態様に係る高電圧貫通型コンデンサは、貫通導体の周りを囲むように、貫通孔内に充填されている樹脂を更に備えてもよい。この場合、第二電極と貫通導体との間の絶縁性を高めることができる。

【0012】

上記一つの態様では、第二主面における貫通孔の開口面積は、第一主面における貫通孔の開口面積の１．１倍以上９倍以下であってもよい。この場合、導体間電界強度を効果的に低下させることができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明の一つの態様は、信頼性を向上する高電圧貫通型コンデンサを提供する。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、一実施形態に係る高電圧貫通型コンデンサを示す分解斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態に係る高電圧貫通型コンデンサの断面構成を示す図である。

【図3】図３は、素体の断面構成を示す図である。

【図4】図４は、図２のIV-IV線に沿う断面図である。

【図5】図５は、変形例に係る素体の断面構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0016】

図１から図４を参照して、本実施形態に係る高電圧貫通型コンデンサＨＣ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る高電圧貫通型コンデンサを示す分解斜視図である。図２は、本実施形態に係る高電圧貫通型コンデンサの断面構成を示す図である。図３は、素体の断面構成を示す図である。図４は、図２のIV-IV線に沿う断面図である。

【0017】

図１及び図２に示されるように、高電圧貫通型コンデンサＨＣ１は、素体１０と、第一電極１１と、第二電極１２と、接地金具２０と、複数の貫通導体３０，４０と、複数の電極接続体３１，４１と、複数の絶縁チューブ３７，４７と、絶縁ケース５０と、絶縁カバー６０と、樹脂７０と、樹脂８０と、を備える。本実施形態では、高電圧貫通型コンデンサＨＣ１は、二つの貫通導体３０，４０と、二つの電極接続体３１，４１と、二つの絶縁チューブ３７，４７とを備える。

【0018】

図１及び図３に示されるように、素体１０は、互いに対向している第一主面１０ａと第二主面１０ｂとを有している。本実施形態では、第一主面１０ａと第二主面１０ｂとは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。第一主面１０ａ及び第二主面１０ｂは、素体１０の第一方向Ｄ１での両端面を規定している。素体１０は、側壁面１０ｃを有している。側壁面１０ｃは、第一主面１０ａ及び第二主面１０ｂを互いに連結するように第一方向Ｄ１に延在している。側壁面１０ｃは、第一方向Ｄ１から見て、素体１０の外周を画成している。本明細書では、第二主面１０ｂから第一主面１０ａに向かう方向が上方向であり、第一主面１０ａは、第二主面１０ｂより上方に位置している。

【0019】

素体１０は、たとえば、絶縁材料からなる。素体１０は、たとえば、セラミックを含む。セラミックは、たとえば、ＢａＴｉО_３、ＢａＺｒＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、又はＭｇＴｉＯ_３を含む。素体１０は、セラミックに添加される添加物を含んでいてもよい。添加物は、たとえば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｙ、Ｖ、Ａｌ、又はＭｎを含む。

【0020】

図１及び図２に示されるように、第一電極１１は第一主面１０ａ上に配置されており、第二電極１２は、第二主面１０ｂ上に配置されている。第一電極１１と第二電極１２とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。素体１０は、第一電極１１と第二電極１２との間に位置している。したがって、第一電極１１と第二電極１２とは、素体１０が第一電極１１と第二電極１２との間に位置している状態で、第一方向Ｄ１で互いに間接的に対向している。第一電極１１は、一対の導体１３，１４を有している。導体１３，１４は、第一主面１０ａ上に配置されている。導体１３，１４は、第一主面１０ａ上で互いに離間している。本実施形態では、導体１３，１４は第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２で互いに離間している。導体１３，１４のそれぞれは、第二電極１２と、第一方向Ｄ１で互いに対向している。

【0021】

第一電極１１及び第二電極１２は、導電性金属材料を含む。導電性金属材料は、たとえば、Ａｇを含む。第一電極１１及び第二電極１２は、導電性金属材料と共に磁性材料を含んでいてもよい。磁性材料は、たとえば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、若しくはＳｒ、又は、それらの組み合わせである。第一電極１１及び第二電極１２は、たとえば、第一主面１０ａ及び第二主面１０ｂに付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成される。第一電極１１及び第二電極１２を形成するための導電性ペーストは、上記導電性金属材料を含む。

【0022】

図１～図４に示されるように、素体１０には、複数の貫通孔１５，１６が形成されている。本実施形態では、素体１０には、二つの貫通孔１５，１６が形成されている。二つの貫通孔１５，１６は、互いに同じ形状を呈している。素体１０は、貫通孔１５を画成する内面１５ａと貫通孔１６を画成する内面１６ａとを有している。貫通孔１５は、第一主面１０ａと第二主面１０ｂとに開口している。貫通孔１５は、第一主面１０ａから第二主面１０ｂまで貫通している。貫通孔１５は、第一方向Ｄ１において素体１０を貫通している。貫通孔１６は、第一主面１０ａと第二主面１０ｂとに開口している。貫通孔１６は、第一主面１０ａから第二主面１０ｂまで貫通している。貫通孔１６は、第一方向Ｄ１において素体１０を貫通している。

【0023】

第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の開口面積は、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６の開口面積よりも大きい。第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の開口面積は、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６の開口面積の１．１倍以上９倍以下である。開口面積が大きくなるほど、電極間距離を長くとり、導体間電界強度を低下させることができる。貫通孔１５，１６のサイズは、第一方向Ｄ１の位置によって異なる。第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６のサイズは、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６のサイズよりも大きい。ここで、貫通孔１５，１６のサイズは、貫通孔１５，１６の内側又は内周のサイズである。貫通孔１５，１６のサイズは、例えば、第一方向Ｄ１に直交する断面における貫通孔１５，１６の面積であってもよいし、第一方向Ｄ１に直交する断面における貫通孔１５，１６の最大長さであってもよい。

【0024】

本実施形態では、第一方向Ｄ１に直交する断面において、貫通孔１５，１６は、円形状を呈している。第一方向Ｄ１に直交する断面における貫通孔１５，１６の最大長さは、たとえば、第一方向Ｄ１に直交する断面における貫通孔１５，１６の内径である。第一方向Ｄ１に直交する断面において、貫通孔１５，１６は円形状以外の形状を呈していてもよい。第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の最大長さｄ２は、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６の最大長さｄ１よりも長い。最大長さｄ２は、最大長さｄ１の１．１倍以上３倍以下である。最大長さｄ１は、たとえば５ｍｍである。最大長さｄ２は、たとえば７ｍｍである。

【0025】

貫通孔１５，１６は、貫通孔１５，１６のサイズが拡大された拡大部１５ｂ，１６ｂを第二主面１０ｂ側の端部に有している。拡大部１５ｂ，１６ｂは、第二主面１０ｂに向かうにつれて貫通孔１５，１６のサイズが拡大されたテーパ形状を呈している。拡大部１５ｂ，１６ｂの内面１５ａ，１６ａは、テーパ面であり、第一方向Ｄ１に対して傾斜している。内面１５ａ，１６ａと第二主面１０ｂとがなす角度θは、９０度以上１３５度以下である。拡大部１５ｂ，１６ｂがテーパ形状を呈している場合、角度θは、９０度よりも大きく１３５度以下である。

【0026】

素体１０には、溝１７が形成されている。本実施形態では、溝１７は、第一主面１０ａに直交する方向（第一方向Ｄ１）から見て、導体１３と導体１４との間に位置するように、素体１０に形成されている。導体１３と導体１４とは、溝１７で隔てられている。溝１７には、電極は形成されていない。素体１０は、溝１７を画成する壁面１７ａを有している。溝１７は、第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２に交差する第三方向Ｄ３に延在している。溝１７は、第一主面１０ａの第三方向Ｄ３での両端に達している。本実施形態では、第一方向Ｄ１、第二方向Ｄ２、及び第三方向Ｄ３は、互いに直交している。

【0027】

素体１０の厚さ（素体１０の第一方向Ｄ１の長さ）Ｔは、たとえば３ｍｍ以上１５ｍｍ以下である。素体１０の長さ（素体１０の第二方向Ｄ２の長さ）Ｌは、たとえば１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。素体１０の幅（素体１０の第三方向Ｄ３の長さ）Ｗは、たとえば５ｍｍ以上１５ｍｍ以下である。一例として、厚さＴは４．６ｍｍ以上７ｍｍ以下、長さＬは１８ｍｍ、幅Ｗは８ｍｍであってもよい。他の一例として、厚さＴは１０ｍｍ、長さＬは２８ｍｍ、幅Ｗは１２．２ｍｍであってもよい。拡大部１５ｂ，１６ｂの厚さ（拡大部１５ｂ，１６ｂの第一方向Ｄ１の長さ）ｔは、厚さＴよりも薄く、たとえば厚さＴの０．１倍以上０．５倍以下である。

【0028】

接地金具２０は、第二電極１２に電気的に接続されている。接地金具２０は、素体１０を支持している。図１に示されるように、接地金具２０は、突起部２１と、周辺部２２とを有している。周辺部２２は、突起部２１を囲んでいる。突起部２１は、第二方向Ｄ２から見て、周辺部２２から素体１０に向かって突出している。突起部２１には、開口２３が形成されている。開口２３は、第一方向Ｄ１で、突起部２１を貫通している。本実施形態では、開口２３は、第一方向Ｄ１から見て、突起部２１の中央領域に位置している。接地金具２０は、第一方向Ｄ１から見て、矩形状を呈している。矩形状は、角が丸められている形状及び角が取られている形状を含む。接地金具２０は、矩形状以外の形状を呈していてもよい。
接地金具２０は、導電性金属材料を含む。導電性金属材料は、たとえば、Ｆｅ、Ｃｕ、又はＣｕ－Ｚｎ合金を含む。

【0029】

素体１０は、第二電極１２が接地金具２０に電気的に接続されるように配置されている。本実施形態では、素体１０は、突起部２１が第二電極１２と接するように、接地金具２０によって支持されている。接地金具２０は、接地されている。突起部２１と第二電極１２とは、はんだを介して接続される。

【0030】

図１～図４に示されるように、貫通導体３０は、貫通孔１５に挿通されている。貫通導体３０は、第一電極１１に電気的に接続されている。貫通導体３０は、貫通孔１５内に位置している部分３２と、第二主面１０ｂから突出している部分３３と、タブ部３４と、かしめ３５とを有している。部分３２は、内面１５ａから離間している。本実施形態では、部分３２と部分３３とは一体に形成されている。部分３２及び部分３３は、導電体からなり、第一方向Ｄ１から見て、円柱形状を呈している。部分３２の外径は、貫通孔１５の内面１５ａに接しない大きさに設定されている。部分３２及び部分３３は、円柱形状以外を呈していてもよい。タブ部３４は、タブ接続子として機能する。かしめ３５は、部分３２及び部分３３とタブ部３４とを電気的かつ物理的に接続する。

【0031】

貫通導体３０は、導体１３に電気的に接続されている。貫通導体３０では、部分３２及び部分３３は、電極接続体３１、貫通孔１５及び開口２３に挿通されている。電極接続体３１は、タブ部３４及びかしめ３５と、導体１３とを電気的に接続している。貫通導体３０は、たとえば、導電性金属材料からなる。導電性金属材料は、たとえば、Ｆｅ、Ｃｕ、又はＣｕ－Ｚｎ合金を含む。

【0032】

貫通導体４０は、貫通孔１６に挿通されている。貫通導体４０は、第一電極１１に電気的に接続されている。貫通導体４０は、貫通孔１６内に位置している部分４２と、第二主面１０ｂから突出している部分４３と、タブ部４４と、かしめ４５とを有している。部分４２は、内面１６ａから離間している。本実施形態では、部分４２と部分４３とは一体に形成されている。部分４２及び部分４３は、導電体からなり、第一方向Ｄ１から見て、円柱形状を呈している。部分４２の外径は、貫通孔１６の内面１６ａと接しない大きさに設定されている。部分４２及び部分４３は、円柱形状以外を呈していてもよい。タブ部４４は、タブ接続子として機能する。かしめ４５は、部分４２及び部分４３とタブ部４４とを電気的かつ物理的に接続する。

【0033】

貫通導体４０は、導体１４に電気的に接続されている。貫通導体４０では、部分４２及び部分４３は、電極接続体４１、貫通孔１６及び開口２３に挿通されている。電極接続体４１は、タブ部４４及びかしめ４５と、導体１４とを電気的に接続している。貫通導体４０は、たとえば、導電性金属材料からなる。導電性金属材料は、たとえば、Ｆｅ、Ｃｕ、又はＣｕ－Ｚｎ合金を含む。

【0034】

絶縁チューブ３７は、貫通導体３０を覆っていると共に、電気絶縁性を有する。絶縁チューブ３７は、部分３２及び部分３３を覆っている。本実施形態では、絶縁チューブ３７は、部分３２の全体及び部分３３の一部を覆っている。絶縁チューブ３７に覆われた領域、すなわち、部分３２の全体及び部分３３の一部が貫通孔１５及び開口２３に挿通されている。
絶縁チューブ４７は、貫通導体４０を覆っていると共に、電気絶縁性を有する。絶縁チューブ４７は、部分４２及び部分４３を覆っている。本実施形態では、絶縁チューブ４７は、部分４２の全体及び部分４３の一部を覆っている。絶縁チューブ４７に覆われた領域、すなわち、部分４２の全体及び部分４３の一部が貫通孔１６及び開口２３に挿通されている。
各絶縁チューブ３７，４７は、絶縁性ゴムを含む。絶縁性ゴムは、たとえば、シリコーンゴムを含む。

【0035】

絶縁ケース５０は、中空の筒状を呈している。絶縁ケース５０は、中空の筒状以外を呈していてもよい。絶縁ケース５０は、素体１０と、第一電極１１と、第二電極１２とを内部に収容している。本実施形態では、絶縁ケース５０は、素体１０の全体と、第一電極１１の全体と、第二電極１２の全体と、接地金具２０の一部と、絶縁カバー６０の一部とを内部に収容している。絶縁ケース５０は、絶縁カバー６０より上方に配置されている。絶縁ケース５０は、素体１０を囲むように配置されている。本実施形態では、絶縁ケース５０は、素体１０、第一電極１１、第二電極１２、突起部２１、電極接続体３１，４１、部分３２，４２、タブ部３４，４４、及びかしめ３５，４５を囲むように配置されている。絶縁ケース５０は、接地金具２０に物理的に接続されている。絶縁ケース５０は、絶縁ケース５０の内側面のうち下端部に位置する面が突起部２１の外側面に接するように、接地金具２０に接続されている。絶縁ケース５０の下端面は、周辺部２２の上面に接している。

【0036】

絶縁カバー６０は、中空の筒状を呈している。絶縁カバー６０は、中空の筒状以外を呈していてもよい。絶縁カバー６０は、部分３３及び部分４３を囲むように配置されている。本実施形態では、絶縁カバー６０は、部分３３，４３、及び絶縁チューブ３７，４７を囲むように配置されている。絶縁カバー６０は、接地金具２０に物理的に接続されている。第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３から見て、絶縁カバー６０は、絶縁カバー６０の外側面のうち上端部に位置する面が突起部２１の内側面に接するように、接地金具２０に接続されている。

【0037】

絶縁ケース５０及び絶縁カバー６０は、絶縁材料を含む。絶縁材料は、たとえば、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、又は変性メラミンを含む。絶縁材料には、無機物が含まれていてもよい。無機物は、たとえば、ガラス粉及びセラミック粉を含む。ガラス粉は、たとえば、工業用ガラス粉を含む。セラミック粉は、たとえば、ＳｉＯ_２粉、Ａｌ_２Ｏ_３粉、タルク（Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、若しくは窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、又は、これらの混合物を含む。

【0038】

図２に示されるように、樹脂７０は、絶縁ケース５０の内側に充填されている。本実施形態では、樹脂７０は、素体１０を覆うように、絶縁ケース５０の内側に充填されている。樹脂７０は、絶縁ケース５０と、素体１０、突起部２１、電極接続体３１，４１、タブ部３４，４４、及びかしめ３５，４５との間に配置されている。樹脂７０は、絶縁ケース５０と、突起部２１、素体１０、電極接続体３１，４１、タブ部３４，４４、及びかしめ３５，４５との間を埋めている。樹脂７０は、素体１０、第一電極１１、接地金具２０、電極接続体３１，４１、貫通導体３０，４０、及び絶縁ケース５０に接している。本実施形態では、樹脂７０は、側壁面１０ｃ、壁面１７ａ、第一電極１１、突起部２１、電極接続体３１，４１、タブ部３４，４４、かしめ３５，４５、及び絶縁ケース５０に接している。樹脂７０の上端縁は、かしめ３５，４５が埋まるような高さに達しており、樹脂７０の下端縁は、突起部２１に達している。樹脂７０の上端縁は樹脂７０の第一方向Ｄ１での両端縁のうち上方に位置する端縁を示し、樹脂７０の下端縁は樹脂７０の第一方向Ｄ１での両端縁のうち下方に位置する端縁を示す。

【0039】

樹脂８０は、絶縁カバー６０の内側に充填されている。樹脂８０は、貫通導体３０の周りを囲むように、貫通孔１５の内側に充填されている。樹脂８０は、貫通導体４０の周りを囲むように、貫通孔１６の内側に充填されている。本実施形態では、樹脂８０は、内面１５ａと部分３２との間の空間及び内面１６ａと部分４２との間の空間に達するように、絶縁カバー６０の内側に充填されている。樹脂８０は、内面１５ａと絶縁チューブ３７との間の空間及び内面１６ａと絶縁チューブ４７との間の空間に達するように充填されている。樹脂８０は、絶縁カバー６０と、突起部２１、内面１５ａ，１６ａ、及び絶縁チューブ３７，４７との間を埋めている。樹脂８０は、素体１０、第二電極１２、接地金具２０、絶縁チューブ３７，４７、及び絶縁カバー６０に接している。本実施形態では、樹脂８０は、内面１５ａ，１６ａ、第二電極１２、突起部２１、絶縁チューブ３７，４７、及び絶縁カバー６０に接している。絶縁チューブ３７のうち樹脂８０に接している部分は、貫通孔１５内に少なくとも位置している。絶縁チューブ４７のうち樹脂８０に接している部分は、貫通孔１６内に少なくとも位置している。樹脂８０の上端縁は、電極接続体３１，４１の下面に達しており、樹脂８０の下端縁は、周辺部２２の下面より下方に位置している。樹脂８０の上端縁は樹脂８０の第一方向Ｄ１での両端縁のうち上方に位置する端縁を示し、樹脂８０の下端縁は樹脂７０の第一方向Ｄ１での両端縁のうち下方に位置する端縁を示す。

【0040】

樹脂７０及び樹脂８０は、絶縁材料を含む。絶縁材料は、たとえば、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、又はシリコーン樹脂を含む。樹脂７０及び樹脂８０は、互いに異なる絶縁材料を含んでいてもよい。本実施形態では、樹脂７０及び樹脂８０は、エポキシ樹脂を含んでいる。

【0041】

以上説明したように、高電圧貫通型コンデンサＨＣ１では、第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の開口面積は、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６の開口面積よりも大きい。これにより、第二電極１２と貫通導体３０，４０との間の距離が長くなる結果、導体間電界強度が低下する。したがって、高電圧貫通型コンデンサＨＣ１では、絶縁破壊が生じがたい。すなわち、高電圧貫通型コンデンサＨＣ１によれば、信頼性を向上することができる。第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の開口面積は、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６の開口面積の１．１倍以上９倍以下である。これにより、導体間電界強度を効果的に低下させることができる。

【0042】

貫通孔１５，１６は、貫通孔１５，１６のサイズが拡大された拡大部１５ｂ，１６ｂを第二主面１０ｂ側の端部に有している。このため、拡大部１５ｂ，１６ｂにより、貫通孔１５，１６の第二主面１０ｂにおける開口面積を、貫通孔１５，１６の第一主面１０ａにおける開口面積よりも大きくすることができる。

【0043】

拡大部１５ｂ，１６ｂは、第二主面１０ｂに向かうにつれて貫通孔１５，１６のサイズが拡大されたテーパ形状を呈している。このため、拡大部１５ｂ，１６ｂがテーパ形状を呈していない構成に比べて、素体１０の体積が貫通孔１５，１６により減少することを抑制しながら、第二電極１２と貫通導体３０，４０との間の距離を長くすることができる。よって、コンデンサの性能を維持しながら、導体間電界強度をより低下させることができる。

【0044】

本発明者らの調査研究によれば、拡大部１５ｂ，１６ｂの内面１５ａ，１６ａと第二主面１０ｂとがなす角度θを鈍角とすることにより、導体間電界強度を効果的に低下させることができる。角度θを９０度よりも大きくすることにより、電極間距離を長くとり、導体間電界強度を低下させることができる。したがって、第二電極１２の端部における電界集中を防ぐことができる。この結果、部分放電の抑制が期待できる。角度θを１３５度よりも大きくすると、第二電極１２の面積を十分に確保できない。高電圧貫通型コンデンサＨＣ１では、角度θは、９０度よりも大きく、１３５度以下である。

【0045】

高電圧貫通型コンデンサＨＣ１は、貫通導体３０，４０の周りを囲むように、貫通孔１５，１６内に充填されている樹脂８０を更に備える。このため、第二電極１２と貫通導体３０，４０との間の絶縁性を高めることができる。これにより、第二電極１２と貫通導体３０，４０との間の放電が抑制される。よって、高電圧貫通型コンデンサＨＣ１では、貫通孔１５，１６の内面１５ａ，１６ａに沿う放電が絶縁破壊の主要因となる。樹脂８０によれば、第二電極１２及び貫通導体３０，４０に耐湿性を付与することもできる。

【0046】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

【0047】

図５は、変形例に係る素体の断面構成を示す図である。図５に示されるように、変形例に係る素体１０Ａでは、拡大部１５ｂ，１６ｂがテーパ形状を呈していない点で、素体１０（図３参照）と相違している。拡大部１５ｂ，１６ｂでは、貫通孔１５，１６のサイズ及び形状は、第一方向Ｄ１の位置によって変化せず、一定である。すなわち、拡大部１５ｂ，１６ｂでは、第一方向Ｄ１に直交する断面における貫通孔１５，１６の面積は、第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の開口面積と同じである。拡大部１５ｂ，１６ｂでは、第一方向Ｄ１に直交する断面における貫通孔１５，１６の最大長さは、最大長さｄ２と同じである。高電圧貫通型コンデンサＨＣ１が変形例に係る素体１０Ａを備える場合であっても、第二主面１０ｂにおける貫通孔１５，１６の開口面積は、第一主面１０ａにおける貫通孔１５，１６の開口面積よりも大きいので、導体間電界強度が低下する。よって、信頼性を向上することができる。

【0048】

高電圧貫通型コンデンサＨＣ１は、二つの貫通導体３０，４０を備えているが、高電圧貫通型コンデンサＨＣ１は、三つ以上の貫通導体を備えていてもよい。高電圧貫通型コンデンサＨＣ１は、二つの貫通導体３０，４０のうちいずれか一方の貫通導体、すなわち、単一の貫通導体を備えていてもよい。素体１０に形成される貫通孔、絶縁チューブ、第一電極１１が有する導体、及び電極接続体の各数は、貫通導体の数に対応させてもよい。

【0049】

上記実施形態及び変形例は、適宜組み合わされてもよい。

【0050】

上述した実施形態及び変形例の記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す態様の開示を含んでいる。
（付記１）
互いに対向している第一主面と第二主面とを有していると共に、前記第一主面と前記第二主面とに開口している貫通孔が形成されている素体と、
前記第一主面に配置されている第一電極と、
前記第二主面に配置されている第二電極と、
前記貫通孔に挿通されていると共に、前記第一電極に電気的に接続されている貫通導体と、を備え、
前記第二主面における前記貫通孔の開口面積は、前記第一主面における前記貫通孔の開口面積よりも大きい、
高電圧貫通型コンデンサ。
（付記２）
前記貫通孔は、前記貫通孔のサイズが拡大された拡大部を前記第二主面側の端部に有している、
付記１に記載の高電圧貫通型コンデンサ。
（付記３）
前記拡大部は、前記第二主面に向かうにつれて前記貫通孔のサイズが拡大されたテーパ形状を呈している、
付記２に記載の高電圧貫通型コンデンサ。
（付記４）
前記拡大部の内面と第二主面とがなす角度は、９０度以上１３５度以下である、
付記２又は３に記載の高電圧貫通型コンデンサ。
（付記５）
前記貫通導体の周りを囲むように、前記貫通孔内に充填されている樹脂を更に備える、
付記１～４のいずれかに記載の高電圧貫通型コンデンサ。
（付記６）
前記第二主面における前記貫通孔の開口面積は、前記第一主面における前記貫通孔の開口面積の１．１倍以上９倍以下である、
付記１～６のいずれかに記載の高電圧貫通型コンデンサ。

【符号の説明】

【0051】

１０，１０Ａ…素体、１０ａ…第一主面、１０ｂ…第二主面、１１…第一電極、１２…第二電極、１５，１６…貫通孔、１５ａ，１６ａ…内面、１５ｂ，１６ｂ…拡大部、３０，４０…貫通導体、７０…樹脂、ＨＣ１…高電圧貫通型コンデンサ、θ…角度。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】