特開 2024-30643 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024030643

(43)【公開日】2024-03-07

(54)【発明の名称】半導体製造装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20240229BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20240229BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 W

H01L21/78 X

H01L21/68 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022133657

(22)【出願日】2022-08-24

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．テフロン

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100118843

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 明

(74)【代理人】

【識別番号】100213654

【弁理士】

【氏名又は名称】成瀬 晃樹

(72)【発明者】

【氏名】大村 翔馬

(72)【発明者】

【氏名】大野 天頌

【テーマコード（参考）】

5F063

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F063AA31

5F063AA48

5F063CA01

5F063CA02

5F063CA06

5F063DD59

5F063DD73

5F063DD74

5F063DD75

5F063DE11

5F063DE16

5F063DE35

5F063DG21

5F063EE22

5F063EE43

5F063EE44

5F063EE73

5F131AA04

5F131BA53

5F131BA54

5F131CA18

5F131EC74

5F131EC75

5F131KA11

5F131KA54

5F131KB53

(57)【要約】

【課題】チップの間隔をより適切に拡張することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体製造装置は、複数の挟持部と、制御部と、を備える。複数の挟持部は、それぞれが第１回転体および部材を有し、複数のチップに個片化されたウェハが貼り付けられたシートのうち前記ウェハの外周の複数位置でシートを挟む。制御部は、ウェハとは反対側にシートを繰り出すように、第１回転体の回転を制御する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

それぞれが第１回転体および部材を有し、複数のチップに個片化されたウェハが貼り付けられたシートのうち前記ウェハの外周の複数位置で前記シートを挟む複数の挟持部と、
前記ウェハとは反対側に前記シートを繰り出すように、前記第１回転体の回転を制御する制御部と、
を備える、半導体製造装置。

【請求項2】

複数の前記挟持部は、前記ウェハに対して同心円状に配置される、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項3】

前記ウェハの外周に沿って隣接する前記挟持部は、前記ウェハとの間の距離が異なるように配置される、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項4】

前記ウェハの外周に沿って隣接する前記挟持部は、前記ウェハ側から見て重なるように配置される、請求項３に記載の半導体製造装置。

【請求項5】

一部の前記第１回転体は、前記シートの面に平行な第１方向に沿って前記シートを繰り出すように配置され、
他部の前記第１回転体は、前記シートの面に平行、かつ、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って前記シートを繰り出すように配置される、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記シートの面に平行な方向に応じて、前記挟持部ごとに前記第１回転体の回転を制御する、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項7】

前記制御部は、前記チップの形状に応じて、前記挟持部ごとに前記第１回転体の回転を制御する、請求項６に記載の半導体製造装置。

【請求項8】

前記第１回転体の回転による前記シートの繰り出し中に、前記ウェハの外周の前記シートを加熱する加熱部をさらに備える、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項9】

前記加熱部は、前記ウェハの面の略中心を通過し、かつ、前記ウェハの面に略垂直な軸を回転軸として回転可能である、請求項８に記載の半導体製造装置。

【請求項10】

前記第１回転体の荷重を検出する荷重検出部をさらに有し、
前記制御部は、前記荷重検出部の検出結果に基づいて、前記第１回転体の回転を制御する。請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項11】

前記チップの間隔を検出するチップ間隔検出部をさらに有し、
前記制御部は、前記チップ間隔検出部の検出結果に基づいて、前記第１回転体の回転を制御する。請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項12】

前記第１回転体の材質は、前記部材の材質とは異なる、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項13】

前記第１回転体の形状または大きさは、前記部材の形状または大きさとは異なる、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項14】

前記部材は、第２回転体である、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項15】

前記制御部は、前記第１回転体の回転数、上昇量、および、下降量の少なくとも１つを含むパラメータに基づいて、前記第１回転体を制御する、請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項16】

それぞれが第１回転体および部材を有し、複数のチップに個片化されたウェハが貼り付けられたシートのうち前記ウェハの外周の複数位置で前記シートを挟む複数の挟持部と、前記第１回転体の回転を制御する制御部と、を備える半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハとは反対側に前記シートを繰り出すように、前記第１回転体を回転させる、
ことを具備する、半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造の後工程において、個片化されたチップの間隔を拡張するエキスパンド工程が行われる場合がある。エキスパンド工程において、チップの間隔をより適切に拡張することが望まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－７１３２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

チップの間隔をより適切に拡張することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態による半導体製造装置は、複数の挟持部と、制御部と、を備える。複数の挟持部は、それぞれが第１回転体および部材を有し、複数のチップに個片化されたウェハが貼り付けられたシートのうち前記ウェハの外周の複数位置でシートを挟む。制御部は、ウェハとは反対側にシートを繰り出すように、第１回転体の回転を制御する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態による半導体製造装置の構成の一例を示す図である。

【図2】第１実施形態による挟持部の配置の一例を示す図である。

【図3】第１実施形態による挟持部およびエキスパンドテープの構成の一例を示す図である。

【図4A】第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す斜視図である。

【図4B】図４Ａに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す斜視図である。

【図4C】図４Ｂに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す斜視図である。

【図4D】図４Ｃに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す斜視図である。

【図5A】第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図5B】図５Ａに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図5C】図５Ｂに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図5D】図５Ｃに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図6A】比較例による半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図6B】図６Ａに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図6C】図６Ａに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図7】変形例による半導体チップの形状の一例を示す図である。

【図8】第２実施形態による挟持部の配置の一例を示す図である。

【図9】第３実施形態による挟持部の配置の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

図１は、第１実施形態による半導体製造装置１の構成の一例を示す図である。

【0009】

半導体製造装置１は、複数の挟持部１０と、加熱部２０と、制御部３０と、チップ間隔検出部４０と、を備える。

【0010】

複数の挟持部１０は、複数の半導体チップＣＨに個片化された半導体ウェハＷが貼り付けられたエキスパンドテープＴＰのうち半導体ウェハＷの外周の複数位置でエキスパンドテープＴＰを挟む（挟持する）。挟持部１０は、例えば、回転体対を有する。回転体対は、上部回転体１０１と、下部回転体１０２と、を有する。上部回転体１０１および下部回転体１０２は、例えば、ローラーである。上部回転体１０１および下部回転体１０２は、対向するように設けられ、エキスパンドテープＴＰを挟む。図１に示す例では、複数の下部回転体１０２は、１つのテーブルに設けられている。

【0011】

エキスパンドテープＴＰの中心部は、半導体ウェハＷが貼り付けられている。後で説明するように、半導体ウェハＷは複数の半導体チップＣＨに個片化されている。エキスパンドテープＴＰの外周には、ウェハリングＷＲが貼り付けられている。エキスパンドテープＴＰは、シートの一例である。半導体ウェハＷは、デバイスが形成された面がエキスパンドテープＴＰに貼り付けられていてもよいし、デバイスが形成された面の反対側の面がエキスパンドテープＴＰに貼り付けられていてもよい。

【0012】

図１に示すように、少なくとも２つの挟持部１０は、半導体ウェハＷの両側に配置される。半導体ウェハＷを間に挟むように配置される２つの挟持部１０の間で、上部回転体１０１の回転方向は逆である。半導体ウェハＷを間に挟むように配置される２つの挟持部１０の間で、下部回転体１０２の回転方向は逆である。従って、上部回転体１０１および下部回転体１０２が回転することにより、エキスパンドテープＴＰは、回転体対により繰り出され、引っ張られる。この結果、半導体チップＣＨの間隔を拡張させることができる。

【0013】

加熱部２０は、半導体ウェハＷの外周のエキスパンドテープＴＰを加熱する。より詳細には、加熱部２０は、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転によるエキスパンドテープＴＰの繰り出し中、または繰り出し後に、半導体ウェハＷの外周のエキスパンドテープＴＰを加熱する。加熱部２０は、エキスパンドテープＴＰの繰り出しにより形成される、エキスパンドテープＴＰの弛み部分を加熱する（図５Ｃおよび図５Ｄを参照）。これにより、弛み部分が熱収縮され、拡張された半導体チップＣＨの間隔を維持しやすくすることができる。加熱部２０は、例えば、ヒートガンまたは赤外ヒータ等の熱源を有する。加熱部２０は、例えば、制御部３０に制御されてもよい。また、図１に示す例では、加熱部２０は２つ設けられているが、加熱部２０の数は、１つであってもよく、３つ以上であってもよい。

【0014】

また、半導体ウェハＷの面の略中心を通過し、かつ、半導体ウェハＷの面に略垂直な中心軸Ａｘを回転軸として、加熱部２０は回転可能であってもよい。これは、加熱が行われる弛み部分が、半導体ウェハＷの形状に応じて、略円形に形成されるためである。

【0015】

また、上部回転体１０１、下部回転体１０２、および、加熱部２０は、それぞれ別の駆動力で移動（昇降）可能である。

【0016】

制御部３０は、挟持部１０を制御する。制御部３０は、上部回転体１０１の回転、上昇、および、下降を制御する。制御部３０は、下部回転体１０２の回転、上昇、および下降を制御する。制御部３０は、半導体ウェハＷとは反対側にエキスパンドテープＴＰを繰り出す（送り出す）ように、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転を制御する。すなわち、制御部３０は、エキスパンドテープＴＰを中心部側から外周側に繰り出すように、上部回転体１０１および下部回転体１０２を回転させる。これにより、半導体チップＣＨの間隔をより適切に拡張することができる。

【0017】

制御部３０は、パラメータに基づいて、上部回転体１０１および下部回転体１０２を制御する。パラメータは、エキスパンドテープＴＰに対する荷重の調整に関するパラメータである。パラメータは、例えば、上部回転体１０１および下部回転体１０２のそれぞれにおける、回転数（回転速度）、上昇量、および、下降量等を含む。回転数は、例えば、エキスパンドテープＴＰの繰り出し長さに対応する。上昇量および下降量は、例えば、エキスパンドテープＴＰを挟む力に対応する。

【0018】

パラメータは、挟持部１０ごとに個別に設定されてもよい。また、後で記載するフィードバック制御（パラメータの自動調整）が行われる場合、例えば、予め設定されるパラメータは、全ての挟持部１０に対して同じであってもよい。

【0019】

チップ間隔検出部４０は、半導体チップＣＨの間隔を検出する。チップ間隔検出部４０は、例えば、レーザを用いてスキャンすることにより、半導体チップＣＨの間隔を検出する。チップ間隔検出部４０は、半導体チップＣＨの間隔の検出結果を制御部３０に送る。制御部３０は、チップ間隔検出部４０の検出結果に基づいて、パラメータを自動調整し、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転を制御する。これにより、半導体チップＣＨの間隔に基づいて、挟持部１０ごとにフィードバック制御（パラメータの自動調整）を行うことができる。パラメータの自動調整は、例えば、半導体チップＣＨの間隔の偏りが小さくなるように行われる。

【0020】

尚、チップ間隔検出部４０は、複数の半導体チップＣＨを撮像する撮像部であってもよい。この場合、制御部３０は、例えば、撮像部から送られた画像に基づいて、半導体チップＣＨの間隔を算出する。

【0021】

次に、挟持部１０の詳細について説明する。

【0022】

図２は、第１実施形態による挟持部１０の配置の一例を示す図である。

【0023】

図２に示す例では、複数の挟持部１０は、半導体ウェハＷに対して同心円状に配置されている。また、複数の挟持部１０は、半導体ウェハＷとウェハリングＷＲとの間で、半導体ウェハＷの外周に沿って一列に配置されている。

【0024】

図２に示す矢印Ａ１は、半導体チップＣＨの間隔を拡張する方向、すなわち、エキスパンドテープＴＰを引っ張る方向を示す。

【0025】

制御部３０は、エキスパンドテープＴＰの面に平行な方向に応じて、挟持部１０ごとに上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転を制御する。制御部３０は、例えば、上記のパラメータの設定により、挟持部１０ごとに独立に上部回転体１０１および下部回転体１０２を制御する。これにより、エキスパンドテープＴＰの面内の方向ごとに異なる回転制御を行うことができる。この結果、エキスパンドテープＴＰの面内の方向に応じて、エキスパンドテープＴＰの引っ張る力を変更することができる。

【0026】

図３は、第１実施形態による挟持部１０およびエキスパンドテープＴＰの構成の一例を示す図である。

【0027】

半導体製造装置１は、荷重検出部５０をさらに有する。

【0028】

荷重検出部５０は、上部回転体１０１および下部回転体１０２の荷重を検出する。荷重検出部５０は、上部荷重検出部５１と、下部荷重検出部５２と、を有する。上部荷重検出部５１は、上部回転体１０１の荷重を検出する。下部荷重検出部５２は、下部回転体１０２の荷重を検出する。

【0029】

荷重検出部５０は、荷重の検出結果を制御部３０に送る。制御部３０は、荷重検出部５０の検出結果に基づいて、パラメータを自動調整し、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転を制御する。制御部３０は、上部荷重検出部５１の検出結果に基づいて、パラメータを自動調整し、上部回転体１０１を制御する。制御部３０は、下部荷重検出部５２の検出結果に基づいて、パラメータを自動調整し、下部回転体１０２を制御する。これにより、荷重に基づいて、挟持部１０ごとにフィードバック制御（パラメータの自動調整）を行うことができる。パラメータの自動調整は、例えば、荷重の偏りが小さくなるように行われる。

【0030】

また、図３に示すように、エキスパンドテープＴＰは、基材ＴＰ１と、粘着層ＴＰ２と、を有する。

【0031】

粘着層ＴＰ２は、基材ＴＰ１上に設けられる。粘着層ＴＰ２は、エキスパンドテープＴＰに半導体ウェハＷを貼り付けるために設けられる。

【0032】

上部回転体１０１は、挟持部１０がエキスパンドテープＴＰを挟む際に、粘着層ＴＰ２と接する。下部回転体１０２は、挟持部１０がエキスパンドテープＴＰを挟む際に、基材ＴＰ１と接する。従って、上部回転体１０１と下部回転体１０２との間で、材質が異なっていてもよい。

【0033】

上部回転体１０１は、下部回転体１０２よりも、糊汚れが付きにくい材質であることが好ましい。上部回転体１０１の材質は、例えば、テフロン、ポリエチレン、または、シリコンゴム等である。下部回転体１０２は、上部回転体１０１よりも、滑りにくい材質であることが好ましい。これにより、エキスパンドテープＴＰを繰り出し易くすることができる。下部回転体１０２の材質は、例えば、低密度ポリエチレン、または、塩化ビニル等である。下部回転体１０２の材質は、金属等であってもよい。下部回転体１０２は、表面を粗くするなど、滑りにくくなるように表面処理が行われてもよい。

【0034】

次に、半導体装置の製造方法について説明する。

【0035】

図４Ａ～図４Ｄは、第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す斜視図である。

【0036】

まず、図４Ａに示すように、半導体ウェハＷの裏面をグラインダＧで研磨する。

【0037】

次に、図４Ｂに示すように、設置された半導体ウェハＷの裏面とウェハリングＷＲに対して可撓性のエキスパンドテープＴＰを貼り付ける。

【0038】

次に、図４Ｃに示すように、レーザ発振器ＬＴを用いて、半導体ウェハＷの表面または裏面のダイシングラインに沿ってレーザ光を照射する。レーザダイシングにより、半導体ウェハＷは半導体チップＣＨに個片化される。

【0039】

次に、図４Ｄに示すように、個片化された半導体チップＣＨの間隔が拡張（エキスパンド）される。半導体チップＣＨの間隔を拡張することにより、ピックアップ等の際に半導体チップＣＨ同士が接触することを抑制することができる。半導体チップＣＨは、実装されるために、エキスパンドテープＴＰからピックアップされる。

【0040】

尚、図４Ａ～図４Ｃに示す工程は、この順番に限られない。

【0041】

次に、図４Ｄにおけるエキスパンド工程の詳細について説明する。

【0042】

図５Ａ～図５Ｄは、第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【0043】

まず、図５Ａに示すように、半導体ウェハＷを半導体製造装置１に搬入（ロード）する。

【0044】

次に、図５Ｂに示すように、挟持部１０は、回転体対によりエキスパンドテープＴＰを挟み込む。より詳細には、上部回転体１０１は下降し、下部回転体１０２は上昇する。これにより、挟持部１０は、半導体ウェハＷとウェハリングＷＲとの間の領域のエキスパンドテープＴＰを挟む。

【0045】

次に、図５Ｃに示すように、上部回転体１０１および下部回転体１０２は、回転し、エキスパンドテープＴＰを繰り出す。これにより、エキスパンドテープＴＰが中心部から外周部に引っ張られ、半導体チップＣＨの間隔が拡張される。すなわち、制御部３０は、半導体ウェハＷとは反対側にエキスパンドテープＴＰを繰り出すように、上部回転体１０１および下部回転体１０２を回転させる。また、挟持部１０とウェハリングＷＲとの間の領域のエキスパンドテープＴＰに、弛み部分ＴＰ３が形成される。

【0046】

次に、図５Ｄに示すように、加熱部２０は、挟持部１０とウェハリングＷＲとの間の領域のエキスパンドテープＴＰの弛み部分ＴＰ３を加熱する。これにより、エキスパンドテープＴＰの弛み部分ＴＰ３が熱収縮により抑制される。この結果、図５Ｃのテープ拡張工程において拡張された半導体チップＣＨの間隔（テープのエキスパンド状態）が維持されやすくなる。加熱部２０は、図５Ａ～図５Ｃでは省略されているが、挟持部１０と同じ装置（ユニット）内に設けられる。これにより、半導体チップＣＨの間隔の拡張中に、エキスパンドテープＴＰを加熱することができる。

【0047】

尚、弛み部分ＴＰ３の加熱は、エキスパンドテープＴＰの繰り出し後に行われてもよい。この場合でも、エキスパンドテープＴＰの繰り出しから弛み部分ＴＰ３の加熱までに、半導体ウェハＷの搬送は行われない。

【0048】

その後、半導体ウェハＷは搬出（アンロード）される。搬出された半導体ウェハＷは、別装置において半導体チップＣＨがピックアップされる。半導体製造装置１において、半導体チップＣＨをピックアップしてもよい。このとき、エキスパンドテープＴＰの基材ＴＰ１側からＵＶ（Ultraviolet）光を照射しエキスパンドテープＴＰの粘着層ＴＰ２を硬化させ半導体チップＣＨをピックアップしやすくしてもよい。また、粘着層ＴＰ２を硬化させるためにエキスパンドテープＴＰを冷却してもよい。

【0049】

以上のように、第１実施形態によれば、挟持部１０は、上部回転体１０１および下部回転体１０２を有する。複数の挟持部１０は、複数の半導体チップＣＨに個片化された半導体ウェハＷが貼り付けられたエキスパンドテープＴＰのうち、半導体ウェハＷの外周のエキスパンドテープＴＰを挟む。制御部３０は、半導体ウェハＷとは反対側にエキスパンドテープＴＰを繰り出すように、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転を制御する。これにより、半導体チップＣＨの間隔をより適切に拡張することができる。

【0050】

また、挟持部１０は、半導体ウェハＷとウェハリングＷＲとの間に配置される。半導体ウェハＷとウェハリングＷＲとの間の空間が狭く、エキスパンドテープＴＰのＸＹ面内での引っ張り制御が難しい場合であっても、回転体を用いたエキスパンドテープＴＰの水平繰り出しにより、半導体チップＣＨの間隔の拡張をより適切に制御することができる。

【0051】

尚、第１実施形態では、制御部３０は、上部回転体１０１および下部回転体１０２の両方の回転駆動を制御する。しかし、制御部３０は、上部回転体１０１および下部回転体１０２のいずれか一方の回転駆動を制御してもよい。尚、他方の回転体は、一方の回転体の回転駆動に応じて、回転可能である。

【0052】

また、第１実施形態では、挟持部１０は、回転体対を有する。しかし、挟持部１０の一方が回転体であり、他方が回転体ではない部材であってもよい。例えば、図３において、粘着層ＴＰ２側の上部回転体１０１は、下部回転体１０２に対向するように設けられる、回転しない部材であってもよい。

【0053】

また、第１実施形態では、上部回転体１０１および下部回転体１０２の形状は、略円形である。しかし、上部回転体１０１と下部回転体１０２との間で、形状が異なっていてもよい。上部回転体１０１の形状は、例えば、複数凸部を有する星形等であってもよい。また、上部回転体１０１と下部回転体１０２との間で、大きさが異なっていてもよい。回転体の大きさによって、例えば、駆動力が変化する。

【0054】

また、加熱部２０は、挟持部１０に設けられ、または、挟持部１０と一体であってもよい。この場合、例えば、ヒータによって加熱された上部回転体１０１または下部回転体１０２がエキスパンドテープＴＰと接触することにより、エキスパンドテープＴＰの加熱が行われる。

【0055】

また、第１実施形態では、チップ間隔検出部４０および荷重検出部５０の両方が設けられる。制御部３０は、両方の検出結果に基づいて、フィードバック制御を行ってもよく、チップ間隔検出部４０および荷重検出部５０のいずれか一方の検出結果に基づいて、フィードバック制御を行ってもよい。また、制御部３０は、フィードバック制御を行わなくてもよい。フィードバック制御に用いられないチップ間隔検出部４０および荷重検出部５０は、半導体製造装置１に設けられなくてもよい。

【0056】

また、荷重検出部５０は、上部回転体１０１および下部回転体１０２にかかる荷重に代えて、エキスパンドテープＴＰにかかる荷重を検出してもよい。

【0057】

（比較例）
図６Ａ～図６Ｃは、比較例による半導体装置の製造方法の一例を示す図である。比較例は、下からエキスパンドテープＴＰを突き上げることにより、半導体チップＣＨの間隔を拡張させる点で、第１実施形態とは異なっている。

【0058】

まず、図６Ａに示すように、半導体ウェハＷを半導体製造装置１に搬入（ロード）する。

【0059】

次に、図６Ｂに示すように、エキスパンドテープＴＰを下方から押上部材（突き上げテーブル）６０で押し上げることによって、エキスパンドテープＴＰを引っ張る。これにより、エキスパンドテープＴＰとともに半導体ウェハＷが外方向へ引っ張られる。

【0060】

ここで、押上部材６０を大きく突き上げるほど、半導体チップＣＨの間隔を広くすることができる。しかし、押上部材を突き上げすぎると、例えば、押上部材６０の端部（角部）６０ｅと接触する部分で応力が集中して、エキスパンドテープＴＰに穴が空いてしまう可能性がある。このエキスパンドテープＴＰの穴は、搬送エラーにつながる可能性がある。また、押上部材６０によってエキスパンドテープＴＰにかかる力は、通常、面内で略等方的である。この場合、エキスパンドテープＴＰの伸びやすさの異方性に従って、エキスパンドテープＴＰが伸びてしまう。すなわち、エキスパンドテープＴＰの伸びに偏りが生じ、半導体ウェハＷの面内で半導体チップＣＨの間隔に偏りが生じてしまう可能性がある。

【0061】

次に、図６Ｃに示すように、半導体ウェハＷとウェハリングＷＲとの間の領域におけるエキスパンドテープＴＰの弛み部分ＴＰ３を加熱する。比較例による半導体製造装置では、押上部材６０と加熱部とは、別の装置（ユニット）内に設けられる。従って、図６Ｂのテープ拡張工程で半導体チップＣＨの間隔を拡張した後、半導体ウェハＷを別のユニットに搬送し、エキスパンドテープＴＰの加熱を行う必要がある。この場合、半導体チップＣＨの間隔を拡張してから、エキスパンドテープＴＰを加熱するまでに時間がかかってしまう。この結果、拡張した半導体チップＣＨの間隔が一部戻ってしまう可能性がある。

【0062】

これに対して、第１実施形態では、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転によってエキスパンドテープＴＰが繰り出される。従って、エキスパンドテープＴＰ上で応力が作用する位置が移動することにより、応力集中を抑制することができる。また、第１実施形態では、挟持部１０（回転体対）ごとに、すなわち、ＸＹ面内の方向に応じて、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転の制御を行うことができる。これにより、エキスパンドテープＴＰの伸びやすさの異方性による半導体チップＣＨの間隔の偏りを抑制することができる。また、第１実施形態では、半導体チップＣＨの間隔を拡張しながらエキスパンドテープＴＰを加熱することができる。これにより、拡張した半導体チップＣＨの間隔が戻ってしまうことを抑制することができる。

【0063】

（変形例）
図７は、変形例による半導体チップＣＨの形状の一例を示す図である。変形例では、第１実施形態と比較して、半導体チップＣＨの形状が異なっている。

【0064】

図７に示す例では、半導体チップＣＨの形状は、略矩形状である。半導体チップＣＨのＸ方向の辺は、半導体チップＣＨのＹ方向の辺よりも長い。この場合、半導体チップＣＨの間隔を拡張させるラインＬの数も、Ｘ方向とＹ方向との間で異なっている。ラインＬは、例えば、ダイシングラインに対応する。

【0065】

図７に示す矢印Ａ２は、半導体チップＣＨの間隔を拡張する方向、すなわち、エキスパンドテープＴＰを引っ張る方向を示す。

【0066】

制御部３０は、半導体チップＣＨの形状に応じて、挟持部１０ごとに上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転を制御する。制御部３０は、Ｘ方向とＹ方向との間で、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転駆動の条件を変える。これにより、Ｘ方向とＹ方向との間で、エキスパンドテープＴＰを引っ張る力を変えることができる。この結果、半導体チップＣＨの形状、または、ラインＬの数に応じて、半導体チップＣＨの間隔をより適切に拡張することができる。図７に示す例では、Ｘ方向に延伸するラインＬの数が、Ｙ方向に延伸するラインＬの数よりも多い。Ｘ方向に延伸するラインＬは、Ｙ方向に引っ張る力によって拡張される。従って、Ｘ方向よりもＹ方向に、強い力で引っ張る必要がある。

【0067】

変形例のように、半導体チップＣＨの形状が変更されてもよい。変形例による半導体製造装置１は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0068】

（第２実施形態）
図８は、第２実施形態による挟持部１０の配置の一例を示す図である。第２実施形態では、第１実施形態と比較して、挟持部１０の配置が変更されている。

【0069】

半導体ウェハＷの外周に沿って隣接する挟持部１０は、半導体ウェハＷとの間の距離が異なるように配置される。挟持部１０は、挟持部１０ａと、挟持部１０ｂと、を含む。半導体ウェハＷと挟持部１０ａとの間の距離は、半導体ウェハＷと挟持部１０ｂとの間の距離よりも短い。挟持部１０ａ、１０ｂは、半導体ウェハＷの外周に沿って、交互に配置される。また、複数の挟持部１０ａは、半導体ウェハＷに対して同心円状に配置されている。複数の挟持部１０ｂは、半導体ウェハＷに対して同心円状に配置されている。

【0070】

また、半導体ウェハＷの外周に沿って隣接する挟持部１０は、半導体ウェハＷ側から見て重なるように配置される。すなわち、複数の挟持部１０は、挟持部１０ａ、１０ｂ同士の隙間を埋めるように配置される。これにより、例えば、挟持部１０ａ、１０ｂ間の隙間でエキスパンドテープＴＰがよれて穴が空いてしまうことを抑制することができる。この結果、半導体チップＣＨの間隔をより適切に拡張することができる。

【0071】

第２実施形態のように、挟持部１０の配置が変更されてもよい。第２実施形態による半導体製造装置１は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0072】

（第３実施形態）
図９は、第３実施形態による挟持部１０の配置の一例を示す図である。第３実施形態では、第１実施形態と比較して、挟持部１０の配置が変更されている。

【0073】

挟持部１０は、挟持部１０ｘと、挟持部１０ｙと、を有する。挟持部１０ｘおよび挟持部１０ｙは、上部回転体１０１および下部回転体１０２の回転方向が互いに異なるように配置されている。

【0074】

複数の挟持部１０ｘは、Ｘ方向に沿って、半導体ウェハＷの両側に配置される。複数の挟持部１０ｙは、Ｙ方向に沿って、半導体ウェハＷの両側に配置される。

【0075】

挟持部１０ｘの上部回転体１０１および下部回転体１０２は、エキスパンドテープＴＰの面に平行なＸ方向に沿ってエキスパンドテープＴＰを繰り出すように配置される。Ｘ方向は、第１方向の例である。挟持部１０ｘの上部回転体１０１および下部回転体１０２は、Ｙ方向に略平行な軸を回転軸として回転する。これにより、挟持部１０ｘは、エキスパンドテープＴＰをＸ方向に引っ張る。

【0076】

挟持部１０ｙの上部回転体１０１および下部回転体１０２は、エキスパンドテープＴＰの面に平行、かつ、Ｘ方向とは異なるＹ方向に沿ってエキスパンドテープＴＰを繰り出すように配置される。Ｙ方向は、第２方向の例である。挟持部１０ｙの上部回転体１０１および下部回転体１０２は、Ｘ方向に略平行な軸を回転軸として回転する。これにより、挟持部１０ｙは、エキスパンドテープＴＰをＹ方向に引っ張る。

【0077】

挟持部１０ｘと挟持部１０ｙとの間で、上部回転体１０１および下部回転体１０２の異なるパラメータが設定される。挟持部１０ｘの上部回転体１０１および下部回転体１０２のパラメータとして、パラメータＸが設定される。挟持部１０ｙの上部回転体１０１および下部回転体１０２のパラメータとして、パラメータＸとは異なるパラメータＹが設定される。尚、例えば、チップ間隔検出部４０または荷重検出部５０等を用いたフィードバック制御（パラメータの自動調整）が行われてもよい。

【0078】

第３実施形態のように、挟持部１０の配置が変更されてもよい。回転体の回転方向を変更することにより、エキスパンドテープＴＰを引っ張る方向を変更することができる。第３実施形態による半導体製造装置１は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0079】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【符号の説明】

【0080】

１ 半導体製造装置、１０ 挟持部、１０１ 上部回転体、１０２ 下部回転体、２０ 加熱部、３０ 制御部、４０ チップ間隔検出部、５０ 荷重検出部、Ａｘ 中心軸、ＣＨ 半導体チップ、ＴＰ エキスパンドテープ、Ｗ 半導体ウェハ、ＷＲ ウェハリング

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7】

【図8】

【図9】