特開 2024-30992 露光マスク、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024030992

(43)【公開日】2024-03-07

(54)【発明の名称】露光マスク、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/24 20120101AFI20240229BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20240229BHJP

   G03F 9/00 20060101ALI20240229BHJP

【ＦＩ】

G03F1/24

G03F7/20 503

G03F9/00 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022134264

(22)【出願日】2022-08-25

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 直樹

【テーマコード（参考）】

2H195

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H195CA01

2H195CA23

2H197AA10

2H197BA11

2H197CA10

2H197DB11

2H197EA05

2H197GA01

(57)【要約】

【課題】ローカル段差を有する膜上に形成されたフォトレジスト層に対して焦点を合わせること。
【解決手段】実施形態の露光マスクは、第１の主面と第２の主面とを有する基板と、第１の主面側に設けられ、露光光を反射する反射層と、反射層を介した第１の主面側に、所定のパターンを有して設けられ、露光光を吸収する吸収層と、を備え、反射層は、第２の主面からの表面高さが第１の高さである第１の領域と、反射層が表面に有する第１の段差を介して第１の領域に隣接し、第２の主面からの表面高さが第１の高さよりも高い第２の高さである第２の領域と、を有し、吸収層は、第１の領域および第２の領域にそれぞれ設けられている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の主面と第２の主面とを有する基板と、
前記第１の主面側に設けられ、露光光を反射する反射層と、
前記反射層を介した前記第１の主面側に、所定のパターンを有して設けられ、前記露光光を吸収する吸収層と、を備え、
前記反射層は、
前記第２の主面からの表面高さが第１の高さである第１の領域と、
前記反射層が表面に有する第１の段差を介して前記第１の領域に隣接し、前記第２の主面からの表面高さが前記第１の高さよりも高い第２の高さである第２の領域と、を有し、
前記吸収層は、
前記第１の領域および前記第２の領域にそれぞれ設けられている、
露光マスク。

【請求項2】

前記基板は、
第１の厚さを有し、前記第１の領域に高さ方向で重なる第３の領域と、
前記第１の主面が有する段差を介して前記第３の領域に隣接し、前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有し、前記第２の領域に高さ方向で重なる第４の領域と、を有する、
請求項１に記載の露光マスク。

【請求項3】

前記反射層は、
前記第１の領域と前記第２の領域とで等しい厚さを有する、
請求項２に記載の露光マスク。

【請求項4】

請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の露光マスクを用いるパターン形成方法であって、
被加工層を含む膜とフォトレジスト層とがこの順に形成されたウェハの前記フォトレジスト層と、前記露光マスクの前記反射層および前記吸収層が設けられた面とを対向させ、
前記反射層および前記吸収層が設けられた側から前記露光マスクに前記露光光を照射して、前記反射層で反射された前記露光光により前記フォトレジスト層を露光して、前記吸収層が有する前記パターンを前記フォトレジスト層に形成し、
前記膜は、
１回の露光が行われる露光領域内に膜厚が異なる複数の領域を有しており、
前記ウェハと前記露光マスクとを対向させるときは、
前記露光マスクの前記第１の領域および前記第２の領域と、前記膜の前記複数の領域のそれぞれとが対応するように、前記ウェハと前記露光マスクとを配置する、
パターン形成方法。

【請求項5】

請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の露光マスクを用いる半導体装置の製造方法であって、
被加工層を含む膜とフォトレジスト層とがこの順に形成されたウェハの前記フォトレジスト層と、前記露光マスクの前記反射層および前記吸収層が設けられた面とを対向させ、
前記反射層および前記吸収層が設けられた側から前記露光マスクに前記露光光を照射して、前記反射層で反射された前記露光光により前記フォトレジスト層を露光して、前記吸収層が有する前記パターンを前記フォトレジスト層に形成し、
前記膜は、
１回の露光が行われる露光領域内に膜厚が異なる複数の領域を有しており、
前記ウェハと前記露光マスクとを対向させるときは、
前記露光マスクの前記第１の領域および前記第２の領域と、前記膜の前記複数の領域のそれぞれとが対応するように、前記ウェハと前記露光マスクとを配置する、
半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、露光マスク、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造方法において、反射型の露光マスクを用いた露光処理によりパターンを形成する場合がある。この場合、露光マスクに反射した露光光によりウェハ上のフォトレジスト層にパターンを形成するため、パターンのベストフォーカス位置となるように露光マスクの表面からウェハの表面までの距離を調整することで、露光領域の全域に亘って、フォトレジスト層に均一に焦点を合わせることができる。

【0003】

しかしながら、種々の工程を経たウェハは、ローカル段差と呼ばれる局所的な膜厚差が生じた膜を有する場合がある。このような膜上にフォトレジスト層を形成し、上記の露光マスクで露光を行うと、露光マスクの表面からウェハの表面までの距離が局所的に異なる領域があることとなり、フォトレジスト層の全域で焦点を合わせることが困難な場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２－１２４２１４号公報

【特許文献2】特開２０１２－０３８７８６号公報

【特許文献3】特許第５８０３５１７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

１つの実施形態は、ローカル段差を有する膜上に形成されたフォトレジスト層に対して焦点を合わせることができる露光マスク、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態の露光マスクは、第１の主面と第２の主面とを有する基板と、前記第１の主面側に設けられ、露光光を反射する反射層と、前記反射層を介した前記第１の主面側に、所定のパターンを有して設けられ、前記露光光を吸収する吸収層と、を備え、前記反射層は、前記第２の主面からの表面高さが第１の高さである第１の領域と、前記反射層が表面に有する第１の段差を介して前記第１の領域に隣接し、前記第２の主面からの表面高さが前記第１の高さよりも高い第２の高さである第２の領域と、を有し、前記吸収層は、前記第１の領域および前記第２の領域にそれぞれ設けられている。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態にかかる半導体装置の構成の一例を示す断面図。

【図2】実施形態にかかる露光マスクの構成の一例を示す断面図。

【図3】実施形態にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を例示する断面図。

【図4】実施形態にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を例示する断面図。

【図5】比較例にかかる露光マスクを用いた露光処理の手順の一例を示す断面図。

【図6】比較例にかかる露光マスクを用いた露光処理の手順の一例を示す断面図。

【図7】実施形態の変形例１にかかる露光マスクの構成の一例を示す断面図。

【図8】実施形態の変形例２にかかる半導体装置の構成の一例を示す断面図。

【図9】実施形態の変形例２にかかる露光マスクの構成の一例を示す断面図。

【図10】実施形態の変形例２にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を例示する断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、本発明の実施形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。本明細書において「等しい」または「均一」とは、例えば製造誤差を許容する程度に「等しい」または「均一」であることを意味する。

【0009】

（半導体装置の構成例）
図１は、実施形態にかかる半導体装置１０の構成の一例を示す断面図である。より詳細には、図１は、製造途中の半導体装置１０の一部領域の模式図であり、例えば露光現像処理前の状態を示している。

【0010】

図１に示すように、例えば製造工程の所定のタイミングにおける半導体装置１０は、シリコン等で形成された基板１１と、基板１１上に形成された膜１２とを備える。つまり、基板１１はウェハ１の本体部分である。また、膜１２は、少なくとも表層部分に被加工層１２ｔを含み、複数種類の絶縁層および複数種類の導電層等が積層された多層膜等である。

【0011】

種々の工程を経て、これらの絶縁層および導電層には半導体装置１０を構成する種々の構造が形成済みであってもよい。また、そのような種々の工程を経ることで、これらの絶縁層および導電層は、所定の領域ごとに異なる厚さを有することがある。これにより、膜１２は、所定の膜厚を有する第６の領域としての領域ＡＷ１、及び領域ＡＷ１よりも膜厚が薄い第５の領域としての領域ＡＷ２を有する。領域ＡＷ１，ＡＷ２は互いに隣接しており、例えば膜１２の表面の傾斜面を有するローカル段差ＬＳによってひと続きに繋がっている。

【0012】

これらの領域ＡＷ１，ＡＷ２は、上面から見て矩形状を含む種々の形状を取り得る。それぞれの領域ＡＷ１，ＡＷ２の最小幅は、例えば少なくとも数μｍ程度であってよい。また、これらの領域ＡＷ１，ＡＷ２における膜１２の膜厚差は例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。ただし、これらの数値はあくまでも一例であり、領域ＡＷ１，ＡＷ２のサイズ及び領域ＡＷ１，ＡＷ２間の膜厚差は、半導体装置１０がこれまでに経てきた工程、及び製造工程の段階ごとに異なり得る。

【0013】

（露光マスクの構成例）
図２は、実施形態にかかる露光マスク２０の構成の一例を示す断面図である。図２に示す露光マスク２０は、上述のローカル段差ＬＳを有する半導体装置１０の露光処理に用いる露光マスクの一例である。露光マスク２０を用いた露光処理は、露光光として、例えば極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を用いて行われ、露光マスク２０は例えば反射型の露光マスクとして構成されている。極端紫外線は１３．５ｎｍの波長の光である。

【0014】

図２には、上述の図１に示した半導体装置１０と対応する露光マスク２０の一部領域を示す。図２に示す露光マスク２０は、例えば上述の半導体装置１０の対応する領域の４倍程度の面積を有する。後述するように、露光マスク２０が有するパターン２３１ｐ，２３２ｐが、ウェハ１上に縮小されて転写されることで半導体装置１０の露光処理が行われる。

【0015】

より詳細には、露光マスク２０は、熱による膨張率が小さいガラス等の材料で構成された基板２１と、基板２１上に形成された反射層２２と、反射層２２上に形成された吸収層２３を備える。

【0016】

基板２１は、反射層２２及び吸収層２３が設けられた側に第１の主面としての主面を有し、その反対側に第２の主面としての主面を有する略平板状の形状を有する。基板２１の平均の厚さとしては例えば数ｍｍ程度とすることができる。

【0017】

ただし、基板２１は、第２の厚さとしての所定厚さを有する第４の領域としての領域ＡＧ１、及び領域ＡＧ１よりも薄い第１の厚さとしての厚さを有する第３の領域としての領域ＡＧ２を有する。領域ＡＧ１，ＡＧ２は互いに隣接しており、例えば反射層２２及び吸収層２３側の主面の緩やかな傾斜面を有する段差ＳＴｇによってひと続きに繋がっている。

【0018】

ここで、領域ＡＧ１は、上述の半導体装置１０の領域ＡＷ２に対応する位置に設けられ、領域ＡＧ２は、上述の半導体装置１０の領域ＡＷ１に対応する位置に設けられている。また、段差ＳＴｇが、上述の半導体装置１０のローカル段差ＬＳと略対応する位置に設けられていてもよい。

【0019】

領域ＡＧ１，ＡＧ２がそれぞれ領域ＡＷ２，ＡＷ１と対応するとは、後述する露光処理の際に、領域ＡＧ１に高さ方向に重なる位置に設けられた後述のパターン２３１ｐが、半導体装置１０の領域ＡＷ２に転写され、領域ＡＧ２に高さ方向に重なる位置に設けられた後述のパターン２３２ｐが、半導体装置１０の領域ＡＷ１に転写されることを意味する。

【0020】

ただし、段差ＳＴｇは、半導体装置１０のローカル段差ＬＴと概ね対応する位置にあればよく、また、必ずしもローカル段差ＬＴの相似形状となっていなくともよい。

【0021】

反射層２２は、露光光を反射させる異種の材料から構成される層が交互に積層された多層構造を有する。これらの層としては、露光光の屈折率が大きく異なる異種層として、例えばＭｏ層とＳｉ層とを交互に積層させた組み合わせとすることができる。これにより、反射層２２の反射効率を高めることができる。

【0022】

反射層２２は、全体に亘り等しい厚さを有する。反射層２２は、例えば２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の平均層厚を有することができる。

【0023】

また、反射層２２が、厚さの異なる領域ＡＧ１，ＡＧ２及び段差ＳＴｇを有する基板２１上に設けられることで、これらの領域ＡＧ１，ＡＧ２及び段差ＳＴｇに対応して、基板２１の裏面からの反射層２２の表面高さが異なることとなる。

【0024】

すなわち、反射層２２は、基板２１の領域ＡＧ１と高さ方向に重なる第２の領域としての領域ＡＲ１を有する。領域ＡＲ１において、反射層２２は、基板２１の裏面からの表面高さとして、第２の高さとしての所定の高さを有する。また、反射層２２は、基板２１の領域ＡＧ２と高さ方向に重なる第１の領域としての領域ＡＲ２を有する。領域ＡＲ２において、反射層２２は、基板２１の裏面からの表面高さとして、領域ＡＲ１における表面高さよりも低い、第１の高さとしての所定の高さを有する。

【0025】

これらの領域ＡＲ１，ＡＲ２における反射層２２の表面高さの差は、例えば上述の半導体装置１０が有する膜１２の膜厚差の２倍以上１０倍以下である。上述のように、例えば膜１２の膜厚差が例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であった場合、領域ＡＲ１，ＡＲ２における反射層２２の表面高さの差を１２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下などとすることができる。このような反射層２２の表面高さの差は、例えば領域ＡＧ１，ＡＧ２における基板２１の厚さの差を調整することで得られる。

【0026】

また、これらの領域ＡＲ１，ＡＲ２は、半導体装置１０の膜１２における領域ＡＷ１，ＡＷ２と相似形をなす、基板２１の領域ＡＧ１，ＡＧ２の形状に応じて、矩形状を含む種々の形状を取り得る。これらの領域ＡＲ１，ＡＲ２が例えば矩形状であった場合、それぞれの領域ＡＲ１，ＡＲ２の１辺の長さは例えば数百ｎｍ～数ｍｍ程度である。

【0027】

また、反射層２２は、基板２１の段差ＳＴｇと高さ方向に重なる位置に第１の段差としての段差ＳＴｒを有する。段差ＳＴｒは、基板２１の段差ＳＴｇに沿うように所定の傾斜角を有する緩やかな傾斜面となっている。

【0028】

具体的には、段差ＳＴｒは、例えば傾斜角が０．０１°以上５°以下の緩やかな傾斜面となっていることが好ましい。換言すれば、領域ＡＧ１，ＡＧ２間に設けられる段差ＳＴｇのサイズは、反射層２２の段差ＳＴｒが上記のような傾斜角を有するよう調整されていることが好ましい。これにより、反射層２２の段差ＳＴｒも、基板２１の段差ＳＴｇのサイズに応じたサイズを有することとなる。

【0029】

吸収層２３は、露光光を吸収する材料から構成される。吸収層２３としては、例えばＴａＮ層、ＴａＢＮ層、またはＴａＧｅＮ層等を用いることができる。吸収層２３は、反射層２２の領域ＡＲ１，ＡＲ２と高さ方向に重なる位置にそれぞれ設けられている。吸収層２３の層厚は、それぞれの領域の全体に亘って等しい。吸収層２３は、例えば５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の平均層厚を有することができる。

【0030】

また、吸収層２３は、反射層２２の領域ＡＲ１と高さ方向に重なる位置に、パターン２３１ｐを有している。また、吸収層２３は、反射層２２の領域ＡＲ２と高さ方向に重なる位置に、パターン２３２ｐを有している。これらのパターン２３１ｐ、２３２ｐは、例えばライン＆スペース、ホール、またはドット等の任意のパターンであってよい。後述する露光処理により、パターン２３１ｐ、２３２ｐは半導体装置１０に転写され、例えば数十ｎｍ～数μｍサイズのパターンとなる。

【0031】

以上のように構成される露光マスク２０は、例えば以下のように製造することができる。

【0032】

まず、全体に亘って等しい厚さを有し、平均厚さが例えば数ｍｍ程度のガラス基板等の基板２１を用意する。また、この基板２１に上述の段差ＳＴｇを設ける。このような段差ＳＴｇは、例えば集束イオンビーム （ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）等を用いて形成することができる。

【0033】

あるいは、上記の段差ＳＴｇをフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により形成してもよい。この場合、例えば基板２１の領域ＡＧ１となる部分を覆い、段差ＳＴｇとなる部分に裾引き形状を有するフォトレジスト層を基板２１上に形成する。また、このフォトレジスト層から露出した基板２１の表面をエッチング処理することで、上記の段差ＳＴｇが形成される。エッチング処理としては、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等の異方性エッチングを用いることができる。

【0034】

上記のような処理により、異なる厚さを有する領域ＡＧ１，ＡＧ２、及び段差ＳＴｇを有する基板２１が形成される。

【0035】

また、段差ＳＴｇが形成された基板２１上に、例えばＭｏ層とＡＳｉ層とを交互に積層して反射層２２を形成する。このとき、基板２１の表面全体に亘り、それぞれ均一な層厚を有するように、Ｍｏ層とＡＳｉ層とを形成する。これにより、表面に段差ＳＴｒを有する反射層２２が形成される。

【0036】

また、反射層２２の表面全体を覆うＴａＮ層、ＴａＢＮ層、またはＴａＧｅＮ層等を形成する。このとき、反射層２２の表面全体に亘り、これらのいずれかの層が均一な層厚を有するようにする。また、反射層２２上に形成した層にパターン２３１ｐ，２３２ｐを形成する。パターン２３１ｐ，２３２ｐは、上述と同様、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を用いて形成することができる。これにより、吸収層２３が形成される。

【0037】

以上により、実施形態の露光マスク２０が製造される。

【0038】

（半導体装置の製造方法）
次に、図３及び図４を用いて、実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。図３及び図４は、実施形態にかかる半導体装置１０の製造方法の手順の一部を例示する断面図である。

【0039】

図３の例では、製造途中の半導体装置１０であって、種々の工程を経て、上述の図１（ｂ）に示す状態となった半導体装置１０に対し、実施形態の露光マスク２０を用いて露光処理を行うものとする。

【0040】

すなわち、半導体装置１０には、基板１１上に形成され、表層部分に被加工層１２ｔを含む膜１２が形成済みである。また、膜１２にはローカル段差ＬＳが生じており、領域ＡＷ１，ＡＷ２ごとに膜１２の膜厚が異なっている。

【0041】

図３に示すように、半導体装置１０の膜１２上に、例えばネガ型のフォトレジスト層１３を形成する。フォトレジスト層１３は、例えばスピンコーティング技術等を用いて形成される。これにより、膜厚差によりローカル段差ＬＳが生じた膜１２の表面全体に亘り、均一な層厚のフォトレジスト層１３を形成することができる。

【0042】

また、半導体装置１０のフォトレジスト層１３が形成された側の面に、露光マスク２０の反射層２２及び吸収層２３が設けられた側の面を対向させて、半導体装置１０と露光マスク２０とが互いに所定の距離を保つよう配置する。このとき、上述のように、吸収層２３のパターン２３１ｐが半導体装置１０の領域ＡＷ２上のフォトレジスト層１３に転写され、パターン２３２ｐが半導体装置１０の領域ＡＷ１上のフォトレジスト層１３に転写されることとなるよう、半導体装置１０と露光マスク２０との水平方向の位置を調整する。

【0043】

なお、図３においては、吸収層２３のパターン２３１ｐ，２３２ｐと半導体装置１０の領域ＡＷ１，ＡＷ２との位置関係が判りやすいように、半導体装置１０のサイズと、それに対応する露光マスク２０のサイズとが同一に示されている。しかし、上述のとおり、露光マスク２０は、半導体装置１０のサイズの例えば４倍程度のサイズを有し、露光マスク２０のパターン２３１Ｐ，２３２ｐは、フォトレジスト層１３に縮小されて転写される。

【0044】

半導体装置１０と露光マスク２０とを上記のように対向させた状態で、露光マスク２０の反射層２２及び吸収層２３が設けられた面の下方側から露光光ＬＴｅを露光マスク２０に照射する。

【0045】

露光マスク２０の反射層２２に到達した露光光ＬＴｅは、反射層２２により半導体装置１０側へと反射され、その反射光ＬＴｒによって膜１２上のフォトレジスト層１３が露光される。露光マスク２０の吸収層２３に到達した露光光ＬＴｅは、吸収層２３により吸収されて半導体装置１０側へは到達せず、膜１２上のフォトレジスト層１３を露光させることはない。

【0046】

これにより、吸収層２３のパターン２３１ｐが、膜１２の領域ＡＷ２上に形成されたフォトレジスト層１３に転写される。また、吸収層２３のパターン２３２ｐが、膜１２の領域ＡＷ１上に形成されたフォトレジスト層１３に転写される。

【0047】

ここで、領域ＡＷ１，ＡＷ２において、膜１２は異なる厚さを有する。このため、領域ＡＷ１上のフォトレジスト層１３と、領域ＡＷ２上のフォトレジスト層１３とでは、反射光ＬＴｒに対して異なる焦点深度、つまり、焦点の合う位置を有することとなる。

【0048】

このとき、吸収層２３のパターン２３１ｐと高さ方向に重なる基板２１の領域ＡＰ１と、膜１２の領域ＡＷ２とは、互いに対応する位置に配置されている。また、吸収層２３のパターン２３２ｐと高さ方向に重なる基板２１の領域ＡＰ２と、膜１２の領域ＡＷ１とは、互いに対応する位置に配置されている。

【0049】

これにより、基板２１の領域ＡＰ１と高さ方向に重なる位置の反射層２２から、膜１２の領域ＡＷ２と高さ方向に重なる位置のフォトレジスト層１３へと至る反射光ＬＴｒの焦点と、基板２１の領域ＡＰ２と高さ方向に重なる位置の反射層２２から、膜１２の領域ＡＷ１と高さ方向に重なる位置のフォトレジスト層１３へと至る反射光ＬＴｒの焦点と、をともに、高さ位置の異なるそれぞれのフォトレジスト層１３に対して合わせることができる。

【0050】

換言すれば、半導体装置１０が有する膜１２の膜厚差に応じて、半導体装置１０のそれぞれの領域ＡＷ１，ＡＷ２でフォトレジスト層１３に対して焦点が合うよう、露光マスク２０の反射層２２の表面高さが調整されている。

【0051】

このため、領域ＡＷ１上のフォトレジスト層１３と、領域ＡＷ２上のフォトレジスト層１３とのいずれにおいても反射光ＬＴｒの焦点が合い、いずれのパターン２３１ｐ，２３２ｐも高精度にフォトレジスト層１３に転写される。

【0052】

図４（ａ）に示すように、露光マスク２０を用いて上述のように露光されたフォトレジスト層１３を現像し、フォトレジスト層１３にパターン１３１ｐ，１３２ｐをそれぞれ形成する。パターン１３１ｐは、露光マスク２０のパターン２３２ｐが転写されたパターンであり、パターン１３２ｐは、露光マスク２０のパターン２３１ｐが転写されたパターンである。

【0053】

より具体的には、フォトレジスト層１３は、例えばネガ型のフォトレジスト層である。このため、露光マスク２０の反射層２２により反射された反射光ＬＴｒが入射して露光された部分は現像処理により残る。また、フォトレジスト層１３において、露光マスク２０の吸収層２３により露光光ＬＴｅが吸収されて露光されなかった部分は除去される。これにより、フォトレジスト層１３にパターン１３１ｐ，１３２ｐが形成される。

【0054】

ただし、フォトレジスト層１３はポジ型のフォトレジスト層であってもよい。この場合、露光マスク２０の反射層２２を露出させる部分と、吸収層２３で覆う部分とを上述の例とは反転させればよい。これにより、フォトレジスト層１３に、図４（ａ）に示すパターン１３１ｐ，１３２ｐを同様に形成することができる。

【0055】

図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１３のパターン１３１ｐ，１３２ｐを介して膜１２の表層部分の被加工層１２ｔをエッチング加工する。これにより、フォトレジスト層１３のパターン１３１ｐ，１３２ｐが転写されたパターン１２１ｐ、１２２ｐが被加工層１２ｔに形成される。パターン１２１ｐ、１２２ｐは、例えば数十ｎｍサイズのライン＆スペース、ホール、またはドット等の形状を有しうる。

【0056】

図４（ｃ）に示すように、酸素プラズマ等を用いたアッシング処理等によってフォトレジスト層１３を除去する。

【0057】

以上により、実施形態の半導体装置１０に対する露光現像処理およびエッチング処理が終了する。

【0058】

これ以降、半導体装置１０に対して、更に種々の層を形成し、形成したこれらの層を適宜、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて加工する等の工程を繰り返すことで、半導体装置１０が製造される。

【0059】

（比較例）
半導体装置の製造工程では、数十ｎｍサイズのパターンを被加工層に形成するため、ＥＵＶ露光技術が用いられることがある。ＥＵＶ露光技術においては、これまでの透過型の露光マスクに替えて、例えば露光光を反射させてフォトレジスト層を露光する反射型の露光マスクが用いられる。図５及び図６に、比較例の反射型の露光マスク２０ｘの構成例を示す。

【0060】

図５及び図６は、比較例にかかる露光マスク２０ｘを用いた露光処理の手順の一例を示す断面図である。

【0061】

図５及び図６に示すように、比較例の露光マスク２０ｘは、全体に亘って等しい厚さを有する平板状の基板２１ｘと、基板２１ｘ上に設けられ、全体に亘って等しい層厚の反射層２２ｘと、反射層２２ｘ上に設けられ、パターンＡ，Ｂを有する吸収層２３ｘとを備える。

【0062】

図５に示す例では、露光マスク２０ｘを用いて、半導体装置１０ｘに対して露光処理を行うものとする。

【0063】

図５（ａ）に示すように、半導体装置１０ｘは、基板１１ｘと、基板１１ｘ上に形成され、全体に亘って等しい層厚の膜１２ｘとを有しており、膜１２ｘ上にはフォトレジスト層１３ｘが更に形成されている。

【0064】

露光マスク２０ｘの反射層２２ｘ及び吸収層２３ｘが形成された側の面を、半導体装置１０ｘの膜１２ｘ及びフォトレジスト層１３ｘが形成された側の面に対向させて配置する。また、反射層２２ｘ及び吸収層２３ｘ側から露光マスク２０ｘに露光光を照射し、反射層２２ｘで反射された反射光により半導体装置１０ｘのフォトレジスト層１３ｘを露光して、パターンＡ，Ｂをフォトレジスト層１３ｘに形成する。

【0065】

図５（ｂ）に示すように、この場合、フォトレジスト層１３ｘのパターンＡが形成される部分とパターンＢが形成される部分とでは、パターンＡ，Ｂのベストフォーカス位置が等しい。このため、パターンＡ，Ｂのいずれも高精度に形成される。

【0066】

図６に示す例では、露光マスク２０ｘを用いて、半導体装置１０ｙに対して露光処理を行うものとする。

【0067】

図６（ａ）に示すように、半導体装置１０ｙは、基板１１ｙと、基板１１ｙ上に形成され、領域ごとに異なる膜厚を有する膜１２ｙとを有しており、膜１２ｙ上にはフォトレジスト層１３ｙが更に形成されている。

【0068】

また、図５（ａ）と同様に、露光マスク２０ｘと半導体装置１０ｙとを対向させ、露光マスク２０ｘに露光光を照射して、反射層２２ｘで反射された反射光により半導体装置１０ｙのフォトレジスト層１３ｙを露光して、パターンＡ，Ｂをフォトレジスト層１３ｙに形成する。ここで、パターンＡは、膜厚が厚い部分の膜１２ｙ上に形成され、パターンＢは、膜厚が薄い部分の膜１２ｙ上に形成されるものとする。

【0069】

図６（ｂ）に示すように、この場合、フォトレジスト層１３ｙのパターンＡが形成される部分は、パターンＢが形成される部分よりも露光マスク２０ｘのパターン面に近く、ベストフォーカス位置が異なることとなる。このため、例えば反射光の焦点をパターンＡに合わせると、パターンＢに対する焦点が合わない等、パターンＡ，Ｂの両方に対して反射光の焦点を合わせることが困難となってしまう。

【0070】

実施形態の露光マスク２０によれば、反射層２２は、基板２１の裏面からの表面高さが所定高さである領域ＡＲ２と、反射層２２が表面に有する段差ＳＴｒを介して領域ＡＲ２に隣接し、基板２１の裏面からの表面高さが上記所定の高さよりも高い領域ＡＲ１と、を有する。これにより、露光処理時のフォーカスマージンを向上させて、ローカル段差ＬＳを有する膜１２上に形成されたフォトレジスト層１３の全域に亘って焦点を合わせることができる。

【0071】

実施形態の露光マスク２０によれば、基板２１は、所定の厚さを有し、反射層２２の領域ＡＲ２に高さ方向で重なる領域ＡＧ２と、基板２１の反射層２２等が設けられた側の主面が有する段差ＳＴｇを介して領域ＡＧ２に隣接し、上記所定の厚さよりも厚く、反射層２２の領域ＡＲ１に高さ方向で重なる領域ＡＧ１と、を有する。これにより、それぞれの領域ＡＲ１，ＡＲ２における反射層２２の表面高さを異ならせることができ、ローカル段差ＬＳを有する膜１２上に形成されたフォトレジスト層１３に対して焦点を合わせることができる。

【0072】

実施形態の露光マスク２０によれば、反射層２２表面の段差ＳＴｒは、例えば０．０１°以上５°以下の傾斜角を有する傾斜面となっている。このような傾斜角を有する傾斜面は、基板２１表面の段差ＳＴｇが緩やかな傾斜角となるよう調整することによって得られる。このように、基板２１の段差ＳＴｇを緩やかにすることで、基板２１表面に反射層２２を形成する際、基板２１の段差ＳＴｇによる影響を低減して、反射層２２にひずみ等が生じることを抑制し、全体的に等しい層厚を有する反射層２２を形成することができる。よって、露光光に対する反射層２２の反射効率および屈折率等を反射層２２の全体に亘って均一にすることができる。

【0073】

実施形態の半導体装置１０の製造方法によれば、露光マスク２０の領域ＡＲ１，ＡＲ２と、膜１２の複数の領域ＡＷ１，ＡＷ２とが対応するように、ウェハ１と露光マスク２０とを配置する。より詳細には、露光マスク２０の領域ＡＲ２とウェハ１の領域ＡＷ１とを対応させ、露光マスク２０の領域ＡＲ１と、ウェハ１の領域ＡＲ２とを対応させて、ウェハ１と露光マスク２０とを配置する。

【0074】

これにより、露光処理時のフォーカスマージンが向上し、ローカル段差ＬＳを有する膜１２上に形成されたフォトレジスト層１３の全域において焦点を合わせることができる。

【0075】

実施形態の半導体装置１０の製造方法によれば、領域ＡＲ１，ＡＲ２における反射層２２の表面高さの差は、ウェハ１の領域ＡＷ１，ＡＷ２における膜１２の膜厚差の２倍以上１０倍以下である。

【0076】

上述のように、製造途中の半導体装置１０に形成された膜１２は、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚差を生じさせるローカル段差ＬＳを有することがある。これに対し、露光マスク２０の反射層２２における表面高さの差を、例えば１２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下に調整し、ウェハ１に形成された膜１２の膜厚差に対して２倍以上１０倍以下の差を生じさせることにより、ローカル段差ＬＳを有する膜１２上に形成されたフォトレジスト層１３の全域に亘って焦点を合わせることができる。

【0077】

（変形例１）
次に、図７を用いて、実施形態の変形例１の露光マスク３２０について説明する。変形例１の露光マスク３２０は、反射層２２の段差ＳＴｒが形成された部分にも、吸収層３２３が形成されている点が上述の実施形態とは異なる。

【0078】

なお、以下の図面において、上述の実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。

【0079】

図７は、実施形態の変形例１にかかる露光マスク３２０の構成の一例を示す断面図である。図７に示すように、変形例１の露光マスク３２０は、ガラス基板等の基板２１と、基板２１上に形成された反射層２２と、反射層２２上に形成された吸収層３２３とを備える。

【0080】

変形例１の露光マスク３２０において、基板２１及び反射層２２は、上述の実施形態と同様に構成される。

【0081】

吸収層３２３は、反射層２２の領域ＡＲ１，ＡＲ２上にパターン２３１ｐ，２３２ｐをそれぞれ有し、反射層２２の段差ＳＴｒ上にパターン２３３ｐを有して構成される。パターン２３３ｐは、例えば反射層２２の段差ＳＴｒ全体を覆っている。

【0082】

また、吸収層３２３は、領域ＡＲ１，ＡＲ２において等しい層厚を有していてよい。一方、吸収層３２３は、段差ＳＴｔにおいて、領域ＡＲ１，ＡＲ２と等しい層厚を有していてもよく、または、領域ＡＲ１，ＡＲ２とは異なる層厚を有していてよい。また、吸収層３２３の層厚は、段差ＳＴｔにおいて変化していてもよい。

【0083】

以上のように構成される露光マスク３２０は、例えば以下のように製造することができる。

【0084】

基板２１及び反射層２２は、例えば上述の実施形態と同様に形成される。吸収層３２３もまた、段差ＳＴｒ上にパターン２３３ｐを形成すること以外は、例えば上述の実施形態と同様に形成される。このとき、吸収層３２３の形成手法および形成条件等によって、段差ＳＴｔにおける吸収層３２３の層厚は、上述したように種々に異なり得る。

【0085】

以上により、変形例１の露光マスク３２０が製造される。

【0086】

変形例１の露光マスク３２０によれば、吸収層３２３は、反射層２２の段差ＳＴｒにも設けられている。これにより、反射層２２の段差ＳＴｒに照射された露光光が、段差ＳＴｒにより乱反射するなどして、露光処理に影響を及ぼすことを抑制することができる。

【0087】

変形例１の露光マスク３２０によれば、その他、上述の実施形態と同様の効果を奏する。

【0088】

なお、上述の変形例１の露光マスク３２０は、上述の実施形態と同様の基板２１及び反射層２２を備えることとしたが、変形例１の吸収層３２３の構成を、上述の変形例１または変形例２の露光マスク１２０，２２０に適用することも可能である。

【0089】

また、上述の変形例１の露光マスク３２０は、領域ＡＲ１，ＡＲ２における層厚が等しい吸収層３２３を有することとしたが、上述の変形例２の吸収層２２３のように、変形例１の露光マスク３２０が、領域ＡＲ１，ＡＲ２で層厚が異なる吸収層３２３を有していてもよい。

【0090】

（変形例２）
次に、図８～図９を用いて、実施形態の変形例２の露光マスク４２０について説明する。変形例２の露光マスク４２０は、複数のローカル段差ＬＳ１～ＬＳ３を有する半導体装置４１０の露光処理に用いられる点が、上述の実施形態とは異なる。

【0091】

なお、以下の図面において、上述の実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。

【0092】

上述の実施形態では、膜１２は、１つのローカル段差ＬＳを含むこととした。しかし、複数の工程を経て種々の異種層を含むこととなった膜は、これまでに経てきた工程等により、複数のローカル段差を有する場合がある。図８に、そのような半導体装置４１０の一例を示す。

【0093】

図８は、実施形態の変形例２にかかる半導体装置４１０の構成の一例を示す断面図である。図８は、製造途中の半導体装置４１０の一部領域の模式図であり、例えば露光現像処理前の状態を示している。

【0094】

図８に示すように、変形例２の半導体装置４１０は、シリコン基板等の基板１１、複数の異種層が積層された多層膜構造を有し、表層部分に被加工層４１２ｔを有して基板１１上に形成された膜４１２を備える。

【0095】

膜４１２は、所定の膜厚を有する領域ＡＷ４１、領域ＡＷ４１よりも膜厚が薄い第６の領域としての領域ＡＷ４２、領域ＡＷ４２よりも更に膜厚が薄い第５の領域としての領域ＡＷ４３、及び領域ＡＷ４３よりも膜厚が厚い領域ＡＷ４４を有する。

【0096】

領域ＡＷ４１，ＡＷ４２は互いに隣接しており、例えば膜４１２の表面の緩やかな傾斜面を有するローカル段差ＬＳ１によってひと続きに繋がっている。領域ＡＷ４２，ＡＷ４３は互いに隣接しており、例えば膜４１２の表面の緩やかな傾斜面を有するローカル段差ＬＳ２によってひと続きに繋がっている。領域ＡＷ４３，ＡＷ４４は互いに隣接しており、例えば膜４１２の表面の緩やかな傾斜面を有するローカル段差ＬＳ４によってひと続きに繋がっている。

【0097】

これらの領域ＡＷ４１～ＡＷ４４は、矩形状を含む種々の形状を取り得る。それぞれの領域ＡＷ４１～ＡＷ４４の最小幅は、例えば少なくとも数μｍ程度であってよい。また、これらの領域ＡＷ４１～ＡＷ４４における膜４１２の膜厚差は例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。ただし、これらの数値はあくまでも一例である。

【0098】

なお、半導体装置４１０に含まれるローカル段差ＬＳ１～ＬＳ３の数はあくまでも一例であり、半導体装置４１０がこれまでに経てきた工程、及び製造工程の段階ごとによって、様々に異なり得る。また、領域ＡＷ４１～ＡＷ４４の上記膜厚および並び順もあくまでも一例であり、半導体装置４１０には、半導体装置４１０がこれまでに経てきた工程、及び製造工程の段階ごとによって、様々な膜厚を有する領域が種々の並び順で配置されうる。

【0099】

図９は、実施形態の変形例２にかかる露光マスク４２０の構成の一例を示す断面図である。変形例２の露光マスク４２０は、上述の半導体装置４１０に対応して設計され、半導体装置４１０の露光処理に用いられる。

【0100】

図９に示すように、露光マスク４２０は、ガラス基板等の基板４２１と、基板４２１上に形成された反射層４２２と、反射層４２２上に形成された吸収層４２３とを備える。

【0101】

基板４２１は、所定厚さを有する領域ＡＧ４１、領域ＡＧ４１の基板４２１の厚さよりも厚い所定厚さを有する領域ＡＧ４２、領域ＡＧ４２よりも薄い所定厚さを有する領域ＡＧ４３、及び領域ＡＧ４３の基板４２１の厚さよりも薄い所定厚さを有する領域ＡＧ４４を有する。

【0102】

領域ＡＧ４１，ＡＧ４２は互いに隣接しており、例えば反射層４２２及び吸収層４２３側の基板４２１主面の緩やかな傾斜面を有する段差ＳＴ４ｇによってひと続きに繋がっている。領域ＡＧ４２，ＡＧ４３は互いに隣接しており、例えば反射層４２２及び吸収層４２３側の基板４２１主面の緩やかな傾斜面を有する段差ＳＴ５ｇによってひと続きに繋がっている。領域ＡＧ４３，ＡＧ４４は互いに隣接しており、例えば反射層４２２及び吸収層４２３側の基板４２１主面の緩やかな傾斜面を有する段差ＳＴ６ｇによってひと続きに繋がっている。

【0103】

反射層４２２は、例えば全体に亘り等しい厚さを有する。これにより、反射層４２２においては、基板４２１の領域ＡＧ４１～ＡＧ４４及び段差ＳＴ４ｇ～ＳＴ６ｇに対応して、基板４２１の裏面からの表面高さが異なることとなる。

【0104】

すなわち、反射層４２２は、基板４２１の領域ＡＧ４１と高さ方向に重なる第３の領域としての領域ＡＲ４１を有する。領域ＡＲ４１において、反射層４２２は、基板４２１の裏面からの表面高さとして、第３の高さとしての所定の高さを有する。

【0105】

また、反射層４２２は、基板４２１の領域ＡＧ４２と高さ方向に重なる第２の領域としての領域ＡＲ４２を有する。領域ＡＲ４２において、反射層４２２は、基板４２１の裏面からの表面高さとして、領域ＡＲ４１における表面高さよりも高い、第２の高さとしての所定の高さを有する。

【0106】

また、反射層４２２は、基板４２１の領域ＡＧ４３と高さ方向に重なる第１の領域としての領域ＡＲ４３を有する。領域ＡＲ４３において、反射層４２２は、基板４２１の裏面からの表面高さとして、領域ＡＲ４２における表面高さよりも低い、第１の高さとしての所定の高さを有する。

【0107】

また、反射層４２２は、基板４２１の領域ＡＧ４４と高さ方向に重なる領域ＡＲ４４を有する。領域ＡＲ４４において、反射層４２２は、基板４２１の裏面からの表面高さとして、領域ＡＲ４３における表面高さよりも更に低い所定の高さを有する。

【0108】

これらの領域ＡＲ４１～ＡＲ４４における反射層４２２の表面高さの差は、例えば上述の半導体装置４１０が有する膜４１２の膜厚差の２倍以上１０倍以下である。また、これらの領域ＡＲ４１～ＡＲ４４は、半導体装置４１０の膜４１２における領域ＡＷ４１～ＡＷ４４とそれぞれ相似形をなし、これらの領域ＡＲ４１～ＡＲ４４が例えば矩形状であった場合、それぞれの領域ＡＲ４１～ＡＲ４４の１辺の長さは例えば数百ｎｍ～数ｍｍ程度である。

【0109】

また、反射層４２２は、基板４２１の段差ＳＴ４ｇと高さ方向に重なる位置に第２の段差としての段差ＳＴ４ｒを有する。また、反射層４２２は、基板４２１の段差ＳＴ５ｇと高さ方向に重なる位置に第１の段差としての段差ＳＴ５ｒを有する。また、反射層４２２は、基板４２１の段差ＳＴ６ｇと高さ方向に重なる位置に段差ＳＴ６ｒを有する。

【0110】

これらの段差ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒはそれぞれ、基板４２１の段差ＳＴ４ｇ～ＳＴ６ｇに沿うように、所定の傾斜角を有する緩やかな傾斜面となっている。具体的には、段差ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒはそれぞれが、例えば傾斜角が０．０１°以上５°以下の緩やかな傾斜面となっていることが好ましい。

【0111】

また、これらの段差ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒのサイズの一例として、領域ＡＲ４１～ＡＲ４４にそれぞれ挟まれた段差ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒの幅を、例えばそれぞれ１μｍ以上数ｍｍ以下とすることができる。

【0112】

吸収層４２３は、反射層４２２の領域ＡＲ４１～ＡＲ４４上にパターン４３１ｐ～４３４ｐをそれぞれ有して構成される。吸収層４２３は、領域ＡＲ４１～ＡＲ４４の全体に亘って等しい層厚を有していてよい。

【0113】

なお、複数の段差ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒを有する変形例２の露光マスク４２０の構成を、上述の変形例１～３のいずれかの構成に適用することも可能である。すなわち、複数の段差ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒを有する露光マスクを、基板および反射層の少なくともいずれかが異なる厚さを有するよう構成することができる。また、複数の段差ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒを有する露光マスクが、複数の領域における層厚が異なる吸収層を備えていてもよい。

【0114】

その他、基板４２１、反射層４２２、及び吸収層４２３の各種構成、並びに基板４２１、反射層４２２、及び吸収層４２３に関する各種数値は、上述の実施形態および変形例１～３のいずれかの基板、反射層、及び吸収層と同様とすることができる。

【0115】

以上のように構成される露光マスク４２０もまた、例えば上述の実施形態の露光マスク２０と同様に製造することができる。

【0116】

図１０は、実施形態の変形例２にかかる半導体装置４１０の製造方法の手順の一部を例示する断面図である。図１０においては、露光マスク４２０を用いた半導体装置４１０の露光処理の様子を示す。

【0117】

図１０に示すように、露光マスク４２０の反射層４２２及び吸収層４２３が設けられた側を、半導体装置４１０の膜４１２上に形成したフォトレジスト層４１３と対向させて、露光マスク４２０と半導体装置４１０とを配置する。また、反射層４２２及び吸収層４２３が設けられた側から、露光光ＬＴｅを露光マスク４２０に照射して、反射層４２２で反射された反射光ＬＴｒにより半導体装置４１０のフォトレジスト層４１３を露光させる。

【0118】

このときの露光マスク４２０と半導体装置４１０との配置位置としては、露光マスク４２０が備える反射層４２２の表面高さが最も低い領域ＡＲ４４と、半導体装置４１０に形成された膜４１２の膜厚が最も厚い領域ＡＷ４１とを対応させる。また、露光マスク４２０が備える反射層４２２の表面高さが最も高い領域ＡＲ４２と、半導体装置４１０に形成された膜４１２の膜厚が最も薄い領域ＡＷ４３とを対応させる。

【0119】

またこれにより、露光マスク４２０が備える反射層４２２の表面高さが、領域ＡＲ４１，ＡＲ４４の間である領域ＡＲ４３と、半導体装置４１０に形成された膜４１２の膜厚が領域ＡＷ４１，ＡＷ４４の間である領域ＡＷ４２とが互いに対応する位置に配置される。また、露光マスク４２０が備える反射層４２２の表面高さが、領域ＡＲ４１，ＡＲ４４の間である領域ＡＲ４２と、半導体装置４１０に形成された膜４１２の膜厚が領域ＡＷ４１，ＡＷ４４の間である領域ＡＷ４３とが互いに対応する位置に配置される。

【0120】

この状態で上記露光処理を行うことで、半導体装置４１０の領域ＡＷ４１～ＡＷ４４に形成されたフォトレジスト層４１３のいずれの部分においても、反射光ＬＴｒの焦点が合い、露光マスク４２０のパターン４３１ｐ～４３４ｐのいずれもが高精度にフォトレジスト層４１３に転写される。

【0121】

変形例２の露光マスク４２０によれば、反射層４２２は、反射層４２２が表面に有する段差ＳＴ４ｒを介して領域ＡＲ４２に隣接し、基板４２１の裏面からの表面高さが領域ＡＲ４２における表面高さとは異なる高さである領域ＡＲ４１を更に有する。

【0122】

このように、露光マスク４２０は、半導体装置４１０が有するローカル段差ＬＳ１～ＬＳ３の数、並びに異なる膜厚を有する複数の領域ＡＷ４１～ＡＷ４４の数および配置に応じて、様々な構成を採ることができる。これにより、露光処理時のフォーカスマージンをいっそう向上させることができる。

【0123】

変形例２の露光マスク４２０によれば、その他、上述の実施形態と同様の効果を奏する。

【0124】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0125】

１，２…ウェハ、１０，４１０…半導体装置、１２，４１２…膜、１２ｔ、４１２ｔ…被加工層、１３，４１３…フォトレジスト層、２０，３２０，４２０…露光マスク、２１，４２１…基板、２２，４２２…反射層、２３，３２３，４２３…吸収層、２３１ｐ，２３２ｐ，２３３ｐ，４３１ｐ～４３４ｐ…パターン、ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ４１～ＡＲ４４…領域、ＡＷ１，ＡＷ２，ＡＷ４１～ＡＷ４４…領域、ＳＴｒ，ＳＴ４ｒ～ＳＴ６ｒ…段差、ＬＳ，ＬＳ１～ＬＳ３…ローカル段差。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】