特開 2024-31088 配管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024031088

(43)【公開日】2024-03-07

(54)【発明の名称】配管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240229BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20240229BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 C

C23C16/44 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022134410

(22)【出願日】2022-08-25

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100118843

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 明

(72)【発明者】

【氏名】松原 雄也

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030AA09

4K030BA01

4K030BA14

4K030BA26

4K030BA27

4K030BA29

4K030BA36

4K030BA39

4K030BA42

4K030EA12

4K030KA45

4K030KA46

4K030KA47

5F045AA08

5F045AC07

5F045AC19

5F045AD01

5F045AE01

5F045BB08

5F045EB12

5F045EE13

5F045EG08

5F045EG09

(57)【要約】

【課題】プロセスガスの排気管の閉塞を抑制することができる配管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態による配管は、半導体製造装置の処理チャンバからプロセスガスを排気する。第１管部の第１端部は、処理チャンバに接続され、第２端部が他の配管に接続されている。第２管部は、第１端部と第２端部との間において第１管部に接続され、第１管部内に水素ガスまたは水素ラジカルを供給する。バルブは、第２管部と第２端部との間に設けられ、第１管部内を開閉可能である。金属膜が第１管部の内壁に被覆されている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体製造装置の処理チャンバからプロセスガスを排気する配管であって、
第１端部が前記処理チャンバに接続され、第２端部が他の配管に接続された第１管部と、
前記第１端部と前記第２端部との間において前記第１管部に接続され、前記第１管部内に水素ガスまたは水素ラジカルを供給する第２管部と、
前記第２管部と前記第２端部との間に設けられ、前記第１管部内を開閉可能なバルブと、
前記第１管部の内壁に被覆された金属膜と、を備える配管。

【請求項2】

前記金属膜には、ルテニウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）のいずれかの単層または２種以上の積層膜が用いられる、請求項１に記載の配管。

【請求項3】

前記金属膜は、ラジカルを水素化する材料で構成されている、請求項１に記載の配管。

【請求項4】

基板をプロセスガスで処理する処理チャンバと、
第１端部が前記処理チャンバに接続され、第２端部が他の配管に接続され、前記処理チャンバからプロセスガスを排気する第１管部と、
前記第１端部と前記第２端部との間において前記第１管部に接続され、前記第１管部内に水素ガスを供給する第２管部と、
前記第２管部と前記第２端部との間に設けられ、前記第１管部内を開閉可能なバルブと、
前記第１管部の内壁に被覆された金属膜と、を備える半導体製造装置。

【請求項5】

基板をプロセスガスで処理する処理チャンバと、
第１端部が前記処理チャンバに接続され、第２端部が他の配管に接続され、前記処理チャンバからプロセスガスを排気する第１管部と、
前記第１端部と前記第２端部との間において前記第１管部に接続され、前記第１管部内に水素ガスを供給する第２管部と、
前記第２管部と前記第２端部との間に設けられ、前記第１管部内を開閉可能なバルブと、
前記第２管部に接続され水素ガスから水素ラジカルを生成するラジカル生成器と、を備える半導体製造装置。

【請求項6】

前記金属膜には、ルテニウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）のいずれかの単層または２種以上の積層膜が用いられる、請求項４に記載の装置。

【請求項7】

前記金属膜は、ラジカルを水素化する材料で構成されている、請求項４に記載の装置。

【請求項8】

前記第２管部から供給される水素ガスの流量は、前記プロセスガスの流量よりも多い、請求項４または請求項５に記載の装置。

【請求項9】

基板をプロセスガスで処理する半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
処理チャンバにプロセスガスを導入して前記基板を処理し、
前記処理チャンバからプロセスガスを排気する第１管部において、前記第１管部に接続される第２管部から前記第１管部内に水素ガスまたは水素ラジカルを供給し、前記プロセスガスを水素化することを具備する、半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本実施形態は、配管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等の半導体製造装置において、プロセスガスの排気管が閉塞する問題があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－３２４０９６号公報

【特許文献2】特開２０２２－０５０２３０号公報

【特許文献3】特開２０１９－０５７５３０号公報

【特許文献4】特開２０１７－０８８９１６号公報

【特許文献5】特開２０１５－２１４７４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

プロセスガスの排気管の閉塞を抑制することができる配管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態による配管は、半導体製造装置の処理チャンバからプロセスガスを排気する。第１管部の第１端部は、処理チャンバに接続され、第２端部が他の配管に接続されている。第２管部は、第１端部と第２端部との間において第１管部に接続され、第１管部内に水素ガスまたは水素ラジカルを供給する。バルブは、第２管部と第２端部との間に設けられ、第１管部内を開閉可能である。金属膜が第１管部の内壁に被覆されている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態による半導体製造装置の構成例を示す概略図。

【図2】配管の構成および機能の一例を示す概略断面図。

【図3】配管の構成および機能の一例を示す概略断面図。

【図4】第２実施形態による半導体製造装置の構成の一例を示す概略断面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による半導体製造装置１の構成例を示す概略図である。半導体製造装置１は、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のように、プロセスガスをプラズマ化して電離させて半導体基板を処理する成膜装置でよい。尚、半導体製造装置１は、プラズマＣＶＤ装置以外の半導体製造装置にも適用可能である。

【0009】

半導体製造装置１は、処理チャンバ１０と、ステージ２０と、配管３０とを備えている。

【0010】

処理チャンバ１０は、半導体基板（以下、単に、ウェハともいう）Ｗを収容し、内部に導入されたプロセスガスをプラズマ化させ、ウェハＷ上に材料膜を成膜するために用いられる。ステージ２０は、処理チャンバ１０内に設けられており、ウェハＷを載置することができる。図示しないが、処理チャンバ１０には、プロセスガスおよびパージガス等のガスを導入するための配管が接続されている。

【0011】

配管３０は、処理チャンバ１０に接続されており、処理チャンバ１０内においてウェハＷの処理に使用されたプロセスガスを処理チャンバ１０から外部へ排気するために設けられている。配管３０の一端は、処理チャンバ１０に接続されており、その他端は、他の配管３１に接続されている。尚、配管３０の構成および機能については、後述する。

【0012】

配管３０には、水素供給管４０およびバルブ５０が設けられている。水素供給管４０は、配管３０の一端とその他端との間に接続されている。水素供給管４０は、その一端が配管３０に接続されており、配管３０内に水素ガスを供給するために設けられている。水素供給管４０は、その他端が水素供給部９０に接続されており、水素ガスを水素供給部９０から配管３０へ導入する。水素供給管４０は、チャンバ１０とバルブ５０との間の配管３０に接続されている。配管３０は、水素供給管４０からの水素ガスを水素ラジカルにして、処理チャンバ１０から排気されるプロセスガスを水素化する。

【0013】

バルブ５０は、水素供給管４０と配管３０の他端との間に、即ち、水素供給管４０より下流側に設けられ、配管３０の内部を開閉することができる。例えば、バルブ５０が開いているときには、配管３０は開放され、処理チャンバ１０からのガスはバルブ５０から下流へ流れる。従って、処理チャンバ１０からのガスが配管３０を介して排気され得る。バルブ５０が閉じているときには、配管３０は閉塞され、処理チャンバ１０からのガスはバルブ５０より下流へ流れない。従って、処理チャンバ１０からのガスが配管３０を介して排気されない。バルブ５０は、バルブ制御部５１に接続されており、バルブ制御部５１の制御を受けて配管３０の内部を開閉する。尚、下流はガスの流れる方向を示し、上流はガスの流れる方向とは逆方向を示す。

【0014】

バルブ５０は、その開閉の度合い（配管３０の開口の度合い）によって処理チャンバ１０内の圧力を調整することができる。例えば、バルブ５０が僅かに開いている場合（配管３０の開口度合いが小さい場合）、処理チャンバ１０内の圧力は上昇する。一方、バルブ５０が大きく開いている場合（配管３０の開口度合いが大きい場合）、処理チャンバ１０内の圧力は低下する。

【0015】

配管３０は、処理チャンバ１０と配管３１との間に接続されている。配管３１は、配管３０とプロセスガス回収器６０との間に接続されている。配管３２は、プロセスガス回収器６０と真空ポンプ７０との間に接続されている。配管３３は、真空ポンプ７０と除害装置８０との間に接続されている。

【0016】

処理チャンバ１０から排気されるプロセスガスは、配管３０内で水素ラジカルによって水素化され、その後、配管３１を通ってプロセスガス回収器６０において冷却される。プロセスガス回収器６０は、例えば、液体窒素等を用いて水素化されたプロセスガスを冷却し、液化する。液化されたプロセスガスは、ウェハＷの処理に再利用するために回収される。

【0017】

プロセスガス回収器６０を通過したガスは、配管３２を通って真空ポンプ７０で除害装置８０へ送られる。真空ポンプ７０は、配管３０～３２を介して処理チャンバ１０に連通しており、処理チャンバ１０内を減圧する。

【0018】

真空ポンプ７０を通過したガスは、除害装置８０において加熱され無害化され、外部へ排出される。

【0019】

水素供給部９０は、水素を貯留しており、水素供給管４０を介して配管３０内へ水素ガスを供給する。

【0020】

半導体製造装置１は、処理チャンバ１０と、配管３０とを備えているが、配管３０は、処理チャンバ１０から取り外し可能となっており、交換することができる。従って、半導体製造装置１は少なくとも処理チャンバ１０を備えるが、配管３０～３３、プロセスガス回収器６０、真空ポンプ７０、除害装置８０、水素供給部９０等の配管３０よりも下流の構成は、別構成として半導体製造装置１に対して外付けされてもよい。

【0021】

図２および図３は、配管３０の構成および機能の一例を示す概略断面図である。図２は、水素ガスが配管３０内に供給されている様子を示している。図３は、プロセスガスが水素化されている様子を示している。

【0022】

配管３０は、管部３０ａと、水素供給管４０と、バルブ５０と、金属膜３０ｂとを備えている。管部３０ａは、端部Ｅ１が処理チャンバ１０に接続されており、端部Ｅ２が他の配管３１に接続されている。管部３０ａには、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ等を含むステンレス（ＳＵＳ）等の耐腐食性材料が用いられる。

【0023】

水素供給管４０は、端部Ｅ１と端部Ｅ２との間の配管３０の途中に接続され、配管３０内に水素ガスを供給することができる。水素供給管４０には、管部３０ａと同様に、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ等を含むステンレス（ＳＵＳ）等の耐腐食性材料が用いられる。

【0024】

バルブ５０は、水素供給管４０と端部Ｅ２との間に設けられており、配管３０を開きまたは閉じることができるように構成されている。バルブ５０は、矢印Ａ１方向に移動させることによって、配管３０を閉じ、矢印Ａ１とは逆方向に移動させることによって、配管３０を開く。図２では、バルブ５０は、配管３０を開いている状態を示している。バルブ５０にも、管部３０ａと同様に、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ等を含むステンレス（ＳＵＳ）等の耐腐食性材料が用いられる。

【0025】

金属膜３０ｂは、管部３０ａの内壁を被覆している。金属膜３０ｂは、例えば、炭化水素ラジカルを水素化して炭酸水素ガスに変換する材料で構成されている。金属膜３０ｂには、例えば、ルテニウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）のいずれかの単層または２種以上の積層膜が用いられる。金属膜３０ｂは、プロセスガスを水素化するための金属触媒として機能する。

【0026】

例えば、プロセスガスとして炭化水素ガスＣ_ｍＨ_ｎを用いた場合、炭化水素ガスＣｍＨｎが電離してラジカル化したラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ－ｐ（以下、Ｃ_ｍＨ_ｎ ^＊とも表示する）が発生する。尚、ｍ、ｎは正整数、ｐはｎ以下の正整数である。また、ラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ ^＊を、以下、プロセスガスとも呼ぶ場合がある。

【0027】

ラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ ^＊は、ウェハＷの処理に使用されるが、使用されずに排気されるものもある。この場合、ラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ ^＊は、配管３０へ流れてくる。

【0028】

もし、金属膜３０ｂが管部３０ａの内壁に設けられていない場合、ラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ ^＊が管部３０ａの内壁に吸着して安定化する。これを繰り返すと、ラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ ^＊に由来する堆積物（炭化水素）が管部３０ａを閉塞するおそれがある。

【0029】

特に、バルブ５０の近傍では、プロセスガスの流れが変化し、プロセスガスの流速が変化し易い。例えば、バルブ５０が僅かに開いている場合、バルブ５０の下流側の直近の位置では、バルブ５０を通過したプロセスガスの流速は急激に早くなっている。この場合、バルブ５０の下流側の直近の位置において、プロセスガスに由来する堆積物が管部３０ａの内壁に付着し易く、閉塞し易い。

【0030】

これに対し、本実施形態によれば、ラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ ^＊を水素化する触媒として機能する金属膜３０ｂが管部３０ａの内壁に設けられている。金属膜３０ｂは、水素供給管４０からの水素ガスをラジカル化して水素ラジカルを生成する。ラジカルガスＣ_ｍＨ_ｎ ^＊は、水素ラジカルと反応し、炭化水素ガスＣ_ｍＨ_ｎへ水素化される。炭化水素ガスは、比較的安定しており、配管３０内に蓄積されず、下流へ流れる。例えば、図３に示すように、ラジカルガスＣ_２Ｈ^＊が配管３０に流れてきた場合、金属膜３０ｂが触媒として機能し、ラジカルガスＣ_２Ｈ^＊を水素ラジカルで水素化する。これにより、ラジカルガスＣ_２Ｈ^＊は、炭化水素ガスＣ_２Ｈ_２となり、配管３０内に堆積することなく、ガス状態のまま下流へ流れる。

【0031】

金属膜３０ｂには、炭化水素のラジカルを水素化する触媒が用いられる。金属膜３０ｂは、例えば、ルテニウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）のいずれかの単層または２種以上の積層膜が用いられる。

【0032】

また、プロセスガスの一例として、炭化水素ガスＣ_ｍＨ_ｎを挙げたが、水素化してガスになる材料であれば、プロセスガスとして用いることができる。例えば、プロセスガスの主成分は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）のいずれであってもよい。

【0033】

例えば、プロセスガスがボロン（Ｂ）を含むガス（Ｂ_２Ｈ_６、ＢＦ_３、ＢＣｌ_３）等の場合、窒化ボロン（ＢＮ）、炭化ボロン（ＢＣ）、ボロンを含むＢドープドＳｉＯ_２等が副生成物として堆積し易い。しかし、本実施形態によれば、金属膜３０ｂがこれらのプロセスガスや副生成物を水素化することによって、プロセスガスＢ_２Ｈ_６等となって排出される。

【0034】

プロセスガスがカーボン（Ｃ）を含むガス（ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、Ｃ_４Ｈ_１０、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_４Ｈ_８、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_４Ｈ_６、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８）である場合、カーボン、Ｃ_ｘＦ_ｙ（ｘ、ｙは正整数）等が副生成物として堆積し易い。しかし、本実施形態によれば、金属膜３０ｂがこれらのプロセスガスや副生成物を水素化することによって、プロセスガスＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、Ｃ_４Ｈ_１０、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_４Ｈ_８、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_４Ｈ_６等となって排出される。

【0035】

プロセスガスがシリコン（Ｓｉ）を含むガスＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＦ_４である場合、シリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物等が副生成物として堆積し易い。しかし、本実施形態によれば、金属膜３０ｂがこれらのプロセスガスや副生成物を水素化することによって、プロセスガスＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６等となって排出される。

【0036】

プロセスガスがリン（Ｐ）を含むガスＰＨ_３である場合、ＰドープドＳｉ、あるいは、ＰドープドＳｉＯ_２等が副生成物として堆積し易い。しかし、本実施形態によれば、金属膜３０ｂがこれらのプロセスガスや副生成物を水素化することによって、プロセスガスＰＨ_３等となって排出される。

【0037】

プロセスガスがヒ素（Ａｓ）を含むガスＡｓＨ_３である場合、ＡｓドープドＳｉ、あるいは、ＡｓドープドＳｉＯ_２等が副生成物として堆積し易い。しかし、本実施形態によれば、金属膜３０ｂがこれらのプロセスガスや副生成物を水素化することによって、プロセスガスＡｓＨ_３等となって排出される。

【0038】

このように、プロセスガスの主成分が、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）のいずれかであっても、金属膜３０ｂは、プロセスガスを水素化してガスとして排出することができる。

【0039】

これにより、本実施形態では、プロセスガスが配管３０の内壁に堆積せず、ガス状態のまま配管３０およびバルブ５０を通過して下流側へ流れていく。例えば、バルブ５０の近傍でも、プロセスガスに由来する堆積物は付着せず、閉塞し難い。

【0040】

水素供給管４０から供給される水素ガスの流量は、チャンバ１０へ供給されるプロセスガスの流量よりも多いことが好ましい。これにより、排気されるプロセスガスは、充分に水素化され得る。

【0041】

尚、プロセスガス回収器６０では、液体窒素が、水素化されたプロセスガスを冷却し、液化する。例えば、プロセスガスＣＨ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_２Ｈ_２、Ｂ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_４、ＰＨ_３、ＡｓＨ_４等は、窒素よりも沸点が高いので、プロセスガス回収器６０において液化されて回収され得る。回収されたプロセスガスは、ウェハＷの処理に再利用され得る。

【0042】

プロセスガス回収器６０および真空ポンプ７０を通過したガスは、除害装置８０において燃焼され無害化され、外部へ排出される。
本実施形態において、金属膜３０ｂは、配管３０の内壁を被覆されている。しかし、金属膜３０ｂは、他の配管３１～３３の内壁を被覆してもよい。これにより、配管３１～３３の閉塞も抑制される。また、配管３１の内壁に金属膜３０ｂを設けることによって、より多くのプロセスガスが水素化される。従って、プロセスガス回収器６０がより多くのプロセスガスを回収することができる。

【0043】

（半導体装置の製造方法）
本実施形態による半導体製造装置１を用いた半導体装置の製造方法では、まず、処理チャンバ１０内にウェハＷを搬入してステージ２０上にウェハＷを載置する。

【0044】

次に、処理チャンバ１０内にプロセスガスを導入してウェハＷを処理する。これにより、例えば、ウェハＷの表面に所望の材料膜が成膜される。

【0045】

ウェハＷの処理後、使用済みのプロセスガスは、処理チャンバ１０から配管３０へ排気される。このとき、金属膜３０ｂに吸着された水素が水素ラジカルとなりプロセスガスを水素化する。このとき、水素供給管４０から供給される水素ガスの流量は、チャンバ１０へ供給されるプロセスガスの流量よりも多いことが好ましい。これにより、排気されるプロセスガスは、充分に水素化され得る。

【0046】

その後、この水素化されたプロセスガスは、プロセスガス回収器６０で回収されるか、あるいは、除害装置８０において無害化されて外部へ排出される。

【0047】

これにより、プロセスガスは、配管３０の内壁に堆積せず、水素化されてガス状態のまま配管３０およびバルブ５０を通過して下流へ流れていく。その結果、プロセスガスに由来する堆積物は配管３０に付着せず、配管３０の閉塞が抑制され得る。

【0048】

（第２実施形態）
図４は、第２実施形態による半導体製造装置の構成の一例を示す概略断面図である。第２実施形態では、金属膜３０ｂが設けられておらず、それに代えて、水素ラジカル生成器９５が配管４０に接続されている。水素ラジカル生成器９５は、水素ガスＨ_２を水素供給部９０から受けて、プラズマで電離して水素ラジカル３０ｃ（例えば、Ｈ^＊）を生成する装置である。水素供給部９０で生成された水素ラジカル３０ｃは、配管４０から配管３０内へ供給される。水素ラジカル生成器９５が水素ラジカルを配管３０内へ供給するので、触媒として機能する金属膜３０ｂは不要となる。

【0049】

第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。第２実施形態のように、水素ラジカル３０ｃを配管３０の外部で生成し、配管３０内に供給してもよい。このようにしても、配管３０へ排気されたプロセスガスは、水素化されてガス状態のまま配管３０を通過して下流側へ流れていく。その結果、プロセスガスに由来する堆積物は配管３０に付着せず、配管３０の閉塞が抑制され得る。

【0050】

第２実施形態による半導体装置の製造方法は、配管３０の外部で水素ラジカル生成器９５が水素ラジカル３０ｃを生成して配管３０内へ供給する点で第１実施形態と異なる。しかし、第２実施形態のその他の工程は、第１実施形態の工程と同じでよい。従って、第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0051】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【符号の説明】

【0052】

１ 半導体製造装置、１０ 処理チャンバ、２０ ステージ、３０ 配管、３０ａ 管部、３０ｂ 金属膜、４０ 水素供給管、５０ バルブ、９５ 水素ラジカル生成器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】