特開2024-31100酸化ガリウム系半導体の製造方法

発明の名称　酸化ガリウム系半導体の製造方法

出願人　トヨタ自動車株式会社　（識別番号 3207）

　　　　特許公開件数ランキング 2 位（5925件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1 位（4662件）（共同出願を含む）

出願人　国立大学法人東京工業大学　（識別番号 304021417）

　　　　特許公開件数ランキング 337 位（162件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 358 位（152件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2024-31100

公報発行日　2024年3月7

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2024-31100

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