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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024031365
(43)【公開日】2024-03-07
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/04 20060101AFI20240229BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240229BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240229BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20240229BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240229BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20240229BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20240229BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240229BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240229BHJP
【ＦＩ】
H05B33/04
H01L27/32
H05B33/12 B
H05B33/22 Z
H05B33/14 A
H05B33/02
H05B33/10
G09F9/30 309
G09F9/00 338
G09F9/30 348A
G09F9/30 365
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022134876
(22)【出願日】2022-08-26
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】牛窪 孝洋
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC04
3K107CC23
3K107DD89
3K107EE32
3K107EE46
3K107EE48
3K107EE50
3K107FF06
3K107FF15
5C094AA22
5C094AA38
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA15
5C094ED01
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB02
5C094FB15
5C094GB10
5C094JA13
5G435AA13
5G435AA16
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH02
5G435HH20
5G435KK05
5G435KK10
(57)【要約】
【課題】発光効率を改善し、水分による劣化を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、前記上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、無機絶縁材料で形成され、前記封止層の上方において前記封止層よりも広範囲に亘って配置された共通封止層と、を備え、前記封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成されている。
【選択図】図３
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、前記上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、無機絶縁材料で形成され、前記封止層の上方において前記封止層よりも広範囲に亘って配置された共通封止層と、を備え、前記封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成されている。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上方に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、
前記上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、
無機絶縁材料で形成され、前記封止層の上方において前記封止層よりも広範囲に亘って配置された共通封止層と、を備え、
前記封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成されている、表示装置。
前記基板の上方に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、
前記上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、
無機絶縁材料で形成され、前記封止層の上方において前記封止層よりも広範囲に亘って配置された共通封止層と、を備え、
前記封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成されている、表示装置。
【請求項2】
さらに、無機系フッ化物で形成され、前記封止層の上に配置され、前記共通封止層で覆われ、前記隔壁の上において前記上部に接する透明層を備え、
前記透明層の屈折率は、前記封止層の屈折率よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
前記透明層の屈折率は、前記封止層の屈折率よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記透明層の屈折率と前記封止層の屈折率との差は、０．２以上である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記共通封止層は、シリコン窒化物、または、シリコン酸窒化物で形成されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項5】
前記共通封止層の屈折率は、前記透明層の屈折率よりも大きい、請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記共通封止層は、前記封止層を覆い、前記隔壁の上において前記上部に接し、
前記共通封止層の屈折率は、前記封止層の屈折率よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
前記共通封止層の屈折率は、前記封止層の屈折率よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記共通封止層の屈折率と前記封止層の屈折率との差は、０．２以上である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記共通封止層は、シリコン酸化物、または、シリコン酸窒化物で形成されている、請求項６に記載の表示装置。
【請求項9】
前記封止層の厚さは、前記隔壁の前記下部の厚さよりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記封止層の厚さは、前記共通封止層の厚さよりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項11】
基板の上方に第１下電極及び第２下電極を形成し、
前記第１下電極と重なる第１開口及び前記第２下電極に重なる第２開口を有するリブを形成し、
前記第１開口と前記第２開口との間において前記リブの上に位置する下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記第１下電極及び前記第２下電極の上に第１有機層を形成し、
前記第１有機層の上に第１上電極を形成し、
前記第１上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第１封止層を形成し、
前記第１下電極の直上において、前記第１封止層の上に第１レジストを形成し、
前記第２下電極の直上において、前記第１レジストをマスクとして前記第１封止層、前記第１上電極、及び、前記第１有機層を除去し、
前記第１封止層及び前記第２下電極の上に第２有機層を形成し、
前記第２有機層の上に第２上電極を形成し、
前記第２上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第２封止層を形成し、
前記第２下電極の直上において、前記第２封止層の上に第２レジストを形成し、
前記第１封止層の直上において、前記第２レジストをマスクとして前記第２封止層、前記第２上電極、及び、前記第２有機層を除去し、
前記第１封止層及び前記第２封止層の上方に共通封止層を形成し、
前記第１封止層及び前記第２封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成し、
前記共通封止層は、無機絶縁材料で形成する、表示装置の製造方法。
前記第１下電極と重なる第１開口及び前記第２下電極に重なる第２開口を有するリブを形成し、
前記第１開口と前記第２開口との間において前記リブの上に位置する下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記第１下電極及び前記第２下電極の上に第１有機層を形成し、
前記第１有機層の上に第１上電極を形成し、
前記第１上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第１封止層を形成し、
前記第１下電極の直上において、前記第１封止層の上に第１レジストを形成し、
前記第２下電極の直上において、前記第１レジストをマスクとして前記第１封止層、前記第１上電極、及び、前記第１有機層を除去し、
前記第１封止層及び前記第２下電極の上に第２有機層を形成し、
前記第２有機層の上に第２上電極を形成し、
前記第２上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第２封止層を形成し、
前記第２下電極の直上において、前記第２封止層の上に第２レジストを形成し、
前記第１封止層の直上において、前記第２レジストをマスクとして前記第２封止層、前記第２上電極、及び、前記第２有機層を除去し、
前記第１封止層及び前記第２封止層の上方に共通封止層を形成し、
前記第１封止層及び前記第２封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成し、
前記共通封止層は、無機絶縁材料で形成する、表示装置の製造方法。
【請求項12】
前記第１封止層及び前記第２封止層は、互い異なる厚さで形成する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項13】
前記共通封止層を形成する前に、前記第１封止層及び前記第２封止層の上に位置し、前記隔壁の上において前記上部に接する透明層を形成し、
前記透明層は、無機系フッ化物で形成し、
前記透明層の屈折率は、前記第１封止層及び前記第２封止層の屈折率よりも小さい、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
前記透明層は、無機系フッ化物で形成し、
前記透明層の屈折率は、前記第１封止層及び前記第２封止層の屈折率よりも小さい、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記共通封止層は、シリコン窒化物、または、シリコン酸窒化物で形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記透明層を形成する前に、前記第１封止層及び前記第２封止層のエッチングを行い、前記第１封止層及び前記第２封止層の各々の厚さを低減する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記共通封止層は、前記第１封止層及び前記第２封止層を覆い、前記隔壁の上において前記上部に接し、
前記共通封止層の屈折率は、前記第１封止層及び前記第２封止層の屈折率よりも小さい、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
前記共通封止層の屈折率は、前記第１封止層及び前記第２封止層の屈折率よりも小さい、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記共通封止層は、シリコン酸化物、または、シリコン酸窒化物で形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記共通封止層を形成する前に、前記第１封止層及び前記第２封止層のエッチングを行い、前記第１封止層及び前記第２封止層の各々の厚さを低減する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
前記第１封止層及び前記第２封止層の各々の厚さは、前記隔壁の前記下部の厚さよりも小さい、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記第１封止層及び前記第２封止層の各々の厚さは、前記共通封止層の厚さよりも小さい、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子においては、発光効率を改善し、且つ、水分による劣化を抑制する技術が必要とされている。
このような表示素子においては、発光効率を改善し、且つ、水分による劣化を抑制する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、発光効率を改善し、且つ、水分による劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、前記上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、無機絶縁材料で形成され、前記封止層の上方において前記封止層よりも広範囲に亘って配置された共通封止層と、を備え、前記封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成されている。
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、前記上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、無機絶縁材料で形成され、前記封止層の上方において前記封止層よりも広範囲に亘って配置された共通封止層と、を備え、前記封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成されている。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に第１下電極及び第２下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口及び前記第２下電極に重なる第２開口を有するリブを形成し、前記第１開口と前記第２開口との間において前記リブの上に位置する下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記第１下電極及び前記第２下電極の上に第１有機層を形成し、前記第１有機層の上に第１上電極を形成し、前記第１上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第１封止層を形成し、前記第１下電極の直上において、前記第１封止層の上に第１レジストを形成し、前記第２下電極の直上において、前記第１レジストをマスクとして前記第１封止層、前記第１上電極、及び、前記第１有機層を除去し、前記第１封止層及び前記第２下電極の上に第２有機層を形成し、前記第２有機層の上に第２上電極を形成し、前記第２上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第２封止層を形成し、前記第２下電極の直上において、前記第２封止層の上に第２レジストを形成し、前記第１封止層の直上において、前記第２レジストをマスクとして前記第２封止層、前記第２上電極、及び、前記第２有機層を除去し、前記第１封止層及び前記第２封止層の上方に共通封止層を形成し、前記第１封止層及び前記第２封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成し、前記共通封止層は、無機絶縁材料で形成する。
基板の上方に第１下電極及び第２下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口及び前記第２下電極に重なる第２開口を有するリブを形成し、前記第１開口と前記第２開口との間において前記リブの上に位置する下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記第１下電極及び前記第２下電極の上に第１有機層を形成し、前記第１有機層の上に第１上電極を形成し、前記第１上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第１封止層を形成し、前記第１下電極の直上において、前記第１封止層の上に第１レジストを形成し、前記第２下電極の直上において、前記第１レジストをマスクとして前記第１封止層、前記第１上電極、及び、前記第１有機層を除去し、前記第１封止層及び前記第２下電極の上に第２有機層を形成し、前記第２有機層の上に第２上電極を形成し、前記第２上電極を覆い、前記隔壁の前記下部に接する第２封止層を形成し、前記第２下電極の直上において、前記第２封止層の上に第２レジストを形成し、前記第１封止層の直上において、前記第２レジストをマスクとして前記第２封止層、前記第２上電極、及び、前記第２有機層を除去し、前記第１封止層及び前記第２封止層の上方に共通封止層を形成し、前記第１封止層及び前記第２封止層は、シリコン窒化物、または、透明酸化物で形成し、前記共通封止層は、無機絶縁材料で形成する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡには、詳述しないが、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子が設けられている。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
【0023】
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙと、を有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0024】
図２の例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0025】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
【0026】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0027】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。
【0028】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0029】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0030】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0031】
例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。
【0032】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの一構成例を示す断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0033】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。
【0034】
隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも開口ＡＰ１に向かって突出した部分は突出部６２１と称し、下部６１よりも開口ＡＰ２に向かって突出した部分は突出部６２２と称し、下部６１よりも開口ＡＰ３に向かって突出した部分は突出部６２３と称する。
【0035】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ１は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、上部６２よりも下方に位置している。
【0036】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ２は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、上部６２よりも下方に位置している。
【0037】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、上部６２よりも下方に位置している。
【0038】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３及び透明層ＴＬがそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、副画素ＳＰ１に位置し、上電極ＵＥ１を覆い、突出部６２１の下方において隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ２は、副画素ＳＰ２に位置し、上電極ＵＥ２を覆い、突出部６２２の下方において隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ３は、副画素ＳＰ３に位置し、上電極ＵＥ３を覆い、突出部６２３の下方において隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ１は、副画素ＳＰ１に位置し、上電極ＵＥ１を覆い、突出部６２１の下方において隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ２は、副画素ＳＰ２に位置し、上電極ＵＥ２を覆い、突出部６２２の下方において隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ３は、副画素ＳＰ３に位置し、上電極ＵＥ３を覆い、突出部６２３の下方において隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
【0039】
図示した例では、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の各々の端部は、隔壁６の上に位置している。
有機層ＯＲ１の一部、及び、上電極ＵＥ１の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ１との間に位置し、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
有機層ＯＲ２の一部、及び、上電極ＵＥ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
有機層ＯＲ３の一部、及び、上電極ＵＥ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
有機層ＯＲ１の一部、及び、上電極ＵＥ１の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ１との間に位置し、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
有機層ＯＲ２の一部、及び、上電極ＵＥ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
有機層ＯＲ３の一部、及び、上電極ＵＥ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
【0040】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６の直上においては、有機層ＯＲ１は有機層ＯＲ２から離間し、上電極ＵＥ１は上電極ＵＥ２から離間し、封止層ＳＥ１は封止層ＳＥ２から離間している。
副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６の直上においては、有機層ＯＲ２は有機層ＯＲ３から離間し、上電極ＵＥ２は上電極ＵＥ３から離間し、封止層ＳＥ２は封止層ＳＥ３から離間している。
副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６の直上においては、有機層ＯＲ２は有機層ＯＲ３から離間し、上電極ＵＥ２は上電極ＵＥ３から離間し、封止層ＳＥ２は封止層ＳＥ３から離間している。
【0041】
透明層ＴＬは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の上にそれぞれ配置されている。また、透明層ＴＬは、隔壁６の上に配置され、上部６２に接している。
副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６の直上において、透明層ＴＬは、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２との間、上電極ＵＥ１と上電極ＵＥ２との間、及び、封止層ＳＥ１と封止層ＳＥ２との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。
副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６の直上において、透明層ＴＬは、有機層ＯＲ２と有機層ＯＲ３との間、上電極ＵＥ２と上電極ＵＥ３との間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。
副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６の直上において、透明層ＴＬは、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２との間、上電極ＵＥ１と上電極ＵＥ２との間、及び、封止層ＳＥ１と封止層ＳＥ２との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。
副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６の直上において、透明層ＴＬは、有機層ＯＲ２と有機層ＯＲ３との間、上電極ＵＥ２と上電極ＵＥ３との間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。
【0042】
副画素ＳＰ１において、封止層ＳＥ１及び透明層ＴＬの積層体は、有機層ＯＲ１の発光層から放射される光の光学特性を調整するための光学調整層として機能する。
同様に、副画素ＳＰ２における封止層ＳＥ２及び透明層ＴＬの積層体、及び、副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ３及び透明層ＴＬの積層体は、光学調整層として機能する。
同様に、副画素ＳＰ２における封止層ＳＥ２及び透明層ＴＬの積層体、及び、副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ３及び透明層ＴＬの積層体は、光学調整層として機能する。
【0043】
共通封止層ＳＥ１１は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３に亘って連続的に配置されている。つまり、共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の上方に位置し、透明層ＴＬを覆い、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々よりも広範囲に亘って配置されている。
【0044】
共通封止層ＳＥ１２は、共通封止層ＳＥ１１の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１３は、共通封止層ＳＥ１２の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１４は、共通封止層ＳＥ１３の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１３は、共通封止層ＳＥ１２の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１４は、共通封止層ＳＥ１３の上に配置されている。
【0045】
絶縁層１２、共通封止層ＳＥ１２、及び、共通封止層ＳＥ１４は、有機絶縁層である。リブ５、共通封止層ＳＥ１１、及び、共通封止層ＳＥ１３は、無機絶縁層である。
【0046】
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
【0047】
リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）Ｔ６１は、リブ５の厚さより大きい。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）Ｔ６１は、リブ５の厚さより大きい。
【0048】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料で形成されている。あるいは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明酸化物で形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料で形成されている。あるいは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明酸化物で形成されてもよい。
【0049】
封止層ＳＥ１の厚さＴ１、封止層ＳＥ２の厚さＴ２、及び、封止層ＳＥ３の厚さＴ３は、互いに異なり、いずれも１μｍ以下である。一例では、厚さＴ２は厚さＴ１より大きく（Ｔ１＜Ｔ２）、厚さＴ３は厚さＴ２より大きい（Ｔ２＜Ｔ３）。また、厚さＴ１、Ｔ２、Ｔ３は、下部６１の厚さＴ６１よりも小さい（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３＜Ｔ６１）。また、厚さＴ１、Ｔ２、Ｔ３は、共通封止層ＳＥ１１の厚さＴ１１よりも小さい（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３＜Ｔ１１）。
【0050】
透明層ＴＬは、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）などの無機系フッ化物で形成されている。透明層ＴＬの屈折率は、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率よりも小さい。つまり、透明層ＴＬは光学調整層の低屈折率層に相当し、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は光学調整層の高屈折率層に相当する。透明層ＴＬの屈折率と、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率との差は、０．２以上である。
【0051】
共通封止層ＳＥ１１、及び、共通封止層ＳＥ１３は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料で形成されている。この場合、共通封止層ＳＥ１１の屈折率は、透明層ＴＬの屈折率よりも大きい。
【0052】
なお、共通封止層ＳＥ１１、及び、共通封止層ＳＥ１３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成されてもよい。また、共通封止層ＳＥ１１、及び、共通封止層ＳＥ１３は、互いに異なる無機絶縁材料で形成されてもよい。
【0053】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２も導電材料で形成されてもよい。封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３がＩＺＯなどの導電材料で形成されている場合、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、下部６１及び上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ接し、下部と上電極との電気的な接続を補助することができる。
【0054】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、銀（Ａｇ）などで形成された金属層（反射電極）と、ＩＴＯなどで形成された透明導電層との積層体として形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0055】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。
【0056】
発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
【0057】
隔壁６には、共通電圧が供給される。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0058】
下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が青波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が赤波長域の光を放つ。
【0059】
【0060】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロッキング層ＥＢＬ１、青（Ｂ）の発光層ＥＭ１、正孔ブロッキング層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。低屈折率層である透明層ＴＬは、封止層ＳＥ１の上に配置されている。共通封止層ＳＥ１１は、透明層ＴＬの上に配置されている。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロッキング層ＥＢＬ１、青（Ｂ）の発光層ＥＭ１、正孔ブロッキング層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。低屈折率層である透明層ＴＬは、封止層ＳＥ１の上に配置されている。共通封止層ＳＥ１１は、透明層ＴＬの上に配置されている。
【0061】
表示素子２０２は、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に有機層ＯＲ２を含む。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロッキング層ＥＢＬ２、緑（Ｇ）の発光層ＥＭ２、正孔ブロッキング層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。低屈折率層である透明層ＴＬは、封止層ＳＥ２の上に配置されている。共通封止層ＳＥ１１は、透明層ＴＬの上に配置されている。
上記の通り、封止層ＳＥ２の厚さＴ２は、封止層ＳＥ１の厚さＴ１より大きい。封止層ＳＥ２に重なる透明層ＴＬの厚さは、封止層ＳＥ１に重なる透明層ＴＬの厚さと同等である。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロッキング層ＥＢＬ２、緑（Ｇ）の発光層ＥＭ２、正孔ブロッキング層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。低屈折率層である透明層ＴＬは、封止層ＳＥ２の上に配置されている。共通封止層ＳＥ１１は、透明層ＴＬの上に配置されている。
上記の通り、封止層ＳＥ２の厚さＴ２は、封止層ＳＥ１の厚さＴ１より大きい。封止層ＳＥ２に重なる透明層ＴＬの厚さは、封止層ＳＥ１に重なる透明層ＴＬの厚さと同等である。
【0062】
表示素子２０３は、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に有機層ＯＲ３を含む。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロッキング層ＥＢＬ３、赤（Ｒ）の発光層ＥＭ３、正孔ブロッキング層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。低屈折率層である透明層ＴＬは、封止層ＳＥ３の上に配置されている。共通封止層ＳＥ１１は、透明層ＴＬの上に配置されている。
上記の通り、封止層ＳＥ３の厚さＴ３は、封止層ＳＥ２の厚さＴ２より大きい。封止層ＳＥ３に重なる透明層ＴＬの厚さは、封止層ＳＥ２に重なる透明層ＴＬの厚さと同等である。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロッキング層ＥＢＬ３、赤（Ｒ）の発光層ＥＭ３、正孔ブロッキング層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。低屈折率層である透明層ＴＬは、封止層ＳＥ３の上に配置されている。共通封止層ＳＥ１１は、透明層ＴＬの上に配置されている。
上記の通り、封止層ＳＥ３の厚さＴ３は、封止層ＳＥ２の厚さＴ２より大きい。封止層ＳＥ３に重なる透明層ＴＬの厚さは、封止層ＳＥ２に重なる透明層ＴＬの厚さと同等である。
【0063】
一例では、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の屈折率は、１．７以上であり、透明層ＴＬの屈折率は、１．６以下であり、共通封止層ＳＥ１１の屈折率は、１．７以上である。
【0064】
有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
また、上記の機能層は、それぞれ表示素子２０１乃至２０３毎に個別に形成される。このため、上記の機能層の各々の厚さは、表示素子２０１乃至２０３毎に異なる場合があり得る。
また、同一の機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子の機能層が他の２つの表示素子の機能層とは異なる材料で形成される場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のすべての機能層が互いに異なる材料で形成される場合もあり得る。
また、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子の層構成が他の２つの表示素子の層構成とは異なる場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のすべての層構成が互いに異なる場合もあり得る。例えば、１つの機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子がこの機能層を含まない場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子のみがこの機能層を含む場合もあり得る。また、１つの機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子でこの機能層が多層化されている場合などがあり得る。
また、上記の機能層は、それぞれ表示素子２０１乃至２０３毎に個別に形成される。このため、上記の機能層の各々の厚さは、表示素子２０１乃至２０３毎に異なる場合があり得る。
また、同一の機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子の機能層が他の２つの表示素子の機能層とは異なる材料で形成される場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のすべての機能層が互いに異なる材料で形成される場合もあり得る。
また、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子の層構成が他の２つの表示素子の層構成とは異なる場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のすべての層構成が互いに異なる場合もあり得る。例えば、１つの機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子がこの機能層を含まない場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子のみがこの機能層を含む場合もあり得る。また、１つの機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子でこの機能層が多層化されている場合などがあり得る。
【0065】
図３及び図４に示した構成例によれば、表示素子２０１乃至２０３の各々は、光学調整層として機能する封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３及び透明層ＴＬをそれぞれ備えている。このため、発光層ＥＭ１乃至ＥＭ３でそれぞれ放射された光は、封止層と透明層との界面で反射され、上電極で再び反射される。このような反射光の干渉を利用したマイクロキャビティ効果により、１つの表示素子当たりの発光効率を向上することができる。
【0066】
また、透明層ＴＬを形成するための材料の一例であるフッ化リチウムは、吸湿性に富む特徴を有している。透明層ＴＬは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３に亘って配置される共通層であり、フォトリソグラフィなどの加工を必要としない。また、透明層ＴＬは、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３と共通封止層ＳＥ１１とで封止されている。このため、透明層ＴＬの水分による劣化を抑制することができる。
【0067】
図５は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。
図５に示す表示装置ＤＳＰの断面構造は、図３に示した表示装置ＤＳＰと比較して、透明層ＴＬが省略された点で相違している。以下、主な相違点について説明する。
図５に示す表示装置ＤＳＰの断面構造は、図３に示した表示装置ＤＳＰと比較して、透明層ＴＬが省略された点で相違している。以下、主な相違点について説明する。
【0068】
封止層ＳＥ１は、副画素ＳＰ１に位置し、上電極ＵＥ１を覆い、隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ２は、副画素ＳＰ２に位置し、上電極ＵＥ２を覆い、隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ３は、副画素ＳＰ３に位置し、上電極ＵＥ３を覆い、隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ２は、副画素ＳＰ２に位置し、上電極ＵＥ２を覆い、隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
封止層ＳＥ３は、副画素ＳＰ３に位置し、上電極ＵＥ３を覆い、隔壁６の下部６１及び上部６２に接している。
【0069】
共通封止層ＳＥ１１は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３に亘って連続的に配置されている。共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３を直接覆い、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々よりも広範囲に亘って配置されている。また、共通封止層ＳＥ１１は、隔壁６の上に配置され、上部６２に接している。
【0070】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６の直上において、共通封止層ＳＥ１１は、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２との間、上電極ＵＥ１と上電極ＵＥ２との間、及び、封止層ＳＥ１と封止層ＳＥ２との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。
副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６の直上において、共通封止層ＳＥ１１は、有機層ＯＲ２と有機層ＯＲ３との間、上電極ＵＥ２と上電極ＵＥ３との間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。
副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６の直上において、共通封止層ＳＥ１１は、有機層ＯＲ２と有機層ＯＲ３との間、上電極ＵＥ２と上電極ＵＥ３との間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。
【0071】
副画素ＳＰ１において、封止層ＳＥ１及び共通封止層ＳＥ１１の積層体は、有機層ＯＲ１の発光層から放射される光の光学特性を調整するための光学調整層として機能する。
同様に、副画素ＳＰ２における封止層ＳＥ２及び共通封止層ＳＥ１１の積層体、及び、副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ３及び共通封止層ＳＥ１１の積層体は、光学調整層として機能する。
同様に、副画素ＳＰ２における封止層ＳＥ２及び共通封止層ＳＥ１１の積層体、及び、副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ３及び共通封止層ＳＥ１１の積層体は、光学調整層として機能する。
【0072】
共通封止層ＳＥ１２は、共通封止層ＳＥ１１の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１３は、共通封止層ＳＥ１２の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１４は、共通封止層ＳＥ１３の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１３は、共通封止層ＳＥ１２の上に配置されている。
共通封止層ＳＥ１４は、共通封止層ＳＥ１３の上に配置されている。
【0073】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料で形成されている。あるいは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明酸化物で形成されてもよい。
【0074】
共通封止層ＳＥ１１は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料で形成されている。この場合、共通封止層ＳＥ１１の屈折率は、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率よりも小さい。つまり、共通封止層ＳＥ１１は光学調整層の低屈折率層に相当し、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は光学調整層の高屈折率層に相当する。共通封止層ＳＥ１１の屈折率と、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率との差は、０．２以上である。
【0075】
【0076】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。
高屈折率層である封止層ＳＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。低屈折率層である共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ１の上に配置されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。低屈折率層である共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ１の上に配置されている。
【0077】
表示素子２０２は、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に有機層ＯＲ２を含む。
高屈折率層である封止層ＳＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。低屈折率層である共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ２の上に配置されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。低屈折率層である共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ２の上に配置されている。
【0078】
表示素子２０３は、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に有機層ＯＲ３を含む。
高屈折率層である封止層ＳＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。低屈折率層である共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ３の上に配置されている。
高屈折率層である封止層ＳＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。低屈折率層である共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ３の上に配置されている。
【0079】
封止層ＳＥ２の厚さＴ２は、封止層ＳＥ１の厚さＴ１より大きい。封止層ＳＥ３の厚さＴ３は、封止層ＳＥ２の厚さＴ２より大きい。封止層ＳＥ１に重なる共通封止層ＳＥ１１の厚さ、封止層ＳＥ２に重なる共通封止層ＳＥ１１の厚さ、及び、封止層ＳＥ３に重なる共通封止層ＳＥ１１の厚さは、同等である。
【0080】
一例では、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の屈折率は、１．７以上であり、共通封止層ＳＥ１１の屈折率は、１．６以下である。
【0081】
図５及び図６に示した構成例によれば、表示素子２０１乃至２０３の各々は、光学調整層として機能する封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３及び共通封止層ＳＥ１１をそれぞれ備えている。このため、発光層ＥＭ１乃至ＥＭ３でそれぞれ放射された光は、封止層と共通封止層との界面で反射され、上電極で再び反射される。このような反射光の干渉を利用したマイクロキャビティ効果により、１つの表示素子当たりの発光効率を向上することができる。
【0082】
また、図３の構成例で説明した透明層ＴＬは省略されている。このため、透明層ＴＬの特性に起因した不具合が解消される。また、表示素子２０１乃至２０３の構成が簡素化され、製造コストを低減することができる。
【0083】
図７は、表示素子２０１に設けられる光学調整層の高屈折率層について、厚さに対する青色発光効率のシミュレーション結果を示す図である。
【0084】
図の横軸は高屈折率層の厚さ（ｎｍ）であり、図の縦軸は青色発光効率（ｃｄ／Ａ）を青色色度のｙ値で除した数値（ｃｄ／Ａ／ｙ）である。この数値をＢｌｕｅ Ｉｎｄｅｘ（ＢＩ値）と呼ぶ。ここでの青色発光効率（ｃｄ／Ａ）は、表示装置ＤＳＰの正面方向での単位電流当たりの輝度（電流輝度効率）として示す。色度が異なる青色発光の場合、視感度の影響があるので、発光効率（ｃｄ／Ａ）は単純比較できない。この青色発光効率（ｃｄ／Ａ）を青色色度のｙ値で除することにより、色度が異なる青色発光同士の発光効率をＢＩ値で単純比較できる。
なお、本実施形態における高屈折率層とは、図３及び図５に示した封止層ＳＥ１に相当する。
なお、本実施形態における高屈折率層とは、図３及び図５に示した封止層ＳＥ１に相当する。
【0085】
図中の「Ａ」は高屈折率層を有機材料で形成した場合のシミュレーション結果に相当する（比較例に相当）。
図中の「Ｂ」は高屈折率層をＳｉＮで形成した場合のシミュレーション結果に相当する（本実施形態に相当）。
図中の「Ｃ」は高屈折率層をＩＺＯで形成した場合のシミュレーション結果に相当する（本実施形態に相当）。
図中の「Ｂ」は高屈折率層をＳｉＮで形成した場合のシミュレーション結果に相当する（本実施形態に相当）。
図中の「Ｃ」は高屈折率層をＩＺＯで形成した場合のシミュレーション結果に相当する（本実施形態に相当）。
【0086】
これらのシミュレーション結果によれば、高屈折率層がＳｉＮあるいはＩＺＯで形成された場合であっても、高屈折率層が有機材料で形成された場合と同等の発光効率を得られることが確認された。
【0087】
つまり、高屈折率層がＳｉＮで形成された本実施形態によれば、高屈折率層が有機材料で形成された場合と比較して、同等の発光効率が得られ、しかも、水分に対して高い封止性能を有する封止層ＳＥ１が得られる。
【0088】
また、高屈折率層がＩＺＯで形成された本実施形態によれば、高屈折率層が有機材料で形成された場合と比較して、同等の発光効率が得られ、しかも、水分に対して高い封止性能を有する封止層ＳＥ１が得られる。また、ＩＺＯで形成された高屈折率層は、導電性を有しているため、上電極ＵＥ１と隔壁６の下部６１との電気的な接続を補助することができる。
【0089】
【0090】
まず、図８に示すように、ステップＳＴ１において、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。
【0091】
ステップＳＴ２においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。第１薄膜３１は、図３に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体である。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３に配置された第１薄膜３１が除去される。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。
【0092】
ステップＳＴ３においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。第２薄膜３２は、図３に示した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、封止層ＳＥ２の積層体である。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３に配置された第２薄膜３２が除去される。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。
【0093】
ステップＳＴ４においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。第３薄膜３３は、図３に示した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、封止層ＳＥ３の積層体である。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に配置された第３薄膜３３が除去される。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。
【0094】
続いて、図９に示すように、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３のエッチングを行い、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々の厚さを低減する（ステップＳＴ５１）。
その後、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の上に透明層ＴＬを形成する（ステップＳＴ５２）。
その後、透明層ＴＬを覆う共通封止層ＳＥ１１を形成する（ステップＳＴ５３）。
その後、共通封止層ＳＥ１１の上に共通封止層ＳＥ１２を形成する（ステップＳＴ５４）。
その後、共通封止層ＳＥ１２の上に共通封止層ＳＥ１３を形成する（ステップＳＴ５５）。
その後、共通封止層ＳＥ１３の上に共通封止層ＳＥ１４を形成する（ステップＳＴ５６）。
その後、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の上に透明層ＴＬを形成する（ステップＳＴ５２）。
その後、透明層ＴＬを覆う共通封止層ＳＥ１１を形成する（ステップＳＴ５３）。
その後、共通封止層ＳＥ１１の上に共通封止層ＳＥ１２を形成する（ステップＳＴ５４）。
その後、共通封止層ＳＥ１２の上に共通封止層ＳＥ１３を形成する（ステップＳＴ５５）。
その後、共通封止層ＳＥ１３の上に共通封止層ＳＥ１４を形成する（ステップＳＴ５６）。
【0095】
図１０は、図５に示した表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
図８に示したステップＳＴ１乃至ＳＴ４を経た後、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３のエッチングを行い、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々の厚さを低減する（ステップＳＴ５１）。
その後、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の上に共通封止層ＳＥ１１を形成する（ステップＳＴ５３）。その後、共通封止層ＳＥ１２を形成し（ステップＳＴ５４）、共通封止層ＳＥ１３を形成し（ステップＳＴ５５）、共通封止層ＳＥ１４を形成する（ステップＳＴ５６）。
図８に示したステップＳＴ１乃至ＳＴ４を経た後、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３のエッチングを行い、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々の厚さを低減する（ステップＳＴ５１）。
その後、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の上に共通封止層ＳＥ１１を形成する（ステップＳＴ５３）。その後、共通封止層ＳＥ１２を形成し（ステップＳＴ５４）、共通封止層ＳＥ１３を形成し（ステップＳＴ５５）、共通封止層ＳＥ１４を形成する（ステップＳＴ５６）。
【0096】
以下、図３に示した表示装置ＤＳＰの製造方法について図１１乃至図２４を参照しながら説明する。図１１乃至図２４に示す各断面は、例えば図２中のＡ－Ｂ線に沿った副画素ＳＰ１及びＳＰ２を含む断面に相当する。なお、図１１乃至図２４の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
【0097】
まず、ステップＳＴ１において、図１１に示すように、基板１０の上に回路層１１及び絶縁層１２を形成した後に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、及び、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２を形成する。図示しないが、このとき、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３も形成する。その後、下電極ＬＥ１、ＬＥ２の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２を有するリブ５を形成する。その後、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間においてリブ５の上に位置する下部６１と、下部６１の上に位置し下部６１の側面から突出した上部６２と、を有する隔壁６を形成する。
【0098】
続いて、ステップＳＴ２１において、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に亘って、第１薄膜３１を形成する。また、図示しない副画素ＳＰ３にも第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１を形成する工程と、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１を形成する工程と、上電極ＵＥ１の上に封止層ＳＥ１を形成する工程と、を含む。
【0099】
有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１及び下電極ＬＥ２の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成されている。有機層ＯＲ１のうち、上部６２の上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２の上に形成された部分から離間している。
【0100】
上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１及び下電極ＬＥ２の直上において、有機層ＯＲ１の上にそれぞれ形成され、リブ５を覆い、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ１は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ１の上にも形成されている。上電極ＵＥ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２の直上に形成された部分から離間している。
【0101】
封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１及び下電極ＬＥ２の直上において、上電極ＵＥ１を覆うように形成されている。また、封止層ＳＥ１は、隔壁６の上部６２の直上において、上電極ＵＥ１を覆うように形成され、隔壁６の下部６１に接している。封止層ＳＥ１において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。封止層ＳＥ１は、例えばシリコン窒化物で形成する。封止層ＳＥ１は、例えばＣＶＤ法で形成される。
【0102】
続いて、ステップＳＴ２２において、図１２に示すように、封止層ＳＥ１の上のパターニングした第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２の第１薄膜３１を露出する。なお、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ３の第１薄膜３１も露出する。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥ１の直上に位置する封止層ＳＥ１に重なっている。
【0103】
続いて、ステップＳＴ２３において、図１３に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。なお、このとき、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ３の第１薄膜３１も除去する。
【0104】
第１薄膜３１を除去する工程は、例えば、以下の通りである。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、アッシング（酸素プラズマを照射するドライエッチング）を行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、アッシング（酸素プラズマを照射するドライエッチング）を行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。
【0105】
続いて、ステップＳＴ２４において、図１４に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。表示素子２０１は、下電極ＬＥ１、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、及び、上電極ＵＥ１を含む。表示素子２０１は、封止層ＳＥ１によって覆われている。
【0106】
続いて、ステップＳＴ３１において、図１５に示すように、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に亘って、第２薄膜３２を形成する。また、図示しない副画素ＳＰ３にも第２薄膜３２を形成する。第２薄膜３２を形成する工程は、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２を形成する工程と、有機層ＯＲ２の上に上電極ＵＥ２を形成する工程と、上電極ＵＥ２の上に封止層ＳＥ２を形成する工程と、を含む。封止層ＳＥ２は、封止層ＳＥ１とは異なる厚さで形成する。
【0107】
有機層ＯＲ２は、封止層ＳＥ１及び下電極ＬＥ２の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成されている。有機層ＯＲ２のうち、上部６２の上に形成された部分は、下電極ＬＥ２の上に形成された部分から離間している。
【0108】
上電極ＵＥ２は、封止層ＳＥ１及び下電極ＬＥ２の直上において、有機層ＯＲ２の上にそれぞれ形成され、リブ５を覆い、副画素ＳＰ２の側において隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ２は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ２の上にも形成されている。上電極ＵＥ２のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ２の直上に形成された部分から離間している。
【0109】
封止層ＳＥ２は、封止層ＳＥ１及び下電極ＬＥ２の直上において、上電極ＵＥ２を覆うように形成されている。また、封止層ＳＥ２は、隔壁６の上部６２の直上において、上電極ＵＥ２を覆うように形成され、副画素ＳＰ２の側において隔壁６の下部６１に接している。封止層ＳＥ２において、上部６２の直上に形成された部分は、封止層ＳＥ１及び下電極ＬＥ２の直上に形成された部分と繋がっている。封止層ＳＥ２は、例えばシリコン窒化物で形成する。封止層ＳＥ２は、例えばＣＶＤ法で形成される。
【0110】
続いて、ステップＳＴ３２において、図１６に示すように、封止層ＳＥ２の上のパターニングした第２レジスト４２を形成する。第２レジスト４２は、副画素ＳＰ２の第２薄膜３２を覆い、副画素ＳＰ１の第２薄膜３２を露出する。なお、第２レジスト４２は、副画素ＳＰ３の第２薄膜３２も露出する。つまり、第２レジスト４２は、下電極ＬＥ２の直上に位置する封止層ＳＥ２に重なっている。
【0111】
続いて、ステップＳＴ３３において、図１７に示すように、第２レジスト４２をマスクとしてエッチングを行い、第２レジスト４２から露出した副画素ＳＰ１の第２薄膜３２を除去し、副画素ＳＰ２に第２薄膜３２が残留する。なお、このとき、第２レジスト４２から露出した副画素ＳＰ３の第２薄膜３２も除去する。
【0112】
第２薄膜３２を除去する工程は、例えば、以下の通りである。
まず、第２レジスト４２をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第２レジスト４２から露出した封止層ＳＥ２を除去する。
その後、第２レジスト４２をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ２から露出した上電極ＵＥ２を除去する。
その後、第２レジスト４２をマスクとして利用し、アッシングを行い、上電極ＵＥ２から露出した有機層ＯＲ２を除去する。
これにより、副画素ＳＰ１において封止層ＳＥ１が露出する。
まず、第２レジスト４２をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第２レジスト４２から露出した封止層ＳＥ２を除去する。
その後、第２レジスト４２をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ２から露出した上電極ＵＥ２を除去する。
その後、第２レジスト４２をマスクとして利用し、アッシングを行い、上電極ＵＥ２から露出した有機層ＯＲ２を除去する。
これにより、副画素ＳＰ１において封止層ＳＥ１が露出する。
【0113】
続いて、ステップＳＴ３４において、図１８に示すように、第２レジスト４２を除去する。これにより、副画素ＳＰ２の封止層ＳＥ２が露出する。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。表示素子２０２は、下電極ＬＥ２、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、及び、上電極ＵＥ２を含む。表示素子２０２は、封止層ＳＥ２によって覆われている。
【0114】
このとき、封止層ＳＥ１の厚さＴ１０、及び、封止層ＳＥ２の厚さＴ２０は、互いに異なる。例えば、厚さＴ２０は、厚さＴ１０より大きい（Ｔ１０＜Ｔ２０）。
【0115】
図８に示したステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４は、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様であり、説明を省略する。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、図３に示した副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。表示素子２０３は、下電極ＬＥ３、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ３を含む。表示素子２０３は、封止層ＳＥ３によって覆われている。
【0116】
続いて、ステップＳＴ５１において、図１９に示すように、封止層ＳＥ１、ＳＥ２のドライエッチングを行う。これにより、厚さＴ１の封止層ＳＥ１が形成されるとともに、厚さＴ２の封止層ＳＥ２が形成される。このとき、厚さＴ１０と厚さＴ１との差分は、厚さＴ２０と厚さＴ２との差分と同等である。また、このドライエッチングにより、厚さＴ３の封止層ＳＥ３も同時に形成される。
厚さＴ１は、青波長用の光学調整層の高屈折率層として最適な厚さである。
厚さＴ２は、緑波長用の光学調整層の高屈折率層として最適な厚さである。
厚さＴ３は、赤波長用の光学調整層の高屈折率層として最適な厚さである。
厚さＴ１は、青波長用の光学調整層の高屈折率層として最適な厚さである。
厚さＴ２は、緑波長用の光学調整層の高屈折率層として最適な厚さである。
厚さＴ３は、赤波長用の光学調整層の高屈折率層として最適な厚さである。
【0117】
続いて、ステップＳＴ５２において、図２０に示すように、封止層ＳＥ１、ＳＥ２の上に透明層ＴＬを形成する。隔壁６の直上においては、透明層ＴＬは、封止層ＳＥ１、ＳＥ２の上に形成されるとともに、隔壁６の上部６２に接する。このような透明層ＴＬは、例えば、フッ化リチウムで形成する。透明層ＴＬは、例えば、マスクを設置することなく蒸着法で形成される。
【0118】
続いて、ステップＳＴ５３において、図２１に示すように、封止層ＳＥ１、ＳＥ２の上方に位置し、透明層ＴＬを覆う共通封止層ＳＥ１１を形成する。共通封止層ＳＥ１１は、例えばシリコン窒化物で形成する。共通封止層ＳＥ１１は、例えば、マスクを設置することなくＣＶＤ法で形成される。
この後、図示しないが、共通封止層ＳＥ１１の上のパターニングしたレジストを形成する。このレジストは、表示領域ＤＡの全域に亘って共通封止層ＳＥ１１を覆い、周辺領域ＳＡの共通封止層ＳＥ１１を露出する。そして、このレジストをマスクとしてエッチングを行い、レジストから露出した共通封止層ＳＥ１１を除去した後に、さらに透明層ＴＬを除去する。これにより、周辺領域ＳＡに設けられた端子が露出する。そして、レジストを除去する。
この後、図示しないが、共通封止層ＳＥ１１の上のパターニングしたレジストを形成する。このレジストは、表示領域ＤＡの全域に亘って共通封止層ＳＥ１１を覆い、周辺領域ＳＡの共通封止層ＳＥ１１を露出する。そして、このレジストをマスクとしてエッチングを行い、レジストから露出した共通封止層ＳＥ１１を除去した後に、さらに透明層ＴＬを除去する。これにより、周辺領域ＳＡに設けられた端子が露出する。そして、レジストを除去する。
【0119】
続いて、ステップＳＴ５４において、図２２に示すように、共通封止層ＳＥ１１の上に共通封止層ＳＥ１２を形成する。共通封止層ＳＥ１２は、例えば、インクジェットにより透明樹脂を塗布することで形成される。これにより、共通封止層ＳＥ１２は、表示領域ＤＡの全域に亘って形成され、周辺領域ＳＡの端子を露出する。
【0120】
続いて、ステップＳＴ５５において、図２３に示すように、共通封止層ＳＥ１２の上に共通封止層ＳＥ１３を形成する。共通封止層ＳＥ１３は、例えばシリコン窒化物で形成する。共通封止層ＳＥ１３は、例えば、マスクを設置することなくＣＶＤ法で形成される。このため、共通封止層ＳＥ１３は、周辺領域ＳＡの端子を覆う。
【0121】
続いて、ステップＳＴ５６において、図２４に示すように、共通封止層ＳＥ１３の上に共通封止層ＳＥ１４を形成する。共通封止層ＳＥ１４は、例えば、インクジェットにより透明樹脂を塗布することで形成される。これにより、共通封止層ＳＥ１４は、表示領域ＤＡの全域に亘って形成され、また、周辺領域ＳＡの端子には重畳しない。
この後、図示しないが、共通封止層ＳＥ１４をマスクとしてエッチングを行い、周辺領域ＳＡにおいて共通封止層ＳＥ１４から露出した共通封止層ＳＥ１３を除去する。これにより、周辺領域ＳＡの端子が露出する。
この後、図示しないが、共通封止層ＳＥ１４をマスクとしてエッチングを行い、周辺領域ＳＡにおいて共通封止層ＳＥ１４から露出した共通封止層ＳＥ１３を除去する。これにより、周辺領域ＳＡの端子が露出する。
【0122】
以上の工程を経て、図３に示した表示装置ＤＳＰが製造される。
【0123】
次に、図５に示した表示装置ＤＳＰの製造方法について図２５乃至図２８を参照しながら説明する。なお、封止層ＳＥ１、ＳＥ２のドライエッチングを行うステップＳＴ５１までの工程は、上記の通りであり、説明を省略する。
図２５乃至図２８に示す各断面は、例えば図２中のＡ－Ｂ線に沿った副画素ＳＰ１及びＳＰ２を含む断面に相当する。なお、図２５乃至図２８の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
図２５乃至図２８に示す各断面は、例えば図２中のＡ－Ｂ線に沿った副画素ＳＰ１及びＳＰ２を含む断面に相当する。なお、図２５乃至図２８の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
【0124】
まず、ステップＳＴ５３において、図２５に示すように、封止層ＳＥ１、ＳＥ２の上に共通封止層ＳＥ１１を形成する。隔壁６の直上においては、共通封止層ＳＥ１１は、封止層ＳＥ１、ＳＥ２の上に形成されるとともに、隔壁６の上部６２に接する。共通封止層ＳＥ１１は、例えばシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物で形成する。共通封止層ＳＥ１１は、例えば、マスクを設置することなくＣＶＤ法で形成される。
【0125】
続いて、ステップＳＴ５４において、図２６に示すように、共通封止層ＳＥ１１の上に共通封止層ＳＥ１２を形成する。共通封止層ＳＥ１２は、例えば、インクジェットにより透明樹脂を塗布することで形成される。これにより、共通封止層ＳＥ１２は、表示領域ＤＡの全域に亘って形成され、また、周辺領域ＳＡの端子には重畳しない。
【0126】
続いて、ステップＳＴ５５において、図２７に示すように、共通封止層ＳＥ１２の上に共通封止層ＳＥ１３を形成する。共通封止層ＳＥ１３は、例えばシリコン窒化物で形成する。共通封止層ＳＥ１３は、例えば、マスクを設置することなくＣＶＤ法で形成される。
【0127】
続いて、ステップＳＴ５６において、図２８に示すように、共通封止層ＳＥ１３の上に共通封止層ＳＥ１４を形成する。共通封止層ＳＥ１４は、例えば、インクジェットにより透明樹脂を塗布することで形成される。これにより、共通封止層ＳＥ１４は、表示領域ＤＡの全域に亘って形成され、また、周辺領域ＳＡの端子には重畳しない。
この後、図示しないが、共通封止層ＳＥ１４をマスクとしてエッチングを行い、周辺領域ＳＡにおいて共通封止層ＳＥ１４から露出した共通封止層ＳＥ１３を除去した後に、さらに、共通封止層ＳＥ１１を除去する。これにより、周辺領域ＳＡの端子が露出する。
この後、図示しないが、共通封止層ＳＥ１４をマスクとしてエッチングを行い、周辺領域ＳＡにおいて共通封止層ＳＥ１４から露出した共通封止層ＳＥ１３を除去した後に、さらに、共通封止層ＳＥ１１を除去する。これにより、周辺領域ＳＡの端子が露出する。
【0128】
以上の工程を経て、図５に示した表示装置ＤＳＰが製造される。
【0129】
上記の実施形態において、下電極ＬＥ１は第１下電極に相当し、下電極ＬＥ２は第２下電極に相当し、開口ＡＰ１は第１開口に相当し、開口ＡＰ２は第２開口に相当し、有機層ＯＲ１は第１有機層に相当し、有機層ＯＲ２は第２有機層に相当し、上電極ＵＥ１は第１上電極に相当し、上電極ＵＥ２は第２上電極に相当し、封止層ＳＥ１は第１封止層に相当し、封止層ＳＥ２は第２封止層に相当する。
【0130】
以上説明したように、本実施形態によれば、発光効率を改善し、水分による劣化を抑制することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【0131】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0132】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0133】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0134】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＴＬ…透明層 ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３，ＳＥ１４…共通封止層
１０…基板 １２…絶縁層
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＴＬ…透明層 ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３，ＳＥ１４…共通封止層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】