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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024031535
(43)【公開日】2024-03-07
(54)【発明の名称】コイル部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/00 20060101AFI20240229BHJP
H01F 17/04 20060101ALI20240229BHJP
【ＦＩ】
H01F17/00 D
H01F17/04 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022135170
(22)【出願日】2022-08-26
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100115738
【弁理士】
【氏名又は名称】鷲頭 光宏
(74)【代理人】
【識別番号】100121681
【弁理士】
【氏名又は名称】緒方 和文
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼橋 延也
(72)【発明者】
【氏名】小久保 郁也
(72)【発明者】
【氏名】吉川 和弘
【テーマコード（参考）】
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E070AA01
5E070AB01
5E070BB03
5E070CA16
5E070CB13
5E070DA13
(57)【要約】
【課題】層間絶縁膜と導体層が交互に積層されてなるコイル部が素体で埋め込まれた構造を有するコイル部品において、諸特性をより改善する。
【解決手段】コイル部品１は、磁性素体Ｍと、磁性素体Ｍに埋め込まれ、層間絶縁膜１０～１４と導体層Ｃ０～Ｃ３が交互に積層されたコイル部３とを備える。磁性素体Ｍは、Ｚ方向から見て、Ｘ方向を長辺とし、Ｙ方向を短辺とする矩形状である。導体層Ｃ０～Ｃ３はそれぞれコイルパターンを有し、導体層Ｃ０に含まれるコイルパターン１００は、Ｘ方向に沿った区間が蛇行している。これにより、コイルパターンの蛇行によって、導体層と層間絶縁膜の密着性や、コイルパターンの抵抗値などの諸特性が改善される。
【選択図】図３
【解決手段】コイル部品１は、磁性素体Ｍと、磁性素体Ｍに埋め込まれ、層間絶縁膜１０～１４と導体層Ｃ０～Ｃ３が交互に積層されたコイル部３とを備える。磁性素体Ｍは、Ｚ方向から見て、Ｘ方向を長辺とし、Ｙ方向を短辺とする矩形状である。導体層Ｃ０～Ｃ３はそれぞれコイルパターンを有し、導体層Ｃ０に含まれるコイルパターン１００は、Ｘ方向に沿った区間が蛇行している。これにより、コイルパターンの蛇行によって、導体層と層間絶縁膜の密着性や、コイルパターンの抵抗値などの諸特性が改善される。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
素体と、
前記素体に埋め込まれ、複数の層間絶縁膜と複数の導体層が交互に積層されたコイル部と、を備え、
前記素体は、前記コイル部のコイル軸方向から見て、第１の方向を長辺とし、前記第１の方向と直交する第２の方向を短辺とする矩形状であり、
前記複数の導体層は、それぞれコイルパターンを有し、
前記複数の導体層の少なくとも一つに含まれる所定のコイルパターンは、前記第１の方向に沿った区間が蛇行している、コイル部品。
前記素体に埋め込まれ、複数の層間絶縁膜と複数の導体層が交互に積層されたコイル部と、を備え、
前記素体は、前記コイル部のコイル軸方向から見て、第１の方向を長辺とし、前記第１の方向と直交する第２の方向を短辺とする矩形状であり、
前記複数の導体層は、それぞれコイルパターンを有し、
前記複数の導体層の少なくとも一つに含まれる所定のコイルパターンは、前記第１の方向に沿った区間が蛇行している、コイル部品。
【請求項2】
前記所定のコイルパターンは、前記第２の方向に沿った区間に比べて、前記第１の方向に沿った区間の方が大きく蛇行している、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項3】
前記所定のコイルパターンの前記蛇行している部分のパターン幅は、前記コイル軸方向に一定である、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項4】
前記所定のコイルパターンの前記蛇行している部分のパターン幅は、前記コイル軸方向における一方の端面から他方の端面に向かって変化する、請求項１に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示はコイル部品に関し、特に、層間絶縁膜と導体層が交互に積層されてなるコイル部が、素体で埋め込まれた構造を有するチップ型のコイル部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に開示されたコイル部品は、層間絶縁膜と導体層が交互に積層されてなるコイル部が素体で埋め込まれた構造を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１５５５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載のコイル部品は、コイル軸方向から見ると素体が矩形状であり、コイルパターンの一部が素体の長辺に沿って直線的に延在している。
【0005】
本開示においては、層間絶縁膜と導体層が交互に積層されてなるコイル部が素体で埋め込まれた構造を有するコイル部品において、諸特性をより改善する技術が説明される。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一側面によるコイル部品は、素体と、素体に埋め込まれ、複数の層間絶縁膜と複数の導体層が交互に積層されたコイル部とを備え、素体は、コイル部のコイル軸方向から見て、第１の方向を長辺とし、第１の方向と直交する第２の方向を短辺とする矩形状であり、複数の導体層はそれぞれコイルパターンを有し、複数の導体層の少なくとも一つに含まれる所定のコイルパターンは、第１の方向に沿った区間が蛇行している。
【0007】
本開示によれば、コイルパターンの蛇行によって、導体層と層間絶縁膜の密着性や、コイルパターンの抵抗値などの諸特性が改善される。
【0008】
本開示において、所定のコイルパターンは、第２の方向に沿った区間に比べて、第１の方向に沿った区間の方が大きく蛇行していても構わない。これによれば、諸特性をより改善することが可能となる。
【0009】
本開示において、所定のコイルパターンの蛇行している部分のパターン幅は、コイル軸方向に一定であっても構わない。このような形状は、蛇行形状を有するマスクを用いた露光によってレジストを形成した後、コイルパターンを形成することによって得ることができる。
【0010】
本開示において、所定のコイルパターンの蛇行している部分のパターン幅は、コイル軸方向における一方の端面から他方の端面に向かって変化しても構わない。このような形状は、蛇行しないレジストを形成した後、レジストを変形させてからコイルパターンを形成することによって得ることができる。
【発明の効果】
【0011】
このように、本開示によれば、層間絶縁膜と導体層が交互に積層されてなるコイル部が素体で埋め込まれた構造を有するコイル部品において、諸特性をより改善する技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、添付図面を参照しながら、本開示の実施形態について詳細に説明する。
【0014】
図１は、本開示の一実施形態によるコイル部品１の外観を説明するための略斜視図である。
【0015】
図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１は、Ｚ方向をコイル軸とするコイル部３が磁性素体Ｍに埋め込まれた構造を有するチップ型のコイル部品である。磁性素体Ｍは、Ｚ方向から見て、Ｘ方向を長辺とし、Ｙ方向を短辺とする矩形状である。磁性素体Ｍは、コイル軸と直交しＸＹ面を構成する実装面４及び上面５を有している。実装面４と上面５は、互いに反対側に位置する。実装面４には端子電極Ｅ１，Ｅ２が設けられており、実装時においては、実装面４が回路基板と向かい合うよう、端子電極Ｅ１，Ｅ２が回路基板にハンダ付けされる。つまり、図１に示すコイル部品１の上下方向は、実装時とは１８０°異なっている。
【0016】
図２は、本実施形態によるコイル部品１の模式的な断面図である。
【0017】
図２に示すように、第１の実施形態によるコイル部品１は、コイル軸方向（Ｚ方向）に交互に積層された層間絶縁膜１０～１４及び導体層Ｃ０～Ｃ３からなるコイル部３を有している。導体層Ｃ０～Ｃ３はＣｕなどからなる。磁性素体Ｍは、磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２からなる。このうち、磁性樹脂層Ｍ１はコイル部３の内径領域、コイル部３の径方向における外側領域、並びに、コイル部３のコイル軸方向における一方側に設けられる。磁性樹脂層Ｍ２は、コイル部３のコイル軸方向における他方側に設けられる。磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２は、磁性フィラーとバインダー樹脂を含む複合磁性材料からなる。磁性樹脂層Ｍ１を構成する複合磁性材料と磁性樹脂層Ｍ２を構成する複合磁性材料は、互いに同じ材料であっても構わないし、互いに異なる材料であっても構わない。磁性フィラーとしては、鉄（Ｆｅ）やパーマロイ系材料などの金属磁性材料を用いることができる。バインダー樹脂としては、エポキシ樹脂を用いることができる。
【0018】
磁性樹脂層Ｍ１には導体ポストＰ１，Ｐ２が埋め込まれている。導体ポストＰ１，Ｐ２はＣｕなどからなり、Ｚ方向に延在するピラー状の導体である。このうち、導体ポストＰ１の一端である下面Ｂは、導体層Ｃ０～Ｃ３によって構成されるコイルの一端に接続され、導体ポストＰ２の一端である下面Ｂは、導体層Ｃ０～Ｃ３によって構成されるコイルの他端に接続される。一方、導体ポストＰ１，Ｐ２の他端である上面Ｔは、実装面４と同一平面を構成するよう実装面４から露出し、それぞれ端子電極Ｅ１，Ｅ２に接続される。導体ポストＰ１，Ｐ２の側面Ｓ（Ｚ方向に沿った面）は、ポスト保護膜１５で覆われている。これにより、導体ポストＰ１，Ｐ２と磁性素体Ｍの間にポスト保護膜１５が介在することから、導体ポストＰ１，Ｐ２と磁性素体Ｍの接触が防止され、両者の絶縁が確保される。また、導体ポストＰ１，Ｐ２を有する本実施形態のコイル部品１を回路基板等に実装すると、導体ポストＰ１，Ｐ２によって応力が緩和され、コイル部３へのダメージが低減される。このため、コイル部品１の実装信頼性も向上する。
【0019】
磁性素体Ｍの実装面４及び上面５は、それぞれカバー絶縁膜２１，２２で覆われている。このうち、カバー絶縁膜２２については上面５のほぼ全面を覆うのに対し、カバー絶縁膜２１には導体ポストＰ１，Ｐ２と重なる位置にそれぞれ開口２１ａ，２１ｂが設けられている。これにより、導体ポストＰ１，Ｐ２の上面Ｔ（ＸＹ面）は、カバー絶縁膜２１の開口２１ａ，２１ｂからそれぞれ露出する。カバー絶縁膜２１上には、端子電極Ｅ１，Ｅ２が設けられる。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、例えば、Ａｇなどからなる金属粉とバインダー樹脂を含む樹脂電極３１と、樹脂電極３１の表面に形成されたＮｉ膜３２及びＳｎ膜３３によって構成される。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、カバー絶縁膜２１の開口２１ａ，２１ｂを介して、それぞれ導体ポストＰ１，Ｐ２の上面Ｔに接続される。尚、磁性素体Ｍの実装面４及び上面５をカバー絶縁膜２１，２２で覆う点は必須でないが、カバー絶縁膜２１を設けることにより、端子電極Ｅ１，Ｅ２と磁性素体Ｍの接触が防止されることから信頼性が高められる。また、カバー絶縁膜２２を設けることにより信頼性が高められるとともに、上面５に方向性マークなどを設けることが可能となる。
【0020】
【0021】
図３に示すように、導体層Ｃ０にはコイルパターン１００が設けられる。コイルパターン１００は約１ターン周回するパターンであり、その両端は、層間絶縁膜１１に設けられたビア１１ａ，１１ｂを介して導体層Ｃ１に接続される。コイルパターン１００のパターン形状はＺ方向から見て略楕円形であるが、長辺であるＸ方向に延在する区間の一部が内側に蛇行している。
【0022】
図４に示すように、導体層Ｃ１にはコイルパターン１１０及び接続パターン１１１が設けられる。コイルパターン１１０は約１ターン周回するパターンであり、その一端は、層間絶縁膜１１に設けられたビア１１ｂを介して導体層Ｃ０のコイルパターン１００の他端に接続されるとともに、その他端は、層間絶縁膜１２に設けられたビア１２ｂを介して導体層Ｃ２に接続される。接続パターン１１１は、導体層Ｃ０に設けられたコイルパターン１００の一端と重なる位置に設けられており、層間絶縁膜１１に設けられたビア１１ａを介して導体層Ｃ０のコイルパターン１００の一端に接続されるとともに、層間絶縁膜１２に設けられたビア１２ａを介して導体層Ｃ２に接続される。コイルパターン１１０のパターン形状はＺ方向から見て略楕円形であるが、長辺であるＸ方向に延在する区間の一部が内側に蛇行している。
【0023】
図５に示すように、導体層Ｃ２にはコイルパターン１２０及び接続パターン１２１が設けられる。コイルパターン１２０は約１ターン周回するパターンであり、その一端は、層間絶縁膜１２に設けられたビア１２ｂを介して導体層Ｃ１のコイルパターン１１０の他端に接続されるとともに、その他端は、層間絶縁膜１３に設けられたビア１３ｂを介して導体層Ｃ３に接続される。接続パターン１２１は、導体層Ｃ１に設けられた接続パターン１１１と重なる位置に設けられており、層間絶縁膜１２に設けられたビア１２ａを介して導体層Ｃ１の接続パターン１１１に接続されるとともに、層間絶縁膜１３に設けられたビア１３ａを介して導体層Ｃ３に接続される。コイルパターン１２０のパターン形状はＺ方向から見て略楕円形であるが、長辺であるＸ方向に延在する区間の一部が内側に蛇行している。
【0024】
図６に示すように、導体層Ｃ３にはコイルパターン１３０及び接続パターン１３１が設けられる。コイルパターン１３０は約０．５ターン周回するパターンであり、その一端は、層間絶縁膜１３に設けられたビア１３ｂを介して導体層Ｃ２のコイルパターン１２０の他端に接続されるとともに、その他端は、層間絶縁膜１４に設けられたビア１４ｂを介して導体ポストＰ２に接続される。接続パターン１３１は、導体層Ｃ２に設けられた接続パターン１２１と重なる位置に設けられており、層間絶縁膜１３に設けられたビア１３ａを介して導体層Ｃ２の接続パターン１２１に接続されるとともに、層間絶縁膜１４に設けられたビア１４ａを介して導体ポストＰ１に接続される。
【0025】
これにより、端子電極Ｅ１，Ｅ２間には、コイルパターン１００，１１０，１２０，１３０が直列に接続され、合計で約３．５ターンのコイルが形成される。本実施形態によるコイル部品１は、層間絶縁膜１０～１４と導体層Ｃ０～Ｃ３が交互に積層されてなるコイル部３が磁性素体Ｍに埋め込まれた構造を有する埋め込み型のコイル部品であり、セラミックなどからなる磁性シートとコイルパターンが交互に積層されてなる積層型のコイル部品とは構造が異なる。例えば、積層型のコイル部品においては、積層方向に隣接するコイルパターン間に磁性シートが介在するが、本実施形態によるコイル部品１は、積層方向に隣接するコイルパターンが層間絶縁膜によって絶縁されており、両者間に磁性素体Ｍは介在しない。また、プリント基板上にコイルパターンを形成したタイプのシートコイルとも構造が異なる。
【0026】
図７は、コイルパターン１００，１１０，１２０の蛇行形状について説明するための模式図である。
【0027】
図７に示すように、磁性素体ＭのＸ方向における略中心位置においてＹ方向に延在する仮想線Ｌ１を想定した場合、コイルパターン１００，１１０，１２０は、仮想線Ｌ１と交差する部分において内側に蛇行する。図７には、コイルパターン１００，１１０，１２０が蛇行しない場合の平面位置が破線で示されている。そして、コイルパターン１００，１１０，１２０の内周壁５１は、位置Ａ１にて仮想線Ｌ１と交差し、コイルパターン１００，１１０，１２０の外周壁５２は、位置Ａ２にて仮想線Ｌ１と交差する。仮に、コイルパターン１００，１１０，１２０が蛇行しない場合には、内周壁５１が位置Ｂ１にて仮想線Ｌ１と交差し、外周壁５２が位置Ｂ２にて仮想線Ｌ１と交差する。位置Ｂ１に対する位置Ａ１のＹ方向における変位量はＷ１であり、位置Ｂ２に対する位置Ａ２のＹ方向における変位量はＷ２である。図７に示す例では、変位量Ｗ１の方が変位量Ｗ２よりも大きい。
【0028】
図８は、コイルパターン１００，１１０，１２０の径方向における中心線Ｌ２を示す模式図である。
【0029】
図８に示すように、中心線Ｌ２を－Ｘ方向に沿ってトレースすると、ゆるやかに－Ｙ方向に遷移する区間Ｓ１，Ｓ３と、ゆるやかに＋Ｙ方向に遷移する区間Ｓ２，Ｓ４が出現する。区間Ｓ１と区間Ｓ２の境界に位置する変曲点Ｘ１、区間Ｓ２と区間Ｓ３の境界に位置する変曲点Ｘ２、並びに、区間Ｓ３と区間Ｓ４の境界に位置する変曲点Ｘ３の前後においては、コイルパターン１００，１１０，１２０の延在方向が変化する。なお、変曲点Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３においては、コイルパターン１００，１１０，１２０の延在方向が、Ｘ方向と平行あるいは略平行になり得る。このように、図８に示す例の場合、コイルパターン１００，１１０，１２０のＸ方向に延在する区間の一部が蛇行していることから、Ｘ方向に延在する区間に３つの変曲点が出現する。これに対し、図７において破線で示すように、コイルパターン１００，１１０，１２０が蛇行しない場合には、変曲点は１つとなる。
【0030】
図９（ａ）～（ｃ）は、仮想線Ｌ１に沿ったコイルパターン１００の模式的な断面図である。
【0031】
図９（ａ）に示す例では、仮想線Ｌ１上における内周壁５１及び外周壁５２がいずれも垂直、つまり、Ｚ方向に延在している。この場合、内周壁５１の下端及び上端がいずれも位置Ａ１にあり、外周壁５２の下端及び上端がいずれも位置Ａ２にある。このため、仮想線Ｌ１上におけるコイルパターン１００のパターン幅は、コイル軸方向であるＺ方向によって変化せず、一定である。このような形状は、コイルパターン１００の上端面だけでなく、コイルパターン１００の下端面についても蛇行形状とすることによって得られる。そして、コイルパターン１００をこのような形状とすれば、コイルパターン１００と層間絶縁膜１１の接触面積が増加することから、コイルパターン１００と層間絶縁膜１１の密着性を高めることが可能となる。
【0032】
図９（ｂ）に示す例では、仮想線Ｌ１上における外周壁５２が垂直、つまり、Ｚ方向に延在しているのに対し、仮想線Ｌ１上における内周壁５１が内側（コイルパターン１００の内径領域側）に傾いている。この場合、内周壁５１の上端が位置Ａ１にあるのに対し、内周壁５１の下端は位置Ｂ１にある。外周壁５２については、下端及び上端がいずれも位置Ｂ２にある。図９（ｂ）に示す例においては、位置Ａ２は位置Ｂ２と等しい。つまり、外周壁５２側においては蛇行しておらず、外周壁５２側においては図７に示す破線に沿って延在する。これにより、仮想線Ｌ１上におけるコイルパターン１００のパターン幅は、下端面から上端面に向かって増大する。仮想線Ｌ１上におけるコイルパターン１００の上端面のパターン幅は、仮想線Ｌ１上におけるコイルパターン１００の下端面のパターン幅よりも大きく、且つ、コイルパターン１００の蛇行しない部分よりもパターン幅よりも大きい。このような形状は、コイルパターン１００の下端面を蛇行形状とすることなく、上端面を蛇行形状とすることによって得られる。そして、コイルパターン１００をこのような形状とすれば、蛇行部分においてコイルパターン１００の断面積が増大することから、コイルパターン１００の抵抗値を低減することが可能となる。
【0033】
図９（ｃ）に示す例では、仮想線Ｌ１上における内周壁５１及び外周壁５２がいずれも内側に傾いている。この場合、内周壁５１の上端が位置Ａ１にあるのに対し、内周壁５１の下端は位置Ｂ１にある。また、外周壁５２の上端が位置Ａ２にあるのに対し、外周壁５２の下端は位置Ｂ２にある。このような形状は、コイルパターン１００の下端面を蛇行形状とすることなく、上端面を蛇行形状とすることによって得られる。ここで、仮想線Ｌ１上における内周壁５１の傾きをθ１とし、仮想線Ｌ１上における外周壁５２の傾きをθ２とした場合、図９（ｃ）に示す例では、θ１＞θ２である。つまり、内周壁５１の方が外周壁５２よりも大きく内側に傾いている。これにより、仮想線Ｌ１上におけるコイルパターン１００のパターン幅は、下端面から上端面に向かって増大する。仮想線Ｌ１上におけるコイルパターン１００の上端面のパターン幅は、仮想線Ｌ１上におけるコイルパターン１００の下端面のパターン幅よりも大きく、且つ、コイルパターン１００の蛇行しない部分よりもパターン幅よりも大きい。コイルパターン１００をこのような形状とすれば、蛇行部分においてコイルパターン１００の断面積が増大することから、コイルパターン１００の抵抗値を低減することが可能となる。
【0034】
他のコイルパターン１１０，１２０の仮想線Ｌ１上における断面形状についても、図９（ａ）～（ｃ）に示す形状と同様であることから、重複する説明は省略する。
【0035】
このように、本実施形態によるコイル部品１は、コイルパターン１００，１１０，１２０のＸ方向に沿った区間が蛇行していることから、コイルパターン１００，１１０，１２０と層間絶縁膜１１～１３の密着性を高めることができ、或いは、コイルパターン１００，１１０，１２０の抵抗値を低減することが可能となる。但し、コイルパターン１００，１１０，１２０の全てを蛇行させる点は必須でなく、コイルパターン１００，１１０，１２０の少なくとも一つが蛇行形状を有していれば足りる。また、コイルパターン１００，１１０，１２０のＹ方向に延在する区間についても蛇行形状を有していても構わないが、Ｙ方向は短辺であることから、この区間に蛇行形状を形成することは容易ではない場合もある。このため、コイルパターン１００，１１０，１２０のＹ方向に延在する区間が蛇行形状を有している場合であっても、Ｙ方向に沿った区間に比べて、Ｘ方向に沿った区間の方が大きく蛇行していても構わない。
【0036】
次に、本実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。
【0037】
図１０～図２０は、本実施形態によるコイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図１０～図２０には、１個のコイル部品１に相当する部分のみが示されているが、実際には、集合基板を用いて複数のコイル部品１が同時に作製される。
【0038】
まず、支持基板４０を用意し（図１０）、その表面に層間絶縁膜１０～１４と導体層Ｃ０～Ｃ３を交互に形成することによりコイル部３を形成した後、層間絶縁膜１４にビア１４ａ，１４ｂを形成し、さらに導体ポストＰ１，Ｐ２を形成する（図１１）。導体層Ｃ０～Ｃ３は、コイル部３の内径領域及びコイル部３の外側領域に位置する犠牲パターン４１を含んでいる。ここで、導体層Ｃ０は、コイルパターン１００及び犠牲パターン４１のネガパターンであるレジスト６０を形成した後（図１２）、電解メッキを行うことによって形成することができる（図１３）。これにより、コイルパターン１００と犠牲パターン４１を含む導体層Ｃ０が形成される。その後、レジスト６０を除去し、導体層Ｃ０の全面を層間絶縁膜１１で覆った後、層間絶縁膜１１をパターニングすることによって犠牲パターン４１を露出させる。このような工程を繰り返すことによって、導体層Ｃ０～Ｃ３を形成する。導体ポストＰ１，Ｐ２についても、電解メッキによって形成することができる。
【0039】
ここで、コイルパターン１００のＸ方向に沿った区間を図９（ａ）に示す断面形状とするためには、蛇行形状を有するマスクを用いて露光することによって、蛇行形状を有するレジスト６０を形成すれば良い。一方、コイルパターン１００のＸ方向に沿った区間を図９（ｂ）又は図９（ｃ）に示す断面形状とするためには、蛇行しないマスクを用いて露光した後、レジスト６０が内側に傾くよう変形させれば良い。レジスト６０を内側に傾くよう変形させるためには、例えば、レジスト６０の材料として変形しやすい材料を用いるとともに、レジスト６０の現像工程における乾燥条件を調整することにより、乾燥時に生じる収縮現象を利用してレジスト６０を内側に傾けることができる。これにより、コイルパターン１００のＸ方向に沿った区間を蛇行させることが可能となる。この場合、コイルパターン１００のＹ方向に沿った区間も蛇行し得るが、短辺であるＹ方向に沿った区間よりも、長辺であるＸ方向に沿った区間の方がレジスト６０の収縮が大きいことから、Ｘ方向に沿った区間の方が大きく蛇行する。
【0040】
次に、導体ポストＰ１，Ｐ２の露出面の全面を覆うポスト保護膜１５を形成する（図１４）。導体ポストＰ１，Ｐ２の露出面の全面とは、Ｚ方向に沿った側面Ｓ及びＸＹ面を構成する上面Ｔである。次に、この状態でウェットエッチングを行うことにより、犠牲パターン４１を除去する（図１５）。コイル部３を構成する導体パターンについては、層間絶縁膜１０～１４で覆われているため、エッチングされることはない。導体ポストＰ１，Ｐ２についても、ポスト保護膜１５で覆われているため、エッチングされることはない。これにより、コイル部３の内径領域及び外側領域には、空間４２が形成される。
【0041】
次に、犠牲パターン４１の除去によって形成された空間４２を磁性樹脂層Ｍ１で埋め込む（図１６）。次に、導体ポストＰ１，Ｐ２が露出するまで、磁性樹脂層Ｍ１の表面を研磨する（図１７）。この工程により、磁性樹脂層Ｍ１の実装面４と導体ポストＰ１，Ｐ２の上面Ｔが同一平面となる。また、研磨前と比べ、磁性樹脂層Ｍ１の実装面４側における平坦性が大幅に高められる。
【0042】
次に、支持基板４０を除去した後、層間絶縁膜１０を覆うよう、磁性樹脂層Ｍ１の下面側に磁性樹脂層Ｍ２を形成する（図１８）。その後、磁性樹脂層Ｍ２の表面を研磨することにより、上面５を平滑化しても構わない。次に、磁性素体Ｍの実装面４及び上面５にそれぞれカバー絶縁膜２１，２２を形成した後、導体ポストＰ１，Ｐ２の上面Ｔの一部が露出するよう、カバー絶縁膜２１に開口２１ａ，２１ｂを形成する（図１９）。
【0043】
次に、それぞれ導体ポストＰ１，Ｐ２に接続されるよう、カバー絶縁膜２１上に端子電極Ｅ１，Ｅ２を形成する（図２０）。そして、ダイシングによって個片化すれば、本実施形態によるコイル部品１が完成する。
【0044】
このように、本実施形態においては、蛇行形状を有するマスクを用いた露光によってレジスト６０を形成し、或いは、蛇行しないマスクを用いて露光した後、レジスト６０が内側に傾くよう変形させていることから、コイルパターン１００，１１０，１２０のＸ方向に延在する区間の一部を蛇行させることが可能となる。
【0045】
以上、本開示に係る技術の実施形態について説明したが、本開示に係る技術は、上記の実施形態に限定されることなく、その主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本開示に係る技術の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【0046】
例えば、上記実施形態では、コイル部３が４層の導体層Ｃ０～Ｃ３によって構成されているが、コイル部に含まれる導体層の層数については特に限定されない。また、上記実施形態では、各導体層Ｃ０～Ｃ２に設けられたコイルパターン１００，１１０，１２０のターン数が約１ターンであるが、各導体層に設けられるコイルパターンのターン数については特に限定されない。また、各導体層Ｃ０～Ｃ２に設けられたコイルパターン１００，１１０，１２０において、蛇行形状を有する箇所（例えば、各コイルパターンに含まれる変曲点）は複数個所であってもよく、蛇行形状を形成する位置も特に限定されない。
【0047】
また、上記実施形態では、コイル部３を磁性素体Ｍに埋め込んでいるが、素体が磁性材料からなる点は必須でなく、非磁性材料からなる素体を用いても構わない。
【符号の説明】
【0048】
１ コイル部品
３ コイル部
４ 実装面
５ 上面
１０～１４ 層間絶縁膜
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ ビア
１５ ポスト保護膜
２１，２２ カバー絶縁膜
２１ａ，２１ｂ 開口
３１ 樹脂電極
３２ Ｎｉ膜
３３ Ｓｎ膜
４０ 支持基板
４１ 犠牲パターン
４２ 空間
５１ 内周壁
５２ 外周壁
６０ レジスト
１００，１１０，１２０，１３０ コイルパターン
１１１，１２１，１３１ 接続パターン
Ａ１，Ｂ１ 内周壁の位置
Ａ２，Ｂ２ 外周壁の位置
Ｂ 導体ポストの下面
Ｃ０～Ｃ３ 導体層
Ｅ１，Ｅ２ 端子電極
Ｌ１ 仮想線
Ｌ２ 中心線
Ｍ 磁性素体
Ｍ１，Ｍ２ 磁性樹脂層
Ｐ１，Ｐ２ 導体ポスト
Ｓ 導体ポストの側面
Ｓ１～Ｓ４ 区間
Ｔ 導体ポストの上面
Ｘ１～Ｘ３ 変曲点
３ コイル部
４ 実装面
５ 上面
１０～１４ 層間絶縁膜
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ ビア
１５ ポスト保護膜
２１，２２ カバー絶縁膜
２１ａ，２１ｂ 開口
３１ 樹脂電極
３２ Ｎｉ膜
３３ Ｓｎ膜
４０ 支持基板
４１ 犠牲パターン
４２ 空間
５１ 内周壁
５２ 外周壁
６０ レジスト
１００，１１０，１２０，１３０ コイルパターン
１１１，１２１，１３１ 接続パターン
Ａ１，Ｂ１ 内周壁の位置
Ａ２，Ｂ２ 外周壁の位置
Ｂ 導体ポストの下面
Ｃ０～Ｃ３ 導体層
Ｅ１，Ｅ２ 端子電極
Ｌ１ 仮想線
Ｌ２ 中心線
Ｍ 磁性素体
Ｍ１，Ｍ２ 磁性樹脂層
Ｐ１，Ｐ２ 導体ポスト
Ｓ 導体ポストの側面
Ｓ１～Ｓ４ 区間
Ｔ 導体ポストの上面
Ｘ１～Ｘ３ 変曲点
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】