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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024031606
(43)【公開日】2024-03-07
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 1/14 20060101AFI20240229BHJP
H05K 3/36 20060101ALI20240229BHJP
【ＦＩ】
H05K1/14 G
H05K3/36 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022135263
(22)【出願日】2022-08-26
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】古谷 俊樹
【テーマコード（参考）】
5E344
【Ｆターム（参考）】
5E344AA12
5E344AA23
5E344BB02
5E344BB06
5E344CC03
5E344CC13
5E344CC23
5E344CD12
5E344EE08
(57)【要約】 （修正有）
【課題】配線基板における良好な伝送特性を有する微細な信号伝送路を提供する。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面１０ｆ及びその反対面である第２面１０ｓを有する第１配線基板１０と、第３面２０ｆ及びその反対面である第４面２０ｓを有する第２配線基板２０と、を含む。第２配線基板２０は、第４面２０ｓに支持体を有し、第４面２０ｓが第１面１０ｆに向くように、第１配線基板１０に貼付される。第２配線基板２０の複数の導体層のうちの第３面２０ｆ側の最も外側の導体層は、第１部品Ｅ１が接続されるべき第１導体パッド及び第２部品Ｅ２が接続されるべき第２導体パッドを含んでいる。第２配線基板２０の複数の導体層は、第１導体パッドと第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを有する第１導体層を含む。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面１０ｆ及びその反対面である第２面１０ｓを有する第１配線基板１０と、第３面２０ｆ及びその反対面である第４面２０ｓを有する第２配線基板２０と、を含む。第２配線基板２０は、第４面２０ｓに支持体を有し、第４面２０ｓが第１面１０ｆに向くように、第１配線基板１０に貼付される。第２配線基板２０の複数の導体層のうちの第３面２０ｆ側の最も外側の導体層は、第１部品Ｅ１が接続されるべき第１導体パッド及び第２部品Ｅ２が接続されるべき第２導体パッドを含んでいる。第２配線基板２０の複数の導体層は、第１導体パッドと第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを有する第１導体層を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する第１配線基板と、
第３面及び前記第３面の反対面である第４面を有する第２配線基板と、
を含む配線基板であって、
前記第２配線基板は、交互に積層される複数の導体層及び複数の樹脂絶縁層を含んでおり、
前記第２配線基板は、前記第４面に支持体を有し、前記第４面が前記第１面に向くように、前記第１配線基板に貼付されており、
前記複数の導体層のうちの前記第３面側の最も外側の導体層は、第１部品が接続されるべき第１導体パッド、及び、第２部品が接続されるべき第２導体パッドを含んでおり、
前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含んでおり、
前記第１導体層における前記第３面側の表面は研磨面であり、
前記第１導体層に含まれる配線パターンの最小の配線幅は、３μｍ以下であり、
前記第１導体層に含まれる配線パターン同士の最小の間隔は、３μｍ以下であり、
前記第１配線パターンのアスペクト比は、２．０以上、４．０以下である。
第３面及び前記第３面の反対面である第４面を有する第２配線基板と、
を含む配線基板であって、
前記第２配線基板は、交互に積層される複数の導体層及び複数の樹脂絶縁層を含んでおり、
前記第２配線基板は、前記第４面に支持体を有し、前記第４面が前記第１面に向くように、前記第１配線基板に貼付されており、
前記複数の導体層のうちの前記第３面側の最も外側の導体層は、第１部品が接続されるべき第１導体パッド、及び、第２部品が接続されるべき第２導体パッドを含んでおり、
前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含んでおり、
前記第１導体層における前記第３面側の表面は研磨面であり、
前記第１導体層に含まれる配線パターンの最小の配線幅は、３μｍ以下であり、
前記第１導体層に含まれる配線パターン同士の最小の間隔は、３μｍ以下であり、
前記第１配線パターンのアスペクト比は、２．０以上、４．０以下である。
【請求項2】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１配線パターンの配線幅は、３μｍ以下であり、
前記第１配線パターン同士の間隔は、３μｍ以下である。
前記第１配線パターンの配線幅は、３μｍ以下であり、
前記第１配線パターン同士の間隔は、３μｍ以下である。
【請求項3】
請求項１記載の配線基板であって、
前記支持体は、無機材料を含んでいる。
前記支持体は、無機材料を含んでいる。
【請求項4】
請求項２記載の配線基板であって、
前記第１配線パターンの厚さは、７μｍ以下である。
前記第１配線パターンの厚さは、７μｍ以下である。
【請求項5】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第２配線基板は、前記複数の樹脂絶縁層のいずれかを貫いて前記複数の導体層の各導体層同士を接続するビア導体をさらに含み、
前記ビア導体のアスペクト比は、０．５以上、１．０以下である。
前記第２配線基板は、前記複数の樹脂絶縁層のいずれかを貫いて前記複数の導体層の各導体層同士を接続するビア導体をさらに含み、
前記ビア導体のアスペクト比は、０．５以上、１．０以下である。
【請求項6】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数の導体層は、スパッタ膜からなる第１層と、前記第１層上に形成される金属膜からなる第２層と、を含む導体層を含んでいる。
前記複数の導体層は、スパッタ膜からなる第１層と、前記第１層上に形成される金属膜からなる第２層と、を含む導体層を含んでいる。
【請求項7】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数の樹脂絶縁層は、前記第３面側の表面に凹部を有する樹脂絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記凹部内を充填する導電体によって構成されていて、研磨面である前記第３面側の表面を前記複数の樹脂絶縁層それぞれの前記表面に露出させている。
前記複数の樹脂絶縁層は、前記第３面側の表面に凹部を有する樹脂絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記凹部内を充填する導電体によって構成されていて、研磨面である前記第３面側の表面を前記複数の樹脂絶縁層それぞれの前記表面に露出させている。
【請求項8】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１配線基板は、前記第１面からそれぞれ突出する第１金属ポスト及び第２金属ポストを有し、
前記第２配線基板は、前記第１導体パッド上に形成されている第３金属ポスト、及び、前記第２導体パッド上に形成されている第４金属ポストを有し、
前記第１金属ポスト及び前記第３金属ポストの上面は、前記第１部品が搭載されるべき第１部品搭載面を構成しており、
前記第２金属ポスト及び前記第４金属ポストの上面は、前記第２部品が搭載されるべき第２部品搭載面を構成している。
前記第１配線基板は、前記第１面からそれぞれ突出する第１金属ポスト及び第２金属ポストを有し、
前記第２配線基板は、前記第１導体パッド上に形成されている第３金属ポスト、及び、前記第２導体パッド上に形成されている第４金属ポストを有し、
前記第１金属ポスト及び前記第３金属ポストの上面は、前記第１部品が搭載されるべき第１部品搭載面を構成しており、
前記第２金属ポスト及び前記第４金属ポストの上面は、前記第２部品が搭載されるべき第２部品搭載面を構成している。
【請求項9】
請求項８記載の配線基板であって、
前記第２配線基板の面積は、平面視において、前記第１部品が搭載されるべき第１部品搭載領域の面積と、前記第２部品が搭載されるべき第２部品搭載領域の面積との合計面積よりも小さい。
前記第２配線基板の面積は、平面視において、前記第１部品が搭載されるべき第１部品搭載領域の面積と、前記第２部品が搭載されるべき第２部品搭載領域の面積との合計面積よりも小さい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、第１配線基板と、第１配線基板上に搭載され、配線層を有する第２配線基板とを含む半導体パッケージ用の配線基板が開示されている。第２配線基板の第１配線基板との対向面と反対側の表面には、複数の半導体チップを実装可能であるように、配線層と接続される複数のパッドが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１９１３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示のプリント配線板では、プリント配線板に接続されるＩＣチップのような電子部品の電極に応じた微細な配線や、電子部品同士の間で伝送される高周波信号に対して十分な伝送特性を有する信号線路を提供できないことがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する第１配線基板と、第３面及び前記第３面の反対面である第４面を有する第２配線基板と、を含んでいる。前記第２配線基板は、交互に積層される複数の導体層及び複数の樹脂絶縁層を含んでいる。前記第２配線基板は、前記第４面に支持体を有し、前記第４面が前記第１面に向くように、前記第１配線基板に貼付されている。前記複数の導体層のうちの前記第３面側の最も外側の導体層は、第１部品が接続されるべき第１導体パッド、及び、第２部品が接続されるべき第２導体パッドを含んでおり、前記複数の導体層は、前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続する第１配線パターンを含む第１導体層を含んでいる。前記第１導体層における前記第３面側の表面は研磨面であり、前記第１導体層に含まれる配線パターンの最小の配線幅は、３μｍ以下であり、前記第１導体層に含まれる配線パターン同士の最小の間隔は、３μｍ以下であり、前記第１配線パターンのアスペクト比は、２．０以上、４．０以下である。
【0006】
本発明の実施形態によれば、部品と接続される配線基板において優れた信号伝送特性を有する微細な伝送路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図3】一実施形態の配線基板に含まれる第２配線基板の一例を示す断面図。
【図5A】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5B】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5C】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5D】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5E】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5F】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5G】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5H】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5I】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5J】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図5K】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図6】一実施形態の配線基板を用いた電子部品の製法の一例を示す断面図。
【図7】本発明の他の実施形態の配線基板に含まれる第２配線基板の一例を示す断面図。
【図9A】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図9B】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図9C】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図9D】他の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の配線基板の一例が、図面を参照しながら説明される。図１には、配線基板１の断面図が示され、図２には、配線基板１の上面図が示されている。図１は、図２のＩ－Ｉ線に沿った断面を示している。なお、配線基板１は、実施形態の配線基板の一例に過ぎない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。
本発明の第１実施形態の配線基板の一例が、図面を参照しながら説明される。図１には、配線基板１の断面図が示され、図２には、配線基板１の上面図が示されている。図１は、図２のＩ－Ｉ線に沿った断面を示している。なお、配線基板１は、実施形態の配線基板の一例に過ぎない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。
【0009】
図１に示されるように、配線基板１は、複数の部品を搭載可能に構成されている。図１及び図２に示されるように、配線基板１は、第１部品Ｅ１が搭載されるべき第１部品搭載領域Ａ１と、第１部品Ｅ１とは別部品である第２部品Ｅ２が搭載されるべき第２部品搭載領域Ａ２と、を備えている。なお、「別の部品」は、単に第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とが別個の部品であることを意味し、必ずしも異種の部品であることを意味しない。第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とは、同種の部品であってもよく、互いに異なる機能を有する部品であってもよい。配線基板１に搭載される第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２は、例えば、マイコンやメモリなどの半導体集積回路装置のような電子部品である。なお、配線基板１に搭載される部品の数は、３つ以上であってもよい。
【0010】
図１及び図２に示されるように、配線基板１は、第１配線基板１０と、第１配線基板１０に貼付されている第２配線基板２０と、を含んでいる。第１配線基板１０は、第２配線基板２０を貼付するための貼付領域Ａ０を設けるために、平面視において、第２配線基板２０より大きい面積を有している。配線基板１は、第１部品Ｅ１が第１配線基板１０と接続可能であるとともに、第２配線基板２０とも接続可能であるように構成されている。そのために、第１部品Ｅ１が搭載されるべき第１部品搭載領域Ａ１は、平面視において、第２配線基板２０、及び、第１配線基板１０のうちの第２配線基板２０に覆われない部分の両方と重なるように設けられている。なお、「平面視」は、配線基板１の厚さ方向に沿う視線で対象物を見ることを意味している。また、配線基板１は、第２部品Ｅ２が第１配線基板１０と接続可能であるとともに、第２配線基板２０とも接続可能であるように構成されている。そのために、第２部品Ｅ２が搭載されるべき第２部品搭載領域Ａ２は、平面視において、第２配線基板２０、及び、第１配線基板１０のうちの第２配線基板２０に覆われない部分の両方と重なるように設けられている。
【0011】
実施形態の配線基板では、平面視において、第２配線基板２０の面積は、第１部品搭載領域Ａ１の面積と第２部品搭載領域Ａ２の面積との合計面積よりも小さい。従って、実施形態の配線基板では、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と同等であるか、又はこれらより小さい面積の第２配線基板２０を用いることによって、小型に形成され得ると考えられる。第２配線基板２０の面積は、第１部品搭載領域Ａ１のみの面積より小さくてもよく、第２部品搭載領域Ａ２のみの面積より小さくてもよい。
【0012】
１つの第１配線基板１０に貼付されている第２配線基板２０の数は、２つ以上であってもよい。また、配線基板１に搭載される部品の数が３つ以上である場合、３つ以上の部品のうちの少なくとも２つが１つの第２配線基板２０に接続されればよい。例えば、３つ以上の部品の全てが、１つの第２配線基板２０に接続されてもよく、３つ以上の部品のうちの２つが、１つの第２配線基板２０に接続され、他の部品は、第１配線基板１０のみに接続されていてもよい。
【0013】
図１に示されるように、第１配線基板１０は、その厚さ方向と直交する２つの表面（主面）のうちの一方である第１面１０ｆ、及び、第１面１０ｆの反対面である第２面１０ｓを有している。第２配線基板２０は、その厚さ方向と直交する２つの表面（主面）のうちの一方である第３面２０ｆ、及び、第３面２０ｆの反対面である第４面２０ｓを有している。第２配線基板２０は、第４面２０ｓが第１面１０ｆに向くように、第１配線基板１０に貼付されている。
【0014】
なお、実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向（積層方向）において、第２配線基板２０の第３面２０ｆ側は、「上側」若しくは「上方」、又は、単に「上」とも称され、第１配線基板１０の第２面１０ｓ側は、「下側」若しくは「下方」、又は、単に「下」とも称される。さらに、第１配線基板１０及び第２配線基板２０の各導体層及び各絶縁層において、第２配線基板２０の第３面２０ｆ側を向く表面は「上面」とも称され、第１配線基板１０の第２面１０ｓ側を向く表面は「下面」とも称される。なお、実施形態の配線基板の厚さ方向は、「Ｚ方向」とも称される。
【0015】
実施形態の配線基板において、第１配線基板１０は、少なくとも、配線基板１に搭載される部品（図１の例では、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）以外の配線基板１の外部と、配線基板１と、を接続し得る。第１配線基板１０は、配線基板１に搭載される部品のうちの少なくとも２つの部品（図１の例では、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）それぞれと接続可能である任意の配線基板から選択され得る。図１の例では、第１配線基板１０は、交互に積層されている複数の導体層１２２～１２７及び複数の絶縁層１３１～１３６を含んでいる。図１に示される第１配線基板１０は、コア基板１１を含んでおり、コア基板１１の第１面１０ｆ側及び第２面１０ｓ側の表面上に、複数の導体層１２２～１２７及び複数の絶縁層１３１～１３６を逐次形成することによって製造される、所謂ビルドアップ配線基板である。しかし、第１配線基板の積層構造、及び、第１配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の第１配線基板１０の積層構造、及び、第１配線基板１０に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。第１配線基板１０は、例えば、コア基板１１のみから構成されている、所謂、両面配線基板であってもよい。
【0016】
図１の例において、第１配線基板１０のコア基板１１は、コア絶縁層１１３と、コア絶縁層１１３における第１面１０ｆ側及び第２面１０ｓ側それぞれの表面上に、コア導体層１１２と、を含んでいる。第１面１０ｆ側及び第２面１０ｓ側それぞれの表面上のコア導体層１１２は、スルーホール導体１１０によって互いに接続されている。また、スルーホール導体１１０の内部は、エポキシ樹脂などを含む樹脂体１１１で充填されている。
【0017】
図１の例において、第１配線基板１０は、絶縁層１３１～１３６のいずれかを貫いて、コア導体層１１２及び導体層１２２～１２７の各導体層同士を接続するビア導体１４を含んでいる。第１配線基板１０の第１面１０ｆ側及び第２面１０ｓ側の最も外側の絶縁層である絶縁層１３７は、ソルダーレジスト層であり得る。
【0018】
図１の例において、第１配線基板１０の導体層１２２～１２７は、それぞれ、所定の導体パターンを含むようにパターニングされている。第１面１０ｆ側の最も外側の導体層である導体層１２７は、配線基板１の使用時に配線基板１に搭載される部品（図１の例では、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と接続される１つ以上の導体パッド１７１及び１つ以上の導体パッド１７２を含んでいる。導体パッド１７１は、第１部品Ｅ１と接続されるべき導体パッド（第１導体パッド）であり、導体パッド１７２は、第２部品Ｅ２と接続されるべき導体パッド（第２導体パッド）である（図２も参照）。導体パッド１７１は、第１部品搭載領域Ａ１に設けられており、導体パッド１７２は、第２部品搭載領域Ａ２に設けられている（図２参照）。
【0019】
図１の例において、第１配線基板１０はさらに、導体パッド１７１、１７２の表面上にそれぞれ形成されている１つ以上の金属ポスト１５１及び１つ以上の金属ポスト１５２を含んでいる。金属ポスト１５１は、配線基板１に搭載されるべき複数の部品のうちの一部品（図１の例では、第１部品Ｅ１）を搭載するための金属ポスト（第１金属ポスト）であり、金属ポスト１５１の上面は、当該一部品を搭載するための部品搭載面（第１部品搭載面Ｆ１）を構成する。金属ポスト１５２は、配線基板１に搭載されるべき複数の部品のうちの別の一部品（図１の例では、第２部品Ｅ２）を搭載するための金属ポスト（第２金属ポスト）であり、金属ポスト１５２の上面は、当該別の一部品を搭載するための部品搭載面（第２部品搭載面Ｆ２）を構成する。絶縁層１３７の上面には、導体層は形成されておらず、金属ポスト１５１、１５２以外の導電体は存在しない。配線基板１の使用時には、金属ポスト１５１によって、配線基板１に搭載されるべき部品のうちの一部品の電極パッド（図１の例では、第１部品Ｅ１の電極パッドＥ１０）の少なくとも一部と、第１配線基板１０の導体パッド１７１とが、それぞれ接続される。他方、金属ポスト１５２によって、配線基板１に搭載されるべき部品のうちの別の一部品の電極パッド（図１の例では、第２部品Ｅ２の電極パッドＥ２０）の少なくとも一部と、第１配線基板１０の導体パッド１７２とが、それぞれ接続される。
【0020】
絶縁層１３７の上面に対する金属ポスト１５１、１５２の高さは、第２配線基板２０の厚さ（絶縁層１３７の上面に対する第２配線基板２０の金属ポスト２５１、２５２（詳細は後述される）の高さ）と略同じとなるように調整されている。金属ポスト１５１、１５２の高さの調整によって、配線基板１に搭載されるべき部品の部品搭載面（図１の例では、第１部品搭載面Ｆ１及び第２部品搭載面Ｆ２）は、配線基板１の下面（第１配線基板１０の第２面１０ｓ）に対して略平行となり得るので、例えば、チップ搭載機などに配線基板１を搭載して、配線基板１に部品（図１の例では、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）を搭載するときに、部品が配線基板１に安定して搭載されると考えられる。
【0021】
図１の例において、金属ポスト１５１、１５２は、それぞれ、導体パッド１７１、１７２上に形成されているポスト本体１５ａと、ポスト本体１５ａ上に形成されている機能層１５ｂと、を含んでいる。ポスト本体１５ａは、金属ポスト１５１、１５２の高さを調整するために形成され得る。ポスト本体１５ａは、例えば、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。機能層１５ｂは、ポスト本体１５ａの端面の保護層として、及び／又は、第１部品Ｅ１若しくは第２部品Ｅ２とポスト本体１５ａとの接合層として機能し得る。機能層１５ｂは、例えば、ニッケル、すず、パラジウム、又は金などのめっき膜によって形成されている。
【0022】
図１の例では、ポスト本体１５ａ及び機能層１５ｂは、それぞれ、１つの層だけを有するように描かれている。しかし、ポスト本体１５ａ及び機能層１５ｂは、それぞれめっき若しくはスパッタリングなどで形成される２つ以上の金属膜を含む多層構造を有していてもよい。
【0023】
実施形態の配線基板において、第２配線基板２０は、配線基板１に搭載されるべき部品のうちの少なくとも２つの部品（図１の例では、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）を接続し得る。図２の例では、第２配線基板２０は、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とを接続する配線パターン２１１、２１３（詳細は後述される）を含んでいる。
【0024】
図３には、図１に示される配線基板１のうち、第２配線基板２０のみが示されている。図４には、図３のIV部の拡大図が示されている。図３に示されるように、第２配線基板２０は、第４面２０ｓ側に設けられ、第１配線基板１０に貼付されている支持体２１と、支持体２１の第３面２０ｆ側に設けられ、交互に積層されている複数の導体層２２１～２２５及び複数の絶縁層２３１～２３５を含む積層体２２と、を含んでいる。第２配線基板２０は、複数の導体層２２１～２２５及び複数の絶縁層２３１～２３５を逐次形成することによって製造される、所謂ビルドアップ配線基板である。
【0025】
図３に示されるように、支持体２１は、第２配線基板２０の第４面２０ｓ側に付着している。換言すると、支持体２１の一面上に積層体２２が形成されている。図３に示される支持体２１は、接着層２３によって積層体２２に付着している。接着層２３は、例えば、エポキシ樹脂などの任意の絶縁性材料を含んで構成されている。支持体２１は、積層体２２よりも高い剛性を有している。そのため、支持体２１によって積層体２２が支持される。従って、図３に示される第２配線基板２０には、安定して、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１参照）のような部品が実装され得ると考えられる。支持体２１は、適切な剛性を有するように、シリコン、ガラスなどの無機材料を含んで構成されることが好ましく、シリコンを含んで構成されることがより好ましい。しかし、支持体２１は、ガラス繊維などの補強材に含侵されたエポキシ樹脂などの有機材料を含んで構成されてもよい。接着層２３が高い絶縁性を有する場合、又は、積層体２２の第４面２０ｓ側の表面に導体層が存在しない場合（図３の例では、導体層２２１が存在しない場合）、支持体２１は、例えば、銅などの金属材料を含んで構成されてもよい。
【0026】
図３及び図４に示されるように、導体層２２１～２２５は、それぞれ、所定の導体パターンを含むようにパターニングされている。第３面２０ｆ側の最も外側の導体層である導体層２２５は、配線基板１の使用時に配線基板１に搭載される部品（図１の第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２参照）と接続されるべき１つ以上の導体パッド２７１及び１つ以上の導体パッド２７２を含んでいる。図３及び図４の例では、導体パッド２７１は、第１部品Ｅ１が接続されるべき導体パッド（第１導体パッド）であり、導体パッド２７２は、第２部品Ｅ２が接続されるべき導体パッド（第２導体パッド）である（図２も参照）。導体パッド２７１は、第１部品搭載領域Ａ１に設けられており、導体パッド２７２は、第２部品搭載領域Ａ２に設けられている（図２参照）。
【0027】
図３及び図４に示されるように、導体層２２１～２２５は、導体パッド２７１及び導体パッド２７２以外にも、配線パターン２１１～２１５を含んでいる。配線パターン２１１～２１２それぞれは、後述されるように、配線パターン２１３～２１５それぞれよりも、微細な配線幅Ｗ１（図４参照）を有している。隣接する配線パターン２１１同士の間隔は、配線パターン２１３同士の間隔及び配線パターン２１４同士の間隔よりも微細な間隔Ｇ（図４参照）で配置されている。隣接する配線パターン２１２同士の間隔についても同様である。配線パターン２１１～２１２それぞれは、例えば、導体層２２１～２２５のいずれかが含む任意の導体パッド同士を接続して、比較的に高周波である電気信号を伝播させる信号線路として機能する。図示される例では、配線パターン２１１～２１２のうちの配線パターン２１１それぞれは、前述したように、導体パッド２７１と導体パッド２７２とを接続する（図２参照）。配線パターン２１３～２１４それぞれは、例えば、導体層２２１～２２５のいずれかが含む任意の導体パッド同士を接続して、電気信号を伝播させる信号線路として機能する。図示される例では、配線パターン２１３～２１４のうちの配線パターン２１３は、前述したように、導体パッド２７１と導体パッド２７２とを接続する（図２参照）。配線パターン２１４は、所謂ベタパターンであり、例えば、比較的に大電流を通電させる電源プレーン又はグランドプレーンとして機能する。
【0028】
このように、実施形態の配線基板に含まれる第２配線基板２０において、複数の導体層（図示される例では、導体層２２１～２２５）は、配線基板に搭載されるべき複数の部品のうち、１つの部品が接続されるべき導体パッド（例えば、第１部品Ｅ１が接続される導体パッド２７１）と、他の１つの部品が接続されるべき導体パッド（例えば、第２部品Ｅ２が接続される導体パッド２７２）と、を接続する配線パターンを含む導体層（図示される例では、配線パターン２１１を含む導体層２２４及び配線パターン２１３を含む導体層２２５）を含んでいる。なお、実施形態の説明では、第１部品Ｅ１が接続されるべき導体パッド２７１のような第１導体パッドと、第２部品Ｅ２が接続されるべき導体パッド２７２のような第２導体パッドと、を接続する、配線パターン２１１、２１３のような配線パターンのうち、微細な配線幅Ｗ１及び間隔Ｇを有する配線パターン２１１のような配線パターンは、他の配線パターンとの区別のために、適宜「第１配線パターン」とも称される。また、「第１配線パターン」を含む導体層２２４のような導体層は、他の導体層との区別のために、適宜「第１導体層」とも称される。
【0029】
図３に示されるように、導体層２２１～２２５のうちで導体層２２１が、積層体２２の第３面２０ｆと反対側において、最も外側に形成されている。導体層２２１における第３面２０ｆと反対側の表面以外の表面は絶縁層２３１に覆われている。そして、絶縁層２３１における第３面２０ｆ側の表面上に、第３面２０ｆに向かって順に、導体層２２２、絶縁層２３２、導体層２２３、絶縁層２３３、導体層２２４、絶縁層２３４、導体層２２５、及び絶縁層２３５が形成されている。導体層２２５は、第２配線基板２０における第３面２０ｆ側の最も外側の導体層である。第２配線基板２０の第３面２０ｆは、主に、導体層２２５を覆っている絶縁層２３５における導体層２２５と反対方向を向く表面によって構成されている。一方、積層体２２の第４面２０ｓ側の表面は、導体層２２１及び絶縁層２３１それぞれにおける導体層２２２と反対方向を向く表面によって構成されている。
【0030】
第２配線基板２０は、さらに、絶縁層２３１～２３４のいずれかを貫いて、導体層２２１～２２５の各導体層同士を接続するビア導体２４を含んでいる。第２配線基板２０は、絶縁層２３１～２３４それぞれを貫く複数のビア導体２４を含んでいる。絶縁層２３１を貫くビア導体２４は、導体層２２１と導体層２２２とを接続し、絶縁層２３２を貫くビア導体２４は、導体層２２２と導体層２２３とを接続し、絶縁層２３３を貫くビア導体２４は、導体層２２３と導体層２２４とを接続し、絶縁層２３４を貫くビア導体２４は、導体層２２４と導体層２２５とを接続している。各ビア導体２４は、自身の上側に形成される導体層と一体的に形成されている。各ビア導体２４は、第２配線基板２０の第３面２０ｆ側から第４面２０ｓ側に向かって幅が細くなるテーパー形状を有している。なお、ビア導体２４の「幅」は、ビア導体２４におけるＺ方向と直交する断面（又は端面）の外周上の２点間の最長距離である。
【0031】
図３の例では、導体層２２５の導体パッド２７１と導体層２２１の導体パッド２７３とが、平面視において、同じ位置で積層されている複数のビア導体２４（所謂スタックビア導体）を介して接続されている。そのため、第２配線基板２０を小さい面積で形成し易くなると考えられる。また、図３の例と異なり、ビア導体２４が信号線路としての配線パターン２１１同士を接続する場合には、配線パターン２１１同士が短い経路で接続し易くなるので、意図通りの電気的特性が得られ易いと考えられる。
【0032】
図３の例では、第２配線基板２０はさらに、導体パッド２７１及び導体パッド２７２の表面上にそれぞれ形成されている１つ以上の金属ポスト２５１及び１つ以上の金属ポスト２５２を含んでいる。金属ポスト２５１は、配線基板１に搭載されるべき複数の部品のうちの一部品（図１の例では、第１部品Ｅ１）を搭載するための金属ポスト（第３金属ポスト）であり、金属ポスト２５１の上面は、当該一部品を搭載するための部品搭載面（第１部品搭載面Ｆ１）を構成する。金属ポスト２５２は、配線基板１に搭載されるべき複数の部品のうちの別の一部品（図１の例では、第２部品Ｅ２）を搭載するための金属ポスト（第４金属ポスト）であり、金属ポスト２５２の上面は、当該別の一部品を搭載するための部品搭載面（第２部品搭載面Ｆ２）を構成する。金属ポスト２５１、２５２は、それぞれ、絶縁層２３５を貫通して、第２配線基板２０の第３面２０ｆを構成する絶縁層２３５の上面から突出している。絶縁層２３５の上面には、導体層は形成されておらず、金属ポスト２５１、２５２以外の導電体は存在しない。配線基板１の使用時には、金属ポスト２５１によって、配線基板１に搭載されるべき部品のうちの一部品の電極パッド（図１の例では、第１部品Ｅ１の電極パッドＥ１０）の少なくとも一部と、第２配線基板２０の導体パッド２７１とが、それぞれ接続される。他方、金属ポスト２５２によって、配線基板１に搭載されるべき部品のうちの別の一部品の電極パッド（図１の例では、第２部品Ｅ２の電極パッドＥ２０）の少なくとも一部と、第２配線基板２０の導体パッド２７２とが、それぞれ接続される。金属ポスト２５１、２５２を介して第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が第２配線基板２０に接続されるので、各部品の搭載が容易になることや、導体パッド２７１同士の短絡や導体パッド２７２同士の短絡が防がれることがある。
【0033】
図３では、金属ポスト２５１、２５２の絶縁層２３５の上面からの突出量は、導体層２２１～２２５の絶縁層２３１～２３５それぞれの上面からの突出量より大きいように描かれている。しかし、金属ポスト２５１、２５２の絶縁層２３５の上面からの突出量は、配線基板１に搭載されるべき部品の電極パッド（例えば、図１の第１部品Ｅ１の電極パッドＥ１０及び第２部品Ｅ２の電極パッドＥ２０参照）と金属ポスト２５１、２５２とが接続可能であれば、導体層２２１～２２５の絶縁層２３１～２３５それぞれの上面からの突出量と同等であるか、又は小さくてもよい。
【0034】
図３の例では、金属ポスト２５１、２５２は、それぞれ、導体パッド２７１、２７２上に形成されているポスト本体２５ａと、ポスト本体２５ａ上に形成されている機能層２５ｂと、を含んでいる。ポスト本体２５ａは、金属ポスト２５１、２５２の高さを調整するために形成され得る。機能層１５ｂは、ポスト本体１５ａの端面の保護層として、及び／又は、第１部品Ｅ１若しくは第２部品Ｅ２とポスト本体１５ａとの接合層として機能し得る。
【0035】
前述した導体層２２１～２２５、ビア導体２４、及びポスト本体２５ａは、例えば、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。導体層２２１～２２５、ビア導体２４、及びポスト本体２５ａは、図３では、簡略化されて１つの層だけを有するように描かれているが、拡大図である図４に示されるように、それぞれめっき若しくはスパッタリングなどで形成される２つ以上の金属膜を含む多層構造を有していてもよい。
【0036】
図４に示されるように、導体層２２１は、電解めっき膜からなる１層の金属膜で形成され得る。導体層２２１は、絶縁層２３１に埋め込まれて、第４面２０ｓ（図３参照）側の表面だけを露出させている。一方、導体層２２２～２２５及びポスト本体２５ａは、それぞれ、第１層２２０ａと、第１層２２０ａ上に形成されている第２層２２０ｂと、を含んでおり、これら２層の金属膜によって構成される２層構造を有し得る。第２層２２０ｂは、全面的に、第１層２２０ａの上に、すなわち、第２配線基板２０の第３面２０ｆ側に形成されている。
【0037】
第１層２２０ａは、例えば、無電解めっき膜又はスパッタ膜のような金属膜からなる。第２層２２０ｂは、例えば、めっきなどによって形成される金属膜からなる。第２層２２０ｂは、第１層２２０ａを給電層として用いる電解めっきによって形成された金属膜であってもよい。第１層２２０ａは、第２層２２０ｂと、各導体層の下側の各絶縁層との間に介在している。第１層２２０ａがスパッタ膜からなる場合、導体層２２２～２２５及び金属ポスト２５１、２５２それぞれと絶縁層２３１～２３５それぞれとの強固な密着性が得られていることがある。また、導体層２２２～２２５及び金属ポスト２５１、２５２それぞれの上面の平坦性が高いことがある。
【0038】
図４に示されるように、金属ポスト２５１、２５２の機能層２５ｂも多層構造を有し得る。図４の例において、機能層２５ｂは、ポスト本体２５ａ上に形成されている下層２５ｂａと、下層２５ｂａ上に形成されている上層２５ｂｂと、を有している。上層２５ｂｂは、例えば、すず、パラジウム、金、又はこれらの合金によって形成されている。上層２５ｂｂは、ポスト本体２５ａの保護膜、及び／又は、ポスト本体２５ａと第１部品Ｅ１又は第２部品Ｅ２（図１参照）との接合材として機能する。下層２５ｂａは、例えば、ニッケルなどの適切な性状を有する金属で形成されており、上層２５ｂｂと金属ポスト２５１、２５２との間のバリア膜及び／又は両者の密着性の強化膜として機能し得る。
【0039】
実施形態の配線基板において、第２配線基板２０の導体層２２４のような「第１導体層」における第３面２０ｆ側の表面２２４ａは、研磨で仕上げられた状態を有する研磨面であり得る。そのため、表面２２４ａは、例えば、金属の析出によって形成されたままのめっき膜の面粗度よりも低い面粗度を有し得る。そのため、導体層２２４が含む配線パターン２１１などでは、高周波信号の伝送において見られる表皮効果による実質的な導体抵抗の増大による信号伝送特性の低下や電圧降下の増大が生じ難いと考えられる。例えば、導体層２２４のような「第１導体層」が第３面２０ｆ側の表面として有する研磨面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有している。そのような面粗度が得られていると、上記のような伝送特性に関する好ましい効果が得られることがある。
【0040】
また、研磨面である表面２２４ａは、導体層２２４全体に渡って均一な高さ（例えば、第４面２０ｓ（図３参照）からの距離）を有し易い。そのため、導体層２２４上に形成されるビア導体２４の高さも揃いやすく、さらにその上に形成される金属ポスト２５１、２５２の高さも揃い易い。結果として、第１部品Ｅ１及び／又は第２部品Ｅ２（図１及び図２参照）が安定して第２配線基板２０に搭載されると考えられる。また、表面２２４ａが研磨面であると、配線パターン２１１などの厚さが、その全長に渡って略一定になり易く、よって、配線パターン２１１の特性インピーダンスに変動が生じ難い。そのため、配線パターン２１１における反射損失が抑制されることがある。
【0041】
また、第２配線基板２０の導体層２２４が含む配線パターン２１１は、配線幅Ｗ１、及び隣接する配線パターン２１１との間に間隔Ｇを有している。実施形態の配線基板では、配線パターン２１１のような、導体パッド２７１と導体パッド２７２とを接続する「第１配線パターン」を含む、導体層２２４のような「第１導体層」は、実施形態の配線基板が含む配線パターンの中で、比較的に微細なピッチで配置される配線パターンを含んでいる。実施形態の配線基板において「第１導体層」が含む配線パターンの配線幅Ｗ１の最小値は、１μｍ以上、３μｍ以下であり、その配線パターン同士の間隔Ｇの最小値は、１μｍ以上、３μｍ以下である。すなわち、「第１導体層」は、３μｍ以下の配線幅を有し、且つ、隣接する配線パターンとの間に３μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいる。図４の例では、第１配線パターンである配線パターン２１１の配線幅Ｗ１は、１μｍ以上、３μｍ以下であり、配線パターン２１１同士の間隔Ｇは、１μｍ以上、３μｍ以下である。
【0042】
実施形態の配線基板では、導体層２２４のような「第１導体層」は、このように微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有する配線パターンを含み、特に、配線パターン２１１のような「第１配線パターン」は、微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有している。そのため、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１及び図２参照）が、占有面積の小さい複数の信号線路で接続されると考えられる。従って、実施形態の配線基板において、第２配線基板２０は、従来の配線基板と比べて小さく実現され得ることがある。また、部品と接続される導体パッド間に、このように微細な配線幅及び配線間隔の配線パターンを有する実施形態の配線基板の設計では、２つの部品の配置に関する自由度が高いことがある。
【0043】
加えて、本実施形態では、このように微細な配線幅を有し得る配線パターン２１１のような「第１配線パターン」は、配線幅Ｗ１よりも大きな配線厚さＴを有している。そのため、本実施形態において、第１配線パターンは、比較的大きなアスペクト比（第１配線パターンの配線厚さＴ／第１配線パターンの配線幅Ｗ１）を有している。具体的には、配線パターン２１１のような「第１配線パターン」のアスペクト比は、２．０以上、４．０以下である。このようなアスペクト比を有する第１配線パターンは、小さな配線幅の割に低い導体抵抗を有し得る。そのため、導体パッド２７１と導体パッド２７２とを接続する配線パターン２１１の挿入損失が低いと考えられる。そのため、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２（図１及び図２参照）との間で、少ない伝送損失で信号を伝播させることができ、すなわち良好な伝送効率が得られることがある。また、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２とを接続する信号線路において、所望の特性インピーダンスが得られ易く、さらに挿入損失を低減し得ることがある。
【0044】
図４の例において、第１配線パターンである配線パターン２１１の配線厚さＴ、すなわち、第１導体層である導体層２２４の厚さは、４μｍ以上、７μｍ以下であり得る。このような厚さが得られていると、実施形態の配線基板の厚さを顕著に増大させずに、前述したような挿入損失の低減などの効果が得られることがある。
【0045】
実施形態の配線基板において、第２配線基板２０の導体層２２１～２２５のいずれもが、比較的微細なピッチで配置される配線パターン２１１のような配線パターンを含んでいてもよい。この場合、小さなピッチで並ぶビア導体２４、すなわち、小さな幅を有するビア導体２４が好ましいことがあり、その観点から、大きなアスペクト比を有するビア導体２４が好ましいことがある。第２配線基板２０において、ビア導体２４のアスペクト比は、例えば、０．５以上、１．０以下であり得る。微細なピッチで並ぶ配線パターン２１１のような配線パターンは、その配線パターンを含む導体層と異なる導体層の配線パターンと、導体層間の接続部においても比較的微細なピッチを保って接続され得ることがある。なお、ビア導体２４のアスペクト比は、図４に示される、（ビア導体２４によって接続される２つの導体層のＺ方向における間隔Ｄ）／（第３面２０ｆ側の導体層との界面におけるビア導体２４の幅Ｗ２）である。
【0046】
実施形態の配線基板において、第２配線基板２０の導体層２２２、２２３、２２５もまた、「第１導体層」であり得る。従って、第２配線基板２０が含む複数の導体層のうち、第４面２０ｓ（図３参照）側における最も外側の導体層（図４の例における導体層２２１）を除く全ての導体層において、第３面２０ｆ側の表面が研磨面であってもよい。各導体層において、前述したような良好な伝送特性などの効果が得られることがある。また、前述したように、導体層２２２、２２３、２２５もまた、導体層２２４の配線パターン２１１のような「第１配線パターン」を含み得る。従って、第２配線基板２０が含む複数の導体層のうち、第４面２０ｓ側における最も外側の導体層を除く全ての導体層が、１μｍ以上、３μｍ以下の配線幅及び２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有する配線パターンを含んでいてもよい。さらに、第４面２０ｓ側における最も外側の導体層を除く全ての導体層が、隣接する配線パターンとの間に１μｍ以上、３μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいてもよい。各導体層において挿入損失の小さい配線パターンが得られ、加えて、実施形態の配線基板が、一層高い自由度の下で設計され、そして従来の配線基板と比べて一層小さく実現され得ることがある。
【0047】
絶縁層２３１～２３４は、２つの導体層の間に介在する層間絶縁層であり、それぞれ、絶縁性樹脂を用いて形成されている。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂、及び、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性樹脂が例示される。絶縁層２３１～２３４は、シリカ、アルミナなどの無機フィラー（図示せず）を含み得る。絶縁層２３１～２３４は、図示されないガラス繊維などの補強材（芯材）を含んでいてもよい。しかし、補強材を含まない方が、微細なピッチで並ぶ配線パターンの形成の容易性の面で、好ましいことがある。
【0048】
絶縁層２３１～２３４が無機フィラーを含む場合、含まれる無機フィラーとしては、粒径（無機フィラーの表面上の２点間の最長距離）の小さな無機フィラーが好ましいと考えられる。例えば、絶縁層２３１～２３４は、最大でも１μｍ以下の粒径を有する複数の無機フィラーを含み得る。各絶縁層に含まれる無機フィラーの粒径が小さいと、例えば、配線パターン２１１のように、微細なピッチで並ぶ配線パターン間においても、無機フィラーに沿ったリーク経路などによる短絡不良が生じ難いことがある。また、微小なビア導体２４の形成や、後に参照される図７などに例示の形態の配線パターンの形成が容易なことがある。
【0049】
また、第２配線基板２０に含まれる導体層２２１～２２５それぞれが含む配線パターンにおいて良好な高周波信号の伝送特性を得るべく、低い誘電率及び誘電損失を有している絶縁層２３１～２３４が好ましい。例えば、５．８ＧＨｚの周波数において絶縁層２３１～２３４それぞれの比誘電率は、３．０以上、４．０以下程度であり、誘電正接は、０．００１以上、０．００５以下程度である。
【0050】
導体層２２５を覆う絶縁層２３５も、絶縁層２３１～２３４と同様の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。しかし、第２配線基板２０の第３面２０ｆを構成する絶縁層２３５は、ソルダーレジストとして機能する絶縁層であってもよい。その場合、絶縁層２３５は、絶縁層２３１～２３４と主成分又は添加剤が異なる材料で形成されていてもよい。例えば、絶縁層２３５は、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されていてもよい。
【0051】
つぎに、図１に例示される配線基板１が製造される場合を例に、本実施形態の配線基板を製造する方法の一例が説明される。なお、先に為された配線基板１の各構成要素の材料の説明と異なる説明がない限り、各構成要素は、各構成要素について先に説明された材料のいずれかを用いて形成され得る。
【0052】
まず、配線基板１のうち、第１配線基板１０が用意される（図１参照）。第１配線基板１０の導体パッド１７１、１７２の表面上には、複数の金属ポスト１５１、１５２が形成される。例えば、第１配線基板１０は、一般的なビルドアップ配線基板の製造方法を用いて、コア基板の両側に、絶縁層と導体層とを積層することによって用意される。複数の金属ポスト１５１、１５２は、例えば、電解めっきを用いるパターンめっきによって形成される。
【0053】
第１配線基板１０とは別に、図５Ａ～図５Ｋに示されるように、第２配線基板２０が用意される。図５Ａに示されるように、前述の第２配線基板２０の積層体２２（図３及び図４参照）を形成するための支持体２８が用意され、その一面２８ａに導体層２２１が形成される。図５Ａの例では、支持体２８は、その上に形成されるべき第２配線基板２０の積層体２２よりも高い剛性を有する部材から選択されている。そのため、支持体２８によって、第２配線基板２０の積層体２２が支持され得る。図５Ａに示される例では、支持体２８は、基材２８１と、基材２８１の両面それぞれに積層されている第１金属膜層２８２と、第１金属膜層２８２上に形成されている剥離層２８３と、剥離層２８３上に積層されている第２金属膜層２８４と、を含んでいる。
【0054】
基材２８１は、例えば、適切な剛性を有するガラス、シリコンなどの無機素材、又は、ガラス繊維などの補強材に含侵されたエポキシ樹脂などの有機素材からなる。第１金属膜層２８２及び第２金属膜層２８４は、それぞれ、例えば、銅、又は銅／チタン合金、などの任意の金属で構成され得る。剥離層２８３は、第１金属膜層２８２及び第２金属膜層２８４同士を、所定の状況下で付着させることができ、そして、特定の処理を受けることによって、付着している第１金属膜層２８２と第２金属膜層２８４とを分離させることが可能な任意の材料で形成されている。例えば、特定の処理によって、軟化又は脆弱化したり、粘着性を喪失したりする材料が、剥離層２８３に用いられる。剥離層２８３は、例えば、加熱によって軟化する熱可塑性の接着剤や、紫外線の照射によって変質する感光性の接着剤などで形成され得る。
【0055】
導体層２２１は、例えば、電解めっきを用いるパターンめっきによって形成される。支持体２８の一面２８ａを構成する第２金属膜層２８４上に、導体層２２１に含まれるべき導体パッド２７３などの導体パターンの形成位置に応じた開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、第２金属膜層２８４を給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内に銅などの金属が析出され、その析出される金属からなる導体パターンを含む導体層２２１が形成される。その後めっきレジストが除去される。なお、めっきレジストの除去の前に導体層２２１の上面（支持体２８と反対側の表面）が、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの任意の方法により研磨されてもよい。導体層２２１においても、前述したように良好な伝送特性が得られることがある。この研磨の際には、除去される前のめっきレジストの上面付近が、導体層２２１の上面と共に研磨されてもよい。
【0056】
図５Ｂに示されるように、導体層２２１を覆う絶縁層２３１が、第２金属膜層２８４上に形成される。絶縁層２３１は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂を第２金属膜層２８４及び導体層２２１上に積層し、熱圧着することによって形成される。前述したように、絶縁層２３１（及び後工程で形成される絶縁層２３２～２３４（図５Ｆ参照））は、エポキシ樹脂以外にも、ＢＴ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又はフッ素樹脂やＬＣＰなどの熱可塑性樹脂を用いて形成され得る。なお、図５Ｂ、及び、以下で参照される図５Ｃ～図５Ｋでは、支持体２８の一面２８ａ側と反対側の描写は省略されている。しかし、支持体２８の一面２８ａ側と反対側においても、図５Ａに示される工程で導体層２２１が形成され、さらに、図５Ｂ～図５Ｋを参照して説明される処理や各構成要素の形成が行われてもよい。
【0057】
絶縁層２３１には、ビア導体２４（図３参照）の形成位置に、炭酸ガスレーザー光などの照射によって貫通孔２４ａが形成される。貫通孔２４ａの形成後、好ましくは、貫通孔２４ａ内に残る樹脂屑（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。デスミア処理は、過マンガン酸塩溶液などの薬液への浸漬を含むウェット処理であってもよいが、例えば、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスを用いるプラズマ処理のようなドライ処理であってもよい。例えば、プラズマ処理によるデスミア処理では、ウェット処理と比べて絶縁層２３１の表面の浸食が抑制されることがある。
【0058】
そして、貫通孔２４ａ内及び絶縁層２３１の表面の全面に、例えば、スパッタリングや無電解めっきによって、例えば、銅やニッケルなどからなる金属膜２２０ａａが形成される。スパッタリングで金属膜２２０ａａが形成されると、絶縁層２３１と高い密着性を示す金属膜２２０ａａが形成されることがある。金属膜２２０ａａの一部は、絶縁層２３１上に形成される導体層２２２の第１層２２０ａ（図４参照）となり得る。
【0059】
図５Ｃに示されるように、金属膜２２０ａａ上に、開口Ｒ１１を有するめっきレジストＲ１が設けられる。めっきレジストＲ１は、例えば、金属膜２２０ａａ上へのドライフィルムレジストのラミネートにより形成され、開口Ｒ１１は、例えば、フォトリソグラフィ技術により形成される。開口Ｒ１１は、絶縁層２３１上に形成される導体層２２２（図３及び図４参照）が含むべき導体パターンに対応するパターンで形成される。
【0060】
導体層２２２に含まれる配線パターン２１２（図３及び図４参照）などの導体パターンは、前述したように、３μｍ以下の配線幅を有することがある。各開口Ｒ１１は、各開口Ｒ１１内に形成される配線パターン２１２などの各導体パターンが有するべき配線幅に応じた開口幅で形成される。また、前述したように、導体層２２２の配線パターン２１２は、２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有することがある。従って、図５Ｃに例示の方法では、好ましくは、形成される配線パターンが有するべきアスペクト比を満たす配線パターンの厚さ（高さ）以上の厚さ（高さ）を有するめっきレジストＲ１が形成される。
【0061】
金属膜２２０ａａを給電層として用いる電解めっきによって、例えば、銅やニッケルなどからなる金属膜２２０ｂａがめっきレジストＲ１の開口Ｒ１１内に形成される。金属膜２２０ｂａの一部は、絶縁層２３１上に形成される導体層２２２の第２層２２０ｂ（図４参照）となり得る。絶縁層２３１の貫通孔２４ａ内にはビア導体２４が形成される。金属膜２２０ｂａは、図５Ｃの例のように、開口Ｒ１１内を全て充填し、さらにめっきレジストＲ１の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。所望の厚さ及びアスペクト比を有する導体パターンが、より確実に形成され得ることがある。
【0062】
図５Ｄに示されるように、金属膜２２０ｂａの上面側の一部が研磨によって除去される。少なくともめっきレジストＲ１の上面からの金属膜２２０ｂａの突出部分は除去される。金属膜２２０ｂａは、金属膜２２０ａａとの合計の厚さが、絶縁層２３１上に形成される導体層２２２（図５Ｅ参照）に求められる厚さに達するまで、例えば、７μｍ以下となるように研磨される。図５Ｄの例のように、めっきレジストＲ１の上面側の一部もまた、金属膜２２０ｂａの一部と共に除去されてもよい。金属膜２２０ｂａの研磨は、例えば、ＣＭＰなどの任意の方法により行われる。研磨の結果、金属膜２２０ｂａの上面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。
【0063】
金属膜２２０ｂａの研磨後、めっきレジストＲ１が除去される。さらに、金属膜２２０ａａのうちの金属膜２２０ｂａに覆われていない部分が、例えば、クイックエッチングなどによって除去される。
【0064】
その結果、図５Ｅに示されるように、配線パターン２１２、２１４などの互いに分離された所定の導体パターンを含む導体層２２２が得られる。図５Ｅでは、図３と同様に、導体層２２２が１つの層だけを有するように示されているが、導体層２２２は、図５Ｄに示される金属膜２２０ｂａ、及び、前述したように図５Ｄの状態から一部が除去された後の金属膜２２０ａａによって構成されている。
【0065】
図５Ｆに示されるように、絶縁層２３１及び導体層２２２の上に、絶縁層２３２～２３４及び導体層２２３～２２５が交互に形成される。絶縁層２３２～２３４は、例えば、絶縁層２３１の形成方法と同様の方法で形成され得る。また、導体層２２３～２２５は、例えば、導体層２２２の形成方法と同様の方法で形成され得る。導体層２２３～２２５は、それぞれ、導体層２２２に対するめっきレジストＲ１（図５Ｃ参照）のような、配線パターン２１１、２１３、２１５などの各導体層が含むべき導体パターンに対応する開口を有するめっきレジストを用いて形成される。
【0066】
図５Ｇ～図５Ｉに示されるように、金属ポスト２５１、２５２（図５Ｉ参照）が形成される。金属ポスト２５１、２５２は、例えば、セミアディティブ法などの一般的な導体層の形成方法によって形成され得るが、図５Ｇ～図５Ｉには、先に説明された導体層２２２の形成方法と同様の研磨を含む方法が示されている。すなわち、まず、図５Ｇに示されるように、導体層２２５及び絶縁層２３４の上に絶縁層２３５が形成される。絶縁層２３５は、例えば、絶縁層２３１の形成と同様にフィルム状のエポキシ樹脂の熱圧着によって形成される。絶縁層２３５は、前述したように、ソルダーレジストとして機能する絶縁層である場合、絶縁層２３１～２３４とは異なる方法で、例えば、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いたスプレーイングやカーテンコーティングなどの方法で形成されてもよい。
【0067】
形成された絶縁層２３５に、例えば、炭酸ガスレーザー光の照射や、フォトリソグラフィによって貫通孔２５ａが形成される。貫通孔２５ａは、金属ポスト２５１、２５２（図５Ｉ参照）が形成されるべき位置に形成される。貫通孔２５ａの形成後、プラズマ処理などによるデスミア処理が行われてもよい。そして、貫通孔２５ａ内、及び絶縁層２３５の表面の全面に、例えば、銅やニッケルなどからなる金属膜２２０ａｂがスパッタリングや無電解めっきによって形成される。
【0068】
図５Ｈに示されるように、金属膜２２０ａｂ上にめっきレジストＲ２が、例えば、ドライフィルムレジストのラミネートなどによって形成される。めっきレジストＲ２には、金属ポスト２５１、２５２に対応する開口Ｒ２１がフォトリソグラフィなどによって形成される。そして、開口Ｒ２１内、及び開口Ｒ２１内に露出する貫通孔２５ａ内に、金属膜２２０ａｂを給電層として用いる電解めっきによって銅やニッケルなどの金属が析出され、析出される金属からなる金属膜２２０ｂｂが形成される。開口Ｒ２１及び貫通孔２５ａの内部が金属膜２２０ｂｂで充填される。金属膜２２０ｂｂは、図５Ｈの例のように、めっきレジストＲ２の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。
【0069】
図５Ｉに示されるように、金属膜２２０ｂｂの上面側の一部が、例えば、ＣＭＰによって除去される。めっきレジストＲ２の上面側の一部もまた、金属膜２２０ｂｂの一部と共に除去されてもよい。金属膜２２０ｂｂは、導体層２２５の上面から金属膜２２０ｂｂの上面までの高さが、金属ポスト２５１、２５２に求められる所定の高さになるまで研磨される。その結果、金属膜２２０ａｂの一部と研磨後の金属膜２２０ｂｂとで構成され、所定の高さを有する金属ポスト２５１、２５２のポスト本体２５ａが形成される。金属膜２２０ａｂ、２２０ｂｂは、それぞれ、ポスト本体２５ａを構成する第１層２２０ａ、第２層２２０ｂ（図４参照）となり得る。
【0070】
図５Ｊに示されるように、金属ポスト２５１、２５２の機能層２５ｂが、例えば、金属膜２２０ａｂを給電層として用いる電解めっきによって金属ポスト２５１、２５２の上に形成される。例えば、ニッケル、すず、パラジウム、又は金などからなる１層又は２層以上の金属膜が、機能層２５ｂとして形成される。その後、めっきレジストＲ２が除去され、さらに、金属膜２２０ａｂのうちの金属膜２２０ｂｂに覆われていない部分が、例えば、クイックエッチングによって除去される。その結果、電気的に分離された個々の金属ポスト２５１、２５２が得られる。
【0071】
図５Ｋに示されるように、支持体２８が除去される。例えば、加熱や紫外線の照射などによって、支持体２８に備えられている剥離層２８３の粘着性が喪失されたり、剥離層２８３自体が軟化したりしている状態で、基材２８１及び第１金属膜層２８２が、第２金属膜層２８４から引き離される。その後、第２金属膜層２８４が、エッチングなどによって除去され、導体層２２１及び絶縁層２３１における導体層２２２と反対側の表面が露出する。その結果、図３及び図４の例の第２配線基板２０の積層体２２が得られる。
【0072】
その後、支持体２８（図５Ｋ参照）が除去された積層体２２の一面側に、支持体２８とは異なる支持体２１が接着層２３を介して貼付される（図３参照）。その結果、図３の例の第２配線基板２０が得られる。このようにして得られた第２配線基板２０では、接着層２３が絶縁性を有しているため、接着層２３と接触する積層体２２の導体層２２１の導体パターン間の短絡が防止されると考えられる。
【0073】
さらに、第２配線基板２０の第４面２０ｓが第１配線基板１０の第１面１０ｆに向くように、任意の接着剤（図示せず）によって、前述の貼付領域Ａ０において、第２配線基板２０が第１配線基板１０に貼付される（図１参照）。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。
【0074】
図６には、図１に例示の配線基板１を用いた電子部品（マルチチップパッケージデバイス）の一例が示されている。図６に示されるように、マルチチップパッケージデバイスＥＭでは、配線基板１に、例えば、マイコンやメモリなどである第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が、リフロー処理やフリップチップボンディングなどによって実装されている。そして、エポキシ樹脂などを含むモールド樹脂Ｍによって、第２配線基板２０及び金属ポスト１５１、１５２、並びに、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が封止されている。前述したように、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２は、配線パターン２１１のような第２配線基板２０の第１配線パターンによって互いに接続されている。従って、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２と配線基板１との間の接続において、良好な伝送特性が得られ易いと考えられる。
【0075】
＜第２実施形態＞
次に、図７及び図８を参照して、第２実施形態の配線基板が説明される。なお、第２実施形態の配線基板は、第２配線基板の構造に関して、図１などに例示の第１実施形態の配線基板１と異なっている。そのため、図７及び図８では、第２配線基板のみが示されている。図７には、第２実施形態の配線基板の第２配線基板の一例である第２配線基板２００の断面図が示されており、図８には、図７のVIII部の拡大図が示されている。以下では、第２配線基板２００における第２配線基板２０との相違点が主に説明され、第２配線基板２０と同様の構造や使用材料についての説明は省略される。
次に、図７及び図８を参照して、第２実施形態の配線基板が説明される。なお、第２実施形態の配線基板は、第２配線基板の構造に関して、図１などに例示の第１実施形態の配線基板１と異なっている。そのため、図７及び図８では、第２配線基板のみが示されている。図７には、第２実施形態の配線基板の第２配線基板の一例である第２配線基板２００の断面図が示されており、図８には、図７のVIII部の拡大図が示されている。以下では、第２配線基板２００における第２配線基板２０との相違点が主に説明され、第２配線基板２０と同様の構造や使用材料についての説明は省略される。
【0076】
図７に示されるように、第２配線基板２００では、導体層２２２～２２５は、いずれも、下側（すなわち、第２配線基板２００の第４面２００ｓ側）で接している絶縁層２３１～２３４内に埋設されている。導体層２２２は、絶縁層２３１の上面（第２配線基板２００の第３面２００ｆ側の表面）付近に埋め込まれていて、その上面に導体層２２２の上面（第３面２００ｆ側の表面）を露出させている。同様に、導体層２２３～２２５は、それぞれ、絶縁層２３２～２３４それぞれの上面（第３面２００ｆ側の表面）付近に埋め込まれており、その上面に各導体層の上面（第３面２００ｆ側の表面）を露出させている。
【0077】
本実施形態の配線基板の第２配線基板２００においても、図１～図４に示される第２配線基板２０と同様に、第３面２００ｆ側の最も外側の導体層である導体層２２５は、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１参照）がそれぞれ接続されるべき導体パッド２７１及び導体パッド２７２を含んでいる。図示されていないが、第２配線基板２００においても、図１～図４に示される第２配線基板２０と同様に、導体層２２４が含む配線パターン２１１は、導体パッド２７１と導体パッド２７２とをビア導体２４を介して接続している。すなわち、第２配線基板２００においても、配線パターン２１１は、前述した「第１配線パターン」であり、導体層２２４は、前述した「第１導体層」である。同様に、第２配線基板２００においても、配線パターン２１３は、導体パッド２７１と導体パッド２７２とを接続している。
【0078】
そして、第２配線基板２００においても、「第１導体層」である導体層２２４に含まれる配線パターンの最小の配線幅（例えば、「第１配線パターン」である配線パターン２１１の配線幅）は１μｍ以上、３μｍ以下である。また、導体層２２４に含まれる配線パターン同士の最小の間隔（例えば、配線パターン２１１同士の間隔）は、１μｍ以上、３μｍ以下であり、配線パターン２１１のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。さらに、本実施形態では、導体層２２４の表面２２４ａ（図８参照）を含めて、導体層２２２～２２５全てにおける第２配線基板２００の第３面２００ｆ側の表面は研磨面である。なお、第２配線基板２００において、導体層２２２～２２５それぞれが含む配線パターンが、導体パッド２７１と導体パッド２７２とを接続していてもよい。従って、導体層２２２～２２５それぞれが「第１導体層」であってもよく、導体層２２２～２２５それぞれが含む配線パターンが「第１配線パターン」であってもよい。
【0079】
図８に示されるように、絶縁層２３１～２３４は、それぞれ、第２配線基板２００の第３面２００ｆ側の表面に凹部２３０ｒを有している。例えば、絶縁層２３１は、表面２３１ａに凹部２３０ｒを有し、絶縁層２３３は、表面２３３ａに凹部２３０ｒを有している。ビア導体２４は、各絶縁層を貫いて凹部２３０と連通する貫通孔２４ｂ内に形成されている。一方、導体層２２２～２２５は、それぞれ、各絶縁層が有する凹部２３０ｒ内を充填する導電体によって構成されている。すなわち、導体層２２２は、絶縁層２３１の凹部２３０ｒ内に形成されており、同様に、導体層２２３～２２５は、それぞれ、絶縁層２３２～２３４の凹部２３０ｒ内に形成されている。このような構造を有する各導体層では、配線パターン２１１のような各導体パターン間に導電体の残渣が存在し難く、そのため短絡不良が生じ難いと考えられる。そして、一層微細なピッチで並ぶ配線パターンの実現が可能なことがある。
【0080】
図１～図３の配線基板１と同様に、導体層２２２～２２５は、例えば、スパッタ膜である第１層２２０ａと、第１層２２０ａ上に形成されている、例えば、電解めっき膜である第２層２２０ｂとによって構成されている。そして、第２配線基板２００において、第１層２２０ａは、凹部２３０ｒの底面及び壁面に沿って形成されている。すなわち、導体層２２２～２２５それぞれが有する、例えば、配線パターン２１１のような導体パターンにおいて、第１層２２０ａは、第２層２２０ｂの下面及び側面を覆っている。第１層２２０ａは、第２層２２０ｂと、各導体層が埋設されている絶縁層との間に介在している。
【0081】
前述したように、導体層２２２～２２５における第２配線基板２００の第３面２００ｆ側の表面（上面）は、研磨面である。絶縁層２３１～２３４の第３面２００ｆ側の表面も研磨面であってもよい。導体層２２２～２２５は、それぞれ、研磨面である第３面２００ｆ側の表面を絶縁層２３１～２３４における第３面２００ｆ側の表面に露出させている。また、導体層２２２～２２５における第３面２００ｆ側の表面は、それぞれ、絶縁層２３１～２３４における第３面２００ｆ側の表面と略面一である。例えば、導体層２２２は、その表面２２２ａを絶縁層２３１の表面２３１ａに露出させていて、表面２２２ａと表面２３１ａとは略面一であり、導体層２２４は、その表面２２４ａを絶縁層２３３の表面２３３ａに露出に露出させていて、表面２２４ａと表面２３３ａとは略面一である。このように、導体層２２２～２２５それぞれの露出面（研磨面）が、各導体層が埋設されている絶縁層の表面と面一なので、これら導体層と絶縁層との積層体である第２配線基板２００の第３面２００ｆにおいて高い平坦性が得られると考えられる。第２配線基板２００に安定して第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２（図１参照）などの部品が搭載され得ると考えられる。
【0082】
図７では省略されているが、本実施形態において、絶縁層２３１～２３４は、図８に示されるように、バリア層２３０ａを含むことがある。バリア層２３０ａにおける第２配線基板２００の第３面２００ｆ側の表面は、凹部２３０ｒの底面、すなわち、導体層２２２～２２５それぞれにおける第２配線基板２００の第３面２００ｆと反対側の表面（第４面２００ｓ（図７参照）側の表面）に接している。図８の例の絶縁層２３１～２３４は、バリア層２３０ａと、バリア層２３０ａよりも上側及び下側の部分を構成する本体層２３０ｂとによって構成されている。本体層２３０ｂは、図１～図４に示される第２配線基板２０の各絶縁層の材料として例示されたエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂や各種の熱可塑性樹脂によって形成されている。
【0083】
一方、バリア層２３０ａは、各絶縁層への凹部２３０ｒの形成に用いられる加工手段への耐性が本体層２３０ｂの構成材料よりも高い材料で形成される。例えば、エキシマレーザー光が照射されるレーザー加工で凹部２３０ｒが形成される場合、バリア層２３０ａは、シリコン酸化物、又は、シリコン窒化物で形成され得る。そのようなバリア層２３０ａを絶縁層２３１～２３４が含んでいると、所望の深さを有する凹部２３０ｒの形成が容易なことがある。なお、バリア層２３０ａは、本実施形態において各絶縁層に含まれていなくてもよい。例えば、凹部２３０ｒの形成における加工条件、例えば、レーザー光のパワーなどを調整することによって、所望の深さの凹部２３０ｒが形成され得る。
【0084】
なお、図８に例示のバリア層２３０ａを含む絶縁層２３１～２３４が形成される場合は、先に説明された絶縁層２３１などの形成において、フィルム状の樹脂の積層及び熱圧着が２回行われ、その間にバリア層２３０ａが形成される。すなわち、１回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着によって、絶縁層２３１～２３４におけるバリア層２３０ａよりも下側の本体層２３０ｂが形成される。その後、その本体層２３０ｂ上に、例えば、スパッタリングによって、バリア層２３０ａとしてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜が形成される。そのバリア層２３０ａ上に２回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着を行うことによって、バリア層２３０ａよりも上側の本体層２３０ｂが形成される。
【0085】
図９Ａ～図９Ｄを参照して、図７及び図８の第２配線基板２００が製造される場合を例に、第２実施形態の配線基板を製造する方法が説明される。なお、前述したように、第２実施形態の配線基板に含まれる第２配線基板２００は、主に導体層２２２～２２５の構造だけが図１などに例示の第１実施形態の配線基板１と異なるので、第２配線基板２００の導体層２２２～２２５の形成方法（それらを代表して導体層２２２の形成方法）が主に説明される。
【0086】
図９Ａに示されるように、先に参照された図５Ａに示される状態から、絶縁層２３１が形成され、絶縁層２３１に貫通孔２４ｂが形成され、さらに凹部２３０ｒが形成される。図９Ａに示される段階では、絶縁層２３１は、第２配線基板２００の完成時に絶縁層２３１が有すべき厚さよりも厚く形成されていてもよい。絶縁層２３１の形成において、前述したような方法で、バリア層２３０ａ（図８参照）が形成されてもよい。貫通孔２４ｂは、例えば、炭酸ガスレーザー光の照射などによって、ビア導体２４（図７参照）の形成位置に形成される。貫通孔２４ｂは、バリア層２３０ａが形成されている場合には、バリア層２３０ａを貫いて導体層２２１に達するように形成される。
【0087】
貫通孔２４ｂの形成後、導体層２２２（図７参照）の各導体パターンの形成位置に、凹部２３０ｒが形成される。例えば、エキシマレーザー光の照射によって、所定の深さの凹部２３０ｒが形成される。図８に例示のバリア層２３０ａが形成されている場合は、バリア層２３０ａでレーザー光の透過が防がれるため、容易に、所望の深さの凹部２３０ｒを形成し得ることがある。バリア層２３０ａが形成されていなくても、前述したように、例えば、エキシマレーザー光の条件の調整などにより、所望の深さの凹部２３０ｒを形成することができる。凹部２３０ｒの形成後、好ましくはプラズマ処理などによるデスミア処理が行われる。
【0088】
図９Ｂに示されるように、金属膜２２０ａａが、貫通孔２４ｂ及び凹部２３０ｒの内部を含む絶縁層２３１の露出する表面の全面に形成される。図９Ｂは、金属膜２２０ａａの形成後の図９Ａに示されるIXＢ部の拡大図である。バリア層２３０ａが形成されている場合は、バリア層２３０ａの露出面上にも、金属膜２２０ａａが形成される。金属膜２２０ａａは、例えば、スパッタリングや無電解めっきによって形成される。
【0089】
図９Ｃに示されるように、貫通孔２４ｂの内部、凹部２３０ｒの内部、及び絶縁層２３１における導体層２２１と反対側の表面（上面）の全面に、金属膜２２０ｂａが形成される。金属膜２２０ｂａは、好ましくは、絶縁層２３１の上面における凹部２３０ｒが形成されていない領域の上に所望の厚みを有するように形成される。金属膜２２０ｂａは、例えば、金属膜２２０ａａ（図９Ｂ参照）を給電層として用いる電解めっきによって形成される。凹部２３０ｒが金属膜２２０ｂａで充填される。貫通孔２４ｂ内も金属膜２２０ｂａで充填されてビア導体２４が形成される。
【0090】
図９Ｄに示されるように、絶縁層２３１の上面上の金属膜２２０ｂａ及び金属膜２２０ａａ（図９Ｂ参照）が、例えば、ＣＭＰなどの任意の方法を用いる研磨によって除去される。金属膜２２０ｂａは、凹部２３０ｒの底面上の金属膜２２０ａａとの合計の厚さが、導体層２２２に求められる厚さに達するまで研磨される。金属膜２２０ｂａの研磨の際、絶縁層２３１の上面付近も金属膜２２０ｂａと共に研磨によって除去されてもよい。導体層２２２の表面２２２ａと面一な絶縁層２３１の表面２３１ａが得られる。
【0091】
絶縁層２３１の上面上の金属膜２２０ｂａ及び金属膜２２０ａａ（図９Ｂ参照）の除去により、導体層２２２の各導体パターン同士が分離される。所望の導体パターンを含み、そして所望の厚さを有する導体層２２２が得られる。図９Ａ～図９Ｄを参照して説明された方法では、導体層２２２に含まれる各導体パターンの間に形成されていた金属膜２２０ａａのような導電体は、エッチングなどではなく研磨によってより確実に除去される。そのため、導体パターン間での短絡不良が生じ難いと考えられる。また、そのように短絡不良が生じ難いので、配線パターン同士が一層微細なピッチで配置され得ることがある。
【0092】
その後、図９Ａ～図９Ｄを参照して説明された方法と同様の方法で、絶縁層２３２～２３４及び導体層２２３～２２５（図７参照）が交互に形成される。その後、先に図５Ｇ～図５Ｊを参照して説明された方法で、絶縁層２３５、金属ポスト２５１、２５２が形成される。さらに、図５Ｋを参照して説明された方法で、支持板２８及び第２金属膜層２８４が除去され、支持体２８が除去された側に、支持体２８とは異なる支持体２１が接着層２３を介して貼付される（図７参照）。これにより、図７の例の第２配線基板２００が得られる。
【0093】
その後、第２配線基板２００の第４面２００ｓが第１配線基板１０の第１面１０ｆに向くように、任意の接着剤（図示せず）によって、前述の貼付領域Ａ０において、第２配線基板２００が第１配線基板１０に貼付される（図１参照）。以上の工程を経ることによって、第２実施形態に係る配線基板が完成する。
【0094】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実装部品が接続されるべき導体パッド同士を接続する配線パターン（第１配線パターン）は、１以上の任意の数の導体層に形成され得る。図３及び図４に例示の第２配線基板２０、又は図７及び図８に例示の第２配線基板２００が備える金属ポスト２５１、２５２は、実装部品の電極と第２配線基板の導体パッドとを直接接続することが可能である場合、必ずしも備えられない。
【符号の説明】
【0095】
１ 配線基板
１０ 第１配線基板
１０ｆ 第１面
１０ｓ 第２面
１５１ 金属ポスト（第１金属ポスト）
１５２ 金属ポスト（第２金属ポスト）
２０、２００ 第２配線基板
２０ｆ、２００ｆ 第３面
２０ｓ、２００ｓ 第４面
２１ 支持体
２１１ 配線パターン（第１配線パターン）
２１２～２１５ 配線パターン
２２０ａ 第１層
２２０ｂ 第２層
２２４ 導体層（第１導体層）
２２４ａ 導体層（第１導体層）の表面
２２１～２２３、２２５ 導体層
２３０ｒ 凹部
２３１～２３５ 絶縁層
２４ ビア導体
２５１ 金属ポスト（第３金属ポスト）
２５２ 金属ポスト（第４金属ポスト）
２７１ 導体パッド（第１導体パッド）
２７２ 導体パッド（第２導体パッド）
Ａ１ 第１部品搭載領域
Ａ２ 第２部品搭載領域
Ｅ１ 第１部品
Ｅ２ 第２部品
Ｆ１ 第１部品搭載面
Ｆ２ 第２部品搭載面
Ｇ 配線パターン（第１配線パターン）同士の間隔
Ｗ１ 配線パターン（第１配線パターン）の配線幅
Ｔ 配線パターン（第１配線パターン）の配線厚さ
Ｄ ビア導体の厚さ
Ｗ２ ビア導体の幅
Ｚ 配線基板の厚さ方向
１０ 第１配線基板
１０ｆ 第１面
１０ｓ 第２面
１５１ 金属ポスト（第１金属ポスト）
１５２ 金属ポスト（第２金属ポスト）
２０、２００ 第２配線基板
２０ｆ、２００ｆ 第３面
２０ｓ、２００ｓ 第４面
２１ 支持体
２１１ 配線パターン（第１配線パターン）
２１２～２１５ 配線パターン
２２０ａ 第１層
２２０ｂ 第２層
２２４ 導体層（第１導体層）
２２４ａ 導体層（第１導体層）の表面
２２１～２２３、２２５ 導体層
２３０ｒ 凹部
２３１～２３５ 絶縁層
２４ ビア導体
２５１ 金属ポスト（第３金属ポスト）
２５２ 金属ポスト（第４金属ポスト）
２７１ 導体パッド（第１導体パッド）
２７２ 導体パッド（第２導体パッド）
Ａ１ 第１部品搭載領域
Ａ２ 第２部品搭載領域
Ｅ１ 第１部品
Ｅ２ 第２部品
Ｆ１ 第１部品搭載面
Ｆ２ 第２部品搭載面
Ｇ 配線パターン（第１配線パターン）同士の間隔
Ｗ１ 配線パターン（第１配線パターン）の配線幅
Ｔ 配線パターン（第１配線パターン）の配線厚さ
Ｄ ビア導体の厚さ
Ｗ２ ビア導体の幅
Ｚ 配線基板の厚さ方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図5I】
【図5J】
【図5K】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】