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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024031631
(43)【公開日】2024-03-07
(54)【発明の名称】電磁波干渉吸収体、誘電体層、及び誘電体層用組成物
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20240229BHJP
H01Q 17/00 20060101ALI20240229BHJP
B32B 7/025 20190101ALI20240229BHJP
B32B 27/18 20060101ALI20240229BHJP
C08J 5/18 20060101ALI20240229BHJP
C08K 3/08 20060101ALI20240229BHJP
C08K 3/36 20060101ALI20240229BHJP
C08K 7/24 20060101ALI20240229BHJP
C08L 101/00 20060101ALI20240229BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 M
H01Q17/00
B32B7/025
B32B27/18 Z
C08J5/18 CER
C08J5/18 CEZ
C08K3/08
C08K3/36
C08K7/24
C08L101/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022135300
(22)【出願日】2022-08-26
(71)【出願人】
【識別番号】000108410
【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100107515
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 浩一
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】赤間 博
(72)【発明者】
【氏名】平田 昂士
(72)【発明者】
【氏名】兼平 浩紀
【テーマコード（参考）】
4F071
4F100
4J002
5E321
5J020
【Ｆターム（参考）】
4F071AA67
4F071AB08
4F071AB28
4F071AD02
4F071AD04
4F071AE14
4F071AE22
4F071AF40Y
4F071AF41Y
4F071AH12
4F071BB02
4F071BC01
4F100AA203
4F100AB02
4F100AB02A
4F100AB10
4F100AB33
4F100AG00
4F100AG00A
4F100AH08
4F100AH08A
4F100AK01A
4F100AK03A
4F100AK04A
4F100AK07A
4F100AK12A
4F100AK15A
4F100AK25A
4F100AK27A
4F100AK29A
4F100AK41A
4F100AK42A
4F100AK46A
4F100AK49A
4F100AK51A
4F100AK52
4F100AK52A
4F100AK533
4F100AK54A
4F100AK55A
4F100AK68A
4F100AK73A
4F100AN02A
4F100AR00B
4F100BA02
4F100BA07
4F100CA23A
4F100DE01
4F100DE01A
4F100GB41
4F100JD08
4F100JD08B
4F100JG05
4F100JG05A
4F100JG06A
4F100JJ01A
4F100JN06
4F100JN06B
4F100YY00A
4J002AA001
4J002CP031
4J002DA086
4J002DJ017
4J002DL007
4J002FA097
4J002GR01
5E321AA23
5E321BB21
5E321BB23
5E321BB53
5E321BB55
5E321GG11
5J020EA04
5J020EA10
(57)【要約】
【課題】Ｄｉｐ帯域が広帯域化され、熱伝導率が低い電磁波干渉吸収体の提供。
【解決手段】高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含む誘電体層と、電磁波反射層と、を有し、前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する電磁波干渉吸収体である。前記誘電体層における前記高損失材料の含有量が、１０体積％～４０体積％であり、前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量が、１０体積％～４０体積％である態様が好ましい。
【選択図】図１
【解決手段】高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含む誘電体層と、電磁波反射層と、を有し、前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する電磁波干渉吸収体である。前記誘電体層における前記高損失材料の含有量が、１０体積％～４０体積％であり、前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量が、１０体積％～４０体積％である態様が好ましい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含む誘電体層と、
電磁波反射層と、を有し、
前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする電磁波干渉吸収体。
電磁波反射層と、を有し、
前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする電磁波干渉吸収体。
【請求項2】
前記誘電体層における前記高損失材料の含有量が、１０体積％～４０体積％であり、
前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量が、１０体積％～４０体積％である請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量が、１０体積％～４０体積％である請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項3】
前記誘電体層の比誘電率が、６～８である請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項4】
前記高損失材料が、カルボニル鉄粉である請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項5】
前記低誘電材料が、シリカ、中空ガラス、及び中空シリカの少なくともいずれかである請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項6】
前記樹脂が、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴム、及びシリコーンゴムの少なくともいずれかである請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項7】
前記誘電体層の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下である請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項8】
吸収性能２０ｄＢ以上のＤｉｐ帯域が２．５ＧＨｚ以上である請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項9】
周波数帯域が２３ＧＨｚ～３３ＧＨｚである請求項１に記載の電磁波干渉吸収体。
【請求項10】
高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含み、
１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする誘電体層。
１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする誘電体層。
【請求項11】
高損失材料と、低誘電材料と、樹脂及び樹脂前駆体の少なくともいずれかと、を含むことを特徴とする誘電体層用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電磁波干渉吸収体、誘電体層、及び誘電体層用組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、携帯電話やスマートフォン等の携帯通信機器の普及が急速に進んでおり、また自動車等において多くの電子機器が搭載されるようになった。このような小型の電子機器では、通信アンテナモジュールが小さい筐体内に複数配置されており、通信アンテナモジュールから発生する電磁波が金属筐体などで反射し、通信モジュールや他の電子部品に悪影響を及ぼす可能性や、電磁波及びノイズを原因とする電磁波障害が生じる恐れがある。このような誤動作、電磁波障害等を防止するために、各種の電磁波干渉吸収体が検討されている。
【0003】
電磁波干渉吸収体として、これまでに、１層の電磁波干渉吸収体、多層構造を有する電磁波干渉吸収体が報告されている（例えば、非特許文献１参照）。
１／４λ型と呼ばれる１層式の電磁波干渉吸収体では、無反射条件式と称される物理法則により、一定の比誘電率、及び比透磁率のときに、誘電正接と磁気正接とが決まり、比誘電率、比透磁率、及び誘電体層の厚みによってＤｉｐ周波数が定まり、Ｄｉｐ帯域の広帯域化に制約があるという問題がある。
また、このように必要とされる誘電特性に制約があり、誘電体層に含有される材料及び配合量比の設計自由度が低いため、誘電特性以外の物性を設計することが困難であるという問題がある。
１／４λ型と呼ばれる１層式の電磁波干渉吸収体では、無反射条件式と称される物理法則により、一定の比誘電率、及び比透磁率のときに、誘電正接と磁気正接とが決まり、比誘電率、比透磁率、及び誘電体層の厚みによってＤｉｐ周波数が定まり、Ｄｉｐ帯域の広帯域化に制約があるという問題がある。
また、このように必要とされる誘電特性に制約があり、誘電体層に含有される材料及び配合量比の設計自由度が低いため、誘電特性以外の物性を設計することが困難であるという問題がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
【非特許文献1】「電波吸収技術の基礎」、橋本修、青山学院大学 理工学部、ＭＷＥ ２００７ 基礎講座（２００５年、ｈｔｔｐｓ：／／ｗｗｗ．ａｐｍｃ－ｍｗｅ．ｏｒｇ／ｍｗｅ２００７／０５ｔｕｔｏｒｉａｌ．ｈｔｍｌ）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、Ｄｉｐ帯域が広帯域化され、熱伝導率が低い電磁波干渉吸収体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、前記目的を解決すべく、鋭意検討した結果、高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含む誘電体層と、電磁波反射層と、を有し、前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する電磁波干渉吸収体が、Ｄｉｐ帯域を広帯域化でき、熱伝導率を低減できることを見出し、本発明の完成に至った。
【0007】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含む誘電体層と、
電磁波反射層と、を有し、
前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする電磁波干渉吸収体である。
＜２＞ 前記誘電体層における前記高損失材料の含有量が、１０体積％～４０体積％であり、
前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量が、１０体積％～４０体積％である前記＜１＞に記載の電磁波干渉吸収体である。
＜３＞ 前記誘電体層の比誘電率が６～８である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜４＞ 前記高損失材料が、カルボニル鉄粉である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜５＞ 前記低誘電材料が、シリカ、中空ガラス、及び中空シリカの少なくともいずれかである前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜６＞ 前記樹脂が、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴム、及びシリコーンゴムの少なくともいずれかである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜７＞ 前記誘電体層の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜８＞ 吸収性能２０ｄＢ以上のＤｉｐ帯域が２．５ＧＨｚ以上である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜９＞ 周波数帯域が２３ＧＨｚ～３３ＧＨｚである前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜１０＞ 高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含み、
１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする誘電体層である。
＜１１＞ 高損失材料と、低誘電材料と、樹脂及び樹脂前駆体の少なくともいずれかと、を含むことを特徴とする誘電体層用組成物である。
＜１＞ 高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含む誘電体層と、
電磁波反射層と、を有し、
前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする電磁波干渉吸収体である。
＜２＞ 前記誘電体層における前記高損失材料の含有量が、１０体積％～４０体積％であり、
前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量が、１０体積％～４０体積％である前記＜１＞に記載の電磁波干渉吸収体である。
＜３＞ 前記誘電体層の比誘電率が６～８である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜４＞ 前記高損失材料が、カルボニル鉄粉である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜５＞ 前記低誘電材料が、シリカ、中空ガラス、及び中空シリカの少なくともいずれかである前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜６＞ 前記樹脂が、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴム、及びシリコーンゴムの少なくともいずれかである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜７＞ 前記誘電体層の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜８＞ 吸収性能２０ｄＢ以上のＤｉｐ帯域が２．５ＧＨｚ以上である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜９＞ 周波数帯域が２３ＧＨｚ～３３ＧＨｚである前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の電磁波干渉吸収体である。
＜１０＞ 高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含み、
１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有することを特徴とする誘電体層である。
＜１１＞ 高損失材料と、低誘電材料と、樹脂及び樹脂前駆体の少なくともいずれかと、を含むことを特徴とする誘電体層用組成物である。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、Ｄｉｐ帯域が広帯域化され、熱伝導率が低い電磁波干渉吸収体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
（電磁波干渉吸収体）
本発明の電磁波干渉吸収体は、図１において、本発明の電磁波干渉吸収体の一例としての電磁波干渉吸収体１０の概略断面図に示すように、電磁波反射層１と、１／４λ型の誘電体層２とを有する。
前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び樹脂を含み、更に必要に応じてその他の成分を含む。前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の成分を分散した樹脂を含む。
前記誘電体層は、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する。
本発明の電磁波干渉吸収体は、図１において、本発明の電磁波干渉吸収体の一例としての電磁波干渉吸収体１０の概略断面図に示すように、電磁波反射層１と、１／４λ型の誘電体層２とを有する。
前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び樹脂を含み、更に必要に応じてその他の成分を含む。前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の成分を分散した樹脂を含む。
前記誘電体層は、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する。
【0011】
図２に、電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収メカニズムを説明するため、１層式の電磁波干渉吸収体１０の概略断面図を示す。電磁波干渉吸収体１０は、１／４λ型と呼ばれる１層式の電磁波干渉吸収体であり、電磁波反射層１と、１／４λ型の誘電体層２とを有する。
電磁波干渉吸収体１０に電磁波（入射電磁波Ｅｉ）が放射されると、表面で反射する電磁波Ｅｒ１と、電磁波干渉吸収体内部（誘電体層）を通り、電磁波反射層により反射されて、電磁波干渉吸収体より放射される電磁波Ｅｒ２とに分かれる。電磁波反射層で反射した電磁波Ｅｒ２が、表面で反射する電磁波Ｅｒ１に対し、位相が反転した状況で同レベルの電磁波強度であれば、両者は互いに打ち消し合い、反射する電磁波が低減される。
電磁波干渉吸収体１０に電磁波（入射電磁波Ｅｉ）が放射されると、表面で反射する電磁波Ｅｒ１と、電磁波干渉吸収体内部（誘電体層）を通り、電磁波反射層により反射されて、電磁波干渉吸収体より放射される電磁波Ｅｒ２とに分かれる。電磁波反射層で反射した電磁波Ｅｒ２が、表面で反射する電磁波Ｅｒ１に対し、位相が反転した状況で同レベルの電磁波強度であれば、両者は互いに打ち消し合い、反射する電磁波が低減される。
【0012】
この関係は、無反射条件式と呼ばれ、下記式（１）で表される。
なお、ｔａｎｈは、双曲線正接関数を示し、ｊは、虚数単位を示す。
【数1】
【0013】
無反射条件式において、誘電体層の材料の比誘電率、比透磁率、誘電正接、及び磁気正接、並びに誘電体層の厚みにより、Ｄｉｐ周波数とＤｉｐ帯域が定まる。図３に、１層式の電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性を模式的に示す。
図３において、グラフの縦軸は、Ｓ１１［ｄＢ］、横軸は、周波数［ＧＨｚ］を示す。なお、Ｓパラメータである「Ｓ１１」は、端子１に信号を入力したときに、端子１に反射する信号を意味し、反射係数を表す。
ここで、「周波数帯域」とは、干渉吸収対象となる電磁波の周波数帯域を意味し、「Ｄｉｐ周波数」とは、干渉吸収対象となる電磁波の中心周波数を意味する。
「Ｄｉｐ帯域」とは、所定の吸収性能で干渉吸収される電磁波の周波数帯域幅を意味し、前記吸収性能としては、例えば、１０ｄＢ以上、２０ｄＢ以上などが挙げられる。
また、「Ｄｉｐ深さ」とは、Ｄｉｐ帯域における最大の吸収性能を示す。
「誘電率」は、電束密度をＤ、電場の強度をＥとの間の関係をＤ＝εＥで表した時の比例定数ε（単位［Ｆ／ｍ］、物質固有の定数）であり、「比誘電率」は、真空（空気）の誘電率ε０に対するある誘電体の誘電率εの比率ε／ε０（無単位）である。
「透磁率」は、磁場（磁界）の強さＨと磁束密度Ｂとの間の関係をＢ＝μＨで表した時の比例定数μ（単位：［Ｈ／ｍ］）であり、「比透磁率」は、真空（空気）の透磁率μ０に対するある誘電体の誘電率μの比率μ／μ０（無単位）である。
図３において、グラフの縦軸は、Ｓ１１［ｄＢ］、横軸は、周波数［ＧＨｚ］を示す。なお、Ｓパラメータである「Ｓ１１」は、端子１に信号を入力したときに、端子１に反射する信号を意味し、反射係数を表す。
ここで、「周波数帯域」とは、干渉吸収対象となる電磁波の周波数帯域を意味し、「Ｄｉｐ周波数」とは、干渉吸収対象となる電磁波の中心周波数を意味する。
「Ｄｉｐ帯域」とは、所定の吸収性能で干渉吸収される電磁波の周波数帯域幅を意味し、前記吸収性能としては、例えば、１０ｄＢ以上、２０ｄＢ以上などが挙げられる。
また、「Ｄｉｐ深さ」とは、Ｄｉｐ帯域における最大の吸収性能を示す。
「誘電率」は、電束密度をＤ、電場の強度をＥとの間の関係をＤ＝εＥで表した時の比例定数ε（単位［Ｆ／ｍ］、物質固有の定数）であり、「比誘電率」は、真空（空気）の誘電率ε０に対するある誘電体の誘電率εの比率ε／ε０（無単位）である。
「透磁率」は、磁場（磁界）の強さＨと磁束密度Ｂとの間の関係をＢ＝μＨで表した時の比例定数μ（単位：［Ｈ／ｍ］）であり、「比透磁率」は、真空（空気）の透磁率μ０に対するある誘電体の誘電率μの比率μ／μ０（無単位）である。
【0014】
一定の比誘電率、及び比透磁率のときに、無反射条件式を満たす誘電正接、及び磁気正接が一義的に決定される。具体的には、１層式の電磁波干渉吸収体において、誘電正接が０．０１以下の場合の無反射条件式による比誘電率、比透磁率、及び磁気正接の関係は、図４に示すグラフの通りとなる。
そして、誘電体層における比誘電率、及び厚みによりＤｉｐ周波数が定まる。そのときの磁気正接によって、Ｄｉｐ深さが定まる。
Ｄｉｐ周波数から外れると干渉が減り、例えば、吸収性能２０ｄＢ以上（－２０ｄＢ以下）のＤｉｐ帯域が定まる。
そして、誘電体層における比誘電率、及び厚みによりＤｉｐ周波数が定まる。そのときの磁気正接によって、Ｄｉｐ深さが定まる。
Ｄｉｐ周波数から外れると干渉が減り、例えば、吸収性能２０ｄＢ以上（－２０ｄＢ以下）のＤｉｐ帯域が定まる。
【0015】
例えば、図４に示す無反射条件（図４に示す曲面上の各点）において、無反射条件を満たし、かつ比誘電率が低い領域では、高い磁気正接が必要とされる。しかしながら、比誘電率が低く、かつ磁気正接が高いような１種類の材料が現状利用可能ではなく、そのような領域で、無反射条件を実現することは困難である。
【0016】
また、誘電体層の厚みが厚い程、Ｄｉｐ帯域が広帯域となる。比誘電率は低い程、Ｄｉｐ帯域が広帯域となる。誘電体層の厚みを厚くする場合、無反射条件を満たすために、比誘電率を小さくし、誘電正接と磁気正接の少なくともいずれかを大きくする必要がある。しかしながら、そのような設計は現状では困難である。例えば、誘電体層としてシリコーン樹脂等を用いる場合、シリコーン樹脂の比誘電率は２．７程度であるため低誘電化は難しく、磁気正接を上げるために金属フィラーを入れると比誘電率が上昇する。
【0017】
したがって、本発明の電磁波干渉吸収体は、従来技術の問題点、即ち、１層の電磁波干渉吸収体では、厚みと比誘電率によってＤｉｐ帯域の最大値が物理法則で定まっており、Ｄｉｐ帯域の広帯域化に制約があるという問題、誘電体層に含有される材料及び配合量比の設計自由度が低いため、誘電特性以外の物性を設計することが困難であるという問題を知見したことに基づくものである。
本発明者らは、前記目的を解決すべく、鋭意検討した結果、高損失材料、及び低誘電材料を配合することにより、１５以下の低い比誘電率において無反射条件を満たすことができ、Ｄｉｐ帯域を広帯域化でき、熱伝導率を低減できることを見出した。
本発明者らは、前記目的を解決すべく、鋭意検討した結果、高損失材料、及び低誘電材料を配合することにより、１５以下の低い比誘電率において無反射条件を満たすことができ、Ｄｉｐ帯域を広帯域化でき、熱伝導率を低減できることを見出した。
【0018】
以上の知見から、本発明者らは、本発明の電磁波干渉吸収体、即ち、高損失材料、及び低誘電材料を分散した樹脂を含む誘電体層と、電磁波反射層と、を有し、前記誘電体層が、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する電磁波干渉吸収体が、Ｄｉｐ帯域を広帯域化でき、熱伝導率を低減できることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
【0019】
（誘電体層、及び誘電体層用組成物）
本発明の誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び樹脂を含み、更に必要に応じてその他の成分を含む。前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の成分を分散した樹脂を含む。前記誘電体層は、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する。
前記誘電体層は、１／４λ型の誘電体層であり、本発明の電磁波干渉吸収体における前記誘電体層として好適に用いることができる。
また、本発明の誘電体層用組成物は、高損失材料と、低誘電材料と、樹脂及び樹脂前駆体の少なくともいずれかと、を含み、更に必要に応じてその他の成分を含む。
前記誘電体層用組成物は、前記誘電体層を形成するための組成物として好適に用いることができる。
以下に、本発明の電磁波干渉吸収体、誘電体層、及び誘電体層用組成物について、共通する事項について説明する。
本発明の誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び樹脂を含み、更に必要に応じてその他の成分を含む。前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の成分を分散した樹脂を含む。前記誘電体層は、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する。
前記誘電体層は、１／４λ型の誘電体層であり、本発明の電磁波干渉吸収体における前記誘電体層として好適に用いることができる。
また、本発明の誘電体層用組成物は、高損失材料と、低誘電材料と、樹脂及び樹脂前駆体の少なくともいずれかと、を含み、更に必要に応じてその他の成分を含む。
前記誘電体層用組成物は、前記誘電体層を形成するための組成物として好適に用いることができる。
以下に、本発明の電磁波干渉吸収体、誘電体層、及び誘電体層用組成物について、共通する事項について説明する。
【0020】
［特性］
本発明の電磁波干渉吸収体について、以下に詳細に説明する。
「Ｄｉｐ帯域」とは、前述の通り、所定の吸収性能で干渉吸収される電磁波の周波数帯域幅を意味し、前記吸収性能としては、例えば、１０ｄＢ以上、１５ｄＢ以上、２０ｄＢ以上などが挙げられる。これらの中でも、より吸収性能が高い２０ｄＢ以上が好ましい。
「Ｄｉｐ帯域が広帯域化」されたとは、所定の吸収性能（例えば、吸収性能２０ｄＢ以上）のＤｉｐ帯域が広帯域化されたことを意味する。
吸収性能２０ｄＢ以上のＤｉｐ帯域とは、２０ｄＢ以上の電磁波が干渉吸収される周波数帯域幅を意味し、２．５ＧＨｚ以上が好ましく、３．５ＧＨｚ以上がより好ましく、４．０ＧＨｚ以上が更に好ましい。
本発明の電磁波干渉吸収体について、以下に詳細に説明する。
「Ｄｉｐ帯域」とは、前述の通り、所定の吸収性能で干渉吸収される電磁波の周波数帯域幅を意味し、前記吸収性能としては、例えば、１０ｄＢ以上、１５ｄＢ以上、２０ｄＢ以上などが挙げられる。これらの中でも、より吸収性能が高い２０ｄＢ以上が好ましい。
「Ｄｉｐ帯域が広帯域化」されたとは、所定の吸収性能（例えば、吸収性能２０ｄＢ以上）のＤｉｐ帯域が広帯域化されたことを意味する。
吸収性能２０ｄＢ以上のＤｉｐ帯域とは、２０ｄＢ以上の電磁波が干渉吸収される周波数帯域幅を意味し、２．５ＧＨｚ以上が好ましく、３．５ＧＨｚ以上がより好ましく、４．０ＧＨｚ以上が更に好ましい。
【0021】
ここで、前記吸収性能は、具体的には、Ｓパラメータをネットワークアナライザ（装置名：Ｎ５２２７Ｂ、ＫＥＹＳＩＧＨＴ社製）と、対向するアンテナのあるフリースペースタイプ（装置名：ＤＰＳ－２４、ＫＥＹＣＯＭ社製）と、導波管ＷＲ３４（２１．７ＧＨｚ～３３ＧＨｚ）又は導波管ＷＲ２８（２６．５ＧＨｚ～４０ＧＨｚ）を用いて、測定することができる。電磁波干渉吸収体の誘電体層の表面に対して垂直に電磁波が入射するように、対抗するアンテナの間に電磁波干渉吸収体を垂直に配置する。なお、アンテナの角度を変えることにより、入射角を有する電磁波の測定も可能である。
【0022】
前記周波数帯域としては、特に制限はなく、目的とする電磁波の周波数に応じて適宜選択することができるが、主に、携帯５Ｇの日本規格である２７ＧＨｚ～２９．５ＧＨｚを含む周波数範囲として、８ＧＨｚ～４８ＧＨｚが好ましく、２３ＧＨｚ～３３ＧＨｚがより好ましい。
【0023】
［熱伝導率］
前記誘電体層の熱伝導率としては、２Ｗ／ｍＫ以下が好ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以下がより好ましく、１Ｗ／ｍＫ以下が更に好ましい。
ここで、前記熱伝導率は、物質内の熱の流れやすさを示す物性値であり、図５に示すように、ＡＳＴＭ－Ｄ５４７０に準拠した熱抵抗測定装置を用いて測定することができる。具体的には、試料（Ｓ）として誘電体層のみ（例えば、厚み０．４ｍｍの誘電体層、及び厚み１ｍｍの誘電体層）を用い、熱電対を有するヒーター（１１）及び冷却シンク（１２）における試料挟持面で誘電体層を挟持し、試料面積：１．２４ｃｍ２、測定環境：２３℃±５℃、６０％±２０％ＲＨ、設定ヒーター電力：８Ｗにおいて、加圧シリンダー（１３）により、誘電体層の厚み方向（図５中、矢印で示す方向）に荷重２ｋｇｆ／ｃｍ２をかけて、ヒーター（１１）側の試料表面温度Ｔ1と冷却シンク（１２）側の試料表面温度Ｔ２とを測定することにより、ＡＳＴＭ－Ｄ５４７０に準拠した温度傾斜法により誘電体層の熱抵抗値（ｃｍ２・Ｋ／Ｗ）を測定する。次いで、得られた熱抵抗値に基づき、熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）を算出することで求めることができる。
なお、電磁波干渉吸収体において、誘電体層の熱伝導率を測定する場合には、例えば、電磁波干渉吸収体から剥離した誘電体層を用いて熱伝導率を測定することができる。
前記誘電体層の熱伝導率としては、２Ｗ／ｍＫ以下が好ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以下がより好ましく、１Ｗ／ｍＫ以下が更に好ましい。
ここで、前記熱伝導率は、物質内の熱の流れやすさを示す物性値であり、図５に示すように、ＡＳＴＭ－Ｄ５４７０に準拠した熱抵抗測定装置を用いて測定することができる。具体的には、試料（Ｓ）として誘電体層のみ（例えば、厚み０．４ｍｍの誘電体層、及び厚み１ｍｍの誘電体層）を用い、熱電対を有するヒーター（１１）及び冷却シンク（１２）における試料挟持面で誘電体層を挟持し、試料面積：１．２４ｃｍ２、測定環境：２３℃±５℃、６０％±２０％ＲＨ、設定ヒーター電力：８Ｗにおいて、加圧シリンダー（１３）により、誘電体層の厚み方向（図５中、矢印で示す方向）に荷重２ｋｇｆ／ｃｍ２をかけて、ヒーター（１１）側の試料表面温度Ｔ1と冷却シンク（１２）側の試料表面温度Ｔ２とを測定することにより、ＡＳＴＭ－Ｄ５４７０に準拠した温度傾斜法により誘電体層の熱抵抗値（ｃｍ２・Ｋ／Ｗ）を測定する。次いで、得られた熱抵抗値に基づき、熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）を算出することで求めることができる。
なお、電磁波干渉吸収体において、誘電体層の熱伝導率を測定する場合には、例えば、電磁波干渉吸収体から剥離した誘電体層を用いて熱伝導率を測定することができる。
【0024】
従来技術の電磁波吸収体は、高い比透磁率、及び高い磁気正接を有する材料を多く配合し、磁気正接によりノイズ（電磁波）を吸収しており、熱伝導率が高いものであった。高い比透磁率、及び高い磁気正接を有する材料としては、例えば、磁性粉などが挙げられる。
具体的には、従来の電磁波吸収体であるノイズ抑制熱伝導シート（商品名：Ｅ８０００Ｋ、デクセリアルズ株式会社製、本願実施例に示す比較例１）は、誘電体層がシリコーン樹脂、及び磁性粉を含み、熱伝導率が２．５Ｗ／ｍＫと高い。そのため、ＧＨｚ帯域レベルの電磁ノイズ抑制と高い熱伝導率をあわせ持つノイズ抑制熱伝導シートとしての用途に適する。
一方、本発明の電磁波干渉吸収体は、誘電体層の材料（特に低誘電材料）の配合により熱伝導率を低減することができ、断熱性能に優れ、かつＤｉｐ帯域が広帯域化されたＧＨｚ帯域レベルの電磁ノイズ抑制を実現することができる。したがって、本発明の電磁波干渉吸収体は、断熱性を要求される用途に好適に用いることができる。
具体的には、従来の電磁波吸収体であるノイズ抑制熱伝導シート（商品名：Ｅ８０００Ｋ、デクセリアルズ株式会社製、本願実施例に示す比較例１）は、誘電体層がシリコーン樹脂、及び磁性粉を含み、熱伝導率が２．５Ｗ／ｍＫと高い。そのため、ＧＨｚ帯域レベルの電磁ノイズ抑制と高い熱伝導率をあわせ持つノイズ抑制熱伝導シートとしての用途に適する。
一方、本発明の電磁波干渉吸収体は、誘電体層の材料（特に低誘電材料）の配合により熱伝導率を低減することができ、断熱性能に優れ、かつＤｉｐ帯域が広帯域化されたＧＨｚ帯域レベルの電磁ノイズ抑制を実現することができる。したがって、本発明の電磁波干渉吸収体は、断熱性を要求される用途に好適に用いることができる。
【0025】
＜電磁波反射層＞
前記電磁波反射層の材料としては、特に制限はなく目的に応じて適宜、電磁波の反射層として機能し得る公知のものを選択することができ、例えば、金属からなる金属板又は箔；前記金属を含む金属層；高分子フィルムに真空蒸着法やめっき法により前記金属の薄膜を形成したもの；炭素繊維等の導電材などが挙げられる。これらは、樹脂などの基材で補強されていてもよい。
前記金属としては、例えば、アルミニウム、銅、鉄、銀、金、クロム、ニッケル、モリブデン、ガリウム、亜鉛、スズ、ニオブ、インジウムなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。
前記金属層における前記金属の含有量としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上より好ましく、８０質量％以上が更に好ましく、９０質量％以上が特に好ましい。
前記電磁波反射層の材料としては、特に制限はなく目的に応じて適宜、電磁波の反射層として機能し得る公知のものを選択することができ、例えば、金属からなる金属板又は箔；前記金属を含む金属層；高分子フィルムに真空蒸着法やめっき法により前記金属の薄膜を形成したもの；炭素繊維等の導電材などが挙げられる。これらは、樹脂などの基材で補強されていてもよい。
前記金属としては、例えば、アルミニウム、銅、鉄、銀、金、クロム、ニッケル、モリブデン、ガリウム、亜鉛、スズ、ニオブ、インジウムなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。
前記金属層における前記金属の含有量としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上より好ましく、８０質量％以上が更に好ましく、９０質量％以上が特に好ましい。
【0026】
前記電磁波反射層の平均厚みとしては、電磁波を全反射できれば、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる。
前記電磁波反射層の厚み及び平均厚みは、後述する誘電体層と同様に測定及び算出することができる。
前記電磁波反射層の厚み及び平均厚みは、後述する誘電体層と同様に測定及び算出することができる。
【0027】
＜誘電体層＞
前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び樹脂を含み、更に必要に応じてその他の材料を含む。前記樹脂は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の材料を分散してなる。
前記誘電体層は、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する。
前記誘電体層は、高損失材料、低誘電材料、及び樹脂を含み、更に必要に応じてその他の材料を含む。前記樹脂は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の材料を分散してなる。
前記誘電体層は、１５以下の比誘電率、１以下の比透磁率、０．１以下の誘電正接、及び２以下の磁気正接を有する。
【0028】
前記誘電体層の比誘電率としては、１５以下であれば、目的に応じて適宜選択することができるが、６～１５が好ましく、６～８がより好ましい。
前記誘電体層の比透磁率としては、１以下であれば、所望の無反射条件及び誘電体層の厚みなどの目的に応じて、高損失材料及び低誘電材料の配合比等を調整することにより、適宜選択することができる。
前記誘電体層の誘電正接としては、０．１以下であれば、所望の無反射条件及び誘電体層の厚みなどの目的に応じて、高損失材料及び低誘電材料の配合比等を調整することにより、適宜選択することができる。
前記誘電体層の磁気正接としては、２以下であれば、所望の無反射条件及び誘電体層の厚みなどの目的に応じて、高損失材料及び低誘電材料の配合比等を調整することにより、適宜選択することができる。
前記誘電体層の比透磁率としては、１以下であれば、所望の無反射条件及び誘電体層の厚みなどの目的に応じて、高損失材料及び低誘電材料の配合比等を調整することにより、適宜選択することができる。
前記誘電体層の誘電正接としては、０．１以下であれば、所望の無反射条件及び誘電体層の厚みなどの目的に応じて、高損失材料及び低誘電材料の配合比等を調整することにより、適宜選択することができる。
前記誘電体層の磁気正接としては、２以下であれば、所望の無反射条件及び誘電体層の厚みなどの目的に応じて、高損失材料及び低誘電材料の配合比等を調整することにより、適宜選択することができる。
【0029】
前記誘電体層の比誘電率、比透磁率、誘電正接、及び磁気正接は、例えば、ネットワークアナライザ（装置名：Ｎ５２２７Ｂ、ＫＥＹＳＩＧＨＴ社製）を用いた導波管による閉鎖系Ｓパラメータ方式により、導波管ＷＲ２８（２６．５ＧＨｚ～４０ＧＨｚ、装置名：ＣＭ－２８ＴＢ＋Ｒ、ＫＥＹＣＯＭ社製）を用いて、導波管タイプＳパラメータ法透過法プログラム（装置名：ＤＭＰ－０７、ＫＥＹＣＯＭ社製）において測定することができる。
【0030】
前記誘電体層の比誘電率、比透磁率、誘電正接、及び磁気正接としては、樹脂や、樹脂への高損失材料、及び低誘電材料の配合量乃至配合比、必要に応じてその他の成分の添加量の調整により適宜調整することができる。
高損失材料の配合量乃至配合比により、比誘電率、比透磁率、及び磁気正接を調整できる。また、低誘電材料の配合量乃至配合比を増加させると、比誘電率を下げることができる。一方、低誘電材料は、比透磁率、及び磁気正接にほとんど影響を与えない。
高損失材料の配合量乃至配合比により、比誘電率、比透磁率、及び磁気正接を調整できる。また、低誘電材料の配合量乃至配合比を増加させると、比誘電率を下げることができる。一方、低誘電材料は、比透磁率、及び磁気正接にほとんど影響を与えない。
【0031】
具体的には、誘電体層の材料の組み合わせを定め、その配合比を変えた複数の電磁波干渉吸収体を作製して誘電体層の各物性値を測定する。次いで、得られた各配合比の各物性値から、配合比と物性値との近似式を得、近似式と、無反射条件（例えば、図４の３次元グラフで表される曲面）との交点を求めることにより、無反射条件を満たす各物性値を有する、誘電体層の材料の配合比を求めることができる。
【0032】
－樹脂－
前記樹脂は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の材料を分散してなる。
前記樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン等の合成樹脂；ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴム、シリコーンゴム等の合成ゴム材料；などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。
前記樹脂は、高損失材料、低誘電材料、及び必要に応じてその他の材料を分散してなる。
前記樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン等の合成樹脂；ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴム、シリコーンゴム等の合成ゴム材料；などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。
【0033】
－樹脂前駆体－
前記誘電体層用組成物に使用可能な前記樹脂前駆体としては、前記樹脂の前駆体であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記樹脂を構成するモノマー、オリゴマー、これらの混合物などが挙げられる。
前記誘電体層用組成物に使用可能な前記樹脂前駆体としては、前記樹脂の前駆体であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記樹脂を構成するモノマー、オリゴマー、これらの混合物などが挙げられる。
【0034】
－高損失材料－
前記高損失材料としては、高損失材料を３０体積％、残部を樹脂とした条件で測定したときの比誘電率が１２以下、誘電正接が０．１以下、磁気正接が０．２以上である材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、鉄粉、磁性粉などが好ましい。
前記鉄粉としては、例えば、還元鉄粉、アトマイズ鉄粉、電解鉄粉、カルボニル鉄粉などが挙げられる。これらの中でも、カルボニル鉄粉がより好ましい。
前記高損失材料としては、高損失材料を３０体積％、残部を樹脂とした条件で測定したときの比誘電率が１２以下、誘電正接が０．１以下、磁気正接が０．２以上である材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、鉄粉、磁性粉などが好ましい。
前記鉄粉としては、例えば、還元鉄粉、アトマイズ鉄粉、電解鉄粉、カルボニル鉄粉などが挙げられる。これらの中でも、カルボニル鉄粉がより好ましい。
【0035】
前記鉄粉、磁性粉の市販品としては、例えば、ＡＷ（アモルファス粉末・ナノ結晶粉末、エプソンアトミックス株式会社製）、ＫＵＡＭＥＴ（アモルファス粉末・ナノ結晶粉末、エプソンアトミックス株式会社製）などが挙げられる。
前記カルボニル鉄粉は、真球状の粒度分布が均質な純鉄粉（例えば、平均粒径１～８μｍ）であり、例えば、カルボニル鉄粉 ハードグレード ＥＷ、ハードグレード ＥＷ－１、ハードグレード ＥＳ、及びハードグレード ＥＲ（いずれも、ＢＡＳＦ社製）などが挙げられる。
前記カルボニル鉄粉は、真球状の粒度分布が均質な純鉄粉（例えば、平均粒径１～８μｍ）であり、例えば、カルボニル鉄粉 ハードグレード ＥＷ、ハードグレード ＥＷ－１、ハードグレード ＥＳ、及びハードグレード ＥＲ（いずれも、ＢＡＳＦ社製）などが挙げられる。
【0036】
－低誘電材料－
前記低誘電材料としては、低誘電材料を３０体積％、残部を樹脂とした条件で測定したときの比誘電率が４以下である材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、シリカ（ＳｉＯ２）、中空ガラス、及び中空シリカの少なくともいずれかが好ましい。
前記低誘電材料としては、低誘電材料を３０体積％、残部を樹脂とした条件で測定したときの比誘電率が４以下である材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、シリカ（ＳｉＯ２）、中空ガラス、及び中空シリカの少なくともいずれかが好ましい。
【0037】
前記シリカとしては、例えば、ＳＯ－Ｃ２（粒径：０．４～０．６μｍ、比表面積：４～７ｍ２／ｇ）、ＳＯ－Ｃ１（粒径：０．２～０．４μｍ、比表面積：１０～２０ｍ２／ｇ）、ＳＯ－Ｃ４（粒径：０．９～１．２μｍ、比表面積：３～６ｍ２／ｇ）（いずれも、株式会社アドマテックス製）などが挙げられる。
前記中空ガラスとしては、例えば、中空ガラスビーズ ＳｐｈｅｒｉｃｅｌＴＭ ２５Ｐ４５（平均粒径：４５μｍ、密度：０．２５ｇ／ｃｍ３）、ＳｐｈｅｒｉｃｅｌＴＭ ６０Ｐ１８（平均粒径：１８μｍ、密度：０．６０ｇ／ｃｍ３）（いずれも、Ｐｏｔｔｅｒｓ－Ｂａｌｌｏｔｉｎｉ社製）などが挙げられる。
前記中空シリカとしては、例えば、ＨＯＬＬＯＷＹ－Ｎ１５（日揮触媒化成株式会社製）などが挙げられる。
前記中空ガラスとしては、例えば、中空ガラスビーズ ＳｐｈｅｒｉｃｅｌＴＭ ２５Ｐ４５（平均粒径：４５μｍ、密度：０．２５ｇ／ｃｍ３）、ＳｐｈｅｒｉｃｅｌＴＭ ６０Ｐ１８（平均粒径：１８μｍ、密度：０．６０ｇ／ｃｍ３）（いずれも、Ｐｏｔｔｅｒｓ－Ｂａｌｌｏｔｉｎｉ社製）などが挙げられる。
前記中空シリカとしては、例えば、ＨＯＬＬＯＷＹ－Ｎ１５（日揮触媒化成株式会社製）などが挙げられる。
【0038】
前記誘電体層における前記高損失材料の含有量としては、１０体積％～４０体積％が好ましい。
前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量としては、１０体積％～４０体積％が好ましい。
前記高損失材料及び前記低誘電材料の含有量、並びに配合比については、上述した通り、誘電体層の材料の組み合わせに応じて、無反射条件を満たす各物性値（比誘電率、比透磁率、誘電正接、及び磁気正接）を有する誘電体層となる含有量及び配合比を、適宜設定することができる。
前記誘電体層における前記低誘電材料の含有量としては、１０体積％～４０体積％が好ましい。
前記高損失材料及び前記低誘電材料の含有量、並びに配合比については、上述した通り、誘電体層の材料の組み合わせに応じて、無反射条件を満たす各物性値（比誘電率、比透磁率、誘電正接、及び磁気正接）を有する誘電体層となる含有量及び配合比を、適宜設定することができる。
【0039】
－その他の材料－
前記その他の材料としては、前記高損失材料及び前記低誘電材料以外の、例えば、金属粉、金属酸化物、セラミック粉、合金粉、炭素粉等のフィラーなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。
前記樹脂における前記その他の材料の含有量としては、特に制限はなく目的とする誘電率に応じて適宜選択することができる。
前記金属粉としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒなどが挙げられる。
前記金属酸化物としては、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などが挙げられる。
前記セラミック粉としては、例えば、ＭｏＳｉ２、ＺｒＢ２、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＦｅＣｏ、ＢａＴｉＯ３などが挙げられる。
前記合金粉としては、例えば、磁性体、非磁性体、ＳＵＳ系、Ｆｅ系、Ｃｏ系、Ｎｉ系などが挙げられる。
前記炭素粉としては、例えば、グラフェン、グラファイト、酸化グラフェン、炭素ナノチューブ、黒鉛などが挙げられる。
前記その他の材料としては、前記高損失材料及び前記低誘電材料以外の、例えば、金属粉、金属酸化物、セラミック粉、合金粉、炭素粉等のフィラーなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。
前記樹脂における前記その他の材料の含有量としては、特に制限はなく目的とする誘電率に応じて適宜選択することができる。
前記金属粉としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒなどが挙げられる。
前記金属酸化物としては、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などが挙げられる。
前記セラミック粉としては、例えば、ＭｏＳｉ２、ＺｒＢ２、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＦｅＣｏ、ＢａＴｉＯ３などが挙げられる。
前記合金粉としては、例えば、磁性体、非磁性体、ＳＵＳ系、Ｆｅ系、Ｃｏ系、Ｎｉ系などが挙げられる。
前記炭素粉としては、例えば、グラフェン、グラファイト、酸化グラフェン、炭素ナノチューブ、黒鉛などが挙げられる。
【0040】
前記誘電体層の厚みは、目的とするＤｉｐ周波数と誘電体層の比誘電率により、下記式（２）により決定される。
前記誘電体層の厚みは、Ｄｉｐ周波数２８ＧＨｚ（真空中の波長１０．７０７ｍｍ）、かつ比誘電率が６～１５の場合、０．５ｍｍ以上が好ましく、０．９ｍｍ以上がより好ましい。
【数2】
【0041】
前記誘電体層の厚みは、例えば、ＡＢＳデジマチックインジケータ（装置名：ＩＤ－Ｃ１１２Ｘ、株式会社ミツトヨ製）によって測定することができる。
前記平均厚みは、任意の３点以上の厚みの平均値を算出することにより求めることができる。
前記平均厚みは、任意の３点以上の厚みの平均値を算出することにより求めることができる。
【0042】
［誘電体層用組成物の製造方法］
前記誘電体層用組成物の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、例えば、流動性を有する状態の前記樹脂、及び前記樹脂前駆体の少なくともいずれかに、前記高損失材料、前記低誘電材料、及び必要に応じて前記その他の材料を混合して分散する方法が挙げられる。
前記誘電体層用組成物の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、例えば、流動性を有する状態の前記樹脂、及び前記樹脂前駆体の少なくともいずれかに、前記高損失材料、前記低誘電材料、及び必要に応じて前記その他の材料を混合して分散する方法が挙げられる。
【0043】
［誘電体層の製造方法］
前記誘電体層の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、例えば、前記誘電体層用組成物を電磁波反射層上に直接塗布して、誘電体層を形成する方法；前記誘電体層用組成物を基材上に塗布して、誘電体層を形成する方法などが挙げられる。
前記塗布する方法としては、例えば、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、プレス加工、バーコート法などが挙げられる。
前記基材としては、誘電体層から剥離可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、剥離フィルムなどが挙げられる。
前記誘電体層は、その両面をそれぞれ基材で覆って保護してもよく、片面に基材を有する誘電体層をロール状にして、前記片面の反対側の面を保護してもよい。
前記誘電体層の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、例えば、前記誘電体層用組成物を電磁波反射層上に直接塗布して、誘電体層を形成する方法；前記誘電体層用組成物を基材上に塗布して、誘電体層を形成する方法などが挙げられる。
前記塗布する方法としては、例えば、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、プレス加工、バーコート法などが挙げられる。
前記基材としては、誘電体層から剥離可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、剥離フィルムなどが挙げられる。
前記誘電体層は、その両面をそれぞれ基材で覆って保護してもよく、片面に基材を有する誘電体層をロール状にして、前記片面の反対側の面を保護してもよい。
【0044】
［電磁波干渉吸収体の製造方法］
前記電磁波干渉吸収体の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、例えば、前記誘電体層用組成物を電磁波反射層上に直接塗布して、電磁波反射層上に誘電体層を形成する方法；基材上の前記誘電体層を電磁波反射層に貼付して、前記基材を剥離する方法などが挙げられる。
前記電磁波反射層としては、電磁波の反射層として機能し得るものを目的に応じて適宜選択することができ、例えば、所望の電子部品等の金属筐体を電磁波反射層とし、前記金属筐体上に前記誘電体層を設けてもよい。
前記電磁波干渉吸収体の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、例えば、前記誘電体層用組成物を電磁波反射層上に直接塗布して、電磁波反射層上に誘電体層を形成する方法；基材上の前記誘電体層を電磁波反射層に貼付して、前記基材を剥離する方法などが挙げられる。
前記電磁波反射層としては、電磁波の反射層として機能し得るものを目的に応じて適宜選択することができ、例えば、所望の電子部品等の金属筐体を電磁波反射層とし、前記金属筐体上に前記誘電体層を設けてもよい。
【実施例0045】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。
【0046】
（実施例１）
電磁波反射層として、アルミ箔（商品名：アルミシート、アズワン株式会社製、平均厚み１５μｍ、サイズ：２００ｍｍ×２００ｍｍ）を用いた。
高損失材料としてのカルボニル鉄粉（ハードグレード ＥＷ、ＢＡＳＦ社製）、及び低誘電材料としての中空ガラス（中空ガラスビーズ ＳｐｈｅｒｉｃｅｌＴＭ ２５Ｐ４５；平均粒径：４５μｍ、密度：０．２５ｇ／ｃｍ３、Ｐｏｔｔｅｒｓ－Ｂａｌｌｏｔｉｎｉ社製）を、樹脂としてのシリコーン樹脂（ＴＳＥ３０３３、モメンティブジャパン社製）に分散させ、下記に示す配合比の誘電体層用組成物を調製した。
基材（商品名：Ｔ１５７、リンテック株式会社製）上に、誘電体層用組成物を塗布して誘電体層を形成し、実施例１の誘電体層を製造した。
また、電磁波反射層上に、誘電体層を貼合し、実施例１の電磁波干渉吸収体を製造した。
－誘電体層用塗布液の配合比－
カルボニル鉄粉 ２１．０体積％
中空ガラス ３９．０体積％
シリコーン樹脂 ４０．０体積％
電磁波反射層として、アルミ箔（商品名：アルミシート、アズワン株式会社製、平均厚み１５μｍ、サイズ：２００ｍｍ×２００ｍｍ）を用いた。
高損失材料としてのカルボニル鉄粉（ハードグレード ＥＷ、ＢＡＳＦ社製）、及び低誘電材料としての中空ガラス（中空ガラスビーズ ＳｐｈｅｒｉｃｅｌＴＭ ２５Ｐ４５；平均粒径：４５μｍ、密度：０．２５ｇ／ｃｍ３、Ｐｏｔｔｅｒｓ－Ｂａｌｌｏｔｉｎｉ社製）を、樹脂としてのシリコーン樹脂（ＴＳＥ３０３３、モメンティブジャパン社製）に分散させ、下記に示す配合比の誘電体層用組成物を調製した。
基材（商品名：Ｔ１５７、リンテック株式会社製）上に、誘電体層用組成物を塗布して誘電体層を形成し、実施例１の誘電体層を製造した。
また、電磁波反射層上に、誘電体層を貼合し、実施例１の電磁波干渉吸収体を製造した。
－誘電体層用塗布液の配合比－
カルボニル鉄粉 ２１．０体積％
中空ガラス ３９．０体積％
シリコーン樹脂 ４０．０体積％
【0047】
なお、下記誘電体層の特性は、下記式（１）で表される無反射条件を満たす。高損失材料に低誘電材料を無反射条件を満たす配合比で配合することで、そのような特性を実現することができる。以下の方法により、誘電体層の材料の配合比を求めた。
具体的には、シリコーン樹脂の配合比を一定（４０．０体積％）とし、カルボニル鉄粉及び中空ガラスの配合比を変えた２点以上の電磁波干渉吸収体サンプル（平均厚み１．０ｍｍ程度）を作製し、各サンプルにおける誘電体層の特性を測定した。次いで、配合比の異なるサンプルにおいて得られた特性から、誘電正接が０．０１以下の場合の比誘電率、比透磁率、及び磁気正接の関係について近似式を得た。得られた近似式と、誘電正接が０．０１以下の場合の無反射条件（図４の３次元グラフで表される曲面）との交点を求めることにより、無反射条件を満たす誘電体層を形成できる、上記の誘電体層用塗布液の配合比を求めた。
具体的には、シリコーン樹脂の配合比を一定（４０．０体積％）とし、カルボニル鉄粉及び中空ガラスの配合比を変えた２点以上の電磁波干渉吸収体サンプル（平均厚み１．０ｍｍ程度）を作製し、各サンプルにおける誘電体層の特性を測定した。次いで、配合比の異なるサンプルにおいて得られた特性から、誘電正接が０．０１以下の場合の比誘電率、比透磁率、及び磁気正接の関係について近似式を得た。得られた近似式と、誘電正接が０．０１以下の場合の無反射条件（図４の３次元グラフで表される曲面）との交点を求めることにより、無反射条件を満たす誘電体層を形成できる、上記の誘電体層用塗布液の配合比を求めた。
【0048】
【数3】
【0049】
次いで、下記式（２）に基づき、得られた誘電体層の比誘電率と、目的とするＤｉｐ周波数とにより、誘電体層の厚みを求めた。
【0050】
【数4】
【0051】
＜評価＞
作製した実施例１の誘電体層、及び電磁波干渉吸収体について、以下のように誘電体層の各パラメータ、電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性、及び誘電体層の熱伝導率を評価した。
作製した実施例１の誘電体層、及び電磁波干渉吸収体について、以下のように誘電体層の各パラメータ、電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性、及び誘電体層の熱伝導率を評価した。
【0052】
誘電体層の厚みを、ＡＢＳデジマチックインジケータ（装置名：ＩＤ－Ｃ１１２Ｘ、株式会社ミツトヨ製）によって測定し、任意の３点の厚みの平均値を算出することにより誘電体層の平均厚みを求めた。
誘電体層の比誘電率、比透磁率、誘電正接、及び磁気正接を、ネットワークアナライザ（装置名：Ｎ５２２７Ｂ、ＫＥＹＳＩＧＨＴ社製）を用いた導波管による閉鎖系Ｓパラメータ方式により、導波管ＷＲ２８（２６．５ＧＨｚ～４０ＧＨｚ、装置名：ＣＭ－２８ＴＢ＋Ｒ、ＫＥＹＣＯＭ社製）を用いて、導波管タイプＳパラメータ法透過法プログラム（装置名：ＤＭＰ－０７、ＫＥＹＣＯＭ社製）において測定した。
誘電体層の比誘電率、比透磁率、誘電正接、及び磁気正接を、ネットワークアナライザ（装置名：Ｎ５２２７Ｂ、ＫＥＹＳＩＧＨＴ社製）を用いた導波管による閉鎖系Ｓパラメータ方式により、導波管ＷＲ２８（２６．５ＧＨｚ～４０ＧＨｚ、装置名：ＣＭ－２８ＴＢ＋Ｒ、ＫＥＹＣＯＭ社製）を用いて、導波管タイプＳパラメータ法透過法プログラム（装置名：ＤＭＰ－０７、ＫＥＹＣＯＭ社製）において測定した。
【0053】
Ｓパラメータをネットワークアナライザ（装置名：Ｎ５２２７Ｂ、ＫＥＹＳＩＧＨＴ社製）と、対向するアンテナのあるフリースペースタイプ（装置名：ＤＰＳ－２４、ＫＥＹＣＯＭ社製）と、導波管ＷＲ３４（２１．７ＧＨｚ～３３ＧＨｚ）又は導波管ＷＲ２８（２６．５ＧＨｚ～４０ＧＨｚ）を用いて、測定した。電磁波干渉吸収体の誘電体層の表面に対して垂直に電磁波が入射するように、対抗するアンテナの間に電磁波干渉吸収体を垂直に配置した。
【0054】
誘電体層の熱伝導率は、図５に示すように、ＡＳＴＭ－Ｄ５４７０に準拠した熱抵抗測定装置を用いて測定した。具体的には、試料Ｓとして厚み０．４ｍｍの誘電体層、及び厚み１ｍｍの誘電体層を用い、熱電対を有するヒーター（１１）及び冷却シンク（１２）における試料挟持面で誘電体層を挟持し、試料面積：１．２４ｃｍ２、測定環境：２３℃±５℃、６０％±２０％ＲＨ、設定ヒーター電力：８Ｗにおいて、加圧シリンダー（１３）により、誘電体層の厚み方向（図５中、矢印で示す方向）に荷重２ｋｇｆ／ｃｍ２をかけて、ヒーター（１１）側の試料表面温度Ｔ１と冷却シンク（１２）側の試料表面温度Ｔ２とを測定することにより、ＡＳＴＭ－Ｄ５４７０に準拠した温度傾斜法により誘電体層の熱抵抗値（ｃｍ２・Ｋ／Ｗ）を測定した。得られた熱抵抗値に基づき、熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）を算出した。
【0055】
－誘電体層の特性－
比誘電率 ６．６
比透磁率 ０．７９
誘電正接 ０．０１以下
磁気正接 ０．６０
平均厚み １．０４７［ｍｍ］
熱伝導率 ０．５８［Ｗ／ｍＫ］
比誘電率 ６．６
比透磁率 ０．７９
誘電正接 ０．０１以下
磁気正接 ０．６０
平均厚み １．０４７［ｍｍ］
熱伝導率 ０．５８［Ｗ／ｍＫ］
【0056】
図６に、実施例１の電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性を示す。
図６中、実線は、実施例１の電磁波干渉吸収体の実測値を示し、破線は、吸収性能２０ｄＢを示す。電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性、及び熱伝導率の評価結果を以下に示す。
－電磁波干渉吸収体の特性－
Ｄｉｐ周波数 ２８．２［ＧＨｚ］
Ｄｉｐ深さ －４７．０［ｄＢ］
Ｄｉｐ帯域（－２０ｄＢ以上） ４．４［ＧＨｚ］
図６中、実線は、実施例１の電磁波干渉吸収体の実測値を示し、破線は、吸収性能２０ｄＢを示す。電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性、及び熱伝導率の評価結果を以下に示す。
－電磁波干渉吸収体の特性－
Ｄｉｐ周波数 ２８．２［ＧＨｚ］
Ｄｉｐ深さ －４７．０［ｄＢ］
Ｄｉｐ帯域（－２０ｄＢ以上） ４．４［ＧＨｚ］
【0057】
（実施例２）
実施例１において、低誘電材料としての中空ガラスを、シリカ（ＳＯ－Ｃ２、粒径：０．４～０．６μｍ、比表面積：４～７ｍ２／ｇ、株式会社アドマテックス製）に代え、下記の配合比としたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２の誘電体層用組成物、誘電体層、及び電磁波干渉吸収体を製造し、電磁波干渉吸収特性、及び熱伝導率を評価した。
－誘電体層用組成物の配合比－
カルボニル鉄粉 ２３．７体積％
シリカ ２６．３体積％
シリコーン樹脂 ５０．０体積％
実施例１において、低誘電材料としての中空ガラスを、シリカ（ＳＯ－Ｃ２、粒径：０．４～０．６μｍ、比表面積：４～７ｍ２／ｇ、株式会社アドマテックス製）に代え、下記の配合比としたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２の誘電体層用組成物、誘電体層、及び電磁波干渉吸収体を製造し、電磁波干渉吸収特性、及び熱伝導率を評価した。
－誘電体層用組成物の配合比－
カルボニル鉄粉 ２３．７体積％
シリカ ２６．３体積％
シリコーン樹脂 ５０．０体積％
【0058】
なお、前記式（１）で表される無反射条件を満たす、前記誘電体層の材料の配合比については、実施例１と同様の方法により求めた。
具体的には、シリコーン樹脂の配合比を一定（５０．０体積％）とし、カルボニル鉄粉及びシリカの配合比を変えた２点以上の電磁波干渉吸収体サンプル（平均厚み１．０ｍｍ程度）を作製し、各サンプルにおける誘電体層の特性を測定した。次いで、配合比の異なるサンプルにおいて得られた特性から、誘電正接が０．０４の場合の比誘電率、比透磁率、及び磁気正接の関係について近似式を得た。得られた近似式と、誘電正接が０．０４の場合の無反射条件との交点を求めることにより、無反射条件を満たす誘電体層を形成できる、上記の誘電体層用塗布液の配合比を求めた。
具体的には、シリコーン樹脂の配合比を一定（５０．０体積％）とし、カルボニル鉄粉及びシリカの配合比を変えた２点以上の電磁波干渉吸収体サンプル（平均厚み１．０ｍｍ程度）を作製し、各サンプルにおける誘電体層の特性を測定した。次いで、配合比の異なるサンプルにおいて得られた特性から、誘電正接が０．０４の場合の比誘電率、比透磁率、及び磁気正接の関係について近似式を得た。得られた近似式と、誘電正接が０．０４の場合の無反射条件との交点を求めることにより、無反射条件を満たす誘電体層を形成できる、上記の誘電体層用塗布液の配合比を求めた。
【0059】
－誘電体層の特性－
比誘電率 ７．３
比透磁率 ０．７８
誘電正接 ０．０４
磁気正接 ０．３６
平均厚み １．０［ｍｍ］
熱伝導率 ０．８２［Ｗ／ｍＫ］
比誘電率 ７．３
比透磁率 ０．７８
誘電正接 ０．０４
磁気正接 ０．３６
平均厚み １．０［ｍｍ］
熱伝導率 ０．８２［Ｗ／ｍＫ］
【0060】
図７に、実施例２の電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性を示す。
図７中、実線は、実施例２の電磁波干渉吸収体の実測値を示し、破線は、吸収性能２０ｄＢを示す。電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性、及び誘電体層の熱伝導率の評価結果を以下に示す。
－電磁波干渉吸収体の特性－
Ｄｉｐ周波数 ２９．０［ＧＨｚ］
Ｄｉｐ深さ －２９．６［ｄＢ］
Ｄｉｐ帯域（－２０ｄＢ以上） ４．４［ＧＨｚ］
図７中、実線は、実施例２の電磁波干渉吸収体の実測値を示し、破線は、吸収性能２０ｄＢを示す。電磁波干渉吸収体の電磁波干渉吸収特性、及び誘電体層の熱伝導率の評価結果を以下に示す。
－電磁波干渉吸収体の特性－
Ｄｉｐ周波数 ２９．０［ＧＨｚ］
Ｄｉｐ深さ －２９．６［ｄＢ］
Ｄｉｐ帯域（－２０ｄＢ以上） ４．４［ＧＨｚ］
【0061】
（比較例１）
実施例１の電磁波干渉吸収体に代えて、比較例１としてノイズ抑制熱伝導シート（商品名：Ｅ８０００Ｋ、デクセリアルズ株式会社製）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして評価を行った。
ノイズ抑制熱伝導シート（Ｅ８０００Ｋ、デクセリアルズ株式会社製）は、誘電体層がシリコーン樹脂、及び磁性粉を含み、熱伝導率が２．５Ｗ／ｍＫであった。
実施例１の電磁波干渉吸収体に代えて、比較例１としてノイズ抑制熱伝導シート（商品名：Ｅ８０００Ｋ、デクセリアルズ株式会社製）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして評価を行った。
ノイズ抑制熱伝導シート（Ｅ８０００Ｋ、デクセリアルズ株式会社製）は、誘電体層がシリコーン樹脂、及び磁性粉を含み、熱伝導率が２．５Ｗ／ｍＫであった。
【0062】
実施例１～２の結果から、誘電体層において高損失材料に、無反射条件を満たす配合比で低誘電材料を配合することにより、誘電体層の比誘電率を低減することができ、１層型の電磁波干渉吸収体の高周波数のＤｉｐ帯域を広帯域化できることが分かった。加えて、断熱性能が高い低誘電材料を多く配合することにより、比較例１（従来品）に比べて熱伝導率が低い、すなわち、断熱性能に優れる電磁波干渉吸収体を得ることができることが分かった。
【符号の説明】
【0063】
１ 電磁波反射層
２ 誘電体層
１０ 電磁波干渉吸収体
２ 誘電体層
１０ 電磁波干渉吸収体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
