知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024031783
(43)【公開日】2024-03-07
(54)【発明の名称】多層基板
(51)【国際特許分類】
H01Q 13/08 20060101AFI20240229BHJP
H01P 5/02 20060101ALI20240229BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240229BHJP
【ＦＩ】
H01Q13/08
H01P5/02 603A
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023069904
(22)【出願日】2023-04-21
(31)【優先権主張番号】P 2022132684
(32)【優先日】2022-08-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000970
【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】川辺 健太朗
【テーマコード（参考）】
5E316
5J045
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA43
5E316BB02
5E316BB04
5E316CC10
5E316CC12
5E316FF27
5E316HH06
5J045DA10
5J045HA02
5J045MA07
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、信号導体層と放射導体層との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる多層基板を提供することである。
【解決手段】第２接続区間Ａ１２の線幅方向の最大幅は、第１接続区間Ａ１１の線幅方向の最大幅より小さい。第１中間区間Ａ２１は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第１太線区間Ａ２１ｂを含んでいる。第２中間区間Ａ２２は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第２太線区間Ａ２２ｂを含んでいる。第１太線区間Ａ２１ｂ及び第２太線区間Ａ２２ｂは、線路区間Ａ３１に隣接している。
【選択図】図３
【解決手段】第２接続区間Ａ１２の線幅方向の最大幅は、第１接続区間Ａ１１の線幅方向の最大幅より小さい。第１中間区間Ａ２１は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第１太線区間Ａ２１ｂを含んでいる。第２中間区間Ａ２２は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第２太線区間Ａ２２ｂを含んでいる。第１太線区間Ａ２１ｂ及び第２太線区間Ａ２２ｂは、線路区間Ａ３１に隣接している。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がＺ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりＺ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第１接続区間、第２接続区間、線路区間、第１中間区間及び第２中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第１中間区間は、前記第１接続区間に隣接しており、前記第２中間区間は、前記第２接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第１中間区間及び前記第２中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第１グランド導体層と、
前記第１接続区間に接触している第１層間接続導体と、
前記第２接続区間に接触している第２層間接続導体と、
を備えており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Ｚ軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第１接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第１端部に位置しており、前記第２接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第２端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第２端部は前記接続導体層の第１端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第１接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第１層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第２接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第２層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第２接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第１接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第１中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第１太線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第２太線区間を含んでおり、
前記第１太線区間及び前記第２太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第１接続区間、第２接続区間、線路区間、第１中間区間及び第２中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第１中間区間は、前記第１接続区間に隣接しており、前記第２中間区間は、前記第２接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第１中間区間及び前記第２中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第１グランド導体層と、
前記第１接続区間に接触している第１層間接続導体と、
前記第２接続区間に接触している第２層間接続導体と、
を備えており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Ｚ軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第１接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第１端部に位置しており、前記第２接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第２端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第２端部は前記接続導体層の第１端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第１接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第１層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第２接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第２層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第２接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第１接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第１中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第１太線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第２太線区間を含んでおり、
前記第１太線区間及び前記第２太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。
【請求項2】
前記第１太線区間の前記線幅方向の幅は、前記第２太線区間の前記線幅方向の幅より大きい、
請求項１に記載の多層基板。
請求項１に記載の多層基板。
【請求項3】
前記第１中間区間は、前記第１太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第１細線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記第２太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第２細線区間を含んでおり、
前記第１細線区間は、前記第１接続区間に隣接しており、
前記第２細線区間は、前記第２接続区間に隣接している、
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の多層基板。
前記第２中間区間は、前記第２太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第２細線区間を含んでおり、
前記第１細線区間は、前記第１接続区間に隣接しており、
前記第２細線区間は、前記第２接続区間に隣接している、
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の多層基板。
【請求項4】
前記第１細線区間の前記線幅方向の幅及び前記第２細線区間の前記線幅方向の幅は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より小さい、
請求項３に記載の多層基板。
請求項３に記載の多層基板。
【請求項5】
前記第１グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記放射導体層と重なっている、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
【請求項6】
前記積層体は、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向に並ぶ第１区間及び第２区間を有しており、
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第１区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間に位置している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第１区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間に位置している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
【請求項7】
前記積層体は、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向にこの順に並ぶ第１区間、第２区間及び第３区間を有しており、
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記第３区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第３区間に位置し、かつ、前記第１区間及び前記第２区間に位置しない第２グランド導体層を、
更に備えており、
前記第１グランド導体層は、前記第１区間、前記第２区間及び前記第３区間に位置しており、
前記第２グランド導体層は、前記信号導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間において、前記第１グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第３区間において、前記第１グランド導体層及び前記第２グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記第３区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第３区間に位置し、かつ、前記第１区間及び前記第２区間に位置しない第２グランド導体層を、
更に備えており、
前記第１グランド導体層は、前記第１区間、前記第２区間及び前記第３区間に位置しており、
前記第２グランド導体層は、前記信号導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間において、前記第１グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第３区間において、前記第１グランド導体層及び前記第２グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
【請求項8】
前記積層体は、第１積層体部及び第２積層体部を含んでおり、
前記第１積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置する１以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する１以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部の主たる絶縁材料は、前記第１積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
前記第１積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置する１以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する１以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部の主たる絶縁材料は、前記第１積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
【請求項9】
前記第２積層体部の主たる絶縁材料のヤング率は、前記第１積層体部の主たる絶縁材料のヤング率より高い、
請求項８に記載の多層基板。
請求項８に記載の多層基板。
【請求項10】
前記第２層間接続導体の材料は、前記第１層間接続導体の材料と異なる、
請求項８に記載の多層基板。
請求項８に記載の多層基板。
【請求項11】
前記積層体は、可撓性を有している、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
【請求項12】
前記複数の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂である、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、放射導体層を備える多層基板に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の多層基板に関する発明としては、特許文献１に記載のアンテナモジュールが知られている。アンテナモジュールは、アンテナパッケージ及び接続部材を備えている。接続部材は、可撓性を有する帯状の基板である。接続部材は、給電線を含んでいる。アンテナパッケージは、接続部材の上に固定されている。アンテナパッケージは、パッチアンテナを含んでいる。パッチアンテナは、給電線と電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０２０／０１９４８９３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、特許文献１に記載のアンテナモジュールにおいて、パッチアンテナと給電線との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生する場合がある。
【0005】
そこで、本発明の目的は、信号導体層と放射導体層との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる多層基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一形態に係る多層基板は、
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がＺ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりＺ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第１接続区間、第２接続区間、線路区間、第１中間区間及び第２中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第１中間区間は、前記第１接続区間に隣接しており、前記第２中間区間は、前記第２接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第１中間区間及び前記第２中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第１グランド導体層と、
前記第１接続区間に接触している第１層間接続導体と、
前記第２接続区間に接触している第２層間接続導体と、
を備えており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Ｚ軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第１接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第１端部に位置しており、前記第２接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第２端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第２端部は前記接続導体層の第１端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第１接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第１層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第２接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第２層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第２接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第１接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第１中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第１太線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第２太線区間を含んでおり、
前記第１太線区間及び前記第２太線区間は、前記線路区間に隣接している。
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がＺ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりＺ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第１接続区間、第２接続区間、線路区間、第１中間区間及び第２中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第１中間区間は、前記第１接続区間に隣接しており、前記第２中間区間は、前記第２接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第１中間区間及び前記第２中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第１グランド導体層と、
前記第１接続区間に接触している第１層間接続導体と、
前記第２接続区間に接触している第２層間接続導体と、
を備えており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Ｚ軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第１接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第１端部に位置しており、前記第２接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第２端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第２端部は前記接続導体層の第１端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第１接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第１層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第２接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第２層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第２接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第１接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第１中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第１太線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第２太線区間を含んでおり、
前記第１太線区間及び前記第２太線区間は、前記線路区間に隣接している。
【発明の効果】
【0007】
本発明に係る多層基板によれば、信号導体層と放射導体層との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
（第１実施形態）
［多層基板１０の構造］
以下に、本発明の第１実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。図３は、接続導体層２４の上面図である。
［多層基板１０の構造］
以下に、本発明の第１実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。図３は、接続導体層２４の上面図である。
【0010】
以下では、多層基板１０の積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。上下方向は、Ｚ軸方向と一致する。上方向は、Ｚ軸の正方向である。下方向は、Ｚ軸の負方向である。多層基板１０を上下方向に見て、多層基板１０の辺が延びる２方向のそれぞれを左右方向及び前後方向と定義する。左右方向は、Ｘ軸方向と一致する。前後方向は、Ｙ軸方向と一致する。左右方向は、上下方向に直交している。前後方向は、上下方向及び左右方向に直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、多層基板１０の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。また、各図面において上下方向が反転してもよい。同様に、各図面において左右方向が反転してもよい。各図面において前後方向が反転してもよい。
【0011】
以下では、Ｘは、多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。
【0012】
多層基板１０は、例えば、携帯電話等の電子機器に用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、第２グランド導体層１８、放射導体層２０、接続導体層２２ａ，２２ｂ，２４、信号導体層２６、第１グランド導体層２８及び層間接続導体ｖ１～ｖ４を備えている。
【0013】
積層体１２は、板形状を有している。積層体１２は、絶縁体層１４ａ～１４ｇ及び保護層１５ａ～１５ｃがＺ軸方向に積層された構造を有している。絶縁体層１４ａ～１４ｄ及び保護層１５ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。絶縁体層１４ｅ～１４ｇ及び保護層１５ｂ，１５ｃは、上下方向に見て、左右方向に延びる帯形状を有している。保護層１５ａ、絶縁体層１４ａ～１４ｆ及び保護層１５ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１４ｅ，１４ｆ及び保護層１５ｂは、上下方向に見て、絶縁体層１４ａ～１４ｄから右方向に延びている。
【0014】
絶縁体層１４ｇは、絶縁体層１４ｅの上に積層されている。絶縁体層１４ｇは、絶縁体層１４ｄの右に位置している。ただし、絶縁体層１４ｇは、絶縁体層１４ｄに接触していない。保護層１５ｃは、絶縁体層１４ｇの上に積層されている。
【0015】
以上のような絶縁体層１４ａ～１４ｇ及び保護層１５ａ～１５ｃのそれぞれは、上主面（正主面）、及び、上主面（正主面）より下（Ｚ軸の負側）に位置する下主面（負主面）を有している。また、絶縁体層１４ａ～１４ｇは、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄ及び負側隣接絶縁体層である絶縁体層１４ｅを含んでいる。負側隣接絶縁体層である絶縁体層１４ｅは、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄの下（Ｚ軸の負側）に位置し、かつ、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄに接触している。
【0016】
絶縁体層１４ａ～１４ｇの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。保護層１５ａ～１５ｃは、絶縁体層の上主面又は下主面に塗布される絶縁膜である。保護層１５ａ～１５ｃのそれぞれは、放射導体層２０、第１グランド導体層２８及び第２グランド導体層１８を保護している。以上のような積層体１２は、可撓性を有している。
【0017】
ここで、積層体１２は、図２に示すように、左右方向（Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向）にこの順に並ぶ第１区間Ａ１、第２区間Ａ２及び第３区間Ａ３を有している。第１区間Ａ１、第２区間Ａ２及び第３区間Ａ３は、左から右へとこの順に並んでいる。第１区間Ａ１の上下方向（Ｚ軸方向）の厚みは、第２区間Ａ２の上下方向（Ｚ軸方向）の厚みより大きい。第３区間Ａ３の上下方向（Ｚ軸方向）の厚みは、第２区間Ａ２の上下方向（Ｚ軸方向）の厚みより大きい。第３区間Ａ３の上下方向（Ｚ軸方向）の厚みは、第１区間Ａ１の上下方向（Ｚ軸方向）の厚みより小さい。
【0018】
また、積層体１２は、図２に示すように、第１積層体部１２ａ及び第２積層体部１２ｂを含んでいる。第１積層体部１２ａは、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄより上（Ｚ軸の正側）に位置する絶縁体層１４ａ～１４ｃ、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄ、及び、保護層１５ａを含んでいる。第２積層体部１２ｂは、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄより下（Ｚ軸の負側）に位置する絶縁体層１４ｅ，１４ｆを含んでいる。第２積層体部１２ｂは、絶縁体層１４ｇ及び保護層１５ｂ，１５ｃを更に含んでいる。積層体１２は、第１積層体部１２ａを熱圧着し、第２積層体部１２ｂを熱圧着した後に、第１積層体部１２ａと第２積層体部１２ｂとを熱圧着することにより、作成される。
【0019】
放射導体層２０は、パッチアンテナとして機能する。放射導体層２０は、高周波信号を放射及び／又は受信する。放射導体層２０は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。放射導体層２０は、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄより上（Ｚ軸の正側）に位置している。より詳細には、放射導体層２０は、絶縁体層１４ａの上主面に位置している。放射導体層２０は、上下方向に見て、左右方向及び前後方向に延びる対角線を有するひし形状を有している。
【0020】
信号導体層２６には、高周波信号が伝送される。信号導体層２６は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。信号導体層２６は、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄより下（Ｚ軸の負側）に位置している。より詳細には、信号導体層２６は、絶縁体層１４ｅの下主面に位置している。信号導体層２６は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。信号導体層２６は、図２に示すように、第１区間Ａ１、第２区間Ａ２及び第３区間Ａ３に位置している。
【0021】
接続導体層２４には、高周波信号が伝送される。接続導体層２４は、積層体１２に設けられている。接続導体層２４は、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄの下主面（負主面）に位置している。より詳細には、接続導体層２４は、絶縁体層１４ｄの下主面に位置している。接続導体層２４は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層２４の右端部は、上下方向に見て、信号導体層２６の左端部と重なっている。接続導体層２４は、図２に示すように、第１区間Ａ１に位置している。接続導体層２４は、第２区間Ａ２及び第３区間Ａ３に位置していない。
【0022】
第１グランド導体層２８は、グランド電位に接続される。第１グランド導体層２８は、積層体１２に設けられている。第１グランド導体層２８は、接続導体層２４及び信号導体層２６より下（Ｚ軸の負側）に位置している。第１グランド導体層２８は、絶縁体層１４ｆの下主面に位置している。第１グランド導体層２８は、絶縁体層１４ｆの下主面のほぼ全体を覆っている。これにより、第１グランド導体層２８は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、接続導体層２４の少なくとも一部分及び信号導体層２６の少なくとも一部分と重なっている。本実施形態では、第１グランド導体層２８は、上下方向に見て、接続導体層２４の全体及び信号導体層２６の全体と重なっている。また、第１グランド導体層２８と接続導体層２４との間には、導体が存在しない。第１グランド導体層２８と信号導体層２６との間には、導体が存在しない。更に、第１グランド導体層２８は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、放射導体層２０と重なっている。以上のような第１グランド導体層２８は、第１区間Ａ１、第２区間Ａ２及び第３区間Ａ３に位置している。
【0023】
第２グランド導体層１８は、グランド電位に接続される。第２グランド導体層１８は、積層体１２に設けられている。第２グランド導体層１８は、信号導体層２６より上（Ｚ軸の正側）に位置している。第２グランド導体層１８は、絶縁体層１４ｇの上主面に位置している。第２グランド導体層１８は、絶縁体層１４ｇの上主面のほぼ全体を覆っている。これにより、第２グランド導体層１８は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、信号導体層２６の少なくとも一部分と重なっている。本実施形態では、第２グランド導体層１８は、上下方向に見て、信号導体層２６の全体と重なっている。また、第２グランド導体層１８と信号導体層２６との間には、層間接続導体ｖ４及び第１グランド導体層２８以外の導体が存在しない。以上のような第２グランド導体層１８は、第３区間Ａ３に位置している。第２グランド導体層１８は、第１区間Ａ１及び第２区間Ａ２に位置していない。
【0024】
以上のように、信号導体層２６は、第１区間Ａ１及び第２区間Ａ２において、第１グランド導体層２８と共にマイクロストリップライン構造を形成している。信号導体層２６は、第３区間Ａ３において、第１グランド導体層２８及び第２グランド導体層１８と共にストリップライン構造を形成している。これにより、信号導体層２６に発生している特性インピーダンスは、所定の特性インピーダンス（５０Ω）である。
【0025】
接続導体層２２ａは、絶縁体層１４ｂの上主面に位置している。接続導体層２２ａは、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層２２ａの左端部は、上下方向に見て、放射導体層２０と重なっている。
【0026】
接続導体層２２ｂは、絶縁体層１４ｃの上主面に位置している。接続導体層２２ｂは、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層２２ｂの左端部は、上下方向に見て、接続導体層２４の左端部と重なっている。接続導体層２２ｂの右端部は、上下方向に見て、接続導体層２２ａの右端部と重なっている。
【0027】
層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１４ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１は、放射導体層２０及び接続導体層２２ａの左端部に接触している。これにより、層間接続導体ｖ１は、放射導体層２０と接続導体層２２ａとを電気的に接続している。
【0028】
層間接続導体ｖ２は、絶縁体層１４ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ２は、接続導体層２２ａの右端部及び接続導体層２２ｂの右端部に接触している。これにより、層間接続導体ｖ２は、接続導体層２２ａと接続導体層２２ｂとを電気的に接続している。
【0029】
層間接続導体ｖ３は、第２層間接続導体の一例である。層間接続導体ｖ３は、中間絶縁体層である絶縁体層１４ｄ及び絶縁体層１４ｃを上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。層間接続導体ｖ３は、接続導体層２２ｂの左端部及び接続導体層２４の左端部に接触している。これにより、層間接続導体ｖ３は、接続導体層２２ｂと接続導体層２４とを電気的に接続している。このように、層間接続導体ｖ３は、放射導体層２０に電気的に接続されている。
【0030】
層間接続導体ｖ４は、第１層間接続導体の一例である。層間接続導体ｖ４は、負側隣接絶縁体層である絶縁体層１４ｅを上下方向（Ｚ軸方向）に貫通している。層間接続導体ｖ４は、接続導体層２４の右端部及び信号導体層２６の左端部に接触している。これにより、層間接続導体ｖ４は、接続導体層２４と信号導体層２６とを電気的に接続している。従って、層間接続導体ｖ４は、信号導体層２６に電気的に接続されている。
【0031】
ここで、層間接続導体ｖ３から放射導体層２０までの電流経路の長さは、後述する層間接続導体ｖ４から放射導体層２０までの電流経路の長さより短い。層間接続導体ｖ４から信号導体層２６までの電流経路の長さは、層間接続導体ｖ３から信号導体層２６までの電流経路の長さより短い。
【0032】
以上のような第２グランド導体層１８、放射導体層２０、接続導体層２２ａ，２２ｂ，２４、信号導体層２６及び第１グランド導体層２８は、絶縁体層１４ａ～１４ｇの上主面又は下主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体ｖ１～ｖ３は、例えば、絶縁体層１４ａ～１４ｄを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固化されることにより形成される。層間接続導体ｖ４は、絶縁体層１４ｅを上下方向に貫通する貫通孔に半田が充填されることにより形成される。このように、第２層間接続導体である層間接続導体ｖ３の材料は、第１層間接続導体である層間接続導体ｖ４の材料と異なる。
【0033】
以下に、接続導体層２４の構造の詳細について図３を参照しながら説明する。接続導体層２４が伸びている方向を延伸方向と定義する。延伸方向は、左右方向である。延伸方向及び上下方向（Ｚ軸方向）に直交する方向を線幅方向と定義する。線幅方向は、前後方向である。
【0034】
接続導体層２４は、第１接続区間Ａ１１、第２接続区間Ａ１２、線路区間Ａ３１、第１中間区間Ａ２１及び第２中間区間Ａ２２を含んでいる。第１接続区間Ａ１１、第１中間区間Ａ２１、線路区間Ａ３１、第２中間区間Ａ２２及び第２接続区間Ａ１２は、右から左へとこの順に並んでいる。従って、第１中間区間Ａ２１は、第１接続区間Ａ１１に隣接している。第２中間区間Ａ２２は、第２接続区間Ａ１２に隣接している。線路区間Ａ３１は、第１中間区間Ａ２１及び第２中間区間Ａ２２に隣接している。第１接続区間Ａ１１は延伸方向における接続導体層２４の右端部（第１端部）に位置している。第２接続区間Ａ１２は延伸方向における接続導体層２４の左端部（第２端部）に位置している。従って、第１接続区間Ａ１１の右端は接続導体層２４の右端に一致している。第２接続区間Ａ１２の左端は接続導体層２４の左端に一致している。
【0035】
層間接続導体ｖ４（第１層間接続導体）は、第１接続区間Ａ１１に接触している。延伸方向である左右方向において、第１接続区間Ａ１１の両端は、上下方向（Ｚ軸方向）に見た層間接続導体ｖ４（第１層間接続導体）の中心から等しい距離に位置している。従って、層間接続導体ｖ４の中心から第１接続区間Ａ１１の左端までの距離は、層間接続導体ｖ４の中心から第１接続区間Ａ１１の右端までの距離と等しい。
【0036】
層間接続導体ｖ３（第２層間接続導体）は、第２接続区間Ａ１２に接触している。延伸方向である左右方向において、第２接続区間Ａ１２の両端は、上下方向（Ｚ軸方向）に見た層間接続導体ｖ３（第２層間接続導体）の中心から等しい距離に位置している。従って、層間接続導体ｖ３の中心から第２接続区間Ａ１２の左端までの距離は、層間接続導体ｖ３の中心から第２接続区間Ａ１２の右端までの距離と等しい。第２接続区間Ａ１２の前後方向（線幅方向）の最大幅は、第１接続区間Ａ１１の前後方向（線幅方向）の最大幅より小さい。第１接続区間Ａ１１及び第２接続区間Ａ１２は、円形状を有している。第２接続区間Ａ１２の直径は、第１接続区間Ａ１１の直径より小さい。
【0037】
第１中間区間Ａ２１は、第１細線区間Ａ２１ａ及び第１太線区間Ａ２１ｂを含んでいる。第１細線区間Ａ２１ａは、第２太線区間Ａ２２ｂの前後方向（線幅方向）の幅より小さな前後方向（線幅方向）の幅を有している。第１太線区間Ａ２１ｂは、線路区間Ａ３１に隣接している。第１太線区間Ａ２１ｂは、線路区間Ａ３１の前後方向（線幅方向）の幅より大きな前後方向（線幅方向）の幅を有している。
【0038】
第２中間区間Ａ２２は、第２細線区間Ａ２２ａ及び第２太線区間Ａ２２ｂを含んでいる。第２細線区間Ａ２２ａは、第２太線区間Ａ２２ｂの前後方向（線幅方向）の幅より小さな前後方向（線幅方向）の幅を有している。第２太線区間Ａ２２ｂは、線路区間Ａ３１に隣接している。第２太線区間Ａ２２ｂは、線路区間Ａ３１の前後方向（線幅方向）の幅より小さな前後方向（線幅方向）の幅を有している。
【0039】
［効果］
多層基板１０によれば、信号導体層２６と放射導体層２０との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。以下に、図面を参照しながら説明する。図４は、スミスチャートである。Ｚ０は、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスである。Ｚ０は、５０Ωである。Ｚ１は、第１接続区間Ａ１１に発生している特性インピーダンスである。Ｚ１は、例えば、２０Ωである。
多層基板１０によれば、信号導体層２６と放射導体層２０との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。以下に、図面を参照しながら説明する。図４は、スミスチャートである。Ｚ０は、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスである。Ｚ０は、５０Ωである。Ｚ１は、第１接続区間Ａ１１に発生している特性インピーダンスである。Ｚ１は、例えば、２０Ωである。
【0040】
より詳細には、多層基板１０では、接続導体層２４の第１接続区間Ａ１１及び第２接続区間Ａ１２の線幅方向の幅は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きい。また、第１接続区間Ａ１１には層間接続導体ｖ４が接触している。第２接続区間Ａ１２には層間接続導体ｖ３が接触している。そのため、接続導体層２４の第１接続区間Ａ１１及び第２接続区間Ａ１２に発生する特性インピーダンスは、所望の特定インピーダンス（５０Ω）からずれやすい。
【0041】
そこで、接続導体層２４は、第１中間区間Ａ２１を含んでいる。第１中間区間Ａ２１は、第２太線区間Ａ２２ｂの線幅方向の幅より小さな線幅方向の幅を有する第１細線区間Ａ２１ａを含んでいる。第１中間区間Ａ２１は、第１接続区間Ａ１１に隣接している。これにより、第１細線区間Ａ２１ａは、インダクタンスとして機能する。すなわち、線路区間Ａ３１に直列にインダクタが接続されている。これにより、図４のスミスチャートの矢印Ｘ１に示すように、第１細線区間Ａ２１ａは、Ｚ１を起点として時計回りにインピーダンスを回転させる。
【0042】
また、第１中間区間Ａ２１は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第１太線区間Ａ２１ｂを含んでいる。そして、第１太線区間Ａ２１ｂは、線路区間Ａ３１に隣接している。また、第１太線区間Ａ２１ｂは、上下方向に見て、第１グランド導体層２８と重なっている。そのため、第１太線区間Ａ２１ｂには、容量が発生している。すなわち、線路区間Ａ３１に並列に容量が接続されている。これにより、図４のスミスチャートの矢印Ｘ２に示すように、第１太線区間Ａ２１ｂは、矢印Ｘ１の先端を起点として時計回りにインピーダンスを回転させる。
【0043】
その結果、第１中間区間Ａ２１により、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスと第１接続区間Ａ１１に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。なお、説明を省略するが、同じ原理により、第２中間区間Ａ２２により、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスと第２接続区間Ａ１２に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。以上より、多層基板１０によれば、信号導体層２６と放射導体層２０との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。そして、信号導体層２６と放射導体層２０との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制されることにより、多層基板１０の広帯域化が図られている。
【0044】
また、多層基板１０によれば、第１接続区間Ａ１１と層間接続導体ｖ４とがより確実に接続される。より詳細には、積層体１２は、第１積層体部１２ａを熱圧着し、第２積層体部１２ｂを熱圧着した後に、第１積層体部１２ａと第２積層体部１２ｂとを熱圧着することにより、作成される。第１積層体部１２ａと第２積層体部１２ｂとの熱圧着の際に、第１接続区間Ａ１１と層間接続導体ｖ４とが接続される。そこで、第１接続区間Ａ１１の線幅方向の最大幅は、第２接続区間Ａ１２の線幅方向の最大幅より大きい。これにより、第１接続区間Ａ１１と層間接続導体ｖ４とがより確実に接続される。
【0045】
（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る接続導体層２４ａについて図面を参照しながら説明する。図５は、接続導体層２４ａの上面図である。
以下に、第１変形例に係る接続導体層２４ａについて図面を参照しながら説明する。図５は、接続導体層２４ａの上面図である。
【0046】
接続導体層２４ａは、以下の点において接続導体層２４と相違する。
・第１太線区間Ａ２１ｂの線幅方向の幅ｗ１は、第２太線区間Ａ２２ｂの線幅方向の幅ｗ２より大きい。
・第１細線区間Ａ２１ａの線幅方向の幅ｗ１１及び第２細線区間Ａ２２ａ線幅方向の幅ｗ１２は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅ｗ３より小さい。
・第１太線区間Ａ２１ｂの線幅方向の幅ｗ１は、第２太線区間Ａ２２ｂの線幅方向の幅ｗ２より大きい。
・第１細線区間Ａ２１ａの線幅方向の幅ｗ１１及び第２細線区間Ａ２２ａ線幅方向の幅ｗ１２は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅ｗ３より小さい。
【0047】
接続導体層２４ａのその他の構造は、接続導体層２４の構造と同じであるので説明を省略する。接続導体層２４ａを備える多層基板１０は、接続導体層２４を備える多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。
【0048】
また、接続導体層２４ａを備える多層基板１０によれば、第１中間区間Ａ２１により、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスと第１接続区間Ａ１１に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。第１接続区間Ａ１１の線幅方向の最大幅は、第２接続区間Ａ１２の線幅方向の最大幅より大きい。そのため、第１接続区間Ａ１１に発生する特性インピーダンスは、第２接続区間Ａ１２に発生する特性インピーダンスより小さい。すなわち、所定の特性インピーダンス（５０Ω）と第１接続区間Ａ１１に発生する特性インピーダンスとの差が大きくなる。そこで、第１太線区間Ａ２１ｂの線幅方向の幅ｗ１は、第２太線区間Ａ２２ｂの線幅方向の幅ｗ２より大きい。これにより、第１太線区間Ａ２１ｂに発生する容量値が大きくなる。第１細線区間Ａ２１ａの線幅方向の幅ｗ１１及び第２細線区間Ａ２２ａの線幅方向の幅ｗ１２は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅ｗ３より小さい。これにより、第１細線区間Ａ２１ａに発生するインダクタンス値が大きくなる。その結果、第１中間区間Ａ２１により、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスと第１接続区間Ａ１１に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。
【0049】
（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る接続導体層２４ｂについて図面を参照しながら説明する。図６は、接続導体層２４ｂの上面図である。
以下に、第２変形例に係る接続導体層２４ｂについて図面を参照しながら説明する。図６は、接続導体層２４ｂの上面図である。
【0050】
接続導体層２４ｂは、第１太線区間Ａ２１ｂ及び第２太線区間Ａ２２ｂの形状において、接続導体層２４ａと相違する。第１太線区間Ａ２１ｂ及び第２太線区間Ａ２２ｂは、テーパ形状を有している。第１太線区間Ａ２１ｂ及び第２太線区間Ａ２２ｂは、線路区間Ａ３１に近づくに従って線幅方向の幅が小さくなっている。これにより、第１太線区間Ａ２１ｂ及び第２太線区間Ａ２２ｂに発生する特性インピーダンスの急激な変化が抑制されている。接続導体層２４ｂのその他の構造は、接続導体層２４ａと同じである。接続導体層２４ｂを備える多層基板１０は、接続導体層２４ａを備える多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。
【0051】
（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る接続導体層２４ｃについて図面を参照しながら説明する。図７は、接続導体層２４ｃの上面図である。
以下に、第３変形例に係る接続導体層２４ｃについて図面を参照しながら説明する。図７は、接続導体層２４ｃの上面図である。
【0052】
接続導体層２４ｃは、第１細線区間Ａ２１ａ及び第２細線区間Ａ２２ａが存在しない点において接続導体層２４と相違する。第１太線区間Ａ２１ｂは、第１接続区間Ａ１１に隣接している。第２太線区間Ａ２２ｂは、第２接続区間Ａ１２に隣接している。接続導体層２４ｃのその他の構造は、接続導体層２４と同じであるので説明を省略する。
【0053】
接続導体層２４ｃを備える多層基板１０によれば、信号導体層２６と放射導体層２０との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。以下に、図面を参照しながら説明する。図８は、スミスチャートである。Ｚ０は、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスである。Ｚ０は、５０Ωである。Ｚ１は、第１接続区間Ａ１１に発生している特性インピーダンスである。Ｚ１は、例えば、２０Ωである。
【0054】
より詳細には、多層基板１０では、接続導体層２４ｃの第１接続区間Ａ１１及び第２接続区間Ａ１２の線幅方向の幅は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きい。また、第１接続区間Ａ１１には層間接続導体ｖ４が接触している。第２接続区間Ａ１２には層間接続導体ｖ３が接触している。そのため、接続導体層２４ｃの第１接続区間Ａ１１及び第２接続区間Ａ１２に発生する特性インピーダンスは、所望の特定インピーダンス（５０Ω）からずれやすい。
【0055】
そこで、接続導体層２４ｃは、第１中間区間Ａ２１を含んでいる。第１太線区間Ａ２１ｂは、上下方向に見て、第１グランド導体層２８と重なっている。これにより、第１太線区間Ａ２１ｂは、伝送線路として機能する。第１中間区間Ａ２１は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第１太線区間Ａ２１ｂを含んでいる。そのため、第１太線区間Ａ２１ｂに発生する特性インピーダンスＺ２は、所定の特性インピーダンス（５０Ω）より小さい。これにより、インピーダンスは、第１太線区間Ａ２１ｂに発生する特性インピーダンスＺ２を中心とし、かつ、Ｚ０を通過する円に沿うように移動する。そこで、第１太線区間Ａ２１ｂに発生する特性インピーダンスＺ２が適切な値に設定され、かつ、第１太線区間Ａ２１ｂの長さが適切な長さに設定される。これにより、第１中間区間Ａ２１により、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスと第１接続区間Ａ１１に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。なお、説明を省略するが、同じ原理により、第２中間区間Ａ２２により、線路区間Ａ３１に発生している特性インピーダンスと第２接続区間Ａ１２に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。以上より、接続導体層２４ｃを備える多層基板１０によれば、信号導体層２６と放射導体層２０との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。
【0056】
（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る接続導体層２４ｄについて図面を参照しながら説明する。図９は、接続導体層２４ｄの上面図である。
以下に、第４変形例に係る接続導体層２４ｄについて図面を参照しながら説明する。図９は、接続導体層２４ｄの上面図である。
【0057】
接続導体層２４ｄは、線路区間Ａ３１が、上下方向に見て、屈曲している点において、接続導体層２４と相違する。このように、線路区間Ａ３１は、直線形状を有していなくてもよい。接続導体層２４ｄのその他の構造は、接続導体層２４と同じであるので説明を省略する。接続導体層２４ｄを備える多層基板１０は、接続導体層２４を備える多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。
【0058】
（第２実施形態）
以下に、第２実施形態に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１０は、多層基板１０ａの断面図である。
以下に、第２実施形態に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１０は、多層基板１０ａの断面図である。
【0059】
多層基板１０ａは、第２積層体部１２ｂの主たる絶縁材料が第１積層体部１２ａの主たる絶縁材料と異なる点において、多層基板１０と相違する。第２積層体部１２ｂの主たる絶縁材料のヤング率は、第１積層体部１２ａの主たる絶縁材料のヤング率より高い。第１積層体部１２ａの材料は、テフロン（登録商標）やＦＲ－４である。第２積層体部１２ｂの材料は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマーである。多層基板１０ａのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ａは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。
【0060】
多層基板１０ａでは、第２積層体部１２ｂの主たる絶縁材料のヤング率は、第１積層体部１２ａの主たる絶縁材料のヤング率より高い。これにより、第２積層体部１２ｂを任意の形状に容易に加工することが可能である。
【0061】
（第３実施形態）
以下に、第３実施形態に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１１は、多層基板１０ｂの断面図である。図１２は、多層基板１０ｂに設けられた接続導体層２４の上面図である。
以下に、第３実施形態に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１１は、多層基板１０ｂの断面図である。図１２は、多層基板１０ｂに設けられた接続導体層２４の上面図である。
【0062】
多層基板１０ｂは、主に、層間接続導体ｖ３が信号導体層２６側に位置し、層間接続導体ｖ４が放射導体層２０側に位置する点において、多層基板１０と相違する。
【0063】
第３実施形態では、絶縁体層１４ｅ，１４ｆだけでなく、絶縁体層１４ｄも、絶縁体層１４ａ～１４ｃから右方向に延びている。絶縁体層１４ｇは、絶縁体層１４ｄの上に積層されている。第３実施形態では、絶縁体層１４ｃが中間絶縁体層に相当し、絶縁体層１４ｄが負側隣接絶縁体層に相当する。
【0064】
第１積層体部１２ａは絶縁体層１４ａ～１４ｃ及び保護層１５ａを含んでいる。第２積層体部１２ｂは絶縁体層１４ｄ～１４ｇ及び保護層１５ｂ，１５ｃを含んでいる。積層体１２は、第１積層体部１２ａを熱圧着し、第２積層体部１２ｂを熱圧着した後に、第１積層体部１２ａと第２積層体部１２ｂとを熱圧着することにより、作成される。
【0065】
接続導体層２４は、絶縁体層１４ｄの上主面に位置している。図１２に示すように、接続導体層２４は、第１接続区間Ａ１１から第２接続区間Ａ１２に向かう方向が右方向に一致するように設けられている。第３実施形態では、接続導体層２４の左端部が接続導体層２４の第１端部に相当し、接続導体層２４の右端部が接続導体層２４の第２端部に相当する。
【0066】
層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１４ｄ，１４ｅを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３は、接続導体層２４の右端部、即ち接続導体層２４の第２接続区間Ａ１２、及び信号導体層２６の左端部に接触している。これにより、層間接続導体ｖ３は、接続導体層２４と信号導体層２６とを電気的に接続している。従って、層間接続導体ｖ３は、信号導体層２６に電気的に接続されている。
【0067】
層間接続導体ｖ４は、絶縁体層１４ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ４は、接続導体層２２ｂの左端部、及び接続導体層２４の左端部、即ち接続導体層２４の第１接続区間Ａ１１に接触している。これにより、層間接続導体ｖ４は、接続導体層２２ｂと接続導体層２４とを電気的に接続している。従って、層間接続導体ｖ４は、放射導体層２０に電気的に接続されている。
【0068】
ここで、層間接続導体ｖ４から放射導体層２０までの電流経路の長さは、層間接続導体ｖ３から放射導体層２０までの電流経路の長さより短い。層間接続導体ｖ３から信号導体層２６までの電流経路の長さは、層間接続導体ｖ４から信号導体層２６までの電流経路の長さより短い。
【0069】
多層基板１０ｂのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｂは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。
【0070】
（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ，１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板１０，１０ａ，１０ｂの構造を任意に組み合わせてもよい。また、接続導体層２４，２４ａ～２４ｄの構造を任意に組み合わせてもよい。
本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ，１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板１０，１０ａ，１０ｂの構造を任意に組み合わせてもよい。また、接続導体層２４，２４ａ～２４ｄの構造を任意に組み合わせてもよい。
【0071】
なお、第１太線区間Ａ２１ｂの線幅方向の幅は、第２太線区間Ａ２２ｂの線幅方向の幅以下であってもよい。
【0072】
なお、第１細線区間Ａ２１ａの線幅方向の幅及び第２細線区間Ａ２２ａの線幅方向の幅は、線路区間Ａ３１の線幅方向の幅以上であってもよい。
【0073】
なお、多層基板１０，１０ａ，１０ｂは、信号導体層２６より上に位置し、かつ、上下方向に見て、信号導体層２６と重なるグランド導体を更に備えていてもよい。
【0074】
なお、積層体１２は、可撓性を有していなくてもよい。
【0075】
なお、絶縁体層１４ａ～１４ｇの材料は、熱可塑性樹脂以外の材料であってもよい。
【0076】
なお、第２層間接続導体である層間接続導体ｖ３の材料は、第１層間接続導体である層間接続導体ｖ４の材料と同じでもよい。
【0077】
本発明は、以下の構造を備える。
【0078】
（１）
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がＺ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりＺ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第１接続区間、第２接続区間、線路区間、第１中間区間及び第２中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第１中間区間は、前記第１接続区間に隣接しており、前記第２中間区間は、前記第２接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第１中間区間及び前記第２中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第１グランド導体層と、
前記第１接続区間に接触している第１層間接続導体と、
前記第２接続区間に接触している第２層間接続導体と、
を備えており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Ｚ軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第１接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第１端部に位置しており、前記第２接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第２端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第２端部は前記接続導体層の第１端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第１接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第１層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第２接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第２層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第２接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第１接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第１中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第１太線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第２太線区間を含んでおり、
前記第１太線区間及び前記第２太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がＺ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりＺ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第１接続区間、第２接続区間、線路区間、第１中間区間及び第２中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第１中間区間は、前記第１接続区間に隣接しており、前記第２中間区間は、前記第２接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第１中間区間及び前記第２中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第１グランド導体層と、
前記第１接続区間に接触している第１層間接続導体と、
前記第２接続区間に接触している第２層間接続導体と、
を備えており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Ｚ軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Ｚ軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第１接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第１端部に位置しており、前記第２接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第２端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第２端部は前記接続導体層の第１端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第１接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第１層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第２接続区間の両端は、前記Ｚ軸方向に見た前記第２層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第２接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第１接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第１中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第１太線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第２太線区間を含んでおり、
前記第１太線区間及び前記第２太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。
【0079】
（２）
前記第１太線区間の前記線幅方向の幅は、前記第２太線区間の前記線幅方向の幅より大きい、
（１）に記載の多層基板。
前記第１太線区間の前記線幅方向の幅は、前記第２太線区間の前記線幅方向の幅より大きい、
（１）に記載の多層基板。
【0080】
（３）
前記第１中間区間は、前記第１太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第１細線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記第２太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第２細線区間を含んでおり、
前記第１細線区間は、前記第１接続区間に隣接しており、
前記第２細線区間は、前記第２接続区間に隣接している、
（１）又は（２）のいずれかに記載の多層基板。
前記第１中間区間は、前記第１太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第１細線区間を含んでおり、
前記第２中間区間は、前記第２太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第２細線区間を含んでおり、
前記第１細線区間は、前記第１接続区間に隣接しており、
前記第２細線区間は、前記第２接続区間に隣接している、
（１）又は（２）のいずれかに記載の多層基板。
【0081】
（４）
前記第１細線区間の前記線幅方向の幅及び前記第２細線区間の前記線幅方向の幅は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より小さい、
（３）に記載の多層基板。
前記第１細線区間の前記線幅方向の幅及び前記第２細線区間の前記線幅方向の幅は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より小さい、
（３）に記載の多層基板。
【0082】
（５）
前記第１グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記放射導体層と重なっている、
（１）ないし（４）のいずれかに記載の多層基板。
前記第１グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記放射導体層と重なっている、
（１）ないし（４）のいずれかに記載の多層基板。
【0083】
（６）
前記積層体は、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向に並ぶ第１区間及び第２区間を有しており、
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第１区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間に位置している、
（１）ないし（５）のいずれかに記載の多層基板。
前記積層体は、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向に並ぶ第１区間及び第２区間を有しており、
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第１区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間に位置している、
（１）ないし（５）のいずれかに記載の多層基板。
【0084】
（７）
前記積層体は、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向にこの順に並ぶ第１区間、第２区間及び第３区間を有しており、
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記第３区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第３区間に位置し、かつ、前記第１区間及び前記第２区間に位置しない第２グランド導体層を、
更に備えており、
前記第１グランド導体層は、前記第１区間、前記第２区間及び前記第３区間に位置しており、
前記第２グランド導体層は、前記信号導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間において、前記第１グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第３区間において、前記第１グランド導体層及び前記第２グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
（１）ないし（６）のいずれかに記載の多層基板。
前記積層体は、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向にこの順に並ぶ第１区間、第２区間及び第３区間を有しており、
前記第１区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記第３区間の前記Ｚ軸方向の厚みは、前記第２区間の前記Ｚ軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第３区間に位置し、かつ、前記第１区間及び前記第２区間に位置しない第２グランド導体層を、
更に備えており、
前記第１グランド導体層は、前記第１区間、前記第２区間及び前記第３区間に位置しており、
前記第２グランド導体層は、前記信号導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第１区間及び前記第２区間において、前記第１グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第３区間において、前記第１グランド導体層及び前記第２グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
（１）ないし（６）のいずれかに記載の多層基板。
【0085】
（８）
前記積層体は、第１積層体部及び第２積層体部を含んでおり、
前記第１積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置する１以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する１以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部の主たる絶縁材料は、前記第１積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
（１）ないし（７）のいずれかに記載の多層基板。
前記積層体は、第１積層体部及び第２積層体部を含んでおり、
前記第１積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の正側に位置する１以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Ｚ軸の負側に位置する１以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第２積層体部の主たる絶縁材料は、前記第１積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
（１）ないし（７）のいずれかに記載の多層基板。
【0086】
（９）
前記第２積層体部の主たる絶縁材料のヤング率は、前記第１積層体部の主たる絶縁材料のヤング率より高い、
（８）に記載の多層基板。
前記第２積層体部の主たる絶縁材料のヤング率は、前記第１積層体部の主たる絶縁材料のヤング率より高い、
（８）に記載の多層基板。
【0087】
（１０）
前記第２層間接続導体の材料は、前記第１層間接続導体の材料と異なる、
（８）又は（９）のいずれかに記載の多層基板。
前記第２層間接続導体の材料は、前記第１層間接続導体の材料と異なる、
（８）又は（９）のいずれかに記載の多層基板。
【0088】
（１１）
前記積層体は、可撓性を有している、
（１）ないし（１０）のいずれかに記載の多層基板。
前記積層体は、可撓性を有している、
（１）ないし（１０）のいずれかに記載の多層基板。
【0089】
（１２）
前記複数の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂である、
（１）ないし（１１）のいずれかに記載の多層基板。
前記複数の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂である、
（１）ないし（１１）のいずれかに記載の多層基板。
【符号の説明】
【0090】
１０，１０ａ，１０ｂ：多層基板
１２：積層体
１２ａ：第１積層体部
１２ｂ：第２積層体部
１４ａ～１４ｇ：絶縁体層
１５ａ～１５ｃ：保護層
１８：第２グランド導体層
２０：放射導体層
２２ａ，２２ｂ，２４，２４ａ～２４ｄ：接続導体層
２６：信号導体層
２８：第１グランド導体層
Ａ１：第１区間
Ａ１１：第１接続区間
Ａ１２：第２接続区間
Ａ２：第２区間
Ａ２１：第１中間区間
Ａ２１ｂ：第１太線区間
Ａ２１ａ：第１細線区間
Ａ２２：第２中間区間
Ａ２２ｂ：第２太線区間
Ａ２２ａ：第２細線区間
Ａ３：第３区間
Ａ３１：線路区間
ｖ１～ｖ４：層間接続導体
１２：積層体
１２ａ：第１積層体部
１２ｂ：第２積層体部
１４ａ～１４ｇ：絶縁体層
１５ａ～１５ｃ：保護層
１８：第２グランド導体層
２０：放射導体層
２２ａ，２２ｂ，２４，２４ａ～２４ｄ：接続導体層
２６：信号導体層
２８：第１グランド導体層
Ａ１：第１区間
Ａ１１：第１接続区間
Ａ１２：第２接続区間
Ａ２：第２区間
Ａ２１：第１中間区間
Ａ２１ｂ：第１太線区間
Ａ２１ａ：第１細線区間
Ａ２２：第２中間区間
Ａ２２ｂ：第２太線区間
Ａ２２ａ：第２細線区間
Ａ３：第３区間
Ａ３１：線路区間
ｖ１～ｖ４：層間接続導体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】