特開 2024-32166 回路装置及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024032166

(43)【公開日】2024-03-12

(54)【発明の名称】回路装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H02J 1/00 20060101AFI20240305BHJP

   H02J 7/04 20060101ALI20240305BHJP

【ＦＩ】

H02J1/00 306F

H02J1/00 306L

H02J7/04 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022135674

(22)【出願日】2022-08-29

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100104710

【弁理士】

【氏名又は名称】竹腰 昇

(74)【代理人】

【識別番号】100090479

【弁理士】

【氏名又は名称】井上 一

(74)【代理人】

【識別番号】100124682

【弁理士】

【氏名又は名称】黒田 泰

(74)【代理人】

【識別番号】100166523

【弁理士】

【氏名又は名称】西河 宏晃

(72)【発明者】

【氏名】二ノ宮 正也

(72)【発明者】

【氏名】翁 勝美

【テーマコード（参考）】

5G165

5G503

【Ｆターム（参考）】

5G165CA01

5G165DA02

5G165EA01

5G165HA01

5G165HA08

5G165HA17

5G165JA04

5G165LA02

5G165MA10

5G165NA02

5G165NA05

5G503AA01

5G503BA01

5G503BB02

5G503CA02

5G503CA11

5G503CC02

5G503DA04

(57)【要約】

【課題】バッテリーを定電流充電する回路において、大電流の充電電流から低電流の充電電流まで対応可能な回路装置等を提供すること。
【解決手段】回路装置１００は、電流源回路１４０と第１充電回路１１０と第２充電回路１２０と制御回路１６０とを含む。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲であるとき、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第１充電電流ＩＣＨ１を第１充電回路１１０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる制御を行う。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第２充電電流ＩＣＨ２を第２充電回路１２０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる制御を行う。制御回路１６０は、第１電流モードと第２電流モードの切り替え期間において、第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２の両方を非供給状態に設定する。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電流源回路と、
前記電流源回路の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流を充電電流として充電ノードに供給する第１充電回路と、
前記電流源回路の前記出力電流に基づいて、前記第１充電電流よりも大きい定電流の第２充電電流を前記充電電流として前記充電ノードに供給する第２充電回路と、
制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、
前記充電電流の電流値を設定する電流設定値が第１電流範囲であるとき、前記電流設定値が示す電流値の前記第１充電電流を前記第１充電回路から前記充電ノードに供給させる第１電流モードの制御を行い、
前記電流設定値が前記第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、前記電流設定値が示す電流値の前記第２充電電流を前記第２充電回路から前記充電ノードに供給させる第２電流モードの制御を行い、
前記第１電流モードと前記第２電流モードの切り替え期間において、前記第１充電電流及び前記第２充電電流の両方を非供給状態に設定することを特徴とする回路装置。

【請求項2】

請求項１に記載された回路装置において、
前記制御回路は、
前記第１充電電流を供給状態又は非供給状態に制御する第１イネーブル信号と、前記第２充電電流を供給状態又は非供給状態に制御する第２イネーブル信号とを出力し、
前記切り替え期間において、前記第１イネーブル信号及び前記第２イネーブル信号を非アクティブにすることで、前記第１充電電流及び前記第２充電電流の両方を非供給状態に設定することを特徴とする回路装置。

【請求項3】

請求項２に記載された回路装置において、
前記第１充電回路は、
前記第１イネーブル信号に基づいてイネーブル又はディセーブルに制御され、イネーブルであるときに、前記第１充電電流を前記充電ノードに供給し、
前記第２充電回路は、
前記第２イネーブル信号に基づいてイネーブル又はディセーブルに制御され、イネーブルであるときに、前記第２充電電流を前記充電ノードに供給し、
前記制御回路は、
前記切り替え期間において、前記第１イネーブル信号及び前記第２イネーブル信号を非アクティブにすることで前記第１充電回路及び前記第２充電回路をディセーブルにすることを特徴とする回路装置。

【請求項4】

請求項２に記載された回路装置において、
前記第１イネーブル信号に基づいてオン又はオフに制御され、オンであるときに、前記電流源回路からの前記出力電流を前記第１充電回路に供給する第１トランジスターと、
前記第２イネーブル信号に基づいてオン又はオフに制御され、オンであるときに、前記電流源回路からの前記出力電流を前記第２充電回路に供給する第２トランジスターと、
を含み、
前記制御回路は、
前記切り替え期間において、前記第１イネーブル信号及び前記第２イネーブル信号を非アクティブにすることで前記第１トランジスター及び前記第２トランジスターをオフにすることを特徴とする回路装置。

【請求項5】

請求項１乃至３のいずれか一項に記載された回路装置において、
前記制御回路は、前記電流設定値に基づいて、前記電流源回路の前記出力電流を制御する電流源制御値を前記電流源回路に出力し、
前記第１電流モードにおいて、前記電流源回路は、前記電流源制御値が示す電流値の第１電流を前記出力電流として前記第１充電回路に供給し、前記第１充電回路は、第１増幅率で前記第１電流を増幅することで前記第１充電電流を供給し、
前記第２電流モードにおいて、前記電流源回路は、前記電流源制御値が示す電流値の第２電流を前記出力電流として前記第２充電回路に供給し、前記第２充電回路は、前記第１増幅率よりも大きい第２増幅率で前記第２電流を増幅することで前記第２充電電流を供給することを特徴とする回路装置。

【請求項6】

請求項５に記載された回路装置において、
前記電流源回路は、
電流値がバイナリーに重み付けされた第１～第ｎ定電流（ｎは２以上の整数）の出力又は非出力が前記電流源制御値の第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて制御される第１～第ｎ電流源と、
前記第１電流モードにおいて、前記第１～第ｎ電流源のうち前記第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を前記第１電流として前記第１充電回路に供給する第１トランジスターと、
前記第２電流モードにおいて、前記第１～第ｎ電流源のうち前記第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を前記第２電流として前記第２充電回路に供給する第２トランジスターと、
を含むことを特徴とする回路装置。

【請求項7】

請求項６に記載された回路装置において、
前記制御回路は、
前記電流設定値に基づいて、前記第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び前記第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を設定し、
前記制御回路は、
前記第２電流モードにおいて、前記第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号（ｉは１以上の整数）を前記第１～第ｎ制御ビット信号として出力し、
前記第１電流モードにおいて、前記第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｎビット信号（ｋは１以上ｉ以下の整数）を前記第１～第ｎ制御ビット信号として出力することを特徴とする回路装置。

【請求項8】

請求項５に記載された回路装置において、
前記電流源回路は、
電流値がバイナリーに重み付けされたｍ個の定電流（ｍは２以上の整数）の出力又は非出力がｍビットの第１電流源制御値に基づいて制御されるｍ個の電流源を有する第１電流源回路と、
電流値がバイナリーに重み付けされｎ個の定電流（ｎはｍ以上の整数）の出力又は非出力がｎビットの第２電流源制御値に基づいて制御されるｎ個の電流源を有する第２電流源回路と、
を含み、
前記制御回路は、
前記電流源制御値として、前記ｍビットの前記第１電流源制御値と、前記ｎビットの前記第２電流源制御値とを出力し、
前記第１電流源回路は、
前記ｍ個の電流源のうち前記ｍビットの前記第１電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を前記第１電流として前記第１充電回路に供給し、
前記第２電流源回路は、
前記ｎ個の電流源のうち前記ｎビットの前記第２電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を前記第２電流として前記第２充電回路に供給することを特徴とする回路装置。

【請求項9】

請求項８に記載された回路装置において、
前記制御回路は、
前記電流設定値に基づいて、前記第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び前記第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を設定し、
前記第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号（ｉは１以上の整数）を前記ｎビットの前記第２電流源制御値として出力し、
前記第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｍビット信号（ｋは１以上ｉ以下の整数、ｍは２以上ｎ以下の整数）を前記ｍビットの前記第１電流源制御値として出力することを特徴とする回路装置。

【請求項10】

請求項１乃至４のいずれか一項に記載された回路装置と、
前記充電ノードに接続されるバッテリーと、
を含むことを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路装置及び電子機器等に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、電圧の異なる２つの充電用の電源から二次電池を充電する充電装置が開示されている。一方の電源の電圧は、二次電池を充電するときの基準電圧よりも僅かに低く、他方の電源の電圧は、これより高い。充電装置は、バッテリー電圧を検出し、バッテリー電圧が２つの電源の電圧より低いとき、２つの電源によりバッテリーを充電する。充電装置は、二次電池がある程度充電され、バッテリー電圧が、電圧が低い方の電源の電圧を超えたとき、電圧が高い方の電源のみにより二次電池を充電する。この特許文献１では、二次電池が充電されるに従って充電電流が低下していき、その充電電流を検出することで充電を終了させている。そして、二次電池がある程度充電されたとき、バッテリー電圧に基づいて充電用の電源を２つから１つに切り替えることで、充電電流の検出精度を向上させている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平１０－０２８３３８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

バッテリーを定電流充電する回路において、大電流の充電電流から低電流の充電電流まで対応することが困難という課題があった。例えば、設定可能な充電電流の最大値を増加させようとすると電流設定の分解能が低下したり、或いは電流源回路の規模が増加してしまう。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様は、電流源回路と、前記電流源回路の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流を充電電流として充電ノードに供給する第１充電回路と、前記電流源回路の前記出力電流に基づいて、前記第１充電電流よりも大きい定電流の第２充電電流を前記充電電流として前記充電ノードに供給する第２充電回路と、制御回路と、を含み、前記制御回路は、前記充電電流の電流値を設定する電流設定値が第１電流範囲であるとき、前記電流設定値が示す電流値の前記第１充電電流を前記第１充電回路から前記充電ノードに供給させる第１電流モードの制御を行い、前記電流設定値が前記第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、前記電流設定値が示す電流値の前記第２充電電流を前記第２充電回路から前記充電ノードに供給させる第２電流モードの制御を行い、前記第１電流モードと前記第２電流モードの切り替え期間において、前記第１充電電流及び前記第２充電電流の両方を非供給状態に設定する回路装置に関係する。

【0006】

また本開示の他の態様は、上記の回路装置と、前記充電ノードに接続されるバッテリーと、を含む電子機器に関係する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態における回路装置と電子機器の構成例。

【図2】第１実施形態における制御回路の動作説明図。

【図3】第１電流モードと第２電流モードの切り替えにおける問題点を説明する波形例。

【図4】第１実施形態における第１イネーブル信号と第２イネーブル信号の波形例。

【図5】第１充電回路と第２充電回路の詳細構成例。

【図6】第１実施形態における電流源回路の詳細構成例。

【図7】電流源制御値が変化したときに生じる問題点を説明する波形例。

【図8】第１実施形態における電流源制御値の第１波形例。

【図9】第１実施形態における電流源制御値の第２波形例。

【図10】第１実施形態における電流源制御値の第３波形例。

【図11】第１実施形態における電流源回路の抵抗比と動作を説明する図。

【図12】第１充電回路、第２充電回路、及び電流源回路のパラメーター例。

【図13】第２実施形態における回路装置と電子機器の構成例。

【図14】第２実施形態における制御回路の動作説明図。

【図15】第１充電回路と第１電流源回路の詳細構成例。

【図16】第２充電回路と第２電流源回路の詳細構成例。

【図17】第２実施形態における第１電流源制御値と第２電流源制御値の波形例。

【図18】第２実施形態における第１電流源回路及び第２電流源回路の抵抗比と動作を説明する図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが必須構成要件であるとは限らない。

【0009】

１．第１実施形態
図１は、第１実施形態における回路装置１００と、その回路装置１００を含む電子機器２００の構成例である。

【0010】

電子機器２００は、回路装置１００とバッテリー１０を含む。バッテリー１０は、二次電池であり、例えばリチウムイオン二次電池、ニッケル水素蓄電池、又はニッケルカドミウム蓄電池等である。電子機器２００は、バッテリー１０を内蔵する又は取り付け可能な機器であればよい。一例としては、電子機器２００は、スマートフォン、タブレット型端末、無線イヤフォン、無線補聴器、スマートウォッチ、デジタルカメラ、又はモバイルバッテリー等である。電子機器２００がスマートフォン等である場合には、電子機器２００は処理装置、記憶装置、無線通信装置、表示装置、又は操作入力装置等を含んでもよい。

【0011】

回路装置１００は、外部から供給される電源に基づいてバッテリー１０を充電する。回路装置１００は、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０と電流源回路１４０と基準電圧生成回路１５０と制御回路１６０と記憶部１７０と逆流防止回路１９０と端子ＴＢＡＴとを含む。回路装置１００は、例えば複数の回路素子が半導体基板に集積された集積回路装置である。

【0012】

逆流防止回路１９０は、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０の出力ノードＮＣＳＲと、端子ＴＢＡＴに接続された充電ノードＮＢＡＴとの間にもうけられる。端子ＴＢＡＴにはバッテリー１０の端子が接続される。制御回路１６０が逆流防止回路１９０をオンにすることで、第１充電回路１１０からの第１充電電流ＩＣＨ１又は第２充電回路１２０からの第２充電電流ＩＣＨ２が、充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給される。充電電流ＩＢＡＴが端子ＴＢＡＴからバッテリー１０に供給されることで、バッテリー１０が充電される。

【0013】

逆流防止回路１９０は、Ｐ型トランジスターＴＳ１とＮ型トランジスターＴＳ２と抵抗ＲＳとを含む。Ｐ型トランジスターＴＳ１のソースが充電ノードＮＢＡＴに接続され、ドレインが出力ノードＮＣＳＲに接続される。Ｎ型トランジスターＴＳ２のソースがグランドノードに接続され、ドレインがＰ型トランジスターＴＳ１のゲートに接続される。抵抗ＲＳの一端が充電ノードＮＢＡＴに接続され、他端がＰ型トランジスターＴＳ１のゲートに接続される。制御回路１６０がＮ型トランジスターＴＳ２をオフにすると、Ｐ型トランジスターＴＳ１がオフになる。Ｐ型トランジスターＴＳ１は、出力ノードＮＣＳＲから充電ノードＮＢＡＴへの方向を順方向とする寄生ダイオードを有するので、Ｐ型トランジスターＴＳ１がオフのときには、逆流防止回路１９０はバッテリー１０から第１充電回路１１０及び第２充電回路１２０への逆流を防止する。バッテリー１０への充電が行われる際には、制御回路１６０がＮ型トランジスターＴＳ２をオンにする。これにより、Ｐ型トランジスターＴＳ１がオンになる。以下では主に、逆流防止回路１９０のＰ型トランジスターＴＳ１がオンであるときの充電動作を説明する。

【0014】

制御回路１６０は、充電電流の設定値を示す電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、その電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値でバッテリー１０への充電が行われるように、充電を制御する。電流設定値ＩＮＤＡは、例えば回路装置１００の外部に設けられた処理装置から入力される、或いは制御回路１６０が、バッテリー電圧ＶＢＡＴを検出する不図示の検出回路からの検出結果に基づいて電流設定値ＩＮＤＡを設定してもよい。

【0015】

制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、第１充電回路１１０がバッテリー１０を充電する第１充電モードと、第２充電回路１２０がバッテリー１０を充電する第２充電モードとを切り替える。具体的には、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値未満のとき、第１イネーブル信号ＸＯＮＳをアクティブにして、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて第１電流モードの電流源制御値ＱＤＡを電流源回路１４０に出力する。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値以上のとき、第２イネーブル信号ＸＯＮＬをアクティブにして、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて第２電流モードの電流源制御値ＱＤＡを電流源回路１４０に出力する。

【0016】

基準電圧生成回路１５０は、基準電圧ＶＲＥＦを生成する。基準電圧生成回路１５０は、例えばバンドギャップリファレンス回路であるが、これに限定されない。なお、基準電圧ＶＲＥＦは回路装置１００の外部から供給されてもよい。

【0017】

電流源回路１４０は、基準電圧ＶＲＥＦに基づいて、電流源制御値ＱＤＡにより設定される出力電流を第１充電回路１１０と第２充電回路１２０に供給する。具体的には、電流源回路１４０は、イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき、第１電流ＩＳ１を出力電流として第１充電回路１１０に供給する。電流源回路１４０は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき、電流源回路１４０は第２電流ＩＳ２を出力電流として第２充電回路１２０に供給する。

【0018】

電源ノードＮＩＮには電源電圧ＶＩＮが供給される。電源電圧ＶＩＮは、例えば回路装置１００の外部電源から供給される。或いは、回路装置１００は、外部電源からの電力を受電して電源電圧ＶＩＮを出力する不図示の受電回路又は電圧変換回路等を含んでもよい。

【0019】

第１充電回路１１０は、イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき、電源電圧ＶＩＮと第１電流ＩＳ１に基づいて第１充電電流ＩＣＨ１を出力ノードＮＣＳＲに出力する。具体的には、第１充電回路１１０は、第１電流ＩＳ１を第１増幅率で増幅し、その増幅後の電流を第１充電電流ＩＣＨ１として出力する。

【0020】

第２充電回路１２０は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき、電源電圧ＶＩＮと第２電流ＩＳ２に基づいて第２充電電流ＩＣＨ２を出力ノードＮＣＳＲに出力する。具体的には、第２充電回路１２０は、第２電流ＩＳ２を第２増幅率で増幅し、その増幅後の電流を第２充電電流ＩＣＨ２として出力する。第２充電電流ＩＣＨ２の電流値は、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値よりも大きい。即ち、電流設定値ＩＮＤＡの閾値に対応した充電電流ＩＢＡＴの閾値をＩｔｈとしたとき、ＩＣＨ１＜Ｉｔｈ≦ＩＣＨ２となっている。

【0021】

図２は、第１実施形態における制御回路１６０の動作説明図である。

【0022】

制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡと閾値ＴＨＲとを比較する。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ未満であるとき、第１電流モードと判断し、ローレベルの第１イネーブル信号ＸＯＮＳと、ハイレベルの第２イネーブル信号ＸＯＮＬとを出力する。なお、ここではローアクティブであるとする。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ以上であるとき、第２電流モードと判断し、ハイレベルの第１イネーブル信号ＸＯＮＳと、ローレベルの第２イネーブル信号ＸＯＮＬとを出力する。

【0023】

制御回路１６０は、第１設定値ＳＴＶ１＝ＧＡ１×ＩＮＤＡ＋ＯＦ１を求める第１補正と、第２設定値ＳＴＶ２＝ＧＡ２×ＩＮＤＡ＋ＯＦ２を求める第２補正とを行う。第１設定値ＳＴＶ１は第１傾き補正値ＧＡ１と電流設定値ＩＮＤＡとの積に第１オフセット補正値ＯＦ１を加算したものであり、第２設定値ＳＴＶ２は第２傾き補正値ＧＡ２と電流設定値ＩＮＤＡとの積に第２オフセット補正値ＯＦ２を加算したものである。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ未満であるとき、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて電流源制御値ＱＤＡを出力する。これにより、第１充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ１は、第１補正により補正された第１設定値ＳＴＶ１によって制御される。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ以上であるとき、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて電流源制御値ＱＤＡを出力する。これにより、第２充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ２は、第２補正により補正された第２設定値ＳＴＶ２によって制御される。

【0024】

なお、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ以下のとき、第１電流モードと判断し、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲより大きいとき、第２電流モードと判断してもよい。

【0025】

記憶部１７０は、第１補正の補正パラメーターである第１傾き補正値ＧＡ１及び第１オフセット補正値ＯＦ１と、第２補正の補正パラメーターである第２傾き補正値ＧＡ２及び第２オフセット補正値ＯＦ２と、閾値ＴＨＲとを記憶する。第１傾き補正値ＧＡ１及び第２傾き補正値ＧＡ２は、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への第１変換特性と、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への第２変換特性との間の傾き差を低減するための補正パラメーターである。第１オフセット補正値ＯＦ１及び第２オフセット補正値ＯＦ２は、第１変換特性と第２変換特性との間のオフセット差を低減するための補正パラメーターである。制御回路１６０は、記憶部１７０に記憶された補正パラメーターを用いて第１補正及び第２補正の少なくとも一方を行うことで、第１変換特性と第２変換特性との間の傾き差及びオフセット差の少なくとも一方を低減する。記憶部１７０はメモリー又はレジスター等である。メモリーは、例えば不揮発性メモリー又はＲＡＭである。また、メモリーは、不揮発メモリー及びレジスターが複合して構成してもよいし、記憶できるものであればヒューズや回路装置１００の外部の回路等であってもよい。

【0026】

なお、上記では傾き補正及びオフセット補正の両方が行われる例を説明したが、傾き補正及びオフセット補正のいずれか一方のみが行われてもよい。また、上記では第１補正及び第２補正の少なくとも一方が行われる例を示したが、第１補正及び第２補正の両方が行われなくてもよい。その場合には、第１設定値はＳＴＶ１＝ＩＮＤＡであり、第２設定値はＳＴＶ２＝ＩＮＤＡである。

【0027】

図３は、第１電流モードと第２電流モードの切り替えにおける問題点を説明する波形例である。

【0028】

図３の波形例では、制御回路１６０は、第１電流モードから第２電流モードへの切り替えにおいて第２イネーブル信号ＸＯＮＬをハイレベルからローレベルにすると同時に第１イネーブル信号ＸＯＮＳをローレベルからハイレベルにする。また、制御回路１６０は、第２電流モードから第１電流モードへの切り替えにおいて第２イネーブル信号ＸＯＮＬをローレベルからハイレベルにすると同時に第１イネーブル信号ＸＯＮＳをハイレベルからローレベルにする。この場合、第１イネーブル信号ＸＯＮＳ及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬの僅かな信号遅延差によって、充電電流ＩＢＡＴが意図しない大電流になる可能性がある。

【0029】

例えば、第１実施形態の図１２等で後述する例では、第２充電回路１２０の増幅率は、第１充電回路１１０の増幅率の８倍である。また、閾値２５６として、電流設定値ＩＮＤＡが２５６のときの第２電流モードの第２電流ＩＳ２＝６２．５ｕＡは、電流設定値ＩＮＤＡが２５５のときの第１電流モードの第２電流ＩＳ２＝０．５ｍＡの１／８である。増幅率の８倍と電流の１／８倍がキャンセルすることで、正しい第２充電電流ＩＣＨ２が得られる。しかし、電流モードの切り替えにおいて、第１充電回路１１０及び第２充電回路１２０側と電流源回路１４０側との信号遅延差により、充電回路の増幅率が高く、電流源回路の出力電流が大きい方の組み合わせになった場合には、意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れる可能性がある。

【0030】

或いは、後述する第２実施形態においても同様な問題が生じる。第２実施形態では、電流源回路１４０が第１電流源回路１４１と第２電流源回路１４２に分かれている。このため、電流モードの切り替えにおいて、信号遅延差によって第１イネーブル信号ＸＯＮＳと第２イネーブル信号ＸＯＮＬが同時にローレベルになると、ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ１＋ＩＣＨ２となって意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れる可能性がある。

【0031】

図４は、第１実施形態における第１イネーブル信号ＸＯＮＳと第２イネーブル信号ＸＯＮＬの波形例である。なお、図４の手法は第２実施形態にも適用可能である。

【0032】

制御回路１６０は、電流モードの切り替え期間において、第１イネーブル信号ＸＯＮＳと第２イネーブル信号ＸＯＮＬを両方とも非アクティブにする。具体的には、制御回路１６０は、第１電流モードから第２電流モードへの切り替え期間ＰＡ、及び第２電流モードから第１電流モードへの切り替え期間ＰＢにおいて、ＸＯＮＳ＝ＸＯＮＬ＝Ｈにする。期間ＰＡの長さと期間ＰＢの長さは、例えば記憶部１７０に記憶され、任意の長さに設定可能である。一例としては、期間ＰＡの長さと期間ＰＢの長さは、１００ｎｓ、２００ｎｓ、３００ｎｓのいずれかに設定される。期間ＰＡの長さと期間ＰＢの長さは同じであっても異なってもよく、いずれか一方が０ｎｓより長く且つ他方が０ｎｓに設定されてもよい。

【0033】

本実施形態によれば、第１イネーブル信号ＸＯＮＳ及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬの信号遅延差が生じたとしても、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいてはバッテリー１０に対して第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２が非供給になる。これにより、図３で説明した意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れない。

【0034】

以下、第１充電回路１１０、第２充電回路１２０及び電流源回路１４０の詳細構成例とその動作を説明する。図５は、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０の詳細構成例である。

【0035】

第１充電回路１１０は、演算増幅器ＯＰＡ１とＰ型トランジスターＴＡ１と抵抗ＲＣＳＩ１と抵抗ＲＲＳＳ１とを含む。

【0036】

Ｐ型トランジスターＴＡ１のソースは電源ノードＮＩＮに接続され、ドレインはノードＮＣＳ１に接続される。電源ノードＮＩＮには電源電圧ＶＩＮが供給される。抵抗ＲＣＳＩ１の一端がノードＮＣＳ１に接続され、他端がノードＮＣＳＩ１に接続される。抵抗ＲＲＳＳ１の一端がノードＮＣＳ１に接続され、他端が出力ノードＮＣＳＲに接続される。演算増幅器ＯＰＡ１の非反転入力端子はノードＮＣＳＩ１に接続され、反転入力端子は出力ノードＮＣＳＲに接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＡ１のゲートに接続される。

【0037】

演算増幅器ＯＰＡ１は、第１イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１＝（ＲＣＳＩ１／ＲＲＳＳ１）×ＩＳ１が出力ノードＮＣＳＲに供給され、充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給される。

【0038】

第２充電回路１２０は、演算増幅器ＯＰＡ２とＰ型トランジスターＴＡ２と抵抗ＲＣＳＩ２と抵抗ＲＲＳＳ２とを含む。

【0039】

Ｐ型トランジスターＴＡ２のソースは電源ノードＮＩＮに接続され、ドレインはノードＮＣＳ２に接続される。抵抗ＲＣＳＩ２の一端がノードＮＣＳ２に接続され、他端がノードＮＣＳＩ２に接続される。抵抗ＲＲＳＳ２の一端がノードＮＣＳ２に接続され、他端が出力ノードＮＣＳＲに接続される。演算増幅器ＯＰＡ２の非反転入力端子はノードＮＣＳＩ２に接続され、反転入力端子は出力ノードＮＣＳＲに接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＡ２のゲートに接続される。

【0040】

演算増幅器ＯＰＡ２は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、第２充電電流ＩＣＨ２＝（ＲＣＳＩ２／ＲＲＳＳ２）×ＩＳ２が出力ノードＮＣＳＲに供給され、充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給される。

【0041】

図６は、第１実施形態における電流源回路１４０の詳細構成例である。電流源回路１４０は、演算増幅器ＯＰＦとスイッチ回路１４５とＰ型トランジスターＴＦと抵抗ＲＧ１～ＲＧ１３とＮ型トランジスターＴＧ１～ＴＧ１３とを含む。

【0042】

スイッチ回路１４５は、第１トランジスターＴＥ１と第２トランジスターＴＥ２とを含む。第１トランジスターＴＥ１と第２トランジスターＴＥ２は、例えばＰ型トランジスターである。第１トランジスターＴＥ１のソースはノードＮＣＳＩ１に接続され、ドレインはノードＮＱに接続される。第２トランジスターＴＥ２のソースはノードＮＣＳＩ２に接続され、ドレインはノードＮＱに接続される。第１イネーブル信号ＸＯＮＳがローレベルのとき、第１トランジスターＴＥ１はオンであり、Ｐ型トランジスターＴＦに流れる電流ＩＱが第１電流ＩＳ１としてノードＮＣＳＩ１に流れる。第２イネーブル信号ＸＯＮＬがローレベルのとき、第２トランジスターＴＥ２はオンであり、Ｐ型トランジスターＴＦに流れる電流ＩＱが第２電流ＩＳ２としてノードＮＣＳＩ２に流れる。

【0043】

Ｐ型トランジスターＴＦのソースはノードＮＱに接続され、ドレインはノードＮＳ３に接続される。演算増幅器ＯＰＦの反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが入力される。演算増幅器ＯＰＦの非反転入力端子はノードＮＳ３に接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＦのゲートに接続される。抵抗ＲＧ１の一端はノードＮＳ３に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＧ１のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＧ１のソースはグランドノードに接続される。同様に、抵抗ＲＧ２～ＲＧ１３の一端はノードＮＳ３に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３のソースはグランドノードに接続される。以下、電流源制御値ＱＤＡのビット信号を制御ビット信号と呼ぶ。Ｎ型トランジスターＴＧ１のゲートには、電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［０］が入力される。同様に、Ｎ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３のゲートには、電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［１］～ＱＤＡ［１２］が入力される。

【0044】

演算増幅器ＯＰＦは、第１電流モードと第２電流モードのいずれにおいても動作イネーブルであり、ノードＮＳ３の電圧はＶＳ３＝ＶＲＥＦとなる。抵抗ＲＧ１とＮ型トランジスターＴＧ１を電流源回路１４０の第１電流源と呼ぶ。電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［０］が１のときＮ型トランジスターＴＧ１がオンであり、第１電流源がＶＲＥＦ／ＲＧ１の電流を流す。同様に、抵抗ＲＧ２～ＲＧ１３とＮ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３を電流源回路１４０の第２～第１３電流源と呼ぶ。電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［１］～ＱＤＡ［１２］が１のときＮ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３がオンであり、第２～第１３電流源がＶＲＥＦ／ＲＧ２～ＶＲＥＦ／ＲＧ１３の電流を流す。Ｐ型トランジスターＴＦに流れる電流ＩＱは、電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［１２］のうち１である制御ビット信号に対応した電流源が流す電流の合計である。

【0045】

なお、ここでは電流源回路１４０に含まれる電流源の数を１３としたが、電流源回路１４０に含まれる電流源の数はｎ個であればよい。ｎは２以上の整数である。

【0046】

図７は、電流源制御値ＱＤＡが変化したときに生じる問題点を説明する波形例である。図７に示すように、制御回路１６０が、電流源制御値ＱＤＡをＤ１からＤ２に、Ｄ２からＤ３に変化させる。この電流源制御値ＱＤＡの変化は、第１電流モード内におけるＱＤＡの変化、第２電流モード内におけるＱＤＡの変化、第１電流モードから第２電流モードへの切り替えにおけるＱＤＡの変化、又は第２電流モードから第１電流モードへの切り替えにおけるＱＤＡの変化のいずれであってもよい。

【0047】

以下、Ｄ１からＤ２への変化を例に説明する。制御回路１６０が、タイミングｔ１において電流源制御値ＱＤＡをＤ１からＤ２に変化させたとする。例えば、Ｄ１＝０ １１１１ １１１１ １１１１ｂであり、Ｄ２＝１ ００００ ００００ ００００ｂであるとする。このとき、制御ビット信号間の僅かな信号遅延差によって、タイミングｔ１において意図しない電流源制御値ＱＤＡになる可能性がある。例えば、制御ビット信号ＱＤＡ［１２］に対して制御ビット信号ＱＤＡ［１１：０］が僅かに遅延したとすると、タイミングｔ１においてＱＤＡ［１２：０］＝１ １１１１ １１１１ １１１１ｂと等価な状態になる。そうすると、電流源回路１４０が想定の２倍程度の電流を出力することになり、意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れる可能性がある。

【0048】

なお、図７に示したＤ１、Ｄ２の値は一例であって、Ｄ１～Ｄ３は任意の値であってよい。以下の図８、図９においても同様にＤ１～Ｄ３は任意の値であってよい。

【0049】

図８は、第１実施形態における電流源制御値ＱＤＡの第１波形例である。制御回路１６０は、切り替え期間ＰＣにおいて、電流源回路１４０の出力電流がゼロになる又は低減するように、電流源制御値ＱＤＡを所定値ＤＰＣに設定する。図８において、切り替え期間ＰＣは、制御回路１６０がＱＤＡ＝Ｄ１を出力する期間とＱＤＡ＝Ｄ２を出力する期間との間の期間、及び、制御回路１６０がＱＤＡ＝Ｄ２を出力する期間とＱＤＡ＝Ｄ３を出力する期間との間の期間である。

【0050】

期間ＰＣの長さは、例えば記憶部１７０に記憶され、任意の長さに設定可能である。期間ＰＣの長さは、例えば記憶部１７０に記憶され、一例としては１００ｎｓ、２００ｎｓ、３００ｎｓのいずれかに設定される。

【0051】

以下、ＱＤＡ＝Ｄ１を出力する期間とＱＤＡ＝Ｄ２を出力する期間との間の切り替え期間ＰＣを例に説明する。図８には、切り替え期間ＰＣにおいて電流源回路１４０の出力電流がゼロになる例を示す。例えば、Ｄ１＝０ １１１１ １１１１ １１１１ｂであり、Ｄ２＝１ ００００ ００００ ００００ｂであるとする。制御回路１６０は、切り替え期間ＰＣにおいて電流源制御値ＱＤＡをゼロにする、即ちＱＤＡ＝ＤＰＣ＝０ ００００ ００００ ００００ｂを出力する。これにより、図６のＮ型トランジスターＴＧ１～ＴＧ１３が全てオフになり、第１～第１３電流源が非出力になり、第１電流ＩＳ１及び第２電流ＩＳ２が非出力になるので、バッテリー１０に対して第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２が非供給になる。これにより、制御ビット信号間の信号遅延差が生じたとしても、図７で説明した意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れない。

【0052】

図９は、第１実施形態における電流源制御値ＱＤＡの第２波形例である。図９には、切り替え期間ＰＣにおいて電流源回路１４０の出力電流が低減する例を示す。制御回路１６０は、切り替え期間ＰＣにおいて、電流源制御値ＱＤＡの上位５ビットＱＤＡ［１２：８］をゼロにし、下位８ビットＱＤＡ［７：０］をＤ１［７：０］にする。これにより、図６のＮ型トランジスターＴＧ１～ＴＧ１３のうちＴＧ９～ＴＧ１３がオフになり、第１～第１３電流源のうち第９～第１３電流源が非出力になる。ＤＰＣ≦Ｄ１なので、ＱＤＡ＝ＤＰＣのときの電流源回路１４０の出力電流は、ＱＤＡ＝Ｄ１のときの出力電流以下となる。即ち、切り替え期間ＰＣにおいて電流源回路１４０の出力電流が低減する。これにより、切り替え期間ＰＣにおいて充電電流ＩＢＡＴが低減するので、制御ビット信号間の信号遅延差が生じたとしても、図７で説明した意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れない。

【0053】

なお、図８と図９には、ＤＰＣの上位５ビットがゼロに設定され、第９～第１３電流源が非出力になる例を示したが、これに限定されず、ＤＰＣの上位ｎ－ｐ＋１ビットがゼロに設定され、第１～第ｎ電流源のうち第ｐ～第ｎ電流源が非出力になればよい。ｐは２以上ｎ以下の整数であればよい。図８と図９は、ｎ＝１３、ｐ＝９であるときの例である。

【0054】

図１０は、第１実施形態における電流源制御値ＱＤＡの第３波形例である。制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡが閾値ＧＤ未満であるとき、電流源制御値ＱＤＡを変化させるときに切り替え期間ＰＣを設けない。

【0055】

例えば、Ｄ１≧ＧＤ、Ｄ２＜ＧＤとする。制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡをＤ１からＤ２に変化させるときには切り替え期間ＰＣを設け、切り替え期間ＰＣにおいて電流源制御値ＱＤＡを所定値ＤＰＣに設定する。図８又は図９で説明した所定値ＤＰＣのいずれが設定されてもよい。制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡをＤ２からＤ３に変化させるときには切り替え期間ＰＣを設けずに、電流源制御値ＱＤＡをＤ２から直接にＤ３に切り替える。電流源制御値ＱＤＡが閾値ＧＤ以下である場合には、図７で説明した意図しない充電電流ＩＢＡＴがそれほど大きくならないと予想される。このため、電流源制御値ＱＤＡが閾値ＧＤより大きいときのみ切り替え期間ＰＣを設けることで、意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れないようにしておけばよい。ここでは、Ｄ１≧ＧＤ、Ｄ２＜ＧＤとしたが、Ｄ１＞ＧＤ、Ｄ２≦ＧＤであってもよい。

【0056】

なお、閾値ＧＤは、ゼロより大きく且つ電流源制御値ＱＤＡの最大値より小さい任意の値であってよい。例えば、図９においてＤＰＣの最大値は２５５となるが、閾値ＧＤは、それと同じ値２５５に設定されてもよい。記憶部１７０は閾値ＧＤを記憶してもよい。また、閾値ＧＤは閾値ＴＨＲと同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。

【0057】

図１１は、第１実施形態における電流源回路１４０の抵抗比と動作を説明する図である。

【0058】

第１～第１３電流源の電流比を決める抵抗ＲＧ１～ＲＧ１３の抵抗比は、ＲＧ１３：ＲＧ１２：・・・：ＲＧ２：ＲＧ１＝０．２５：０．５：・・・：５１２：１０２４である。この逆数比が電流比となるので、第１～第１３電流源が流す電流はバイナリーに重み付けされる。

【0059】

制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡを補正して第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２を求めるが、このとき電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢよりも高い精度で第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２を演算する。例えば、電流設定値ＩＮＤＡが１３ビットのＩＮＤＡ［１２：０］であるとき、第１設定値ＳＴＶ１は、１８ビットのＳＴＶ１［１７：０］として演算され、第２設定値ＳＴＶ２は、２１ビットのＳＴＶ２［２０：０］として演算される。このとき、電流設定値のＬＳＢであるＩＮＤＡ［０］に相当するビットは、ＳＴＶ１［１７：０］においてＳＴＶ１［８］であり、ＳＴＶ２［２０：０］においてＳＴＶ２［８］である。

【0060】

制御回路１６０は、第１電流モードつまり第１イネーブル信号ＸＯＮＳがローレベルのとき、ＳＴＶ１［１７：０］の上位１３ビットを電流源制御値ＱＤＡに割り当てて、ＱＤＡ［１２：０］＝ＳＴＶ１［１７：５］を電流源回路１４０に出力する。制御回路１６０は、第２電流モードつまり第２イネーブル信号ＸＯＮＬがローレベルのとき、ＳＴＶ２［２０：０］の上位１３ビットを電流源制御値ＱＤＡに割り当てて、ＱＤＡ［１２：０］＝ＳＴＶ２［２０：８］を電流源回路１４０に出力する。ＱＤＡ［１２：０］において、電流設定値のＬＳＢであるＩＮＤＡ［０］に相当するビットは、第１電流モードではＱＤＡ［３］であり、第２電流モードではＱＤＡ［０］である。即ち、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１電流ＩＳ１の分解能と第２電流ＩＳ２の分解能とが異なることになる。この差は、第１充電回路１１０の第１増幅率と第２充電回路１２０の第２増幅率の違いによって吸収されるので、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と第２充電電流ＩＣＨ２の分解能は、ほぼ同等になる。この点については図１２においても説明する。

【0061】

なお、ここでは電流設定値ＩＮＤＡに対して下位側に８ビット拡張された第１設定値ＳＴＶ１と第２設定値ＳＴＶ２が演算される例を示した。但し、演算に必要な精度が確保できる範囲で、拡張されるビット数は任意であってよい。また、ここでは第１設定値ＳＴＶ１から電流源制御値ＱＤＡへの割り当てと、第２設定値ＳＴＶ２から電流源制御値ＱＤＡへの割り当てとの間で、３ビットだけシフトされる例を示した。但し、第１増幅率と第２増幅率との関係で第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２を同分解能にできる範囲で、シフトされるビット数は任意であってよい。

【0062】

図１２の左図は、第１電流モードにおける第１充電回路１１０と電流源回路１４０のパラメーター例であり、図１２の右図は、第２電流モードにおける第２充電回路１２０と第２電流源回路１４２のパラメーター例である。図１２右図には、左図のパラメーターとの関係も示している。なお、図１２には、理想的なパラメーター例、つまり補正しなくても理想的な第１充電電流と第２充電電流の特性が得られるときのパラメーター例を示す。

【0063】

基準電圧をＶＲＥＦ＝１．２５Ｖとし、抵抗ＲＧ１～ＲＧ１３のユニット抵抗を５ｋΩとし、電流モード切り替えの閾値を２５６とする。以下の記載においては、適宜に四捨五入により丸めた数値を記載する。

【0064】

左図に示すように、第１電流モードにおいて電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第４電流源の抵抗は、ＲＧ４＝５ｋΩ×１２８である。このため、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第１電流ＩＳ１の分解能はＶＲＥＦ／ＲＧ４＝１．９５ｕＡとなる。第１電流の最大値ＩＳ１ｍａｘはＩＳ１分解能×２５５＝０．５ｍＡである。ＲＲＳＳ１＝３２Ω、ＲＣＳＩ１＝７００Ωとすると、第１増幅率はＲＣＳＩ１／ＲＲＳＳ１＝２１．９倍である。第１充電電流ＩＣＨ１の分解能はＩＳ１分解能×第１増幅率＝４２．７ｕＡとなり、第１充電電流の最大値ＩＣＨ１ｍａｘはＩＳ１ｍａｘ×第１増幅率＝１０．９ｍＡとなる。抵抗ＲＣＳＩ１の両端の最小電位差は、ＲＣＳＩ１×ＩＳ１分解能＝１．３７ｍＶとなる。

【0065】

右図に示すように、第２電流モードにおいて電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第１電流源の抵抗は、ＲＧ１＝５ｋΩ×１０２４である。このため、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第２電流ＩＳ２の分解能はＶＲＥＦ／ＲＧ１＝０．２４４ｕＡとなる。ＱＤＡ［１２：０］＝０ ０００１ ００００ ００００ｂのとき、第２電流が最小値ＩＳ２ｍｉｎ＝ＩＳ２分解能×２５６＝６２．５ｕＡとなる。第２電流の最大値ＩＳ２ｍａｘはＩＳ２分解能×８１９１＝２ｍＡである。ＲＲＳＳ２＝１Ω、ＲＣＳＩ２＝１７５Ωとすると、第２増幅率はＲＣＳＩ２／ＲＲＳＳ２＝１７５倍である。第２充電電流ＩＣＨ２の分解能はＩＳ２分解能×第２増幅率＝４２．７ｕＡとなり、第２充電電流の最大値ＩＣＨ２ｍａｘはＩＳ２ｍａｘ×第２増幅率＝３５０ｍＡとなる。抵抗ＲＣＳＩ２の両端の最小電位差は、ＲＣＳＩ２×ＩＳ２ｍｉｎ＝１０．９ｍＶとなる。なお、左図のパラメーターとの関係は図示の通りである。

【0066】

第２充電電流ＩＣＨ２の最小値は、ＩＳ２ｍｉｎ×第２増幅率＝｛（ＩＳ１分解能／８）×２５６｝×（第１増幅率×８）＝（ＩＳ１分解能×２５６）×第１増幅率＝（ＩＳ１ｍａｘ＋ＩＳ１分解能）×第１増幅率である。ＩＳ１ｍａｘ×第１増幅率は、第１充電電流ＩＣＨ１の最大値であり、ＩＳ１分解能×第１増幅率は、ＩＣＨ１分解能である。また、ＩＣＨ１分解能＝ＩＣＨ２分解能である。即ち、ＩＣＨ１の最大値からＩＣＨ２分解能だけ増加したものが、ＩＣＨ２の最小値となっている。即ち、ＩＣＨ１とＩＣＨ２の切り替え前後においても、理想的には、電流設定値ＩＮＤＡ［１２：０］に対して充電電流ＩＢＡＴは線形になっている。

【0067】

但し、実際に製造された回路は様々な要因で理想的な特性にならないので、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２の間にオフセット差又は傾き差が生じる。本実施形態によれば、図２等で説明した第１補正及び第２補正の少なくとも一方を行うことで、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２の特性差を低減可能である。

【0068】

以上の本実施形態において、回路装置１００は、電流源回路１４０と第１充電回路１１０と第２充電回路１２０と制御回路１６０とを含む。第１充電回路１１０は、電流源回路１４０の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流ＩＣＨ１を充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給する。第２充電回路１２０は、電流源回路１４０の出力電流に基づいて、第１充電電流ＩＣＨ１よりも大きい定電流の第２充電電流ＩＣＨ２を充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給する。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲であるとき、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第１充電電流ＩＣＨ１を第１充電回路１１０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる第１電流モードの制御を行う。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第２充電電流ＩＣＨ２を第２充電回路１２０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる制御を行う。

【0069】

本実施形態によれば、電流設定値ＩＮＤＡが第２電流範囲であるとき、第２充電回路１２０に切り替えられ、第１充電電流ＩＣＨ１よりも大きい第２充電電流ＩＣＨ２で充電が行われる。これにより、高充電電流化が実現される。そして、充電電流ＩＢＡＴの電流設定値ＩＮＤＡに応じて第１充電回路１１０と第２充電回路１２０を切り替えることで、充電電流ＩＢＡＴの電流値に応じて最適な定電流充電回路の設計が可能となる。これにより、高充電電流化を実現しつつ、回路規模の増加、充電電流の分解能低下、又は電力効率の低下を抑制することが可能になる。

【0070】

また本実施形態では、図４で説明したように、制御回路１６０は、第１電流モードと第２電流モードの切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて、第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２の両方を非供給状態に設定する。

【0071】

第１充電回路１１０と第２充電回路１２０を切り替えることで第１電流モードと第２電流モードを切り替えるので、その切り替え時において充電電流ＩＢＡＴが意図しない大電流になる可能性がある。本実施形態によれば、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２の両方が非供給状態になるので、充電電流ＩＢＡＴが意図しない大電流にならない。

【0072】

また本実施形態では、制御回路１６０は、第１充電電流ＩＣＨ１を供給状態又は非供給状態に制御する第１イネーブル信号ＸＯＮＳと、第２充電電流ＩＣＨ２を供給状態又は非供給状態に制御する第２イネーブル信号ＸＯＮＬとを出力する。制御回路１６０は、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて、第１イネーブル信号ＸＯＮＳ及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬを非アクティブにすることで、第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２の両方を非供給状態に設定する。

【0073】

図３で説明したように、第１電流モードと第２電流モードの切り替えにおいて、第１イネーブル信号ＸＯＮＳ及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬの僅かな信号遅延差によって、充電電流ＩＢＡＴが意図しない大電流になる可能性がある。本実施形態によれば、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて第１イネーブル信号ＸＯＮＳ及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬが非アクティブに設定される。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２の両方が非供給状態になるので、充電電流ＩＢＡＴが意図しない大電流にならない。

【0074】

また本実施形態では、第１充電回路１１０は、第１イネーブル信号ＸＯＮＳに基づいてイネーブル又はディセーブルに制御され、イネーブルであるときに、第１充電電流ＩＣＨ１を充電ノードＮＢＡＴに供給する。第２充電回路１２０は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬに基づいてイネーブル又はディセーブルに制御され、イネーブルであるときに、第２充電電流ＩＣＨ２を充電ノードＮＢＡＴに供給する。制御回路１６０は、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて、第１イネーブル信号ＸＯＮＳ及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬを非アクティブにすることで第１充電回路１１０及び第２充電回路１２０をディセーブルにする。

【0075】

本実施形態によれば、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて、第１充電回路１１０及び第２充電回路１２０がディセーブルになることで、第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２の両方が非供給状態になる。

【0076】

また本実施形態では、回路装置１００は第１トランジスターＴＥ１と第２トランジスターＴＥ２とを含む。第１トランジスターＴＥ１は、第１イネーブル信号ＸＯＮＳに基づいてオン又はオフに制御され、オンであるときに、電流源回路１４０からの出力電流を第１充電回路１１０に供給する。第２トランジスターＴＥ２は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬに基づいてオン又はオフに制御され、オンであるときに、電流源回路１４０からの出力電流を第２充電回路１２０に供給する。制御回路１６０は、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて、第１イネーブル信号ＸＯＮＳ及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬを非アクティブにすることで第１トランジスターＴＥ１及び第２トランジスターＴＥ２をオフにする。

【0077】

本実施形態によれば、切り替え期間ＰＡ、ＰＢにおいて、第１トランジスターＴＥ１及び第２トランジスターＴＥ２がオフになることで、電流源回路１４０から第１充電回路１１０及び第２充電回路１２０に電流が供給されなくなる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１及び第２充電電流ＩＣＨ２の両方が非供給状態になる。

【0078】

また本実施形態では、図８又は図９で説明したように、制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡの切り替え期間ＰＣにおいて、電流源回路１４０の出力電流がゼロになる又は低減するように電流源制御値ＱＤＡを設定する。

【0079】

図７で説明したように、電流源制御値ＱＤＡが変化したときに、電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号間の信号遅延差によって、意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れる可能性がある。本実施形態によれば、電流源制御値ＱＤＡの切り替え期間ＰＣにおいて、電流源回路１４０の出力電流がゼロになる又は低減するので、意図しない大きな充電電流ＩＢＡＴが流れない。

【0080】

なお、「電流源回路１４０の出力電流が低減する」とは、切り替え期間ＰＣの直前における電流源制御値ＱＤＡに基づいて電流源回路１４０が出力する電流よりも、切り替え期間ＰＣにおいて設定された電流源制御値ＱＤＡに基づいて電流源回路１４０が出力する電流の方が、小さいということである。

【0081】

また本実施形態では、制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡが閾値ＧＤより大きいとき、切り替え期間ＰＣにおいて、電流源回路１４０の出力電流がゼロになる又は低減するように電流源制御値ＱＤＡを設定する。

【0082】

電流源制御値ＱＤＡが閾値ＧＤより小さい場合には、意図しない充電電流ＩＢＡＴがそれほど大きくならないと予想される。このため、電流源制御値ＱＤＡが閾値ＧＤ以上のときのみ、切り替え期間ＰＣにおいて電流源回路１４０の出力電流がゼロになる又は低減するように電流源制御値ＱＤＡを設定しておけばよい。なお、制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡが閾値ＧＤ以上のとき、切り替え期間ＰＣにおいて、電流源回路１４０の出力電流がゼロになる又は低減するように電流源制御値ＱＤＡを設定してもよい。

【0083】

また本実施形態では、第１電流モードにおいて、電流源回路１４０は、電流源制御値ＱＤＡが示す電流値の第１電流ＩＳ１を出力電流として第１充電回路１１０に供給する。また、第１充電回路１１０は、第１増幅率で第１電流ＩＳ１を増幅することで第１充電電流ＩＣＨ１を供給する。第２電流モードにおいて、電流源回路１４０は、電流源制御値ＱＤＡが示す電流値の第２電流ＩＳ２を出力電流として第２充電回路１２０に供給する。また、第２充電回路１２０は、第１増幅率よりも大きい第２増幅率で第２電流ＩＳ２を増幅することで第２充電電流ＩＣＨ２を供給する。

【0084】

本実施形態によれば、第２電流モードにおける第２増幅率が第１電流モードにおける第１増幅率より大きいことで、第２電流モードにおいて、第１充電電流より大きい第２充電電流を生成できる。また、図１２で説明したように、ＩＣＨ１分解能＝ＩＣＨ２分解能であり、ＩＣＨ１分解能＝ＩＳ１分解能×第１増幅率であり、ＲＣＳＩ１最小電位差＝ＲＣＳＩ１×ＩＳ１分解能である。第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、ＩＳ１分解能を大きくできるので、ＲＣＳＩ１最小電位差を大きくできる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。また、ＩＳ２分解能はＩＳ１分解能より小さくなるが、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０を分けたことでＲＣＳＩ２最小電位差＝ＲＣＳＩ２×ＩＳ２ｍｉｎとなっている。これにより、第２充電電流ＩＣＨ２の分解能の値は第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と同じになり、第１充電電流ＩＣＨ１と同様、第２充電電流ＩＣＨ２の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。

【0085】

また本実施形態では、電流源回路１４０は第１～第ｎ電流源を含む。第１～第ｎ電流源は、電流値がバイナリーに重み付けされ、電流源制御値ＱＤＡに基づいて第１～第ｎ定電流の出力又は非出力が制御される。制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡの切り替え期間ＰＣにおいて、第１～第ｎ定電流を非出力にする電流源制御値ＱＤＡを設定する、又は、第１～第ｎ定電流のうち高電流側の第ｐ～第ｎ定電流を非出力にする電流源制御値ＱＤＡを設定する。

【0086】

なお、図６、図９、図１１及び図１２などの例では、ｎ＝１３、ｐ＝９であるが、ｎは２以上の整数であればよく、ｐは２以上ｎ以下の整数であればよい。

【0087】

本実施形態によれば、電流源制御値ＱＤＡの切り替え期間ＰＣにおいて、第１～第ｎ定電流が非出力になることで、電流源回路１４０の出力電流がゼロになる。又は、電流源制御値ＱＤＡの切り替え期間ＰＣにおいて、第１～第ｎ定電流のうち高電流側の第ｐ～第ｎ定電流が非出力になることで、電流源回路１４０の出力電流が低減する。

【0088】

また本実施形態では、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、第１～第ｎ電流源を制御する電流源制御値ＱＤＡの第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］を出力する。電流源回路１４０は、第１トランジスターＴＥ１と第２トランジスターＴＥ２とを含む。第１トランジスターＴＥ１は、第１電流モードにおいて、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流ＩＳ１として第１充電回路１１０に供給する。第２トランジスターＴＥ２は、第２電流モードにおいて、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流ＩＳ２として第２充電回路１２０に供給する。

【0089】

なお、図６、図１１及び図１２などの例では、ｎ＝１３であるが、ｎは２以上の整数であればよい。

【0090】

本実施形態によれば、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］が出力され、その第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］に基づいて第１～第ｎ電流源の出力又は非出力が制御される。これにより、第１電流モードにおいて、第１トランジスターＴＥ１が第１～第ｎ電流源からの電流を第１充電回路１１０に出力することで、第１充電回路１１０が、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第１充電電流ＩＣＨ１を供給する。第２電流モードにおいて、第２トランジスターＴＥ２が第１～第ｎ電流源からの電流を第２充電回路１２０に出力することで、第２充電回路１２０が、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第２充電電流ＩＣＨ２を供給する。

【0091】

また本実施形態では、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値を設定する第１設定値ＳＴＶ１、及び第２充電電流ＩＣＨ２の電流値を設定する第２設定値ＳＴＶ２を設定する。制御回路１６０は、第２電流モードにおいて、第２設定値ＳＴＶ２のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号ＳＴＶ２［ｉ］～ＳＴＶ２［ｉ＋ｎ－１］を第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］として出力する。制御回路１６０は、第１電流モードにおいて、第１設定値ＳＴＶ１のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｎビット信号ＳＴＶ１［ｉ－ｋ］～ＳＴＶ１［ｉ－ｋ＋ｎ－１］を第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］として出力する。

【0092】

なお、図６、図１１及び図１２の例では、ｎ＝１３、ｉ＝８、ｋ＝３であるが、ｎは２以上の整数であればよく、ｉは１以上の整数であればよく、ｋは１以上ｉ以下の整数であればよい。電流源回路１４０は、電流値がバイナリーに重み付けされたｎ個の電流源を有している。そして、このうち重みの高いほうから（ｎ－ｋ）個の電流源は、第１電流モードにおいて電流源制御値ＱＤＡ［ｎ―１：ｋ］に対応する。図１８では、例えば、ＱＤＡ［１２：３］に対応した電流源は１０個である。これは、電流設定値のＬＳＢであるＩＮＤＡ［０］に相当するビットはＱＤＡ［３］だからである。電流設定値のＬＳＢより下位ビットのＱＤＡ［ｋ－１：０］に対応した電流源は動作しないように電流源をビットによらずに非アクティブにしてもよいし、ビットによらずにアクティブにしてもよい。また、電流設定値のＬＳＢより下位ビットの電流源にＱＤＡ［ｋ－１：０］を供給して制御してもよい。図１８においてＱＤＡ［ｋ－１：０］はＱＤＡ［２：０］である。

【0093】

本実施形態によれば、図１１と図１２で説明したように、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１電流ＩＳ１の分解能と第２電流ＩＳ２の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路１１０の第１増幅率と第２充電回路１２０の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と第２充電電流ＩＣＨ２の分解能を、ほぼ同等にできる。

【0094】

また、本実施形態によれば、図１２で説明したように、第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、第１電流ＩＳ１の分解能を第２電流ＩＳ２の分解能より大きくできる。この分解能の違いは、第２設定値ＳＴＶ２から電流源制御値ＱＤＡへのビット割り当てと、第１設定値ＳＴＶ１から電流源制御値ＱＤＡへのビット割り当てとが、ｋビットだけ異なることで、実現されている。第１電流ＩＳ１の分解能を大きくできることで、第１増幅率に関係する抵抗ＲＣＳＩ１の最小電位差を大きくできるので、演算増幅器ＯＰＦがより高精度な増幅率で増幅するための十分大きな電位差を確保できる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２をより高精度な分解能で刻むことができる。

【0095】

２．第２実施形態
図１３は、第２実施形態における回路装置１００と、その回路装置１００を含む電子機器２００の構成例である。第２実施形態は、第１実施形態に対して電流源回路１４０の構成が異なる。また、図１の説明では、制御回路１６０は、電流源制御値ＱＤＡを電流源回路１４０に出力していたが本実施形態では第１電流源制御値ＱＤＡ１及び第２電流源制御値ＱＤＡ２を電流源回路１４０に出力することが異なる。図４で説明した電流モードの切り替え期間ＰＡ、ＰＢを設ける手法は、第１実施形態と同様である。なお、既に説明した構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。

【0096】

制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに第１補正を行い、その結果を第１電流源制御値ＱＤＡ１として電流源回路１４０に出力する。また、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに第２補正を行い、その結果を第２電流源制御値ＱＤＡ２として電流源回路１４０に出力する。第１補正及び第２補正の手法については第１実施形態と同様である。

【0097】

電流源回路１４０は、第１電流源回路１４１と第２電流源回路１４２とを含む。第１電流源回路１４１は、第１電流源制御値ＱＤＡ１により設定される電流値の第１電流ＩＳ１を生成し、その第１電流ＩＳ１を第１充電回路１１０に供給する。第２電流源回路１４２は、第２電流源制御値ＱＤＡ２により設定される電流値の第２電流ＩＳ２を生成し、その第２電流ＩＳ２を第２充電回路１２０に供給する。

【0098】

図１４は、第２実施形態における制御回路１６０の動作説明図である。電流モードの判定、第１イネーブル信号ＸＯＮＳの制御、及び第２イネーブル信号ＸＯＮＬの制御については、第１実施形態と同様である。

【0099】

制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ未満であるとき、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて第１電流源制御値ＱＤＡ１を出力すると共に、第２電流源制御値ＱＤＡ２をゼロに設定する。これにより、第１充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ１は、第１補正により補正された第１設定値ＳＴＶ１によって制御される。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ以上であるとき、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて第２電流源制御値ＱＤＡ２を出力すると共に、第１電流源制御値ＱＤＡ１をゼロに設定する。これにより、第２充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ２は、第２補正により補正された第２設定値ＳＴＶ２によって制御される。

【0100】

図１５は、第１充電回路１１０と第１電流源回路１４１の詳細構成例である。第１充電回路１１０の構成は、第１実施形態と同様である。

【0101】

第１電流源回路１４１は、演算増幅器ＯＰＢ１とＰ型トランジスターＴＢ１と抵抗ＲＣ１～ＲＣ１３とＮ型トランジスターＴＣ１～ＴＣ１３とを含む。

【0102】

Ｐ型トランジスターＴＢ１のソースはノードＮＣＳＩ１に接続され、ドレインはノードＮＳ１に接続される。演算増幅器ＯＰＢ１の反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが入力される。演算増幅器ＯＰＢ１の非反転入力端子はノードＮＳ１に接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＢ１のゲートに接続される。抵抗ＲＣ１の一端はノードＮＳ１に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＣ１のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＣ１のソースはグランドノードに接続される。同様に、抵抗ＲＣ２～ＲＣ１３の一端はノードＮＳ１に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３のソースはグランドノードに接続される。Ｎ型トランジスターＴＣ１のゲートには、第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［０］が入力される。同様に、Ｎ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３のゲートには、第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［１］～ＱＤＡ１［１２］が入力される。

【0103】

演算増幅器ＯＰＢ１は、第１イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、ノードＮＳ１の電圧がＶＳ１＝ＶＲＥＦとなる。抵抗ＲＣ１とＮ型トランジスターＴＣ１を第１電流源回路１４１の第１電流源と呼ぶ。第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ［０］が１のときＮ型トランジスターＴＣ１がオンであり、第１電流源がＶＲＥＦ／ＲＣ１の電流を流す。同様に、抵抗ＲＣ２～ＲＣ１３とＮ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３を第１電流源回路１４１の第２～第１３電流源と呼ぶ。第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［１］～ＱＤＡ１［１２］が１のときＮ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３がオンであり、第２～第１３電流源がＶＲＥＦ／ＲＣ２～ＶＲＥＦ／ＲＣ１３の電流を流す。Ｐ型トランジスターＴＢ１に流れる第１電流ＩＳ１は、第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［０］～ＱＤＡ１［１２］のうち１である制御ビット信号に対応した電流源が流す電流の合計である。なお、第１電流源回路１４１に含まれる電流源の数は１３に限定されず、ｍ個であればよい。ｍは２以上ｎ以下の整数である。

【0104】

第１イネーブル信号ＸＯＮＳが非アクティブのときには、演算増幅器ＯＰＡ１とＯＰＢ１は動作ディセーブルになる。このときＰ型トランジスターＴＡ１とＴＢ１がオフになり、第１電流ＩＳ１と第１充電電流ＩＣＨ１は流れない。

【0105】

図１６は、第２充電回路１２０と第２電流源回路１４２の詳細構成例である。第２充電回路１２０の構成は、第１実施形態と同様である。

【0106】

第２電流源回路１４２は、演算増幅器ＯＰＢ２とＰ型トランジスターＴＢ２と抵抗ＲＤ１～ＲＤ１３とＮ型トランジスターＴＤ１～ＴＤ１３とを含む。

【0107】

Ｐ型トランジスターＴＢ２のソースはノードＮＣＳＩ２に接続され、ドレインはノードＮＳ２に接続される。演算増幅器ＯＰＢ２の反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが入力される。演算増幅器ＯＰＢ２の非反転入力端子はノードＮＳ２に接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＢ２のゲートに接続される。抵抗ＲＤ１の一端はノードＮＳ２に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＤ１のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＤ１のソースはグランドノードに接続される。同様に、抵抗ＲＤ２～ＲＤ１３の一端はノードＮＳ２に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３のソースはグランドノードに接続される。Ｎ型トランジスターＴＤ１のゲートには、第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［０］が入力される。同様に、Ｎ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３のゲートには、第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［１］～ＱＤＡ２［１２］が入力される。

【0108】

演算増幅器ＯＰＢ２は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、ノードＮＳ２の電圧がＶＳ２＝ＶＲＥＦとなる。抵抗ＲＤ１とＮ型トランジスターＴＤ１を第２電流源回路１４２の第１電流源と呼ぶ。第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［０］が１のときＮ型トランジスターＴＤ１がオンであり、第１電流源がＶＲＥＦ／ＲＤ１の電流を流す。同様に、抵抗ＲＤ２～ＲＤ１３とＮ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３を第２電流源回路１４２の第２～第１３電流源と呼ぶ。第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［１］～ＱＤＡ２［１２］が１のときＮ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３がオンであり、第２～第１３電流源がＶＲＥＦ／ＲＤ２～ＶＲＥＦ／ＲＤ１３の電流を流す。Ｐ型トランジスターＴＢ２に流れる第２電流ＩＳ２は、第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［０］～ＱＤＡ２［１２］のうち１である制御ビット信号に対応した電流源が流す電流の合計である。なお、第２電流源回路１４２に含まれる電流源の数は１３に限定されず、ｎ個であればよい。

【0109】

第２イネーブル信号ＸＯＮＬが非アクティブのときには、演算増幅器ＯＰＡ２とＯＰＢ２は動作ディセーブルになる。このときＰ型トランジスターＴＡ２とＴＢ２がオフになり、第２電流ＩＳ２と第２充電電流ＩＣＨ２は流れない。

【0110】

図１７は、第２実施形態における第１電流源制御値ＱＤＡ１と第２電流源制御値ＱＤＡ２の波形例である。

【0111】

制御回路１６０は、第１電流モードにおける第１電流源制御値ＱＤＡ１の切り替え期間ＰＣａにおいて、第１電流源回路１４１の出力電流がゼロになる又は低減するように、第１電流源制御値ＱＤＡ１を所定値ＤＰＣａに設定する。制御回路１６０は、第２電流モードにおける第２電流源制御値ＱＤＡ２の切り替え期間ＰＣｂにおいて、第２電流源回路１４２の出力電流がゼロになる又は低減するように、第２電流源制御値ＱＤＡ２を所定値ＤＰＣｂに設定する。

【0112】

第１実施形態の図８と同様に、制御回路１６０はＤＰＣａとＤＰＣｂの全ビットをゼロにしてもよい。或いは、図９と同様に、制御回路１６０は、ＤＰＣａとＤＰＣｂの上位ｎ－ｐ＋１ビットをゼロにしてもよい。また図１０と同様に、制御回路１６０は、ＱＤＡ１≦ＧＤであるとき、第１電流源制御値ＱＤＡ１を変化させるときに切り替え期間ＰＣａを設けず、ＱＤＡ２≦ＧＤであるとき、第２電流源制御値ＱＤＡ２を変化させるときに切り替え期間ＰＣｂを設けなくてもよい。

【0113】

図１８は、第２実施形態における第１電流源回路１４１及び第２電流源回路１４２の抵抗比と動作を説明する図である。

【0114】

第１電流源回路１４１において第１～第１３電流源の電流比を決める抵抗ＲＣ１～ＲＣ１３の抵抗比は、ＲＣ１３：ＲＣ１２：・・・：ＲＣ２：ＲＣ１＝０．２５：０．５：・・・：５１２：１０２４である。この逆数比が電流比となるので、第１～第１３電流源が流す電流はバイナリーに重み付けされる。制御回路１６０は、第１電流モードつまり第１イネーブル信号ＸＯＮＳがローレベルのとき、ＳＴＶ１［１７：０］の上位１３ビットを第１電流源制御値ＱＤＡ１に割り当てて、ＱＤＡ１［１２：０］＝ＳＴＶ１［１７：５］を第１電流源回路１４１に出力する。

【0115】

第２電流源回路１４２において第１～第１３電流源の電流比を決める抵抗ＲＤ１～ＲＤ１３の抵抗比は、ＲＤ１３：ＲＤ１２：・・・：ＲＤ２：ＲＤ１＝０．２５：０．５：・・・：５１２：１０２４である。この逆数比が電流比となるので、第１～第１３電流源が流す電流はバイナリーに重み付けされる。制御回路１６０は、第２電流モードつまり第２イネーブル信号ＸＯＮＬがローレベルのとき、ＳＴＶ２［２０：０］の上位１３ビットを第２電流源制御値ＱＤＡ２に割り当てて、ＱＤＡ２［１２：０］＝ＳＴＶ２［２０：８］を第２電流源回路１４２に出力する。

【0116】

第２実施形態の図１８と第１実施形態の図１１とを比較すると、実質的に第２実施形態において第１実施形態と同じ動作が実現されていることが分かる。

【0117】

以上の本実施形態において、電流源回路１４０は、ｍ個の電流源を有する第１電流源回路１４１と、ｎ個の電流源を有する第２電流源回路１４２とを含む。第１電流源回路１４１のｍ個の電流源は、電流値がバイナリーに重み付けされたｍ個の定電流の出力又は非出力が第１電流源制御値ＱＤＡ１に基づいて制御される。第２電流源回路１４２のｎ個の電流源は、電流値がバイナリーに重み付けされｎ個の定電流の出力又は非出力が第２電流源制御値ＱＤＡ２に基づいて制御される。制御回路１６０は、電流源制御値として、第１電流源制御値ＱＤＡ１と第２電流源制御値ＱＤＡ２とを出力する。制御回路１６０は、第１電流源制御値ＱＤＡ１の切り替え期間ＰＣａにおいて、ｍ個の定電流を非出力にするように第１電流源制御値ＱＤＡ１を設定し、又はｍ個の定電流のうち高電流側のｓ個の定電流を非出力にするように第１電流源制御値ＱＤＡ１を設定する。制御回路１６０は、第２電流源制御値ＱＤＡ２の切り替え期間ＰＣｂにおいて、ｎ個の定電流を非出力にするように第２電流源制御値ＱＤＡ２を設定し、又はｎ個の定電流のうち高電流側のｔ個の定電流を非出力にするように第２電流源制御値ＱＤＡ２を設定してもよい。

【0118】

なお、図１５～図１８の例ではｍ＝ｎ＝１３であるが、ｍは２以上の整数であればよく、ｎはｍ以上の整数であればよく、ｎ≠ｍであってもよい。また、図９、図１５～図１８の例ではｓ＝ｔ＝５であるが、ｓは１以上ｍ未満の整数であればよく、ｔは１以上ｎ未満の整数であればよく、ｓ≠ｔであってもよい。

【0119】

本実施形態によれば、第１電流源制御値ＱＤＡ１の切り替え期間ＰＣａにおいて、ｍ個の定電流が非出力になることで、第１電流源回路１４１の出力電流がゼロになる。又は、第１電流源制御値ＱＤＡ１の切り替え期間ＰＣａにおいて、ｍ個の定電流のうち高電流側のｓ個の定電流が非出力になることで、第１電流源回路１４１の出力電流が低減する。また、第２電流源制御値ＱＤＡ２の切り替え期間ＰＣｂにおいて、ｎ個の定電流が非出力になることで、第２電流源回路１４２の出力電流がゼロになる。又は、第２電流源制御値ＱＤＡ２の切り替え期間ＰＣｂにおいて、ｎ個の定電流のうち高電流側のｔ個の定電流が非出力になることで、第２電流源回路１４２の出力電流が低減する。

【0120】

また本実施形態では、制御回路１６０は、第１電流源回路１４１のｍ個の電流源を制御するｍビットの第１電流源制御値ＱＤＡ１と、第２電流源回路１４２のｎ個の電流源を制御するｎビットの第２電流源制御値ＱＤＡ２と、を出力する。第１電流源回路１４１は、ｍ個の電流源のうちｍビットの第１電流源制御値ＱＤＡ１に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流ＩＳ１として第１充電回路１１０に供給する。第２電流源回路１４２は、ｎ個の電流源のうちｎビットの第２電流源制御値ＱＤＡ２に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流ＩＳ２として第２充電回路１２０に供給する。

【0121】

本実施形態によれば、電流設定値ＩＮＤＡに基づいてｍビットの第１電流源制御値ＱＤＡ１が出力され、そのｍビットの第１電流源制御値ＱＤＡ１に基づいて、第１電流源回路１４１におけるｍ個の電流源の出力又は非出力が制御される。これにより、第１電流モードにおいて、ｍ個の電流源からの電流が第１充電回路１１０に出力されることで、第１充電回路１１０が、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第１充電電流ＩＣＨ１を供給する。また、電流設定値ＩＮＤＡに基づいてｎビットの第２電流源制御値ＱＤＡ２が出力され、そのｎビットの第２電流源制御値ＱＤＡ２に基づいて、第２電流源回路１４２におけるｎ個の電流源の出力又は非出力が制御される。これにより、第２電流モードにおいて、ｎ個の電流源からの電流が第２充電回路１２０に出力されることで、第２充電回路１２０が、電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値の第２充電電流ＩＣＨ２を供給する。

【0122】

また本実施形態では、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値を設定する第１設定値ＳＴＶ１、及び第２充電電流ＩＣＨ２の電流値を設定する第２設定値ＳＴＶ２を設定する。制御回路１６０は、第２電流モードにおいて、第２設定値ＳＴＶ２のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号ＳＴＶ２［ｉ］～ＳＴＶ２［ｉ＋ｎ－１］をｎビットの第２電流源制御値ＱＤＡ２として出力する。制御回路１６０は、第１電流モードにおいて、第１設定値ＳＴＶ１のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｍビット信号ＳＴＶ１［ｉ－ｋ］～ＳＴＶ１［ｉ－ｋ＋ｍ－１］をｍビットの第１電流源制御値ＱＤＡ１として出力する。

【0123】

なお、図１５～図１８の例では、ｍ＝ｎ＝１３、ｉ＝８、ｋ＝３であるが、ｍは２以上の整数であればよく、ｎはｍ以上の整数であればよく、ｎ≠ｍであってもよく、ｉは１以上の整数であればよく、ｋは１以上ｉ以下の整数であればよい。

【0124】

本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１電流ＩＳ１の分解能と第２電流ＩＳ２の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路１１０の第１増幅率と第２充電回路１２０の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と第２充電電流ＩＣＨ２の分解能を、ほぼ同等にできる。

【0125】

以上に説明した本実施形態の回路装置は、電流源回路と第１充電回路と第２充電回路と制御回路とを含む。第１充電回路は、電流源回路の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流を充電電流として充電ノードに供給する。第２充電回路は、電流源回路の出力電流に基づいて、第１充電電流よりも大きい定電流の第２充電電流を充電電流として充電ノードに供給する。制御回路は、充電電流の電流値を設定する電流設定値が第１電流範囲であるとき、電流設定値が示す電流値の第１充電電流を第１充電回路から充電ノードに供給させる第１電流モードの制御を行う。制御回路は、電流設定値が第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、電流設定値が示す電流値の第２充電電流を第２充電回路から充電ノードに供給させる第２電流モードの制御を行う。制御回路は、第１電流モードと第２電流モードの切り替え期間において、第１充電電流及び第２充電電流の両方を非供給状態に設定する。

【0126】

本実施形態によれば、充電電流の電流設定値に応じて、第１充電回路で充電する第１充電モードと、第２充電回路で充電する第２充電モードとを切り替えることで、充電電流の電流値に応じて最適な定電流充電回路の設計が可能となる。これにより、高充電電流化を実現しつつ、回路規模の増加、充電電流の分解能低下、又は電力効率の低下を抑制することが可能になる。また、第１電流モードと第２電流モードの切り替え時において充電電流が意図しない大電流になる可能性があるが、本実施形態によれば、第１電流モードと第２電流モードの切り替え期間において、第１充電電流及び第２充電電流の両方が非供給状態になるので、充電電流が意図しない大電流にならない。

【0127】

また本実施形態では、制御回路は、第１充電電流を供給状態又は非供給状態に制御する第１イネーブル信号と、第２充電電流を供給状態又は非供給状態に制御する第２イネーブル信号とを出力してもよい。制御回路は、切り替え期間において、第１イネーブル信号及び第２イネーブル信号を非アクティブにすることで、第１充電電流及び第２充電電流の両方を非供給状態に設定してもよい。

【0128】

第１電流モードと第２電流モードの切り替え期間において、第１イネーブル信号及び第２イネーブル信号の僅かな信号遅延差によって、充電電流が意図しない大電流になる可能性がある。本実施形態によれば、切り替え期間において第１イネーブル信号及び第２イネーブル信号が非アクティブに設定される。これにより、第１充電電流及び第２充電電流の両方が非供給状態になるので、充電電流が意図しない大電流にならない。

【0129】

また本実施形態では、第１充電回路は、第１イネーブル信号に基づいてイネーブル又はディセーブルに制御され、イネーブルであるときに、第１充電電流を充電ノードに供給してもよい。第２充電回路は、第２イネーブル信号に基づいてイネーブル又はディセーブルに制御され、イネーブルであるときに、第２充電電流を充電ノードに供給してもよい。制御回路は、切り替え期間において、第１イネーブル信号及び第２イネーブル信号を非アクティブにすることで第１充電回路及び第２充電回路をディセーブルにしてもよい。

【0130】

本実施形態によれば、切り替え期間において、第１充電回路及び第２充電回路がディセーブルになることで、第１充電電流及び第２充電電流の両方が非供給状態になる。

【0131】

また本実施形態では、回路装置は、第１トランジスターと第２トランジスターとを含んでもよい。第１トランジスターは、第１イネーブル信号に基づいてオン又はオフに制御され、オンであるときに、電流源回路からの出力電流を第１充電回路に供給してもよい。第２トランジスターは、第２イネーブル信号に基づいてオン又はオフに制御され、オンであるときに、電流源回路からの出力電流を第２充電回路に供給してもよい。制御回路は、切り替え期間において、第１イネーブル信号及び第２イネーブル信号を非アクティブにすることで第１トランジスター及び第２トランジスターをオフにしてもよい。

【0132】

本実施形態によれば、切り替え期間において、第１トランジスター及び第２トランジスターがオフになることで、電流源回路から第１充電回路及び第２充電回路に電流が供給されなくなる。これにより、第１充電電流及び第２充電電流の両方が非供給状態になる。

【0133】

また本実施形態では、制御回路は、電流設定値に基づいて、電流源回路の出力電流を制御する電流源制御値を電流源回路に出力してもよい。第１電流モードにおいて、電流源回路は、電流源制御値が示す電流値の第１電流を出力電流として第１充電回路に供給してもよい。第１充電回路は、第１増幅率で第１電流を増幅することで第１充電電流を供給してもよい。第２電流モードにおいて、電流源回路は、電流源制御値が示す電流値の第２電流を出力電流として第２充電回路に供給してもよい。第２充電回路は、第１増幅率よりも大きい第２増幅率で第２電流を増幅することで第２充電電流を供給してもよい。

【0134】

本実施形態によれば、第２電流モードにおける第２増幅率が第１電流モードにおける第１増幅率より大きいことで、第２電流モードにおいて、第１充電電流より大きい第２充電電流を生成できる。また、第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、第１電流の分解能を大きくできる。これにより、第１充電電流の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。また、第２電流の分解能は第１電流の分解能より小さくなるが、第１充電回路と第２充電回路を分けたことで、第２充電電流の分解能の値は第１充電電流の分解能と同じになり、第１充電電流と同様、第２充電電流の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。

【0135】

また本実施形態では、電流源回路は、第１～第ｎ電流源と第１トランジスターと第２トランジスターとを含んでもよい。ｎは２以上の整数である。第１～第ｎ電流源は、電流値がバイナリーに重み付けされた第１～第ｎ定電流の出力又は非出力が電流源制御値の第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて制御されてもよい。第１トランジスターは、第１電流モードにおいて、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流として第１充電回路に供給してもよい。第２トランジスターは、第２電流モードにおいて、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流として第２充電回路に供給してもよい。

【0136】

本実施形態によれば、電流設定値に基づいて第１～第ｎ制御ビット信号が出力され、その第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて第１～第ｎ電流源の出力又は非出力が制御される。これにより、第１電流モードにおいて、第１トランジスターが第１～第ｎ電流源からの電流を第１充電回路に出力することで、第１充電回路が、電流設定値が示す電流値の第１充電電流を供給する。第２電流モードにおいて、第２トランジスターが第１～第ｎ電流源からの電流を第２充電回路に出力することで、第２充電回路が、電流設定値が示す電流値の第２充電電流を供給する。

【0137】

また本実施形態では、制御回路は、電流設定値に基づいて、第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を設定してもよい。制御回路は、第２電流モードにおいて、第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号を第１～第ｎ制御ビット信号として出力してもよい。ｉは１以上の整数である。制御回路は、第１電流モードにおいて、第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｎビット信号を第１～第ｎ制御ビット信号として出力してもよい。ｋは１以上ｉ以下の整数である。

【0138】

本実施形態によれば、電流設定値のＬＳＢに対応する第１電流の分解能と第２電流の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路の第１増幅率と第２充電回路の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値のＬＳＢに対応する第１充電電流の分解能と第２充電電流の分解能を、ほぼ同等にできる。

【0139】

また本実施形態では、電流源回路は、第１電流源回路と第２電流源回路とを含んでもよい。第１電流源回路は、ｍ個の電流源を有してもよい。ｍ個の電流源は、電流値がバイナリーに重み付けされたｍ個の定電流の出力又は非出力がｍビットの第１電流源制御値に基づいて制御されてもよい。ｍは２以上の整数である。第２電流源回路は、ｎ個の電流源を有してもよい。ｎ個の電流源電流値がバイナリーに重み付けされｎ個の定電流の出力又は非出力がｎビットの第２電流源制御値に基づいて制御されてもよい。ｎはｍ以上の整数である。制御回路は、電流源制御値として、ｍビットの第１電流源制御値と、ｎビットの第２電流源制御値とを出力してもよい。第１電流源回路は、ｍ個の電流源のうちｍビットの第１電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流として第１充電回路に供給してもよい。第２電流源回路は、ｎ個の電流源のうちｎビットの第２電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流として第２充電回路に供給してもよい。

【0140】

本実施形態によれば、電流設定値に基づいてｍビットの第１電流源制御値が出力され、そのｍビットの第１電流源制御値に基づいて、第１電流源回路におけるｍ個の電流源の出力又は非出力が制御される。これにより、第１電流モードにおいて、ｍ個の電流源からの電流が第１充電回路に出力されることで、第１充電回路が、電流設定値が示す電流値の第１充電電流を供給する。また、電流設定値に基づいてｎビットの第２電流源制御値が出力され、そのｎビットの第２電流源制御値に基づいて、第２電流源回路におけるｎ個の電流源の出力又は非出力が制御される。これにより、第２電流モードにおいて、ｎ個の電流源からの電流が第２充電回路に出力されることで、第２充電回路が、電流設定値が示す電流値の第２充電電流を供給する。

【0141】

また本実施形態では、制御回路は、電流設定値に基づいて、第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を設定してもよい。制御回路は、第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号をｎビットの第２電流源制御値として出力してもよい。ｉは１以上の整数である。制御回路は、第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｍビット信号をｍビットの第１電流源制御値として出力してもよい。ｋは１以上ｉ以下の整数である。ｍは２以上ｎ以下の整数である。

【0142】

本実施形態によれば、電流設定値のＬＳＢに対応する第１電流の分解能と第２電流の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路の第１増幅率と第２充電回路の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値のＬＳＢに対応する第１充電電流の分解能と第２充電電流の分解能を、ほぼ同等にできる。

【0143】

また本実施形態の電子器機は、上記のいずれかの回路装置と、充電ノードに接続されるバッテリーと、を含む。

【0144】

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本開示の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本開示の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本開示の範囲に含まれる。また回路装置、バッテリー及び電子機器等の構成及び動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。

【符号の説明】

【0145】

１０…バッテリー、１００…回路装置、１１０…第１充電回路、１２０…第２充電回路、１４０…電流源回路、１４１…第１電流源回路、１４２…第２電流源回路、１４５…スイッチ回路、１５０…基準電圧生成回路、１６０…制御回路、１７０…記憶部、１９０…逆流防止回路、２００…電子機器、２５６…閾値、ＧＤ…閾値、ＩＢＡＴ…充電電流、ＩＣＨ１…第１充電電流、ＩＣＨ２…第２充電電流、ＩＮＤＡ…電流設定値、ＩＳ１…第１電流、ＩＳ２…第２電流、ＮＢＡＴ…充電ノード、ＰＡ，ＰＢ…第１電流モードと第２電流モードの切り替え期間、ＰＣ…電流源制御値の切り替え期間、ＰＣａ…第１電流源制御値の切り替え期間、ＰＣｂ…第２電流源制御値の切り替え期間、ＱＤＡ…電流源制御値、ＱＤＡ１…第１電流源制御値、ＱＤＡ２…第２電流源制御値、ＴＥ１…第１トランジスター、ＴＥ２…第２トランジスター、ＶＢＡＴ…バッテリー電圧、ＶＩＮ…電源電圧、ＶＲＥＦ…基準電圧、ＸＯＮＬ…第２イネーブル信号、ＸＯＮＳ…第１イネーブル信号

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】