特開 2024-33075 コネクタ及びコネクタ対

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024033075

(43)【公開日】2024-03-13

(54)【発明の名称】コネクタ及びコネクタ対

(51)【国際特許分類】

   H01R 13/03 20060101AFI20240306BHJP

   H01R 12/71 20110101ALI20240306BHJP

【ＦＩ】

H01R13/03 D

H01R12/71

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022136460

(22)【出願日】2022-08-30

(71)【出願人】

【識別番号】591043064

【氏名又は名称】モレックス エルエルシー

(74)【代理人】

【識別番号】100116207

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 俊明

(74)【代理人】

【識別番号】100096426

【弁理士】

【氏名又は名称】川合 誠

(72)【発明者】

【氏名】杉水流 誉司

【テーマコード（参考）】

5E223

【Ｆターム（参考）】

5E223AB41

5E223AB77

5E223AC17

5E223AC18

5E223BA01

5E223BA07

5E223BB01

5E223BB12

5E223CB22

5E223CB31

5E223CB38

5E223CD01

5E223DA05

5E223DB08

5E223DB11

5E223DB25

5E223DB33

5E223DB36

5E223EA03

5E223EA36

5E223EB04

5E223EB13

5E223EB23

5E223EB32

5E223EB38

(57)【要約】

【課題】はんだバリアを形成することなく、はんだ濡れ性を適度に維持し、基板接続部の接続強度を向上させつつ、接点部における接触抵抗を低減することができ、構造が簡素で、コストが低く、信頼性が高くなるようにする。
【解決手段】シールドは、本体部と、本体部の一端側に位置する基板接続部と、本体部の他端側に位置する接点部とを含み、コネクタの周辺を囲み、本体部、基板接続部及び接点部は、ハウジングから露出した露出面を含み、基板接続部は、コネクタの全周に亘って形成され、本体部、基板接続部及び接点部は、金属基材と、金属基材の上に形成された第１～第３層のめっき層を含み、第１層は、ニッケル又はニッケル合金のめっき層であり、第２層は、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、第３層は、金又は金合金のめっき層であり、第３層の厚さは０．２～１５〔ｎｍ〕である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

（ａ）ハウジングと、シールドとを備えるコネクタであって、
（ｂ）前記シールドは、本体部と、該本体部の一端側に位置する基板接続部と、前記本体部の他端側に位置する接点部とを含み、前記コネクタの周辺を囲み、
（ｃ）前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、前記ハウジングから露出した露出面を含み、
（ｄ）前記基板接続部は、前記コネクタの全周に亘って形成され、
（ｅ）前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、金属基材と、該金属基材の上に形成された第１～第３層のめっき層を含み、
（ｆ）前記第１層は、ニッケル又はニッケル合金のめっき層であり、前記第２層は、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、前記第３層は、金又は金合金のめっき層であり、前記第３層の厚さは０．２～１５〔ｎｍ〕であることを特徴とするコネクタ。

【請求項2】

前記ハウジングは、前記シールドと一体成形される請求項１に記載のコネクタ。

【請求項3】

前記基板接続部は、全周に亘って基板にはんだ付される請求項１に記載のコネクタ。

【請求項4】

前記基板接続部は、全周に亘って連続するフランジである請求項１に記載のコネクタ。

【請求項5】

前記接点部は、前記シールドの四辺に形成可能である請求項１に記載のコネクタ。

【請求項6】

前記シールドの上端には、前記コネクタの内側に向って湾曲する湾曲部を形成可能である請求項１に記載のコネクタ。

【請求項7】

前記めっき層は、前記シールドの全体に亘って形成されている請求項１に記載のコネクタ。

【請求項8】

前記第３層の厚さは０．５～８〔ｎｍ〕である請求項１に記載のコネクタ。

【請求項9】

前記白金族金属はパラジウム又はパラジウム合金であり、前記第２層の厚さは２～２００〔ｎｍ〕である請求項１に記載のコネクタ。

【請求項10】

請求項１～９のいずれか１項に記載のコネクタと、該コネクタと嵌合する相手方コネクタとを有するコネクタ対。

【請求項11】

（ａ）前記相手方コネクタは、ハウジングと、シールドとを備え、
（ｂ）該シールドは、本体部と、該本体部の一端側に位置する基板接続部と、前記本体部の他端側に位置する接点部とを含み、前記相手方コネクタの周辺を囲み、
（ｃ）前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、前記ハウジングから露出した露出面を含み、
（ｄ）前記基板接続部は、前記相手方コネクタの全周に亘って形成され、
（ｅ）前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、金属基材と、該金属基材の上に形成された第１～第３層のめっき層を含み、
（ｆ）前記第１層は、ニッケル又はニッケル合金のめっき層であり、前記第２層は、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、前記第３層は、金又は金合金のめっき層であり、前記第３層の厚さは０．２～１５〔ｎｍ〕である請求項１０に記載のコネクタ対。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、コネクタ及びコネクタ対に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、一対の平行な回路基板同士を電気的に接続するために、基板対基板コネクタが使用されている。このようなコネクタは、それぞれ、導電部材である端子を複数本ずつ備え、各端子の基板接続部が回路基板上に形成された配線パターン等にはんだ付によって接続されており、コネクタ同士が嵌合し、対応する端子の接点部同士が互いに接触すると、一対の回路基板の対応する配線パターン同士が互いに導通する。そして、各端子には、溶融したはんだが基板接続部から接点部にまで這上がってしまうことを防止するために、はんだバリアが形成されている（例えば、特許文献１参照。）。

【0003】

図１６は従来の端子を示す図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は断面図である。

【0004】

図において、８６１は、図示されないコネクタのハウジングに取付けられる端子であり、細長い帯状の導電性の金属板を屈曲させて形成された部材であり、細長い本体部８６１ｃと、該本体部８６１ｃの一端側に形成され、相手方の端子と接触する接点部８６１ａと、前記本体部８６１ｃの他端側に形成され、図示されない回路基板上に形成された配線パターン等にはんだ付によって接続される基板接続部８６１ｂとを備えている。

【0005】

そして、前記接点部８６１ａ及び基板接続部８６１ｂにおいては、図１６（ｂ）に示されるように複数のめっき層が形成されている。図において、８６２は金属基材であり、例えば、ベリリウム銅等の銅合金から成る。また、８６３ａは、金属基材８６２の上に形成された下地層としてのニッケルめっき層であり、その厚さは２〔μｍ〕程度である。さらに、８６３ｂは、ニッケルめっき層８６３ａの上に形成されたパラジウムめっき層であり、例えば、Ｐｄ－Ｎｉ合金等のパラジウム合金から成り、その厚さは０．１〔μｍ〕以上であることが望ましい。さらに、８６３ｃは、パラジウムめっき層８６３ｂの上に形成された金めっき層であり、例えば、Ａｕ－Ｃｏ合金等の金合金から成り、その厚さは０．３〔μｍ〕以上であることが望ましい。

【0006】

これにより、前記接点部８６１ａにおいては、電気抵抗を低減させるとともに硬度及び耐摩耗性を向上させることができ、良好な接触信頼性を得ることができる。また、前記基板接続部８６１ｂにおいては、良好な耐食性及びはんだ濡れ性を保ちつつ、硬度及び耐摩耗性を向上させることができる。さらに、前記本体部８６１ｃにおいては、ニッケルめっき層８６３ａ、及び、該ニッケルめっき層８６３ａ上のパラジウムめっき層８６３ｂが形成されているものの、金めっき層８６３ｃは存在しないようになっている。

【0007】

このように、金めっき層８６３ｃよりもはんだ濡れ性が悪いパラジウムめっき層８６３ｂが表面に形成されているので、前記本体部８６１ｃは、はんだバリアとして機能し、溶融したはんだが基板接続部８６１ｂから接点部８６１ａにまで這上がってしまうことを防止することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２００６－２９４４２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

しかしながら、前記従来のコネクタにおいては、基板接続部８６１ｂと接点部８６１ａとの間にはんだバリアを形成する必要があり、しかも、はんだが基板接続部８６１ｂから接点部８６１ａまで這上がってしまうことを確実に防止するためには、はんだバリアを広範囲に亘って形成する必要があるが、そうすると、基板接続部８６１ｂから接点部８６１ａまでの距離が長くなり、端子８６１が大型化してしまう。近年では、特に、基板対基板コネクタの小型化及び低背化が進んでいるので、端子８６１を大型にして基板接続部８６１ｂから接点部８６１ａまでの距離を長くすることは困難である。そもそも、基板対基板コネクタの小型化及び低背化に伴って端子８６１も小型化されているので、基板接続部８６１ｂから接点部８６１ａまでの間に、はんだバリアを形成すること自体が非常に困難である。

【0010】

ここでは、前記従来の問題点を解決して、はんだバリアを形成することなく、はんだ濡れ性を適度に維持し、基板接続部の接続強度を向上させつつ、接点部における接触抵抗を低減することができ、構造が簡素で、コストが低く、信頼性の高いコネクタ及びコネクタ対を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

そのために、コネクタにおいては、ハウジングと、シールドとを備えるコネクタであって、前記シールドは、本体部と、該本体部の一端側に位置する基板接続部と、前記本体部の他端側に位置する接点部とを含み、前記コネクタの周辺を囲み、前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、前記ハウジングから露出した露出面を含み、前記基板接続部は、前記コネクタの全周に亘って形成され、前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、金属基材と、該金属基材の上に形成された第１～第３層のめっき層を含み、前記第１層は、ニッケル又はニッケル合金のめっき層であり、前記第２層は、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、前記第３層は、金又は金合金のめっき層であり、前記第３層の厚さは０．２～１５〔ｎｍ〕である。

【0012】

他のコネクタにおいては、さらに、前記ハウジングは、前記シールドと一体成形される。

【0013】

更に他のコネクタにおいては、さらに、前記基板接続部は、全周に亘って基板にはんだ付される。

【0014】

更に他のコネクタにおいては、さらに、前記基板接続部は、全周に亘って連続するフランジである。

【0015】

更に他のコネクタにおいては、さらに、前記接点部は、前記シールドの四辺に形成可能である。

【0016】

更に他のコネクタにおいては、さらに、前記シールドの上端には、前記コネクタの内側に向って湾曲する湾曲部を形成可能である。

【0017】

更に他のコネクタにおいては、さらに、前記めっき層は、前記シールドの全体に亘って形成されている。

【0018】

更に他のコネクタにおいては、さらに、前記第３層の厚さは０．５～８〔ｎｍ〕である。

【0019】

更に他のコネクタにおいては、さらに、前記白金族金属はパラジウム又はパラジウム合金であり、前記第２層の厚さは２～２００〔ｎｍ〕である。

【0020】

コネクタ対においては、本開示のコネクタと、該コネクタと嵌合する相手方コネクタとを有する。

【0021】

他のコネクタ対においては、さらに、前記相手方コネクタは、ハウジングと、シールドとを備え、該シールドは、本体部と、該本体部の一端側に位置する基板接続部と、前記本体部の他端側に位置する接点部とを含み、前記相手方コネクタの周辺を囲み、前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、前記ハウジングから露出した露出面を含み、前記基板接続部は、前記相手方コネクタの全周に亘って形成され、前記本体部、基板接続部及び接点部は、それぞれ、金属基材と、該金属基材の上に形成された第１～第３層のめっき層を含み、前記第１層は、ニッケル又はニッケル合金のめっき層であり、前記第２層は、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、前記第３層は、金又は金合金のめっき層であり、前記第３層の厚さは０．２～１５〔ｎｍ〕である。

【発明の効果】

【0022】

本開示によれば、コネクタは、はんだバリアを形成することなく、はんだ濡れ性を適度に維持し、基板接続部の接続強度を向上させつつ、接点部における接触抵抗を低減することができる。また、構造を簡素化し、コストを低減することができるとともに、信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本実施の形態における第１コネクタの分解図である。

【図2】本実施の形態における第１コネクタの二面図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ矢視断面図である。

【図3】本実施の形態における第１シールドの二面図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ矢視断面図である。

【図4】本実施の形態における第２コネクタの斜視図であって、（ａ）は斜め上方から観た図、（ｂ）は斜め下方から観た図である。

【図5】本実施の形態における第２コネクタの三面図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図である。

【図6】本実施の形態における第２コネクタの下面図である。

【図7】本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合初期の状態の平面図である。

【図8】本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合初期の状態の断面図であって、（ａ）は図７のＣ－Ｃ矢視断面図、（ｂ）は図７のＤ－Ｄ矢視断面図である。

【図9】本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の斜視図である。

【図10】本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の平面図である。

【図11】本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の側断面図であって、（ａ）は図１０のＥ－Ｅ矢視断面図、（ｂ）は図１０のＦ－Ｆ矢視断面図である。

【図12】本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の横断面図であって、（ａ）は図１０のＧ－Ｇ矢視断面図、（ｂ）は図１０のＨ－Ｈ矢視断面図である。

【図13】本実施の形態におけるめっき層の構成を示す導電部材の表面近傍の模式断面図である。

【図14】本実施の形態におけるはんだ濡れ広がり実験の結果を示す図である。

【図15】本実施の形態における第２及び第３層の厚さを変化させた実験の結果を示す表である。

【図16】従来の端子を示す図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

【0025】

図１は本実施の形態における第１コネクタの分解図、図２は本実施の形態における第１コネクタの二面図、図３は本実施の形態における第１シールドの二面図である。なお、図２において、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ矢視断面図であり、図３において、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ矢視断面図である。

【0026】

図において、１０は、本実施の形態におけるコネクタであって、コネクタ対である一対の基板対基板コネクタの一方としての第１コネクタである。該第１コネクタ１０は、実装部材としての図示されない基板である第１基板の表面に実装される表面実装型のレセプタクルコネクタであって、後述される相手方コネクタとしての第２コネクタ１０１と互いに嵌合される。また、該第２コネクタ１０１は一対の基板対基板コネクタの他方であり、実装部材としての図示されない基板である第２基板の表面に実装される表面実装型のプラグコネクタである。

【0027】

なお、本実施の形態におけるコネクタ対の第１コネクタ１０及び第２コネクタ１０１は、好適には、基板としての第１基板及び第２基板を電気的に接続するために使用するものであるが、他の部材を電気的に接続するためにも使用することができる。前記第１基板及び第２基板は、例えば、電子機器等に使用されるプリント回路基板、フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）等であるが、いかなる種類の基板であってもよい。

【0028】

また、本実施の形態において、コネクタ対の第１コネクタ１０及び第２コネクタ１０１の各部の構成及び動作を説明するために使用される上、下、左、右、前、後等の方向を示す表現は、絶対的なものでなく相対的なものであり、前記第１コネクタ１０及び第２コネクタ１０１の各部が図に示される姿勢である場合に適切であるが、その姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。

【0029】

そして、前記第１コネクタ１０は、導電性の金属板に打抜き、絞り等の加工を施すことによって形成されたシールドである第１外側シールドとしての第１シールド５０と、合成樹脂等の絶縁性材料によって一体的に形成されたハウジングとしての第１ハウジング１１とを有する。該第１ハウジング１１は、平板状の底板１８と、該底板１８の上面から上方に向けて突出する凸部としての第１凸部１３と、前記底板１８の四隅から上方に向けて突出する隅部１７とを有する。

【0030】

該隅部１７は、第１シールド５０がオーバーモールド乃至インサート成形によって第１ハウジング１１と一体化される際に、前記第１シールド５０と接続される部分である。本実施の形態において、第１ハウジング１１は、第１シールド５０と一体成形される。すなわち、第１ハウジング１１は、第１シールド５０をあらかじめ内部にセットした金型のキャビティ内に合成樹脂等の絶縁性材料を充填することによって成形され、前記隅部１７において第１シールド５０と一体的に接続される。したがって、第１ハウジング１１と第１シールド５０とは、別個に存在するものではないが、図１においては、説明の都合上、第１ハウジング１１と第１シールド５０とが別個に存在するように、示されている。

【0031】

図１に示されるように、各隅部１７は、それぞれ、円筒壁を四分割した１つのような形状となっており、平面視において、中心角が約９０度の円弧状の形状を有する上壁部１７ａと、該上壁部１７ａの外縁から下方（Ｚ軸負方向）に延在する円筒面状の外壁部１７ｂと、前記上壁部１７ａの内縁から下方に延在する円筒面状の内壁部１７ｃと、中心角が約９０度の円弧の両端に相当する上壁部１７ａの縁から下方に延在する一対の平面状の側壁部１７ｄとを含んでいる。なお、図１に示される例において、各側壁部１７ｄには、周縁を除いて凹入した凹入部１７ｄ１が形成されているが、該凹入部１７ｄ１を省略し、側壁部１７ｄを平面にすることもできる。

【0032】

そして、前記内壁部１７ｃには、第１シールド５０の嵌合位置決め部５１ｂに含まれるコーナ部５０ｃにおける内壁５１を収容するように凹入したシールド収容部１７ｅが存在する。該シールド収容部１７ｅの下端部は、底板１８の接続部１８ａにおける上面とほぼ平行となるように形成されている。そして、図１及び２（ｂ）に示されるように、前記シールド収容部１７ｅの下端部近傍の少なくとも一部には、収容部５０ｄの内方に向けて突出する係止凸部１７ｈが形成されることが望ましい。

【0033】

また、前記第１シールド５０の嵌合位置決め部５１ｂに含まれるコーナ部５０ｃは、その下端部がフランジ部５４における上面とほぼ平行となるように形成されている。そして、前記コーナ部５０ｃを含む嵌合位置決め部５１ｂの上端近傍は、収容部５０ｄの内方斜め下に向けて緩やかに傾斜した緩傾斜面部５１ｈとなっている。

【0034】

なお、前記嵌合位置決め部５１ｂは、緩傾斜面部５１ｈの下端から下方にほぼ鉛直に延びる位置決め下部５１ｊを含んでいる。そして、図３（ｂ）に示されるように、前記位置決め下部５１ｊの内壁面、すなわち、外壁５２に対向する壁面の下端部近傍の少なくとも一部には、収容部５０ｄの内方に向けて凹入する係止凹部５１ｋが形成されていることが望ましい。

【0035】

これにより、第１シールド５０がオーバーモールド乃至インサート成形によって第１ハウジング１１と一体化される際に、図２（ｂ）に示されるように、コーナ部５０ｃの裏側に充填された第１ハウジング１１の構成材料の一部が係止凹部５１ｋ内に進入して、係止凸部１７ｈが形成され、該係止凸部１７ｈと係止凹部５１ｋとが噛合った状態となる。したがって、コーナ部５０ｃと隅部１７とは確実に一体化され、分離不能となる。なお、前記位置決め下部５１ｊの外壁面、すなわち、収容部５０ｄの内方に向いた壁面と、隅部１７の内壁部１７ｃとは、鉛直方向に延びるほぼ同一面となる。

【0036】

前記第１凸部１３は、第１コネクタ１０の長手方向（Ｘ軸方向）に延在する概略直方体状の部材であり、第１コネクタ１０の幅方向（Ｙ軸方向）両側において第１コネクタ１０の長手方向に延在する一対の外側凸部１３ａと、前記幅方向の中央において第１コネクタ１０の長手方向に延在する内側凸部１３ｂと、前記幅方向に延在し、外側凸部１３ａ及び内側凸部１３ｂの長手方向両端同士を接続する一対の横向凸部１３ｃとを含んでいる。そして、内側凸部１３ｂの左右両側における外側凸部１３ａとの間には、第１凹部１２の一部として、第１コネクタ１０の長手方向に延在する凹部である一対の内凹溝部１２ａが形成される。

【0037】

ここで、前記内側凸部１３ｂの左右両側の側面から、内凹溝部１２ａの底面を通って、外側凸部１３ａの側面にかけては、第１信号端子収容キャビティ１５が形成されている。図に示される例において、第１信号端子収容キャビティ１５は、前記底板１８を板厚方向（Ｚ軸方向）に貫通するように形成される。なお、前記第１信号端子収容キャビティ１５のうちで、内側凸部１３ｂの左右両側の側面に形成された凹溝状の部分を第１信号端子収容内側キャビティ１５ａと称し、外側凸部１３ａにおける内側凸部１３ｂと対向する側面に形成された凹溝状の部分を第１信号端子収容外側キャビティ１５ｂと称する。

【0038】

前記第１信号端子収容キャビティ１５は、所定（例えば、０．３５〔ｍｍ〕。）のピッチで複数（図に示される例においては３つ）が長手方向に並んで形成されている。なお、該第１信号端子収容キャビティ１５のピッチ及び数は適宜変更することができる。そして、第１信号端子収容キャビティ１５の各々に収容されて第１ハウジング１１に取付けられる端子としての第１端子６１も、各第１凸部１３の両側に、同様のピッチで複数個ずつ配設されている。すなわち、前記第１端子６１は、各内凹溝部１２ａに沿って複数ずつ配設され、並列する一対の端子群列を形成している。

【0039】

また、前記第１凸部１３における長手方向両端外側、すなわち、横向凸部１３ｃの外側には、後述される第２コネクタ１０１の第２シールド１５０が備える内壁１５１が進入するスリットとしての第２シールド収容スリット１３ｄがそれぞれ形成されている。図に示される例において、第２シールド収容スリット１３ｄは、底板１８を板厚方向に貫通するように形成されているが、必ずしも、底板１８を板厚方向に貫通する必要はない。

【0040】

前記第１凸部１３における第１コネクタ１０の幅方向外側における底板１８には、側凹部１８ｂが形成され、これにより、底板１８は、第１コネクタ１０の幅方向の寸法が小さく、すなわち、幅狭に形成されている。また、底板１８の第１コネクタ１０の長手方向両端には端凹部１８ｃが形成され、これにより、底板１８は、第１コネクタ１０の長手方向の寸法が小さく、すなわち、短く形成されている。

【0041】

さらに、第１コネクタ１０の長手方向に関して第１凸部１３よりも外側においては、底板１８の上面から上方に向けて突出する一対の支持部としての第１高周波端子支持部１６が形成されている。該第１高周波端子支持部１６は、上方から観た形状が、図２（ａ）に示されるように、概略Ｕ字状の柱状部材であって、上下方向に延在する高周波端子収容溝としての第１高周波端子収容溝１６ａを有する。また、第１高周波端子支持部１６同士は、それぞれの第１高周波端子収容溝１６ａの開口が反対方向を向くように配置され、しかも、図２（ａ）に示されるように、上方から観て、すなわち、平面視において、第１コネクタ１０の中心に関して点対称となるように、かつ、第１コネクタ１０の幅方向の中心から離間して幅方向の外側に偏倚するように配置されている。そして、前記第１高周波端子収容溝１６ａには、高周波端子としての第１高周波端子７１が収容される。また、前記第１高周波端子収容溝１６ａの下方及びその前方においては、底板１８を板厚方向に貫通する開口としての第１高周波端子収容開口１６ｂが形成されている。

【0042】

前記第１シールド５０は、導電性の金属板に打抜き、絞り等の加工を施すことによって一体的に形成された部材であって、第１コネクタ１０の嵌合方向に延伸する曲線的部材であるから、その表面は延伸面であると言える。また、前記第１シールド５０は、図２（ａ）に示されるように、上方から観て、すなわち、平面視において、概略矩形の枠状の部材であり、第１コネクタ１０の周辺を囲み、第１ハウジング１１の周囲を囲繞する。そして、前記第１シールド５０は、その上端における内周縁に形成された斜め下方に向けて延びる傾斜部としての傾斜面部５１ｄ及び緩傾斜面部５１ｈを含んでいる。また、前記第１シールド５０は、第１コネクタ１０の長手方向に直線的に延在するリニア部としての複数（図に示される例において、一対）の長辺部５０ａと、第１コネクタ１０の幅方向に直線的に延在するリニア部としての複数（図に示される例において、一対）の短辺部５０ｂと、前記長辺部５０ａの一端と短辺部５０ｂの一端とを接続する略９０度に湾曲した湾曲部としての複数（図に示される例において、４つ）のコーナ部５０ｃとを含んでいる。

【0043】

また、前記第１シールド５０は、外壁５２と、該外壁５２の内側において前記外壁５２とほぼ平行な内壁５１と、前記外壁５２の上端と内壁５１の上端とを連結して一体化する連結部５３とを含んでいる。該連結部５３は、第１シールド５０の上端において第１コネクタ１０の内側に向って湾曲する湾曲部となっている。前記外壁５２は全周に亘って連続した壁であるのに対して、前記内壁５１は、長辺部５０ａ及び短辺部５０ｂにおいてコーナ部５０ｃに近接した部分に形成されたスリット部５３ａによって、嵌合ばね部５１ａと嵌合位置決め部５１ｂとに分離されている。なお、前記内壁５１の長辺部５０ａ、短辺部５０ｂ及びコーナ部５０ｃに対応する部分によって周囲を囲繞された空間は、相手方コネクタである第２コネクタ１０１が挿入されて収容される収容部５０ｄとなっている。

【0044】

前記嵌合ばね部５１ａは、各長辺部５０ａの範囲内及び各短辺部５０ｂの範囲内に含まれる直線的に延在する部分であって、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とが嵌合した状態で、該第２コネクタ１０１の第２シールド１５０の後述される外壁１５２と弾性的に接触して第１シールド５０と第２シールド１５０との導通状態を維持するグラウンドばねとして機能する。また、前記嵌合位置決め部５１ｂは、湾曲したコーナ部５０ｃの両側に長辺部５０ａの一部及び短辺部５０ｂの一部が接続された部分であって、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とが嵌合する際に、収容部５０ｄ内に挿入される第２コネクタ１０１をガイドする。具体的には、第２コネクタ１０１は、その第２シールド１５０の外壁１５２が嵌合位置決め部５１ｂに接触しながら収容部５０ｄ内に挿入され、これにより、第２コネクタ１０１の第１コネクタ１０に対する位置決めが行われる。

【0045】

そして、前記嵌合ばね部５１ａは、その上端が連結部５３の下端に接続され、収容部５０ｄの内方斜め下に向けて延びる傾斜面部５１ｄと、該傾斜面部５１ｄの下端に形成され、収容部５０ｄの内方に向けて突出する係合凸部５１ｃと、該係合凸部５１ｃの下端から下方にほぼ鉛直に延びる内壁下部５１ｅとを含んでいる。前記係合凸部５１ｃは、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とが嵌合した状態で、該第２コネクタ１０１の第２シールド１５０の外壁１５２、又は、該外壁１５２に形成された後述される係合凸部１５２ｃと係合して接触する部分であって、接点部として機能する。なお、前記係合凸部５１ｃは、第１コネクタ１０の長手方向又は幅方向に直線的に延在する。各嵌合ばね部５１ａは、第１ハウジング１１と接続されず、しかも、その両端がスリット部５３ａによって他の部分から分離されているので、比較的柔軟性を有し、外壁５２に接近又は離間する方向に弾性的に変形可能である。

【0046】

なお、前記嵌合位置決め部５１ｂの上端近傍は、連結部５３における内壁５１の上端との連結部分であって、収容部５０ｄの内方斜め下に向けて緩やかに傾斜した緩傾斜面部５１ｈとなっている。そのため、第１コネクタ１０の長手方向及び幅方向に観ると、緩傾斜面部５１ｈの傾斜角、すなわち、テーパ角は、嵌合ばね部５１ａの傾斜面部５１ｄのテーパ角より緩く、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とが嵌合する際に、収容部５０ｄ内に挿入される第２コネクタ１０１には、緩傾斜面部５１ｈが当接した後に、傾斜面部５１ｄが当接する。これにより、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とが嵌合する際に、嵌合ばね部５１ａが受けるダメージを低減することができる。

【0047】

また、前記嵌合位置決め部５１ｂに含まれるコーナ部５０ｃは、第１シールド５０がオーバーモールド乃至インサート成形によって第１ハウジング１１と一体化される際に、第１ハウジング１１と接続される部分であり、具体的には、隅部１７と一体化される部分である。なお、第１シールド５０における他の部分は、第１ハウジング１１から分離されている。したがって、第１シールド５０と第１ハウジング１１とが一体化された状態では、コーナ部５０ｃにおける外壁５２及び連結部５３は、隅部１７における外壁部１７ｂ及び上壁部１７ａを覆っている。また、コーナ部５０ｃにおける内壁５１は、隅部１７における内壁部１７ｃに形成されたシールド収容部１７ｅ内に収容される。

【0048】

これにより、コーナ部５０ｃと隅部１７とは確実に一体化され、分離不能となる。また、コーナ部５０ｃは、第１ハウジング１１の隅部１７と一体化され、少なくとも、外壁５２、内壁５１及び連結部５３によって周囲を画定された空間には、第１ハウジング１１を構成する絶縁性材料が充填されている。すなわち、コーナ部５０ｃは、その裏側に第１ハウジング１１の構成材料が充填されているので、堅牢である。そして、コーナ部５０ｃを含む嵌合位置決め部５１ｂは、堅牢性が高いので、第２コネクタ１０１の第２シールド１５０の後述される嵌合面１０１ａの近傍部分が当接しても、変形したり、破損したりすることがない。

【0049】

前記外壁５２の下端には、略９０度に湾曲した湾曲部５２ａを介して、外方に延在する平面部としてのフランジ部５４が接続されている。前記湾曲部５２ａ及びフランジ部５４は、全周に亘って連続して外壁５２の下端に接続されている。なお、図に示される例において、前記フランジ部５４の複数箇所に小さなノッチ５４ａが形成されているが、該ノッチ５４ａは適宜省略することができる。

【0050】

前記フランジ部５４は、基板接続部として機能し、その下面が第１基板の表面と平行であり、該表面の接続パッドにはんだ付によって接続される部分である。なお、内壁５１における接点部としての係合凸部５１ｃが形成された箇所から、連結部５３及び外壁５２を含んで、基板接続部としてのフランジ部５４までの範囲を統合的に説明する場合には、本体部として説明する。前記接続パッドは、典型的には、グラウンドラインに接続されている。そして、前記外壁５２は、それ自体が全周に亘って連続した壁であることに加え、その上端が連結部５３において連続した部分であって、横断面において、外壁５２と直交する方向に延在する箇所を含む部分に接続され、その下端がフランジ部５４のように連続した部材であって、横断面において、外壁５２と直交する方向に延在する部材に接続されているので、比較的剛性が高く、変形しにくくなっている。

【0051】

そして、第１ハウジング１１が収容部５０ｄ内において第１シールド５０と接続された状態では、前記収容部５０ｄ内に周囲が内壁５１によって囲まれ、下方が底板１８によって画定された凹部であって、第２コネクタ１０１と嵌合する第１凹部１２が形成される。また、前述のように、内側凸部１３ｂの左右両側における外側凸部１３ａとの間には、第１凹部１２の一部として、第１コネクタ１０の長手方向に延在する細長い凹部である内凹溝部１２ａが形成される。さらに、各外側凸部１３ａと内壁５１との間には、第１凹部１２の一部として、第１コネクタ１０の長手方向に延在する細長い凹部である外凹溝部１２ｃが形成される。さらに、第１コネクタ１０の長手方向に関する第１凸部１３の両端外方には、第１凹部１２の一部として、嵌合凹部１２ｂが形成される。

【0052】

前記第１端子６１は、導電性の金属板に打抜き、曲げ等の加工を施すことによって一体的に形成された部材であり、被保持部６３と、該被保持部６３の下端に接続された基板接続部としてのテール部６２と、前記被保持部６３の上端に接続された外側接続部６５と、該外側接続部６５の下端に接続された略Ｕ字状の側面形状を備える下側接続部６４とを備え、前記外側接続部６５の下端近傍に第１コネクタ１０の幅方向の内方に向って膨出するように湾曲した接触部６５ａが形成されているものであるが、さらに、前記下側接続部６４の先端に接続された内側接続部６６を備えている。該内側接続部６６は、下側接続部６４に対して曲げて接続され、上方（Ｚ軸正方向）を向いて延出し、その上端近傍には、第１コネクタ１０の幅方向の外方に向って膨出するように湾曲した接触部６６ａが形成されている。該接触部６６ａは、前記外側接続部６５の接触部６５ａと同様に、第２コネクタ１０１が備える後述される第２端子１６１と接触する部分である。つまり、本実施の形態における第１端子６１は、互いに対向する外側接続部６５の接触部６５ａと内側接続部６６の接触部６６ａとを備え、第２端子１６１と２点接触をするように構成されている。第１端子６１が第１ハウジング１１に取付けられた状態において、外側接続部６５の接触部６５ａと内側接続部６６の接触部６６ａとは、内凹溝部１２ａ内に突出して、互いに向合っている。

【0053】

そして、前記第１端子６１は、第１コネクタ１０の下面（Ｚ軸負方向面）である実装面１０ｂ側から、第１信号端子収容キャビティ１５内に圧入され、被保持部６３が第１信号端子収容外側キャビティ１５ｂの内側の側面によって両側から挟持されることにより、第１ハウジング１１に固定される。なお、第１端子６１は、必ずしも圧入によって第１ハウジング１１に取付けられるものでなく、オーバーモールド乃至インサート成形によって第１ハウジング１１と一体化されるものであってもよいが、ここでは、説明の都合上、被保持部６３が第１信号端子収容外側キャビティ１５ｂ内に圧入されて保持されるものである場合について、説明する。

【0054】

また、前記テール部６２は、被保持部６３に対して曲げて接続され、左右方向（Ｙ軸方向）、すなわち、第１コネクタ１０の幅方向の外方を向いて延出し、第１基板の導電トレースに連結された接続パッドにはんだ付等によって接続される。なお、前記導電トレースは、電力を供給する電力ラインであってもよいが、典型的には、信号ラインである。また、該信号ラインは、高周波信号を伝達するものでなく、高周波信号よりも周波数の低い通常の周波数（例えば、周波数１０〔ＧＨｚ〕未満。）の信号を伝達するものであるとして、説明する。なお、前記テール部６２は、第１コネクタ１０の嵌合方向から観て、すなわち、嵌合面１０ａ側から観て視認可能である。

【0055】

前記第１高周波端子７１は、導電性の金属板に打抜き、曲げ等の加工を施すことによって一体的に形成された部材であり、被保持部７３と、該被保持部７３の下端に接続された基板接続部としてのテール部７２と、前記被保持部７３の上端に接続された上側接続部７５とを備える。

【0056】

そして、前記被保持部７３は、上下方向（Ｚ軸方向）に延在し、前記第１高周波端子収容溝１６ａ内に圧入されて保持される部分である。前述のように、第１高周波端子支持部１６同士はそれぞれの第１高周波端子収容溝１６ａの開口が反対方向を向くように配置されているので、被保持部７３が第１高周波端子収容溝１６ａ内に保持された第１高周波端子７１同士も、互いに反対を向くような姿勢となる。なお、第１高周波端子７１は、必ずしも圧入によって第１ハウジング１１に取付けられるものでなく、オーバーモールド乃至インサート成形によって第１ハウジング１１と一体化されるものであってもよいが、ここでは、説明の都合上、被保持部７３が第１高周波端子収容溝１６ａ内に圧入されて保持されるものである場合について、説明する。

【0057】

また、前記テール部７２は、被保持部７３に対して曲げて接続され、左右方向（Ｙ軸方向）、すなわち、第１コネクタ１０の幅方向の中心を向いて延出し、第１基板の導電トレースに連結された接続パッドにはんだ付等によって接続される。なお、前記導電トレースは、信号ラインであって、典型的には、ＲＦ信号のような高い周波数（例えば、周波数１０〔ＧＨｚ〕以上。）の高周波信号を伝達するものであるとして、説明する。

【0058】

さらに、前記上側接続部７５は、第１コネクタ１０の長手方向から観て概略Ｓ字状に湾曲し、第１コネクタ１０の幅方向の中心を向いて膨出するように湾曲した部分は、接触部７５ａとして機能する。該接触部７５ａは、第２コネクタ１０１が備える後述される第２高周波端子１７１と接触する部分である。

【0059】

前記第１高周波端子７１は、実装面１０ｂ側から、嵌合凹部１２ｂ内に位置する第１高周波端子支持部１６の第１高周波端子収容溝１６ａ内に圧入され、被保持部７３が第１高周波端子収容溝１６ａの内側の側面によって両側から挟持されることにより、第１ハウジング１１に固定される。この状態、すなわち、第１高周波端子７１が第１ハウジング１１に装填された状態において、一対の第１高周波端子７１の接触部７５ａ同士は、互いに反対方向を向いている。

【0060】

そして、前記第１コネクタ１０は、実装面１０ｂ側にはんだシートとしての図示されない第１はんだシートが付与されて第１基板の表面上に載置され、加熱炉等によって前記第１はんだシートが加熱されて溶融することにより、第１基板の表面上に固定されて実装される。なお、第１シールド５０、第１端子６１、第１高周波端子７１等を第１基板の接続パッド等に接続するための手段は、必ずしもはんだシートの付与でなく、はんだペーストの付与、クリームはんだの転写、ドブ漬け、噴流はんだ付等によるものであってもよいが、ここでは、説明の都合上、はんだシートを用いる場合について説明する。

【0061】

前記第１はんだシートは、第１コネクタ１０の長手方向に直線的に連続して延在する細長い帯状の一対の長辺部分と、第１コネクタ１０の幅方向に直線的に連続して延在する細長い帯状の一対の短辺部分と、長辺が第１コネクタ１０の幅方向に延在し、短辺が第１コネクタ１０の長手方向に延在する矩形状の複数の短尺部分とを含んでいる。なお、各短辺部分は、その両端が長辺部分に接続されていることが望ましい。また、前記長辺部分及び短辺部分は、必ずしも連続して延在するものである必要はなく、断続的なものであってもよいが、ここでは、連続して延在するものとして説明する。

【0062】

そして、一対の長辺部分は、第１シールド５０の長辺部５０ａに対応するフランジ部５４の下面に付与され、一対の短辺部分は、第１シールド５０の短辺部５０ｂに対応するフランジ部５４の下面に付与される。また、各短尺部分は、各第１端子６１のテール部６２の下面、及び、各第１高周波端子７１のテール部７２の下面に、それぞれ、付与される。

【0063】

このようにして付与された第１はんだシートが加熱されて溶融することによって、第１コネクタ１０が第１基板の表面上に実装されると、第１シールド５０において全周に亘って連続している外壁５２の下端に、全周に亘って連続して接続されているフランジ部５４は、第１基板の表面の接続パッドに隙間なく接続される。したがって、第１基板の表面の接続パッドに接続された第１シールド５０の強度は高いものとなり、ひいては、前記第１シールド５０によって外周が囲まれた第１コネクタ１０全体の強度が高いものとなる。また、第１基板の表面の接続パッドに隙間なく接続された第１シールド５０が発揮する電磁気的なシールド効果は、非常に高いものとなり、前記第１シールド５０によって外周が囲まれた第１コネクタ１０は、非常に効果的に電磁気的にシールドされる。特に、フランジ部５４の下面の平滑度が高いので、第１基板の表面の接続パッドに接続された第１シールド５０の強度を極めて高くすることができ、第１基板の表面の接続パッドとの間に隙間が生じないので、電磁気的なシールド効果も極めて高くすることができる。

【0064】

このように、第１コネクタ１０は、強度が高く、かつ、電磁気的なシールド効果が高いので、小型低背化しても、高周波信号を伝達することができる。例えば、第１コネクタ１０の長手方向、幅方向及び高さ方向の寸法を３．３〔ｍｍ〕以下、２．３〔ｍｍ〕以下、及び、０．７〔ｍｍ〕以下に設定しても、第１高周波端子７１は、６０〔ＧＨｚ〕程度の高周波信号を伝達することができる。

【0065】

次に、第２コネクタ１０１の構成について説明する。

【0066】

図４は本実施の形態における第２コネクタの斜視図、図５は本実施の形態における第２コネクタの三面図、図６は本実施の形態における第２コネクタの下面図である。なお、図４において、（ａ）は斜め上方から観た図、（ｂ）は斜め下方から観た図であり、図５において、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図である。

【0067】

本実施の形態における第２コネクタ１０１は、導電性の金属板に打抜き、絞り等の加工を施すことによって形成されたシールドである第２外側シールドとしての第２シールド１５０と、合成樹脂等の絶縁性材料によって一体的に形成されたハウジングとしての第２ハウジング１１１とを有する。該第２ハウジング１１１は、平板状の底板１１８と、第２コネクタ１０１の長手方向中央において底板１１８の上面から上方に向けて突出する凸部としての第２凸部１１２と、第２コネクタ１０１の長手方向（Ｘ軸方向）両端において底板１１８の上面から上方に向けて突出する一対の突出端部１２２とを有する。前記第２凸部１１２は、突出端部１２２より幅狭で、該突出端部１２２の両側端よりも第２コネクタ１０１の幅方向（Ｙ軸方向）の内側に位置する。

【0068】

前記第２凸部１１２は、第２コネクタ１０１の長手方向に延在する概略直方体状の部材であり、幅方向中央には上面から下方に凹入する溝状の中央溝１１２ｂが形成され、該中央溝１１２ｂの左右両側の部分は、相手方端子としての第２端子１６１を支持する端子支持壁１１２ａとなっている。前記第２端子１６１は、第１端子６１に対応するピッチで、対応する数だけ、端子支持壁１１２ａの表面に少なくとも一部が露出するように配設されている。すなわち、前記第２端子１６１は、各端子支持壁１１２ａに沿って複数ずつ配設され、並列する一対の端子群列（相手方端子群列）を形成している。

【0069】

各突出端部１２２は、第２コネクタ１０１の長手方向外側及び幅方向両側を向く外壁面と、第２コネクタ１０１の嵌合面１０１ａ側を向く上面１２２ｂと、第２コネクタ１０１の長手方向内側を向く内壁面１２２ｃとを含んでいる。なお、各突出端部１２２は、第２凸部１１２の長手方向両端から離間している。そして、各突出端部１２２には、支持部としての第２高周波端子支持部１１６が形成されている。該第２高周波端子支持部１１６は、上下方向に延在する高周波端子収容溝としての第２高周波端子収容溝１１６ａを有し、上方から観た形状が概略Ｕ字状となっている。また、第２高周波端子支持部１１６同士は、それぞれの第２高周波端子収容溝１１６ａの開口が反対方向を向くように配置され、しかも、図５（ａ）に示されるように、上方から観て、すなわち、平面視において、第２コネクタ１０１の中心に関して点対称となるように、かつ、第２コネクタ１０１の幅方向の中心から離間して幅方向の外側に偏倚するように配置されている。そして、前記第２高周波端子収容溝１１６ａには、高周波端子としての第２高周波端子１７１が収容される。また、前記第２高周波端子収容溝１１６ａの下方及びその前方においては、底板１１８を板厚方向に貫通する開口としての第２高周波端子収容開口１１６ｂが形成されている。さらに、各突出端部１２２には、前記第２高周波端子収容溝１１６ａの前方に、前記第２高周波端子収容開口１１６ｂから上面１２２ｂに至って該上面１２２ｂに開口する相手方端子収容凹部としての第１高周波端子収容凹部１１６ｃが形成されている。

【0070】

前記第２シールド１５０は、導電性の金属板に打抜き、絞り等の加工を施すことによって一体的に形成された部材であって、第２コネクタ１０１の嵌合方向に延伸する曲線的部材であるから、その表面は延伸面であると言える。また、前記第２シールド１５０は、平面視において、概略矩形の枠状の部材であり、第２コネクタ１０１の周辺を囲み、第２ハウジング１１１の周囲を囲繞する。そして、前記第２シールド１５０は、第２コネクタ１０１の長手方向に直線的に延在する一対の長辺部１５０ａと、第２コネクタ１０１の幅方向に直線的に延在する一対の短辺部１５０ｂと、前記長辺部１５０ａの一端と短辺部１５０ｂの一端とを接続する略９０度に湾曲した４つのコーナ部１５０ｃとを含んでいる。

【0071】

また、前記第２シールド１５０は、外壁１５２と、第２内側シールドとしての内壁１５１と、上壁１５３とを含んでいる。そして、前記外壁１５２は全周に亘って連続した壁である。また、前記上壁１５３は、各短辺部１５０ｂ、該短辺部１５０ｂ両端のコーナ部１５０ｃ、及び、各長辺部１５０ａの両端近傍において、外壁１５２の上端に接続され、前記突出端部１２２の上面１２２ｂの少なくとも一部、望ましくは、過半を覆うように形成されている。なお、前記上壁１５３には、第１高周波端子収容凹部１１６ｃに対応する開口としての第１高周波端子収容開口１５３ａが形成されている。さらに、前記内壁１５１は、前記上壁１５３における第２コネクタ１０１の長手方向内側端にその上端が接続されて下方に延在し、前記突出端部１２２の内壁面１２２ｃの少なくとも一部、望ましくは、ほぼ全体を覆うように形成されている。なお、前記内壁１５１の上端には上壁１５３に接続される湾曲した上壁接続部１５１ａが形成され、前記内壁１５１の下端には、先端が第２コネクタ１０１の長手方向内側を向くように湾曲した基板接続部としてのテール部１５１ｂが接続されている。該テール部１５１ｂは、その下面が第２基板の表面と平行であり、該表面の接続パッドにはんだ付等によって接続される部分である。前記接続パッドは、典型的には、グラウンドラインに接続されている。そして、一対の長辺部１５０ａに対応する外壁１５２と一対の内壁１５１とによって周囲を囲繞された空間は、第１コネクタ１０の第１凸部１３が挿入されて収容される第２凹部１１３となっている。

【0072】

前記外壁１５２の下端には、略９０度に湾曲した湾曲部１５２ａを介して、平面部としてのフランジ部１５４が接続されている。前記湾曲部１５２ａ及びフランジ部１５４は、全周に亘って連続して外壁１５２の下端に接続されている。なお、図に示される例において、前記フランジ部１５４の複数箇所に小さなノッチ１５４ａが形成されているが、該ノッチ１５４ａは適宜省略することができる。

【0073】

前記フランジ部１５４は、基板接続部として機能し、その下面が第２基板の表面と平行であり、該表面の接続パッドにはんだ付によって接続される部分である。前記接続パッドは、典型的には、グラウンドラインに接続されている。そして、前記外壁１５２は、それ自体が全周に亘って連続した壁であることに加え、その下端がフランジ部１５４のように連続した部材であって、断面において、外壁１５２と直交する方向に延在する部材に接続されているので、比較的剛性が高く、変形しにくくなっている。本実施の形態においては、フランジ部１５４は全周に亘って連続して外壁１５２の下端に接続されている例を示したが、比較的高い剛性が必要とされない場合は、一部のみに接続されるようにしてもよい。

【0074】

また、長辺部１５０ａ及び短辺部１５０ｂに対応する外壁１５２は、外方に突出する係合凸部１５２ｃを有してもよい。該係合凸部１５２ｃは、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とが互いに嵌合されたときに、前記第１コネクタ１０が備える第１シールド５０の内壁５１に形成された係合凸部５１ｃと係合して接触する部分であって、接点部として機能し、第２コネクタ１０１の長手方向及び幅方向に直線的に延在する。そして、外壁１５２における接点部としての係合凸部１５２ｃが形成された箇所から、基板接続部としてのフランジ部１５４までの範囲を統合的に説明する場合には、本体部として説明する。

【0075】

なお、前記第２シールド１５０はオーバーモールド乃至インサート成形によって第２ハウジング１１１と一体化される。本実施の形態において、第２ハウジング１１１は、第２シールド１５０と一体成形される。すなわち、第２ハウジング１１１は、第２シールド１５０をあらかじめ内部にセットした金型のキャビティ内に合成樹脂等の絶縁性材料を充填することによって成形され、突出端部１２２において第２シールド１５０と一体的に接続される。

【0076】

前記第２端子１６１は、導電性の金属板に打抜き、曲げ等の加工を施すことによって一体的に形成された部材であり、上下方向（Ｚ軸方向）に延在する外側接続部１６５と、該外側接続部１６５の下端に接続された基板接続部としてのテール部１６２と、前記外側接続部１６５の上端に接続された上側接続部１６４と、該上側接続部１６４の下端に接続され、前記外側接続部１６５と対向する内側接続部１６６を備えている。そして、前記第２端子１６１はオーバーモールド乃至インサート成形によって第２ハウジング１１１と一体化される。すなわち、第２ハウジング１１１は、第２端子１６１をあらかじめ内部にセットした金型のキャビティ内に合成樹脂等の絶縁性材料を充填することによって成形される。

【0077】

これにより、第２端子１６１は、少なくとも一部が第２ハウジング１１１における第２凸部１１２の端子支持壁１１２ａ内に埋没するようにして、端子支持壁１１２ａに一体的に取付けられ、外側接続部１６５、上側接続部１６４及び内側接続部１６６の表面の少なくとも一部が端子支持壁１１２ａの外側面、上面及び内側面に露出する。なお、前記外側接続部１６５及び内側接続部１６６の表面は、接触部として機能し、第１コネクタ１０が備える第１端子６１と接触する。また、前記テール部１６２は、端子支持壁１１２ａから第２ハウジング１１１の幅方向外側を向いて延出し、第２基板の導電トレースに連結された接続パッドにはんだ付等によって接続される。前記テール部１６２は、第２コネクタ１０１の長手方向（Ｘ軸方向）から観て、内壁１５１のテール部１５１ｂと重複する位置に配設されている。なお、前記導電トレースは、電力を供給する電力ラインであってもよいが、典型的には、信号ラインである。また、該信号ラインは、高周波信号を伝達するものでなく、高周波信号よりも周波数の低い通常の周波数（例えば、周波数１０〔ＧＨｚ〕未満。）の信号を伝達するものであるとして、説明する。

【0078】

また、第２端子１６１は、必ずしもオーバーモールド乃至インサート成形によって第２ハウジング１１１と一体化するのではなく、圧入等によって第２ハウジング１１１に取付けられてもよいが、ここでは、説明の都合上、オーバーモールド乃至インサート成形によって第２ハウジング１１１と一体化されたものである場合について、説明する。

【0079】

前記第２高周波端子１７１は、導電性の金属板に打抜き、曲げ等の加工を施すことによって一体的に形成された部材であり、被保持部１７３と、該被保持部１７３の下端に接続された基板接続部としてのテール部１７２と、前記被保持部１７３の上端に接続された上側接続部１７５とを備える。

【0080】

そして、前記被保持部１７３は、上下方向に延在し、前記第２高周波端子収容溝１１６ａ内に圧入されて保持される部分であり、前述のように、第２高周波端子支持部１１６同士はそれぞれの第２高周波端子収容溝１１６ａの開口が反対方向を向くように配置されているので、被保持部１７３が第２高周波端子収容溝１１６ａ内に保持された第２高周波端子１７１同士も、互いに反対を向くような姿勢となる。なお、第２高周波端子１７１は、必ずしも圧入によって第２ハウジング１１１に取付けられるものでなく、オーバーモールド乃至インサート成形によって第２ハウジング１１１と一体化されるものであってもよいが、ここでは、説明の都合上、被保持部１７３が第２高周波端子収容溝１１６ａ内に圧入されて保持されるものである場合について、説明する。

【0081】

また、前記テール部１７２は、被保持部１７３に対して曲げて接続され、左右方向（Ｙ軸方向）、すなわち、第２コネクタ１０１の幅方向の中心を向いて延出し、第２基板の導電トレースに連結された接続パッドにはんだ付等によって接続される。なお、前記導電トレースは、信号ラインであって、典型的には、ＲＦ信号のような高い周波数（例えば、周波数１０〔ＧＨｚ〕以上。）の高周波信号を伝達するものであるとして、説明する。

【0082】

さらに、前記上側接続部１７５は、第２コネクタ１０１の長手方向から観て概略Ｓ字状に湾曲し、第２コネクタ１０１の幅方向の中心を向いて膨出するように湾曲した部分は、接触部１７５ａとして機能する。該接触部１７５ａは、第１コネクタ１０が備える第１高周波端子７１と接触する部分である。

【0083】

前記第２高周波端子１７１は、実装面１０１ｂ側から、突出端部１２２に位置する第２高周波端子支持部１１６の第２高周波端子収容溝１１６ａ内に圧入され、被保持部１７３が第２高周波端子収容溝１１６ａの内側の側面によって両側から挟持されることにより、第２ハウジング１１１に固定される。この状態、すなわち、第２高周波端子１７１が第２ハウジング１１１に装填された状態において、一対の第２高周波端子１７１の接触部１７５ａ同士は、互いに反対方向を向いている。

【0084】

なお、図に示される例において、第２高周波端子１７１は、第１高周波端子７１と同様の寸法及び形状を有するように形成されている。したがって、第１高周波端子７１を第２高周波端子１７１として使用することができる。

【0085】

そして、前記第２コネクタ１０１は、実装面１０１ｂ側にはんだシートとしての図示されない第２はんだシートが付与されて第２基板の表面上に載置され、加熱炉等によって前記第２はんだシートが加熱されて溶融することにより、第２基板の表面上に固定されて実装される。なお、第２シールド１５０、第２端子１６１、第２高周波端子１７１等を第２基板の接続パッド等に接続するための手段は、必ずしもはんだシートの付与でなく、はんだペーストの付与、クリームはんだの転写、ドブ漬け、噴流はんだ付等によるものであってもよいが、ここでは、説明の都合上、第２はんだシートを用いる場合について説明する。

【0086】

該第２はんだシートは、第２コネクタ１０１の長手方向に直線的に連続して延在する細長い帯状の一対の長辺部分と、第２コネクタ１０１の幅方向に直線的に連続して延在する細長い帯状の複数の短辺部分と、長辺が第２コネクタ１０１の幅方向に延在し、短辺が第２コネクタ１０１の長手方向に延在する矩形状の複数の短尺部分とを含んでいる。なお、各短辺部分は、その両端が長辺部分に接続されていることが望ましい。また、前記長辺部分及び短辺部分は、必ずしも連続して延在するものである必要はなく、断続的なものであってもよいが、ここでは、連続して延在するものとして説明する。

【0087】

そして、一対の長辺部分は、第２シールド１５０の長辺部１５０ａに対応するフランジ部１５４の下面に付与され、一対の短辺部分は、第２シールド１５０の短辺部１５０ｂに対応するフランジ部１５４の下面に付与され、他の一対の短辺部分は、内壁１５１のテール部１５１ｂの下面に付与される。また、各短尺部分は、各第２端子１６１のテール部１６２の下面、及び、各第２高周波端子１７１のテール部１７２の下面に、それぞれ、付与される。

【0088】

このようにして付与された第２はんだシートが加熱されて溶融することによって、第２コネクタ１０１が第２基板の表面上に実装されると、第２シールド１５０において全周に亘って連続している外壁１５２の下端に、全周に亘って連続して接続されている湾曲部１５２ａ及びフランジ部１５４は、第２基板の表面の接続パッドに隙間なく接続される。したがって、第２基板の表面の接続パッドに接続された第２シールド１５０の強度は高いものとなり、ひいては、前記第２シールド１５０によって外周が囲まれた第２コネクタ１０１全体の強度が高いものとなる。また、第２基板の表面の接続パッドに隙間なく接続された第２シールド１５０が発揮する電磁気的なシールド効果は、非常に高いものとなり、前記第２シールド１５０によって外周が囲まれた第２コネクタ１０１は、非常に効果的に電磁気的にシールドされる。特に、フランジ部１５４の下面の平滑度が高いので、第２基板の表面の接続パッドに接続された第２シールド１５０の強度を極めて高くすることができ、第２基板の表面の接続パッドとの間に隙間が生じないので、電磁気的なシールド効果も極めて高くすることができる。

【0089】

また、第２コネクタ１０１の長手方向両端の突出端部１２２の各々は、第２コネクタ１０１の長手方向外側及び幅方向両側を向く外壁面が第２シールド１５０の外壁１５２によって覆われ、第２コネクタ１０１の嵌合面１０１ａ側を向く上面１２２ｂが第２シールド１５０の上壁１５３によって覆われ、第２コネクタ１０１の長手方向内側を向く内壁面１２２ｃが第２シールド１５０の内壁１５１によって覆われて、周囲全体がシールドされた状態となっているので、突出端部１２２に形成された第２高周波端子支持部１１６によって支持されている第２高周波端子１７１は、非常に効果的に電磁気的にシールドされる。

【0090】

このように、第２コネクタ１０１は、強度が高く、かつ、電磁気的なシールド効果が高いので、小型低背化しても、高周波信号を伝達することができる。例えば、第２コネクタ１０１の長手方向、幅方向及び高さ方向の寸法を２．９〔ｍｍ〕以下、１．９〔ｍｍ〕以下、及び、０．７〔ｍｍ〕以下に設定しても、第２高周波端子１７１は６０〔ＧＨｚ〕程度の高周波信号を伝達することができる。

【0091】

次に、前記構成の第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とを嵌合させる動作について説明する。

【0092】

図７は本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合初期の状態の平面図、図８は本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合初期の状態の断面図、図９は本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の斜視図、図１０は本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の平面図、図１１は本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の側断面図、図１２は本実施の形態における第１コネクタと第２コネクタとの嵌合が完了した状態の横断面図である。なお、図８において、（ａ）は図７のＣ－Ｃ矢視断面図、（ｂ）は図７のＤ－Ｄ矢視断面図であり、図１１において、（ａ）は図１０のＥ－Ｅ矢視断面図、（ｂ）は図１０のＦ－Ｆ矢視断面図であり、図１２において、（ａ）は図１０のＧ－Ｇ矢視断面図、（ｂ）は図１０のＨ－Ｈ矢視断面図である。

【0093】

第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１とを嵌合させる場合 まず、オペレータは、第１コネクタ１０の嵌合面１０ａと第２コネクタ１０１の嵌合面１０１ａとを対向させた状態とし、第１コネクタ１０の第１凸部１３の位置が第２コネクタ１０１の第２凹部１１３の位置と合致し、第２コネクタ１０１の突出端部１２２の位置が第１コネクタ１０の対応する嵌合凹部１２ｂの位置と合致すると、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１との位置合せが完了する。

【0094】

この状態で、第１コネクタ１０及び／又は第２コネクタ１０１を相手側に接近する方向、すなわち、嵌合方向に移動させると、第２コネクタ１０１の第２シールド１５０が第１コネクタ１０の第１シールド５０の収容部５０ｄ内に挿入され、第１コネクタ１０の第１凸部１３が第２コネクタ１０１の第２凹部１１３内に挿入され、第２コネクタ１０１の突出端部１２２が第１コネクタ１０の嵌合凹部１２ｂ内に挿入される。

【0095】

なお、第１コネクタ１０の嵌合面１０ａには、その周囲を囲むように第１シールド５０の連結部５３が存在し、第２コネクタ１０１の嵌合面１０１ａには、第２シールド１５０の外壁１５２及び上壁１５３が存在するので、嵌合の際に第１コネクタ１０の嵌合面１０ａと第２コネクタ１０１の嵌合面１０１ａとが当接しても、損傷を受けたり破損したりすることがない。

【0096】

また、図７及び８に示されるような嵌合初期の状態、すなわち、第２コネクタ１０１の第２シールド１５０の嵌合面１０１ａの近傍部分が第１コネクタ１０の第１シールド５０の収容部５０ｄ内にわずかに進入した状態では、図８（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第２シールド１５０のコーナ部１５０ｃにおける外壁１５２の嵌合面１０１ａの近傍部分が、第１シールド５０のコーナ部５０ｃにおける嵌合位置決め部５１ｂの上端近傍（嵌合面１０ａの近傍）の緩傾斜面部５１ｈに当接し、該緩傾斜面部５１ｈに接触してガイドされながら収容部５０ｄ内に挿入される。これにより、第２コネクタ１０１の第１コネクタ１０に対する位置決めが行われる。なお、嵌合位置決め部５１ｂに含まれるコーナ部５０ｃは、第１ハウジング１１の隅部１７と一体化され、裏側に第１ハウジング１１を構成する絶縁性材料が充填されているので、堅牢である。したがって、嵌合位置決め部５１ｂは、堅牢性が高いので、第２コネクタ１０１の第２シールド１５０の嵌合面１０１ａの近傍部分が当接しても、変形したり、破損したりすることがない。

【0097】

また、第２シールド１５０のコーナ部１５０ｃにおける外壁１５２の嵌合面１０１ａの近傍部分は、前記緩傾斜面部５１ｈに当接した後に、第１シールド５０の嵌合ばね部５１ａの傾斜面部５１ｄに当接する。これにより、嵌合ばね部５１ａが受けるダメージを低減することができる。

【0098】

続いて、図９～１２に示されるように、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１との嵌合が完了すると、第１端子６１と第２端子１６１とが導通し、第１高周波端子７１と第２高周波端子１７１とが導通した状態となる。

【0099】

具体的には、第２ハウジング１１１の第２凸部１１２の一対の端子支持壁１１２ａが第１ハウジング１１の一対の内凹溝部１２ａ内に挿入され、図１２（ａ）に示されるように、内凹溝部１２ａ内に突出して、互いに向合っている第１端子６１の外側接続部６５の接触部６５ａと内側接続部６６の接触部６６ａとが、端子支持壁１１２ａの外側面及び内側面に露出している第２端子１６１の外側接続部１６５及び内側接続部１６６に接触する。

【0100】

この際、第１端子６１の下側接続部６４とその近傍は、概略Ｕ字状の形状を有して弾性変形可能であるので、互いに向合う外側接続部６５の接触部６５ａと内側接続部６６の接触部６６ａとの間隔は、弾性的に拡張可能となっている。そのため、外側接続部６５の接触部６５ａと内側接続部６６の接触部６６ａとの間隔はその間に挿入された第２端子１６１によって弾性的に押広げられ、その反作用として、第２端子１６１は、外側接続部６５の接触部６５ａと内側接続部６６の接触部６６ａとによって両側から弾性的に挟持された状態となる。これにより、互いに対応する第１端子６１の外側接続部６５の接触部６５ａ及び第２端子１６１の外側接続部１６５、並びに、第１端子６１の内側接続部６６の接触部６６ａ及び第２端子１６１の内側接続部１６６は、衝撃や振動を受けたときにも、接触を維持して離間することがないので、安定した導通状態を維持することができる。また、互いに対応する第１端子６１と第２端子１６１とは、２箇所で接触する、いわゆる、２点接触の状態となり、仮に１箇所の接触が解除されても、他方の接触が維持されるので、接触状態を安定的に維持することができる。

【0101】

また、嵌合凹部１２ｂ内に位置する第１高周波端子支持部１６が突出端部１２２の第１高周波端子収容凹部１１６ｃ内に挿入され、図１２（ｂ）に示されるように、第１高周波端子７１の接触部７５ａと第２高周波端子１７１の接触部１７５ａとが接触する。この際、第１高周波端子７１及び第２高周波端子１７１の接触部７５ａ及び１７５ａは、湾曲した上側接続部７５及び１７５自体が弾性変形可能であるので、第１コネクタ１０及び第２コネクタ１０１の幅方向に弾性的に変位可能となっている。これにより、互いに対応する第１高周波端子７１の接触部７５ａと第２高周波端子１７１の接触部１７５ａとは、衝撃や振動を受けたときにも、接触を維持して離間することがないので、安定した導通状態を維持することができる。なお、互いに対応する第１高周波端子７１と第２高周波端子１７１とは、１箇所でのみ接触する、いわゆる、単接点の状態となり、第１高周波端子７１のテール部７２から第２高周波端子１７１のテール部１７２までの信号の伝送線路に意図しないスタブやＤｉｖｉｄｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔが形成されることがない。したがって、前記伝送線路のインピーダンスが安定し、良好なＳＩ特性を得ることができる。

【0102】

このように、互いに接触した第１高周波端子７１及び第２高周波端子１７１は、その全周が第１シールド５０の内壁５１及び外壁５２と、第２シールド１５０の内壁１５１及び外壁１５２とによって連続して囲繞された状態となるので、極めて効果的にシールドされる。したがって、第１高周波端子７１のテール部７２から第２高周波端子１７１のテール部１７２までの信号の伝送線路のインピーダンスが安定し、良好なＳＩ特性を得ることができる。

【0103】

さらに、第２コネクタ１０１の第２シールド１５０が第１コネクタ１０の第１シールド５０の収容部５０ｄ内に挿入されると、第２シールド１５０の外壁１５２の外面が第１シールド５０の内壁５１の内面に当接又は近接し、図１１（ａ）及び１２（ａ）に示されるように、第２シールド１５０の外壁１５２、又は、該外壁１５２に形成された係合凸部１５２ｃと第１シールド５０の内壁５１に形成された係合凸部５１ｃとが係合して接触する。なお、該係合凸部５１ｃが形成されている内壁５１の嵌合ばね部５１ａは、その両端がスリット部５３ａによって他の部分から分離され、比較的柔軟性を有しているので、第２シールド１５０の外壁１５２の係合凸部１５２ｃとの係合状態を確実に維持することができる。これにより、第１シールド５０と第２シールド１５０とがロックされた状態となり、第１コネクタ１０と第２コネクタ１０１との嵌合状態の解除が防止される。また、第１シールド５０と第２シールド１５０とが互いに接触して導通し、等電位となるので、電磁的なシールド性が向上する。なお、前記係合凸５１ｃは、前記係合凸部１５２ｃと係合して接触する部分であるが、前記外壁１５２が前記係合凸部１５２ｃを備えず、前記外壁１５２の表面が、前記係合凸部１５２ｃとの接点部として機能しても、同様の電磁的なシールド性を向上することができる。

【0104】

次に、本実施の形態における導電部材である第１シールド５０及び第２シールド１５０の表面である延伸面に形成されためっき層の構成について説明する。

【0105】

図１３は本実施の形態におけるめっき層の構成を示す導電部材の表面近傍の模式断面図、図１４は本実施の形態におけるはんだ濡れ広がり実験の結果を示す図、図１５は本実施の形態における第２及び第３層の厚さを変化させた実験の結果を示す表である。

【0106】

本実施の形態において、導電部材である第１シールド５０及び第２シールド１５０の全体における表面近傍は、図１３に示されるような層構造を有する。

【0107】

図において、９１は、導電部材である第１シールド５０及び第２シールド１５０を構成する導電性の金属基材であって、例えば、銅（Ｃｕ）又は銅合金から成る。

【0108】

また、９２は、金属基材９１の表面上に形成されためっき層であり、第１層９２ａ、第２層９２ｂ及び第３層９２ｃを含んでいる。

【0109】

前記第１層９２ａは、ニッケル（Ｎｉ）又はニッケル合金のめっき層であり、その厚さは、１～３〔μｍ〕であることが望ましい。なお、第１層９２ａは、金属基材９１から第２層９２ｂ及び第３層９２ｃへの銅の拡散を防止する機能を有する。

【0110】

前記第２層９２ｂは、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、その厚さは、２〔ｎｍ〕以上であることが望ましい。なお、コスト等を考慮すると２００〔ｎｍ〕以下であることが望ましいので、その厚さは２～２００〔ｎｍ〕であることが望ましいと言える。さらに、第１層９２ａの金属と第３層９２ｃの金属との相互拡散を十分に防止するという観点からは、その厚さは５～２５〔ｎｍ〕であることがより望ましい。また、白金族金属としては、白金族に属するルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）及びプラチナ（Ｐｔ）のうちのいずれかを選択することができるが、最も望ましいのは、パラジウムである。さらに、白金族金属合金としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム及びプラチナのうちのいずれかを５０〔％〕以上含有する合金であるが、より望ましくは、パラジウムを５０〔％〕以上含有するパラジウム合金（例えば、ＰｄＮｉ等。）である。

【0111】

前記第３層９２ｃは、金又は金合金のめっき層であり、その厚さは、０．２～１５〔ｎｍ〕であることが望ましく、０．５～８〔ｎｍ〕であることがより望ましい。また、金合金としては、金を９０〔％〕以上含有する金合金（例えば、ＡｕＣｏ、ＡｕＣｕ、ＡｕＮｉ、ＡｕＦｅ等。）であるが、金と白金族金属との合金の場合には、金を２０〔％〕以上含有する金合金（例えば、ＡｕＰｄ、ＡｕＰｔ等。）であればよい。

【0112】

本実施の形態において、第２層９２ｂ及び第３層９２ｃの厚さの数値範囲は、図１５の表に示されるような実験結果（試験結果）に基づいて設定されている。図１５において、横軸は第２層９２ｂの厚さの数値〔ｎｍ〕を示し、縦軸は第３層９２ｃの厚さの数値〔ｎｍ〕を示している。また、表の各セル（マス目）内には、接触抵抗（contact resistance）試験、実装強度（soldering strength）試験及びはんだ濡れ広がり（solder wettability）試験のそれぞれの試験結果の評価が、記号○、△及び×のいずれかによって示されている。記号○は良好を意味し、記号△はやや良好を意味し、記号×は不良を意味している。

【0113】

実験においては、まず、金属基材９１から成る所定の大きさのテストピースの各々の表面に、第２層９２ｂ及び第３層９２ｃの厚さが各セルに対応する数値となるようにしためっき層９２を形成し、次に、各テストピースを使用して、接触抵抗試験、実装強度試験及びはんだ濡れ広がり試験を行った。なお、図１５に示されるように、第２層９２ｂの厚さは０～２００〔ｎｍ〕の範囲で変化させ、第３層９２ｃの厚さは０～２０〔ｎｍ〕の範囲で変化させた。

【0114】

接触抵抗試験においては、各テストピースのめっき層９２の表面の接触抵抗の大きさを測定し、接触抵抗が第１の閾値未満のものを良好、接触抵抗が第１の閾値より大きい第２の閾値未満のものをやや良好、接触抵抗が第２の閾値以上のものを不良と評価した。

【0115】

また、実装強度試験においては、各テストピースのめっき層９２の表面に別のテストピースをはんだ付し、当該別のテストピースに引張力を付与し、はんだ付部分が破断する引張力の大きさを測定し、引張力が第１の閾値以上のものを良好、引張力が第１の閾値より小さい第２の閾値以上のものをやや良好、引張力が第２の閾値未満のものを不良と評価した。

【0116】

さらに、はんだ濡れ広がり試験においては、図１４に示されるように、各テストピースのめっき層９２の表面に数個のはんだボール（例えば、粒径０．６〔ｍｍ〕。）を置き、加熱装置（例えば、はんだリフロー炉等。）を使って加熱した後のはんだの広がり径を測定し、広がり径が第１の閾値未満のものを良好、広がり径が第１の閾値より大きい第２の閾値未満のものをやや良好、広がり径が第２の閾値以上のものを不良と評価した。

【0117】

図１５に示されるように、実験の結果、第２層９２ｂの厚さが２～２００〔ｎｍ〕の範囲内、及び、第３層９２ｃの厚さが０．２～１５〔ｎｍ〕の範囲内であれば、試験結果の評価に不良が含まれていないので、導電部材である第２端子１６１として使用可能であることが分かった。さらに、第３層９２ｃの厚さを０．５～８〔ｎｍ〕の範囲内に限定すると、試験結果の評価に不良もやや良好も含まれていない、すなわち、すべての試験結果の評価が良好となるので、より望ましいものとなることが分かった。なお、図１５からは、第２層９２ｂの厚さを２００〔ｎｍ〕より大きな値としても、すべての試験結果の評価が良好となるであろうことが推測されるものの、コスト等を考慮すると２００〔ｎｍ〕より大きな値とすることは、現実的でないので、ここでは、第２層９２ｂの厚さの上限を２００〔ｎｍ〕とした。

【0118】

図１４に示されるように、金又は金合金のめっき層である第３層９２ｃの厚さが薄いと、はんだの広がり径が小さく、はんだ濡れ性が低下する、すなわち、はんだが濡れ広がりにくくなるので、はんだ上がりを抑制することができ、第１シールド５０の接点部である係合凸部５１ｃ及び第２シールド１５０の接点部である外壁１５２、又は、該外壁１５２に形成された係合凸部１５２ｃまではんだが這上がることを防止することができる。一方、はんだ濡れ性が低下すると、第１シールド５０の基板接続部であるフランジ部５４及び第２シールド１５０の基板接続部であるフランジ部１５４のはんだ付が困難となり、はんだ付部分の強度が低下し、フランジ部５４の第１基板表面への実装強度及びフランジ部１５４の第２基板表面への実装強度が低下する。また、金又は金合金のめっき層である第３層９２ｃの厚さが薄いと接触抵抗が増加し、しかも、第３層９２ｃが摩滅しやすくなる。しかし、第３層９２ｃの下に、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層である第２層９２ｂを所定値以上の厚さで形成することによって、第３層９２ｃの接触抵抗を低減し、しかも、摩滅を防止することができる。

【0119】

このように、第３層９２ｃの厚さを０．２～１５〔ｎｍ〕とするとともに、第３層９２ｃの下の第２層９２ｂの厚さを２～２００〔ｎｍ〕とすることによって、はんだ濡れ性を適度に維持し、第１シールド５０のフランジ部５４及び第２シールド１５０のフランジ部１５４の接続強度を向上させつつ、はんだバリアを形成しなくても、はんだ上がりを抑制することができるとともに、第１シールド５０の係合凸部５１ｃ及び第２シールド１５０の係合凸部１５２ｃの接触抵抗を低減することができる。

【0120】

なお、本実施の形態において、第２層９２ｂ及び第３層９２ｃの厚さは、Ｘ線電子分光法、通称、ＸＰＳを用いて測定された。ＸＰＳは、試料の表層の成分を測定する方法であって、一般に、表層から０．２～６〔ｎｍ〕程度の深さにある物質を測定することができる。また、試料の表層は、イオンスパッタ（イオンを用いたスパッタエッチング）によって削られる。イオンスパッタによって、０．２～１〔ｎｍ〕程度を削ることができる。なお、削り量は調整可能である。

【0121】

本実施の形態において、測定は、ＸＰＳを用いて試料の表層物質を測定、イオンスパッタによって試料の表層を削る、ＸＰＳを用いて試料の表層物質を測定、という操作を繰返すことによって行われた。例えば、ＸＰＳを用いて表層である第３層９２ｃを測定して金又は金合金を検出した後、イオンスパッタによって表層である第３層９２ｃを０．２〔ｎｍ〕だけ削り、続いて、ＸＰＳを用いて測定し、金又は金合金を検出することができれば、金又は金合金から成る第３層９２ｃの厚さは０．２〔ｎｍ〕以上である、と判定することができる。

【0122】

このように、本実施の形態において、第１コネクタ１０は、第１ハウジング１１と第１シールド５０とを備える。そして、第１シールド５０は、内壁５１における接点部としての係合凸部５１ｃが形成された箇所から、連結部５３及び外壁５２を含んで、基板接続部としてのフランジ部５４までの範囲である本体部と、本体部の一端に位置するフランジ部５４と、本体部の他端に位置する係合凸部５１ｃとを含み、第１コネクタ１０の周辺を囲み、本体部、フランジ部５４及び係合凸部５１ｃは、それぞれ、第１ハウジング１１から露出して露出面を含み、フランジ部５４は第１コネクタ１０の全周に亘って形成され、本体部、フランジ部５４及び係合凸部５１ｃは、それぞれ、金属基材９１と、金属基材９１の上に形成された第１層９２ａ、第２層９２ｂ及び第３層９２ｃを含み、第１層９２ａは、ニッケル又はニッケル合金のめっき層であり、第２層９２ｂは、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、第３層９２ｃは、金又は金合金のめっき層であり、第３層９２ｃの厚さは０．２～１５〔ｎｍ〕である。

【0123】

また、本実施の形態において、第２コネクタ１０１は、第２ハウジング１１１と第２シールド１５０とを備える。そして、第２シールド１５０は、外壁１５２における接点部としての係合凸部１５２ｃが形成された箇所から、基板接続部としてのフランジ部１５４までの範囲である本体部と、本体部の一端に位置するフランジ部１５４と、本体部の他端に位置する係合凸部１５２ｃとを含み、第２コネクタ１０１の周辺を囲み、本体部、フランジ部１５４及び係合凸部１５２ｃは、それぞれ、第２ハウジング１１１から露出して露出面を含み、フランジ部１５４は第２コネクタ１０１の全周に亘って形成され、本体部、フランジ部１５４及び係合凸部１５２ｃは、それぞれ、金属基材９１と、金属基材９１の上に形成された第１層９２ａ、第２層９２ｂ及び第３層９２ｃを含み、第１層９２ａは、ニッケル又はニッケル合金のめっき層であり、第２層９２ｂは、白金族金属又は白金族金属合金のめっき層であり、第３層９２ｃは、金又は金合金のめっき層であり、第３層９２ｃの厚さは０．２～１５〔ｎｍ〕である。

【0124】

これにより、はんだ濡れ性を適度に維持して、フランジ部５４及び１５４の接続強度を向上させつつ、フランジ部５４及び１５４と係合凸部５１ｃ及び１５２ｃとの間にはんだバリアを形成しなくても、はんだの這上がりを防止して、係合凸部５１ｃ及び１５２ｃにおける接触抵抗を低減することができる。したがって、極めて小型で低背の第１コネクタ１０及び第２コネクタ１０１に使用される微小寸法の第１シールド５０及び第２シールド１５０にはんだバリアを形成する必要がなくなるので、第１コネクタ１０及び第２コネクタ１０１の構造を簡素化し、コストを低減することができるとともに、信頼性を向上させることができる。

【0125】

また、第１ハウジング１１は第１シールド５０と一体成形され、第２ハウジング１１１は第１シールド１５０と一体成形される。さらに、フランジ部５４及び１５４は、全周に亘って第１基板及び第２基板にはんだ付される。さらに、フランジ部５４及び１５４は、全周に亘って連続する。さらに、係合凸部５１ｃ及び１５２ｃは、第１シールド５０及び第２シールド１５０の四辺に形成され得る。さらに、第１シールド５０の上端には、第１コネクタ１０の内側に向って湾曲する連結部５３を形成することができる。さらに、めっき層９２は、第１シールド５０及び第２シールド１５０の全体に亘って形成されている。さらに、第３層９２ｃの厚さは、より望ましくは、０．５～８〔ｎｍ〕である。さらに、白金族金属は、望ましくは、パラジウム又はパラジウム合金であり、第２層９２ｂの厚さは２～２００〔ｎｍ〕である。

【0126】

なお、本明細書の開示は、好適で例示的な実施の形態に関する特徴を述べたものである。ここに添付された特許請求の範囲内及びその趣旨内における種々の他の実施の形態、修正及び変形は、当業者であれば、本明細書の開示を総覧することにより、当然に考え付くことである。

【産業上の利用可能性】

【0127】

本開示は、コネクタ及びコネクタ対に適用することができる。

【符号の説明】

【0128】

１０ 第１コネクタ
１０ａ、１０１ａ 嵌合面
１０ｂ、１０１ｂ 実装面
１１ 第１ハウジング
１２ 第１凹部
１２ａ 内凹溝部
１２ｂ 嵌合凹部
１２ｃ 外凹溝部
１３ 第１凸部
１３ａ 外側凸部
１３ｂ 内側凸部
１３ｃ 横向凸部
１３ｄ 第２シールド収容スリット
１５ 第１信号端子収容キャビティ
１５ａ 第１信号端子収容内側キャビティ
１５ｂ 第１信号端子収容外側キャビティ
１６ 第１高周波端子支持部
１６ａ 第１高周波端子収容溝
１６ｂ、１５３ａ 第１高周波端子収容開口
１７ 隅部
１７ａ 上壁部
１７ｂ 外壁部
１７ｃ 内壁部
１７ｄ 側壁部
１７ｄ１ 凹入部
１７ｅ シールド収容部
１７ｈ 係止凸部
１８、１１８ 底板
１８ａ 接続部
１８ｂ 側凹部
１８ｃ 端凹部
５０ 第１シールド
５０ａ、１５０ａ 長辺部
５０ｂ、１５０ｂ 短辺部
５０ｃ、１５０ｃ コーナ部
５０ｄ 収容部
５１、１５１ 内壁
５１ａ 嵌合ばね部
５１ｂ 嵌合位置決め部
５１ｃ、１５２ｃ 係合凸部
５１ｄ 傾斜面部
５１ｅ 内壁下部
５１ｈ 緩傾斜面部
５１ｊ 位置決め下部
５１ｋ 係止凹部
５２、１５２ 外壁
５２ａ、１５２ａ 湾曲部
５３ 連結部
５３ａ スリット部
５４、１５４ フランジ部
５４ａ、１５４ａ ノッチ
６１ 第１端子
６２、７２、１５１ｂ、１６２、１７２ テール部
６３、７３、１７３ 被保持部
６４ 下側接続部
６５、１６５ 外側接続部
６５ａ、６６ａ、７５ａ、１７５ａ 接触部
６６、１６６ 内側接続部
７１ 第１高周波端子
７５、１６４、１７５ 上側接続部
９１、８６２ 金属基材
９２ めっき層
９２ａ 第１層
９２ｂ 第２層
９２ｃ 第３層
１０１ 第２コネクタ
１１１ 第２ハウジング
１１２ 第２凸部
１１２ａ 端子支持壁
１１２ｂ 中央溝
１１３ 第２凹部
１１６ 第２高周波端子支持部
１１６ａ 第２高周波端子収容溝
１１６ｂ 第２高周波端子収容開口
１１６ｃ 第１高周波端子収容凹部
１２２ 突出端部
１２２ｂ 上面
１２２ｃ 内壁面
１５０ 第２シールド
１５１ａ 上壁接続部
１５３ 上壁
１６１ 第２端子
１７１ 第２高周波端子
８６１ 端子
８６１ａ 接点部
８６１ｂ 基板接続部
８６１ｃ 本体部
８６３ａ ニッケルめっき層
８６３ｂ パラジウムめっき層
８６３ｃ 金めっき層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】