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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024033210
(43)【公開日】2024-03-13
(54)【発明の名称】深紫外線発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/60 20100101AFI20240306BHJP
G02B 5/26 20060101ALI20240306BHJP
G02B 5/28 20060101ALI20240306BHJP
【ＦＩ】
H01L33/60
G02B5/26
G02B5/28
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022136665
(22)【出願日】2022-08-30
(71)【出願人】
【識別番号】000000033
【氏名又は名称】旭化成株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103850
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 秀▲てつ▼
(74)【代理人】
【識別番号】100066980
【弁理士】
【氏名又は名称】森 哲也
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 恒輔
【テーマコード（参考）】
2H148
5F142
【Ｆターム（参考）】
2H148FA05
2H148FA09
2H148FA18
2H148FA24
2H148GA04
2H148GA09
2H148GA32
5F142AA01
5F142AA86
5F142BA32
5F142DB02
5F142DB20
5F142GA31
(57)【要約】
【課題】 紫外線発光装置の使用を継続しても、所望の波長の光が外部へ放射されてしまうことを抑制する事が可能な深紫外線発光装置を提供する。
【解決手段】 深紫外線発光装置は、紫外線発光光源と、前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ１となる位置に配置され、所定の波長の光を反射する第一フィルタと、前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ２となり、かつ前記入射角度θ２が前記入射角度θ１よりも大きくなる位置に配置され、前記所定の波長の光を反射する第二フィルタと、を備えている。深紫外線発光光源から発せられる光の波長は、２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満であることが好ましく、第一フィルタ及び第二フィルタの所定の波長の光に対する反射率は９０％超であることが好ましい。
【選択図】図２
【解決手段】 深紫外線発光装置は、紫外線発光光源と、前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ１となる位置に配置され、所定の波長の光を反射する第一フィルタと、前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ２となり、かつ前記入射角度θ２が前記入射角度θ１よりも大きくなる位置に配置され、前記所定の波長の光を反射する第二フィルタと、を備えている。深紫外線発光光源から発せられる光の波長は、２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満であることが好ましく、第一フィルタ及び第二フィルタの所定の波長の光に対する反射率は９０％超であることが好ましい。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
深紫外線発光光源と、
前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ１となる位置に配置され、所定の波長の光を反射する第一フィルタと、
前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ２となり、かつ前記入射角度θ２が前記入射角度θ１よりも大きくなる位置に配置され、前記所定の波長の光を反射する第二フィルタと、
を備える
深紫外線発光装置。
前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ１となる位置に配置され、所定の波長の光を反射する第一フィルタと、
前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ２となり、かつ前記入射角度θ２が前記入射角度θ１よりも大きくなる位置に配置され、前記所定の波長の光を反射する第二フィルタと、
を備える
深紫外線発光装置。
【請求項2】
前記深紫外線発光光源から発せられる光の波長は、２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満である
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
【請求項3】
前記深紫外線発光光源は、深紫外線ＬＥＤである
請求項２に記載の深紫外線発光装置。
請求項２に記載の深紫外線発光装置。
【請求項4】
前記第一フィルタは、前記入射角度θ１で入射した波長２４０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の光の透過率が１０％以下であり、
前記第二フィルタは、前記入射角度θ２で入射した波長２４０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の光の透過率が１０％以下である
請求項３に記載の深紫外線発光装置。
前記第二フィルタは、前記入射角度θ２で入射した波長２４０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の光の透過率が１０％以下である
請求項３に記載の深紫外線発光装置。
【請求項5】
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタの前記所定の波長の光に対する反射率は、９０％超である
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
【請求項6】
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタは、前記入射角度θ１が前記入射角度θ２より０°以上６０°未満の範囲で小さくなる位置に配置されている
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
【請求項7】
前記第二フィルタは、前記入射角度θ２が３０°以上９０°未満となる位置に配置されている
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
【請求項8】
第一フィルタ及び第二フィルタは、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ｔａ２Ｏ５の材料の中から複数種類を周期的に積層させた誘電体多層膜を有している
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
【請求項9】
前記第二フィルタの前記誘電体多層膜の各層の膜厚は、前記第一フィルタの前記誘電体多層膜の各層の膜厚より小さい
請求項７に記載の深紫外線発光装置。
請求項７に記載の深紫外線発光装置。
【請求項10】
前記深紫外線発光光源は、パッケージに収容されており、
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタの少なくとも一方は、前記パッケージの一部であり、前記深紫外線発光光源からの光を透過する窓材と接するように設けられている
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタの少なくとも一方は、前記パッケージの一部であり、前記深紫外線発光光源からの光を透過する窓材と接するように設けられている
請求項１に記載の深紫外線発光装置。
【請求項11】
前記第一フィルタは、前記窓材の一面上の中心付近の局所領域に形成されており、
前記第二フィルタは、前記窓材の同一面上の前記第一フィルタが形成されていない領域に形成されている
請求項９に記載の深紫外線発光装置。
前記第二フィルタは、前記窓材の同一面上の前記第一フィルタが形成されていない領域に形成されている
請求項９に記載の深紫外線発光装置。
【請求項12】
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタは、隙間を空けて形成されている
請求項１０に記載の深紫外線発光装置。
請求項１０に記載の深紫外線発光装置。
【請求項13】
前記第一フィルタは、前記窓材の一面上の中心付近の局所領域に形成されており、
前記第二フィルタは、前記窓材の他方の面の前記第一フィルタが形成されていない領域に形成されている
請求項９に記載の深紫外線発光装置。
前記第二フィルタは、前記窓材の他方の面の前記第一フィルタが形成されていない領域に形成されている
請求項９に記載の深紫外線発光装置。
【請求項14】
前記深紫外線発光光源を収容する前記パッケージを収容する外装体を備え、
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタのいずれか一方は、前記パッケージの一部に設けられており、
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタの他方は、前記外装体の一部に設けられている
請求項９に記載の深紫外線発光装置。
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタのいずれか一方は、前記パッケージの一部に設けられており、
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタの他方は、前記外装体の一部に設けられている
請求項９に記載の深紫外線発光装置。
【請求項15】
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタは、同一の基材上に、前記第一フィルタの前記誘電体多層膜と前記第二フィルタの前記誘電体多層膜とが形成されて構成されている
請求項７に記載の深紫外線発光装置。
請求項７に記載の深紫外線発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、深紫外線発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
深紫外線発光装置は、波長に応じて様々な用途に用いられる。例えば、硝酸イオンや亜硝酸イオン等を計測する光源として用いられたり（特許文献１）、ウイルスや細菌に作用して不活性化する光源として用いられたりしている。
深紫外線発光装置を用いた場合、照射光の波長が異なると深紫外線照射による効果も異なる。このため、最も高い深紫外線照射効果を得るためには、最適な波長あるいは波長域で対象へ照射することが要求される。深紫外線発光装置の発光波長を特定の波長に制御するためには、誘電体多層膜等の波長フィルタを用いる方法が知られている（特許文献２）。誘電体多層膜をフィルタとして用いた場合には、光源からの紫外線の放射角度に応じて、つまり、紫外線がフィルタに入射する角度に応じて透過する紫外線の波長域が変化する。このため、フィルタの出口に周壁部を設けて、周壁部に吸収材を塗布して好ましくない波長の光の放射を抑制する方法が開示されている（特許文献３）。
深紫外線発光装置を用いた場合、照射光の波長が異なると深紫外線照射による効果も異なる。このため、最も高い深紫外線照射効果を得るためには、最適な波長あるいは波長域で対象へ照射することが要求される。深紫外線発光装置の発光波長を特定の波長に制御するためには、誘電体多層膜等の波長フィルタを用いる方法が知られている（特許文献２）。誘電体多層膜をフィルタとして用いた場合には、光源からの紫外線の放射角度に応じて、つまり、紫外線がフィルタに入射する角度に応じて透過する紫外線の波長域が変化する。このため、フィルタの出口に周壁部を設けて、周壁部に吸収材を塗布して好ましくない波長の光の放射を抑制する方法が開示されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１２１５５６号公報
【特許文献2】特開２０１９－１１５５２５号公報
【特許文献3】特開２０１８－１１４１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上述したような好ましくない波長の光の放射を抑制する構成の深紫外線発光装置を用いたとしても、例えば波長２３０ｎｍ以上の波長域の紫外線光等の、好ましくない波長域の光を完全に除去することは出来ない場合がある。例えば、特許文献３で記載した紫外線発光装置の使用を継続すると、紫外線吸収部材の劣化により、外部への放射を抑制したい所望の波長の光（例えば、人体に対して有害な波長２３０ｎｍ以上の波長域の紫外線光）が外部へ放射されてしまう。
【0005】
上述した課題を解決するために、本開示は、紫外線発光装置の使用を継続しても、所望の波長の光が外部へ放射されてしまうことを抑制する事が可能な深紫外線発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上述した課題を解決するために、本開示の一態様に係る深紫外線発光装置は、紫外線発光光源と、前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ１となる位置に配置され、所定の波長の光を反射する第一フィルタと、前記深紫外線発光光源から発せられる光の入射角度がθ２となり、かつ前記入射角度θ２が前記入射角度θ１よりも大きくなる位置に配置され、前記所定の波長の光を反射する第二フィルタと、を備えている。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、紫外線発光装置の使用を継続しても、所望の波長の光が外部へ放射されてしまうことを抑制する事が可能な深紫外線発光装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の一構成例を示す模式図である。
【図2】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の一構成例を示す断面図である。
【図3】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の深紫外線発光光源の一構成例を示す断面図である。
【図4】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置において光をフィルタに垂直に入射（θ１＝０°）させた際の透過率の波長依存性を示すグラフの一例である。
【図5】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置において光をフィルタに入射させた際の波長２３０ｎｍの光の透過率の入射角度依存性を示すグラフの一例である。
【図6】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置において光をフィルタに垂直に入射（θ１＝０°）させた際の透過率の波長依存性を示すグラフの他の例である。
【図7】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置において光をフィルタに入射させた際の波長２３０ｎｍの光の透過率の入射角度依存性を示すグラフの他の例である。
【図8】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第一の構成例を示す断面図である。
【図9A】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第一の構成の変形例を示す断面図である。
【図9B】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第一の構成の変形例を示す断面図である。
【図10】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第一の構成の変形例を示す断面図である。
【図11A】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第二の構成の一例を示す断面図である。
【図11B】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第二の構成の他の例を示す断面図である。
【図12】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第三の構成の一例を示す断面図である。
【図13】本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置の第三の構成の他の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、実施形態を通じて本開示に係る深紫外線発光装置を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明に限定されない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0010】
１．深紫外線発光装置
以下、本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置１について、図１から図１３を参照して説明する。
本実施形態の深紫外線発光装置１は、図１に示すように、深紫外線発光光源１０と、第一フィルタ３１と、第二フィルタ３２とを備えている。図２に示すように、第一フィルタ３１は、深紫外線発光光源１０から発せられる光の入射角度がθ１となる位置に配置され、所定の波長λ［ｎｍ］の光を反射する。また、第二フィルタ３２は、深紫外線発光光源１０から発せられる光の入射角度がθ２となり、かつ入射角度θ２が入射角度θ１よりも大きくなる（θ２＞θ１）位置に配置され、所定の波長λ［ｎｍ］の光を反射する。
以下、本開示の実施形態に係る深紫外線発光装置１について、図１から図１３を参照して説明する。
本実施形態の深紫外線発光装置１は、図１に示すように、深紫外線発光光源１０と、第一フィルタ３１と、第二フィルタ３２とを備えている。図２に示すように、第一フィルタ３１は、深紫外線発光光源１０から発せられる光の入射角度がθ１となる位置に配置され、所定の波長λ［ｎｍ］の光を反射する。また、第二フィルタ３２は、深紫外線発光光源１０から発せられる光の入射角度がθ２となり、かつ入射角度θ２が入射角度θ１よりも大きくなる（θ２＞θ１）位置に配置され、所定の波長λ［ｎｍ］の光を反射する。
【0011】
（１．１）深紫外線発光装置の基本構成
以下、深紫外線発光装置１を構成する深紫外線発光光源１０、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２のそれぞれについて詳細に説明する。
以下、深紫外線発光装置１を構成する深紫外線発光光源１０、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２のそれぞれについて詳細に説明する。
【0012】
［深紫外線発光光源］
本開示の深紫外線発光光源１０は、深紫外線を放射する光源であればその形態は制限しない。深紫外線発光は波長１００ｎｍ以上２８０ｎｍ未満の発光である。本技術は深紫外線の波長領域全域で適用が可能であるが、特に広い面積に照射する必要がある殺菌への応用において効果が高く、かつランプや発光ダイオードなどの既存の光源で発光例のある波長２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満、あるいは波長２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ未満の波長域では、本開示の効果が高い。
本開示の深紫外線発光光源１０は、深紫外線を放射する光源であればその形態は制限しない。深紫外線発光は波長１００ｎｍ以上２８０ｎｍ未満の発光である。本技術は深紫外線の波長領域全域で適用が可能であるが、特に広い面積に照射する必要がある殺菌への応用において効果が高く、かつランプや発光ダイオードなどの既存の光源で発光例のある波長２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満、あるいは波長２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ未満の波長域では、本開示の効果が高い。
【0013】
深紫外線発光光源１０としては特に制限はせず、例えば波長２５４ｎｍあるいは１８５ｎｍの水銀ランプ、波長２２２ｎｍのＫｒＣｌのエキシマランプ、波長１７２ｎｍのXe２エキシマランプ、波長１４６ｎｍのＫｒ２ランプ、深紫外線ＬＥＤ（Light-Emitting Diode：発光ダイオード）を用いることが出来る。本開示において、深紫外線発光光源１０は、点光源であり第一フィルタ３１、第二フィルタ３２への光の入射角度を設計しやすい深紫外線ＬＥＤであることが好ましい。特に、殺菌効果の高い波長２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満、あるいは波長２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ未満の深紫外線ＬＥＤが好ましい。また、人体に有害な波長成分を除去する目的でフィルタを用いる波長２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満の深紫外線ＬＥＤがより好ましい。ここで人体に有害な波長成分の波長には諸説あり、例えば２２０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下の場合もあれば、２２０ｎｍ以上２３５ｎｍ以下の場合もある。本開示では諸説に対して広く適用できるように、波長２２０ｎｍ以上２４０ｎｍ未満の深紫外線光が好ましいと定義する。また、深紫外線ＬＥＤは波長が長いほど発光効率が高いため、波長２２５ｎｍ以上２４０ｎｍ未満の深紫外線ＬＥＤがさらに好ましい。
【0014】
深紫外線発光光源１０である深紫外線ＬＥＤ１０Ａの構成について説明する。
図３に示すように、深紫外線ＬＥＤ１０Ａは、基板１１と、基板の第一主面１１Ａの上方に設けられた発光層１３と、発光層１３を上下から挟む第一導電型半導体層１２及び第二導電型半導体層１４とを含む。基板１１の第一主面１１Ａの反対側の面である第二主面１１Ｂは、光の取り出し面となっている。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは第一導電型半導体層１２に接する第一電極１６と、第二導電型半導体層１４に接する第二電極１７とを含む。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは、樹脂等で封止された形態や、サブマウント基板に実装された形態なども含む。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは配線された回路上に搭載されていても良い。深紫外線ＬＥＤ１０Ａはアレイとなっていても良い。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは離散して複数配置されていても、接触して複数配置されていても良い。
以下、深紫外線ＬＥＤ１０Ａの各層について詳細に説明する。
図３に示すように、深紫外線ＬＥＤ１０Ａは、基板１１と、基板の第一主面１１Ａの上方に設けられた発光層１３と、発光層１３を上下から挟む第一導電型半導体層１２及び第二導電型半導体層１４とを含む。基板１１の第一主面１１Ａの反対側の面である第二主面１１Ｂは、光の取り出し面となっている。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは第一導電型半導体層１２に接する第一電極１６と、第二導電型半導体層１４に接する第二電極１７とを含む。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは、樹脂等で封止された形態や、サブマウント基板に実装された形態なども含む。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは配線された回路上に搭載されていても良い。深紫外線ＬＥＤ１０Ａはアレイとなっていても良い。深紫外線ＬＥＤ１０Ａは離散して複数配置されていても、接触して複数配置されていても良い。
以下、深紫外線ＬＥＤ１０Ａの各層について詳細に説明する。
【0015】
＜基板＞
基板１１は、第一主面１１Ａ上に発光層１３を含む積層薄膜１５を配置可能であればよく、形状は特に制限されない。基板１１は、発光層１３から発せられる光を透過する材料で形成されており、基板１１の発光層１３と反対側の第二主面１１Ｂの方向に光を放射させる。
紫外線域の発光材料であるＡｌＧａＮで構成される発光層１３を含む積層薄膜１５を配置する観点から、基板１１はサファイア基板又は窒化アルミニウム基板であることが好ましい。窒化アルミニウム基板は単結晶の窒化アルミニウム基板であることが好ましい。
基板１１は、第一主面１１Ａ上に発光層１３を含む積層薄膜１５を配置可能であればよく、形状は特に制限されない。基板１１は、発光層１３から発せられる光を透過する材料で形成されており、基板１１の発光層１３と反対側の第二主面１１Ｂの方向に光を放射させる。
紫外線域の発光材料であるＡｌＧａＮで構成される発光層１３を含む積層薄膜１５を配置する観点から、基板１１はサファイア基板又は窒化アルミニウム基板であることが好ましい。窒化アルミニウム基板は単結晶の窒化アルミニウム基板であることが好ましい。
【0016】
また、基板１１の第一主面１１Ａ以外の表面には、保護膜（不図示）を配置しても良い。保護膜の材料としては、二酸化ケイ素や窒化ケイ素を用いることができるが、これら材料に限られない。基板１１の第一主面１１Ａ以外の表面に保護膜を配置することにより、所望の波長の光の発光効率や取り出し効率の低減を防止することができる。これは、以下の理由による。
【0017】
基板１１の第一主面１１Ａ以外が外界に露出している場合、基板１１がサファイア基板であると、深紫外線ＬＥＤ１０Ａの発熱により基板１１が外界の水等と反応して基板１１の露出面に水酸化膜が形成される場合がある。また、基板１１が窒化アルミニウム基板であると、深紫外線ＬＥＤ１０Ａの発熱により基板１１が外界の酸素と反応して酸化膜が形成される場合がある。これらの膜（水酸化膜又は酸化膜）は、発光スペクトルの中心波長を含む光を減衰させたり、反射させたりして、所望の波長の光の発光効率を低減、すなわち出力を低下させてしまう。これらの膜は、形成時に外界の二酸化炭素若しくは基板１１中に不純物として混入している炭素、又は深紫外線ＬＥＤ１０Ａのパッケージで使用されている樹脂由来の炭素を含むことがある。これにより、各膜のバンドギャップエネルギーが発光エネルギーよりも大きいとしても、不純物由来の光の吸収が起こり、光の減衰が起こる。
【0018】
また、基板１１の第一主面１１Ａに屈折率の異なる層が形成されると、光の入射時に基板１１と屈折率の異なる層との界面で反射が起こる。特に、例えば基板１１として窒化アルミニウム基板を用い、基板１１の第一主面１１Ａに酸化アルミニウム層のような基板１１よりも低屈折率の材料が形成されると、より強く入射光の反射が起こり、基板の第二主面１１Ｂから外界に所望の波長範囲の光が取り出せなくなる。これらを防止する観点から、基板１１の表面に保護膜を配置することが好ましい。
【0019】
基板１１の転位密度は、１０７ｃｍ－２未満であることが好ましく、特に１０５ｃｍ－２未満であればより好ましい。基板１１の第一主面１１Ａ上に積層される積層薄膜１５の転位密度低減の観点から、基板１１の第一主面１１Ａの二乗平均平方根（ＲＭＳ：Root Mean Square）高さ（二乗平均平方根高さＲｑ）は、１０μｍ×１０μｍの面積に対して約１ｎｍ未満であることが好ましい。また、薄膜表面を平坦かつ均一に形成するために、基板１１の第二主面１１Ｂの二乗平均平方根（ＲＭＳ）高さは、１０μｍ×１０μｍの面積に対して約１０ｎｍ未満であることが好ましい。
【0020】
本実施形態に係る深紫外線ＬＥＤ１０Ａの基板１１は、第二主面１１Ｂに凸形状または凹形状の構造である凸部または凹部を有していても良い。
凸部は、円錐、角錐、半球形、錐台など多様な凸形状や・多様な密度で設けられてよい。基板１１がＡｌＮで構成されている際に、安定した結晶面により物理的耐性、化学的耐性の高い凸形状を実現する観点から、凸部は、側面が（１０－１－１）面で構成された角錐形を含むことが好ましい。この観点から、凸部は、六方晶の結晶構造の安定面を反映した六角錐又は六角錐台形状であることがさらに好ましい。この凸部は、複数個形成されていてもよい。凸部が複数個形成されている場合、凸部は一つの形状で形成されていても良く、複数の形状が混在していても良い。
凸部は、円錐、角錐、半球形、錐台など多様な凸形状や・多様な密度で設けられてよい。基板１１がＡｌＮで構成されている際に、安定した結晶面により物理的耐性、化学的耐性の高い凸形状を実現する観点から、凸部は、側面が（１０－１－１）面で構成された角錐形を含むことが好ましい。この観点から、凸部は、六方晶の結晶構造の安定面を反映した六角錐又は六角錐台形状であることがさらに好ましい。この凸部は、複数個形成されていてもよい。凸部が複数個形成されている場合、凸部は一つの形状で形成されていても良く、複数の形状が混在していても良い。
【0021】
凹部は、円錐、角錐、半球形、錐台など多様な形状でへこむ凹形状や多様な密度で設けられてよい。基板１１がＡｌＮで構成されている際に、安定した結晶面により物理的耐性、化学的耐性の高い凹形状を実現する観点から、凹部は、側面が（１０－１－１）面で構成された角錐形に凹む形状を含むことが好ましい。この観点から、凹部は、六方晶の結晶構造の安定面を反映した六角錐又は六角錐台形状がさらに好ましい。この凹部は、複数個形成されていてもよい。凹部が複数個形成されている場合、凹部は一つの形状で形成されていてもよく、複数の形状が混在していても良い。
【0022】
凸部及び凹部の大きさは特に制限されないが、高さが０．０１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。凸部及び凹部の大きさは、倍率２００００倍の電子線走査顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）で凸部又は凹部の表面を観察したときの画像から測定することが可能である。
【0023】
本実施形態において、基板１１の第二主面１１Ｂ上に凹凸構造を有することにより、本開示の深紫外線発光装置１の発光強度を高めることが出来る。さらに、第二主面１１Ｂ上に凹凸構造を有することにより、深紫外線発光光源１０からの光の放射角度が拡がり、第二フィルタ３２へ入射する光の強度が高くなる。つまり、本開示の第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２を用いる構造により、入射角度の異なる光線に対してどちらも所望の波長λ［ｎｍ］の光を反射する有効性がより高まる。
上述の実施形態で作製したピーク波長２３０ｎｍの深紫外線ＬＥＤ１０Ａは、波長２１０ｎｍから波長２６０ｎｍの波長域での発光を示した。
上述の実施形態で作製したピーク波長２３０ｎｍの深紫外線ＬＥＤ１０Ａは、波長２１０ｎｍから波長２６０ｎｍの波長域での発光を示した。
【0024】
＜積層薄膜＞
積層薄膜１５は、発光層１３を含み、基板１１の第一主面１１Ａ上に配置されていれば特に制限されない。
積層薄膜１５は、発光効率向上の観点から、発光層１３を挟むように第一導電型半導体層１２と第二導電型半導体層１４とを更に備えることが好ましい場合がある。ここで、「第一導電型」「第二導電型」は、互いに異なる導電性を示す半導体であることを意味し、一方がｎ型導電性の場合、他方はｐ型導電性となる。一般的には発光層１３と基板１１との間がｎ型半導体層であるが、本実施形態はこれに制限されない。
積層薄膜１５は、発光層１３を含み、基板１１の第一主面１１Ａ上に配置されていれば特に制限されない。
積層薄膜１５は、発光効率向上の観点から、発光層１３を挟むように第一導電型半導体層１２と第二導電型半導体層１４とを更に備えることが好ましい場合がある。ここで、「第一導電型」「第二導電型」は、互いに異なる導電性を示す半導体であることを意味し、一方がｎ型導電性の場合、他方はｐ型導電性となる。一般的には発光層１３と基板１１との間がｎ型半導体層であるが、本実施形態はこれに制限されない。
【0025】
第一導電型半導体層１２、発光層１３及び第二導電型半導体層１４以外の層としては、例えば、発光層１３と、第一導電型半導体層１２及び第二導電型半導体層１４の少なくとも一方との間に、電子又は正孔をブロックする層が備えられていてもよい。
また、積層薄膜１５の結晶性向上の観点から、積層薄膜１５の基板１１と接する側の面にバッファ層（不図示）を更に備えることが好ましい場合がある。
また、発光層１３に効率的に電力を供給する観点から、第一導電型半導体層１２と接する第一電極１６と、第二導電型半導体層１４と接する第二電極１７とを備えていても良い。
また、積層薄膜１５の結晶性向上の観点から、積層薄膜１５の基板１１と接する側の面にバッファ層（不図示）を更に備えることが好ましい場合がある。
また、発光層１３に効率的に電力を供給する観点から、第一導電型半導体層１２と接する第一電極１６と、第二導電型半導体層１４と接する第二電極１７とを備えていても良い。
【0026】
また、積層薄膜１５は、一部に発光層１３を含んだ凸部形状のメサ構造２０であってもよい。図３では、第一導電型半導体層１２の一部と、発光層１３と、第二導電型半導体層１４とによりメサ構造２０が構成されている。
積層薄膜１５は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相成長）法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシー）法による装置、あるいはスパッタ装置で形成することが可能であるが、高品質な薄膜を成長させることが出来る観点からＭＯＣＶＤ装置で成長させることが好ましい。メサ構造２０を有する積層薄膜１５は、上述したＭＯＣＶＤ法等により積層薄膜１５を構成する薄膜層を形成した後に、所望の領域をエッチングすることで形成することができる。
積層薄膜１５は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相成長）法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシー）法による装置、あるいはスパッタ装置で形成することが可能であるが、高品質な薄膜を成長させることが出来る観点からＭＯＣＶＤ装置で成長させることが好ましい。メサ構造２０を有する積層薄膜１５は、上述したＭＯＣＶＤ法等により積層薄膜１５を構成する薄膜層を形成した後に、所望の領域をエッチングすることで形成することができる。
【0027】
（発光層）
発光層１３は、発光層１３に電力が印加された時に発光層１３のバンドギャップに応じた光を発する。本実施形態の深紫外線ＬＥＤ１０Ａにおける発光層１３は、発光スペクトルのピーク波長が深紫外線域であれば特に制限されない。ここで、発光スペクトルが複数のピークを有する場合、深紫外線の波長領域の中で発光強度が最も大きいピークの波長を深紫外線ＬＥＤ１０Ａの発光波長として定義する。
発光層１３は、発光層１３に電力が印加された時に発光層１３のバンドギャップに応じた光を発する。本実施形態の深紫外線ＬＥＤ１０Ａにおける発光層１３は、発光スペクトルのピーク波長が深紫外線域であれば特に制限されない。ここで、発光スペクトルが複数のピークを有する場合、深紫外線の波長領域の中で発光強度が最も大きいピークの波長を深紫外線ＬＥＤ１０Ａの発光波長として定義する。
【0028】
発光層１３の具体的構造の一例としては、量子井戸構造が挙げられる。例えば、組成比が異なる（バンドギャップが異なる）ＡｌＧａＮ層を積層した量子井戸構造が採用可能である。より好ましくは組成比が異なる（バンドギャップが異なる）ＡｌＧａＮ層を多層積層した多重量子井戸が採用可能である。より具体的な構造としては、組成がＡｌ０．８３Ｇａ０．１７Ｎの井戸層（厚さ１ｎｍ）３層と、組成がＡｌ０．９Ｇａ０．１Ｎの障壁層（厚さ５ｎｍ）２層を交互に積層した３重量子井戸構造が挙げられる。
【0029】
（第一導電型半導体層）
第一導電型半導体層１２としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮの単結晶及び混晶が挙げられ、またこれらの組み合わせ（多層）であっても良い。基板１１が窒化アルミニウム基板の場合、格子定数の差が小さいＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）比率が０．８以上のＡｌＧａＮが第一導電型半導体層１２として好ましい。
図３に示すように、第一導電型半導体層１２は、第一導電型半導体層１２の一部が除去されることにより形成された第一積層領域１２Ａと、第一積層領域１２Ａ上に位置してメサ構造２０を構成する第二積層領域１２Ｂとを有している。
第一導電型半導体層１２を構成する第一導電型半導体がｎ型半導体である場合、第一導電型半導体として例えばＳｉを１×１０１９ｃｍ－３の濃度でドープされたＡｌＧａＮを用いることができる。また、第一導電型半導体として、極性を有する混晶半導体の混晶組成比率を連続的に変化させる分極ドーピング法によりｎ型化したＡｌＧａＮを用いても良い。
第一導電型半導体層１２としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮの単結晶及び混晶が挙げられ、またこれらの組み合わせ（多層）であっても良い。基板１１が窒化アルミニウム基板の場合、格子定数の差が小さいＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）比率が０．８以上のＡｌＧａＮが第一導電型半導体層１２として好ましい。
図３に示すように、第一導電型半導体層１２は、第一導電型半導体層１２の一部が除去されることにより形成された第一積層領域１２Ａと、第一積層領域１２Ａ上に位置してメサ構造２０を構成する第二積層領域１２Ｂとを有している。
第一導電型半導体層１２を構成する第一導電型半導体がｎ型半導体である場合、第一導電型半導体として例えばＳｉを１×１０１９ｃｍ－３の濃度でドープされたＡｌＧａＮを用いることができる。また、第一導電型半導体として、極性を有する混晶半導体の混晶組成比率を連続的に変化させる分極ドーピング法によりｎ型化したＡｌＧａＮを用いても良い。
【0030】
第一導電型半導体層１２を構成する第一導電型半導体がｐ型半導体である場合、第一導電型半導体として例えばＭｇが３×１０１９ｃｍ－３の濃度でドープされたＡｌＧａＮを用いることができる。また、第一導電型半導体として、極性を有する混晶半導体の混晶組成比率を連続的に変化させる分極ドーピング法によりｐ型化したＡｌＧａＮを用いても良い。２４０ｎｍ未満のピーク波長を有する光を発光する発光層１３に効率良くキャリアを輸送する観点から、第一導電型半導体としてＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）比率が０．８以上のＡｌＧａＮを用いることが好ましい。
【0031】
（第二導電型半導体層）
第二導電型半導体層１４としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮの単結晶及び混晶が挙げられ、これらの組み合わせ（多層）であっても良い。
第二導電型半導体層１４を構成する第二導電型半導体がｎ型半導体である場合、第二導電型半導体として例えばＳｉを１×１０１９ｃｍ－３の濃度でドープされたＡｌＧａＮを用いることができる。また、第二導電型半導体として、極性を有する混晶半導体の混晶組成比率を連続的に変化させる分極ドーピング法によりｎ型化したＡｌＧａＮを用いても良い。
第二導電型半導体層１４としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮの単結晶及び混晶が挙げられ、これらの組み合わせ（多層）であっても良い。
第二導電型半導体層１４を構成する第二導電型半導体がｎ型半導体である場合、第二導電型半導体として例えばＳｉを１×１０１９ｃｍ－３の濃度でドープされたＡｌＧａＮを用いることができる。また、第二導電型半導体として、極性を有する混晶半導体の混晶組成比率を連続的に変化させる分極ドーピング法によりｎ型化したＡｌＧａＮを用いても良い。
【0032】
第二導電型半導体層１４を構成する第二導電型半導体がｐ型半導体である場合、第二導電型半導体として例えばＭｇが３×１０１９ｃｍ－３の濃度でドープされたＡｌＧａＮを用いることができる。第二導電型半導体がｐ型半導体である場合、第二電極１７とのコンタクト抵抗を下げる観点から、第二導電型半導体層１４はＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）比率が基板１１から離れる方向に連続的又は段階的に小さくなるＡｌＧａＮ傾斜組成を有していても良い。また、発光効率を低減させる電子やホールの動きを抑制する観点から、第二導電型半導体層１４の発光層１３側にバンドギャップの大きいバリア層（不図示）を有していても良い。また、第二電極１７との接触抵抗を低減する観点から、第二導電型半導体層１４の第二電極１７側に不純物が多量にドーピングされたコンタクト層（不図示）を有していても良い。
【0033】
＜電極＞
第一電極１６及び第二電極１７は、接触する積層薄膜１５等の半導体層とオーミック接続となる材料で形成されることが好ましい。
第一電極１６及び第二電極１７のうち、ｎ型半導体層と接する電極を構成する材料としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ若しくはその合金、又はＩＴＯ等が挙げられ、アルミニウムとニッケルとを含む材料がコンタクト抵抗低減の観点からより好ましい。
第一電極１６及び第二電極１７のうち、ｐ型半導体層と接する電極を構成する材料としては、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ及びその合金、又はＩＴＯ等が挙げられる。ｐ型半導体層が窒化物半導体層の場合、窒化物半導体層と接する電極を構成する材料は、窒化物半導体層とのコンタクト抵抗が小さいＮｉ、Ａｕ若しくはこれらの合金、又はＩＴＯが好ましい。
第一電極１６及び第二電極１７は、半導体層との接続のために、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ等の金属層が連続して形成された構成としても良い。第一電極１６及び第二電極１７は、導電性の高いＡｕが用いられることが望ましい場合がある。また、半導体層との密着性向上のため、半導体層との界面にＴｉで形成された金属層をさらに有していても良い。
第一電極１６及び第二電極１７は、接触する積層薄膜１５等の半導体層とオーミック接続となる材料で形成されることが好ましい。
第一電極１６及び第二電極１７のうち、ｎ型半導体層と接する電極を構成する材料としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ若しくはその合金、又はＩＴＯ等が挙げられ、アルミニウムとニッケルとを含む材料がコンタクト抵抗低減の観点からより好ましい。
第一電極１６及び第二電極１７のうち、ｐ型半導体層と接する電極を構成する材料としては、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ及びその合金、又はＩＴＯ等が挙げられる。ｐ型半導体層が窒化物半導体層の場合、窒化物半導体層と接する電極を構成する材料は、窒化物半導体層とのコンタクト抵抗が小さいＮｉ、Ａｕ若しくはこれらの合金、又はＩＴＯが好ましい。
第一電極１６及び第二電極１７は、半導体層との接続のために、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ等の金属層が連続して形成された構成としても良い。第一電極１６及び第二電極１７は、導電性の高いＡｕが用いられることが望ましい場合がある。また、半導体層との密着性向上のため、半導体層との界面にＴｉで形成された金属層をさらに有していても良い。
【0034】
＜第一フィルタ及び第二フィルタ＞
第一フィルタ３１は、第二フィルタ３２よりも光源に近い位置に配置されている。第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とは構造が異なっている。
図２に示すように、第一フィルタ３１は、深紫外線発光光源１０からの光の入射角度がθ１となるように配置されている。第一フィルタ３１は、波長λ［ｎｍ］の光を反射する。また、図２に示すように、第二フィルタ３２は、深紫外線発光光源１０からの光の入射角度がθ２(＞θ１）となるように配置されている。第二フィルタ３２も第一フィルタ３１と同様に、波長λｎｍの光を反射する。
第一フィルタ３１は、第二フィルタ３２よりも光源に近い位置に配置されている。第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とは構造が異なっている。
図２に示すように、第一フィルタ３１は、深紫外線発光光源１０からの光の入射角度がθ１となるように配置されている。第一フィルタ３１は、波長λ［ｎｍ］の光を反射する。また、図２に示すように、第二フィルタ３２は、深紫外線発光光源１０からの光の入射角度がθ２(＞θ１）となるように配置されている。第二フィルタ３２も第一フィルタ３１と同様に、波長λｎｍの光を反射する。
【0035】
ここで、「波長λ［ｎｍ］の光を反射する」とは、波長λ［ｎｍ］の光に対する反射率が９０％以上であることを意味する。すなわち、本実施形態の深紫外線発光装置１は、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２によって所定の波長λ［ｎｍ］の光を装置内部に反射し、所定の波長λ［ｎｍ］の光以外の光を装置外部に透過させる。このとき、所定の波長λ［ｎｍ］の光の一部が装置外部に透過してもよい。
第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２によって反射される光の波長λ［ｎｍ］は、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の構成を変化させることにより調整することができる。例えば、反射される光の波長λ［ｎｍ］は、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２を構成する誘電体多層膜（詳細は後述する）の材料、膜厚、誘電体多層膜の各層の積層構成等により調整することができる。
第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２によって反射される光の波長λ［ｎｍ］は、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の構成を変化させることにより調整することができる。例えば、反射される光の波長λ［ｎｍ］は、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２を構成する誘電体多層膜（詳細は後述する）の材料、膜厚、誘電体多層膜の各層の積層構成等により調整することができる。
【0036】
第一フィルタ３１、第二フィルタ３２が深紫外線発光装置１から取り外しが可能な場合、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２の反射率は反射率測定装置を用いて深紫外線発光光源１０からの光の反射率を測定した値と定義する。第一フィルタ３１、第二フィルタ３２が深紫外線発光装置１から取り外しが不可能である場合、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２が誘電体多層膜であるときには、反射率は、誘電体多層膜の吸収率が０％であると仮定して材料の屈折率と膜厚の値から計算した値と定義する。この場合、誘電体多層膜における材料特定及び組成は、エネルギー分散型Ｘ線分析（Energy dispersive X-ray spectrometry：ＥＤＸ）で実施する。具体的には、各層の積層方向と垂直な断面を、分割及び研磨あるいは集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）加工により露出させる。続いて、その断面を透過電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）を用いて観察することで各層の配置を明確化し、点分析が可能なエネルギー分散型Ｘ線分析（Energy dispersive X-ray spectrometry：ＥＤＸ）で同定する。
【0037】
第一フィルタ３１は、深紫外線発光光源１０から発せられる光が第一フィルタ３１に入射する角度θ１が、深紫外線発光光源１０から発せられる光が第二フィルタ３２に入射する角度θ２より小さくなるように配置される。角度θ１が角度θ２より０°以上９０°未満の範囲で小さければ本開示の効果は得られるが、この中でも角度θ１が角度θ２より０°超６０°未満の範囲で小さいことが好ましく、０°超４５°未満であることがより好ましく、０°超３０°未満の範囲で小さいことがさらに好ましい。
また、角度θ２の好ましい角度は３０°以上９０°未満であり、より好ましくは４５°以上９０°未満であり、さらに好ましくは６０°以上９０°未満である。角度θ１および角度θ２がこれらの範囲を満たすことにより、第一フィルタ３１および第二フィルタ３２を小型化することが出来、製造コストを低減できる。
また、角度θ２の好ましい角度は３０°以上９０°未満であり、より好ましくは４５°以上９０°未満であり、さらに好ましくは６０°以上９０°未満である。角度θ１および角度θ２がこれらの範囲を満たすことにより、第一フィルタ３１および第二フィルタ３２を小型化することが出来、製造コストを低減できる。
【0038】
ここで、深紫外線発光光源１０から発せられる光の一部が第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との両方を通過する場合がある。第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との両方を通過する光線の内の２本の組み合わせの中には、角度θ１が角度θ２より大きくなる組み合わせが存在する。本開示における角度θ１および角度θ２は、第一フィルタ３１および第二フィルタ３２の両方を通過する光線において定義してはならない。すなわち、角度θ１は、第一フィルタ３１を通過して第二フィルタ３２を通過しない光線において定義し、角度θ２は、第二フィルタ３２を通過して第一フィルタ３１を通過しない光線において定義することとする。
また、第一フィルタ３１に入射する光の内の一つは、第一フィルタ３１に垂直に近い角度で入射することが好ましく、第一フィルタ３１に垂直に入射する（θ１＝０°）ことが特に好ましい。発光強度が高いθ１＝０°方向に放射される光を深紫外線発光装置１の外部へ放射して利用できるため、深紫外線発光装置１の発光出力を高めることが出来るからである。
また、第一フィルタ３１に入射する光の内の一つは、第一フィルタ３１に垂直に近い角度で入射することが好ましく、第一フィルタ３１に垂直に入射する（θ１＝０°）ことが特に好ましい。発光強度が高いθ１＝０°方向に放射される光を深紫外線発光装置１の外部へ放射して利用できるため、深紫外線発光装置１の発光出力を高めることが出来るからである。
【0039】
ここで、第一フィルタ３１への入射角度θ１は、図２に示すように、深紫外線発光光源１０上の発光基準点Ｐ及び第一フィルタ３１上の任意の点Ｆ１を結んだ直線ＰＦ１と、点Ｆ１を通り第一フィルタ３１のフィルタ面と直交する線Ｖ１とが為す角度で示される。ここで、発光基準点Ｐは、深紫外線発光光源１０の第一フィルタ３１と対向する面のうちの任意の発光箇所である。また、点Ｆ１は、第一フィルタ３１の深紫外線発光光源１０と対向する面のうち、フィルタ特性を有する箇所の任意の点である。
【0040】
また、同様に、第二フィルタ３２への入射角度θ２は、図２に示すように、深紫外線発光光源１０上の発光基準点Ｐ及び第二フィルタ３２上の任意の点Ｆ２を結んだ直線ＰＦ２と、点Ｆ２を通り第二フィルタ３２のフィルタ面と直交する線Ｖ２とが為す角度で示される。ここで、点Ｆ２は、第二フィルタ３２の深紫外線発光光源１０と対向する面のうち、フィルタ特性を有する箇所の任意の点である。
【0041】
なお、深紫外線発光光源１０と第一フィルタ３１又は第二フィルタ３２とを結ぶ直線ＰＦ１又は直線ＰＦ２上に光線を遮る障害物がある場合、直線ＰＦ１又は直線ＰＦ２は、第一フィルタ３１への入射角度θ１又は第二フィルタへの入射角度θ２を定義するための直線には含めない。すなわち、直線ＰＦ１又は直線ＰＦ２は、直線ＰＦ１又は直線ＰＦ２が障害物と接しないように発光基準点Ｐ及び点Ｆ１又は点Ｆ２の位置が調整された直線である。すなわち、直線ＰＦ１又はＰＦ２上に障害物がある場合、発光基準点Ｐを光源１０の発光面上の他の位置に移動させるか、又は第一フィルタ３１上の任意の点Ｆ１又は第二フィルタ３２上の任意の点Ｆ２をフィルタ面の他の位置に移動させて直線ＰＦ１又はＰＦ２上に障害物がない状態とする。
入射角度θ１およびθ２は発光基準点Ｐおよび点Ｆ１、Ｆ２の選び方により一意には定まらず幅を持つ。第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、いずれかの入射角度θ１、θ２の組み合わせにおいてθ２＞θ１を満たすように配置される。好ましくは、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、入射角度θ２の最小最大平均値（θ２ａｖｒ：（θ２の最大値＋θ２の最小値）／２）＞入射角度θ１の最小最大平均値（θ１ａｖｒ：（θ１の最大値＋θ１の最小値）／２）を満たすように配置され、より好ましくは、入射角度θ２の最小値（θ２ｍｉｎ）＞θ１の最大値（θｍａｘ）を満たすように配置される。
入射角度θ１およびθ２は発光基準点Ｐおよび点Ｆ１、Ｆ２の選び方により一意には定まらず幅を持つ。第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、いずれかの入射角度θ１、θ２の組み合わせにおいてθ２＞θ１を満たすように配置される。好ましくは、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、入射角度θ２の最小最大平均値（θ２ａｖｒ：（θ２の最大値＋θ２の最小値）／２）＞入射角度θ１の最小最大平均値（θ１ａｖｒ：（θ１の最大値＋θ１の最小値）／２）を満たすように配置され、より好ましくは、入射角度θ２の最小値（θ２ｍｉｎ）＞θ１の最大値（θｍａｘ）を満たすように配置される。
【0042】
第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とを深紫外線発光光源１０からの光の光軸上に重ならないように配置することにより、第一フィルタ３１を通過する深紫外線の一部又は全部が、第二フィルタ３２を通過することなく外部へ放射される。同様に、上述した配置の場合、第二フィルタ３２を通過する深紫外線の一部又は全部が、第一フィルタ３１を通過することなく外部へ放射される。この構造により、深紫外線の一部又は全部が、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との両方を通過することを抑制することができる。このため、深紫外線が第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との両方を通過する構造と比較して深紫外線発光装置１の発光出力の低下を防ぎ、高出力化することが可能となる。また、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２には製造バラつきが生じる。第一フィルタ３１、第二フィルタ３２を通過する場合、この製造バラつきに起因して深紫外線の波長の減衰度合いにもバラつきが生じる。しかしながら、深紫外線の一部又は全部が第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との両方を通過することを抑制することで、深紫外線の波長の減衰度合いのバラつきを抑制することが出来る。これは、例えば第一フィルタ３１の製造バラつきにより例えば膜厚が変化することで本来第二フィルタ３２が透過させなければならない波長を反射させてしまうことを抑制することが出来る。あるいは第二フィルタ３２の製造バラつきにより例えば膜厚が変化することで本来第一フィルタ３１が透過させなければならない波長を反射させてしまうことを抑制することが出来る。これにより、深紫外線発光装置１の歩留まりの高い安定した生産が可能となり、製造コストを低減することが出来る。
【0043】
第一フィルタ３１、第二フィルタ３２としては、石英ガラス上にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ｔａ２Ｏ５などの材料の中から複数種類を周期的に積層させた誘電体多層膜を形成した構成であっても良い。なかでも、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２は、屈折率差が大きく、広い波長域で発光を制御できるＳｉＯ２とＨｆＯ２とを石英基板上に周期的に積層させた誘電体多層膜を形成した構成とすることが好ましい。第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とで石英ガラス上に積層される材料が異なっていても良い。例えば、第一フィルタ３１は、石英ガラス上にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３の薄膜を積層した誘電体多層膜、第二フィルタ３２はＳｉＯ２、ＨｆＯ２の薄膜を積層した誘電体多層膜を有していても良い。各々のフィルタの誘電体多層膜を異なる材料で形成する場合には、各々のフィルタを別々の工程で並行して同じ作業時間内で作ることが出来るため、フィルタ製造装置を複数有している場合には作業効率が高い。
【0044】
第一フィルタ３１の誘電体多層膜と第二フィルタ３２の誘電体多層膜とが同じ材質の組み合わせで形成されている場合、第二フィルタ３２の誘電体多層膜の各層の膜厚は、第一フィルタの誘電体多層膜の各層の膜厚より小さくても良い。本構造の場合はフィルタ成膜装置内の構造を工夫することにより、一度に第一フィルタ３１の誘電体多層膜及び第二フィルタ３２の誘電体多層膜の両方を成膜することが出来るため、製造コストを低減することが出来る。
【0045】
具体的には、例えばスパッタリング装置において、成膜材料と第一フィルタ３１の基板（例えば石英基板）との距離が、成膜材料と第二フィルタ３２の基板との距離よりも近くなるように各フィルタの基板を配置する。これにより、第二フィルタ３２に成膜される誘電体多層膜の膜厚を第一フィルタ３１に成膜される誘電体多層膜の膜厚より薄く（小さく）することが出来る。あるいは、スパッタリング装置に導入するガスの入り口を、第二フィルタ３２を形成する領域の近くに配置してもよい。これにより、薄膜の成膜がガスに阻害されることで第二フィルタ３２の誘電体多層膜の膜厚を第一フィルタ３１の誘電体多層膜の膜厚より薄く（小さく）出来る。
【0046】
あるいは、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の基板の内、誘電体多層膜を形成する面とは別の面からヒーター等により加熱を行い、その熱分布を第一フィルタ３１が形成される領域と第二フィルタ３２が形成される領域とで区分してもよい。成膜時の基板の温度を変えることで、第二フィルタ３２に成膜される薄膜の膜厚を第一フィルタ３１に成膜される膜厚より薄く（小さく）出来る。この技術を用いることで、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２を同時に形成できる。なお、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが繋がっている（一体に形成されている）場合でも、誘電体多層膜の膜厚が異なることによりそれぞれの領域で反射する光の波長が変わる。このため、本開示においては、誘電体多層膜の膜厚が異なる領域が存在すれば、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが形成されていると見做す。
また、薄膜の膜厚は、薄膜積層方向と垂直な断面を分割及び研磨あるいは集束イオンビーム加工し、その断面を透過電子顕微鏡観察することによって測長する。
また、薄膜の膜厚は、薄膜積層方向と垂直な断面を分割及び研磨あるいは集束イオンビーム加工し、その断面を透過電子顕微鏡観察することによって測長する。
【0047】
第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の形状は、平面形状であることが好ましいが、本開示の効果を得ることが可能であれば曲面形状でも良い。第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２が平面形状である場合、製作の容易性から、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の厚み方向から見た形状は裁断の容易性から四角形であることが好ましい。第一フィルタ３１の深紫外線発光光源１０側の面と第二フィルタ３２の深紫外線発光光源１０側の面とは同一平面上に存在しても良く、異なる平面上に存在しても良い。第一フィルタ３１の深紫外線発光光源１０側の面と第二フィルタ３２の深紫外線発光光源１０側の面とが同一平面上に存在している場合は、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが同一基材上に異なる誘電体多層膜が形成されて構成されていると特に効果が高い。このような構成の場合、誘電体多層膜の成膜工程において、第一チャンバで第一フィルタ３１を形成した後、外部へ取り出すこと無くそのまま第二チャンバへフィルタの基材（例えば石英基板）を平行移動させて第二フィルタ３２を形成することが出来る。このため、第一フィルタ及び第二フィルタの製造コストを低減できる。
【0048】
また、搬送時にフィルタの基材の一面のみに搬送機構が接触し、フィルタ形成面には搬送機構が接触しない。このため、第一フィルタ３１および第二フィルタ３２のフィルタ形成面へのパーティクルの付着を低減することが出来るため歩留まりが向上し、製造コストを低減できる。さらに、深紫外線発光装置１において第一フィルタ３１のフィルタ面、第二フィルタ３２のフィルタ面を外界に向けない配置を取ることが出来る。このため、深紫外線発光装置１の使用時における外界からの大気やほこりの第一フィルタ３１、第二フィルタ３２への接触や、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２へ手で触れることによる指紋や手垢の付着を抑制することができる。また、これら接触や付着により第一フィルタ３１、第二フィルタ３２が傷付くことを抑制できる。このため、これら接触、付着、傷付きにより第一フィルタ３１、第二フィルタ３２が反射する光の波長がずれ、反射率の低下、それによる深紫外線発光装置１の性能の低下を防ぐことが出来る。
【0049】
第一フィルタ３１、第二フィルタ３２には、例えば上述するピーク波長２２６ｎｍの深紫外線ＬＥＤ１０Ａを用いた場合、波長２１０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の光が入射する。ここで、人体に対して有害な波長域である波長２４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長帯の光を抑制する観点から、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２は、ともに波長２４０ｎｍ以上波長２６０ｎｍ以下の光を反射して、外部へ放射させない構造であることが望ましい。人体に対して有害な波長２４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長帯の光は、米国産業衛生専門家会議（ＡＣＧＩＨ）が提唱している紫外線の肌に対しての照射上限照度（ＴＬＶ）（Ｊ／ｍ２）が著しく低い光である。つまり、第一フィルタ３１は、入射角度θ１で入射した波長２４０ｎｍ以上波長２６０ｎｍ以下の光の透過率が１０％以下であり、第二フィルタ３２は、入射角度θ２で入射した波長２４０ｎｍ以上波長２６０ｎｍ以下の光の透過率が１０％以下であることが好ましい。
第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが別々のフィルタである（一体に形成されていない）場合、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とを、複数の装置で同じ作業時間内に並行して別々に作製できる。このため、フィルタ製造時間を短縮することにより製造コストを低減できる。また、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の光源からの距離をそれぞれ自由に設計できるため、深紫外線発光装置の光学設計における自由度が高まる。
第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが別々のフィルタである（一体に形成されていない）場合、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とを、複数の装置で同じ作業時間内に並行して別々に作製できる。このため、フィルタ製造時間を短縮することにより製造コストを低減できる。また、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の光源からの距離をそれぞれ自由に設計できるため、深紫外線発光装置の光学設計における自由度が高まる。
【0050】
より具体的に、第一フィルタ３１としては、ＳｉＯ２（膜厚３２ｎｍ）とＨｆＯ２(膜厚３４ｎｍ)とを１０周期積層させた誘電体多層膜を使用することが出来る。図４は、光をフィルタに垂直に入射（θ１＝０°）させた際の透過率の波長依存性を示すグラフである。ここで、図４のグラフは、光学薄膜設計シミュレーションソフト（Thin Film View verＳｉＯn３.２.５、ナリー・ソフトウェア社製）を用いた際のシミュレーション結果である。上述したフィルタは、垂直入射（θ１＝０°）において、波長２２５ｎｍから２７３ｎｍの波長帯域で透過率が１０％以下、すなわち反射率が９０％より大きい値となる。また、図５には、同ソフトで計算した波長２４０ｎｍの光の透過率の入射角度依存性を示す。このフィルタは、波長２４０ｎｍにおいて入射角度０°から８３°の間で透過率が１０％以下、すなわち反射率が９０％より大きい値となる。
【0051】
第二フィルタ３２としては、ＳｉＯ２（膜厚３８ｎｍ）とＨｆＯ２(膜厚３４ｎｍ)を１０周期積層させた誘電体多層膜を使用することが出来る。図６は、光をフィルタに垂直に入射（θ１＝０度）させた際の透過率の波長依存性を示すグラフである。ここで、図６のグラフは、図４と同様に光学薄膜設計シミュレーションソフト（Thin Film View verＳｉＯn３.２.５、ナリー・ソフトウェア社製）を用いた際のシミュレーション結果である。上述したフィルタは、垂直入射（θ１＝０°）において波長２４０ｎｍから２９６ｎｍの波長帯域で透過率が１０％以下、すなわち反射率が９０％より大きい値となる。また、図７には、同ソフトで計算した波長２４０ｎｍの光の透過率の入射角度依存性を示す。このフィルタは、波長２４０ｎｍにおいて入射角度４１°から９０°の間で透過率が１０％以下、すなわち反射率が９０％より大きい値となる。
【0052】
つまり、深紫外線発光装置１は、深紫外線発光光源１０と、深紫外線発光光源１０から発せられる光が入射する角度θ１が０°以上８３°未満となる位置に設けられた第一フィルタ３１と、深紫外線発光光源１０から発せられる光が入射する角度θ２が８３°以上９０°未満となる位置に設けられた第二フィルタ３２とを備えていることが好ましい。また、第一フィルタ３１は、ＳｉＯ２（膜厚３２ｎｍ）とＨｆＯ２(膜厚３４ｎｍ)とを１０周期積層させた誘電体多層膜であり、第二フィルタ３２は、ＳｉＯ２（膜厚３８ｎｍ）とＨｆＯ２(膜厚３４ｎｍ)を１０周期積層させた誘電体多層膜であることが好ましい。このような深紫外線発光装置１は、波長２４０ｎｍの人体に有害な波長の光に対して第一フィルタ３１、第二フィルタ３２のどちらも光を反射させて除去することが可能となる。
【0053】
なお、深紫外線発光装置１は、少なくとも第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２を備えていれば良く、その他のフィルタが備えられていても良い。
【0054】
（１．２）深紫外線発光装置の構成例
以下、深紫外線発光装置１の具体的な構成について説明する。深紫外線発光装置１の深紫外線発光光源１０が深紫外線ＬＥＤ１０Ａである場合、深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部に第一フィルタ３１および第二フィルタ３２の少なくとも一方が設けられていても良い。以下、深紫外線発光装置１の構成例を説明する。
以下、深紫外線発光装置１の具体的な構成について説明する。深紫外線発光装置１の深紫外線発光光源１０が深紫外線ＬＥＤ１０Ａである場合、深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部に第一フィルタ３１および第二フィルタ３２の少なくとも一方が設けられていても良い。以下、深紫外線発光装置１の構成例を説明する。
【0055】
（１．２．１）第一の構成例
図８を参照して、深紫外線発光装置１の第一の構成例を説明する。図８に示すように、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部に設けられていても良い。図８は、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２が深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部であり、深紫外線ＬＥＤ１０Ａからの光を透過する窓材１１１と接するように設けられた深紫外線発光装置１の構成例である。
図８を参照して、深紫外線発光装置１の第一の構成例を説明する。図８に示すように、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部に設けられていても良い。図８は、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２が深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部であり、深紫外線ＬＥＤ１０Ａからの光を透過する窓材１１１と接するように設けられた深紫外線発光装置１の構成例である。
【0056】
上述したように、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、第一フィルタ３１を通過する深紫外線が第二フィルタ３２を通過しないように配置される。これは、例えば図８に示すように、四角形の窓材１１１の一面上の中心付近の局所領域に第一フィルタ３１が形成され、同一面上の第一フィルタ３１が形成されていない領域に第二フィルタ３２が形成されることで実現できる。
【0057】
この際、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、深紫外線ＬＥＤ１０Ａから発せられる光の光軸を基準として第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが一部重なる領域があっても良い。第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが一部重なる領域がある場合、各フィルタの形成時の製造バラつきにより第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との間に隙間３３が出来ることを抑制することができる。これにより、深紫外線ＬＥＤ１０Ａからの光が第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２のどちらも通過しない領域が生じることを防ぐことが出来る。これは、特に好ましく無い波長の光が深紫外線発光装置１の外部へ放射されることを防ぐ必要のある、計測器用途の光源として利用する場合や、人体への有害性の低い殺菌光源として利用する場合に効果が高い。
【0058】
また、図１０に示すように、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２は、互いに隙間３３を空けて形成されていても良い。
第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２が隙間３３を空けて形成されている場合、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の平面方向の位置に関する製造バラつきの許容量を大きくすることが出来る。これにより、深紫外線発光装置１の製造工程および検査工程を簡素化でき、また歩留まりも向上するため製造コストを低減することが出来る。さらに、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２の重複領域において光が第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との両方を通過することによる発光出力の低下を防ぎ、高出力の深紫外線発光装置を実現できる。
なお、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２は窓材１１１の内部に配置されて、窓材１１１から露出しない構成とされていても良い。
第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２が隙間３３を空けて形成されている場合、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２の平面方向の位置に関する製造バラつきの許容量を大きくすることが出来る。これにより、深紫外線発光装置１の製造工程および検査工程を簡素化でき、また歩留まりも向上するため製造コストを低減することが出来る。さらに、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２の重複領域において光が第一フィルタ３１と第二フィルタ３２との両方を通過することによる発光出力の低下を防ぎ、高出力の深紫外線発光装置を実現できる。
なお、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２は窓材１１１の内部に配置されて、窓材１１１から露出しない構成とされていても良い。
【0059】
（１．２．２）第二の構成例
図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して、深紫外線発光装置１の第二の構成例を説明する。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第二の構成例の深紫外線発光装置１では、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２が深紫外線ＬＥＤ１０Ａのパッケージの一部に設けられている。また、第一フィルタ３１は、四角形の窓材１１１の一方の面の中心付近の局所領域に形成され、第二フィルタ３２は、窓材１１１の他方の面の第一フィルタ３１が形成されていない領域に形成されている。この際、深紫外線ＬＥＤ１０Ａから発せられる光の光軸を基準として、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが一部重なる領域があっても良く、重なる領域が無くても良い。また、深紫外線ＬＥＤ１０Ａから発せられる光の光軸が、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とのいずれも通過しない領域があっても良い。
図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して、深紫外線発光装置１の第二の構成例を説明する。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第二の構成例の深紫外線発光装置１では、第一フィルタ３１及び第二フィルタ３２が深紫外線ＬＥＤ１０Ａのパッケージの一部に設けられている。また、第一フィルタ３１は、四角形の窓材１１１の一方の面の中心付近の局所領域に形成され、第二フィルタ３２は、窓材１１１の他方の面の第一フィルタ３１が形成されていない領域に形成されている。この際、深紫外線ＬＥＤ１０Ａから発せられる光の光軸を基準として、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが一部重なる領域があっても良く、重なる領域が無くても良い。また、深紫外線ＬＥＤ１０Ａから発せられる光の光軸が、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とのいずれも通過しない領域があっても良い。
【0060】
（１．２．３）第三の構成例
図１２及び図１３を参照して、深紫外線発光装置１の第三の構成例を説明する。図１２及び図１３に示すように、第二の構成例の深紫外線発光装置１では、深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部に第一フィルタ３１と第二フィルタ３２のいずれか一方が設けられている。
図１２及び図１３を参照して、深紫外線発光装置１の第三の構成例を説明する。図１２及び図１３に示すように、第二の構成例の深紫外線発光装置１では、深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部に第一フィルタ３１と第二フィルタ３２のいずれか一方が設けられている。
【0061】
図１２は、第一フィルタ３１が深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部である窓材１１１と接するように設けられた深紫外線発光装置１の構成例である。図１２に示す構成例では、深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０が、深紫外線発光装置１の外装体１２０に収容されている。そして、もう一方のフィルタである第二フィルタ３２が、深紫外線ＬＥＤ１０Ａの外部、すなわち深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容する深紫外線発光装置１の外装体１２０の一部である窓材１２１と接するように設けられている。
【0062】
図１３は、第二フィルタ３２が深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容するパッケージ１１０の一部である窓材１１１と接するように設けられた深紫外線発光装置１の構成例である。図１３に示す構成例では、もう一方のフィルタである第一フィルタ３１が、深紫外線ＬＥＤ１０Ａの外部、すなわち深紫外線ＬＥＤ１０Ａを収容する深紫外線発光装置１の外装体１２０の一部である窓材１２１と接するように設けられている。
図１２及び図１３のいずれかの構成の場合も、深紫外線ＬＥＤ１０Ａから発される光の光軸を基準として、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが一部重なる領域があっても良く、重なる領域が無くても良く、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とのどちらも通過しない領域があっても良い。
図１２及び図１３のいずれかの構成の場合も、深紫外線ＬＥＤ１０Ａから発される光の光軸を基準として、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とが一部重なる領域があっても良く、重なる領域が無くても良く、第一フィルタ３１と第二フィルタ３２とのどちらも通過しない領域があっても良い。
【0063】
図１２及び図１３のいずれかの構成の場合、例えば深紫外線ＬＥＤ１０Ａの深紫外線を放射する窓材１１１及び深紫外線発光装置１の窓材１２１が、石英ガラス上に誘電体多層膜を積層した構造であっても良い。また、窓材１１１及び窓材１２１として石英ガラスの両面上に別々の誘電体多層膜を積層しても良い。さらに、窓材１１１及び窓材１２１の内部に第一フィルタ３１、第二フィルタ３２のいずれかが配置されて、第一フィルタ３１、第二フィルタ３２が窓材１１１及び窓材１２１から露出しない構成とされていても良い。
【0064】
以上、本開示を実施の形態を用いて説明したが、本開示の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本開示の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【0065】
１ 深紫外線発光装置
１０ 深紫外線発光光源
１１ 基板
１１Ａ 第一主面
１１Ｂ 第二主面
１２ 第一導電型半導体層
１２Ａ 第一積層領域
１２Ｂ 第二積層領域
１３ 発光層
１４ 第二導電型半導体層
１５ 積層薄膜
１６ 第一電極
１７ 第二電極
２０ メサ構造
３１ 第一フィルタ
３２ 第二フィルタ
３３ 隙間
１１０ パッケージ
１１１，１２１ 窓材
１２０ 外装体
１０ 深紫外線発光光源
１１ 基板
１１Ａ 第一主面
１１Ｂ 第二主面
１２ 第一導電型半導体層
１２Ａ 第一積層領域
１２Ｂ 第二積層領域
１３ 発光層
１４ 第二導電型半導体層
１５ 積層薄膜
１６ 第一電極
１７ 第二電極
２０ メサ構造
３１ 第一フィルタ
３２ 第二フィルタ
３３ 隙間
１１０ パッケージ
１１１，１２１ 窓材
１２０ 外装体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13】