特開 2024-33281 光モジュールの組立方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024033281

(43)【公開日】2024-03-13

(54)【発明の名称】光モジュールの組立方法

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/015 20060101AFI20240306BHJP

   G02B 6/32 20060101ALI20240306BHJP

   G02B 6/42 20060101ALI20240306BHJP

   G02B 6/122 20060101ALI20240306BHJP

【ＦＩ】

G02F1/015 505

G02B6/32

G02B6/42

G02B6/122

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022136781

(22)【出願日】2022-08-30

(71)【出願人】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100136722

【弁理士】

【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫

(74)【代理人】

【識別番号】100174399

【弁理士】

【氏名又は名称】寺澤 正太郎

(74)【代理人】

【識別番号】100182006

【弁理士】

【氏名又は名称】湯本 譲司

(72)【発明者】

【氏名】佐伯 智哉

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

2K102

【Ｆターム（参考）】

2H137AA05

2H137AB11

2H137BA03

2H137BA05

2H137BA48

2H137BA53

2H137BB14

2H137BC02

2H137BC42

2H137BC51

2H137CC01

2H137CC03

2H137CC08

2H137CC10

2H137DA27

2H137DA39

2H137DB10

2H137DB12

2H137DB13

2H147AB02

2H147AB06

2H147AB11

2H147AB21

2H147AC01

2H147AC04

2H147BA02

2H147BE01

2H147BE11

2H147BE22

2H147CA13

2H147CA18

2H147CA24

2H147DA05

2H147DA09

2H147EA12C

2H147EA13C

2K102AA21

2K102BA02

2K102BB01

2K102BB04

2K102BC04

2K102BD01

2K102CA28

2K102DA04

2K102DB05

2K102DC08

2K102DD03

2K102EA02

2K102EA08

2K102EA09

2K102EB02

2K102EB06

2K102EB10

2K102EB11

2K102EB14

2K102EB20

2K102EB22

2K102EB25

2K102EB30

(57)【要約】

【課題】調芯の精度を高めることができる光モジュールの組立方法を提供する。
【解決手段】一実施形態に係る光モジュールの組立方法は、入力ポートに対向する位置に入力レンズ系を配置する工程と、分岐光の光強度を検知し、入力レンズ系を調整して入力レンズ系を入力ポートに光学的に結合する工程と、第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに対向する位置に第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれを配置して、第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれを第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに光学的に結合する工程と、を含む。
【選択図】図１１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

長方形状の平面形状を呈し、連続光を受光する入力ポート、第１の出力ポート、第２の出力ポート、及び２つのモニタポートを有し、前記連続光を分岐して得られた分岐光を位相変調し、前記分岐光の一方を変調信号化して前記第１の出力ポートから出力される第１の出力光を生成すると共に、前記分岐光のもう一方を変調信号化して前記第２の出力ポートから出力される第２の出力光を生成し、各前記モニタポートが前記第１の出力光及び前記第２の出力光のそれぞれをモニタする半導体変調器と、
内部に前記半導体変調器を収容する筐体と、
前記筐体の１つの側壁において前記半導体変調器の１つの側面に対向するように設けられる入力アセンブリ及び出力アセンブリと、
を備える光モジュールの組立方法であって、
前記入力ポートに対向する位置に入力レンズ系を配置する工程と、
前記分岐光の光強度を検知し、前記入力レンズ系を調整して前記入力レンズ系を前記入力ポートに光学的に結合する工程と、
前記第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに対向する位置に第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれを配置して、前記第１の出力レンズ系及び前記第２の出力レンズ系のそれぞれを前記第１の出力ポート及び前記第２の出力ポートのそれぞれに光学的に結合する工程と、
を含む、
光モジュールの組立方法。

【請求項2】

前記半導体変調器は前記分岐光を導波する光導波路を有するマッハツェンダ型光変調器であり、前記半導体変調器のそれぞれの分岐された前記光導波路には電極が設けられており、
前記入力レンズ系を配置する工程は、
前記入力レンズ系を介して前記入力ポートに試験光を出力する工程と、
前記半導体変調器のいずれか１つの前記光導波路に設けられた前記電極に電圧を印加して前記試験光の強度を検出し、前記光導波路の光吸収によって検出された光の強度が最大となる前記入力レンズ系の位置を決定する工程と、
を含む、
請求項１に記載の光モジュールの組立方法。

【請求項3】

前記入力レンズ系の位置を決定する工程では、前記半導体変調器の前記電極に印加した前記電圧を一定に維持した状態で前記光導波路の光吸収によって検出された光の強度が最大となる位置を前記入力レンズ系の位置とする、
請求項２に記載の光モジュールの組立方法。

【請求項4】

前記入力レンズ系を配置する工程の前に、前記入力レンズ系を介在させずに前記半導体変調器の前記入力ポートに前記試験光を出力する模擬ファイバを配置する工程を更に備える、
請求項３に記載の光モジュールの組立方法。

【請求項5】

前記模擬ファイバを配置する工程の後に、前記入力ポートに試験光を出力する工程と、前記半導体変調器のいずれか１つの前記光導波路に設けられた前記電極に電圧を印加して前記試験光の強度を検出し、前記光導波路の光吸収によって検出された光の強度が最大となる前記模擬ファイバの位置を決定する工程と、を含む、
請求項４に記載の光モジュールの組立方法。

【請求項6】

前記入力レンズ系を配置する工程の前に、前記半導体変調器の前記モニタポートに対向するモニタ用受光素子を配置する工程を更に備え、
前記入力レンズ系を配置する工程は、前記入力レンズ系を介して前記入力ポートに試験光を出力する工程を有し、
前記モニタ用受光素子に対向する前記モニタポートの１つを介して前記モニタ用受光素子の１つによって前記試験光の強度を検出し、
前記モニタ用受光素子によって検出された光の強度が最大となる前記入力レンズ系の位置を決定する、
請求項１に記載の光モジュールの組立方法。

【請求項7】

前記入力レンズ系を配置する工程の後に、紫外線硬化樹脂を用いて前記入力レンズ系を前記筐体に固定する工程を有する、
請求項１に記載の光モジュールの組立方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、光モジュールの組立方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、光モジュール、及びその組立方法が記載されている。光モジュールは、筐体と、筐体の側壁に取り付けられた入力アセンブリ及び出力アセンブリと、筐体の内部に配置された半導体変調器とを備える。半導体変調器は、入力ポートと、第１の出力ポートと、第２の出力ポートと、分岐部と、第１の合波部と、第２の合波部と、複数のアーム導波路と、第１のモニタポートと、第２のモニタポートとを有する。

【0003】

入力ポートは、入力アセンブリからの連続光を入力する。分岐部は、入力ポートから入力された連続光を８本のアーム導波路に分岐する。第１の合波部は、４本のアーム導波路を伝搬した信号光の一部を合波して第１の出力ポートに第１の出力光として提供する。第２の合波部は、別の４本のアーム導波路に伝搬した信号光の残部を合波して第２の出力ポートに第２の出力光として提供する。

【0004】

半導体変調器は、８個の変調電極と、４個の親位相調整電極と、８個の子位相調整電極とを有する。変調電極はアーム導波路上に設けられ、変調された電圧信号をアーム導波路に与えてアーム導波路の光の屈折率を変化させる。これにより、アーム導波路の光の位相が変調される。

【0005】

光モジュールは、入力アセンブリと半導体変調器の入力ポートとを互いに光結合する入力レンズ系と、出力アセンブリと半導体変調器の第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれとを互いに光結合する第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系とを有する。第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれは、前段レンズ及び後段レンズを有する。

【0006】

この光モジュールの組立方法では、まず筐体の内部に半導体変調器を含む種々の光学部品を配置し、入力レンズ系の調芯及び配置を行う。そして、第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれの後段レンズを調芯及び固定した後に前段レンズを配置し、第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系からの試験光のパワーの最大値を比較する。第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のうち、試験光のパワーの最大値が大きい方の前段レンズを先に調芯し、その後、試験光のパワーの最大値が小さい方の前段レンズを調芯する。その後、各前段レンズの固定、及び筐体への入力アセンブリと出力アセンブリの調芯と固定が行われる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特表２０２１－５０９４８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

ところで、入力ポート及び入力レンズの調芯において、半導体変調器のモニタポートの光路上に配置されたモニタＰＤ（Photo Diode）の光電流が用いられることがある。しかしながら、モニタＰＤには、当該光路を通る光以外の迷光が結合することがあり、この場合、精度が高い調芯を行えないということが生じうる。すなわち、入力から出力までの光導波路における光損失、及びモニタポートからモニタＰＤまでの光結合ロスによってモニタＰＤへの光の光量が減少することがあるので、精度が高い調芯が困難であるということが起こりうる。

【0009】

本開示は、調芯の精度を高めることができる光モジュールの組立方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本開示に係る光モジュールの組立方法は、長方形状の平面形状を呈し、連続光を受光する入力ポート、第１の出力ポート、第２の出力ポート、及び２つのモニタポートを有し、連続光を分岐して得られた分岐光を位相変調し、分岐光の一方を変調信号化して第１の出力ポートから出力される第１の出力光を生成すると共に、分岐光のもう一方を変調信号かして第２の出力ポートから出力される第２の出力光を生成し、各モニタポートが第１の出力光及び第２の出力光のそれぞれをモニタする半導体変調器と、内部に半導体変調器を収容する筐体と、筐体の１つの側壁において半導体変調器の１つの側面に対向するように設けられる入力アセンブリ及び出力アセンブリと、を備える光モジュールの組立方法である。組立方法は、入力ポートに対向する位置に入力レンズ系を配置する工程と、分岐光の光強度を検知し、入力レンズ系を調整して入力レンズ系を入力ポートに光学的に結合する工程と、第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに対向する位置に第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれを配置して、第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれを第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに光学的に結合する工程と、を含む。

【発明の効果】

【0011】

本開示によれば、調芯の精度を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、一実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。

【図2】図２は、図１の光モジュールを図１とは異なる方向から見た斜視図である。

【図3】図３は、図１の光モジュールの内部構造を示す斜視図である。

【図4】図４は、図１の光モジュールの内部構造を示す平面図である。

【図5】図５は、図１の光モジュールの側断面図である。

【図6】図６は、図１の光モジュールの半導体変調器を示す図である。

【図7】図７は、一実施形態に係る光モジュールの組立方法の一工程を示す図である。

【図8】図８は、一実施形態に係る光モジュールの組立方法の一工程を示す図である。

【図9】図９は、一実施形態に係る光モジュールの組立方法の一工程を示す図である。

【図10】図１０は、一実施形態に係る光モジュールの組立方法の一工程を示す図である。

【図11】図１１は、一実施形態に係る光モジュールの組立方法の一工程を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示に係る光モジュールの組立方法の実施形態の内容を列記して説明する。実施形態に係る光モジュールの組立方法は、（１）長方形状の平面形状を呈し、連続光を受光する入力ポート、第１の出力ポート、第２の出力ポート、及び２つのモニタポートを有し、連続光を分岐して得られた分岐光を位相変調し、分岐光の一方を変調信号化して第１の出力ポートから出力される第１の出力光を生成すると共に、分岐光のもう一方を変調信号化して第２の出力ポートから出力される第２の出力光を生成し、各モニタポートが第１の出力光及び第２の出力光のそれぞれをモニタする半導体変調器と、内部に半導体変調器を収容する筐体と、筐体の１つの側壁において半導体変調器の１つの側面に対向するように設けられる入力アセンブリ及び出力アセンブリと、を備える光モジュールの組立方法である。組立方法は、入力ポートに対向する位置に入力レンズ系を配置する工程と、分岐光の光強度を検知し、入力レンズ系を調整して入力レンズ系を入力ポートに光学的に結合する工程と、第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに対向する位置に第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれを配置して、第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれを第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに光学的に結合する工程と、を含む。

【0014】

この光モジュールの組立方法では、半導体変調器の入力ポートに対向する位置に入力レンズ系が配置される。半導体変調器では、分岐光の光強度が検知され、検知された光強度に伴って入力レンズ系が入力ポートに光学的に結合される。半導体変調器の第１の出力ポートに第１の出力レンズ系が配置され、半導体変調器の第２の出力ポートに第２の出力レンズ系が配置される。そして、第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれが光学的に結合される。従って、入力レンズ系が入力ポートに光学的に結合され、第１の出力レンズ系及び第２の出力レンズ系のそれぞれが第１の出力ポート及び第２の出力ポートのそれぞれに光学的に結合されるので、調芯の精度を高めることができる。

【0015】

（２）上記（１）において、半導体変調器は分岐光を導波する光導波路を有するマッハツェンダ型光変調器であってもよく、半導体変調器のそれぞれの分岐された光導波路には電極が設けられていてもよい。入力レンズ系を配置する工程は、入力レンズ系を介して入力ポートに試験光を出力する工程と、半導体変調器のいずれか１つの光導波路に設けられた電極に電圧を印加して試験光の強度を検出し、光導波路の光吸収によって検出された光の強度が最大となる入力レンズ系の位置を決定する工程と、を含んでもよい。

【0016】

（３）上記（２）において、入力レンズ系の位置を決定する工程では、半導体変調器の電極に印加した電圧を一定に維持した状態で光導波路の光吸収によって検出された光の強度が最大となる位置を入力レンズ系の位置としてもよい。

【0017】

（４）上記（３）において、組立方法は、入力レンズ系を配置する前に、入力レンズ系を介在させずに半導体変調器の入力ポートに試験光を出力する模擬ファイバを配置する工程を更に備えてもよい。

【0018】

（５）上記（４）において、組立方法は、模擬ファイバを配置する工程の後に、入力ポートに試験光を出力する工程と、半導体変調器のいずれか１つの光導波路に設けられた電極に電圧を印加して試験光の強度を検出し、光導波路の光吸収によって検出された光の強度が最大となる模擬ファイバの位置を決定する工程と、を含んでもよい。

【0019】

（６）上記（１）において、組立方法は、入力レンズ系を配置する工程の前に、半導体変調器のモニタポートに対向するモニタ用受光素子を配置する工程を更に備えてもよい。入力レンズ系を配置する工程は、入力レンズ系を介して入力ポートに試験光を出力する工程を有し、モニタ用受光素子に対向するモニタポートの１つを介してモニタ用受光素子の１つによって試験光の強度を検出し、モニタ用受光素子によって検出された光の強度が最大となる入力レンズ系の位置を決定してもよい。

【0020】

（７）上記（１）において、組立方法は、入力レンズ系を配置する工程の後に、紫外線硬化樹脂を用いて入力レンズ系を筐体に固定する工程を有してもよい。

【0021】

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る光モジュールの組立方法の具体例を以下で図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示され、特許請求の範囲と均等の範囲における全ての変更が含まれることが意図される。図面の説明において同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、図面は、理解の容易化のため、一部を簡略化又は誇張して描いている場合があり、寸法比率等は図面に記載したものに限定されない。

【0022】

図１は、一例としての光モジュール１を示す斜視図である。図２は、図１とは異なる方向から見た光モジュール１の斜視図である。図１及び図２に示されるように、光モジュール１は、直方体状の筐体２と、筐体２から延び出す入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４とを備える。入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４のそれぞれは円柱状を呈する。筐体２は、第１方向Ｄ１に沿って延びる一対の第１側壁２ｂと、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に沿って延びる一対の第２側壁２ｃと、光モジュール１の各部品が搭載される底壁２ｄとを有する。第１方向Ｄ１は光モジュール１の長手方向であり、第２方向Ｄ２は光モジュール１の幅方向である。

【0023】

第１側壁２ｂは、第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３の双方に延在している。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の双方に交差する方向であり、光モジュール１の高さ方向に相当する。一対の第２側壁２ｃは第１方向Ｄ１に沿って並んでおり、各第２側壁２ｃは第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３の双方に延在している。底壁２ｄは、第１側壁２ｂ及び第２側壁２ｃの第３方向Ｄ３の一端において第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の双方に延在している。

【0024】

図３は、光モジュール１の内部構造を示す斜視図である。図４は、光モジュール１の内部構造を示す平面図である。図５は、光モジュール１の内部構造を示す縦断面図である。図３～図５に示されるように、一対の第１側壁２ｂ、及び一対の第２側壁２ｃは、第３方向Ｄ３から見たときに枠状を呈する筐体２の開口部２ｇを構成する。光モジュール１は、開口部２ｇを封止するリッド５を備える。リッド５は金属製である。例えば、筐体２では、開口部２ｇに金属製のシールリングが接合され、当該シールリングを介してリッド５が筐体２に接合される。例えば、リッド５の筐体２への接合はシーム溶接によって行われる。

【0025】

一対の第２側壁２ｃのうちの一方からは入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４が第１方向Ｄ１に沿って延び出している。入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４は、第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。入力アセンブリ３は、光モジュール１の外部から光モジュール１の内部に入力光Ｌ１を入力する部位である。出力アセンブリ４は、光モジュール１の内部から光モジュール１の外部に出力光Ｌ２を出力する部位である。

【0026】

入力アセンブリ３は、偏波保持ファイバ（ＰＭＦ：Polarization Maintaining Fiber）である光ファイバ３ｆを保持するピグテイル部品である。入力アセンブリ３は、レンズ３ｂ、レンズ３ｂを保持するレンズホルダ３ｃ、スリーブ３ｄ、及びレンズ３ｂと光学的に結合する光ファイバ３ｆを有する。光ファイバ３ｆからは入力光Ｌ１が出射し、入力光Ｌ１はレンズ３ｂを透過して光モジュール１の内部に入力される。

【0027】

出力アセンブリ４は、シングルモードファイバ（ＳＭＦ：Single Mode Fiber）である光ファイバ４ｆを保持するピグテイル部品である。出力アセンブリ４は、レンズ４ｂ、レンズ４ｂを保持するレンズホルダ４ｃ、スリーブ４ｄ、及びレンズ４ｂと光学的に結合する光ファイバ４ｆを有する。レンズ４ｂは、光モジュール１の内部からの出力光Ｌ２を光ファイバ４ｆの先端面に集光する。

【0028】

光モジュール１は、第１側壁２ｂ及び第２側壁２ｃのそれぞれに設けられたフィードスルー６を有する。フィードスルー６は、複数のリードピン６ｂを有する。複数のリードピン６ｂは、例えば、筐体２の外部の回路基板に接続される。複数のリードピン６ｂには、外部の信号を光モジュール１に入力するリードピン、筐体２の内部の電気回路にバイアスを供給するリードピン、及び接地リードピンが含まれる。なお、本実施形態では、複数のリードピン６ｂは、第１側壁２ｂ及び第２側壁２ｃのそれぞれに設けられているが、第１側壁２ｂのみに設けられていてもよい。

【0029】

光モジュール１は、底壁２ｄに搭載された光学用ベース１１と、光学用ベース１１に搭載されたフィルタ１２を含む複合光学部品１３とを有する。フィルタ１２は、入力アセンブリ３からの入力光Ｌ１を透過する。フィルタ１２は入力光Ｌ１を複合光学部品１３に入力する。複合光学部品１３は、フィルタ１２から見て入力アセンブリ３とは反対側に配置さされている。複合光学部品１３は、入力された入力光Ｌ１を反射する複数の反射面１３ｂを有する。

【0030】

複数の反射面１３ｂは、第１の反射面１３ｃ、第２の反射面１３ｄ、第３の反射面１３ｆ及び第４の反射面１３ｇを含む。第１の反射面１３ｃ及び第２の反射面１３ｄは、第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。第２方向Ｄ２における第３の反射面１３ｆの位置は、第２方向Ｄ２における第１の反射面１３ｃの位置、及び第２方向Ｄ２における第２の反射面１３ｄの位置からずれている。第２方向Ｄ２における第４の反射面１３ｇの位置は、第２方向Ｄ２における第１の反射面１３ｃの位置、及び第２方向Ｄ２における第２の反射面１３ｄの位置からずれている。第３の反射面１３ｆ及び第４の反射面１３ｇは、第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。

【0031】

フィルタ１２から第１方向Ｄ１に沿って複合光学部品１３に入射した入力光Ｌ１は、第１の反射面１３ｃにおいて第２方向Ｄ２に反射する。第１の反射面１３ｃにおいて反射した入力光Ｌ１は、第２の反射面１３ｄにおいて第１方向Ｄ１に反射して入力アセンブリ３とは反対側に出射する。

【0032】

複合光学部品１３には、出力アセンブリ４とは反対側から第１方向Ｄ１に沿って後に詳述する出力光Ｌ３及び出力光Ｌ４が入力する。出力光Ｌ３は第３の反射面１３ｆにおいて第２方向Ｄ２に反射する。第３の反射面１３ｆにおいて反射した出力光Ｌ３は、第４の反射面１３ｇにおいて第１方向Ｄ１に反射する。出力光Ｌ４は、第４の反射面１３ｇを透過する。複合光学部品１３は、出力光Ｌ３及び出力光Ｌ４を出力光Ｌ２として光モジュール１の外部に出力する。

【0033】

光モジュール１は、底壁２ｄに搭載された温調デバイス２１と、温調デバイス２１に搭載された変調素子用ベース２２と、変調素子用ベース２２に搭載された変調素子用キャリア２３と、変調素子用キャリア２３に搭載された変調器（半導体変調器）３０とを備える。温調デバイス２１は、ＴＥＣ（Thermo Electric Cooler）である。更に、光モジュール１は、入力レンズ系２５と、第１の出力レンズ系２６と、第２の出力レンズ系２７とを備える。入力レンズ系２５、第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７は変調素子用ベース２２に搭載されている。

【0034】

変調器３０は、例えば、リン化インジウム（ＩｎＰ）基板上にマッハツェンダ干渉計が形成された多モード干渉器である。また、変調器３０は、Ｓｉ基板上に光導波路が形成された素子であってもよい。一例として、変調器３０は、リン化インジウム（ＩｎＰ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）及びベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含む。変調器３０については後に詳述する。入力レンズ系２５は、変調器３０と複合光学部品１３との間に搭載されている。第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７は、入力レンズ系２５の第２方向Ｄ２の両側のそれぞれに搭載されている。

【0035】

光モジュール１は、変調器３０から見て複合光学部品１３とは反対側に位置するヒートシンク４１と、ヒートシンク４１に搭載された駆動回路であるドライバＩＣ４２とを備える。ドライバＩＣ４２は電極パッド４２ｂを有する。電極パッド４２ｂは、ドライバＩＣ４２の変調器３０側の端部において第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。光モジュール１は、筐体２の枠体２ｈに設けられた配線パターン２ｊ（図３又は図４参照）を有する。

【0036】

配線パターン２ｊは、筐体２の第２方向Ｄ２の片側において第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。変調器３０は、ドライバＩＣ４２に対向する位置に電極パッド３０ｃを有し、電極パッド３０ｃは第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。光モジュール１は、電極パッド３０ｃ及び電極パッド４２ｂを互いに電気的に接続するボンディングワイヤＷ１を有する。変調器３０は、制御端子３０ｂを有する。制御端子３０ｂは、変調器３０の第２方向Ｄ２の片側において第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。配線パターン２ｊは、変調器３０の制御端子３０ｂとボンディングワイヤＷ２を介して電気的に接続されている。光モジュール１は、サーミスタ２４を有する。サーミスタ２４は、例えば、変調器３０及び複合光学部品１３の間に配置されている。サーミスタ２４は、ボンディングワイヤＷ３を介して枠体２ｈに設けられたパッド２ｋ（図４参照）に電気的に接続されている。

【0037】

図６は、変調器３０を示す平面図である。変調器３０は、例えば、複数の光導波路を有する多モード干渉器である。図４及び図６に示されるように、変調器３０は、例えば、変調器チップ３１と、入力ポート３２と、第１の出力ポート３３ｂと、第２の出力ポート３３ｃと、分岐部３４と、第１の合波部３５ｂと、第２の合波部３５ｃと、光導波路３６ａ～３６ｈと、第１のモニタポート３７ｂと、第２のモニタポート３７ｃとを有する。

【0038】

変調器チップ３１の平面形状は長方形状である。変調器チップ３１は、第１方向Ｄ１に延在する辺３１ｂ，３１ｃと、第２方向Ｄ２に延在する辺３１ｄ，３１ｆとを有する。入力ポート３２は、複合光学部品１３（第２の反射面１３ｄ）から出射した入力光Ｌ１が入力レンズ系２５を介して変調器３０の内部に入力する光ポートである。入力ポート３２は辺３１ｄに位置する。例えば、入力ポート３２は、辺３１ｄの中点に位置する。変調器３０の辺３１ｆ側にドライバＩＣ４２が配置されている。

【0039】

第１の出力ポート３３ｂは第１の偏波信号光である出力光Ｌ４を第１の出力レンズ系２６に出力する光ポートであり、第２の出力ポート３３ｃは第２の偏波信号光である出力光Ｌ３を第２の出力レンズ系２７に出力する光ポートである。第１の出力ポート３３ｂから出力した出力光Ｌ４は、第１の出力レンズ系２６を透過して複合光学部品１３に入射する。第２の出力ポート３３ｃから出力した出力光Ｌ３は、第２の出力レンズ系２７を透過して複合光学部品１３に入射する。第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃは、変調器チップ３１の辺３１ｄに設けられている。第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃは、入力ポート３２に対して互いに対称となる位置に配置されている。

【0040】

光モジュール１は、第１のモニタＰＤ（モニタ用受光素子）２８ｂ及び第２のモニタＰＤ（モニタ用受光素子）２８ｃを有する。第１のモニタＰＤ２８ｂは、第１のモニタポート３７ｂから出力されるモニタ用信号光を受光する。第１のモニタＰＤ２８ｂは、受光したモニタ用信号光の強度に対応した検知信号を出力する。この検知信号は、例えば、ワイヤ（不図示）を介して第１のモニタＰＤ２８ｂと電気的に接続された複数のリードピン６ｂのいずれかから光モジュール１の外部に出力される。第２のモニタＰＤ２８ｃは、第２のモニタポート３７ｃから出力されるモニタ用信号光を受光する。第２のモニタＰＤ２８ｃは、受光したモニタ用信号光の強度に対応した検知信号を出力する。この検知信号は、例えば、ワイヤ（不図示）を介して第２のモニタＰＤ２８ｃと電気的に接続された複数のリードピン６ｂのいずれかから光モジュール１の外部に出力される。

【0041】

光モジュール１は、第１のモニタＰＤ２８ｂ及び第１のモニタポート３７ｂの間に位置する第１の偏光子２９ｂと、第２のモニタＰＤ２８ｃ及び第２のモニタポート３７ｃの間に位置する第２の偏光子２９ｃとを有する。第１の偏光子２９ｂは、第１のモニタポート３７ｂからモニタ用信号光を受光する。第１の偏光子２９ｂは、モニタ用信号光の直線偏光（Ｐ偏光）のみを透過する。第１のモニタＰＤ２８ｂは、モニタ用信号光の直線偏光のみを受光する。第２の偏光子２９ｃは、第２のモニタポート３７ｃからモニタ用信号光を受光する。第２の偏光子２９ｃは、第１の偏光子２９ｂと同様、モニタ用信号光の直線偏光のみを透過し、第２の偏光子２９ｃは、モニタ用信号光の直線偏光のみを受光する。

【0042】

図６に示されるように、分岐部３４は、入力ポート３２から入力された入力光Ｌ１を光導波路３６ａ～３６ｈに分岐する。第１の合波部３５ｂは、光導波路３６ｅ～３６ｈを伝搬した信号光（信号光の一部）を合波して第１の出力ポート３３ｂに出力光Ｌ４として提供する。第２の合波部３５ｃは、光導波路３６ａ～３６ｄを伝搬した信号光（複数の信号光の残部）を合波して第２の出力ポート３３ｃに出力光Ｌ３として提供する。

【0043】

第１のモニタポート３７ｂは、モニタ用信号光を第１の偏光子２９ｂに出力する。第１のモニタポート３７ｂは、第１の合波部３５ｂから出力される光の強度を相対的にモニタする光ポートである。第２のモニタポート３７ｃは、モニタ用信号光を第２の偏光子２９ｃに出力する。第２のモニタポート３７ｃは、第２の合波部３５ｃから出力される光の強度を相対的にモニタする光ポートである。第１のモニタポート３７ｂ及び第２のモニタポート３７ｃは、辺３１ｄにおいて入力ポート３２に対して互いに対称となる位置に配置されている。入力ポート３２、第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃは、第１のモニタポート３７ｂと第２のモニタポート３７ｃとの間（第２方向Ｄ２における変調器チップ３１の中央側）に配置されている。

【0044】

変調器３０は、変調電極（電極）３８ａ～３８ｈと、親位相調整電極３８ｊ～３８ｍと、子位相調整電極（不図示）とを有する。変調電極３８ａ～３８ｈは、光導波路３６ａ～３６ｈのそれぞれに設けられる。変調電極３８ａ～３８ｈは、変調された電圧信号を光導波路３６ａ～３６ｈに与えて光導波路３６ａ～３６ｈを通る光の屈折率を変化させる。これにより、光導波路３６ａ～３６ｈを伝搬する光の位相が変調される。

【0045】

変調電極３８ａ～３８ｈのそれぞれの一端は、配線パターンを介して信号入力用のＲＦパッド３９ａ～３９ｈのそれぞれと電気的に接続されている。信号入力用のＲＦパッド３９ａ～３９ｈはドライバＩＣ４２に電気的に接続されている。変調電極３８ａ～３８ｈのそれぞれの他端は、配線パターンを介して信号終端用の信号パッド４０ａ～４０ｈのそれぞれと電気的に接続されている。親位相調整電極３８ｊ～３８ｍは、配線パターンを介してバイアスパッド３９ｊ～３９ｍのそれぞれと電気的に接続されている。子位相調整電極は、配線パターンを介して調整信号入力用のバイアスパッド４０ｊ～４０ｑのそれぞれと接続されている。

【0046】

次に、実施形態に係る光モジュール１の組立方法の具体例について図７～図１１を参照しながら説明する。まず、図７に示されるように、入力アセンブリ３が取り付けられる入力ポート２ｆ、及び出力アセンブリ４が取り付けられる出力ポート２ｐを有する筐体２を用意する。筐体２の底壁２ｄに温調デバイス２１、変調素子用ベース２２、変調素子用キャリア２３及び変調器３０を実装すると共に、ヒートシンク４１及びドライバＩＣ４２を実装する。そして、底壁２ｄに光学用ベース１１を実装し、光学用ベース１１に複合光学部品１３を実装する。このとき、例えば、反射光対策として、複合光学部品１３を第１方向Ｄ１（入力光Ｌ１の光軸）に対して所定角度（一例として２°）傾けてエポキシ樹脂によって光学用ベース１１に固定する。

【0047】

変調素子用ベース２２に第１の偏光子２９ｂ及び第２の偏光子２９ｃを実装する。例えば、反射光対策として第１方向Ｄ１に対して所定角度傾けて第１の偏光子２９ｂ及び第２の偏光子２９ｃを実装する。続いて、変調素子用ベース２２上において、第１のモニタポート３７ｂに対向する位置に第１のモニタＰＤ２８ｂを実装し、第２のモニタポート３７ｃに対向する位置に第２のモニタＰＤ２８ｃを実装する（モニタ用受光素子を配置する工程）。このとき、上記同様、反射光対策として第１方向Ｄ１に対して所定角度傾けて第１のモニタＰＤ２８ｂ及び第２のモニタＰＤ２８ｃを実装する。

【0048】

次に、試験光Ｌ１１を出力する模擬ファイバ５１を配置する（模擬ファイバを配置する工程）。模擬ファイバ５１は、例えば、ダミーコリメートファイバでありコリメータファイバ治具によって保持されている。このとき、筐体２の入力ポート２ｆに対向する位置に模擬ファイバ５１を配置する。そして、模擬ファイバ５１から試験光Ｌ１１を筐体２の内部に配置された変調器３０の入力ポート３２に出力する（試験光を出力する工程）。

【0049】

入力ポート３２に入力した試験光Ｌ１１は光導波路３６ａ～３６ｈ（図４参照）のそれぞれを伝搬する。このとき、光導波路３６ａ～３６ｈのいずれか１つに対応する変調電極３８ａ～３８ｈに電圧を印加して試験光Ｌ１１の強度を検出する。すなわち、光導波路３６ａ～３６ｈに試験光Ｌ１１を伝搬させつつ変調電極３８ａ～３８ｈに電圧を印加し、光導波路３６ａ～３６ｈにおける吸収電流をモニタする。そして、光導波路３６ａ～３６ｈの光吸収によって検出された光の強度（吸収電流の値）が最大となる位置に模擬ファイバ５１の位置を合わせる（模擬ファイバの位置を決定する工程）。

【0050】

次に、図８に示されるように、変調素子用ベース２２上における入力ポート３２に対向する位置に入力レンズ系２５を配置する（入力レンズ系を配置する工程）。そして、模擬ファイバ５１から試験光Ｌ１１を入力ポート３２に出力する（入力ポートに試験光を出力する工程）。その後、変調電極３８ａ～３８ｈに電圧を印加して試験光Ｌ１１の強度を検出する。

【0051】

このとき、分岐光である光導波路３６ａ～３６ｈを伝搬する光の光強度を検出し、入力レンズ系２５を調整して入力レンズ系２５を入力ポート３２に光学的に結合する（光学的に結合する工程）。すなわち、光導波路３６ａ～３６ｈの光吸収によって検出された光の強度（吸収電流の値）が最大となる位置に入力レンズ系２５を調芯して入力レンズ系２５の位置を決定する（位置を決定する工程）。このとき、変調電極３８ａ～３８ｈに付加した電圧を一定に維持した状態で光導波路３６ａ～３６ｈの光吸収によって検出された光の強度が最大となる位置を入力レンズ系２５の位置としてもよい。そして、位置が決定された入力レンズ系２５を筐体２に固定する（入力レンズ系を筐体に固定する工程）。具体的には、変調素子用ベース２２上に塗布した紫外線硬化樹脂を介して入力レンズ系２５を固定する。

【0052】

図９及び図１０に示されるように、第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃのそれぞれに対向する位置に第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７のそれぞれを配置する。そして、第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７のそれぞれを第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃのそれぞれに光学的に結合する（光学的に結合する工程）。

【0053】

具体的には、まず、変調器３０の各位相調整端子（親位相調整電極３８ｊ～３８ｍ及び子位相調整電極のそれぞれ）を最大光透過となるように調整する。次に、筐体２の出力ポート２ｐに対向する位置に模擬ファイバ５２を配置し、模擬ファイバ５１から試験光Ｌ１１を入力ポート３２に入力する。そして、入力ポート３２への試験光Ｌ１１の入力に伴って出力される試験光が結合するように模擬ファイバ５２の調芯を行う。

【0054】

続いて、第２の出力レンズ系２７を変調素子用ベース２２における第２の出力ポート３３ｃと対向する位置に配置し、第１の出力レンズ系２６を変調素子用ベース２２における第１の出力ポート３３ｂと対向する位置に配置する。そして、模擬ファイバ５１から試験光Ｌ１１を入力ポート３２に入力すると、第１の出力ポート３３ｂから試験光Ｌ１２が出力し、第２の出力ポート３３ｃから試験光Ｌ１３が出力する。このとき、変調器３０へのバイアス電圧を調整することによって、試験光Ｌ１２及び試験光Ｌ１３の出力状態が調整される。

【0055】

試験光Ｌ１２のファイバ結合パワーの最大値と、試験光Ｌ１３のファイバ結合パワーの最大値とを比較する。まず、変調器３０へのバイアス電圧を調整して、試験光Ｌ１２及び試験光Ｌ１３のいずれかが出力される状態にする。試験光Ｌ１２のみが出力される状態にバイパス電圧を調整して、試験光Ｌ１２は第１の出力レンズ系２６を通過したのち、模擬ファイバ５２に入力する。この試験光Ｌ１２のファイバ結合パワーが最大となるように第１の出力レンズ系２６の位置を決定する。その一方で、試験光Ｌ１３のみが出力される状態にバイパス電圧を調整して、試験光Ｌ１３は、第２の出力レンズ系２７を通過したのち、模擬ファイバ５２に入力する。そして、この試験光Ｌ１３のファイバ結合パワーが最大となるように第２の出力レンズ系２７の位置を決定する。

【0056】

光学的に結合する工程では、試験光Ｌ１２及び試験光Ｌ１３の出力強度が最大となるように変調器３０の光導波路３６ａ～３６ｈの位相状態が調整されている。第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７のうち、模擬ファイバ５２におけるファイバ結合パワーが小さく与えられた方を先に固定する。すなわち、試験光Ｌ１２のファイバ結合パワーの最大値、及び試験光Ｌ１３のファイバ結合パワーの最大値のうち、小さい方に対応する第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７の一方を先に変調素子用ベース２２に固定する。その後、第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７のうち、模擬ファイバ５２におけるファイバ結合パワーが大きく与えられた他方を一方のファイバ結合パワーに一致させるように光軸方向（第１方向Ｄ１）にシフトして変調素子用ベース２２に固定する。変調素子用ベース２２への第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７の固定は、ＵＶ樹脂（紫外線硬化樹脂）等の接着剤によって行われる。

【0057】

その後、図１０及び図１１に示されるように、模擬ファイバ５１及び模擬ファイバ５２を入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４に置き換える。このとき、ＹＡＧ調芯溶接機を用いて入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４のそれぞれの調芯及び固定を行う。具体的には、入力アセンブリ３から入力光Ｌ１を導入し、先に調芯を行った第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７の一方を通過する出力光Ｌ２を出力させる。

【0058】

次に、筐体２と、レンズ３ｂ，４ｂと、光ファイバ３ｆ，４ｆとの３体調芯を行う。具体的には、入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４を筐体２の第２側壁２ｃでスライドしながら、出力光Ｌ２の光強度が最大となる入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４の位置を決定する。このとき、決定される入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４の位置は、模擬ファイバ５１及び模擬ファイバ５２の位置と等しくなる。

【0059】

そして、入力アセンブリ３及び出力アセンブリ４をＹＡＧ溶接によって筐体２の第２側壁２ｃに固定する。このとき、入力アセンブリ３については、その光軸周りの回転角を所定の角度に設定して固定する。後に調芯を行った第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７の他方に対応する出力光Ｌ２を出力アセンブリ４に入力すると、第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７を調芯したときに検出された光強度と同等の光強度が得られる。このとき、第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃのそれぞれから出力される出力光の光強度は互いに一致している。

【0060】

次に、本実施形態に係る光モジュール１の組立方法から得られる作用効果について説明する。光モジュール１の組立方法では、変調器３０の入力ポート３２に対向する位置に入力レンズ系２５が配置される。変調器３０では、分岐光である光導波路３６ａ～３６ｈを伝搬する光の光強度が検知され、検知された光強度に伴って入力レンズ系２５が入力ポート３２に光学的に結合される。変調器３０の第１の出力ポート３３ｂに第１の出力レンズ系２６が配置され、変調器３０の第２の出力ポート３３ｃに第２の出力レンズ系２７が配置される。そして、第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃのそれぞれに第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７のそれぞれが光学的に結合される。従って、入力レンズ系２５が入力ポート３２に光学的に結合され、第１の出力レンズ系２６及び第２の出力レンズ系２７のそれぞれが第１の出力ポート３３ｂ及び第２の出力ポート３３ｃのそれぞれに光学的に結合されるので、調芯の精度を高めることができる。

【0061】

本実施形態において、変調器３０は分岐光を導波する光導波路３６ａ～３６ｈを有するマッハツェンダ型光変調器であってもよく、変調器３０のそれぞれの分岐された光導波路３６ａ～３６ｈには変調電極３８ａ～３８ｈが設けられていてもよい。入力レンズ系２５を配置する工程は、入力レンズ系２５を介して入力ポート３２に試験光Ｌ１１を出力する工程と、変調器３０の光導波路３６ａ～３６ｈのいずれかの変調電極３８ａ～３８ｈに電圧を印加して試験光Ｌ１１の強度を検出し、光導波路３６ａ～３６ｈの光吸収によって検出された光の強度が最大となる入力レンズ系２５の位置を決定する工程と、を含んでもよい。

【0062】

ところで、入力ポート３２への入力レンズ系２５の調芯時のモニタとして、第１のモニタポート３７ｂの光路上、及び第２のモニタポート３７ｃの光路上のそれぞれに配置された第１のモニタＰＤ２８ｂ及び第２のモニタＰＤ２８ｃの光電流が用いられることがある。しかしながら、この場合、光導波路３６ａ～３６ｈを伝搬した光以外の迷光が第１のモニタＰＤ２８ｂ又は第２のモニタＰＤ２８ｃに結合することがあるので、精度が高い調芯を行えない可能性がある。これに対し、前述した実施形態では、調芯時のモニタとして、光導波路３６ａ～３６ｈの変調電極３８ａ～３８ｈに電圧を印加したときにおける光電流が用いられるので、調芯の精度と速度を高めることができる。更に、複数のマッハツェンダの吸収電流をモニタする場合、マッハツェンダの数に応じて光電流が加算され、大きな参照電流を得ることができるので、調芯の精度と速度を一層高めることができる。

【0063】

前述したように、入力レンズ系２５の位置を決定する工程では、変調器３０の電極に印加した電圧を一定に維持した状態で光導波路３６ａ～３６ｈの光吸収によって検出された光の強度が最大となる位置を入力レンズ系２５の位置としてもよい。

【0064】

実施形態に係る組立方法は、入力レンズ系２５を配置する前に、入力レンズ系２５を介在させずに変調器３０の入力ポート３２に試験光Ｌ１１を出力する模擬ファイバ５１を配置する工程を更に備えてもよい。

【0065】

実施形態に係る組立方法は、模擬ファイバ５１を配置する工程の後に、入力ポート３２に試験光Ｌ１１を出力する工程と、変調器３０の光導波路３６ａ～３６ｈに設けられた変調電極３８ａ～３８ｈに電圧を印加して試験光Ｌ１１の強度を検出し、光導波路３６ａ～３６ｈの光吸収によって検出された光の強度が最大となる模擬ファイバ５１の位置を決定する工程と、を含んでもよい。

【0066】

実施形態に係る組立方法は、入力レンズ系２５を配置する工程の前に、変調器３０のモニタポート３７ｂ，３７ｃに対向するモニタＰＤ２８ｂ，２８ｃを配置する工程を更に備えてもよい。入力レンズ系２５を配置する工程は、入力レンズ系２５を介して入力ポート３２に試験光Ｌ１１を出力する工程を有し、モニタＰＤ２８ｂ，２８ｃに対向するモニタポート３７ｂ，３７ｃの１つを介してモニタＰＤ２８ｂ，２８ｃの１つによって試験光Ｌ１２，Ｌ１３の強度を検出し、モニタＰＤ２８ｂ，２８ｃによって検出された光の強度が最大となる入力レンズ系２５の位置を決定してもよい。

【0067】

実施形態に係る組立方法は、入力レンズ系２５を配置する工程の後に、紫外線硬化樹脂を用いて入力レンズ系２５を筐体２に固定する工程を有してもよい。

【0068】

以上、本開示に係る光モジュールの組立方法の実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、前述した実施形態に限定されない。すなわち、本発明が特許請求の範囲に記載された要旨を変更しない範囲において種々の変形及び変更が可能であることは、当業者によって容易に認識される。例えば、光モジュールの組立方法の工程の内容及び順序は、前述した内容に限られず適宜変更可能である。更に、光モジュールの各部品の形状、大きさ、数、材料及び配置態様は、前述した内容に限られず適宜変更可能である。

【符号の説明】

【0069】

１…光モジュール
２…筐体
２ｂ…第１側壁
２ｃ…第２側壁
２ｄ…底壁
２ｆ…入力ポート
２ｇ…開口部
２ｈ…枠体
２ｊ…配線パターン
２ｋ…パッド
２ｐ…出力ポート
３…入力アセンブリ
３ｂ…レンズ
３ｃ…レンズホルダ
３ｄ…スリーブ
３ｆ…光ファイバ
４…出力アセンブリ
４ｂ…レンズ
４ｃ…レンズホルダ
４ｄ…スリーブ
４ｆ…光ファイバ
５…リッド
６…フィードスルー
６ｂ…リードピン
１１…光学用ベース
１２…フィルタ
１３…複合光学部品
１３ｂ…反射面
１３ｃ…第１の反射面
１３ｄ…第２の反射面
１３ｆ…第３の反射面
１３ｇ…第４の反射面
２１…温調デバイス
２２…変調素子用ベース
２３…変調素子用キャリア
２４…サーミスタ
２５…入力レンズ系
２６…第１の出力レンズ系
２７…第２の出力レンズ系
２８ｂ…第１のモニタＰＤ（モニタ用受光素子）
２８ｃ…第２のモニタＰＤ（モニタ用受光素子）
２９ｂ…第１の偏光子（偏光子）
２９ｃ…第２の偏光子（偏光子）
３０…変調器（半導体変調器）
３０ｂ…制御端子
３０ｃ…電極パッド
３１…変調器チップ
３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｆ…辺
３２…入力ポート
３３ｂ…第１の出力ポート
３３ｃ…第２の出力ポート
３４…分岐部
３５ｂ…第１の合波部
３５ｃ…第２の合波部
３６ａ～３６ｈ…光導波路
３７ｂ…第１のモニタポート
３７ｃ…第２のモニタポート
３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ，３８ｅ，３８ｆ，３８ｇ，３８ｈ…変調電極（電極）
３８ｊ，３８ｋ，３８ｌ，３８ｍ…親位相調整電極
３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，３９ｅ，３９ｆ，３９ｇ，３９ｈ…ＲＦパッド
３９ｊ，３９ｋ，３９ｌ，３９ｍ…バイアスパッド
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆ，４０ｇ，４０ｈ…信号パッド
４０ｊ，４０ｋ，４０ｌ，４０ｍ，４０ｎ，４０ｏ，４０ｐ，４０ｑ…バイアスパッド
４１…ヒートシンク
４２…ドライバＩＣ
４２ｂ…電極パッド
５１，５２…模擬ファイバ
Ｄ１…第１方向
Ｄ２…第２方向
Ｄ３…第３方向
Ｌ１…入力光
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４…出力光
Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３…試験光
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…ボンディングワイヤ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】