ホーム > 特許ランキング > 株式会社ジャパンディスプレイ
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024003563
(43)【公開日】2024-01-15
(54)【発明の名称】表示装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/22 20060101AFI20240105BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240105BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240105BHJP
H05B 33/04 20060101ALI20240105BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20240105BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240105BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20240105BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240105BHJP
【ＦＩ】
H05B33/22 Z
H01L27/32
H05B33/12 B
H05B33/04
H05B33/22 C
H05B33/10
G09F9/30 365
G09F9/30 338
G09F9/30 309
G09F9/302 C
G09F9/00 338
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022102782
(22)【出願日】2022-06-27
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高山 健
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC21
3K107CC45
3K107DD72
3K107DD89
3K107EE46
3K107FF15
3K107GG12
3K107GG28
5C094AA31
5C094BA27
5C094CA20
5C094DA07
5C094DA13
5C094EA04
5C094FA02
5G435AA14
5G435BB05
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】 信頼性を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１下電極と、前記第１下電極と重なる第１画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された隔壁と、前記第１下電極に対向する第１上電極と、前記第１下電極と前記第１上電極の間に位置し、前記第１画素開口を通じて前記第１下電極に接触するとともに、前記第１下電極と前記第１上電極の電位差に応じて発光する第１有機層と、を備えている。前記隔壁は、第１側面を有する下部と、前記第１側面から突出した上部とを有している。前記第１有機層は、前記第１側面に接触している。
【選択図】 図５
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１下電極と、前記第１下電極と重なる第１画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された隔壁と、前記第１下電極に対向する第１上電極と、前記第１下電極と前記第１上電極の間に位置し、前記第１画素開口を通じて前記第１下電極に接触するとともに、前記第１下電極と前記第１上電極の電位差に応じて発光する第１有機層と、を備えている。前記隔壁は、第１側面を有する下部と、前記第１側面から突出した上部とを有している。前記第１有機層は、前記第１側面に接触している。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１下電極と、
前記第１下電極と重なる第１画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された隔壁と、
前記第１下電極に対向する第１上電極と、
前記第１下電極と前記第１上電極の間に位置し、前記第１画素開口を通じて前記第１下電極に接触するとともに、前記第１下電極と前記第１上電極の電位差に応じて発光する第１有機層と、
を備え、
前記隔壁は、第１側面を有する下部と、前記第１側面から突出した上部とを有し、
前記第１有機層は、前記第１側面に接触している、
表示装置。
前記第１下電極と重なる第１画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された隔壁と、
前記第１下電極に対向する第１上電極と、
前記第１下電極と前記第１上電極の間に位置し、前記第１画素開口を通じて前記第１下電極に接触するとともに、前記第１下電極と前記第１上電極の電位差に応じて発光する第１有機層と、
を備え、
前記隔壁は、第１側面を有する下部と、前記第１側面から突出した上部とを有し、
前記第１有機層は、前記第１側面に接触している、
表示装置。
【請求項2】
前記下部は、導電性を有し、
前記第１上電極は、前記第１側面に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１上電極は、前記第１側面に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１下電極、前記第１上電極および前記第１有機層を含む第１表示素子と、前記隔壁とを連続的に覆う第１封止層をさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１有機層は、正孔注入層を含む第１層と、前記第１層を覆う第２層とを有し、
前記第１層は、前記第１側面に接触せず、
前記第２層は、前記第１側面に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１層は、前記第１側面に接触せず、
前記第２層は、前記第１側面に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記リブが有する第２画素開口と重なる第２下電極と、
前記第２下電極に対向する第２上電極と、
前記第２下電極と前記第２上電極の間に位置し、前記第２画素開口を通じて前記第２下電極に接触するとともに、前記第２下電極と前記第２上電極の電位差に応じて発光する第２有機層と、
をさらに備え、
前記下部は、第２側面を有し、
前記第２有機層は、前記第２側面に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
前記第２下電極に対向する第２上電極と、
前記第２下電極と前記第２上電極の間に位置し、前記第２画素開口を通じて前記第２下電極に接触するとともに、前記第２下電極と前記第２上電極の電位差に応じて発光する第２有機層と、
をさらに備え、
前記下部は、第２側面を有し、
前記第２有機層は、前記第２側面に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１有機層と前記第１側面が接触する領域の高さと、前記第２有機層と前記第２側面が接触する領域の高さが異なる、
請求項５に記載の表示装置。
請求項５に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第１有機層と前記第１側面が接触する領域の高さは、前記第２有機層と前記第２側面が接触する領域の高さよりも大きい、
請求項６に記載の表示装置。
請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１上電極と前記第１側面が接触する領域の前記隔壁の高さ方向における幅は、前記第２上電極と前記第２側面が接触する領域の前記高さ方向における幅よりも小さい、
請求項５に記載の表示装置。
請求項５に記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１画素開口の面積は、前記第２画素開口の面積よりも大きい、
請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第１有機層の厚さは、前記第２有機層の厚さよりも小さい、
請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項11】
第１下電極および第２下電極を形成し、
前記第１下電極と重なる第１画素開口および前記第２下電極と重なる第２画素開口を有するリブを形成し、
第１側面および第２側面を有する下部と、前記第１側面および前記第２側面から突出した上部とを有する隔壁を前記リブの上に形成し、
前記第１画素開口および前記第２画素開口を通じてそれぞれ前記第１下電極および前記第２下電極に接触するとともに、前記第１側面および前記第２側面に接触する第１有機層を形成し、
前記第１有機層を覆う第１上電極を形成する、
ことを含む表示装置の製造方法。
前記第１下電極と重なる第１画素開口および前記第２下電極と重なる第２画素開口を有するリブを形成し、
第１側面および第２側面を有する下部と、前記第１側面および前記第２側面から突出した上部とを有する隔壁を前記リブの上に形成し、
前記第１画素開口および前記第２画素開口を通じてそれぞれ前記第１下電極および前記第２下電極に接触するとともに、前記第１側面および前記第２側面に接触する第１有機層を形成し、
前記第１有機層を覆う第１上電極を形成する、
ことを含む表示装置の製造方法。
【請求項12】
前記下部は、導電性を有し、
前記第１上電極は、前記第１側面および前記第２側面に接触している、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
前記第１上電極は、前記第１側面および前記第２側面に接触している、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項13】
前記第１下電極、前記第１上電極および前記第１有機層を含む第１表示素子と、前記隔壁とを連続的に覆う第１封止層を形成する、
ことをさらに含む請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
ことをさらに含む請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記第１上電極および前記第１有機層のうち、前記第２下電極の上方に位置するとともに前記第２側面と接触した部分をエッチングにより除去し、
前記第２画素開口を通じて前記第２下電極に接触する第２有機層を形成し、
前記第２有機層を覆う第２上電極を形成する、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
前記第２画素開口を通じて前記第２下電極に接触する第２有機層を形成し、
前記第２有機層を覆う第２上電極を形成する、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記第２上電極は、前記第２側面のうち、前記第１上電極のエッチング時に前記第１有機層で覆われていた領域に接触している、
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記第２有機層は、前記第２側面に接触している、
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記第１有機層と前記第１側面が接触する領域の高さと、前記第２有機層と前記第２側面が接触する領域の高さが異なる、
請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記第１有機層と前記第１側面が接触する領域の高さは、前記第２有機層と前記第２側面が接触する領域の高さよりも大きい、
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
前記第１画素開口の面積は、前記第２画素開口の面積よりも大きい、
請求項１１乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
請求項１１乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記第１有機層の厚さは、前記第２有機層の厚さよりも小さい、
請求項１４乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
請求項１４乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
上記のような表示装置を製造するにあたり、信頼性を向上させる技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、信頼性を向上させることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る表示装置は、第１下電極と、前記第１下電極と重なる第１画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された隔壁と、前記第１下電極に対向する第１上電極と、前記第１下電極と前記第１上電極の間に位置し、前記第１画素開口を通じて前記第１下電極に接触するとともに、前記第１下電極と前記第１上電極の電位差に応じて発光する第１有機層と、を備えている。前記隔壁は、第１側面を有する下部と、前記第１側面から突出した上部とを有している。前記第１有機層は、前記第１側面に接触している。
【0007】
一実施形態に係る表示装置の製造方法は、第１下電極および第２下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１画素開口および前記第２下電極と重なる第２画素開口を有するリブを形成し、第１側面および第２側面を有する下部と、前記第１側面および前記第２側面から突出した上部とを有する隔壁を前記リブの上に形成し、前記第１画素開口および前記第２画素開口を通じてそれぞれ前記第１下電極および前記第２下電極に接触するとともに、前記第１側面および前記第２側面に接触する第１有機層を形成し、前記第１有機層を覆う第１上電極を形成する、ことを含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0011】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0012】
図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0013】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0014】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の第１副画素ＳＰ１、緑色の第２副画素ＳＰ２および赤色の第３副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0015】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0016】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。
【0017】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0018】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、第１副画素ＳＰ１と第３副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２も第１方向Ｘに並んでいる。さらに、第２副画素ＳＰ２と第３副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。
【0019】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の第１副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0020】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0021】
表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、第１副画素ＳＰ１において第１画素開口ＡＰ１を有し、第２副画素ＳＰ２において第２画素開口ＡＰ２を有し、第３副画素ＳＰ３において第３画素開口ＡＰ３を有している。
【0022】
図２の例においては、第１画素開口ＡＰ１の面積が第２画素開口ＡＰ２の面積よりも大きい。第１画素開口ＡＰ１の面積は、第３画素開口ＡＰ３の面積よりも大きい。さらに、第３画素開口ＡＰ３の面積は、第２画素開口ＡＰ２の面積よりも小さい。
【0023】
隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの第１画素開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0024】
図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0025】
第１副画素ＳＰ１は、第１画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる第１下電極ＬＥ１、第１上電極ＵＥ１および第１有機層ＯＲ１を備えている。第２副画素ＳＰ２は、第２画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる第２下電極ＬＥ２、第２上電極ＵＥ２および第２有機層ＯＲ２を備えている。第３副画素ＳＰ３は、第３画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる第３下電極ＬＥ３、第３上電極ＵＥ３および第３有機層ＯＲ３を備えている。
【0026】
第１下電極ＬＥ１、第１上電極ＵＥ１および第１有機層ＯＲ１は、第１副画素ＳＰ１の第１表示素子ＤＥ１を構成する。第２下電極ＬＥ２、第２上電極ＵＥ２および第２有機層ＯＲ２は、第２副画素ＳＰ２の第２表示素子ＤＥ２を構成する。第３下電極ＬＥ３、第３上電極ＵＥ３および第３有機層ＯＲ３は、第３副画素ＳＰ３の第３表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層（光学調整層）を含んでもよい。
【0027】
第１下電極ＬＥ１は、第１コンタクトホールＣＨ１を通じて第１副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。第２下電極ＬＥ２は、第２コンタクトホールＣＨ２を通じて第２副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。第３下電極ＬＥ３は、第３コンタクトホールＣＨ３を通じて第３副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0028】
図２の例において、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。また、第１コンタクトホールＣＨ１は、第２方向Ｙに隣り合う２つの第１画素開口ＡＰ１の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。
【0029】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。
【0030】
回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３はいずれも有機絶縁層１２に設けられている。
【0031】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0032】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。
【0033】
第１有機層ＯＲ１は、第１画素開口ＡＰ１を通じて第１下電極ＬＥ１を覆っている。第１上電極ＵＥ１は、第１有機層ＯＲ１を覆い、第１下電極ＬＥ１と対向している。第２有機層ＯＲ２は、第２画素開口ＡＰ２を通じて第２下電極ＬＥ２を覆っている。第２上電極ＵＥ２は、第２有機層ＯＲ２を覆い、第２下電極ＬＥ２と対向している。第３有機層ＯＲ３は、第３画素開口ＡＰ３を通じて第３下電極ＬＥ３を覆っている。第３上電極ＵＥ３は、第３有機層ＯＲ３を覆い、第３下電極ＬＥ３と対向している。
【0034】
図３の例においては、第１上電極ＵＥ１の上に第１キャップ層ＣＰ１が配置され、第２上電極ＵＥ２の上に第２キャップ層ＣＰ２が配置され、第３上電極ＵＥ３の上に第３キャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。
【0035】
第１副画素ＳＰ１には第１封止層ＳＥ１が配置され、第２副画素ＳＰ２には第２封止層ＳＥ２が配置され、第３副画素ＳＰ３には第３封止層ＳＥ３が配置されている。第１封止層ＳＥ１は、第１キャップ層ＣＰ１や第１副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第２封止層ＳＥ２は、第２キャップ層ＣＰ２や第２副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第３封止層ＳＥ３は、第３キャップ層ＣＰ３や第３副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0036】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部（周縁部）は、上部６２の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２間の隔壁６の上部６２の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ１，ＳＰ３間の隔壁６の上部６２の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0037】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0038】
有機絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層および酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
【0039】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0040】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0041】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。
【0042】
隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。
【0043】
隔壁６の上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成された第１薄膜と、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された第２薄膜との積層構造を有している。上部６２は、チタンなどの金属材料の単層構造を有してもよい。
【0044】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0045】
図４は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３に適用し得る層構造の一例を示す図である。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬを第３方向Ｚに順に積層した構造を有している。
【0046】
第１下電極ＬＥ１と第１上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１の発光層ＥＭＬが青色の波長域の光を放つ。第２下電極ＬＥ２と第２上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、第２有機層ＯＲ２の発光層ＥＭＬが緑色の波長域の光を放つ。第３下電極ＬＥ３と第３上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、第３有機層ＯＲ３の発光層ＥＭＬが赤色の波長域の光を放つ。
【0047】
図５は、図２中のＶ－Ｖ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２の間の隔壁６（第２隔壁６ｙ）とその近傍の様子を示している。下部６１は、第１側面ＳＦ１および第２側面ＳＦ２を有している。第１側面ＳＦ１は、図２に示した平面形状の隔壁６の側面うち、第１副画素ＳＰ１を囲う部分に相当する。第２側面ＳＦ２は、図２に示した平面形状の隔壁６の側面うち、第２副画素ＳＰ２を囲う部分に相当する。上部６２は、これら側面ＳＦ１，ＳＦ２よりも隔壁６の幅方向（第１方向Ｘと平行な方向）に突出している。
【0048】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２は、第１層Ｌ１と、第１層Ｌ１を覆う第２層Ｌ２とを有している。図４に示した各層のうち、少なくとも正孔注入層ＨＩＬが第１層Ｌ１に含まれ、第１層Ｌ１に含まれないものが第２層Ｌ２に含まれる。一例では、第１層Ｌ１は正孔注入層ＨＩＬによって構成され、第２層Ｌ２は電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬによって構成される。
【0049】
第１有機層ＯＲ１は、厚さＴ１を有している。第２有機層ＯＲ２は、厚さＴ２を有している。図５の例においては、厚さＴ１が厚さＴ２よりも小さい（Ｔ１＜Ｔ２）。この例に限られず、厚さＴ１と厚さＴ２が同等であってもよい。
【0050】
本実施形態においては、第１有機層ＯＲ１が第１側面ＳＦ１に接触し、第２有機層ＯＲ２が第２側面ＳＦ２に接触している。より具体的には、第１有機層ＯＲ１の第２層Ｌ２が第１側面ＳＦ１の領域Ａ１ａに接触し、第２有機層ＯＲ２の第２層Ｌ２が第２側面ＳＦ２の領域Ａ２ａに接触している。一方で、第１有機層ＯＲ１の第１層Ｌ１は、第１側面ＳＦ１に接触していない。同様に、第２有機層ＯＲ２の第１層Ｌ１は、第２側面ＳＦ２に接触していない。
【0051】
第１上電極ＵＥ１は、第１側面ＳＦ１の領域Ａ１ｂに接触している。第２上電極ＵＥ２は、第２側面ＳＦ２の領域Ａ２ｂに接触している。領域Ａ１ｂ，Ａ２ｂは、それぞれ領域Ａ１ａ，Ａ２ａの上方に位置している。
【0052】
第１側面ＳＦ１は、全体的に均一な粗さを有している。一方で、第２側面ＳＦ２は、第１側面ＳＦ１と同程度の粗さの領域Ａ２ｃと、領域Ａ２ｃよりも粗い領域Ａ２ｄとを有している。領域Ａ２ｄは、領域Ａ２ｃの上方に位置している。領域Ａ２ａは、全体的に領域Ａ２ｃと重なっている。領域Ａ２ｂは、領域Ａ２ｃ，Ａ２ｄの双方と重なっている。
【0053】
図５の例においては、領域Ａ１ａの第３方向Ｚにおける高さと、領域Ａ２ａの第３方向Ｚにおける高さが異なっている。具体的には、領域Ａ１ａの高さが領域Ａ２ａの高さよりも大きい（Ａ１ａ＞Ａ２ａ）。
【0054】
また、図５の例においては、領域Ａ１ｂの第３方向Ｚ（隔壁６の高さ方向）における幅と、領域Ａ２ｂの第３方向Ｚにおける幅が異なっている。具体的には、領域Ａ１ｂの幅が領域Ａ２ｂの幅よりも小さい（Ａ１ｂ＜Ａ２ｂ）。領域Ａ２ｃの高さは、領域Ａ１ａの高さと同等である（Ａ２ｃ＝Ａ１ａ）。
【0055】
図６は、図２中のＶＩ－ＶＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、第１副画素ＳＰ１と第３副画素ＳＰ３の間の隔壁６（第２隔壁６ｙ）とその近傍の様子を示している。下部６１は、第１側面ＳＦ１および第３側面ＳＦ３を有している。第１側面ＳＦ１は、上述の通り図２に示した平面形状の隔壁６の側面うち第１副画素ＳＰ１を囲う部分に相当する。第３側面ＳＦ３は、図２に示した平面形状の隔壁６の側面うち、第３副画素ＳＰ３を囲う部分に相当する。上部６２は、これら側面ＳＦ１，ＳＦ３よりも隔壁６の幅方向（第１方向Ｘと平行な方向）に突出している。
【0056】
第３有機層ＯＲ３は、第１有機層ＯＲ１と同じく第１層Ｌ１および第２層Ｌ２を有している。第３有機層ＯＲ３は、厚さＴ３を有している。図６の例においては、厚さＴ３が第１有機層ＯＲ１の厚さＴ１よりも大きい（Ｔ１＜Ｔ３）。厚さＴ３は、図５に示した第２有機層ＯＲ２の厚さＴ２よりも大きい（Ｔ２＜Ｔ３）。この例に限られず、厚さＴ３は、厚さＴ１と同等であってもよいし、厚さＴ２と同等であってもよい。
【0057】
図６の例においては、第３有機層ＯＲ３が第３側面ＳＦ３に接触している。より具体的には、第３有機層ＯＲ３の第２層Ｌ２が第３側面ＳＦ３の領域Ａ３ａに接触し、第３有機層ＯＲ３の第１層Ｌ１が第３側面ＳＦ３に接触していない。
【0058】
第３上電極ＵＥ３は、第３側面ＳＦ３の領域Ａ３ｂに接触している。領域Ａ３ｂは、領域Ａ３ａの上方に位置している。
【0059】
図６の断面においても、第１側面ＳＦ１は、全体的に均一な粗さを有している。一方で、第３側面ＳＦ３は、第１側面ＳＦ１と同程度の粗さの領域Ａ３ｃと、領域Ａ３ｃよりも粗い領域Ａ３ｄとを有している。領域Ａ３ｄは、領域Ａ３ｃの上方に位置している。領域Ａ３ａは、全体的に領域Ａ３ｃと重なっている。領域Ａ３ｂは、領域Ａ３ｃ，Ａ３ｄの双方と重なっている。
【0060】
図６の例においては、領域Ａ１ａの第３方向Ｚにおける高さと、領域Ａ３ａの第３方向Ｚにおける高さが異なっている。具体的には、領域Ａ１ａの高さが領域Ａ３ａの高さよりも大きい（Ａ１ａ＞Ａ３ａ）。領域Ａ３ａの高さは、図５に示した領域Ａ２ａの高さよりも小さい（Ａ３ａ＜Ａ２ａ）。
【0061】
また、図６の例においては、領域Ａ１ｂの第３方向Ｚ（隔壁６の高さ方向）における幅と、領域Ａ３ｂの第３方向Ｚにおける幅が異なっている。具体的には、領域Ａ１ｂの幅が領域Ａ３ｂの幅よりも小さい（Ａ１ｂ＜Ａ３ｂ）。領域Ａ３ｂの幅は、図５に示した領域Ａ２ｂの幅よりも大きい（Ａ３ｂ＞Ａ２ｂ）。領域Ａ３ｃの高さは、図５に示した領域Ａ２ａの高さと同等である（Ａ３ｃ＝Ａ２ａ）。
【0062】
図７は、本実施形態の一変形例であり、図６と同じく図２中のＶＩ－ＶＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面を示している。この変形例においては、第３有機層ＯＲ３が第３側面ＳＦ３に接触していない。これにより、図５に示した領域Ａ３ａが存在せず、領域Ａ３ｂが拡大している。第３有機層ＯＲ３は、全体的に第３上電極ＵＥ３によって覆われている。
【0063】
図５乃至図７においては、第１方向Ｘに沿う隔壁６の断面（第２隔壁６ｙの断面）に着目し、領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ，Ａ２ａ，Ａ２ｂ，Ａ２ｃ，Ａ２ｄ，Ａ３ａ，Ａ３ｂ，Ａ３ｃ，Ａ３ｄの関係を説明した。第２方向Ｙに沿う隔壁６の断面（第１隔壁６ｘの断面）についても、これら領域に同様の関係が成立し得る。
【0064】
続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図９乃至図１７は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図９乃至図１７においては、基板１０および回路層１１を省略している。なお、図９乃至図１７は、図３と同じく図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面に相当する。
図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図９乃至図１７は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図９乃至図１７においては、基板１０および回路層１１を省略している。なお、図９乃至図１７は、図３と同じく図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面に相当する。
【0065】
表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程Ｐ１）。さらに、図９に示すようにリブ５が形成され（工程Ｐ２）、リブ５の上に隔壁６が形成される（工程Ｐ３）。リブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、工程Ｐ３の前に形成されてもよいし、工程Ｐ３の後に形成されてもよい。
【0066】
工程Ｐ３の後、図１０に示すように、第１画素開口ＡＰ１を通じて第１下電極ＬＥ１に接触する第１有機層ＯＲ１、第１有機層ＯＲ１を覆う第１上電極ＵＥ１、第１上電極ＵＥ１を覆う第１キャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成される（工程Ｐ４）。さらに、第１封止層ＳＥ１がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される（工程Ｐ５）。第１封止層ＳＥ１は、第１有機層ＯＲ１、第１上電極ＵＥ１および第１キャップ層ＣＰ１を含む第１表示素子ＤＥ１や隔壁６を連続的に覆っている。
【0067】
第１有機層ＯＲ１、第１上電極ＵＥ１、第１キャップ層ＣＰ１および第１封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、第１副画素ＳＰ１だけでなく第２副画素ＳＰ２および第３副画素ＳＰ３にも配置されている。第１有機層ＯＲ１、第１上電極ＵＥ１および第１キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0068】
図１０（ａ）（ｂ）に拡大して示すように、第１有機層ＯＲ１および第１上電極ＵＥ１は、隔壁６の下部６１の第１側面ＳＦ１に接触する。これにより、図５に示した領域Ａ１ａ，Ａ１ｂが形成される。第１有機層ＯＲ１および第１上電極ＵＥ１は、下部６１の第２側面ＳＦ２および第３側面ＳＦ３にも同様に接触する。
【0069】
工程Ｐ５の後、図１１に示すように、第１封止層ＳＥ１の上にレジストＲが配置される（工程Ｐ６）。レジストＲは、第１副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。
【0070】
その後、レジストＲをマスクとしたドライエッチングにより、図１２に示すように第１封止層ＳＥ１のうちレジストＲから露出した部分が除去される（工程Ｐ７）。例えば、当該ドライエッチングには、フッ素を含むエッチングガスが用いられる。第１キャップ層ＣＰ１や第１上電極ＵＥ１は、このドライエッチングのエッチングストッパとして機能する。
【0071】
工程Ｐ７の後、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図１３に示すように第１キャップ層ＣＰ１のうちレジストＲから露出した部分が除去される（工程Ｐ８）。例えば第１キャップ層ＣＰ１が積層構造である場合、当該エッチングは、各層に対するウェットエッチングまたはアッシングを含む。
【0072】
工程Ｐ８の後、レジストＲをマスクとしたウェットエッチングにより、図１４に示すように第１上電極ＵＥ１のうちレジストＲから露出した部分が除去される（工程Ｐ９）。第１有機層ＯＲ１は、このウェットエッチングのエッチングストッパとして機能する。
【0073】
図１４（ａ）に拡大して示すように、第２副画素ＳＰ２においては、第２側面ＳＦ２に接触していた第１上電極ＵＥ１が除去され、第１有機層ＯＲ１が露出する。第２側面ＳＦ２のうち、第１有機層ＯＲ１で覆われていない領域は、工程Ｐ９のウェットエッチングに晒される。このとき、第２側面ＳＦ２に微小な凹凸が生じ、図５に示した領域Ａ２ｄが形成される。図１４（ｂ）に拡大して示すように、第３側面ＳＦ３にも同様の微小な凹凸が形成され得る。一方、工程Ｐ９のウェットエッチング時に第１有機層ＯＲ１で覆われていた領域Ａ２ｃは、当該ウェットエッチングから保護される。
【0074】
工程Ｐ９の後、レジストＲをマスクとしたエッチング（アッシング）により、図１５に示すように第１有機層ＯＲ１のうちレジストＲから露出した部分が除去される（工程Ｐ１０）。その後、レジストＲが除去される（工程Ｐ１１）。これにより、図１５に示すように、第１副画素ＳＰ１に第１表示素子ＤＥ１および第１封止層ＳＥ１が形成され、第２副画素ＳＰ２および第３副画素ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。
【0075】
第２表示素子ＤＥ２は、第１表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。具体的には、第２画素開口ＡＰ２を通じて第２下電極ＬＥ２に接触する第２有機層ＯＲ２、第２有機層ＯＲ２を覆う第２上電極ＵＥ２、第２上電極ＵＥ２を覆う第２キャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに（工程Ｐ１２）、第２キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆う第２封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程Ｐ１３）。
【0076】
その後、工程Ｐ６と同様に、第２副画素ＳＰ２とその周囲の隔壁６の一部を覆うレジストＲが配置される（工程Ｐ１４）。さらに、工程Ｐ７と同様に第２封止層ＳＥ２のうちレジストＲから露出した部分が除去され（工程Ｐ１５）、工程Ｐ８と同様に第２キャップ層ＣＰ２のうちレジストＲから露出した部分が除去され（工程Ｐ１６）、工程Ｐ９と同様に第２上電極ＵＥ２のうちレジストＲから露出した部分が除去され（工程Ｐ１７）、工程Ｐ１０と同様に第２有機層ＯＲ２のうちレジストＲから露出した部分が除去される（工程Ｐ１８）。その後、レジストＲが除去される（工程Ｐ１９）。
【0077】
以上の工程Ｐ１２～Ｐ１９を経ると、図１６に示すように、第１副画素ＳＰ１に第１表示素子ＤＥ１および第１封止層ＳＥ１が形成され、第２副画素ＳＰ２に第２表示素子ＤＥ２および第２封止層ＳＥ２が形成され、第３副画素ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。
【0078】
なお、図１６（ａ）に拡大して示すように、第２有機層ＯＲ２は、第２側面ＳＦ２と接触している。第２有機層ＯＲ２は、第２側面ＳＦ２と接触する領域Ａ２ａの高さが、領域Ａ１ａの高さよりも小さくなるように形成される。例えば、領域Ａ２ａの高さは、第２有機層ＯＲ２を形成する際の蒸着条件、一例では蒸着源から放出される蒸着材料の拡がり角によって調整することができる。
【0079】
上述の通り、領域Ａ１ａと領域Ａ２ｃの高さは同等である。したがって、領域Ａ２ａの高さが領域Ａ１ａの高さよりも小さい場合、第２上電極ＵＥ２は、領域Ａ２ｃにも接触する。
【0080】
第２上電極ＵＥ２を形成する際の蒸着条件は、第１上電極ＵＥ１を形成する際の蒸着条件と同じである。したがって、第２上電極ＵＥ２は、第１側面ＳＦ１に付着した第１上電極ＵＥ１と同じ高さまで第２側面ＳＦ２に付着する。これにより、第２上電極ＵＥ２と第２側面ＳＦ２が接触する領域Ａ２ｂの幅は、第１上電極ＵＥ１と第１側面ＳＦ１が接触する領域Ａ１ｂの幅よりも大きくなる。
【0081】
工程Ｐ１７において、第３副画素ＳＰ３に隣接する下部６１の第３側面ＳＦ３のうち第２有機層ＯＲ２で覆われていない部分は、第２上電極ＵＥ２に対するウェットエッチングに晒される。図１６（ｂ）に拡大して示すように、当該ウェットエッチングに晒された領域には微小な凹凸が生じ、図６に示した領域Ａ３ｄが形成される。
【0082】
第３表示素子ＤＥ３も第１表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。具体的には、第３画素開口ＡＰ３を通じて第３下電極ＬＥ３に接触する第３有機層ＯＲ３、第３有機層ＯＲ３を覆う第３上電極ＵＥ３、第３上電極ＵＥ３を覆う第３キャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに（工程Ｐ２０）、第３キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆う第３封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程Ｐ２１）。
【0083】
その後、工程Ｐ６と同様に、第３副画素ＳＰ３とその周囲の隔壁６の一部を覆うレジストＲが配置される（工程Ｐ２２）。さらに、工程Ｐ７と同様に第３封止層ＳＥ３のうちレジストＲから露出した部分が除去され（工程Ｐ２３）、工程Ｐ８と同様に第３キャップ層ＣＰ３のうちレジストＲから露出した部分が除去され（工程Ｐ２４）、工程Ｐ９と同様に第３上電極ＵＥ３のうちレジストＲから露出した部分が除去され（工程Ｐ２５）、工程Ｐ１０と同様に第３有機層ＯＲ３のうちレジストＲから露出した部分が除去される（工程Ｐ２６）。その後、レジストＲが除去される（工程Ｐ２７）。
【0084】
以上の工程Ｐ２０～Ｐ２７を経ると、図１７に示すように、第１副画素ＳＰ１に第１表示素子ＤＥ１および第１封止層ＳＥ１が形成され、第２副画素ＳＰ２に第２表示素子ＤＥ２および第２封止層ＳＥ２が形成され、第３副画素ＳＰ３に第３表示素子ＤＥ３および第３封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。
【0085】
なお、図１７（ｂ）に拡大して示すように、第３有機層ＯＲ３は、第３側面ＳＦ３と接触する領域Ａ３ａの高さが、領域Ａ１ａの高さよりも小さくなるように形成される。領域Ａ３ａの高さは、図１７（ｂ）に示す領域Ａ２ａの高さよりも小さい。例えば、領域Ａ３ａの高さは、第３有機層ＯＲ３を形成する際の蒸着条件、一例では蒸着源から放出される蒸着材料の拡がり角によって調整することができる。
【0086】
上述の通り、領域Ａ２ａと領域Ａ３ｃの高さは同等である。したがって、領域Ａ３ａの高さが領域Ａ２ａの高さよりも小さい場合、第３上電極ＵＥ３は、領域Ａ３ｃにも接触する。
【0087】
第３上電極ＵＥ３を形成する際の蒸着条件は、第１上電極ＵＥ１および第２上電極ＵＥ２を形成する際の蒸着条件と同じである。したがって、第３上電極ＵＥ３は、第１側面ＳＦ１に付着した第１上電極ＵＥ１や、第２側面ＳＦ２に付着した第２上電極ＵＥ２と同じ高さまで第３側面ＳＦ３に付着する。これにより、第３上電極ＵＥ３と第３側面ＳＦ３が接触する領域Ａ３ｂの幅は、第１上電極ＵＥ１と第１側面ＳＦ１が接触する領域Ａ１ｂの幅や、第２上電極ＵＥ２と第２側面ＳＦ２が接触する領域Ａ２ｂの幅よりも大きくなる。
【0088】
工程Ｐ２７の後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程Ｐ２８）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0089】
本実施形態に係る表示装置ＤＳＰとその製造方法が奏する効果について以下に説明する。
本実施形態に係る表示装置ＤＳＰおいては、第１有機層ＯＲ１が第１側面ＳＦ１に接触している。このような表示装置ＤＳＰの製造に際しては、図１０に示したように、第２副画素ＳＰ２に隣接する下部６１の第２側面ＳＦ２にも第１有機層ＯＲ１が接触する。これにより、第１上電極ＵＥ１のウェットエッチング（工程Ｐ９）において、第２側面ＳＦ２のうち第１有機層ＯＲ１で覆われた領域Ａ２ｃの損傷を抑制することができる。
本実施形態に係る表示装置ＤＳＰおいては、第１有機層ＯＲ１が第１側面ＳＦ１に接触している。このような表示装置ＤＳＰの製造に際しては、図１０に示したように、第２副画素ＳＰ２に隣接する下部６１の第２側面ＳＦ２にも第１有機層ＯＲ１が接触する。これにより、第１上電極ＵＥ１のウェットエッチング（工程Ｐ９）において、第２側面ＳＦ２のうち第１有機層ＯＲ１で覆われた領域Ａ２ｃの損傷を抑制することができる。
【0090】
仮に、第２側面ＳＦ２が第１有機層ＯＲ１で覆われていない場合、第２側面ＳＦ２の全体が当該ウェットエッチングにより損傷し得る。そうすると、その後に形成される第２上電極ＵＥ２の全体が当該損傷した領域に接触することとなり、損傷が激しいと第２上電極ＵＥ２と下部６１が良好に導通しない可能性がある。
【0091】
これに対し、本実施形態においては、第２有機層ＯＲ２と第２側面ＳＦ２が接触する領域Ａ２ａの高さが、第１有機層ＯＲ１と第１側面ＳＦ１が接触する領域Ａ１ａの高さよりも小さい。そのため、第２有機層ＯＲ２の上に形成される第２上電極ＵＥ２は、第１上電極ＵＥ１のウェットエッチング時に損傷を受けていない領域Ａ２ｃにも接触する。これにより、第２上電極ＵＥ２と下部６１の良好な導通を確保することができる。
【0092】
同様に、第２上電極ＵＥ２のウェットエッチング（工程Ｐ１７）の際に、第３側面ＳＦ３に第２有機層ＯＲ２が接触している。これにより、第３側面ＳＦ３のうち第２有機層ＯＲ２で覆われた領域Ａ３ｃの損傷を抑制することができる。
【0093】
さらに、本実施形態においては、第３有機層ＯＲ３と第３側面ＳＦ３が接触する領域Ａ３ａの高さが、第２有機層ＯＲ２と第２側面ＳＦ２が接触する領域Ａ２ａの高さよりも小さい。そのため、第３有機層ＯＲ３の上に形成される第３上電極ＵＥ３は、第２上電極ＵＥ２のウェットエッチング時に損傷を受けていない領域Ａ３ｃにも接触する。これにより、第３上電極ＵＥ３と下部６１の良好な導通を確保することができる。
【0094】
このように、本実施形態によれば、上電極ＵＥ１，ＵＥ２のウェットエッチングによる下部６１の損傷を抑制し、信頼性に優れた表示装置ＤＳＰを提供することができる。
【0095】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0096】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0097】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0098】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、５…リブ、６…隔壁、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部、ＳＦ１，ＳＦ２，ＳＦ３…下部の側面。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】