特開 2024-35678 光チップ及び光通信装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024035678

(43)【公開日】2024-03-14

(54)【発明の名称】光チップ及び光通信装置

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/30 20060101AFI20240307BHJP

   G02B 6/42 20060101ALI20240307BHJP

   G02B 6/12 20060101ALI20240307BHJP

   G02F 1/01 20060101ALI20240307BHJP

【ＦＩ】

G02B6/30

G02B6/42

G02B6/12 301

G02F1/01 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022140291

(22)【出願日】2022-09-02

(71)【出願人】

【識別番号】309015134

【氏名又は名称】富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】杉山 昌樹

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

2K102

【Ｆターム（参考）】

2H137AB06

2H137AB09

2H137AB12

2H137BA15

2H137BA32

2H137BA35

2H137BA44

2H137BA46

2H137BA48

2H137BB02

2H137BB12

2H137BB17

2H137BC17

2H137BC41

2H137BC42

2H137BC50

2H137CA12A

2H137DB10

2H147AB02

2H147AB04

2H147AB05

2H147AB11

2H147AB21

2H147AB24

2H147AC01

2H147AC05

2H147BE01

2H147BE11

2H147BE13

2H147BE14

2H147BG06

2H147CA22

2H147CA23

2H147CA28

2H147CB01

2H147CC12

2H147DA10

2K102AA28

2K102BA14

2K102BB01

2K102BB04

2K102BC10

2K102DB04

2K102EA05

2K102EA21

2K102EB11

2K102EB16

2K102EB20

2K102EB22

2K102EB29

(57)【要約】

【課題】ウエハ当たりの光チップの取れ数を確保しながら、試験精度の向上を図る光チップ等を提供する。
【解決手段】光チップは、ウエハ上のチップ領域と、チップ領域に配置された光回路とを有する。光チップは、第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、第２の導波路と、第１の導波路と接続すると共に、第２の導波路と接続する第１のポート及び、光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、を有する。更に、光チップは、チップ領域の表面に形成され、第１の試験用ファイバを挿入して第２の導波路と接続するための第１のトレンチを有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップであって、
第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
第２の導波路と、
前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
を有することを特徴とする光チップ。

【請求項2】

第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
第４の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記光回路と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の光チップ。

【請求項3】

前記第１のトレンチは、
第１の試験用ファイバを挿入して前記第２の導波路と接続され、
前記第２のトレンチは、
第２の試験用ファイバを挿入して前記第４の導波路と接続されることを特徴とする請求項２に記載の光チップ。

【請求項4】

前記第１のトレンチの側面の内、前記第２の導波路に接続する側面に対して直交しないように配置される前記第２の導波路及び、
前記第２のトレンチの側面の内、前記第４の導波路に接続する側面に対して直交しないように配置される前記第４の導波路の内、
少なくとも何れか一方の導波路を有することを特徴とする請求項２に記載の光チップ。

【請求項5】

前記第２の導波路と接続する前記第１のトレンチの側面が前記チップ領域の辺に対して斜めの位置に配置される前記第１のトレンチ及び、
前記第４の導波路と接続する前記第２のトレンチの側面が前記チップ領域の辺に対して斜めの位置に配置される前記第２のトレンチの内、
少なくとも何れか一方のトレンチを有することを特徴とする請求項４に記載の光チップ。

【請求項6】

前記第２の導波路及び、前記第１のトレンチ内に挿入された前記第１の試験用ファイバの内、少なくとも何れか一方に接続する第１のエッジカプラと、
前記第４の導波路及び、前記第２のトレンチ内に挿入された前記第２の試験用ファイバの内、少なくとも何れか一方に接続する第２のエッジカプラと、
を有することを特徴とする請求項３に記載の光チップ。

【請求項7】

前記第１のポートが２個、前記第２のポートが２個の２×２カプラである前記第１のカプラ及び、
前記第３のポートが２個、前記第４のポートが２個の２×２カプラである前記第２のカプラの内、
少なくとも何れか一方のカプラを有することを特徴とする請求項２に記載の光チップ。

【請求項8】

前記第１のポートが２個、前記第２のポートが１個のマッハツェンダ構成の可変減衰器である前記第１のカプラ及び、
前記第３のポートが２個、前記第４のポートが１個のマッハツェンダ構成の可変減衰器である前記第２のカプラの内、
少なくとも何れか一方のカプラを有することを特徴とする請求項２に記載の光チップ。

【請求項9】

ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップを備えた光通信装置であって、
前記光回路は、
第１の受信部と、
第２の受信部と、を有し、
前記チップ領域は、
局発光用の第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
第２の導波路と、
前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
受信光用の第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
第４の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記第１の受信部と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
第５の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第５の導波路と接続する第５のポート及び、前記第２の受信部と接続する第６のポートを備えた第３のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第５の導波路と接続する第３のトレンチと、
を有することを特徴とする光通信装置。

【請求項10】

前記光回路は、
第１の変調部と、
第２の変調部と、を有し、
前記チップ領域は、
送信光用の第３の運用ファイバと接続する第６の導波路と、
第７の導波路と、
前記第６の導波路と接続すると共に、前記第７の導波路と接続する第７のポート及び、前記第１の変調部と接続する第８のポートを備えた第４のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、第４の試験用ファイバを挿入して前記第７の導波路と接続するための第４のトレンチと、
第８の導波路と、
前記第６の導波路と接続すると共に、前記第８の導波路と接続する第９のポート及び、前記第２の変調部と接続する第１０のポートを備えた第５のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、第５の試験用ファイバを挿入して前記第８の導波路と接続するための第５のトレンチと、
を有することを特徴とする請求項９に記載の光通信装置。

【請求項11】

前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、前記第３のトレンチ、前記第４のトレンチ及び前記第５のトレンチが、前記チップ領域内の略同一線上に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の光通信装置。

【請求項12】

前記第２の導波路、前記第４の導波路、前記第５の導波路、前記第７の導波路及び前記第８の導波路は、同一方向及び同一ピッチに前記チップ領域内に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の光通信装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光チップ及び光通信装置に関する。

【背景技術】

【0002】

図９は、従来の試験システム３００の一例を示す説明図である。図９に示す試験システム３００は、光チップ３０１と、試験装置３０２とを有する。試験装置３０２は、光源３２１と、偏波コントローラ３２２と、光パワーメータ３２３と、第１の試験用ファイバ３２４と、第２の試験用ファイバ３２５とを有する。光源３２１は、試験光を発光するＬＤ（Laser Diode）である。偏波コントローラ３２２は、光源３２１から試験光の偏波を制御するコントローラである。第１の試験用ファイバ３２４は、光チップ３０１と光接続し、偏波コントローラ３２２からの偏波調整後の試験光を入力する光ファイバである。第２の試験用ファイバ３２５は、光チップ３０１と接続する光ファイバである。光パワーメータ３２３は、第２の試験用ファイバ３２５からの試験光のパワーを計測するメータである。

【0003】

光チップ３０１は、チップ領域３１０と、光回路３１１と、第１の導波路３１２と、第１のカプラ３１３と、第１のエッジカプラ（ＥＣ：Edge Coupler）３１４と、第２の導波路３１５と、第２のカプラ３１６と、第２のＥＣ３１７とを有する。光回路３１１は、例えば、チップ領域３１０上に配置された送信回路や受信回路である。第１の導波路３１２は、例えば、チップ領域３１０上に配置され、第１のカプラ３１３と第１のＥＣ３１４との間を光結合する光導波路である。第１のカプラ３１３は、第１の導波路３１２と光回路３１１との間を光結合する１×２カプラである。第１のＥＣ３１４は、光チップ３０１のチップ端面に配置され、第１の導波路３１２と第１の試験用ファイバ３２４とを光結合するカプラである。

【0004】

第２の導波路３１５は、例えば、チップ領域３１０上に配置され、第２のカプラ３１６と第２のＥＣ３１７との間を光結合する光導波路である。第２のカプラ３１６は、第２の導波路３１５と光回路３１１との間を光結合する１×２カプラである。第２のＥＣ３１７は、光チップ３０１のチップ端面に配置され、第２の導波路３１５と第２の試験用ファイバ３２５とを光結合するカプラである。

【0005】

第１のカプラ３１３は、第１の導波路３１２からの試験光を光回路３１１内の送信回路及び受信回路に分岐出力する。第２のカプラ３１６は、送信回路の送信処理後の試験光又は受信回路の受信処理後の試験光を第２の導波路３１５に出力する。

【0006】

更に、第２のカプラ３１６は、送信回路からの送信処理後の試験光を入力した場合、送信処理後の試験光を第２の導波路３１５に出力する。更に、第２のＥＣ３１７は、第２の導波路３１５からの送信処理後の試験光を第２の試験用ファイバ３２５を通じて光パワーメータ３２３に出力する。その結果、光パワーメータ３２３は、送信処理後の試験光の光パワーを測定できる。

【0007】

更に、第２のカプラ３１６は、受信回路からの受信処理後の試験光を入力した場合、受信処理後の試験光を第２の導波路３１５に出力する。更に、第２のＥＣ３１７は、第２の導波路３１５からの受信処理後の試験光を第２の試験用ファイバ３２５を通じて光パワーメータ３２３に出力する。その結果、光パワーメータ３２３は、受信処理後の試験光の光パワーを測定できる。

【0008】

試験装置３０２は、光チップ３０１を試験用のステージに１個ずつセットした後、第１のＥＣ３１４に第１の試験用ファイバ３２４を接続すると共に、第２のＥＣ３１７に第２の試験用ファイバ３２５を接続する。しかしながら、例えば、チップ端面の第１のＥＣ３１４と第１の試験用ファイバ３２４とを接続する際の調心作業が面倒であるため、測定に要する作業効率が低下してしまう。

【0009】

そこで、光チップ３０１をチップ化する前のウエハ状態で試験ができる試験システムが知られている。図１０は、従来の光チップ３０１Ａの一例を示す説明図である。尚、図９に示す試験システム３００と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。光チップ領域３０１Ａは、チップ化する前のウエハの状態である。ウエハは、光チップ領域３０１Ａ１と、試験領域３０１Ａ２と、を有し、光チップ領域３０１Ａと試験領域３０１Ａ２との間の境界線をダイシングライン３０１Ｃで切断可能にしている。光チップ領域３０１Ａ１は、光回路３１１と、第１の導波路３１２と、第１のカプラ３１３と、第１のＥＣ３１４とを有する。光チップ領域３０１Ａ１は、第２の導波路３１５と、第２のカプラ３１６と、第２のＥＣ３１７とを有する。

【0010】

試験領域３０１Ａ２は、第１のＥＣ３１４と光接続する第１の試験用導波路３３１と、第２のＥＣ３１７と光接続する第２の試験用導波路３３２と、を有する。試験領域３０１Ａ２は、ウエハ表面に配置され、第１の試験用ファイバ３２４と第１の試験用導波路３３１との間を光接続する第１のグレーティングカプラ（ＧＣ：Grating Coupler）３３３を有する。試験領域３０１Ａ２は、ウエハ表面に配置され、第２の試験用導波路３３２と第２の試験用ファイバ３２５との間を光接続する第２のＧＣ３３４を有する。更に、試験領域３０１Ａ２は、ウエハ表面に配置され、第１の試験用ファイバ３２４と第１のＧＣ３３３とを光接続すると共に、第２の試験用ファイバ３２５と第２のＧＣ３３４とを光接続する光ファイバアレイ３３５を有する。尚、第１の試験用ファイバ３２４は、偏波コントローラ３２２を介して光源３２１と接続すると共に、第２の試験用ファイバ３２５は、光パワーメータ３２３と接続する。

【0011】

ウエハ表面方向から光ファイバアレイ３３５をＧＣに近づけて第１の試験用ファイバ３２４と第１のＧＣ３３３との間、第２の試験用ファイバ３２５と第２のＧＣ３３４との間を光結合する。その結果、ウエハ状態での試験が可能となるため、測定に要する作業効率の向上を図ることができる。

【0012】

しかしながら、ＧＣは波長依存性が高く、光の波長によって損失が異なり、また、光の戻り反射が大きく、戻り反射によって試験光が大きな影響を受ける。しかも、ＧＣの製造精度に依存した損失の個体ばらつきがある。その結果、ＧＣを用いた測定は測定精度が悪化してしまう。

【0013】

そこで、ＧＣを使用しない光チップが考えられる。図１１は、従来の光チップ３０１Ｂ１の一例を示す説明図である。尚、図１１に示す光チップ３０１Ｂと同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。試験領域３０１Ｄは、第１のＥＣ３１４と光接続する第１の試験用導波路３３１と、第２のＥＣ３１７と光接続する第２の試験用導波路３３２と、ウエハ表面に形成されたトレンチ３４１とを有する。トレンチ３４１の側面から第１の試験用ファイバ３２４を挿入することで、第１の試験用ファイバ３２４と第１の試験用導波路３３１とを光接続する。更に、トレンチ３４１の側面から第２の試験用ファイバ３２５を挿入することで、第２の試験用ファイバ３２５と第２の試験用導波路３３２とを光接続する。

【0014】

その結果、ＧＣを使用せずに、第１の試験用ファイバ３２４と第１の試験用導波路３３１とを光接続すると共に、第２の試験用ファイバ３２５と第２の試験用導波路３３２とを光接続するので、測定精度が改善できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0015】

【特許文献1】特表２０２０－５１６９３２号公報

【特許文献2】米国特許出願公開第２０１９／０２９３８６６号明細書

【特許文献3】特開平１－２９８１０号公報

【特許文献4】国際公開第２０２０／１３２９６８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0016】

しかしながら、従来の光チップ３０１Ｂでは、ウエハの光チップ領域３０１Ａ１以外の試験領域３０１Ｄ内に形成するトレンチ３４１として試験用ファイバの端面が試験用導波路に光結合するのに十分な大きさを確保する必要がある。従って、ウエハ内で試験領域３０１Ｄを広くする必要がある。しかしながら、ウエハ内で試験領域３０１Ｄを広くした場合、ウエハ内の光チップ３０１Ｂの取れ数が少なくなる。

【0017】

一つの側面では、ウエハ当たりの光チップの取れ数を確保しながら、試験精度の向上を図る光チップ等を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0018】

一つの態様の光チップは、ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する。光チップは、第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、第２の導波路と、前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、を有する。光チップは、前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチを有する。

【発明の効果】

【0019】

一つの側面によれば、ウエハ当たりの光チップの取れ数を確保しながら、試験精度の向上を図る。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】図１は、実施例１の試験システムの一例を示す説明図である。

【図2】図２は、実施例２の光チップの一例を示す説明図である。

【図3】図３は、実施例３の光チップの一例を示す説明図である。

【図4】図４は、実施例４の光チップの一例を示す説明図である。

【図5】図５は、実施例５の光チップの一例を示す説明図である。

【図6】図６は、実施例６の光チップの一例を示す説明図である。

【図7A】図７Ａは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。

【図7B】図７Ｂは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。

【図7C】図７Ｃは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。

【図7D】図７Ｄは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。

【図8】図８は、光チップを搭載した光デバイスの一例を示す説明図である。

【図9】図９は、従来の試験システムの一例を示す説明図である。

【図10】図１０は、従来の光チップの一例を示す説明図である。

【図11】図１１は、従来の光チップの一例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、図面に基づいて、本願の開示する光チップ等の実施例を詳細に説明する。尚、各実施例により、開示技術が限定されるものではない。また、以下に示す各実施例は、矛盾を起こさない範囲で適宜組み合わせても良い。

【実施例0022】

図１は、実施例１の試験システム１の一例を示す説明図である。図１に示す試験システム１は、光チップ２と、試験装置３とを有する。試験装置３は、光源３１と、偏波コントローラ３２と、光パワーメータ３３と、第１の試験用ファイバ３５と、第２の試験用ファイバ３６とを有する。

【0023】

光源３１は、試験光を発光するＬＤである。偏波コントローラ３２は、光源３１からの試験光の偏波を制御するコントローラである。第１の試験用ファイバ３５は、光チップ２と光接続し、偏波コントローラ３２からの偏波調整後の試験光を入力する光ファイバである。第２の試験用ファイバ３６は、光チップ２と接続する光ファイバである。光パワーメータ３３は、第２の試験用ファイバ３６からの試験光のパワーを計測するメータである。

【0024】

光チップ２は、ウエハ上のチップ領域１１と、チップ領域１１に配置された光回路１２とを有する。光回路１２は、送信回路と、受信回路とを有する。光チップ２は、第１の導波路１３と、第２の導波路１４と、第１のＥＣ（Edge Coupler）１５と、第１のカプラ１６と、第１のトレンチ１７とを有する。第１の導波路１３は、第１のＥＣ１５と第１のカプラ１６との間を光結合する光導波路である。第１のＥＣ１５は、第１の運用ファイバと接続するＥＣである。第１のカプラ１６は、第１の導波路１３と接続すると共に、第２の導波路１４と接続する第１のポート１６Ａと、光回路１２内の送信回路と接続すると共に、受信回路と接続する第２のポート１６Ｂとを備えた２×２の光カプラである。第１のトレンチ１７は、チップ領域１１の表面に形成され、第１の試験用ファイバ３５を挿入して第２の導波路１４と接続するための溝である。

【0025】

光チップ２は、第３の導波路１８と、第４の導波路１９と、第２のＥＣ２０と、第２のカプラ２１と、第２のトレンチ２２とを有する。第３の導波路１８は、第２のＥＣ２０と第２のカプラ２１との間を光結合する光導波路である。第２のＥＣ２０は、第２の運用ファイバと接続するＥＣである。第２のカプラ２１は、第３の導波路１８と接続すると共に、第４の導波路１９と接続する第３のポート２１Ａと、光回路１２内の送信回路と接続すると共に、受信回路と接続する第４のポート２１Ｂとを備えた２×２の光カプラである。第２のトレンチ２２は、チップ領域１１の表面に形成され、第２の試験用ファイバ３６を挿入して第４の導波路１９と接続するための溝である。

【0026】

第１のカプラ１６は、第２の導波路１４からの試験光を送信回路及び受信回路に分岐出力する。第２のカプラ２１は、送信回路の送信処理後の試験光又は受信回路の受信処理後の試験光を第３の導波路１８及び第４の導波路１９に出力する。

【0027】

尚、第１のカプラ１６及び第２のカプラ２１は、２×２カプラで構成するため、２入力及び２出力の方が入力と出力とで分岐比が安定化することで、光損失が発生しないため、光回路１２に入射される光の強度が大きくなり、測定精度を改善できる。しかしながら、１×２カプラで構成しても良く、この場合、３ｄＢの光損失が発生するものの、ある程度の測定精度の改善は認められる。

【0028】

次に実施例１の試験システム１の動作について説明する。光チップ２のウエハの状態で試験を開始する。第１の試験用ファイバ３５の端面を第１のトレンチ１７に挿入することで、第１の試験用ファイバ３５と第２の導波路１４との間を光接続する。第２の試験用ファイバ３６の端面を第２のトレンチ２２に挿入することで、第２の試験用ファイバ３６と第４の導波路１９との間を光接続する。

【0029】

偏波コントローラ３２は、光源３１からの試験光を偏波調整後、偏波調整後の試験光を第１の試験用ファイバ３５に入力する。第１のカプラ１６は、第１の試験用ファイバ３５からの試験光を光回路１２内の送信回路又は受信回路に分岐出力する。送信回路は、偏波調整後の試験光に通常の送信処理を経た後、送信処理後の試験光を第２のカプラ２１に出力する。また、受信回路は、偏波調整の試験光に通常の受信処理を経た後、受信処理後の試験光を第２のカプラ２１に出力する。

【0030】

第２のカプラ２１は、光回路１２内の送信回路から送信処理後の試験光又は受信回路から受信処理後の試験光を入力した場合、試験光を第４の導波路１９に出力する。光パワーメータ３３は、第４の導波路１９からの試験光を第２の試験用ファイバ３６を経て試験光のパワーを測定する。その結果、光チップ２の送信処理後の試験光及び受信処理後の試験光を測定できる。

【0031】

実施例１の光チップ２では、第１のトレンチ１７での第２の導波路１４と第１の試験用ファイバ３５との間を光結合すると共に、第２のトレンチ２２での第４の導波路１９と第２の試験用ファイバ３６との間を光結合する。その結果、光結合による光回路１２の試験が可能となり、ウエハ状態での測定精度が改善できる。しかも、光チップ２内の空き領域に、第１のトレンチ１７及び第２のトレンチ２２を設けることで、ウエハ当たりの光チップ２の取れ数を確保できる。

【0032】

つまり、実施例１では、従来のような試験領域ではなく、光チップ２内の空き領域にトレンチを配置したので、ウエハ当たりの光チップ２の取れ数を確保できる。更に、ＧＣを使用しないため、試験光が反射光の影響を受けることはなく、光源が不安定になることがなくなることで測定値を安定化できる。

【0033】

実施例１の光チップ２では、第１のトレンチ１７の側面と第２の導波路１４とが直交するため、試験光と反射光とが同一の光進行方向になるため、反射光の影響が大きくなる。そこで、このような事態に対処する実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。

【実施例0034】

図２は、実施例２の光チップ２Ａの一例を示す説明図である。尚、実施例１の試験システム１と実施例２の試験システムと同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図１に示す光チップ２と図２に示す光チップ２Ａとが異なるところは、第２の導波路１４Ａが第１のトレンチ１７の側面に対して斜め約１０度の位置に配置される点にある。同様に、異なる点は、第４の導波路１９Ａが第２のトレンチ２２の側面に対して斜め約１０度の位置に配置される点にある。

【0035】

第２の導波路１４Ａは、第１のトレンチ１７の側面の内、第２の導波路１４Ａと接続する側面に対して直交しない位置、例えば、斜め１０度の位置に配置されるため、試験光に対する反射光が第２の導波路１４Ａに進入するのを抑制する。その結果、試験光に対する反射光が小さくできるため、測定精度が高くなる。

【0036】

第４の導波路１９Ａは、第２のトレンチ２２の側面の内、第４の導波路１９Ａと接続する側面に対して直交しない位置、例えば、斜め１０度の位置に配置されるため、試験光に対する反射光が第４の導波路１９Ａに進入するのを抑制する。その結果、試験光に対する反射光が小さくできるため、測定精度が高くなる。

【0037】

尚、実施例２の光チップ２Ａは、第２の導波路１４Ａ及び第４の導波路１９Ａの両方を有する場合を例示したが、第２の導波路１４Ａを第２の導波路１４、第４の導波路１９Ａを第４の導波路１９の何れか一方に置き換えても良く、適宜変更可能である。

【0038】

実施例２の光チップ２Ａでは、第２の導波路１４Ａが第１のトレンチ１７に対して斜めに配置する場合を例示したが、第２の導波路１４Ａと第１のトレンチ１７内に挿入された第１の試験用ファイバ３５との間で結合損失が大きくなる。また、第４の導波路１９Ａと第２のトレンチ２２内に挿入された第２の試験用ファイバ３６との間で結合損失が大きくなる。そこで、このような事態に対処すべく、その実施の形態につき、実施例３として以下に説明する。