特開 2024-36055 プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024036055

(43)【公開日】2024-03-15

(54)【発明の名称】プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20240308BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240308BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 B

H01L21/302 101E

【審査請求】有

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022140765

(22)【出願日】2022-09-05

(11)【特許番号】

(45)【特許公報発行日】2022-11-17

(71)【出願人】

【識別番号】593030923

【氏名又は名称】株式会社ニッシン

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野 信喜

(72)【発明者】

【氏名】南光 正平

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

【Ｆターム（参考）】

2G084BB07

2G084BB35

2G084BB37

2G084CC14

2G084CC33

2G084DD32

2G084DD62

2G084EE02

2G084FF04

2G084FF35

2G084FF38

2G084FF39

5F004BB14

5F004DA23

5F004DA26

(57)【要約】

【課題】プラズマの出力向上および装置の小型化を可能とする、プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
一端側に開口部３４を有する導電性の導波管である外部導体２９と、外部導体２９の内部において外部導体２９の主軸に沿って延在し、マイクロ波を供給するマイクロ波供給ケーブル５と接続されており、供給されたマイクロ波を一端側へ伝搬する第１誘電体３１と、開口部３４を閉塞するように配設され、第１誘電体３１が伝搬するマイクロ波を用いてプラズマを発生させる第２誘電性体３３と、を備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一端側に開口部を有する導電性の導波管と、
前記導波管の内部において前記導波管の主軸に沿って延在し、マイクロ波を供給するマイクロ波供給ケーブルと接続されており、供給された前記マイクロ波を前記一端側へ伝搬する第１の誘電性部材と、
前記開口部を閉塞するように配設され、前記第１の誘電性部材が伝搬する前記マイクロ波を用いてプラズマを発生させる第２の誘電性部材と、
を備えることを特徴とするプラズマ発生装置。

【請求項2】

請求項１に記載のプラズマ発生装置において、
前記第１の誘電性部材は前記導波管の内部を充填するように前記導波管の主軸に沿って延在している
ことを特徴とするプラズマ発生装置。

【請求項3】

請求項１に記載のプラズマ発生装置において、
前記第１の誘電性部材は、前記マイクロ波供給ケーブルとの接続部において、比誘電率の変化を緩和させる比誘電率緩衝部を備えている
ことを特徴とするプラズマ発生装置。

【請求項4】

請求項３に記載のプラズマ発生装置において、
前記比誘電率緩衝部は、前記第１の誘電性部材に形成されている凹部であり、
前記マイクロ波供給ケーブルは前記凹部が延びる方向へ挿入される
ことを特徴とするプラズマ発生装置。

【請求項5】

請求項３に記載のプラズマ発生装置において、
前記比誘電率緩衝部は前記第１の誘電性部材より比誘電率が低い材料で構成されている接続部材であり、
前記第１の誘電性部材は前記接続部材を介して前記マイクロ波供給ケーブルと接続される
ことを特徴とするプラズマ発生装置。

【請求項6】

請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマ発生装置において、
前記第１の誘電性部材は、前記第２の誘電性部材との接続部において、比誘電率の変化を緩和させる第２比誘電率緩衝部を備えている
ことを特徴とするプラズマ発生装置。

【請求項7】

マイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を用いてプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部が発生させたプラズマを用いてワークを処理するプラズマ処理部と、
を備え、
前記プラズマ発生部は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマ発生装置である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プラズマを発生させるプラズマ発生装置、および当該プラズマ発生装置を備えておりワークに対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製品、液晶パネルなどの製造プロセスでは、表面洗浄、エッチング、ＣＶＤ処理等においてプラズマが利用されている。また、これら以外にも幅広い分野において、被処理対象物（以下、「ワーク」と総称する）に対してプラズマを利用した表面改質処理や撥水処理などが行われている。

【0003】

ワークに対してプラズマ処理を行う装置は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、マイクロ波エネルギーを用いてプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、プラズマ発生装置と接続されておりワークを収容するプラズマ処理部とを備えている。プラズマ処理部は一例として金属製の真空チャンバであり、プラズマ処理部には１または２以上のプラズマ発生装置が接続されている。

【0004】

プラズマ処理装置に用いられるプラズマ発生装置としては、同軸管構造を備えており先端部においてプラズマを発生させる装置（同軸照射装置）が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１に係る従来のプラズマ発生装置１００は、図１７または図１８に示すように、中央コア１０１と、アウターシールド１０２と、接続機構１０５と、誘電体１０７とを備えている。中央コア１０１は導電性を有する棒状部材で構成されており、プラズマ発生装置１００の主軸ＡＰに沿って延在する。中央コア１０１はプラズマ装置１００において、いわゆる内部導体に相当する。

【0005】

アウターシールド１０２は導電性を有する円筒状部材であり、中央コア１０１を囲むように配置される。アウターシールド１０２はプラズマ発生装置１００において、いわゆる外部導体に相当する。アウターシールド１０２の先端側（図１７では左側）は開口部が形成されており、アウターシールド１０２の基端側（図１７では右側）は隔壁１０６によって閉鎖されている。中央コア１０１とアウターシールド１０２との間には、マイクロ波エネルギーを伝搬する伝搬媒体１０３が備えられている。伝搬媒体１０３の一例として、空気などが挙げられる。

【0006】

接続機構１０５は、図示しないマイクロ波発生部とプラズマ装置１００とを接続させる。接続機構１０５は一例として図１７に示すように、アウターシールド１０２の側壁のうち隔壁１０６に近い部分に配置されている。図示しないマイクロ波発生部から延びるマイクロ波伝送ケーブル１０８は、開口となっている接続機構１０５を通ってプラズマ発生装置１００の内部に案内される。

【0007】

誘電体１０７はマイクロ波を伝搬する絶縁体で構成されており、アウターシールド１０２の先端側の開口を閉塞するように配設されている。誘電体１０７は、中央コア１０１と接続されている。誘電体１０７は、プラズマ発生装置１００の伝搬媒体１０３とプラズマ発生部の内部空間とを接続する。誘電体１０７の外表面１０９は、アウターシールド１０２の基端側から先端側に向かって先細りとなるテーパ状となっている。

【0008】

従来のプラズマ発生装置１００では、マイクロ波発生部から出力されるマイクロ波によってプラズマが発生する。すなわち、マイクロ波伝送ケーブル１０８によって入力されるマイクロ波エネルギーは、接続機構１０５を経由してプラズマ発生装置１００の内部に伝搬される。さらにマイクロ波エネルギーはプラズマ発生装置１００の内部において誘電体１０７へと伝搬され、誘電体１０７の外表面１０９に接触するガスが励起されることでプラズマが発生する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特表２０１８－５３０１２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。

【0011】

従来例における第１の問題として、従来のプラズマ発生装置１００は大出力のマイクロ波を投入すると容易に絶縁破壊が発生するという点が挙げられる。そのため、従来のプラズマ発生装置１００では高出力のプラズマを発生させることが困難である。

【0012】

従来の装置において絶縁破壊の問題が発生する原因として、以下のようなものが考えられる。すなわち従来のプラズマ発生装置１００では円筒状のアウターシールド１０２の中心部に導電性の中央コア１０１が配置されているので、絶縁距離はアウターシールド１０２の内面から中央コア１０１の表面までの距離Ｐ１となる。すなわち絶縁距離はアウターシールド１０２の半径より短い距離に限定されるので、プラズマ発生装置１００において絶縁破壊が発生し易くなる。絶縁破壊の発生を回避すべく絶縁距離を十分に確保するにはアウターシールド１０２の径を大きくする必要があるので、絶縁破壊を回避しつつプラズマ発生装置１００を小型化することは非常に困難である。

【0013】

従来例における第２の問題として、従来のプラズマ発生装置１００では内部において熱が蓄積しやすく、当該熱を外部へと逃がすことが困難であるという点が上げられる。すなわちプラズマ発生装置１００において熱の蓄積を抑制すべくマイクロ波の出力を低く抑える必要があるので、高出力のプラズマを発生させることがより困難となる。

【0014】

従来の装置において熱が蓄積しやすいという問題が発生する原因として、以下のようなものが考えられる。すなわちプラズマ発生装置１００において、中央コア１０１がアウターシールド１０２に接触している部分は非常に狭い領域に限定されている。中央コア１０１はプラズマ発生装置１００の基端部のみにおいてアウターシールド１０２に直接接触している。そのため、中央コア１０１の表面で発生する熱（ジュール熱）をプラズマ発生装置１００の外部へと効率良く排出することは困難である。

【0015】

従来例における第３の問題として、プラズマ発生装置１００の製造コストが高くなるという問題が挙げられる。すなわちプラズマ発生装置１００において、誘電体１０７を単純な円筒形状とするとインピーダンスの整合性が低下するという問題が発生する。プラズマ発生装置１００においてインピーダンスの整合性を向上するには、誘電体１０７の外表面１０９をテーパ状に加工する必要がある。すなわち誘電体１０７の外表面１０９を加工することによって、プラズマ発生装置１００の製造コストが上昇することとなる。

【0016】

またプラズマ発生装置１００のインピーダンスをより向上するには、図１８に示すように誘電体１０７の外表面１０９のみならず、伝搬媒体１０３と接触する誘電体１０７の内表面１１０もテーパ状に加工する必要がある。外表面１０９に加えて内表面１１０をテーパ状に加工する場合、プラズマ発生装置１００の製造コストがさらに上昇する。

【0017】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、プラズマの出力向上および装置の小型化を可能とする、プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0018】

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係るプラズマ発生装置は、一端側に開口部を有する導電性の導波管と、
前記導波管の内部において前記導波管の主軸に沿って延在し、マイクロ波を供給するマイクロ波供給ケーブルと接続されており、供給された前記マイクロ波を前記一端側へ伝搬する第１の誘電性部材と、
前記開口部を閉塞するように配設され、前記第１の誘電性部材が伝搬する前記マイクロ波を用いてプラズマを発生させる第２の誘電性部材と、
を備えることを特徴とするものである。

【0019】

（作用・効果）この構成によれば、一端側に開口部を有する導電性の導波管が用いられており、当該導波管の内部には第１の誘電性部材が導波管の主軸に沿って延在している。また導波管の開口部は第２の誘電性部材によって閉塞されており、第１の誘電性部材が一端側へ伝搬させたマイクロ波は第２の誘電性部材に受信され、第２の誘電部材は当該マイクロ波を用いてプラズマを発生させる。

【0020】

すなわち本発明に係るプラズマ発生装置は全体として導波管構造を備えており、内部に導体を有していない。内部導体を有していないことによって、内部導体の存在に起因してプラズマ発生装置の絶縁距離が短くなるという事態を回避できるので、高出力のマイクロ波を供給した場合であっても絶縁破壊が発生することを回避できる。従って、絶縁破壊の発生をより確実に防止しつつ、プラズマ発生装置におけるプラズマの出力を向上させることが可能となる。

【0021】

また、内部導体の存在に起因してプラズマ発生装置の絶縁距離が短くなるという事態を回避できるので、導波管の径を短くする場合であっても絶縁破壊の発生をより確実に回避できる。すなわち、絶縁破壊の発生をより確実に回避しつつ、プラズマ発生装置を小型化することが可能となる。

【0022】

また、上述した発明において、前記第１の誘電性部材は前記導波管の内部を充填するように前記導波管の主軸に沿って延在していることが好ましい。

【0023】

（作用・効果）この構成によれば、第１の誘電性部材は導波管の内部を充填している。すなわち第１の誘電性部材は表面全体が導波管と接している。導波管の内部を第１の誘電性部材で充填させることにより、マイクロ波を伝搬させる第１の誘電性部材は広い範囲において、外部導体である導波管と接触している。従って、第１の誘電性部材において発生する熱を効率良く導波管へと伝導させてプラズマ発生装置の外部へと逃がすことができる。その結果、高出力のマイクロ波を供給させる場合であっても第１の誘電性部材に熱が蓄積することを回避できるので、プラズマ発生装置の高温化を防止しつつ、プラズマ発生装置におけるプラズマの出力を向上させることが可能となる。

【0024】

また、上述した発明において、前記第１の誘電性部材は、前記マイクロ波供給ケーブルとの接続部において、比誘電率の変化を緩和させる比誘電率緩衝部を備えていることが好ましい。

【0025】

（作用・効果）この構成によれば、第１の誘電性部材は比誘電率緩衝部を備えている。比誘電率緩衝部は、マイクロ波供給ケーブルと第１の誘電性部材との接続部において、比誘電率の変化を緩和させる。比誘電率緩衝部を介してマイクロ波供給ケーブルと第１の誘電性部材とを接続させることにより、マイクロ波供給ケーブルから第１の誘電性部材までの部分における比誘電率の変化が小さくなる。そのため比誘電率緩衝部を備えることにより、比誘電率の急激な変化に起因するインピーダンス整合性の低下を回避できる。

【0026】

また、上述した発明において、前記比誘電率緩衝部は、前記第１の誘電性部材に形成されている凹部であり、
前記マイクロ波供給ケーブルは前記凹部が延びる方向へ挿入されることが好ましい。

【0027】

（作用・効果）この構成によれば、第１の誘電性部材に凹部が形成されており、マイクロ波供給ケーブルは凹部に挿入される。この場合、マイクロ波供給ケーブルが挿入される凹部の領域では、第１の誘電性部材が満たす領域とマイクロ波供給ケーブル周辺の気体が満たす領域とが混在する。すなわち、マイクロ波供給ケーブルが挿入される凹部における比誘電率は、第１の誘電性部材の比誘電率より低くマイクロ波供給ケーブル周辺の気体の比誘電率より高い。そのため、マイクロ波供給ケーブルから第１の誘電性部材までの部分における比誘電率の変化が小さくなる。従って、凹部を形成させるという単純な設計を行うことで、比誘電率の急激な変化に起因するインピーダンス整合性の低下を回避できる。

【0028】

また、上述した発明において、前記比誘電率緩衝部は前記第１の誘電性部材より比誘電率が低い材料で構成されている接続部材であり、
前記第１の誘電性部材は前記接続部材を介して前記マイクロ波供給ケーブルと接続されることが好ましい。

【0029】

（作用・効果）この構成によれば、第１の誘電性部材より比誘電率が低い材料で構成されている接続部材を備え、第１の誘電性部材は当該接続部材を介してマイクロ波供給ケーブルと接続される。接続部材は第１の誘電性部材より比誘電率が低い材料で構成されているので、マイクロ波供給ケーブルから第１の誘電性部材までの部分における比誘電率の変化が小さくなる。そのため、マイクロ波供給ケーブルと第１の誘電性部材との間に接続部材を配設するという単純な構成によって、比誘電率の急激な変化に起因するインピーダンス整合性の低下を回避できる。

【0030】

また、上述した発明において、前記第１の誘電性部材は、前記第２の誘電性部材との接続部において、比誘電率の変化を緩和させる第２比誘電率緩衝部を備えていることが好ましい。

【0031】

（作用・効果）この構成によれば、第１の誘電性部材は第２比誘電率緩衝部を備えている。第２比誘電率緩衝部は、第１の誘電性部材と第２の誘電性部材との接続部において、比誘電率の変化を緩和させる。第２比誘電率緩衝部を介して第１の誘電性部材と第２の誘電性部材とを接続させることにより、第１の誘電性部材から第２の誘電性部材までの部分における比誘電率の変化が小さくなる。そのため第２比誘電率緩衝部を備えることにより、比誘電率の急激な変化に起因するインピーダンス整合性の低下をより確実に回避できる。

【0032】

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとってもよい。
すなわち、本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を用いてプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部が発生させたプラズマを用いてワークを処理するプラズマ処理部と、
を備え、
前記プラズマ発生部は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマ発生装置であることを特徴とするものである。

【0033】

（作用・効果）この構成によれば、本発明に係るプラズマ発生装置にマイクロ波を供給してプラズマを発生させ、当該プラズマを用いてワークに対するプラズマ処理を行う。そのため、ワークに対してプラズマ処理を行う装置において本発明の効果を奏することができる。すなわち、本発明に係るプラズマ発生装置は高出力のマイクロ波を供給しても絶縁破壊等の発生をより確実に回避できるので、絶縁破壊等の発生を防止しつつ高出力のプラズマによるワークのプラズマ処理を実現できる。

【発明の効果】

【0034】

本発明に係るプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置によれば、一端側に開口部を有する導電性の導波管が用いられており、当該導波管の内部には第１の誘電性部材が導波管の主軸に沿って延在している。また導波管の開口部は第２の誘電性部材によって閉塞されており、第１の誘電性部材が一端側へ伝搬させたマイクロ波は第２の誘電性部材に受信され、第２の誘電部材は当該マイクロ波を用いてプラズマを発生させる。

【0035】

すなわち内部に導体を有しておらず誘電性部材を有する導波管にマイクロ波を供給してプラズマを発生させる。内部導体を有していないことによって、内部導体の存在に起因して絶縁距離が短くなるという事態を回避できるので、高出力のマイクロ波を供給した場合であっても絶縁破壊が発生することを回避できる。従って、絶縁破壊の発生をより確実に防止しつつ、プラズマ発生装置におけるプラズマの出力を向上させることが可能となる。

【0036】

また、内部導体の存在に起因して絶縁距離が短くなるという事態を回避できるので、導波管の径を短くする場合であっても絶縁破壊の発生をより確実に回避できる。すなわち、絶縁破壊の発生をより確実に回避しつつ、プラズマ発生装置を小型化することが可能となる。よって、プラズマの出力向上および装置の小型化を可能とする、プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0037】

【図1】実施例１に係るプラズマ処理装置の全体構成を説明する概略図である。

【図2】実施例１に係るプラズマ発生部の構成を説明する縦断面図である。

【図3】実施例１に係るプラズマ発生部の構成を説明する斜視図である。

【図4】実施例１に係るプラズマ処理装置について、プラズマ発生部とプラズマ処理部とを組み合わせる状態を示す図である。

【図5】実施例１に係るプラズマ発生部について、第１誘電体と第２誘電体と外部導体とを組み合わせる状態を示す図である。

【図6】比較例に係るプラズマ発生部における比誘電率の変化を示す図である。（ａ）はプラズマ発生部の基端側を示す縦断面図であり、（ｂ）はプラズマ発生部の基端側について、マイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。

【図7】実施例１に係るプラズマ発生部における比誘電率の変化を示す図である。（ａ）はプラズマ発生部の基端側を示す縦断面図であり、（ｂ）はプラズマ発生部の基端側について、マイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。

【図8】実施例１の構成による効果を説明する図である。（ａ）は従来例における排熱効率を示す縦断面図であり、（ｂ）は実施例１における排熱効率を示す縦断面図である。

【図9】変形例に係るプラズマ発生部の構成を説明する縦断面図である。（ａ）は第２誘電体の先端が円柱状である変形例を示す図であり、（ｂ）は第２誘電体の先端が先端側に向かって先太りとなるテーパ状である変形例を示す図である。

【図10】実施例２に係るプラズマ発生部の構成を説明する縦断面図である。

【図11】実施例２に係るプラズマ発生部における比誘電率の変化を示す図である。（ａ）はプラズマ発生部の基端側を示す縦断面図であり、（ｂ）はプラズマ発生部の基端側について、マイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。

【図12】実施例３に係るプラズマ発生部の構成を説明する縦断面図である。

【図13】実施例３に係るプラズマ発生部における比誘電率の変化を示す図である。（ａ）はプラズマ発生部の基端側を示す縦断面図であり、（ｂ）はプラズマ発生部の基端側について、マイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。

【図14】変形例に係るプラズマ発生部の構成を説明する縦断面図である。

【図15】変形例に係るプラズマ発生部の構成を説明する縦断面図である。

【図16】変形例に係るプラズマ発生部の構成を説明する縦断面図である。

【図17】従来例に係るプラズマ発生装置の構成を説明する縦断面図である。

【図18】従来例に係るプラズマ発生装置の構成を説明する縦断面図である。

【図19】変形例に係るプラズマ発生部における比誘電率の変化を示す図である。（ａ）はプラズマ発生部を示す縦断面図であり、（ｂ）はプラズマ発生部について、マイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。

【発明を実施するための形態】

【実施例0038】

以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。図１は実施例１に係るプラズマ処理装置１の概略図である。

【0039】

＜全体構成の説明＞
実施例１に係るプラズマ処理装置１は、マイクロ波発生部３と、マイクロ波供給ケーブル５と、プラズマ発生部７と、プラズマ処理部９と、を備えている。なお図１および図４において、プラズマ処理部９は縦断面図を示している。

【0040】

マイクロ波発生部３は、周波数を可変にして特定の周波数のマイクロ波を発振する。本実施例において、マイクロ波発生部３は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振するものとする。マイクロ波供給ケーブル５は、マイクロ波発生部３およびプラズマ発生部７の各々に接続されており、マイクロ波発生部３から発振したマイクロ波を伝搬してプラズマ発生部７へと供給する。

【0041】

プラズマ発生部７は、マイクロ波発生部３から供給されたマイクロ波のエネルギーを用いて、先端部においてプラズマを発生させる。プラズマ発生部７はプラズマ処理部９と接続されており、プラズマを発生させる先端部はプラズマ処理部９の内部空間Ｌに接触するように構成されている。

【0042】

本実施例において、プラズマ処理装置１は３つのプラズマ発生部７を備える構成を例示しているが、プラズマ発生部７の数は適宜変更してよい。プラズマ処理装置１はプラズマ発生部７の数に応じた本数のマイクロ波供給ケーブル５を備えている。マイクロ波供給ケーブル５は、各々のプラズマ発生部７に接続されている。プラズマ発生部７の構成については後述する。プラズマ発生部７は、本発明におけるプラズマ発生装置に相当する。

【0043】

プラズマ処理部９は、ワークＷに対してプラズマ処理を行う。すなわちプラズマ処理部９は、プラズマ発生部７によって発生したプラズマを用いて、ワークＷに対する所定の処理を行う。ワークＷの例として、半導体製品、液晶パネル、太陽電池アレイなどが挙げられる。

【0044】

プラズマ処理部９は、チャンバ１１と、ワーク保持部１３とを備えている。チャンバ１１は接続プレート１５を備えており、図１に示すように、電磁バルブ１６を備えた排気用流路１７を介して排気装置１９と連通接続されている。排気装置１９が作動することにより、チャンバ１１の内部空間Ｌは脱気されて減圧する。

【0045】

またチャンバ１１は、電磁バルブ２０を備えた供給用流路２１を介して気体供給装置２３と連通接続されている。気体供給装置２３は、チャンバ１１の内部空間Ｌへ所定のガスＧを供給する。気体供給装置２３が供給するガスＧの例として、アルゴンガスを例とする稀ガス、または酸素などが挙げられる。

【0046】

またチャンバ１１は開閉扉２５を備えている。開閉扉２５は一例としてチャンバ１１の側面に形成されており、開閉可能に構成されている。開閉扉２５が開状態となることにより、図示しないワーク搬送機構によってワークＷをチャンバ１１へ搬入または搬出することが可能となる。電磁バルブ１６および電磁バルブ２０の開閉、排気装置１９および気体供給装置２３の動作、並びに開閉扉２５の開閉は、コンピュータなどを備える図示しない制御機構によって統括制御される。当該制御機構は、プラズマ処理装置１におけるその他の各種動作についても統括制御を行う。

【0047】

ワーク保持部１３は、チャンバ１１の内部空間Ｌに収納されており、ワークＷを保持する。ワーク保持部１３の例として、チャックテーブルなどが挙げられる。開閉扉２５を介してチャンバ１１の内部へ搬入されたワークＷは、ワーク保持部１３によって安定保持される。

【0048】

接続プレート１５は、チャンバ１１の外壁部（筐体）のうち一方の面を構成している。本実施例ではチャンバ１１の上面に接続プレート１５が配置されている。チャンバ１１の筐体と同様に、接続プレート１５は金属を例とする導電性材料で構成されている。プラズマ発生部７は、接続プレート１５を介してプラズマ処理部９と接続されている。すなわち図４に示すように、接続プレート１５にはプラズマ発生部７の先端部の形状に応じた貫通孔２７が形成されており、各々のプラズマ発生部７の先端部が貫通孔２７に嵌合可能に構成されている。各々のプラズマ発生部７の先端部が貫通孔２７に嵌合することで、図１に示すように接続プレート１５の表面側の空間と接続プレート１５の裏面側の空間（チャンバ１１の内部空間Ｌ）とは遮断され、内部空間Ｌは密閉状態となる。

【0049】

ここでプラズマ発生部７の構成について説明する。図２はプラズマ発生部７の縦断面図である。プラズマ発生部７は図２に示すように、外部導体２９と、第１誘電体３１と、第２誘電体３３と、マイクロ波供給口３５とを備えている。外部導体２９は、金属を例とする導電性材料で構成されている筒状部材である。外部導体２９はマイクロ波の伝搬モードに応じた形状の導波管であり、先端側に開口部３４が形成されている。外部導体２９の基端側（図２の右側）は、隔壁３６によって閉鎖されている。実施例１では外部導体２９として、ＴＭモードのマイクロ波を伝搬する円筒形導波管を例として説明する。

【0050】

第１誘電体３１は、外部導体２９の主軸方向（図２などではｘ方向）に延びる棒状部材であり、外部導体２９の内部に配設される。第１誘電体３１はマイクロ波を伝搬する誘電性材料で構成されており、構成材料の一例としては酸化アルミニウムまたは石英などが挙げられる。第１誘電体３１は基端側においてマイクロ波供給ケーブル５と接続されており、マイクロ波供給ケーブル５が供給するマイクロ波を基端側から先端側へと伝搬する。

【0051】

また実施例１において第１誘電体３１は、外部導体２９の内部を充填するように径の大きさおよび形状が定められる。本実施例において、第１誘電体３１は酸化アルミニウム製の円柱状部材であり、第１誘電体の外径は外部導体２９の内径と等しくなるように構成されているものとする。第１誘電体３１の基端側には凹部３７が形成されている。実施例１において凹部３７はｘ方向に延在しており、マイクロ波供給ケーブル５をｘ方向へ挿入可能に構成されている。

【0052】

第２誘電体３３は、外部導体２９の先端側において開口部３４を閉塞するように配設されており、第１誘電体３１と接続されている。第２誘電体３３は第１誘電体３１と同様にマイクロ波を伝搬する誘電性材料で構成されており、構成材料の一例としては酸化アルミニウムまたは石英などが挙げられる。本実施例において、第２誘電体３３は酸化アルミニウムで構成されているものとする。

【0053】

第１誘電体３１と第２誘電体３３は、図２および図４に示すように、接続部３９を介して接続されている。接続部３９は、第１誘電体３１の先端部に形成されている第１接続部３９Ａと、第２誘電体３３の基端部に形成されている第２接続部３９Ｂによって構成されている。接続部３９が第１誘電体３１と第２誘電体３３とを接続させる構成は、螺合、嵌合、または係合する構成などを適宜用いてよい。

【0054】

実施例１において、接続部３９は螺合によって第１誘電体３１と第２誘電体３３とを接続させるものとする。具体的な構成の例として、第１接続部３９Ａは雌ネジが形成されている凹部であり第２接続部３９Ｂは雄ネジが形成されている凸部である。そして図５に示すように、第１接続部３９Ａと第２接続部３９Ｂとが互いに螺合することによって、第１誘電体３１と第２誘電体３３とは安定に接続される。

【0055】

第２誘電体３３の先端側における表面を外表面４１とする。図１および図４に示すように、プラズマ発生部７の先端部すなわち第２誘電体３３が貫通孔２７に嵌合することにより、第２誘電体３３の外表面４１は接続プレート１５を通り抜けてチャンバ１１の内部空間Ｌに延出する。すなわち第２誘電体３３を介して第１誘電体３１とチャンバ１１の内部空間Ｌとが接続される。

【0056】

第１誘電体３１と第２誘電体３３とが接続されることにより、第１誘電体３１の基端部から先端部へと伝搬されるマイクロ波エネルギーはさらに第２誘電体３３の基端部に伝搬される。そして当該マイクロ波エネルギーは第２誘電体３３の先端部である外表面４１へと伝搬され、外表面４１の周囲においてプラズマを発生させることができる。なお本実施例において、第２誘電体３３の外表面４１（先端側の表面）は、外部導体２９の基端側から先端側に向かって先細りとなるテーパ状となっている。

【0057】

実施例１では接続部３９を介して第１誘電体３１と第２誘電体３３とが接続されることにより、全体として１つの誘電性部材４３を形成させる。第１誘電体３１と第２誘電体３３からなる誘電性部材４３は、基端側から先端側へとマイクロ波を伝搬させる１つの誘電性部材として作用する。そして第１誘電体３１と第２誘電体３３とを接続させる構成とすることで、外表面４１の形状が異なる複数種類の第２誘電体３３を第１誘電体３１に対して適宜換装させることで、誘電性部材４３の先端部の形状を適宜変更することができる。

【0058】

一例として、先端側に向かって先細りとなっている形状の外表面４１を有する第２誘電体３３を第１誘電体３１から取り外し、図９（ａ）に示すように、円柱形状を有する第２誘電体３３Ａを第１誘電体３１と接続して誘電性部材４３を形成させることができる。第２誘電体３３Ａは基端側から先端側に向かって外径が一定であり、外表面４１Ａの外径は外部導体２９の外径とほぼ同じとなっている。第２誘電体３３Ａは第２誘電体３３と異なりテーパ状に加工する必要がないので、プラズマ発生部７が第２誘電体３３Ａを備える構成である場合、プラズマ発生部７の製造コストをより低く抑えることができる。

【0059】

また他の例として図９（ｂ）に示すように、先端側から基端側に向かって先細りとなっている形状を有する第２誘電体３３Ｂを第１誘電体３１と接続させて誘電性部材４３を形成させることもできる。第２誘電体３３Ｂが備える外表面４１Ｂの径は、外部導体２９の径より長くなるように構成されている。すなわち外表面４１Ｂは外表面４１および外表面４１Ａと比べて広い面積の平面を有している。よって、第２誘電体３３Ｂを備えるプラズマ発生部７を用いてプラズマ処理を行うことで、ワークＷにおけるより広い範囲に対してプラズマ処理を行うことができる。従って、プラズマ処理装置１におけるプラズマ処理効率をより向上できる。

【0060】

図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、実施例１に係るプラズマ発生部７はプラズマを発生させる範囲やプラズマ処理の用途に応じて、外表面４１の形状がそれぞれ異なる第２誘電体３３、３３Ａ、３３Ｂなどを適宜換装できる。そのため、プラズマ発生部７の汎用性をより高めることができる。

【0061】

外部導体２９の先端部における外周面にはリング状のストッパ４０が設けられている。図１および図４に示すように、接続プレート１５に設けられている貫通孔２７にプラズマ発生部７を嵌合させることによって、外部導体２９の外周部に設けられているストッパ４０が接続プレート１５の外表面に当接する。ストッパ４０が接続プレート１５に当接することで、プラズマ処理部９に接続されたプラズマ発生部７の姿勢を安定に維持できる。

【0062】

マイクロ波供給口３５は外部導体２９の基端部に配設されており、マイクロ波供給ケーブル５を第１誘電体３１へと案内させる。実施例１ではＴＭモードのマイクロ波を伝搬させるので、マイクロ波供給口３５は導波管である外部導体２９の基端側（底面）において軸方向に延出するように構成されている。すなわちマイクロ波供給口３５は、外部導体２９の隔壁３６をｘ方向へ貫通するように配置されている。マイクロ波ケーブル５はマイクロ波供給口３５の内部を経由して第１誘電体３１の凹部３７へ案内され、凹部３７の延出方向（実施例１ではｘ方向）へ挿入されて第１誘電体３１に接続される。

【0063】

実施例１ではマイクロ波供給ケーブル５と第１誘電体３１との接続部において、凹部３７はインピーダンスを整合させる空隙部として作用する。すなわち凹部３７は、マイクロ波が入力（供給）される方向について比誘電率の変化を緩和させることで、より好適にインピーダンスを整合させる。ここで図６および図７を用いることで、第１誘電体３１に凹部３７を形成させ、凹部３７を介してマイクロ波供給ケーブル５を第１誘電体３１に接続させる構成の効果について説明する。

【0064】

図６の各図は第１誘電体３１が凹部３７を有しない比較例の構成を示しており、図７の各図は第１誘電体３１が凹部３７を有する実施例１の構成を示している。なお図６に示す比較例に係るプラズマ発生部については符号７Ｆを付し、実施例１に係るプラズマ発生部７と区別する。

【0065】

図６（ａ）は比較例に係るプラズマ発生部７Ｆの基端部を示す縦断面図であり、図６（ｂ）はマイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。図６（ａ）に示すように、凹部３７を有しない比較例の構成において、マイクロ波供給ケーブル５は筒状部材である第１誘電体３１の底面に当接することで両者は接続される。この場合、マイクロ波供給ケーブル５の周囲に存在する媒体は一般的に空気である。そして空気の比誘電率（比誘電率ε）は１．０であるので、マイクロ波が入力される方向であるｘ方向について、マイクロ波供給ケーブル５が延びる領域Ｒ１では、図６（ｂ）に示すようにε＝１．０となる。なお、マイクロ波供給ケーブル５の周囲に存在する媒体が空気と異なる物質である場合、当該媒体の比誘電率に応じて領域Ｒ１における比誘電率は変化する。

【0066】

一方で、第１誘電体３１を構成する酸化アルミニウムの比誘電率は９．８である。そのためｘ方向において第１誘電体３１が配置される領域Ｒ２では、ε＝９．８となる。その結果、図６（ｂ）に示すように、マイクロ波供給ケーブル５と第１誘電体３１との接続部（領域Ｒ１と領域Ｒ２との境界部分）において、比誘電率が１．０から９．８へと急激に変化する。このようにマイクロ波が入力される方向について比誘電率が急激に変化すると、プラズマ発生部７Ｆにおいて入力側と出力側とのインピーダンスを整合させることが比較的困難となる。

【0067】

このような凹部３７を有しない構成に対し、凹部３７を有するプラズマ発生部７では、マイクロ波が入力される方向であるｘ方向について３つの領域に分割される。図７（ａ）は実施例１に係るプラズマ発生部７の基端部を示す縦断面図であり、図７（ｂ）はマイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。凹部３７を備えるプラズマ発生部７は、マイクロ波供給ケーブル５が延びる領域Ｒ１と、第１誘電体３１のうち凹部３７が延在していない領域Ｒ２と、第１誘電体３１のうち凹部３７が延在している領域Ｒ３とに分けられる。凹部３７が配置されている領域Ｒ３は、領域Ｒ１と領域Ｒ２との間に存在する領域となる。

【0068】

図７において、領域Ｒ１ではマイクロ波供給ケーブル５の周囲に存在する媒体は空気である。そのため、図７においても図６と同様に領域Ｒ１における比誘電率は１．０である。また領域Ｒ２において、第１誘電体３１が外部導体２９の内部を充填している。そのため、図６と同様に図７のプラズマ発生部７についても、領域Ｒ２における比誘電率は第１誘電体３１を構成する材料（ここでは酸化アルミニウム）の比誘電率に相当する。すなわち領域Ｒ２における比誘電率は９．８である。

【0069】

ここで、凹部３７が形成されている領域Ｒ３における比誘電率は、領域Ｒ１における比誘電率より高く、かつ領域Ｒ２における比誘電率より低い。すなわち領域Ｒ３では、外部導体２９の径方向（ｙ方向）において、凹部３７を充填する媒体（空気）と、第１誘電体３１を構成する材料（酸化アルミニウム）とが混在している。その結果、領域Ｒ３における比誘電率ε３は、空気の比誘電率１．０と酸化アルミニウムの比誘電率９．８との間の値となる。領域Ｒ３において凹部３７が配置される部分と第１誘電体３１が配置される部分との比を調整することにより、比誘電率ε３の具体的な値を任意の値に定めることができる。

【0070】

その結果、図７（ｂ）に示すように、マイクロ波供給ケーブル５が凹部３７に挿入される部分（領域Ｒ１と領域Ｒ３との境界部分）において、比誘電率が１．０からε３へと変化する。そして凹部３７に挿入されたマイクロ波供給ケーブル５と第１誘電体３１との接続部（領域Ｒ３と領域Ｒ２との境界部分）において、比誘電率がε３から９．８へと変化する。１．０とε３との差、および９．８とε３との差は、いずれも９．８と１．０との差より小さい。すなわち凹部３７を備える構成では、凹部３７が設けられている領域Ｒ３が比誘電率の変化を緩衝する領域として作用し、マイクロ波入力方向について比誘電率は緩やかに変化する。

【0071】

このように凹部３７を備える構成ではマイクロ波が入力される方向について比誘電率の変化を緩和できる。すなわち緩衝領域に相当する領域Ｒ３を設けることによって比誘電率の急激な変化を防止できるので、実施例１に係るプラズマ発生部７では入力側と出力側とのインピーダンスを整合させることがより容易となる。実施例１において、凹部３７は本発明における比誘電率緩衝部に相当する。

【0072】

＜動作の説明＞
ここで、プラズマ処理装置１の動作について説明する。まずは図示しないワーク搬送機構を用いて開閉扉２５からワークＷをチャンバ１１の内部へと搬入させ、ワーク保持部１３に載置させる。ワーク保持部１３は、吸着保持などの方法によってワークＷを安定に保持する。そしてワーク保持部１３を適宜移動させ、ワークＷにおいてプラズマ処理を行う領域をプラズマ発生部７の外表面４１へと近接させる。

【0073】

ワークＷを外表面４１に近接させることによってワークＷの配置が完了すると、チャンバ１１の内部空間Ｌを調整する。すなわち、制御機構は開閉扉２５を閉じてチャンバ１１を密閉状態にした後、電磁バルブ１６を開いて排気装置１９を作動させる。排気装置１９が作動することにより、チャンバ１１の内部空間Ｌに滞留していた空気が排気される。

【0074】

チャンバ１１の内部空間Ｌを排気させた後、制御機構は電磁バルブ１６を閉じるとともに電磁バルブ２０を開いて気体供給装置２３を作動させる。気体供給装置２３が作動することにより、チャンバ１１の内部空間Ｌへ励起用のガスＧが供給される。

【0075】

チャンバ１１の内部空間ＬへガスＧが供給されると、マイクロ波発生部５を作動させてマイクロ波を発振させる。発振されたマイクロ波はマイクロ波供給ケーブル５によってプラズマ発生部７へと供給される。供給されたマイクロ波は、接続機構３５において第１誘電体３１へ伝搬される。すなわち凹部３７に挿入されているマイクロ波供給ケーブル５から第１誘電体３１の基端部へとマイクロ波が伝搬される。

【0076】

このとき、第１誘電体３１に形成された凹部３７にマイクロ波供給ケーブル５を挿入させることにより、マイクロ波の入力方向における比誘電率の変化が緩和されている。そのため、マイクロ波のインピーダンスはより好適に調整されるので、不要な反射電力が発生することをより確実に防止できる。

【0077】

第１誘電体３１の基端部に供給されたマイクロ波は第１誘電体３１の内部を伝搬する。すなわちマイクロ波は第１誘電体３１が延びるｘ方向へ伝搬し、第１誘電体３１の先端部から第２誘電体３３の基端部へと伝搬される。第２誘電体３３の基端部に伝搬されたマイクロ波は、第２誘電体３３の外表面４１へと伝搬される。第２誘電体３３がマイクロ波の供給を受けると、チャンバ１１の内部空間Ｌのうち外表面４１の周囲においてガスＧが励起されてプラズマが発生する。プラズマ発生部７によって発生したプラズマにより、外表面４１に近接配置されていたワークＷが所定の処理を受ける。ワークＷに対するプラズマ処理が完了した後、制御機構は開閉扉２５を開状態にしてワークＷをチャンバ１１から搬出させ、ワークＷのプラズマ処理に関する一連の工程が終了する。

【0078】

＜実施例１の構成による効果＞
実施例１に係るプラズマ処理装置１では、プラズマ発生部７は全体として導波管構造を有しており、導波管である外部導体２９の内部には誘電性材料で構成される第１誘電体３１が配設されている。そして、第１誘電体３１と第１誘電体３１に接続されている第２誘電体３３を用いてマイクロ波を基端部から先端部へと伝搬させる。すなわち実施例１に係るプラズマ発生部７は外部導体２９の内部に導電体を有していないので、絶縁距離を長くとることができる。

【0079】

ここで従来の装置と比較しつつ、実施例１の構成による効果について説明する。従来のプラズマ発生装置１００は同軸管構造を用いている。すなわちプラズマ発生装置１００では図１７に示すように、外部導体に相当するアウターシールド１０２の内部に導電体である中央コア１０１が配設されている。そのため、従来のプラズマ発生装置１００の絶縁距離Ｐ１はアウターシールド１０２から中央コア１０１までの距離に相当するので、当該絶縁距離Ｐ１はアウターシールド１０２の内径の半分より短い距離となる。その結果、アウターシールド１０２の径に比べて絶縁距離Ｐ１が短くなるので、プラズマ発生装置１００において絶縁破壊が発生しやすくなる。絶縁破壊を回避すべく絶縁距離Ｐ１を長くとるにはアウターシールド１０２の径を長くする必要があるので、プラズマ発生装置１００の大型化を回避することは困難となる。

【0080】

また従来の装置において絶縁破壊を回避する他の方法としては、供給するマイクロ波の出力を低減させる方法が挙げられる。しかしながらマイクロ波の出力を低減させると、プラズマ発生装置１００におけるプラズマの出力が低下するので、プラズマ発生装置１００を用いたプラズマ処理の効率が低下するという問題が発生する。

【0081】

その一方、実施例１に係るプラズマ処理装置１では誘電性材料で構成される第１誘電体３１および第２誘電体３３を用いてマイクロ波を先端部へと伝搬させる。すなわち図２などに示すように、外部導体２９の内部に導電体を配設する必要がないので、プラズマ発生部７の絶縁距離Ｐ２は外部導体２９の内径に相当する。つまり従来の装置と比べて、実施例１に係るプラズマ発生部７は外部導体２９の内径が同じであっても絶縁距離を２倍以上の長さに確保できる。そのため絶縁破壊を回避しつつ、外部導体２９のコンパクト化を実現できる。

【0082】

またプラズマ発生部７では高出力のマイクロ波をプラズマ発生部７へ供給しつつ絶縁破壊を回避できるので、プラズマ発生部７におけるプラズマの出力を向上できる。よって、絶縁破壊を防止しつつプラズマ処理装置１におけるプラズマ処理効率を向上できる。

【0083】

特に、主要な伝搬モードであるＴＥ１１モードまたは第１高次モードであるＴＭ０１モードだけでマイクロ波を伝搬させる場合、誘電体材料で構成される第１誘電体３１を外部導体２９の内部に配設して、外部導体２９を径方向に小さくする必要がある。よって、実施例１に係る構造を備えることにより、絶縁破壊を防止しつつ、マイクロ波を主要な伝搬モードまたは第１高次モードだけで伝搬させることが可能となる。

【0084】

また、実施例１に係るプラズマ発生部７では、マイクロ波を基端側から先端側へ伝搬させる第１誘電体３１は外部導体２９の内部を充填する構成となっている。このような構成を有することにより、プラズマ発生部７における熱の蓄積を防止できる。以下、図８を用いて従来例と比較しつつ、実施例１の構成において熱の蓄積を防止する効果について説明する。

【0085】

従来のプラズマ発生装置１００では図１７に示すように、中央コア１０１の側面とアウターシールド１０２との間には空気を例とする伝搬媒体１０３が配置されている。そのため、中央コア１０１は基端部のみにおいて外部導体に相当するアウターシールド１０２と接する構成となる。よって、従来のプラズマ発生装置１００では中央コア１０１とアウターシールド１０２との接触面積が非常に狭くなる。

【0086】

このような従来のプラズマ発生装置１００では、中央コア１０１において発生した熱を外部へと逃がすことが困難である。中央コア１０１の大部分と接している伝搬媒体１０３は一般的に空気であり、熱伝導性が低い。すなわち図８（ａ）に示すように、マイクロ波を伝搬する中央コア１０１において発生した熱Ｈは、アウターシールド１０２に伝導されてプラズマ発生装置１００の外部へと放出される。しかしながら従来のプラズマ発生装置１００では中央コア１０１とアウターシールド１０２との接触面積が狭いので、熱Ｈの排出効率は非常に低くなる。その結果、中央コア１０１において発生した熱がアウターシールド１０２の内部で蓄積して容易に高熱化する。よって、プラズマ発生装置１００へ供給するマイクロ波の出力が低い場合であっても、高熱化に起因する問題が容易に発生することとなる。

【0087】

その一方、実施例１に係るプラズマ発生部７では外部導体２９の内部を第１誘電体３１が充填している。すなわちマイクロ波を伝搬させる第１誘電体３１は外周面全体にわたって外部導体２９と接しているので、第１誘電体３１と外部導体２９との接触面積が非常に広くなる。よって図８（ｂ）に示すように、第１誘電体３１において発生する熱Ｈは広範囲にわたって外部導体２９へと伝導されてプラズマ発生部７の外部へと放出される。その結果、プラズマ発生部７の排熱効率を大きく向上できるので、外部導体２９の内部において熱が蓄積することをより確実に防止できる。従って、高出力のマイクロ波をプラズマ発生部７へ供給しつつプラズマ発生部７の高熱化を回避できるので、プラズマ発生部７におけるプラズマの出力を向上できる。

【0088】

さらに、実施例１に係るプラズマ発生部７では第１誘電体３１の熱Ｈは外部導体２９の全体にわたって伝導されるので、外部導体２９の外部に冷却部材を配置させることで第１誘電体３１を迅速に冷却できる。一例として、外部導体２９を水冷することで第１誘電体３１を迅速に冷却できる。よって、プラズマ発生部７における排熱効率をより向上させることができるとともに、容易にプラズマ発生部７の排熱を行うことができる。

【0089】

さらに実施例１に係るプラズマ発生部７では外表面４１の形状を適宜変更できるので、プラズマ処理の汎用性を向上できる。同軸管構造を有している従来のプラズマ発生装置１００において、誘電体１０７の外表面１０９はインピーダンスの整合性の観点から、基端側から先端側に向かって先細りとなるテーパ状である必要がある。すなわち従来のプラズマ発生装置１００では外表面１０９の形状が限定されているのでプラズマ処理の汎用性が低い。また誘電体１０７をテーパ状にすることで、外表面１０９の最先端部の面積が狭くなる。その結果、ワークＷに対して一度にプラズマ処理を実行できる面積が狭くなるのでプラズマ処理の効率が低下する。

【0090】

一方、実施例１に係るプラズマ発生部７は全体として導波管構造を有しているので、誘電性部材４３の先端部がテーパ状以外の形状であってもインピーダンスを整合させることができる。よって、誘電性部材４３の先端部（第２誘電体３３の先端部）について、円柱状または先端側に向かって先太りとなる形状を例とする、様々な形状とすることができる。すなわち実施例１に係るプラズマ発生部７ではインピーダンスの整合をとりつつ、プラズマ処理を行う範囲や用途に応じて誘電性部材４３の先端部を適宜変更させることができるので、プラズマ発生部７の汎用性を向上できる。

【0091】

なお従来のプラズマ発生装置１００では、アウターシールド１０２の先端側のみに誘電体１０７が配置されている。そのため、インピーダンスをより好適に整合させるには誘電体１０７の先端側における外表面１０９のみならず基端側における外表面１１０についてもテーパ状に加工する必要がある。一方、実施例１に係るプラズマ発生部７では外部導体２９の内部を第１誘電体３１で充填しているので、外部導体２９の内部において第１誘電体３１をテーパ状に加工することなくインピーダンスを好適に整合させることができる。すなわちプラズマ発生部７では誘電体部材４３の両面をテーパ状に加工する必要がないので、インピーダンス整合効率を確保しつつ、プラズマ発生部７の製造コストを低減させることができる。

【実施例0092】

次に、本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１で説明したプラズマ処理装置１と同一構成については同一符号を付すに留め、異なる構成部分について詳述する。実施例２に係るプラズマ発生部７Ａは、マイクロ波供給ケーブル５が接続される部分の構成において、実施例１に係るプラズマ発生部７と相違する。

【0093】

実施例２に係るプラズマ発生部７Ａにおいて、第１誘電体３１は図１０に示すように、凹部３７の代わりに接続部材４５を備えている。接続部材４５は、第１誘電体３１とマイクロ波供給ケーブル５が接続する部分に配設されている。実施例２において、接続部材４５は第１誘電体３１の基端側に配設されているものとする。実施例２では接続部材４５の径と第１誘電体３１の径とが同じである構成を例示しているが、接続部材４５の径は第１誘電体３１の径より小さい構成であってもよい。一例として図２に示されている凹部３７の径と同程度の径を接続部材４５が備えていてもよい。

【0094】

接続部材４５は、第１誘電体３１よりも比誘電率が低い誘電性材料で構成される。一例として第１誘電体３１が酸化アルミニウム（ε＝９．８）で構成されている場合、接続部材４５の構成材料として石英（ε＝３．７８）が挙げられる。また接続部材４５は、マイクロ波供給ケーブル５の周囲に存在する媒体よりも比誘電率が高い誘電性材料で構成される。実施例２では実施例１と同様、マイクロ波供給ケーブル５の媒体は空気（ε＝１．０）であるので、実施例２における第１誘電体３１の構成材料として石英は好ましい誘電性材料の一例となる。

【0095】

実施例２ではマイクロ波供給ケーブル５と第１誘電体３１との接続部において、接続部材４５は比誘電率の変化が緩和する領域となる。すなわち接続部材４５は、マイクロ波が入力される方向について比誘電率の変化を緩和させることで、より好適にインピーダンスを整合させる。ここで図６および図１１を用いることで、接続部材４５を介してマイクロ波供給ケーブル５を第１誘電体３１に接続させる構成の効果について説明する。

【0096】

図６（ａ）に示すように、接続部材４５を備えることなくマイクロ波供給ケーブル５を第１誘電体３１に接続させる構成では比誘電率が急激に変化する。すなわちマイクロ波供給ケーブル５の周囲に存在する媒体は空気である。そのため図６（ｂ）に示すように、マイクロ波が入力される方向であるｘ方向について、マイクロ波供給ケーブル５が延びる領域Ｒ１では比誘電率εが１．０である。一方、第１誘電体３１は酸化アルミニウムで構成されているので、第１誘電体３１が配置される領域Ｒ２では比誘電率εが９．８となる。その結果、マイクロ波供給ケーブル５と第１誘電体３１との接続部（領域Ｒ１と領域Ｒ２との境界部分）において、比誘電率が１．０から９．８へと急激に変化する。

【0097】

一方、接続部材４５を有するプラズマ発生部７Ａでは、マイクロ波が入力される方向であるｘ方向について３つの領域に分割される。図１１（ａ）は実施例２に係るプラズマ発生部７Ａの基端部を示す縦断面図であり、図１１（ｂ）はマイクロ波の入力方向における比誘電率の変化を示すグラフ図である。凹部３７を備えるプラズマ発生部７は、マイクロ波供給ケーブル５が延びる領域Ｒ１と、第１誘電体３１が配置される領域Ｒ２と、接続部材４５が配置される領域Ｒ３とに分けられる。

【0098】

図１１において、領域Ｒ１ではマイクロ波供給ケーブル５の周囲に存在する媒体は空気であるので、図１１（ｂ）に示すように領域Ｒ１における比誘電率は１．０である。また領域Ｒ２において、第１誘電体３１が外部導体２９の内部を充填している。そのため領域Ｒ２における比誘電率は、第１誘電体３１を構成する材料（ここでは酸化アルミニウム）の比誘電率である９．８に相当する。そして領域Ｒ３における比誘電率は、接続部材４５を構成する材料（ここでは石英）の比誘電率である３．７８に相当する。

【0099】

その結果、図１１（ｂ）に示すように、マイクロ波供給ケーブル５が接続部材４５に接続される部分（領域Ｒ１と領域Ｒ３との境界部分）において、比誘電率が１．０から３．７８へと変化する。そして接続部材４５と第１誘電体３１との接続部（領域Ｒ３と領域Ｒ２との境界部分）において、比誘電率が３．７８から９．８へと変化する。すなわち比誘電率が第１誘電体３１より低くマイクロ波供給ケーブル５の周囲にある媒体より高い材料で構成される接続部材４５を備える構成では、接続部材４５が設けられている領域Ｒ３が比誘電率の変化を緩衝する領域として作用し、マイクロ波の入力方向について比誘電率は緩やかに変化する。

【0100】

このように接続部材４５を備える実施例２の構成では凹部３７を備える実施例１の構成と同様に、マイクロ波が入力される方向について比誘電率の変化を緩和できる。すなわち緩衝領域に相当する領域Ｒ３を設けることによって比誘電率の急激な変化を防止できるので、実施例２に係るプラズマ発生部７Ａでは入力側と出力側とのインピーダンスを整合させることがより容易となる。実施例２において、接続部材４５は本発明における比誘電率緩衝部に相当する。実施例２に係るプラズマ発生部７Ａを備えるプラズマ処理装置１の動作は実施例１と共通するので、動作に関する説明は省略する。