特開 2024-3642 電子部品およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024003642

(43)【公開日】2024-01-15

(54)【発明の名称】電子部品およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240105BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20240105BHJP

   H03H 9/64 20060101ALI20240105BHJP

   H03H 9/72 20060101ALI20240105BHJP

   H03H 3/02 20060101ALI20240105BHJP

   H03H 9/17 20060101ALI20240105BHJP

   H03H 9/02 20060101ALI20240105BHJP

   H03H 9/54 20060101ALI20240105BHJP

   H03H 9/70 20060101ALI20240105BHJP

   H01L 23/06 20060101ALI20240105BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

H03H3/08

H03H9/64 Z

H03H9/72

H03H9/25 C

H03H3/02 B

H03H9/17 F

H03H9/02 A

H03H9/54 Z

H03H9/70

H01L23/06 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022102923

(22)【出願日】2022-06-27

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】丸屋 優樹

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】岩渕 亮太

【テーマコード（参考）】

5J097

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J097AA24

5J097AA29

5J097BB02

5J097BB11

5J097BB15

5J097EE08

5J097FF04

5J097GG03

5J097GG04

5J097HA04

5J097HA07

5J097HA08

5J097JJ06

5J097JJ07

5J097KK10

5J108AA07

5J108BB08

5J108GG03

5J108GG07

5J108GG14

5J108GG15

5J108KK04

5J108MM01

(57)【要約】

【課題】リッドの撓みを抑制することが可能な電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、基板１０と、基板１０上に設けられた機能素子と、基板１０上方に設けられたリッド２０と、リッド２０と基板１０とを接合し、リッド２０とで機能素子を空隙２６に封止し、基板１０に接合する第１領域３３における基板１０の中心３７側の第１端３４ａとリッド２０に接合する第２領域３５における基板１０の中心３７側の第２端３６ａとの平面視における第１距離Ｌ２は、第１領域３３における基板１０の中心３７の反対側の第３端３４ｂと第２領域３５における基板１０の中心３７の反対側の第４端３６ｂとの平面視における第２距離Ｌ４より大きく、第１端３４ａと第２端３６ａとの間の位置における厚さは、第１端３４ａにおける厚さより小さく第２端３６ａにおける厚さより大きい環状層とを備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられた機能素子と、
前記基板上方に設けられたリッドと、
前記リッドと前記基板とを接合し、前記リッドとで前記機能素子を空隙に封止し、前記基板に接合する第１領域における前記基板の中心側の第１端と前記リッドに接合する第２領域における前記基板の前記中心側の第２端との平面視における第１距離は、前記第１領域における前記基板の前記中心の反対側の第３端と前記第２領域における前記基板の前記中心の反対側の第４端との平面視における第２距離より大きく、前記第１端と前記第２端との間の位置における厚さは、前記第１端における厚さより小さく前記第２端における厚さより大きい環状層と、
を備える電子部品。

【請求項2】

前記第１距離は、前記基板の前記中心と前記第１端との平面視における第３距離の０．１倍以上かつ０．７倍以下である請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記第１距離は前記第２距離の２．５倍以上である請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記第２領域の前記環状層が延びる方向に直交する方向における幅は前記第１領域の前記直交する方向における幅の２倍以上である請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項5】

前記環状層の厚さは前記第１端から前記第２端に向かうにしたがい徐々に小さくなる請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項6】

前記環状層の前記空隙側の面は前記リッドの方に凹む曲面である請求項５に記載の電子部品。

【請求項7】

前記リッドは、強磁性元素を含む請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項8】

前記環状層は金属層である請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項9】

前記基板と前記リッドとに接合し、平面視において前記空隙に囲まれた柱状体を備える請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項10】

前記機能素子は弾性波素子である請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項11】

請求項１０に記載の電子部品を備えるフィルタ。

【請求項12】

請求項１１に記載のフィルタを備えるマルチプレクサ。

【請求項13】

表面に機能素子が設けられた基板上に、前記機能素子を覆い、前記機能素子を囲む前記基板の環状領域に設けられておらず、周縁領域の厚さが内側に行くにしたがい小さくなり、前記周縁領域における表面が外側に膨らむ曲面である犠牲層を形成する工程と、
前記基板および前記犠牲層上に、前記基板の前記環状領域の少なくとも前記機能素子側の領域から前記犠牲層の前記周縁領域にかけて開口を有し、前記犠牲層の中央領域に設けられるマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の開口内に前記基板に接合する環状層を形成する工程と、
前記マスク層および前記犠牲層を除去する工程と、
前記環状層とで前記機能素子を空隙に封止するリッドを前記環状層に接合する工程と、
を含む電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサに関する。

【背景技術】

【0002】

基板上に弾性波素子等の機能素子を設け、機能素子を囲むように基板上に環状層を設け、環状層上にリッドを接合することで、リッドと環状層により機能素子を空隙に封止する電子部品が知られている。環状層内の空隙に囲まれ、基板とリッドとを接続する柱状体を設けることが知られている（例えば特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－５２３５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

リッドに圧力が加わったときにリッドが撓み、リッドと機能素子との距離が近づくと、機能素子の特性が劣化する。特許文献１のように柱状体を設けることで、リッドの撓みを抑制できる。しかしながら、柱状体を設けると、基板の上面に機能素子を設ける領域を設けるため電子部品が大型化する。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、リッドの撓みを抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた機能素子と、前記基板上方に設けられたリッドと、前記リッドと前記基板とを接合し、前記リッドとで前記機能素子を空隙に封止し、前記基板に接合する第１領域における前記基板の中心側の第１端と前記リッドに接合する第２領域における前記基板の前記中心側の第２端との平面視における第１距離は、前記第１領域における前記基板の前記中心の反対側の第３端と前記第２領域における前記基板の前記中心の反対側の第４端との平面視における第２距離より大きく、前記第１端と前記第２端との間の位置における厚さは、前記第１端における厚さより小さく前記第２端における厚さより大きい環状層と、を備える電子部品である。

【0007】

上記構成において、前記第１距離は、前記基板の前記中心と前記第１端との平面視における第３距離の０．１倍以上かつ０．７倍以下である構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記第１距離は前記第２距離の２．５倍以上である構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記第２領域の前記環状層が延びる方向に直交する方向における幅は前記第１領域の前記直交する方向における幅の２倍以上である構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記環状層の厚さは前記第１端から前記第２端に向かうにしたがい徐々に小さくなる構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記環状層の前記空隙側の面は前記リッドの方に凹む曲面である構成とすることができる。

【0012】

上記構成において、前記リッドは、強磁性元素を含む構成とすることができる。

【0013】

上記構成において、前記環状層は金属層である構成とすることができる。

【0014】

上記構成において、前記基板と前記リッドとに接合し、平面視において前記空隙に囲まれた柱状体を備える構成とすることができる。

【0015】

上記構成において、前記機能素子は弾性波素子である構成とすることができる。

【0016】

本発明は、上記電子部品を備えるフィルタである。

【0017】

本発明は、上記フィルタを備えるマルチプレクサである。

【0018】

本発明は、表面に機能素子が設けられた基板上に、前記機能素子を覆い、前記機能素子を囲む前記基板の環状領域に設けられておらず、周縁領域の厚さが内側に行くにしたがい小さくなり、前記周縁領域における表面が外側に膨らむ曲面である犠牲層を形成する工程と、前記基板および前記犠牲層上に、前記基板の前記環状領域の少なくとも前記機能素子側の領域から前記犠牲層の前記周縁領域にかけて開口を有し、前記犠牲層の中央領域に設けられるマスク層を形成する工程と、前記マスク層の開口内に前記基板に接合する環状層を形成する工程と、前記マスク層および前記犠牲層を除去する工程と、前記環状層とで前記機能素子を空隙に封止するリッドを前記環状層に接合する工程と、を含む電子部品の製造方法である。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、リッドの撓みを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図および平面図である。

【図2】図２は、実施例１における弾性波素子の平面図である。

【図3】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。

【図4】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。

【図5】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。

【図6】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。

【図7】図７は、実施例１における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。

【図8】図８（ａ）および図８（ｂ）は、シミュレーション１におけるマルチプレクサの通過特性を示す図である。

【図9】図９（ａ）および図９（ｂ）は、シミュレーション２における弾性波デバイスの断面図である。

【図10】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、シミュレーション２の結果を示す図である。

【図11】図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係る弾性波デバイスの断面図である。

【図12】図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。

【図13】図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係る弾性波デバイスの断面図である。

【図14】図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの断面図および平面図である。

【図15】図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例１の変形例４に係る弾性波デバイスの断面図および平面図である。

【図16】図１６（ａ）は、実施例１の変形例５に係る弾性波デバイスの断面図、図１６（ｂ）は、実施例１の変形例５における弾性波素子の断面図である。

【図17】図１７（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１７（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

【実施例0022】

実施例１は、電子部品として、機能素子として弾性波素子を有する弾性波デバイスの例である。図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図および平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ－Ａ断面に相当する。図１（ｂ）では、弾性波素子１２、金属層１４、ビア配線１６および端子１８の図示を省略している。図１（ａ）と図１（ｂ）との各部材の寸法は必ずしも対応していない。基板１０の厚さ方向をＺ方向、基板１０の平面方向をＸ方向およびＹ方向とする。

【0023】

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０は、支持基板１０ａと、支持基板１０ａ上に設けられた圧電層１０ｃと、支持基板１０ａと圧電層１０ｃとの間に設けられた絶縁層１０ｂと、を備えている。圧電層１０ｃ上に機能素子として弾性波素子１２および金属層１４が設けられている。弾性波素子１２は例えば弾性表面波素子である。金属層１４は、弾性波素子１２に電気的に接続された配線およびパッドとして機能する。基板１０の周縁領域および基板１０のビア配線１６が設けられた領域において、圧電層１０ｃおよび絶縁層１０ｂが除去されており、基板１０の上面は支持基板１０ａの上面である。ビア配線１６は、支持基板１０ａを貫通する。基板１０の下面に端子１８が設けられている。ビア配線１６は金属層１４と端子１８とを交流または直流で電気的に接続する。

【0024】

基板１０の周縁部における支持基板１０ａ上に、弾性波素子１２を囲むように環状層３０が設けられている。環状層３０は、基板１０上に設けられた金属層３０ａと金属層３０ａ上に設けられた金属層３０ｂとを備える。環状層３０とリッド２０とは接合層２４により接合されている。リッド２０および環状層３０は、弾性波素子１２を空隙２６に封止する。環状層３０が金属層であり、リッド２０が金属板の場合、環状層３０にビア配線を介しグランド電位を供給することで、環状層３０およびリッド２０はシールドとして機能する。

【0025】

環状層３０が基板１０（支持基板１０ａ）に接合する領域は領域３３であり、環状層３０がリッド２０に接合する領域は領域３５である。領域３５は、接合層２４を挟み環状層３０とリッド２０とが対向する領域である。領域３３の内側（すわなち基板１０の中心３７側）の端は端３４ａであり、外側（すなわち基板の中心３７の反対側）の端は３４ｂである。領域３５の内側の端は端３６ａであり、外側の端は３６ｂである。環状層３０の内側の面は３８ａであり、外側の面は３８ｂである。面３８ａは、環状層３０側に凹むような曲面である。環状層３０のうち端３４ａと端３６ａとの間の部分は突き出し部分３１である。面３８ｂは支持基板１０ａの上面に対しほぼ垂直または若干傾斜している。平面視において、端３６ｂと端３４ｂとはほぼ一致する。

【0026】

支持基板１０ａは、例えばサファイア基板、アルミナ基板、石英基板、水晶基板、スピネル基板、ＳｉＣ基板またはシリコン基板である。絶縁層１０ｂは、例えば酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化シリコン層もしくは窒化アルミニウム層の単層またはこれらの層の積層である。圧電層１０ｃは、例えば単結晶タンタル酸リチウム基板、単結晶ニオブ酸リチウム基板または単結晶水晶基板等の圧電基板である。単結晶タンタル酸リチウム基板および単結晶ニオブ酸リチウム基板は、例えば回転ＹカットＸ伝搬基板である。金属層１４、ビア配線１６および端子１８は、例えば銅層、金層、銀層、チタン層、ニッケル層、タングステン層等の金属層の単層またはこれらの層の積層である。リッド２０は、例えばコバール等の金属層、または、例えばサファイア基板、アルミナ基板、石英基板、水晶基板、スピネル基板、ＳｉＣ基板またはシリコン基板等の絶縁層である。リッド２０の下面に別の機能素子が設けられていてもよい。この場合、別の機能素子は空隙２６に封止される。

【0027】

接合層２４は、例えば金錫はんだ、錫銀はんだまたは錫銀銅はんだである。金属層３０ａは、シールドとして機能させる場合には、抵抗率の低い材料を用いることが好ましく、例えば銅層または金層等である。金属層３０ｂは、接合層２４と金属層３０ａとの間の元素の拡散を抑制するためのバリア層であり、例えばニッケル層である。金属層３０ｂは設けられていなくてもよい。金属層３０ａの抵抗率は金属層３０ｂの抵抗率より低い。金属層３０ａの厚さは金属層３０ｂの厚さの例えば５倍以上である。環状層３０は樹脂層等の絶縁層でもよい。接合層２４とリッド２０とが接合しにくい場合、リッド２０の下面に接合層２４が接合しやすい金属層（例えば金層）を設けてもよい。

【0028】

図２は、実施例１における弾性波素子の平面図である。図２に示すように、弾性波素子１２は弾性表面波共振器またはＬａｍｂ波共振器である。圧電層１０ｃ上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０は圧電層１０ｃに弾性表面波を励振する。弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの一方の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチにほぼ等しい。すなわち、弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチの２倍にほぼ等しい。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜、銅膜またはモリブデン膜により形成される。圧電層１０ｃ上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。弾性波素子１２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を制限しないように、弾性波素子１２は空隙２６に覆われている。

【0029】

［実施例１の製造方法］
図３（ａ）から図７は、実施例１における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、支持基板１０ａ上に絶縁層１０ｂを形成する。絶縁層１０ｂ上に圧電層１０ｃを接合する。支持基板１０ａは例えばサファイア基板である。絶縁層１０ｂは例えば酸化アルミニウム層と酸化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層である。圧電層１０ｃは例えばタンタル酸リチウム層である。圧電層１０ｃ上に弾性波素子１２を形成する。基板１０の所定領域の圧電層１０ｃおよび絶縁層１０ｂを除去する。圧電層１０ｃおよび絶縁層１０ｂが除去された領域の支持基板１０ａにビア配線１６を形成する。基板１０および圧電層１０ｃ上に金属層１４を形成する。

【0030】

図３（ｂ）に示すように、支持基板１０ａ上に絶縁層１０ｂ、圧電層１０ｃ、弾性波素子１２および金属層１４を覆うように犠牲層５０を形成する。犠牲層５０は例えばフォトレジストである。図３（ｃ）に示すように、犠牲層５０に開口５１を形成する。犠牲層５０がフォトレジストの場合、開口５１は例えば露光および現像により形成する。開口５１は、基板１０において、弾性波素子１２を囲む領域５７に設けられる。犠牲層５０の中央領域５８では、犠牲層５０の厚さはほぼ一定であり、犠牲層５０の周縁領域５６では、犠牲層５０の表面は、内側に向かうにしたがい犠牲層５０の厚さが大きくなるような曲面である。例えば犠牲層５０がフォトレジストの場合、熱処理することにより犠牲層５０の表面が曲面となる。

【0031】

図４（ａ）に示すように、支持基板１０ａおよび犠牲層５０上にシード層３０ｃを形成する。シード層３０ｃはめっきのシードとなる層であり、例えば基板１０側からチタン層および銅層である。シード層３０ｃ上にマスク層５２を形成する。マスク層５２は例えばフォトレジストである。図４（ｂ）に示すように、マスク層５２に開口５３を形成する。開口５３は、領域５７から周縁領域５６にかけて設けられ、中央領域５８のマスク層５２は残存する。マスク層５２がフォトレジストの場合、開口５１は例えば露光および現像により形成する。

【0032】

図５（ａ）に示すように、シード層３０ｃから電流を供給し電界めっき法を用い開口５３内に金属層３０ａ、３０ｂおよび接合層２４を形成する。金属層３０ａは例えば銅層、金属層３０ｂは例えばニッケル層、接合層２４は例えば金錫層である。マスク層５２の側面が基板１０の上面の法線方向に対し傾斜している場合、環状層３０および接合層２４の側面の一部は基板１０の上面の法線方向に対し傾斜する。電界めっき法の条件により、金属層３０ａ、３０ｂおよび接合層２４の各々の上面の中央部が上方向に突出する曲面状となることもある。図５（ｂ）に示すように、マスク層５２を除去する。接合層２４および金属層３０ｂおよび３０ａをマスクにシード層３０ｃを除去する。これにより、金属層３０ａ、３０ｂおよびシード層３０ｃにより環状層３０が形成される。環状層３０の内側の面３８ａは犠牲層５０の開口５１に沿った曲面となり、環状層３０の外側の面３８ｂはマスク層５２の開口５３の側面に沿った面となる。図１（ａ）等ではシード層３０ｃの図示を省略している。

【0033】

図６（ａ）に示すように、接合層２４が融点以上の温度となるように、基板１０を加熱する。上方からリッド２０を接合層２４に押し当てる。接合層２４はリッド２０に接合する。リッド２０および環状層３０により、弾性波素子１２は空隙２６に封止される。リッド２０は例えばコバール層である。図６（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの下面を例えば研削または研磨する。これにより、支持基板１０ａが薄膜化し、ビア配線１６が支持基板１０ａの下面から露出する。支持基板１０ａの下面にビア配線１６に接続する端子１８を形成する。

【0034】

図７に示すように、リッド２０および基板１０を矢印５４のように切断する。切断には、レーザダイシング法またはブレードを用いたダイシング法を用いる。以上により、実施例１における弾性波デバイスが製造される。

【0035】

［シミュレーション１］
弾性波デバイスを、モールド樹脂を用い封止するときには、リッド２０に圧力が加わる。このように、リッド２０に圧力が加わるとリッドが撓み、リッド２０が弾性波素子１２に近づく。これにより、弾性波素子１２の特性が劣化することがある。弾性波素子１２を用いたマルチプレクサが圧電層１０ｃの上面に形成されている場合に、リッド２０と圧電層１０ｃとの距離を変え、マルチプレクサの特性をシミュレーションした。

【0036】

シミュレーション１では、マルチプレクサとして、ＬＴＥ（Long Term Evolution）のバンド７用の受信フィルタと送信フィルタを有するデュプレクサとした。受信フィルタおよび送信フィルタは圧電層１０ｃとしてタンタル酸リチウム層を用いた弾性表面波共振器を有するラダー型フィルタとした。リッド２０を厚さが２０μｍのコバール（鉄、ニッケルおよびコバルトの合金）とした。圧電層１０ｃの上面とリッド２０の下面との距離Ｄを３．８μｍ、８．８μｍおよび５８．８μｍとした。リッド２０はグランド電位として、リッド２０内の強磁性元素（鉄、ニッケルおよびコバルト）による影響も考慮した。

【0037】

図８（ａ）および図８（ｂ）は、シミュレーション１におけるマルチプレクサの通過特性を示す図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）の拡大図である。図８（ａ）および図８（ｂ）は、送信フィルタＴｘＦおよび受信フィルタＲｘＦの通過特性を示している。ＴｘＢはバンド７の送信帯域を示し、ＲｘＢはバンド７の受信帯域を示す。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、送信帯域ＴｘＢおよび受信帯域ＲｘＢは、それぞれ送信フィルタＴｘＦの通過帯域および受信フィルタＲｘＦの通過帯域と重なる。距離Ｄが５８．８μｍでは、送信フィルタＴｘＦおよび受信フィルタＲｘＦともに通過帯域の挿入損失は小さい。距離Ｄが８．８μｍとなると、送信フィルタＴｘＦおよび受信フィルタＲｘＦともに通過帯域内の挿入損失が大きくなりリップルＲｉが形成される。距離Ｄが３．８μｍとなると、送信フィルタＴｘＦおよび受信フィルタＲｘＦともに通過帯域内のリップルＲｉがより大きくなる。

【0038】

リッド２０がマルチプレクサに近づくと送信フィルタＴｘＦおよび受信フィルタＲｘＦともに通過帯域内の挿入損失が大きくなる理由としては、リッド２０の強磁性元素に起因する磁界の影響と考えられる。また、リッド２０とマルチプレクサとの間の寄生容量の影響も考えられる。

【0039】

シミュレーション１のように、リッド２０が強磁性元素を含む場合には、強磁性元素に起因した磁界の影響により、リッド２０が弾性波素子１２に近づくと弾性波素子１２の特性が劣化する。リッド２０が金属の場合には、リッド２０と弾性波素子１２との間の寄生容量により、リッド２０が弾性波素子１２に近づくと弾性波素子１２の特性が劣化する。また、リッド２０が弾性波素子１２に接触すると弾性波素子１２がショートする。リッド２０が絶縁体の場合には、リッド２０が弾性波素子１２に接触すると弾性波素子１２が破壊される可能性がある。

【0040】

［シミュレーション２］
リッド２０に圧力が加わった場合のリッド２０および環状層３０と圧電層１０ｃとの距離を、２次元有限要素法を用いシミュレーションした。図９（ａ）および図９（ｂ）は、シミュレーション２における弾性波デバイスの断面図である。図９（ａ）は、リッド２０に圧力を加える前を示し、図９（ｂ）は、リッド２０に圧力を加えた状態を示す。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、シミュレーション２では、基板１０およびリッド２０の中心３７を通る直線を鏡面条件とし、Ｘ方向における弾性波デバイスの半分の領域においてシミュレーションした。絶縁層１０ｂは設けられていない。

【0041】

図９（ａ）のように、リッド２０に圧力を加える前では、支持基板１０ａの厚さはＴ１０ａ、圧電層１０ｃの厚さはＴ１０ｃである。支持基板１０ａのＸ方向の長さ（支持基板１０ａの中心３７と支持基板１０ａの端との距離）はＬ０である。環状層３０が支持基板１０ａに接合する領域３３の幅はＷａである。環状層３０がリッド２０に接合する領域３５の幅はＷｂである。領域３３の中心３７側の端３４ａと中心３７とのＸ方向における距離はＬ１である。領域３３の中心３７側の端３４ａと領域３５の中心３７側の端３６ａとのＸ方向における距離（すなわち突き出し部分３１の幅）はＬ２である。端３４ａと圧電層１０ｃの＋Ｘ側の端３９との距離はＬ３である。金属層３０ａの端３４ａにおける厚さはＴａである。金属層３０ａの端３６ａにおける厚さはＴｂである。端３４ａと３６ａとの中点（端３４ａからＬ２／２の箇所）における金属層３０ａの厚さはＴｄである。金属層３０ｂ、接合層２４およびリッド２０の厚さは、それぞれＴ３０ｂ、Ｔ２４およびＴ２０である。中心３７における圧電層１０ｃの上面とリッド２０の下面とのギャップはＧ１ａである。端３６ａにおける圧電層１０ｃの上面と金属層３０ｂの下面とのギャップはＧ２ａである。圧電層１０ｃの端３９における圧電層１０ｃの上面と金属層３０ａの下面とのギャップはＧ３ａである。

【0042】

図９（ｂ）に示すように、矢印５５のようにリッド２０の上面に一様に圧力を加える。圧力により、リッド２０および環状層３０が変形する。変形後において、中心３７における圧電層１０ｃの上面とリッド２０の下面とのギャップはＧ１ｂである。端３６ａにおける圧電層１０ｃの上面と金属層３０ｂの下面とのギャップはＧ２ｂである。端３９における圧電層１０ｃの上面と金属層３０ａの下面とのギャップはＧ３ｂである。

【0043】

シミュレーション２での各部材の寸法および材料は以下である。
支持基板１０ａ：長さＬ０は４９２μｍ、厚さＴ１０ａは７５μｍ、材料は単結晶サファイア
圧電層１０ｃ：厚さＴ１０ｃは６μｍ、材料はタンタル酸リチウム、距離Ｌ３は１０．５μｍ
金属層３０ａ：厚さＴａが２７μｍ、幅Ｗａは２６μｍ、Ｌ１は４６６μｍ、材料は銅
金属層３０ｂ：厚さＴ３０ｂは２．５μｍ、材料はニッケル
接合層２４：厚さＴ２４は５μｍ、材料は金錫
リッド２０：長さＬ０は４９２μｍ、厚さＴ２０は３０μｍ、材料はコバール
金属層３０ａの面３８ａの断面は楕円の１／４となるようにした。

【0044】

各材料のヤング率、ポアソン比、体積弾性率およびせん断弾性係数を表１とした。

【表1】

【0045】

金属層３０ａの端３６ａにおける厚さＴｂを１μｍ、２μｍ、４μｍおよび６μｍと変化させ、距離比Ｌ２／Ｌ１を０．２から０．６５まで変え、シミュレーションを行った。リッド２０の上面に一様に加わる圧力を３ＭＰａ、中心３７を鏡面条件、領域３３を固定条件とし、弾性変形のみ考慮してシミュレーションを行った。領域３３を固定条件としているため、基板１０の変形は考慮されていない。

【0046】

図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、シミュレーション２の結果を示す図である。図１０（ａ）は、ギャップＧ１ａ、Ｇ１ｂおよびΔＧ１＝Ｇ１ａ－Ｇ１ｂを示し、図１０（ｂ）は、ギャップＧ２ａ、Ｇ２ｂおよびΔＧ２＝Ｇ２ａ－Ｇ２ｂを示し、図１０（ｃ）は、ギャップＧ３ａ、Ｇ３ｂおよびΔＧ３＝Ｇ３ａ－Ｇ３ｂを示す。空白の欄はシミュレーションを行っていない。

【0047】

図１０（ａ）に示すように、厚さＴｂのいずれの場合にも、Ｌ２／Ｌ１を大きくするとΔＧ１は小さくなる。すなわち、Ｌ２／Ｌ１を大きくするとリッド２０の変形後のリッド２０と圧電層１０ｃとのギャップＧ１ｂが大きくなる。いずれのＬ２／Ｌ１の場合でも、厚さＴｂを大きくすると、ΔＧ１は小さくなり、Ｇ１ｂは大きくなる。このように、ギャップＧ１ｂを大きくする観点から、Ｌ２／Ｌ１は大きく、厚さＴｂは大きい方がよい。リッド２０が強磁性元素を含む場合、シミュレーション１のように、ギャップＧ１ｂは大きい方がよい。例えばギャップＧ１ｂを１５μｍ以上とするためにはＬ２／Ｌ１は０．２５以上が好ましい。

【0048】

図１０（ｂ）に示すように、厚さＴｂのいずれの場合にも、Ｌ２／Ｌ１を大きくするとΔＧ２は大きくなり、ギャップＧ２ｂが小さくなる。いずれのＬ２／Ｌ１の場合でも、厚さＴｂを大きくすると、ΔＧ２は小さくなり、Ｇ２ｂは大きくなる。このように、ギャップＧ２ｂを大きくする観点から、Ｌ２／Ｌ１は小さく、厚さＴｂは大きい方がよい。これは、Ｌ２／Ｌ１が大きくなると、端３６ａの位置が中心３７に近づくためである。金属層３０ｂが強磁性元素を含む場合、シミュレーション１のように、ギャップＧ２ｂは大きい方がよい。例えばギャップＧ２ｂを１５μｍ以上とするためにはＬ２／Ｌ１は０．２５以上が好ましい。

【0049】

図１０（ｃ）に示すように、厚さＴｂのいずれの場合にも、Ｌ２／Ｌ１を大きくするとΔＧ３は大きくなり、ギャップＧ３ｂが小さくなる。いずれのＬ２／Ｌ１の場合でも、厚さＴｂを大きくすると、ΔＧ３は小さくなり、Ｇ３ｂは小さくなる。このように、ギャップＧ３ｂを大きくする観点から、Ｌ２／Ｌ１は小さく、厚さＴｂは小さい方がよい。これは、Ｌ２／Ｌ１が小さいときには、中心３７付近のリッド２０は大きく撓むものの端３９付近ではリッド２０は余り撓まず、Ｌ２／Ｌ１が大きいときには、中心３７付近のリッド２０は余り撓まないものの端３９付近ではリッド２０が撓むためと考えられる。さらに、圧力を加える前において、Ｌ２／Ｌ１が大きくなると、端３９のギャップＧ３ａが小さくなるためと考えられる。金属層３０ａが強磁性元素を含まない場合、金属層３０ａが圧電層１０ｃに接触しないためにはギャップＧ３ｂは０μｍより大きくなる。例えばギャップＧ３ｂを０μｍより大きくするためにはＬ２／Ｌ１は０．６０以下が好ましい。

【0050】

［実施例１の変形例１］
図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係る弾性波デバイスの断面図である。弾性波素子１２、金属層１４、ビア配線１６および端子１８の図示を省略している。図１１（ａ）に示すように、実施例１の変形例１では、突き出し部分３１において金属層３０ａの中心３７側の面３８ａは階段状である。突き出し部分３１のうち中心３７側の部分３１ｂの金属層３０ａの厚さはＴｂであり、突き出し部分３１のうち外側の部分３１ａの厚さはＴｃである。厚さＴｃは領域３３における金属層３０ａの厚さＴａより小さく、厚さＴｂより大きい。実施例１の変形例１のように、面３８ａは階段状でもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

【0051】

［実施例１の変形例２］
図１１（ｂ）に示すように、実施例１の変形例２では、突き出し部分３１における金属層３０ａの中心３７側の面３８ａは平面である。実施例１の変形例２のように、面３８ａは平面でもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

【0052】

［比較例１］
図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。リッド２０の上面に一様な圧力を加えた場合を示す図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、比較例１では、突き出し部分３１における金属層３０ａの厚さＴｂまたはＴｃは均一である。図１２（ａ）の厚さＴｂは図１２（ｂ）の厚さＴｃより小さい。図１２（ａ）のように、厚さＴｂが小さい場合、リッド２０に圧力が加わるとリッド２０が撓みやすくなる。このため、中心３７における圧電層１０ｃとリッド２０との間のギャップＧ１ｂが小さくなる。端３６ａにおける圧電層１０ｃとリッド２０とのギャップＧ４ｂは大きい。このように、中心３７においてリッド２０が圧電層１０ｃに近づき、弾性波素子の特性が劣化する。

【0053】

図１２（ｂ）のように、厚さＴｃが大きい場合、リッド２０に圧力が加わっても突き出し部分３１によりリッド２０の撓みを抑制できる。これにより、中心３７におけるギャップＧ１ｂを大きくできる。しかし、厚さＴｃが大きいため、端３６ａにおけるギャップＧ４ｂが小さくなる。これにより、突き出し部分３１が圧電層１０ｃに接触する可能性がある。比較例１では、厚さＴｂを小さくするとギャップＧ１ｂが小さくなり、厚さＴｃを大きくするとギャップＧ４ｂが小さくなる。

【0054】

図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係る弾性波デバイスの断面図である。リッド２０の上面に一様な圧力を加えた場合を示す図である。図１３（ａ）に示すように、実施例１の変形例１では、部分３１ａの金属層３０ａの厚さＴｃが図１２（ａ）の厚さＴｂより大きい。これにより、図１２（ａ）よりリッド２０の撓みが小さく、中心３７におけるギャップＧ１ｂを図１２（ａ）より大きくできる。また、部分３１ｂにおける金属層３０ａの厚さＴｂが図１２（ｂ）の厚さＴｃより小さいため、端３６ａにおけるギャップＧ４ｂを図１２（ｂ）より大きくできる。また、圧電層１０ｃと環状層３０との間の最も小さなギャップＧ５ｂも図１２（ｂ）のギャップＧ４ｂより大きくできる。

【0055】

図１３（ｂ）に示すように、実施例１の変形例２では、突き出し部分３１における金属層３０ａの厚さが一様に変化する。これにより、図１２（ａ）よりリッド２０の撓みが小さく、中心３７におけるギャップＧ１ｂを図１２（ａ）より大きくできる。また、端３６ａにおける金属層３０ａの厚さＴｂが図１２（ｂ）の厚さＴｃより小さいため、端３６ａにおけるギャップＧ４ｂを図１２（ｂ）より大きくできる。面３８ａが平面の場合、圧電層１０ｃの端３９おけるギャップＧ３ｂが小さくなる。

【0056】

実施例１では、図９（ｂ）のように、面３８ａが曲面である。このため、端３９におけるギャップＧ３ｂを図１３（ｂ）より大きくできる。

【0057】

このように、実施例１、その変形例１および２によれば、第１距離Ｌ２は、環状層３０が基板１０に接合する第１領域３３における基板１０の中心３７側の第１端３４ａと、環状層３０がリッド２０に接合する第２領域３５における中心３７側の第２端３６ａと、の平面視における距離である。第２距離Ｌ４は、第１領域３３における中心３７の反対側の第３端３４ｂと、第２領域３５における中心３７の反対側の第４端３６ｂと、の平面視における距離である。このとき、第１距離Ｌ２は第２距離Ｌ４より大きい。これにより、リッド２０に圧力が加わったときにリッド２０の撓みを小さくできる。第１端３４ａと第２端３６ａとの間の位置における環状層３０の厚さは、第１端３４ａにおける環状層３０の厚さより小さく第２端３６ａにおける環状層３０の厚さより大きい。これにより、リッド２０の撓みを小さくできる。また、図１３（ａ）および図１３（ｂ）において説明したように、比較例１に比べ、ギャップＧ１ｂおよびＧ４ｂを大きくできる。また、特許文献１に比べ柱状体を少なくできる。これにより、基板１０の上面に弾性波素子１２を設ける領域を大きくできる。よって、基板１０の面積を削減でき、弾性波デバイスを小型化できる。

【0058】

リッド２０の撓みを抑制する観点から、第１距離Ｌ２は第２距離Ｌ４の２．５倍以上が好ましく、３倍以上がより好ましく、５倍以上がさらに好ましい。第２領域３５の幅Ｗｂ（環状層３０が延びる方向に直交する方向における幅）は第１領域３３の幅Ｗａ（環状層３０が延びる方向に直交する方向における幅）の２倍以上が好ましく、３倍以上がより好ましく、５倍以上がさらに好ましい。なお、第２距離Ｌ４は０でもよい。すなわち、環状層３０の外側の面３８ｂは、基板１０の上面に対し垂直でもよい。この場合も第１距離Ｌ２は第２距離Ｌ４より大きいとする。

【0059】

シミュレーション２のように、第１距離Ｌ２は、中心３７と第１端３４ａとの平面視における第３距離Ｌ１の０．１倍以上が好ましく、０．２倍以上がより好ましく、０．３倍以上がさらに好ましい。これにより、図１０（ａ）のように、リッド２０と圧電層１０ｃとのギャップＧ１ｂを大きくできる。第１距離Ｌ２は、第３距離Ｌ１の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下がより好ましく、０．５倍以下がさらに好ましい。これにより、図１０（ｃ）のように、環状層３０と圧電層１０ｃとのギャップＧ３ｂ～Ｇ５ｂを大きくできる。

【0060】

実施例１およびその変形例２のように、環状層３０の厚さは第１端３４ａから第２端３６ａに向かうにしたがい徐々に小さくなる。これにより、リッド２０の撓みを抑制できる。

【0061】

実施例１のように、環状層３０の空隙２６側の面３８ａはリッド２０の方に凹む曲面である。これにより、図９（ｂ）のように、図１３（ｂ）に比べギャップＧ３ｂを大きくできる。第１端３４ａと第２端３６ａとの平面視における中点における環状層３０の厚さ（Ｔｄ＋金属層３０ｂの厚さ）は、第１端３４ａにおける環状層３０の厚さと第２端３６ａにおける環状層３０の厚さの差（Ｔａ－Ｔｂ）の０．５倍より小さいことが好ましく、０．４倍以下がより好ましく、０．３倍以下がさらに好ましい。これにより、ギャップＧ５ｂを大きくできる。環状層３０の厚さ（Ｔｄ＋金属層３０ｂの厚さ）は、Ｔａ－Ｔｂの０．０５倍以上が好ましく、０．１倍以上がより好ましい。これにより、リッド２０の撓みを小さくできる。

【0062】

面３８ａを曲面とする弾性波デバイスの製造方法として、図３（ｃ）のように、表面に弾性波素子１２が設けられた基板１０上に、弾性波素子１２を覆う犠牲層５０を形成する。犠牲層５０は、弾性波素子１２を囲む基板１０の領域５７（環状領域）に設けられていない。犠牲層５０の周縁領域５６の厚さは内側に行くに従い小さくなり、周縁領域５６における犠牲層５０の表面は外側に膨らむ。図４（ｂ）のように、基板１０および犠牲層５０上にマスク層５２を形成する。マスク層５２は、基板１０の領域５７の少なくとも弾性波素子１２側の領域から犠牲層５０の周縁領域５６にかけて開口５３を有し、犠牲層５０の中央領域５８に設けられる。図５（ａ）のように、マスク層５２の開口５３内に基板１０に接合する環状層３０を形成する。図５（ｂ）のように、犠牲層５０およびマスク層５２を除去する。図６（ａ）のように、リッド２０を環状層３０に接合する。これにより、環状層３０の面３８aがリッド側に凹む曲面となる。

【0063】

実施例１の変形例１のように、環状層３０の面３８ａは階段状でもよい。実施例1の変形例１では、環状層３０の厚さが２段階の例を説明したが、環状層３０の厚さは３段階以上でもよい。

【0064】

リッド２０が強磁性元素を含む場合、シミュレーション１のように、弾性波素子１２の特性が劣化しやすい。よって、突き出し部分３１を設けることによりリッド２０の撓みを抑制することが好ましい。強磁性元素は、例えば鉄、ニッケルおよびコバルトである。リッド２０における強磁性元素の濃度は、５０原子％以上が好ましく、８０原子％以上がより好ましい。

【0065】

環状層３０が金属層の場合、環状層３０が圧電層１０ｃに接触すると弾性波素子１２が電気的に短絡する。よって、端３４ａと３６ａとの間の位置における環状層３０の厚さを、端３４ａにおける環状層３０の厚さより小さく、端３６ａにおける環状層３０の厚さより大きくすることが好ましい。

【0066】

基板１０は、支持基板１０ａと支持基板１０ａ上に設けられた圧電層１０ｃとを備える。環状層３０が設けられた領域の圧電層１０ｃは除去され、弾性波素子１２は圧電層１０ｃ上に設けられている。このような構造では、圧電層１０ｃと環状層３０とが接触しやすい。よって、端３４ａと３６ａとの間の位置における環状層３０の厚さを、端３４ａにおける環状層３０の厚さより小さく、端３６ａにおける環状層３０の厚さより大きくすることが好ましい。

【0067】

［実施例１の変形例３］
図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの断面図および平面図である。図１４（ａ）は図１４（ｂ）のＡ－Ａ断面に相当する。弾性波素子１２、金属層１４、ビア配線１６および端子１８の図示を省略している。図１４（ａ）と図１４（ｂ）との各部材の寸法は必ずしも対応していない。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、実施例１の変形例３では、空隙２６に囲まれる柱状体３２（ピラー）が設けられている。柱状体３２が設けられている領域では圧電層１０ｃが除去されている。柱状体３２は、支持基板１０ａ上に設けられた金属層３０ａと金属層３０ａ上に設けられた金属層３０ｂとを備えている。柱状体３２の金属層３０ａおよび３０ｂと環状層３０の金属層３０ａおよび３０ｂとは、それぞれ同じ製造工程により形成されており、同じ材料からなる。柱状体３２とリッド２０とは接合層２４により接合されている。柱状体３２は、基板１０の平面視における中心３７またはその近傍に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。柱状体３２を設けることで、リッド２０の撓みをより抑制できる。

【0068】

［実施例１の変形例４］
図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例１の変形例４に係る弾性波デバイスの断面図および平面図である。図１５（ａ）は図１５（ｂ）のＡ－Ａ断面に相当する。弾性波素子１２、金属層１４、ビア配線１６および端子１８の図示を省略している。図１５（ａ）と図１５（ｂ）との各部材の寸法は必ずしも対応していない。図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、実施例１の変形例４では、空隙２６に囲まれる柱状体３２が２本設けられている。基板１０の平面形状はＸ方向が長辺でありＹ方向が短辺である長方形である。柱状体３２は、Ｙ方向における基板１０の中心またはその近傍にＸ方向に配列して設けられている。その他の構成は実施例１の変形例３と同じであり説明を省略する。

【0069】

実施例１の変形例３および４のように、基板１０とリッド２０とに接合し、平面視において空隙２６に囲まれた柱状体３２を備えてもよい。これにより、リッド２０の撓みをより抑制できる。柱状体３２を１本設ける場合には、柱状体３２は基板１０の中心３７付近に設けることが好ましい。柱状体３２を複数本設ける場合には、複数の柱状体３２は基板１０の短辺方向における中心に長辺方向に配列するように設けることが好ましい。

【0070】

一例として、基板１０の長辺方向の幅が１０００μｍ以下の場合には実施例１のように柱状体３２を設けない。基板１０の長辺方向の幅が１０００μｍ以上かつ２０００μｍ以下の場合には実施例１の変形例３ように柱状体３２を１本設ける。基板１０の長辺方向の幅が２０００μｍ以上の場合には実施例１の変形例４ように柱状体３２を複数本設ける。

【0071】

［実施例１の変形例５］
図１６（ａ）は、実施例１の変形例５に係る弾性波デバイスの断面図である。図１６（ａ）に示すように、基板１０上に弾性波素子１２ａが設けられている。基板１０は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、石英基板、水晶基板、スピネル基板、ＳｉＣ基板またはシリコン基板である。その他の構成は実施例１の図１（ａ）と同じである。

【0072】

図１６（ｂ）は、実施例１の変形例５における弾性波素子の断面図である。図１６（ｂ）に示すように、圧電薄膜共振器である弾性波素子１２ａでは、基板１０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板１０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７において、下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードまたは厚みすべり振動モードの弾性波を励振する。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜、タンタル酸リチウム膜またはニオブ酸リチウム膜である。空隙４５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例５のように、実施例１およびその変形例１から４において、弾性波素子は圧電薄膜共振器でもよい。

【0073】

実施例１およびその変形例では、機能素子として弾性波素子１２および１２ａ（弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器）の例を説明したが、機能素子は、インダクタまたはキャパシタ等の受動素子、トランジスタを含む能動素子、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子でもよい。

【実施例0074】

図１７（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１７（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも１つの共振器に実施例１およびその変形例の弾性波素子１２および１２ａを用いることができる。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタでもよい。

【0075】

図１７（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１７（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ６０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ６２が接続されている。送信フィルタ６０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ６２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ６０および受信フィルタ６２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。

【0076】

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

【0077】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。