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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024036861
(43)【公開日】2024-03-18
(54)【発明の名称】半導体素子
(51)【国際特許分類】
H01L 29/786 20060101AFI20240311BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20240311BHJP
H10K 85/20 20230101ALI20240311BHJP
H10K 10/40 20230101ALI20240311BHJP
H10K 71/10 20230101ALI20240311BHJP
H10K 85/00 20230101ALI20240311BHJP
H01L 21/28 20060101ALI20240311BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 618B
H01L29/78 619A
H01L29/78 616V
H01L29/28 250E
H01L29/28 100A
H01L29/28 310E
H01L29/28 280
H01L21/28 301R
H01L21/28 301B
H01L29/78 618A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022141384
(22)【出願日】2022-09-06
(71)【出願人】
【識別番号】000000918
【氏名又は名称】花王株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000040
【氏名又は名称】弁理士法人池内アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】浅井 光夫
【テーマコード（参考）】
4M104
5F110
【Ｆターム（参考）】
4M104AA10
4M104BB13
4M104BB16
4M104BB18
4M104CC01
4M104DD34
4M104DD36
4M104DD37
4M104DD43
4M104DD52
4M104DD53
4M104FF13
4M104GG08
4M104HH20
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5F110DD14
5F110DD17
5F110EE02
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5F110EE43
5F110EE44
5F110EE45
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5F110FF03
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5F110FF36
5F110GG01
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5F110GG58
5F110HK02
5F110HK03
5F110HK04
5F110HK07
5F110HK09
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5F110HK32
5F110HK33
5F110HK34
5F110NN13
5F110NN14
5F110NN15
5F110NN27
5F110NN28
5F110NN36
(57)【要約】
【課題】一態様において、ヒステリシスが小さく、且つ、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することが抑制された、ＣＮＴを使用した半導体素子を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、ゲート電極２と、ソース電極３と、ドレイン電極４と、前記ソース電極３及びドレイン電極３と接する半導体層５と、前記半導体層５を前記ゲート電極２と絶縁するゲート絶縁層６とを含み、前記半導体層５がカーボンナノチューブのネットワーク構造を含み、前記半導体層５が、比誘電率が５.０以下の封止層で封止されており、前記ソース電極３およびドレイン電極４のうちの前記半導体層５と接する部分が、周期律表第６族元素で形成されている、半導体素子に関する。
【選択図】図１
【解決手段】本開示は、一態様において、ゲート電極２と、ソース電極３と、ドレイン電極４と、前記ソース電極３及びドレイン電極３と接する半導体層５と、前記半導体層５を前記ゲート電極２と絶縁するゲート絶縁層６とを含み、前記半導体層５がカーボンナノチューブのネットワーク構造を含み、前記半導体層５が、比誘電率が５.０以下の封止層で封止されており、前記ソース電極３およびドレイン電極４のうちの前記半導体層５と接する部分が、周期律表第６族元素で形成されている、半導体素子に関する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層とを含み、
前記半導体層がカーボンナノチューブのネットワーク構造を含み、
前記半導体層が、比誘電率が５.０以下の封止層で封止されており、
前記ソース電極およびドレイン電極のうちの前記半導体層と接する部分が、周期律表第６族元素で形成されている、半導体素子。
前記半導体層がカーボンナノチューブのネットワーク構造を含み、
前記半導体層が、比誘電率が５.０以下の封止層で封止されており、
前記ソース電極およびドレイン電極のうちの前記半導体層と接する部分が、周期律表第６族元素で形成されている、半導体素子。
【請求項2】
前記ソース電極および前記ドレイン電極のうちの前記第６族元素で形成された層の平均厚さがいずれも２５ｎｍ以上である、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項3】
前記第６族元素がクロムである、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項4】
前記封止層の平均厚さが２００ｎｍ以上である、請求項１～３のいずれかの項に記載の半導体素子。
【請求項5】
前記封止層がフッ素樹脂、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、オレフィン系樹脂からなる群から選ばれる一種類以上の樹脂を含有する、請求項１～４のいずれかの項に記載の半導体素子。
【請求項6】
前記カーボンナノチューブが単層カーボンナノチューブである、請求項１～５のいずれかの項に記載の半導体素子。
【請求項7】
前記半導体層に含まれるカーボンナノチューブのうちの半導体カーボンナノチューブの含有率が７０質量％以上である、請求項１～６のいずれかの項に記載の半導体素子。
【請求項8】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層とを含む半導体素子の製造方法であり、
カーボンナノチューブ分散液を用いて、カーボンナノチューブのネットワーク構造を含む半導体層を形成すること、
前記半導体層の上に、前記半導体層に接し周期律表第６族元素層を含むソース電極およびドレイン電極を形成すること、
前記半導体層を封止し、比誘電率が５.０以下の封止層を形成することを含む、半導体素子の製造方法。
カーボンナノチューブ分散液を用いて、カーボンナノチューブのネットワーク構造を含む半導体層を形成すること、
前記半導体層の上に、前記半導体層に接し周期律表第６族元素層を含むソース電極およびドレイン電極を形成すること、
前記半導体層を封止し、比誘電率が５.０以下の封止層を形成することを含む、半導体素子の製造方法。
【請求項9】
前記カーボンナノチューブ分散液のカーボンナノチューブ濃度が０．１μｇ／ｍＬ以上７．０μｇ／ｍＬ以下である、請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項10】
前記半導体層の形成において、
前記カーボンナノチューブ分散液を塗布して塗膜を形成し、前記カーボンナノチューブを被塗布面に吸着させ、前記塗膜が未乾燥のうちに前記塗膜から余分なカーボンナノチューブを除去した後、乾燥処理を行って、前記半導体層を形成する、請求項８または９に記載の半導体素子の製造方法。
前記カーボンナノチューブ分散液を塗布して塗膜を形成し、前記カーボンナノチューブを被塗布面に吸着させ、前記塗膜が未乾燥のうちに前記塗膜から余分なカーボンナノチューブを除去した後、乾燥処理を行って、前記半導体層を形成する、請求項８または９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項11】
前記余分なカーボンナノチューブの除去を、洗浄液を用いた洗浄により行う、請求項１０に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項12】
前記余分なカーボンナノチューブの除去を、前記塗膜を洗浄液に浸漬させることにより行う、請求項１０又は１１に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体素子、当該半導体素子の製造方法等に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、IoT(Internet of Things)が社会へ普及することで、様々なモノがインターネットに接続され、多種多様な半導体素子が求められ始めている。これらの多種多様な半導体素子では、様々な基板が使用され、例えば、フレキシブル基板を用いて作製された柔軟性を有する半導体素子や、印刷等の簡易なプロセスに適用可能な材料を用いて製造可能な半導体素子が盛んに検討されている。
【0003】
カーボンナノチューブ(ＣＮＴ)は、電界効果移動度が高く、高い薬品安定性を有する。また、ＣＮＴは、溶液に分散可能なため、簡易なプロセスに適用可能な材料であり、様々な基板に対して塗布または成膜が可能である。故に、ＣＮＴは、半導体層を形成するための材料として候補に挙げられており、ＣＮＴを用いた半導体素子の検討が盛んに行われている。具体的には、ＣＮＴをチャネルに使用したＣＮＴ電界効果型トランジスタ（ＣＮＴ-ＦＥＴ）に関する研究が勢力的に行われている。
【0004】
特許文献１には、ナノカーボンと、溶媒と、ポリオキシエチレンアルキルエーテルとを含むことを特徴とするナノカーボンインクを用い、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル層形成領域に、前記ナノカーボンインクを付着させ、チャネル層を形成する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が開示され、印刷法によるＴＦＴの作製において、ナノカーボンからなるチャネル層を形成する際に、ナノカーボン密度が適切な範囲にあるチャネル層を形成することができることが示されている。
【0005】
特許文献２には、電流ヒステリシスが低減された分子トランジスタとして、酸化物からなる絶縁体基材と、該絶縁体基材上に形成されたナノ構造体からなる半導体チャネルと、該半導体チャネルを両者の間に挟むように配置されたソース電極およびドレイン電極と、上記半導体チャネルの導通を制御するゲート電圧を上記半導体チャネルに印加するためのゲート電極とを備える分子トランジスタであって、上記絶縁体基材上に、該絶縁体基材表面に化学的に結合した疎水性膜が形成されており、上記半導体チャネル上に有機強誘電体層が形成されており、上記半導体チャネルが、上記疎水性膜と上記有機強誘電体層との間に挟持されていることを特徴とする分子トランジスタが開示されている。
【0006】
非特許文献１には、ヒステリシスの低減のために、ＣＮＴの高密度かつ不均一なランダムネットワークからなる半導体層をフッ素系樹脂で覆うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】ＷＯ２０１９／０６６０７４号公報
【特許文献2】特開２００７－９６１２９号公報
【非特許文献】
【0008】
【非特許文献1】T.-J. Ha et.al., Appl. Master. Interface, 2014, 6, 8441-8446.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
半導体素子を実用に供するためには、その電気特性が、種々の使用条件において安定であることが必要である。具体的には、例えば、ヒステリシスが小さいことや、ドレイン電圧の大小にかかわらず閾値電圧が一定であることが求められている。
【0010】
特許文献１に開示の半導体素子は、チャネル層または半導体層が大気に暴露された状態で動作するので、ヒステリシスが大きいという問題がある。
特許文献２に開示の分子トランジスタは、不揮発性メモリーとしての使用を前提とした構成であり、半導体チャネルに有機強誘電体層が形成されており、有機強誘電体層に印加される電圧によって閾値電圧を変化させることによりメモリーとしての効果を実現しているが、印加電圧により閾値電圧が変化するため、増幅器等の通常のトランジスタとしての使用には適さない。
非特許文献１に開示の半導体素子は、半導体層をフッ素系樹脂で封止することで、ヒステリシスの低減に成功しているが、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化してしまうという問題があった。例えば、ドレイン電圧（ドレイン・ソース間電圧）があまり高くない線形領域での閾値電圧の方が、ドレイン電圧が大きい飽和領域での閾値電圧よりも小さくなるという問題があった。
特許文献２に開示の分子トランジスタは、不揮発性メモリーとしての使用を前提とした構成であり、半導体チャネルに有機強誘電体層が形成されており、有機強誘電体層に印加される電圧によって閾値電圧を変化させることによりメモリーとしての効果を実現しているが、印加電圧により閾値電圧が変化するため、増幅器等の通常のトランジスタとしての使用には適さない。
非特許文献１に開示の半導体素子は、半導体層をフッ素系樹脂で封止することで、ヒステリシスの低減に成功しているが、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化してしまうという問題があった。例えば、ドレイン電圧（ドレイン・ソース間電圧）があまり高くない線形領域での閾値電圧の方が、ドレイン電圧が大きい飽和領域での閾値電圧よりも小さくなるという問題があった。
【0011】
本開示は、一態様において、ヒステリシスが小さく、且つ、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することが抑制された、ＣＮＴを使用した半導体素子、およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本開示は、一態様において、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層とを含み、前記半導体層がカーボンナノチューブのネットワーク構造を含み、前記半導体層が、比誘電率が５.０以下の封止層で封止されており、前記ソース電極およびドレイン電極のうちの前記半導体層と接する部分が、周期律表第６族元素で形成されている、半導体素子に関する。
【0013】
本開示は、一態様において、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層とを含む半導体素子の製造方法であり、
カーボンナノチューブ分散液を用いて、カーボンナノチューブのネットワーク構造を含む半導体層を形成すること、
前記半導体層の上に、前記半導体層に接し周期律表第６族元素層を含むソース電極およびドレイン電極を形成すること、
前記半導体層を封止し、比誘電率が５.０以下の封止層を形成することを含む、半導体素子の製造方法に関する。
カーボンナノチューブ分散液を用いて、カーボンナノチューブのネットワーク構造を含む半導体層を形成すること、
前記半導体層の上に、前記半導体層に接し周期律表第６族元素層を含むソース電極およびドレイン電極を形成すること、
前記半導体層を封止し、比誘電率が５.０以下の封止層を形成することを含む、半導体素子の製造方法に関する。
【発明の効果】
【0014】
本開示によれば、ヒステリシスが小さく、且つ、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することが抑制された、ＣＮＴを使用した半導体素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することは半導体層に原因があると考えられがちである。しかし、本発明者らは、ＣＮＴで構成された半導体層と、ソース電極（Ｓ電極）およびドレイン電極（Ｄ電極）（以下、これらを総称して「ＳＤ電極」と呼ぶ場合がある。）との接触部分にも原因があると考え、鋭意検討の結果、ＳＤ電極のうちのＣＮＴと接する部分を周期表の第６族元素で形成し、加えて、電気的に不活性な材料で半導体層を封止することにより、ヒステリシスを効果的に低減でき、且つ、上記閾値電圧の変化を低減できることを見出した。
【0017】
ソース電極とドレイン電極が、各々、周期表の第６族元素の層（以下、「第６族元素層」と呼ぶ場合がある。）を含み、当該第６族元素層と半導体層とが接することで上記閾値電圧の変化を低減できる理由は明らかではないが、次のように推察している。下記文献には、第６族元素はその電子構造によりＣＮＴと６配位の結合構造を作り、導電性を向上させることが報告されている。ソース電極およびドレイン電極のうちのＣＮＴと接する部分を第６族元素で形成することにより、ＣＮＴとこれらの電極との電気的接続が改善され、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することが抑制されると推察される。
文献：I. Kalinina et. al., Macromol. Chem. Phys. 2012, 213 1001-1019
文献：I. Kalinina et. al., Macromol. Chem. Phys. 2012, 213 1001-1019
【0018】
また、半導体層の大気に対する暴露を制限するために、半導体層を封止層にて覆うことは、ヒステリシス低減の観点から有効であると考えられる。封止層は半導体層の電気特性に影響を与えないために、電気的に不活性な材料、具体的には半導体層に電子や正孔をドープすることなく、比誘電率が小さく強誘電性を持たない材料であることが好ましい。封止層が、半導体層に電子や正孔をドープしうる材料で形成されている場合、ドレイン電圧の高低に応じて半導体層の電荷状態が変化して閾値電圧が変化しやすい。封止層が、比誘電率が大きい材料や強誘電性を示す材料で形成されている場合、特にドレイン電圧が高い場合に封止層と半導体層の界面に電荷が誘起されて閾値電圧が変化しやすく、ヒステリシスも大きくなりやすい。通常、比誘電率が５．０以下の材料であれば強誘電性を示さない。封止層が、比誘電率が５．０以下の材料で形成されていると、ヒステリシスの低減のみならず、期せずして前記閾値電圧の変化も抑制されることが分かった。
【0019】
以上の通り、本開示の半導体素子では、ＳＤ電極のうちのＣＮＴと接する部分を第６族元素で形成し、且つ、半導体層を比誘電率が５．０以下の材料で封止することで、ヒステリシスが効果的に低減でき、且つ、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することも効果的に抑制できる。
【0020】
以下、本開示の一態様の半導体素子について、図面を参照しながら説明する。
【0021】
図１および図２に示すように、本開示の半導体素子は、一態様において、ＣＮＴ-電界効果型トランジスタ（ＣＮＴ-ＦＥＴ）であり、好ましくは、ｐ型ＣＮＴ電界効果型トランジスタである。半導体素子１は、ゲート電極２と、ソース電極３と、ドレイン電極４と、半導体層５とを含む。半導体層５とゲート電極２との間にはゲート絶縁層６が配置されて、ゲート絶縁層６は、半導体層５とゲート電極２とを絶縁している。図１および図２に示した態様では、ソース電極３とドレイン電極４は、半導体層５のゲート絶縁層６側の面の反対面上に所定の間隔（チャネル長）を開けて形成されているが、別の一態様において、ソース電極とドレイン電極は、ゲート電極と絶縁されている限り、半導体層のゲート絶縁層６側の面に形成してもよい。半導体層５のうちのソース電極３とドレイン電極４の間に配置された部分（チャネル領域）は、半導体層５の大気との接触防止のために封止層８により覆われている。同じ理由により、ソース電極とドレイン電極とを半導体層のゲート絶縁膜側の面に形成する態様では、半導体層の大気に対して露出した面、例えば、半導体層の絶縁層側の面の反対面（全面）が封止層により覆われていると好ましく、加えてその端面も封止層により覆われていると好ましい。半導体素子１では、半導体層５は、好ましくは、製造が容易で、流せる電流量も大きい、ＣＮＴのネットワーク構造を含む。
【0022】
［ソース電極、ドレイン電極］
ソース電極３およびドレイン電極４は、チャネルとして機能する半導体層５のＣＮＴネットワーク構造により電気的に接続されている。図２から良くわかるように、ソース電極３及びドレイン電極４は、各々第６族元素で形成された第６族元素層３１、４１を含み、当該第６族元素層３１，４１が、半導体層５と接している。第６族元素としては、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）が挙げられるが、なかでもクロム（Ｃｒ）が好ましい。第６族元素層の酸化劣化防止および電極の導電性を確保する観点から、ソース電極３及びドレイン電極４は、更に、第６族元素層の半導体層５側の面の反対面上に、第６族元素以外の導電材料で形成された上層３２，４３を１層以上含む多層構造をしている。ソース電極及びドレイン電極は、別の一態様において、第６族元素層からなる単層構造であってもよい。前記導電材料については特に制限はなく、例えば、チタン、銅、金、白金、クロム、アルミニウム、パラジウム、モリブデンなどの金属、ポリシリコンなどの半導体、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物が挙げられるが、なかでも、化学的に安定であることから金が好ましい。第６族元素層および前記上層の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、ＣＶＤ、イオンプレーティングコーティング、インクジェット、印刷などの、従来から公知の方法が挙げられる。
ソース電極３およびドレイン電極４は、チャネルとして機能する半導体層５のＣＮＴネットワーク構造により電気的に接続されている。図２から良くわかるように、ソース電極３及びドレイン電極４は、各々第６族元素で形成された第６族元素層３１、４１を含み、当該第６族元素層３１，４１が、半導体層５と接している。第６族元素としては、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）が挙げられるが、なかでもクロム（Ｃｒ）が好ましい。第６族元素層の酸化劣化防止および電極の導電性を確保する観点から、ソース電極３及びドレイン電極４は、更に、第６族元素層の半導体層５側の面の反対面上に、第６族元素以外の導電材料で形成された上層３２，４３を１層以上含む多層構造をしている。ソース電極及びドレイン電極は、別の一態様において、第６族元素層からなる単層構造であってもよい。前記導電材料については特に制限はなく、例えば、チタン、銅、金、白金、クロム、アルミニウム、パラジウム、モリブデンなどの金属、ポリシリコンなどの半導体、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物が挙げられるが、なかでも、化学的に安定であることから金が好ましい。第６族元素層および前記上層の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、ＣＶＤ、イオンプレーティングコーティング、インクジェット、印刷などの、従来から公知の方法が挙げられる。
【0023】
前記第６族元素層３１，４１の平均厚さは、ヒステリシスを低減し且つ閾値電圧の変化を抑制する観点から、好ましは１ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上である。また、ＣＮＴ-ＦＥＴの加工性の観点から、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。本開示において、第６族元素層の平均厚さは、例えば、断面が図２のようになるようにＣＮＴ-ＦＥＴをその厚さ方向に切断することで測定試料を作成し、ＣＮＴ-ＦＥＴの断面を走査型電子顕微鏡で観察することで計測できる。
【0024】
前記上層３２，４２の平均厚さ（上層が多層構造である場合は各層の厚みの合計）は、前記第６族元素層３１、４１の酸化劣化防止や電極の導電性を確保する観点から、好ましは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上であり、ＣＮＴ-ＦＥＴの加工性の観点から好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。本開示において、上層の平均厚さは、例えば、断面が図２のようになるようにＣＮＴ-ＦＥＴをその厚さ方向に切断することで測定試料を作成し、ＣＮＴ-ＦＥＴの断面を走査型電子顕微鏡で観察することで計測できる。
【0025】
チャネル長（Ｌ）およびチャネル幅（Ｗ）については、従来公知の寸法でよく、チャネル長（Ｌ）は、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、チャネル幅（Ｗ）は、例えば１０μｍ以上１００００μｍ以下であるが、本開示はこれらに限定されない。
【0026】
［封止層］
本開示の半導体素子１では、半導体層５を防水、防塵するために、半導体層５が外気に触れることを防止する封止層８によって封止されている。封止層８は、単一層で構成されていても構わないが、積層された複数の層から構成されていていてもよい。封止層８を形成する材料は、その比誘電率が、ヒステリシスを小さくし且つ閾値電圧の変化を抑制する観点から、好ましくは５．０以下、より好ましく４．０以下、さらに好ましくは３．０以下であり、比誘電率の下限について特に制限はないが、通常１．５以上である。封止層８を形成する材料の比誘電率は、実施例に記載の方法にて測定した値である。
本開示の半導体素子１では、半導体層５を防水、防塵するために、半導体層５が外気に触れることを防止する封止層８によって封止されている。封止層８は、単一層で構成されていても構わないが、積層された複数の層から構成されていていてもよい。封止層８を形成する材料は、その比誘電率が、ヒステリシスを小さくし且つ閾値電圧の変化を抑制する観点から、好ましくは５．０以下、より好ましく４．０以下、さらに好ましくは３．０以下であり、比誘電率の下限について特に制限はないが、通常１．５以上である。封止層８を形成する材料の比誘電率は、実施例に記載の方法にて測定した値である。
【0027】
封止層８を形成する材料としては、半導体層に電子や正孔をドープすることがない、電気的に不活性な化合物が好ましく、疎水的なポリマーが好ましく、封止の際にＣＮＴと副反応を生じない材料が好ましい。また、ヒステリシスを低減し且つ閾値電圧の変化を抑制する観点から、好ましくはスチレン系樹脂、フッ素樹脂およびアクリル系樹脂から選ばれる少なくとも１種の重合体が挙げられる。
【0028】
スチレン系樹脂としては、ポリスチレン（Ｐ-Ｓｔ）（比誘電率２．５）、アクリロニトリル－スチレン共重合体（ＡＳ）（比誘電率２．９）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ）（比誘電率３．２）等が、フッ素系樹脂としては、市販品として、ＣＹＴＯＰ（登録商標）のＣＴＬ－８０９Ａ（ＡＧＣ社製)（比誘電率２．１）等が、アクリル系樹脂としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）（比誘電率２．８）、ポリメタクリル酸ブチル（比誘電率２．７）等が挙げられる。封止層８の材料は、これらの樹脂材料のうちの１種でもよいし２種以上の組合せでもよい。また、封止層８の材料は、これらの中でも、ヒステリシスを小さくし且つ閾値電圧の変化を抑制する観点から、ＣＹＴＯＰ（登録商標）のＣＴＬ－８０９Ａ（比誘電率２．１）、ポリスチレン（比誘電率２．５）およびＰＭＭＡ（比誘電率２．８）から選ばれる１種以上の重合体が好ましく、ＣＹＴＯＰ（登録商標）のＣＴＬ－８０９Ａ（比誘電率２．１）がより好ましい。
【0029】
ソース電極３とドレイン電極４の間の領域（チャネル領域）における、封止層８の平均厚さ（複数層積層して構成されている場合が各層の平均厚さの合計）は、十分な水分や酸素等に対するバリア性を確保してヒステリシス低減させる観点から、好ましくは２００ｎｍ以上、より好ましくは５００ｎｍ以上、さらに好ましくは１０００ｎｍ以上である。封止層の平均厚さの上限について特に制限は無いが、好ましくは１ｍｍ以下である。本開示において、封止層８の平均厚さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）または触針式表面形状測定器により測定できる。
【0030】
［ゲート電極、ゲート絶縁膜］
本開示の一態様の半導体素子１は、いわゆるボトムゲート型の半導体素子であり、シリコン基板がゲート電極２として機能し、シリコン基板の一方の主面に形成された熱酸化膜ＳｉＯ2がゲート絶縁膜６として機能している。また、図１および図２に示した例では、シリコン基板の一方の主面の全面がゲート絶縁膜６により被覆されているが、半導体層５とシリコン基板とが絶縁できればよく、少なくともソース電極３、ドレイン電極４および半導体層５が配置された領域がゲート絶縁層６で被覆されていればよい。
本開示の一態様の半導体素子１は、いわゆるボトムゲート型の半導体素子であり、シリコン基板がゲート電極２として機能し、シリコン基板の一方の主面に形成された熱酸化膜ＳｉＯ2がゲート絶縁膜６として機能している。また、図１および図２に示した例では、シリコン基板の一方の主面の全面がゲート絶縁膜６により被覆されているが、半導体層５とシリコン基板とが絶縁できればよく、少なくともソース電極３、ドレイン電極４および半導体層５が配置された領域がゲート絶縁層６で被覆されていればよい。
【0031】
ゲート絶縁層６は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよいし、部分的に多層構造であってもよい。ゲート絶縁層６のトータルの厚さは、ゲートのリーク電流を十分に小さくする観点から好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上である。また、動作電圧を小さくする観点から好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。ゲート絶縁層の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム等の無機化合物、ビニルフェノール樹脂、パラキシレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリイミド樹脂などの有機化合物が挙げられる。
【0032】
本開示の半導体素子は、シリコン基板がゲート電極２として機能する形態に限定されず、少なくとも電極が配置される面が絶縁性の基板を備え、当該基板にゲート電極が配置された形態であってもよい。基板は、例えば、ガラス、サファイア、アルミナ焼結体、シリコンウエハ、およびそれらの表面が酸化膜で被覆された基板等の無機材料であってよいし、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアミド樹脂等から構成されるシートであってもよいし、これらからなるフィルム状のフレキシブル材料であってもよい。
【0033】
ゲート電極の材料としては、導電性を有するものであれば特に制限はなく、例えば、金、白金、クロム、チタン、アルミニウムなどの金属や、不純物ドープ等により導電性を持たせたシリコンなどの半導体が挙げられる。ゲート電極は、例えば、任意の位置にこれらの金属を蒸着等して形成される。別個に準備した金属薄膜を、ゲート電極として前記基板の任意の位置に配置して、ゲート電極としてもよい。これらの電極の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、ＣＶＤ、イオンプレーティングコーティング、インクジェット、印刷などの、従来から公知の方法が挙げられる。
【0034】
本開示の半導体素子は、ゲート電極の位置により、バックゲート型、サイドゲート型、トップゲート型の各種態様を採ることができる。
【0035】
［半導体層］
半導体層を構成するＣＮＴは、グラフェンシートが筒状に巻かれて形成された細い円筒状のものである。半導体層５は、ＣＮＴのネットワーク構造により構成される。本開示において、ＣＮＴのネットワーク構造は、隣接するＣＮＴ同士が絡み合いながら広範囲にわたって網目状に繋がった構造である。本開示において、ネットワーク構造とは、半導体層のＣＮＴが特定の方向に配向しておらず、１本のＣＮＴが好ましくは他の５本以上のＣＮＴと交差している構造をいう。ＣＮＴは、その長手方向が、二次元方向にランダムに配向することで一方向に揃うことなく全方向に散在する。ＣＮＴが、このようなネットワーク構造をとることで、半導体層に大きな電流を流すことができ、特定の方向に配向していないために導電性に異方性が現れることも無い。さらに、当該ネットワーク構造では、１本のＣＮＴがソース電極とドレイン電極をつなぐのではなく、複数本のＣＮＴでソース電極とドレイン電極の間の導電パスを形成するため、微量の金属型ＣＮＴが混入した場合にも、ソース電極とドレイン電極を短絡することなく、良好なｏｎ／ｏｆｆ比を得ることができる。
半導体層を構成するＣＮＴは、グラフェンシートが筒状に巻かれて形成された細い円筒状のものである。半導体層５は、ＣＮＴのネットワーク構造により構成される。本開示において、ＣＮＴのネットワーク構造は、隣接するＣＮＴ同士が絡み合いながら広範囲にわたって網目状に繋がった構造である。本開示において、ネットワーク構造とは、半導体層のＣＮＴが特定の方向に配向しておらず、１本のＣＮＴが好ましくは他の５本以上のＣＮＴと交差している構造をいう。ＣＮＴは、その長手方向が、二次元方向にランダムに配向することで一方向に揃うことなく全方向に散在する。ＣＮＴが、このようなネットワーク構造をとることで、半導体層に大きな電流を流すことができ、特定の方向に配向していないために導電性に異方性が現れることも無い。さらに、当該ネットワーク構造では、１本のＣＮＴがソース電極とドレイン電極をつなぐのではなく、複数本のＣＮＴでソース電極とドレイン電極の間の導電パスを形成するため、微量の金属型ＣＮＴが混入した場合にも、ソース電極とドレイン電極を短絡することなく、良好なｏｎ／ｏｆｆ比を得ることができる。
【0036】
本開示において、ＣＮＴのネットワーク構造は、厚さ方向のＣＮＴ密度が高く、例えば、２本のＣＮＴが交差する交点およびその付近においてさらに１本以上のＣＮＴがそれらの上または下に積み重なった部分がネットワーク構造内に多く存在する多層構造であってもよい。しかし、ｏｎ／ｏｆｆ比の向上の観点から、ＣＮＴのネットワーク構造は、好ましくは実質的に単層のＣＮＴ膜である。半導体層が、実質的に単層のＣＮＴ膜であると、ゲート電極から相対的に遠くに位置するＣＮＴに対してもゲートの電圧が十分にかかることで、良好なｏｎ／ｏｆｆ比を得ることができる。尚、ＣＮＴのネットワーク構造が実質的に単層のＣＮＴ膜であることは、半導体層の平均膜厚が５ｎｍ以下であることにより確認できる。
【0037】
図３に示すように、ＣＮＴのネットワーク構造が、好ましくは、実質的に、２本のＣＮＴ５０が互いに交差し、その繰り替えしによって平面方向へ網目状に繋がったＣＮＴのネットワーク構造である。実質的に単層のＣＮＴ膜には、好ましくは、厚さ方向（半導体層５の表面と直交する方向）に３本以上のＣＮＴが積み重なった部分が実質的に存在せず、より好ましくはほぼ存在せず、さらに好ましくは存在しない。半導体層が、実質的に単層のＣＮＴ膜であることは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いた断面観察により確認できる。
【0038】
半導体層５の平均膜厚は、ｏｎ／ｏｆｆ比の向上の観点から、好ましくは５ｎｍ以下、より好ましくは４ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下である。半導体層５の平均膜厚は、十分な電流量の確保の観点から、好ましくは０．１ｎｍ以上、より好ましくは０．３ｎｍ以上である。本開示において、半導体層５の平均膜厚は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定できる。
【0039】
また、実質的に単層のＣＮＴ膜の効果を得るために、ＣＮＴは、非凝集状態であり、バンドルしていない状態であることが好ましい。バンドル状態とは複数本のＣＮＴが互いに付着して束ねられている状態であり、このようなＣＮＴを半導体層に用いると、複層のＣＮＴを用いた場合と同様に、ゲートの電圧がかかりにくくなりｏｎ／ｏｆｆ比が悪化する。ＣＮＴ１本あたりの長さの１０％以上が他のＣＮＴと重なり合っているとバンドル状態にあるといえる。ＣＮＴの直径は１～２ｎｍ程度なので、半導体層の平均膜厚が５ｎｍ以下であれば、実質的にバンドルの無い（すなわち非バンドル状態の）半導体層となる。
【0040】
ＣＮＴネットワークの密度は、十分なドレイン電流を得る観点から１００本/μｍ2以上であることが好ましい。また、密度が高過ぎると微量に混入した金属型ＣＮＴによってソース-ドレイン電極間に導電パスが形成されてこれらが短絡し、その結果、ｏｎ／ｏｆｆ比が低下する。本開示では、ｏｎ／ｏｆｆ比の低下を抑制する観点から、前記密度は８０００本/μｍ2以下であることが好ましい。
【0041】
半導体層５を構成するＣＮＴは、グラフェンシートを、１層に巻いたシングルウォールカーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）のみ、または、ＳＷＣＮＴと、２層に巻いたダブルウォールカーボンナノチューブ（ＤＷＣＮＴ）や３層以上に巻いたマルチウォールカーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）との混合物であってもよいが、これらのなかでも、リーク電流を低減して十分なｏｎ／ｏｆｆ比を確保する観点から、実質的にＳＷＣＮＴのみで構成するのが好ましく、ＳＷＣＮＴのみで構成するのがより好ましい。なお、これらのＣＮＴは、公知の手段、例えば、ラマン分光法などにより見分けることができる。
【0042】
ＣＮＴには、金属性を示す金属型ＣＮＴと、半導体性を示す半導体型ＣＮＴとがあり、半導体層５を構成するＣＮＴとしては、半導体型ＣＮＴが好ましい。ＣＮＴは、高圧一酸化炭素不均化法（ＨｉＰｃｏ法）、改良直噴熱分解合成法（ｅ－ＤＩＰＳ法）、アーク放電法、レーザーアブレーション法等の従来から公知の合成方法により合成されたものでよい。しかし、これらの一般的な合成方法により合成されるＳＷＣＮＴは、約１／３の金属型ＳＷＣＮＴと約２／３の半導体型ＳＷＣＮＴを含む混合物であるため、半導体型ＳＷＣＮＴの含有率を高める技術を前記混合物に適用して得たＣＮＴ分散液を用いて半導体層５を形成するのが好ましい。半導体層５を構成するＣＮＴのうちの半導体型ＣＮＴの含有率は、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上、さらにより好ましくは９５質量％以上である。
【0043】
本開示において、半導体層５における半導体型ＣＮＴの含有率は、半導体層５の形成に用いられるＣＮＴ分散液中のＣＮＴ全量（半導体型ＣＮＴと金属型ＣＮＴの合計）に対する半導体型ＣＮＴの割合とみなすことができる。本開示において、ＣＮＴ分散液中および半導体層５中の半導体型ＣＮＴの割合は、例えば、実施例に記載のラマン分光光度計を用いたラマンスペクトルの測定結果から算出できる。
【0044】
ＳＷＣＮＴの平均直径は、十分な電界効果移動度の確保の観点から、好ましくは０．５ｎｍ以上、より好ましくは０．８ｎｍ以上であり、そして、半導体として適切なバンドギャップを持たせてリーク電流を抑え、十分なｏｎ／ｏｆｆ比を確保する観点から、好ましくは３ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以下である。ＳＷＣＮＴの平均直径は、透過型電子顕微鏡を用い得られた画像から１０本以上のＣＮＴについて直径を測定し平均することで算出できる。
【0045】
ＳＷＣＮＴの平均長さは、ＣＮＴの交点を減らして十分な移動度を確保する観点から、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．３μｍ以上、さらに好ましくは０．５μｍ以上であり、そして、混入した金属型ＣＮＴに起因するリーク電流を低減し十分なｏｎ／ｏｆｆ比を確保する観点から、半導体素子のソース電極とドレイン電極の間隔（チャネル長）より短いことが好ましく、より好ましくはチャネル長の２／３以下、さらに好ましくはチャネル長の半分以下である。例えば、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下である。ＳＷＣＮＴの平均長さは、例えば、透過型電子顕微鏡を用い得られた画像から１０本以上のＣＮＴについて長さを測定し平均することで算出できる。
【0046】
本開示の半導体素子は、図４に示すように、ＣＮＴの吸着性を高める観点から、ゲート絶縁層６の表面が表面処理剤により処理されることにより吸着層９が形成され、吸着層９は、半導体層５とゲート絶縁層６の間に配置され、これらと接する構造が好ましい。アニオン基を有する化合物は、ゲート絶縁層６上に存在することで電荷トラップの原因となり、ヒステリシスの増加原因、またはｏｎ／ｏｆｆ比の低下要因となりうることから、吸着層９は、アニオン基を有さない化合物にて形成されていると好ましい。
【0047】
吸着層９は、例えば、アニオン基を有さないシランカップリング剤等にて形成されていると好ましく、３－アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＰＴＥＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＳ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）、フッ素置換オクタトリクロロシラン（ＰＦＯＴＳ）、テトラシアノキノジメタン等のシランカップリング剤等にて形成されていると好ましい。吸着層９は、例えば、これらの材料を有機溶剤に溶解して得た溶液をディップコーティング法等の塗布法にてゲート絶縁層６に塗布して形成してもよいし、気相法等にて形成してもよい。
【0048】
【0049】
まず、図５Ａに示すように、一方の主面がゲート絶縁膜６により覆われたゲート電極２を用意する。具体的には、一方の主面が熱酸化されることによって形成された酸化シリコン（ＳｉＯ2）層（ゲート絶縁膜６）を有するシリコン基板（ゲート電極２）を準備する。
【0050】
次いで、図５Ｂに示すように、ゲート絶縁膜６のゲート電極２側の面の反対面の全面に、ＣＮＴ分散液を塗布して塗膜１５を形成する。そしてしばらく静置することによりＣＮＴをゲート絶縁膜６の表面に十分に吸着させる。その後、乾燥処理を行う前に、塗膜１５から余分なＣＮＴを除去して前記塗膜の厚みを減じる。次いで、残余の塗膜に対して乾燥処理を行って、図５Ｃに示すように、実質的に単層のＣＮＴ膜を半導体層５'として形成する。ＣＮＴ分散液の塗布は、ディスペンサーを用いてＣＮＴ分散液を滴下する方法、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷等の印刷法、スピンコート法、ディップコート法等の方法により行える。なかでも、均質性の良好なＣＮＴのネットワーク構造を形成する観点から、ディスペンサーを用いてＣＮＴ分散液を滴下する方法やスピンコート法が好ましい。ＣＮＴの、ＣＮＴ分散液の被塗布面（ゲート絶縁膜６の表面、または、吸着層９（図４参照）に塗布する場合は吸着層９の表面）への吸着は、ＣＮＴと被塗布面との疎水相互作用によって行われる。塗膜１５からの余分なＣＮＴの除去は、乾燥処理を行う前に、好ましくは、後述の洗浄処理により行う。実質的に単層のＣＮＴ膜の形成は、洗浄処理前の塗膜１５の厚さ、ＣＮＴ分散液におけるＣＮＴの濃度、ＣＮＴ分散液を塗布してから洗浄するまでの時間等を適宜調整することにより行える。
【0051】
（ＣＮＴ分散液）
ＣＮＴ分散液は、ＣＮＴと分散媒とを含み、必要に応じて、ＣＮＴの分散剤を含む。ＣＮＴ分散液におけるＣＮＴの濃度は、十分な電流量の確保の観点から、好ましくは０．１μｇ/ｍＬ以上、より好ましくは０．５μｇ/ｍＬ以上、さらに好ましくは１．０μｇ/ｍＬ以上であり、実質的に単層で均質なＣＮＴのネットワーク構造を形成する観点から、好ましくは７．０μｇ/ｍＬ以下、より好ましくは５．０μｇ/ｍＬ以下、さらに好ましくは３．０μｇ/ｍＬ以下である。
ＣＮＴ分散液は、ＣＮＴと分散媒とを含み、必要に応じて、ＣＮＴの分散剤を含む。ＣＮＴ分散液におけるＣＮＴの濃度は、十分な電流量の確保の観点から、好ましくは０．１μｇ/ｍＬ以上、より好ましくは０．５μｇ/ｍＬ以上、さらに好ましくは１．０μｇ/ｍＬ以上であり、実質的に単層で均質なＣＮＴのネットワーク構造を形成する観点から、好ましくは７．０μｇ/ｍＬ以下、より好ましくは５．０μｇ/ｍＬ以下、さらに好ましくは３．０μｇ/ｍＬ以下である。
【0052】
分散媒としては、水性媒体が好ましく、水性媒体としては、純水、イオン交換水、精製水又は蒸留水が好ましく、純水がより好ましい。水性媒体は、水以外に、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の低級アルコールや、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等の水溶性有機溶媒を含んでいてもよい。
【0053】
本開示の一態様では、例えば、金属型ＣＮＴと半導体型ＣＮＴとの混合物に対して半導体型ＣＮＴの含有率を高める技術を適用して得られたＣＮＴ分散液を用いて、半導体層５を形成するのが好ましい。本開示の一態様では、例えば、特開2021-080121号公報、特開2021-080120号公報、特開2021-080119号公報、または特開2019-202912号公報等に記載の方法により得られる半導体型ＳＷＣＮＴ分散液を用いて、半導体層５を形成するのが好ましい。これらの半導体型ＳＷＣＮＴ分散液は、ＣＮＴの分散剤として、例えば、アクリル酸系樹脂を含む。これらの公報に開示のアクリル酸系樹脂としては、例えば、ポリアクリル酸、アクリル酸とフェノキシジオキシエチレンアクリレート（ＰＤＥＡ）との共重合体、アクリル酸とメトキシジオキシプロピレンアクリレート（ＭＤＰＡ）との共重合体、アクリル酸とポリエチレングリコールモノアクリレート（エチレンオキシ基の平均付加モル数は２～１０）との共重合体、ポリエチレングリコールモノメタクリレート（エチレンオキシ基の平均付加モル数が２～４５）等の単独重合体が挙げられる。
【0054】
前記半導体型ＳＷＣＮＴ分散液に含まれるＣＮＴのうち、半導体型ＣＮＴの含有率は、好ましくは７０質量％以上、より好まししくは８０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上、さらにより好ましくは９５質量％以上である。
【0055】
塗膜１５の形成直後から、余分なＣＮＴの除去のための洗浄処理を開始するまでの静置時間は、ＣＮＴが下層、すなわち、ゲート絶縁層６または吸着層９に対するＣＮＴの吸着を適切に行う観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは５分以上、さらに好ましくは１０分以上、さらにより好ましくは３０分以上であり、生産性の観点から、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下、さらに好ましくは９０分以下である。
【0056】
［洗浄処理］
本開示の半導体素子の製造方法は、一態様において、半導体層５の形成において、ＣＮＴ分散液を被塗布面に塗布して塗膜を形成し、ＣＮＴを被塗布面に吸着させ、塗膜が未乾燥のうちに塗膜から余分なＣＮＴを除去した後、乾燥処理を行って、前記半導体層を形成する。ここで、未乾燥とは、ＣＮＴ分散液の構成成分である分散媒が完全に蒸発する前の状態を指し、例えば、後述する乾燥処理を開始する前の状態を指す。
塗膜１５からの余分なＣＮＴの除去は、例えば、洗浄処理により行う。洗浄処理は、上記静置時間を経て、ＣＮＴの下層への吸着が適切に行われた後、例えば、塗膜１５に洗浄液を注ぎかけるか、または、塗膜１５とゲート絶縁層６とゲート電極２とを含む積層体を浴槽内の洗浄液に浸漬させる等の方法により行える。実質的に単層のＣＮＴ膜であり均質なＣＮＴのネットワーク構造を形成する観点から、塗膜１５を含む前記積層体を浴槽内の洗浄液に浸漬させて洗浄する方法が好ましい。洗浄液としては、下層に吸着しており実質的に単層のＣＮＴ膜を構成するＣＮＴまで除去してしまわないために、例えば、超純水、エタノール、メタノール等のアルコールやアセトン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の極性溶媒が好ましい。浸漬時間は、好ましくは１分以上、より好ましくは３分以上、さらに好ましくは５分以上、さらにより好ましくは１０分以上、さらにより好ましくは３０分以上であり、そして、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下、さらに好ましくは９０分以下、さらにより好ましくは８０分以下である。
本開示の半導体素子の製造方法は、一態様において、半導体層５の形成において、ＣＮＴ分散液を被塗布面に塗布して塗膜を形成し、ＣＮＴを被塗布面に吸着させ、塗膜が未乾燥のうちに塗膜から余分なＣＮＴを除去した後、乾燥処理を行って、前記半導体層を形成する。ここで、未乾燥とは、ＣＮＴ分散液の構成成分である分散媒が完全に蒸発する前の状態を指し、例えば、後述する乾燥処理を開始する前の状態を指す。
塗膜１５からの余分なＣＮＴの除去は、例えば、洗浄処理により行う。洗浄処理は、上記静置時間を経て、ＣＮＴの下層への吸着が適切に行われた後、例えば、塗膜１５に洗浄液を注ぎかけるか、または、塗膜１５とゲート絶縁層６とゲート電極２とを含む積層体を浴槽内の洗浄液に浸漬させる等の方法により行える。実質的に単層のＣＮＴ膜であり均質なＣＮＴのネットワーク構造を形成する観点から、塗膜１５を含む前記積層体を浴槽内の洗浄液に浸漬させて洗浄する方法が好ましい。洗浄液としては、下層に吸着しており実質的に単層のＣＮＴ膜を構成するＣＮＴまで除去してしまわないために、例えば、超純水、エタノール、メタノール等のアルコールやアセトン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の極性溶媒が好ましい。浸漬時間は、好ましくは１分以上、より好ましくは３分以上、さらに好ましくは５分以上、さらにより好ましくは１０分以上、さらにより好ましくは３０分以上であり、そして、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下、さらに好ましくは９０分以下、さらにより好ましくは８０分以下である。
【0057】
上記のようにして洗浄された塗膜１５に対して乾燥処理を行って分散媒を揮発させ、半導体層５'とする。乾燥処理は、例えば、所定の温度に設定された雰囲気下に配置することにより行う。当該雰囲気の温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは８０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上であり、そして、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。乾燥時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは２０分以上、さらにより好ましくは３０分以上であり、そして、好ましくは２４０分以下、より好ましくは１８０分以下、さらに好ましくは１２０分以下、さらにより好ましくは９０分以下である。
【0058】
次に、図６Ａに示すように、半導体層５'上に、ソース電極３およびドレイン電極４の第６族元素層３１，４１および上層３２，４２を各々この順で形成する。これらの層の形成方法は、従来から公知の方法でよく、例えば、半導体層５'のゲート絶縁膜６側の面の反対面上に、メタルマスクを配置し、メタルマスクの開口部に、各々、ソース電極３、ドレイン電極４となる金属材料を真空蒸着する。
【0059】
次に、図６Ｂに示すように、半導体層５'のうちの余分な部分をエッチングにより除去した後、ソース電極３およびドレイン電極４が形成されたシリコン基板２を、１００℃以上２００℃以下で３０分以上６０分以下加熱して、ゲート絶縁層６や半導体層５に吸着している微量水分を除去するとともに、アニーリングする。
【0060】
次に、図６Ｃに示すように、半導体層５のうちのソース電極３とドレイン電極４の間に配置された部分（チャネル領域）の上に封止層８を形成する。具体的には、例えば、封止層８を形成する樹脂の溶液をスピンコート等の塗布方法により塗布し、その後、必要に応じて乾燥させることにより封止層８を形成する。
【実施例0061】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【0062】
１．各種パラメーターの測定方法
［重合体の重量平均分子量の測定］
ＳＷＣＮＴ分散液の調製に使用した重合体の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下「ＧＰＣ」ともいう）法を用いて下記条件で測定した。
＜ＧＰＣ条件＞
測定装置：ＨＬＣ―８３２０ＧＰＣ（東ソー株式会社製)
カラム：α―Ｍ + α―Ｍ（東ソー株式会社製）
溶離液：６０ｍｍｏｌ/Ｌ、Ｈ3ＰＯ4および５０ｍｍｏｌ/Ｌ、ＬｉＢｒのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出：ＲＩ
サンプルサイズ：０．５ｍｇ／ｍＬ
標準物質：単分散ポリスチレン（東ソー株式会社製）
［重合体の重量平均分子量の測定］
ＳＷＣＮＴ分散液の調製に使用した重合体の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下「ＧＰＣ」ともいう）法を用いて下記条件で測定した。
＜ＧＰＣ条件＞
測定装置：ＨＬＣ―８３２０ＧＰＣ（東ソー株式会社製)
カラム：α―Ｍ + α―Ｍ（東ソー株式会社製）
溶離液：６０ｍｍｏｌ/Ｌ、Ｈ3ＰＯ4および５０ｍｍｏｌ/Ｌ、ＬｉＢｒのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出：ＲＩ
サンプルサイズ：０．５ｍｇ／ｍＬ
標準物質：単分散ポリスチレン（東ソー株式会社製）
【0063】
[半導体型ＳＷＣＮＴの含有率]
分散する前のＳＷＣＮＴと、スライドガラス上で乾燥させたＳＷＣＮＴ分散液（分散した後のＳＷＣＮＴ）について、レーザーラマン顕微鏡(ナノフォトン(株)「RAMAN touch」)を用いて励起波長６３３ｎｍでそれぞれラマンスペクトルを測定した。６３３ｎｍ励起のラマンスペクトルのRBM(Radial Breathing mode)ピーク(100～350cm-1)において、半導体型ＳＷＣＮＴに固有のピークと金属型ＳＷＣＮＴに固有のピークが存在する。分散する前のＳＷＣＮＴの金属型ＳＷＣＮＴ固有のピーク面積Amに対する半導体型ＳＷＣＮＴに固有のピークの面積Asの比(As/m)と、ＳＷＣＮＴ分散液の金属型ＳＷＣＮＴ固有のピーク面積Amに対する半導体型ＳＷＣＮＴに固有のピークの面積Asの比(As/m')を算出することで、分散した後のＳＷＣＮＴの半導体型ＳＷＣＮＴの含有率を計算することができる。分散する前のＳＷＣＮＴの半導体含有率６７質量％を基準とし、下記式からＳＷＣＮＴ分散液における半導体型ＳＷＣＮＴ含有率を計算できる。
分散する前のＳＷＣＮＴと、スライドガラス上で乾燥させたＳＷＣＮＴ分散液（分散した後のＳＷＣＮＴ）について、レーザーラマン顕微鏡(ナノフォトン(株)「RAMAN touch」)を用いて励起波長６３３ｎｍでそれぞれラマンスペクトルを測定した。６３３ｎｍ励起のラマンスペクトルのRBM(Radial Breathing mode)ピーク(100～350cm-1)において、半導体型ＳＷＣＮＴに固有のピークと金属型ＳＷＣＮＴに固有のピークが存在する。分散する前のＳＷＣＮＴの金属型ＳＷＣＮＴ固有のピーク面積Amに対する半導体型ＳＷＣＮＴに固有のピークの面積Asの比(As/m)と、ＳＷＣＮＴ分散液の金属型ＳＷＣＮＴ固有のピーク面積Amに対する半導体型ＳＷＣＮＴに固有のピークの面積Asの比(As/m')を算出することで、分散した後のＳＷＣＮＴの半導体型ＳＷＣＮＴの含有率を計算することができる。分散する前のＳＷＣＮＴの半導体含有率６７質量％を基準とし、下記式からＳＷＣＮＴ分散液における半導体型ＳＷＣＮＴ含有率を計算できる。
【0064】
半導体型ＳＷＣＮＴの含有率=[(0.67/As/m)×As/m'×100]/[0.33＋(0.67/As/m)×As/m']
【0065】
［ＳＷＣＮＴの平均直径及び平均長さの測定］
ＳＷＣＮＴの平均直径及び平均長さは、透過型電子顕微鏡を用い得られた画像から１０本以上のＣＮＴについて直径及び長さをそれぞれ測定し平均することで算出した。
ＳＷＣＮＴの平均直径及び平均長さは、透過型電子顕微鏡を用い得られた画像から１０本以上のＣＮＴについて直径及び長さをそれぞれ測定し平均することで算出した。
【0066】
[半導体層の平均膜厚の測定]
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、熱酸化膜（ＳｉＯ2）表面から半導体層表面までの高さを任意に５か所計測し、それを平均することによって、半導体層の平均膜厚を測定した。
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、熱酸化膜（ＳｉＯ2）表面から半導体層表面までの高さを任意に５か所計測し、それを平均することによって、半導体層の平均膜厚を測定した。
【0067】
[カーボンナノチューブネットワークのカーボンナノチューブ密度の測定]
原子間力顕微鏡を用いて、半導体層のうちのソース電極とドレイン電極との間の領域（チャネル領域）の画像を入手し、そのうちの１μｍ四方の１つの辺上に存在するＣＮＴの本数を２乗した値をカーボンナノチューブ密度（本/μｍ2）として計測した。
原子間力顕微鏡を用いて、半導体層のうちのソース電極とドレイン電極との間の領域（チャネル領域）の画像を入手し、そのうちの１μｍ四方の１つの辺上に存在するＣＮＴの本数を２乗した値をカーボンナノチューブ密度（本/μｍ2）として計測した。
【0068】
［封止層の平均厚さの測定］
触針式表面形状測定器を用いて、ソース電極とドレイン電極との間における、半導体層表面から封止層表面までの高さを任意に５か所計測し、それを平均することによって、封止層の平均厚さを測定した。
触針式表面形状測定器を用いて、ソース電極とドレイン電極との間における、半導体層表面から封止層表面までの高さを任意に５か所計測し、それを平均することによって、封止層の平均厚さを測定した。
【0069】
[封止層の比誘電率]
封止層の比誘電率は、封止層に用いた樹脂をフィルム状に成型し、インピーダンスアナライザを用いた容量法にて、２５℃、１ＭＨｚで測定した。
封止層の比誘電率は、封止層に用いた樹脂をフィルム状に成型し、インピーダンスアナライザを用いた容量法にて、２５℃、１ＭＨｚで測定した。
【0070】
［ＳＤ電極（第６族元素層および上層）の平均厚さの測定］
第６族元素層および上層の平均厚さの測定のために、半導体素子の電気特性の測定後、断面が図２のような断面になるようにＣＮＴ-ＦＥＴを切断することで測定試料を作成した。次に、ＣＮＴ-ＦＥＴの切断面を走査型電子顕微鏡で観察することで、第６族元素層および上層の平均厚さを各々計測し、その結果を表１に示した。
第６族元素層および上層の平均厚さの測定のために、半導体素子の電気特性の測定後、断面が図２のような断面になるようにＣＮＴ-ＦＥＴを切断することで測定試料を作成した。次に、ＣＮＴ-ＦＥＴの切断面を走査型電子顕微鏡で観察することで、第６族元素層および上層の平均厚さを各々計測し、その結果を表１に示した。
【0071】
[ヒステリシスの測定]
半導体素子における伝達特性を大気中で測定した。ゲート電圧(Ｖｇｓ)を変化させた時のドレイン電流(Ｉｄｓ)を、半導体特性評価装置(KEITHLEY株式会社製)を用いて測定した。ドレイン電圧(Ｖｄｓ)は－１Ｖに設定し、ゲート電圧(Ｖｇｓ)を２０Ｖ～－２０Ｖの間を往復するように掃引した。ドレイン電流(Ｉｄｓ)が－１００ｎＡにおける行き（２０Ｖから－２０Ｖへのスキャン）と帰り（－２０Ｖから２０Ｖへのスキャン）のゲート電圧差の絶対値|Ｖｇｓ１－Ｖｇｓ２|からヒステリシスを算出した。その結果は下記表１に示している。
半導体素子における伝達特性を大気中で測定した。ゲート電圧(Ｖｇｓ)を変化させた時のドレイン電流(Ｉｄｓ)を、半導体特性評価装置(KEITHLEY株式会社製)を用いて測定した。ドレイン電圧(Ｖｄｓ)は－１Ｖに設定し、ゲート電圧(Ｖｇｓ)を２０Ｖ～－２０Ｖの間を往復するように掃引した。ドレイン電流(Ｉｄｓ)が－１００ｎＡにおける行き（２０Ｖから－２０Ｖへのスキャン）と帰り（－２０Ｖから２０Ｖへのスキャン）のゲート電圧差の絶対値|Ｖｇｓ１－Ｖｇｓ２|からヒステリシスを算出した。その結果は下記表１に示している。
【0072】
[閾値電圧差の測定]
上記の方法でヒステリシスを算出した後、ドレイン電圧を－２０Ｖに設定し、ゲート電圧２０Ｖ～－２０Ｖで同様に掃引した。大きな電流が流れ始めるときの電圧である閾値電圧を正確に算出するのは難しい。そのため、行きのドレイン電流(Ids)が－１００ｎＡとなる時のゲート電圧(Ｖｇｓ)を、ドレイン電圧の大小による閾値電圧の変化の程度を評価するための便宜上の閾値電圧とすることとし、ドレイン電圧(Ｖｄｓ）を－１Ｖ（線形領域）に設定した時の閾値電圧（Ｖｇｓ３）と、ドレイン電圧(Ｖｄｓ)を－２０Ｖ（飽和領域）に設定した時の閾値電圧（Ｖｇｓ４）の差ΔＶｇ（＝Ｖｇｓ４－Ｖｇｓ３）を求めた。その結果は下記表１に示している。
上記の方法でヒステリシスを算出した後、ドレイン電圧を－２０Ｖに設定し、ゲート電圧２０Ｖ～－２０Ｖで同様に掃引した。大きな電流が流れ始めるときの電圧である閾値電圧を正確に算出するのは難しい。そのため、行きのドレイン電流(Ids)が－１００ｎＡとなる時のゲート電圧(Ｖｇｓ)を、ドレイン電圧の大小による閾値電圧の変化の程度を評価するための便宜上の閾値電圧とすることとし、ドレイン電圧(Ｖｄｓ）を－１Ｖ（線形領域）に設定した時の閾値電圧（Ｖｇｓ３）と、ドレイン電圧(Ｖｄｓ)を－２０Ｖ（飽和領域）に設定した時の閾値電圧（Ｖｇｓ４）の差ΔＶｇ（＝Ｖｇｓ４－Ｖｇｓ３）を求めた。その結果は下記表１に示している。
【0073】
[ＣＮＴ分散液の作製]
ポリエチレングリコール（９）モノメタクリレート（ＰＥＧ（９）ＭＡ、新中村化学社製、「ＭＧ－９０Ｇ、ポリオキシエチレンの平均付加モル数は９)を原料モノマーとして特開2021-80120号公報に記載の方法で合成した重合体（重量平均分子量：１００，０００）を、超純水に溶解して０．５ｗｔ％ＰＥＧ（９）ＭＡ水溶液を得た。０．５ｗｔ％ＰＥＧ（９）ＭＡ水溶液３０ｇに、単層ＣＮＴ(NanoIntegris社製「HiPco-Raw」、平均直径１．０ｎｍ、平均長さ０．５μｍ)を３０ｍｇ添加して、混合液を得た。
次いでスターラーで撹拌しながら、超音波ホモジナイザー(Branson社製「450D」)で、出力３０％、液温１０℃の条件にて１０分間分散させた。その後、分散後の溶液を超遠心分離機(日立工機(株)社製「ＣＸ１００ＧＸII」、ローターＳ５０)を用いて回転数５００００ｒｐｍ、液温２０℃の条件にて６０分間遠心処理を行った。その上澄み液を体積基準で液面から８０％採取することで、ＣＮＴ全量（半導体型ＣＮＴと金属型ＣＮＴの合計）に対する半導体型ＣＮＴの割合（半導体型ＣＮＴの含有率）が９８質量％であり、下記実施例１～５、比較例１～３に使用するＣＮＴ分散液を得た。
尚、用いたＳＷＣＮＴは１００～２２０ｃｍ-1付近に金属型ＳＷＣＮＴ固有のピークを有し、２２０～３５０ｃｍ-1付近に半導体型ＳＷＣＮＴ固有のピークを有している。
ポリエチレングリコール（９）モノメタクリレート（ＰＥＧ（９）ＭＡ、新中村化学社製、「ＭＧ－９０Ｇ、ポリオキシエチレンの平均付加モル数は９)を原料モノマーとして特開2021-80120号公報に記載の方法で合成した重合体（重量平均分子量：１００，０００）を、超純水に溶解して０．５ｗｔ％ＰＥＧ（９）ＭＡ水溶液を得た。０．５ｗｔ％ＰＥＧ（９）ＭＡ水溶液３０ｇに、単層ＣＮＴ(NanoIntegris社製「HiPco-Raw」、平均直径１．０ｎｍ、平均長さ０．５μｍ)を３０ｍｇ添加して、混合液を得た。
次いでスターラーで撹拌しながら、超音波ホモジナイザー(Branson社製「450D」)で、出力３０％、液温１０℃の条件にて１０分間分散させた。その後、分散後の溶液を超遠心分離機(日立工機(株)社製「ＣＸ１００ＧＸII」、ローターＳ５０)を用いて回転数５００００ｒｐｍ、液温２０℃の条件にて６０分間遠心処理を行った。その上澄み液を体積基準で液面から８０％採取することで、ＣＮＴ全量（半導体型ＣＮＴと金属型ＣＮＴの合計）に対する半導体型ＣＮＴの割合（半導体型ＣＮＴの含有率）が９８質量％であり、下記実施例１～５、比較例１～３に使用するＣＮＴ分散液を得た。
尚、用いたＳＷＣＮＴは１００～２２０ｃｍ-1付近に金属型ＳＷＣＮＴ固有のピークを有し、２２０～３５０ｃｍ-1付近に半導体型ＳＷＣＮＴ固有のピークを有している。
【0074】
［実施例１］
厚さ２００ｎｍの熱酸化膜（ＳｉＯ2）が堆積している１ｃｍ2（主面の面積）のシリコン基板に対して、気相法によって３－アミノプロピルトリエトキシシラン(ＡＰＴＥＳ)の吸着層を形成した。次に上記の方法で得たＣＮＴ分散液を、純水で希釈してＣＮＴの質量で１．４５μｇ/ｍＬの濃度に調整した。それを吸着層の全面に塗布して塗膜を形成した後、室温下で１時間静置した。その後、乾燥処理を行う前に、塗膜が形成されたシリコン基板を、超純水に６０分間浸漬させることにより、余分なＣＮＴを除去し、その後、超純水から引き揚げ、１８０℃の雰囲気下で６０分間乾燥させて、平均膜厚が２ｎｍの半導体層を得た。ＡＦＭ画像から半導体層のカーボンナノチューブのネットワーク密度は６２５本/μｍ2であった。また、原子間力顕微鏡を用いて、半導体層のうちのソース電極とドレイン電極との間の領域（チャネル領域）のうちの１μｍ四方の画像観察を行ったところ、ＣＮＴは、その長手方向が、二次元方向にランダムに配向しており、１本のＣＮＴに対し他の５本以上のＣＮＴと交差していた。また、前記１μｍ四方で観察される全てのＣＮＴについて、ＣＮＴの長手方向の長さのうちの他のＣＮＴと重なり合う部分（交差する部分）の長さの合計は３％であった。
厚さ２００ｎｍの熱酸化膜（ＳｉＯ2）が堆積している１ｃｍ2（主面の面積）のシリコン基板に対して、気相法によって３－アミノプロピルトリエトキシシラン(ＡＰＴＥＳ)の吸着層を形成した。次に上記の方法で得たＣＮＴ分散液を、純水で希釈してＣＮＴの質量で１．４５μｇ/ｍＬの濃度に調整した。それを吸着層の全面に塗布して塗膜を形成した後、室温下で１時間静置した。その後、乾燥処理を行う前に、塗膜が形成されたシリコン基板を、超純水に６０分間浸漬させることにより、余分なＣＮＴを除去し、その後、超純水から引き揚げ、１８０℃の雰囲気下で６０分間乾燥させて、平均膜厚が２ｎｍの半導体層を得た。ＡＦＭ画像から半導体層のカーボンナノチューブのネットワーク密度は６２５本/μｍ2であった。また、原子間力顕微鏡を用いて、半導体層のうちのソース電極とドレイン電極との間の領域（チャネル領域）のうちの１μｍ四方の画像観察を行ったところ、ＣＮＴは、その長手方向が、二次元方向にランダムに配向しており、１本のＣＮＴに対し他の５本以上のＣＮＴと交差していた。また、前記１μｍ四方で観察される全てのＣＮＴについて、ＣＮＴの長手方向の長さのうちの他のＣＮＴと重なり合う部分（交差する部分）の長さの合計は３％であった。
【0075】
次に、チャネル長（Ｌ）とチャネル幅（Ｗ）がそれぞれ１００μｍと１０００μｍとなるように、メタルマスクを通して、Ｃｒを平均厚さが３０ｎｍ、次いで、当該Ｃｒ層の上にＡｕを平均厚さが３０ｎｍとなるように、それぞれ真空蒸着して、２層構造（Ｃｒ層／Ａｕ層）のソース電極およびドレイン電極を各々形成した。ソース電極、ドレイン電極が形成された基板を１８０℃で１時間加熱した。次いで、余分な半導体層をエッチングにより除去した後、フッ素樹脂（ＣＹＴＯＰ（登録商標）、ＣＴＬ―８０９Ａ、ＡＧＣ社製)を、スピンコート塗布(１段階目：５００ｒｐｍで５ｓ，２段階目：３０００ｒｐｍで２０ｓ)した。その後、１８０℃で６０分間加熱して、平均厚さが６００ｎｍの封止層を形成した。このようにして、図１および図２に示した半導体素子を作製した。
【0076】
［実施例２］
スピンコート塗布（１段階目：５００ｒｐｍで５ｓ, ２段階目：２０００ｒｐｍで２０ｓ）した後、１８０℃で６０分間加熱して、平均厚さが１２００ｎｍの封止層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして半導体素子を作成した。
スピンコート塗布（１段階目：５００ｒｐｍで５ｓ, ２段階目：２０００ｒｐｍで２０ｓ）した後、１８０℃で６０分間加熱して、平均厚さが１２００ｎｍの封止層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして半導体素子を作成した。
【0077】
［実施例３］
フッ素樹脂（ＣＹＴＯＰ（登録商標）、ＣＴＬ―８０９Ａ、ＡＧＣ社製)の代わりに、ポリスチレン（重量平均分子量：３５０００）の１ｗｔ％クロロホルム溶液を用いてスピンコート塗布(１８００ｒｐｍ、３０ｓ)し、平均厚さが６００ｎｍの封止層を形成した以外は実施例１と同様にして半導体素子を形成した。
フッ素樹脂（ＣＹＴＯＰ（登録商標）、ＣＴＬ―８０９Ａ、ＡＧＣ社製)の代わりに、ポリスチレン（重量平均分子量：３５０００）の１ｗｔ％クロロホルム溶液を用いてスピンコート塗布(１８００ｒｐｍ、３０ｓ)し、平均厚さが６００ｎｍの封止層を形成した以外は実施例１と同様にして半導体素子を形成した。
【0078】
［実施例４］
ポリスチレン１ｗｔ％クロロホルム溶液の代わりにＰＭＭＡ（重量平均分子量：１５０００）の１ｗｔ％クロロホルム溶液を用いて封止層を形成した以外は実施例３と同様にして半導体素子を形成した。
ポリスチレン１ｗｔ％クロロホルム溶液の代わりにＰＭＭＡ（重量平均分子量：１５０００）の１ｗｔ％クロロホルム溶液を用いて封止層を形成した以外は実施例３と同様にして半導体素子を形成した。
【0079】
［実施例５］
Ｃｒ層の厚さを５ｎｍとしたこと以外は実施例１と同様にして半導体素子を形成した。
Ｃｒ層の厚さを５ｎｍとしたこと以外は実施例１と同様にして半導体素子を形成した。
【0080】
［比較例１］
ソース電極およびドレイン電極において、Ｃｒの代わりにＴｉを用いた以外は実施例１と同様にして半導体素子を作成した。
ソース電極およびドレイン電極において、Ｃｒの代わりにＴｉを用いた以外は実施例１と同様にして半導体素子を作成した。
【0081】
［比較例２］
封止層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして半導体素子を作成した。
封止層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして半導体素子を作成した。
【0082】
［比較例３］
ポリスチレン１ｗｔ％クロロホルム溶液の代わりにポリフッ化ビニリデン（KFポリマー#７２００、クレハ製）の１ｗｔ％アセトン溶液を用いて封止層を形成した以外は実施例３と同様にして半導体素子を形成した。
ポリスチレン１ｗｔ％クロロホルム溶液の代わりにポリフッ化ビニリデン（KFポリマー#７２００、クレハ製）の１ｗｔ％アセトン溶液を用いて封止層を形成した以外は実施例３と同様にして半導体素子を形成した。
【0083】
【表1】
【0084】
【0085】
表１に示すように、実施例１～５では、ソース電極およびドレイン電極のうちの半導体層と接する部分が、周期律表第６族元素であるＣｒで形成されており、且つ、半導体層が、比誘電率が５．０以下の材料で形成されているので、比較例よりも、ヒステリシスが小さく、且つ、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することが抑制されている。比較例３では、ソース電極およびドレイン電極のうちの半導体層と接する部分が、周期律表第６族元素であるＣｒで形成されていても、半導体層が、比誘電率が５．０以下の材料で形成されていないので、実施例よりも、ヒステリシスが大きく、閾値電圧の変化も大きかった。
【産業上の利用可能性】
【0086】
以上説明した通り、本開示によれば、ヒステリシスが小さく、且つ、ドレイン電圧の大小により閾値電圧が変化することが抑制された半導体素子を提供できるので、これを用いるデバイス性能の向上に寄与できる。
【符号の説明】
【0087】
１ 半導体素子
２ 半導体基板（ゲート電極）
３ ソース電極
４ ドレイン電極
３１，４１ 第６族元素層
３２，４２ 上層
５ 半導体層
６ ゲート絶縁層
８ 封止層
９ 吸着層
１５ 塗膜
５０ カーボンナノチューブ
２ 半導体基板（ゲート電極）
３ ソース電極
４ ドレイン電極
３１，４１ 第６族元素層
３２，４２ 上層
５ 半導体層
６ ゲート絶縁層
８ 封止層
９ 吸着層
１５ 塗膜
５０ カーボンナノチューブ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
