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特開2024-3778複数の表示セルを含むマザー基板と表示装置の製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024003778

(43)【公開日】2024-01-15

(54)【発明の名称】複数の表示セルを含むマザー基板と表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

G09F 9/30 20060101AFI20240105BHJP

G09F 9/00 20060101ALI20240105BHJP

H10K 77/10 20230101ALI20240105BHJP

H10K 50/844 20230101ALI20240105BHJP

H10K 71/00 20230101ALI20240105BHJP

H10K 59/12 20230101ALI20240105BHJP

H10K 59/122 20230101ALI20240105BHJP

H10K 59/124 20230101ALI20240105BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 309

G09F9/30 365

G09F9/30 338

G09F9/00 342

H10K77/10

H10K50/844

H10K71/00

H10K59/12

H10K59/122

H10K59/124

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023102480

(22)【出願日】2023-06-22

(31)【優先権主張番号】10-2022-0078136

(32)【優先日】2022-06-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】ＳａｍｓｕｎｇＤｉｓｐｌａｙＣｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，ＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＫｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002619

【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ

(72)【発明者】

【氏名】イユンウォン

(72)【発明者】

【氏名】ソンスジン

(72)【発明者】

【氏名】イキュンウン

(72)【発明者】

【氏名】チョナムヨン

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC45

3K107DD19

3K107DD89

3K107DD90

3K107EE03

3K107EE46

3K107GG52

5C094AA38

5C094BA03

5C094BA27

5C094DA07

5C094DA13

5C094DA15

5C094EC04

5C094GB10

5G435AA14

5G435BB05

5G435KK05

(57)【要約】（修正有）

【課題】封止膜に空隙が発生することを減らすか防止できる表示装置のマザー基板および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板ＳＳＵＢ上に第１有機膜、第１無機膜、第２有機膜、および第２無機膜を順次形成する段階、前記第２無機膜上に複数の表示セルＤＰＣと封止蓋層ＥＣＬＤを形成する段階、前記支持基板を前記第１有機膜から分離する段階、および前記複数の表示セルをカットする段階を含む。前記第２無機膜上に前記複数の表示セルと前記封止蓋層を形成する段階は前記第２有機膜によって覆われていない第１無機膜と前記第２無機膜が互いに接触する第１無機封止部ＩＥＡ１上に前記封止蓋層を形成する段階を含む。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持基板と、
前記支持基板の一面上に配置される第１有機膜と、
前記第１有機膜上に配置され、前記第１有機膜の縁を覆う第１無機膜と、
前記第１無機膜上に配置される第２有機膜と、
前記第２有機膜上に配置され、前記第２有機膜の縁を覆う第２無機膜と、
前記第２無機膜上に配置される複数の表示セルと、
前記第１無機膜と前記第２無機膜が互いに接触する第１無機封止部上に配置される封止蓋層と、を備える、マザー基板。

【請求項2】

前記封止蓋層は前記第１無機封止部の全体を覆う、請求項１に記載のマザー基板。

【請求項3】

前記第１無機封止部の一部は前記封止蓋層によって覆われずに露出する、請求項１に記載のマザー基板。

【請求項4】

前記封止蓋層の幅は前記第１無機封止部の幅より大きい、請求項１に記載のマザー基板。

【請求項5】

前記複数の表示セルのそれぞれは、
前記第２無機膜上に配置される複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタ上に配置される少なくとも一つの平坦化層と、
前記少なくとも一つの平坦化層上に配置される発光素子と、
前記発光素子を封止する封止膜と、を含み、
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれはアクティブ層とゲート電極を含み、
前記発光素子それぞれは第１電極、発光層、および第２電極を含む、請求項１に記載のマザー基板。

【請求項6】

前記封止蓋層と前記少なくとも一つの平坦化層は同じ有機物質を含む、請求項５に記載のマザー基板。

【請求項7】

前記複数の表示セルのそれぞれは前記発光素子それぞれの第１電極の縁を覆うバンクをさらに含み、
前記封止蓋層と前記バンクは同じ有機物質を含む、請求項５に記載のマザー基板。

【請求項8】

前記複数の表示セルのそれぞれは前記発光素子それぞれの第１電極の縁を覆うバンク、および前記バンク上に配置されるスペーサをさらに含み、
前記封止蓋層と前記スペーサは同じ有機物質を含む、請求項５に記載のマザー基板。

【請求項9】

前記複数の表示セルのそれぞれは、
前記アクティブ層と前記ゲート電極の間に配置されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極上に配置される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に配置され、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記アクティブ層に連結される第１連結電極と、をさらに含み、
前記封止蓋層と前記第１連結電極は同じ金属物質を含む、請求項５に記載のマザー基板。

【請求項10】

前記封止膜は、
前記発光素子それぞれの第２電極上に配置される第１封止無機膜と、
前記第１封止無機膜上に配置される封止有機膜と、
前記封止有機膜上に配置される第２封止無機膜と、を含み、
前記第２無機膜、前記第１封止無機膜、および前記第２封止無機膜が順次積層された第２無機封止部は前記複数の表示セルそれぞれを囲むように配置される、請求項５に記載のマザー基板。

【請求項11】

前記封止蓋層は金属物質を含む、請求項１に記載のマザー基板。

【請求項12】

支持基板上に第１有機膜、第１無機膜、第２有機膜、および第２無機膜を順次形成する段階と、
前記第２無機膜上に複数の表示セルと封止蓋層を形成すると、前記支持基板を前記第１有機膜から分離する段階と、
前記複数の表示セルをカットする段階と、を含み、
前記第２無機膜上に前記複数の表示セルと前記封止蓋層を形成する段階は、
前記第２有機膜によって覆われていない第１無機膜と前記第２無機膜が互いに接触する第１無機封止部上に前記封止蓋層を形成する段階を含む、表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記封止蓋層は前記第１無機封止部の全体を覆う、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項14】

前記第１無機封止部の一部は前記封止蓋層によって覆われずに露出する、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記支持基板を前記第１有機膜から分離する段階は、
前記封止蓋層によって覆われずに前記第１無機封止部が露出する挿入領域で前記支持基板と前記第１有機膜の間にカットユニットを挿入する段階と、
前記カットユニットで前記第１無機封止部に沿って前記支持基板と前記第１有機膜の間をカットする段階と、を含む、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記封止蓋層の幅は前記第１無機封止部の幅より大きい、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記封止蓋層は有機物質で形成される、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記封止蓋層は金属物質で形成される、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記第２無機膜上に前記複数の表示セルと前記封止蓋層を形成する段階は、
前記第２無機膜上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に配置される少なくとも一つの平坦化膜と前記封止蓋層を同時に有機物質で形成する段階と、および
前記少なくとも一つの平坦化膜上に発光素子を形成し、前記発光素子を封止するための封止膜を形成する段階と、をさらに含む、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記第２無機膜上に前記複数の表示セルと前記封止蓋層を形成する段階は、
前記第２無機膜上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタを覆う少なくとも一つの平坦化膜を形成し、前記少なくとも一つの平坦化膜上に発光素子それぞれの第１電極を形成する段階と、
前記発光素子それぞれの第１電極の縁を覆うバンクと前記封止蓋層を同時に有機物質で形成する段階と、
前記バンクによって覆われずに露出した前記発光素子それぞれの第１電極上に前記発光素子それぞれの発光層と第２電極を形成し、前記発光素子を封止するための封止膜を形成する段階と、をさらに含む、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は複数の表示セルを含むマザー基板と表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

情報化社会の発展につれて映像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態で増加している。表示装置は液晶表示装置（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）、発光表示パネル（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｓｐｌａｙ）などのようなフラットパネルディスプレイであり得る。発光表示装置は発光素子として有機発光ダイオード素子を含む有機発光表示装置、または発光素子としてＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）のような無機発光ダイオード素子を含む無機発光表示装置を含むことができる。

【0003】

有機発光表示装置は製造工程中に製造装備との物理的接触および洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によって無機膜の一部が脱落し得る。この場合、脱落した無機膜の一部である透明無機粒子によって、有機発光ダイオード素子を封止するための封止膜に空隙が発生し得る。前記空隙を介して水分または酸素が浸透する場合、有機発光ダイオード素子は酸化して発光できないこともある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、脱落した無機膜の一部である透明無機粒子によって封止膜に空隙が発生することを減らすか防止できる複数の表示装置を含むマザー基板を提供することにある。

【0005】

本発明が解決しようとする他の課題は、脱落した無機膜の一部である透明無機粒子によって封止膜に空隙が発生することを減らすか防止できる表示装置の製造方法を提供することにある。

【0006】

本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記課題を解決するための一実施形態による複数の表示装置を含むマザー基板は、支持基板、前記支持基板の一面上に配置される第１有機膜、前記第１有機膜上に配置され、前記第１有機膜の縁を覆う第１無機膜、前記第１無機膜上に配置される第２有機膜、前記第２有機膜上に配置され、前記第２有機膜の縁を覆う第２無機膜、前記第２無機膜上に配置される複数の表示セル、および前記第１無機膜と前記第２無機膜が互いに接触する第１無機封止部上に配置される封止蓋層を備える。

【0008】

前記封止蓋層は前記第１無機封止部の全体を覆い得る。

【0009】

前記第１無機封止部の一部は前記封止蓋層によって覆われずに露出し得る。

【0010】

前記封止蓋層の幅は前記第１無機封止部の幅より大きくてもよい。

【0011】

前記複数の表示セルそれぞれは前記第２無機膜上に配置される複数の薄膜トランジスタ、前記複数の薄膜トランジスタ上に配置される少なくとも一つの平坦化層、前記少なくとも一つの平坦化層上に配置される発光素子、および前記発光素子を封止する封止膜を含み得る。前記複数の薄膜トランジスタそれぞれはアクティブ層とゲート電極を含み、前記発光素子それぞれは第１電極、発光層、および第２電極を含み得る。

【0012】

前記封止蓋層と前記少なくとも一つの平坦化層は同じ有機物質を含み得る。

【0013】

前記複数の表示セルそれぞれは前記発光素子それぞれの第１電極の縁を覆うバンクをさらに含み、前記封止蓋層と前記バンクは同じ有機物質を含み得る。

【0014】

前記複数の表示セルそれぞれは前記発光素子それぞれの第１電極の縁を覆うバンク、および前記バンク上に配置されるスペーサをさらに含み、前記封止蓋層と前記スペーサは同じ有機物質を含み得る。

【0015】

前記複数の表示セルそれぞれは前記アクティブ層と前記ゲート電極の間に配置されるゲート絶縁膜、前記ゲート電極上に配置される層間絶縁膜、および前記層間絶縁膜上に配置され、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記アクティブ層に連結される第１連結電極をさらに含み得る。前記封止蓋層と前記第１連結電極は同じ金属物質を含み得る。

【0016】

前記封止膜は前記発光素子それぞれの第２電極上に配置される第１封止無機膜、前記第１封止無機膜上に配置される封止有機膜、および前記封止有機膜上に配置される第２封止無機膜を含み得る。前記第２無機膜、前記第１封止無機膜、および前記第２封止無機膜が順次積層された第２無機封止部は前記複数の表示セルそれぞれを囲むように配置され得る。

【0017】

前記封止蓋層は金属物質を含み得る。

【0018】

前記課題を解決するための一実施形態による表示装置の製造方法は、支持基板上に第１有機膜、第１無機膜、第２有機膜、および第２無機膜を順次形成する段階、前記第２無機膜上に複数の表示セルと封止蓋層を形成する段階、前記支持基板を前記第１有機膜から分離する段階、および前記複数の表示セルをカットする段階を含む。前記第２無機膜上に前記複数の表示セルと前記封止蓋層を形成する段階は前記第２有機膜によって覆われていない第１無機膜と前記第２無機膜が互いに接触する第１無機封止部上に前記封止蓋層を形成する段階を含む。

【0019】

前記封止蓋層は前記第１無機封止部の全体を覆い得る。

【0020】

前記第１無機封止部の一部は前記封止蓋層によって覆われずに露出し得る。

【0021】

前記支持基板を前記第１有機膜から分離する段階は前記封止蓋層によって覆われずに前記第１無機封止部が露出する挿入領域で前記支持基板と前記第１有機膜の間にカットユニットを挿入する段階、および前記カットユニットで前記第１無機封止部に沿って前記支持基板と前記第１有機膜の間をカットする段階を含み得る。

【0022】

前記封止蓋層の幅は前記第１無機封止部の幅より大きくてもよい。

【0023】

前記封止蓋層は有機物質で形成され得る。

【0024】

前記封止蓋層は金属物質で形成され得る。

【0025】

前記第２無機膜上に前記複数の表示セルと前記封止蓋層を形成する段階は、前記第２無機膜上に薄膜トランジスタを形成する段階、前記薄膜トランジスタ上に配置される少なくとも一つの平坦化膜と前記封止蓋層を同時に有機物質で形成する段階、および前記少なくとも一つの平坦化膜上に発光素子を形成し、前記発光素子を封止するための封止膜を形成する段階をさらに含み得る。

【0026】

前記第２無機膜上に前記複数の表示セルと前記封止蓋層を形成する段階は、前記第２無機膜上に薄膜トランジスタを形成する段階、前記薄膜トランジスタを覆う少なくとも一つの平坦化膜を形成し、前記少なくとも一つの平坦化膜上に発光素子それぞれの第１電極を形成する段階、前記発光素子それぞれの第１電極の縁を覆うバンクと前記封止蓋層を同時に有機物質で形成する段階、および前記バンクによって覆われずに露出した前記発光素子それぞれの第１電極上に前記発光素子それぞれの発光層と第２電極を形成し、前記発光素子を封止するための封止膜を形成する段階をさらに含み得る。

【0027】

その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。

【発明の効果】

【0028】

実施形態による複数の表示セルを含むマザー基板と表示装置の製造方法によれば、封止蓋層により、第１無機封止部が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止することができる。したがって、第１無機封止部の第１無機膜と第２無機膜の一部が脱落することを防止することができる。したがって、脱落した無機膜の一部である透明無機粒子によって封止膜に空隙が発生することを減らすか防止することができる。
実施形態による効果は以上で例示した内容によって制限されず、より多様な効果が本明細書内に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】一実施形態による複数の表示セルを含むマザー基板を示す斜視図である。

【図2】一実施形態によるマザー基板の支持基板、複数の表示セル、第１無機封止部、および第２無機封止部を示すレイアウト図である。

【図3】図２のＡ－Ａ’を沿って切断したマザー基板の支持基板、第１有機膜、第２有機膜、第１無機膜、第２無機膜、第１無機封止部、および表示セルの一例を示す断面図である。

【図4】図３のＡ領域を詳細に示す断面図である。

【図5】図４における第１無機封止部の透明無機粒子が表示セルの封止膜に配置される場合に発生する空隙を示す断面図である。

【図6】一実施形態によるマザー基板の支持基板、複数の表示セル、第１無機封止部、第２無機封止部、および封止蓋層を示すレイアウト図である。

【図7】図６のＢ－Ｂ’を沿って切断したマザー基板の支持基板、第１有機膜、第２有機膜、第１無機膜、第２無機膜、第１無機封止部、および封止蓋層の一例を示す断面図である。

【図8】図６のＢ－Ｂ’を沿って切断したマザー基板の支持基板、第１有機膜、第２有機膜、第１無機膜、第２無機膜、第１無機封止部、および封止蓋層のまた他の例を示す断面図である。

【図9】また他の実施形態によるマザー基板の支持基板、複数の表示セル、第１無機封止部、第２無機封止部、および封止蓋層を示すレイアウト図である。

【図10】一実施形態による表示装置の製造方法を示す流れ図である。

【図11】一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図12】一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図13】一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図14】一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図15】一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す流れ図である。

【図16a】一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図16b】一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図17a】一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図17b】一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図18a】一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図18b】一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図19】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す流れ図である。

【図20a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図20b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図21a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図21b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図22a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図22b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図23】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す流れ図である。

【図24a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図24b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図25a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図25b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図26a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図26b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図27】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す流れ図である。

【図28a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図28b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図29a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図29b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図30a】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【図30b】また他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で実現されることができ、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。

【0031】

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称される場合は他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。実施形態を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数などは例示的なものであるから本発明が図示された事項に限定されるものではない。

【0032】

第１、第２などが多様な構成要素を叙述するために使われるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用する。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得るのはもちろんである。

【0033】

本発明の様々な実施形態のそれぞれ特徴が部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施形態が互いに対して独立して実施することもでき、関連して共に実施することもできる。

【0034】

以下、添付する図面を参照して具体的な実施形態について説明する。

【0035】

図１は一実施形態による複数の表示セルを含むマザー基板を示す斜視図である。図２は一実施形態によるマザー基板の支持基板、複数の表示セル、第１無機封止部、および第２無機封止部を示すレイアウト図である。

【0036】

図１および図２を参照すると、一実施形態によるマザー基板ＭＳＵＢは支持基板ＳＳＵＢ、複数の表示セルＤＰＣ、第１無機封止部ＩＥＡ１、および第２無機封止部ＩＥＡ２を含む。

【0037】

支持基板ＳＳＵＢは複数の表示セルＤＰＣを製造する間複数の表示セルＤＰＣを支持できるように剛性を有する基板であり得る。例えば、支持基板ＳＳＵＢはガラス基板またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）のようなプラスチック基板であり得る。

【0038】

支持基板ＳＳＵＢは前面に該当する第１面、背面に該当する第２面、および複数の側面を含む六面体形態を有することができる。この場合、第１面と第２面は第１方向ＤＲ１の長辺と第２方向ＤＲ２の短辺を有する長方形形状を有することができる。第１面と第２面は互いに対向する面であり得る。また、複数の側面のうち上側面と下側面は第１方向ＤＲ１の長辺と第３方向ＤＲ３の短辺を有する長方形形状を有し、左側面と右側面は第２方向ＤＲ２の長辺と第３方向ＤＲ３の短辺を有する長方形形状を有することができる。しかし、支持基板ＳＳＵＢの形態は六面体に限定されず、六面体以外の他の形態を有することができる。

【0039】

複数の表示セルＤＰＣは支持基板ＳＳＵＢ上で同時に形成された後、カット工程でレーザまたはカットユニットによってカットされ得、これにより複数の表示装置（または表示パネル）が製造されることができる。複数の表示セルＤＰＣは第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２で配列され得る。複数の表示セルＤＰＣはＭ（Ｍは正の整数）個の行とＮ（Ｎは正の整数）個の列に配列され得る。図１と図２では複数の表示セルＤＰＣが２個の行と５個の列に配列された場合を例示したが、本明細書の実施形態はこれに限定されない。複数の表示セルＤＰＣそれぞれに係る詳しい説明は図３と図４を参照して後述する。また、表示装置（または表示パネル）の製造方法に係る詳しい説明は図１３を参照して後述する。

【0040】

第１無機封止部ＩＥＡ１は支持基板ＳＳＵＢの縁に沿って配置され得る。第１無機封止部ＩＥＡ１は複数の表示セルＤＰＣを囲むように配置され得る。第２無機封止部ＩＥＡ２は複数の表示セルＤＰＣそれぞれを囲むように配置され得る。第１無機封止部ＩＥＡ１と第２無機封止部ＩＥＡ２により複数の表示セルＤＰＣそれぞれは透湿から保護されることができる。

【0041】

図３は図２のＡ－Ａ’を沿って切断したマザー基板の支持基板、第１有機膜、第１無機膜、第２有機膜、第２無機膜、第１無機封止部、および表示セルの一例を示す断面図である。

【0042】

図３を参照すると、一実施形態によるマザー基板ＭＳＵＢは第１有機膜ＯＬ１、第１無機膜ＩＬ１、第２有機膜ＯＬ２、および第２無機膜ＩＬ２をさらに含む。

【0043】

第１有機膜ＯＬ１は支持基板ＳＳＵＢの第１面上に配置され得る。支持基板ＳＳＵＢの第１面の縁は第１有機膜ＯＬ１により覆われずに露出し得る。支持基板ＳＳＵＢの複数の側面も第１有機膜ＯＬ１により覆われない。

【0044】

第１無機膜ＩＬ１は第１有機膜ＯＬ１上に配置され得る。第１無機膜ＩＬ１は第１有機膜ＯＬ１全体を覆い得る。すなわち、第１無機膜ＩＬ１は第１有機膜ＯＬ１の上面と側面を覆い得る。第１無機膜ＩＬ１は第１有機膜ＯＬ１により覆われずに露出した支持基板ＳＳＵＢの第１面の縁の一部に配置され得る。すなわち、支持基板ＳＳＵＢの第１面の縁のまた他の一部は第１無機膜ＩＬ１により覆われずに露出し得る。

【0045】

第２有機膜ＯＬ２は第１無機膜ＩＬ１上に配置され得る。第１無機膜ＩＬ１の縁は第２有機膜ＯＬ２により覆われずに露出し得る。

【0046】

第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２上に配置され得る。第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２全体を覆い得る。すなわち、第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２の上面と側面を覆うことができる。

【0047】

第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２により覆われずに露出した第１無機膜ＩＬ１上に配置され得る。第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２により覆われずに露出した第１無機膜ＩＬ１と接触し得る。第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２が互いに接触する領域は第１無機封止部ＩＥＡ１と定義することができる。

【0048】

第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２が外部に露出される場合、表示セルＤＰＣそれぞれの薄膜トランジスタのアクティブ層を非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）から多結晶シリコン（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）に結晶化するためのレーザ工程でレーザにより炭化し得る。第１無機封止部ＩＥＡ１により、第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２が外部に露出されることを防止できるので、第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２が炭化することを防止することができる。したがって、第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２の炭化によるパーティクルによって製品不良が発生することを防止することができる。

【0049】

第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２それぞれはアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などのような有機物質で形成されることができる。第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２は同じ有機物質で形成されるか互いに異なる有機物質で形成されることができる。

【0050】

第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２それぞれはシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、およびアルミニウムオキシド層のような無機物質で形成されることができる。または、第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２それぞれはシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、およびアルミニウムオキシド層のうちの複数の層が交互に積層された多重膜で形成されることができる。第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２は同じ無機物質で形成されるか互いに異なる無機物質で形成されることができる。

【0051】

複数の表示セルＤＰＣそれぞれは薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、および封止膜ＴＦＥを含み得る。

【0052】

薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは複数の薄膜トランジスタを含み得る。薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは第２無機膜ＩＬ２上に配置され得る。

【0053】

発光素子層ＥＭＬは複数の発光素子を含み得る。複数の発光素子は薄膜トランジスタから駆動電流または駆動電圧の印加を受けて所定の輝度で発光することができる。発光素子層ＥＭＬは薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ上に配置され得る。

【0054】

封止膜ＴＦＥは薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬと発光素子層ＥＭＬを囲むように配置され得る。封止膜ＴＦＥは少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含み得る。少なくとも一つの無機膜は薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬの側面と発光素子層ＥＭＬの上面と側面上に配置され得る。少なくとも一つの有機膜は発光素子層ＥＭＬの上面上に配置され得る。したがって、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬの側面と発光素子層ＥＭＬの上面と側面上に配置される封止膜ＴＦＥの厚さは発光素子層ＥＭＬの上面上に配置される封止膜ＴＦＥの厚さより小さくてもよい。

【0055】

封止膜ＴＦＥの少なくとも一つの無機膜は第２無機膜ＩＬ２が互いに接触する領域は第２無機封止部ＩＥＡ２と定義することができる。第２無機封止部ＩＥＡ２は複数の表示セルＤＰＣそれぞれを囲むように配置されるので、第２無機封止部ＩＥＡ２により複数の表示セルＤＰＣそれぞれは透湿から保護されることができる。

【0056】

薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、および封止膜ＴＦＥに係る詳しい説明は図４を参照して後述する。

【0057】

図４は図３のＡ領域を詳細に示す断面図である。

【0058】

図４を参照すると、複数の表示セルＤＰＣそれぞれは薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、および封止膜ＴＦＥを含み得る。

【0059】

薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬはアクティブ層ＡＣＴ、第１ゲート層ＧＴＬ１、第２ゲート層ＧＴＬ２、第１データ金属層ＤＴＬ１、および第２データ金属層ＤＴＬ２を含む。また、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬはゲート絶縁膜１３０、第１層間絶縁膜１４１、第２層間絶縁膜１４２、第１平坦化膜１６０、および第２平坦化膜１８０を含む。薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは複数の薄膜トランジスタＴＦＴを含み、複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれはチャネルＴＣＨ、ゲート電極ＴＧ、第１電極ＴＳ、および第２電極ＴＤを含む。

【0060】

アクティブ層ＡＣＴは第２無機膜ＩＬ２上に配置され得る。アクティブ層ＡＣＴは多結晶シリコン、単結晶シリコン、および低温多結晶シリコンのようなシリコン半導体を含むか、酸化物半導体を含むことができる。

【0061】

アクティブ層ＡＣＴは複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれのチャネルＴＣＨ、第１電極ＴＳ、および第２電極ＴＤを含み得る。チャネルＴＣＨは基板ＳＵＢの厚さ方向である第３方向ＤＲ３で薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＴＧと重なる領域であり得る。第１電極ＴＳはチャネルＴＣＨの一側に配置され、第２電極ＴＤはチャネルＴＣＨの他側に配置され得る。第１電極ＴＳと第２電極ＴＤは第３方向ＤＲ３でゲート電極ＴＧと重ならない領域であり得る。第１電極ＴＳと第２電極ＴＤはシリコン半導体または酸化物半導体にイオンがドープされて導電性を有する領域であり得る。

【0062】

アクティブ層ＡＣＴ上にはゲート絶縁膜１３０が配置され得る。ゲート絶縁膜１３０は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、またはアルミニウムオキシド層で形成されることができる。

【0063】

ゲート絶縁膜１３０上には第１ゲート層ＧＴＬ１が配置され得る。第１ゲート層ＧＴＬ１は複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれのゲート電極ＴＧと第１キャパシタ電極ＣＡＥ１を含み得る。第１ゲート層ＧＴＬ１はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0064】

第１ゲート層ＧＴＬ１上には第１層間絶縁膜１４１が配置され得る。第１層間絶縁膜１４１は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、またはアルミニウムオキシド層で形成されることができる。

【0065】

第１層間絶縁膜１４１上には第２ゲート層ＧＴＬ２が配置され得る。第２ゲート層ＧＴＬ２は第２キャパシタ電極ＣＡＥ２を含み得る。第２キャパシタ電極ＣＡＥ２は第３方向ＤＲ１で第１キャパシタ電極ＣＡＥ１と重なり得る。キャパシタＣｓｔは第１キャパシタ電極ＣＡＥ１と第２キャパシタ電極ＣＡＥ２を含み得る。第２ゲート層ＧＴＬ２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0066】

第２ゲート層ＧＴＬ２上には第２層間絶縁膜１４２が配置され得る。第２層間絶縁膜１４２は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、またはアルミニウムオキシド層で形成されることができる。

【0067】

第２層間絶縁膜１４２上には第１連結電極ＣＥ１を含む第１データ金属層ＤＴＬ１が配置され得る。第１連結電極ＣＥ１はゲート絶縁膜１３０、第１層間絶縁膜１４１、および第２層間絶縁膜１４２を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳまたは第２電極ＴＤに連結され得る。第１データ金属層ＤＴＬ１はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0068】

第１データ金属層ＤＴＬ１上にはアクティブ層ＡＣＴ、第１ゲート層ＧＴＬ１、第２ゲート層ＧＴＬ２、および第１データ金属層ＤＴＬ１による段差を平坦にするための第１平坦化膜１６０が配置され得る。第１平坦化膜１６０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0069】

第１平坦化膜１６０上には第２データ金属層ＤＴＬ２が配置され得る。第２データ金属層ＤＴＬ２は第２連結電極ＣＥ２を含み得る。第２連結電極ＣＥ２は第１平坦化膜１６０を貫通する第２コンタクトホールＣＴ２を介して第１連結電極ＣＥ１に連結され得る。第２データ金属層ＤＴＬ２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0070】

第２データ金属層ＤＴＬ２上には第２平坦化膜１８０が配置され得る。第２平坦化膜１８０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0071】

第２平坦化膜１８０上には発光素子層ＥＭＬが配置され得る。発光素子層ＥＭＬは複数の発光素子ＬＥＬとバンク１９０を含み得る。複数の発光素子ＬＥＬそれぞれは画素電極１７１、発光層１７２、および共通電極１７３を含む有機発光ダイオード素子であり得るが、本明細書の実施形態はこれに限定されない。

【0072】

画素電極１７１は第２平坦化膜１８０上に配置され得る。画素電極１７１は第２平坦化膜１８０を貫通する第３コンタクトホールＣＴ３を介して第２連結電極ＣＥ２に連結され得る。

【0073】

発光層１７２を基準として共通電極１７３方向に発光する上部発光（ｔｏｐｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造で画素電極１７１はアルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率が高い金属物質で形成されることができる。ＡＰＣ合金は銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、および銅（Ｃｕ）の合金である。

【0074】

バンク１９０は複数の発光部ＥＡを定義するために、第２平坦化膜１８０上で画素電極１７１それぞれの縁を覆うように配置されることができる。バンク１９０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0075】

複数の発光部ＥＡそれぞれは画素電極１７１、発光層１７２、および共通電極１７３が順次積層されて画素電極１７１からの正孔と共通電極１７３からの電子が発光層１７２で再結合することによって発光する領域を示す。

【0076】

画素電極１７１上には発光層１７２が配置され得る。発光層１７２は有機物質を含んで所定の色を発光することができる。例えば、発光層１７２は正孔輸送層（ｈｏｌｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇｌａｙｅｒ）、有機物質層、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇｌａｙｅｒ）を含む。

【0077】

共通電極１７３は発光層１７２上に配置され得る。共通電極１７３は発光層１７２を覆うように配置され得る。共通電極１７３は複数の発光部ＥＡに共通して形成される共通層であり得る。共通電極１７３上にはキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇｌａｙｅｒ）が形成され得る。

【0078】

上部発光構造において共通電極１７３は光を透過させ得るＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ，ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＭａｔｅｒｉａｌ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＭａｔｅｒｉａｌ）で形成されることができる。共通電極１７３が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティ（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）により出光効率が高くなる。

【0079】

バンク１９０上にはスペーサ１９１が配置され得る。スペーサ１９１は発光層１７２を製造する工程中にマスクを支持する役割をすることができる。スペーサ１９１はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0080】

共通電極１７３上には封止膜ＴＦＥが配置され得る。封止膜ＴＦＥは発光素子層ＥＭＬに酸素または水分が浸透することを防止するために少なくとも一つの無機膜を含む。また、封止膜ＴＦＥはゴミのような異物から発光素子層ＥＭＬを保護するために少なくとも一つの有機膜を含む。例えば、封止膜ＴＦＥは第１封止無機膜ＴＦＥ１、封止有機膜ＴＦＥ２、および第２封止無機膜ＴＦＥ３を含み得る。

【0081】

第１封止無機膜ＴＦＥ１は共通電極１７３上に配置され、封止有機膜ＴＦＥ２は第１封止無機膜ＴＦＥ１上に配置され、第２封止無機膜ＴＦＥ３は封止有機膜ＴＦＥ２上に配置され得る。第１封止無機膜ＴＦＥ１と第２封止無機膜ＴＦＥ３はシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、およびアルミニウムオキシド層のうちの一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成されることができる。封止有機膜ＴＦＥ２はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜であり得る。

【0082】

図５は図４における第１無機封止部の透明無機粒子が表示セルの封止膜に配置される場合に発生する空隙を示す断面図である。

【0083】

図５を参照すると、表示装置の製造工程中に、第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２が表示セルＤＰＣそれぞれの薄膜トランジスタのアクティブ層を非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）から多結晶シリコン（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）に結晶化するためのレーザ工程でレーザにより炭化することを防止するために、第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２が互いに接触する第１無機封止部ＩＥＡ１が形成される。しかし、第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の接着力が高くないので、表示装置の製造工程中にマザー基板ＭＳＵＢが設備のピン（ｐｉｎ）またはマスクと物理的に接触する場合または湿式洗浄時の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受ける場合、第１無機封止部ＩＥＡ１から透明無機粒子ＴＩＰが脱落し得る。

【0084】

透明無機粒子ＴＩＰが図５のようにバンク１９０上に配置される場合、透明無機粒子ＴＩＰの段差によって、共通電極１７３、第１封止無機膜ＴＦＥ１、第２封止有機膜ＴＦＥ２、および第２封止無機膜ＴＦＥ２は切れる。すなわち、封止膜ＴＦＥには空隙ＳＥＡＭが形成され得、水分または酸素が空隙ＳＥＡＭを介して浸透するので、空隙ＳＥＡＭは透湿経路になる。したがって、発光素子ＬＥＬは空隙ＳＥＡＭを介して浸透した水分または酸素によって酸化され得、この場合、発光素子ＬＥＬは光を発光できない。したがって、第１無機封止部ＩＥＡ１の一部が脱落して透明無機粒子ＴＩＰがバンク１９０上に配置されることを防止する必要がある。

【0085】

図６は一実施形態によるマザー基板の支持基板、複数の表示セル、第１無機封止部、第２無機封止部、および封止蓋層を示すレイアウト図である。図７は図６のＢ－Ｂ’を沿って切断したマザー基板の支持基板、第１有機膜、第２有機膜、第１無機膜、第２無機膜、第１無機封止部、および封止蓋層の一例を示す断面図である。

【0086】

図６と図７の実施形態はマザー基板ＭＳＵＢが封止蓋層ＥＣＬＤをさらに含む点で図２および図３の実施形態と差異がある。図６と図７では図２および図３の実施形態と重複する説明は省略する。

【0087】

図６と図７を参照すると、封止蓋層ＥＣＬＤは第３方向ＤＲ３で第１無機封止部ＩＥＡ１と重なり得る。封止蓋層ＥＣＬＤは第１無機封止部ＩＥＡ１を覆い得る。封止蓋層ＥＣＬＤの幅Ｗ２は第１無機封止部ＩＥＡ１の幅Ｗ１より大きくてもよい。封止蓋層ＥＣＬＤは支持基板ＳＳＵＢの縁に沿って配置され得る。封止蓋層ＥＣＬＤは複数の表示セルＤＰＣを囲むように配置され得る。

【0088】

封止蓋層ＥＣＬＤは第２無機膜ＩＬ２上に配置され得る。封止蓋層ＥＣＬＤは第１無機膜ＩＬ１の側面と第２無機膜ＩＬ２の上面と側面上に配置され得る。封止蓋層ＥＣＬＤは第１無機膜ＩＬ１により覆われずに露出した支持基板ＳＳＵＢが第１面上に配置され得る。

【0089】

封止蓋層ＥＣＬＤはアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などのような有機物質で形成されることができる。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤは第１平坦化膜１６０、第２平坦化膜１８０、バンク１９０、およびスペーサ１９１のうちいずれか一つと同じ有機物質で形成されることができる。また、封止蓋層ＥＣＬＤの厚さは第１無機膜ＩＬ１の厚さおよび第２無機膜ＩＬ２の厚さより大きくてもよい。

【0090】

まとめると、第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の接着力が高くないので、封止蓋層ＥＣＬＤが第１無機封止部ＩＥＡ１を完全に覆う場合、第１無機封止部ＩＥＡ１が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止することができる。したがって、第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の一部が脱落することを防止することができる。

【0091】

図８は図６のＢ－Ｂ’を沿って切断したマザー基板の支持基板、第１有機膜、第２有機膜、第１無機膜、第２無機膜、第１無機封止部、および封止蓋層のまた他の例を示す断面図である。

【0092】

図８の実施形態は封止蓋層ＥＣＬＤが有機物質でない金属物質で形成される点で図７の実施形態とは差異がある。図８では図７の実施形態と重複する説明は省略する。

【0093】

図８を参照すると、封止蓋層ＥＣＬＤはモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。または、封止蓋層ＥＣＬＤはアルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）で形成されることができる。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤは第１ゲート金属層ＧＴＬ１、第２ゲート金属層ＧＴＬ２、第１データ金属層ＤＴＬ１、第２データ金属層ＤＴＬ２、および画素電極１７１のうちいずれか一つと同じ金属物質で形成されることができる。また、封止蓋層ＥＣＬＤの厚さは第１有機膜ＯＬ１の厚さおよび第２有機膜ＯＬ２の厚さより小さくてもよい。

【0094】

まとめると、封止蓋層ＥＣＬＤは第１無機封止部ＩＥＡ１を完全に覆うように配置されることができる。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤにより、第１無機封止部ＩＥＡ１が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止することができる。したがって、第１無機封止部ＩＥＡ１の一部が脱落することを防止することができる。

【0095】

図９はまた他の実施形態によるマザー基板の支持基板、複数の表示セル、第１無機封止部、第２無機封止部、および封止蓋層を示すレイアウト図である。

【0096】

図９の実施形態は封止蓋層ＥＣＬＤの一部が除去された点で図６の実施形態とは差異がある。図９では図６の実施形態と重複する説明は省略する。

【0097】

図９を参照すると、第１無機封止部ＩＥＡ１の少なくとも一部は封止蓋層ＥＣＬＤにより覆われずに露出し得る。例えば、第１無機封止部ＩＥＡ１が四角フレームの平面形状を有する場合、第１無機封止部ＩＥＡ１の４個の角（またはコーナー）のうちの少なくともいずれか一つは封止蓋層ＥＣＬＤにより覆われずに露出し得る。

【0098】

表示装置の製造工程中に、カットユニットＣＵを用いて支持基板ＳＳＵＢを第１有機膜ＯＬ１と分離する工程で、有機膜で形成された封止蓋層ＥＣＬＤが第１無機封止部ＩＥＡ１と重なるように配置される場合、封止蓋層ＥＣＬＤによりカットユニットＣＵの挿入が難しい。カットユニットＣＵが封止蓋層ＥＣＬＤをカットしてから第１有機膜ＯＬ１をカットしなければならないので、封止蓋層ＥＣＬＤは一種の抵抗として作用する。したがって、封止蓋層ＥＣＬＤによりカットが完了した後に第１有機膜ＯＬ１にシワが発生し得る。したがって、封止蓋層ＥＣＬＤの除去領域はカットユニットＣＵの挿入を容易にする領域であり、カットユニットＣＵが挿入される挿入領域ＩＮＳＡ１，ＩＮＳＡ２であり得る。

【0099】

第１挿入領域ＩＮＳＡ１に挿入されたカットユニットＣＵは第１無機封止部ＩＥＡ１に沿って支持基板ＳＳＵＢに隣接した第１有機膜ＯＬ１をカットし得る。この場合、第１挿入領域ＩＮＳＡ１に挿入されたカットユニットＣＵは第２方向ＤＲ２で第１無機封止部ＩＥＡ１の上右側角から下右側角に第１有機膜ＯＬ１をカットした後、第１方向ＤＲ１で第１無機封止部ＩＥＡ１の下右側角から下左側角に第１有機膜ＯＬ１をカットし得る。

【0100】

それから、第２挿入領域ＩＮＳＡ２に挿入されたカットユニットＣＵは第１無機封止部ＩＥＡ１に沿って支持基板ＳＳＵＢに隣接した第１有機膜ＯＬ１をカットし得る。この場合、第２挿入領域ＩＮＳＡ２に挿入されたカットユニットＣＵは第２方向ＤＲ２で第１無機封止部ＩＥＡ１の下左側角から上左側角に第１有機膜ＯＬ１をカットした後、第１方向ＤＲ１で第１無機封止部ＩＥＡ１の上左側角から上右側角に第１有機膜ＯＬ１をカットし得る。

【0101】

図１０は一実施形態による表示装置の製造方法を示すフロー図である。図１１乃至図１３は一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。以下では、図１０乃至図１３を参照して、一実施形態による表示装置の製造方法について詳細に説明する。

【0102】

最初に、図１１のように支持基板ＳＳＵＢ上に第１有機膜ＯＬ１、第１無機膜ＩＬ１、第２有機膜ＯＬ２、および第２無機膜ＩＬ２を順次形成する（図１０のＳ１００）。

【0103】

第１有機膜ＯＬ１は支持基板ＳＳＵＢの第１面上に形成され得る。支持基板ＳＳＵＢの第１面の縁は第１有機膜ＯＬ１により覆われずに露出し得る。

【0104】

それから、第１無機膜ＩＬ１は第１有機膜ＯＬ１上に形成され得る。第１無機膜ＩＬ１は第１有機膜ＯＬ１の上面と側面を覆い得る。第１無機膜ＩＬ１は第１有機膜ＯＬ１により覆われずに露出した支持基板ＳＳＵＢの第１面の縁の一部に配置され得る。

【0105】

それから、第２有機膜ＯＬ２は第１無機膜ＩＬ１上に形成され得る。第１無機膜ＩＬ１の縁は第２有機膜ＯＬ２により覆われずに露出し得る。

【0106】

それから、第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２上に形成され得る。第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２の上面と側面を覆い得る。第２無機膜ＩＬ２は第２有機膜ＯＬ２により覆われずに露出した第１無機膜ＩＬ１上に配置され得る。これにより、第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２が互いに接触する領域である第１無機封止部ＩＥＡ１が形成される。

【0107】

【0108】

二番目に、図１２のように、第２無機膜ＩＬ２上に複数の表示セルＤＰＣと封止蓋層ＥＣＬＤを形成する（図１０のＳ２００）。

【0109】

複数の表示セルＤＰＣそれぞれの薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、および封止膜ＴＦＥは第２無機膜ＩＬ２上に順次形成され得る。すなわち、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬが第２無機膜ＩＬ２上に形成されてから、発光素子層ＥＭＬが薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ上に形成される。それから、封止膜ＴＦＥが薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬの側面および発光素子層ＥＭＬの上面と側面上に形成され得る。この場合、封止膜ＴＦＥの第１封止無機膜ＴＦＥ１と第２封止無機膜ＴＦＥ２が第２無機膜ＩＬ２と接触する領域は第２無機封止部ＩＥＡ２と定義することができる。第２無機封止部ＩＥＡ２は複数の表示セルＤＰＣそれぞれを囲むように配置されるので、第２無機封止部ＩＥＡ２により複数の表示セルＤＰＣそれぞれは透湿から保護されることができる。

【0110】

封止蓋層ＥＣＬＤは第１無機封止部ＩＥＡ１上に形成され得る。第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の接着力が高くないので、封止蓋層ＥＣＬＤが第１無機封止部ＩＥＡ１を完全に覆う場合、第１無機封止部ＩＥＡ１が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止することができる。したがって、第１無機封止部ＩＥＡ１の一部が脱落することを防止することができる。

【0111】

第２無機膜ＩＬ２上に形成される複数の表示セルＤＰＣと封止蓋層ＥＣＬＤに係る詳しい説明は図１５、図１９、図２３、および図２７を参照して後述する。

【0112】

三番目に、図１３のように、支持基板ＳＳＵＢを第１有機膜ＯＬ１から分離する（図１０のＳ３００）。

【0113】

支持基板ＳＳＵＢはカットユニットＣＵを用いて第１有機膜ＯＬ１から分離することができる。このとき、カットユニットＣＵは支持基板ＳＳＵＢに隣接した第１有機膜ＯＬ１をカットし得る。

【0114】

一方、封止蓋層ＥＣＬＤによりカットユニットＣＵを第１有機膜ＯＬ１に挿入することが難しい。すなわち、カットユニットＣＵが封止蓋層ＥＣＬＤをカットしてから第１有機膜ＯＬ１をカットしなければならないので、封止蓋層ＥＣＬＤは一種の抵抗として作用する。したがって、封止蓋層ＥＣＬＤによりカットが完了した後第１有機膜ＯＬ１にシワが発生し得る。したがって、第１有機膜ＯＬ１にシワが発生することを防止するために、図９のように第１無機封止部ＩＥＡ１の少なくとも一部が封止蓋層ＥＣＬＤにより覆われずに露出する挿入領域ＩＮＳＡ１，ＩＮＳＡ２が形成され得る。

【0115】

【0116】

【0117】

四番目に、図１４のようにマザー基板ＭＳＵＢの複数の表示セルＤＰＣをカットして複数の表示装置１０（または表示パネル）を完成する（図１０のＳ４００）。

【0118】

マザー基板ＭＳＵＢの複数の表示セルＤＰＣはレーザ装置ＬＤのレーザＬＢまたはカットユニットを用いて切断されることができる。複数の表示装置１０は第１有機膜ＯＬ１、第１無機膜ＩＬ１、第２有機膜ＯＬ２、第２無機膜ＩＬ２、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、および封止膜ＴＦＥが順次積層された構造を有することができる。

【0119】

図１５は一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示すフロー図である。図１６ａ、図１６ｂ、図１７ａ、図１７ｂ、図１８ａおよび図１８ｂは一実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。以下では、図１５、図１６ａ、図１６ｂ、図１７ａ、図１７ｂ、図１８ａおよび図１８ｂを参照して、一実施形態による第２無機膜ＩＬ２上に複数の表示セルＤＰＣと封止蓋層ＥＣＬＤを形成する段階（Ｓ２００）について詳細に説明する。

【0120】

最初に、図１６ａおよび図１６ｂのように第２無機膜ＩＬ２上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴを形成する（図１５のＳ２１０）。

【0121】

先に、第２無機膜ＩＬ２上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれのチャネルＴＣＨ、第１電極ＴＳおよび第２電極ＴＤを含むアクティブ層ＡＣＴを形成する。アクティブ層ＡＣＴは多結晶シリコン、単結晶シリコン、および低温多結晶シリコンのようなシリコン半導体で形成されるか、酸化物半導体で形成されることができる。

【0122】

それから、アクティブ層ＡＣＴ上にはゲート絶縁膜１３０を形成する。ゲート絶縁膜１３０は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、またはアルミニウムオキシド層で形成されることができる。

【0123】

それから、ゲート絶縁膜１３０上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれのゲート電極ＴＧとキャパシタＣｓｔそれぞれの第１キャパシタ電極ＣＡＥ１を含む第１ゲート層ＧＴＬ１を形成する。ゲート電極ＴＧは第３方向ＤＲ３でチャネルＴＣＨと重なり得る。第１ゲート層ＧＴＬ１はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0124】

それから、第１ゲート層ＧＴＬ１上に第１層間絶縁膜１４１を形成する。第１層間絶縁膜１４１は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、またはアルミニウムオキシド層で形成されることができる。

【0125】

それから、第１層間絶縁膜１４１上にキャパシタＣｓｔそれぞれの第２キャパシタ電極ＣＡＥ２を含む第２ゲート層ＧＴＬ２を形成する。第２キャパシタ電極ＣＡＥ２は第３方向ＤＲ３で第１キャパシタ電極ＣＡＥ１と重なり得る。第２ゲート層ＧＴＬ２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0126】

それから、第２ゲート層ＧＴＬ２上に第２層間絶縁膜１４２を形成する。第２層間絶縁膜１４２は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、またはアルミニウムオキシド層で形成されることができる。

【0127】

それから、第２層間絶縁膜１４２上に第１連結電極ＣＥ１を含む第１データ金属層ＤＴＬ１を形成する。第１連結電極ＣＥ１はゲート絶縁膜１３０、第１層間絶縁膜１４１、および第２層間絶縁膜１４２を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳまたは第２電極ＴＤに連結され得る。第１データ金属層ＤＴＬ１はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0128】

二番目に、図１７ａおよび図１７ｂのように複数の薄膜トランジスタＴＦＴを覆う少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０と第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成する（図１５のＳ２２０）。

【0129】

先に、複数の薄膜トランジスタＴＦＴを覆う第１平坦化膜１６０を形成する。第１平坦化膜１６０は第１データ金属層ＤＴＬ１上に形成され得る。第１平坦化膜１６０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0130】

それから、第１平坦化膜１６０上に第２連結電極ＣＥ２を含む第２データ金属層ＤＴＬ２を形成する。第２連結電極ＣＥ２は第１平坦化膜１６０を貫通する第２コンタクトホールＣＴ２を介して第１連結電極ＣＥ１に連結され得る。第２データ金属層ＤＴＬ２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0131】

それから、第２データ金属層ＤＴＬ２上に第２平坦化膜１８０を形成する。第２平坦化膜１８０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0132】

第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤは第１平坦化膜１６０と同時に形成されることができる。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤは第１平坦化膜１６０と同じ有機物質を含むことができる。

【0133】

または、第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤは第２平坦化膜１８０と同時に形成されることができる。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤは第２平坦化膜１８０と同じ有機物質を含むことができる。

【0134】

封止蓋層ＥＣＬＤは第１無機膜ＩＬ１の側面、および第２無機膜ＩＬ２の上面と側面上に形成され得る。また、封止蓋層ＥＣＬＤは第１無機膜ＩＬ１により覆われずに露出した支持基板ＳＳＵＢが第１面上に形成され得る。

【0135】

三番目に、図１８ａおよび図１８ｂのように少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０上に複数の発光素子ＬＥＬを形成し、複数の発光素子ＬＥＬを封止するための封止膜ＴＦＥを形成する（図１５のＳ２３０）。

【0136】

先に、第２平坦化膜１８０上に複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１を形成する。複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１は第２平坦化膜１８０を貫通する第３コンタクトホールＣＴ３を介して第２連結電極ＣＥ２に連結され得る。複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１はアルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率が高い金属物質で形成されることができる。

【0137】

それから、複数の発光部ＥＡを定義するために複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１の縁を覆うようにバンク１９０を形成する。バンク１９０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0138】

それから、バンク１９０上にはスペーサ１９１を形成する。スペーサ１９１は発光層１７２を製造する工程中にマスクを支持する役割をすることができる。スペーサ１９１はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。

【0139】

それから、複数の発光部ＥＡそれぞれにおいて画素電極１７１上に発光層１７２を形成する。発光層１７２は有機物質を含んで所定の色を発光することができる。例えば、発光層１７２は正孔輸送層（ｈｏｌｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇｌａｙｅｒ）、有機物質層、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇｌａｙｅｒ）を含むことができる。

【0140】

それから、発光層１７２とバンク１９０上に共通電極１７３を形成する。共通電極１７３は発光層１７２とバンク１９０を覆うように配置され得る。共通電極１７３は複数の発光部ＥＡに共通して形成される共通層であり得る。共通電極１７３は光を透過させ得るＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ，ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＭａｔｅｒｉａｌ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＭａｔｅｒｉａｌ）で形成されることができる。

【0141】

それから、共通電極１７３上に封止膜ＴＦＥを形成する。例えば、共通電極１７３上に第１封止無機膜ＴＦＥ１を形成し、第１封止無機膜ＴＦＥ１上に封止有機膜ＴＦＥ２を形成し、封止有機膜ＴＦＥ２上に第２封止無機膜ＴＦＥ２を形成する。第１封止無機膜ＴＦＥ１と第２封止無機膜ＴＦＥ３はシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタンオキシド層、およびアルミニウムオキシド層のうちの一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成されることができる。封止有機膜ＴＦＥ２はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜であり得る。

【0142】

図１５、図１６ａ、図１６ｂ、図１７ａ、図１７ｂ、図１８ａおよび図１８ｂのように、少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０と封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成することによって、封止蓋層ＥＣＬＤを形成するための別途の工程が追加されなくてもよい。また、封止蓋層ＥＣＬＤにより、第１無機封止部ＩＥＡ１が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止できるので、第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の一部が脱落することを防止することができる。

【0143】

図１９はまた他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す流れ図である。図２０ａ、図２０ｂ、図２１ａ、図２１ｂ、図２２ａおよび図２２ｂはまた他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。以下では、図１９、図２０ａ、図２０ｂ、図２１ａ、図２１ｂ、図２２ａおよび図２２ｂを参照して、また他の実施形態による第２無機膜ＩＬ２上に複数の表示セルＤＰＣと封止蓋層ＥＣＬＤを形成する段階（Ｓ２００）について詳細に説明する。

【0144】

最初に、図２０ａおよび図２０ｂのように第２無機膜ＩＬ２上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、複数の薄膜トランジスタＴＦＴを覆う少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０を形成し、少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０上に複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの第１電極１７１を形成する（図１９のＳ１２１０）。

【0145】

先に、第２無機膜ＩＬ２上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれのチャネルＴＣＨ、第１電極ＴＳおよび第２電極ＴＤを含むアクティブ層ＡＣＴを形成する。

【0146】

それから、アクティブ層ＡＣＴ上にはゲート絶縁膜１３０を形成する。

【0147】

それから、ゲート絶縁膜１３０上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれのゲート電極ＴＧとキャパシタＣｓｔそれぞれの第１キャパシタ電極ＣＡＥ１を含む第１ゲート層ＧＴＬ１を形成する。

【0148】

それから、第１ゲート層ＧＴＬ１上に第１層間絶縁膜１４１を形成する。

【0149】

それから、第１層間絶縁膜１４１上にキャパシタＣｓｔそれぞれの第２キャパシタ電極ＣＡＥ２を含む第２ゲート層ＧＴＬ２を形成する。

【0150】

それから、第２ゲート層ＧＴＬ２上に第２層間絶縁膜１４２を形成する。

【0151】

それから、第２層間絶縁膜１４２上に第１連結電極ＣＥ１を含む第１データ金属層ＤＴＬ１を形成する。第１連結電極ＣＥ１はゲート絶縁膜１３０、第１層間絶縁膜１４１、および第２層間絶縁膜１４２を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳまたは第２電極ＴＤに連結され得る。

【0152】

それから、複数の薄膜トランジスタＴＦＴを覆う第１平坦化膜１６０を形成する。

【0153】

それから、第１平坦化膜１６０上に第２連結電極ＣＥ２を含む第２データ金属層ＤＴＬ２を形成する。第２連結電極ＣＥ２は第１平坦化膜１６０を貫通する第２コンタクトホールＣＴ２を介して第１連結電極ＣＥ１に連結され得る。

【0154】

それから、第２データ金属層ＤＴＬ２上に第２平坦化膜１８０を形成する。

【0155】

それから、第２平坦化膜１８０上に複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１を形成する。複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１は第２平坦化膜１８０を貫通する第３コンタクトホールＣＴ３を介して第２連結電極ＣＥ２に連結され得る。

【0156】

二番目に、図２１ａおよび図２１ｂのように複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの第１電極１７１の縁を覆うバンク１９０と第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成する（図１９のＳ１２２０）。

【0157】

複数の発光部ＥＡを定義するために複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１の縁を覆うようにバンク１９０を形成する。バンク１９０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成される。

【0158】

第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤはバンク１９０と同時に形成される。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤはバンク１９０と同じ有機物質を含むことができる。

【0159】

三番目に、図２２ａおよび図２２ｂのように複数の発光部ＥＡそれぞれにおいて、画素電極１７１上に発光素子それぞれの発光層１７２と第２電極を形成し、発光素子を封止するための封止膜を形成する（図１９のＳ１２３０）。

【0160】

先に、バンク１９０上にはスペーサ１９１を形成する。スペーサ１９１は発光層１７２を製造する工程中にマスクを支持する役割をすることができる。

【0161】

それから、複数の発光部ＥＡそれぞれにおいて画素電極１７１上に発光層１７２を形成する。

【0162】

それから、発光層１７２とバンク１９０上に共通電極１７３を形成する。共通電極１７３は複数の発光部ＥＡに共通して形成される共通層であり得る。

【0163】

それから、共通電極１７３上に封止膜ＴＦＥを形成する。例えば、共通電極１７３上に第１封止無機膜ＴＦＥ１を形成し、第１封止無機膜ＴＦＥ１上に封止有機膜ＴＦＥ２を形成し、封止有機膜ＴＦＥ２上に第２封止無機膜ＴＦＥ２を形成する。

【0164】

図１９、図２０ａ、図２０ｂ、図２１ａ、図２１ｂ、図２２ａおよび図２２ｂのように、バンク層１９０と封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成することによって、封止蓋層ＥＣＬＤを形成するための別途の工程が追加されなくてもよい。また、封止蓋層ＥＣＬＤにより、第１無機封止部ＩＥＡ１が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止できるので、第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の一部が脱落することを防止することができる。

【0165】

図２３はまた他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す流れ図である。図２４ａ、図２４ｂ、図２５ａ、図２５ｂ、図２６ａおよび図２６ｂはまた他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。以下では、図２３、図２４ａ、図２４ｂ、図２５ａ、図２５ｂ、図２６ａおよび図２６ｂを参照して、また他の実施形態による第２無機膜ＩＬ２上に複数の表示セルＤＰＣと封止蓋層ＥＣＬＤを形成する段階（Ｓ２００）について詳細に説明する。

【0166】

最初に、図２４ａおよび図２４ｂのように第２無機膜ＩＬ２上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、複数の薄膜トランジスタＴＦＴを覆う少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０を形成し、少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０上に複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの第１電極１７１とバンク１９０を形成する（図２３のＳ２２１０）。

【0167】

【0168】

それから、アクティブ層ＡＣＴ上にはゲート絶縁膜１３０を形成する。

【0169】

【0170】

それから、第１ゲート層ＧＴＬ１上に第１層間絶縁膜１４１を形成する。

【0171】

それから、第１層間絶縁膜１４１上にキャパシタＣｓｔそれぞれの第２キャパシタ電極ＣＡＥ２を含む第２ゲート層ＧＴＬ２を形成する。

【0172】

それから、第２ゲート層ＧＴＬ２上に第２層間絶縁膜１４２を形成する。

【0173】

【0174】

それから、複数の薄膜トランジスタＴＦＴを覆う第１平坦化膜１６０を形成する。

【0175】

【0176】

それから、第２データ金属層ＤＴＬ２上に第２平坦化膜１８０を形成する。

【0177】

【0178】

それから、複数の発光部ＥＡを定義するために複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１の縁を覆うようにバンク１９０を形成する。

【0179】

二番目に、図２５ａおよび図２５ｂのようにバンク１９０上に配置されるスペーサ１９１と第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成する（図２３のＳ２２２０）。

【0180】

バンク１９０上にはスペーサ１９１を形成する。スペーサ１９１は発光層１７２を製造する工程中にマスクを支持する役割をすることができる。スペーサ１９１はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成される。

【0181】

第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤはスペーサ１９１と同時に形成される。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤはスペーサ１９１と同じ有機物質を含むことができる。

【0182】

三番目に、図２６ａおよび図２６ｂのように複数の発光部ＥＡそれぞれにおいて画素電極１７１上に発光素子それぞれの発光層１７２と第２電極を形成し、発光素子を封止するための封止膜を形成する（図２３のＳ２２３０）。

【0183】

先に、複数の発光部ＥＡそれぞれにおいて画素電極１７１上に発光層１７２を形成する。

【0184】

【0185】

【0186】

図２３、図２４ａ、図２４ｂ、図２５ａ、図２５ｂ、図２６ａおよび図２６ｂのように、スペーサ１９１と封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成することによって、封止蓋層ＥＣＬＤを形成するための別途の工程が追加されなくてもよい。また、封止蓋層ＥＣＬＤにより、第１無機封止部ＩＥＡ１が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止できるので、第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の一部が脱落することを防止することができる。

【0187】

図２７はまた他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す流れ図である。図２８ａ、図２８ｂ、図２９ａ、図２９ｂ、図３０ａおよび図３０ｂはまた他の実施形態による複数の表示セルと封止蓋層の形成方法を示す断面図である。以下では、また他の実施形態による図２７、図２８ａ、図２８ｂ、図２９ａ、図２９ｂ、図３０ａおよび図３０ｂを参照して、また他の実施形態による第２無機膜ＩＬ２上に複数の表示セルＤＰＣと封止蓋層ＥＣＬＤを形成する段階（Ｓ２００）について詳細に説明する。

【0188】

最初に、図２８ａおよび図２８ｂのように第２無機膜ＩＬ２上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、複数の薄膜トランジスタＴＦＴそれぞれのゲート電極を覆う層間絶縁膜１４１，１４２を形成する（図２７のＳ３２１０）。

【0189】

【0190】

それから、アクティブ層ＡＣＴ上にはゲート絶縁膜１３０を形成する。

【0191】

【0192】

それから、第１ゲート層ＧＴＬ１上に第１層間絶縁膜１４１を形成する。

【0193】

それから、第１層間絶縁膜１４１上にキャパシタＣｓｔそれぞれの第２キャパシタ電極ＣＡＥ２を含む第２ゲート層ＧＴＬ２を形成する。

【0194】

それから、第２ゲート層ＧＴＬ２上に第２層間絶縁膜１４２を形成する。

【0195】

二番目に、図２９ａおよび図２９ｂのように層間絶縁膜１４１，１４２上に配置される第１データ金属層ＤＴＬ１と第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成する（図２７のＳ３２２０）。

【0196】

第２層間絶縁膜１４２上に第１連結電極ＣＥ１を含む第１データ金属層ＤＴＬ１を形成する。第１連結電極ＣＥ１はゲート絶縁膜１３０、第１層間絶縁膜１４１、および第２層間絶縁膜１４２を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳまたは第２電極ＴＤに連結され得る。第１データ金属層ＤＴＬ１はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。

【0197】

第１無機封止部ＩＥＡ１を覆う封止蓋層ＥＣＬＤは第１データ金属層ＤＴＬ１と同時に形成されることができる。この場合、封止蓋層ＥＣＬＤは第１データ金属層ＤＴＬ１と同じ有機物質を含むことができる。

【0198】

三番目に、図３０ａおよび図３０ｂのように第１データ金属層ＤＴＬ１を覆う少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０を形成し、少なくとも一つの平坦化膜１６０，１８０上に発光素子ＬＥＬとバンク１９０を形成し、発光素子ＬＥＬを封止するための封止膜ＴＦＥを形成する（図２７のＳ３２３０）。

【0199】

先に、第１データ金属層ＤＴＬ１上に第１平坦化膜１６０を形成する。

【0200】

第１平坦化膜１６０上に第２連結電極ＣＥ２を含む第２データ金属層ＤＴＬ２を形成する。第２連結電極ＣＥ２は第１平坦化膜１６０を貫通する第２コンタクトホールＣＴ２を介して第１連結電極ＣＥ１に連結され得る。

【0201】

それから、第２データ金属層ＤＴＬ２上に第２平坦化膜１８０を形成する。

【0202】

【0203】

それから、複数の発光部ＥＡを定義するために複数の発光素子ＬＥＬそれぞれの画素電極１７１の縁を覆うようにバンク１９０を形成する。

【0204】

それから、バンク１９０上にはスペーサ１９１を形成する。スペーサ１９１は発光層１７２を製造する工程中にマスクを支持する役割をすることができる。

【0205】

それから、複数の発光部ＥＡそれぞれにおいて画素電極１７１上に発光層１７２を形成する。

【0206】

【0207】

それから、共通電極１７３上に封止膜ＴＦＥを形成する。例えば、共通電極１７３上に第１封止無機膜ＴＦＥ１を形成し、第１封止無機膜ＴＦＥ１上に封止有機膜ＴＦＥ２を形成し、封止有機膜ＴＦＥ２上に第２封止無機膜ＴＦＥ３を形成する。

【0208】

図２７、図２８ａ、図２８ｂ、図２９ａ、図２９ｂ、図３０ａおよび図３０ｂのように、第１データ金属層ＤＴＬ１と封止蓋層ＥＣＬＤを同時に形成することによって、封止蓋層ＥＣＬＤを形成するための別途の工程が追加されなくてもよい。また、封止蓋層ＥＣＬＤにより、第１無機封止部ＩＥＡ１が製造工程中に製造装備との物理的接触と洗浄装備の洗浄液の高圧噴射によってダメージを受けることを防止できるので、第１無機封止部ＩＥＡ１の第１無機膜ＩＬ１と第２無機膜ＩＬ２の一部が脱落することを防止することができる。

【0209】

また、図２７、図２８ａ、図２８ｂ、図２９ａ、図２９ｂ、図３０ａおよび図３０ｂでは封止蓋層ＥＣＬＤが第１データ金属層ＤＴＬ１と同時に形成される場合を例示したが、本明細書の実施形態はこれに限定されない。例えば、封止蓋層ＥＣＬＤは第１ゲート金属層ＧＴＬ１、第２ゲート金属層ＧＴＬ２、第２データ金属層ＤＴＬ２、および画素電極１７１のうちいずれか一つと同じ金属物質で形成されることができる。

【0210】

以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

【符号の説明】

【0211】

ＭＳＵＢマザー基板
ＳＳＵＢ支持基板
ＤＰＣ表示セル
ＩＥＡ１第１無機封止部
ＩＥＡ２第２無機封止部
ＥＣＬＤ封止蓋層

【図1】