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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024038720
(43)【公開日】2024-03-21
(54)【発明の名称】光検出装置
(51)【国際特許分類】
H01L 27/146 20060101AFI20240313BHJP
【ＦＩ】
H01L27/146 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022142956
(22)【出願日】2022-09-08
(71)【出願人】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】小野寺 巧
(72)【発明者】
【氏名】亀井 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】坂本 明久
【テーマコード（参考）】
4M118
【Ｆターム（参考）】
4M118AA10
4M118AB01
4M118BA09
4M118CA02
4M118FA06
4M118GC08
4M118GD04
4M118HA21
4M118HA22
4M118HA25
(57)【要約】
【課題】シーム部の外部への連通を抑制する。
【解決手段】光検出装置は、光検出素子を含む基板と、基板に対して設けられたチップと、チップを覆うように設けられた埋め込み層と、埋め込み層内に発生し、埋め込み層の表面まで延在しているシーム部と、埋め込み層及びシーム部を覆うように設けられた封止層と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】光検出装置は、光検出素子を含む基板と、基板に対して設けられたチップと、チップを覆うように設けられた埋め込み層と、埋め込み層内に発生し、埋め込み層の表面まで延在しているシーム部と、埋め込み層及びシーム部を覆うように設けられた封止層と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光検出素子を含む基板と、
前記基板に対して設けられたチップと、
前記チップを覆うように設けられた埋め込み層と、
前記埋め込み層内に発生し、前記埋め込み層の表面まで延在しているシーム部と、
前記埋め込み層及びシーム部を覆うように設けられた封止層と、
を備える、
光検出装置。
前記基板に対して設けられたチップと、
前記チップを覆うように設けられた埋め込み層と、
前記埋め込み層内に発生し、前記埋め込み層の表面まで延在しているシーム部と、
前記埋め込み層及びシーム部を覆うように設けられた封止層と、
を備える、
光検出装置。
【請求項2】
前記封止層を挟んで前記基板とは反対側に位置し、前記封止層を直接的又は間接的に支持する支持基板を備える、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項3】
前記シーム部の少なくとも一部は、空隙である、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項4】
前記封止層は、前記シーム部の少なくとも一部を埋めるように前記シーム部内まで延在する延在部を含む、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項5】
前記封止層の材料は、低浸透性材料を含む、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項6】
前記封止層の材料は、低ヤング率材料を含む、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項7】
前記チップの側面を覆うように設けられた側壁部を備える、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項8】
前記チップは、互いに離間して設けられた第１のチップ及び第２のチップを含み、
前記シーム部は、前記第１のチップに起因して発生した第１のシーム部及び前記第２のチップに起因して発生した第２のシーム部を含み、
前記第１のシーム部及び前記第２のシーム部は、互いにつながっている、
請求項１に記載の光検出装置。
前記シーム部は、前記第１のチップに起因して発生した第１のシーム部及び前記第２のチップに起因して発生した第２のシーム部を含み、
前記第１のシーム部及び前記第２のシーム部は、互いにつながっている、
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項9】
前記チップと前記埋め込み層との間に設けられた追加層を備える、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項10】
前記封止層を覆うように設けられた補助層を備える、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項11】
前記補助層は、積層構造を有する、
請求項１０に記載の光検出装置。
請求項１０に記載の光検出装置。
【請求項12】
前記チップは、ロジックチップ、メモリチップ及びＡＩ（Artificial Intelligence）チップの少なくとも１つを含む、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項13】
複数の画素を含むように構成された撮像装置である、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項14】
前記基板を挟んで前記チップ及び前記埋め込み層とは反対側に設けられたフィルタ層と、
前記フィルタ層を挟んで前記基板とは反対側に設けられたレンズ層と、
を備える、
請求項１３に記載の光検出装置。
前記フィルタ層を挟んで前記基板とは反対側に設けられたレンズ層と、
を備える、
請求項１３に記載の光検出装置。
【請求項15】
前記基板と前記埋め込み層との間に設けられた追加基板を備える、
請求項１に記載の光検出装置。
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項16】
前記チップは、間隔をあけて隣り合うように配置された２つのチップを含み、
前記埋め込み層は、前記２つのチップどうしの間に設けられた配線を含む、
請求項１に記載の光検出装置。
前記埋め込み層は、前記２つのチップどうしの間に設けられた配線を含む、
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項17】
前記封止層を挟んで前記基板とは反対側に設けられ、前記封止層を直接的又は間接的に支持する支持基板と、
前記埋め込み層、前記封止層及び前記支持基板を貫通する貫通ビアと、
を備える、
請求項１に記載の光検出装置。
前記埋め込み層、前記封止層及び前記支持基板を貫通する貫通ビアと、
を備える、
請求項１に記載の光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
基板上の段差に起因して、基板を覆うように設けられた層にシーム部が発生することが知られている。例えば特許文献１は、積層された２つの層それぞれのシーム部を不連続にすることで、シーム部の外部への連通を抑制する技術を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１７／１８３３９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
光検出素子を含む基板に対して設けられたチップを覆うように層が設けられた構成を備える光検出装置がある。チップが与える段差に起因してシーム部が発生し得る。シーム部の外部への連通を抑制する手法を検討する余地が依然として残る。
【0005】
本開示の一側面は、シーム部の外部への連通を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一側面に係る光検出装置は、光検出素子を含む基板と、基板に対して設けられたチップと、チップを覆うように設けられた埋め込み層と、埋め込み層内に発生し、埋め込み層の表面まで延在しているシーム部と、埋め込み層及びシーム部を覆うように設けられた封止層と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図2】第２実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図3】第４実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図4】第５実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図5】第６実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図6】第６実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図7】第７実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図8】第８実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図9】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図10】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図11】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図12】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図13】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図14】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図15】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図16】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図17】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図18】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図19】光検出装置の製造方法の例を示す図である。
【図20】応用例に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図21】応用例に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図22】応用例に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図23】応用例に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。
【図24】車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図25】車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、本開示の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態において、同一の要素には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
【0009】
以下に示す項目順序に従って本開示を説明する。
１．第１実施形態
２．第２実施形態
３．第３実施形態
４．第４実施形態
５．第５実施形態
６．第６実施形態
７．第７実施形態
８．第８実施形態
９．製造方法の例
１０．撮像装置への応用例
１１．効果の例
１２．移動体への応用例
１．第１実施形態
２．第２実施形態
３．第３実施形態
４．第４実施形態
５．第５実施形態
６．第６実施形態
７．第７実施形態
８．第８実施形態
９．製造方法の例
１０．撮像装置への応用例
１１．効果の例
１２．移動体への応用例
【0010】
１．第１実施形態
図１は、第１実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。光検出装置１００の断面が模式的に示される。光検出装置１００は、基板１と、チップ２と、埋め込み層３と、シーム部４と、封止層５と、補助層６と、支持基板７とを含む。なお、矛盾の無い範囲において、「層」は、「膜」、「部材」等に適宜読み替えられてよい。また、「設ける」は、「形成する」等に適宜読み替えられてよい。
図１は、第１実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。光検出装置１００の断面が模式的に示される。光検出装置１００は、基板１と、チップ２と、埋め込み層３と、シーム部４と、封止層５と、補助層６と、支持基板７とを含む。なお、矛盾の無い範囲において、「層」は、「膜」、「部材」等に適宜読み替えられてよい。また、「設ける」は、「形成する」等に適宜読み替えられてよい。
【0011】
図において、ＸＹＺ座標系も図示される。Ｚ軸方向は、基板や層の厚さ方向に相当する。Ｘ軸方向及びＹ軸方向（ＸＹ平面方向）は、基板や層の面方向に相当する。基板１及び支持基板７は、互いに対向している。この例では、基板１及び支持基板７のうち、基板１がＺ軸負方向側に位置し、支持基板７がＺ軸正方向側に位置している。チップ２、埋め込み層３、シーム部４、封止層５及び補助層６は、基板１と支持基板７との間に位置している。
【0012】
光検出装置１００は、配線層を含む。配線層に設けられた配線を、いずれも配線Ｌと称し図示する。配線Ｌの材料の例は、銅（Ｃｕ）等である。なお、異なる配線層の配線Ｌどうしを接続するいくつかのビアも、配線Ｌと同じハッチングで図示される。
【0013】
基板１は、例えばシリコン（Ｓｉ）半導体基板等の半導体基板であり、光検出素子１ｐを含む。光検出素子の例は、ＰＤ（Photo Diode）等の光電変換素子であり、例えばＸＹ平面方向にアレイ状に配置された複数の光電変換素子が、光検出素子１ｐに相当し得る。図示しないが、各光電変換素子を駆動したり、各光電変換素子の受光光量に応じた電気信号を取り出したりするためのトランジスタ等の回路素子も、基板１に含まれる。そのような回路素子を含む回路を、画素回路とも称する。
【0014】
基板１の面のうち、Ｚ軸正方向側の面を、表面１ａと称し図示する。Ｚ軸負方向側の面を、裏面１ｂと称し図示する。例示される光検出装置１００は、基板１の裏面１ｂに入射した光を検出する裏面照射型の光検出装置である。
【0015】
基板１は、表面１ａ側に配線層を有する。基板１の配線層の配線Ｌは、画素回路の一部を構成し得る。例示される基板１の配線層は多層配線層であり、いくつかの配線Ｌが表面１ａに露出している。
【0016】
チップ２は、基板１に対して設けられる。基板１に対して設けられるとは、基板１に直接設けられることだけでなく、別の要素（例えば後述の図２１の追加基板１２）を介して設けられることを含む意味に解されてよい。図１に示される例では、チップ２は、基板１に直接設けられ、より具体的には、基板１の表面１ａ上に設けられる。チップ２の実装面を、実装面２ｂと称し図示する。チップ２は、実装面２ｂ側に配線層を有する。例示されるチップ２の配線層は多層配線層であり、いくつかの配線Ｌが実装面２ｂに露出している。
【0017】
チップ２は、チップ２の実装面２ｂが基板１の表面１ａと接触するように、基板１上に設けられる。より具体的に、チップ２は、チップ２の配線Ｌと基板１の配線Ｌとが接触して電気的に接続されるように、基板１に実装される。このような接続は、配線Ｌの材料がＣｕの場合には、Ｃｕ－Ｃｕ接合等とも称される。チップ２の実装面２ｂ及び基板１の表面１ａは、チップ２及び基板１の接合面（チップ接合面）を規定する。
【0018】
チップ２は、光検出装置１００に用いることのできるあらゆるチップ（ＩＣ等）であってよい。チップ２の一例は、ロジックチップであり、例えば画素回路のトランジスタを駆動したり、画素回路から取り出された電気信号を処理したりする。チップ２の別の例は、メモリチップであり、例えばロジックチップによる処理で用いられるデータや、処理によって得られたデータを記憶する。チップ２のさらに別の例は、ＡＩ（Artificial Intelligence）チップであり、学習済みモデル（例えば学習済みのＤＮＮ（Deep Neural Network））を用いた演算処理を高速に行うように専用に設計されている。
【0019】
図１から理解されるように、基板１上に設けられたチップ２が、段差を与える。この例では、チップ２は、基板１の表面１ａを基準としてＺ軸正方向に向かって突出する凸形状を有する段差部である。なお、光検出装置１００に含まれるチップ２の数は、図１に示される例に限られない。光検出装置１００は、１つ以上の任意の数のチップ２を含んでよい。
【0020】
埋め込み層３は、チップ２を覆うように、より具体的にこの例では基板１及びチップ２を覆うように設けられる。埋め込み層３は、チップ２を保護する保護層として機能し得る。例えば、水分、薬品、不所望のガス等のチップ２への侵入が抑制される。埋め込み層３の材料の例は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等である。埋め込み層３の面のうち、Ｚ軸正方向側の面を、表面３ａと称し図示する。Ｚ軸負方向側の面を、裏面３ｂと称し図示する。
【0021】
シーム部４は、チップ２が与える段差に起因して、埋め込み層３内に発生する。シーム部４は、例えば段差の立ち上がり部分又はその周辺部分を起点とし、埋め込み層３の表面３ａまで延在している。
【0022】
シーム部４の少なくとも一部は、空隙であってよい。シーム部４が有する空隙を、空隙４ａと称し図示する。図１に示される例では、シーム部４の全部が空隙４ａである。埋め込み層３の表面３ａのうち、シーム部４の位置する部分は開口している。
【0023】
封止層５は、埋め込み層３及びシーム部４を覆うように設けられる。シーム部４によって埋め込み層３の表面３ａにできた開口も、封止層５よって塞がれる。封止層５により、シーム部４の外部への連通が抑制される。封止層５の材料は、埋め込み層３の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。封止層５の材料のいくつかの例は後述する。
【0024】
補助層６は、封止層５を覆うように設けられる。補助層６は、例えば支持基板７との接合に適した材料を含んで構成される。補助層６の材料の例は、主にＳｉＯｘ（ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＣ）である。補助層６の面のうち、Ｚ軸正方向側の面を、表面６ａと称し図示する。
【0025】
支持基板７は、封止層５を挟んで基板１とは反対側に位置し、封止層５を直接的又は間接的に支持する。支持基板７は、例えばシリコン（Ｓｉ）半導体基板等であってよい。図１に示される例では、支持基板７は、封止層５及び補助層６を挟んで基板１とは反対側に位置し、補助層６を介して封止層５を（すなわち封止層５を間接的に）支持するように、補助層６に貼り合わされる。支持基板７の面のうち、Ｚ軸正方向側の面を、表面７ａと称し図示する。Ｚ軸負方向側の面を、裏面７ｂと称し図示する。支持基板７の裏面７ｂ及び補助層６の表面６ａは、支持基板７及び補助層６の接合面（支持基板接合面）を規定する。なお、光検出装置１００は、補助層６を含まなくてもよく、その場合、支持基板７は、封止層５を直接的に支持するように封止層５に貼り合わされる。
【0026】
以上で説明した光検出装置１００によれば、埋め込み層３及びシーム部４を覆う封止層５を設けることで、シーム部４の外部への連通を抑制することができる。具体的に、図１に示される例では、シーム部４が、支持基板７との接合面である補助層６の表面６ａまで到達するのを防ぐことができる。仮にシーム部４が補助層６の表面６ａに到達すると、支持基板７との接合面に開口ができてしまい、ボイド発生等によって接合品質が低下する可能性がある。このような接合品質の低下が、光検出装置１００によって抑制される。
【0027】
上記の技術をベースとするいくつかの他の実施形態について説明する。矛盾の無い範囲において、各実施形態の技術特徴は適宜組み合わされてよい。
【0028】
２．第２実施形態
図２は、第２実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。封止層５は、シーム部４内まで延在する延在部５ａを含む。延在部５ａは、シーム部４の少なくとも一部を埋めるように延在し、図２に示される例では、シーム部４の全部を埋めるように延在している。シーム部４は、空隙４ａ（図１）を有さない。封止層５の材料（延在部５ａの材料）は、低浸透性材料を含む。低浸透性材料の例は、ＳｉＮ系材料等である。ＳｉＮ系材料の例は、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ等である。このような封止層５の延在部５ａがシーム部４を埋めることで、例えばチップ２への水分等の侵入の抑制効果を高めることができる。信頼性向上等にもつながる。
図２は、第２実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。封止層５は、シーム部４内まで延在する延在部５ａを含む。延在部５ａは、シーム部４の少なくとも一部を埋めるように延在し、図２に示される例では、シーム部４の全部を埋めるように延在している。シーム部４は、空隙４ａ（図１）を有さない。封止層５の材料（延在部５ａの材料）は、低浸透性材料を含む。低浸透性材料の例は、ＳｉＮ系材料等である。ＳｉＮ系材料の例は、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ等である。このような封止層５の延在部５ａがシーム部４を埋めることで、例えばチップ２への水分等の侵入の抑制効果を高めることができる。信頼性向上等にもつながる。
【0029】
３．第３実施形態
一実施形態において、封止層５の材料は、低ヤング率材料を含む。低ヤング率材料の例は、Ｌｏｗ－ｋ材料、有機材料等である。Ｌｏｗ－ｋ材料の例は、多孔性のＳｉＯ２等である。有機材料の例は、シリコーン、シロキサン、ポリイミド等である。このような封止層５の延在部５ａがシーム部４を埋めることで、例えばチップ間応力を緩和することができる。
一実施形態において、封止層５の材料は、低ヤング率材料を含む。低ヤング率材料の例は、Ｌｏｗ－ｋ材料、有機材料等である。Ｌｏｗ－ｋ材料の例は、多孔性のＳｉＯ２等である。有機材料の例は、シリコーン、シロキサン、ポリイミド等である。このような封止層５の延在部５ａがシーム部４を埋めることで、例えばチップ間応力を緩和することができる。
【0030】
４．第４実施形態
図３は、第４実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。封止層５の延在部５ａは、シーム部４の一部だけを埋めるように延在している。シーム部４の残部は空隙４ａである。空隙４ａを残すことでチップ間応力を緩和することもできる。
図３は、第４実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。封止層５の延在部５ａは、シーム部４の一部だけを埋めるように延在している。シーム部４の残部は空隙４ａである。空隙４ａを残すことでチップ間応力を緩和することもできる。
【0031】
なお、以降では、とくに説明がある場合を除き、封止層５の延在部５ａがシーム部４の全部を埋めるように延在している場合で説明する。
【0032】
５．第５実施形態
図４は、第５実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。光検出装置１００は、側壁部８をさらに含む。側壁部８は、チップ２の側面（側壁）を覆うように設けられる。埋め込み層３は、基板１、チップ２及び側壁部８を覆うように設けられる。側壁部８の材料の例は、無機材料等である。無機材料の例は、主にＳｉＮｘ（ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＣ）である。側壁部８を設けることで、チップ２の保護性能をさらに高めることができる。
図４は、第５実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。光検出装置１００は、側壁部８をさらに含む。側壁部８は、チップ２の側面（側壁）を覆うように設けられる。埋め込み層３は、基板１、チップ２及び側壁部８を覆うように設けられる。側壁部８の材料の例は、無機材料等である。無機材料の例は、主にＳｉＮｘ（ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＣ）である。側壁部８を設けることで、チップ２の保護性能をさらに高めることができる。
【0033】
６．第６実施形態
図５及び図６は、第６実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。２つの異なるチップ２に起因して発生したシーム部４どうしが、互いにつながっている。２つのチップ２のうち、第１のチップを、チップ２－１と称し図示する。第２のチップを、チップ２－２と称し図示する。
図５及び図６は、第６実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。２つの異なるチップ２に起因して発生したシーム部４どうしが、互いにつながっている。２つのチップ２のうち、第１のチップを、チップ２－１と称し図示する。第２のチップを、チップ２－２と称し図示する。
【0034】
シーム部４は、シーム部４－１及びシーム部４－２を含む。シーム部４－１は、チップ２－１に起因して発生した第１のシーム部である。シーム部４－２は、チップ２－２に起因して発生した第２のシーム部である。図５に示される例では、シーム部４－１及びシーム部４－２は、埋め込み層３の表面３ａに向かう途中で互いにつながり、埋め込み層３の表面３ａまで延在している。図６に示される例では、シーム部４－１が与える段差及びシーム部４－２がはじめから互いにつながっており、一緒に埋め込み層３の表面３ａまで延在している。例えばこのように互いにつながっているシーム部４－１及びシーム部４－２がある場合でも、それらの外部への連通を抑制することができる。
【0035】
７．第７実施形態
図７は、第７実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。光検出装置１００は、追加層９をさらに含む。追加層９は、基板１及びチップ２と、埋め込み層３との間に設けられる。換言すると、追加層９は、基板１及びチップ２を覆うように設けられ、埋め込み層３は、追加層９を覆うように設けられる。追加層９の材料は、埋め込み層３の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。追加層９の材料の例は、主にＳｉＮｘ（ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＣ）である。追加層９は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。追加層９を設けることで、信頼性をさらに向上させることができる。
図７は、第７実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。光検出装置１００は、追加層９をさらに含む。追加層９は、基板１及びチップ２と、埋め込み層３との間に設けられる。換言すると、追加層９は、基板１及びチップ２を覆うように設けられ、埋め込み層３は、追加層９を覆うように設けられる。追加層９の材料は、埋め込み層３の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。追加層９の材料の例は、主にＳｉＮｘ（ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＣ）である。追加層９は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。追加層９を設けることで、信頼性をさらに向上させることができる。
【0036】
８．第８実施形態
図８は、第８実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。補助層６は、積層構造を有する。この例では、補助層６は、３層構造であり、Ｚ軸正方向に、層６１、層６２及び層６３をこの順に含む。層６１、層６２及び層６３それぞれの材料は、互いに異なる材料であってもよいし、同じ材料であってもよい。層数や材料の設計により、反り調整、接合マージン拡大等が可能になる。
図８は、第８実施形態に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。補助層６は、積層構造を有する。この例では、補助層６は、３層構造であり、Ｚ軸正方向に、層６１、層６２及び層６３をこの順に含む。層６１、層６２及び層６３それぞれの材料は、互いに異なる材料であってもよいし、同じ材料であってもよい。層数や材料の設計により、反り調整、接合マージン拡大等が可能になる。
【0037】
９．製造方法の例
図９～図１９は、光検出装置の製造方法の例を示す図である。図９～図１４には、前述の第１実施形態～第４実施形態、及び、第６実施形態～第８実施形態に係る光検出装置１００（図１～図３、及び、図５～図８）の製造方法の例が示される。
図９～図１９は、光検出装置の製造方法の例を示す図である。図９～図１４には、前述の第１実施形態～第４実施形態、及び、第６実施形態～第８実施形態に係る光検出装置１００（図１～図３、及び、図５～図８）の製造方法の例が示される。
【0038】
図９に示されるように、光検出素子１ｐを含む基板１を準備し、チップ２を基板１上に設ける。図１０に示されるように、基板１及びチップ２を覆うように、埋め込み層３を設ける。チップ２が与える段差に起因して、埋め込み層３内にシーム部４が発生する。この時点では、シーム部４の全体が空隙４ａである。
【0039】
前述の第６実施形態（図５、図６）のように、隣り合うチップ２それぞれに対応するシーム部４どうしが繋がる場合もある。前述の第７実施形態（図７）の場合は、基板１及びチップ２を覆うように追加層９（図７）を設けた後で、追加層９を覆うように埋め込み層３を設ける。
【0040】
埋め込み層３の上部（Ｚ軸正方向側の部分）を研磨し、洗浄することで、図１１に示されるように、平坦化された表面３ａが得られる。表面３ａにおいてシーム部４が到達している部分は開口している。この状態で、図１２に示されるように、埋め込み層３を覆うように封止層５を設ける。表面３ａの開口は、封止層５によって塞がれる。
【0041】
前述の第１実施形態（図１）の場合は、シーム部４の全部が空隙４ａのままである。前述の第２実施形態及び第３実施形態（図２）の場合は、シーム部４の全部が封止層５の材料によって埋められ、その部分が封止層５の延在部５ａになる。前述の第４実施形態（図３）の場合は、シーム部４の一部だけが封止層５の材料によって埋められ、その部分が封止層５の延在部５ａになる。前述の第６実施形態～第８実施形態（図５～図８）の場合は、いずれの態様であってもよい。
【0042】
図１３に示されるように、封止層５を覆うように補助層６を設ける。その後、補助層６を研磨し、洗浄を行う。シーム部４が封止層５で覆われているので、洗浄を行っても、シーム部４は広がらない。前述の第８実施形態（図８）の場合は、補助層６が積層構造を有するように、複数の層（例えば層６１、層６２及び層６３）が設けられる。図１４に示されるように、支持基板７を補助層６に貼り合わせる。
【0043】
例えば以上のようにして、前述の実施形態１～実施形態４、及び、実施形態６～実施形態８に係る光検出装置１００を製造することができる。
【0044】
図１５～図１９には、前述の第５実施形態（図４）の製造方法の例が示される。基板１を準備し、チップ２を基板１上に設けるところまでは、先に説明した図９と同様である。図１５に示されるように、基板１及びチップ２を覆うように、側壁部８（図４）の材料を設ける。
【0045】
図１６に示されるように、チップ２の側面上に上述の材料が残るように、エッチング（例えばドライエッチング）を行う。チップ２の側面上に残った材料が、側壁部８になる。図１７に示されるように、基板１、チップ２及び側壁部８を覆うように、埋め込み層３を設ける。チップ２が与える段差に起因して、埋め込み層３内にシーム部４が発生する。図１８に示されるように、封止層５を覆うように補助層６を設ける。図１９に示されるように、支持基板７を補助層６に貼り合わせる。
【0046】
例えば以上のようにして、上述の実施形態５に係る光検出装置１００を製造することができる。
【0047】
【0048】
図２０は、応用例に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。これまでの図とはＺ軸の向きが逆になっていることに留意されたい。例示される光検出装置１００は、複数の画素１０１を含むように構成された撮像装置である。画素１０１として、緑色光を受光する画素Ｇ、赤色光を受光する画素Ｒ、及び、青色光を受光する画素Ｂが例示される。基板１は、各画素１０１に対応する光電変換素子を含むように構成された基板（イメージセンサ基板）である。光検出装置１００は、フィルタ層１０及びレンズ層１１を含む。
【0049】
フィルタ層１０は、基板１を挟んでチップ２及び埋め込み層３とは反対側に設けられる。この例では、フィルタ層１０は、基板１の裏面１ｂ上に設けられる。フィルタ層１０は、複数の画素１０１に対応する複数のフィルタを含む。画素Ｇに設けられるフィルタを、フィルタ１０Ｇと称し図示する。画素Ｒに設けられるフィルタを、フィルタ１０Ｒと称し図示する。画素Ｂに設けられるフィルタを、フィルタ１０Ｂと称し図示する。フィルタ１０Ｇは、緑色の光を通過させる。フィルタ１０Ｒは、赤色の光を通過させる。フィルタ１０Ｂは、青色の光を通過させる。樹脂等の種々の公知の材料が用いられてよい。
【0050】
レンズ層１１は、フィルタ層１０を挟んで基板１とは反対側に設けられる。レンズ層１１は、複数の画素１０１に対応する複数のレンズ１１ａを含む。レンズ１１ａは、フィルタ層１０を介して基板１の光電変換素子に入射する光を集光する集光レンズである。樹脂等の種々の公知の材料が用いられてよい。
【0051】
【0052】
図２１は、応用例に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。光検出装置１００は、追加基板１２をさらに含む。追加基板１２は、基板１と埋め込み層３との間に設けられる。追加基板１２は、基板１と支持基板７との間に位置する中間基板ともいえる。追加基板１２の面のうち、Ｚ軸正方向側の面を、表面１２ａと称し図示する。Ｚ軸負方向側の面を、裏面１２ｂと称し図示する。追加基板１２の表面１２ａが埋め込み層３の裏面３ｂに接触し、追加基板１２の裏面１２ｂが基板１の表面１ａに接触している。
【0053】
追加基板１２は、表面１２ａ側及び裏面１２ｂ側それぞれに配線層を有する。例示される追加基板１２の配線層は多層配線層であり、いくつかの配線Ｌが表面１２ａ又は裏面１２ｂに露出している。
【0054】
チップ２は、チップ２の実装面２ｂが追加基板１２の表面１２ａと接触するように、追加基板１２上に設けられる。より具体的に、チップ２は、チップ２の配線Ｌと追加基板１２の配線Ｌとが接触して電気的に接続されるように、追加基板１２に実装される。チップ２の実装面２ｂ及び追加基板１２の表面１２ａは、チップ２及び追加基板１２の接合面（チップ接合面）を規定する。
【0055】
追加基板１２は、追加基板１２の配線Ｌと基板１の配線Ｌとが電気的に接触して接続されるように、基板１に貼り合わされる。基板１の表面１ａ及び追加基板１２の裏面１２ｂは、基板１及び追加基板１２の接合面（Ｆ２Ｆ接合面）を規定する。
【0056】
追加基板１２は、貫通ビア１２ｖを含む。貫通ビア１２ｖは、追加基板１２の表面１２ａ側の配線層と、追加基板１２の裏面１２ｂ側の配線層とを接続するように、それらの間の部分（基体）を貫通する。追加基板１２の配線層も利用することで、より多くの配線や回路素子を形成することができる。例えば光検出装置１００をさらに高機能化することができる。なお、２つ以上の追加基板１２が設けられてもよい。
【0057】
図２２及び図２３は、応用例に係る光検出装置の概略構成の例を示す図である。図２２に示されるように、間隔をあけて隣り合うように配置されたチップ２どうしの間にも、配線Ｌや構造体が設けられる。構造体として、貫通ビアＶが例示される。
【0058】
具体的に、図２２に示されるように、埋め込み層３及び補助層６も、配線Ｌを含む。いくつかの配線Ｌは、隣り合うチップ２どうしの間に設けられる。埋め込み層３及び補助層６にも配線Ｌを設けることで、光検出装置１００のさらなる高機能化が可能になる。配線Ｌはシーム部４に設けられていてもよく、その分レイアウト自由度が向上する。
【0059】
貫通ビアＶは、埋め込み層３、封止層５、補助層６及び支持基板７を貫通する。貫通ビアＶを介して、支持基板７の表面７ａから追加基板１２の表面１２ａ側の配線層への電気的なアクセスが可能になる。貫通ビアＶは、コンタクトビアともいえる。埋め込み層３において、少なくとも一部の貫通ビアＶは、隣り合うチップ２どうしの間に位置している。また、貫通ビアＶは、シーム部４を貫通していてよい。具体的に、図２３には、平面レイアウトが模式的に示される。平面視したときに（Ｚ軸方向にみたときに）、チップ２の周辺に配置された複数の貫通ビアＶのうちのいくつかの貫通ビアＶが、シーム部４と重なっている。さまざまな位置に貫通ビアＶを設けることができ、その分レイアウト自由度が向上する。
【0060】
１１．効果の例
以上で説明した技術は、例えば次のように特定される。開示される技術の１つは、光検出装置１００である。図１等を参照して説明したように、光検出装置１００は、光検出素子１ｐを含む基板１と、基板１に対して設けられたチップ２と、チップ２を覆うように設けられた埋め込み層３と、埋め込み層３内に発生し、埋め込み層３の表面３ａまで延在しているシーム部４と、埋め込み層３及びシーム部４を覆うように設けられた封止層５と、を備える。
以上で説明した技術は、例えば次のように特定される。開示される技術の１つは、光検出装置１００である。図１等を参照して説明したように、光検出装置１００は、光検出素子１ｐを含む基板１と、基板１に対して設けられたチップ２と、チップ２を覆うように設けられた埋め込み層３と、埋め込み層３内に発生し、埋め込み層３の表面３ａまで延在しているシーム部４と、埋め込み層３及びシーム部４を覆うように設けられた封止層５と、を備える。
【0061】
上記の光検出装置１００によれば、埋め込み層３及びシーム部４を覆う封止層５を設けることで、シーム部４の外部への連通を抑制することができる。
【0062】
図１等を参照して説明したように、光検出装置１００は、封止層５を挟んで基板１とは反対側に位置し、封止層５を直接的又は間接的に支持する支持基板７を備えてよい。封止層５で覆われたシーム部４が支持基板７との接合面までは到達しないので、ボイド発生等による接合品質の低下を抑制することができる。
【0063】
【0064】
図２及び図３等を参照して説明したように、封止層５は、シーム部４の少なくとも一部を埋めるようにシーム部４内まで延在する延在部５ａを含んでよい。封止層５の材料は、低浸透性材料を含んでよい。これにより、例えばチップ２への水分等の侵入の抑制効果を高めることができる。封止層５の材料は、低ヤング率材料を含んでよい。これにより、例えばチップ間応力を緩和することができる。
【0065】
図４等を参照して説明したように、光検出装置１００は、チップ２の側面を覆うように設けられた側壁部８を備えてよい。これにより、チップ２の保護性能をさらに高めることができる。
【0066】
図５及び図６等を参照して説明したように、チップ２は、互いに離間して設けられたチップ２－１（第１のチップ）及びチップ２－２（第２のチップ）を含み、シーム部４は、チップ２－１に起因して発生したシーム部４－１（第１のシーム部）及びチップ２－２に起因して発生したシーム部４－２（第２のシーム部）を含み、シーム部４－１及びシーム部４－２は、互いにつながっていてよい。例えばこのように互いにつながっているシーム部４－１及びシーム部４－２がある場合でも、それらの外部への連通を抑制することができる。
【0067】
図７等を参照して説明したように、光検出装置１００は、チップ２と埋め込み層３との間に設けられた追加層９を備えてよい。これにより、信頼性をさらに向上させることができる。
【0068】
図１及び図８等を参照して説明したように、光検出装置１００は、封止層５を覆うように設けられた補助層６を備えてよい。これにより、例えば支持基板７との接合を行い易くすることができる。補助層６は、積層構造を有してよい。層数や材料の設計により、反り調整、接合マージン拡大等が可能になる。
【0069】
図１等を参照して説明したように、チップ２は、ロジックチップ、メモリチップ及びＡＩ（Artificial Intelligence）チップの少なくとも１つを含んでよい。例えばこのようなさまざまなチップ２が設けられ高機能化された光検出装置を提供することができる。
【0070】
図２０等を参照して説明したように、光検出装置１００は、複数の画素１０１を含むように構成された撮像装置であってよい。光検出装置１００は、基板１を挟んでチップ２及び埋め込み層３とは反対側に設けられたフィルタ層１０と、フィルタ層１０を挟んで基板とは反対側に設けられたレンズ層１１と、を備えてよい。光検出装置１００を撮像装置に応用することができる。
【0071】
図２１等を参照して説明したように、光検出装置１００は、基板１と埋め込み層３との間に設けられた追加基板１２を備えてよい。これにより、例えば光検出装置１００を高機能化することができる。
【0072】
図２２等を参照して説明したように、チップ２は、間隔をあけて隣り合うように配置された２つのチップ２を含み、埋め込み層３は、２つのチップ２どうしの間に設けられた配線Ｌを含んでよい。光検出装置１００のさらなる高機能化が可能になる。光検出装置１００は、埋め込み層３、封止層５及び支持基板７を貫通する貫通ビアＶを備えてよい。例えば支持基板７の表面７ａから追加基板１２の表面１２ａ側の配線層へのアクセスが可能になる。
【0073】
なお、本開示に記載された効果は、あくまで例示であって、開示された内容に限定されない。他の効果があってもよい。
【0074】
１２．移動体への応用例
これまで説明した技術は、さまざまな製品へ応用することができる。例えば、これまで説明した光検出装置１００は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
これまで説明した技術は、さまざまな製品へ応用することができる。例えば、これまで説明した光検出装置１００は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
【0075】
図２４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
【0076】
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２４に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
【0077】
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
【0078】
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
【0079】
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
【0080】
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
【0081】
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
【0082】
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
【0083】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【0084】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
【0085】
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２４の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【0086】
図２５は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
【0087】
図２５では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
【0088】
撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
【0089】
なお、図２５には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
【0090】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
【0091】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【0092】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
【0093】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
【0094】
以上、先に説明した光検出装置１００は、以上説明した構成のうち、例えば撮像部１２０３１に適用され得る。例えば、光検出装置１００を含む製品の信頼性をより向上させることができる。
【0095】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示の技術的範囲は、上述の実施形態そのままに限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、異なる実施形態及び変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【0096】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
光検出素子を含む基板と、
前記基板に対して設けられたチップと、
前記チップを覆うように設けられた埋め込み層と、
前記埋め込み層内に発生し、前記埋め込み層の表面まで延在しているシーム部と、
前記埋め込み層及びシーム部を覆うように設けられた封止層と、
を備える、
光検出装置。
（２）
前記封止層を挟んで前記基板とは反対側に位置し、前記封止層を直接的又は間接的に支持する支持基板を備える、
（１）に記載の光検出装置。
（３）
前記シーム部の少なくとも一部は、空隙である、
（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（４）
前記封止層は、前記シーム部の少なくとも一部を埋めるように前記シーム部内まで延在する延在部を含む、
（１）～（３）のいずれかに記載の光検出装置。
（５）
前記封止層の材料は、低浸透性材料を含む、
（１）～（４）のいずれかに記載の光検出装置。
（６）
前記封止層の材料は、低ヤング率材料を含む、
（１）～（５）のいずれかに記載の光検出装置。
（７）
前記チップの側面を覆うように設けられた側壁部を備える、
（１）～（６）のいずれかに記載の光検出装置。
（８）
前記チップは、互いに離間して設けられた第１のチップ及び第２のチップを含み、
前記シーム部は、前記第１のチップに起因して発生した第１のシーム部及び前記第２のチップに起因して発生した第２のシーム部を含み、
前記第１のシーム部及び前記第２のシーム部は、互いにつながっている、
（１）～（７）のいずれかに記載の光検出装置。
（９）
前記チップと前記埋め込み層との間に設けられた追加層を備える、
（１）～（８）のいずれかに記載の光検出装置。
（１０）
前記封止層を覆うように設けられた補助層を備える、
（１）～（９）のいずれかに記載の光検出装置。
（１１）
前記補助層は、積層構造を有する、
（１０）に記載の光検出装置。
（１２）
前記チップは、ロジックチップ、メモリチップ及びＡＩ（Artificial Intelligence）チップの少なくとも１つを含む、
（１）～（１１）のいずれかに記載の光検出装置。
（１３）
複数の画素を含むように構成された撮像装置である、
（１）～（１２）のいずれかに記載の光検出装置。
（１４）
前記基板を挟んで前記チップ及び前記埋め込み層とは反対側に設けられたフィルタ層と、
前記フィルタ層を挟んで前記基板とは反対側に設けられたレンズ層と、
を備える、
（１３）に記載の光検出装置。
（１５）
前記基板と前記埋め込み層との間に設けられた追加基板を備える、
（１）～（１４）のいずれかに記載の光検出装置。
（１６）
前記チップは、間隔をあけて隣り合うように配置された２つのチップを含み、
前記埋め込み層は、前記２つのチップどうしの間に設けられた配線を含む、
（１）～（１５）のいずれかに記載の光検出装置。
（１７）
前記封止層を挟んで前記基板とは反対側に設けられ、前記封止層を直接的又は間接的に支持する支持基板と、
前記埋め込み層、前記封止層及び前記支持基板を貫通する貫通ビアと、
を備える、
（１）～（１６）のいずれかに記載の光検出装置。
（１）
光検出素子を含む基板と、
前記基板に対して設けられたチップと、
前記チップを覆うように設けられた埋め込み層と、
前記埋め込み層内に発生し、前記埋め込み層の表面まで延在しているシーム部と、
前記埋め込み層及びシーム部を覆うように設けられた封止層と、
を備える、
光検出装置。
（２）
前記封止層を挟んで前記基板とは反対側に位置し、前記封止層を直接的又は間接的に支持する支持基板を備える、
（１）に記載の光検出装置。
（３）
前記シーム部の少なくとも一部は、空隙である、
（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（４）
前記封止層は、前記シーム部の少なくとも一部を埋めるように前記シーム部内まで延在する延在部を含む、
（１）～（３）のいずれかに記載の光検出装置。
（５）
前記封止層の材料は、低浸透性材料を含む、
（１）～（４）のいずれかに記載の光検出装置。
（６）
前記封止層の材料は、低ヤング率材料を含む、
（１）～（５）のいずれかに記載の光検出装置。
（７）
前記チップの側面を覆うように設けられた側壁部を備える、
（１）～（６）のいずれかに記載の光検出装置。
（８）
前記チップは、互いに離間して設けられた第１のチップ及び第２のチップを含み、
前記シーム部は、前記第１のチップに起因して発生した第１のシーム部及び前記第２のチップに起因して発生した第２のシーム部を含み、
前記第１のシーム部及び前記第２のシーム部は、互いにつながっている、
（１）～（７）のいずれかに記載の光検出装置。
（９）
前記チップと前記埋め込み層との間に設けられた追加層を備える、
（１）～（８）のいずれかに記載の光検出装置。
（１０）
前記封止層を覆うように設けられた補助層を備える、
（１）～（９）のいずれかに記載の光検出装置。
（１１）
前記補助層は、積層構造を有する、
（１０）に記載の光検出装置。
（１２）
前記チップは、ロジックチップ、メモリチップ及びＡＩ（Artificial Intelligence）チップの少なくとも１つを含む、
（１）～（１１）のいずれかに記載の光検出装置。
（１３）
複数の画素を含むように構成された撮像装置である、
（１）～（１２）のいずれかに記載の光検出装置。
（１４）
前記基板を挟んで前記チップ及び前記埋め込み層とは反対側に設けられたフィルタ層と、
前記フィルタ層を挟んで前記基板とは反対側に設けられたレンズ層と、
を備える、
（１３）に記載の光検出装置。
（１５）
前記基板と前記埋め込み層との間に設けられた追加基板を備える、
（１）～（１４）のいずれかに記載の光検出装置。
（１６）
前記チップは、間隔をあけて隣り合うように配置された２つのチップを含み、
前記埋め込み層は、前記２つのチップどうしの間に設けられた配線を含む、
（１）～（１５）のいずれかに記載の光検出装置。
（１７）
前記封止層を挟んで前記基板とは反対側に設けられ、前記封止層を直接的又は間接的に支持する支持基板と、
前記埋め込み層、前記封止層及び前記支持基板を貫通する貫通ビアと、
を備える、
（１）～（１６）のいずれかに記載の光検出装置。
【符号の説明】
【0097】
１００ 光検出装置
１ 基板
１ａ 表面
１ｂ 裏面
１ｐ 光検出素子
２ チップ
２ｂ 実装面
３ 埋め込み層
３ａ 表面
３ｂ 裏面
４ シーム部
４ａ 空隙
５ 封止層
５ａ 延在部
６ 補助層
６１ 層
６２ 層
６３ 層
６ａ 表面
７ 支持基板
７ａ 表面
７ｂ 裏面
８ 側壁部
９ 追加層
Ｌ 配線
１０ フィルタ層
１１ レンズ層
１１ａ レンズ
１２ 追加基板
１２ａ 表面
１２ｂ 裏面
１２ｖ 貫通ビア
Ｖ 貫通ビア
１ 基板
１ａ 表面
１ｂ 裏面
１ｐ 光検出素子
２ チップ
２ｂ 実装面
３ 埋め込み層
３ａ 表面
３ｂ 裏面
４ シーム部
４ａ 空隙
５ 封止層
５ａ 延在部
６ 補助層
６１ 層
６２ 層
６３ 層
６ａ 表面
７ 支持基板
７ａ 表面
７ｂ 裏面
８ 側壁部
９ 追加層
Ｌ 配線
１０ フィルタ層
１１ レンズ層
１１ａ レンズ
１２ 追加基板
１２ａ 表面
１２ｂ 裏面
１２ｖ 貫通ビア
Ｖ 貫通ビア
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】