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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024038761
(43)【公開日】2024-03-21
(54)【発明の名称】電子部品パッケージ及び電子部品パッケージの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/02 20060101AFI20240313BHJP
B23K 1/00 20060101ALI20240313BHJP
B23K 1/19 20060101ALI20240313BHJP
B23K 26/21 20140101ALI20240313BHJP
C25D 7/00 20060101ALI20240313BHJP
【ＦＩ】
H01L23/02 C
B23K1/00 330E
B23K1/19 B
B23K26/21 P
H01L23/02 J
C25D7/00 G
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022143022
(22)【出願日】2022-09-08
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100087985
【弁理士】
【氏名又は名称】福井 宏司
(72)【発明者】
【氏名】久米 宗一
【テーマコード（参考）】
4E168
4K024
【Ｆターム（参考）】
4E168BA02
4E168BA87
4E168DA02
4E168DA43
4E168FB03
4K024AA09
4K024AA10
4K024AA11
4K024AB01
4K024BA01
4K024BB28
4K024FA05
4K024GA01
(57)【要約】
【課題】電子部品パッケージの容積を大きくすると、基体の製造工数が増加してしまう。
【解決手段】電子部品パッケージ１０は、基体２０と、蓋体３０と、接合層部４０と、を備えている。蓋体３０は、第１凹部３２を有している。また、蓋体３０は、接合層部４０を介して基体２０に接合されている。基体２０は、蓋体３０の第１凹部３２を閉塞している。また、基体２０及び蓋体３０は、電子部品パッケージ１０の内部空間Ｓを区画している。電子部品パッケージ１０の内部空間Ｓ内に位置している。また、電子部品５０は、基体２０に実装されている。
【選択図】図２
【解決手段】電子部品パッケージ１０は、基体２０と、蓋体３０と、接合層部４０と、を備えている。蓋体３０は、第１凹部３２を有している。また、蓋体３０は、接合層部４０を介して基体２０に接合されている。基体２０は、蓋体３０の第１凹部３２を閉塞している。また、基体２０及び蓋体３０は、電子部品パッケージ１０の内部空間Ｓを区画している。電子部品パッケージ１０の内部空間Ｓ内に位置している。また、電子部品５０は、基体２０に実装されている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミック製の基体と、当該基体の外面のうち特定の平面を特定面としたときに当該特定面上に成膜される金属膜であるメタライズ層と、金属製の蓋体と、前記メタライズ層及び前記蓋体の間に位置するめっき層と、前記基体に実装されている電子部品と、を備え、
前記蓋体は、凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に沿う環状のフランジと、を有し、
前記フランジは、前記凹部の外側に向かって前記特定面に水平な方向に張り出し、且つ前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合しており、
前記メタライズ層は、前記フランジに向かい合うように環状になっており、
前記基体は、前記凹部の開口を閉塞しており、
前記電子部品は、前記基体と前記蓋体とで区画される空間内に位置している
電子部品パッケージ。
前記蓋体は、凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に沿う環状のフランジと、を有し、
前記フランジは、前記凹部の外側に向かって前記特定面に水平な方向に張り出し、且つ前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合しており、
前記メタライズ層は、前記フランジに向かい合うように環状になっており、
前記基体は、前記凹部の開口を閉塞しており、
前記電子部品は、前記基体と前記蓋体とで区画される空間内に位置している
電子部品パッケージ。
【請求項2】
前記メタライズ層及び前記めっき層の間に位置するろう材層と、
前記ろう材層及び前記めっき層の間に位置する金属製のシールリングと、をさらに備え
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記シールリングの吸光度よりも低い
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
前記ろう材層及び前記めっき層の間に位置する金属製のシールリングと、をさらに備え
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記シールリングの吸光度よりも低い
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項3】
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記フランジにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法より小さい
請求項２に記載の電子部品パッケージ。
前記フランジにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法より小さい
請求項２に記載の電子部品パッケージ。
【請求項4】
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に沿う方向での寸法より小さい
請求項２に記載の電子部品パッケージ。
前記凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に沿う方向での寸法より小さい
請求項２に記載の電子部品パッケージ。
【請求項5】
前記めっき層は、金、銀、銅から選ばれる１以上の金属を含む
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項6】
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記フランジの吸光度よりも低い
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項7】
前記蓋体のうち、前記めっき層に対する接合面を含む一部分を接合部とし、
前記特定面に垂直な面で断面視したとき、
前記接合部は、前記めっき層に近づくほど、前記特定面に沿う方向の寸法が大きくなっている
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
前記特定面に垂直な面で断面視したとき、
前記接合部は、前記めっき層に近づくほど、前記特定面に沿う方向の寸法が大きくなっている
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項8】
前記凹部を第１凹部としたとき、
前記基体は、前記特定面に対して窪んだ第２凹部を有しており、
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記第１凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記特定面における前記第２凹部の開口縁から前記特定面の外縁までの寸法より小さい
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
前記基体は、前記特定面に対して窪んだ第２凹部を有しており、
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記第１凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記特定面における前記第２凹部の開口縁から前記特定面の外縁までの寸法より小さい
請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項9】
凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に囲まれる仮想平面を仮定したとき前記凹部の外側に向かって前記仮想平面に水平な方向に張り出しているフランジを有する蓋体を準備する蓋体準備工程と、
電子部品が実装されているセラミック製の基体の外面のうち、特定の平面を特定面としたとき、前記特定面に前記フランジに対応して環状にメタライズ層を成膜するメタライズ工程と、
前記メタライズ層に対して、前記基体とは反対側に、めっき層を積層するめっき工程と、
前記電子部品が前記凹部の内部に位置するように前記めっき層上に前記フランジを配置して、前記フランジにレーザを照射することにより、前記フランジを、前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合する接合工程と、を備える
電子部品パッケージの製造方法。
電子部品が実装されているセラミック製の基体の外面のうち、特定の平面を特定面としたとき、前記特定面に前記フランジに対応して環状にメタライズ層を成膜するメタライズ工程と、
前記メタライズ層に対して、前記基体とは反対側に、めっき層を積層するめっき工程と、
前記電子部品が前記凹部の内部に位置するように前記めっき層上に前記フランジを配置して、前記フランジにレーザを照射することにより、前記フランジを、前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合する接合工程と、を備える
電子部品パッケージの製造方法。
【請求項10】
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記フランジの吸光度は、前記めっき層の吸光度よりも高くなっており、
前記接合工程では、０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲のレーザを、前記フランジに照射する
請求項９に記載の電子部品パッケージの製造方法。
前記接合工程では、０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲のレーザを、前記フランジに照射する
請求項９に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項11】
前記メタライズ層及び前記めっき層の間に、金属製のシールリングを接合するシールリング接合工程をさらに備え、
前記特定面に垂直な面で断面視したときの、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での寸法をシールリング厚みとし、
前記仮想平面に対して垂直な面で断面視したときの、前記フランジにおける前記仮想平面に垂直な方向での寸法をフランジ厚みとしたとき、
前記接合工程の前において、前記フランジ厚みは、前記シールリング厚み以下である
請求項９又は請求項１０に記載の電子部品パッケージの製造方法。
前記特定面に垂直な面で断面視したときの、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での寸法をシールリング厚みとし、
前記仮想平面に対して垂直な面で断面視したときの、前記フランジにおける前記仮想平面に垂直な方向での寸法をフランジ厚みとしたとき、
前記接合工程の前において、前記フランジ厚みは、前記シールリング厚み以下である
請求項９又は請求項１０に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品パッケージおよび電子部品パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載の電子部品パッケージは、セラミック製の基体と、略板状の蓋体とを有する。基体は、複数のシートが積層された構造である。また、一部のシートは、孔を有している。そして、各シートは、孔の位置が互いに一致するように積層されている。それにより、基体は凹部を有する。また、メタライズめっき層は、基体における凹部の開口縁の外周に積層されている。そして、蓋体は、基体のメタライズめっき層に、レーザ照射により接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－２４６４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載されたような電子部品パッケージにおいて、当該電子部品パッケージに収納できる電子部品の厚さは、基体の凹部の深さ以下に制限される。その一方で、凹部の深さを大きくしようとしたとき、基体における各シートの積層数を増やす必要がある。そのため、基体の製造工数が増加してしまう。また、複数のシートを積層してなる基体に限らずとも、電子部品パッケージに用いられる基体に深い凹部を形成することは、基体の製造工数の増加、及び製造工程の複雑化などを伴うため、好ましくない。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するため、本発明は、セラミック製の基体と、当該基体の外面のうち特定の平面を特定面としたときに当該特定面上に成膜される金属膜であるメタライズ層と、金属製の蓋体と、前記メタライズ層及び前記蓋体の間に位置するめっき層と、前記基体に実装されている電子部品と、を備え、前記蓋体は、凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に沿う環状のフランジと、を有し、前記フランジは、前記凹部の外側に向かって前記特定面に水平な方向に張り出し、且つ前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合しており、前記メタライズ層は、前記フランジに向かい合うように環状になっており、前記基体は、前記凹部の開口を閉塞しており、前記電子部品は、前記基体と前記蓋体とで区画される空間内に位置している電子部品パッケージである。
【0006】
また、上記課題を解決するため、本発明は、凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に囲まれる仮想平面を仮定したとき前記凹部の外側に向かって前記仮想平面に水平な方向に張り出しているフランジを有する蓋体を準備する蓋体準備工程と、電子部品が実装されているセラミック製の基体の外面のうち、特定の平面を特定面としたとき、前記特定面に前記フランジに対応して環状にメタライズ層を成膜するメタライズ工程と、前記メタライズ層に対して、前記基体とは反対側に、めっき層を積層するめっき工程と、前記電子部品が前記凹部の内部に位置するように前記めっき層上に前記フランジを配置して、前記フランジにレーザを照射することにより、前記フランジを、前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合する接合工程と、を備える電子部品パッケージの製造方法である。
【0007】
上記構成によれば、金属製の蓋体が凹部を有する。そのため、電子部品パッケージの内容積を大きくしたい場合に、凹部が大きくなるように蓋体を成形すれば済む。したがって、電子部品パッケージの内容積を大きくしても、基体の製造工数の増加及び製造工程の複雑化を伴わない。
【発明の効果】
【0008】
基体の製造工数の増加、製造工程の複雑化をことなく電子部品パッケージの内容積を大きくできる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】電子部品パッケージの斜視図である。
【図4】製造工程の説明図である。
【図5】蓋体準備工程後の蓋体の断面図である。
【図6】めっき工程後の基体及び接合層部の断面図である。
【図7】変更例における電子部品パッケージの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
＜電子部品パッケージの一実施形態＞
以下、電子部品パッケージの一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。
以下、電子部品パッケージの一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。
【0011】
（全体構成について）
図１に示すように、電子部品パッケージ１０の外観は、全体として略直方体状である。電子部品パッケージ１０は、基体２０と、蓋体３０と、接合層部４０と、を備えている。蓋体３０は、接合層部４０を介して基体２０に接合されている。また、図２に示すように、蓋体３０は、第１凹部３２を有している。同様に、基体２０は、第２凹部２２を有している。基体２０の第２凹部２２は、蓋体３０の第１凹部３２と向かい合わせになっている。したがって、基体２０は、蓋体３０の第１凹部３２を閉塞している。また、基体２０及び蓋体３０は、電子部品パッケージ１０の内部空間Ｓを区画している。内部空間Ｓは、例えば不活性ガスで満たされている。
図１に示すように、電子部品パッケージ１０の外観は、全体として略直方体状である。電子部品パッケージ１０は、基体２０と、蓋体３０と、接合層部４０と、を備えている。蓋体３０は、接合層部４０を介して基体２０に接合されている。また、図２に示すように、蓋体３０は、第１凹部３２を有している。同様に、基体２０は、第２凹部２２を有している。基体２０の第２凹部２２は、蓋体３０の第１凹部３２と向かい合わせになっている。したがって、基体２０は、蓋体３０の第１凹部３２を閉塞している。また、基体２０及び蓋体３０は、電子部品パッケージ１０の内部空間Ｓを区画している。内部空間Ｓは、例えば不活性ガスで満たされている。
【0012】
図２に示すように、電子部品パッケージ１０は、電子部品５０を備えている。電子部品５０は、電子部品パッケージ１０の内部空間Ｓ内に位置している。また、電子部品５０は、基体２０に実装されている。本実施形態においては、第２凹部２２の底面に実装されている。なお、ここでいう「実装」とは、電子部品５０の電極が基体２０の配線等に接続されている場合だけでなく、単に電子部品５０が基体２０に対して固定されていることも含む概念である。電子部品５０は、例えば水晶振動子等である。
【0013】
（基体について）
図１及び図２に示すように、基体２０の形状は、略直方体状の第２凹部２２を有する略四角箱状である。当該基体２０の外面のうち、特定の平面を特定面２１をとする。このとき、基体２０の特定面２１は、第２凹部２２の開口を有する面である。そして、特定面２１は、第２凹部２２を囲むように四角環状になっている。なお、以下の説明において、第２凹部２２の開口縁とは、四角環状の特定面２１における内周側の縁である。
図１及び図２に示すように、基体２０の形状は、略直方体状の第２凹部２２を有する略四角箱状である。当該基体２０の外面のうち、特定の平面を特定面２１をとする。このとき、基体２０の特定面２１は、第２凹部２２の開口を有する面である。そして、特定面２１は、第２凹部２２を囲むように四角環状になっている。なお、以下の説明において、第２凹部２２の開口縁とは、四角環状の特定面２１における内周側の縁である。
【0014】
基体２０は、セラミック製である。具体的には、基体２０の材質は、酸化アルミニウムからなるアルミナセラミックスである。図示は省略するが、基体２０は、シート状のセラミックを複数積層した構造である。基体２０を構成するシートのうちの一部のシートには孔が形成されている。そして、各シートの孔が一致するように、各シートが積層されている。それにより、基体２０に第２凹部２２が形成されている。なお、シートを積層し焼成した後の基体２０において、各シートは一体化しているため、各シート同士の境界は区別できない場合がある。
【0015】
（接合層部について）
図３に示すように、接合層部４０は、メタライズ層４１と、ろう材層４２と、シールリング４３と、めっき層４４と、を備えている。また、上記各層は、基体２０の特定面２１側から順に、メタライズ層４１、ろう材層４２、シールリング４３、及びめっき層４４の順で積層されている。したがって、ろう材層４２は、メタライズ層４１及びめっき層４４の間に位置している。また、シールリング４３は、ろう材層４２及びめっき層４４の間に位置している。さらに、めっき層４４は、メタライズ層４１及び蓋体３０の間に位置している。
図３に示すように、接合層部４０は、メタライズ層４１と、ろう材層４２と、シールリング４３と、めっき層４４と、を備えている。また、上記各層は、基体２０の特定面２１側から順に、メタライズ層４１、ろう材層４２、シールリング４３、及びめっき層４４の順で積層されている。したがって、ろう材層４２は、メタライズ層４１及びめっき層４４の間に位置している。また、シールリング４３は、ろう材層４２及びめっき層４４の間に位置している。さらに、めっき層４４は、メタライズ層４１及び蓋体３０の間に位置している。
【0016】
メタライズ層４１は、基体２０の特定面２１上に成膜される金属膜である。メタライズ層４１は、特定面２１の平面視での形状を反映して、四角環状である。メタライズ層４１の材質は、セラミックとの接続性が高い金属である。例えば、メタライズ層４１の材質は、タングステン、モリブデン、マンガン等を含んでいる。また、メタライズ層４１材質は、ガラスを含んでいる。
【0017】
ろう材層４２は、メタライズ層４１の表面に積層されている。ろう材層４２は、メタライズ層４１の表面の略全域に亘っている。すなわち、ろう材層４２は、四角環状である。ろう材層４２は、メタライズ層４１とシールリング４３とをろう付けするための金属層である。ろう材層４２の材質は、金、銀、及び銅から選ばれる１以上の金属を含んでいる。
【0018】
ここで、図３に示すように、電子部品パッケージ１０を、特定面２１に垂直な面で断面視したとする。そして、この断面において、ろう材層４２における特定面２１に沿う方向の寸法をろう材層４２の幅ＷＢとする。また、同断面において、メタライズ層４１における特定面２１に沿う方向の寸法を、メタライズ層４１の幅ＷＭとする。このとき、同一断面上において、ろう材層４２の幅ＷＢの寸法は、メタライズ層４１の幅ＷＭの寸法と略同一である。
【0019】
図３に示すように、シールリング４３は、ろう材層４２の表面に積層されている。シールリング４３は、ろう材層４２の表面の略全域に亘っている。すなわち、シールリング４３は、メタライズ層４１及びろう材層４２と同様に、四角環状である。シールリング４３の材質は、コバールなどである。
【0020】
ここで、図３に示すように、電子部品パッケージ１０を、特定面２１に垂直な面で断面視したとする。そして、この断面において、シールリング４３における特定面２１に沿う方向の幅をシールリング幅ＷＳとする。また、同断面において、特定面２１上における第２凹部２２の開口縁から、特定面２１の外縁までの寸法を基体２０のエッジ幅ＷＥとする。このとき、同一の断面においてシールリング幅ＷＳの寸法は、基体２０のエッジ幅ＷＥの寸法より小さい。また、シールリング４３の開口の大きさは、基体２０の第２凹部２２の開口の大きさ以上である。この実施形態では、特定面２１に直交する方向を向いて電子部品パッケージ１０を見たときに、シールリング４３の開口縁は、第２凹部２２の開口縁と略一致している。さらに、同一の断面において、シールリング幅ＷＳの寸法は、ろう材層４２の幅ＷＢの寸法、メタライズ層４１の幅ＷＭの寸法と略同一である。
【0021】
めっき層４４は、シールリング４３の表面に積層されている。めっき層４４は、シールリング４３の表面の略全域に亘っている。すなわち、めっき層４４は、メタライズ層４１、ろう材層４２、及びシールリング４３と同様に、四角環状である。めっき層４４の材質は、金、銀、銅から選ばれる１以上を含む金属である。めっき層４４は、シールリング４３と蓋体３０を接合するための金属層である。ここで、図３に示すように、電子部品パッケージ１０を、特定面２１に垂直な面で断面視したとする。そして、この断面において、めっき層４４における特定面２１に沿う方向の寸法をめっき層４４の幅ＷＰとする。めっき層４４の幅ＷＰの寸法は、シールリング幅ＷＳと略同一である。
【0022】
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲を、特定波長範囲とする。特定波長範囲において、めっき層４４の吸光度は、シールリング４３の吸光度よりも低い。なお、この吸光度の違いは、めっき層４４の材質及びシールリング４３の材質の違いによるものである。
【0023】
（蓋体について）
図１及び図２に示すように、蓋体３０の形状は、略直方体状の第１凹部３２を有する略四角箱状である。蓋体３０は、金属製である。具体的には、蓋体３０の材質は、シールリング４３の材質と同じである。すなわち、蓋体３０の材質は、コバールなどである。蓋体３０は、蓋体本体３１及びフランジ３３を有する。蓋体本体３１は、上述の第１凹部３２を有している。すなわち、蓋体本体３１は、略四角箱状である。フランジ３３は、蓋体本体３１における第１凹部３２の開口縁から外側に向かって、特定面２１に水平な方向に張り出している。フランジ３３は、第１凹部３２の開口縁の全域に亘っている。したがって、フランジ３３は、四角環状である。蓋体３０は、蓋体本体３１及びフランジ３３の一体成形物である。したがって、蓋体３０も凹部を有している。なお、蓋体３０の開口縁は、フランジ３３のめっき層４４に対する接合面３４において、内部空間Ｓ側の縁である。
図１及び図２に示すように、蓋体３０の形状は、略直方体状の第１凹部３２を有する略四角箱状である。蓋体３０は、金属製である。具体的には、蓋体３０の材質は、シールリング４３の材質と同じである。すなわち、蓋体３０の材質は、コバールなどである。蓋体３０は、蓋体本体３１及びフランジ３３を有する。蓋体本体３１は、上述の第１凹部３２を有している。すなわち、蓋体本体３１は、略四角箱状である。フランジ３３は、蓋体本体３１における第１凹部３２の開口縁から外側に向かって、特定面２１に水平な方向に張り出している。フランジ３３は、第１凹部３２の開口縁の全域に亘っている。したがって、フランジ３３は、四角環状である。蓋体３０は、蓋体本体３１及びフランジ３３の一体成形物である。したがって、蓋体３０も凹部を有している。なお、蓋体３０の開口縁は、フランジ３３のめっき層４４に対する接合面３４において、内部空間Ｓ側の縁である。
【0024】
ここで、図３に示すように、電子部品パッケージ１０を、基体２０の特定面２１に垂直な面で断面視したとする。そして、この断面において、蓋体３０の第１凹部３２の開口縁からフランジ３３の先端までの特定面２１に沿う方向の幅を、フランジ幅ＷＦとする。このとき、同一の断面上において、フランジ幅ＷＦの寸法は、特定面２１のエッジ幅ＷＥの寸法より小さい。また、フランジ幅ＷＦの寸法は、シールリング幅ＷＳの寸法より小さい。
【0025】
また、上記の断面において、フランジ３３の特定面２１に垂直な方向での最大寸法ＴＦ２は、シールリング４３の特定面２１に垂直な方向での最大寸法ＴＳ２よりも小さい。
フランジ３３のうち、めっき層４４に対する接合面３４を含む一部分を接合部３５とする。接合部３５は、いわゆるフィレット形状になっている。すなわち、特定面２１に垂直な面で断面視したとき、当該接合部３５は、めっき層４４に近づくほど、特定面２１に沿う方向の寸法が大きくなっている。また、接合部３５は、フランジ３３の先端側だけでなく、第１凹部３２の開口縁の近傍においても、フィレット形状になっている。
フランジ３３のうち、めっき層４４に対する接合面３４を含む一部分を接合部３５とする。接合部３５は、いわゆるフィレット形状になっている。すなわち、特定面２１に垂直な面で断面視したとき、当該接合部３５は、めっき層４４に近づくほど、特定面２１に沿う方向の寸法が大きくなっている。また、接合部３５は、フランジ３３の先端側だけでなく、第１凹部３２の開口縁の近傍においても、フィレット形状になっている。
【0026】
また、特定波長範囲において、めっき層４４の吸光度は、フランジ３３の吸光度よりも低い。また、フランジ３３の吸光度は、シールリング４３の吸光度と略同一である。なお、これらの吸光度の違いは、フランジ３３の材質、めっき層４４の材質及びシールリング４３の材質の違いによるものである。
【0027】
（電子部品パッケージの製造方法について）
次に、電子部品パッケージ１０の製造方法の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、基体２０は、上述した形状に予め成形されているものとする。
次に、電子部品パッケージ１０の製造方法の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、基体２０は、上述した形状に予め成形されているものとする。
【0028】
図４に示すように、電子部品パッケージ１０の製造方法は、蓋体準備工程Ｓ１０１と、メタライズ工程Ｓ１０２と、ろう付け工程Ｓ１０３と、シールリング接合工程Ｓ１０４と、めっき工程Ｓ１０５と、実装工程Ｓ１０６と、接合工程Ｓ１０７と、を備えている。
【0029】
図４に示すように、最初に、蓋体準備工程Ｓ１０１において、成形済みの蓋体３０を準備する。なお、蓋体３０の成形は、次のように行う。先ず、コバールなどを材質とする金属板を用意する。そして、プレス加工等により、金属板が略四角箱状となるように蓋体本体３１を成形する。このとき、蓋体本体３１と同時にフランジ３３も成形する。すなわち、プレス加工等により、第１凹部３２の開口縁から外側に向かって屈曲を形成する。ここで、蓋体本体３１が備える第１凹部３２の底面と、蓋体本体３１の側面とがなす角度は、４５度以上９０度以下となるように成形する。
【0030】
次に、図４に示すように、メタライズ工程Ｓ１０２を行う。メタライズ工程Ｓ１０２では、先ず、基体２０の特定面２１の略全域に亘って、フランジ３３に対応してメタライズペーストを四角環状に塗布する。メタライズペーストは、タングステン、モリブデン、マンガン等からなる。次に、メタライズペーストを焼成する。それにより、基体２０の特定面２１上にメタライズ層４１が成膜される。
【0031】
次に、図４に示すように、ろう付け工程Ｓ１０３を行う。ろう付け工程Ｓ１０３では、先ず、メタライズ層４１表面の略全域に亘って、ろう材を四角環状に塗布する。ろう材は、金、銀、及び銅から選ばれる１以上の金属である。それにより、メタライズ層４１の表面にろう材層４２が形成される。
【0032】
次に、図４に示すように、シールリング接合工程Ｓ１０４を行う。シールリング接合工程Ｓ１０４では、先ず、シールリング４３をろう材の表面上に載置する。シールリング４３は、コバールなどからなる四角環状の金属である。次に、シールリング４３及びろう材を加熱する。それにより、シールリング４３は、ろう材層４２を介してメタライズ層４１に接合される。
【0033】
次に、図４に示すように、めっき工程Ｓ１０５を行う。めっき工程Ｓ１０５では、電気めっき法等を用いて、メタライズ層４１に対して基体２０とは反対側にめっき層４４を積層する。具体的には、基体２０に接合したシールリング４３の表面をめっき溶液に浸し、所定の電流を流す。それにより、シールリング４３の表面上にめっき層４４が積層される。なお、めっき層４４の吸光度が、フランジ３３の吸光度よりも低くなるように、めっき溶液の成分を選択する。具体的には、めっき溶液は、金、銀、銅から選ばれる１以上を含む金属を含む溶液である。
【0034】
次に、図４に示すように、実装工程Ｓ１０６を行う。この実装工程Ｓ１０６では、基体２０の第２凹部２２の底面に、任意の方法で電子部品５０を実装する。
次に、図４に示すように、接合工程Ｓ１０７を行う。ここで、接合工程Ｓ１０７を行う前において、蓋体準備工程Ｓ１０１で成形した蓋体３０について、第１凹部３２の開口縁で囲まれた平面である仮想平面Ｐを仮定する。そして、図５に示すように、仮想平面Ｐに対して垂直な面で断面視したとする。そのとき、フランジ３３における仮想平面Ｐに対して垂直な方向の寸法を、フランジ厚みＴＦ１とする。また、図６に示すように、接合工程Ｓ１０７を行う前であり、且つシールリング接合工程Ｓ１０４を行った後において、基体２０の特定面２１に垂直な面で断面視したときの、シールリング４３における特定面２１に垂直な方向での寸法をシールリング厚みＴＳ１とする。このとき、フランジ厚みＴＦ１は、シールリング厚みＴＳ１以下である。
次に、図４に示すように、接合工程Ｓ１０７を行う。ここで、接合工程Ｓ１０７を行う前において、蓋体準備工程Ｓ１０１で成形した蓋体３０について、第１凹部３２の開口縁で囲まれた平面である仮想平面Ｐを仮定する。そして、図５に示すように、仮想平面Ｐに対して垂直な面で断面視したとする。そのとき、フランジ３３における仮想平面Ｐに対して垂直な方向の寸法を、フランジ厚みＴＦ１とする。また、図６に示すように、接合工程Ｓ１０７を行う前であり、且つシールリング接合工程Ｓ１０４を行った後において、基体２０の特定面２１に垂直な面で断面視したときの、シールリング４３における特定面２１に垂直な方向での寸法をシールリング厚みＴＳ１とする。このとき、フランジ厚みＴＦ１は、シールリング厚みＴＳ１以下である。
【0035】
接合工程Ｓ１０７では、不活性雰囲気下の内部空間Ｓにおいて、電子部品５０が第１凹部３２の内部に位置するように、めっき層４４上にフランジ３３を配置する。このとき、フランジ３３は、全域に亘ってめっき層４４に接触している。そして、フランジ３３の略全域に亘って、特定波長範囲の波長帯を有するレーザによりパルス照射する。それにより、フランジ３３を溶融させて、めっき層４４の表面に接合させる。
【0036】
（実施形態の効果について）
（１）上記実施形態によれば、金属製の蓋体３０は第１凹部３２を有する。そのため、電子部品パッケージ１０の内容積を大きくしたい場合に、第１凹部３２が大きくなるように蓋体３０を成形すれば済む。したがって、電子部品パッケージ１０の内容積を大きくしても、基体２０の製造工数の増加、製造工程の複雑化を伴わない。また、電子部品パッケージ１０を小型化する場合にも、第１凹部３２の容積を小さく成形すれば済む。すなわち、高い気密性を保ったまま、電子部品パッケージ１０を小型化しやすい。したがって、電子部品パッケージ１０の大きさを徒に大きくすることなく、小型の基体２０及び蓋体３０の内部に微細な電子部品５０を収納できる。なお、この効果は基体２０がシートの積層により構成される場合に限らずに得られる。
（１）上記実施形態によれば、金属製の蓋体３０は第１凹部３２を有する。そのため、電子部品パッケージ１０の内容積を大きくしたい場合に、第１凹部３２が大きくなるように蓋体３０を成形すれば済む。したがって、電子部品パッケージ１０の内容積を大きくしても、基体２０の製造工数の増加、製造工程の複雑化を伴わない。また、電子部品パッケージ１０を小型化する場合にも、第１凹部３２の容積を小さく成形すれば済む。すなわち、高い気密性を保ったまま、電子部品パッケージ１０を小型化しやすい。したがって、電子部品パッケージ１０の大きさを徒に大きくすることなく、小型の基体２０及び蓋体３０の内部に微細な電子部品５０を収納できる。なお、この効果は基体２０がシートの積層により構成される場合に限らずに得られる。
【0037】
（２）上記実施形態によれば、基体２０と蓋体３０との接合を、シールリング４３及びろう材層４２により強固にできる。そして、めっき層４４の吸光度は、フランジ３３とめっき層４４との間に位置するシールリング４３の吸光度よりも低くなっている。それにより、特定波長範囲のレーザ照射によりフランジ３３を接合する際、めっき層４４がレーザ吸収を抑えつつ放熱することで、シールリング４３、ろう材層４２、メタライズ層４１及び基体２０の高温化及び過剰な溶融を抑制できる。
【0038】
（３）上記実施形態によれば、蓋体３０のフランジ３３の最大寸法ＴＦ２は、比較的に小さくなっている。そのため、照射するレーザの強度を下げたりレーザの照射時間を短くしたりしても、充分に蓋体３０を接合できる。
【0039】
（４）上記実施形態によれば、フランジ３３のフランジ幅ＷＦが、基体２０のエッジ幅ＷＥよりも小さくなっている。したがって、接合工程Ｓ１０７の際、溶融したフランジ３３が、基体２０からはみ出してしまうことを防げる。
【0040】
（５）上記実施形態によれば、めっき層４４は金、銀、銅から選ばれる１以上の金属である。金、銀、銅はいずれも０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲の光の吸収率が比較的低いので、めっき層４４の材質として好適である。さらに、金、銀、銅は、熱伝導性が高い。そのため、上記波長範囲のレーザ光によりフランジ３３をメタライズ層４１に接合する際に、めっき層４４で放熱されやすい。したがって、電子部品パッケージ１０が高温になりにくい。
【0041】
（６）上記実施形態によれば、特定波長範囲において、めっき層４４の吸光度はフランジ３３の吸光度よりも低い。そのため、特定波長範囲のレーザ照射によりフランジ３３をメタライズ層４１に接合する際、フランジ３３が溶融しやすい一方で、めっき層４４は溶融しにくい。したがって、めっき層４４は、レーザ吸収を抑えつつ、溶融したフランジ３３の熱を放熱しやすい。それにより、シールリング４３、ろう材層４２、メタライズ層４１及び基体２０の高温化及び過剰な溶融を防ぎやすい。
【0042】
（７）上記実施形態によれば、蓋体３０のうちのめっき層４４との接合箇所である接合部３５は、内部空間Ｓの内側及び外側において、いわゆるフィレット形状をなしている。そして、このフィレット形状により、蓋体３０のめっき層４４に対する接合面積を広く確保できる。したがって、蓋体３０の成形時において、フランジ３３を小さく成形しても、高い接合強度及び高い気密性が得られる。
【0043】
（８）上記実施形態によれば、フランジ幅ＷＦの寸法はエッジ幅ＷＥの寸法より小さい。したがって、接合工程Ｓ１０７の際に、基体２０に対して蓋体３０が多少位置ずれしても、蓋体３０の第１凹部３２を基体２０で密閉できる。
【0044】
（９）上記実施形態によれば、レーザ照射により基体２０と蓋体３０を接合する。そのため、蓋体３０の成型時において、フランジ幅ＷＦが狭い場合でも比較的正確に接合できる。それにより、第１凹部３２の内容積を大きくしても、電子部品パッケージ１０の大きさが徒に大きくなりにくいように製造できる。
【0045】
（１０）上記実施形態によれば、特定波長範囲でのめっき層４４の吸光度はフランジ３３の吸光度よりも低い。そして、接合工程Ｓ１０７において特定波長範囲のレーザをフランジ３３に照射する。これにより、フランジ３３が溶融しやすい一方で、めっき層４４は溶融しにくい。したがって、めっき層４４は、レーザ吸収を抑えつつ、溶融したフランジ３３の熱を放熱しやすい。それにより、それにより、シールリング４３、ろう材層４２、メタライズ層４１及び基体２０の高温化及び過剰な溶融を防ぎつつ、めっき層４４とフランジ３３をレーザ照射により接合できる。
【0046】
（１１）上記実施形態によれば、接合工程Ｓ１０７の前において、蓋体３０のフランジ厚みＴＦ１は、比較的に小さくなっている。そのため、照射するレーザの強度を下げたりレーザの照射時間を短くしたりしても、充分に蓋体３０を接合できる。
【0047】
＜その他の実施形態＞
・基体２０の特定面２１、接合層部４０を構成する各部材及び第２凹部２２の開口縁の形状は、四角環状に限られない。例えば、これら各部材は、四角形以外の多角形の環状であっても、円形状の環状であってもよい。つまり、上記各部材は、第１凹部３２を囲う形状であればよい。
・基体２０の特定面２１、接合層部４０を構成する各部材及び第２凹部２２の開口縁の形状は、四角環状に限られない。例えば、これら各部材は、四角形以外の多角形の環状であっても、円形状の環状であってもよい。つまり、上記各部材は、第１凹部３２を囲う形状であればよい。
【0048】
・電子部品パッケージ１０の内部に実装される電子部品５０は、水晶振動子などに限られない。例えば、ＭＥＭＳ素子や電池等でもよい。
・基体２０形状及び大きさは、電子部品５０を実装可能であれば、本実施形態の例に限られない。この点、蓋体３０についても同様である。
・基体２０形状及び大きさは、電子部品５０を実装可能であれば、本実施形態の例に限られない。この点、蓋体３０についても同様である。
【0049】
・図７に示すように、基体２０は、第２凹部２２を有していなくてもよい。すなわち、基体２０は、平板状であってもよい。この例の場合、電子部品５０は、特定面２１上に設置される。また、特定面２１に対する接合層部４０の位置や形状は問わない。
【0050】
・基体２０の材料は、アルミナセラミックスに限らない。基体２０の材料は、非磁性材料であり、且つ電子部品パッケージ１０の空間内部に実装された電子部品５０の動作を妨げない材料であることが好ましい。例えば、窒化アルミである。
【0051】
・接合層部４０は、少なくともメタライズ層４１及びめっき層４４を備えていればよい。すなわち、蓋体３０の第１凹部３２を基体２０で密閉できれば、接合層部４０は、ろう材層４２及びシールリング４３の一方又は両方を備えていなくてよい。また、接合層部４０は、メタライズ層４１、ろう材層４２、シールリング４３及びめっき層４４以外の層や部材を有していてもよい。
【0052】
・接合層部４０がろう材層４２及びシールリング４３の一方又は両方を有しない場合、接合層部４０の、特定面２１からフランジ３３との接合面３４までの厚さは、蓋体３０の板厚の１／３以上であることが望ましい。これにより、接合層部４０において熱が吸収され、基体２０への過剰な熱の伝達を抑制できる。
【0053】
・メタライズ層４１、ろう材層４２、シールリング４３、めっき層４４の材質は、本実施形態に挙げたものに限られない。特に、めっき層４４は、金、銀、銅から選ばれる１以上の金属を含まなくてもよい。また、シールリング４３の材質は、セラミックと線膨張率が近い金属であることが好ましい。それにより、接合不良が起きにくくなる。
【0054】
・メタライズ層４１には、ガラスが含まれていなくてもよい。
・ろう材層４２の幅ＷＢの寸法、メタライズ層４１の幅ＷＭの寸法、シールリング幅ＷＳの寸法及びめっき層４４の幅ＷＰの寸法は、互いに異なっていてもよい。
・ろう材層４２の幅ＷＢの寸法、メタライズ層４１の幅ＷＭの寸法、シールリング幅ＷＳの寸法及びめっき層４４の幅ＷＰの寸法は、互いに異なっていてもよい。
【0055】
・シールリング４３とフランジ３３の材質は同一でなくてもよい。
・シールリング４３と蓋体３０の材質はコバールに限られない。例えば、鉄とニッケルの合金である。
・シールリング４３と蓋体３０の材質はコバールに限られない。例えば、鉄とニッケルの合金である。
【0056】
・特定波長範囲において、めっき層４４の吸光度は、シールリング４３の吸光度以上であってもよい。
・めっき層４４の幅ＷＭの寸法は、メタライズ層４１の幅の寸法以上であってもよい。また、めっき層４４は、シールリング４３、ろう材及びメタライズ層４１から選ばれる１以上の側面を覆っていてもよい。
・めっき層４４の幅ＷＭの寸法は、メタライズ層４１の幅の寸法以上であってもよい。また、めっき層４４は、シールリング４３、ろう材及びメタライズ層４１から選ばれる１以上の側面を覆っていてもよい。
【0057】
・蓋体３０及びフランジ３３の材質は、本実施形態の例に限られない。また、蓋体本体３１とフランジ３３の材質は異なっていてもよい。すなわち、箱状の蓋体本体３１の開口縁に、蓋体本体３１とは別の材質からなる部材を接合してフランジ３３を形成してもよい。
【0058】
・フランジ幅ＷＦは、エッジ幅ＷＥ以上でもよい。
・フランジ幅ＷＦは、シールリング幅ＷＳ以上でもよい。
・フランジ３３の最大寸法ＴＦ２は、シールリング４３の特定面２１に垂直な方向での最大寸法ＴＳ２以上でもよい。
・フランジ幅ＷＦは、シールリング幅ＷＳ以上でもよい。
・フランジ３３の最大寸法ＴＦ２は、シールリング４３の特定面２１に垂直な方向での最大寸法ＴＳ２以上でもよい。
【0059】
・蓋体３０の接合部３５は、フィレット形状でなくてもよい。
・特定波長範囲において、めっき層４４の吸光度は、フランジ３３の吸光度以上でもよい。
・特定波長範囲において、めっき層４４の吸光度は、フランジ３３の吸光度以上でもよい。
【0060】
・電子部品パッケージ１０の製造方法は、蓋体準備工程Ｓ１０１と、メタライズ工程Ｓ１０２と、めっき工程Ｓ１０５と、接合工程Ｓ１０７と、を少なくとも備えていればよい。すなわち、ろう付け工程Ｓ１０３及びシールリング接合工程Ｓ１０４の両方又は一方は省略してもよい。また、本実施形態に挙げていない工程があってもよい。例えば、メタライズ層４１、ろう材層４２、シールリング４３及びめっき層４４以外の層や部材を接合する工程があってもよい。
【0061】
・電子部品パッケージ１０の製造方法において、蓋体準備工程Ｓ１０１は、接合工程Ｓ１０７の前であればいつ行ってもよい。
・蓋体準備工程Ｓ１０１において、蓋体本体３１及びフランジ３３の成形方法は、プレス加工に限られない。
・蓋体準備工程Ｓ１０１において、蓋体本体３１及びフランジ３３の成形方法は、プレス加工に限られない。
【0062】
・蓋体準備工程Ｓ１０１において、第１凹部３２の底面と、蓋体本体３１の側面とがなす角度は４５度未満でもよいし、９０度より大きくてもよい。蓋体３０の底面と側面がなす角度を大きくすることで、電子部品パッケージ１０の外形の大きさや、内部空間Ｓの容積を調整することができる。
【0063】
・メタライズ工程Ｓ１０２において、メタライズペーストの材質は、基体２０の特定面２１に金属膜を成膜できるのであれば本実施形態の例に限られない。
・ろう付け工程Ｓ１０３において、ろう材の材質は、二つの層をろう付けできるのであれば本実施形態の例に限られない。
・ろう付け工程Ｓ１０３において、ろう材の材質は、二つの層をろう付けできるのであれば本実施形態の例に限られない。
【0064】
・めっき工程Ｓ１０５において、めっき層４４を除く接合層部４０とフランジ３３とを接合できれば、めっき溶液の成分は本実施形態の例に限られない。
・接合工程Ｓ１０７において、フランジ３３と接合層部４０を接合できれば、使用するレーザの波長帯は特定波長範囲外でもよい。すなわち、レーザの波長範囲は、０．９μｍ未満でもよいし、１．１μｍより大きくてもよい。
・接合工程Ｓ１０７において、フランジ３３と接合層部４０を接合できれば、使用するレーザの波長帯は特定波長範囲外でもよい。すなわち、レーザの波長範囲は、０．９μｍ未満でもよいし、１．１μｍより大きくてもよい。
【0065】
・接合工程の前において、フランジ厚みＴＦ１は、シールリング厚みＴＳ１より大きくてもよい。
＜付記＞
上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
＜付記＞
上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
【0066】
（１）
セラミック製の基体と、当該基体の外面のうち特定の平面を特定面としたときに当該特定面上に成膜される金属膜であるメタライズ層と、金属製の蓋体と、前記メタライズ層及び前記蓋体の間に位置するめっき層と、前記基体に実装されている電子部品と、を備え、
前記蓋体は、凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に沿う環状のフランジと、を有し、
前記フランジは、前記凹部の外側に向かって前記特定面に水平な方向に張り出し、且つ前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合しており、
前記メタライズ層は、前記フランジに向かい合うように環状になっており、
前記基体は、前記凹部の開口を閉塞しており、
前記電子部品は、前記基体と前記蓋体とで区画される空間内に位置している電子部品パッケージ。
セラミック製の基体と、当該基体の外面のうち特定の平面を特定面としたときに当該特定面上に成膜される金属膜であるメタライズ層と、金属製の蓋体と、前記メタライズ層及び前記蓋体の間に位置するめっき層と、前記基体に実装されている電子部品と、を備え、
前記蓋体は、凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に沿う環状のフランジと、を有し、
前記フランジは、前記凹部の外側に向かって前記特定面に水平な方向に張り出し、且つ前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合しており、
前記メタライズ層は、前記フランジに向かい合うように環状になっており、
前記基体は、前記凹部の開口を閉塞しており、
前記電子部品は、前記基体と前記蓋体とで区画される空間内に位置している電子部品パッケージ。
【0067】
（２）
前記メタライズ層及び前記めっき層の間に位置するろう材層と、
前記ろう材層及び前記めっき層の間に位置する金属製のシールリングと、をさらに備え
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記シールリングの吸光度よりも低い（１）に記載の電子部品パッケージ。
前記メタライズ層及び前記めっき層の間に位置するろう材層と、
前記ろう材層及び前記めっき層の間に位置する金属製のシールリングと、をさらに備え
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記シールリングの吸光度よりも低い（１）に記載の電子部品パッケージ。
【0068】
（３）
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記フランジにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法より小さい（２）に記載の電子部品パッケージ。
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記フランジにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での最大の寸法より小さい（２）に記載の電子部品パッケージ。
【0069】
（４）
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に沿う方向での寸法より小さい（２）又は（３）に記載の電子部品パッケージ。
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記シールリングにおける前記特定面に沿う方向での寸法より小さい（２）又は（３）に記載の電子部品パッケージ。
【0070】
（５）
前記めっき層は、金、銀、銅から選ばれる１以上の金属を含む（１）～（４）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
前記めっき層は、金、銀、銅から選ばれる１以上の金属を含む（１）～（４）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
【0071】
（６）
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記フランジの吸光度よりも低い（１）～（５）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記フランジの吸光度よりも低い（１）～（５）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
【0072】
（７）
前記蓋体のうち、前記めっき層に対する接合面を含む一部分を接合部とし、
前記特定面に垂直な面で断面視したとき、
前記接合部は、前記めっき層に近づくほど、前記特定面に沿う方向の寸法が大きくなっている（１）～（６）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
前記蓋体のうち、前記めっき層に対する接合面を含む一部分を接合部とし、
前記特定面に垂直な面で断面視したとき、
前記接合部は、前記めっき層に近づくほど、前記特定面に沿う方向の寸法が大きくなっている（１）～（６）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
【0073】
（８）
前記凹部を第１凹部としたとき、
前記基体は、前記特定面に対して窪んだ第２凹部を有しており、
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記第１凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記特定面における前記第２凹部の開口縁から前記特定面の外縁までの寸法より小さい（１）～（７）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
前記凹部を第１凹部としたとき、
前記基体は、前記特定面に対して窪んだ第２凹部を有しており、
前記特定面に垂直な面で断面視したときに、
前記第１凹部の開口縁から前記フランジの先端までの前記特定面に沿う方向での寸法は、前記特定面における前記第２凹部の開口縁から前記特定面の外縁までの寸法より小さい（１）～（７）のうち何れか１項に記載の電子部品パッケージ。
【0074】
（９）
凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に囲まれる仮想平面を仮定したとき前記凹部の外側に向かって前記仮想平面に水平な方向に張り出しているフランジを有する蓋体を準備する蓋体準備工程と、
電子部品が実装されているセラミック製の基体の外面のうち、特定の平面を特定面としたとき、前記特定面に前記フランジに対応して環状にメタライズ層を成膜するメタライズ工程と、
前記メタライズ層に対して、前記基体とは反対側に、めっき層を積層するめっき工程と、
前記電子部品が前記凹部の内部に位置するように前記めっき層上に前記フランジを配置して、前記フランジにレーザを照射することにより、前記フランジを、前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合する接合工程と、を備える電子部品パッケージの製造方法。
凹部を有する蓋体本体と、前記凹部の開口縁に囲まれる仮想平面を仮定したとき前記凹部の外側に向かって前記仮想平面に水平な方向に張り出しているフランジを有する蓋体を準備する蓋体準備工程と、
電子部品が実装されているセラミック製の基体の外面のうち、特定の平面を特定面としたとき、前記特定面に前記フランジに対応して環状にメタライズ層を成膜するメタライズ工程と、
前記メタライズ層に対して、前記基体とは反対側に、めっき層を積層するめっき工程と、
前記電子部品が前記凹部の内部に位置するように前記めっき層上に前記フランジを配置して、前記フランジにレーザを照射することにより、前記フランジを、前記めっき層を介して前記メタライズ層に接合する接合工程と、を備える電子部品パッケージの製造方法。
【0075】
（１０）
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記フランジの吸光度よりも低くなっており、
前記接合工程では、０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲のレーザを、前記フランジに照射する（９）に記載の電子部品パッケージの製造方法。
０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲において、前記めっき層の吸光度は、前記フランジの吸光度よりも低くなっており、
前記接合工程では、０．９μｍ以上１．１μｍ以下の波長範囲のレーザを、前記フランジに照射する（９）に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【0076】
（１１）
前記メタライズ層及び前記めっき層の間に、金属製のシールリングを接合するシールリング接合工程をさらに備え、
前記特定面に垂直な面で断面視したときの、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での寸法をシールリング厚みとし、
前記仮想平面に対して垂直な面で断面視したときの、前記フランジにおける前記仮想平面に垂直な方向での寸法をフランジ厚みとしたとき、
前記接合工程の前において、前記フランジ厚みは、前記シールリング厚み以下である（９）又は（１０）に記載の電子部品パッケージの製造方法。
前記メタライズ層及び前記めっき層の間に、金属製のシールリングを接合するシールリング接合工程をさらに備え、
前記特定面に垂直な面で断面視したときの、前記シールリングにおける前記特定面に垂直な方向での寸法をシールリング厚みとし、
前記仮想平面に対して垂直な面で断面視したときの、前記フランジにおける前記仮想平面に垂直な方向での寸法をフランジ厚みとしたとき、
前記接合工程の前において、前記フランジ厚みは、前記シールリング厚み以下である（９）又は（１０）に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【符号の説明】
【0077】
１０…電子部品パッケージ
２０…基体
２１…特定面
２２…第２凹部
３０…蓋体
３２…第１凹部
３３…フランジ
３４…接合面
３５…接合部
４１…メタライズ層
４２…ろう材層
４３…シールリング
４４…めっき層
５０…電子部品
Ｐ…仮想平面
Ｓ１０１…蓋体準備工程
Ｓ１０２…メタライズ工程
Ｓ１０３…ろう付け工程
Ｓ１０４…シールリング接合工程
Ｓ１０５…めっき工程
Ｓ１０６…実装工程
Ｓ１０７…接合工程
ＴＦ１…フランジ厚み
ＴＦ２…最大寸法
ＴＳ１…シールリング厚み
ＴＳ２…最大寸法
ＷＥ…エッジ幅
ＷＦ…フランジ幅
ＷＳ…シールリング幅
２０…基体
２１…特定面
２２…第２凹部
３０…蓋体
３２…第１凹部
３３…フランジ
３４…接合面
３５…接合部
４１…メタライズ層
４２…ろう材層
４３…シールリング
４４…めっき層
５０…電子部品
Ｐ…仮想平面
Ｓ１０１…蓋体準備工程
Ｓ１０２…メタライズ工程
Ｓ１０３…ろう付け工程
Ｓ１０４…シールリング接合工程
Ｓ１０５…めっき工程
Ｓ１０６…実装工程
Ｓ１０７…接合工程
ＴＦ１…フランジ厚み
ＴＦ２…最大寸法
ＴＳ１…シールリング厚み
ＴＳ２…最大寸法
ＷＥ…エッジ幅
ＷＦ…フランジ幅
ＷＳ…シールリング幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】