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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024038829
(43)【公開日】2024-03-21
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240313BHJP
H01G 4/228 20060101ALI20240313BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201H
H01G4/228 W
H01G4/30 513
H01G4/30 201F
H01G4/30 201C
H01G4/30 201G
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022143135
(22)【出願日】2022-09-08
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】井口 俊宏
(72)【発明者】
【氏名】小林 央始
(72)【発明者】
【氏名】安藤 ▲徳▼久
(72)【発明者】
【氏名】玉木 賢也
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC02
5E001AC03
5E001AF06
5E001AJ03
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC31
5E082CC07
5E082EE04
5E082EE16
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082GG08
5E082GG10
5E082GG28
5E082JJ07
5E082JJ12
5E082JJ27
5E082PP09
(57)【要約】
【課題】金属端子の機械的強度の低下を抑制すると共に、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を抑制する電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品ＥＤ１は、素体１と、素体１に配置されている外部電極２１，２２と、を有する電子部品本体ＭＤ１と、金属端子Ｔ１，Ｔ２と、接合材２，３と、を備えている。金属端子Ｔ１，Ｔ２は、主面３１，５１を含む金属層３７，５７と、主面３２，５２を含む金属層３８，５８と、側面３３，３４，５３，５４を含む端子本体７、８と、を有している。側面上では、端子本体７，８が露出すると共に、金属層３７，５７と金属層３８，５８とが離間している。金属層３７，５７と金属層３８，５８とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含んでいる。端子本体７，８は、Ｃｕを含んでいる。接合材は、はんだを含んでいる。
【選択図】図１
【解決手段】電子部品ＥＤ１は、素体１と、素体１に配置されている外部電極２１，２２と、を有する電子部品本体ＭＤ１と、金属端子Ｔ１，Ｔ２と、接合材２，３と、を備えている。金属端子Ｔ１，Ｔ２は、主面３１，５１を含む金属層３７，５７と、主面３２，５２を含む金属層３８，５８と、側面３３，３４，５３，５４を含む端子本体７、８と、を有している。側面上では、端子本体７，８が露出すると共に、金属層３７，５７と金属層３８，５８とが離間している。金属層３７，５７と金属層３８，５８とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含んでいる。端子本体７，８は、Ｃｕを含んでいる。接合材は、はんだを含んでいる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
素体と、前記素体に配置されている外部電極と、を有する電子部品本体と、
互いに対向する第一主面及び第二主面と、前記第一主面及び前記第二主面を連結する側面と、を有する金属端子と、
前記外部電極と前記第一主面との間に配置されると共に、前記外部電極と前記金属端子とを電気的かつ物理的に接続する接合材と、を備え、
前記金属端子は、前記第一主面を含む第一金属層と、前記第二主面を含む第二金属層と、前記側面を含む端子本体と、を有し、
前記側面上では、前記端子本体が露出すると共に、前記第一金属層と前記第二金属層とが離間し、
前記第一金属層と前記第二金属層とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含み、
前記端子本体は、Ｃｕを含み、
前記接合材は、はんだを含む、電子部品。
互いに対向する第一主面及び第二主面と、前記第一主面及び前記第二主面を連結する側面と、を有する金属端子と、
前記外部電極と前記第一主面との間に配置されると共に、前記外部電極と前記金属端子とを電気的かつ物理的に接続する接合材と、を備え、
前記金属端子は、前記第一主面を含む第一金属層と、前記第二主面を含む第二金属層と、前記側面を含む端子本体と、を有し、
前記側面上では、前記端子本体が露出すると共に、前記第一金属層と前記第二金属層とが離間し、
前記第一金属層と前記第二金属層とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含み、
前記端子本体は、Ｃｕを含み、
前記接合材は、はんだを含む、電子部品。
【請求項2】
前記側面には、前記端子本体が含むＣｕが露出している、請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記金属端子は、前記外部電極と対向すると共に前記接合材に接続され、かつ、互いに離間する複数の部分を有し、
前記複数の部分のそれぞれは、前記複数の部分の間の空間に臨む面を有し、
前記側面は、前記複数の部分のそれぞれが有する前記面を含む、請求項１又は２に記載の電子部品。
前記複数の部分のそれぞれは、前記複数の部分の間の空間に臨む面を有し、
前記側面は、前記複数の部分のそれぞれが有する前記面を含む、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記端子本体の厚さは、０．０５ｍｍ以上である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項5】
前記Ｎｉめっきの厚さは、１～４μｍである、請求項１に記載の電子部品。
【請求項6】
前記第一金属層は、前記第一主面を構成するＳｎめっき層を含み、
前記第二金属層は、前記第二主面を構成するＳｎめっき層を含む、請求項１に記載の電子部品。
前記第二金属層は、前記第二主面を構成するＳｎめっき層を含む、請求項１に記載の電子部品。
【請求項7】
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に前記外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を更に有し、
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記側面の端縁との最短距離は、０．５～１ｍｍである、請求項１に記載の電子部品。
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記側面の端縁との最短距離は、０．５～１ｍｍである、請求項１に記載の電子部品。
【請求項8】
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に前記外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を更に有し、
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記端子本体の端縁との最短距離は、０．３４～０．８８ｍｍである、請求項１に記載の電子部品。
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記端子本体の端縁との最短距離は、０．３４～０．８８ｍｍである、請求項１に記載の電子部品。
【請求項9】
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に互いに対向する複数の内部導体を更に有し、
前記金属端子は、
前記外部電極に接続されると共に前記複数の内部導体が互いに対向する方向に延在する第一部分と、
前記複数の内部導体が互いに対向する前記方向と交差する方向に延在する第二部分と、を含む、請求項１に記載の電子部品。
前記金属端子は、
前記外部電極に接続されると共に前記複数の内部導体が互いに対向する方向に延在する第一部分と、
前記複数の内部導体が互いに対向する前記方向と交差する方向に延在する第二部分と、を含む、請求項１に記載の電子部品。
【請求項10】
前記金属端子は、
前記外部電極に接続されると共に第一方向に延在する第一部分と、
前記第一方向と交差する第二方向に延在する第二部分と、を含み、
前記側面は、
前記第一部分において前記第一方向に延在する第一面と、
前記第一面に連続すると共に前記第二部分において前記第二方向に延在する第二面と、を含む、請求項１に記載の電子部品。
前記外部電極に接続されると共に第一方向に延在する第一部分と、
前記第一方向と交差する第二方向に延在する第二部分と、を含み、
前記側面は、
前記第一部分において前記第一方向に延在する第一面と、
前記第一面に連続すると共に前記第二部分において前記第二方向に延在する第二面と、を含む、請求項１に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
知られている電子部品は、電子部品本体と、金属端子と、電子部品本体と金属端子とを接続する接合材と、を備える（たとえば、特許文献１参照）。電子部品本体は、素体と、素体に配置されている外部電極と、を有する。接合材は、外部電極と金属端子とを電気的かつ物理的に接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】実開平２－４５６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一つの態様は、金属端子の機械的強度の低下を抑制すると共に、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を抑制する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一つの態様に係る電子部品は、素体と、素体に配置されている外部電極と、を有する電子部品本体と、互いに対向する第一主面及び第二主面と、第一主面及び第二主面を連結する側面と、を有する金属端子と、外部電極と第一主面との間に配置されると共に、外部電極と金属端子とを電気的かつ物理的に接続する接合材と、を備えている。金属端子は、第一主面を含む第一金属層と、第二主面を含む第二金属層と、側面を含む端子本体と、を有している。側面上では、端子本体が露出すると共に、第一金属層と第二金属層とが離間している。第一金属層と第二金属層とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含んでいる。端子本体は、Ｃｕを含んでいる。接合材は、はんだを含んでいる。
【0006】
上記一つの態様では、金属端子は、第一主面を含む第一金属層と、第二主面を含む第二金属層とを有し、第一及び第二金属層のそれぞれがＮｉめっき層を含む。したがって、端子本体がＣｕを含み、かつ、接合材がはんだを含む構成でも、端子本体には、はんだ喰われが生じがたい。この結果、上記一つの態様は、金属端子の機械的強度の低下を抑制する。
【0007】
高周波領域では、電流が導体の表面近くを流れる表皮効果が生じる。Ｎｉは、磁性体であるので、たとえば、Ｎｉからなる導体の表皮深さは、Ｃｕからなる導体の表皮深さより小さい。Ｎｉからなる導体は、Ｃｕからなる導体に比して、高周波領域での表皮効果による伝送損失を増加させる。
上記一つの態様において、高周波領域では、電流が金属端子の表面近くを流れる傾向がある。金属端子の表面は、金属端子の上記側面を含む。金属端子の上記側面では、Ｃｕを含む端子本体が露出する。すなわち、Ｎｉめっき層を含む金属層は、金属端子の上記側面を構成しない。したがって、上記一つの態様は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を抑制する。
上記一つの態様において、高周波領域では、電流が金属端子の表面近くを流れる傾向がある。金属端子の表面は、金属端子の上記側面を含む。金属端子の上記側面では、Ｃｕを含む端子本体が露出する。すなわち、Ｎｉめっき層を含む金属層は、金属端子の上記側面を構成しない。したがって、上記一つの態様は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を抑制する。
【0008】
上記一つの態様では、側面には、端子本体が含むＣｕが露出していてもよい。
側面にＣｕが露出している構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を確実に抑制する。
側面にＣｕが露出している構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を確実に抑制する。
【0009】
上記一つの態様では、金属端子は、外部電極と対向すると共に接合材に接続され、かつ、互いに離間する複数の部分を有していてもよい。複数の部分のそれぞれは、前記複数の部分の間の空間に臨む面を有していてもよい。側面は、複数の部分のそれぞれが有する上記面を含んでいてもよい。
金属端子が複数の部分を有する構成は、金属端子の外表面に占める側面の割合が増大する。したがって、上記一つの態様は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加をより確実に抑制する。
金属端子が複数の部分を有する構成は、金属端子の外表面に占める側面の割合が増大する。したがって、上記一つの態様は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加をより確実に抑制する。
【0010】
上記一つの態様では、端子本体の厚さは、０．０５ｍｍ以上であってもよい。
端子本体が、上記厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
端子本体が、上記厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0011】
上記一つの態様では、Ｎｉめっきの厚さは、１～４μｍであってもよい。
Ｎｉめっきが上記の厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
Ｎｉめっきが上記の厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0012】
上記一つの態様では、第一金属層は、第一主面を構成するＳｎめっき層を含んでいてもよい。第二金属層は、第二主面を構成するＳｎめっき層を含んでいてもよい。
第一及び第二金属層が、Ｓｎめっき層を含んでいる構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
第一及び第二金属層が、Ｓｎめっき層を含んでいる構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0013】
上記一つの態様では、電子部品本体は、素体内に配置されると共に外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を有していてもよい。内部導体は、外部電極に物理的に接続される第一領域と、第一領域に連続し、かつ、第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含んでいてもよい。第一領域の幅方向での、第一領域の端縁と側面の端縁との最短距離は、０．５～１ｍｍであってもよい。
第一領域の幅方向での、第一領域の端縁と側面の端縁とが上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
第一領域の幅方向での、第一領域の端縁と側面の端縁とが上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0014】
上記一つの態様では、電子部品本体は、素体内に配置されると共に外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を有していてもよい。内部導体は、外部電極に物理的に接続される第一領域と、第一領域に連続し、かつ、第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含んでいてもよい。第一領域の幅方向での、第一領域の端縁と端子本体の端縁との最短距離は、０．３４～０．８８ｍｍであってもよい。
第一領域の幅方向での上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
第一領域の幅方向での上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0015】
上記一つの態様では、電子部品本体は、素体内に配置されると共に互いに対向する複数の内部導体を有していてもよい。金属端子は、外部電極に接続されると共に複数の内部導体が互いに対向する方向に延在する第一部分と、複数の内部導体が互いに対向する方向と交差する方向に延在する第二部分と、を含んでいてもよい。
金属端子が第一部分と第二部分とを有する構成では、第二部分が、電子機器に接続される実装領域として機能する。
金属端子が第一部分と第二部分とを有する構成では、第二部分が、電子機器に接続される実装領域として機能する。
【0016】
上記一つの態様では、金属端子は、外部電極に接続されると共に第一方向に延在する第一部分と、第一方向と交差する第二方向に延在する第二部分と、を含んでいてもよい。側面は、第一部分において第一方向に延在する第一面と、第一面に連続すると共に第二部分において第二方向に延在する第二面と、を含んでいてもよい。
側面が第一面と第二面とを含んでいる構成は、金属端子の外表面に占める側面の割合を増大する。この構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更により確実に抑制する。
側面が第一面と第二面とを含んでいる構成は、金属端子の外表面に占める側面の割合を増大する。この構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更により確実に抑制する。
【発明の効果】
【0017】
本発明の一つの態様は、金属端子の機械的強度の低下を抑制すると共に、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を抑制する電子部品を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態及び変形例について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【0020】
図１～図３を参照して、本実施形態に係る電子部品を説明する。図１は、本実施形態に係る電子部品を示す斜視図である。図２及び図３は、本実施形態に係る電子部品の断面構成を示す図である。図２及び図３では、各部を明確に示すため、ハッチングが省略されている。図３では、説明のため、第一方向から見て、複数の内部導体を意図的に互いにずらして図示している。本実施形態では、積層セラミックコンデンサを備えた電子部品ＥＤ１について説明する。
【0021】
電子部品ＥＤ１は、電子部品本体ＭＤ１を備えている。本実施形態では、電子部品本体ＭＤ１は、積層コンデンサによって構成されており、積層コンデンサは、積層セラミックコンデンサを含んでいる。電子部品本体ＭＤ１は、素体１を有している。素体１は、たとえば、第一方向Ｄ１に複数の誘電体層が積層されて構成されている。本実施形態では、素体１は、直方体形状を呈している。素体１の外表面は、互いに対向している一対の端面１ａ，１ｂと、端面１ａ，１ｂを連結している側面１ｃと、を含んでいる。側面１ｃは、端面１ａ，１ｂと隣り合っている。側面１ｃは、互いに対向している一対の側面１ｃ１，１ｃ２と、互いに対向している一対の側面１ｃ３，１ｃ４と、を有している。端面１ａ，１ｂ、側面１ｃ１，１ｃ２、及び側面１ｃ３，１ｃ４は、たとえば、矩形状を呈している。本明細書での「直方体形状」は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、又は、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。本明細書での「矩形状」は、たとえば、各角が面取りされている形状、又は、各角が丸められている形状を含む。
【0022】
端面１ａ，１ｂは、第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２で互いに対向している。端面１ａ，１ｂは、たとえば、第二方向Ｄ２に直交している。側面１ｃ１，１ｃ２は、端面１ａ，１ｂと隣り合うと共に、第一方向Ｄ１で互いに対向している。側面１ｃ１，１ｃ２は、たとえば、第一方向Ｄ１に直交している。側面１ｃ３，１ｃ４は、端面１ａ，１ｂ及び側面１ｃ１，１ｃ２と隣り合うと共に、第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２に交差する第三方向Ｄ３で互いに対向している。側面１ｃ３，１ｃ４は、素体１の第三方向Ｄ３での両端を規定している。側面１ｃ３，１ｃ４は、たとえば、第三方向Ｄ３に直交している。本実施形態では、第一方向Ｄ１、第二方向Ｄ２、及び第三方向Ｄ３は、互いに直交している。
【0023】
端面１ａ，１ｂは、側面１ｃ１と側面１ｃ２とを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。端面１ａ，１ｂは、側面１ｃ３と側面１ｃ４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面１ｃ１，１ｃ２は、端面１ａと端面１ｂとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。側面１ｃ１，１ｃ２は、側面１ｃ３と側面１ｃ４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面１ｃ３，１ｃ４は、端面１ａと端面１ｂとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。側面１ｃ３，１ｃ４は、側面１ｃ１と側面１ｃ２とを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。端面１ａ，１ｂと、側面１ｃ１，１ｃ２と、側面１ｃ３，１ｃ４とは、間接的に隣り合っていてもよい。この場合、端面１ａ，１ｂと、側面１ｃ１，１ｃ２と、側面１ｃ３，１ｃ４との間には、稜線部が位置する。
【0024】
素体１の第一方向Ｄ１での長さは、たとえば、２．０ｍｍである。素体１の第二方向Ｄ２での長さは、たとえば、５．７ｍｍである。素体１の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、５．０ｍｍである。素体１では、たとえば、第二方向Ｄ２が長辺方向である。
【0025】
本実施形態では、素体１は、たとえば、複数の誘電体層を含んでいる。素体１は、第一方向Ｄ１に複数の誘電体層が積層されて構成されている。各誘電体層は、素体１の一部を構成している。各誘電体層は、誘電体材料を含むセラミックの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系、ＣａＺｒＯ３系、又は（Ｃａ，Ｓｒ）ＺｒＯ３系である。実際の素体１では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【0026】
電子部品本体ＭＤ１は、複数の内部導体１１，１２を備えている。本実施形態では、電子部品本体ＭＤ１は、内部導体１１，１２を備えている。複数の内部導体１１，１２は、互いに対向している。複数の内部導体１１，１２は、たとえば、第一方向Ｄ１で互いに対向している。
【0027】
内部導体１１は、領域Ｅ１ａと、領域Ｅ１ａに連続する領域Ｅ１ｂとを有している。本実施形態では、領域Ｅ１ｂは、第一方向Ｄ１で領域Ｅ１ａに連続している。領域Ｅ１ａは、端面１ａに露出している。領域Ｅ１ａは、外部電極２１に物理的に接続される。領域Ｅ１ｂは、端面１ａ，１ｂ及び側面１ｃに露出していない。領域Ｅ１ａと領域Ｅ１ｂとは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、矩形状を呈している。たとえば、領域Ｅ１ａが、第一領域を構成する場合、領域Ｅ１ｂが、第二領域を構成する。
【0028】
領域Ｅ１ａは、第三方向Ｄ３で互いに対向する一対の端縁１１ａ，１１ｂを有している。一対の端縁１１ａ，１１ｂは、第三方向Ｄ３での領域Ｅ１ａの両端を規定している。端縁１１ａは、側面１ｃ３に対向している。端縁１１ｂは、側面１ｃ４に対向している。領域Ｅ１ｂは、第三方向Ｄ３で互いに対向する一対の端縁１１ｃ，１１ｄを有している。一対の端縁１１ｃ，１１ｄは、第三方向Ｄ３での領域Ｅ１ｂの両端を規定している。端縁１１ｃは、側面１ｃ３に対向している。端縁１１ｄは、側面１ｃ４に対向している。
【0029】
領域Ｅ１ｂは、たとえば、領域Ｅ１ａの幅より大きい幅を有している。本実施形態では、領域Ｅ１ａの幅は、第三方向Ｄ３での、端縁１１ａと端縁１１ｂとの距離である。領域Ｅ１ｂの幅は、第三方向Ｄ３での、端縁１１ｃと端縁１１ｄとの距離である。
【0030】
内部導体１２は、領域Ｅ２ａと、領域Ｅ２ａに連続する領域Ｅ２ｂとを有している。本実施形態では、領域Ｅ２ｂは、第一方向Ｄ１で領域Ｅ２ａに連続している。領域Ｅ２ａは、端面１ｂに露出している。領域Ｅ２ａは、外部電極２２に物理的に接続される。領域Ｅ２ｂは、端面１ａ，１ｂ及び側面１ｃに露出していない。領域Ｅ２ａと領域Ｅ２ｂとは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、矩形状を呈している。たとえば、領域Ｅ２ａが、第一領域を構成する場合、領域Ｅ２ｂが、第二領域を構成する。
【0031】
領域Ｅ２ａは、第三方向Ｄ３で互いに対向する一対の端縁１２ａ，１２ｂを有している。一対の端縁１２ａ，１２ｂは、第三方向Ｄ３での領域Ｅ２ａの両端を規定している。端縁１２ａは、側面１ｃ３に対向している。端縁１２ｂは、側面１ｃ４に対向している。領域Ｅ２ｂは、第三方向Ｄ３で互いに対向する一対の端縁１２ｃ，１２ｄを有している。一対の端縁１２ｃ，１２ｄは、第三方向Ｄ３での領域Ｅ２ｂの両端を規定している。端縁１２ｃは、側面１ｃ３に対向している。端縁１２ｄは、側面１ｃ４に対向している。
【0032】
領域Ｅ２ｂは、たとえば、領域Ｅ２ａの幅より大きい幅を有している。本実施形態では、領域Ｅ２ａの幅は、第三方向Ｄ３での、端縁１２ａと端縁１２ｂとの距離である。領域Ｅ２ｂの幅は、第三方向Ｄ３での、端縁１２ｃと端縁１２ｄとの距離である。
【0033】
内部導体１１，１２は、たとえば、導電性材料からなる。内部導体１１，１２の導電性材料は、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、又はＣｕを含んでいる。内部導体１１，１２の導電性材料は、たとえば、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｇ－Ｃｕ合金、Ａｇ－Ａｕ合金、又は、Ａｇ－Ｐｔ合金を含んでいてもよい。内部導体１１，１２は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。内部導体１１と内部導体１２とは、第二方向Ｄ２において、互いに異なる位置（層）に配置されている。内部導体１１と内部導体１２とは、素体１内において、第二方向Ｄ２に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部導体１１と内部導体１２とは、たとえば、互いに極性が異なる。内部導体１１，１２の厚さは、たとえば、０．３～３．０μｍである。
【0034】
電子部品本体ＭＤ１は、外部電極２１，２２を備えている。外部電極２１，２２は、素体１に配置されている。外部電極２１，２２は、素体１を挟んで、第二方向Ｄ２で互いに対向している。
【0035】
外部電極２１は、端面１ａに配置されている。外部電極２１は、端面１ａを覆うように配置されている。外部電極２１は、側面１ｃの一部の面上にも配置されている。外部電極２１は、端面１ａと、側面１ｃとによって形成される角部と、角部を互いに結ぶ稜線部とを覆っている。外部電極２１は、端面１ａにおいて、端面１ａに露出した内部導体１１の領域Ｅ１ａに物理的に接続されている。
【0036】
外部電極２２は、端面１ｂに配置されている。外部電極２２は、端面１ｂを覆うように配置されている。外部電極２２は、側面１ｃの一部の面上にも配置されている。外部電極２２は、端面１ｂと、側面１ｃとによって形成される角部と、角部を互いに結ぶ稜線部とを覆っている。外部電極２２は、端面１ｂにおいて、端面１ｂに露出した内部導体１２の領域Ｅ２ａに物理的に接続されている。
【0037】
外部電極２１，２２は、たとえば、焼付導体層を有している。焼付導体層は、たとえば、素体１の外表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることによって形成される。導電性ペーストは、導電性金属粉末及びガラスフリットを含んでいてもよい。導電性ペーストでは、たとえば、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤が混合されている。導電性ペーストが還元雰囲気で焼き付けられる場合、導電性ペーストに含まれる金属粉末は、酸化していてもよい。外部電極２１，２２は、焼付導体層上に形成されるめっき層を有していてもよい。めっき層は、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層を含んでいてもよい。本実施形態では、Ｎｉめっき層が焼付導体層上に形成されており、Ｓｎめっき層がＮｉめっき層上に形成されている。
【0038】
電子部品ＥＤ１は、金属端子Ｔ１を備えている。金属端子Ｔ１は、主面３１及び主面３２と、側面３３，３４と、を有している。主面３１は、主面３２よりも電子部品本体ＭＤ１に近い。側面３３，３４は、主面３１及び主面３２を連結している。側面３３，３４は、第三方向Ｄ３で互いに対向している。側面３３と側面３４との距離は、金属端子Ｔ１の第三方向Ｄ３での長さを規定している。側面３３と側面３４とは、金属端子Ｔ１の第三方向Ｄ３での両端を規定している。たとえば、主面３１が、第一主面を構成する場合、主面３２は、第二主面を構成する。
【0039】
金属端子Ｔ１は、部分Ｐ１ａと部分Ｐ１ｂとを含んでいる。部分Ｐ１ａは、外部電極２１に接続されると共に第一方向Ｄ１に延在している。部分Ｐ１ｂは、第二方向Ｄ２に延在している。金属端子Ｔ１は、部分Ｐ１ａと部分Ｐ１ｂとを連結する部分Ｐ１ｃを含んでいる。部分Ｐ１ｃは、第一方向Ｄ１に延在している。部分Ｐ１ｃは、部分Ｐ１ａと同一平面上で一体化されている。一体化された部分Ｐ１ａと部分Ｐ１ｃとは、第二方向Ｄ２から見て、矩形状を呈している。部分Ｐ１ａと部分Ｐ１ｃとは、第一方向Ｄ１に見て、部分Ｐ１ｃの長さ分、離れている。部分Ｐ１ａ及び部分Ｐ１ｃと、部分Ｐ１ｂとは、たとえば、一体的に形成されている。本実施形態では、部分Ｐ１ｃと部分Ｐ１ｂとの境界で、金属端子Ｔ１の延在方向が交差している。部分Ｐ１ｃと部分Ｐ１ｂとは、たとえば、互いに直交している。たとえば、部分Ｐ１ａが、第一部分を構成する場合、部分Ｐ１ｂは、第二部分を構成する。
【0040】
金属端子Ｔ１は、上面３５と下面３６とを有している。上面３５は、部分Ｐ１ａの第一方向Ｄ１での端縁に位置している。上面３５は、側面３３と側面３４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。下面３６は、部分Ｐ１ｂの第二方向Ｄ２での端縁に位置している。下面３６は、側面３３と側面３４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。
【0041】
電子部品ＥＤ１は、接合材２，４を備えており、部分Ｐ１ａは、外部電極２１と対向していると共に、接合材２によって外部電極２１と接続されている。部分Ｐ１ａは、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３に延在している。部分Ｐ１ｂは、接合材４によって、電子機器Ｍ１に接続されている。部分Ｐ１ｂは、電子機器Ｍ１に接続される実装領域として機能する。
【0042】
部分Ｐ１ａには、接合材２が配置されている。第二方向Ｄ２から見て、接合材２の最外周縁は、部分Ｐ１ａの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第二方向Ｄ２から見て、接合材２の最外周縁は、側面３３，３４及び上面３５の内側に位置し、側面３３，３４及び上面３５から離間している。部分Ｐ１ｂには、接合材４が配置されている。第一方向Ｄ１から見て、接合材４の最外周縁は、部分Ｐ１ｂの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第一方向Ｄ１から見て、接合材４の最外周縁は、側面３３，３４及び下面３６の内側に位置し、側面３３，３４及び下面３６から離間している。
【0043】
金属端子Ｔ１は、端子本体７を有する。端子本体７は、互いに対向している対向面４１及び対向面４２と、側面３３，３４とを含んでいる。対向面４１は、対向面４２よりも電子部品本体ＭＤ１に近い。対向面４１及び対向面４２と、側面３３，３４とは、部分Ｐ１ａから部分Ｐ１ｂまで延在している。側面３３，３４は、対向面４１と対向面４２とを連結している。端子本体７の側面３３は、金属端子Ｔ１の側面３３に一致する。端子本体７の側面３４は、金属端子Ｔ１の側面３４に一致する。
【0044】
端子本体７の側面３３，３４上では、端子本体７が露出している。側面３３は、面３３ａと面３３ｂとを含んでいる。側面３４は、面３４ａと面３４ｂとを含んでいる。面３３ａは、部分Ｐ１ａにおいて第一方向Ｄ１に延在している。面３３ｂは、面３３ａに連続すると共に、部分Ｐ１ｂにおいて第二方向Ｄ２に延在している。面３４ａは、部分Ｐ１ａにおいて第一方向Ｄ１に延在している。面３４ｂは、面３４ａに連続すると共に、部分Ｐ１ｂにおいて第二方向Ｄ２に延在している。
【0045】
端子本体７は、金属材料からなる。端子本体７の金属材料は、Ｃｕを含んでいる。端子本体７の厚さは、たとえば、０．０５ｍｍ以上である。たとえば、面３３ａが、第一面を構成する場合、面３３ｂは、第二面を構成する。
【0046】
金属端子Ｔ１は、金属層３７と金属層３８とを有している。金属層３７と金属層３８とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含んでいる。金属層３７は、主面３１を含む。金属層３７は、対向面４１上に配置されている。金属層３７は、部分Ｐ１ａから部分Ｐ１ｂまで延在している。金属層３８は、主面３２を含む。金属層３８は、対向面４２上に配置されている。金属層３８は、部分Ｐ１ａから部分Ｐ１ｂまで延在している。本実施形態では、側面３３，３４上には、金属層３７と金属層３８とが配置されていない。側面３３，３４には、Ｃｕが露出している。側面３３，３４に露出するＣｕは、端子本体７に含まれる。部分Ｐ１ａ上に位置している金属層３７は、接合材２に接続されている。部分Ｐ１ｂ上に位置している金属層３８は、接合材４に接続されている。たとえば、金属層３７が、第一金属層を構成する場合、金属層３８は、第二金属層を構成する。
【0047】
端子本体７は、上面３５と下面３６とを含んでいる。本実施形態では、端子本体７の上面３５は、金属端子Ｔ１の上面３５に一致する。端子本体７の下面３６は、金属端子Ｔ１の下面３６に一致する。本実施形態では、上面３５及び下面３６に、たとえば、Ｃｕが露出している。上面３５及び下面３６に露出するＣｕは、端子本体７に含まれる。上面３５上及び下面３６上には、金属層が形成されていてもよい。この場合、上面３５上及び下面３６上それぞれに形成される金属層は、たとえば、Ｎｉめっき層を含んでいる。上面３５上及び下面３６上のいずれか一方にのみ、金属層が形成されていてもよい。
【0048】
金属層３７は、たとえば、主面３１を構成するＳｎめっき層を含んでいる。金属層３８は、たとえば、主面３２を構成するＳｎめっき層を含んでいる。本実施形態では、金属層３７は、Ｓｎを含んでいる最外層３７ａを有している。金属層３８は、Ｓｎを含んでいる最外層３８ａを有している。金属層３７及び金属層３８は、それぞれ、複数の層からなっていてもよい。この場合、金属層３７及び金属層３８を構成する複数の層のうち、最外に位置する層が、Ｓｎを含んでいる。金属層３７及び金属層３８では、Ｓｎを含んでいる層の下に、別の層が位置していてもよい。金属層３７及び金属層３８と端子本体７との間に、金属層３７及び金属層３８とは別に導電性を有する層が配置されていてもよい。本実施形態では、めっき層の形成方法としては、めっき法が用いられる。めっき法は、たとえば、スパッタリング法、蒸着法、又は電解めっき法を含む。
【0049】
電子部品ＥＤ１は、金属端子Ｔ２を備えている。金属端子Ｔ２は、主面５１及び主面５２と、側面５３，５４と、を有している。主面５１は、主面５２よりも電子部品本体ＭＤ１に近い。側面５３，５４は、主面５１及び主面５２を連結している。側面５３，５４は、第三方向Ｄ３で互いに対向している。側面５３と側面５４との距離は、金属端子Ｔ２の第三方向Ｄ３での長さを規定している。側面５３と側面５４とは、金属端子Ｔ２の第三方向Ｄ３での両端を規定している。たとえば、主面５１が、第一主面を構成する場合、主面５２は、第二主面を構成する。
【0050】
金属端子Ｔ２は、部分Ｐ２ａと部分Ｐ２ｂとを含んでいる。部分Ｐ１ａは、外部電極２１に接続されると共に第一方向Ｄ１に延在している。部分Ｐ１ｂは、第二方向Ｄ２に延在している。金属端子Ｔ２は、部分Ｐ２ａと部分Ｐ２ｂとを連結する部分Ｐ２ｃを含んでいる。部分Ｐ２ｃは、第一方向Ｄ１に延在している。部分Ｐ２ｃは、部分Ｐ２ａと同一平面上で一体化されている。一体化された部分Ｐ２ａと部分Ｐ２ｃとは、第二方向Ｄ２から見て、矩形状を呈している。部分Ｐ２ａと部分Ｐ２ｃとは、第一方向Ｄ１に見て、部分Ｐ２ｃの長さ分、離れている。部分Ｐ２ａ及び部分Ｐ２ｃと、部分Ｐ２ｂとは、たとえば、一体的に形成されている。本実施形態では、部分Ｐ２ｃと部分Ｐ２ｂとの境界で、金属端子Ｔ２の延在方向が交差している。部分Ｐ２ｃと部分Ｐ２ｂとは、たとえば、互いに直交している。たとえば、部分Ｐ２ａが、第一部分を構成する場合、部分Ｐ２ｂは、第二部分を構成する。
【0051】
金属端子Ｔ２は、上面５５と下面５６とを含んでいる。上面５５は、部分Ｐ２ａの第一方向Ｄ１での端縁に位置している。上面５５は、側面５３と側面５４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。下面５６は、部分Ｐ２ｂの第二方向Ｄ２での端縁に位置している。下面５６は、側面５３と側面５４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。
【0052】
電子部品ＥＤ１は、接合材３，５を備えており、部分Ｐ２ａは、外部電極２１と対向していると共に、接合材３によって外部電極２２と接続されている。部分Ｐ２ａは、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３に延在している。部分Ｐ２ｂは、接合材５によって、電子機器Ｍ１に接続されている。部分Ｐ２ｂは、電子機器Ｍ１に接続される実装領域として機能する。部分Ｐ２ｂは、部分Ｐ１ｂと略同一平面上に位置している。
【0053】
部分Ｐ２ａには、接合材３が配置されている。第二方向Ｄ２から見て、接合材３の最外周縁は、部分Ｐ２ａの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第二方向Ｄ２から見て、接合材３の最外周縁は、側面５３，５４及び上面５５の内側に位置し、側面５３，５４及び上面５５から離間している。部分Ｐ２ｂには、接合材５が配置されている。第一方向Ｄ１から見て、接合材５の最外周縁は、部分Ｐ２ｂの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第一方向Ｄ１から見て、接合材５の最外周縁は、側面５３，５４及び下面５６の内側に位置し、側面５３，５４及び下面５６から離間している。
【0054】
金属端子Ｔ２は、端子本体８を有する。端子本体７は、互いに対向している対向面６１及び対向面６２と、側面５３，５４とを含んでいる。対向面６１は、対向面６２よりも電子部品本体ＭＤ１に近い。対向面６１及び対向面６２と、側面５３，５４とは、部分Ｐ２ａから部分Ｐ２ｂまで延在している。側面５３，５４は、対向面６１と対向面６２とを連結している。端子本体８の側面５３は、金属端子Ｔ２の側面５３に一致する。端子本体８の側面５４は、金属端子Ｔ２の側面５４に一致する。
【0055】
端子本体８の側面５３，５４上では、端子本体８が露出している。側面５３は、面５３ａと面５３ｂとを含んでいる。側面５４は、面５４ａと面５４ｂとを含んでいる。面５３ａは、部分Ｐ２ａにおいて第一方向Ｄ１に延在している。面５３ｂは、面５３ａに連続すると共に、部分Ｐ２ｂにおいて第二方向Ｄ２に延在している。面５４ａは、部分Ｐ２ａにおいて第一方向Ｄ１に延在している。面５４ｂは、面５４ａに連続すると共に、部分Ｐ２ｂにおいて第二方向Ｄ２に延在している。
【0056】
端子本体８は、金属材料からなる。端子本体８の金属材料は、Ｃｕを含んでいる。端子本体８の厚さは、たとえば、０．０５ｍｍ以上である。たとえば、面５３ａが、第一面を構成する場合、面５３ｂは、第二面を構成する。
【0057】
金属端子Ｔ２は、金属層５７と金属層５８とを有している。金属層５７と金属層５８とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含んでいる。金属層５７は、主面５１を含む。金属層５７は、対向面６１上に配置されている。金属層５７は、部分Ｐ２ａから部分Ｐ２ｂまで延在している。金属層５８は、主面５２を含む。金属層５８は、対向面６２上に配置されている。金属層５８は、部分Ｐ２ａから部分Ｐ２ｂまで延在している。本実施形態では、側面５３，５４上には、金属層５７と金属層５８とが配置されていない。側面５３，５４には、Ｃｕが露出している。側面５３，５４に露出するＣｕは、端子本体８に含まれる。部分Ｐ２ａ上に位置している金属層５７は、接合材３に接続されている。部分Ｐ２ｂ上に位置している金属層５８は、接合材５に接続されている。たとえば、金属層５７が、第一金属層を構成する場合、金属層５８は、第二金属層を構成する。
【0058】
端子本体８は、上面５５と下面５６とを含んでいる。本実施形態では、端子本体８の上面５５は、金属端子Ｔ２の上面５５に一致する。端子本体８の下面５６は、金属端子Ｔ２の下面５６に一致する。本実施形態では、上面５５及び下面５６に、たとえば、Ｃｕが露出している。上面５５及び下面５６に露出するＣｕは、端子本体８に含まれる。上面５５上及び下面５６上には、金属層が形成されていてもよい。この場合、上面５５上及び下面５６上それぞれに形成される金属層は、たとえば、Ｎｉめっき層を含んでいる。上面５５上及び下面５６上のいずれか一方にのみ、金属層が形成されていてもよい。
【0059】
金属層５７は、たとえば、主面５１を構成するＳｎめっき層を含んでいる。金属層５８は、たとえば、主面５２を構成するＳｎめっき層を含んでいる。本実施形態では、金属層５７は、Ｓｎを含んでいる最外層５７ａを有している。金属層５８は、Ｓｎを含んでいる最外層５８ａを有している。金属層５７及び金属層５８は、それぞれ、複数の層からなっていてもよい。この場合、金属層５７及び金属層５８を構成する複数の層のうち、最外に位置する層が、Ｓｎを含んでいる。金属層５７及び金属層５８では、Ｓｎを含んでいる層の下に、別の層が位置していてもよい。金属層５７及び金属層５８と端子本体７との間に、金属層５７及び金属層５８とは別に導電性を有する層が配置されていてもよい。
【0060】
本実施形態では、接合材２，３は、はんだを含む。接合材２は、外部電極２１と主面３１との間に配置されると共に、外部電極２１と金属端子Ｔ１とを電気的かつ物理的に接続する。接合材３は、外部電極２２と主面５１との間に配置されると共に、外部電極２２と金属端子Ｔ２とを電気的かつ物理的に接続する。電子部品ＥＤ１は、電子部品ＥＤ１を電子機器Ｍ１に接続する別の接合材４，５を備えていてもよい。接合材４，５は、たとえば、はんだを含む。本実施形態では、電子機器Ｍ１は、たとえば、回路基板又は別の電子部品である。
【0061】
接合材２，３のはんだの形成は、たとえば、リフローはんだ付けによって行われる。本実施形態では、はんだペーストが、たとえば、ディスペンサーにより、互いに接続される面上の所定の位置に付与される。接合材２，３のはんだは、たとえば、Ｓｎ－Ｓｂ系はんだ又はＰｂ－Ｓｎ系はんだを含んでいる。接合材４，５のはんだの形成は、たとえば、リフローはんだ付けによって行われる。本実施形態では、はんだペーストが、たとえば、印刷法により、互いに接続される面上の所定の位置に付与される。接合材４，５のはんだは、たとえば、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系はんだ又はＳｎ―Ｃｕ系はんだを含んでいる。はんだペーストは、たとえば、フラックスを含んでいる。フラックスには、たとえば、ロジンが使用される。はんだペーストには、溶剤が含まれてもよい。
【0062】
図３を参照して、内部導体１１と金属端子Ｔ１との位置関係を説明する。第一方向Ｄ１から見て、金属端子Ｔ１の第三方向Ｄ３での両端は、側面３３，３４の端縁３３ｃ，３４ｃによって規定される。端縁３３ｃは、側面３３のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ１の最も外側に位置する。端縁３４ｃは、側面３４のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ１の最も外側に位置する。
【0063】
本実施形態では、端縁１１ａが、端縁１１ｂよりも端縁３３ｃの近くに位置しており、端縁１１ａと端縁３３ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１１ａ，１１ｂと端縁３３ｃとの最短距離Ｌ１ａを成している。端縁１１ｂは、端縁１１ａよりも端縁３４ｃの近くに位置しており、端縁１１ｂと端縁３４ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１１ａ，１１ｂと端縁３４ｃとの最短距離Ｌ１ｂを成している。最短距離Ｌ１ａと最短距離Ｌ１ｂとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂは、たとえば、０．５～１ｍｍである。
最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂを求めるためには、たとえば、領域Ｅ１ａ，Ｅ１ｂを含む位置での、電子部品ＥＤ１の断面写真を取得する。断面写真は、電子部品ＥＤ１を側面１ｃ１，１ｃ２に直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、端縁１１ａ，１１ｂと、端縁３３ｃ，３４ｃとの境界を判別し、最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂを算出する。
最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂを求めるためには、たとえば、領域Ｅ１ａ，Ｅ１ｂを含む位置での、電子部品ＥＤ１の断面写真を取得する。断面写真は、電子部品ＥＤ１を側面１ｃ１，１ｃ２に直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、端縁１１ａ，１１ｂと、端縁３３ｃ，３４ｃとの境界を判別し、最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂを算出する。
【0064】
続いて、内部導体１２と金属端子Ｔ２との位置関係を説明する。第一方向Ｄ１から見て、金属端子Ｔ１の第三方向Ｄ３での両端は、側面５３，５４の端縁５３ｃ，５４ｃによって規定される。端縁５３ｃは、側面５３のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ２の最も外側に位置する。端縁５４ｃは、側面５４のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ２の最も外側に位置する。
【0065】
本実施形態では、端縁１２ａが、端縁１２ｂよりも端縁５３ｃの近くに位置しており、端縁１２ａと端縁５３ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１２ａ，１２ｂと端縁５３ｃとの最短距離Ｌ１ｃを成している。端縁１２ｂは、端縁１２ａよりも端縁５４ｃの近くに位置しており、端縁１２ｂと端縁５４ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１２ａ，１２ｂと端縁５４ｃとの最短距離Ｌ１ｄを成している。最短距離Ｌ１ｃと最短距離Ｌ１ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄは、たとえば、０．５～１ｍｍである。
最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄを求めるためには、たとえば、領域Ｅ２ａ，Ｅ２ｂを含む位置での、電子部品ＥＤ１の断面写真を取得する。断面写真は、電子部品ＥＤ１を側面１ｃ１，１ｃ２に直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、端縁１２ａ，１２ｂと、端縁５３ｃ，５４ｃとの境界を判別し、最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄを算出する。
本実施形態では、最短距離Ｌ１ａと最短距離Ｌ１ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ａと最短距離Ｌ１ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ｂと最短距離Ｌ１ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ｂと最短距離Ｌ１ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。
最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄを求めるためには、たとえば、領域Ｅ２ａ，Ｅ２ｂを含む位置での、電子部品ＥＤ１の断面写真を取得する。断面写真は、電子部品ＥＤ１を側面１ｃ１，１ｃ２に直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、端縁１２ａ，１２ｂと、端縁５３ｃ，５４ｃとの境界を判別し、最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄを算出する。
本実施形態では、最短距離Ｌ１ａと最短距離Ｌ１ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ａと最短距離Ｌ１ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ｂと最短距離Ｌ１ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ｂと最短距離Ｌ１ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【0066】
図４を参照して、本実施形態の第一の変形例に係る電子部品ＥＤ１の構成を説明する。図４は、本実施形態の第一の変形例に係る電子部品ＥＤ１の斜視図である。本変形例では、二つの電子部品本体ＭＤ１が、第一方向Ｄ１に並んでいる。本変形例に係る金属端子Ｔ１，Ｔ２では、二つの電子部品本体ＭＤ１を接続するために、部分Ｐ１ａの第一方向Ｄ１での長さが、実施形態に係る部分Ｐ１ａの第一方向Ｄ１での長さに比べて大きい。金属端子Ｔ１は、二つの接合材２によって、二つの電子部品本体ＭＤ１に接続されている。金属端子Ｔ２は、二つの接合材３によって、二つの電子部品本体ＭＤ１に接続されている。
【0067】
本変形例に係る金属端子Ｔ１，Ｔ２は、部分Ｐ１ａの第一方向Ｄ１での長さが異なることを除いて、それぞれ、実施形態に係る金属端子Ｔ１，Ｔ２と同一の構成を有している。本変形例に係る金属端子Ｔ１と金属端子Ｔ２とは、たとえば、互いに同一の構成を有している。本変形例に係る金属端子Ｔ１，Ｔ２の材料は、たとえば、実施形態に係る金属端子Ｔ１，Ｔ２の材料と同じである。
【0068】
金属端子Ｔ１は、主面３１及び主面３２と、側面３３，３４と、を有している。側面３３，３４は、部分Ｐ１ａから部分Ｐ１ｂまで延在している。側面３３，３４と、上面３５及び下面３６とには、たとえば、Ｃｕが露出している。上面３５上及び下面３６上には、金属層が形成されていてもよい。金属端子Ｔ２は、主面５１及び主面５２と、側面５３，５４と、を有している。側面５３，５４は、部分Ｐ２ａから部分Ｐ２ｂまで延在している。側面５３，５４と、上面５５及び下面５６とには、たとえば、Ｃｕが露出している。上面５５上及び下面５６上には、金属層が形成されていてもよい。
【0069】
図５及び図６を参照して、本実施形態の第二の変形例に係る電子部品ＥＤ１の構成を説明する。図５は、本実施形態の第二の変形例に係る電子部品の斜視図である。図６は、本実施形態の第二の変形例に係る電子部品の断面構成を示す図である。図６では、各部を明確に示すため、ハッチングが省略されている。図６では、説明のため、第一方向から見て、複数の内部導体を意図的に互いにずらして図示している。
【0070】
本変形例では、金属端子Ｔ１の形状が、実施形態の金属端子Ｔ１の形状と異なっている。金属端子Ｔ１には、窪み３９が形成されている。本変形例に係る金属端子Ｔ１は、窪み３９が形成されていることを除いて、実施形態に係る金属端子Ｔ１と同一の構成を有している。本変形例に係る金属端子Ｔ１と金属端子Ｔ２とは、たとえば、互いに同一の構成を有している。本変形例に係る金属端子Ｔ１，Ｔ２の材料は、たとえば、実施形態に係る金属端子Ｔ１，Ｔ２の材料と同じである。
【0071】
金属端子Ｔ１は、複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂを有している。部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂは、部分Ｐ１ａに形成されている。各部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂは、窪み３９によって、第三方向Ｄ３で互いに離間している。部分Ｐ３ａ、窪み３９、及び部分Ｐ３ｂが、この順に第三方向Ｄ３で並んでいる。部分Ｐ３ａ及び部分Ｐ３ｂは、窪み３９を挟んで、第三方向Ｄ３で互いに対向している。
【0072】
金属端子Ｔ１は、主面３１及び主面３２と、側面３３，３４と、を有している。側面３３，３４は、主面３１及び主面３２を連結している。側面３３，３４は、第三方向Ｄ３で互いに対向している。金属端子Ｔ１は、一対の上面３５ｐ，３５ｑと、下面３６と、を有している。本変形例では、金属端子Ｔ１は、窪み３９を画定する側面３３ｐ及び側面３４ｐと、面３５ｒとを有している。側面３３，３４は、複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂのそれぞれが有する面３３ｐ，３４ｐ，３５ｒを含んでいる。面３３ｐ，３４ｐ，３５ｒは、窪み３９を画定する。面３５ｒは、複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂの間の空間に臨んでいる。
【0073】
一対の上面３５ｐ，３５ｑは、部分Ｐ１ａの第一方向Ｄ１での端縁に位置している。上面３５ｐは、側面３３と側面３３ｐとを互いに連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。上面３５ｑは、側面３４と側面３４ｐとを互いに連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面３３ｐ及び側面３４ｐは、第三方向Ｄ３で窪み３９を挟んで互いに対向している。側面３３ｐは、上面３５ｐと底面３５ｒとを互いに連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。側面３４ｐは、上面３５ｑと底面３５ｒとを互いに連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。底面３５ｒは、側面３３ｐと側面３４ｐとを互いに連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。底面３５ｒは、窪み３９の最深部を画成している。下面３６は、部分Ｐ１ｂの第二方向Ｄ２での端縁に位置している。下面３６は、側面３３と側面３４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面３３、上面３５ｐ及び側面３３ｐは、部分Ｐ３ａの外周を規定している。側面３４、上面３５ｑ及び側面３４ｐは、部分Ｐ３ｂの外周を規定している。
【0074】
本変形例に係る電子部品ＥＤ１は、接合材２を備えており、接合材２は、二つのはんだを含んでいる。部分Ｐ３ａは、外部電極２１と対向すると共に、接合材２に接続される。部分Ｐ３ａは、一の接合材２によって、外部電極２１に接続されている。部分Ｐ３ａには、接合材２が配置されている。第二方向Ｄ２から見て、接合材２の最外周縁は、部分Ｐ３ａの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第二方向Ｄ２から見て、接合材２の最外周縁は、側面３３、上面３５ｐ及び側面３３ｐの内側に位置し、側面３３、上面３５ｐ及び側面３３ｐから離間している。
【0075】
部分Ｐ３ｂは、外部電極２１と対向すると共に、接合材２に接続される。部分Ｐ３ｂは、別の接合材２によって、外部電極２１の別位置に接続されている。部分Ｐ３ｂには、接合材２が配置されている。第二方向Ｄ２から見て、接合材２の最外周縁は、部分Ｐ３ｂの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第二方向Ｄ２から見て、接合材２の最外周縁は、側面３３、上面３５ｐ及び側面３３ｐの内側に位置し、側面３３、上面３５ｐ及び側面３３ｐから離間している。
本変形例に係る電子部品ＥＤ１は、接合材４を備えており、部分Ｐ１ｂは、接合材４によって、電子機器Ｍ１に接続されている。
本変形例に係る電子部品ＥＤ１は、接合材４を備えており、部分Ｐ１ｂは、接合材４によって、電子機器Ｍ１に接続されている。
【0076】
金属端子Ｔ２は、複数の部分Ｐ４ａ，Ｐ４ｂを有している。部分Ｐ４ａ，Ｐ４ｂは、部分Ｐ１ａに形成されている。各部分Ｐ４ａ，Ｐ４ｂは、窪み５９によって、第三方向Ｄ３で互いに離間している。部分Ｐ４ａ、窪み５９、及び部分Ｐ４ｂが、この順に第三方向Ｄ３で並んでいる。部分Ｐ４ａ及び部分Ｐ４ｂは、窪み５９を挟んで、第三方向Ｄ３で互いに対向している。
【0077】
金属端子Ｔ２は、主面５１及び主面５２と、側面５３，５４と、を有している。側面５３，５４は、主面５１及び主面５２を連結している。側面５３，５４は、第三方向Ｄ３で互いに対向している。金属端子Ｔ１は、一対の上面５５ｐ，５５ｑと、下面５６と、を有している。本変形例では、金属端子Ｔ２は、窪み５９を画定する側面５３ｐ及び側面５４ｐと、面５５ｒとを有している。側面５３，５４は、複数の部分Ｐ４ａ，Ｐ４ｂのそれぞれが有する面５３ｐ，５４ｐ，５５ｒを含んでいる。面５３ｐ，５４ｐ，５５ｒは、窪み５９を画定する。面５５ｒは、複数の部分Ｐ４ａ，Ｐ４ｂの間の空間に臨んでいる。
【0078】
一対の上面５５ｐ，５５ｑは、部分Ｐ２ａの第一方向Ｄ１での端縁に位置している。上面５５ｐは、側面５３と側面５３ｐとを互いに連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。上面５５ｑは、側面５４と側面５４ｐとを互いに連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面５３ｐ及び側面５４ｐは、第三方向Ｄ３で窪み５９ｄを挟んで互いに対向している。側面５３ｐは、上面５５ｐと底面５５ｒとを互いに連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。側面５４ｐは、上面５５ｑと底面５５ｒとを互いに連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。底面５５ｒは、側面５３ｐと側面５４ｐとを互いに連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。底面５５ｒは、窪み５９ｄの最深部を画成している。下面５６は、部分Ｐ２ｂの第二方向Ｄ２での端縁に位置している。下面５６は、側面５３と側面５４とを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面５３、上面５５ｐ及び側面５３ｐは、部分Ｐ４ａの外周を規定している。側面５４、上面５５ｑ及び側面５４ｐは、部分Ｐ４ａの外周を規定している。
【0079】
本変形例に係る電子部品ＥＤ１は、接合材３を備えており、接合材３は、二つのはんだを含んでいる。部分Ｐ４ａは、外部電極２２と対向すると共に、接合材３に接続される。部分Ｐ４ａは、一の接合材３によって、外部電極２１に接続されている。部分Ｐ４ａには、接合材３が配置されている。第二方向Ｄ２から見て、接合材２の最外周縁は、部分Ｐ４ａの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第二方向Ｄ２から見て、接合材３の最外周縁は、側面５３、上面５５ｐ及び側面５３ｐの内側に位置し、側面５３、上面５５ｐ及び側面５３ｐから離間している。
【0080】
部分Ｐ４ｂは、外部電極２２と対向すると共に、接合材３に接続される。部分Ｐ４ｂは、別の接合材３によって、外部電極２２の別位置に接続されている。部分Ｐ４ｂには、接合材３が配置されている。第二方向Ｄ２から見て、接合材３の最外周縁は、部分Ｐ４ｂの最外縁より内側に位置し、当該最外縁から離間している。したがって、第二方向Ｄ２から見て、接合材３の最外周縁は、側面５３、上面５５ｐ及び側面５３ｐの内側に位置し、側面５３、上面５５ｐ及び側面５３ｐから離間している。
本変形例に係る電子部品ＥＤ１は、接合材５を備えており、部分Ｐ２ｂは、接合材５によって、電子機器Ｍ１に接続されている。
本変形例に係る電子部品ＥＤ１は、接合材５を備えており、部分Ｐ２ｂは、接合材５によって、電子機器Ｍ１に接続されている。
【0081】
図６を参照して、内部導体１１と金属端子Ｔ１との位置関係を説明する。第一方向Ｄ１から見て、金属端子Ｔ１の第三方向Ｄ３での両端は、側面３３，３４の端縁３３ｃ，３４ｃによって規定される。端縁３３ｃは、側面３３のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ１の最も外側に位置する。端縁３４ｃは、側面３４のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ１の最も外側に位置する。本変形例では、端縁３３ｑは、側面３３ｐのうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ１の最も外側に位置する。端縁３４ｑは、側面３４ｐのうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ１の最も外側に位置する。
【0082】
本変形例では、端縁１１ａが、端縁１１ｂよりも端縁３３ｃの近くに位置しており、端縁１１ａと端縁３３ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１１ａ，１１ｂと端縁３３ｃとの最短距離Ｌ１ａを成している。端縁１１ｂは、端縁１１ａよりも端縁３４ｃの近くに位置しており、端縁１１ｂと端縁３４ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１１ａ，１１ｂと端縁３４ｃとの最短距離Ｌ１ｂを成している。端縁１１ａは、端縁１１ｂよりも端縁３３ｑの近くに位置しており、端縁１１ａと端縁３３ｑとは、第三方向Ｄ３での、端縁１１ａ，１１ｂと端縁３３ｑとの最短距離Ｌ３ａを成している。端縁１１ｂは、端縁１１ａよりも端縁３４ｑの近くに位置しており、端縁１１ａと端縁３４ｑとは、第三方向Ｄ３での、端縁１１ａ，１１ｂと端縁３４ｑとの最短距離Ｌ３ｂを成している。
【0083】
最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ３ａ，Ｌ３ｂを求めるためには、たとえば、領域Ｅ１ａ，Ｅ１ｂを含む位置での、電子部品ＥＤ１の断面写真を取得する。断面写真は、電子部品ＥＤ１を側面１ｃ１，１ｃ２に直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、端縁１１ａ，１１ｂと、端縁３３ｃ，３３ｑ，３４ｃ，３４ｑとの境界を判別し、最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ３ａ，Ｌ３ｂを算出する。
最短距離Ｌ１ａと最短距離Ｌ１ｂとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａと最短距離Ｌ３ｂとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。本変形例では、最短距離Ｌ１ａは最短距離Ｌ３ａより大きく、最短距離Ｌ１ｂは最短距離Ｌ３ｂより大きい。最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂは、たとえば、０．５～１ｍｍである。最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂは、たとえば、０．３４～０．８８ｍｍである。
最短距離Ｌ１ａと最短距離Ｌ１ｂとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａと最短距離Ｌ３ｂとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。本変形例では、最短距離Ｌ１ａは最短距離Ｌ３ａより大きく、最短距離Ｌ１ｂは最短距離Ｌ３ｂより大きい。最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂは、たとえば、０．５～１ｍｍである。最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂは、たとえば、０．３４～０．８８ｍｍである。
【0084】
続いて、内部導体１２と金属端子Ｔ２との位置関係を説明する。第一方向Ｄ１から見て、金属端子Ｔ２の第三方向Ｄ３での両端は、側面５３，５４の端縁５３ｃ，５４ｃによって規定される。端縁５３ｃは、側面５３のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ２の最も外側に位置する。端縁５４ｃは、側面５４のうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ２の最も外側に位置する。本変形例では、端縁５３ｑは、側面５３ｐのうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ２の最も外側に位置する。端縁５４ｑは、側面５４ｐのうち、第三方向Ｄ３での、金属端子Ｔ２の最も外側に位置する。
【0085】
本変形例では、端縁１２ａが、端縁１２ｂよりも端縁５３ｃの近くに位置しており、端縁１２ａと端縁５３ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１２ａ，１２ｂと端縁５３ｃとの最短距離Ｌ１ｃを成している。端縁１２ｂは、端縁１２ａよりも端縁５４ｃの近くに位置しており、端縁１２ｂと端縁５４ｃとは、第三方向Ｄ３での、端縁１２ａ，１２ｂと端縁５４ｃとの最短距離Ｌ１ｄを成している。端縁１２ａは、端縁１２ｂよりも端縁５３ｑの近くに位置しており、端縁１２ａと端縁５３ｑとは、第三方向Ｄ３での、端縁１２ａ，１２ｂと端縁５３ｑとの最短距離Ｌ３ｃを成している。端縁１２ｂは、端縁１２ａよりも端縁５４ｑの近くに位置しており、端縁１２ａと端縁５４ｑとは、第三方向Ｄ３での、端縁１２ａ，１２ｂと端縁５４ｑとの最短距離Ｌ３ｄを成している。
【0086】
最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄを求めるためには、たとえば、領域Ｅ２ａ，Ｅ２ｂを含む位置での、電子部品ＥＤ１の断面写真を取得する。断面写真は、電子部品ＥＤ１を側面１ｃ１，１ｃ２に直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、端縁１２ａ，１２ｂと、端縁５３ｃ，５３ｑ，５４ｃ，５４ｑとの境界を判別し、最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄを算出する。
最短距離Ｌ１ｃと最短距離Ｌ１ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ｃと最短距離Ｌ３ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。本変形例では、最短距離Ｌ１ｃは、最短距離Ｌ３ｃより大きく、最短距離Ｌ１ｄは、最短距離Ｌ３ｄより大きい。最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄは、たとえば、０．５～１ｍｍである。最短距離Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄは、たとえば、０．３４～０．８８ｍｍである。
最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａと最短距離Ｌ３ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａと最短距離Ｌ３ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ｂと最短距離Ｌ３ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ｂと最短距離Ｌ３ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。
最短距離Ｌ１ｃと最短距離Ｌ１ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ｃと最短距離Ｌ３ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。本変形例では、最短距離Ｌ１ｃは、最短距離Ｌ３ｃより大きく、最短距離Ｌ１ｄは、最短距離Ｌ３ｄより大きい。最短距離Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄは、たとえば、０．５～１ｍｍである。最短距離Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄは、たとえば、０．３４～０．８８ｍｍである。
最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａと最短距離Ｌ３ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａと最短距離Ｌ３ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ｂと最短距離Ｌ３ｃとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ｂと最短距離Ｌ３ｄとは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄは、互いに同等であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【0087】
次に、端子本体７，８の厚さについて詳細に説明する。
本発明者らは、端子本体７，８の厚さの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、端子本体７，８の厚さが互いに異なる試料Ｓ１～Ｓ４を用意し、各試料Ｓ１～Ｓ４における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を確認した。その結果を図７に示す。図７は、各試料におけるＥＳＲを示す図表である。
本発明者らは、端子本体７，８の厚さの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、端子本体７，８の厚さが互いに異なる試料Ｓ１～Ｓ４を用意し、各試料Ｓ１～Ｓ４における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を確認した。その結果を図７に示す。図７は、各試料におけるＥＳＲを示す図表である。
【0088】
ＥＳＲは、以下のようにして求められる。
以下の手順に従って、各試料Ｓ１～Ｓ４の、自己共振周波数におけるＥＳＲ（Ω）が測定される。測定には、インピーダンスアナライザが用いられる。インピーダンスアナライザには、たとえば、アジレント・テクノロジー社製４２９４Ａが用いられる。試料Ｓ１～Ｓ４が、測定用の基板に実装される。インピーダンスアナライザが、各試料Ｓ１～Ｓ４に電気的に接続され、各試料Ｓ１～Ｓ４のＥＳＲ（Ω）が測定される。各試料Ｓ１～Ｓ４には、周波数領域１０ｋＨｚ以上の高周波信号が印加される。実際の使用を考慮した場合、ＥＳＲは０．０１Ω以下である必要がある。ＥＳＲが０．０１Ω以下である場合、金属端子Ｔ１，Ｔ２の、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加が抑制される。
試料Ｓ１では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きかった。試料Ｓ２～Ｓ４では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であった。
以下の手順に従って、各試料Ｓ１～Ｓ４の、自己共振周波数におけるＥＳＲ（Ω）が測定される。測定には、インピーダンスアナライザが用いられる。インピーダンスアナライザには、たとえば、アジレント・テクノロジー社製４２９４Ａが用いられる。試料Ｓ１～Ｓ４が、測定用の基板に実装される。インピーダンスアナライザが、各試料Ｓ１～Ｓ４に電気的に接続され、各試料Ｓ１～Ｓ４のＥＳＲ（Ω）が測定される。各試料Ｓ１～Ｓ４には、周波数領域１０ｋＨｚ以上の高周波信号が印加される。実際の使用を考慮した場合、ＥＳＲは０．０１Ω以下である必要がある。ＥＳＲが０．０１Ω以下である場合、金属端子Ｔ１，Ｔ２の、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加が抑制される。
試料Ｓ１では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きかった。試料Ｓ２～Ｓ４では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であった。
【0089】
次に、金属層３７，５７と金属層３８，５８に含まれるＮｉめっきの厚さについて詳細に説明する。
本発明者らは、Ｎｉめっきの厚さの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、Ｎｉめっきの厚さが互いに異なる試料Ｓ５～Ｓ９を用意し、各試料Ｓ５～Ｓ９におけるＥＳＲ及び股裂き強度を確認した。
めっき法によってＮｉめっきを形成し、めっきを形成する時間を変えることによって、Ｎｉめっきの厚さを変更した。各試料Ｓ５～Ｓ９において、同一の厚さのＮｉめっきが形成された試料を二つずつ用意し、一の試料に対してＥＳＲを確認し、残りの試料に対して股裂き強度を確認した。
その結果を図８に示す。図８は、各試料におけるＥＳＲ及び股裂き強度を示す図表である。
本発明者らは、Ｎｉめっきの厚さの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、Ｎｉめっきの厚さが互いに異なる試料Ｓ５～Ｓ９を用意し、各試料Ｓ５～Ｓ９におけるＥＳＲ及び股裂き強度を確認した。
めっき法によってＮｉめっきを形成し、めっきを形成する時間を変えることによって、Ｎｉめっきの厚さを変更した。各試料Ｓ５～Ｓ９において、同一の厚さのＮｉめっきが形成された試料を二つずつ用意し、一の試料に対してＥＳＲを確認し、残りの試料に対して股裂き強度を確認した。
その結果を図８に示す。図８は、各試料におけるＥＳＲ及び股裂き強度を示す図表である。
【0090】
ＥＳＲは、試料Ｓ５～Ｓ９について、上記端子本体７，８の厚さに対する試験と同一の試験によって求められる。実際の使用を考慮した場合、上述したように、ＥＳＲは０．０１Ω以下である必要がある。
股裂き強度は、以下のようにして求められる。
以下の手順に従って、各試料Ｓ５～Ｓ９の股裂き強度（Ｎ）が測定される。この測定には、引張試験機が用いられる。金属端子Ｔ１を固定した状態で、金属端子Ｔ２が、金属端子Ｔ１から離間する方向に引っ張られる。試料Ｓ５～Ｓ９毎に、金属端子Ｔ２の破損が生じたときの、引張強度（Ｎ）が測定される。この引張強度（Ｎ）が、股裂き強度（Ｎ）とされる。金属端子Ｔ２の破損は、たとえば、金属端子Ｔ２の、電子部品本体ＭＤ１からの剥離を含む。
実際の使用を考慮した場合、股裂き強度は２０Ｎ以上である必要がある。股裂き強度が２０Ｎ以上である場合、金属端子Ｔ１，Ｔ２は高い機械的強度を示す。
試料Ｓ５では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であり、股裂き強度が２０Ｎ未満であった。試料Ｓ６～Ｓ８では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であり、股裂き強度が２０Ｎ以上であった。試料Ｓ９では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きく、股裂き強度が２０Ｎ以上であった。
股裂き強度は、以下のようにして求められる。
以下の手順に従って、各試料Ｓ５～Ｓ９の股裂き強度（Ｎ）が測定される。この測定には、引張試験機が用いられる。金属端子Ｔ１を固定した状態で、金属端子Ｔ２が、金属端子Ｔ１から離間する方向に引っ張られる。試料Ｓ５～Ｓ９毎に、金属端子Ｔ２の破損が生じたときの、引張強度（Ｎ）が測定される。この引張強度（Ｎ）が、股裂き強度（Ｎ）とされる。金属端子Ｔ２の破損は、たとえば、金属端子Ｔ２の、電子部品本体ＭＤ１からの剥離を含む。
実際の使用を考慮した場合、股裂き強度は２０Ｎ以上である必要がある。股裂き強度が２０Ｎ以上である場合、金属端子Ｔ１，Ｔ２は高い機械的強度を示す。
試料Ｓ５では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であり、股裂き強度が２０Ｎ未満であった。試料Ｓ６～Ｓ８では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であり、股裂き強度が２０Ｎ以上であった。試料Ｓ９では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きく、股裂き強度が２０Ｎ以上であった。
【0091】
次に、最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄについて詳細に説明する。
本発明者らは、最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、最短距離Ｌ１ａが互いに異なる試料Ｓ１０～Ｓ１２を用意し、各試料Ｓ１０～Ｓ１２におけるＥＳＲを確認した。
その結果を図９に示す。図９は、各試料におけるＥＳＲを示す図表である。最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄが互いに異なる試料は、たとえば、部分Ｐ１ａ，Ｐ２ａの第三方向Ｄ３での長さを変えることによって準備される。
本発明者らは、最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、最短距離Ｌ１ａが互いに異なる試料Ｓ１０～Ｓ１２を用意し、各試料Ｓ１０～Ｓ１２におけるＥＳＲを確認した。
その結果を図９に示す。図９は、各試料におけるＥＳＲを示す図表である。最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄが互いに異なる試料は、たとえば、部分Ｐ１ａ，Ｐ２ａの第三方向Ｄ３での長さを変えることによって準備される。
【0092】
ＥＳＲは、試料Ｓ１０～Ｓ１２ごとに、検体が選ばれ、各検体について、上記端子本体７，８の厚さに対する試験と同一の試験によって求められる。実際の使用を考慮した場合、ＥＳＲは０．０１Ω以下である必要がある。
試料Ｓ１０～Ｓ１１では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であった。試料Ｓ１２では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きかった。
試料Ｓ１０～Ｓ１１では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であった。試料Ｓ１２では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きかった。
【0093】
次に、最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄについて詳細に説明する。
本発明者らは、最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、最短距離Ｌ３ａが互いに異なる試料Ｓ１３～Ｓ１５を用意し、各試料Ｓ１３～Ｓ１５におけるＥＳＲを確認した。
その結果を図１０に示す。図１０は、各試料におけるＥＳＲを示す図表である最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄが互いに異なる試料は、たとえば、部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂ及び領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの少なくともいずれか一つの第三方向Ｄ３での長さを変えることによって準備される。
本発明者らは、最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄの範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、最短距離Ｌ３ａが互いに異なる試料Ｓ１３～Ｓ１５を用意し、各試料Ｓ１３～Ｓ１５におけるＥＳＲを確認した。
その結果を図１０に示す。図１０は、各試料におけるＥＳＲを示す図表である最短距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄが互いに異なる試料は、たとえば、部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂ及び領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの少なくともいずれか一つの第三方向Ｄ３での長さを変えることによって準備される。
【0094】
ＥＳＲは、試料Ｓ１３～Ｓ１５ごとに、検体が選ばれ、各検体について、上記端子本体７，８の厚さに対する試験と同一の試験によって求められる。実際の使用を考慮した場合、ＥＳＲは０．０１Ω以下である必要がある。
試料Ｓ１３～Ｓ１４では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であった。試料Ｓ１５では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きかった。
試料Ｓ１３～Ｓ１４では、ＥＳＲが０．０１Ω以下であった。試料Ｓ１５では、ＥＳＲが０．０１Ωより大きかった。
【0095】
以上説明したように、電子部品ＥＤ１は、素体１と、素体１に配置されている外部電極２１，２２と、を有する最短距離Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄが互いに異なる試料と、互いに対向する主面３１，５１及び主面３２，５２と、主面３１，５１及び主面３２，５２を連結する側面３３，３４，５３，５４と、を有する金属端子Ｔ１，Ｔ２と、外部電極２１，２２と主面３１，５１との間に配置されると共に、外部電極２１，２２と金属端子Ｔ１，Ｔ２とを電気的かつ物理的に接続する接合材２，３と、を備えている。金属端子Ｔ１，Ｔ２は、主面３１，５１を含む金属層３７，５７と、主面３２，５２を含む金属層３８，５８と、側面３３，３４，５３，５４を含む端子本体７、８と、を有している。側面上では、端子本体７，８が露出すると共に、金属層３７，５７と金属層３８，５８とが離間している。金属層３７，５７と金属層３８，５８とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含んでいる。端子本体７，８は、Ｃｕを含んでいる。接合材は、はんだを含んでいる。
【0096】
電子部品ＥＤ１では、金属端子Ｔ１，Ｔ２は、主面３１，５１を含む金属層３７，５７と、主面３２，５２を含む金属層３８，５８とを有し、金属層３７，３８，５７，５８のそれぞれがＮｉめっき層を含む。したがって、端子本体７，８がＣｕを含み、かつ、接合材２，３がはんだを含む構成でも、端子本体７，８には、はんだ喰われが生じがたい。この結果、電子部品ＥＤ１は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の機械的強度の低下を抑制する。
高周波領域では、電流が導体の表面近くを流れる表皮効果が生じる。Ｎｉは、磁性体であるので、たとえば、Ｎｉからなる導体の表皮深さは、Ｃｕからなる導体の表皮深さより小さい。Ｎｉからなる導体は、Ｃｕからなる導体に比して、高周波領域での表皮効果による伝送損失を増加させる。
電子部品ＥＤ１において、高周波領域では、電流が金属端子の表面近くを流れる傾向がある。金属端子Ｔ１，Ｔ２の表面は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の側面３３，３４，５３，５４を含む。金属端子Ｔ１，Ｔ２の側面３３，３４，５３，５４では、Ｃｕを含む端子本体７，８が露出する。すなわち、Ｎｉめっき層を含む金属層３７，３８，５７，５８は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の側面３３，３４，５３，５４を構成しない。したがって、電子部品ＥＤ１は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を抑制する。
高周波領域では、電流が導体の表面近くを流れる表皮効果が生じる。Ｎｉは、磁性体であるので、たとえば、Ｎｉからなる導体の表皮深さは、Ｃｕからなる導体の表皮深さより小さい。Ｎｉからなる導体は、Ｃｕからなる導体に比して、高周波領域での表皮効果による伝送損失を増加させる。
電子部品ＥＤ１において、高周波領域では、電流が金属端子の表面近くを流れる傾向がある。金属端子Ｔ１，Ｔ２の表面は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の側面３３，３４，５３，５４を含む。金属端子Ｔ１，Ｔ２の側面３３，３４，５３，５４では、Ｃｕを含む端子本体７，８が露出する。すなわち、Ｎｉめっき層を含む金属層３７，３８，５７，５８は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の側面３３，３４，５３，５４を構成しない。したがって、電子部品ＥＤ１は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を抑制する。
【0097】
電子部品ＥＤ１では、側面３３，３４，５３，５４には、端子本体７，８が含むＣｕが露出している。
側面３３，３４，５３，５４にＣｕが露出している構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を確実に抑制する。
側面３３，３４，５３，５４にＣｕが露出している構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を確実に抑制する。
【0098】
電子部品ＥＤ１では、金属端子Ｔ１，Ｔ２は、外部電極２１，２２と対向すると共に接合材２，３に接続され、かつ、互いに離間する複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂを有している。複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂのそれぞれは、複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂの間の空間に臨む面３５ｒ，５５ｒを有している。側面は、複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂのそれぞれが有する上記面を含んでいる。
金属端子Ｔ１，Ｔ２が複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂを有する構成は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の外表面に占める側面３３，３４，５３，５４の割合が増大する。したがって、電子部品ＥＤ１は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加をより確実に抑制する。
金属端子Ｔ１，Ｔ２が複数の部分Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ，Ｐ４ｂを有する構成は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の外表面に占める側面３３，３４，５３，５４の割合が増大する。したがって、電子部品ＥＤ１は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加をより確実に抑制する。
【0099】
電子部品ＥＤ１では、端子本体７，８の厚さは、０．０５ｍｍ以上である。
端子本体７，８が上記厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
端子本体７，８が上記厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0100】
電子部品ＥＤ１では、Ｎｉめっきの厚さは、１～４μｍである。
Ｎｉめっきが上記の厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
Ｎｉめっきが上記の厚さを有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0101】
電子部品ＥＤ１では、金属層３７，５７は、主面３１，５１を構成するＳｎめっき層を含んでいる。金属層３８，５８は、主面３２，５２を構成するＳｎめっき層を含んでいる。
この構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
この構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0102】
電子部品ＥＤ１では、電子部品本体ＭＤ１は、素体１内に配置されると共に外部電極２１，２２に電気的かつ物理的に接続される内部導体１１，１２を有している。内部導体１１，１２は、外部電極２１，２２に物理的に接続される領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａと、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａに連続し、かつ、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの幅より大きい幅を有する領域Ｅ１ｂ，Ｅ２ｂと、を含んでいる。領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの幅方向での、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの端縁と側面３３，３４，５３，５４の端縁との最短距離は、０．５～１ｍｍである。
領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの幅方向での、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの端縁と側面３３，３４，５３，５４の端縁とが上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの幅方向での、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの端縁と側面３３，３４，５３，５４の端縁とが上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0103】
電子部品ＥＤ１では、電子部品本体ＭＤ１は、素体１内に配置されると共に外部電極２１，２２に電気的かつ物理的に接続される内部導体１１，１２を有している。内部導体１１，１２は、外部電極２１，２２に物理的に接続される領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａと、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａに連続し、かつ、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの幅より大きい幅を有する領域Ｅ１ｂ，Ｅ２ｂと、を含んでいる。領域Ｅ１ａ，Ｅ１ｂの幅方向での、領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの端縁と端子本体７，８の端縁との最短距離は、０．３４～０．８８ｍｍである。
領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの幅方向での上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
領域Ｅ１ａ，Ｅ２ａの幅方向での上記最短距離を有する構成は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更によリ確実に抑制する。
【0104】
電子部品ＥＤ１では、電子部品本体ＭＤ１は、素体１内に配置されると共に互いに対向する複数の内部導体１１，１２を有している。金属端子Ｔ１，Ｔ２は、外部電極２１，２２に接続されると共に複数の内部導体１１，１２が互いに対向する方向に延在する部分Ｐ１ａ，Ｐ２ａと、複数の内部導体１１，１２が互いに対向する方向と交差する方向に延在する部分Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂと、を含んでいる。
電子部品ＥＤ１では、部分Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂが、電子機器Ｍ１に接続される実装領域として機能する。
電子部品ＥＤ１では、部分Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂが、電子機器Ｍ１に接続される実装領域として機能する。
【0105】
電子部品ＥＤ１では、金属端子Ｔ１，Ｔ２は、外部電極２１，２２に接続されると共に第一方向Ｄ１に延在する部分Ｐ１ａ，Ｐ２ａと、第一方向Ｄ１と交差する第二方向Ｄ２に延在する部分Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂと、を含んでいる。側面３３，３４，５３，５４は、部分Ｐ１ａ，Ｐ２ａにおいて第一方向Ｄ１に延在する面３３ａ，３４ａ，５３ａ，５４ａと、面３３ａ，３４ａ，５３ａ，５４ａに連続すると共に部分Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂにおいて第二方向Ｄ２に延在する面３３ｂ，３４ｂ，５３ｂ，５４ｂと、を含んでいる。
電子部品ＥＤ１は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の外表面に占める側面３３，３４，５３，５４の割合を増大する。電子部品ＥＤ１は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更により確実に抑制する。
電子部品ＥＤ１は、金属端子Ｔ１，Ｔ２の外表面に占める側面３３，３４，５３，５４の割合を増大する。電子部品ＥＤ１は、高周波領域での表皮効果による伝送損失の増加を更により確実に抑制する。
【0106】
以上、本発明の実施形態、変形例、及び実施例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態、変形例、及び実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0107】
図５及び図６に示された電子部品ＥＤ１において、最短距離Ｌ１ａは、最短距離Ｌ３ａ以下であってもよい。最短距離Ｌ１ｂは、最短距離Ｌ３ｂ以下であってもよい。
本実施形態、変形例、及び実施例では、電子部品ＥＤ１は、積層セラミックコンデンサであるとして説明したが、本発明を適用可能な電子部品は、積層セラミックコンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、及び積層固体電池を含む。
本実施形態、変形例、及び実施例では、電子部品ＥＤ１は、積層セラミックコンデンサであるとして説明したが、本発明を適用可能な電子部品は、積層セラミックコンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、及び積層固体電池を含む。
【0108】
上述した実施形態の記載から把握されるとおり、本明細書は、以下に示す態様の開示を含んでいる。
（付記１）
素体と、前記素体に配置されている外部電極と、を有する電子部品本体と、
互いに対向する第一主面及び第二主面と、前記第一主面及び前記第二主面を連結する側面と、を有する金属端子と、
前記外部電極と前記第一主面との間に配置されると共に、前記外部電極と前記金属端子とを電気的かつ物理的に接続する接合材と、を備え、
前記金属端子は、前記第一主面を含む第一金属層と、前記第二主面を含む第二金属層と、前記側面を含む端子本体と、を有し、
前記側面上では、前記端子本体が露出すると共に、前記第一金属層と前記第二金属層とが離間し、
前記第一金属層と前記第二金属層とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含み、
前記端子本体は、Ｃｕを含み、
前記接合材は、はんだを含む、電子部品。
（付記２）
前記側面には、前記端子本体が含むＣｕが露出している、付記１に記載の電子部品。
（付記３）
前記側面は、前記金属端子の内側に後退する窪みを有している、付記１又は２に記載の電子部品。
（付記４）
前記端子本体の厚さは、０．０５ｍｍ以上である、付記１～３のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記５）
前記Ｎｉめっきの厚さは、１～４μｍである、付記１～４のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記６）
前記第一金属層は、前記第一主面を構成するＳｎめっき層を含み、
前記第二金属層は、前記第二主面を構成するＳｎめっき層を含む、付記１～５のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記７）
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に前記外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を更に有し、
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記側面の端縁との最短距離は、０．５～１ｍｍである、付記１～６のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記８）
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に前記外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を更に有し、
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記端子本体の端縁との最短距離は、０．３４～０．８８ｍｍである、付記１～６のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記９）
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に互いに対向する複数の内部導体を更に有し、
前記金属端子は、
前記外部電極に接続されると共に前記複数の内部導体が互いに対向する方向に延在する第一部分と、
前記複数の内部導体が互いに対向する前記方向と交差する方向に延在する第二部分と、を含む、付記１～８のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記１０）
前記金属端子は、
前記外部電極に接続されると共に第一方向に延在する第一部分と、
前記第一方向と交差する第二方向に延在する第二部分と、を含み、
前記側面は、
前記第一部分において前記第一方向に延在する第一面と、
前記第一面に連続すると共に前記第二部分において前記第二方向に延在する第二面と、を含む、付記１～９のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記１）
素体と、前記素体に配置されている外部電極と、を有する電子部品本体と、
互いに対向する第一主面及び第二主面と、前記第一主面及び前記第二主面を連結する側面と、を有する金属端子と、
前記外部電極と前記第一主面との間に配置されると共に、前記外部電極と前記金属端子とを電気的かつ物理的に接続する接合材と、を備え、
前記金属端子は、前記第一主面を含む第一金属層と、前記第二主面を含む第二金属層と、前記側面を含む端子本体と、を有し、
前記側面上では、前記端子本体が露出すると共に、前記第一金属層と前記第二金属層とが離間し、
前記第一金属層と前記第二金属層とのそれぞれは、Ｎｉめっき層を含み、
前記端子本体は、Ｃｕを含み、
前記接合材は、はんだを含む、電子部品。
（付記２）
前記側面には、前記端子本体が含むＣｕが露出している、付記１に記載の電子部品。
（付記３）
前記側面は、前記金属端子の内側に後退する窪みを有している、付記１又は２に記載の電子部品。
（付記４）
前記端子本体の厚さは、０．０５ｍｍ以上である、付記１～３のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記５）
前記Ｎｉめっきの厚さは、１～４μｍである、付記１～４のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記６）
前記第一金属層は、前記第一主面を構成するＳｎめっき層を含み、
前記第二金属層は、前記第二主面を構成するＳｎめっき層を含む、付記１～５のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記７）
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に前記外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を更に有し、
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記側面の端縁との最短距離は、０．５～１ｍｍである、付記１～６のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記８）
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に前記外部電極に電気的かつ物理的に接続される内部導体を更に有し、
前記内部導体は、
前記外部電極に物理的に接続される第一領域と、
前記第一領域に連続し、かつ、前記第一領域の幅より大きい幅を有する第二領域と、を含み、
前記第一領域の幅方向での、前記第一領域の端縁と前記端子本体の端縁との最短距離は、０．３４～０．８８ｍｍである、付記１～６のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記９）
前記電子部品本体は、前記素体内に配置されると共に互いに対向する複数の内部導体を更に有し、
前記金属端子は、
前記外部電極に接続されると共に前記複数の内部導体が互いに対向する方向に延在する第一部分と、
前記複数の内部導体が互いに対向する前記方向と交差する方向に延在する第二部分と、を含む、付記１～８のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記１０）
前記金属端子は、
前記外部電極に接続されると共に第一方向に延在する第一部分と、
前記第一方向と交差する第二方向に延在する第二部分と、を含み、
前記側面は、
前記第一部分において前記第一方向に延在する第一面と、
前記第一面に連続すると共に前記第二部分において前記第二方向に延在する第二面と、を含む、付記１～９のいずれか一つに記載の電子部品。
【符号の説明】
【0109】
１…素体、２，３…接合材、７，８…端子本体、１１，１２…内部導体、２１，２２…外部電極、３１，３２…主面、３３，３４…側面、３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ…面、３７，３８…金属層、５１，５２…主面、５３，５４…側面、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｅ１ａ，Ｅ１ｂ，Ｅ２ａ，Ｅ２ｂ…領域、ＥＤ１…電子部品、ＭＤ１…電子部品本体、Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ…部分、Ｔ１，Ｔ２…金属端子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】