特開 2024-38911 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024038911

(43)【公開日】2024-03-21

(54)【発明の名称】弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240313BHJP

   H03H 9/72 20060101ALI20240313BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

H03H9/72

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022143280

(22)【出願日】2022-09-08

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100171077

【弁理士】

【氏名又は名称】佐々木 健

(72)【発明者】

【氏名】古藤 祐喜

(72)【発明者】

【氏名】塩井 伸一

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA25

5J097BB02

5J097BB11

5J097FF04

5J097HA04

5J097JJ04

5J097JJ06

5J097JJ09

5J097KK09

5J097KK10

(57)【要約】

【課題】チップ基板の放熱性を向上することができる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、配線基板と、前記配線基板に形成された配線基板側配線と、前記配線基板と対向したチップ基板と、前記チップ基板に形成されたチップ基板側配線と、前記チップ基板に形成され、前記チップ基板側配線と電気的に接続された複数の共振器と、前記配線基板側配線と前記チップ基板側配線とを電気的に接続された複数のバンプと、前記チップ基板側配線において、複数の共振器を電気的に接続した領域と接合され、前記配線基板側配線と絶縁された放熱用バンプと、を備えた。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板と、
前記配線基板に形成された配線基板側配線と、
前記配線基板と対向したチップ基板と、
前記チップ基板に形成されたチップ基板側配線と、
前記チップ基板に形成され、前記チップ基板側配線と電気的に接続された複数の共振器と、
前記配線基板側配線と前記チップ基板側配線とに電気的に接続された複数のバンプと、
前記チップ基板側配線において、複数の共振器を電気的に接続した領域と接合され、前記配線基板側配線と絶縁された放熱用バンプと、
を備えた弾性波デバイス。

【請求項2】

前記放熱用バンプは、前記チップ基板側配線において、隣接した直列共振器を電気的に接続した領域と接合された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

前記放熱用バンプは、前記チップ基板の中央部において前記チップ基板側配線と接合された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項4】

前記配線基板側配線に形成された高熱伝導性絶縁層、
を備え、
前記放熱用バンプは、前記高熱伝導性絶縁層と接触した請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項5】

前記高熱伝導性絶縁層は、前記配線基板側配線としてのグランド用金属層に形成された請求項４に記載の弾性波デバイス。

【請求項6】

前記高熱伝導性絶縁層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン、ソルダーレジスト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛または酸化シリコンで形成された請求項４に記載の弾性波デバイス。

【請求項7】

前記配線基板は、
前記配線基板側配線と電気的に接続されていない放熱用金属層、
を備え、
前記放熱用バンプは、前記放熱用金属層と接合された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項8】

前記配線基板は、
絶縁層と、
前記絶縁層を介して積層され、前記配線基板側配線と電気的に接続されていない複数の放熱用金属層と、
前記絶縁層を貫通し、前記複数の放熱用金属層と電気的に接続された放熱用ビアと、
を備え、
前記放熱用バンプは、前記配線基板において露出した放熱用金属層と接合された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項9】

前記複数の共振器は、弾性表面波共振器である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。

【請求項10】

前記複数の共振器は、音響薄膜共振器である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。

【請求項11】

前記複数の共振器は、デュプレクサとして機能する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。

【請求項12】

請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールに関連する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、弾性波デバイスを開示する。当該弾性波デバイスによれば、配線等の自由度が向上し得る。その結果、当該弾性波デバイスの小型化を図り得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－２４５７３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載の弾性波デバイスにおいては、封止部の内部において、チップ基板からの熱が逃げにくい。このため、チップ基板の放熱性が低い。

【0005】

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、チップ基板の放熱性を向上することができる弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係る弾性波デバイスは、
配線基板と、
前記配線基板に形成された配線基板側配線と、
前記配線基板と対向したチップ基板と、
前記チップ基板に形成されたチップ基板側配線と、
前記チップ基板に形成され、前記チップ基板側配線と電気的に接続された複数の共振器と、
前記配線基板側配線と前記チップ基板側配線とに電気的に接続された複数のバンプと、
前記チップ基板側配線において、複数の共振器を電気的に接続した領域と接合され、前記配線基板側配線と絶縁された放熱用バンプと、
を備えた弾性波デバイスとした。

【0007】

前記放熱用バンプは、前記チップ基板側配線において、隣接した直列共振器を電気的に接続した領域と接合されたことが、本開示の一形態とされる。

【0008】

前記放熱用バンプは、前記チップ基板の中央部において前記チップ基板側配線と接合されたことが、本開示の一形態とされる。

【0009】

前記配線基板側配線に形成された高熱伝導性絶縁層、
を備え、
前記放熱用バンプは、前記高熱伝導性絶縁層と接触したことが、本発明の一形態とされる。

【0010】

前記高熱伝導性絶縁層は、前記配線基板側配線としてのグランド用金属層に形成されたことが、本発明の一形態とされる。

【0011】

前記高熱伝導性絶縁層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン、ソルダーレジスト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛または酸化シリコンで形成されたことが、本開示の一形態とされる。

【0012】

前記配線基板は、
前記配線基板側配線と電気的に接続されていない放熱用金属層、
を備え、
前記放熱用バンプは、前記放熱用金属層と接合されたことが、本開示の一形態とされる。

【0013】

前記配線基板は、
絶縁層と、
前記絶縁層を介して積層され、前記配線基板側配線と電気的に接続されていない複数の放熱用金属層と、
前記絶縁層を貫通し、前記複数の放熱用金属層と電気的に接続された放熱用ビアと、
を備え、
前記放熱用バンプは、前記配線基板において露出した放熱用金属層と接合されたことが、本開示の一形態とされる。

【0014】

前記複数の共振器は、弾性表面波共振器であることが、本開示の一形態とされる。

【0015】

前記複数の共振器は、音響薄膜共振器であることが、本開示の一形態とされる。

【0016】

前記複数の共振器は、デュプレクサとして機能することが、本開示の一形態とされる。

【0017】

前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本開示の一形態とされる。

【発明の効果】

【0018】

本開示によれば、チップ基板の放熱性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。

【図2】実施の形態１における弾性波デバイスのチップ基板の平面図である。

【図3】実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第１例を示す図である。

【図4】実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第２例を示す図である。

【図5】実施の形態２における弾性波デバイスの縦断面図である。

【図6】実施の形態３における弾性波デバイスの縦断面図である。

【図7】実施の形態４における弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

【0021】

実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。

【0022】

図１は、弾性波デバイス１として、デュプレクサである弾性波デバイスの例を示す。

【0023】

図１に示されるように、弾性波デバイス１は、配線基板２とチップ基板３と複数のバンプ４と封止部５とを備える。

【0024】

例えば、配線基板２は、複数の絶縁層２Ａと複数の信号用金属層２Ｂと複数のグランド用金属層２Ｃと複数の信号用ビア２Ｄと複数のグランド用ビア２Ｅとを備える。

【0025】

例えば、複数の絶縁層２Ａは、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）である。複数の信号用金属層２Ｂは、配線基板側配線の一部として、複数の絶縁層２Ａと交互に積層される。複数のグランド用金属層２Ｃは、配線基板側配線の一部として、複数の絶縁層２Ａと交互に積層される。複数の信号用ビア２Ｄの各々は、配線基板側配線の一部として、絶縁層２Ａを貫通する。信号用ビア２Ｄの一側は、絶縁層２Ａの一面に接した信号用金属層２Ｂと電気的に接続される。信号用ビア２Ｄの他側は、絶縁層２Ａの他面に接した信号用金属層２Ｂと電気的に接続される。複数のグランド用ビア２Ｅの各々は、配線基板側配線の一部として、絶縁層２Ａを貫通する。グランド用ビア２Ｅの一側は、絶縁層２Ａの一面に接したグランド用金属層２Ｃと電気的に接続される。グランド用ビア２Ｅの他側は、絶縁層２Ａの他面に接したグランド用金属層２Ｃと電気的に接続される。

【0026】

チップ基板３は、配線基板２と対向する。例えば、チップ基板３は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。例えば、チップ基板３は、圧電セラミックスで形成された基板である。例えば、チップ基板３は、圧電基板と支持基板とがファンデルワールス力により接合された基板である。例えば、支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。

【0027】

チップ基板３は、弾性波素子（図１においては図示されず）が形成される基板である。例えば、チップ基板３の主面（図１においては下面）において、受信フィルタと送信フィルタとが形成される。

【0028】

受信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

【0029】

送信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

【0030】

複数のバンプ４は、配線基板２の主面（図１においては上面）に形成された信号用金属層２Ｂまたはグランド用金属層２Ｃと電気的に接続される。例えば、バンプ４は、金バンプである。例えば、バンプ４の高さは、２０μｍから５０μｍである。複数のバンプ４は、チップ基板３の主面（図１においては下面）に形成されたチップ基板側配線（図１においては図示されず）と電気的に接続される。

【0031】

封止部５は、チップ基板３を覆うように形成される。封止部５は、配線基板２とともに、チップ基板３を封止する。例えば、封止部５は、合成樹脂等の絶縁体で形成される。例えば、封止部５は、金属で形成される。例えば、封止部５は、絶縁層と金属層とで形成される。

【0032】

封止部５が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。好ましくは、封止部５は、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。

【0033】

本実施の形態においては、高熱伝導性絶縁層６と放熱用バンプ７が付加される。

【0034】

高熱伝導性絶縁層６は、配線基板２の中央部において、グランド用金属層２Ｃの上面の一部に形成される。例えば、高熱伝導性絶縁層６は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン、ソルダーレジスト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛または酸化シリコンで形成される。

【0035】

放熱用バンプ７は、チップ基板側配線の中央部と電気的に接続される。放熱用バンプ７は、高熱伝導性絶縁層６と接触する。放熱用バンプ７は、配線基板側配線と絶縁される。具体的には、放熱用バンプ７は、複数の信号用金属層２Ｂと複数のグランド用金属層２Ｃと複数の信号用ビア２Ｄと複数のグランド用ビア２Ｅとから絶縁される。

【0036】

次に、図２を用いて、チップ基板３の構成を説明する。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスのチップ基板の平面図である。

【0037】

図２に示されるように、複数の弾性波素子８と配線パターン９とは、チップ基板３の主面に形成される。

【0038】

複数の弾性波素子８は、複数の直列共振器Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５と複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４とを含む。

【0039】

複数の直列共振器Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５と複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４とは、送信フィルタとして機能し得るように形成される。その他の直列共振器とその他の並列共振器とは、受信フィルタとして機能し得るように形成される。

【0040】

例えば、配線パターン９は、チップ基板側配線として、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウム等の金属または合金で形成される。例えば、配線パターン９は、複数の金属層を積層して形成される。例えば、配線パターン９の厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

【0041】

配線パターン９は、弾性波素子８と電気的に接続される。配線パターン９は、アンテナ用バンプパッドＡＮＴと送信用バンプパッドＴｘと受信用バンプパッドＲｘと４つのグランドバンプパッドＧＮＤとを含む。これらのバンプパッドは、バンプ４と電気的に接続される。

【0042】

図２において、放熱用バンプ７は、配線パターン９において、隣接した共振器を電気的に接続した領域と直接的に接合される。具体的には、放熱用バンプ７は、配線パターン９において、隣接した直列共振器Ｓ３、Ｓ４を電気的に接続した領域と直接的に接合される。

【0043】

次に、図３を用いて、弾性波素子８の第１例を説明する。
図３は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第１例を示す図である。

【0044】

図３において、弾性波素子８は、表面波共振器である。図３に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）８Ａと一対の反射器８Ｂとは、チップ基板３の第一主面に形成される。ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。

【0045】

例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

【0046】

ＩＤＴ８Ａは、一対の櫛形電極８Ｃを備える。一対の櫛形電極８Ｃは、互いに対向する。櫛形電極８Ｃは、複数の電極指８Ｄとバスバー８Ｅとを備える。複数の電極指８Ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー８Ｅは、複数の電極指８Ｄを接続する。

【0047】

一対の反射器８Ｂの一方は、ＩＤＴ８Ａの一側に隣接する。一対の反射器８Ｂの他方は、ＩＤＴ８Ａの他側に隣接する。

【0048】

次に、図４を用いて、弾性波素子８の第２例を説明する。
図４は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第２例を示す図である。

【0049】

図４において、弾性波素子８は、音響薄膜共振器である。例えば、チップ基板３は、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板である。

【0050】

圧電膜８Ｆは、チップ基板３の主面に設けられる。例えば、圧電膜８Ｆは、窒化アルミニウムで形成される。

【0051】

下部電極８Ｇと上部電極８Ｈとは、圧電膜８Ｆを挟むように設けられる。例えば、下部電極８Ｇと上部電極８Ｈとは、ルテニウム等の金属で形成される。

【0052】

空隙８Ｊは、下部電極８Ｇとチップ基板３との間に形成される。

【0053】

音響薄膜共振器において、下部電極８Ｇと上部電極８Ｈとは、圧電膜８Ｆの内部に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。

【0054】

以上で説明された実施の形態１によれば、放熱用バンプ７は、配線パターン９において、複数の共振器を電気的に接続した領域と接合される。放熱用バンプ７は、配線基板側配線と絶縁される。このため、弾性波デバイス１としての機能を維持しつつ、チップ基板３の放熱性を高めることができる。その結果、チップ基板３に形成された共振器のマイグレーションを抑制することで、チップ基板３の耐電力性を高めることができる。

【0055】

また、放熱用バンプ７は、配線パターン９において、隣接した直列共振器Ｓ３、Ｓ４を電気的に接続した領域と直接的に接合される。このため、チップ基板３において熱が逃げにくい領域の放熱性を高めることができる。特に、隣接した直列共振器のみを電気的に接続した領域は、温度が高くなる。このため、放熱用バンプ７が当該領域と直接的に接合される場合、チップ基板３の放熱性をより高めることができる。

【0056】

また、放熱用バンプ７は、チップ基板３の中央部において配線パターン９と接続される。このため、チップ基板３において熱が逃げにくい領域の放熱性を高めることができる。

【0057】

また、高熱伝導性絶縁層６は、グランド用金属層２Ｃの上面の一部に形成される。放熱用バンプ７は、高熱伝導性絶縁層６と接触する。このため、配線パターン９において、隣接した直列共振器Ｓ３、Ｓ４を電気的に接続した領域とグランド用金属層２Ｃとの絶縁性を確保しつつ、チップ基板３の放熱性をより確実に高めることができる。

【0058】

また、高熱伝導性絶縁層６は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン、ソルダーレジスト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛または酸化シリコンで形成される。このため、チップ基板３の放熱性をより確実に高めることができる。特に、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムにおいては、熱伝導率が高い。具体的には、窒化ホウ素の熱伝導率は、６０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。窒化アルミニウムの熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。酸化アルミニウムの熱伝導率は、２９Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。このため、窒化ホウ素と窒化アルミニウムと酸化アルミニウムとのうちのいずれかが高熱伝導性絶縁層６として用いられれば、チップ基板３の放熱性をより確実に高めることができる。

【0059】

また、弾性波素子８の第１例において、共振器は、弾性表面波共振器である。このため、弾性表面波共振器が実装されたチップ基板３の放熱性を高めることができる。

【0060】

また、弾性波素子８の第２例において、共振器は、音響薄膜共振器である。このため、音響薄膜共振器が実装されたチップ基板３の放熱性を高めることができる。

【0061】

なお、グランド用金属層２Ｃと高熱伝導性絶縁層６と放熱用バンプ７とにおいて、寄生容量が発生する。例えば、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムで形成された高熱伝導性絶縁層６の誘電率を９、高熱伝導性絶縁層６の厚みを１０μｍ、放熱用バンプ７が潰れた際の直径を１２０μｍとした際、寄生容量は、約０．０９ｐＦである。このように、寄生容量は、小さな値となる。このため、当該寄生容量は、弾性波デバイス１の回路特性に対してほとんど影響を与えない。

【0062】

実施の形態２．
図５は実施の形態２における弾性波デバイスの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0063】

図５に示されるように、放熱用金属層１０は、配線基板２の主面に形成される。放熱用金属層１０は、配線基板側配線と電気的に接続されない。具体的には、放熱用金属層１０は、複数の信号用金属層２Ｂと複数のグランド用金属層２Ｃと複数の信号用ビア２Ｄと複数のグランド用ビア２Ｅとから絶縁される。

【0064】

放熱用バンプ７は、放熱用金属層１０と直接的に接合される。

【0065】

以上で説明された実施の形態２によれば、放熱用バンプ７は、放熱用金属層１０と直接的に接合される。このため、チップ基板３の放熱性を高めることができる。

【0066】

実施の形態３．
図６は実施の形態３における弾性波デバイスの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0067】

図６に示されるように、複数の放熱用金属層１０は、絶縁層２Ａを介して積層される。放熱用ビア１１は、絶縁層２Ａを貫通する。放熱用ビア１１の一側は、絶縁層２Ａの一面と接した放熱用金属層１０と電気的に接続される。放熱用ビア１１の他側は、絶縁層２Ａの他面と接した放熱用金属層１０と電気的に接続される。

【0068】

放熱用バンプ７は、配線基板２において露出した放熱用金属層１０と接合される。具体的には、図６において、放熱用バンプ７は、上段の放熱用金属層１０と接合される。

【0069】

以上で説明された実施の形態３によれば、複数の放熱用金属層１０は、絶縁層２Ａを介して積層される。放熱用ビア１１は、複数の放熱用金属層１０と電気的に接続される。このため、放熱用バンプ７からの熱は、上段の放熱用金属層１０、放熱用ビア１１、下段の放熱用金属層１０を伝って逃げる。その結果、実施の形態２よりもチップ基板３の放熱性を高めることができる。

【0070】

実施の形態４．
図７は実施の形態４における弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0071】

図７において、モジュール１００は、配線基板１０１と集積回路部品１０２と弾性波デバイス１とインダクタ１０３と封止部１０４とを備える。

【0072】

配線基板１０１は、実施の形態１の配線基板２と同等である。

【0073】

図示されないが、集積回路部品１０２は、配線基板１０１の内部に実装される。集積回路部品１０２は、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。

【0074】

弾性波デバイス１は、配線基板１０１の主面に実装される。

【0075】

インダクタ１０３は、配線基板１０１の主面に実装される。インダクタ１０３は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１０３は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。

【0076】

封止部１０４は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止する。

【0077】

以上で説明された実施の形態４によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス１を備える。このため、放熱性が高い弾性波デバイス１を備えたモジュール１００を実現することができる。

【0078】

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

【0079】

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

【0080】

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

【0081】

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

【0082】

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

【0083】

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

【符号の説明】

【0084】

１ 弾性波デバイス、 ２ 配線基板、 ２Ａ 絶縁層、 ２Ｂ 信号用金属層、 ２Ｃ グランド用金属層、 ２Ｄ 信号用ビア、 ２Ｅ グランド用ビア、３ チップ基板、 ４ バンプ、 ５ 封止部、 ６ 高熱伝導性絶縁層、 ７ 放熱用バンプ、 ８ 弾性波素子、 ８Ａ ＩＤＴ、 ８Ｂ 反射器、 ８Ｃ 櫛形電極、 ８Ｄ 電極指、 ８Ｅ バスバー、 ８Ｆ 圧電膜、 ８Ｇ 下部電極、 ８Ｈ 上部電極、 ８Ｊ 空隙、 ９ 配線パターン、 １０ 放熱用金属層、 １１ 放熱用ビア、 １００ モジュール、 １０１ 配線基板、 １０２ 集積回路部品、 １０３ インダクタ、 １０４ 封止部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】