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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024038986
(43)【公開日】2024-03-21
(54)【発明の名称】集積回路素子
(51)【国際特許分類】
H01L 21/336 20060101AFI20240313BHJP
H01L 21/76 20060101ALI20240313BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 301X
H01L29/78 301R
H01L21/76 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023119675
(22)【出願日】2023-07-24
(31)【優先権主張番号】10-2022-0114467
(32)【優先日】2022-09-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】390019839
【氏名又は名称】三星電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】鄭 然 鍍
(72)【発明者】
【氏名】金 チョル
(72)【発明者】
【氏名】金 基 哲
(72)【発明者】
【氏名】朴 貴 臨
(72)【発明者】
【氏名】柳 亥 俊
(72)【発明者】
【氏名】李 彩 榮
(72)【発明者】
【氏名】崔 慶 寅
【テーマコード（参考）】
5F032
5F140
【Ｆターム（参考）】
5F032AA33
5F032AA44
5F032AA46
5F032AA47
5F032AA67
5F032AA69
5F032AA70
5F032BA01
5F032BA03
5F032BA05
5F032CA05
5F032CA06
5F032CA09
5F032CA10
5F032CA17
5F032DA23
5F140AA39
5F140AC01
5F140AC32
5F140AC33
5F140BB05
5F140BB06
5F140BD04
5F140BD07
5F140BD09
5F140BF05
5F140BF07
5F140BF10
5F140BH06
5F140BH27
5F140CB04
(57)【要約】
【課題】ダウンスケーリングによって、素子領域が縮小した面積を有し、素子領域に含まれる構成要素のアスペクト比が増加しても、信頼度を向上させることができる構造を有する集積回路素子を提供する。
【解決手段】本発明による集積回路素子は、基板上で第１水平方向に延長され、第１水平方向に沿って一直線に配置される一対のフィン型活性領域と、一対のフィン型活性領域間で第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、を有し、フィン分離絶縁部は、一対のフィン型活性領域それぞれのフィン上面より高い第１垂直レベルで少なくとも１つの突出部を有する第１窒素リッチバリヤー膜と、第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含む。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】本発明による集積回路素子は、基板上で第１水平方向に延長され、第１水平方向に沿って一直線に配置される一対のフィン型活性領域と、一対のフィン型活性領域間で第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、を有し、フィン分離絶縁部は、一対のフィン型活性領域それぞれのフィン上面より高い第１垂直レベルで少なくとも１つの突出部を有する第１窒素リッチバリヤー膜と、第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含む。
【選択図】図２Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上で第１水平方向に延長され、前記第１水平方向に沿って一直線に配置される一対のフィン型活性領域と、
前記一対のフィン型活性領域間で前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、を有し、
前記フィン分離絶縁部は、前記一対のフィン型活性領域それぞれのフィン上面より高い第１垂直レベルで少なくとも１つの突出部を有する第１窒素リッチバリヤー膜と、
前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、前記第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含むことを特徴とする集積回路素子。
前記一対のフィン型活性領域間で前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、を有し、
前記フィン分離絶縁部は、前記一対のフィン型活性領域それぞれのフィン上面より高い第１垂直レベルで少なくとも１つの突出部を有する第１窒素リッチバリヤー膜と、
前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、前記第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含むことを特徴とする集積回路素子。
【請求項2】
前記第１窒素リッチバリヤー膜の最上面と前記第２窒素リッチバリヤー膜の最上面とは、同一垂直レベルにあり、
前記第１窒素リッチバリヤー膜の最低面の垂直レベルは、前記第２窒素リッチバリヤー膜の最低面の垂直レベルより低いことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
前記第１窒素リッチバリヤー膜の最低面の垂直レベルは、前記第２窒素リッチバリヤー膜の最低面の垂直レベルより低いことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
【請求項3】
前記第１窒素リッチバリヤー膜は、窒素ドープシリコン酸化膜、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン膜、又はそれらの組み合わせを含み、
前記第２窒素リッチバリヤー膜は、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン膜、又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
前記第２窒素リッチバリヤー膜は、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン膜、又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
【請求項4】
前記一対のフィン型活性領域の内、選択された１つのフィン型活性領域上に配置される少なくとも１つのナノシートと、
前記選択された１つのフィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長されるゲートラインと、
前記ゲートラインと前記フィン分離絶縁部との間で、前記選択された１つのフィン型活性領域上に配置されるソース／ドレイン領域と、をさらに有し、
前記少なくとも１つの突出部は、前記第１水平方向に前記ソース／ドレイン領域に対面することを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
前記選択された１つのフィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長されるゲートラインと、
前記ゲートラインと前記フィン分離絶縁部との間で、前記選択された１つのフィン型活性領域上に配置されるソース／ドレイン領域と、をさらに有し、
前記少なくとも１つの突出部は、前記第１水平方向に前記ソース／ドレイン領域に対面することを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
【請求項5】
前記第２窒素リッチバリヤー膜は、前記第１窒素リッチバリヤー膜に含まれる前記少なくとも１つの突出部に対面する局部領域を含み、
前記第２窒素リッチバリヤー膜の前記局部領域は、凹凸なしに平坦に延長されることを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
前記第２窒素リッチバリヤー膜の前記局部領域は、凹凸なしに平坦に延長されることを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
【請求項6】
基板上で第１水平方向に延長され、前記第１水平方向に沿って一直線に配置される一対のフィン型活性領域と、
前記一対のフィン型活性領域間で前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、
前記一対のフィン型活性領域それぞれの上部に１つずつ配置され、それぞれ少なくとも１つのナノシートを含む一対のナノシートスタックと、
前記一対のフィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長される一対のゲートラインと、
前記一対のゲートライン間で前記フィン分離絶縁部の両側に１つずつ配置される一対のソース／ドレイン領域と、を有し、
前記フィン分離絶縁部は、前記一対のソース／ドレイン領域の内の少なくとも１つに対面する少なくとも１つの突出部を有する第１局部領域を含む第１窒素リッチバリヤー膜と、
前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、前記第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含むことを特徴とする集積回路素子。
前記一対のフィン型活性領域間で前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、
前記一対のフィン型活性領域それぞれの上部に１つずつ配置され、それぞれ少なくとも１つのナノシートを含む一対のナノシートスタックと、
前記一対のフィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長される一対のゲートラインと、
前記一対のゲートライン間で前記フィン分離絶縁部の両側に１つずつ配置される一対のソース／ドレイン領域と、を有し、
前記フィン分離絶縁部は、前記一対のソース／ドレイン領域の内の少なくとも１つに対面する少なくとも１つの突出部を有する第１局部領域を含む第１窒素リッチバリヤー膜と、
前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、前記第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含むことを特徴とする集積回路素子。
【請求項7】
前記第２窒素リッチバリヤー膜は、前記第１水平方向に前記第１局部領域に対面する第２局部領域を含み、
前記第２局部領域の表面粗さは、前記第１局部領域の表面粗さより小さいことを特徴とする請求項６に記載の集積回路素子。
前記第２局部領域の表面粗さは、前記第１局部領域の表面粗さより小さいことを特徴とする請求項６に記載の集積回路素子。
【請求項8】
基板上で第１水平方向に延長され、前記第１水平方向に沿って一直線に配置される第１フィン型活性領域及び第２フィン型活性領域と、
前記第１フィン型活性領域と前記第２フィン型活性領域との間で、前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、
前記第１フィン型活性領域の上部に配置される少なくとも１つのナノシートと、
前記第１フィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長されるゲートラインと、
前記ゲートラインと前記フィン分離絶縁部との間で、前記第１フィン型活性領域上に配置されるソース／ドレイン領域と、を有し、
前記フィン分離絶縁部は、前記フィン分離絶縁部の最外部から前記フィン分離絶縁部の中央部に向かって順次に配置される第１窒素リッチバリヤー膜、第１分離絶縁膜、第２窒素リッチバリヤー膜、及び第２分離絶縁膜を含み、
前記第１窒素リッチバリヤー膜は、前記ソース／ドレイン領域に対面する局部領域で少なくとも１つの突出部を有し、
前記第２窒素リッチバリヤー膜は、前記第１分離絶縁膜を挟んで前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔されており、前記第１窒素リッチバリヤー膜の前記局部領域に対面する滑らかな表面を有することを特徴とする集積回路素子。
前記第１フィン型活性領域と前記第２フィン型活性領域との間で、前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、
前記第１フィン型活性領域の上部に配置される少なくとも１つのナノシートと、
前記第１フィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長されるゲートラインと、
前記ゲートラインと前記フィン分離絶縁部との間で、前記第１フィン型活性領域上に配置されるソース／ドレイン領域と、を有し、
前記フィン分離絶縁部は、前記フィン分離絶縁部の最外部から前記フィン分離絶縁部の中央部に向かって順次に配置される第１窒素リッチバリヤー膜、第１分離絶縁膜、第２窒素リッチバリヤー膜、及び第２分離絶縁膜を含み、
前記第１窒素リッチバリヤー膜は、前記ソース／ドレイン領域に対面する局部領域で少なくとも１つの突出部を有し、
前記第２窒素リッチバリヤー膜は、前記第１分離絶縁膜を挟んで前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔されており、前記第１窒素リッチバリヤー膜の前記局部領域に対面する滑らかな表面を有することを特徴とする集積回路素子。
【請求項9】
前記フィン分離絶縁部は、前記ソース／ドレイン領域より低い垂直レベルにある下側分離部を含み、
前記下側分離部において、前記第１窒素リッチバリヤー膜及び前記第２窒素リッチバリヤー膜は、互いに異なる物質からなり、前記第１分離絶縁膜及び前記第２分離絶縁膜は、互いに同一の物質からなることを特徴とする請求項８に記載の集積回路素子。
前記下側分離部において、前記第１窒素リッチバリヤー膜及び前記第２窒素リッチバリヤー膜は、互いに異なる物質からなり、前記第１分離絶縁膜及び前記第２分離絶縁膜は、互いに同一の物質からなることを特徴とする請求項８に記載の集積回路素子。
【請求項10】
前記第１窒素リッチバリヤー膜、前記第１分離絶縁膜、及び第２窒素リッチバリヤー膜は、それぞれＵ字形の断面形状を有し、
前記第２分離絶縁膜は、内部が絶縁物質で充填されたプラグ（ｐｌｕｇ）形状を有することを特徴とする請求項８に記載の集積回路素子。
前記第２分離絶縁膜は、内部が絶縁物質で充填されたプラグ（ｐｌｕｇ）形状を有することを特徴とする請求項８に記載の集積回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、集積回路素子に関し、特に、フィン型活性領域を含む集積回路素子に関する。
【背景技術】
【0002】
集積回路素子のダウンスケーリング（ｄｏｗｎ－ｓｃａｌｉｎｇ）が急速に進められるにつれて、集積回路素子において速い動作速度だけでなく、動作に係わる正確性を確保する必要がある。
【0003】
従って、最適のパフォーマンスを提供することができ、信頼性を向上させることができる構造を有する集積回路素子を提供するための多様な研究が進めることが課題となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平９－３２６４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は上記従来の集積回路素子における課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ダウンスケーリングによって、素子領域が縮小した面積を有し、素子領域に含まれる構成要素のアスペクト比（ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）が増加しても、信頼度を向上させることができる構造を有する集積回路素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明による集積回路素子は、基板上で第１水平方向に延長され、前記第１水平方向に沿って一直線に配置される一対のフィン型活性領域と、前記一対のフィン型活性領域間で前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、を有し、前記フィン分離絶縁部は、前記一対のフィン型活性領域それぞれのフィン上面より高い第１垂直レベルで少なくとも１つの突出部を有する第１窒素リッチバリヤー膜と、前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、前記第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含むことを特徴とする。
【0007】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による集積回路素子は、基板上で第１水平方向に延長され、前記第１水平方向に沿って一直線に配置される一対のフィン型活性領域と、前記一対のフィン型活性領域間で前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、前記一対のフィン型活性領域それぞれの上部に１つずつ配置され、それぞれ少なくとも１つのナノシートを含む一対のナノシートスタックと、前記一対のフィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長される一対のゲートラインと、前記一対のゲートライン間で前記フィン分離絶縁部の両側に１つずつ配置される一対のソース／ドレイン領域と、を有し、前記フィン分離絶縁部は、前記一対のソース／ドレイン領域の内の少なくとも１つに対面する少なくとも１つの突出部を有する第１局部領域を含む第１窒素リッチバリヤー膜と、前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔され、前記第１窒素リッチバリヤー膜により限定される空間内に配置される第２窒素リッチバリヤー膜と、を含むことを特徴とする。
【0008】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による集積回路素子は、基板上で第１水平方向に延長され、前記第１水平方向に沿って一直線に配置される第１フィン型活性領域及び第２フィン型活性領域と、前記第１フィン型活性領域と前記第２フィン型活性領域との間で、前記第１水平方向に交差する第２水平方向に沿って延長されるフィン分離絶縁部と、前記第１フィン型活性領域の上部に配置される少なくとも１つのナノシートと、前記第１フィン型活性領域上で前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、前記第２水平方向に延長されるゲートラインと、前記ゲートラインと前記フィン分離絶縁部との間で、前記第１フィン型活性領域上に配置されるソース／ドレイン領域と、を有し、前記フィン分離絶縁部は、前記フィン分離絶縁部の最外部から前記フィン分離絶縁部の中央部に向かって順次に配置される第１窒素リッチバリヤー膜、第１分離絶縁膜、第２窒素リッチバリヤー膜、及び第２分離絶縁膜を含み、前記第１窒素リッチバリヤー膜は、前記ソース／ドレイン領域に対面する局部領域で少なくとも１つの突出部を有し、前記第２窒素リッチバリヤー膜は、前記第１分離絶縁膜を挟んで前記第１窒素リッチバリヤー膜から離隔されており、前記第１窒素リッチバリヤー膜の前記局部領域に対面する滑らかな表面を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係る集積回路素子によれば、隣接したトランジスタ間の絶縁のために提供されるフィン分離領域を含み、フィン分離領域は、ボイド（ｖｏｉｄ）のような構造的に脆弱な欠陥がない安定した構造を有する。
特に、ダウンスケーリングによって、素子領域の面積が縮小し、フィン分離領域のアスペクト比が増加しても、フィン分離領域により隣接したトランジスタ間の絶縁が安定して行われ、集積回路素子に含まれたトランジスタで最適のパフォーマンスを提供することができる。
したがって、集積回路素子の信頼性が向上する。
特に、ダウンスケーリングによって、素子領域の面積が縮小し、フィン分離領域のアスペクト比が増加しても、フィン分離領域により隣接したトランジスタ間の絶縁が安定して行われ、集積回路素子に含まれたトランジスタで最適のパフォーマンスを提供することができる。
したがって、集積回路素子の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態による集積回路素子の一部構成を示す部分平面図である。
【図3】本発明の他の実施形態による集積回路素子を説明するための部分平面図である。
【図4】本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子を説明するための部分平面図である。
【図5】本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子を説明するための部分平面図である。
【図6A】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6B】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6C】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6D】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6E】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6F】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6G】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6H】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6I】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6J】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6K】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6L】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図6M】本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図7A】本発明の実施形態による方法によってフィン分離絶縁部を形成する例示的な方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図7B】本発明の実施形態による方法によってフィン分離絶縁部を形成する例示的な方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図7C】本発明の実施形態による方法によってフィン分離絶縁部を形成する例示的な方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図7D】本発明の実施形態による方法によってフィン分離絶縁部を形成する例示的な方法を説明するための工程順部分断面図である。
【図7E】本発明の実施形態による方法によってフィン分離絶縁部を形成する例示的な方法を説明するための工程順部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
次に、本発明に係る集積回路素子を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図面上の同一構成要素に対しては、同一参照符号を使用し、それらに関する重複説明は省略する。
図面上の同一構成要素に対しては、同一参照符号を使用し、それらに関する重複説明は省略する。
【0012】
図１は、本発明の実施形態による集積回路素子の一部構成を示す部分平面図であり、図２Ａは、図１のＸ１－Ｘ１’線に沿って切断した断面図であり、図２Ｂは、図２Ａにおいて「ＥＸ１」で表された局部領域の拡大断面図であり、図２Ｃは、図１のＹ１－Ｙ１’線に沿って切断した断面図である。
図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して、ナノワイヤ又はナノシート状の活性領域と、活性領域を取り囲むゲートとを含むゲートオールアラウンド（ｇａｔｅ－ａｌｌ－ａｒｏｕｎｄ）構造を有する電界効果トランジスタＴＲを含む集積回路素子１００について説明する。
図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して、ナノワイヤ又はナノシート状の活性領域と、活性領域を取り囲むゲートとを含むゲートオールアラウンド（ｇａｔｅ－ａｌｌ－ａｒｏｕｎｄ）構造を有する電界効果トランジスタＴＲを含む集積回路素子１００について説明する。
【0013】
図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照すると、集積回路素子１００は、基板１０２上に配置された素子領域ＲＸを含む。
基板１０２は、水平方向（Ｘ－Ｙ平面方向）に延長される主面１１０Ｍを有する。
基板１０２は、Ｓｉ又はＧｅのような半導体、あるいはＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、又はＩｎＰのような化合物半導体を含み得る。
本明細書で使用される用語「ＳｉＧｅ」、「ＳｉＣ」、「ＧａＡｓ」、「ＩｎＡｓ」、「ＩｎＧａＡｓ」、及び「ＩｎＰ」は、それぞれの用語に含まれた元素からなる材料を意味するものであって、化学量論的関係を示す化学式ではない。
基板１０２は、導電領域、例えば、不純物がドーピングされたウェル（ｗｅｌｌ）、又は不純物がドーピングされた構造物を含み得る。
基板１０２は、水平方向（Ｘ－Ｙ平面方向）に延長される主面１１０Ｍを有する。
基板１０２は、Ｓｉ又はＧｅのような半導体、あるいはＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、又はＩｎＰのような化合物半導体を含み得る。
本明細書で使用される用語「ＳｉＧｅ」、「ＳｉＣ」、「ＧａＡｓ」、「ＩｎＡｓ」、「ＩｎＧａＡｓ」、及び「ＩｎＰ」は、それぞれの用語に含まれた元素からなる材料を意味するものであって、化学量論的関係を示す化学式ではない。
基板１０２は、導電領域、例えば、不純物がドーピングされたウェル（ｗｅｌｌ）、又は不純物がドーピングされた構造物を含み得る。
【0014】
素子領域ＲＸには、基板１０２から垂直方向に突出したフィン型（ｆｉｎ－ｔｙｐｅ）活性領域ＦＡが配置される。
複数のフィン型活性領域ＦＡは、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って互いに平行に延長される。
素子領域ＲＸにおいて、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれ間の領域に素子分離膜１１４が配置される。
素子分離膜１１４は、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれの両側壁を覆う。
複数のフィン型活性領域ＦＡは、素子分離膜１１４上にフィン状に突出する。
素子分離膜１１４は、酸化膜、窒化膜、又はそれらの組み合わせを含み得る。
複数のフィン型活性領域ＦＡは、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って互いに平行に延長される。
素子領域ＲＸにおいて、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれ間の領域に素子分離膜１１４が配置される。
素子分離膜１１４は、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれの両側壁を覆う。
複数のフィン型活性領域ＦＡは、素子分離膜１１４上にフィン状に突出する。
素子分離膜１１４は、酸化膜、窒化膜、又はそれらの組み合わせを含み得る。
【0015】
素子領域ＲＸにフィン分離絶縁部１９０が配置される。
素子領域ＲＸにおいて、複数のフィン型活性領域ＦＡは、フィン分離絶縁部１９０を挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置された複数対のフィン型活性領域ＦＡを含む。
フィン分離絶縁部１９０は、複数対のフィン型活性領域ＦＡ間で第１水平方向（Ｘ方向）に交差する第２水平方向（Ｙ方向）に沿って延長される。
本明細書において、フィン分離絶縁部１９０を挟んで両側にそれぞれ１つずつ配置された一対のフィン型活性領域ＦＡの内の１つは、第１フィン型活性領域とも称され、一対のフィン型活性領域ＦＡの内の他の１つは、第２フィン型活性領域とも称される。
素子領域ＲＸにおいて、複数のフィン型活性領域ＦＡは、フィン分離絶縁部１９０を挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置された複数対のフィン型活性領域ＦＡを含む。
フィン分離絶縁部１９０は、複数対のフィン型活性領域ＦＡ間で第１水平方向（Ｘ方向）に交差する第２水平方向（Ｙ方向）に沿って延長される。
本明細書において、フィン分離絶縁部１９０を挟んで両側にそれぞれ１つずつ配置された一対のフィン型活性領域ＦＡの内の１つは、第１フィン型活性領域とも称され、一対のフィン型活性領域ＦＡの内の他の１つは、第２フィン型活性領域とも称される。
【0016】
複数のフィン型活性領域ＦＡ上には、複数のゲートライン１６０が配置される。
複数のゲートライン１６０は、第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
複数のフィン型活性領域ＦＡと複数のゲートライン１６０とが交差する領域において、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれのフィン上面ＦＴ上に複数のナノシートスタックＮＳＳが配置される。
複数のナノシートスタックＮＳＳは、それぞれフィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴから垂直方向（Ｚ方向）に離隔された位置でフィン上面ＦＴと対面する少なくとも１つのナノシートを含む。
複数のゲートライン１６０は、第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
複数のフィン型活性領域ＦＡと複数のゲートライン１６０とが交差する領域において、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれのフィン上面ＦＴ上に複数のナノシートスタックＮＳＳが配置される。
複数のナノシートスタックＮＳＳは、それぞれフィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴから垂直方向（Ｚ方向）に離隔された位置でフィン上面ＦＴと対面する少なくとも１つのナノシートを含む。
【0017】
図２Ａ及び図２Ｃに示したように、複数のナノシートスタックＮＳＳは、それぞれフィン型活性領域ＦＡ上で垂直方向（Ｚ方向）にオーバーラップされている第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３を含む。
第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、フィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴから垂直距離（Ｚ方向距離）が互いに異なっている。
ナノシートスタックＮＳＳは、フィン型活性領域ＦＡ及びゲートライン１６０それぞれの平面形状によって多様な平面形状を有する。
１つのフィン型活性領域ＦＡ上に配置されるナノシートスタックＮＳＳ及びゲートライン１６０それぞれの個数は、多様に選択可能である。
第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、フィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴから垂直距離（Ｚ方向距離）が互いに異なっている。
ナノシートスタックＮＳＳは、フィン型活性領域ＦＡ及びゲートライン１６０それぞれの平面形状によって多様な平面形状を有する。
１つのフィン型活性領域ＦＡ上に配置されるナノシートスタックＮＳＳ及びゲートライン１６０それぞれの個数は、多様に選択可能である。
【0018】
ナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、それぞれチャネル領域として機能する。
例示的な実施形態において、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、それぞれ約４ｎｍ～約６ｎｍの範囲内で選択される厚みを有するが、それに限定されるものではない。
ここで、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの厚みは、垂直方向（Ｚ方向）に沿うサイズを意味する。
例示的な実施形態において、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、垂直方向（Ｚ方向）に沿って実質的に同一厚みを有する。
他の例示的な実施形態において、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３の内の少なくとも一部は、垂直方向（Ｚ方向）に沿って互いに異なる厚みを有する。
例示的な実施形態において、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、それぞれ約４ｎｍ～約６ｎｍの範囲内で選択される厚みを有するが、それに限定されるものではない。
ここで、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの厚みは、垂直方向（Ｚ方向）に沿うサイズを意味する。
例示的な実施形態において、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、垂直方向（Ｚ方向）に沿って実質的に同一厚みを有する。
他の例示的な実施形態において、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３の内の少なくとも一部は、垂直方向（Ｚ方向）に沿って互いに異なる厚みを有する。
【0019】
図２Ａに示したように、１つのナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３は、第１水平方向（Ｘ方向）に互いに同一又は類似のサイズを有する。
他の例示的な実施形態において、図２Ａに示したところと異なり、１つのナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３の内の少なくとも一部は、第１水平方向（Ｘ方向）に互いに異なるサイズを有する。
複数のゲートライン１６０は、フィン型活性領域ＦＡ上で第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３を取り囲み、第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
他の例示的な実施形態において、図２Ａに示したところと異なり、１つのナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３の内の少なくとも一部は、第１水平方向（Ｘ方向）に互いに異なるサイズを有する。
複数のゲートライン１６０は、フィン型活性領域ＦＡ上で第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３を取り囲み、第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
【0020】
図２Ａ及び図２Ｃに示したように、複数のゲートライン１６０は、それぞれメインゲート部分１６０Ｍと複数のサブゲート部分１６０Ｓとを含む。
メインゲート部分１６０Ｍは、ナノシートスタックＮＳＳの上面を覆い、第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
複数のサブゲート部分１６０Ｓは、メインゲート部分１６０Ｍに一体に接続され、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの間、及び第１ナノシートＮ１とフィン型活性領域ＦＡとの間にそれぞれ１つずつ配置される。
垂直方向（Ｚ方向）において、複数のサブゲート部分１６０Ｓそれぞれの厚みは、メインゲート部分１６０Ｍの厚みよりもさらに小さい。
メインゲート部分１６０Ｍは、ナノシートスタックＮＳＳの上面を覆い、第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
複数のサブゲート部分１６０Ｓは、メインゲート部分１６０Ｍに一体に接続され、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの間、及び第１ナノシートＮ１とフィン型活性領域ＦＡとの間にそれぞれ１つずつ配置される。
垂直方向（Ｚ方向）において、複数のサブゲート部分１６０Ｓそれぞれの厚みは、メインゲート部分１６０Ｍの厚みよりもさらに小さい。
【0021】
複数のゲートライン１６０は、それぞれ金属、金属窒化物、金属炭化物、又はそれらの組み合わせを含み得る。
上記金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、及びＰｄの内から選択される。
金属窒化物は、ＴｉＮ及びＴａＮの内から選択される。
金属炭化物は、ＴｉＡｌＣであり得る。
しかし、複数のゲートライン１６０を構成する物質は、上記例示したものに限定されるものではない。
上記金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、及びＰｄの内から選択される。
金属窒化物は、ＴｉＮ及びＴａＮの内から選択される。
金属炭化物は、ＴｉＡｌＣであり得る。
しかし、複数のゲートライン１６０を構成する物質は、上記例示したものに限定されるものではない。
【0022】
ナノシートスタックＮＳＳとゲートライン１６０との間には、ゲート誘電膜１５２が介在する。
例示的な実施形態において、ゲート誘電膜１５２は、インターフェース誘電膜と高誘電膜との積層構造からなる。
インターフェース誘電膜は、誘電率が約９以下である低誘電物質膜、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜又はそれらの組み合わせからなる。
例示的な実施形態において、インターフェース誘電膜は省略可能である。
高誘電膜は、シリコン酸化膜より誘電定数がさらに大きい物質からなる。
例えば、高誘電膜は、約１０～２５の誘電定数を有する。
高誘電膜は、ハフニウム酸化物からなるが、それに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、ゲート誘電膜１５２は、インターフェース誘電膜と高誘電膜との積層構造からなる。
インターフェース誘電膜は、誘電率が約９以下である低誘電物質膜、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜又はそれらの組み合わせからなる。
例示的な実施形態において、インターフェース誘電膜は省略可能である。
高誘電膜は、シリコン酸化膜より誘電定数がさらに大きい物質からなる。
例えば、高誘電膜は、約１０～２５の誘電定数を有する。
高誘電膜は、ハフニウム酸化物からなるが、それに限定されるものではない。
【0023】
図２Ａに示したように、フィン型活性領域ＦＡ上で１つのゲートライン１６０を挟んでゲートライン１６０の両側で、フィン型活性領域ＦＡ上には複数のリセスＲ１が形成される。
複数のリセスＲ１それぞれの最低面の垂直レベルは、フィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴの垂直レベルよりも低い。
本明細書で使用される用語「垂直レベル」は、基板１０２の主面１０２Ｍから垂直方向（Ｚ方向又はＺ方向）に沿う距離を意味する。
複数のリセスＲ１それぞれの最低面の垂直レベルは、フィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴの垂直レベルよりも低い。
本明細書で使用される用語「垂直レベル」は、基板１０２の主面１０２Ｍから垂直方向（Ｚ方向又はＺ方向）に沿う距離を意味する。
【0024】
複数のリセスＲ１内には、複数のソース／ドレイン領域１３０が配置される。
フィン型活性領域ＦＡ上で１つのゲートライン１６０を挟んでゲートライン１６０の両側に、一対のソース／ドレイン領域１３０が配置される。
複数のソース／ドレイン領域１３０は、ナノシートスタックＮＳＳの両側でフィン型活性領域ＦＡ上に配置される。
ソース／ドレイン領域１３０は、隣接したゲートライン１６０により取り囲まれるナノシートスタックＮＳＳの側壁に接する。
ソース／ドレイン領域１３０は、ナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの側壁に接する。
フィン型活性領域ＦＡ上で１つのゲートライン１６０を挟んでゲートライン１６０の両側に、一対のソース／ドレイン領域１３０が配置される。
複数のソース／ドレイン領域１３０は、ナノシートスタックＮＳＳの両側でフィン型活性領域ＦＡ上に配置される。
ソース／ドレイン領域１３０は、隣接したゲートライン１６０により取り囲まれるナノシートスタックＮＳＳの側壁に接する。
ソース／ドレイン領域１３０は、ナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの側壁に接する。
【0025】
複数のゲートライン１６０それぞれの両側壁は、外側絶縁スペーサ１１８で覆われる。
外側絶縁スペーサ１１８は、複数のナノシートスタックＮＳＳの上面上でメインゲート部分１６０Ｍの両側壁を覆う。
外側絶縁スペーサ１１８は、ゲート誘電膜１５２を挟んでゲートライン１６０と離隔される。
外側絶縁スペーサ１１８は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、ＳｉＣＮ、ＳｉＢＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＢＣＮ、ＳｉＯＣ、又はそれらの組み合わせを含み得る。
本明細書で使用される用語「ＳｉＣＮ」、「ＳｉＢＮ」、「ＳｉＯＮ」、「ＳｉＯＣＮ」、「ＳｉＢＣＮ」、及び「ＳｉＯＣ」は、それぞれの用語に含まれた元素からなる材料を意味するものであって、化学量論的関係を示す化学式ではない。
外側絶縁スペーサ１１８は、複数のナノシートスタックＮＳＳの上面上でメインゲート部分１６０Ｍの両側壁を覆う。
外側絶縁スペーサ１１８は、ゲート誘電膜１５２を挟んでゲートライン１６０と離隔される。
外側絶縁スペーサ１１８は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、ＳｉＣＮ、ＳｉＢＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＢＣＮ、ＳｉＯＣ、又はそれらの組み合わせを含み得る。
本明細書で使用される用語「ＳｉＣＮ」、「ＳｉＢＮ」、「ＳｉＯＮ」、「ＳｉＯＣＮ」、「ＳｉＢＣＮ」、及び「ＳｉＯＣ」は、それぞれの用語に含まれた元素からなる材料を意味するものであって、化学量論的関係を示す化学式ではない。
【0026】
複数のサブゲート部分１６０Ｓそれぞれの両側壁は、ゲート誘電膜１５２を挟んでソース／ドレイン領域１３０から離隔される。
ゲート誘電膜１５２は、ゲートライン１６０に含まれたサブゲート部分１６０Ｓと第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれとの間、及びゲートライン１６０に含まれたサブゲート部分１６０Ｓとソース／ドレイン領域１３０との間に介在する。
ゲート誘電膜１５２は、ゲートライン１６０に含まれたサブゲート部分１６０Ｓと第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれとの間、及びゲートライン１６０に含まれたサブゲート部分１６０Ｓとソース／ドレイン領域１３０との間に介在する。
【0027】
例示的な実施形態において、素子領域ＲＸに形成されるトランジスタＴＲは、ＰＭＯＳトランジスタであり、複数のソース／ドレイン領域１３０は、エピタキシャル成長した複数のＳｉＧｅ層からなる。
例えば、複数のソース／ドレイン領域１３０は、それぞれｐ型ドーパントでドーピングされたＳｉ１－ｘＧｅｘ層（ここで、ｘ≠０）からなり、リセスＲ１の最低面から垂直方向（Ｚ方向）に沿って遠くなるほどＧｅ元素の原子比が大きくなる。
ｐ型ドーパントは、ボロン（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、炭素（Ｃ）、又はそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、複数のソース／ドレイン領域１３０は、それぞれｐ型ドーパントでドーピングされたＳｉ１－ｘＧｅｘ層（ここで、０．０１≦ｘ≦０．７０）からなるが、それに限定されるものではない。
例えば、複数のソース／ドレイン領域１３０は、それぞれｐ型ドーパントでドーピングされたＳｉ１－ｘＧｅｘ層（ここで、ｘ≠０）からなり、リセスＲ１の最低面から垂直方向（Ｚ方向）に沿って遠くなるほどＧｅ元素の原子比が大きくなる。
ｐ型ドーパントは、ボロン（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、炭素（Ｃ）、又はそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、複数のソース／ドレイン領域１３０は、それぞれｐ型ドーパントでドーピングされたＳｉ１－ｘＧｅｘ層（ここで、０．０１≦ｘ≦０．７０）からなるが、それに限定されるものではない。
【0028】
他の例示的な実施形態において、素子領域ＲＸに形成されるトランジスタＴＲは、ＮＭＯＳトランジスタであり、複数のソース／ドレイン領域１３０は、エピタキシャル成長したＳｉ層、又はエピタキシャル成長したＳｉＣ層からなる。
例えば、複数のソース／ドレイン領域１３０は、それぞれｎ型ドーパントでドーピングされたＳｉ層からなり、ｎ型ドーパントは、リン（Ｐ）を含むが、それに限定されるものではない。
図１及び図２Ａに示したように、基板１０２上で複数のフィン型活性領域ＦＡと複数のゲートライン１６０とが交差する部分に複数の電界効果トランジスタＴＲが形成される。
複数の電界効果トランジスタＴＲは、ロジック回路又はメモリ素子を構成する。
例えば、複数のソース／ドレイン領域１３０は、それぞれｎ型ドーパントでドーピングされたＳｉ層からなり、ｎ型ドーパントは、リン（Ｐ）を含むが、それに限定されるものではない。
図１及び図２Ａに示したように、基板１０２上で複数のフィン型活性領域ＦＡと複数のゲートライン１６０とが交差する部分に複数の電界効果トランジスタＴＲが形成される。
複数の電界効果トランジスタＴＲは、ロジック回路又はメモリ素子を構成する。
【0029】
図２Ａ及び図２Ｂに示したように、ゲート誘電膜１５２、ゲートライン１６０、及び外側絶縁スペーサ１１８それぞれの上面は、キャッピング絶縁パターン１６４で覆われる。
キャッピング絶縁パターン１６４は、シリコン窒化膜を含み得る。
基板１０２上で複数の外側絶縁スペーサ１１８及び複数のソース／ドレイン領域１３０は、絶縁ライナー１４２で覆われる。
絶縁ライナー１４２は、それぞれシリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、ＳｉＣＮ、ＳｉＢＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＢＣＮ、ＳｉＯＣ、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例示的な実施形態において、絶縁ライナー１４２は省略可能である。
絶縁ライナー１４２上には、ゲート間絶縁膜１４４が配置される。
ゲート間絶縁膜１４４は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、又はそれらの組み合わせを含み得る。
絶縁ライナー１４２を省略した場合、ゲート間絶縁膜１４４は、複数のソース／ドレイン領域１３０に接する。
キャッピング絶縁パターン１６４は、シリコン窒化膜を含み得る。
基板１０２上で複数の外側絶縁スペーサ１１８及び複数のソース／ドレイン領域１３０は、絶縁ライナー１４２で覆われる。
絶縁ライナー１４２は、それぞれシリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、ＳｉＣＮ、ＳｉＢＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＢＣＮ、ＳｉＯＣ、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例示的な実施形態において、絶縁ライナー１４２は省略可能である。
絶縁ライナー１４２上には、ゲート間絶縁膜１４４が配置される。
ゲート間絶縁膜１４４は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、又はそれらの組み合わせを含み得る。
絶縁ライナー１４２を省略した場合、ゲート間絶縁膜１４４は、複数のソース／ドレイン領域１３０に接する。
【0030】
図１に示したように、フィン分離絶縁部１９０は、素子領域ＲＸにおいて第２水平方向（Ｙ方向）に沿って延長される。
フィン分離絶縁部１９０は、複数のゲートライン１６０と共に第２水平方向（Ｙ方向）に沿って平行に延長されるライン状の平面構造を有する。
図２Ａ及び図２Ｂに示したように、フィン分離絶縁部１９０は、基板１０２の一部を垂直方向（Ｚ方向）に貫通する下側分離部１９０Ｌと、ゲート間絶縁膜１４４及び絶縁ライナー１４２を垂直方向（Ｚ方向）に貫通する上側分離部１９０Ｕとを含む。
フィン分離絶縁部１９０は、複数のゲートライン１６０と共に第２水平方向（Ｙ方向）に沿って平行に延長されるライン状の平面構造を有する。
図２Ａ及び図２Ｂに示したように、フィン分離絶縁部１９０は、基板１０２の一部を垂直方向（Ｚ方向）に貫通する下側分離部１９０Ｌと、ゲート間絶縁膜１４４及び絶縁ライナー１４２を垂直方向（Ｚ方向）に貫通する上側分離部１９０Ｕとを含む。
【0031】
フィン分離絶縁部１９０は、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置される一対のフィン型活性領域ＦＡ上に配置される一対のソース／ドレイン領域１３０間に配置される。
フィン分離絶縁部１９０とフィン分離絶縁部１９０に隣接する１つのゲートライン１６０との間に、１つのソース／ドレイン領域１３０が配置される。
フィン分離絶縁部１９０は、フィン分離絶縁部１９０の最外部から第１水平方向（Ｘ方向）に沿ってフィン分離絶縁部１９０の中央部に向かって順次に配置される第１窒素リッチバリヤー膜１９２、第１分離絶縁膜１９４、第２窒素リッチバリヤー膜１９６、及び第２分離絶縁膜１９８を含む。
フィン分離絶縁部１９０とフィン分離絶縁部１９０に隣接する１つのゲートライン１６０との間に、１つのソース／ドレイン領域１３０が配置される。
フィン分離絶縁部１９０は、フィン分離絶縁部１９０の最外部から第１水平方向（Ｘ方向）に沿ってフィン分離絶縁部１９０の中央部に向かって順次に配置される第１窒素リッチバリヤー膜１９２、第１分離絶縁膜１９４、第２窒素リッチバリヤー膜１９６、及び第２分離絶縁膜１９８を含む。
【0032】
第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、フィン分離絶縁部１９０に隣接したソース／ドレイン領域１３０に対面する第１局部領域で、少なくとも１つの突出部１９２Ｐを有する。
第１局部領域は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内のフィン型活性領域ＦＡのフィン上面より高い第１垂直レベルＬＶ１（図２Ｂ参照）に対応する領域である。
図２Ａ及び図２Ｂには、第１窒素リッチバリヤー膜１９２がソース／ドレイン領域１３０に対面する複数の突出部１９２Ｐを有する構成を示したが、本発明が図２Ａ及び図２Ｂに示したものに限定されるものではない。
第１局部領域は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内のフィン型活性領域ＦＡのフィン上面より高い第１垂直レベルＬＶ１（図２Ｂ参照）に対応する領域である。
図２Ａ及び図２Ｂには、第１窒素リッチバリヤー膜１９２がソース／ドレイン領域１３０に対面する複数の突出部１９２Ｐを有する構成を示したが、本発明が図２Ａ及び図２Ｂに示したものに限定されるものではない。
【0033】
第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２により限定される空間内に配置され、第１分離絶縁膜１９４を挟んで第１窒素リッチバリヤー膜１９２から離隔された位置に配置される。
第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の第１垂直レベルＬＶ１にある第１局部領域に対面する第２局部領域を含む。
例示的な実施形態において、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の第２局部領域は、突出部又は凹凸なしに垂直方向（Ｚ方向）に沿って平坦に延長される滑らかな表面を有する。
他の例示的な実施形態において、第１垂直レベルＬＶ１で、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の第２局部領域は、突出部を含み得る。
但し、第２窒素リッチバリヤー膜１９６に含まれる突出部は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の突出部１９２Ｐより小さいサイズを有する。
第１垂直レベルＬＶ１において、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の表面粗さは、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の表面粗さよりも小さい。
本明細書で使用される用語「表面粗さ」は、表面での粗さ程度又は屈曲程度を意味する。
第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の第１垂直レベルＬＶ１にある第１局部領域に対面する第２局部領域を含む。
例示的な実施形態において、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の第２局部領域は、突出部又は凹凸なしに垂直方向（Ｚ方向）に沿って平坦に延長される滑らかな表面を有する。
他の例示的な実施形態において、第１垂直レベルＬＶ１で、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の第２局部領域は、突出部を含み得る。
但し、第２窒素リッチバリヤー膜１９６に含まれる突出部は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の突出部１９２Ｐより小さいサイズを有する。
第１垂直レベルＬＶ１において、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の表面粗さは、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の表面粗さよりも小さい。
本明細書で使用される用語「表面粗さ」は、表面での粗さ程度又は屈曲程度を意味する。
【0034】
第１窒素リッチバリヤー膜１９２及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、それぞれ窒素ドープシリコン酸化膜、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン膜、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例示的な実施形態において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、基板１０２に接する部分、ナノシート断片ＰＮに接する部分、誘電膜断片Ｐ１５２に接する部分、外側絶縁スペーサ１１８に接する部分、及びキャッピング絶縁パターン１６４に接する部分を含む。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の基板１０２に接する部分及びナノシート断片ＰＮに接する部分は、それぞれ窒素ドープシリコン膜からなる。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の誘電膜断片Ｐ１５２に接する部分は、窒素含有高誘電膜からなる。
例えば、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の誘電膜断片Ｐ１５２に接する部分は、窒素含有ハフニウム酸化膜からなるが、それに限定されるものではない。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の外側絶縁スペーサ１１８に接する部分は、窒素ドープシリコン酸化膜、窒素リッチシリコン窒化膜、又はそれらの組み合わせからなる。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内のキャッピング絶縁パターン１６４に接する部分は、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン酸化膜、又はそれらの組み合わせからなる。
例示的な実施形態において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、基板１０２に接する部分、ナノシート断片ＰＮに接する部分、誘電膜断片Ｐ１５２に接する部分、外側絶縁スペーサ１１８に接する部分、及びキャッピング絶縁パターン１６４に接する部分を含む。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の基板１０２に接する部分及びナノシート断片ＰＮに接する部分は、それぞれ窒素ドープシリコン膜からなる。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の誘電膜断片Ｐ１５２に接する部分は、窒素含有高誘電膜からなる。
例えば、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の誘電膜断片Ｐ１５２に接する部分は、窒素含有ハフニウム酸化膜からなるが、それに限定されるものではない。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内の外側絶縁スペーサ１１８に接する部分は、窒素ドープシリコン酸化膜、窒素リッチシリコン窒化膜、又はそれらの組み合わせからなる。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内のキャッピング絶縁パターン１６４に接する部分は、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン酸化膜、又はそれらの組み合わせからなる。
【0035】
第２窒素リッチバリヤー膜１９６の外部側壁は、第１分離絶縁膜１９４に接し、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の内部側壁は、第２分離絶縁膜１９８に接する。
例示的な実施形態において、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン酸化膜、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例えば、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、窒素リッチシリコン窒化膜からなる。
本明細書において、窒素ドープシリコン酸化膜は、窒素原子を含むＳｉＯ２膜を意味し、窒素リッチシリコン窒化膜は、Ｓｉ３Ｎ４膜における窒素原子の原子比よりさらに大きい原子比の窒素原子を含むシリコン窒化膜を意味し、窒素ドープシリコン膜は、ｐ型ドーパント及び／又はｎ型ドーパントでドーピングされたＳｉ膜、又はドーピングされないＳｉ膜にさらに窒素原子が含有された膜を意味する。
例示的な実施形態において、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、窒素リッチシリコン窒化膜、窒素ドープシリコン酸化膜、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例えば、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、窒素リッチシリコン窒化膜からなる。
本明細書において、窒素ドープシリコン酸化膜は、窒素原子を含むＳｉＯ２膜を意味し、窒素リッチシリコン窒化膜は、Ｓｉ３Ｎ４膜における窒素原子の原子比よりさらに大きい原子比の窒素原子を含むシリコン窒化膜を意味し、窒素ドープシリコン膜は、ｐ型ドーパント及び／又はｎ型ドーパントでドーピングされたＳｉ膜、又はドーピングされないＳｉ膜にさらに窒素原子が含有された膜を意味する。
【0036】
例示的な実施形態において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６それぞれにおける窒素含量は、約３０原子％～約８０原子％の範囲内で選択されるが、それに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の一部領域における窒素含量は、第２窒素リッチバリヤー膜１９６における窒素含量よりも少ない。
例えば、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の一部領域における窒素含量は、約３０原子％～約４０原子％の範囲内で選択され、第２窒素リッチバリヤー膜１９６における窒素含量は、約３０原子％～約８０原子％の範囲内で選択されるが、それらに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の一部領域における窒素含量は、第２窒素リッチバリヤー膜１９６における窒素含量よりも少ない。
例えば、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の一部領域における窒素含量は、約３０原子％～約４０原子％の範囲内で選択され、第２窒素リッチバリヤー膜１９６における窒素含量は、約３０原子％～約８０原子％の範囲内で選択されるが、それらに限定されるものではない。
【0037】
第１分離絶縁膜１９４は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２により取り囲まれ、第１窒素リッチバリヤー膜１９２と第２窒素リッチバリヤー膜１９６との間に介在する。
第２分離絶縁膜１９８は、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により取り囲まれ、第２窒素リッチバリヤー膜１９６を挟んで第１分離絶縁膜１９４から離隔される。
例示的な実施形態において、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、それぞれシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例えば、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、それぞれ化学量論的に安定したＳｉ３Ｎ４膜、又はシリコン原子と窒素原子との原子比が約３：４であるシリコン窒化膜からなる。
第２分離絶縁膜１９８は、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により取り囲まれ、第２窒素リッチバリヤー膜１９６を挟んで第１分離絶縁膜１９４から離隔される。
例示的な実施形態において、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、それぞれシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例えば、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、それぞれ化学量論的に安定したＳｉ３Ｎ４膜、又はシリコン原子と窒素原子との原子比が約３：４であるシリコン窒化膜からなる。
【0038】
例えば、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、それぞれ窒素原子に対するシリコン原子の結合比が約０．７５又はその以下であるシリコン窒化膜からなる。
この場合、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、窒素原子に対するシリコン原子の結合比が約０．７５を超える窒素リッチシリコン窒化膜からなる。
例えば、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、ＳｉｘＮｙ膜（ここで、ｘが３であるとき、ｙは４を超える自然数であるか、ｙが４であるとき、ｘは３未満である自然数である）からなる。
第１分離絶縁膜１９４は、第１垂直レベルＬＶ１（図２Ｂ参照）で第１窒素リッチバリヤー膜１９２の突出部１９２Ｐに対応する領域に形成され、ソース／ドレイン領域１３０に対面する少なくとも１つの突出部１９４Ｐを含む。
図２Ａ及び図２Ｂには、第１分離絶縁膜１９４がソース／ドレイン領域１３０に対面する複数の突出部１９４Ｐを有する構成を示したが、本発明が図２Ａ及び図２Ｂに示したものに限定されるものではない。
この場合、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、窒素原子に対するシリコン原子の結合比が約０．７５を超える窒素リッチシリコン窒化膜からなる。
例えば、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、ＳｉｘＮｙ膜（ここで、ｘが３であるとき、ｙは４を超える自然数であるか、ｙが４であるとき、ｘは３未満である自然数である）からなる。
第１分離絶縁膜１９４は、第１垂直レベルＬＶ１（図２Ｂ参照）で第１窒素リッチバリヤー膜１９２の突出部１９２Ｐに対応する領域に形成され、ソース／ドレイン領域１３０に対面する少なくとも１つの突出部１９４Ｐを含む。
図２Ａ及び図２Ｂには、第１分離絶縁膜１９４がソース／ドレイン領域１３０に対面する複数の突出部１９４Ｐを有する構成を示したが、本発明が図２Ａ及び図２Ｂに示したものに限定されるものではない。
【0039】
図２Ａ及び図２Ｂに示したように、フィン分離絶縁部１９０において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２、第１分離絶縁膜１９４、及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、それぞれＵ字形の断面形状を有する。
第１分離絶縁膜１９４、第２窒素リッチバリヤー膜１９６、及び第２分離絶縁膜１９８それぞれの全ての部分は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２により限定される空間、すなわち、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内部空間に配置される。
第２窒素リッチバリヤー膜１９６及び第２分離絶縁膜１９８それぞれの全ての部分は、第１分離絶縁膜１９４により限定される空間、すなわち、第１分離絶縁膜１９４の内部空間に配置される。
第２分離絶縁膜１９８の全ての部分は、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される空間、すなわち、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の内部空間に配置される。
第２分離絶縁膜１９８は、内部が絶縁物質で充填されたプラグ（ｐｌｕｇ）形状を有する。
第１分離絶縁膜１９４、第２窒素リッチバリヤー膜１９６、及び第２分離絶縁膜１９８それぞれの全ての部分は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２により限定される空間、すなわち、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内部空間に配置される。
第２窒素リッチバリヤー膜１９６及び第２分離絶縁膜１９８それぞれの全ての部分は、第１分離絶縁膜１９４により限定される空間、すなわち、第１分離絶縁膜１９４の内部空間に配置される。
第２分離絶縁膜１９８の全ての部分は、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される空間、すなわち、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の内部空間に配置される。
第２分離絶縁膜１９８は、内部が絶縁物質で充填されたプラグ（ｐｌｕｇ）形状を有する。
【0040】
フィン分離絶縁部１９０において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２、第１分離絶縁膜１９４、第２窒素リッチバリヤー膜１９６、及び第２分離絶縁膜１９８それぞれの最上面は、同一垂直レベルで同一平面（図２Ａ及び図２ＢにおいてＸ－Ｙ平面）上にある。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２、第１分離絶縁膜１９４、第２窒素リッチバリヤー膜１９６、及び第２分離絶縁膜１９８それぞれの最低面の垂直レベルは、互いに異なっている。
図２Ａ及び図２Ｃに示したように、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の最低面の垂直レベルは、第１分離絶縁膜１９４の最低面の垂直レベルより低く、第１分離絶縁膜１９４の最低面の垂直レベルは、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の最低面の垂直レベルより低く、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の最低面の垂直レベルは、第２分離絶縁膜１９８の最低面の垂直レベルより低い。
第１窒素リッチバリヤー膜１９２、第１分離絶縁膜１９４、第２窒素リッチバリヤー膜１９６、及び第２分離絶縁膜１９８それぞれの最低面の垂直レベルは、互いに異なっている。
図２Ａ及び図２Ｃに示したように、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の最低面の垂直レベルは、第１分離絶縁膜１９４の最低面の垂直レベルより低く、第１分離絶縁膜１９４の最低面の垂直レベルは、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の最低面の垂直レベルより低く、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の最低面の垂直レベルは、第２分離絶縁膜１９８の最低面の垂直レベルより低い。
【0041】
図２Ａ及び図２Ｂに示したように、フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌは、第１垂直レベルＬＶ１より低い第２垂直レベルＬＶ２で基板１０２の一部を貫通して垂直方向（Ｚ方向）に延長される。
また、フィン分離絶縁部１９０の上側分離部１９０Ｕは、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれのフィン上面ＦＴの垂直レベルより高い垂直レベルで垂直方向（Ｚ方向）に沿って基板１０２から遠くなる方向に延長される。
フィン分離絶縁部１９０の最低部、すなわち、下側分離部１９０Ｌの最低部の垂直レベルは、ソース／ドレイン領域１３０の最低部の垂直レベルよりもさらに低い。
フィン分離絶縁部１９０の上側分離部１９０Ｕは、フィン分離絶縁部１９０を挟んで両側で隣接する一対のゲートライン１６０間に介在する。
第１水平方向（Ｘ方向）において、下側分離部１９０Ｌの幅は、フィン分離絶縁部１９０の他の部分よりもさらに小さい。
例えば、第１水平方向（Ｘ方向）において、下側分離部１９０Ｌは、上側分離部１９０Ｕよりさらに小さい幅を有する。
また、フィン分離絶縁部１９０の上側分離部１９０Ｕは、複数のフィン型活性領域ＦＡそれぞれのフィン上面ＦＴの垂直レベルより高い垂直レベルで垂直方向（Ｚ方向）に沿って基板１０２から遠くなる方向に延長される。
フィン分離絶縁部１９０の最低部、すなわち、下側分離部１９０Ｌの最低部の垂直レベルは、ソース／ドレイン領域１３０の最低部の垂直レベルよりもさらに低い。
フィン分離絶縁部１９０の上側分離部１９０Ｕは、フィン分離絶縁部１９０を挟んで両側で隣接する一対のゲートライン１６０間に介在する。
第１水平方向（Ｘ方向）において、下側分離部１９０Ｌの幅は、フィン分離絶縁部１９０の他の部分よりもさらに小さい。
例えば、第１水平方向（Ｘ方向）において、下側分離部１９０Ｌは、上側分離部１９０Ｕよりさらに小さい幅を有する。
【0042】
フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌにおいて、第１窒素リッチバリヤー膜１９２及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、互いに異なる物質からなり、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、互いに同一の物質からなる。
例えば、フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌにおいて、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、基板１０２に接し、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、約３０原子％～約４０原子％の範囲内で選択される窒素含量を有する窒素ドープシリコン膜からなる。
フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌにおいて、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、第１分離絶縁膜１９４と第２分離絶縁膜１９８との間に介在し、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、約６０原子％～約８０原子％の範囲内で選択される窒素含量を有する窒素リッチシリコン窒化膜からなる。
しかし、本発明が上記例示したところに限定されるものではない。
フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌにおいて、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、それぞれ窒素原子に対するシリコン原子の結合比が約０．７５又はその以下であるシリコン窒化膜からなることもできる。
例えば、フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌにおいて、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、基板１０２に接し、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、約３０原子％～約４０原子％の範囲内で選択される窒素含量を有する窒素ドープシリコン膜からなる。
フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌにおいて、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、第１分離絶縁膜１９４と第２分離絶縁膜１９８との間に介在し、第２窒素リッチバリヤー膜１９６は、約６０原子％～約８０原子％の範囲内で選択される窒素含量を有する窒素リッチシリコン窒化膜からなる。
しかし、本発明が上記例示したところに限定されるものではない。
フィン分離絶縁部１９０の下側分離部１９０Ｌにおいて、第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、それぞれ窒素原子に対するシリコン原子の結合比が約０．７５又はその以下であるシリコン窒化膜からなることもできる。
【0043】
図１に示したように、複数のゲートライン１６０は、複数のダミーゲートラインＤＧを含む。
複数のダミーゲートラインＤＧは、それぞれ第２水平方向（Ｙ方向）に沿ってフィン分離絶縁部１９０と一直線上に配置され、フィン分離絶縁部１９０の一端部から第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
複数のダミーゲートラインＤＧは、それぞれ第１水平方向（Ｘ方向）にフィン分離絶縁部１９０と隣接するゲートライン１６０の断面構造、例えば、図２Ａに示したゲートライン１６０の断面構造と同一断面構造を有する。
第１水平方向（Ｘ方向）において、フィン分離絶縁部１９０を挟んで両側で隣接する一対のゲートライン１６０の内から選択される１つのゲートライン１６０と、フィン分離絶縁部１９０と一直線上に配置されるダミーゲートラインＤＧとの距離は、上記一対のゲートライン１６０の内から選択される他の１つのゲートライン１６０と、フィン分離絶縁部１９０と一直線上に配置されるダミーゲートラインＤＧとの距離と同一又は類似している。
複数のダミーゲートラインＤＧは、それぞれ第２水平方向（Ｙ方向）に沿ってフィン分離絶縁部１９０と一直線上に配置され、フィン分離絶縁部１９０の一端部から第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
複数のダミーゲートラインＤＧは、それぞれ第１水平方向（Ｘ方向）にフィン分離絶縁部１９０と隣接するゲートライン１６０の断面構造、例えば、図２Ａに示したゲートライン１６０の断面構造と同一断面構造を有する。
第１水平方向（Ｘ方向）において、フィン分離絶縁部１９０を挟んで両側で隣接する一対のゲートライン１６０の内から選択される１つのゲートライン１６０と、フィン分離絶縁部１９０と一直線上に配置されるダミーゲートラインＤＧとの距離は、上記一対のゲートライン１６０の内から選択される他の１つのゲートライン１６０と、フィン分離絶縁部１９０と一直線上に配置されるダミーゲートラインＤＧとの距離と同一又は類似している。
【0044】
図２Ａ及び図２Ｂに示したように、集積回路素子１００は、複数のソース／ドレイン領域１３０上に配置される複数のソース／ドレインコンタクト１７４を含む。
複数のソース／ドレインコンタクト１７４は、それぞれソース／ドレイン領域１３０上で垂直方向（Ｚ方向）に沿って基板１０２から遠くなる方向に延長される。
ソース／ドレイン領域１３０とソース／ドレインコンタクト１７４との間には、金属シリサイド膜１７２が介在する。
複数のソース／ドレインコンタクト１７４は、それぞれゲート間絶縁膜１４４及び絶縁ライナー１４２を垂直方向（Ｚ方向）に貫通し、ソース／ドレイン領域１３０の内部まで延長するコンタクトホール１７０Ｈの内部を充填する。
ソース／ドレイン領域１３０は、金属シリサイド膜１７２を挟んでソース／ドレインコンタクト１７４から離隔される。
ソース／ドレイン領域１３０は、それぞれコンタクトホール１７０Ｈの外部でソース／ドレインコンタクト１７４の底部を取り囲む。
複数のソース／ドレインコンタクト１７４は、それぞれソース／ドレイン領域１３０上で垂直方向（Ｚ方向）に沿って基板１０２から遠くなる方向に延長される。
ソース／ドレイン領域１３０とソース／ドレインコンタクト１７４との間には、金属シリサイド膜１７２が介在する。
複数のソース／ドレインコンタクト１７４は、それぞれゲート間絶縁膜１４４及び絶縁ライナー１４２を垂直方向（Ｚ方向）に貫通し、ソース／ドレイン領域１３０の内部まで延長するコンタクトホール１７０Ｈの内部を充填する。
ソース／ドレイン領域１３０は、金属シリサイド膜１７２を挟んでソース／ドレインコンタクト１７４から離隔される。
ソース／ドレイン領域１３０は、それぞれコンタクトホール１７０Ｈの外部でソース／ドレインコンタクト１７４の底部を取り囲む。
【0045】
例示的な実施形態において、複数のソース／ドレインコンタクト１７４は、それぞれ金属、導電性金属窒化物、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例えば、複数のソース／ドレインコンタクト１７４は、それぞれＷ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、ＴａＮ、それらの合金、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例示的な実施形態において、金属シリサイド膜１７２は、チタンシリサイドからなるが、それに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、金属シリサイド膜１７２は、省略可能である。
例えば、複数のソース／ドレインコンタクト１７４は、それぞれＷ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、ＴａＮ、それらの合金、又はそれらの組み合わせを含み得る。
例示的な実施形態において、金属シリサイド膜１７２は、チタンシリサイドからなるが、それに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、金属シリサイド膜１７２は、省略可能である。
【0046】
図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して説明した集積回路素子１００は、互いに離隔された複数の窒素リッチバリヤー膜を含むフィン分離絶縁部１９０を含む。
フィン分離絶縁部１９０は、互いに離隔された第１窒素リッチバリヤー膜１９２及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６を含み、第１窒素リッチバリヤー膜１９２と第２窒素リッチバリヤー膜１９６との空間、及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される空間は、ボイドがない緻密な構造を有する第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８で充填される。
したがって、集積回路素子１００において隣接したトランジスタ間の絶縁のために提供されるフィン分離領域に配置されるフィン分離絶縁部１９０は、内部にボイドを含まない信頼性のある構造を有する。
フィン分離絶縁部１９０は、互いに離隔された第１窒素リッチバリヤー膜１９２及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６を含み、第１窒素リッチバリヤー膜１９２と第２窒素リッチバリヤー膜１９６との空間、及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される空間は、ボイドがない緻密な構造を有する第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８で充填される。
したがって、集積回路素子１００において隣接したトランジスタ間の絶縁のために提供されるフィン分離領域に配置されるフィン分離絶縁部１９０は、内部にボイドを含まない信頼性のある構造を有する。
【0047】
したがって、フィン分離絶縁部１９０により提供されるフィン分離領域は、ボイドのような構造的に脆弱な欠陥がない安定した構造を有する。
特に、ダウンスケーリングによって、素子領域の面積が縮小し、フィン分離領域のアスペクト比が増加しても、フィン分離絶縁部１９０を挟んで隣接したトランジスタＴＲそれぞれ間の絶縁がフィン分離絶縁部１９０により安定して行われ、隣接したトランジスタＴＲ間に所望しない漏れ電流を抑制することができる。
したがって、集積回路素子１００に含まれた複数のトランジスタＴＲで最適のパフォーマンスを提供することができ、集積回路素子１００の信頼性が向上しうる。
特に、ダウンスケーリングによって、素子領域の面積が縮小し、フィン分離領域のアスペクト比が増加しても、フィン分離絶縁部１９０を挟んで隣接したトランジスタＴＲそれぞれ間の絶縁がフィン分離絶縁部１９０により安定して行われ、隣接したトランジスタＴＲ間に所望しない漏れ電流を抑制することができる。
したがって、集積回路素子１００に含まれた複数のトランジスタＴＲで最適のパフォーマンスを提供することができ、集積回路素子１００の信頼性が向上しうる。
【0048】
図３は、本発明の他の実施形態による集積回路素子２００Ａを説明するための部分平面図である。
図３を参照すると、集積回路素子２００Ａは、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して集積回路素子１００について説明したところとほぼ同様な構成を有する。
但し、集積回路素子２００Ａは、素子領域ＲＸＡに配置される複数のフィン型活性領域ＦＡ２と、フィン分離絶縁部２９０Ａとを含む。
複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、フィン分離絶縁部２９０Ａを挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置される複数対のフィン型活性領域ＦＡ２を含む。
図３を参照すると、集積回路素子２００Ａは、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して集積回路素子１００について説明したところとほぼ同様な構成を有する。
但し、集積回路素子２００Ａは、素子領域ＲＸＡに配置される複数のフィン型活性領域ＦＡ２と、フィン分離絶縁部２９０Ａとを含む。
複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、フィン分離絶縁部２９０Ａを挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置される複数対のフィン型活性領域ＦＡ２を含む。
【0049】
複数のフィン型活性領域ＦＡ２上で、複数のゲートライン２６０が第２水平方向（Ｙ方向）に互いに平行に延長される。
複数のゲートライン２６０の内から選択される１つのゲートライン２６０は、フィン分離絶縁部２９０Ａと他のゲートライン２６０との間に介在する。
複数のゲートライン２６０は、複数のダミーゲートラインＤＧを含む。
複数のダミーゲートラインＤＧは、それぞれ第２水平方向（Ｙ方向）に沿ってフィン分離絶縁部２９０Ａと一直線上に配置され、フィン分離絶縁部２９０Ａの一端部から第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
素子領域ＲＸＡ、フィン型活性領域ＦＡ２、ゲートライン２６０、及びフィン分離絶縁部２９０Ａについてのより詳細な構成は、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して素子領域ＲＸ、フィン型活性領域ＦＡ、ゲートライン１６０、及びフィン分離絶縁部１９０について説明したところとほぼ同様である。
複数のゲートライン２６０の内から選択される１つのゲートライン２６０は、フィン分離絶縁部２９０Ａと他のゲートライン２６０との間に介在する。
複数のゲートライン２６０は、複数のダミーゲートラインＤＧを含む。
複数のダミーゲートラインＤＧは、それぞれ第２水平方向（Ｙ方向）に沿ってフィン分離絶縁部２９０Ａと一直線上に配置され、フィン分離絶縁部２９０Ａの一端部から第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
素子領域ＲＸＡ、フィン型活性領域ＦＡ２、ゲートライン２６０、及びフィン分離絶縁部２９０Ａについてのより詳細な構成は、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して素子領域ＲＸ、フィン型活性領域ＦＡ、ゲートライン１６０、及びフィン分離絶縁部１９０について説明したところとほぼ同様である。
【0050】
図４は、本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子２００Ｂを説明するための部分平面図である。
図４を参照すると、集積回路素子２００Ｂは、図３を参照して集積回路素子２００Ａについて説明したところとほぼ同様な構成を有する。
但し、集積回路素子２００Ｂは、素子領域ＲＸＢに配置される複数のフィン型活性領域ＦＡ２と、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂとを含む。
複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂの内から選択された１つのフィン分離絶縁部２９０Ｂを挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置される複数対のフィン型活性領域ＦＡ２を含む。
図４を参照すると、集積回路素子２００Ｂは、図３を参照して集積回路素子２００Ａについて説明したところとほぼ同様な構成を有する。
但し、集積回路素子２００Ｂは、素子領域ＲＸＢに配置される複数のフィン型活性領域ＦＡ２と、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂとを含む。
複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂの内から選択された１つのフィン分離絶縁部２９０Ｂを挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置される複数対のフィン型活性領域ＦＡ２を含む。
【0051】
素子領域ＲＸＢにおいて、複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、第１水平方向（Ｘ方向）に延長される一直線に沿って整列された３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２を含むものである。
３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内の隣接する一対のフィン型活性領域ＦＡ２は、それぞれ１つのフィン分離絶縁部２９０Ｂを挟んで互いに離隔される。
素子領域ＲＸＢにおいて、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂは、それぞれ第１水平方向（Ｘ方向）に延長される一直線に沿って整列された３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内から選択され、互いに隣接する２つのフィン型活性領域ＦＡ２間を通過するように第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
素子領域ＲＸＢ及び一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂについてのより詳細な構成は、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して素子領域ＲＸ及びフィン分離絶縁部１９０について説明したところとほぼ同様である。
３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内の隣接する一対のフィン型活性領域ＦＡ２は、それぞれ１つのフィン分離絶縁部２９０Ｂを挟んで互いに離隔される。
素子領域ＲＸＢにおいて、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂは、それぞれ第１水平方向（Ｘ方向）に延長される一直線に沿って整列された３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内から選択され、互いに隣接する２つのフィン型活性領域ＦＡ２間を通過するように第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
素子領域ＲＸＢ及び一対のフィン分離絶縁部２９０Ｂについてのより詳細な構成は、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して素子領域ＲＸ及びフィン分離絶縁部１９０について説明したところとほぼ同様である。
【0052】
図５は、本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子２００Ｃを説明するための部分平面図である。
図５を参照すると、集積回路素子２００Ｃは、図４を参照して集積回路素子２００Ｂについて説明したところとほぼ同様な構成を有する。
但し、集積回路素子２００Ｃは、素子領域ＲＸＣに配置される複数のフィン型活性領域ＦＡ２と、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃとを含む。
複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃの内から選択された１つのフィン分離絶縁部２９０Ｂを挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置される複数対のフィン型活性領域ＦＡ２を含む。
図５を参照すると、集積回路素子２００Ｃは、図４を参照して集積回路素子２００Ｂについて説明したところとほぼ同様な構成を有する。
但し、集積回路素子２００Ｃは、素子領域ＲＸＣに配置される複数のフィン型活性領域ＦＡ２と、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃとを含む。
複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃの内から選択された１つのフィン分離絶縁部２９０Ｂを挟んで互いに離隔され、第１水平方向（Ｘ方向）に沿って一直線に配置される複数対のフィン型活性領域ＦＡ２を含む。
【0053】
素子領域ＲＸＣにおいて、複数のフィン型活性領域ＦＡ２は、第１水平方向（Ｘ方向）に延長される一直線に沿って整列された３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２を含むものである。
３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内の隣接する一対のフィン型活性領域ＦＡ２は、それぞれ１つのフィン分離絶縁部２９０Ｃを挟んで互いに離隔される。
素子領域ＲＸＣにおいて、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃは、それぞれ第１水平方向（Ｘ方向）に延長される一直線に沿って整列された３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内から選択され、互いに隣接する２つのフィン型活性領域ＦＡ２間を通過するように第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内の隣接する一対のフィン型活性領域ＦＡ２は、それぞれ１つのフィン分離絶縁部２９０Ｃを挟んで互いに離隔される。
素子領域ＲＸＣにおいて、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃは、それぞれ第１水平方向（Ｘ方向）に延長される一直線に沿って整列された３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内から選択され、互いに隣接する２つのフィン型活性領域ＦＡ２間を通過するように第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
【0054】
集積回路素子２００Ｃに含まれる複数のゲートライン２６０は、第１水平方向（Ｘ方向）に延長される一直線に沿って整列された３個の複数のフィン型活性領域ＦＡ２の内から選択され、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃ間にあるフィン型活性領域ＦＡ２上に配置される１つのゲートライン２６０を含む。
１つのゲートライン２６０は、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃ間で第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
素子領域ＲＸＣ及び一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃについてのより詳細な構成は、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して素子領域ＲＸ及びフィン分離絶縁部１９０について説明したところとほぼ同様である。
１つのゲートライン２６０は、一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃ間で第２水平方向（Ｙ方向）に延長される。
素子領域ＲＸＣ及び一対のフィン分離絶縁部２９０Ｃについてのより詳細な構成は、図１及び図２Ａ～図２Ｃを参照して素子領域ＲＸ及びフィン分離絶縁部１９０について説明したところとほぼ同様である。
【0055】
図６Ａ～図６Ｍは、本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するための工程順部分断面図である。
図６Ａ～図６Ｍには、図１のＸ１－Ｘ１’線に沿って切断した断面に対応する部分の工程順による断面構成を示す。
図６Ａ～図６Ｍを参照して、図１及び図２Ａ～図２Ｃに示した集積回路素子１００の製造方法について説明する。
図６Ａ～図６Ｍにおいて、図２Ａ～図２Ｃと同一参照符号は、同一部材を示し、ここで、それらに関連する詳細な説明を省略する。
図６Ａ～図６Ｍには、図１のＸ１－Ｘ１’線に沿って切断した断面に対応する部分の工程順による断面構成を示す。
図６Ａ～図６Ｍを参照して、図１及び図２Ａ～図２Ｃに示した集積回路素子１００の製造方法について説明する。
図６Ａ～図６Ｍにおいて、図２Ａ～図２Ｃと同一参照符号は、同一部材を示し、ここで、それらに関連する詳細な説明を省略する。
【0056】
図６Ａを参照すると、基板１０２上に複数の犠牲半導体層１０４と複数のナノシート半導体層ＮＳとを一層ずつ交互に積層した後、複数の犠牲半導体層１０４、複数のナノシート半導体層ＮＳ、及び基板１０２の一部をエッチングし、基板１０２にフィン型活性領域ＦＡを定義する。
その後、フィン型活性領域ＦＡの側壁を覆う素子分離膜１１４（図２Ｃ参照）を形成する。
フィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴ上には、複数の犠牲半導体層１０４及び複数のナノシート半導体層ＮＳの積層構造が残っている。
その後、フィン型活性領域ＦＡの側壁を覆う素子分離膜１１４（図２Ｃ参照）を形成する。
フィン型活性領域ＦＡのフィン上面ＦＴ上には、複数の犠牲半導体層１０４及び複数のナノシート半導体層ＮＳの積層構造が残っている。
【0057】
複数の犠牲半導体層１０４及び複数のナノシート半導体層ＮＳは、エッチング選択比が互いに異なる半導体材料を含む。
例示的な実施形態において、複数のナノシート半導体層ＮＳは、Ｓｉ層からなり、複数の犠牲半導体層１０４は、ＳｉＧｅ層からなる。
例示的な実施形態において、複数の犠牲半導体層１０４内でのＧｅ含量は、一定である。
複数の犠牲半導体層１０４を構成するＳｉＧｅ層は、約５原子％～約６０原子％、例えば、約１０原子％～約４０原子％の範囲内で選択される一定のＧｅ含量を有し得る。
複数の犠牲半導体層１０４を構成するＳｉＧｅ層内でのＧｅ含量は、必要に応じて多様に選択可能である。
例示的な実施形態において、複数のナノシート半導体層ＮＳは、Ｓｉ層からなり、複数の犠牲半導体層１０４は、ＳｉＧｅ層からなる。
例示的な実施形態において、複数の犠牲半導体層１０４内でのＧｅ含量は、一定である。
複数の犠牲半導体層１０４を構成するＳｉＧｅ層は、約５原子％～約６０原子％、例えば、約１０原子％～約４０原子％の範囲内で選択される一定のＧｅ含量を有し得る。
複数の犠牲半導体層１０４を構成するＳｉＧｅ層内でのＧｅ含量は、必要に応じて多様に選択可能である。
【0058】
図６Ｂを参照すると、複数の犠牲半導体層１０４及び複数のナノシート半導体層ＮＳの積層構造上に複数のダミーゲート構造物ＤＧＳを形成する。
複数のダミーゲート構造物ＤＧＳは、それぞれ第２水平方向（Ｙ方向）に延長されるように形成する。
複数のダミーゲート構造物ＤＧＳは、それぞれ酸化膜Ｄ１２２、ダミーゲート層Ｄ１２４、及びキャッピング層Ｄ１２６が順次に積層された構造を有する。
例示的な実施形態において、ダミーゲート層Ｄ１２４は、ポリシリコンからなり、キャッピング層Ｄ１２６は、シリコン窒化膜からなる。
複数のダミーゲート構造物ＤＧＳは、それぞれ第２水平方向（Ｙ方向）に延長されるように形成する。
複数のダミーゲート構造物ＤＧＳは、それぞれ酸化膜Ｄ１２２、ダミーゲート層Ｄ１２４、及びキャッピング層Ｄ１２６が順次に積層された構造を有する。
例示的な実施形態において、ダミーゲート層Ｄ１２４は、ポリシリコンからなり、キャッピング層Ｄ１２６は、シリコン窒化膜からなる。
【0059】
図６Ｃを参照すると、複数のダミーゲート構造物ＤＧＳそれぞれの両側壁を覆う複数の外側絶縁スペーサ１１８を形成した後、複数のダミーゲート構造物ＤＧＳ及び複数の外側絶縁スペーサ１１８をエッチングマスクとして利用して、複数の犠牲半導体層１０４及び複数のナノシート半導体層ＮＳそれぞれの一部と、フィン型活性領域ＦＡの一部とをエッチングし、複数のナノシート半導体層ＮＳを複数のナノシートスタックＮＳＳに分割し、フィン型活性領域ＦＡの上部に複数のリセスＲ１を形成する。
複数のナノシートスタックＮＳＳは、それぞれ第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３を含む。
複数のリセスＲ１を形成するために、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はそれらの組み合わせを利用してエッチングする。
複数のナノシートスタックＮＳＳは、それぞれ第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３を含む。
複数のリセスＲ１を形成するために、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はそれらの組み合わせを利用してエッチングする。
【0060】
図６Ｄを参照すると、図６Ｃの結果物において、複数のリセスＲ１を充填する複数のソース／ドレイン領域１３０を形成する。
複数のソース／ドレイン領域１３０を形成するために、複数のリセスＲ１の底面で露出されるフィン型活性領域ＦＡの表面、ナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの側壁から半導体物質をエピタキシャル成長させる。
複数のソース／ドレイン領域１３０を形成するために、複数のリセスＲ１の底面で露出されるフィン型活性領域ＦＡの表面、ナノシートスタックＮＳＳに含まれた第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの側壁から半導体物質をエピタキシャル成長させる。
【0061】
図６Ｅを参照すると、図６Ｄの結果物を覆う絶縁ライナー１４２を形成し、絶縁ライナー１４２上にゲート間絶縁膜１４４を形成した後、絶縁ライナー１４２及びゲート間絶縁膜１４４を平坦化し、キャッピング層Ｄ１２６の上面を露出させる。
図６Ｆを参照すると、図６Ｅの結果物からキャッピング層Ｄ１２６を除去して、ダミーゲート層Ｄ１２４の上面を露出させ、ゲート間絶縁膜１４４の上面とダミーゲート層Ｄ１２４の上面とがほぼ同一レベルになるように、絶縁ライナー１４２及びゲート間絶縁膜１４４を一部除去する。
図６Ｆを参照すると、図６Ｅの結果物からキャッピング層Ｄ１２６を除去して、ダミーゲート層Ｄ１２４の上面を露出させ、ゲート間絶縁膜１４４の上面とダミーゲート層Ｄ１２４の上面とがほぼ同一レベルになるように、絶縁ライナー１４２及びゲート間絶縁膜１４４を一部除去する。
【0062】
図６Ｇを参照すると、図６Ｆの結果物からダミーゲート層Ｄ１２４及びその下部の酸化膜Ｄ１２２を除去して、ゲート空間ＧＳを設け、ゲート空間ＧＳを介して複数のナノシートスタックＮＳＳを露出させる。
その後、フィン型活性領域ＦＡ上に残っている複数の犠牲半導体層１０４を、ゲート空間ＧＳを介して除去し、ゲート空間ＧＳを、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれ間の空間と、第１ナノシートＮ１とフィン上面ＦＴとの空間まで拡張する。
例示的な実施形態において、複数の犠牲半導体層１０４を選択的に除去するために、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３と複数の犠牲半導体層１０４とのエッチング選択比差を利用する。
その後、フィン型活性領域ＦＡ上に残っている複数の犠牲半導体層１０４を、ゲート空間ＧＳを介して除去し、ゲート空間ＧＳを、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれ間の空間と、第１ナノシートＮ１とフィン上面ＦＴとの空間まで拡張する。
例示的な実施形態において、複数の犠牲半導体層１０４を選択的に除去するために、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３と複数の犠牲半導体層１０４とのエッチング選択比差を利用する。
【0063】
図６Ｈを参照すると、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、第３ナノシートＮ３及びフィン型活性領域ＦＡそれぞれの露出された表面を覆うゲート誘電膜１５２を形成する。
ゲート誘電膜１５２を形成するために、ＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を利用する。
図６Ｉを参照すると、ゲート誘電膜１５２上でゲート空間ＧＳ（図６Ｈ参照）を充填しつつ、ゲート間絶縁膜１４４の上面を覆うゲート形成用導電層１６０Ｌを形成する。
ゲート形成用導電層１６０Ｌは、金属、金属窒化物、金属炭化物、又はそれらの組み合わせを含み得る。
ゲート形成用導電層１６０Ｌを形成するために、ＡＬＤ工程又はＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を利用する。
ゲート誘電膜１５２を形成するために、ＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を利用する。
図６Ｉを参照すると、ゲート誘電膜１５２上でゲート空間ＧＳ（図６Ｈ参照）を充填しつつ、ゲート間絶縁膜１４４の上面を覆うゲート形成用導電層１６０Ｌを形成する。
ゲート形成用導電層１６０Ｌは、金属、金属窒化物、金属炭化物、又はそれらの組み合わせを含み得る。
ゲート形成用導電層１６０Ｌを形成するために、ＡＬＤ工程又はＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を利用する。
【0064】
図６Ｊを参照すると、図６Ｉの結果物において、ゲート間絶縁膜１４４の上面が露出され、ゲート空間ＧＳの上側一部が再び空になるように、ゲート形成用導電層１６０Ｌ及びゲート誘電膜１５２をその上面から一部除去し、ゲートライン１６０を形成する。
このとき、複数の外側絶縁スペーサ１１８も、それらそれぞれの上側から一部が消耗され、複数の外側絶縁スペーサ１１８それぞれの高さが低くなる。
その後、ゲートライン１６０上でゲート空間ＧＳを充填するキャッピング絶縁パターン１６４を形成する。
このとき、複数の外側絶縁スペーサ１１８も、それらそれぞれの上側から一部が消耗され、複数の外側絶縁スペーサ１１８それぞれの高さが低くなる。
その後、ゲートライン１６０上でゲート空間ＧＳを充填するキャッピング絶縁パターン１６４を形成する。
【0065】
図６Ｋを参照すると、ゲート間絶縁膜１４４及び絶縁ライナー１４２を垂直方向（Ｚ方向）に貫通してソース／ドレイン領域１３０を露出させる複数のコンタクトホール１７０Ｈを形成し、複数のコンタクトホール１７０Ｈを介して露出された複数のソース／ドレイン領域１３０の一部をシリサイド化して複数の金属シリサイド膜１７２を形成し、複数の金属シリサイド膜１７２上でコンタクトホール１７０Ｈを充填する複数のソース／ドレインコンタクト１７４を形成する。
複数のソース／ドレインコンタクト１７４が形成された後、複数のソース／ドレインコンタクト１７４と、それらの周辺にある複数のキャッピング絶縁パターン１６４及び複数の外側絶縁スペーサ１１８とを含む構造物それぞれの上面が平坦化された結果物が得られる。
複数のソース／ドレインコンタクト１７４が形成された後、複数のソース／ドレインコンタクト１７４と、それらの周辺にある複数のキャッピング絶縁パターン１６４及び複数の外側絶縁スペーサ１１８とを含む構造物それぞれの上面が平坦化された結果物が得られる。
【0066】
図６Ｌを参照すると、図６Ｋの結果物上に、複数のゲートライン１６０の内から選択される１つのゲートライン１６０を覆うキャッピング絶縁パターン１６４を露出させるマスクパターンＭＰを形成し、マスクパターンＭＰをエッチングマスクとして利用して、露出された部分を順次にエッチングし、基板１０２を露出させる分離空間ＳＨを形成する。
例示的な実施形態において、分離空間ＳＨを形成するために、マスクパターンＭＰを介して露出されたキャッピング絶縁パターン１６４と、その下部にあるゲートライン１６０のメインゲート部分１６０Ｍとを除去し、ナノシートスタックＮＳＳ上に分離空間ＳＨを形成し、分離空間ＳＨを介して露出されるナノシートスタックＮＳＳ、複数のサブゲート部分１６０Ｓ、及びそれら間に介在するゲート誘電膜１５２それぞれの一部をエッチングし、その結果、露出される基板１０２の一部をエッチングし、分離空間ＳＨを垂直方向（Ｚ方向）に拡張する。
例示的な実施形態において、分離空間ＳＨを形成するために、マスクパターンＭＰを介して露出されたキャッピング絶縁パターン１６４と、その下部にあるゲートライン１６０のメインゲート部分１６０Ｍとを除去し、ナノシートスタックＮＳＳ上に分離空間ＳＨを形成し、分離空間ＳＨを介して露出されるナノシートスタックＮＳＳ、複数のサブゲート部分１６０Ｓ、及びそれら間に介在するゲート誘電膜１５２それぞれの一部をエッチングし、その結果、露出される基板１０２の一部をエッチングし、分離空間ＳＨを垂直方向（Ｚ方向）に拡張する。
【0067】
分離空間ＳＨが形成される間に、分離空間ＳＨを介して露出される複数のサブゲート部分１６０Ｓと、それらを覆うゲート誘電膜１５２の一部とが除去される。
その結果、分離空間ＳＨが形成された後、分離空間ＳＨを介して、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの残部からなる複数のナノシート断片ＰＮと、ゲート誘電膜１５２の残部からなる複数の誘電膜断片Ｐ１５２とが残ることになる。
しかし、分離空間ＳＨが形成された結果物上に残っている構造物は、図６Ｌに示したものに限定されるものではない。
例えば、分離空間ＳＨを形成する間に、分離空間ＳＨを介して露出されるゲート誘電膜１５２が全て除去され、分離空間ＳＨを介してソース／ドレイン領域１３０の一部が露出されることも可能である。
その結果、分離空間ＳＨが形成された後、分離空間ＳＨを介して、第１ナノシートＮ１、第２ナノシートＮ２、及び第３ナノシートＮ３それぞれの残部からなる複数のナノシート断片ＰＮと、ゲート誘電膜１５２の残部からなる複数の誘電膜断片Ｐ１５２とが残ることになる。
しかし、分離空間ＳＨが形成された結果物上に残っている構造物は、図６Ｌに示したものに限定されるものではない。
例えば、分離空間ＳＨを形成する間に、分離空間ＳＨを介して露出されるゲート誘電膜１５２が全て除去され、分離空間ＳＨを介してソース／ドレイン領域１３０の一部が露出されることも可能である。
【0068】
分離空間ＳＨが形成された後、分離空間ＳＨを介して露出される多様な種類の物質からなる構成要素により、分離空間ＳＨの内の一部領域において、分離空間ＳＨの内部側壁に凹凸表面ＳＢ１が形成される。
凹凸表面ＳＢ１は、ソース／ドレイン領域１３０が配置される垂直レベル領域と同一垂直レベル領域内にある。
図６Ｍを参照すると、図６Ｌの結果物において、分離空間ＳＨを充填するフィン分離絶縁部１９０を形成し、マスクパターンＭＰを除去して得られた結果物を平坦化する。
凹凸表面ＳＢ１は、ソース／ドレイン領域１３０が配置される垂直レベル領域と同一垂直レベル領域内にある。
図６Ｍを参照すると、図６Ｌの結果物において、分離空間ＳＨを充填するフィン分離絶縁部１９０を形成し、マスクパターンＭＰを除去して得られた結果物を平坦化する。
【0069】
図７Ａ～図７Ｅは、本発明の実施形態による方法によってフィン分離絶縁部１９０を形成する例示的な方法を説明するための工程順部分断面図である。
図７Ａ～図７Ｅには、図６Ｍの「ＥＸ１」で表した局部領域に対応する部分での工程順による構成要素の拡大断面構造を示す。
図７Ａ～図７Ｅにおいて、図２Ａ及び図２Ｂと同一参照符号は、同一部材を示し、ここで、それらに関連する詳細な説明を省略する。
図７Ａ～図７Ｅには、図６Ｍの「ＥＸ１」で表した局部領域に対応する部分での工程順による構成要素の拡大断面構造を示す。
図７Ａ～図７Ｅにおいて、図２Ａ及び図２Ｂと同一参照符号は、同一部材を示し、ここで、それらに関連する詳細な説明を省略する。
【0070】
図７Ａを参照すると、図６Ｌの結果物においてＤＰＮ（ｄｅｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ）工程を実行し、図６Ｌの結果物において分離空間ＳＨを介して露出された表面に沿って形成される第１窒素リッチバリヤー膜１９２を形成する。
図７Ａには、第１窒素リッチバリヤー膜１９２が図６Ｌの結果物において分離空間ＳＨを介して露出された表面上に形成された場合を例として説明したが、本発明は、それに限定されない。
例示的な実施形態において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、図６Ｌの結果物において分離空間ＳＨを介して露出された構成要素それぞれの表面に隣接した一部領域でＤＰＮ工程により窒素原子が注入された部分と、構成要素それぞれで窒素原子の注入によって体積が増加し、分離空間ＳＨの内部に向かって拡張された部分とを含むこともできる。
図７Ａには、第１窒素リッチバリヤー膜１９２が図６Ｌの結果物において分離空間ＳＨを介して露出された表面上に形成された場合を例として説明したが、本発明は、それに限定されない。
例示的な実施形態において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２は、図６Ｌの結果物において分離空間ＳＨを介して露出された構成要素それぞれの表面に隣接した一部領域でＤＰＮ工程により窒素原子が注入された部分と、構成要素それぞれで窒素原子の注入によって体積が増加し、分離空間ＳＨの内部に向かって拡張された部分とを含むこともできる。
【0071】
例示的な実施形態において、ＤＰＮ工程は、図６Ｌの結果物を、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、ＮＦ３、ＮＯ、又はそれらの組み合わせから選択された工程ガスのプラズマ雰囲気に露出させる方法によっても実行される。
例示的な実施形態において、工程ガスは、Ｈｅガスをさらに含み得る。
例示的な実施形態において、ＤＰＮ工程は、約５秒～約５分間実行されるが、それに限定されるものではない。
ＤＰＮ工程は、約０．５Ｔｏｒｒ以下の圧力、例えば、約１０ｍＴｏｒｒ～約３０ｍＴｏｒｒの圧力、及び約０℃～約５００℃の温度、例えば、約１０℃～約４０℃の範囲内で選択される室温雰囲気下で実行される。
例示的な実施形態において、工程ガスは、Ｈｅガスをさらに含み得る。
例示的な実施形態において、ＤＰＮ工程は、約５秒～約５分間実行されるが、それに限定されるものではない。
ＤＰＮ工程は、約０．５Ｔｏｒｒ以下の圧力、例えば、約１０ｍＴｏｒｒ～約３０ｍＴｏｒｒの圧力、及び約０℃～約５００℃の温度、例えば、約１０℃～約４０℃の範囲内で選択される室温雰囲気下で実行される。
【0072】
例示的な実施形態において、ＤＰＮ工程を実行する間に、図６Ｌの結果物がローディングされた反応チャンバーに、約１００Ｗ～約１０００ＷのＲＦソースパワーが印加される。
工程ガスは、反応チャンバー内に、約１０ｓｃｃｍ～約５００ｓｃｃｍの流量で供給される。
例示的な実施形態において、ＤＰＮ工程を実行した後、Ｎ２雰囲気、Ａｒ雰囲気、真空雰囲気、Ｎ２とＡｒの組み合わせガス雰囲気の内から選択される１つの雰囲気、又はそれらの組み合わせからなる雰囲気で、ＤＰＮ工程により得られた結果物を熱処理するアニール工程をさらに含み得る。
アニール工程は、約１００℃～約８００℃の温度で、約１分～約３０分間実行される。
他の例示的な実施形態において、アニール工程は省略可能である。
工程ガスは、反応チャンバー内に、約１０ｓｃｃｍ～約５００ｓｃｃｍの流量で供給される。
例示的な実施形態において、ＤＰＮ工程を実行した後、Ｎ２雰囲気、Ａｒ雰囲気、真空雰囲気、Ｎ２とＡｒの組み合わせガス雰囲気の内から選択される１つの雰囲気、又はそれらの組み合わせからなる雰囲気で、ＤＰＮ工程により得られた結果物を熱処理するアニール工程をさらに含み得る。
アニール工程は、約１００℃～約８００℃の温度で、約１分～約３０分間実行される。
他の例示的な実施形態において、アニール工程は省略可能である。
【0073】
図７Ａに示したように、図６Ｌの結果物において分離空間ＳＨを介して露出された表面に沿って第１窒素リッチバリヤー膜１９２が形成された後、分離空間ＳＨの内部で露出される第１窒素リッチバリヤー膜１９２の表面には、凹凸表面ＳＢ２が形成される。
凹凸表面ＳＢ２は、図６Ｌに示した分離空間ＳＨの内側表面に含まれた凹凸表面ＳＢ１の形状が転写されたものである。
凹凸表面ＳＢ１上に第１窒素リッチバリヤー膜１９２が形成されることにより、第１窒素リッチバリヤー膜１９２に含まれた凹凸表面ＳＢ２の凹凸程度は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２が形成される前の凹凸表面ＳＢ１の凹凸程度に比べて緩和されたものである。
すなわち、第１窒素リッチバリヤー膜１９２に含まれた凹凸表面ＳＢ２での表面粗さは、分離空間ＳＨの内側表面に含まれた凹凸表面ＳＢ１での表面粗さよりも小さい。
凹凸表面ＳＢ２は、図６Ｌに示した分離空間ＳＨの内側表面に含まれた凹凸表面ＳＢ１の形状が転写されたものである。
凹凸表面ＳＢ１上に第１窒素リッチバリヤー膜１９２が形成されることにより、第１窒素リッチバリヤー膜１９２に含まれた凹凸表面ＳＢ２の凹凸程度は、第１窒素リッチバリヤー膜１９２が形成される前の凹凸表面ＳＢ１の凹凸程度に比べて緩和されたものである。
すなわち、第１窒素リッチバリヤー膜１９２に含まれた凹凸表面ＳＢ２での表面粗さは、分離空間ＳＨの内側表面に含まれた凹凸表面ＳＢ１での表面粗さよりも小さい。
【0074】
図７Ｂを参照すると、図７Ａの結果物において、第１窒素リッチバリヤー膜１９２上に、分離空間ＳＨを充填する予備第１分離絶縁膜１９４Ｌを形成する。
例示的な実施形態において、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌは、シリコン窒化膜を含み得る。
予備第１分離絶縁膜１９４Ｌを形成するために、ＡＬＤ工程を利用する。
ＡＬＤ工程を利用して予備第１分離絶縁膜１９４Ｌを構成するシリコン窒化膜を形成する間に、分離空間ＳＨで露出された第１窒素リッチバリヤー膜１９２に含まれた窒素原子により、シリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内側で露出される表面の全ての領域で容易に吸着可能である。
例示的な実施形態において、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌは、シリコン窒化膜を含み得る。
予備第１分離絶縁膜１９４Ｌを形成するために、ＡＬＤ工程を利用する。
ＡＬＤ工程を利用して予備第１分離絶縁膜１９４Ｌを構成するシリコン窒化膜を形成する間に、分離空間ＳＨで露出された第１窒素リッチバリヤー膜１９２に含まれた窒素原子により、シリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが、第１窒素リッチバリヤー膜１９２の内側で露出される表面の全ての領域で容易に吸着可能である。
【0075】
したがって、分離空間ＳＨのアスペクト比が比較的大きい場合にも、第１窒素リッチバリヤー膜１９２により限定される分離空間ＳＨの内側でシリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが分離空間ＳＨの下部まで円滑に伝達可能であり、第１窒素リッチバリヤー膜１９２により限定される分離空間ＳＨの垂直方向（Ｚ方向）に沿う全長にわたってシリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが第１窒素リッチバリヤー膜１９２の表面に均一に吸着可能である。
したがって、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌの内の第１窒素リッチバリヤー膜１９２に隣接した部分は、ボイドがない緻密な構造を有する。
分離空間ＳＨの中央部では、図７Ｂに示したようにボイドＶＤが形成されるが、これは、単に例示に過ぎず、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌ内には、ボイドＶＤが形成されない。
したがって、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌの内の第１窒素リッチバリヤー膜１９２に隣接した部分は、ボイドがない緻密な構造を有する。
分離空間ＳＨの中央部では、図７Ｂに示したようにボイドＶＤが形成されるが、これは、単に例示に過ぎず、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌ内には、ボイドＶＤが形成されない。
【0076】
図７Ｃを参照すると、図７Ｂの結果物において、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌの一部をプラズマドライエッチング工程により除去する。
その結果、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌの内のボイドＶＤがある中央部は除去され、分離空間ＳＨ内にあった予備第１分離絶縁膜１９４Ｌの内の緻密な部分のみからなる第１分離絶縁膜１９４が残る。
分離空間ＳＨで露出される第１分離絶縁膜１９４の内側表面は、突出部又は凹凸がない滑らかな表面を有する。
特に、第１分離絶縁膜１９４の内のソース／ドレイン領域１３０が配置される垂直レベル領域にある局部領域は、突出部又は凹凸なしに垂直方向（Ｚ方向）に沿って平坦に延長される滑らかな表面を有する。
その結果、予備第１分離絶縁膜１９４Ｌの内のボイドＶＤがある中央部は除去され、分離空間ＳＨ内にあった予備第１分離絶縁膜１９４Ｌの内の緻密な部分のみからなる第１分離絶縁膜１９４が残る。
分離空間ＳＨで露出される第１分離絶縁膜１９４の内側表面は、突出部又は凹凸がない滑らかな表面を有する。
特に、第１分離絶縁膜１９４の内のソース／ドレイン領域１３０が配置される垂直レベル領域にある局部領域は、突出部又は凹凸なしに垂直方向（Ｚ方向）に沿って平坦に延長される滑らかな表面を有する。
【0077】
図７Ｄを参照すると、図７Ｃの結果物において、分離空間ＳＨで露出された第１分離絶縁膜１９４の内側表面に対し、図７Ａを参照して説明したところと同一又は類似の工程条件でＤＰＮ工程を実行し、分離空間ＳＨで露出された第１分離絶縁膜１９４の内側表面に沿って延長される第２窒素リッチバリヤー膜１９６を形成する。
第２窒素リッチバリヤー膜１９６の露出表面の内のソース／ドレイン領域１３０が配置される垂直レベル領域にある局部領域は、突出部又は凹凸がない滑らかな表面を有する。
第２窒素リッチバリヤー膜１９６の露出表面の内のソース／ドレイン領域１３０が配置される垂直レベル領域にある局部領域は、突出部又は凹凸がない滑らかな表面を有する。
【0078】
図７Ｅを参照すると、第２窒素リッチバリヤー膜１９６上に、分離空間ＳＨを充填する第２分離絶縁膜１９８を形成する。
例示的な実施形態において、第２分離絶縁膜１９８は、シリコン窒化膜を含み得る。
第２分離絶縁膜１９８を形成するために、ＡＬＤ工程を利用する。
ＡＬＤ工程を利用して第２分離絶縁膜１９８を構成するシリコン窒化膜を形成する間に、分離空間ＳＨで露出された第２窒素リッチバリヤー膜１９６に含まれた窒素原子により、シリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の内側で露出される表面の全ての領域で容易に吸着可能である。
したがって、分離空間ＳＨのアスペクト比が比較的大きい場合にも、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される分離空間ＳＨの内側でシリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが分離空間ＳＨの下部まで円滑に伝達可能であり、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される分離空間ＳＨの垂直方向（Ｚ方向）に沿う全長にわたってシリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが第２窒素リッチバリヤー膜１９６の表面に均一に吸着可能である。
したがって、ボイドがない緻密な構造を有する第２分離絶縁膜１９８が得られる。
例示的な実施形態において、第２分離絶縁膜１９８は、シリコン窒化膜を含み得る。
第２分離絶縁膜１９８を形成するために、ＡＬＤ工程を利用する。
ＡＬＤ工程を利用して第２分離絶縁膜１９８を構成するシリコン窒化膜を形成する間に、分離空間ＳＨで露出された第２窒素リッチバリヤー膜１９６に含まれた窒素原子により、シリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが、第２窒素リッチバリヤー膜１９６の内側で露出される表面の全ての領域で容易に吸着可能である。
したがって、分離空間ＳＨのアスペクト比が比較的大きい場合にも、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される分離空間ＳＨの内側でシリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが分離空間ＳＨの下部まで円滑に伝達可能であり、第２窒素リッチバリヤー膜１９６により限定される分離空間ＳＨの垂直方向（Ｚ方向）に沿う全長にわたってシリコン窒化膜の形成に必要なソースガスが第２窒素リッチバリヤー膜１９６の表面に均一に吸着可能である。
したがって、ボイドがない緻密な構造を有する第２分離絶縁膜１９８が得られる。
【0079】
その後、図６Ｍを参照して説明したように、マスクパターンＭＰを除去し、第２分離絶縁膜１９８が形成された結果物の上面を平坦化して、図１及び図２Ａ～図２Ｃに示したフィン分離絶縁部１９０を含む集積回路素子１００を製造することができる。
図６Ａ～図６Ｍ、及び図７Ａ～図７Ｅを参照して説明した集積回路素子１００の製造方法によれば、フィン分離絶縁部１９０を形成するにあたって、基板１０２を露出させる分離空間ＳＨを形成した後、分離空間ＳＨの内部側壁にある凹凸表面ＳＢ１（図６Ｌ参照）の凹凸程度がＤＰＮ工程を経る間に緩和され、凹凸表面ＳＢ１での表面粗さよりも小さくなる。
また、複数のＤＰＮ工程を介して得られた第１窒素リッチバリヤー膜１９２及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６により、それら上に形成される第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、ボイドＶＤがない緻密な構造を有する。
したがって、分離空間ＳＨ内に形成されたフィン分離絶縁部１９０の信頼性を向上させることができ、フィン分離絶縁部１９０を含む集積回路素子１００の信頼性を向上させることができる。
図６Ａ～図６Ｍ、及び図７Ａ～図７Ｅを参照して説明した集積回路素子１００の製造方法によれば、フィン分離絶縁部１９０を形成するにあたって、基板１０２を露出させる分離空間ＳＨを形成した後、分離空間ＳＨの内部側壁にある凹凸表面ＳＢ１（図６Ｌ参照）の凹凸程度がＤＰＮ工程を経る間に緩和され、凹凸表面ＳＢ１での表面粗さよりも小さくなる。
また、複数のＤＰＮ工程を介して得られた第１窒素リッチバリヤー膜１９２及び第２窒素リッチバリヤー膜１９６により、それら上に形成される第１分離絶縁膜１９４及び第２分離絶縁膜１９８は、ボイドＶＤがない緻密な構造を有する。
したがって、分離空間ＳＨ内に形成されたフィン分離絶縁部１９０の信頼性を向上させることができ、フィン分離絶縁部１９０を含む集積回路素子１００の信頼性を向上させることができる。
【0080】
以上、図６Ａ～図６Ｍ、及び図７Ａ～図７Ｅを参照して、図１及び図２Ａ～図２Ｃに示した集積回路素子１００の例示的な製造方法について説明したが、図６Ａ～図６Ｍ、及び図７Ａ～図７Ｅを参照して説明したところから本発明の技術的思想の範囲内で多様な変形及び変更を加え、図３～図５に示した集積回路素子（２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ）、及びそれらから変形及び変更された多様な構造を有する集積回路素子を製造可能であるということを当業者ならば分かるであろう。
【0081】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0082】
１００、２００Ａ、２００Ｂ 集積回路素子
１０２ 基板
１０４ 犠牲半導体層
１１４ 素子分離膜
１１８ 外側絶縁スペーサ
１３０ ソース／ドレイン領域
１４２ 絶縁ライナー
１４４ ゲート間絶縁膜
１５２ ゲート誘電膜
１６０ ゲートライン
１６０Ｌ ゲート形成用導電層
１６０Ｍ メインゲート部分
１６０Ｓ サブゲート部分
１６４ キャッピング絶縁パターン
１７０Ｈ コンタクトホール
１７２ 金属シリサイド膜
１７４ ソース／ドレインコンタクト
１９０ フィン分離絶縁部
１９０Ｌ 下側分離部
１９０Ｕ 上側分離部
１９２ 第１窒素リッチバリヤー膜
１９２Ｐ、１９４Ｐ 突出部
１９４ 第１分離絶縁膜
１９６ 第２窒素リッチバリヤー膜
１９８ 第２分離絶縁膜
２６０ ゲートライン
２９０Ａ、２９０Ｂ フィン分離絶縁部
Ｄ１２２ 酸化膜
Ｄ１２４ ダミーゲート層
Ｄ１２６ キャッピング層
ＤＧ ダミーゲートライン
ＤＧＳ ダミーゲート構造物
ＦＡ、ＦＡ２ フィン型活性領域
Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３ （第１～第３）ナノシート
ＧＳ ゲート空間
ＮＳＳ ナノシートスタック
ＰＮ ナノシート断片
ＲＸＡ、ＲＸＢ 素子領域
ＴＲ （電界効果）トランジスタ
１０２ 基板
１０４ 犠牲半導体層
１１４ 素子分離膜
１１８ 外側絶縁スペーサ
１３０ ソース／ドレイン領域
１４２ 絶縁ライナー
１４４ ゲート間絶縁膜
１５２ ゲート誘電膜
１６０ ゲートライン
１６０Ｌ ゲート形成用導電層
１６０Ｍ メインゲート部分
１６０Ｓ サブゲート部分
１６４ キャッピング絶縁パターン
１７０Ｈ コンタクトホール
１７２ 金属シリサイド膜
１７４ ソース／ドレインコンタクト
１９０ フィン分離絶縁部
１９０Ｌ 下側分離部
１９０Ｕ 上側分離部
１９２ 第１窒素リッチバリヤー膜
１９２Ｐ、１９４Ｐ 突出部
１９４ 第１分離絶縁膜
１９６ 第２窒素リッチバリヤー膜
１９８ 第２分離絶縁膜
２６０ ゲートライン
２９０Ａ、２９０Ｂ フィン分離絶縁部
Ｄ１２２ 酸化膜
Ｄ１２４ ダミーゲート層
Ｄ１２６ キャッピング層
ＤＧ ダミーゲートライン
ＤＧＳ ダミーゲート構造物
ＦＡ、ＦＡ２ フィン型活性領域
Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３ （第１～第３）ナノシート
ＧＳ ゲート空間
ＮＳＳ ナノシートスタック
ＰＮ ナノシート断片
ＲＸＡ、ＲＸＢ 素子領域
ＴＲ （電界効果）トランジスタ
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図6G】
【図6H】
【図6I】
【図6J】
【図6K】
【図6L】
【図6M】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】