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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024039428
(43)【公開日】2024-03-22
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240314BHJP
H01L 21/3205 20060101ALI20240314BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 321E
H01L21/88 R
H01L21/88 T
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022143974
(22)【出願日】2022-09-09
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】吉田 一樹
【テーマコード（参考）】
5F033
【Ｆターム（参考）】
5F033HH07
5F033HH08
5F033HH11
5F033HH14
5F033HH18
5F033HH19
5F033HH33
5F033RR03
5F033RR04
5F033RR06
5F033RR08
5F033RR22
5F033VV07
5F033WW01
5F033XX08
5F033XX22
(57)【要約】
【課題】はんだの過度な広がりを抑制する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体層３２と、前記半導体層３２上に配置された第１パッド部４０と、半導体層３２上に配置され、第１パッド部４０の上面を露出させる第１開口部４３を有する第２絶縁層４２と、平面視で第１パッド部４０と重なる位置に配置された第１導電部材２２と、第１パッド部４０と第１導電部材２２との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層１９と、第１開口部４３内に配置され、第１パッド部４０の上面から突出するダム部４５と、を備える。ダム部４５は、第１開口部４３の側面４３Ａに離隔して対向する対向面４５Ａと、対向面４５Ａの反対側に位置する規制面４５Ｂとを有する。
【選択図】図４
【解決手段】半導体装置１０は、半導体層３２と、前記半導体層３２上に配置された第１パッド部４０と、半導体層３２上に配置され、第１パッド部４０の上面を露出させる第１開口部４３を有する第２絶縁層４２と、平面視で第１パッド部４０と重なる位置に配置された第１導電部材２２と、第１パッド部４０と第１導電部材２２との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層１９と、第１開口部４３内に配置され、第１パッド部４０の上面から突出するダム部４５と、を備える。ダム部４５は、第１開口部４３の側面４３Ａに離隔して対向する対向面４５Ａと、対向面４５Ａの反対側に位置する規制面４５Ｂとを有する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体層と、
前記半導体層上に配置されたパッド部と、
前記半導体層上に配置され、前記パッド部の上面を露出させる開口部を有する絶縁層と、
平面視で前記パッド部と重なる位置に配置された導電部材と、
前記パッド部と前記導電部材との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層と、
前記開口部内に配置され、前記パッド部の上面から突出するダム部と、を備え、
前記ダム部は、前記開口部の側面に離隔して対向する対向面と、前記対向面の反対側に位置する規制面とを有する、半導体装置。
前記半導体層上に配置されたパッド部と、
前記半導体層上に配置され、前記パッド部の上面を露出させる開口部を有する絶縁層と、
平面視で前記パッド部と重なる位置に配置された導電部材と、
前記パッド部と前記導電部材との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層と、
前記開口部内に配置され、前記パッド部の上面から突出するダム部と、を備え、
前記ダム部は、前記開口部の側面に離隔して対向する対向面と、前記対向面の反対側に位置する規制面とを有する、半導体装置。
【請求項2】
前記ダム部は、平面視で線状に延びる形状であり、
前記ダム部の前記対向面と前記開口部の側面とによって挟まれたダム領域が形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
前記ダム部の前記対向面と前記開口部の側面とによって挟まれたダム領域が形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記ダム部は、平面視で環状であり、
前記ダム領域は、平面視で環状である、請求項２に記載の半導体装置。
前記ダム領域は、平面視で環状である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記ダム部は、平面視で閉じた環状であり、
前記ダム領域は、平面視で閉じた環状である、請求項３に記載の半導体装置。
前記ダム領域は、平面視で閉じた環状である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
平面視において、前記ダム部の幅は、５０μｍ以上である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記ダム部は、柱状である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項7】
平面視において、前記ダム部の前記規制面は、前記導電部材の縁よりも内側に位置している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項8】
平面視において、前記ダム部の前記対向面は、前記導電部材の縁よりも内側に位置している、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記ダム部の上面の高さ位置は、前記絶縁層における前記開口部の側面に連続する上面の高さ位置と同じである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記開口部の側面と前記ダム部の前記対向面との間の距離は、５０μｍ以上である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記ダム部は、前記絶縁層と同じ材料により形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記はんだ層は、前記ダム部の前記対向面と前記開口部の側面との間に位置する部分を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記パッド部の前記上面と前記はんだ層との間に設けられた金属層を備え、
前記金属層は、前記対向面および前記規制面を介して、前記パッド部の上面と前記ダム部の上面とに跨って形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
前記金属層は、前記対向面および前記規制面を介して、前記パッド部の上面と前記ダム部の上面とに跨って形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記金属層は、前記開口部の側面を介して、前記パッド部の上面と前記絶縁層における前記開口部の側面に連続する上面とに跨って形成されている、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記金属層は、前記パッド部に接するＴｉ層と、前記Ｔｉ層上に配置されるＮｉ層と、前記Ｎｉ層上に配置されるＡｇ層とを含む、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記はんだ層は、前記ダム部と前記導電部材との間に位置する部分を含む、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項17】
前記絶縁層は、ポリイミド層である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項18】
前記導電部材は、Ｃｕクリップである、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体パッケージにおいて、板状の金属クリップを半導体素子（ダイ）の上面に接続することにより電気的接続を提供することができる。このような金属クリップを採用することにより、従来のワイヤボンディングに比べてパッケージの放熱性向上および低抵抗化を実現できることが知られている。
【0003】
特許文献１には、ダイとクリップの接着方法が開示されている。ダイを基板の上に載置し、次いで、ダイおよび基板の上にクリップを載置して、基板／ダイ／クリップパッケージが形成される。
【0004】
金属クリップのような導電部材に接続される半導体素子の上面には、絶縁層と、絶縁層から露出されたパッド部が形成されている。パッド部の上面と導電部材との間に、はんだを設け、次いで、熱処理を行うことにより、パッド部と導電部材との電気的接続を確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特表２０１８－５０４７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
半導体素子のパッド部と導電部材とを接続するはんだは、熱処理の際に、半導体素子の上面に沿って広がることがあり得る。はんだがパッド部をはみだすと、意図しない短絡の要因となり得る。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様である半導体装置は、半導体層と、前記半導体層上に配置されたパッド部と、前記半導体層上に配置され、前記パッド部の上面を露出させる開口部を有する絶縁層と、平面視で前記パッド部と重なる位置に配置された導電部材と、前記パッド部と前記導電部材との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層と、前記開口部内に配置され、前記パッド部の上面から突出するダム部と、を備え、前記ダム部は、前記開口部の側面に離隔して対向する対向面と、前記対向面の反対側に位置する規制面とを有する。
【発明の効果】
【0008】
上記半導体装置によれば、はんだの過度な広がりを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照して本開示における半導体装置の実施形態を説明する。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0011】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0012】
［半導体装置の概略構造］
図１及び図２を参照して、半導体装置１０の概略構造について説明する。
図１は、一実施形態に係る例示的な半導体装置１０の概略斜視図である。図２は、半導体装置１０を上方から視た平面図である。図２では、半導体素子２０の上面の形状を簡略化して示している。また、図２では、第１導電部材２２および第２導電部材２４の図示を省略している。
図１及び図２を参照して、半導体装置１０の概略構造について説明する。
図１は、一実施形態に係る例示的な半導体装置１０の概略斜視図である。図２は、半導体装置１０を上方から視た平面図である。図２では、半導体素子２０の上面の形状を簡略化して示している。また、図２では、第１導電部材２２および第２導電部材２４の図示を省略している。
【0013】
なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体装置１０を視ることをいう。
半導体装置１０は、たとえば、直方体状を有している。半導体装置１０は、たとえば、平面視矩形状であってよい。半導体装置１０のサイズは特に限定されない。
半導体装置１０は、たとえば、直方体状を有している。半導体装置１０は、たとえば、平面視矩形状であってよい。半導体装置１０のサイズは特に限定されない。
【0014】
半導体装置１０は、たとえば、リードフレーム構造を有するものであってよい。図１の例では、半導体装置１０は、導電板１２と、第１導電端子１４と、第２導電端子１６と、半導体素子２０とを含む。半導体素子２０は、導電板１２に実装されている。また、図１の例では、半導体装置１０は、半導体素子２０を第１導電端子１４に接続する第１導電部材２２と、半導体素子２０を第２導電端子１６に接続する第２導電部材２４とを含む。半導体装置１０は、半導体素子２０を封止する封止部材２６を含む。
【0015】
半導体装置１０は、たとえば、表面実装型のパッケージとすることができる。詳細な図示は省略するが、導電板１２、第１導電端子１４、および第２導電端子１６は各々、封止部材２６から半導体装置１０の裏面に部分的に露出する外部接続面（それぞれの下面）を有している。導電板１２、第１導電端子１４、および第２導電端子１６の外部接続面は、半導体装置１０が図示しない実装基板に実装された際に実装基板に電気的に接続される。
【0016】
導電板１２、第１導電端子１４、第２導電端子１６は、たとえば、Ｃｕまたはアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料で形成されている。
導電板１２、第１導電端子１４、および第２導電端子１６は、任意の形状（外形）および厚さを有し得る。なお、厚さとは、Ｚ方向の寸法（長さ）を意味する。図１の例では、導電板１２、第１導電端子１４、および第２導電端子１６の各々は、平板状である。第１導電端子１４および第２導電端子１６は、導電板１２の一辺（図１ではＹ方向に沿った辺）に隣接して配置されている。
導電板１２、第１導電端子１４、および第２導電端子１６は、任意の形状（外形）および厚さを有し得る。なお、厚さとは、Ｚ方向の寸法（長さ）を意味する。図１の例では、導電板１２、第１導電端子１４、および第２導電端子１６の各々は、平板状である。第１導電端子１４および第２導電端子１６は、導電板１２の一辺（図１ではＹ方向に沿った辺）に隣接して配置されている。
【0017】
導電板１２は、導電性接合材１８を介して半導体素子２０が接合される接合面１２Ｓを含む。導電性接合材１８には、たとえば、はんだまたは導電性ペーストを用いることができる。はんだは、たとえば、錫（Ｓｎ）－銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）系等の鉛（Ｐｂ）フリーはんだであってもよいし、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系等の鉛含有はんだであってもよい。導電性ペーストの一例はＡｇペーストである。
【0018】
第１導電端子１４は、導電性接合材１８と同様の導電性接合材（図示略）を介して第１導電部材２２が接合される接合面１４Ｓを含む。第２導電端子１６は、導電性接合材１８と同様の導電性接合材（図示略）を介して第２導電部材２４が接合される接合面１６Ｓを含む。
【0019】
第１導電端子１４の接合面１４Ｓおよび第２導電端子１６の接合面１６Ｓは、Ｚ方向において導電板１２の接合面１２Ｓよりも高い位置（すなわち、接合面１２Ｓよりも上方）に設けられてもよい。たとえば、第１導電端子１４および第２導電端子１６は、導電板１２よりも少なくとも部分的に厚く形成されてもよい。この構成では、半導体素子２０と第１導電端子１４とを接続する第１導電部材２２の長さ（接続距離）および半導体素子２０と第２導電端子１６とを接続する第２導電部材２４の長さ（接続距離）を短くすることができる。
【0020】
第１導電部材２２および第２導電部材２４は、任意の形状（外形）および厚さを有し得る。図１の例では、第１導電部材２２および第２導電部材２４の各々は、ブリッジ形状を有している。
【0021】
第１導電部材２２および第２導電部材２４は、たとえば、Ｃｕまたはアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料で形成されている。なお、ブリッジ形状を有する導電部材はクリップとも呼ばれ得る。たとえば、Ｃｕで形成されたクリップはＣｕクリップと呼ばれ得る。
【0022】
第１導電部材２２は、第１端部２２Ｆと、第２端部２２Ｒと、それら第１端部２２Ｆと第２端部２２Ｒとの間に位置する中間部２２Ｍとを含む。第１端部２２Ｆは、平板部である。図１の例では、第１端部２２Ｆは平面視略Ｌ字形状の外形形状を有する平板部であり、はんだを含むはんだ層１９（図示略）により半導体素子２０に接合されている。はんだ層１９に含まれるはんだは、たとえば、錫（Ｓｎ）－銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）系等の鉛（Ｐｂ）フリーはんだであってもよいし、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系等の鉛含有はんだであってもよい。第１導電部材２２と半導体素子２０との接合構造の詳細については後述する。
【0023】
第２端部２２Ｒは、平板部である。図１の例では、第２端部２２Ｒは平面視矩形状の平板部であり、第１導電端子１４の接合面１４Ｓに、導電性接合材１８と同様の導電性接合材（図示略）を介して接合されている。中間部２２Ｍは、段状に屈曲されており、第１端部２２Ｆと第２端部２２Ｒとをブリッジ形状に接続する。
【0024】
同様に、第２導電部材２４は、第１端部２４Ｆと、第２端部２４Ｒと、それら第１端部２４Ｆと第２端部２４Ｒとの間に位置する中間部２４Ｍとを含む。第１端部２４Ｆは、平板部である。図１の例では、第１端部２４Ｆは平面視矩形状の平板部であり、はんだ層１９と同様のはんだ層（図示略）によって半導体素子２０に接合されている。第２端部２４Ｒは、平板部である。図１の例では、第２端部２４Ｒは、平面視矩形状の平板部であり、第２導電端子１６の接合面１６Ｓに導電性接合材１８と同様の導電性接合材（図示略）を介して接合されている。平面視において、第２端部２４Ｒは、第１端部２４Ｆよりも大きなサイズで形成されてよい。中間部２４Ｍは、段状に屈曲されており、第１端部２４Ｆと第２端部２４Ｒとをブリッジ形状に接続する。
【0025】
封止部材２６は、半導体装置１０のパッケージ外形を画定し得る。封止部材２６は、半導体素子２０とともに、導電板１２、第１導電端子１４の一部、第２導電端子１６の一部、第１導電部材２２、および第２導電部材２４を封止する。封止部材２６は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂材料によって形成されていてよい。一例では、封止部材２６は、絶縁性樹脂材料をモールドすることによって形成され得る。
【0026】
［半導体素子］
図２～図４を参照して、半導体素子２０について説明する。
図３は、図２に示す半導体素子２０の上面の部分拡大図である。図４は、図３の４－４線における半導体装置１０の断面図である。図４では、封止部材２６の図示を省略している。
図２～図４を参照して、半導体素子２０について説明する。
図３は、図２に示す半導体素子２０の上面の部分拡大図である。図４は、図３の４－４線における半導体装置１０の断面図である。図４では、封止部材２６の図示を省略している。
【0027】
半導体素子２０は、トランジスタ等のスイッチング素子であってよい。半導体素子２０は、たとえば、金属－酸化膜－半導体電界効果トランジスタ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，ＭＯＳＦＥＴ）、金属－絶縁体－半導体電界効果トランジスタ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor，ＭＩＳＦＥＴ）、または高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor，ＨＥＭＴ）を含み得る。
【0028】
図４に示すように、半導体素子２０は、半導体基板３１と、半導体層３２と、第１絶縁層３３とを含む。半導体層３２及び第１絶縁層３３には、たとえば、上述したトランジスタ等が形成されている。半導体素子２０は更に、半導体層３２及び第１絶縁層３３の各々の内部または層間に設けられ、トランジスタ等の電極を構成する導電層（図示略）を備えていてもよい。
【0029】
半導体基板３１は、たとえば、平面視矩形状の基板である。半導体基板３１は、第１面３１Ａと、第１面３１Ａとは反対側に位置する第２面３１Ｂとを含む。半導体基板３１としては、たとえばシリコン（Ｓｉ）基板を用いることができる。あるいはＳｉ基板に代えて、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板、またはサファイア基板を用いることもできる。
【0030】
半導体層３２は、半導体基板３１の第１面３１Ａ上に設けられている。半導体層３２は、第１面３２Ａと、第１面３２Ａとは反対側に位置する第２面３２Ｂとを含む。図４の例では、半導体層３２の第２面３２Ｂは、半導体基板３１の第１面３１Ａに接している。半導体層３２の第２面３２Ｂは、たとえば半導体基板３１の第１面３１Ａの全面を覆うように形成されている。半導体層３２は、たとえばシリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、または窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体材料のうちいずれか１つを含む材料によって構成され得る。半導体層３２は、たとえば、エピタキシャル層である。
【0031】
第１絶縁層３３は、半導体層３２の第１面３２Ａ上に設けられている。第１絶縁層３３は、第１面３３Ａと、第１面３３Ａとは反対側に位置する第２面３３Ｂとを含む。図４の例では、第１絶縁層３３の第２面３３Ｂは、半導体層３２の第１面３２Ａに接している。第１絶縁層３３は、たとえば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＡｌＮ、および酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）のうちいずれか１つを含む材料によって構成され得る。第１絶縁層３３の一例は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の酸化物によって構成される酸化物層である。
【0032】
図２～図４に示すように、半導体素子２０は、第１パッド部４０及び第２パッド部４１と、第２絶縁層４２とを備える。なお、図２では、第２絶縁層４２を破線で示している。
第１パッド部４０および第２パッド部４１は、第１絶縁層３３の第１面３３Ａ上に設けられている。第１パッド部４０および第２パッド部４１の各々は、第１絶縁層３３を介して半導体層３２上に配置されている。第１パッド部４０および第２パッド部４１の各々は、たとえば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＡｌＣｕ合金、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のうち少なくとも１つを含む任意の導体材料によって構成することができる。
第１パッド部４０および第２パッド部４１は、第１絶縁層３３の第１面３３Ａ上に設けられている。第１パッド部４０および第２パッド部４１の各々は、第１絶縁層３３を介して半導体層３２上に配置されている。第１パッド部４０および第２パッド部４１の各々は、たとえば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＡｌＣｕ合金、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のうち少なくとも１つを含む任意の導体材料によって構成することができる。
【0033】
第１パッド部４０および第２パッド部４１は、半導体層３２及び第１絶縁層３３に形成されるトランジスタ等の電極に電気的に接続されている電極パッドである。第１パッド部４０および第２パッド部４１は、第１絶縁層３３に設けられたビア等を介してトランジスタ等の電極に電気的に接続されていてもよいし、当該電極と一体に形成されていてもよい。
【0034】
第１パッド部４０および第２パッド部４１は、第１絶縁層３３の第１面３３Ａ上において、互いに離間して配置されている。一例では、第１パッド部４０は、トランジスタのソース電極に電気的に接続されているソースパッドであり、第２パッド部は、トランジスタのゲート電極に電気的に接続されているゲートパッドである。
【0035】
図２に示すように、第１パッド部４０の一例は、平面視において、第１絶縁層３３の中央部分、すなわち、半導体基板３１の中央に位置するように配置されている。また、第１パッド部４０の一例は、平面視において、Ｙ方向に延びる矩形状の１つの角部を凹ませた略Ｌ字形状を有している。
【0036】
第２パッド部４１の一例は、平面視において、第１絶縁層３３の外縁、すなわち、半導体基板３１の外縁と、第１パッド部４０における凹ませた角部の縁との間において、第１パッド部４０から離隔して配置されている。また、第２パッド部４１の一例は、平面視矩形状を有している。なお、平面視における第１パッド部４０および第２パッド部４１の各々の配置および形状は特に限定されるものでなく、任意に変更できる。
【0037】
図２～図４に示すように、第２絶縁層４２は、第１絶縁層３３の第１面３３Ａ上に配置されるとともに、第１パッド部４０および第２パッド部４１の外周部分を部分的に覆っている。第１絶縁層３３の第１面３３Ａ上において、第１パッド部４０と第２パッド部４１とは、第２絶縁層４２によって互いに絶縁されている。
【0038】
第２絶縁層４２は、平面視において、第１パッド部４０の一部を露出させる第１開口部４３および第２パッド部４１の一部を露出させる第２開口部４４を有している。第１開口部４３および第２開口部４４は、それぞれ独立した開口部であり、互いに接続される部分を有していない。
【0039】
第１開口部４３は、平面視において、第１パッド部４０に相似する略Ｌ字形状を有しており、第１パッド部４０よりも一回り小さいサイズを有している。たとえば、第１開口部４３は、第１パッド部４０の外縁に沿って形成される。そして、第２絶縁層４２における第１開口部４３の周囲に位置する部分は、第１パッド部４０の上面における外縁から一定長さの範囲を全体的に覆っている。
【0040】
第２開口部４４は、平面視において、第２パッド部４１に相似する矩形状を有しており、第２パッド部４１よりも一回り小さいサイズを有している。たとえば、第２開口部４４は、第２パッド部４１の外縁に沿って形成される。そして、第２絶縁層４２における第２開口部４４の周囲に位置する部分は、第２パッド部４１の上面における外縁から一定長さの範囲を全体的に覆っている。
【0041】
なお、平面視における第２絶縁層４２の形状は、第１開口部４３および第２開口部４４を有し、第１絶縁層３３の第１面３３Ａ上において、第１パッド部４０と第２パッド部４１とを絶縁できる形状であればよい。図２～図４に示す一例では、第２絶縁層４２は、第２絶縁層４２Ａ，４２Ｂの２つに分割して設けられている。第２絶縁層４２Ａは、平面視において、第１パッド部４０と第１絶縁層３３の第１面３３Ａとの間に跨って配置され、第１パッド部４０の外縁に沿って延びる一定幅の環状に形成されている。第２絶縁層４２Ｂは、平面視において、第２パッド部４１と第１絶縁層３３の第１面３３Ａとの間に跨って配置され、第２パッド部４１の外縁に沿って延びる一定幅の環状に形成されている。また、第２絶縁層４２は、一つながりの層により形成されていてもよい。この場合、第２絶縁層４２は、第１絶縁層３３の第１面３３Ａ上の全体を覆う層であってもよい。
【0042】
第２絶縁層４２は、たとえば、ポリイミド等の絶縁材料によって構成され得る。また、第２絶縁層４２と第１絶縁層３３との間、ならびに第２絶縁層４２と第１パッド部４０および第２パッド部４１との間には、その他の層が設けられていてもよい。図４に示す一例では、第２絶縁層４２と第１絶縁層３３との間、ならびに第２絶縁層４２と第１パッド部４０および第２パッド部４１との間には、ＳｉＮ層３４が設けられている。
【0043】
第１パッド部４０は、第２絶縁層４２の第１開口部４３から露出する部分の上面において、はんだ層１９によって第１導電部材２２の第１端部２２Ｆの下面に接合されている。同様に、第２パッド部４１は、第２絶縁層４２の第２開口部４４から露出する部分の上面において、はんだ層（図示略）により第２導電部材２４の第１端部２４Ｆの下面に接合されている。
【0044】
［第１パッド部と第１導電部材との接合構造の詳細］
次に、第１パッド部４０と第１導電部材２２との間の詳細な接合構造について説明する。以下では、第２絶縁層４２の側面であって、第１開口部４３側を向く側面を、第１開口部４３の側面４３Ａという。
次に、第１パッド部４０と第１導電部材２２との間の詳細な接合構造について説明する。以下では、第２絶縁層４２の側面であって、第１開口部４３側を向く側面を、第１開口部４３の側面４３Ａという。
【0045】
図３および図４に示すように、半導体素子２０は、第２絶縁層４２（４２Ａ）の第１開口部４３内に配置され、第１パッド部４０の上面から突出するダム部４５を備える。ダム部４５は、第１パッド部４０と第１導電部材２２とを接合するはんだ層１９を形成するための加熱処理（リフロー処理）において、第１開口部４３の側面４３Ａに向かって広がる溶融はんだの広がりを抑制するための構成である。
【0046】
ダム部４５は、平面視で線状に延びる形状の壁である。図３に示す一例では、ダム部４５は、第１開口部４３に沿って線状に延びる閉じた環状に形成されている。ダム部４５は、第１開口部４３の側面４３Ａに離隔して対向する側面である対向面４５Ａと、対向面４５Ａと反対側に位置する側面である規制面４５Ｂとを有する。また、ダム部４５は、対向面４５Ａおよび規制面４５Ｂに連続する上面４５Ｃを有する。
【0047】
図４に示すように、ダム部４５の断面形状、すなわち、ダム部４５の延びる方向に直交する断面形状は、たとえば、矩形状である。この場合、ダム部４５の対向面４５Ａ及び規制面４５Ｂは、第１パッド部４０の上面に直交する面であるとともに、互いに平行である。ダム部４５の上面４５Ｃは、第１パッド部４０の上面に平行な面であり、対向面４５Ａ及び規制面４５Ｂに対して直交する。
【0048】
ダム部４５の断面形状は、矩形以外の形状、たとえば、台形状、三角形状であってもよい。つまり、ダム部４５の対向面４５Ａ及び規制面４５Ｂの一方または両方は、第１パッド部４０の上面に直交する面に対して傾斜していてもよい。ダム部４５の上面４５Ｃは、第１パッド部４０の上面に平行な面に対して傾斜していてもよい。たとえば、ダム部４５の上面４５Ｃは、規制面４５Ｂ側から対向面４５Ａ側に向かって下降傾斜していてもよいし、対向面４５Ａ側から規制面４５Ｂ側に向かって下降傾斜していてもよい。また、ダム部４５の断面形状が三角形状である場合、ダム部４５の上面４５Ｃは省略される。
【0049】
平面視において、第１開口部４３の側面４３Ａとダム部４５の対向面４５Ａとの間の距離Ｄ１（図３参照）は、たとえば、５０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上１００μｍ以下である。距離Ｄ１は、一定であってもよい。また、ダム部４５は、ダム部４５の延びる方向および突出方向（Ｚ方向）の一方または両方において距離Ｄ１が異なる部分を有していてもよい。
【0050】
平面視において、対向面４５Ａと規制面４５Ｂとの間の距離であるダム部４５の幅Ｈ（図３参照）は、たとえば、５０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上１００μｍ以下である。ダム部４５の幅Ｈは、一定であってもよい。また、ダム部４５は、ダム部４５の延びる方向および突出方向（Ｚ方向）の一方または両方において幅Ｈが異なる部分を有していてもよい。
【0051】
図３に示す一例では、ダム部４５は、平面視で、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも内側（第１開口部４３の側面４３Ａからより遠い位置）に配置されている。この場合、平面視で、ダム部４５の対向面４５Ａおよび規制面４５Ｂは共に、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも内側に位置する。また、この場合において、平面視における第１導電部材２２の縁２２Ａとダム部４５の対向面４５Ａとの間の距離Ｄ２は、たとえば、５０μｍ以上１００μｍ以下である。距離Ｄ２は、一定であってもよいし、ダム部４５の延びる方向における位置ごとに異なっていてもよい。
【0052】
図４に示す一例では、ダム部４５の上面４５Ｃの高さ位置（Ｚ方向位置）は、たとえば、第１開口部４３の側面４３Ａの上端の高さ位置と同じである。また、ダム部４５の上面４５Ｃの高さ位置は、第１開口部４３の側面４３Ａの上端の高さ位置よりも高くてもよいし、低くてもよい。ダム部４５の高さ位置は、一定であってもよい。また、ダム部４５は、ダム部４５の延びる方向および幅方向の一方または両方において高さ位置が異なる部分を有していてもよい。また、ダム部４５の突出高さＴ１は、たとえば、４μｍ以上１０μｍ以下である。ダム部４５の高さ位置および突出高さＴ１は、一定であってもよい。
【0053】
上記のとおり、図３に示す一例では、ダム部４５は、第１開口部４３の側面４３Ａに沿って延びる線状に形成されている。線状のダム部４５は、平面視において、第１開口部４３内に、ダム領域ＤＡおよびはんだ領域ＨＡを区画している。ダム領域ＤＡは、ダム部４５の対向面４５Ａと第１開口部４３の側面４３Ａとによって挟まれた領域である。なお、上述した、第１開口部４３の側面４３Ａとダム部４５の対向面４５Ａとの間の距離Ｄ１は、ダム領域ＤＡの幅に相当する。はんだ領域ＨＡは、第１開口部４３内におけるダム領域ＤＡ以外の領域である。
【0054】
ダム部４５が環状である場合、ダム領域ＤＡは、ダム部４５の対向面４５Ａと第１開口部４３の側面４３Ａとによって囲まれた環状の領域である。そして、はんだ領域ＨＡは、ダム部４５の規制面４５Ｂによって囲まれた領域である。また、このはんだ領域ＨＡは、ダム領域ＤＡによって囲まれた領域である。
【0055】
図３に示す一例では、ダム部４５は、平面視で、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも内側（第１開口部４３の側面４３Ａからより遠い位置）に配置されている。この場合、平面視で、ダム部４５の対向面４５Ａおよび規制面４５Ｂは共に、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも内側に位置する。そして、ダム領域ＤＡは、平面視で、第１導電部材２２の縁２２Ａに跨って位置する。
【0056】
また、ダム部４５は、平面視で、第１導電部材２２の縁２２Ａに跨って配置されていてもよい。この場合、平面視で、ダム部４５の対向面４５Ａは、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも外側（第１開口部４３の側面４３Ａにより近い位置）に位置し、ダム部４５の規制面４５Ｂは、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも内側に位置する。
【0057】
また、ダム部４５は、平面視で、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも外側に配置されていてもよい。この場合、平面視で、ダム部４５の対向面４５Ａおよび規制面４５Ｂは共に、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも外側に位置する。そして、ダム領域ＤＡは、平面視で、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも外側に位置する。なお、ダム部４５は、平面視で、第１導電部材２２の縁２２Ａよりも内側に位置する部分、第１導電部材２２の縁２２Ａに跨る部分、および第１導電部材２２の縁２２Ａよりも外側に位置する部分のうちの２以上が混在する形状であってもよい。
【0058】
ダム部４５は、たとえば、絶縁材料によって構成され得る。ダム部４５の一例は、第２絶縁層４２と同じ材料、たとえば、ポリイミドにより構成されている。この場合、ダム部４５は、第２絶縁層４２と同時にパターニングすることにより形成できる。ここで、上記距離Ｄ１が５０μｍ以上である場合、第２絶縁層４２と同時にパターニングすることによりダム部４５を形成することが容易になる。また、ダム部４５の幅Ｈが５０μｍ以上である場合、ダム部４５を、第２絶縁層４２と同時にパターニングすることによりダム部４５を形成することが容易になる。また、ダム部４５と第１パッド部４０との間には、その他の層が設けられていてもよい。図４に示す一例では、ダム部４５と第１パッド部４０との間には、ＳｉＮ層３４が設けられている。
【0059】
図４に示すように、第１パッド部４０の上面には、金属層４６が設けられている。金属層４６は、ダム部４５の対向面４５Ａおよび規制面４５Ｂを介して、第１パッド部４０の上面とダム部の上面４５Ｃとに跨って形成されている。また、金属層４６は、ダム部４５の対向面４５Ａ、規制面４５Ｂ、および上面４５Ｃを介して、ダム領域ＤＡに位置する第１パッド部４０の上面と、はんだ領域ＨＡに位置する第１パッド部４０の上面とに跨って形成されている。さらに、金属層４６は、第１開口部４３の側面４３Ａを介して、ダム領域ＤＡに位置する第１パッド部４０の上面と、第２絶縁層４２における第１開口部４３の側面４３Ａに連続する上面４２Ａ１とに跨って形成されている。
【0060】
金属層４６は、たとえば、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）等の金属材料で形成されている。金属層４６は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。図４に示す一例では、金属層４６は、第１パッド部４０の上面に接するＴｉ層４６Ａと、Ｔｉ層４６Ａ上に配置されるＮｉ層４６Ｂと、Ｎｉ層４６Ｂ上に配置されるＡｇ層４６Ｃとを含む。なお、金属層４６は、省略されてもよい。
【0061】
図４に示すように、第１導電部材２２と半導体素子２０とを接合するはんだ層１９は、第１開口部４３内における、はんだ領域ＨＡに位置する第１パッド部４０と第１導電部材２２との間に配置されている。そして、はんだ層１９は、はんだ領域ＨＡに位置する第１パッド部４０の上面、または当該上面に配置された金属層４６に接するとともに、第１導電部材２２の下面に接している。これにより、はんだ層１９を介して、第１導電部材２２と半導体素子２０の第１パッド部４０とが電気的に接合されている。
【0062】
はんだ層１９は、規制面４５Ｂに配置された金属層４６に接していてもよい。この場合、はんだ層１９と金属層４６との接合面積が増加する。はんだ層１９と金属層４６との接合面積を増加させることにより、第１導電部材２２と半導体素子２０との間の抵抗を小さくできる。
【0063】
はんだ層１９は、第１導電部材２２の下面とダム部４５の上面４５Ｃとの間に位置する第１延出部１９Ａを含んでいてもよい。金属層４６を備える構成において、第１延出部１９Ａを設ける構成とした場合、第１導電部材２２とダム部４５の上面４５Ｃに配置された金属層４６とが電気的に接合される。これにより、はんだ層１９と金属層４６との接合面積をさらに増加させることができる。
【0064】
第１延出部１９Ａは、ダム部４５の上面４５Ｃ上における全体に形成されていてもよいし、部分的に形成されていてもよい。また、第１延出部１９Ａは、ダム部４５の延びる方向および幅方向の一方または両方において長さが異なる部分を有していてもよい。また、はんだ層１９は、第１延出部１９Ａのない形状であってもよい。
【0065】
はんだ層１９は、ダム部４５の対向面４５Ａと第１開口部４３の側面４３Ａとの間、すなわち、ダム領域ＤＡ内に位置する第２延出部１９Ｂを含んでいてもよい。図４では、第１延出部１９Ａを有し、第２延出部１９Ｂを含まない形状のはんだ層１９を実線で示している。そして、第２延出部１９Ｂの形状の一例を仮想線で示している。
【0066】
第２延出部１９Ｂは、熱処理時に溶融はんだの部がダム部４５を越えてダム領域ＤＡまで広がることにより形成される部分である。第２延出部１９Ｂは、図４の紙面左側のダム領域ＤＡに示すように、第１延出部１９Ａから連続する部分であってもよいし、図４の紙面右側のダム領域ＤＡに示すように、第１延出部１９Ａから分離していてもよい。また、第２延出部１９Ｂは、ダム部４５の延びる方向において、ダム部４５に沿って連続的に形成されていてもよいし、一部分のみに局所的に形成されていてもよいし、全体的または一定範囲内に点在して形成されていてもよい。
【0067】
［トランジスタ］
図５は、半導体素子２０に含まれる例示的なトランジスタ７０を示す概略断面図である。図５は、トランジスタ７０のアクティブ領域を示している。トランジスタ７０は、たとえば、トレンチゲート構造を有するＭＯＳＦＥＴであってよい。トランジスタ７０は、ゲート電極７２、ソース電極７４、およびドレイン電極７６を有している。
図５は、半導体素子２０に含まれる例示的なトランジスタ７０を示す概略断面図である。図５は、トランジスタ７０のアクティブ領域を示している。トランジスタ７０は、たとえば、トレンチゲート構造を有するＭＯＳＦＥＴであってよい。トランジスタ７０は、ゲート電極７２、ソース電極７４、およびドレイン電極７６を有している。
【0068】
半導体層３２は、半導体基板３１上に形成されたエピタキシャル層８０を含んでいてよい。半導体基板３１は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン領域に対応する。エピタキシャル層８０は、Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長されたＳｉ層であってよい。エピタキシャル層８０は、ドリフト領域８２と、ドリフト領域８２上に形成されたボディ領域８４と、ボディ領域８４上に形成されたソース領域８６とを含むことができる。
【0069】
ドレイン領域（半導体基板３１）は、ｎ型不純物を含むｎ型領域であってよい。ドレイン領域（半導体基板３１）のｎ型不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下とすることができる。ドレイン領域（半導体基板３１）は、５０μｍ以上４５０μｍ以下の厚さを有していてよい。
【0070】
ドリフト領域８２は、ドレイン領域（半導体基板３１）よりも低い濃度のｎ型不純物を含むｎ型領域であってよい。ドリフト領域８２のｎ型不純物濃度は、１×１０１５ｃｍ－３以上１×１０１８ｃｍ－３以下とすることができる。ドリフト領域８２は、１μｍ以上２５μｍ以下の厚さを有していてよい。
【0071】
ボディ領域８４は、ｐ型不純物を含むｐ型領域であってよい。ボディ領域８４のｐ型不純物濃度は、１×１０１６ｃｍ－３以上１×１０１８ｃｍ－３以下とすることができる。ボディ領域８４は、０．２μｍ以上１．０μｍ以下の厚さを有していてよい。
【0072】
ソース領域８６は、ドリフト領域８２よりも高い濃度のｎ型不純物を含むｎ型領域であってよい。ソース領域８６のｎ型不純物濃度は、１×１０１９ｃｍ－３以上１×１０２１ｃｍ－３以下とすることができる。ソース領域８６は、０．１μｍ以上１μｍ以下の厚さを有していてよい。
【0073】
なお、本開示において、ｎ型を第１導電型、およびｐ型を第２導電型ともいう。ｎ型不純物は、たとえば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等であってよい。また、ｐ型不純物は、たとえば、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）等であってよい。
【0074】
ゲート電極７２は、半導体層３２に形成されたゲートトレンチ８８内に配置されている。ゲートトレンチ８８は、半導体層３２のソース領域８６およびボディ領域８４を貫通してドリフト領域８２まで延びている。ゲートトレンチ８８内において、ゲート電極７２の下方にフィールドプレート電極９０が配置されていてよい。フィールドプレート電極９０は、ソース電極７４に電気的に接続することができる。ゲート電極７２およびフィールドプレート電極９０は、絶縁層９２とともにゲートトレンチ８８内に埋め込まれている。ゲート電極７２およびフィールドプレート電極９０は、導電性のポリシリコンによって形成されていてよい。絶縁層９２は、一例では、ＳｉＯ２から形成することができる。絶縁層９２は、追加的または代替的に、ＳｉＯ２とは異なる絶縁材料、たとえばＳｉＮ等から形成された層を含んでいてもよい。
【0075】
ソース電極７４は、ソースコンタクトプラグ９４によって半導体層３２に電気的に接続されている。ソースコンタクトプラグ９４は、２つのゲートトレンチ８８の間に配置することができる。半導体層３２は、ｐ型不純物を含むｐ型領域であるコンタクト領域９６をさらに含む。ソースコンタクトプラグ９４は、絶縁層９２およびソース領域８６を貫通して、ボディ領域８４まで延びるとともに、コンタクト領域９６と接触している。これにより、ソースコンタクトプラグ９４は、絶縁層９２上に形成されたソース電極７４を、半導体層３２のコンタクト領域９６に電気的に接続することができる。
【0076】
ゲート電極７２は、図示しないゲート配線を介して第２パッド部４１に電気的に接続されている。ソース電極７４は、図示しないソース配線を介して第１パッド部４０に電気的に接続されている。
【0077】
図５に示すトランジスタ７０は、ドレイン電極７６が半導体基板３１の底面に形成されているため、半導体基板３１の面と交差する方向に電流が流れる縦型トランジスタである。本実施形態の半導体素子２０は、任意の縦型トランジスタに適用可能である。図５の例では、トランジスタ７０はＳｉＭＯＳＦＥＴであるが、別の例では、トランジスタ７０はＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴであってもよい。
【0078】
［作用］
次に、本実施形態の半導体装置１０の作用を説明する。
半導体装置１０を製造する際には、第１導電部材２２を半導体素子２０に実装する実装工程が行われる。実装工程の一例を以下に記載する。
次に、本実施形態の半導体装置１０の作用を説明する。
半導体装置１０を製造する際には、第１導電部材２２を半導体素子２０に実装する実装工程が行われる。実装工程の一例を以下に記載する。
【0079】
まず、半導体素子２０の第２絶縁層４２の第１開口部４３内における、はんだ領域ＨＡに位置する第１パッド部４０の上面に、ペースト状のはんだを塗布する。このとき、ダム領域ＤＡに位置する第１パッド部４０の上面には、はんだを塗布しない。次に、たとえば、クリップボンダを用いて、第１導電部材２２を第１パッド部４０に塗布されたはんだ上に載置する。これにより、第１導電部材２２は、半導体素子２０の第１パッド部４０に仮付けされる。次に、加熱処理（リフロー処理）によって、はんだを液相状態とした後、冷却することにより、液相状態のはんだが固化してなるはんだ層１９を形成する。これにより、第１導電部材２２が半導体素子２０に実装される。
【0080】
上記実装工程において、加熱処理により液相状態になったはんだ（以下、溶融はんだと記載する。）は、第１開口部４３の側面４３Ａを覆う金属層４６の壁面に向けて第１パッド部４０の上面に沿って、第２絶縁層４２の第１開口部４３内を広がる。ここで、本実施形態では、第１開口部４３内にダム部４５が配置されている。このダム部４５は、第１パッド部４０の上面から突出する部分であって、第１開口部４３の側面４３Ａに離隔して対向する対向面４５Ａと、対向面４５Ａの反対側に位置する規制面４５Ｂとを有している。第１開口部４３内に配置されているダム部４５は、第１開口部４３内を広がる溶融はんだに対する障害物となることにより、溶融はんだの過度な広がりを抑制する。
【0081】
詳述すると、溶融はんだが第１開口部４３内を広がろうとしたとき、溶融はんだは、第１開口部４３の側面４３Ａに達する前に、ダム部４５の規制面４５Ｂに接触して堰き止められる。これにより、第１開口部４３内における溶融はんだの広がりを抑制できる。
【0082】
とくに、本実施形態のダム部４５は、平面視で線状に形成されている。そのため、ダム部４５の長さに基づく特定範囲において、ダム部４５の規制面４５Ｂに達した溶融はんだのそれ以上の広がりを、規制面４５Ｂにより抑制できる。さらに、ダム部４５が平面視で環状である場合には、第１パッド部４０の上面に沿った面方向における全方向（３６０度方向）において、規制面４５Ｂにより溶融はんだの広がりを抑制できる。
【0083】
また、規制面４５Ｂの一部は、ダム部４５と第１導電部材２２との間、すなわち、ダム部４５の上面４５Ｃと第１導電部材２２との間を通って第１開口部４３の側面４３Ａ側に溢れ出ることがある。この場合においても、第１開口部４３の側面４３Ａとダム部４５との間に設けられたダム領域ＤＡ内に、溢れ出た溶融はんだがトラップされる。そのため、規制面４５Ｂにより堰き止められた溶融はんだの一部がダム部４５を越えて溢れ出たとしても、溶融はんだの広がりをダム領域ＤＡ内、すなわち、第１開口部４３内に留めることができる。こうした点においても、第１開口部４３内における溶融はんだの広がりを抑制できる。
【0084】
［効果］
半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）
半導体装置１０は、半導体層３２と、前記半導体層３２上に配置された第１パッド部４０と、半導体層３２上に配置され、第１パッド部４０の上面を露出させる第１開口部４３を有する第２絶縁層４２と、平面視で第１パッド部４０と重なる位置に配置された第１導電部材２２と、第１パッド部４０と第１導電部材２２との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層１９と、第１開口部４３内に配置され、第１パッド部４０の上面から突出するダム部４５と、を備える。ダム部４５は、第１開口部４３の側面４３Ａに離隔して対向する対向面４５Ａと、対向面４５Ａの反対側に位置する規制面４５Ｂとを有する。
半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）
半導体装置１０は、半導体層３２と、前記半導体層３２上に配置された第１パッド部４０と、半導体層３２上に配置され、第１パッド部４０の上面を露出させる第１開口部４３を有する第２絶縁層４２と、平面視で第１パッド部４０と重なる位置に配置された第１導電部材２２と、第１パッド部４０と第１導電部材２２との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層１９と、第１開口部４３内に配置され、第１パッド部４０の上面から突出するダム部４５と、を備える。ダム部４５は、第１開口部４３の側面４３Ａに離隔して対向する対向面４５Ａと、対向面４５Ａの反対側に位置する規制面４５Ｂとを有する。
【0085】
この構成によれば、第１導電部材２２と第１パッド部４０とを接合するはんだ層１９を形成するための加熱処理において、第１開口部４３内を広がる溶融はんだがダム部４５の規制面４５Ｂに接触する。これにより、第１開口部４３内における溶融はんだの過度な広がりを抑制できる。したがって、溶融はんだが固化してなるはんだ層１９の過度な広がりを抑制できる。その結果、はんだ層１９の過度な広がりに起因する意図しない短絡、たとえば、第１パッド部４０と第２パッド部４１との間の短絡を抑制できる。
【0086】
（１－２）
ダム部４５は、平面視で線状に延びる形状である。ダム部４５の対向面４５Ａと第１開口部４３の側面４３Ａとによって挟まれたダム領域ＤＡが形成されている。この構成によれば、第１開口部４３内を広がる溶融はんだに関して、ダム部４５の規制面４５Ｂを越える広がりを抑制できる。これにより、はんだ層１９の過度な広がりを抑制できる効果が向上する。
ダム部４５は、平面視で線状に延びる形状である。ダム部４５の対向面４５Ａと第１開口部４３の側面４３Ａとによって挟まれたダム領域ＤＡが形成されている。この構成によれば、第１開口部４３内を広がる溶融はんだに関して、ダム部４５の規制面４５Ｂを越える広がりを抑制できる。これにより、はんだ層１９の過度な広がりを抑制できる効果が向上する。
【0087】
また、ダム部４５よりも外側に溢れ出た溶融はんだは、第１開口部４３の側面４３Ａとダム部４５との間に設けられたダム領域ＤＡ内にトラップされる。これにより、溶融はんだが第１開口部４３の外側まで広がること、ひいては、はんだ層１９が第１開口部４３の外側まで広がることを抑制できる。
【0088】
（１－３）
ダム部４５は、平面視で環状である。ダム領域ＤＡは、平面視で閉じた環状である。この構成によれば、第１パッド部４０の上面に沿った面方向における全方向（３６０度方向）において、ダム部４５の規制面４５Ｂに基づいて、はんだ層１９の広がりを抑制する効果が得られる。
ダム部４５は、平面視で環状である。ダム領域ＤＡは、平面視で閉じた環状である。この構成によれば、第１パッド部４０の上面に沿った面方向における全方向（３６０度方向）において、ダム部４５の規制面４５Ｂに基づいて、はんだ層１９の広がりを抑制する効果が得られる。
【0089】
（１－４）
平面視において、ダム部４５の規制面４５Ｂは、第１導電部材２２の縁よりも内側（第１開口部４３の側面４３Ａから離れた位置）に位置している。この構成によれば、平面視において、はんだ層１９が第１導電部材２２の縁よりも外側まで広がることを抑制できる。
平面視において、ダム部４５の規制面４５Ｂは、第１導電部材２２の縁よりも内側（第１開口部４３の側面４３Ａから離れた位置）に位置している。この構成によれば、平面視において、はんだ層１９が第１導電部材２２の縁よりも外側まで広がることを抑制できる。
【0090】
（１－６）
平面視において、ダム部４５の対向面４５Ａは、第１導電部材２２の縁よりも内側（第１開口部４３の側面４３Ａから離れた位置）に位置している。この構成によれば、平面視において、ダム部４５の内側の一部も、第１導電部材２２の縁よりも内側に位置する。そのため、ダム部４５を越えてダム領域ＤＡに達したはんだ層１９の第２延出部１９Ｂについても、少量であれば、第１導電部材２２の縁よりも内側に収まる。したがって、はんだ層１９の第２延出部１９Ｂが、第１導電部材２２の縁よりも外側まで広がることも抑制でき得る。
平面視において、ダム部４５の対向面４５Ａは、第１導電部材２２の縁よりも内側（第１開口部４３の側面４３Ａから離れた位置）に位置している。この構成によれば、平面視において、ダム部４５の内側の一部も、第１導電部材２２の縁よりも内側に位置する。そのため、ダム部４５を越えてダム領域ＤＡに達したはんだ層１９の第２延出部１９Ｂについても、少量であれば、第１導電部材２２の縁よりも内側に収まる。したがって、はんだ層１９の第２延出部１９Ｂが、第１導電部材２２の縁よりも外側まで広がることも抑制でき得る。
【0091】
（１－７）
ダム部４５の上面４５Ｃの高さ位置は、第２絶縁層４２における第１開口部４３の側面４３Ａに連続する上面４２Ａ１の高さ位置と同じである。この構成によれば、ダム部４５は、第２絶縁層４２の上面４２Ａ１よりも上方に突出していない。そのため、はんだ層１９の広がりを抑制する効果を高めるためにダム部４５を高く形成しつつも、第１導電部材２２にダム部４５が干渉することを抑制できる。
ダム部４５の上面４５Ｃの高さ位置は、第２絶縁層４２における第１開口部４３の側面４３Ａに連続する上面４２Ａ１の高さ位置と同じである。この構成によれば、ダム部４５は、第２絶縁層４２の上面４２Ａ１よりも上方に突出していない。そのため、はんだ層１９の広がりを抑制する効果を高めるためにダム部４５を高く形成しつつも、第１導電部材２２にダム部４５が干渉することを抑制できる。
【0092】
（１－８）
ダム部４５は、第２絶縁層４２と同じ材料により形成されている。この構成によれば、ダム部４５は、第２絶縁層４２と同時にパターニングすることにより形成できる。
ダム部４５は、第２絶縁層４２と同じ材料により形成されている。この構成によれば、ダム部４５は、第２絶縁層４２と同時にパターニングすることにより形成できる。
【0093】
（１－９）
半導体装置１０は、第１パッド部４０の上面とはんだ層１９との間に設けられた金属層４６を備える。金属層４６は、対向面４５Ａおよび規制面４５Ｂを介して、第１パッド部４０の上面とダム部４５の上面４５Ｃとに跨って形成されている。この構成によれば、はんだ層１９におけるダム部４５と接している部分においても、第１導電部材２２と第１パッド部４０とを電気的に接続するための接触を取ることができる。そのため、ダム部４５を設けることに起因して、第１導電部材２２と第１パッド部４０との間の抵抗が増加することを抑制できる。
半導体装置１０は、第１パッド部４０の上面とはんだ層１９との間に設けられた金属層４６を備える。金属層４６は、対向面４５Ａおよび規制面４５Ｂを介して、第１パッド部４０の上面とダム部４５の上面４５Ｃとに跨って形成されている。この構成によれば、はんだ層１９におけるダム部４５と接している部分においても、第１導電部材２２と第１パッド部４０とを電気的に接続するための接触を取ることができる。そのため、ダム部４５を設けることに起因して、第１導電部材２２と第１パッド部４０との間の抵抗が増加することを抑制できる。
【0094】
（１－１０）
はんだ層１９は、ダム部４５と第１導電部材２２との間に位置する部分である第１延出部１９Ａを含む。この構成によれば、第１延出部１９Ａの分だけ、はんだ層１９と金属層４６との接合面積が大きくなる。そのため、第１導電部材２２と第１パッド部４０との間の抵抗を小さくできる。
はんだ層１９は、ダム部４５と第１導電部材２２との間に位置する部分である第１延出部１９Ａを含む。この構成によれば、第１延出部１９Ａの分だけ、はんだ層１９と金属層４６との接合面積が大きくなる。そのため、第１導電部材２２と第１パッド部４０との間の抵抗を小さくできる。
【0095】
（１－１１）
金属層４６は、第１開口部４３の側面４３Ａを介して、第１パッド部４０の上面と第２絶縁層４２における第１開口部４３の側面４３Ａに連続する上面４２Ａ１とに跨って形成されている。この構成によれば、はんだ層１９におけるダム領域ＤＡに位置する部分である第２延出部１９Ｂにおいても、第１導電部材２２と第１パッド部４０とを電気的に接続するための接触を取ることができる。そのため、ダム部４５を設けることに起因して、第１導電部材２２と第１パッド部４０との間の抵抗が増加することを抑制できる。
金属層４６は、第１開口部４３の側面４３Ａを介して、第１パッド部４０の上面と第２絶縁層４２における第１開口部４３の側面４３Ａに連続する上面４２Ａ１とに跨って形成されている。この構成によれば、はんだ層１９におけるダム領域ＤＡに位置する部分である第２延出部１９Ｂにおいても、第１導電部材２２と第１パッド部４０とを電気的に接続するための接触を取ることができる。そのため、ダム部４５を設けることに起因して、第１導電部材２２と第１パッド部４０との間の抵抗が増加することを抑制できる。
【0096】
＜変更例＞
上記各実施形態はたとえば以下のように変更できる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記各実施形態はたとえば以下のように変更できる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0097】
・ダム部４５に関して、平面視で線状に延びる形状は、閉じた環状に限定されない。たとえば、部分的に切れ目を有する開いた環状であってもよいし、端部を有する線状であってもよい。端部を有する線状のダム部４５の一例である線状ダム部４５Ｄ，４５Ｅを図６に示す。
【0098】
図６に示される線状ダム部４５Ｄは、平面視において、第１開口部４３に沿って直線状に延びる形状である。線状ダム部４５Ｄの両端部は、第１開口部４３の側面４３Ａに対して離隔している。この場合、線状ダム部４５Ｄの対向面４５Ａと第１開口部４３の側面４３Ａとの間にダム領域ＤＡ１が形成される。ダム領域ＤＡ１は、平面視において、部分的にはんだ領域ＨＡに開放されている。
【0099】
図６に示される線状ダム部４５Ｅは、平面視において、第１開口部４３に沿ってＬ字状に延びる形状である。線状ダム部４５Ｅの両端部は共に、第１開口部４３の側面４３Ａに接続されている。この場合、線状ダム部４５Ｅの対向面４５Ａと第１開口部４３の側面４３Ａとの間にダム領域ＤＡ２が形成される。ダム領域ＤＡ２は、平面視において、はんだ領域ＨＡに対して独立した領域（閉じた領域）である。線状ダム部４５Ｅは、一方の端部が第１開口部４３の側面４３Ａに対して離隔しており、他方の端部が側面４３Ａ接続されていてもよい。
【0100】
・ダム部４５の形状は、壁状に限定されるものでなく、柱状等の壁状以外の形状であってもよい。柱状のダム部４５の一例である柱状ダム部４５Ｆ，４５Ｇを図７に示す。
柱状ダム部４５Ｆは、平面視で矩形状に形成されている。柱状ダム部４５Ｆは、第１開口部４３における外側に凸となる角部に位置する側面４３Ａに対向するように配置されている。したがって、柱状ダム部４５Ｆは、側面４３Ａに対向する２つの対向面４５Ａと、それら対向面４５Ａの反対側に位置する２つの規制面４５Ｂを有する。
柱状ダム部４５Ｆは、平面視で矩形状に形成されている。柱状ダム部４５Ｆは、第１開口部４３における外側に凸となる角部に位置する側面４３Ａに対向するように配置されている。したがって、柱状ダム部４５Ｆは、側面４３Ａに対向する２つの対向面４５Ａと、それら対向面４５Ａの反対側に位置する２つの規制面４５Ｂを有する。
【0101】
柱状ダム部４５Ｇは、平面視で、柱状ダム部４５Ｆよりも一回り小さい矩形状に形成されている。柱状ダム部４５Ｇは、第１開口部４３における内側に凸となる角部に位置する側面４３Ａに対向するように、複数が並んで配置されている。柱状ダム部４５Ｇの各々は、側面４３Ａに対向する対向面４５Ａと、それら対向面４５Ａの反対側に位置する規制面４５Ｂを有する。
【0102】
柱状ダム部４５Ｆ，４５Ｇは、壁状のダム部４５と同様に、溶融はんだの流れの勢いを弱めること、および溶融はんだの流れ方向を変化させることによって、溶融はんだの広がりを抑制する。また、柱状ダム部４５Ｆ，４５Ｇの平面視形状は、矩形状に限定されるものでない。柱状ダム部４５Ｆ，４５Ｇの平面視形状は、たとえば、三角形状等の多角形状、Ｌ字状であってもよい。
【0103】
・第１開口部４３内において、線状ダム部４５Ｄ、４５Ｅおよび柱状ダム部４５Ｆ，４５Ｇの各ダム部４５を設ける位置は特に限定されるものでなく、任意に設定できる。たとえば、溶融はんだが集まりやすい部位である、第１開口部４３の角部の付近に、上記のダム部４５を設けてもよい。また、隣接する別のパッド部である第２パッド部４１に近い位置、たとえば、対向面４５Ａが、第１パッド部４０と第２パッド部４１とを隔てる部分に位置する第２絶縁層４２の側面（側面４３Ａ）に対向するように上記のダム部４５を設けてもよい。この場合、線状ダム部４５Ｅにより、第１パッド部４０から第２パッド部４１に向かうはんだ層１９の広がりを抑制できる。これにより、第１パッド部４０と第２パッド部４１との間の短絡を抑制できる。
【0104】
・上記実施形態では、半導体層３２上に配置されたパッド部として、第１パッド部４０および第２パッド部４１を設けていたが、パッド部の数およびレイアウトは、１以上の任意の数および任意のレイアウトに変更できる。なお、２以上のパッド部を有する場合、ダム部４５を設けるパッド部は特に限定されるものでなく、いずれか１以上のパッド部にダム部４５が設けられていればよい。たとえば、第２パッド部４１と第２導電部材２４との接合構造についても、第１パッド部４０と第１導電部材２２との接合構造と同様のダム部４５を有する接合構造としてもよい。また、１つのパッド部に複数のダム部４５が設けられていてもよい。
【0105】
・金属層４６の一部または全部を省略してもよい。たとえば、金属層４６において、第２絶縁層４２に形成されている部分（側面４３Ａおよび上面４２Ａ１に形成されている部分）を省略してもよいし、当該部分に加えてダム領域ＤＡに位置する第１パッド部４０に形成されている部分も併せて省略してもよい。
【0106】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「第１層が第２層上に形成される」という表現は、或る実施形態では第１層が第２層に接触して第２層上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１層が第２層に接触することなく第２層の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１層と第２層との間に他の層が形成される構造を排除しない。
【0107】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造（たとえば、図２，図３に示される構造）は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。たとえば、Ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0108】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0109】
［付記１］
半導体層（３２）と、
前記半導体層（３２）上に配置されたパッド部（４０）と、
前記半導体層（３２）上に配置され、前記パッド部（４０）の上面を露出させる開口部（４３）を有する絶縁層（４２Ａ）と、
平面視で前記パッド部（４０）と重なる位置に配置された導電部材（２２）と、
前記パッド部（４０）と前記導電部材（２２）との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層（１９）と、
前記開口部（４３）内に配置され、前記パッド部（４０）の上面から突出するダム部（４５）と、を備え、
前記ダム部（４５）は、前記開口部（４３）の側面に離隔して対向する対向面（４３Ａ）と、前記対向面（４３Ａ）の反対側に位置する規制面（４３Ｂ）とを有する、半導体装置（１０）。
半導体層（３２）と、
前記半導体層（３２）上に配置されたパッド部（４０）と、
前記半導体層（３２）上に配置され、前記パッド部（４０）の上面を露出させる開口部（４３）を有する絶縁層（４２Ａ）と、
平面視で前記パッド部（４０）と重なる位置に配置された導電部材（２２）と、
前記パッド部（４０）と前記導電部材（２２）との間に少なくとも一部が設けられ、両者を電気的に接続するのに用いられるはんだ層（１９）と、
前記開口部（４３）内に配置され、前記パッド部（４０）の上面から突出するダム部（４５）と、を備え、
前記ダム部（４５）は、前記開口部（４３）の側面に離隔して対向する対向面（４３Ａ）と、前記対向面（４３Ａ）の反対側に位置する規制面（４３Ｂ）とを有する、半導体装置（１０）。
【0110】
［付記２］
前記ダム部（４５，４５Ｄ，４５Ｅ）は、平面視で線状に延びる形状であり、
前記ダム部（４５）の前記対向面（４３Ａ）と前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）とによって挟まれたダム領域（ＤＡ）が形成されている、付記１に記載の半導体装置（１０）。
前記ダム部（４５，４５Ｄ，４５Ｅ）は、平面視で線状に延びる形状であり、
前記ダム部（４５）の前記対向面（４３Ａ）と前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）とによって挟まれたダム領域（ＤＡ）が形成されている、付記１に記載の半導体装置（１０）。
【0111】
［付記３］
前記ダム部（４５）は、平面視で環状であり、
前記ダム領域（ＤＡ）は、平面視で環状である、付記２に記載の半導体装置（１０）。
前記ダム部（４５）は、平面視で環状であり、
前記ダム領域（ＤＡ）は、平面視で環状である、付記２に記載の半導体装置（１０）。
【0112】
［付記４］
前記ダム部（４５）は、平面視で閉じた環状であり、
前記ダム領域（ＤＡ）は、平面視で閉じた環状である、付記２に記載の半導体装置（１０）。
前記ダム部（４５）は、平面視で閉じた環状であり、
前記ダム領域（ＤＡ）は、平面視で閉じた環状である、付記２に記載の半導体装置（１０）。
【0113】
［付記５］
平面視において、前記ダム部（４５）の幅は、５０μｍ以上である、付記２～４のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
平面視において、前記ダム部（４５）の幅は、５０μｍ以上である、付記２～４のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0114】
［付記６］
前記ダム部（４５Ｆ）は、柱状である、付記１に記載の半導体装置（１０）。
［付記７］
平面視において、前記ダム部（４５）の前記規制面（４５Ｂ）は、前記導電部材（２２）の縁（２２Ａ）よりも内側に位置している、付記１～６のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記ダム部（４５Ｆ）は、柱状である、付記１に記載の半導体装置（１０）。
［付記７］
平面視において、前記ダム部（４５）の前記規制面（４５Ｂ）は、前記導電部材（２２）の縁（２２Ａ）よりも内側に位置している、付記１～６のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0115】
［付記８］
平面視において、前記ダム部（４５）の前記対向面（４５Ａ）は、前記導電部材（２２）の縁（２２Ａ）よりも内側に位置している、付記７に記載の半導体装置（１０）。
平面視において、前記ダム部（４５）の前記対向面（４５Ａ）は、前記導電部材（２２）の縁（２２Ａ）よりも内側に位置している、付記７に記載の半導体装置（１０）。
【0116】
［付記９］
前記ダム部（４５）の上面の高さ位置は、前記絶縁層（４２Ａ）における前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）に連続する上面（４２Ａ１）の高さ位置と同じである、付記１～８のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記ダム部（４５）の上面の高さ位置は、前記絶縁層（４２Ａ）における前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）に連続する上面（４２Ａ１）の高さ位置と同じである、付記１～８のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0117】
［付記１０］
前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）と前記ダム部（４５）の前記対向面（４５Ａ）との間の距離は、５０μｍ以上である、付記１～９のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）と前記ダム部（４５）の前記対向面（４５Ａ）との間の距離は、５０μｍ以上である、付記１～９のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0118】
［付記１１］
前記ダム部（４５）は、前記絶縁層（４２Ａ）と同じ材料により形成されている、付記１～１０のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記ダム部（４５）は、前記絶縁層（４２Ａ）と同じ材料により形成されている、付記１～１０のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0119】
［付記１２］
前記はんだ層（１９）は、前記ダム部（４５）の前記対向面（４５Ａ）と前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）との間に位置する部分（１９Ｂ）を含む、付記１～１１のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記はんだ層（１９）は、前記ダム部（４５）の前記対向面（４５Ａ）と前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）との間に位置する部分（１９Ｂ）を含む、付記１～１１のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0120】
［付記１３］
前記パッド部（４０）の前記上面と前記はんだ層（１９）との間に設けられた金属層（４６）を備え、
前記金属層（４６）は、前記対向面（４５Ａ）および前記規制面（４５Ｂ）を介して、前記パッド部（４０）の上面と前記ダム部（４５）の上面（４５Ｃ）とに跨って形成されている、付記１～１２のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記パッド部（４０）の前記上面と前記はんだ層（１９）との間に設けられた金属層（４６）を備え、
前記金属層（４６）は、前記対向面（４５Ａ）および前記規制面（４５Ｂ）を介して、前記パッド部（４０）の上面と前記ダム部（４５）の上面（４５Ｃ）とに跨って形成されている、付記１～１２のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0121】
［付記１４］
前記金属層（４６）は、前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）を介して、前記パッド部（４０）の上面と前記絶縁層（４２Ａ）における前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）に連続する上面（４２Ａ１）とに跨って形成されている、付記１３に記載の半導体装置（１０）。
前記金属層（４６）は、前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）を介して、前記パッド部（４０）の上面と前記絶縁層（４２Ａ）における前記開口部（４３）の側面（４３Ａ）に連続する上面（４２Ａ１）とに跨って形成されている、付記１３に記載の半導体装置（１０）。
【0122】
［付記１５］
前記金属層（４６）は、前記パッド部（４０）に接するＴｉ層（４６Ａ）と、前記Ｔｉ層（４６Ａ）上に配置されるＮｉ層（４６Ｂ）と、前記Ｎｉ層（４６Ｂ）上に配置されるＡｇ層（４６Ｃ）とを含む、付記１３または付記１４に記載の半導体装置（１０）。
前記金属層（４６）は、前記パッド部（４０）に接するＴｉ層（４６Ａ）と、前記Ｔｉ層（４６Ａ）上に配置されるＮｉ層（４６Ｂ）と、前記Ｎｉ層（４６Ｂ）上に配置されるＡｇ層（４６Ｃ）とを含む、付記１３または付記１４に記載の半導体装置（１０）。
【0123】
［付記１６］
前記はんだ層（１９）は、前記ダム部（４５）と前記導電部材（２２）との間に位置する部分（１９Ａ）を含む、付記１３～１５のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記はんだ層（１９）は、前記ダム部（４５）と前記導電部材（２２）との間に位置する部分（１９Ａ）を含む、付記１３～１５のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0124】
［付記１７］
前記絶縁層（４２Ａ）は、ポリイミド層である、付記１～１６のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記絶縁層（４２Ａ）は、ポリイミド層である、付記１～１６のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【0125】
［付記１８］
前記導電部材（２２）は、Ｃｕクリップである、付記１～１７のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
前記導電部材（２２）は、Ｃｕクリップである、付記１～１７のいずれか１つに記載の半導体装置（１０）。
【符号の説明】
【0126】
Ｄ１，Ｄ２…距離
ＤＡ…ダム領域
ＨＡ…はんだ領域
Ｈ…幅
Ｔ１…突出高さ
１０…半導体装置
１２…導電板
１２Ｓ…接合面
１４…第１導電端子
１４Ｓ…接合面
１６…第２導電端子
１６Ｓ…接合面
１８…導電性接合材
１９…はんだ層
１９Ａ…第１延出部
１９Ｂ…第２延出部
２０…半導体素子
２２…第１導電部材
２２Ａ…縁
２２Ｆ…第１端部
２２Ｍ…中間部
２２Ｒ…第２端部
２４…第２導電部材
２４Ｆ…第１端部
２４Ｍ…中間部
２４Ｒ…第２端部
２６…封止部材
３１…半導体基板
３１Ａ…第１面
３１Ｂ…第２面
３２…半導体層
３２Ａ…第１面
３２Ｂ…第２面
３３…第１絶縁層
３３Ａ…第１面
３３Ｂ…第２面
３４…ＳｉＮ層
４０…第１パッド部
４１…第２パッド部
４２，４２Ａ，４２Ｂ…第２絶縁層
４２Ａ１…上面
４３…第１開口部
４３Ａ…側面
４４…第２開口部
４５，４５Ｄ，４５Ｅ，４５Ｆ…ダム部
４５Ａ…対向面
４５Ｂ…規制面
４５Ｃ…上面
４５Ｄ，４５Ｅ…線状ダム部
４５Ｆ，４５Ｇ…柱状ダム部
４６…金属層
４６Ａ…Ｔｉ層
４６Ｂ…Ｎｉ層
４６Ｃ…Ａｇ層
７０…トランジスタ
７２…ゲート電極
７４…ソース電極
７６…ドレイン電極
８０…エピタキシャル層
８２…ドリフト領域
８４…ボディ領域
８６…ソース領域
８８…ゲートトレンチ
９０…フィールドプレート電極
９２…絶縁層
９４…ソースコンタクトプラグ
９６…コンタクト領域
ＤＡ…ダム領域
ＨＡ…はんだ領域
Ｈ…幅
Ｔ１…突出高さ
１０…半導体装置
１２…導電板
１２Ｓ…接合面
１４…第１導電端子
１４Ｓ…接合面
１６…第２導電端子
１６Ｓ…接合面
１８…導電性接合材
１９…はんだ層
１９Ａ…第１延出部
１９Ｂ…第２延出部
２０…半導体素子
２２…第１導電部材
２２Ａ…縁
２２Ｆ…第１端部
２２Ｍ…中間部
２２Ｒ…第２端部
２４…第２導電部材
２４Ｆ…第１端部
２４Ｍ…中間部
２４Ｒ…第２端部
２６…封止部材
３１…半導体基板
３１Ａ…第１面
３１Ｂ…第２面
３２…半導体層
３２Ａ…第１面
３２Ｂ…第２面
３３…第１絶縁層
３３Ａ…第１面
３３Ｂ…第２面
３４…ＳｉＮ層
４０…第１パッド部
４１…第２パッド部
４２，４２Ａ，４２Ｂ…第２絶縁層
４２Ａ１…上面
４３…第１開口部
４３Ａ…側面
４４…第２開口部
４５，４５Ｄ，４５Ｅ，４５Ｆ…ダム部
４５Ａ…対向面
４５Ｂ…規制面
４５Ｃ…上面
４５Ｄ，４５Ｅ…線状ダム部
４５Ｆ，４５Ｇ…柱状ダム部
４６…金属層
４６Ａ…Ｔｉ層
４６Ｂ…Ｎｉ層
４６Ｃ…Ａｇ層
７０…トランジスタ
７２…ゲート電極
７４…ソース電極
７６…ドレイン電極
８０…エピタキシャル層
８２…ドリフト領域
８４…ボディ領域
８６…ソース領域
８８…ゲートトレンチ
９０…フィールドプレート電極
９２…絶縁層
９４…ソースコンタクトプラグ
９６…コンタクト領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】