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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024039477
(43)【公開日】2024-03-22
(54)【発明の名称】ウェハ搬送キャリアおよび半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/673 20060101AFI20240314BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240314BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 T
H01L21/304 648D
H01L21/304 648F
H01L21/304 647Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022144067
(22)【出願日】2022-09-09
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100107582
【弁理士】
【氏名又は名称】関根 毅
(74)【代理人】
【識別番号】100118843
【弁理士】
【氏名又は名称】赤岡 明
(74)【代理人】
【識別番号】100213654
【弁理士】
【氏名又は名称】成瀬 晃樹
(72)【発明者】
【氏名】中岡 聡
(72)【発明者】
【氏名】飯森 弘恭
【テーマコード（参考）】
5F131
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA18
5F131BA33
5F131CA06
5F131DA23
5F131GA12
5F131GA13
5F131GA30
5F131GA53
5F157BE12
5F157CF04
5F157CF22
5F157CF34
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF48
5F157CF60
5F157CF62
5F157CF74
5F157CF93
5F157CF99
5F157DC86
(57)【要約】
【課題】ウェハを液体に接触した状態でウェハを搬送することができるウェハ搬送キャリアおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によるウェハ搬送キャリアは、容器と、蓋部と、を備える。容器は、ウェハおよび液体を収容し、ウェハが液体に接触した状態で移動可能である。蓋部は、容器の内部を密閉可能である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ウェハおよび液体を収容し、前記ウェハが前記液体に接触した状態で移動可能な容器と、
前記容器の内部を密閉可能な蓋部と、
を備える、ウェハ搬送キャリア。
前記容器の内部を密閉可能な蓋部と、
を備える、ウェハ搬送キャリア。
【請求項2】
前記容器に収容される前記液体を温調する第１温調部をさらに備える、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項3】
前記容器に収容される前記液体を撹拌する撹拌部さらに備える、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項4】
前記容器の内部の異なる２つの位置に接続される循環路と、
前記循環路の経路上に設けられ、前記循環路が接続される前記容器の一方の位置から他方の位置に前記液体を送るポンプと、
前記循環路の経路上に設けられるフィルタと、
をさらに備える、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
前記循環路の経路上に設けられ、前記循環路が接続される前記容器の一方の位置から他方の位置に前記液体を送るポンプと、
前記循環路の経路上に設けられるフィルタと、
をさらに備える、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項5】
前記容器内の異なる２つの位置に接続される循環路と、
前記循環路の経路上に設けられ、前記循環路が接続される前記容器の一方の位置から他方の位置に前記液体を送るポンプと、
前記循環路の経路上に設けられ、循環する前記液体を温調する第２温調部と、
をさらに備える、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
前記循環路の経路上に設けられ、前記循環路が接続される前記容器の一方の位置から他方の位置に前記液体を送るポンプと、
前記循環路の経路上に設けられ、循環する前記液体を温調する第２温調部と、
をさらに備える、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項6】
移動中または停止中の少なくとも一方において受電可能な受電部をさらに備える、請求項２から請求項５のいずれか一項に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項7】
前記容器内に前記液体を供給する供給部、および、前記容器内の前記液体を排出する排液部は、前記蓋部を貫通可能である、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項8】
前記蓋部は、前記容器の上部に設けられる、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項9】
前記容器は、前記ウェハの面が縦置きになるように前記ウェハを収容する、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項10】
前記容器および前記蓋部は、フッ素コーティングされた内面を有する、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項11】
前記容器に設けられ、ウェハ搬送キャリアの搬送時にウェハ搬送キャリアを把持する把持部と接する突起部をさらに備える、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項12】
前記蓋部は、前記容器の縁に沿った軸を中心に回転することにより、前記容器を開閉する板状部材を有する、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項13】
前記液体は、薬液である、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項14】
前記液体は、純水である、請求項１に記載のウェハ搬送キャリア。
【請求項15】
薬液を供給する第１供給装置により、容器内に前記薬液を供給し、
前記容器内のウェハが前記薬液に接触した状態で、前記容器を前記第１供給装置から移動させ、
前記第１供給装置の外部で前記ウェハを前記薬液により処理する、
ことを具備する、半導体装置の製造方法。
前記容器内のウェハが前記薬液に接触した状態で、前記容器を前記第１供給装置から移動させ、
前記第１供給装置の外部で前記ウェハを前記薬液により処理する、
ことを具備する、半導体装置の製造方法。
【請求項16】
リンス液を供給する第２装置に、前記容器を移動させ、
前記第２装置により、前記容器内に前記リンス液を供給する、
ことをさらに具備する、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２装置により、前記容器内に前記リンス液を供給する、
ことをさらに具備する、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項17】
純水を供給する第３供給装置により、容器内に前記純水を供給し、
前記容器内のウェハが前記純水に接触した状態で、前記容器を前記第３供給装置から移動させる、
ことを具備する、半導体装置の製造方法。
前記容器内のウェハが前記純水に接触した状態で、前記容器を前記第３供給装置から移動させる、
ことを具備する、半導体装置の製造方法。
【請求項18】
次の工程まで、前記ウェハが前記純水に接触した状態を維持する、ことをさらに具備する、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施形態は、ウェハ搬送キャリアおよび半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ウェハの処理装置において、通常、ウェハは、処理後に乾燥した状態で装置外へ搬出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平８－１９１０５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ウェハを液体に接触した状態でウェハを搬送することができるウェハ搬送キャリアおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本実施形態によるウェハ搬送キャリアは、容器と、蓋部と、を備える。容器は、ウェハおよび液体を収容し、ウェハが液体に接触した状態で移動可能である。蓋部は、容器の内部を密閉可能である。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１実施形態による半導体製造システムの構成の一例を示す図である。
【図2】第１実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【図3】第１実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【図4】第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。
【図5】比較例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。
【図6】第１実施形態の第１変形例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。
【図7】第１実施形態の第２変形例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。
【図8A】第２実施形態による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。
【図9A】第２実施形態の第１変形例による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。
【図10A】第２実施形態の第２変形例による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。
【図11】第３実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【図12】第４実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【図13】第５実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【図14】第６実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【図15】第７実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【図16】第８実施形態によるウェハ搬送キャリアの構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による半導体製造システム１００の構成の一例を示す図である。
図１は、第１実施形態による半導体製造システム１００の構成の一例を示す図である。
【0009】
半導体製造システム１００は、ウェハ搬送キャリア１０、１０ａと、搬送部２０と、装置３０、４０と、載置部５０と、を備える。
【0010】
ウェハ搬送キャリア１０は、ウェハＷおよび液体Ｌを収容し、ウェハＷを搬送する。尚、ウェハ搬送キャリア１０の詳細については、図２を参照して、後で説明する。
【0011】
ウェハ搬送キャリア１０ａは、ウェハＷを収容し、ウェハＷを搬送する。ウェハ搬送キャリア１０ａは、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）である。尚、ウェハ搬送キャリア１０ａの詳細については、図３を参照して、後で説明する。
【0012】
搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０、１０ａを搬送する。搬送部２０は、例えば、ＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）である。
【0013】
装置３０は、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せ替えるとともに、ウェハ搬送キャリア１０内に薬液を供給する。
【0014】
装置４０は、ウェハ搬送キャリア１０内のウェハに、ＤＩＷ（Deionized Water）リンスおよび乾燥を行う。装置４０は、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０ａに載せ替える。
【0015】
載置部５０は、搬送部２０の経路上において、装置３０と、装置４０と、の間に設けられる。載置部５０は、例えば、ウェハ搬送キャリア１０が載置される棚である。
【0016】
次に、ウェハ搬送キャリア１０について説明する。
【0017】
図２は、第１実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。
【0018】
尚、図２は、ウェハ搬送キャリア１０の底面に平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、ウェハ搬送キャリア１０の底面に垂直なＺ方向とを示している。本明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、－Ｚ方向を下方向として取り扱う。－Ｚ方向は、重力方向と一致していても一致していなくてもよい。
【0019】
ウェハ搬送キャリア１０は、容器１１と、蓋部１２と、を有する。
【0020】
容器１１は、ウェハＷおよび液体Ｌを収容する。容器１１は、ウェハＷが液体Ｌに接触した状態で移動可能である。すなわち、ウェハＷは、液体Ｌに浸されている。容器１１は、ウェハＷの面が縦置きになるようにウェハＷを収容する。これにより、ウェハＷの出し入れを行いやすくすることができる。図２に示す例では、ウェハＷは、ウェハＷの面がＹＺ平面に略平行になるように配置される。
【0021】
容器１１は、液体Ｌの重量を支えるため、高い強度を有することが好ましい。容器１１には、例えば、堅い樹脂または金属が用いられる。
【0022】
蓋部１２は、容器１１の内部を密閉可能である。蓋部１２は、容器１１の上部に設けられる。これは、容器１１が液体Ｌを収容するためである。
【0023】
図３は、第１実施形態によるウェハ搬送キャリア１０ａの構成の一例を示す断面図である。
【0024】
ウェハ搬送キャリア１０ａは、容器１１ａと、蓋部１２ａと、を有する。
【0025】
容器１１ａは、ウェハＷを収容する。容器１１ａは、ウェハＷの面が横置きになるようにウェハＷを収容する。図３に示す例では、ウェハＷは、ウェハＷの面がＸＹ平面に略平行になるように配置される。
【0026】
蓋部１２ａは、容器１１の内部を密閉可能である。蓋部１２ａは、容器１１ａの側部に設けられる。ウェハ搬送キャリア１０ａ内には、気体が充填されている。
【0027】
次に、半導体製造システム１００の動作について説明する。
【0028】
【0029】
まず、搬送部２０は、ウェハＷを収容するウェハ搬送キャリア１０ａを装置３０に搬入する（Ｓ１０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で装置３０に搬入される。
【0030】
次に、装置３０は、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せ替えるとともに、容器１１内に薬液を注入する（Ｓ２０）。
【0031】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を装置３０から搬出する（Ｓ３０）。ウェハＷは、薬液で満たされたウェハ搬送キャリア１０により搬送される。従って、ウェハＷは、濡れた状態で装置３０から搬出される。すなわち、搬送部２０は、容器１１内のウェハＷが薬液に接触した状態で、容器１１を装置３０から移動させる。
【0032】
次に、装置３０の外で、薬液処理を行う（Ｓ４０）。ウェハＷの処理は、例えば、ウェハ搬送キャリア１０の搬送中に行われる。
【0033】
尚、処理時間が長い場合、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を載置部５０に載置してもよい。この場合、処理時間に応じて、ウェハ搬送キャリア１０は、載置部５０で載置さる。
【0034】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を装置４０へ搬入する（Ｓ５０）。ウェハＷは、薬液で満たされたウェハ搬送キャリア１０により搬送される。従って、ウェハＷは、濡れた状態で装置４０に搬入される。すなわち、搬送部２０は、リンス液（例えば、ＤＩＷ）を供給する装置４０に、容器１１を移動させる。
【0035】
次に、装置４０は、ＤＩＷリンスおよび乾燥を行う（Ｓ６０）。
【0036】
その後、装置４０は、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０ａに載せ替える。
【0037】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０ａを装置４０から搬出する（Ｓ７０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で装置４０から搬出される。
【0038】
その後、ウェハＷに更なる処理（図示せず）が行われる。
【0039】
以上のように、第１実施形態によれば、容器１１は、ウェハＷが液体Ｌに接触した状態で移動可能である。これにより、ウェハＷを液体Ｌに浸した状態でウェハＷを搬送することができる。液体Ｌが薬液である場合、薬液処理装置の外でウェハＷの処理を行うことができる。
【0040】
また、容器１１および蓋部１２は、フッ素コーティングされた内面を有する。これにより、液体Ｌが薬液であっても、例えば、ウェハ搬送キャリア１０の耐薬品性等を向上させることができる。フッ素コーティングには、例えば、ＰＴＦＥ（Poly Tetra Fluoro Etylene）またはＰＦＡ（Perfluoroalkoxy）等のフッ素樹脂が用いられる。
【0041】
（比較例）
図５は、比較例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。比較例では、ウェハ搬送キャリア１０が用いられない。
図５は、比較例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。比較例では、ウェハ搬送キャリア１０が用いられない。
【0042】
比較例では、薬液処理装置および乾燥装置等を含む１つの処理ユニットが、ウェハＷを処理する。
【0043】
まず、搬送部２０は、ウェハＷを収容するウェハ搬送キャリア１０ａを処理ユニットに搬入する（Ｓ８０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で処理ユニットに搬入される。
【0044】
次に、処理ユニットは、薬液処理、ＤＩＷリンス、および、乾燥を順番に行う（Ｓ９０）。
【0045】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０ａを処理ユニットから搬出する（Ｓ１００）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で処理ユニットから搬出される。
【0046】
比較例では、例えば、薬液処理にかかる時間が長い場合、乾燥装置が稼働していない時間も長くなってしまう可能性がある。すなわち、処理ユニット内の一部の、スループットを律速する装置（工程）によって、処理ユニット全体のスループットが低下してしまう可能性がある。また、乾燥装置等の、スループットを律速していない装置の稼働率が低下してしまう可能性がある。
【0047】
また、比較例では、処理ユニットで１つのセットになっているため、例えば、薬液処理装置または乾燥装置を部分的に新しい装置に入れ替えることが困難である。従って、例えば、乾燥装置を新しい装置に変更する場合、処理ユニット全体を新しい処理ユニットに入れ替える必要がある。
【0048】
これに対して、第１実施形態では、薬液処理の時間が長い場合でも、装置３０は薬液を供給し続けることができるので、スループットの低下を抑制することができる。この結果、装置３０、４０の稼働率を向上させることができ、また、薬液処理において、処理時間の長い薬液、例えば、エッチングレートの低い薬液を選択しやすくすることができる。
【0049】
また、第１実施形態では、例えば、装置３０、４０は、それぞれ個別に装置の入れ替えを行うことができる。これにより、例えば、装置３０と装置４０との間で異なるメーカの装置を用いることができる。この結果、薬液処理および乾燥の組み合わせの選択肢を増やすことができる。また、バッチ式の薬液処理と、枚様式の乾燥技術と、の組み合わせが行われてもよく、枚様式の薬液処理と、バッチ式の乾燥技術と、の組み合わせが行われてもよい。これにより、選択の自由度を向上させることができる。
【0050】
尚、第１実施形態では、装置３０は、薬液注入を行う専用装置であり、４０は、リンスおよび乾燥を行う専用装置である。しかし、これに限られず、装置３０、４０は、１つの処理ユニットに含まれる装置に含まれていてもよく、それぞれ別の処理ユニットに含まれる装置であってもよい。いずれの場合であっても、装置外で薬液処理が行われる。
【0051】
（第１実施形態の第１変形例）
図６は、第１実施形態の第１変形例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。図６に示す第１実施形態の第１変形例では、液体Ｌは、例えば、純水（ＤＩＷ）である。第１実施形態の第１変形例は、ウェハ搬送キャリア１０に純水が入った状態でウェハ搬送キャリア１０が装置外に搬送される点で、第１実施形態とは異なっている。
図６は、第１実施形態の第１変形例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。図６に示す第１実施形態の第１変形例では、液体Ｌは、例えば、純水（ＤＩＷ）である。第１実施形態の第１変形例は、ウェハ搬送キャリア１０に純水が入った状態でウェハ搬送キャリア１０が装置外に搬送される点で、第１実施形態とは異なっている。
【0052】
【0053】
装置３０ａは、ウェハＷに、薬液処理およびＤＩＷリンスを行う。装置３０ａは、薬液処理の後、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せるとともに、ウェハ搬送キャリア１０内に純水を供給する。
【0054】
装置３０ｂは、少なくともウェハＷの洗浄を行う装置である。装置３０ｂは、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置である。装置３０ｂは、ＣＭＰの後、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せるとともに、ウェハ搬送キャリア１０内に純水を供給する。
【0055】
【0056】
装置４０ａは、ウェハＷの乾燥を行う。装置４０ａは、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０ａに載せ替える。
【0057】
装置４０ｂは、ウェハＷに、薬液処理を行う。装置４０ｂは、薬液処理の後、ウェハ搬送キャリア１０内を乾燥させて、ウェハ搬送キャリア１０ａに載せ替える。
【0058】
まず、搬送部２０は、ウェハＷを収容するウェハ搬送キャリア１０ａを装置３０ａに搬入する（Ｓ１１０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で装置３０ａに搬入される。
【0059】
次に、装置３０ａは、薬液処理およびＤＩＷリンスを行う（Ｓ１２０）。
【0060】
その後、装置３０ａは、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せるとともに、ウェハ搬送キャリア１０内に純水を供給する。
【0061】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を装置３０ａから搬出する（Ｓ１３０）。ウェハＷは、純水で満たされたウェハ搬送キャリア１０により搬送される。従って、ウェハＷは、濡れた状態で装置３０ａから搬出される。すなわち、搬送部２０は、容器１１内のウェハＷが純水に接触した状態で、容器１１を装置３０ａから移動させる。
【0062】
次に、搬送部２０は、装置３０ａの外で、搬送を行う（Ｓ１４０）。ウェハＷが純水に接触した状態は、次の工程まで維持される。
【0063】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を装置４０ａに搬入する（Ｓ１５０）。ウェハＷは、純水で満たされたウェハ搬送キャリア１０により搬送される。従って、ウェハＷは、濡れた状態で装置４０ａに搬入される。
【0064】
次に、装置４０ａは、乾燥を行う（Ｓ１６０）。
【0065】
その後、装置４０ａは、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０ａに載せ替える。
【0066】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０ａを装置４０ａから搬出する（Ｓ１７０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で装置４０ａから搬出される。
【0067】
次に、ステップＳ１１０～Ｓ１３０に代えて、ステップＳ１８０～Ｓ２００が行われる場合について説明する。
【0068】
まず、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０ａを装置３０ｂに搬入する（Ｓ１８０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で装置３０bに搬入される。
【0069】
次に、装置３０ｂは、ＣＭＰおよび洗浄を行う（Ｓ１９０）。
【0070】
その後、装置３０ｂは、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せるとともに、ウェハ搬送キャリア１０内に純水を供給する。
【0071】
次に、搬送部２０は、ウェハＷを収容するウェハ搬送キャリア１０ａを装置３０ｂから搬出する（Ｓ２００）。ウェハＷは、純水で満たされたウェハ搬送キャリア１０により搬送される。従って、ウェハＷは、濡れた状態で装置３０ｂから搬出される。
【0072】
次に、搬送部２０は、装置３０ｂの外で、搬送を行う（Ｓ１４０）。
【0073】
次に、ステップＳ１５０～Ｓ１７０に代えて、ステップＳ２１０～Ｓ２３０が行われる場合について説明する。
【0074】
ステップＳ１４０である搬送部２０による搬送の後、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を装置４０ｂに搬入する（Ｓ２１０）。ウェハＷは、純水で満たされたウェハ搬送キャリア１０により搬送される。従って、ウェハＷは、濡れた状態で装置４０bに搬入される。
【0075】
次に、装置４０ｂは、薬液処理を行う（Ｓ２２０）。
【0076】
その後、装置４０ｂは、ウェハＷのＤＩＷリンスおよび乾燥を行い、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０ａに載せ替える。
【0077】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０ａを装置４０ｂから搬出する（Ｓ２３０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で装置４０ｂから搬出される。
【0078】
次に、ステップＳ２３０に代えて、ステップＳ２４０が行われる場合について説明する。
【0079】
ステップＳ２２０である装置４０ｂによる薬液処理の後、装置４０ｂは、ＤＩＷリンスを行う。その後、装置４０ｂは、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せるとともに、ウェハ搬送キャリア１０内に純水を供給する。
【0080】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を装置４０ｂから搬出する（Ｓ２４０）。ウェハＷは、純水で満たされたウェハ搬送キャリア１０により搬送される。従って、ウェハＷは、濡れた状態で装置４０bから搬出される。
【0081】
第１実施形態の第１変形例では、図６に示すステップＳ１４０において、ウェハ搬送キャリア１０（容器１１）は、ウェハＷが純水に接触した状態で移動可能である。これにより、空気と接触させない状態で、ウェハＷを搬送することができる。ウェハＷが空気と接触すると、ウェハＷのシリコン表面が空気と反応し、例えば、酸化シリコンが形成されてしまう。この結果、後の工程に影響を与えて、不良が発生してしまう可能性がある。また、ウェハＷを空気と反応する工程が有る場合、次の処理までの時間を気にする必要がなくなる。
【0082】
また、乾燥装置（装置４０ａ）を、ウェットエッチング装置（装置３０ａ）およびＣＭＰ装置（装置３０ｂ）等の複数のユニットで共通化することができ、全体の最適化が可能となる。
【0083】
また、液体Ｌを使う工程が連続する場合、乾燥を省略することができる。図６に示す例では、ステップＳ２２０で薬液処理を行う場合、ステップＳ１２０における薬液処理、または、ステップＳ１９０におけるＣＭＰの洗浄の後に、乾燥は行われない。
【0084】
第１実施形態の第１変形例のように、ウェハ搬送キャリア１０に純水が入った状態でウェハ搬送キャリア１０が装置外に搬送されてもよい。第１実施形態の第１変形例によるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0085】
（第１実施形態の第２変形例）
図７は、第１実施形態の第２変形例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。第１実施形態の第２変形例は、装置外への搬送（ステップＳ１４０）前の装置（工程）において液体が使われない点で、第１実施形態の第１変形例とは異なっている。
図７は、第１実施形態の第２変形例による半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。第１実施形態の第２変形例は、装置外への搬送（ステップＳ１４０）前の装置（工程）において液体が使われない点で、第１実施形態の第１変形例とは異なっている。
【0086】
図７に示すステップＳ３１０～Ｓ３３０では、装置３０ａまたは装置３０ｂに代えて、装置３０ｃが設けられる。
【0087】
装置３０ｃは、ウェハＷに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理を行う。尚、装置３０ｃは、ＲＩＥ処理に限られず、液体を使わない処理を行う。装置３０ｃは、ＲＩＥ処理の後、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せるとともに、ウェハ搬送キャリア１０内に純水を供給する。
【0088】
まず、搬送部２０は、ウェハＷを収容するウェハ搬送キャリア１０ａを装置３０ａに搬入する（Ｓ３１０）。ウェハＷは、内部に液体Ｌを有しないウェハ搬送キャリア１０ａにより搬送される。従って、ウェハＷは、乾燥状態で装置３０ｃに搬入される。
【0089】
次に、装置３０ｃは、ＲＩＥ処理を行い、ウェハＷをウェハ搬送キャリア１０に載せるとともに、ＤＩＷパージを行う（Ｓ３２０）。
【0090】
次に、搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を装置３０ｃから搬出する（Ｓ３３０）。
【0091】
その後、図６に示すステップＳ１４０以降と同様の工程が行われる。
【0092】
第１実施形態の第２変形例では、ＲＩＥ処理等の液体が用いられない処理の後であっても、ウェハＷを純水に浸した状態で搬出する。また、ウェハＷ内に残留する、ＲＩＥの残留ガス等は、純水に溶ける。これにより、残留ガスがその後の処理装置に影響を与えることを抑制することができる。例えば、残留ガスによってウェットエッチング装置が腐食することを抑制することができる。
【0093】
第１実施形態の第２変形例のように、装置外への搬送前の装置（工程）において液体が使われなくてもよい。第１実施形態の第２変形例によるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態の第１変形例と同様の効果を得ることができる。
【0094】
（第２実施形態）
図８Ａ～８Ｅは、第２実施形態による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。尚、図８Ａ～図８Ｅは、装置３０がウェハ搬送キャリア１０内の液体Ｌを供給し、装置４０がウェハ搬送キャリア１０内から液体Ｌを排出する場合の例を示す。
図８Ａ～８Ｅは、第２実施形態による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。尚、図８Ａ～図８Ｅは、装置３０がウェハ搬送キャリア１０内の液体Ｌを供給し、装置４０がウェハ搬送キャリア１０内から液体Ｌを排出する場合の例を示す。
【0095】
装置３０は、供給管３１と、排液管３２と、液面センサ３３と、を有する。
【0096】
供給管３１は、容器１１内に液体Ｌを供給する。
【0097】
排液管３２は、容器１１内の液体Ｌを排出する。
【0098】
液面センサ３３は、供給管３１に設けられ、液体Ｌの液面の高さを検出する。
【0099】
装置４０は、排液管４１と、液面センサ４２と、を有する。
【0100】
排液管４１は、容器１１内の液体Ｌを排出する。
【0101】
液面センサ４２は、排液管４１に設けられ、液体Ｌの液面の高さを検出する。
【0102】
まず、図８Ａに示すように、装置３０は、供給管３１により液体Ｌを容器１１に供給する。装置３０は、液体Ｌの液面が液面センサ３３の高さになるまで、液体Ｌを供給する。
【0103】
次に、図８Ｂに示すように、装置３０は、ウェハＷを容器１１内に入れる。装置３０は、排液管３２によりオーバーフローする液体Ｌを排出する。
【0104】
次に、図８Ｃに示すように、装置３０は、蓋部１２を取り付ける。
【0105】
次に、図８Ｄに示すように、装置４０は、蓋部１２を取り外し、ウェハＷを容器１１から取り出す。
【0106】
次に、図８Ｅに示すように、装置４０は、排液管４１により容器１１内の液体Ｌを排出する。装置４０は、液体Ｌの液面が液面センサ４２の高さになるまで、液体Ｌを排出する。
【0107】
第２実施形態では、ウェハＷを入れるよりも先に、液体Ｌが容器１１内に供給される。この場合、ウェハが液体Ｌに浸されている時間をより長くすることができる。
【0108】
尚、ウェハＷの出し入れは、枚様式であってもよく、バッチ式でもよい。枚様式の処理方式の場合、ウェハＷを容器１１に１枚ずつ入れ、容器１１から１枚ずつ取り出す。バッチ式の処理方式の場合、複数のウェハＷを容器１１にまとめて入れ、容器１１からまとめて取り出す。尚、装置３０、４０は、ウェハＷをバッチ式で容器１１に入れ、容器１１から枚様式で取り出してもよく、また、ウェハＷを枚様式で容器１１に入れ、容器１１からバッチ式で取り出してもよい。
【0109】
【0110】
第２実施形態よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0111】
（第２実施形態の第１変形例）
図９Ａ～９Ｅは、第２実施形態の第１変形例による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。第２実施形態の第１変形例は、第２実施形態と比較して、ウェハＷおよび液体Ｌの出し入れの順番が異なっている。
図９Ａ～９Ｅは、第２実施形態の第１変形例による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。第２実施形態の第１変形例は、第２実施形態と比較して、ウェハＷおよび液体Ｌの出し入れの順番が異なっている。
【0112】
まず、図９Ａに示すように、装置３０は、容器１１内にウェハＷを入れる。
【0113】
次に、図９Ｂに示すように、装置３０は、供給管３１により容器１１内に液体Ｌを供給する。装置３０は、液体Ｌの液面が液面センサ３３の高さになるまで、液体Ｌを供給する。
【0114】
次に、図９Ｃに示すように、装置３０は、蓋部１２を取り付ける。
【0115】
次に、図９Ｄに示すように、装置４０は、蓋部１２を取り外し、排液管４１により容器１１内の液体Ｌを排出する。装置４０は、液体Ｌの液面が液面センサ４２の高さになるまで、液体Ｌを排出する。
【0116】
次に、図９Ｅに示すように、ウェハＷを容器１１から取り出す。
【0117】
第２実施形態の第１変形例では、ウェハＷを入れた後に、液体Ｌが容器１１内に供給される。この場合、図８Ｂに示す液体Ｌのオーバーフローを抑制することができる。これにより、液体Ｌの無駄を抑制することができ、また、排液管３２が設けられなくてもよい。
【0118】
第２施形態の第１形例のように、ウェハＷおよび液体Ｌの出し入れの順番が変更されてもよい。第２施形態の第１形例よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0119】
（第２実施形態の第２変形例）
図１０Ａ～１０Ｅは、第２実施形態の第２変形例による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。第５変形例は、第２実施形態の第１変形例と比較して、液体Ｌの給排液の方法が異なっている。
図１０Ａ～１０Ｅは、第２実施形態の第２変形例による給排液シーケンスの一例を示す断面図である。第５変形例は、第２実施形態の第１変形例と比較して、液体Ｌの給排液の方法が異なっている。
【0120】
ウェハ搬送キャリア１０は、蓋部１２ｂを有する。
【0121】
供給管３１および排液管４１は、蓋部１２ｂを貫通可能である。蓋部１２ｂは、例えば、開口可能な貫通孔を有する。すなわち、蓋部１２ｂが取り付けられた状態で、供給管３１は液体Ｌを供給することができ、排液管４１は液体Ｌを排出することができる。
【0122】
まず、図１０Ａに示すように、装置３０は、容器１１内にウェハＷを入れる。
【0123】
次に、図１０Ｂに示すように、装置３０は、蓋部１２ｂを取り付け、蓋部１２ｂを貫通するように供給管３１を容器１１内に入れる。その後、装置３０は、供給管３１により容器１１内に液体Ｌを供給する。装置３０は、液体Ｌの液面が液面センサ３３の高さになるまで、液体Ｌを供給する。
【0124】
次に、図１０Ｃに示すように、装置３０は、供給管３１を取り出す。
【0125】
次に、図１０Ｄに示すように、装置４０は、蓋部１２ｂを貫通するように排液管４１を容器１１内に入れる。その後、装置４０は、排液管４１により容器１１内の液体Ｌを排出する。装置４０は、液体Ｌの液面が液面センサ４２の高さになるまで、液体Ｌを排出する。
【0126】
次に、図１０Ｅに示すように、装置４０は、蓋部１２ｂを取り外し、ウェハＷを取り出す。
【0127】
第２実施形態の第２変形例のように、液体Ｌの給排液の方法が変更されてもよい。第２実施形態の第２変形例よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第２実施形態の第１変形例と同様の効果を得ることができる。
【0128】
（第３実施形態）
図１１は、第３実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第２実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。尚、第２実施形態では、液体Ｌは、例えば、ウェットエッチング用の薬液である。
図１１は、第３実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第２実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。尚、第２実施形態では、液体Ｌは、例えば、ウェットエッチング用の薬液である。
【0129】
ウェハ搬送キャリア１０は、温調部１３と、スターラ１４と、をさらに有する。
【0130】
温調部１３は、容器１１に収容される液体Ｌを温調（温度制御）する。温調部１３は、例えば、温度センサと、ヒータと、を有する。温調部１３は、例えば、容器１１内の液体Ｌの温度を所定温度に保つ。
【0131】
スターラ（撹拌部）１４は、容器１１に収容される液体Ｌを撹拌する。これにより、薬液が滞留することを抑制することができる。
【0132】
また、ウェハ搬送キャリア１０は、受電部をさらに有する。すなわち、ウェハ搬送キャリア１０は、外部から給電を受ける。これにより、温調部１３およびスターラ１４等のウェハ搬送キャリア１０の内部構成は、駆動することができる。受電部は、例えば、ウェハ搬送キャリア１０の搬送中に搬送部２０から給電を受け、または、ウェハ搬送キャリア１０が載置部５０に載置されている間に給電を受ける。
【0133】
温調部１３およびスターラ１４により、通常の薬液処理装置をウェハ搬送キャリア１０の内部で再現することができる。すなわち、ウェハ搬送キャリア１０の内部を、薬液処理装置に近づけることができる。この結果、ウェハ搬送キャリア１０内で、より適切に薬液処理を行うことができる。
【0134】
第３実施形態のように、ウェハ搬送キャリア１０の構成が変更されてもよい。第３実施形態よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0135】
（第４実施形態）
図１２は、第４実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第１実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。尚、第４実施形態では、液体Ｌは、例えば、ウェットエッチング用の薬液である。
図１２は、第４実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第１実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。尚、第４実施形態では、液体Ｌは、例えば、ウェットエッチング用の薬液である。
【0136】
ウェハ搬送キャリア１０は、循環配管１５と、ポンプ１６と、温調部１７と、フィルタ１８と、をさらに有する。
【0137】
循環配管（循環路）１５は、容器１１の内部の異なる２つの位置に接続される。図１２に示す例では、循環配管１５の一端は、容器１１の内壁の下部と接続し、循環配管１５の他端は、容器１１の内壁の上部と接続する。
【0138】
ポンプ１６は、循環配管１５の経路上に設けられる。ポンプ１６は、循環配管１５の一端から液体Ｌを吸引し、循環配管１５の他端に液体Ｌを環流させる。すなわち、ポンプ１６は、循環配管１５が接続される容器１１の一方の位置から他方の位置に液体Ｌを送る。
【0139】
温調部１７は、液体Ｌを温調する。温調部１７は、例えば、温度センサと、ヒータと、を有する。温調部１７は、循環配管１５の経路上に設けられる。すなわち、温調部１７は、循環する液体Ｌを温調する。温調部１７は、例えば、容器１１内の液体Ｌの温度を所定温度に保つ。
【0140】
フィルタ１８は、循環配管１５の経路上に設けられる。フィルタ１８は、循環する液体Ｌを濾過する。これにより、パーティクルおよび残留元素等を捕捉することができる。
【0141】
循環配管１５、ポンプ１６、温調部１７、および、フィルタ１８により、通常の薬液処理装置をウェハ搬送キャリア１０の内部で再現することができる。すなわち、ウェハ搬送キャリア１０の内部を、薬液処理装置に近づけることができる。この結果、ウェハ搬送キャリア１０内で、より適切に薬液処理を行うことができる。
【0142】
第４実施形態のように、ウェハ搬送キャリア１０の構成が変更されてもよい。第４実施形態よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0143】
（第５実施形態）
図１３は、第５実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。
図１３は、第５実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。
【0144】
搬送部２０は、ウェハ搬送キャリア１０を把持する把持部２１を有する。
【0145】
ウェハ搬送キャリア１０は、突起部１９ａをさらに備える。
【0146】
突起部１９ａは、蓋部１２に設けられる。把持部２１が突起部１９ａをつかむことにより、ウェハ搬送キャリア１０を搬送することができる。
【0147】
第５実施形態よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0148】
（第６実施形態）
図１４は、第６実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第６実施形態は、第５実施形態と比較して、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。
図１４は、第６実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第６実施形態は、第５実施形態と比較して、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。
【0149】
ウェハ搬送キャリア１０は、突起部１９ｂをさらに備える。
【0150】
突起部１９ｂは、容器１１に設けられる。突起部１９ｂは、ウェハ搬送キャリア１０の搬送時に把持部２１と接する。把持部２１が突起部１９ｂをつかむことにより、ウェハ搬送キャリア１０を搬送することができる。図１４に示す例では、把持部２１は、突起部１９ｂを下から支える。
【0151】
図１３を参照して説明した第４実施形態では、突起部１９ａが蓋部１２に設けられる。この場合、搬送時に蓋部１２に力がかかってしまう。蓋部１２の強度が不足している場合、ウェハ搬送キャリア１０を適切に搬送することができない可能性がある。
【0152】
これに対して、第５実施形態では、搬送部２０がつかむ突起部１９ｂが容器１１に設けられる。これにより、ウェハ搬送キャリア１０をより適切に搬送することができる。
【0153】
第６実施形態のように、ウェハ搬送キャリア１０の構成が変更されてもよい。第６実施形態よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第５実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0154】
（第７実施形態）
図１５は、第７実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第７実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。
図１５は、第７実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第７実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。
【0155】
蓋部１２は、軸１２１と、板状部材１２２と、を有する。
【0156】
軸１２１は、容器１１の縁に沿って設けられる。図１５に示す例では、軸１２１は、Ｙ方向に平行である。
【0157】
板状部材１２２は、容器１１の縁に沿った軸１２１を中心に回転することにより、容器１１を開閉する。すなわち、蓋部１２は、観音開き式である。これにより、取り外した蓋部１２を置くスペースが不要になり、省スペース化することができる。
【0158】
また、図１５に示す例では、２つの軸１２１および２つの板状部材１２２が設けられる。２つの板状部材１２２は、互いに逆方向に回転する。
【0159】
【0160】
第７実施形態のように、ウェハ搬送キャリア１０の構成が変更されてもよい。第７実施形態よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0161】
（第８実施形態）
図１６は、第８実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第８実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。
図１６は、第８実施形態によるウェハ搬送キャリア１０の構成の一例を示す断面図である。第８実施形態は、ウェハ搬送キャリア１０の構成が異なっている。
【0162】
図１６に示す例では、図２を参照して説明した第１実施形態と比較して、Ｘ方向のウェハ搬送キャリア１０のサイズが小さくなっている。ウェハＷ間のピッチは、例えば、５ｍｍである。ウェハＷ間の間隔を縮小することにより、ウェハ搬送キャリア１０のサイズを小さくすることができる。これにより、省スペース化することができる。また、容器１１の液体Ｌの量を減らすことができる。この結果、軽量化することができ、また、必要な液体Ｌの量を減らすことができる。
【0163】
第８実施形態のように、ウェハ搬送キャリア１０の構成が変更されてもよい。第８実施形態よるウェハ搬送キャリア１０および半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0164】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0165】
１００ 半導体製造システム、１０ ウェハ搬送キャリア、１０ａ ウェハ搬送キャリア、１１ 容器、１２ 蓋部、１２１ 軸、１２２ 板状部材、１３ 温調部、１４ スターラ、１５ 循環配管、１６ ポンプ、１７ 温調部、１８ フィルタ、１９ａ 突起部、１９ｂ 突起部、２０ 搬送部、２１ 把持部、３０ 装置、３０ａ～３０ｃ 装置、４０ 装置、４０ａ 装置、４０ｂ 装置、Ｌ 液体、Ｗ ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図9E】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図10E】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
