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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024039498
(43)【公開日】2024-03-22
(54)【発明の名称】メモリカード用ソケット
(51)【国際特許分類】
H01R 12/73 20110101AFI20240314BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20240314BHJP
【ＦＩ】
H01R12/73
H05K1/02 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022144097
(22)【出願日】2022-09-09
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100107582
【弁理士】
【氏名又は名称】関根 毅
(74)【代理人】
【識別番号】100118843
【弁理士】
【氏名又は名称】赤岡 明
(72)【発明者】
【氏名】飯田 晃宏
【テーマコード（参考）】
5E223
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E223AA01
5E223AA11
5E223AB74
5E223BA07
5E223BA09
5E223CA19
5E223GB36
5E223GB42
5E338AA01
5E338AA16
5E338BB61
5E338EE02
(57)【要約】
【課題】メモリカードの熱を効率的に発散することができるメモリカード用ソケットを提供する。
【解決手段】本実施形態に係るメモリカード用ソケットは、メモリカードを差し込みあるいは抜き出すことが可能なメモリカード用ソケットである。第１パッドは、第１基板の第１面に設けられている。第１端子は、メモリカードの端子に接触する第１端部、および、第１パッドに電気的に接続された第２端部を有する。保持部は、第１面に設けられ、第１端子を第１基板に固定する。突起部は、第１面に設けられ、メモリカードの端子以外の部分に接触する第２面を有し、金属材料または絶縁材料で構成されている。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】本実施形態に係るメモリカード用ソケットは、メモリカードを差し込みあるいは抜き出すことが可能なメモリカード用ソケットである。第１パッドは、第１基板の第１面に設けられている。第１端子は、メモリカードの端子に接触する第１端部、および、第１パッドに電気的に接続された第２端部を有する。保持部は、第１面に設けられ、第１端子を第１基板に固定する。突起部は、第１面に設けられ、メモリカードの端子以外の部分に接触する第２面を有し、金属材料または絶縁材料で構成されている。
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メモリカードを差し込みあるいは抜き出すことが可能なメモリカード用ソケットであって、
第１基板の第１面に設けられた第１パッドと、
前記メモリカードの端子に接触する第１端部、および、前記第１パッドに電気的に接続された第２端部を有する第１端子と、
前記第１面に設けられ、前記第１端子を前記第１基板に固定する保持部と、
前記第１面に設けられ、前記メモリカードの端子以外の部分に接触する第２面を有し、金属材料または絶縁材料で構成された突起部と、を備える、メモリカード用ソケット。
第１基板の第１面に設けられた第１パッドと、
前記メモリカードの端子に接触する第１端部、および、前記第１パッドに電気的に接続された第２端部を有する第１端子と、
前記第１面に設けられ、前記第１端子を前記第１基板に固定する保持部と、
前記第１面に設けられ、前記メモリカードの端子以外の部分に接触する第２面を有し、金属材料または絶縁材料で構成された突起部と、を備える、メモリカード用ソケット。
【請求項2】
メモリカードを差し込みあるいは抜き出すことが可能なメモリカード用ソケットであって、
第１基板の第１面に設けられた第１パッドと、
前記メモリカードの端子に電気的に接続される第１端部、および、前記第１パッドに電気的に接続された第２端部を有する第１端子と、
前記第１面に設けられ、前記第１端子を前記第１基板に固定する保持部と、
前記第１面に設けられ、前記メモリカードの端子以外の部分に接触する第２面を有し、前記メモリカードを放熱させる、突起部と、を備える、メモリカード用ソケット。
第１基板の第１面に設けられた第１パッドと、
前記メモリカードの端子に電気的に接続される第１端部、および、前記第１パッドに電気的に接続された第２端部を有する第１端子と、
前記第１面に設けられ、前記第１端子を前記第１基板に固定する保持部と、
前記第１面に設けられ、前記メモリカードの端子以外の部分に接触する第２面を有し、前記メモリカードを放熱させる、突起部と、を備える、メモリカード用ソケット。
【請求項3】
前記メモリカードが前記メモリカード用ソケットに差し込まれていないときに、前記第１面から前記第１端部までの第１距離は、前記第１面から前記第２面までの第２距離よりも長い、請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項4】
前記保持部は、前記メモリカードが前記メモリカード用ソケットに差し込まれたときに、前記メモリカードに対向する第３面を有し、
前記メモリカードが前記メモリカード用ソケットに差し込まれていないときに、前記第１面から前記第３面までの第３距離は、前記第１および第２距離よりも短い、請求項３に記載のメモリカード用ソケット。
前記メモリカードが前記メモリカード用ソケットに差し込まれていないときに、前記第１面から前記第３面までの第３距離は、前記第１および第２距離よりも短い、請求項３に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項5】
前記第２面の反対側にある前記突起部の第４面に接続され、前記第１基板に設けられた金属層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項6】
前記第２面の面積は、前記第４面の面積よりも大きい、請求項５に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項7】
複数の前記突起部を備え、
前記複数の前記突起部は、金属材料で構成され、それぞれ前記第１パッド、前記第１端子および前記保持部に接触することなく配置されている、請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
前記複数の前記突起部は、金属材料で構成され、それぞれ前記第１パッド、前記第１端子および前記保持部に接触することなく配置されている、請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項8】
複数の前記突起部を備え、
前記複数の前記突起部は、絶縁材料で構成され、それぞれ前記第１パッド、前記第１端子および前記保持部の無いスペースに配置されている、請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
前記複数の前記突起部は、絶縁材料で構成され、それぞれ前記第１パッド、前記第１端子および前記保持部の無いスペースに配置されている、請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項9】
前記第２面の面積は、前記第１パッドの面積よりも大きい、請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項10】
前記メモリカードが差し込まれたときに、前記メモリカードを前記第１基板側へ向かって押圧する蓋部を、さらに備える請求項１または請求項２に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項11】
前記第１基板は、電子デバイスの実装基板である、請求項１０に記載のメモリカード用ソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施形態は、メモリカード用ソケットに関する。
【背景技術】
【0002】
メモリカードを電子デバイスに実装するためのメモリカード用ソケットが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許第８７４７１６３号明細書
【特許文献2】米国特許第８５４７７０３号明細書
【特許文献3】米国特許第７０６６７６６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
メモリカードの熱を効率的に発散することができるメモリカード用ソケットを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本実施形態に係るメモリカード用ソケットは、メモリカードを差し込みあるいは抜き出すことが可能なメモリカード用ソケットである。第１パッドは、第１基板の第１面に設けられている。第１端子は、メモリカードの端子に接触する第１端部、および、第１パッドに電気的に接続された第２端部を有する。保持部は、第１面に設けられ、第１端子を第１基板に固定する。突起部は、第１面に設けられ、メモリカードの端子以外の部分に接触する第２面を有し、金属材料または絶縁材料で構成されている。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1A】第１実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す平面図である。
【図1B】第１実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す断面図である。
【図1C】メモリカードを挿入した場合における、第１実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す断面図である。
【図2】第２実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す断面図である。
【図3A】第３実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す平面図である。
【図3B】第３実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す断面図である。
【図4A】第４実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す平面図である。
【図4B】第４実施形態に係るメモリカード用ソケットの構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
【0009】
図１Ａは、第１実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す平面図である。図１Ａでは、蓋部１５の図示が省略されている。図１Ｂおよび図１Ｃは、第１実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す断面図である。図１Ｂおよび図１Ｃは、図１ＡのＡＡ線におけるメモリカード用ソケット１００の断面図である。図１Ｂは、メモリカード用ソケット１００にメモリカード３０を差し込んでいない状態を示している。図１Ｃは、メモリカード用ソケット１００にメモリカード３０を差し込んだ状態を示している。
【0010】
【0011】
メモリカード用ソケット１００は、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット端末等の電子デバイスに実装される。メモリカード用ソケット１００は、該電子デバイスの基板１０に実装される。メモリカード用ソケット１００は、メモリカード３０を差し込みあるいは抜き出すことが可能に構成されたソケットである。
基板１０は、第１基板の例である。基板１０は、面（第１面）Ｆ１を有している。基板１０には、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料が用いられる。基板１０内には、金属材料からなる複数の配線層や貫通電極等が設けられている。
図１Ｂに示すように、基板１０の面Ｆ１上には、金属パッド１１ａ～１１ｃと、金属端子１２ａ～１２ｃと、保持部１３ａ～１３ｃと、突起部１４と、蓋部１５とが設けられている。金属パッド１１ａ～１１ｃは、それぞれ同一構成を有しているため、以下では単に金属パッド１１とも呼ぶ。金属端子１２ａ～１２ｃは、それぞれ同一構成を有しているため、以下では単に金属端子１２とも呼ぶ。保持部１３ａ～１３ｃは、それぞれ同一構成を有しているため、以下では単に保持部１３とも呼ぶ。
基板１０は、第１基板の例である。基板１０は、面（第１面）Ｆ１を有している。基板１０には、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料が用いられる。基板１０内には、金属材料からなる複数の配線層や貫通電極等が設けられている。
図１Ｂに示すように、基板１０の面Ｆ１上には、金属パッド１１ａ～１１ｃと、金属端子１２ａ～１２ｃと、保持部１３ａ～１３ｃと、突起部１４と、蓋部１５とが設けられている。金属パッド１１ａ～１１ｃは、それぞれ同一構成を有しているため、以下では単に金属パッド１１とも呼ぶ。金属端子１２ａ～１２ｃは、それぞれ同一構成を有しているため、以下では単に金属端子１２とも呼ぶ。保持部１３ａ～１３ｃは、それぞれ同一構成を有しているため、以下では単に保持部１３とも呼ぶ。
【0012】
金属パッド１１は、図１Ｂに示すように、面Ｆ１の表面に埋設されるように設けられる。金属パッド１１は、第１パッドの例である。金属パッド１１の表面は、面Ｆ１において露出されている。金属パッド１１は、金属端子１２の一端に電気的に接続されている。金属パッド１１には、例えば、銅または金等の導電性材料が用いられる。図１Ａに示すように、金属パッド１１は面積Ｓ１の表面積を有し、金属パッド１１の設けられる数は任意である。
【0013】
金属端子１２は、図１Ｂに示すように、第１端部１２１と第２端部１２２とを有している。金属端子１２は、第１端子の例である。金属端子１２には、銅または金等の導電性材料が用いられる。金属端子１２において、第１端部１２１がメモリカード３０の金属パッド３２（後述）に電気的に接続され、第２端部１２２が金属パッド１１に電気的に接続される。第１端部１２１から面Ｆ１までの垂直距離は、距離Ｈ１である。距離Ｈ１は、第１距離の例である。なお、金属端子１２は、金属パッド１１のそれぞれに、１つずつ対応するように設けられてもよい。
【0014】
保持部１３は、図１Ｂに示すように、面Ｆ１上に設けられる。保持部１３には、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）等の樹脂材料が用いられる。保持部１３は、金属端子１２を、第１端部１２１と第２端部１２２との間を外部から覆うようにして基板１０に対して固定している。保持部１３にＬＣＰ等の絶縁材料が用いられるため、保持部１３と金属端子１２とが電気的に分離される。保持部１３の面（第３面）Ｆ３から面Ｆ１までの垂直距離は、距離Ｈ３である。距離Ｈ３は、第３距離の例である。面Ｆ３は、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれたときに、メモリカード３０に対向する保持部１３の面である。
【0015】
突起部１４は、図１Ｂに示すように、面Ｆ１上に設けられる。突起部１４には、例えば、金等の熱伝導率が高い金属材料、または、樹脂等の熱伝導率が高い絶縁材料が用いられる。突起部１４に導電性の金属材料を用いる場合、突起部１４は、金属パッド１１と金属端子１２とから離間し、電気的に分離して設けられる。一方、突起部１４に絶縁材料を用いる場合、突起部１４は、金属パッド１１と金属端子１２と保持部１３とから、必ずしも離間して設けられなくてもよい。突起部１４は、面Ｆ１に接触する面（第４面）Ｆ４と、面Ｆ４の反対側の面（第２面）Ｆ２と、を有している。面Ｆ２は面積Ｓ２の表面積を有し、面Ｆ４は面積Ｓ４の表面積を有する。面Ｆ２から面Ｆ１までの垂直距離は、距離Ｈ２である。距離Ｈ２は、第２距離の例である。
【0016】
蓋部１５は、図１Ｃに示すように、メモリカード用ソケット１００にメモリカード３０が差し込まれたときに、メモリカード３０を基板１０側へ向かって押圧する。これにより、金属端子１２の第１端部１２１がメモリカード３０の金属パッド３２に押し当てられ、電気的に安定して接続される。また、メモリカード用ソケット１００は、メモリカード３０を保持することができる。蓋部１５には、ステンレス等が用いられる。蓋部１５がメモリカード３０を保持する際、蓋部１５は、後述するメモリカード３０の封止樹脂３５の上面と接触してもよい。これにより、蓋部１５はメモリカード３０で発生する熱を発散させることができる。蓋部１５は、保持部１３ｃ上に形成されているが、これに限られず、例えば、保持部１３ａ上に形成されてもよく、または、保持部１３上ではなく基板１０上に形成されてもよい。
【0017】
図示しないが、メモリカード用ソケット１００にメモリカード３０が挿入されたことを検知する検知部が設けられていてもよい。
【0018】
（メモリカード３０の構成）
図１Ｃに示すように、メモリカード３０は、回路基板３１と、金属パッド３２ａ～３２ｃと、回路部３３と、メモリ部３４と、封止樹脂３５とを備える。
図１Ｃに示すように、メモリカード３０は、回路基板３１と、金属パッド３２ａ～３２ｃと、回路部３３と、メモリ部３４と、封止樹脂３５とを備える。
【0019】
回路基板３１は、回路パターン等を有しており、回路基板３１上にはメモリカード３０の各構成が設けられる。回路基板３１には、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料が用いられる。回路基板３１の基板１０側の面には、金属パッド３２ａ～３２ｃが設けられている。金属パッド３２ａ～３２ｃは、それぞれ同一構成を有しているため、以下では単に金属パッド３２とも呼ぶ。
【0020】
金属パッド３２は、回路基板３１の基板１０側の面に設けられている。メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれたときに、金属パッド３２は、金属端子１２の第１端部１２１に押圧され電気的に接続される。金属パッド３２には、例えば、金（Ａｕ）等の導電性材料が用いられる。なお、金属パッド３２は、金属端子１２のそれぞれに、１つずつ対応して接続するように設けられてもよい。
【0021】
回路部３３は、回路基板３１上に設けられる。回路部３３は、メモリカード３０の各構成を制御する制御回路である。例えば、回路部３３は、メモリ部３４へ制御信号を送信し、メモリ部３４へのデータの書き込み、メモリ部３４からのデータの読み出し、および、メモリ部３４のデータ消去などを行い、メモリ部３４のデータの記憶状態を管理する。回路部３３は、任意のロジック回路でよい。
【0022】
メモリ部３４は、回路基板３１上に設けられる。メモリ部３４は、メモリカード３０の外部から受信したデータを記憶して管理する。データはメモリ部３４のメモリセル等（図示せず）に記憶され、データの読み出し等はメモリセルを流れるセル電流を通じて行われる。メモリ部３４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の任意のメモリチップでよい。
【0023】
回路部３３およびメモリ部３４は、詳細は図示しないが、回路基板３１内の金属配線等を介して、金属パッド３２に電気的に接続される。また、メモリカード用ソケット１００の金属パッド１１と金属端子１２とは電気的に接続されている。これにより、回路部３３およびメモリ部３４が、金属パッド１１と電気的に接続される。さらに金属パッド１１は、電子デバイスの各構成に電気的に接続される。上記のようにして、メモリカード３０と電子デバイスが電気的に接続され、両者の間においてデータのやりとりが可能となる。
【0024】
封止樹脂３５は、回路基板３１の蓋部１５側の面に設けられ、回路部３３およびメモリ部３４を封止して保護する。封止樹脂３５には、エポキシ樹脂等の絶縁材料が用いられる。封止樹脂３５に絶縁材料が用いられることで、上述したように、蓋部１５が封止樹脂３５に接触した場合でも、蓋部１５と回路部３３およびメモリ部３４との電気的な分離が確保される。
【0025】
メモリカード３０には、例えば、ＸＦＭＤ（Crossover Flash Memory Embedded and Removable Memory Device）が用いられる。ＸＦＭＤは、ＪＥＤＥＣ（Joint Electron Device Engineering Councils）における規格である。メモリカード３０は、ＳＳＤ（Solid State Drive）であってもよい。ＸＦＭＤは、例えば、ＰＣＩｅ Ｇｅｎ．３．０／ＮＶＭｅ１．３インターフェースを採用した場合には４レーンでの４ＧＢ／ｓの速度で動作し、ＰＣＩｅ Ｇｅｎ．４．０／ＮＶＭｅインターフェースを採用した場合には４レーンでの８ＧＢ／ｓの速度で動作するため、従来のＳＳＤの動作よりも高速である。
【0026】
【0027】
上述したように、メモリカード３０（ＸＦＭＤ）は、従来のＳＳＤよりも高速に動作するため、単位時間当たりのデータの処理数が多い。このため、回路部３３が送信する単位時間当たりの制御信号が多く、加えて、メモリ部３４を流れる単位時間当たりのセル電流が多い。このため、回路部３３およびメモリ部３４の発熱量が比較的多くなり、メモリカード３０の発熱量は従来のＳＳＤよりも多くなる。メモリカード３０からの発熱は、メモリカード用ソケット１００の金属端子１２と、メモリカード３０の金属パッド３２との接触面を通じて、電子デバイス側に放熱される。しかし、メモリカード３０の金属パッド３２との接触面積は比較的小さいので、ＸＦＭＤのようにメモリカード３０の発熱量が多い場合、メモリカード３０が高温になる。この状況を鑑み本実施形態では、メモリカード３０の発熱をより効率的に放熱するために、メモリカード用ソケット１００に突起部１４を設けている。
【0028】
突起部１４は、図１Ｃに示すように、面Ｆ２がメモリカード３０の回路基板３１に接触し、面Ｆ４が基板１０に接触している。上述したように、突起部１４は熱伝導率の高い材料を用いるため、メモリカード３０の発熱は、突起部１４を介して電子デバイス側に放熱される。すなわち、突起部１４はメモリカード３０の放熱板としての機能を有する。したがって、突起部１４の放熱により金属端子１２および金属パッド３２が高温となることが抑制される。
【0029】
図１Ａに示すように、突起部１４は面積Ｓ２であり、金属パッド１１の面積Ｓ１よりも十分に広い。したがって、突起部１４と回路基板３１との接触面からは、金属端子１２と金属パッド３２との接触面よりも効率的に放熱される。突起部１４が接触する回路基板３１の部分は、回路部３３またはメモリ部３４の直下の部分が望ましい。この理由としては、上述したようにメモリカード３０で発熱する部分は、主に回路部３３およびメモリ部３４であり、放熱板としての突起部１４は、これら回路部３３またはメモリ部３４の近傍に位置した方がより効率的に放熱できるからである。
【0030】
また、図１Ｃに示すように、突起部１４は、面Ｆ２の面積Ｓ２が面Ｆ４の面積Ｓ４よりも広い、Ｔ字型の断面形状を有してもよい。面Ｆ２が比較的広い場合、突起部１４とメモリカード３０との接触面も比較的広くなる。これにより、突起部１４は、メモリカード３０の発熱をより効率的に放熱できる。
【0031】
ここで、図１Ｂに示すように、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれていないときに、突起部１４の高さ（距離Ｈ２）は、金属端子１２の第１端部１２１の高さ（距離Ｈ１）よりも低く、かつ、保持部１３の高さ（距離Ｈ３）よりも高い。換言すると、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれていないときに、基板１０の面Ｆ１から金属端子１２の第１端部１２１までの距離Ｈ１は、面Ｆ１から面Ｆ２までの距離Ｈ２よりも長い。尚且つ、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれていないときに、面Ｆ１から保持部１３の上面までの距離Ｈ３は、距離Ｈ１、Ｈ２よりも短い。
本実施形態において、突起部１４は放熱板としてメモリカード３０に接触する必要があり、かつ、金属端子１２と金属パッド３２とはデータのやり取りのために接触（電気的に接続）する必要がある。
仮に、突起部１４の高さが第１端部１２１の高さよりも高い場合、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれても、第１端部１２１はメモリカード３０の金属パッド３２に接触できなくなってしまう。このため、突起部１４の高さは第１端部１２１の高さよりも低い必要がある。なお、図１Ｃに示すように、メモリカード用ソケット１００にメモリカード３０を挿入して、蓋部１５を閉じれば、メモリカード３０が金属端子１２を押し下げる。金属端子１２は、多少の弾性を有しているため、第１端部１２１はメモリカード３０により押し下げられれば、撓んで突起部１４と同じ高さ（距離Ｈ２）まで低くなる。したがって、突起部１４の高さが、金属端子１２の第１端部１２１の高さよりも低くても、メモリカード３０は突起部１４に接触することができる。
一方で仮に、突起部１４の高さが保持部１３の高さよりも低い場合、突起部１４はメモリカード３０に接触できなくなってしまう。保持部１３は金属端子１２のように弾性を有しておらず、メモリカード３０により押し下げようとしても、保持部１３の高さ（距離Ｈ３）は殆ど変わらないからである。したがって、突起部１４がメモリカード３０に接触するためには、突起部１４の高さは保持部１３の高さよりも高い必要がある。
これにより、メモリカード用ソケット１００は、突起部１４によるメモリカード３０の放熱と、金属端子１２および金属パッド３２の電気的接続によるデータのやり取りとを両立することができる。
本実施形態において、突起部１４は放熱板としてメモリカード３０に接触する必要があり、かつ、金属端子１２と金属パッド３２とはデータのやり取りのために接触（電気的に接続）する必要がある。
仮に、突起部１４の高さが第１端部１２１の高さよりも高い場合、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれても、第１端部１２１はメモリカード３０の金属パッド３２に接触できなくなってしまう。このため、突起部１４の高さは第１端部１２１の高さよりも低い必要がある。なお、図１Ｃに示すように、メモリカード用ソケット１００にメモリカード３０を挿入して、蓋部１５を閉じれば、メモリカード３０が金属端子１２を押し下げる。金属端子１２は、多少の弾性を有しているため、第１端部１２１はメモリカード３０により押し下げられれば、撓んで突起部１４と同じ高さ（距離Ｈ２）まで低くなる。したがって、突起部１４の高さが、金属端子１２の第１端部１２１の高さよりも低くても、メモリカード３０は突起部１４に接触することができる。
一方で仮に、突起部１４の高さが保持部１３の高さよりも低い場合、突起部１４はメモリカード３０に接触できなくなってしまう。保持部１３は金属端子１２のように弾性を有しておらず、メモリカード３０により押し下げようとしても、保持部１３の高さ（距離Ｈ３）は殆ど変わらないからである。したがって、突起部１４がメモリカード３０に接触するためには、突起部１４の高さは保持部１３の高さよりも高い必要がある。
これにより、メモリカード用ソケット１００は、突起部１４によるメモリカード３０の放熱と、金属端子１２および金属パッド３２の電気的接続によるデータのやり取りとを両立することができる。
【0032】
以上のように、第１実施形態によれば、突起部１４は、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれたときに、メモリカード３０に接触し、メモリカード３０の発熱を電子デバイス側に放熱する放熱板として機能する。これにより、金属端子１２および金属パッド３２が高温となることが抑制される。
【0033】
第１実施形態では、突起部１４の高さは、第１端部１２１の高さよりも低く、保持部１３の高さよりも高い。即ち、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれていないときに、基板１０の面Ｆ１から金属端子１２の第１端部１２１までの距離Ｈ１は、面Ｆ１から面Ｆ２までの距離Ｈ２よりも長い。尚且つ、メモリカード３０がメモリカード用ソケット１００に差し込まれていないときに、面Ｆ１から保持部１３の上面までの距離Ｈ３は、距離Ｈ１、Ｈ２よりも短い。これにより、メモリカード用ソケット１００にメモリカード３０を挿入した際に、突起部１４は回路基板３１に接触し、第１端部１２１は金属パッド３２に電気的に接続される。したがって、メモリカード用ソケット１００は、突起部１４によるメモリカード３０の放熱と、金属端子１２および金属パッド３２の電気的接続によるデータのやり取りとを両立することができる。
【0034】
また、突起部１４の放熱面（面Ｆ２）は実装面（面Ｆ４）よりも広い形状を有してもよい。放熱面が比較的広いことで、突起部１４とメモリカード３０との接触面も比較的広くなり、メモリカード３０の発熱をより効率的に放熱できる。
【0035】
（第２実施形態）
図２は、第２実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す平面図である。第２実施形態は、基板１０と突起部１４との間に金属層１６を備える点で第１実施形態と異なる。
図２は、第２実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す平面図である。第２実施形態は、基板１０と突起部１４との間に金属層１６を備える点で第１実施形態と異なる。
【0036】
金属層１６は、突起部１４の面Ｆ４の下に、基板１０に埋設するように設けられている。金属層１６は、比較的熱伝導率が高い材料が用いられ、例えば、金等の金属材料が用いられる。
【0037】
金属層１６は、突起部１４に接触して設けられているため、メモリカード３０の発熱は、突起部１４を介して金属層１６にも放熱される。このため第２実施形態においては、メモリカード３０の発熱は、より体積の大きい物体（突起部１４および金属層１６）へ熱伝導されるため、より効率的に放熱される。なお、金属層１６は、詳細は図示しないが、さらに基板１０内に設けられている他のヒートシンク（図示せず）に接続されてもよい。この場合、メモリカード３０の発熱は、さらに体積の大きい物体（突起部１４、金属層１６、および、ヒートシンク）へ熱伝導されるため、さらに効率的に放熱される。なお、金属層１６に接続される放熱用のヒートシンクは、金属パッド１１および配線（図示せず）に接触しないように設けられる。これにより基板１０内において、放熱用のヒートシンクと金属パッド１１または配線との短絡を抑制することができる。金属層１６の表面の面積は、熱伝導性および放熱性を高めるために面Ｆ３、Ｆ４の面積よりも大きいことが好ましい。
【0038】
その他の第２実施形態の構成は、第１実施形態の構成と同様で良い。したがって、第２実施形態においても第１実施形態と同様の効果も得られる。
【0039】
（第３実施形態）
図３Ａは、第３実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す平面図である。図３Ｂは、第３実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す断面図である。図３Ｂは、図３ＡのＢＢ線におけるメモリカード用ソケット１００の断面図である。第３実施形態は、突起部１４の面Ｆ２の面積が、第１実施形態の面Ｆ２の面積よりも広い。
図３Ａは、第３実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す平面図である。図３Ｂは、第３実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す断面図である。図３Ｂは、図３ＡのＢＢ線におけるメモリカード用ソケット１００の断面図である。第３実施形態は、突起部１４の面Ｆ２の面積が、第１実施形態の面Ｆ２の面積よりも広い。
【0040】
図３Ａに示すように、第３実施形態では、基板１０上において、金属端子１２ｂおよび金属パッド１１ｂが設けられていない部分には、保持部１３ｂも設けられていない。このため、基板１０上の中心部分に広いスペースが生じる。よって、この中心部分の広いスペースに、突起部１４が設けられている。これにより、比較的大きい突起部１４を設けることができ、突起部１４の面Ｆ２の面積Ｓ２も比較的広くすることができる。したがって、メモリカード３０の発熱は、面Ｆ２の面積がより広い突起部１４を介して伝導する。このため、メモリカード３０の発熱は、より効率的に放熱される。
例えば、図３Ｂに示すように、突起部１４は、回路部３３およびメモリ部３４が位置する直下の範囲を、いずれもカバーすることができる程度の大きさの面Ｆ２を有し、回路部３３およびメモリ部３４からの発熱を効率的に放熱することができる。なお、図３Ｂでは、突起部１４の下に金属層１６が設けられているが、金属層１６は必ずしも設けられなくてもよい。金属層１６の構成および効果は、第２実施形態と同様である。
例えば、図３Ｂに示すように、突起部１４は、回路部３３およびメモリ部３４が位置する直下の範囲を、いずれもカバーすることができる程度の大きさの面Ｆ２を有し、回路部３３およびメモリ部３４からの発熱を効率的に放熱することができる。なお、図３Ｂでは、突起部１４の下に金属層１６が設けられているが、金属層１６は必ずしも設けられなくてもよい。金属層１６の構成および効果は、第２実施形態と同様である。
【0041】
その他の第３実施形態の構成は、第１実施形態の構成と同様で良い。したがって、第３実施形態においても第１実施形態と同様の効果も得られる。
【0042】
（第４実施形態）
図４Ａは、第４実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す平面図であり、図４Ｂは、第４実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す断面図である。図４Ｂは、図４ＡのＣＣ線におけるメモリカード用ソケット１００の断面図である。第４実施形態は、複数の突起部１４、１７を備えている点で第１実施形態と異なる。複数の突起部１４、１７は、それぞれ金属パッド１１および金属端子１２に接触しないように配置されている。
図４Ａは、第４実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す平面図であり、図４Ｂは、第４実施形態に係るメモリカード用ソケット１００の構成例を示す断面図である。図４Ｂは、図４ＡのＣＣ線におけるメモリカード用ソケット１００の断面図である。第４実施形態は、複数の突起部１４、１７を備えている点で第１実施形態と異なる。複数の突起部１４、１７は、それぞれ金属パッド１１および金属端子１２に接触しないように配置されている。
【0043】
突起部１７は、突起部１４と大きさが異なるものの、その構成および機能は、突起部１４と同様である。すなわち、突起部１７は、基板１０の面Ｆ１に載置されるように設けられる。突起部１７には、例えば、金等の熱伝導率が高い金属材料、または、樹脂等の熱伝導率が高い絶縁材料が用いられる。突起部１７に導電性の金属材料を用いる場合、突起部１７は、金属パッド１１と金属端子１２とから離間し、電気的に分離される。一方、突起部１７に絶縁材料を用いる場合、突起部１７は、金属パッド１１、金属端子１２および保持部１３から、必ずしも離間して設けられなくてもよく、接触していてもよい。
【0044】
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、突起部１７は、基板１０上において、突起部１４が設けられておらず、かつ、金属パッド１１、金属端子１２および保持部１３の無いスペースに設けられている。突起部１７は、基板１０上において、他の構成が設けられていない任意の領域に設けられる。突起部１７の面Ｆ２の面積Ｓ３の大きさは任意であり、突起部１４の面Ｆ２の面積Ｓ２の大きさよりも大きくてもよく、小さくてもよく、または、同等でもよい。ただし、メモリカード３０の発熱を効率的に放熱するために、面Ｆ２の面積Ｓ３の大きさは、面Ｆ４の面積Ｓ５よりも大きいことが望ましい。さらに、図４Ａおよび図４Ｂでは、１つの突起部１７が図示されているが、これに限られず、基板１０上の構成のレイアウトの関係から、２つ以上の突起部１７が設けられていてもよい。即ち、３つ以上の突起部が設けられていてもよい。
【0045】
突起部１４に加えて突起部１７が設けられることにより、突起部１４の面Ｆ２に加えて突起部１７の面Ｆ２が、メモリカード３０に接触することになる。このため第４実施形態においては、メモリカード３０の発熱は、突起部１４および１７の両方に伝導されるため、より効率的に放熱される。さらに、突起部１７が突起部１４と別個に設けられることにより、図４Ｂに示すように、例えば、回路部３３およびメモリ部３４が離間して設けられている場合であっても、突起部１４は回路部３３が位置する直下の範囲をカバーすることができ、突起部１７はメモリ部３４が位置する直下の範囲をカバーすることができる。これにより、突起部１４および突起部１７により、回路部３３およびメモリ部３４からの発熱を効率的に放熱することができる。なお、図４Ｂでは、突起部１４の下に金属層１６が設けられており、突起部１７の下に金属層１８が設けられているが、金属層１６および金属層１８は必ずしも設けられなくてもよい。金属層１６および金属層１８の構成および効果は、第２実施形態と同様である。
【0046】
その他の第４実施形態の構成は、第１実施形態の構成と同様で良い。したがって、第４実施形態においても第１実施形態と同様の効果も得られる。
【0047】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0048】
１００…メモリカード用ソケット、１０…基板、１１ａ～１１ｃ…金属パッド、１２ａ～１２ｃ…金属端子、１３ａ～１３ｃ…保持部、１４，１７…突起部、１５…蓋部、１６，１８…金属層、３０…メモリカード、３１…回路基板、３２ａ～３２ｃ…金属パッド、３３…回路部、３４…メモリ部、３５…封止樹脂、１２１…第１端部、１２２…第２端部、Ｆ１～Ｆ４…第１～第４面、Ｈ１～Ｈ３…距離、Ｓ１～Ｓ５…面積
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
