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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024039703
(43)【公開日】2024-03-25
(54)【発明の名称】電子回路装置
(51)【国際特許分類】
H02J 1/00 20060101AFI20240315BHJP
【ＦＩ】
H02J1/00 309C
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022144268
(22)【出願日】2022-09-12
(71)【出願人】
【識別番号】509186579
【氏名又は名称】日立Ａｓｔｅｍｏ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100086232
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 博通
(74)【代理人】
【識別番号】100092613
【弁理士】
【氏名又は名称】富岡 潔
(74)【代理人】
【識別番号】100205682
【弁理士】
【氏名又は名称】高嶋 一彰
(72)【発明者】
【氏名】高木 良太
【テーマコード（参考）】
5G165
【Ｆターム（参考）】
5G165BB02
5G165BB07
5G165CA01
5G165DA07
5G165EA02
5G165LA01
5G165NA01
5G165NA05
(57)【要約】
【課題】コンデンサの実装面積を低減可能な電子回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子回路装置ＥＣ１では、瞬断対策用コンデンサＣとして単一のコンデンサを用いつつ、バッテリＢＴと瞬断対策用コンデンサＣの間に電流制限抵抗Ｒｘが設けられていて、電流制限抵抗ＲｘによってバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに流れる充電電流Ｉｃが抑制されている。これにより、瞬断対策用コンデンサＣの数量及び実装面積を低減しつつ、瞬断対策用コンデンサＣにショート故障が発生した場合には、電流制限抵抗Ｒｘによって短絡電流の発生が抑制され、直ちに電源が短絡してしまう不具合を抑制することができる。
【選択図】図１
【解決手段】本発明に係る電子回路装置ＥＣ１では、瞬断対策用コンデンサＣとして単一のコンデンサを用いつつ、バッテリＢＴと瞬断対策用コンデンサＣの間に電流制限抵抗Ｒｘが設けられていて、電流制限抵抗ＲｘによってバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに流れる充電電流Ｉｃが抑制されている。これにより、瞬断対策用コンデンサＣの数量及び実装面積を低減しつつ、瞬断対策用コンデンサＣにショート故障が発生した場合には、電流制限抵抗Ｒｘによって短絡電流の発生が抑制され、直ちに電源が短絡してしまう不具合を抑制することができる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電源の瞬断が発生した際の電流供給に供する瞬断対策用コンデンサと、
前記電源と前記瞬断対策用コンデンサの間に設けられ、前記瞬断対策用コンデンサに流れる充電電流を制限する電流制限抵抗と、
前記電流制限抵抗と前記瞬断対策用コンデンサとの間から分岐して前記瞬断対策用コンデンサから前記電流制限抵抗を迂回するかたちで電子デバイスに接続され、前記電子デバイス側から前記瞬断対策用コンデンサ側に流れる電流を規制する逆流規制手段が設けられた放電回路と、
を備えたことを特徴とする電子回路装置。
前記電源と前記瞬断対策用コンデンサの間に設けられ、前記瞬断対策用コンデンサに流れる充電電流を制限する電流制限抵抗と、
前記電流制限抵抗と前記瞬断対策用コンデンサとの間から分岐して前記瞬断対策用コンデンサから前記電流制限抵抗を迂回するかたちで電子デバイスに接続され、前記電子デバイス側から前記瞬断対策用コンデンサ側に流れる電流を規制する逆流規制手段が設けられた放電回路と、
を備えたことを特徴とする電子回路装置。
【請求項2】
請求項１に記載の電子回路装置であって、
前記電源から前記電流制限抵抗を迂回するように前記電源から分岐して前記電流制限抵抗と前記瞬断対策用コンデンサとの間に接続され、前記電源から前記瞬断対策用コンデンサに直接電流を供給可能なバイパス回路と、
前記瞬断対策用コンデンサの充電の途中で前記バイパス回路を駆動する駆動回路と、
をさらに備えた、
ことを特徴とする電子回路装置。
前記電源から前記電流制限抵抗を迂回するように前記電源から分岐して前記電流制限抵抗と前記瞬断対策用コンデンサとの間に接続され、前記電源から前記瞬断対策用コンデンサに直接電流を供給可能なバイパス回路と、
前記瞬断対策用コンデンサの充電の途中で前記バイパス回路を駆動する駆動回路と、
をさらに備えた、
ことを特徴とする電子回路装置。
【請求項3】
請求項２に記載の電子回路装置であって、
前記バイパス回路及び前記駆動回路は、それぞれバイポーラトランジスタを備えてなる、
ことを特徴とする電子回路装置。
前記バイパス回路及び前記駆動回路は、それぞれバイポーラトランジスタを備えてなる、
ことを特徴とする電子回路装置。
【請求項4】
請求項２に記載の電子回路装置であって、
前記バイパス回路及び前記駆動回路は、それぞれＭＯＳＦＥＴを備えてなる、
ことを特徴とする電子回路装置。
前記バイパス回路及び前記駆動回路は、それぞれＭＯＳＦＥＴを備えてなる、
ことを特徴とする電子回路装置。
【請求項5】
請求項２に記載の電子回路装置であって、
前記バイパス回路は、ＭＯＳＦＥＴを備えてなり、
前記駆動回路は、バイポーラトランジスタを備えてなる、
ことを特徴とする電子回路装置。
前記バイパス回路は、ＭＯＳＦＥＴを備えてなり、
前記駆動回路は、バイポーラトランジスタを備えてなる、
ことを特徴とする電子回路装置。
【請求項6】
請求項１に記載の電子回路装置であって、
前記電源から前記電流制限抵抗を迂回するように前記電源から分岐して前記電流制限抵抗と前記瞬断対策用コンデンサとの間に接続され、前記電源から前記瞬断対策用コンデンサに直接電流を供給可能なバイパス回路と、
前記瞬断対策用コンデンサの充電の途中で前記バイパス回路を駆動する駆動回路と、
をさらに備え、
前記放電回路は、前記バイパス回路によって構成され、
前記逆流規制手段は、前記ＭＯＳＦＥＴに付随するボディダイオードによって構成される、
ことを特徴とする電子回路装置。
前記電源から前記電流制限抵抗を迂回するように前記電源から分岐して前記電流制限抵抗と前記瞬断対策用コンデンサとの間に接続され、前記電源から前記瞬断対策用コンデンサに直接電流を供給可能なバイパス回路と、
前記瞬断対策用コンデンサの充電の途中で前記バイパス回路を駆動する駆動回路と、
をさらに備え、
前記放電回路は、前記バイパス回路によって構成され、
前記逆流規制手段は、前記ＭＯＳＦＥＴに付随するボディダイオードによって構成される、
ことを特徴とする電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子回路装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の電子回路装置としては、例えば、以下の特許文献１に記載されたものが知られている。
【0003】
車載用ＥＣＵのような、振動発生下において使用する電子回路装置は、電源回路のコネクタやリレー等が振動によって瞬間的に断線する、いわゆる電源瞬断（以下、「電源瞬断」と略称する。）の発生を想定して、ＥＣＵの消費電流に応じた静電容量のコンデンサを設けることが一般的である。
【0004】
その際、特許文献１に記載された電子回路装置は、２つのコンデンサを直列に配置することにより、一方のコンデンサにショート故障が発生しても直ちに電源が短絡しない構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００７－２２８６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、前記従来の電子回路装置では、前記２つのコンデンサが直列に配置されているため、コンデンサの合成容量は半分（１／２）となってしまう。一方で、１つのコンデンサを配置する場合と同じ容量を維持するには、前記直列に配置された２つのコンデンサをさらに並列に配置する必要がある。この場合、コンデンサが４つ必要となるため、コンデンサの実装面積の大型化、ひいては電子回路装置の製造コストの増大を招来してしまう点で、改善の余地があった。
【0007】
そこで、本発明は、前記従来の電子回路装置の技術的課題に鑑みて案出されたものであり、コンデンサの実装面積を低減可能な電子回路装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、その一態様として、電源と瞬断対策用コンデンサとの間に設けられ、前記瞬断対策用コンデンサに流れる充電電流を制限する電流制限抵抗と、前記電流制限抵抗と前記瞬断対策用コンデンサとの間から分岐して前記瞬断対策用コンデンサから前記電流制限抵抗を迂回するかたちで電子デバイスに接続され、前記電子デバイス側から前記瞬断対策用コンデンサ側に流れる電流を規制する逆流規制手段が設けられた放電回路と、を備えている。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、コンデンサの実装面積を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の第１実施形態に係る電子回路装置の要部を示す回路図である。
【図3】本発明の第１実施形態の変形例に係る電子回路装置の要部を示す回路図である。
【図4】本発明の第２実施形態に係る電子回路装置の要部を示す回路図である。
【図6】本発明の第２実施形態の第１変形例に係る電子回路装置の要部を示す回路図である。
【図7】本発明の第２実施形態の第２変形例に係る電子回路装置の要部を示す回路図である。
【図8】本発明の第３実施形態に係る電子回路装置の要部を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下に、本発明に係る電子回路装置の実施形態を、図面に基づいて詳述する。なお、下記の実施形態では、本発明に係る電子回路装置を車載用ＥＣＵに適用した例について説明する。
【0012】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子回路装置ＥＣ１の要部を抜粋して表示した要部回路図を示している。図２（ａ）は図１に示す電子回路装置ＥＣ１の瞬断対策用コンデンサＣに作用する電圧Ｖｃの変化量を示すグラフを示し、図２（ｂ）は図１に示す電子回路装置ＥＣ１の瞬断対策用コンデンサＣに流れる電流Ｉｃの変化量を示すグラフを示している。
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子回路装置ＥＣ１の要部を抜粋して表示した要部回路図を示している。図２（ａ）は図１に示す電子回路装置ＥＣ１の瞬断対策用コンデンサＣに作用する電圧Ｖｃの変化量を示すグラフを示し、図２（ｂ）は図１に示す電子回路装置ＥＣ１の瞬断対策用コンデンサＣに流れる電流Ｉｃの変化量を示すグラフを示している。
【0013】
（電子回路装置の構成）
電子回路装置ＥＣ１は、図１に示すように、車載のバッテリＢＴに接続され、当該バッテリＢＴから電源供給される。この電子回路装置ＥＣ１は、バッテリＢＴへの逆流を規制するダイオードＤ１と、ダイオードＤ１の下流側に設けられたマイコンＭＣと、マイコンＭＣとダイオードＤ１の間に設けられ、マイコンＭＣに対する給電のためにバッテリ電圧Ｖｂを調節（降圧）するレギュレータＲＧと、を備えている。
電子回路装置ＥＣ１は、図１に示すように、車載のバッテリＢＴに接続され、当該バッテリＢＴから電源供給される。この電子回路装置ＥＣ１は、バッテリＢＴへの逆流を規制するダイオードＤ１と、ダイオードＤ１の下流側に設けられたマイコンＭＣと、マイコンＭＣとダイオードＤ１の間に設けられ、マイコンＭＣに対する給電のためにバッテリ電圧Ｖｂを調節（降圧）するレギュレータＲＧと、を備えている。
【0014】
また、電子回路装置ＥＣ１は、電源瞬断の発生を想定し、ダイオードＤ１とレギュレータＲＧとの間に、当該電子回路装置ＥＣ１の消費電流に応じた静電容量の瞬断対策用コンデンサＣを備えている。瞬断対策用コンデンサＣは、一端がダイオードＤ１とレギュレータＲＧの間に接続されると共に、他端が接地（アース）されていて、レギュレータＲＧに対する放電回路を構成する。そして、この瞬断対策用コンデンサＣは、バッテリＢＴから供給される電流Ｉｃにより充電され、電源瞬断が発生した場合には、当該瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷（電圧Ｖｃ）が放電され、レギュレータＲＧへと供給されることで、電源瞬断時の電気回路に実装される図示外の各種電子デバイスに対する電源供給が担保されている。
【0015】
また、瞬断対策用コンデンサＣとダイオードＤ１との間に、瞬断対策用コンデンサＣに対する充電電流Ｉｃを制限（抑制）する電流制限抵抗Ｒｘが設けられている。換言すれば、瞬断対策用コンデンサＣと電源であるバッテリＢＴとの間に電流制限抵抗Ｒｘが設けられていることで、瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した際にバッテリＢＴが接地（アース）と直結することによる短絡電流の発生が抑制されている。
【0016】
さらに、瞬断対策用コンデンサＣと電流制限抵抗Ｒｘとの間に、電流制限抵抗Ｒｘを迂回して瞬断対策用コンデンサＣとレギュレータＲＧとを直結する放電回路ＤＣが設けられている。これにより、電源が瞬断した際、瞬断対策用コンデンサＣに充電された電荷を、電流制限抵抗Ｒｘを通さずに、放電回路ＤＣを介してレギュレータＲＧに供給することが可能となっている。
【0017】
また、放電回路ＤＣには、逆流規制手段であるダイオードＤｘが設けられている。このダイオードＤｘは、放電回路ＤＣにおいて、瞬断対策用コンデンサＣ側からレギュレータＲＧ側へ流れる放電電流を許容し、レギュレータＲＧ側から瞬断対策用コンデンサＣ側へ流れる逆流電流を規制する。すなわち、ダイオードＤｘが設けられていることにより、瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した際、放電回路ＤＣを介してバッテリＢＴが接地（アース）と直結することによる短絡電流の発生が抑制されている。
【0018】
（電子回路装置の作動説明）
次に、図１に基づき、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ１の動作について説明する。
次に、図１に基づき、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ１の動作について説明する。
【0019】
（正常時）
電子回路装置ＥＣ１が正常な状態にある場合、電子回路装置ＥＣ１は、バッテリＢＴの電圧に基づき、バッテリＢＴからレギュレータＲＧに電流が供給される。また、電子回路装置ＥＣ１では、電流制限抵抗Ｒｘを介してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに充電電流Ｉｃが供給される。
電子回路装置ＥＣ１が正常な状態にある場合、電子回路装置ＥＣ１は、バッテリＢＴの電圧に基づき、バッテリＢＴからレギュレータＲＧに電流が供給される。また、電子回路装置ＥＣ１では、電流制限抵抗Ｒｘを介してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに充電電流Ｉｃが供給される。
【0020】
このように、本実施形態では、充電電流ＩｃはバッテリＢＴから電流制限抵抗Ｒｘを通って瞬断対策用コンデンサＣへと供給されることになる。このため、図２（ｂ）に示すように、電流制限抵抗Ｒｘが配置されない前記従来と比べて小さい充電電流Ｉｃが長く供給されることで、図２（ａ）に示すように、前記従来と比べて長い時間をかけて満充電、すなわち瞬断対策用コンデンサＣの電圧ＶｃがバッテリＢＴの電圧Ｖｂｔと概ね等しくなる。しかしながら、電源瞬断の頻度は比較的少ないことから、本実施形態のように瞬断対策用コンデンサＣの満充電までの時間が長くなったとしても、実質的な不具合を招来するおそれはない。
【0021】
（電源瞬断時）
電子回路装置ＥＣ１において電源が瞬断した場合、電子回路装置ＥＣ１は、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が、電流制限抵抗Ｒｘによりも電流が流れやすい放電回路ＤＣを介してレギュレータＲＧに供給される。これにより、電源瞬断時に、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が電流制限抵抗Ｒｘを通過することによる、レギュレータＲＧへの電流供給遅延（放電遅延）が抑制されている。
電子回路装置ＥＣ１において電源が瞬断した場合、電子回路装置ＥＣ１は、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が、電流制限抵抗Ｒｘによりも電流が流れやすい放電回路ＤＣを介してレギュレータＲＧに供給される。これにより、電源瞬断時に、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が電流制限抵抗Ｒｘを通過することによる、レギュレータＲＧへの電流供給遅延（放電遅延）が抑制されている。
【0022】
（コンデンサ故障時）
電子回路装置ＥＣ１において瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合には、瞬断対策用コンデンサＣの電位Ｖｃはゼロとなるが、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに供給される充電電流Ｉｃは電流制限抵抗Ｒｘを通ることにより、直ちに電源が短絡する短絡電流の発生が抑制されている。
電子回路装置ＥＣ１において瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合には、瞬断対策用コンデンサＣの電位Ｖｃはゼロとなるが、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに供給される充電電流Ｉｃは電流制限抵抗Ｒｘを通ることにより、直ちに電源が短絡する短絡電流の発生が抑制されている。
【0023】
一方、放電回路ＤＣには、逆流防止手段であるダイオードＤｘが配置されているため、電流制限抵抗Ｒｘを迂回して放電回路ＤＣを逆流するかたちでバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣへと充電電流Ｉｃが供給されることはない。これにより、電子回路装置ＥＣ１では、瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合における放電回路ＤＣを介した短絡電流の発生が抑制されている。
【0024】
（本実施形態の作用効果）
前記従来の電子回路装置では、前記２つのコンデンサが直列に配置されているため、コンデンサの合成容量は半分（１／２）となってしまう。一方で、１つのコンデンサを配置する場合と同じ容量を維持するには、前記直列に配置された２つのコンデンサをさらに並列に配置する必要がある。この場合、コンデンサが合計４つ必要となるため、コンデンサの実装面積の大型化、ひいては電子回路装置の製造コストの増大を招来してしまう点で、改善の余地があった。
前記従来の電子回路装置では、前記２つのコンデンサが直列に配置されているため、コンデンサの合成容量は半分（１／２）となってしまう。一方で、１つのコンデンサを配置する場合と同じ容量を維持するには、前記直列に配置された２つのコンデンサをさらに並列に配置する必要がある。この場合、コンデンサが合計４つ必要となるため、コンデンサの実装面積の大型化、ひいては電子回路装置の製造コストの増大を招来してしまう点で、改善の余地があった。
【0025】
これに対し、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ１は、電源の瞬断が発生した際の電流供給に供する瞬断対策用コンデンサＣと、電源（バッテリＢＴ）と瞬断対策用コンデンサＣの間に設けられ、瞬断対策用コンデンサＣに流れる充電電流Ｉｃを制限する電流制限抵抗Ｒｘと、電流制限抵抗Ｒｘと瞬断対策用コンデンサＣとの間から分岐して瞬断対策用コンデンサＣから電流制限抵抗Ｒｘを迂回するかたちで電子デバイス（レギュレータＲＧ）に接続され、電子デバイス（レギュレータＲＧ）側から瞬断対策用コンデンサＣ側に流れる電流（充電電流Ｉｃ）を規制する逆流規制手段（ダイオードＤｘ）が設けられた放電回路と、を備えている。
【0026】
このように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ１では、瞬断対策用コンデンサＣとして単一のコンデンサを用いつつ、バッテリＢＴと瞬断対策用コンデンサＣの間に電流制限抵抗Ｒｘが設けられていて、電流制限抵抗Ｒｘにより、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに流れる充電電流Ｉｃが抑制されている。これにより、瞬断対策用コンデンサＣの数量及び実装面積を低減しつつ、瞬断対策用コンデンサＣにショート故障が生じた場合には、電流制限抵抗Ｒｘによって短絡電流の発生が抑制され、直ちに電源が短絡してしまう不具合を抑制することができる。
【0027】
また、電流制限抵抗Ｒｘと瞬断対策用コンデンサＣとの間から分岐して瞬断対策用コンデンサＣから電流制限抵抗Ｒｘを迂回するかたちでレギュレータＲＧに放電電流を供給可能な放電回路ＤＣが設けられている。これにより、電源の瞬断時には、放電回路ＤＣによって瞬断対策用コンデンサＣからレギュレータＲＧへの円滑な放電電流の供給を確保しつつ、瞬断対策用コンデンサＣのショート故障が発生した際には、逆流規制手段であるダイオードＤｘによって、放電回路ＤＣを逆流することによる短絡電流の発生を抑制することができる。
【0028】
（変形例）
図３は、本発明に係る電子回路装置の第１実施形態の変形例を示している。
図３は、本発明に係る電子回路装置の第１実施形態の変形例を示している。
【0029】
図３に示すように、本変形例に係る電子回路装置ＥＣ１１では、放電回路ＤＣにおける逆流防止手段として、前記第１実施形態にて例示したダイオードＤｘの代わりに、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）Ｍｆが設けられている。
【0030】
このように、逆流防止手段としてＭＯＳＦＥＴを用いることによっても、瞬断対策用コンデンサＣのショート故障が発生した際の、放電回路ＤＣを逆流することによる短絡電流の発生を抑制することができる。
【0031】
［第２実施形態］
図４～図５は、本発明に係る電子回路装置の第２実施形態を示している。なお、本実施形態は、前記第１実施形態に対して後述するバイパス回路及び駆動回路を追加したものであって、他の構成については、前記第１実施形態と同様である。したがって、前記第１実施形態と同じ構成については、同一の符号を付すことにより、その説明を省略する。
図４～図５は、本発明に係る電子回路装置の第２実施形態を示している。なお、本実施形態は、前記第１実施形態に対して後述するバイパス回路及び駆動回路を追加したものであって、他の構成については、前記第１実施形態と同様である。したがって、前記第１実施形態と同じ構成については、同一の符号を付すことにより、その説明を省略する。
【0032】
（電子回路装置の構成）
図４は、本発明の第２実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２の要部を抜粋して表示した要部回路図を示している。図５（ａ）は図４に示す電子回路装置ＥＣ２の瞬断対策用コンデンサＣに作用する電圧Ｖｃの変化量を示すグラフを示し、図５（ｂ）は図４に示す電子回路装置ＥＣ２の瞬断対策用コンデンサＣに流れる電流Ｉｃの変化量を示すグラフを示している。
図４は、本発明の第２実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２の要部を抜粋して表示した要部回路図を示している。図５（ａ）は図４に示す電子回路装置ＥＣ２の瞬断対策用コンデンサＣに作用する電圧Ｖｃの変化量を示すグラフを示し、図５（ｂ）は図４に示す電子回路装置ＥＣ２の瞬断対策用コンデンサＣに流れる電流Ｉｃの変化量を示すグラフを示している。
【0033】
図４に示すように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２では、前記第１実施形態の構成に加えて、ダイオードＤ１と瞬断対策用コンデンサＣを直接接続してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに流れる充電電流Ｉｃをバイパスするバイパス回路ＢＰと、バイパス回路ＢＣに付設され、当該バイパス回路ＢＣを駆動する駆動回路ＤＲと、を備えている。
【0034】
バイパス回路ＢＰは、周知のバイポーラトランジスタからなるトランジスタＴ１を有していて、駆動回路ＤＲ（後述のトランジスタＴ２）がＯＮされることで、バッテリＢＴからの充電電流Ｉｃをバイパス（電流制限抵抗Ｒｘを迂回）して瞬断対策用コンデンサＣに直接供給するものである。トランジスタＴ１は、ＮＰＮ型のトランジスタであって、コレクタＴ１ＣがダイオードＤ１に接続され、エミッタＴ１Ｅが瞬断対策用コンデンサＣに接続されている。
【0035】
駆動回路ＤＲは、並列に配置される２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２と、周知のバイポーラトランジスタからなるトランジスタＴ２と、を有する。トランジスタＴ２は、コレクタＴ２Ｃが抵抗Ｒ１を介してトランジスタＴ１のベースＴ１Ｂに接続されると共に、ベースＴ２Ｂが抵抗Ｒ２を介してトランジスタＴ１のエミッタＴ１Ｅに接続されていて、エミッタＴ２Ｅが接地（アース）されている。
【0036】
（電子回路装置の作動説明）
次に、図４に基づき、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２の動作について説明する。
次に、図４に基づき、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２の動作について説明する。
【0037】
（正常時）
電子回路装置ＥＣ２が正常な状態のときは、前記第１実施形態と同様に、電子回路装置ＥＣ２は、バッテリＢＴの電圧Ｖｂｔに基づき、バッテリＢＴからレギュレータＲＧに電流が供給される。一方で、電子回路装置ＥＣ２では、駆動回路ＤＲのトランジスタＴ２がＯＦＦのときは、電流制限抵抗Ｒｘを介してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに充電電流Ｉｃが供給される。他方、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘに到達すると、駆動回路ＤＲのトランジスタＴ２がＯＮになり、続いてバイパス回路ＢＰのトランジスタＴ１がＯＮになることで、充電電流Ｉｃはバイパス回路ＢＰのトランジスタＴ１を介して瞬断対策用コンデンサＣに供給される。
電子回路装置ＥＣ２が正常な状態のときは、前記第１実施形態と同様に、電子回路装置ＥＣ２は、バッテリＢＴの電圧Ｖｂｔに基づき、バッテリＢＴからレギュレータＲＧに電流が供給される。一方で、電子回路装置ＥＣ２では、駆動回路ＤＲのトランジスタＴ２がＯＦＦのときは、電流制限抵抗Ｒｘを介してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに充電電流Ｉｃが供給される。他方、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘに到達すると、駆動回路ＤＲのトランジスタＴ２がＯＮになり、続いてバイパス回路ＢＰのトランジスタＴ１がＯＮになることで、充電電流Ｉｃはバイパス回路ＢＰのトランジスタＴ１を介して瞬断対策用コンデンサＣに供給される。
【0038】
このように、本実施形態では、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘ未満のときは、バイパス回路ＢＰがＯＦＦとなるため、充電電流Ｉｃは電流制限抵抗Ｒｘを介して瞬断対策用コンデンサＣに供給されることとなる。その結果、図２（ｂ）に示すように、前記第１実施形態と同様、瞬断対策用コンデンサＣには比較的小さい充電電流Ｉｃが流れる。やがて、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘに到達（図５中のＴｘに相当）することで、駆動回路ＤＲのトランジスタＴ２がＯＮになり、充電電流Ｉｃは電流制限抵抗Ｒｘを迂回するようにバイパス回路ＢＰ（トランジスタＴ１）を介して瞬断対策用コンデンサＣに供給される。その結果、図２（ｂ）に示すように、充電電流Ｉｃが増大し、図２（ａ）に示すように、前記第１実施形態よりも十分に速い、前記従来と同様の充電速度でもって瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃがバッテリ電圧Ｖｂｔに到達し、満充電となる。
【0039】
（電源瞬断時）
電子回路装置ＥＣ２において電源が瞬断した場合、電子回路装置ＥＣ２は、前記第１実施形態と同様、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が、電流制限抵抗Ｒｘを迂回するかたちで、放電回路ＤＣを介してレギュレータＲＧに供給されることとなり、電流制限抵抗Ｒｘを設けたことによる、レギュレータＲＧに対する電流供給遅延（放電遅延）が抑制されている。
電子回路装置ＥＣ２において電源が瞬断した場合、電子回路装置ＥＣ２は、前記第１実施形態と同様、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が、電流制限抵抗Ｒｘを迂回するかたちで、放電回路ＤＣを介してレギュレータＲＧに供給されることとなり、電流制限抵抗Ｒｘを設けたことによる、レギュレータＲＧに対する電流供給遅延（放電遅延）が抑制されている。
【0040】
（コンデンサ故障時）
電子回路装置ＥＣ２において瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合、瞬断対策用コンデンサＣの電位Ｖｃはゼロとなる。すると、駆動回路ＤＲのトランジスタＴ２はＯＦＦとなり、バイパス回路ＢＰのトランジスタＴ１もＯＦＦとなる。これにより、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに供給される充電電流Ｉｃは、前記第１実施形態と同様、電流制限抵抗Ｒｘを通って瞬断対策用コンデンサＣに流れることとなり、直ちに電源が短絡する短絡電流の発生が抑制されている。
電子回路装置ＥＣ２において瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合、瞬断対策用コンデンサＣの電位Ｖｃはゼロとなる。すると、駆動回路ＤＲのトランジスタＴ２はＯＦＦとなり、バイパス回路ＢＰのトランジスタＴ１もＯＦＦとなる。これにより、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに供給される充電電流Ｉｃは、前記第１実施形態と同様、電流制限抵抗Ｒｘを通って瞬断対策用コンデンサＣに流れることとなり、直ちに電源が短絡する短絡電流の発生が抑制されている。
【0041】
また、電子回路装置ＥＣ２の放電回路ＤＣには、前記第１実施形態と同様、逆流防止手段であるダイオードＤｘが配置されていることから、電流制限抵抗Ｒｘを迂回して放電回路ＤＣを逆流するようにバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣへと充電電流Ｉｃが供給されることはない。これにより、電子回路装置ＥＣ２でも、瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合の、放電回路ＤＣを介した短絡電流の発生が抑制されている。
【0042】
（本実施形態の作用効果）
以上のように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２は、電源（バッテリＢＴ）から電流制限抵抗Ｒｘを迂回するように電源（バッテリＢＴ）から分岐して電流制限抵抗Ｒｘと瞬断対策用コンデンサＣとの間に接続され、電源（バッテリＢＴ）から瞬断対策用コンデンサＣに直接電流を供給可能なバイパス回路ＢＰと、瞬断対策用コンデンサＣの充電の途中でバイパス回路ＢＰを駆動する駆動回路ＤＲと、をさらに備えている。
以上のように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２は、電源（バッテリＢＴ）から電流制限抵抗Ｒｘを迂回するように電源（バッテリＢＴ）から分岐して電流制限抵抗Ｒｘと瞬断対策用コンデンサＣとの間に接続され、電源（バッテリＢＴ）から瞬断対策用コンデンサＣに直接電流を供給可能なバイパス回路ＢＰと、瞬断対策用コンデンサＣの充電の途中でバイパス回路ＢＰを駆動する駆動回路ＤＲと、をさらに備えている。
【0043】
このように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２では、バッテリＢＴから電流制限抵抗Ｂｘを迂回して瞬断対策用コンデンサＣへと直接電流を供給可能なバイパス回路ＢＰが設けられている。このため、電流制限抵抗Ｒｘによって瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した際の電源の短絡を規制しつつ、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣへの直接の電流供給を可能とすることで、電流制限抵抗Ｒｘを設けたことによる瞬断対策用コンデンサＣの充電速度の低下を抑制することができる。
【0044】
また、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ２では、バイパス回路ＢＰ及び駆動回路ＤＲは、それぞれバイポーラトランジスタ（トランジスタＴ１，Ｔ２）を備えている。これにより、電子回路装置ＥＣ２において、比較的安価にバイパス回路ＢＰ及び駆動回路ＤＲを構成することが可能となるため、電子回路装置ＥＣ２の製造コストの低減化を図ることができる。
【0045】
（第１変形例）
図６は、本発明に係る電子回路装置の第２実施形態の第１変形例を示している。
図６は、本発明に係る電子回路装置の第２実施形態の第１変形例を示している。
【0046】
図６に示すように、本変形例に係る電子回路装置ＥＣ２１では、バイパス回路ＢＰ及び駆動回路ＤＲに、前記第２実施形態で例示したトランジスタＴ１，Ｔ２の代わりに、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタであるＭＯＳＦＥＴｍ１，ｍ２が設けられている。
【0047】
バイパス回路ＢＰは、周知のＭＯＳＦＥＴからなるＭＯＳＦＥＴｍ１を有していて、駆動回路ＤＲ（後述のＭＯＳＦＥＴｍ２）がＯＮされることで、バッテリＢＴからの充電電流Ｉｃを、バイパス（電流制限抵抗Ｒｘを迂回）して、瞬断対策用コンデンサＣへと直接供給する。ＭＯＳＦＥＴｍ１は、ＮチャネルのＭＯＳＦＥＴであって、ドレインｍ１ＤがダイオードＤ１に接続され、ソースｍ１Ｓが瞬断対策用コンデンサＣに接続されている。
【0048】
駆動回路ＤＲは、バイパス回路ＢＰ（ＭＯＳＦＥＴｍ１）との間に配置される３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と、周知のＭＯＳＦＥＴからなるＭＯＳＦＥＴｍ２と、を有する。抵抗１と抵抗Ｒ２，Ｒ３は並列に接続され、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３は直列に配置されている。ＭＯＳＦＥＴｍ２は、ドレインｍ２Ｄが抵抗１を介してＭＯＳＦＥＴｍ１のゲートｍ１Ｇに接続されると共に、ゲートｍ２Ｇが抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３との間に接続されることによって抵抗Ｒ２を介してＭＯＳＦＥＴｍ１のソースｍ１Ｓに接続されていて、ソースｍ２Ｓが接地（アース）されている。
【0049】
このように、本変形例に係る電子回路装置ＥＣ２１では、バイパス回路ＢＰ及び駆動回路ＤＲは、それぞれＭＯＳＦＥＴｍ１，ｍ２を備えている。これにより、ＭＯＳＦＥＴｍ１，ｍ２は、性質上、トランジスタＴ１，Ｔ２と比べてＯＮとＯＦＦの切り替えを安定的に行うことが可能となるため、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが前記所定の電圧Ｖｘに到達したことによる、駆動回路ＤＲ（ＭＯＳＦＥＴｍ２）によるバイパス回路ＢＰ（ＭＯＳＦＥＴｍ１）への切り替えを安定して行うことができる。
【0050】
（第２変形例）
図７は、本発明に係る電子回路装置の第２実施形態の第２変形例を示している。
図７は、本発明に係る電子回路装置の第２実施形態の第２変形例を示している。
【0051】
図７に示すように、本変形例に係る電子回路装置ＥＣ２２は、前記第２実施形態と、前記第２実施形態の第１変形例とを組み合わせたものであって、バイパス回路ＢＰはＭＯＳＦＥＴｍ１を備えてなり、駆動回路ＤＲはトランジスタＴ２を備えている。
【0052】
すなわち、バイパス回路ＢＰは、周知のＭＯＳＦＥＴからなるＭＯＳＦＥＴｍ１を有していて、駆動回路ＤＲ（後述のトランジスタＴ２）がＯＮされることで、バッテリＢＴからの充電電流Ｉｃをバイパス（電流制限抵抗Ｒｘを迂回）して瞬断対策用コンデンサＣへと直接供給する。ＭＯＳＦＥＴｍ１は、ＮチャネルのＭＯＳＦＥＴであって、ドレインｍ１ＤがダイオードＤ１に接続されると共に、ソースｍ１Ｓが瞬断対策用コンデンサＣに接続されている。
【0053】
他方、駆動回路ＤＲは、並列に配置される２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２と、周知のバイポーラトランジスタからなるトランジスタＴ２と、を有する。トランジスタＴ２は、コレクタＴ２Ｃが抵抗Ｒ１を介してＭＯＳＦＥＴｍ１のゲートｍ１Ｇに接続されると共に、ベースＴ２Ｂが抵抗Ｒ２を介してＭＯＳＦＥＴｍ１のソースｍ１Ｓに接続されていて、エミッタＴ２Ｅが接地（アース）されている。
【0054】
このように、本変形例に係る電子回路装置ＥＣ２２では、バイパス回路ＢＰは、ＭＯＳＦＥＴｍ１を備えてなり、駆動回路ＤＲは、バイポーラトランジスタ（トランジスタＴ２）を備えている。
【0055】
これにより、比較的電力の大きい電子部品が搭載されるバイパス回路ＢＰについて、ＭＯＳＦＥＴは、性質上、バイポーラトランジスタよりも電力損失が比較的少ないことから、電子部品を比較的小さく設定することができ、電子回路装置ＥＣ２２の製造コストの低減化を図ることができる。
【0056】
一方、比較的電力の小さい電子部品が搭載される駆動回路ＤＲには、比較的安価なバイポーラトランジスタ（トランジスタＴ２）を用いることで、電子回路装置ＥＣ２２の製造コストのさらなる低減化に寄与することができる。
【0057】
なお、本変形例では、バイパス回路ＢＰにＭＯＳＦＥＴを配置して、駆動回路ＤＲにバイポーラトランジスタを配置した態様を例示したが、バイパス回路ＢＰにバイポーラトランジスタを配置して、駆動回路ＤＲにＭＯＳＦＥＴを配置することも可能である。
【0058】
［第３実施形態］
図８は、本発明に係る電子回路装置の第３実施形態を示している。なお、本実施形態は、前記第２実施形態の第２変形例における放電回路ＤＣを廃止したものであって、他の構成については、前記第２実施形態の第２変形例と同様である。したがって、前記第２実施形態の第２変形例と同じ構成については、同一の符号を付すことにより、その説明を省略する。
図８は、本発明に係る電子回路装置の第３実施形態を示している。なお、本実施形態は、前記第２実施形態の第２変形例における放電回路ＤＣを廃止したものであって、他の構成については、前記第２実施形態の第２変形例と同様である。したがって、前記第２実施形態の第２変形例と同じ構成については、同一の符号を付すことにより、その説明を省略する。
【0059】
（電子回路装置の構成）
図８は、本発明の第３実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３の要部を抜粋して表示した要部回路図を示している
本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３は、図８に示すように、前記第２実施形態で例示したような独立した放電回路ＤＣが廃止されていて、代わりに、バイパス回路ＢＰに設けられたＭＯＳＦＥＴｍ１に付随するボディダイオードｍ１Ｄｘが逆流規制手段として機能し、バイパス回路ＢＰが放電回路として機能する。
図８は、本発明の第３実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３の要部を抜粋して表示した要部回路図を示している
本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３は、図８に示すように、前記第２実施形態で例示したような独立した放電回路ＤＣが廃止されていて、代わりに、バイパス回路ＢＰに設けられたＭＯＳＦＥＴｍ１に付随するボディダイオードｍ１Ｄｘが逆流規制手段として機能し、バイパス回路ＢＰが放電回路として機能する。
【0060】
（電子回路装置の作動説明）
次に、図８に基づき、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３の動作について説明する。
次に、図８に基づき、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３の動作について説明する。
【0061】
（正常時）
電子回路装置ＥＣ３が正常な状態のときは、電子回路装置ＥＣ３は、バッテリＢＴの電圧Ｖｂｔに基づいて、バッテリＢＴからレギュレータＲＧに電流が供給される。一方で、電子回路装置ＥＣ３は、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘ未満のときは、バイパス回路ＢＰがＯＦＦとなり、電流制限抵抗Ｒｘを介してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに充電電流Ｉｃが供給される。やがて、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘ以上になると、駆動回路ＤＲのＭＯＳＦＥＴｍ２がＯＮになり、続いてバイパス回路ＢＰのＭＯＳＦＥＴｍ１がＯＮになることにより、バッテリＢＴからの充電電流Ｉｃはバイパス回路ＢＰ（ＭＯＳＦＥＴｍ１）を介して瞬断対策用コンデンサＣに供給されることとなる。
電子回路装置ＥＣ３が正常な状態のときは、電子回路装置ＥＣ３は、バッテリＢＴの電圧Ｖｂｔに基づいて、バッテリＢＴからレギュレータＲＧに電流が供給される。一方で、電子回路装置ＥＣ３は、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘ未満のときは、バイパス回路ＢＰがＯＦＦとなり、電流制限抵抗Ｒｘを介してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに充電電流Ｉｃが供給される。やがて、瞬断対策用コンデンサＣの電圧Ｖｃが所定の電圧Ｖｘ以上になると、駆動回路ＤＲのＭＯＳＦＥＴｍ２がＯＮになり、続いてバイパス回路ＢＰのＭＯＳＦＥＴｍ１がＯＮになることにより、バッテリＢＴからの充電電流Ｉｃはバイパス回路ＢＰ（ＭＯＳＦＥＴｍ１）を介して瞬断対策用コンデンサＣに供給されることとなる。
【0062】
（電源瞬断時）
電子回路装置ＥＣ３において電源が瞬断した場合には、電子回路装置ＥＣ３は、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が、電流制限抵抗Ｒｘを迂回するように、バイパス回路ＢＰ（ＭＯＳＦＥＴｍ１のボディダイオードｍ１Ｄｘ）を介してレギュレータＲＧに供給され、電流制限抵抗Ｒｘを設けたことによる、レギュレータＲＧに対する電流供給遅延（放電遅延）が抑制されている。
電子回路装置ＥＣ３において電源が瞬断した場合には、電子回路装置ＥＣ３は、瞬断対策用コンデンサＣに蓄えられた電荷が、電流制限抵抗Ｒｘを迂回するように、バイパス回路ＢＰ（ＭＯＳＦＥＴｍ１のボディダイオードｍ１Ｄｘ）を介してレギュレータＲＧに供給され、電流制限抵抗Ｒｘを設けたことによる、レギュレータＲＧに対する電流供給遅延（放電遅延）が抑制されている。
【0063】
（コンデンサ故障時）
電子回路装置ＥＣ３において瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合には、瞬断対策用コンデンサＣの電位Ｖｃはゼロとなる結果、駆動回路ＤＲのＭＯＳＦＥＴｍ２はＯＦＦとなり、バイパス回路ＢＰのＭＯＳＦＥＴｍ１もＯＦＦとなる。これにより、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに供給される充電電流Ｉｃは、電流制限抵抗Ｒｘを通って瞬断対策用コンデンサＣに流れることとなり、直ちに電源が短絡する短絡電流の発生が抑制される。
電子回路装置ＥＣ３において瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合には、瞬断対策用コンデンサＣの電位Ｖｃはゼロとなる結果、駆動回路ＤＲのＭＯＳＦＥＴｍ２はＯＦＦとなり、バイパス回路ＢＰのＭＯＳＦＥＴｍ１もＯＦＦとなる。これにより、バッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣに供給される充電電流Ｉｃは、電流制限抵抗Ｒｘを通って瞬断対策用コンデンサＣに流れることとなり、直ちに電源が短絡する短絡電流の発生が抑制される。
【0064】
また、電子回路装置ＥＣ３のバイパス回路ＢＰには、逆流防止手段であるボディダイオードｍ１Ｄｘが配置されていることにより、バイパス回路ＢＰのＭＯＳＦＥＴｍ１がＯＦＦの状態では、電流制限抵抗Ｒｘを迂回してバイパス回路ＢＰを介してバッテリＢＴから瞬断対策用コンデンサＣへと充電電流Ｉｃが供給されることはない。これにより、電子回路装置ＥＣ３でも、瞬断対策用コンデンサＣがショート故障した場合の、バイパス回路ＢＰを介した短絡電流の発生が抑制されている。
【0065】
（本実施形態の作用効果）
以上のように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３は、電源（バッテリＢＴ）から電流制限抵抗Ｒｘを迂回するように電源（バッテリＢＴ）から分岐して電流制限抵抗Ｒｘと瞬断対策用コンデンサＣとの間に接続され、電源（バッテリＢＴ）から瞬断対策用コンデンサＣに直接電流を供給可能なバイパス回路ＢＰと、瞬断対策用コンデンサＣの充電の途中でバイパス回路ＢＰを駆動する駆動回路ＤＲと、をさらに備え、前記放電回路は、バイパス回路ＢＰによって構成され、前記逆流規制手段は、ＭＯＳＦＥＴｍ１に付随するボディダイオードｍ１Ｄｘによって構成されている。
以上のように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３は、電源（バッテリＢＴ）から電流制限抵抗Ｒｘを迂回するように電源（バッテリＢＴ）から分岐して電流制限抵抗Ｒｘと瞬断対策用コンデンサＣとの間に接続され、電源（バッテリＢＴ）から瞬断対策用コンデンサＣに直接電流を供給可能なバイパス回路ＢＰと、瞬断対策用コンデンサＣの充電の途中でバイパス回路ＢＰを駆動する駆動回路ＤＲと、をさらに備え、前記放電回路は、バイパス回路ＢＰによって構成され、前記逆流規制手段は、ＭＯＳＦＥＴｍ１に付随するボディダイオードｍ１Ｄｘによって構成されている。
【0066】
このように、本実施形態に係る電子回路装置ＥＣ３では、放電回路が、バイパス回路ＢＰにより構成されると共に、逆流規制手段が、バイパス回路ＢＰに設けられたＭＯＳＦＥＴｍ１に付随するボディダイオードｍ１Ｄｘにより構成されている。このように、バイパス回路ＢＰが放電回路を兼ねることによって、前記第２実施形態の前記第２変形例で例示したような独立した放電回路ＤＣを省略することが可能となる。これにより、電子回路装置ＥＣ３の構成が簡素化され、電子回路装置ＥＣ３の製造コストの低廉化に寄与することができる。
【0067】
本発明は、前記各実施形態及び前記各変形例の構成に限定されるものではなく、例えば本発明を適用する電子回路装置の仕様等に応じて自由に変更可能である。
【0068】
特に、本発明は、電子回路装置の電源系に適用されるものであるから、電子回路装置に搭載される各種電子デバイスについては、何ら限定されない。
【符号の説明】
【0069】
ＢＴ…バッテリ、Ｃ…瞬断対策用コンデンサ、Ｒｘ…電流制限抵抗、ＤＣ…放電回路、Ｄｘ…ダイオード（逆流規制手段）、
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】