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特開2024-40172透明導電性酸化物で被覆された物品のシート抵抗を低下させる方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024040172
(43)【公開日】2024-03-25
(54)【発明の名称】透明導電性酸化物で被覆された物品のシート抵抗を低下させる方法
(51)【国際特許分類】
C03C 17/34 20060101AFI20240315BHJP
B32B 9/00 20060101ALI20240315BHJP
F25D 23/00 20060101ALN20240315BHJP
【ＦＩ】
C03C17/34 Z
B32B9/00 A
F25D23/00 301E
【審査請求】有
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024002385
(22)【出願日】2024-01-11
(62)【分割の表示】P 2020505834の分割
【原出願日】2018-08-02
(31)【優先権主張番号】15/669,276
(32)【優先日】2017-08-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】518301590
【氏名又は名称】ビトロ フラット グラス エルエルシー
(74)【代理人】
【識別番号】110000855
【氏名又は名称】弁理士法人浅村特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ガンジュ、 アシュトシュ
(72)【発明者】
【氏名】ナラヤナン、スダルシャン
(57)【要約】
【課題】被覆物品の放射率及びシート抵抗を低減させる方法。
【解決手段】本発明は、被覆物品のシート抵抗を低減させる方法であって、室温で１２５ｎｍ～９５０ｎｍの厚さを有する透明導電性酸化物層を含む被覆を基材に付着させるステップと、透明導電性酸化物層を処理するステップとを含み、処理するステップは、透明導電性酸化物層が２２４℃～４７０℃に到達するように、透明導電性酸化物層をフラッシュ・アニーリングすることを含み、透明導電性酸化物層がフラッシュ・アニーリングされることにより、透明導電性酸化物層の表面が加熱され、処理するステップ後の被覆物品のシート抵抗は、２０Ω／□以下である。
【選択図】図７ａ
【解決手段】本発明は、被覆物品のシート抵抗を低減させる方法であって、室温で１２５ｎｍ～９５０ｎｍの厚さを有する透明導電性酸化物層を含む被覆を基材に付着させるステップと、透明導電性酸化物層を処理するステップとを含み、処理するステップは、透明導電性酸化物層が２２４℃～４７０℃に到達するように、透明導電性酸化物層をフラッシュ・アニーリングすることを含み、透明導電性酸化物層がフラッシュ・アニーリングされることにより、透明導電性酸化物層の表面が加熱され、処理するステップ後の被覆物品のシート抵抗は、２０Ω／□以下である。
【選択図】図７ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被覆物品のシート抵抗を低減させる方法であって、
室温で１２５ｎｍ～９５０ｎｍの厚さを有する透明導電性酸化物層を含む被覆を基材に付着させるステップと、
前記透明導電性酸化物層を処理するステップとを含み、
前記処理するステップは、前記透明導電性酸化物層が２２４℃（４３５°Ｆ）以上かつ４７０℃（８７８°Ｆ）を超えない温度に到達するように、前記透明導電性酸化物層をフラッシュ・アニーリングすることを含み、前記透明導電性酸化物層がフラッシュ・アニーリングされることにより、前記透明導電性酸化物層の表面が加熱され、前記処理するステップ後の前記被覆物品のシート抵抗は、２０Ω／□以下である方法において、
透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む第１の保護膜を付着させるステップと、前記透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、チタニア及びアルミナを含む第２の保護膜を付着させるステップとをさらに含み、前記第１の保護膜を付着させるステップ及び前記第２の保護膜を付着させるステップが、前記処理するステップの前又は後に行われる、方法。
室温で１２５ｎｍ～９５０ｎｍの厚さを有する透明導電性酸化物層を含む被覆を基材に付着させるステップと、
前記透明導電性酸化物層を処理するステップとを含み、
前記処理するステップは、前記透明導電性酸化物層が２２４℃（４３５°Ｆ）以上かつ４７０℃（８７８°Ｆ）を超えない温度に到達するように、前記透明導電性酸化物層をフラッシュ・アニーリングすることを含み、前記透明導電性酸化物層がフラッシュ・アニーリングされることにより、前記透明導電性酸化物層の表面が加熱され、前記処理するステップ後の前記被覆物品のシート抵抗は、２０Ω／□以下である方法において、
透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む第１の保護膜を付着させるステップと、前記透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、チタニア及びアルミナを含む第２の保護膜を付着させるステップとをさらに含み、前記第１の保護膜を付着させるステップ及び前記第２の保護膜を付着させるステップが、前記処理するステップの前又は後に行われる、方法。
【請求項2】
前記透明導電性酸化物層が、スズでドープされた酸化インジウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記透明導電性酸化物層が、ガリウムでドープされた酸化亜鉛を含み、少なくとも３２０ｎｍ及び多くとも４８０ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記透明導電性酸化物層が、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛を含み、少なくとも３４４ｎｍ及び多くとも８６０ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記被覆を付着させるステップが、マグネトロン・スパッタリング真空蒸着プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記加熱ステップが、３３５℃（６３５°Ｆ）を超えて前記透明導電性酸化物の頂面を上昇させない、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
前記被覆物品が冷蔵庫ドアである、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
前記付着させるステップが、雰囲気に供給される酸素含有率が０％～１．５％の雰囲気中で行われる、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、低放射率及び中間色を有する被覆物品に関する。
【背景技術】
【0002】
より低い放射率及びより低いシート抵抗を有する被覆物品を提供するために、透明導電性酸化物（「ＴＣＯ」：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）が基材に付着される。これによりＴＣＯは、艶出しユニット又はスクリーンを活性化する電極（たとえば、ソーラー・セル）又は加熱層で特に有用になる。ＴＣＯは通常、マグネトロン・スパッタリング真空蒸着（「ＭＳＶＤ」：ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｖａｃｕｕｍ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの真空蒸着技法によって付着される。概して、より厚いＴＣＯ層は、より低いシート抵抗を提供する。しかし、ＴＣＯの厚さは被覆物品の色に影響する。したがって、ＴＣＯ層によって引き起こされる着色作用を調整することが必要とされている。さらに、ＴＣＯが被覆物品の色に与える影響を最小にしながら、それでもなお必要とされるシート抵抗を維持するために、ＴＣＯ層の厚さを最小にすることが必要とされている。
【0003】
被覆スタックは、時間とともに腐食することがある。これから保護するために、保護オーバーコートを被覆に付着させることができる。たとえば、米国特許第４，７１６，０８６号及び第４，７８６，５６３号に開示されている二酸化チタン膜は、被覆に耐化学薬品性を提供する保護膜である。カナダ特許第２，１５６，５７１号に開示されている酸化ケイ素、米国特許第５，４２５，８６１号、第５，３４４，７１８号、第５，３７６，４５５号、第５，５８４，９０２号、及び第５，５３２，１８０号、並びにＰＣＴ国際特許公開第９５／２９８８３号に開示されている酸化アルミニウム及び窒化ケイ素もまた、耐化学薬品性を被覆に提供する保護膜である。この技術は、化学的及び／又は機械的により耐久性のある保護オーバーコートによって向上させることもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第４，７１６，０８６号
【特許文献2】米国特許第４，７８６，５６３号
【特許文献3】カナダ特許第２，１５６，５７１号
【特許文献4】米国特許第５，４２５，８６１号
【特許文献5】米国特許第５，３４４，７１８号
【特許文献6】米国特許第５，３７６，４５５号
【特許文献7】米国特許第５，５８４，９０２号
【特許文献8】米国特許第５，５３２，１８０号
【特許文献9】ＰＣＴ国際特許公開第９５／２９８８３号
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
被覆物品は、基材と、基材の上の下層とを含む。下層は、第１の層を含む。第１の層は、高屈折率材料を含有する。第１の層の少なくとも一部分の上に、第２の層が位置決めされる。第２の層は、低屈折率材料を含有する。下層の少なくとも一部分の上に、透明導電性膜が位置決めされる。被覆物品は、少なくとも５Ω／□及び多くとも２５Ω／□のシート抵抗を有する。被覆物品は、少なくとも－９及び多くとも１のａ＊、少なくとも－９及び多くとも１のｂ＊を有する色を有する。
【0006】
任意選択で、被覆物品は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に保護層を有することができる。保護層は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上の第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含む。第２の保護膜は、被覆スタック内の最も外側の膜であり、チタニア及びアルミナの混合物を含む。任意選択で、保護層は、第１の保護膜と第２の保護膜との間に位置決めされた第３の保護膜を含むことができる。
【0007】
被覆基材を形成する方法は、基材を提供することを含む。透明導電性酸化物が特定され、少なくとも５Ω／□及び多くとも２５Ω／□のシート抵抗を提供する透明導電性酸化物についての厚さが判定される。第１の下層材料及び第２の下層材料を有する下層が特定される。少なくとも－９及び多くとも１のａ＊、少なくとも－９及び多くとも１のｂ＊を有する色を被覆基材に提供する第１の下層及び第２の下層についての厚さが判定される。下層内の２つの膜の厚さを使用して、被覆基材の色を調節する。色は透明導電性酸化物膜の厚さによって影響されるため、色は透明導電性酸化物膜の厚さが判定された後に調節される。基材の少なくとも一部分の上に、第１の下層材料を含む第１の下層膜が第１の下層膜厚さで付着される。第１の下層の少なくとも一部分の上に、第２の下層材料を含む第２の下層膜が第２の下層厚さで付着される。透明導電性酸化物膜厚さの第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、透明導電性酸化物を有する透明導電性酸化物層が付着される。
【0008】
以下のステップによって作製された少なくとも－９及び多くとも１のａ＊並びに少なくとも－９及び多くとも１のｂ＊を有する色を有する被覆物品。透明導電性酸化物が特定され、少なくとも５Ω／□及び多くとも２５Ω／□のシート抵抗を提供する透明導電性酸化物についての厚さが判定される。第１の下層材料及び第２の下層材料を有する下層が特定される。少なくとも－９及び多くとも１のａ＊、少なくとも－９及び多くとも１のｂ＊を有する色を被覆基材に提供する第１の下層及び第２の下層についての厚さが判定される。下層内の２つの膜の厚さを使用して、被覆基材の色を調節する。色は透明導電性酸化物膜の厚さによって影響されるため、色は透明導電性酸化物膜の厚さが判定された後に調節される。基材の少なくとも一部分の上に、第１の下層材料を含む第１の下層膜が第１の下層膜厚さで付着される。第１の下層の少なくとも一部分の上に、第２の下層材料を含む第２の下層膜が第２の下層厚さで付着される。透明導電性酸化物膜厚さの第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、透明導電性酸化物を有する透明導電性酸化物層が付着される。
【0009】
基材を含む被覆物品。基材の少なくとも一部分の上に、下層が位置決めされる。下層は、少なくとも、基材の少なくとも一部分の上の第１の下層膜と、第１の下層膜の少なくとも一部分の上の任意選択の第２の下層膜とを含む。第１の下層膜は、第１の高屈折率材料を含有する。任意選択の第２の下層膜は、第１の低屈折率層を含有する。第１の下層膜又は任意選択の第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、透明導電性酸化物層が位置決めされる。透明導電性酸化物層内に、第２の高屈折率材料が埋め込まれる。被覆物品は、少なくとも５Ω／□及び多くとも２５Ω／□のシート抵抗を有する。シート抵抗は、第２の高屈折率材料が透明導電性酸化物層内に埋め込まれていない場合より少なくとも３５％高い。
【0010】
任意選択で、被覆物品は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に保護層を有することができる。保護層は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上の第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含む。第２の保護膜は、被覆スタック内の最も外側の膜であり、チタニア及びアルミナの混合物を含む。任意選択で、保護層は、第１の保護膜と第２の保護膜との間に位置決めされた第３の保護膜を含むことができる。
【0011】
基材を含む被覆物品。基材の少なくとも一部分の上に、下層が位置決めされる。下層は、少なくとも、基材の少なくとも一部分の上の第１の下層膜と、第１の下層膜の少なくとも一部分の上の任意選択の第２の下層膜とを含む。第１の下層膜は、第１の高屈折率材料を含有する。任意選択の第２の下層膜は、第１の低屈折率層を含有する。第１の下層膜又は任意選択の第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、第１の透明導電性酸化物層が位置決めされる。第１の透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、埋込み膜が位置決めされる。埋込み膜は、第２の高屈折率材料を有する。第２の透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、第２の透明導電性酸化物層が位置決めされる。被覆物品は、少なくとも５Ω／□及び多くとも２５Ω／□のシート抵抗を有する。シート抵抗は、埋込み膜がない場合より少なくとも３５％高い。
【0012】
任意選択で、被覆物品は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に保護層を有することができる。保護層は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上の第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含む。第２の保護膜は、被覆スタック内の最も外側の膜であり、チタニア及びアルミナの混合物を含む。任意選択で、保護層は、第１の保護膜と第２の保護膜との間に位置決めされた第３の保護膜を含むことができる。
【0013】
被覆物品を形成する方法、シート抵抗を増大させる方法、又は被覆物品の光透過率を増大させる方法。基材が提供される。基材の少なくとも一部分の上に、下層が付着される。基材の少なくとも一部分の上に、第１の下層膜が付着される。第１の下層膜は、第１の高屈折率材料を有する。第１の下層膜の少なくとも一部分の上に、任意選択の第２の下層膜が付着される。任意選択の第２の下層膜は、第１の低屈折率層を有する。第１の下層膜又は任意選択の第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、第１の透明導電性酸化物層が付着される。第１の透明導電性酸化物膜の少なくとも一部分の上に、埋込み膜が付着される。埋込み膜は、第２の高屈折率材料を有する。埋込み膜の少なくとも一部分の上に、第２の透明導電性酸化物膜が付着される。任意選択で、第２の透明導電性酸化物膜の上に保護層を付着させることができる。任意選択の保護層は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上の第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含む。第２の保護膜は、被覆スタック内の最も外側の膜であり、チタニア及びアルミナの混合物を含む。任意選択で、保護層は、第１の保護膜と第２の保護膜との間に位置決めされた第３の保護膜を含むことができる。
【0014】
以下のステップによって作製された被覆物品。基材が提供される。基材の少なくとも一部分の上に、下層が付着される。基材の少なくとも一部分の上に、第１の下層膜が付着される。第１の下層膜は、第１の高屈折率材料を有する。第１の下層膜の少なくとも一部分の上に、任意選択の第２の下層膜が付着される。任意選択の第２の下層膜は、第１の低屈折率層を有する。第１の下層膜又は任意選択の第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、第１の透明導電性酸化物層が付着される。第１の透明導電性酸化物膜の少なくとも一部分の上に、埋込み膜が付着される。埋込み膜は、第２の高屈折率材料を有する。埋込み膜の少なくとも一部分の上に、第２の透明導電性酸化物膜が付着される。任意選択で、第２の透明導電性酸化物膜の上に保護層を付着させることができる。任意選択の保護層は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上の第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含む。第２の保護膜は、被覆スタック内の最も外側の膜であり、チタニア及びアルミナの混合物を含む。任意選択で、保護層は、第１の保護膜と第２の保護膜との間に位置決めされた第３の保護膜を含むことができる。
【0015】
被覆物品のシート抵抗を増大させる方法。被覆物品が提供される。被覆物品は、基材と、基材の少なくとも一部分の上の透明導電性酸化物層とを有する。被覆物品は、蒸着後プロセスによって処理される。蒸着後プロセスは、被覆物品を焼き戻しすること、被覆物品を炉に入れることで被覆物品全体を加熱すること、透明導電性酸化物層の一表面のみをフラッシュ・アニーリングすること、又は透明導電性酸化物層に渦電流を通すこととすることができる。別法として、２５オーム／平方未満のシート抵抗を有する被覆物品が、本段落に記載の方法によって作製される。
【0016】
被覆物品のシート抵抗を増大させる方法。基材が提供される。基材の少なくとも一部分の上に、透明導電性酸化物が付着される。透明導電性酸化物で被覆された基材に、蒸着後プロセスが適用される。蒸着後プロセスは、被覆物品を焼き戻しすること、被覆物品を炉に入れることで被覆物品全体を加熱すること、透明導電性酸化物層の一表面のみをフラッシュ・アニーリングすること、又は透明導電性酸化物層に渦電流を通すこととすることができる。
【0017】
被覆物品は、被覆スタックを有する基材である。基材の少なくとも一部分が、機能被覆で被覆される。機能被覆の少なくとも一部分の上に、保護層が付着される。保護層は、機能被覆の少なくとも一部分の上の第１の保護膜と、機能被覆の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを有する。第２の保護膜は、被覆スタック内の最後の膜であり、チタニア及びアルミナを含む。任意選択で、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に、第３の保護膜を位置決めすることができる。
【0018】
被覆物品を作製する方法は、基材を提供することを含む。基材の少なくとも一部分の上に、機能被覆が付着される。機能被覆の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜が付着される。第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、チタニア及びアルミナを含む第２の保護膜が付着される。任意選択で、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に、第３の保護膜が付着される。
【0019】
透明導電性酸化物層の吸収率、抵抗率、又は放射率を低減させる方法。基材が提供される。０％～２．０％の酸素を含む雰囲気中で、基材の少なくとも一部分の上に透明導電性酸化物層が付着される。
【0020】
以下のステップによって作製された透明導電性酸化物層を含む低減された吸収率、抵抗率、又は放射率を有する被覆物品。基材が提供される。０％～２．０％の酸素を含む雰囲気中で、基材の少なくとも一部分の上に透明導電性酸化物層が付着される。
【0021】
特許又は出願ファイルは、カラーで実行された少なくとも１つの図面を含む。カラーの図面を有する本特許又は特許出願公開の複製は、請求があり次第、必要な手数料の支払いに応じて特許庁によって提供される。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1a】本発明の特徴を組み込む被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図1b】本発明の特徴を組み込む被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図1c】本発明の特徴を組み込む被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図1d】本発明の特徴を組み込む被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図2a】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図2b】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図2c】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図2d】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図2e】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図3a】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図3b】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図3c】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図3d】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図3e】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図4a】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図4b】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図5a】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図5b】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）である。
【図6a】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図6b】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図6c】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図6d】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図6e】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図6f】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図6g】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図6h】本発明の特徴を組み込む他の被覆の側面図（原寸に比例せず）。
【図7a】ＩＴＯのシート抵抗と指定の温度まで加熱されたＩＴＯ透明導電性酸化物層の表面を有したサンプルについての厚さとの関係を示すグラフである。
【図7b】ＩＴＯのシート抵抗と指定の温度まで加熱されたＩＴＯ透明導電性酸化物層の表面を有したサンプルについての厚さとの関係を示すグラフである。
【図8a】スズでドープされた酸化インジウムの透明導電性酸化物層の結晶化を示すＸＲＤグラフである。
【図8b】スズでドープされた酸化インジウムの透明導電性酸化物層の結晶化を示すＸＲＤグラフである。
【図8c】スズでドープされた酸化インジウムの透明導電性酸化物層の結晶化を示すＸＲＤグラフである。
【図9】蒸着時及び加熱後のガリウムでドープされた酸化亜鉛の透明導電性酸化物層のシート抵抗を示す図である。
【図10】蒸着時及び加熱後のアルミニウムでドープされた酸化亜鉛の透明導電性酸化物層のシート抵抗を示す図である。
【図11】厚さ１７０ｎｍのスズでドープされた酸化インジウムの透明導電性酸化物層を有する基材の色に対する下層の作用を示すグラフである。
【図12】厚さ１７５～２２５ｎｍのスズでドープされた酸化インジウムの透明導電性酸化物層及びシリカの保護層を有する基材の色に対する下層の作用を示すグラフである。
【図13a】シート抵抗に対する埋込み膜の作用を示すグラフである。
【図13b】放射率に対する埋込み膜の作用を示すグラフである。
【図13c】埋込み膜を有するインジウムでドープされた酸化スズのＸＲＤグラフである。
【図14】異なる保護層の耐久性を示す棒グラフである。
【図15】異なる保護層の耐久性を示す棒グラフである。
【図16a】０％～２％の酸素を有する雰囲気中のインジウムでドープされた酸化スズを含む透明導電性酸化物層についての正規化吸収率を示す線グラフである。
【図16b】０％～２％の酸素を有する雰囲気中のインジウムでドープされた酸化スズを含む透明導電性酸化物層についての正規化吸収率を示す線グラフである。
【図17a】０％～２％の酸素を有する雰囲気中のインジウムでドープされた酸化スズを含む透明導電性酸化物層についての放射率を示すグラフである。
【図17b】０％～２％の酸素を有する雰囲気中のインジウムでドープされた酸化スズを含む透明導電性酸化物層についての放射率を示すグラフである。
【図18】０％～６％の酸素を有する雰囲気中のアルミニウムでドープされた酸化亜鉛を含む透明導電性酸化物層についての正規化吸収率を示すグラフである。
【図19】コータに供給される酸素含有率に応じた正規化吸収率を示すグラフである。
【図20】透明導電性酸化物層の表面温度に応じた蒸着後処理後のインジウムでドープされた酸化スズを含む透明導電性酸化物層についてのシート抵抗を示すグラフである。
【図21】透明導電性酸化物の表面温度に応じたシート抵抗を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0023】
「左」、「右」、「上（ｕｐｐｅｒ）」、「下（ｌｏｗｅｒ）」など、本明細書で使用される空間又は方向を表す用語は、図面に示されているとおり本発明に関する。本発明は様々な代替の向きをとることができ、したがってそのような用語は、限定的であると見なされるべきでないことを理解されたい。
【0024】
本明細書では、「左」、「右」、「内側」、「外側」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」などの空間又は方向を表す用語は、図面に示されているとおり本発明に関する。しかし、本発明は様々な代替の向きをとることができ、したがってそのような用語は、限定的であると見なされるべきでないことを理解されたい。さらに、本明細書では、本明細書及び特許請求の範囲で使用される寸法、物理的特性、処理パラメータ、成分の数量、反応状態などを表すすべての数は、すべての例において、「約（ａｂｏｕｔ）」という用語によって修飾されると理解されたい。したがって、逆の内容が示されない限り、以下の明細書及び特許請求の範囲に記載する数値は、本発明によって得ようとする所望の特性に応じて変動する可能性がある。少なくとも、特許請求の範囲の範囲に対する均等論の適用を限定しようとすることなく、各数値は、少なくとも報告される有効桁の数に照らして、通常の丸め技法を適用することによって解釈されるべきである。さらに、本明細書に開示するすべての範囲は、範囲の始まり及び終わりの値並びにその中に含まれるあらゆる部分範囲を包含すると理解されたい。たとえば、「１～１０」という記載の範囲は、最小値１～最大値１０（これらの数値も含む）のあらゆる部分範囲、すなわち最小値１又はそれ以上で始まり、最大値１０又はそれ以下で終わるすべての部分範囲、たとえば１～３．３、４．７～７．５、５．５～１０などを含むと見なされるべきである。加えて、それだけに限定されるものではないが、本明細書で参照する発行特許及び特許出願などのすべての文献は、全体として「参照により組み込まれている」と見なされるべきである。別段の指定がない限り、量に対するあらゆる参照は、「重量パーセント」単位である。「膜」という用語は、所望又は選択された組成を有する被覆の領域を指す。「層」は、１つ又は複数の「膜」を含む。「被覆」又は「被覆スタック」は、１つ又は複数の「層」から構成される。「金属」及び「金属酸化物」という用語は、ケイ素は厳密には金属ではないが、それぞれケイ素及びシリカ、並びに従来認識されている金属及び金属酸化物を含むと見なされるべきである。
【0025】
本明細書及び特許請求の範囲で使用されるすべての数は、すべての例において、「約（ａｂｏｕｔ）」という用語によって修飾されると理解されたい。本明細書に開示するすべての範囲は、範囲の始まり及び終わりの値並びにその中に含まれるあらゆる部分範囲を包含すると理解されたい。本明細書に記載する範囲は、指定の範囲における平均値を表す。
【0026】
「～の上（ｏｖｅｒ）」という用語は、「基材からより遠い」ことを意味する。たとえば、第１の層「の上」に位置する第２の層は、第２の層が第１の層より基材から遠くに位置することを意味する。第２の層は、第１の層に直接接触していてもよく、又は第２の層と第１の層との間に１つ若しくは複数の他の層が位置してもよい。
【0027】
本明細書で参照するすべての文献は、全体として「参照により組み込まれている」と見なされるべきである。
【0028】
別段の指定がない限り、量に対するあらゆる参照は、「重量パーセント」単位である。
【0029】
「可視光」という用語は、３８０ｎｍ～７８０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を意味する。「赤外放射」という用語は、７８０ｎｍより大きく１００、０００ｎｍまでの範囲内の波長を有する電磁放射を意味する。「紫外放射」という用語は、１００ｎｍから３８０ｎｍ未満の範囲内の波長を有する電磁エネルギーを意味する。
【0030】
「金属」及び「金属酸化物」という用語は、ケイ素は慣例的に金属とは見なされないこともあるが、それぞれケイ素及びシリカ、並びに従来認識されている金属及び金属酸化物を含む。「少なくとも」とは、「より大きい又は等しい」ことを意味する。「以下」とは、「より小さい又は等しい」ことを意味する。
【0031】
本明細書のすべての曇り値及び透過値は、Ｈａｚｅ－Ｇａｒｄ Ｐｌｕｓの視程計（ＢＹＫ－Ｇａｒｄｎｅｒ ＵＳＡから市販）を使用して、ＡＳＴＭ Ｄ１００３－０７に従って判定されたものである。
【0032】
コータ内のパーセント酸素が参照される例では、パーセント酸素は、コータ・チャンバに添加される酸素の他のガスに対する量である。たとえば、２％の酸素がコータ・チャンバの雰囲気に添加される場合、２％の酸素及び９８％のアルゴンがコータ・チャンバに添加される。アルゴンは、他のガスに置き換えることもできるが、多くの場合、ガスは不活性ガスである。
【0033】
本明細書における本発明に関する議論では、特定の特徴について、特定の限界の範囲内で「詳細には」又は「好ましくは」と説明することがある（たとえば、特定の限界の範囲内で「好ましくは」、「より好ましくは」、又は「さらに好ましくは」）。本発明は、これらの詳細な又は好ましい限度に限定されるものではなく、開示の範囲全体を包含することを理解されたい。
【0034】
本発明は、任意の組合せで、本発明の以下の態様を含み（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）、それらの態様からなり（ｃｏｎｓｉｓｔｓ ｏｆ）、又は本質的にそれらの態様からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｓ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ）。本発明の様々な態様は、別個の図面に示されている。しかし、これは図及び議論を簡単にすることのみを目的とすることを理解されたい。本発明の実施の際には、１つの図面に示す本発明の１つ又は複数の態様を、他の図面のうちの１つ又は複数に示す本発明の１つ又は複数の態様と組み合わせることができる。
【0035】
例示的な物品は、図１に示すように、基材１０と、基材１０の上の下層１２と、下層１２の上の透明導電性酸化物１４とを含む。
【0036】
物品２は、窓、ソーラー・ミラー、ソーラー・セル、又は有機発光ダイオードとすることができる。基材１０に付着される被覆は、低い放射率、低い抵抗率、耐引っ掻き性、無線周波減衰、又は所望の色を提供することができる。
【0037】
基材１０は、可視光に対して透明、半透明、又は不透明とすることができる。「透明」とは、０％より大きく最高１００％の可視光線透過率を有することを意味する。別法として、基材１２は、半透明又は不透明とすることができる。「半透明」とは、電磁エネルギー（たとえば、可視光）が通過することを可能にするがこのエネルギーを拡散し、したがって観察者とは反対側の物体ははっきり見えないことを意味する。「不透明」とは、０％の可視光線透過率を有することを意味する。
【0038】
基材１０は、ガラス、プラスチック、又は金属とすることができる。好適なプラスチック基材の例には、アクリルポリマー、たとえばポリアクリレート；ポリアルキルメタクリレート、たとえばポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリプロピルメタクリレートなど；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリアルキルテレフタレート、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなど；ポリシロキサン含有ポリマー；若しくはこれらを調製するための任意のモノマーのコポリマー、又はこれらの任意の混合物、或いはガラス基材が含まれる。好適なガラス基材の例には、従来のソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、又は有鉛ガラスが含まれる。ガラスは、透明ガラスとすることができる。「透明ガラス」とは、非着色又は無色ガラスを意味する。別法として、ガラスは、着色又は他の色ガラスとすることができる。ガラスは、アニール又は熱処理ガラスとすることができる。本明細書では、「熱処理」という用語は、焼き戻しされている又は少なくとも部分的に焼き戻しされていることを意味する。ガラスは、従来のフロートガラスなどの任意のタイプとすることができ、任意の光学特性、たとえば可視光線透過率、紫外線透過率、赤外線透過率、及び／又は全体的な太陽エネルギー透過率の任意の値を有する任意の組成とすることができる。好適な金属基材の例には、アルミニウム又はステンレス鋼が含まれる。
【0039】
基材１０は、５５０ナノメートル（ｎｍ）の基準波長及び２ミリメートルの厚さで高い可視光線透過率を有することができる。「高い可視光線透過率」とは、５５０ｎｍで８５％以上、８７％以上など、９０％以上など、９１％以上など、９２％以上などの可視光線透過率を意味する。
【0040】
下層１２は、単一の層、均質な層、勾配層、２重層とすることができ、又は複数の層を含むことができる。「均質な層」とは、被覆全体にわたって材料がランダムに分散している層を意味する。「勾配層」とは、２つ以上の成分を有し、基材１２からの距離が変化するにつれて成分の濃度が変動する（連続的変化又は連続的変化）層を意味する。
【0041】
下層１２は、２つの膜、すなわち第１の下層膜２０及び第２の下層膜２２を含むことができる。第１の下層膜２０は、基材１０の上に位置決めされ、第２の下層膜２２より基材１０に近い。第１の下層膜２０は、第２の下層膜２２及び／又は基材１０より高い屈折率を有する材料とすることができる。たとえば、第１の下層膜２０は、金属酸化物、窒化物、又は酸窒化物を含むことができる。第１の下層膜２０のための好適な金属の例には、ケイ素、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、タンタル、これらの合金、又はこれらの混合物が含まれる。たとえば、第１の下層膜２０は、亜鉛、スズ、アルミニウム、及び／若しくはチタン、これらの合金、又はこれらの混合物の酸化物を含むことができる。たとえば、第１の下層膜２０は、亜鉛及び／又はスズの酸化物を含むことができる。たとえば、第１の下層膜２０は、酸化亜鉛及び酸化スズ、又はスズ酸亜鉛を含むことができる。
【0042】
第１の下層膜２０は、酸化亜鉛を含むことができる。酸化亜鉛膜をスパッタリングするための亜鉛ターゲットは、亜鉛ターゲットのスパッタリング特性を改善するために、１つ又は複数の他の材料を含むことができる。たとえば、亜鉛ターゲットは、最高１５重量％、最高１０重量％など、最高５重量％などのそのような材料を含むことができる。その結果得られる酸化亜鉛層は、添加材料のわずかな割合の酸化物、たとえば最高１５重量％、最高１０重量％、最高９重量％の材料酸化物を含むはずである。本明細書では、少量の添加材料（又は添加材料の酸化物）が存在する場合でも、亜鉛ターゲットのスパッタリング特性を強化するために添加材料の最高１０重量％、たとえば最高５重量％を有する亜鉛ターゲットから蒸着させた層を「酸化亜鉛層」と呼ぶ。そのような材料の例は、スズである。
【0043】
第１の下層膜２０は、酸化亜鉛及び酸化スズの合金を含むことができる。たとえば、第１の下層膜２０は、スズ酸亜鉛層を含むことができ、又はスズ酸亜鉛層とすることができる。「スズ酸亜鉛」とは、式ＺｎＸＳｎ１－ＸＯ２－Ｘ（式１）の組成物を意味し、ここで「ｘ」は、０より大きく１未満の範囲内で変動する。たとえば、「ｘ」は、０より大きくすることができ、０より大きく１未満の任意の分数又は小数とすることができる。スズ酸亜鉛層は、式１の形式のうちの１つ又は複数を支配的な量で有する。従来、ｘ＝２／３のスズ酸亜鉛層は「Ｚｎ２ＳｎＯ４」と呼ばれる。酸化亜鉛及び酸化スズの合金は、８０重量％～９９重量％の亜鉛及び２０重量％～１重量％のスズ、８５重量％の亜鉛～９９重量％の亜鉛及び１５重量％のスズ～１重量％のスズ、９０重量％の亜鉛～９９重量％の亜鉛及び１０重量％のスズ～１重量％のスズなど、約９０重量％の亜鉛及び１０重量％のスズなどを含むことができる。
【0044】
第２の下層膜２２は、第１の下層膜２０より低い屈折率を有する材料とすることができる。たとえば、第２の下層膜２２は、金属酸化物、窒化物、又は酸窒化物を含むことができる。第２の下層膜２２のための好適な金属の例には、ケイ素、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ハフニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、タンタル、これらの合金、又はこれらの混合物が含まれる。
【0045】
たとえば、第２の下層膜２２は、シリカ及びアルミナを含むことができる。この例によれば、第２の下層膜２２は、少なくとも５０重量％のシリカ、５０～９９重量％のシリカ及び５０～１重量％のアルミナ、６０～９８重量％のシリカ及び４０～２重量％のアルミナ、７０～９５重量％のシリカ及び３０～５重量％のアルミナ、８０～９０重量％のシリカ及び１０～２０重量％のアルミナ、又は８重量％のシリカ及び１５重量％のアルミナを有するはずである。
【0046】
下層１２の上に透明導電性酸化物層１４が位置する。透明導電性酸化物層１４は、単一の層とすることができ、又は複数の層若しくは領域を有することができる。透明導電性酸化物層１４は、少なくとも１つの導電性酸化物層を有する。たとえば、透明導電性酸化物層１４は、１つ又は複数の金属酸化物材料を含むことができる。たとえば、透明導電性酸化物層１４は、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｉｎ、又はこれらの材料のうちの２つ以上の合金のうちの１つ又は複数を含む１つ又は複数の酸化物を含むことができる。たとえば、透明導電性酸化物層１４は、酸化スズを含むことができる。別の例では、透明導電性酸化物層１４は、酸化亜鉛を含む。
【0047】
透明導電性酸化物層１４は、それだけに限定されるものではないが、Ｆ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｇａ、Ｍｇ、及び／又はＳｂなどの１つ又は複数のドーパント材料を含むことができる。たとえば、ドーパントは、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、又はＭｇとすることができる。ドーパントは、１０重量％未満、５重量％未満など、４重量％未満など、２重量％未満など、１重量％未満などの量で存在することができる。透明導電性酸化物層１４は、ガリウムでドープされた酸化亜鉛（「ＧＺＯ」：ｇａｌｌｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」：ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｄｏｐｅｄ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、インジウムでドープされた酸化亜鉛（「ＩＺＯ」：ｉｎｄｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、マグネシウムでドープされた酸化亜鉛（「ＭＺＯ」：ｍａｇｎｅｓｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、又はスズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」：ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄ ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）などのドープされた金属酸化物とすることができる。
【0048】
透明導電性酸化物層１４は、７５ｎｍ～９５０ｎｍ、９０ｎｍ～８００ｎｍなど、１００ｎｍ～７００ｎｍなどの範囲内の厚さを有することができる。たとえば、透明導電性酸化物層１４は、１２５ｎｍ～４５０ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、又は少なくとも１７５ｎｍの範囲内の厚さを有することができる。透明導電性酸化物層１４は、６００ｎｍ、５００ｎｍ、４００ｎｍ、３５０ｎｍ、３００ｎｍ、２７５ｎｍ、２５０ｎｍ、又は２２５ｎｍ以下の厚さを有することができる。
【0049】
異なる透明導電性酸化物層１４の材料は、同じ厚さで異なるシート抵抗を有し、同様に物品の光学的特性に異なる形で影響する。理論上、シート抵抗は、２５Ω／□（オーム／平方）未満、又は２０Ω／□未満、又は１８Ω／□未満になるはずである。たとえば、透明導電性酸化物層１４がＧＺＯを含む場合、少なくとも３００ｎｍ及び多くとも４００ｎｍの厚さを有することができる。透明導電性酸化物層１４がＡＺＯを含む場合、少なくとも３５０ｎｍ又は少なくとも４００ｎｍの厚さ、及び多くとも９５０ｎｍ、又は多くとも８００ｎｍ、又は多くとも７００ｎｍ、又は多くとも６００ｎｍの厚さを有するはずである。透明導電性酸化物層１４がＩＴＯを含む場合、少なくとも７５ｎｍ、少なくとも９０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１２５ｎｍ、又は少なくとも１５０ｎｍ、又は少なくとも１７５ｎｍ、及び多くとも３５０ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、多くとも２７５ｎｍ、又は多くとも２５０ｎｍ、又は多くとも２２５ｎｍの厚さを有することができる。
【0050】
透明導電性酸化物層１４は、５ｎｍ～６０ｎｍ、５ｎｍ～４０ｎｍなど、５ｎｍ～３０ｎｍなど、１０ｎｍ～３０ｎｍなど、１０ｎｍ～２０ｎｍなど、１０ｎｍ～１５ｎｍなど、１１ｎｍ～１５ｎｍなどの範囲内の表面粗さ（ＲＭＳ）を有することができる。
【0051】
たとえば、透明導電性酸化物層１４がスズでドープされた酸化インジウムであるとき、透明導電性酸化物層１４の厚さは、７５ｎｍ～３５０ｎｍ、１００ｎｍ～３００ｎｍ、１２５ｎｍ～２７５ｎｍ、１５０ｎｍ～２５０ｎｍ、又は１７５ｎｍ～２２５ｎｍの範囲内とすることができる。
【0052】
透明導電性酸化物層１４は、５Ω／□～２５Ω／□、８Ω／□～２０Ω／□などの範囲内のシート抵抗を有することができる。たとえば、１０Ω／□～１８Ω／□などである。
【0053】
たとえば、物品は、ガラス基材１０とすることができ、ガラス基材１０の上に下層１２が位置する。下層１２は、少なくとも２つの膜、すなわち第１の下層膜２０及び第２の下層膜２２を有することができる。第１の下層膜２０は、酸化亜鉛及び酸化スズの合金とすることができ、第２の下層膜２２は、シリカ及びアルミナの合金とすることができる。第２の膜２２の上に、透明導電性酸化物層１４が位置することができる。透明導電性酸化物層１４は、ＩＴＯ、ＧＺＯ、又はＡＺＯとすることができる。
【0054】
透明導電性酸化物膜は、その物品に、たとえば２５Ω／□未満の特定のシート抵抗を提供する。概して、透明導電性酸化物の厚さが増大するにつれて、シート抵抗は低下する。所望のシート抵抗及び所望のシート抵抗を実現するために透明導電性酸化物にとって必要な厚さが特定された後、光学設計ソフトウェアを使用して、第１の膜及び第２の膜の厚さを判定することができる。好適な光学モデル化ソフトウェアの一例は、ＦＩＬＭ ＳＴＡＲである。理論上、ａ＊、ｂ＊の色を－１、－１にしようとする。この色では、ある程度の変動が許容可能である。たとえば、ａ＊は、１、０、又は－０．５まで上げ、－９、－４、－３、又は－１．５まで下げることができ、ｂ＊の値は、１、０、又は－０．５まで上げ、－９、－４、－３、又は－１．５まで下げることができる。所望の色を得るために、第１の膜２０及び第２の膜２２の厚さを変化させて、特定された透明導電性酸化物及び透明導電性酸化物の厚さに対する所望の色を得る。たとえば、第１の膜は、厚さ１０～２０ｎｍ又は厚さ１１～１５ｎｍとすることができ、第２の膜は、厚さ２５～３５ｎｍ又は厚さ２９～３４ｎｍとすることができる。
【0055】
図１ｃ及び図１ｄを参照すると、物品２は、任意選択で、透明導電性酸化物層１４の上に、本明細書に記載する保護層などの保護層１６を含むことができる。たとえば、保護層１６は、第１の保護膜６０及び第２の保護膜６２を含むことができる。第２の保護膜６２は、チタニア及びシリカの混合物を含むことができる。たとえば、保護層１６は、第１の保護膜６０、第２の保護膜６２、及び第３の保護膜６４を有することができる。
【0056】
本発明の例示的な方法は、被覆基材を形成することである。基材１０が提供される。透明導電性酸化物が特定される。透明導電性酸化物が特定された後、少なくとも５Ω／□及び／又は２５Ω／□以下、具体的には２０Ω／□以下、より具体的には１８Ω／□以下のシート抵抗を被覆基材に提供する透明導電性膜についての厚さを特定することができる。被覆基材の所望の色も特定される。第１の下層材料及び第２の下層材料は、光学設計ソフトウェアを使用して特定され、上記で特定された透明導電性酸化物層を有する物品に色を提供する第１の下層膜厚さ及び第２の下層膜厚さが判定され、ａ＊は、１まで上げ、－９まで下げることができ、ｂ＊の値は、１まで上げ、－９まで下げることができる。下層１２は、基材の上に第１の下層材料を付着させて第１の下層膜２０を特定された第１の膜厚さまで形成し、第１の下層膜の上に第２の下層材料を特定された第２の下層膜厚さまで付着させて第２の下層膜２２を形成することによって、基材の上に付着される。透明導電性酸化物材料は、下層１２の上に特定された透明導電性膜厚さまで付着されて、透明導電性酸化物層１４を形成する。
【0057】
透明導電性酸化物層１４の厚さは、基材のシート抵抗及び色に影響する。下層１２は、特有の厚さの透明導電性酸化物層１４を有する物品の色を調節するために使用される。これは、第１の下層材料及び第２の下層材料を特定し、次いでＦＩＬＭ ＳＴＡＲなどのツールを使用して、所望の色を提供する各下層材料についての厚さを特定することによって行われる。第１及び第２の下層材料が特定された後、任意の所望の色を実現するために、これらの材料のそれぞれの厚さを調節することができる。典型的には、所望の色は、ａ＊、ｂ＊を－１、－１にすることである。この色では、ある程度の変動が許容可能である。たとえば、ａ＊は、１まで上げ、－９まで下げることができ、ｂ＊の値は、１まで上げ、－９まで下げることができる。
【0058】
たとえば、－１のａ＊及び－１のｂ＊を有する色を有するソーラー・セルを作製したいと考えることがある。ガラス基材が提供されるはずである。透明導電性酸化物材料は、インジウムでドープされた酸化スズ（「ＩＴＯ」）として特定することができる。本明細書に開示する本発明では、ＩＴＯ透明導電性酸化物膜の厚さが１２５ｎｍ～２７５ｎｍである場合、５Ω／□～２５Ω／□のシート抵抗を実現することができることが理解されよう。所望の色を実現するために、酸化亜鉛及び酸化スズを含む第１の下層膜２０と、シリカ及びアルミナを含む第２の下層膜２２とを有する下層１２を選択することができる。第１の下層膜２０は、１０ｎｍ～１５ｎｍの厚さを有するはずであり、第２の下層膜２２は、２９ｎｍ～３４ｎｍの厚さを有するはずである。第１の下層膜２０は、基材１０の上に特定された厚さで付着され、第２の下層膜２２は、第１の下層膜２０の上に特定された厚さで付着される。透明導電性酸化物層１４は、第２の下層膜２２の上に特定された厚さで付着され、したがって－９～１、具体的には－４～０、より具体的には－３～１、より具体的には－１．５～－０．５のａ＊、及び－９～１、具体的には－４～０、より具体的には－１．５～－０．５のｂ＊を有する色を有する物品を形成する。
【0059】
別の例では、ガラス基材１０が提供されるはずである。透明導電性酸化物層材料は、インジウムでドープされた酸化スズ（「ＩＴＯ」）として特定することができる。ＩＴＯ透明導電性酸化物膜の厚さが１２５ｎｍ～２７５ｎｍである場合、５Ω／□～２５Ω／□、具体的には２０Ω／□以下、より具体的には１８Ω／□以下のシート抵抗を実現するはずであることが理解されよう。所望の色を実現するために、酸化亜鉛及び酸化スズを含む第１の下層膜２０と、シリカを含む第２の下層膜２２とを有する下層１２を選択することができ、さらに保護層１６が被覆基材に与える色に対する作用を考慮することができる。この例では、少なくとも３０ｎｍ及び４５ｎｍ以下の厚さを有するシリカの保護層が使用される。第１の下層膜２０は、１０ｎｍ～１５ｎｍの厚さを有するはずであり、第２の下層膜２２は、２９ｎｍ～３４ｎｍの厚さを有するはずである。第１の下層膜２０は、基材１０の上に特定された厚さで付着され、第２の下層膜２２は、第１の下層膜２０の上に特定された厚さで付着される。透明導電性酸化物層１４は、第２の下層膜２２の上に、上記で論じたシート抵抗を提供する特定された厚さで付着され、したがって－９～１、又は－４～０、又は－３～１、又は－１．５～－０．５のａ＊、及び－９～１、又は－４～０、又は－３～１、又は－１．５～－０．５のｂ＊を有する色を有する被覆基材を形成する。
【0060】
これらの例では、下層は、被覆基材の色を調節するために使用される。
【0061】
図２は、基材１０と、基材の上の下層１２と、下層１２の上の透明導電性酸化物層１４と、透明導電性酸化物層１４内に埋め込まれた第２の高屈折率材料を含む埋込み膜２４とを含む別の例示的な物品２を示す。
【0062】
基材１０は、本明細書に論じる基材のいずれかとすることができる。
【0063】
下層１２は、第１の下層膜２０と、任意選択の第２の下層膜２２とを有することができる。第１の下層膜２０は、第１の高屈折率材料を有する。任意選択の第２の下層膜２２は、第１の低屈折率材料を有する。第１の高屈折率材料は、第１のより低屈折率の材料より高い屈折率を有する。
【0064】
透明導電性酸化物層１４は、上記で論じた透明導電性酸化物のいずれかとすることができる。
【0065】
埋込み膜２４は、透明導電性酸化物層１４内に埋め込まれた第２の高屈折率材料を有する。第２の高屈折率材料は、第１の低屈折率材料より高い屈折率を有する任意の材料とすることができる。たとえば、埋込み膜２４を形成する第２の高屈折率材料は、金属酸化物、窒化物、又は酸窒化物を含むことができる。埋込み膜２４のための好適な酸化物材料の例には、ケイ素、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ハフニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、並びに／又はこれらの合金及び／若しくは混合物の酸化物が含まれる。たとえば、埋込み膜２４は、ケイ素及び／又はアルミニウムの酸化物を含むことができる。
【0066】
たとえば、埋込み膜２４は、ケイ素及びアルミニウムの酸化物を含むことができる。この例によれば、第２の下層膜２２は、少なくとも５０体積％のシリカ、５０～９９体積％のシリカ及び５０～１体積％のアルミナ、６０～９８体積％のシリカ及び４０～２体積％のアルミナ、７０～９５体積％のシリカ及び３０～５体積％のアルミナ、８０～９０重量％のシリカ及び１０～２０重量％のアルミナ、又は８重量％のシリカ及び１５重量％のアルミナを有するはずである。
【0067】
埋込み膜２４は、５ｎｍ～５０ｎｍ、１０～４０ｎｍ、又は１５～３０ｎｍの範囲内の厚さを有することができる。
【0068】
物品は、任意選択で、透明導電性酸化物層１４の上に、本明細書に記載する保護層などの保護層１６を含むことができる。たとえば、保護層１６は、第１の保護膜６０及び第２の保護膜６２を含むことができる。第２の保護膜６２は、チタニア及びシリカの混合物を含むことができる。たとえば、保護層１６は、第１の保護膜６０、第２の保護膜６２、及び第３の保護膜６４を含む。
【0069】
図３は、基材１０と、基材の上の下層１２と、下層１２の上の第１の透明導電性酸化物層１１４と、第１の透明導電性酸化物層１１４の上の埋込み膜１２４とを含む別の例示的な物品２を示す。埋込み膜１２４の上に、第２の透明導電性酸化物層１１５が位置する。任意選択で、第２の透明導電性酸化物層１１５の上に、保護層１６を付着させることができる。
【0070】
埋込み膜１２４は、金属酸化物、窒化物、又は酸窒化物を含むことができる。第２の高屈折率金属のための好適な材料の例には、ケイ素、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ハフニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、並びに／又はこれらの合金及び／若しくは混合物の酸化物が含まれる。たとえば、第２の高屈折率材料は、シリカ及び／又はアルミナを含むことができる。
【0071】
たとえば、埋込み膜１２４は、シリカ及びアルミナを含むことができる。第２の高屈折率材料は、少なくとも５０体積％のシリカ、５０～９９体積％のシリカ及び５０～１体積％のアルミナ、６０～９８体積％のシリカ及び４０～２体積％のアルミナ、若しくは７０～９５体積％のシリカ及び３０～５体積％のアルミナ、８０～９０重量％のシリカ及び１０～２０重量％のアルミナ、又は８重量％のシリカ及び１５重量％のアルミナを有するはずである。
【0072】
埋込み膜１２４は、５ｎｍ～５０ｎｍ、１０～４０ｎｍ、又は１５～３０ｎｍの範囲内の厚さを有することができる。
【0073】
第１の透明導電性酸化物層１１４及び第２の透明導電性酸化物層１１５は、７５ｎｍ～９５０ｎｍ、９０ｎｍ～８００ｎｍなど、１２５ｎｍ～７００ｎｍなどの範囲内の総計厚さを有する。たとえば、総計厚さは、９５０ｎｍ、８００ｎｍ、７００ｎｍ、６００ｎｍ、５００ｎｍ、４００ｎｍ、３５０ｎｍ、３００ｎｍ、２７５ｎｍ、２５０ｎｍ、又は２２５ｎｍ以下とすることができる。総計厚さは、少なくとも７５ｎｍ、少なくとも９０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１２５ｎｍ、１５０ｎｍ、又は１７５ｎｍとすることができる。第１の透明導電性酸化物層１１４は、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍ、又は１００ｎｍ、及び多くとも６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４７５ｎｍ、３５０ｎｍ、２５０ｎｍ、又は１５０の厚さを有することができる。第２の透明導電性酸化物層１１５は、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍ、又は１００ｎｍ、及び多くとも６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４７５ｎｍ、３５０ｎｍ、２５０ｎｍ、又は１５０の厚さを有することができる。たとえば、第１の透明導電性酸化物層１１４及び第２の透明導電性酸化物層１１５がＩＴＯを含む場合、第１の透明導電性酸化物層１１４は、少なくとも２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍ、又は１００ｎｍ、及び多くとも２００ｎｍ、１７５ｎｍ、１５０ｎｍ、又は１２５ｎｍの厚さを有することができ、第２の透明導電性酸化物層１１５は、少なくとも２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍ、又は１００ｎｍ、及び多くとも２００ｎｍ、１７５ｎｍ、１５０ｎｍ、又は１２５ｎｍの厚さを有することができる。別の例では、透明導電性酸化物層１１４及び第２の透明導電性酸化物層１１５がＡＺＯを含む場合、第１の透明導電性酸化物層１１４は、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、２５０ｎｍ、又は３００ｎｍ、及び多くとも６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、多くとも４５０ｎｍ、多くとも３２５ｎｍ、又は多くとも２００ｎｍの厚さを有することができ、第２の透明導電性酸化物層１１５は、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、２５０ｎｍ、又は３００ｎｍ、及び多くとも６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、多くとも４５０ｎｍ、多くとも３２５ｎｍ、又は多くとも２００ｎｍの厚さを有することができる。別の例では、透明導電性酸化物層１１４及び第２の透明導電性酸化物層１１５がＧＺＯを含む場合、第１の透明導電性酸化物層１１４は、少なくとも３０ｎｍ、少なくとも６０ｎｍ、少なくとも７５ｎｍ、少なくとも９０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１２５ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、２００ｎｍ、又は３００ｎｍ、及び多くとも３５０ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、２７５ｎｍ、多くとも２５０ｎｍ、又は多くとも２２５ｎｍの厚さを有することができ、第２の透明導電性酸化物層１１５は、少なくとも３０ｎｍ、少なくとも６０ｎｍ、少なくとも７５ｎｍ、少なくとも９０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１２５ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、２００ｎｍ、又は３００ｎｍ、及び３５０ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、２７５ｎｍ、多くとも２５０ｎｍ、又は多くとも２２５ｎｍの厚さを有することができる。
【0074】
第１の透明導電性酸化物層１１４及び第２の透明導電性酸化物層１１５の厚さを変化させることによって、埋込み膜１２４を透明導電性酸化物層１４内でより高い位置又は透明導電性酸化物層１４内でより低い位置へ動かす。意外なことに、埋込み膜２４、１２４が被覆スタック内でどこに位置決めされるかにかかわらず、シート抵抗は大幅に増大する（図１３ａ参照）。さらに意外なことに、透明導電性酸化物層１４内の埋込み膜２４、１２４の位置は、光透過率に異なる影響を与える（図１３ｂ参照）。第１の透明導電性酸化物層１１４が第２の透明導電性酸化物層１１５より薄く、それによって埋込み膜１２４が透明導電性酸化物層１４内でより低く位置決めされるとき、光透過率は増大する（図１３ｂ参照）。第１の透明導電性酸化物層１１４が第２の透明導電性酸化物層１１５より厚く、それによって埋込み膜１２４が透明導電性酸化物層１４内でより高く位置決めされるとき、この増大はより顕著になる（図１３ｂ参照）。しかし、第１の透明導電性酸化物層１１４の厚さが第２の透明導電性酸化物層１１５の厚さにほぼ等しく、それによって埋込み膜１２４が透明導電性酸化物層１４のほぼ中央に位置決めされる場合、透過率は低下する（図１３ｂ参照）。たとえば、第２の透明導電性酸化物膜１１５は、第１の透明導電性酸化物膜１１４より少なくとも２５％、少なくとも５０％、少なくとも７５％、少なくとも１００％（すなわち、少なくとも２倍）、少なくとも１２５％、又は少なくとも１５０％厚くすることができ、第１の透明導電性酸化物膜１１４より多くとも２５０％厚く、多くとも２００％厚く、多くとも１５０％厚く、多くとも１２５％厚く、多くとも１００％（すなわち、多くとも２倍）厚く、多くとも７５％厚く、多くとも５０％厚く、又は多くとも２５％厚くすることができる。別法として、第２の透明導電性酸化物膜１１５は、第１の透明導電性酸化物膜１１４より少なくとも２５％、少なくとも５０％、少なくとも７５％、少なくとも１００％（すなわち、少なくとも２倍）、少なくとも１２５％、又は少なくとも１５０％薄くすることができ、第１の透明導電性酸化物膜１１４より多くとも２５０％薄く、多くとも２００％薄く、多くとも１５０％薄く、多くとも１２５％薄く、多くとも１００％（すなわち、多くとも２倍）薄く、多くとも７５％薄く、多くとも５０％薄く、又は多くとも２５％薄くすることができる。
【0075】
本発明の別の例は、被覆物品２を作製する方法である。基材１０が提供される。基材１０の少なくとも一部分の上に、第１の高屈折率材料を有する第１の下層膜２０が付着される。第１の下層膜２０の少なくとも一部分の上に、第１の低屈折率材料を有する第２の下層膜２２が付着され、第１のより低屈折率の材料は、第１の高屈折率膜より低い屈折率を有する。下層１２の少なくとも一部分の上に、第１の透明導電性酸化物膜１１４が付着される。第１の透明導電性酸化物膜１１４の少なくとも一部分の上に、第２の高屈折率材料を有する埋込み膜１２４が付着され、第２の高屈折率材料は、第１の低屈折率材料より大きい屈折率を有し、又は第１の高屈折率に対する屈折率の１０％若しくは５％の範囲内の屈折率を有し、又は第１の高屈折率材料と同じ材料であり、又は第１の高屈折率材料と同じ屈折率を有する。埋込み膜１２４の少なくとも一部分の上に、第２の透明導電性酸化物膜１１５が付着される。第２の高屈折率膜は、透明導電性酸化物膜を２つの部分、すなわち第１の透明導電性酸化物膜及び第２の透明導電性酸化物膜に分割する。
【0076】
埋込み膜１２４はまた、被覆基材に対する色を調節することを可能にする。色は、少なくとも－９、－４、－３、又は－１．５、及び多くとも１、０、又は－０．５のａ＊、並びに少なくとも－９、－４、－３、又は－１．５、及び多くとも１、０、又は－０．５のｂ＊を有することができる。
【0077】
２つの高屈折率材料及び低屈折率材料の厚さを変化させることによって、被覆基材の色を調節することができる。この目的で、まず透明導電性酸化物膜１１４及び１１５で使用される材料を特定するべきである。その材料が特定された後、所望のシート抵抗が特定される。材料及びシート抵抗を知ることによって、透明導電性酸化物層１４の厚さ、又は第１の透明導電性酸化物膜１１４及び第２の透明導電性酸化物膜１１５の総計厚さを判定することができる。透明導電性酸化物層１４は、被覆基材の色に影響する。この色の影響を相殺するために、光学設計ツール（たとえば、ＦＩＬＭ ＳＴＡＲ）を使用して、第１の下層膜２０及び第２の下層膜２２についての厚さ、並びに埋込み膜２４、１２４の厚さを特定することができる。これは、透明導電性酸化物層１４の厚さをソフトウェアに入力し、第１の高屈折率材料、第２の高屈折率材料、及び第１のより低屈折率の材料を特定することによって行われる。これらのパラメータによって、第１の下層膜２０及び第２の下層膜２４、並びに埋込み膜２４、１２４の厚さを判定することができる。次いで、これらの膜はそれらの特定された厚さで付着される。
【0078】
たとえば、この方法は、第１の透明導電性酸化物膜１１４で使用される第１の透明導電性酸化物材料、及び第２の透明導電性酸化物１１５で使用される第２の透明導電性酸化物材料を特定することを含むことができる。これらの透明導電性酸化物は、ＧＺＯ、ＡＺＯ、ＩＺＯ、ＭＺＯ、又はＩＴＯとすることができる。
【0079】
透明導電性酸化物層１４についての厚さは、まず所望のシート抵抗を特定することによって特定することができる。シート抵抗が特定された後、次いで両方の透明導電性酸化物膜１１４、１１５の総計厚さを特定することができる。シート抵抗は、少なくとも８Ω／□、少なくとも１０Ω／□、又は少なくとも１２Ω／□とすることができ、多くとも２５Ω／□、多くとも２０Ω／□、又は多くとも１８Ω／□とすることができる。それらの値を実現するために、総計の透明導電性酸化物層１４の厚さは、少なくとも７５ｎｍ、少なくとも９０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも１８０ｎｍ、少なくとも１９０ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２０５ｎｍ、少なくとも２２５ｎｍ、又は少なくとも３６０ｎｍとすることができる。透明導電性酸化物層１４は被覆基材の色に影響するため、透明導電性酸化物膜１１４、１１５の総計厚さを最小にすることが重要である。この目的で、透明導電性酸化物膜１１４、１１５の総計厚さは、多くとも８００ｎｍ、多くとも７００ｎｍ、多くとも３６０ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、多くとも２７５ｎｍ、多くとも２５０ｎｍ、多くとも２２５ｎｍ、多くとも２０５ｎｍ、多くとも２００ｎｍ、多くとも１９０ｎｍ、多くとも１８０ｎｍ、又は多くとも１７５ｎｍとすることができる。
【0080】
また、透明導電性酸化物内の埋込み膜２４、１２４の位置を判定することもできる。その際、透過率を増大させたいか、それとも低下させたいかを考慮する（図１３（ｂ）参照）。第１の透明導電性酸化物膜１１４は、第２の導電性酸化物膜１１５より厚く、より薄く、又はほぼ同じ厚さとすることができる。
【0081】
第１の下層膜２０のための第１の高屈折率材料、第２の下層膜２２のための第１の低屈折率材料、及び埋込み膜２４、１２４のための第２の高屈折率材料が特定される。任意選択で、各保護層膜６０、６２、及び／又は６４についての特定された厚さを有する保護層１６を特定することができる。所望の色が特定される。それらのパラメータは、ＦＩＬＭ ＳＴＡＲなどの光学設計ツールに入力され、第１の下層膜２０及び下層膜２２並びに埋込み膜１２４についての厚さが特定される。
【0082】
下層１２、透明導電性酸化物層１４、埋込み膜２４、１２４、及び任意選択の保護層１６を有する被覆スタックは、基材の上に特定された厚さで付着される。下層膜２０、２２、及び埋込み膜２４、１２４の厚さは、物品２の色を所望の色に調節する。
【0083】
図４ａ及び図４ｂは、基材１０と、基材１０の上の下層１２と、下層１２の上の透明導電性酸化物層１４と、透明導電性酸化物層１４の上の保護層１６とを含む別の例示的な物品２を示す。基材１０、下層１２、及び透明導電性酸化物層１４は、本明細書に論じる基材又は下層のいずれかとすることができる。透明導電性酸化物層１４は、本明細書に論じる埋込み層２４、１２４によって分割することができる。
【0084】
保護層１６は、透明導電性酸化物層１４の上に位置し、又は任意選択で透明導電性酸化物層１４に直接接触している。保護層１６は、少なくとも２つの保護膜６０、６２又は少なくとも３つの保護膜６０、６２、６４を含むことができる。
【0085】
図４ａは、保護層が２つの保護膜６０、６２を有する物品の一例を示す。第１の保護膜６０は、透明導電性酸化物層１４の上に位置決めされ、第２の保護膜６２より透明導電性酸化物層１４に近い。第２の保護膜６２は、被覆物品上の被覆１８内で最も外側の膜である。
【0086】
第１の保護膜６０は、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、又はこれらの混合物を含むことができる。たとえば、第１の保護膜は、シリカ及びアルミナの混合物を含むことができる。別の例では、第１の保護膜６０は、スズ酸亜鉛を含むことができる。別の例では、第１の保護膜６０は、ジルコニアを含むことができる。
【0087】
第２の保護膜６２は、チタニア及びアルミナの混合物を含む。第２の保護膜６２は、基材１０の上に付着された被覆１８内の最後の膜である。
【0088】
第２の保護膜６２は、４０～６０重量パーセントのアルミナ及び６０～４０重量パーセントのチタニア、４５～５５重量パーセントのアルミナ及び５５～４５重量パーセントのチタニア、４８～５２重量パーセントのアルミナ及び５２～４８重量パーセントのチタニア、４９～５１重量パーセントのアルミナ及び５１～４９重量パーセントのチタニア、又は５０重量パーセントのアルミナ及び５０重量パーセントのチタニアを含む。
【0089】
図４ｂに示すように、保護層１６は、第１の保護膜６０と第２の保護膜６２との間に位置決めされた第３の保護膜６４をさらに含むことができる。第３の保護膜６４は、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、又はこれらの混合物を含むことができる。たとえば、第３の保護膜６４は、シリカ及びアルミナの混合物を含むことができる。別の例では、第３の保護膜６４は、スズ酸亜鉛を含む。別の例では、第３の保護膜６４は、ジルコニアを含む。
【0090】
【0091】
機能被覆１１２は、任意の機能被覆とすることができる。たとえば、機能被覆１１２は、複数の誘電体膜又は複数の金属膜を含むことができる。機能被覆は、本明細書に記載する下層１２、及び／又は本明細書に記載する透明導電性酸化物層１４を含むことができる。保護層１６は、本明細書に記載する第１の保護膜６０及び第２の保護膜６２とすることができる。この例では、第２の保護膜６２が最も外側の膜であり、アルミナ及びチタニアを含む。
【0092】
保護層は、少なくとも２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、又は８０ｎｍ、１００ｎｍ、又は１２０ｎｍ、及び多くとも２７５ｎｍ、２５５ｎｍ、２４０ｎｍ、１７０ｎｍ、１５０ｎｍ、１２５ｎｍ、又は１００ｎｍの総厚さを有することができる。第１の保護膜は、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１５ｎｍ、少なくとも２７ｎｍ、少なくとも３５ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、少なくとも５４ｎｍ、少なくとも７２ｎｍ、及び多くとも８５ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、３０ｎｍの厚さを有することができる。第２の保護膜は、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１５ｎｍ、少なくとも２７ｎｍ、少なくとも３５ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、少なくとも５４ｎｍ、少なくとも７２ｎｍ、及び多くとも８５ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、３０ｎｍの厚さを有することができる。任意選択の第３の保護膜は、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１５ｎｍ、少なくとも２７ｎｍ、少なくとも３５ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、少なくとも５４ｎｍ、少なくとも７２ｎｍ、及び多くとも８５ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、３０ｎｍの厚さを有することができる。たとえば、保護層は、以下の表１に挙げる厚さを有することができる。一実施例では、第１の保護膜は、少なくとも２０ｎｍ又は少なくとも３０ｎｍ、及び多くとも６０ｎｍ又は多くとも５０ｎｍの厚さを有する。第２の保護膜は、少なくとも１５ｎｍ又は少なくとも２０ｎｍ、及び多くとも５０ｎｍ又は多くとも４０ｎｍの厚さを有する。任意選択の第３の保護層は、少なくとも５ｎｍ又は少なくとも１０ｎｍ、及び多くとも３０ｎｍ又は多くとも２０ｎｍの厚さを有する。任意選択の第３の保護層は、第１の保護膜と機能層との間又は第１の保護膜と第２の保護膜との間に位置決めすることができる。
【表1】
【0093】
機能被覆１１２は、単一膜の機能被覆とすることができ、或いは１つ若しくは複数の誘電体層及び／又は１つ若しくは複数の赤外反射層を含む複数膜の機能被覆とすることができる。
【0094】
機能被覆１１２は、たとえば、日射制御被覆とすることができる。「日射制御被覆」という用語は、それだけに限定されるものではないが、日射量、たとえば被覆物品から反射され、被覆物品によって吸収され、又は被覆物品を通過する可視、赤外、又は紫外放射の量、遮蔽係数、放射率などの被覆物品の日射特性に影響を及ぼす１つ又は複数の層又は膜から構成される被覆を指す。日射制御被覆は、それだけに限定されるものではないが、ＩＲ、ＵＶ、及び／又は可視スペクトルなど、日射スペクトルの選択された部分を阻止、吸収、又は濾過することができる。
【0095】
機能被覆１１２は、たとえば、１つ又は複数の誘電体膜を含むことができる。誘電体膜は、それだけに限定されるものではないが、金属酸化物、金属合金の酸化物、窒化物、酸窒化物、又はこれらの混合物を含む反射防止材料を含むことができる。誘電体膜は、可視光に対して透明とすることができる。誘電体膜のための好適な金属酸化物の例には、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、及びこれらの混合物の酸化物が含まれる。これらの金属酸化物は、酸化ビスマス中のマンガン、酸化インジウム中のスズなど、少量の他の材料を有することができる。加えて、亜鉛及びスズを含有する酸化物（たとえば、以下に定義するスズ酸亜鉛）、インジウム－スズ合金、窒化ケイ素、ケイ素アルミニウム窒化物、又は窒化アルミニウムの酸化物など、金属合金又は金属混合物の酸化物を使用することができる。さらに、アンチモン若しくはインジウムでドープされた酸化スズ又はニッケル若しくはホウ素でドープされた酸化ケイ素などのドープされた金属酸化物を使用することができる。誘電体膜は、金属合金酸化物膜、たとえばスズ酸亜鉛などの実質上単一相の膜とすることができ、又は亜鉛及び酸化スズから構成される相の混合物とすることができ、又は複数の膜から構成することができる。
【0096】
機能被覆１１２は、放射反射膜を含むことができる。放射反射膜は、それだけに限定されるものではないが、金属金、銅、パラジウム、アルミニウム、銀、又はこれらの混合物などの反射金属を含むことができる。一実施例では、放射反射膜は、金属銀層を含む。
【0097】
一実施例では、機能被覆は、基材１０の上の第１の誘電体層１２０と、第１の誘電体層１２０の上の第２の誘電体層１２２と、第１の誘電体層と第２の誘電体層１２０との間（図７ａ参照）又は第２の誘電体層１２２の上（図６ａ参照）に位置する金属層１２６とを含む。保護被覆１６は、金属層１２６の上に位置決めされる（図６ｂ参照）。任意選択で、金属膜と第１の誘電体層（図６ｃ参照）又は第２の誘電体層（図６ｄ参照）との間に、下塗り剤１２８を付着させることができる。
【0098】
誘電体膜１２０及び１２２は、可視光に対して透明とすることができる。誘電体膜１２０及び１２２のための好適な金属酸化物の例には、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、及びこれらの混合物の酸化物が含まれる。これらの金属酸化物は、酸化ビスマス中のマンガン、酸化インジウム中のスズなど、少量の他の材料を有することができる。加えて、亜鉛及びスズを含有する酸化物（たとえば、上記で定義したスズ酸亜鉛）、インジウム－スズ合金、窒化ケイ素、ケイ素アルミニウム窒化物、又は窒化アルミニウムの酸化物など、金属合金又は金属混合物の酸化物を使用することができる。さらに、アンチモン若しくはインジウムでドープされた酸化スズ又はニッケル若しくはホウ素でドープされた酸化ケイ素などのドープされた金属酸化物を使用することができる。誘電体膜１２０及び１２２は、金属合金酸化物膜、たとえばスズ酸亜鉛などの実質上単一相の膜とすることができ、又は亜鉛及び酸化スズから構成される相の混合物とすることができる。誘電体膜１２０及び１２２は、１００Å～６００Å、２００Å～５００Åなど、２５０Å～３５０Åなどの範囲内の総計厚さを有することができる。
【0099】
金属膜１２６は、金属金、銅、パラジウム、アルミニウム、銀、及びこれらの合金からなる群から選択することができる。たとえば、金属膜１２６は、銀とすることができる。
【0100】
任意選択の下塗り剤１２８は、単一の膜又は複数の膜とすることができる。たとえば、下塗り剤１２８は、スパッタリングプロセス又は後の加熱プロセス中に金属膜１２６の劣化又は酸化を防止するために蒸着プロセス中に犠牲にすることができる酸素捕捉材料を含むことができる。下塗り剤１２８はまた、被覆を通過する可視光などの電磁放射の少なくとも一部分を吸収することができる。下塗り剤１２８として有用な材料の例には、チタン、ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ニッケル－クロム合金（Ｉｎｃｏｎｅｌなど）、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素及びアルミニウムの合金、コバルト及びクロムを含有する合金（たとえば、Ｓｔｅｌｌｉｔｅ（登録商標））、並びにこれらの混合物が含まれる。たとえば、下塗り剤１４８は、チタンとすることができる。
【0101】
【0102】
被覆物品を作製する方法では、基材１０の上に下層１２が付着され、下層１２の上に透明導電性酸化物層１４が付着される。基材１０の上に下部被覆１２を付着させることができ、下層１２の少なくとも一部分の上に透明導電性酸化物層１４を付着させることができ、又は下部被覆１２及び透明導電性酸化物層１４を有する基材１０を提供することができる。透明導電性酸化物の少なくとも一部分の上に、保護層１６が付着される。保護層１６は、まず透明導電性酸化物の上に第１の保護膜６０を付着させ、次いで第１の保護膜６０の上に第２の保護膜６２を付着させることによって付着される。任意選択で、第１の保護膜６０の上に第３の保護膜６４を付着させることができ、第３の保護膜６４の上に第２の保護膜６２を付着させることができる。
【0103】
被覆物品を作製する方法では、基材１０の上に機能被覆１１２が付着される。基材１０の上に機能被覆１１２を付着させることができ、又は機能被覆１１２を有する基材を提供することができる。機能被覆１１２の上に、保護層１６が付着される。保護層１６は、まず透明導電性酸化物の上に第１の保護膜６０を付着させ、次いで第１の保護膜６０の上に第２の保護膜６２を付着させることによって付着される。任意選択で、第１の保護膜６０の上に第３の保護膜６４を付着させることができ、第３の保護膜６４の上に第２の保護膜６２を付着させることができる。
【0104】
本発明の別の例示的な方法は、被覆物品のシート抵抗を増大させる方法である。被覆物品が提供される。被覆物品は、基材と、基材の少なくとも一部の上の透明導電性酸化物層とを有する。被覆物品は、蒸着後プロセスによって処理される。
【0105】
蒸着後プロセスは、被覆物品を焼き戻しすること、透明導電性酸化物層の一表面のみをフラッシュ・アニーリングすること、又は透明導電性酸化物層に渦電流を通すこととすることができる。
【0106】
被覆物品を焼き戻しすることは、透明導電性酸化物層の表面が、少なくとも５、１０、１５、２０、２５、又は３０秒、及び多くとも１２０、９０、６０、５５、５０、４５、４０、３５、又は３０秒にわたって、１９３．３℃（３８０°Ｆ）超、少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）、又は少なくとも３３５℃（６３５°Ｆ）に到達するように、物品全体を加熱することによって行われる。透明導電性酸化物層は、３３５℃（６３５°Ｆ）又は４３０℃（８０６°Ｆ）を超えて加熱されるべきではない。被覆物品は、加熱された後、特定の速度で常温まで急速に冷却される。
【0107】
被覆物品をフラッシュ・アニーリングして、シート抵抗を増大させることができる。これは、フラッシュ・ランプを使用して被覆物品の一表面を加熱することによって行われる。加熱される表面は、透明導電性酸化物層が位置する表面である。この表面は、少なくとも５、１０、１５、２０、２５、又は３０秒、及び多くとも１２０、９０、６０、５０、５５、４５、４０、３５、又は３０秒にわたって、１９３．３℃（３８０°Ｆ）超、少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）、又は少なくとも３３５℃（６３５°Ｆ）の温度まで加熱される。この表面は、５２０℃（９６８°Ｆ）以下、４７０℃（８７８°Ｆ）以下、４３０℃（８０６°Ｆ）以下、又は３３５℃（６３５°Ｆ）以下に加熱されるべきである。この表面は、加熱された後、常温まで冷却される。
【0108】
透明導電性酸化物（「ＴＣＯ」）に渦電流を通すことは、変化する磁場に透明導電性酸化物層を露出させることによって行うことができる。たとえば、ＴＣＯで被覆された基材の上に、磁場を印加することができる。ＴＣＯは磁場に面する。透明導電性酸化物層に渦電流が通される。
【0109】
別の例示的な方法は、被覆物品のシート抵抗を低下させる方法である。基材が提供される。この方法の基材は、ガラス、プラスチック、又は金属とすることができる。任意選択で、基材は下層で被覆される。下層は、１つの膜、２つの膜、又はそれ以上を含むことができる。基材は、基材又は下層の少なくとも一部分の上に透明導電性酸化物を付着させることによって、透明導電性酸化物で被覆される。任意選択で、透明導電性酸化物層内に埋込み膜が付着される。この任意選択のステップは、透明導電性酸化物層の第１の部分を付着させ、透明導電性酸化物層の第１の部分の少なくとも一部分の上に埋込み層を付着させ、埋込み層の少なくとも一部分の上に透明導電性酸化物層の第２の部分を付着させることによって行われる。被覆物品は、上述した蒸着後プロセスのうちの１つによって処理される。
【0110】
任意選択で、この方法は、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、本明細書に記載する保護層を付着させることをさらに含むことができる。保護層は、２つの保護膜又は３つの保護膜を有することができる。
【0111】
蒸着後プロセスで物品を処理することによって、物品のシート抵抗は、２５オーム／平方未満、２０オーム／平方未満、１８オーム／平方未満、１６オーム／平方未満、又は１５オーム／平方未満まで低下する。これは、ＴＣＯの厚さを低減させるのに特に有用である。たとえば、ＡＺＯは、４００ｎｍ又は３２０ｎｍより小さく１６０ｎｍより大きい厚さを有することができる。ＡＺＯは、３４４ｎｍより小さく１７２ｎｍより大きい厚さを有するはずである。ＩＴＯは、２７５ｎｍ又は１７５ｎｍより小さく９５ｎｍより大きい厚さを有するはずである。
【0112】
１つの例示的な実施例は、ガラス基材が提供される被覆ガラス物品を作製する方法である。好ましくはマグネトロン・スパッタリング真空蒸着プロセス、若しくは放射熱を使用しない何らかの他のプロセスによって、ガラス基材の上に下部被覆が付着され、又は室温で基材の上に下部被覆が付着される。好ましくは、下部被覆は２つの膜を含み、第１の膜は酸化亜鉛及び酸化スズを含み、第２の膜はシリカ及びチタニアを含む。好ましくはマグネトロン・スパッタリング真空蒸着プロセス、放射熱を使用しない何らかの他のプロセスによって、下部被覆の上に透明導電性酸化物が付着され、又は室温で下部被覆の上に透明導電性酸化物が付着される。好ましくは、透明導電性酸化物はスズでドープされた酸化インジウムである。好ましくはマグネトロン・スパッタリング真空蒸着プロセス、若しくは放射熱を使用しない何らかの他のプロセスによって、透明導電性酸化物の上に任意選択の保護層が付着され、又は室温で透明導電性酸化物の上に任意選択の保護層が付着される。透明導電性酸化物の吸収率は、０．２以下であり、且つ／又は少なくとも０．０５の高さである。
【0113】
１つの例示的な実施例では、物品は冷蔵庫ドアである。冷蔵庫ドアは、組立て前のある時点で蒸着後プロセスによって処理されるはずであるが、ドアの外部のための金属が被覆された後に適当に処理されるはずである。典型的には、冷蔵庫ドアを加熱させると、ドアに適当に嵌合する形状に被覆物品を屈曲させることが可能になる。この加熱プロセスにより透明導電性酸化物が結晶化し、シート抵抗が低減されるはずである。
【0114】
上記の説明で開示した概念から逸脱することなく、本発明に修正を加えることができることが、当業者には容易に理解されよう。したがって、本明細書に詳細に説明する特定の実施例は例示のみを目的とし、本発明の範囲に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲及びそのあらゆる均等物の完全な幅が与えられるべきである。
【0115】
実例１ （０１０７６１）
ガラス基材を下層及び透明導電性酸化物層で被覆した。下層は、第１の下層膜及び第２の下層膜を有した。第１の下層膜は、ガラス基材の上のスズ酸亜鉛であり、第２の下層膜は、第１の下層膜の上のシリカ－アルミナ合金であり、約８５重量パーセントのシリカ及び１５重量パーセントのアルミナを有した。第２の下層膜の上の透明導電性酸化物層は、スズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）であった。
ガラス基材を下層及び透明導電性酸化物層で被覆した。下層は、第１の下層膜及び第２の下層膜を有した。第１の下層膜は、ガラス基材の上のスズ酸亜鉛であり、第２の下層膜は、第１の下層膜の上のシリカ－アルミナ合金であり、約８５重量パーセントのシリカ及び１５重量パーセントのアルミナを有した。第２の下層膜の上の透明導電性酸化物層は、スズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）であった。
【0116】
【0117】
以下のサンプルを試験して、ＩＴＯのそれぞれの厚さに対して改善された伝導率を確立した。
【表2】
【0118】
図７ａ及び図７ｂに見ることができるように、ＩＴＯの蒸着後加熱は、厚さにかかわらず、約５５～７０Ω／□から約１０～２５Ω／□へシート抵抗を低下させた。ＩＴＯ厚さが少なくとも９６．８ｎｍより厚いときは、加熱温度にかかわらず、シート抵抗は２５Ω／□未満であった。ＩＴＯ厚さが少なくとも１０９．２であるとき、ＩＴＯ表面が５２０℃（９６８°Ｆ）に到達した場合、シート抵抗は２０Ω／□未満であった。約１２７．９ｎｍの場合、任意の温度まで加熱されたとき、ＩＴＯは２０Ω／□未満のシート抵抗を有した。シート抵抗の改善は予想外であった。他の透明導電性酸化物でも類似の結果が得られており、これは透明導電性酸化物にかかわらず、温度は１９３．３℃（３８０°Ｆ）超、少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）、又は４３０℃（８０６°Ｆ）以下になるはずであることを示唆している。
【0119】
【0120】
ＩＴＯの結晶形成を増大させるために必要とされる最小表面温度に集中することによって、エネルギーの節約による大きな利益が得られる。
【0121】
実例２
ガラス基材を透明導電性酸化物層で被覆した。透明導電性酸化物は、ガリウムでドープされた酸化亜鉛（「ＧＺＯ」）であった。異なるＧＺＯ厚さを有するいくつかのサンプルを準備し、サンプルについてのシート抵抗を測定し、蒸着時ＧＺＯのシート抵抗に対する蒸着後処理の効果を比較した。蒸着後プロセスは、被覆物品を炉に入れることであった。フラッシュ・アニーリングの前後に各サンプルのシート抵抗を試験し、結果を図９に示す。試験したサンプルについての厚さ及びシート抵抗を以下の表４に挙げる。
ガラス基材を透明導電性酸化物層で被覆した。透明導電性酸化物は、ガリウムでドープされた酸化亜鉛（「ＧＺＯ」）であった。異なるＧＺＯ厚さを有するいくつかのサンプルを準備し、サンプルについてのシート抵抗を測定し、蒸着時ＧＺＯのシート抵抗に対する蒸着後処理の効果を比較した。蒸着後プロセスは、被覆物品を炉に入れることであった。フラッシュ・アニーリングの前後に各サンプルのシート抵抗を試験し、結果を図９に示す。試験したサンプルについての厚さ及びシート抵抗を以下の表４に挙げる。
【表4】
【0122】
図９に示すように、ＧＺＯの蒸着後フラッシュ・アニーリングは、試験した厚さのすべてに対するシート抵抗を改善した。改善は、ＧＺＯが厚さ約３２０～４８０ｎｍであるときに最も顕著であった。ＧＺＯ層が厚さ約３２０ｎｍであったとき、「蒸着時」ＧＺＯ層は３５．６Ω／□のシート抵抗を提供したのに対して、熱処理後のシート抵抗は１２．７Ω／□であった。これは、この厚さにおいてフラッシュ・アニーリングがシート抵抗を許容可能な範囲まで低減させたのに対して、フラッシュ・アニーリングを行っていない場合、シート抵抗は許容できないほど高かったために重要である。
【0123】
類似の結果は、ＧＺＯが厚さ４８０ｎｍであるときに観察された。「蒸着時」ＧＺＯサンプルのシート抵抗は約２１．８Ω／□であったのに対して、熱処理済みサンプルは７．８Ω／□であった。
【0124】
シート抵抗の差は、ＧＺＯの厚さが非常に大きくなるまで低減される。たとえば、約９５０ｎｍの場合、「蒸着時」ＧＺＯサンプルは約８Ω／□のシート抵抗を有したのに対して、フラッシュ・アニーリング済みサンプルは約５Ω／□のシート抵抗を有した。この場合、どちらのサンプルも十分に低いシート抵抗を有した。
【0125】
したがって、図９に示すように、透明導電性酸化物としてＧＺＯを有したサンプルに対して、最も大きく最も顕著なシート抵抗の差を提供する厚さは、ＧＺＯ層が少なくとも厚さ３００ｎｍ及び多くとも厚さ５００ｎｍのときである。
【0126】
熱処理は、許容可能なシート抵抗に到達するために必要とされる透明導電性酸化物層の厚さを低減させる。いかなる蒸着後処理も行わない場合、シート抵抗が２０Ω／□未満になるまでに、ＧＺＯを少なくとも５５０ｎｍまで付着させなければならないはずである。加熱は、より薄いＧＺＯ層を付着させることを可能にする。これは、適当な被覆物品を作製するコストを低減させるだけでなく、ＧＺＯが被覆物品の光学的特性及び色に与える影響も低減させる。
【0127】
これは意外な発見であり、より薄い透明導電性酸化物層のシート抵抗を改善する費用効果の高い手法を提供した。
【0128】
実例３
ガラス基材を、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）の透明導電性酸化物層で被覆した。異なるＡＺＯ厚さを有するいくつかのサンプルを準備し、サンプルについてのシート抵抗を測定し、蒸着時ＡＺＯのシート抵抗に対する蒸着後処理の効果を比較した。蒸着後プロセスは、被覆物品を炉に入れることを伴った。フラッシュ・アニーリングの前後に各サンプルのシート抵抗を試験し、結果を図１０に示す。試験したサンプルについての厚さ及びシート抵抗を以下の表５に挙げる。
ガラス基材を、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）の透明導電性酸化物層で被覆した。異なるＡＺＯ厚さを有するいくつかのサンプルを準備し、サンプルについてのシート抵抗を測定し、蒸着時ＡＺＯのシート抵抗に対する蒸着後処理の効果を比較した。蒸着後プロセスは、被覆物品を炉に入れることを伴った。フラッシュ・アニーリングの前後に各サンプルのシート抵抗を試験し、結果を図１０に示す。試験したサンプルについての厚さ及びシート抵抗を以下の表５に挙げる。
【表5】
【0129】
図１０に示すように、ＡＺＯの蒸着後加熱は、試験した厚さのすべてについてシート抵抗を改善した。改善は、ＡＺＯが厚さ約３４４～８６０ｎｍであるときに最も顕著であった。ＡＺＯ層が厚さ３４４ｎｍであったとき、「蒸着時」ＡＺＯ層は約７８．３Ω／□のシート抵抗を提供したのに対して、熱処理後のシート抵抗は１９．５Ω／□であった。これは、この厚さにおいて加熱がシート抵抗を許容可能な範囲まで低減させたのに対して加熱を行っていない場合、シート抵抗は許容できないほど高かったために重要である。
【0130】
類似の結果は、ＡＺＯが厚さ８６０ｎｍであるときに観察された。「蒸着時」ＡＺＯサンプルのシート抵抗は約２６．６Ω／□であったのに対して、熱処理済みサンプルは約７．１Ω／□であった。
【0131】
シート抵抗の差は、ＡＺＯの厚さが非常に大きくなるまで低減される。たとえば、約１０５０ｎｍの場合、「蒸着時」ＡＺＯサンプルは約１７．０Ω／□のシート抵抗を有したのに対して、熱処理済みサンプルは３．９Ω／□のシート抵抗を有した。この場合、どちらのサンプルも十分に低いシート抵抗を有した。
【0132】
したがって、図１０に示すように、透明導電性酸化物としてＡＺＯを有したサンプルに対して、最も大きく最も顕著なシート抵抗の差を提供する厚さは、ＡＺＯ層が少なくとも厚さ３４４ｎｍ及び多くとも厚さ８６０ｎｍのときである。
【0133】
加熱はまた、許容可能なシート抵抗に到達するために必要とされる透明導電性酸化物層の厚さを低減させる。いかなる蒸着後処理も行わない場合、シート抵抗が２０Ω／□未満になるまでに、ＡＺＯを少なくとも１０３２ｎｍまで付着させなければならないはずである。加熱は、より薄いＡＺＯ層を付着させることを可能にする。これは、適当な被覆物品を作製するコストを低減させるだけでなく、ＡＺＯが被覆物品の光学的特性及び色に与える影響も低減させる。
【0134】
これは意外な発見であり、より薄い透明導電性酸化物層のシート抵抗を改善する費用効果の高い手法を提供した。
【0135】
実例４
ＦＩＬＭ ＳＴＡＲを使用して、様々な下層厚さを試験し、どの厚さが許容可能な色又は中間色を提供するかを判定した。下層及び透明導電性酸化物を有するガラス基材を使用した。下層は、第１の膜及び第２の膜を有した。第１の下層膜は、ガラス基材の上のスズ酸亜鉛であり、第２の下層膜は、第１の下層膜の上のシリカ－アルミナ合金であり、約８５重量パーセントのシリカ及び１５重量パーセントのアルミナを有した。第２の下層膜の上の透明導電性酸化物層は、厚さ１７０ｎｍのスズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）層であった。
ＦＩＬＭ ＳＴＡＲを使用して、様々な下層厚さを試験し、どの厚さが許容可能な色又は中間色を提供するかを判定した。下層及び透明導電性酸化物を有するガラス基材を使用した。下層は、第１の膜及び第２の膜を有した。第１の下層膜は、ガラス基材の上のスズ酸亜鉛であり、第２の下層膜は、第１の下層膜の上のシリカ－アルミナ合金であり、約８５重量パーセントのシリカ及び１５重量パーセントのアルミナを有した。第２の下層膜の上の透明導電性酸化物層は、厚さ１７０ｎｍのスズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）層であった。
【0136】
まず、所望のシート抵抗を判定した。この例では、所望のシート抵抗は約１０Ω／□～１５Ω／□であった。このシート抵抗を実現するために、透明導電性酸化物層は厚さ約１７０ｎｍであるべきであると判定した。
【0137】
ＦＩＬＭ ＳＴＡＲを使用して、ガラス及び透明導電性酸化物層の材料及び厚さを入力した。次に、第１の下層膜及び第２の下層膜のための材料を判定した。この例では、第１の下層膜材料はスズ酸亜鉛であり、第２の下層膜材料はシリカ－アルミナ合金であり、８５重量パーセントのシリカ及び１５重量パーセントのアルミナを有した。ＦＩＬＭ ＳＴＡＲによって、以下の被覆を分析した（表６及び図１１参照）。まず、サンプルにおける第１の下層の厚さは８ｎｍ～１７ｎｍの範囲であり、第２の下層膜の厚さは２７ｎｍ～３５ｎｍの範囲であった。
【表6】
【0138】
図１１に示すように、第１の下層膜が厚さ１３ｎｍであり、第２の下層膜が厚さ３１ｎｍであったとき、ａ＊、ｂ＊が－１、－１の中間色が得られた。第１の下層膜が厚さ１１ｎｍ～１５ｎｍであり、第２の下層膜が厚さ２９ｎｍ～３３．５ｎｍであったとき、ａ＊が－３～１であり、ｂ＊が－３～１である許容可能な色が得られた。
【0139】
実例５
ＦＩＬＭ ＳＴＡＲを使用して、透明導電性酸化物層の変動する厚さを試験し、下層についての適当な厚さを判定した。この例では、ＦＩＬＭ ＳＴＡＲパラメータは、第１の下層膜及び第２の下層膜を有する下層で被覆されたガラス基材を含んだ。第１の下層膜はスズ酸亜鉛であり、第２の下層膜はシリカであった。第２の下層膜の上の透明導電性酸化物層は、スズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）であった。ＩＴＯ層の上に、シリカの保護層が位置した。表７及び図１２は、試験したサンプルを示す。表７は、ＩＴＯ層及びＳｉＯ２層に関してＦＩＬＭ ＳＴＡＲに入力した値を示す。出力は、－１、－１（ａ＊、ｂ＊）の色を提供するはずの２つの下層膜についての厚さを提供した。
ＦＩＬＭ ＳＴＡＲを使用して、透明導電性酸化物層の変動する厚さを試験し、下層についての適当な厚さを判定した。この例では、ＦＩＬＭ ＳＴＡＲパラメータは、第１の下層膜及び第２の下層膜を有する下層で被覆されたガラス基材を含んだ。第１の下層膜はスズ酸亜鉛であり、第２の下層膜はシリカであった。第２の下層膜の上の透明導電性酸化物層は、スズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）であった。ＩＴＯ層の上に、シリカの保護層が位置した。表７及び図１２は、試験したサンプルを示す。表７は、ＩＴＯ層及びＳｉＯ２層に関してＦＩＬＭ ＳＴＡＲに入力した値を示す。出力は、－１、－１（ａ＊、ｂ＊）の色を提供するはずの２つの下層膜についての厚さを提供した。
【表7】
【0140】
これらのサンプルは、透明導電性酸化物層が厚さ１７５ｎｍ～２２５ｎｍであり、保護被覆が厚さ３０ｎｍであるとき、約－１、－１（ａ＊、ｂ＊）の色を実現するために、第１の下層膜が少なくとも厚さ１０ｎｍ及び多くとも厚さ１５ｎｍになるべきであり、第２の下層膜が少なくとも厚さ２８ｎｍ及び多くとも厚さ３６ｎｍになるべきであることを示す。これらのサンプルはまた、透明導電性酸化物層が厚さ１７５ｎｍ～２２５ｎｍであり、保護層が厚さ４５ｎｍであるとき、適当な色を実現するために、第１の下層膜が少なくとも厚さ１１ｎｍ及び多くとも厚さ１４ｎｍになるべきであり、第２の下層膜が少なくとも厚さ３２ｎｍ及び多くとも厚さ３８ｎｍになるべきであることを示す。
【0141】
【0142】
実例６
様々な深さ及び厚さにおける埋込み膜の効果を試験し、埋込み層のない透明導電性酸化物層と比較した。ガラス基材を底部透明導電性酸化物膜で被覆した。底部透明導電性酸化物膜は、スズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）から作製され、厚さ１２０ｎｍ、１８０ｎｍ、又は２４０ｎｍであった。底部透明導電性酸化物層の上に、埋込み膜を付着させた。埋込み膜は、厚さ１５ｎｍ又は３０ｎｍであり、スズ酸亜鉛膜であった。埋込み膜の上に、頂部透明導電性酸化物膜を付着させた。頂部透明導電性酸化物膜はＩＴＯであり、厚さ２４０ｎｍ、１８０ｎｍ、又は１２０ｎｍであった。底部及び頂部の透明導電性酸化物膜の総計厚さは３６０ｎｍであった。対照のために、基材の上に、埋込み膜を含まないＩＴＯ酸化物を３６０ｎｍの厚さで付着させた。５５０ｎｍにおけるシート抵抗及び透過率をサンプルに対して測定した。これらのサンプルを以下の表８及び図１３に挙げる。
様々な深さ及び厚さにおける埋込み膜の効果を試験し、埋込み層のない透明導電性酸化物層と比較した。ガラス基材を底部透明導電性酸化物膜で被覆した。底部透明導電性酸化物膜は、スズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）から作製され、厚さ１２０ｎｍ、１８０ｎｍ、又は２４０ｎｍであった。底部透明導電性酸化物層の上に、埋込み膜を付着させた。埋込み膜は、厚さ１５ｎｍ又は３０ｎｍであり、スズ酸亜鉛膜であった。埋込み膜の上に、頂部透明導電性酸化物膜を付着させた。頂部透明導電性酸化物膜はＩＴＯであり、厚さ２４０ｎｍ、１８０ｎｍ、又は１２０ｎｍであった。底部及び頂部の透明導電性酸化物膜の総計厚さは３６０ｎｍであった。対照のために、基材の上に、埋込み膜を含まないＩＴＯ酸化物を３６０ｎｍの厚さで付着させた。５５０ｎｍにおけるシート抵抗及び透過率をサンプルに対して測定した。これらのサンプルを以下の表８及び図１３に挙げる。
【表8】
【0143】
図１３ａに示すように、実験サンプルＡ～Ｆは、対照サンプルＧと比較すると、少なくとも３５％のシート抵抗の改善を有した。サンプルＡ及びＢは、サンプルＧと比較すると、少なくとも４０％のシート抵抗の改善を有した。サンプルＣ及びＤは、サンプルＧと比較すると、少なくとも３５％のシート抵抗の改善を有した。サンプルＥ及びＦは、サンプルＧと比較すると、少なくとも３７％のシート抵抗の改善を有した。
【0144】
このデータに基づいて、埋込み膜は、その位置又は厚さにかかわらず、意外なことに透明導電性酸化物層のシート抵抗を大幅に低下させる。
【0145】
図１３ｂに示すように、サンプルＥ及びＦは、透過率の最大の増大を提供した。サンプルＡ及びＢでは、より小さい改善が見られた。したがって、頂部透明導電性酸化物層と底部透明導電性酸化物層との間に厚さの差を有することによって、光透過量を増大させることができる。さらに、頂部透明導電性酸化物層が底部透明導電性酸化物層より薄く、それによって埋込み層は透明導電性酸化物層の底部より透明導電性酸化物層の頂部の表面に近く位置決めされる場合、透過率がはるかに増大することは意外な発見であった。対照的に、頂部及び底部の透明導電性酸化物層がほぼ等しい場合、光透過率は予想外に低下する。
【0146】
図１３ｃは、埋込み膜も透明導電性酸化物の結晶度に影響することを示す。埋込み膜を有することによって、このＸＲＤデータから、結晶度が予想外に改善されることを見ることができる。
【0147】
実例７
この例では、様々な保護層を調査した。ガラス基材の上に、保護層を配置した。被覆物品は、基材と保護層との間に、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛の透明導電性酸化物を含んだ。下層、機能層、又は透明導電性酸化物層が観察結果に影響しないとは予期されないはずである。
この例では、様々な保護層を調査した。ガラス基材の上に、保護層を配置した。被覆物品は、基材と保護層との間に、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛の透明導電性酸化物を含んだ。下層、機能層、又は透明導電性酸化物層が観察結果に影響しないとは予期されないはずである。
【0148】
ガラス基材は異なる保護層である。サンプル１～３は、単一の膜を含む保護層を有した。これらのサンプルの一覧を表９に提供する。
【表9】
【0149】
サンプル５～１１は、第１の保護膜と、第１の保護膜の上の第２の保護膜とを含む保護層を有した。これらのサンプルの一覧を表１０に提供する。第１の膜は第２の膜より基材に近く、第２の膜は最も外側の膜である。
【表10】
【0150】
サンプル１２～１５は、３つの膜を含む保護層を有した。これらのサンプルの一覧を表１１に提供する。第１の膜は、第２の膜又は第３の膜より基材に近い。他の図及び上記の説明との一貫性のため、第２の保護膜は最も外側の膜であり、第１の膜と第３の膜との間に第３の保護膜を位置決めした。
【表11】
【0151】
ＡＳＴＭ Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ Ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ試験を使用して、これらのサンプルの耐久性を試験した。図１４及び図１５に示すように、最も外側の層としてＴｉＡｌＯを有した保護膜が最善を実行した。これらの図は、表９～表１１に挙げたサンプル１～１５についてのｄＥｃｍｃを示す。
【0152】
具体的には、図１４は、２つ又は３つの保護膜を有し、最も外側の膜がＴｉＡｌＯであったサンプルが、予想外により良好な耐久性を有したことを示す。具体的には、サンプル６（ＳｉＡｌＯ／ＴｉＡｌＯ）、サンプル７（ＳｎＺｎ／ＴｉＡｌＯ）、及びサンプル１３（ＳｎＺｎ／ＳｉＡｌＯ／ＴｉＡｌＯ）である。図１５は、最も外側の層としてチタニア及びアルミナを有する保護層が、予想外により大きい耐久性を提供したことをさらに実証する。図１５で、サンプル１９（ＺｒＯ２／ＳｉＡｌＯ／ＴｉＡｌＯ）及びサンプル２０（ＳｉＡｌＯ／ＺｒＯ２／ＴｉＡｌＯ）は、他の３つの膜を含む保護層サンプル（サンプル１６、１７、１８、及び２１）と比較すると、予想外により良好な耐久性を示す。
【0153】
このデータは、チタニア－アルミナの最も外側の保護膜が大幅に改善された耐久性を提供するという予想外の結果を示す。
【0154】
実例８
透明導電性酸化物が様々な雰囲気中でスパッタリングされたサンプルを試験した。図１６～図２０に示すように、マグネトロン・スパッタリング真空蒸着（「ＭＳＶＤ」）方法を介して、ガラス基材を、インジウムでドープされた酸化スズ（「ＩＴＯ」）又はアルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）で被覆した。ＩＴＯサンプルは、０％、０．５％、１％、１．５％、又は２％の酸素を含有した雰囲気中でスパッタリングし、その後熱処理し、ＡＺＯサンプルは、０％、１％、２％、３％、４％、５％、又は６％の酸素を含有した雰囲気中でスパッタリングし、その後熱処理した。雰囲気の残りはアルゴンであった。ＩＴＯサンプルは、２２５ｎｍ、１７５ｎｍ、又は１５０ｎｍのＩＴＯ厚さを有し、ＡＺＯサンプルは、基材上に付着されたＡＺＯの３００ｎｍ～３５０ｎｍの厚さを有した。これらのサンプルを試験して、放射率、吸収率、及び／又はシート抵抗を判定した（放射率は伝導率の測度である）。サンプルの透明導電性酸化物表面が約３０秒間で少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）に到達するような期間にわたって被覆物品を炉に入れることによって、これらのサンプルを熱処理した。
透明導電性酸化物が様々な雰囲気中でスパッタリングされたサンプルを試験した。図１６～図２０に示すように、マグネトロン・スパッタリング真空蒸着（「ＭＳＶＤ」）方法を介して、ガラス基材を、インジウムでドープされた酸化スズ（「ＩＴＯ」）又はアルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）で被覆した。ＩＴＯサンプルは、０％、０．５％、１％、１．５％、又は２％の酸素を含有した雰囲気中でスパッタリングし、その後熱処理し、ＡＺＯサンプルは、０％、１％、２％、３％、４％、５％、又は６％の酸素を含有した雰囲気中でスパッタリングし、その後熱処理した。雰囲気の残りはアルゴンであった。ＩＴＯサンプルは、２２５ｎｍ、１７５ｎｍ、又は１５０ｎｍのＩＴＯ厚さを有し、ＡＺＯサンプルは、基材上に付着されたＡＺＯの３００ｎｍ～３５０ｎｍの厚さを有した。これらのサンプルを試験して、放射率、吸収率、及び／又はシート抵抗を判定した（放射率は伝導率の測度である）。サンプルの透明導電性酸化物表面が約３０秒間で少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）に到達するような期間にわたって被覆物品を炉に入れることによって、これらのサンプルを熱処理した。
【0155】
透明の物品を透明導電性酸化物で被覆するとき、低吸収率及び低シート抵抗（放射率に対応する）の物品が求められる。図１６は、酸素が雰囲気に添加されるにつれて、吸収率が低下することを示す。しかし、図１７に示すように、雰囲気の酸素が０％になったとき、物品の放射率／シート抵抗は最も高くなる。図１６及び図１７を使用すると、スパッタリング雰囲気が雰囲気中に０．７５％～１．２５％の酸素を有するとき、吸収率と放射率との間の理想的な均衡が得られる。図１７が示すように、雰囲気が２．０％未満の酸素を有する場合、ＩＴＯで被覆された熱処理済み物品のシート抵抗は、ＩＴＯで被覆された非加熱の物品より低い。雰囲気が１．５％の酸素を含むとき、シート抵抗は大幅に増大する。このデータから推定して、被覆チャンバ内の雰囲気は、１．５％以下、好ましくは１．２５％以下の酸素にするべきであるという結論を得た。ＩＴＯ被覆物品についての吸収率のある程度の低下を得るために、雰囲気は、少なくとも０．５％の酸素、好ましくは少なくとも０．７５％の酸素を含有するべきである。
【0156】
実例９
マグネトロン・スパッタリング真空蒸着（「ＭＳＶＤ」）プロセスによって、ガラス基材を、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛層で被覆した。ターゲットは、特定の量の酸素を含有するセラミック・アルミニウムでドープされた酸化亜鉛であった。ＭＳＶＤプロセスを使用して透明導電性酸化物などの材料を蒸着させるとき、このプロセスはセラミック原材料を解離させ、場合により酸素の一部を逃す。蒸着した材料が酸化することを確実にするために、多くの場合、不活性ガスともに被覆チャンバへ酸素が供給される。この例では、ＭＳＶＤによって被覆チャンバ内でＡＺＯが蒸着され、チャンバに供給される酸素含有率は０％、１％、２％、３％、４％、５％、又は６％であった。被覆チャンバに供給される雰囲気の残りはアルゴンであったが、任意の不活性ガスを使用することができる。被覆の正規化吸収率を判定した。図１８に示すように、０％の酸素が被覆チャンバに供給されるとき、５５０ｎｍの正規化吸収率が最善であった。１％の酸素が被覆チャンバに供給されるときも許容可能であった。図１８に示すデータに基づいて、被覆チャンバ内の酸素が０．５％未満である場合、１％の酸素が使用されるときより著しく良好な吸収率を提供することが推定されるはずである。
マグネトロン・スパッタリング真空蒸着（「ＭＳＶＤ」）プロセスによって、ガラス基材を、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛層で被覆した。ターゲットは、特定の量の酸素を含有するセラミック・アルミニウムでドープされた酸化亜鉛であった。ＭＳＶＤプロセスを使用して透明導電性酸化物などの材料を蒸着させるとき、このプロセスはセラミック原材料を解離させ、場合により酸素の一部を逃す。蒸着した材料が酸化することを確実にするために、多くの場合、不活性ガスともに被覆チャンバへ酸素が供給される。この例では、ＭＳＶＤによって被覆チャンバ内でＡＺＯが蒸着され、チャンバに供給される酸素含有率は０％、１％、２％、３％、４％、５％、又は６％であった。被覆チャンバに供給される雰囲気の残りはアルゴンであったが、任意の不活性ガスを使用することができる。被覆の正規化吸収率を判定した。図１８に示すように、０％の酸素が被覆チャンバに供給されるとき、５５０ｎｍの正規化吸収率が最善であった。１％の酸素が被覆チャンバに供給されるときも許容可能であった。図１８に示すデータに基づいて、被覆チャンバ内の酸素が０．５％未満である場合、１％の酸素が使用されるときより著しく良好な吸収率を提供することが推定されるはずである。
【0157】
図１９に示すように、正規化吸収率は、０％の酸素から１％の酸素で急激な減少を有し、１％の酸素から２％の酸素で最小の減少を有する。このデータは、推定によって、１％未満の酸素、０．５％未満の酸素、又は０．２５％未満の酸素、又は０．１％未満の酸素、又は０％の酸素が被覆チャンバに供給されると、最善の吸収率を提供すると結論付けた結論をさらに支持する。
【0158】
実例１０
被覆物品の蒸着後加熱に伴う１つの問題は、無駄になるエネルギーの量である。上記で論じたように、透明導電性酸化物（「ＴＣＯ」）層の蒸着後加熱は、より小さい厚さで改善された性能を提供する。被覆物品を炉に入れて物品全体を加熱するとき、ＴＣＯ層を結晶化するために必要な温度を超えるとエネルギーが無駄になる。透明導電性酸化物層の性能を改善するために必要とされる表面温度を判定するために、ガラス基材を、厚さ１１５ｎｍ又は厚さ１７１ｎｍのインジウムでドープされた酸化スズで被覆した。サンプルは、表１２及び表１３に挙げる温度まで加熱されたＩＴＯ層の表面を有した。この実験の目的で、被覆物品全体を炉に入れることによって表面を加熱したが、代替としてフラッシュ・ランプを使用することもできる。
被覆物品の蒸着後加熱に伴う１つの問題は、無駄になるエネルギーの量である。上記で論じたように、透明導電性酸化物（「ＴＣＯ」）層の蒸着後加熱は、より小さい厚さで改善された性能を提供する。被覆物品を炉に入れて物品全体を加熱するとき、ＴＣＯ層を結晶化するために必要な温度を超えるとエネルギーが無駄になる。透明導電性酸化物層の性能を改善するために必要とされる表面温度を判定するために、ガラス基材を、厚さ１１５ｎｍ又は厚さ１７１ｎｍのインジウムでドープされた酸化スズで被覆した。サンプルは、表１２及び表１３に挙げる温度まで加熱されたＩＴＯ層の表面を有した。この実験の目的で、被覆物品全体を炉に入れることによって表面を加熱したが、代替としてフラッシュ・ランプを使用することもできる。
【0159】
表面の蒸着後加熱後、各サンプルのシート抵抗を測定した（図２１並びに表１２及び表１３参照）。結果は、約２２３．９℃（４３５°Ｆ）で、層がその最低シート抵抗に到達することを示す。加えて、表面の加熱は、いかなる追加のシート抵抗の低減も提供しない。したがって、透明導電性酸化物層のシート抵抗を低減させるために、蒸着後加熱により、透明導電性酸化物層の表面を１９３．３℃（３８０°Ｆ）超、少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）、２２３．９℃（４３５°Ｆ）～４３０℃（８０６°Ｆ）、２２３．９℃（４３５°Ｆ）～３３５℃（６３５°Ｆ）、又は２２３．９℃（４３５°Ｆ）まで加熱するべきである。
【表12】
【表13】
【0160】
本発明について、以下の番号付きの条項においてさらに説明する。
【0161】
条項１：基材と、前記基材の上の下層とを含み、下層が、高屈折率材料を含む第１の下層膜と、第１の層の上にある、低屈折率材料を含む第２の下層膜と、下層の上の透明導電性酸化物層とを含む被覆物品。
【0162】
条項２：高屈折率材料が、酸化亜鉛及び酸化スズを含む、請求項１に記載の被覆物品。
【0163】
条項３：低屈折率材料が、シリカ及びアルミナを含む、条項１又は２に記載の被覆物品。
【0164】
条項４：透明導電性膜が、スズでドープされた酸化インジウムを含む、条項１から３までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0165】
条項５：透明導電性酸化物層が、少なくとも７５ｎｍ、詳細には少なくとも９０ｎｍ、より詳細には少なくとも１００ｎｍ、より詳細には少なくとも１２５ｎｍ、より詳細には少なくとも１５０ｎｍ、又はより詳細には少なくとも１７５ｎｍの厚さを有する、条項１から４までのいずれか一項に記載の被覆。
【0166】
条項６：透明導電性酸化物層が、多くとも３５０ｎｍ、詳細には多くとも３００ｎｍ、詳細には多くとも２７５ｎｍ、詳細には多くとも２５０ｎｍ、より詳細には多くとも２２５ｎｍの厚さを有する、条項１から５までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0167】
条項７：被覆物品が、５～２５オーム／平方、詳細には５～２０オーム／平方、より詳細には８～１８オーム／平方、より詳細には５～１５オーム／平方の範囲内のシート抵抗を有する、条項１から６までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0168】
条項８：少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のａ＊、並びに少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のｂ＊を有する色を被覆物品に提供するように、第１の下層膜が第１の下層厚さを有し、第２の下層膜が第２の下層厚さを有する、条項１から７までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0169】
条項９：高屈折率材料が酸化亜鉛を含む、条項１から８までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0170】
条項１０：透明導電性酸化物層の上に保護層をさらに含み、保護層が、第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含み、第２の保護膜が最も外側の膜であり、第２の保護膜がチタニア及びアルミナを含む、条項１から９までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0171】
条項１１：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項１０に記載の被覆物品。任意選択で、第１の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0172】
条項１２：第２の保護膜が、３５～６５重量パーセントのチタニア、詳細には４５～５５重量パーセントのチタニア、より詳細には５０重量パーセントのチタニアを含む、条項９又は１０に記載の被覆物品。
【0173】
条項１３：第２の保護膜が、６５～３５重量パーセントのアルミナ、詳細には５５～４５重量パーセントのアルミナ、より詳細には５０重量パーセントのアルミナを含む、条項１０から１２までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0174】
条項１４：第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に位置決めされた第３の保護膜をさらに含み、第３の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項１０から１３までのいずれか一項に記載の被覆物品。任意選択で、第３の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0175】
条項１５：被覆基材の色を調整する方法であって、基材を提供するステップと、少なくとも５Ω／□及び２５Ω／□以下（詳細には２０Ω／□以下、より詳細には１８Ω／□以下）のシート抵抗を提供する透明導電性酸化物層のための透明導電性酸化物及び透明導電性酸化物層厚さを特定するステップと、透明導電層厚さの透明導電性酸化物を有する被覆基材に、－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のａ＊、並びに－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のｂ＊を有する色を提供する第１の下層膜のための第１の下層材料及び第１の下層厚さ並びに第２の下層材料及び第２の下層厚さを特定するステップと、第１の下層厚さを有する第１の下層膜を基材の少なくとも一部分の上に付着させるステップと、第２の下層厚さを有する第２の下層膜を第１の下層膜の少なくとも一部分の上に付着させるステップと、透明導電層厚さの透明導電性酸化物の透明導電性酸化物層を下層の少なくとも一部分の上に付着させるステップとを含む方法。
【0176】
条項１６：透明導電性酸化物が、スズでドープされた酸化インジウムである、条項１５に記載の方法。
【0177】
条項１７：透明導電層厚さが、少なくとも１２５ｎｍ（詳細には少なくとも１５０ｎｍ、より詳細には少なくとも１７５ｎｍ）及び９５０ｎｍ（詳細には５００ｎｍ、より詳細には３５０ｎｍ、より詳細には２２５ｎｍ）以下である、条項１５又は１６に記載の方法。
【0178】
条項１８：第１の下層材料が、酸化亜鉛及び酸化スズを含む、条項１５から１７までのいずれか一項に記載の方法。
【0179】
条項１９：第１の下層厚さが、少なくとも１１ｎｍ及び１５ｎｍ以下である、条項１５から１８までのいずれか一項に記載の方法。
【0180】
条項２０：第２の下層材料が、シリカ及びアルミナを含む、条項１５から１９までのいずれか一項に記載の方法。
【0181】
条項２１：第２の下層厚さが、少なくとも２９ｎｍ及び３４ｎｍ以下である、条項１５から２０までのいずれか一項に記載の方法。
【0182】
条項２２：透明導電性酸化物層の一部分の上に保護層を付着させるステップをさらに含み、保護層が、第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含み、第２の保護膜が最も外側の膜であり、第２の保護膜がチタニア及びアルミナを含む、条項１５から２１までのいずれか一項に記載の方法。
【0183】
条項２３：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項２２に記載の方法。任意選択で、第１の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0184】
条項２４：第２の保護膜が、３５～６５重量パーセントのチタニア、詳細には４５～５５重量パーセントのチタニア、より詳細には５０重量パーセントのチタニアを含む、条項２２又は２３に記載の方法。
【0185】
条項２５：第２の保護膜が、６５～３５重量パーセントのアルミナ、詳細には５５～４５重量パーセントのアルミナ、より詳細には５０重量パーセントのアルミナを含む、条項２２から２５までのいずれか一項に記載の方法。
【0186】
条項２６：第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に位置決めされた第３の保護膜をさらに含み、第３の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項２２から２５までのいずれか一項に記載の方法。任意選択で、第３の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0187】
条項２７：基材と、基材の少なくとも一部分の上の下層と、下層の少なくとも一部分の上の透明導電性酸化物層とを含む被覆物品。下層は、第１の下層膜と、任意選択の第２の下層膜とを有する。第１の下層膜は、第１の高屈折率材料を含む。任意選択の第２の下層膜は、低屈折率材料を含む。第１の高屈折率材料は、低屈折率材料より高い屈折率を有する。透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物層内に埋め込まれた埋込み膜を有する。埋込み膜は、第２の高屈折率材料を含む。第２の高屈折率材料は、低屈折率材料より高い屈折率を有する。
【0188】
条項２８：埋込み膜が、５ｎｍ～５０ｎｍ、詳細には１０ｎｍ～４０ｎｍ、より詳細には１５ｎｍ～３０ｎｍの厚さを有する、条項２７に記載の被覆物品。
【0189】
条項２９：第２の高屈折率材料が、酸化スズ及び酸化亜鉛を含む、条項２７又は２９に記載の被覆物品。
【0190】
条項３０：埋込み膜が、透明導電性酸化物層の頂部のより近くに位置決めされる、条項２７から２９までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0191】
条項３１：埋込み膜が、透明導電性酸化物層の底部のより近くに位置決めされる、条項２７から２９までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0192】
条項３２：埋込み膜が、透明導電性酸化物層のほぼ中央に位置決めされる、条項２７から２９までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0193】
条項３３：透明導電性酸化物層が、ガリウムでドープされた酸化亜鉛（「ＧＺＯ」）、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）、インジウムでドープされた酸化亜鉛（「ＩＺＯ」）、マグネシウムでドープされた酸化亜鉛（「ＭＺＯ」）、又はスズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）、詳細にはＧＺＯ、ＡＺＯ、及びＩＴＯ、より詳細にはＩＴＯからなる群から選択される、条項２７から３２までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0194】
条項３４：高屈折率材料が、酸化亜鉛及び酸化スズを含む、条項２７から３３までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0195】
条項３５：低屈折率材料が、シリカ及びアルミナを含む、条項２７から３４までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0196】
条項３６：透明導電性酸化物層が、少なくとも７５ｎｍ、より詳細には少なくとも９０ｎｍ、より詳細には少なくとも１００ｎｍ、より詳細には少なくとも１２５ｎｍ、より詳細には少なくとも１５０ｎｍ、より詳細には少なくとも１７５ｎｍ、又はより詳細には少なくとも３２０ｎｍの厚さを有する、条項２７から３５までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0197】
条項３７：透明導電性酸化物層が、多くとも９５０ｎｍ、詳細には多くとも５５０ｎｍ、より詳細には多くとも４８０ｎｍ、より詳細には多くとも３５０ｎｍ、より詳細には多くとも３００ｎｍ、より詳細には多くとも２７５ｎｍ、より詳細には多くとも２５０ｎｍ、より詳細には多くとも２２５ｎｍの厚さを有する、条項２７から３４までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0198】
条項３８：被覆物品が、５～２０オーム／平方、詳細には８～１８オーム／平方、より詳細には５～１５オーム／平方の範囲内のシート抵抗を有する、条項２７から３７までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0199】
条項３９：少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のａ＊、並びに少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のｂ＊を有する色を被覆物品に提供するように、第１の下層膜が第１の下層厚さを有し、第２の下層膜が第２の下層厚さを有し、埋込み膜が埋込み膜厚さを有する、条項２７から３８までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0200】
条項４０：第１の下層膜厚さが１１ｎｍ～１５ｎｍであり、且つ／又は第２の下層膜厚さが２９ｎｍ～３４ｎｍである、条項３９に記載の被覆物品。
【0201】
条項４１：透明導電性酸化物層の上に保護層をさらに含み、保護層が、第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含み、第２の保護膜が最も外側の膜であり、第２の保護膜がチタニア及びアルミナを含む、条項２７から４０までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0202】
条項４２：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項４１に記載の被覆物品。任意選択で、第１の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0203】
条項４３：第２の保護膜が、３５～６５重量パーセントのチタニア、詳細には４５～５５重量パーセントのチタニア、より詳細には５０重量パーセントのチタニアを含む、条項４１又は４２に記載の被覆物品。
【0204】
条項４４：第２の保護膜が、６５～３５重量パーセントのアルミナ、詳細には５５～４５重量パーセントのアルミナ、より詳細には５０重量パーセントのアルミナを含む、条項４０から４３までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0205】
条項４５：第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に位置決めされた第３の保護膜をさらに含み、第３の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項４０から４４までのいずれか一項に記載の被覆物品。任意選択で、第３の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0206】
条項４６：被覆物品の色を調整する方法。この方法は、基材の少なくとも一部分の上に第１の下層膜を付着させるステップを含む。第１の下層膜は、第１の高屈折率材料を含む。任意選択で、第１の下層膜の少なくとも一部分の上に、低屈折率材料を含む第２の下層膜が付着される。第１の高屈折率材料は、低屈折率材料より高い屈折率を有する。第１の下層膜又は任意選択の第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、第１の透明導電性酸化物膜が付着される。第１の透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、埋込み膜が付着される。埋込み膜は、第２の高屈折率材料を含む。第２の高屈折率材料は、低屈折率材料より高い屈折率を有する。埋込み膜の少なくとも一部分の上に、第２の透明導電性酸化物膜が付着される。
【0207】
条項４７：埋込み膜が、５ｎｍ～５０ｎｍ、詳細には１０ｎｍ～４０ｎｍ、より詳細には１５ｎｍ～３０ｎｍの厚さを有する、条項４６に記載の方法。
【0208】
条項４８：第２の高屈折率材料が、酸化スズ及び酸化亜鉛を含む、条項４６又は４７に記載の方法。
【0209】
条項４９：埋込み膜が、透明導電性酸化物層の頂部のより近くに位置決めされる、条項４６から４７までのいずれか一項に記載の方法。
【0210】
条項５０：埋込み膜が、透明導電性酸化物層の底部のより近くに位置決めされる、条項４６から４７までのいずれか一項に記載の方法。
【0211】
条項５１：埋込み膜が、透明導電性酸化物層のほぼ中央に位置決めされる、条項４６から４７までのいずれか一項に記載の方法。
【0212】
条項５２：第１の透明導電性酸化物膜及び／又は第２の透明導電性酸化物膜が、ガリウムでドープされた酸化亜鉛（「ＧＺＯ」）、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）、インジウムでドープされた酸化亜鉛（「ＩＺＯ」）、マグネシウムでドープされた酸化亜鉛（「ＭＺＯ」）、又はスズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）、詳細にはＧＺＯ、ＡＺＯ、及びＩＴＯ、より詳細にはＩＴＯからなる群から選択される、条項４６から５１までのいずれか一項に記載の方法。
【0213】
条項５３：高屈折率材料が、酸化亜鉛及び酸化スズを含む、条項４６から５２までのいずれか一項に記載の方法。
【0214】
条項５４：低屈折率材料が、シリカ及びアルミナを含む、条項４６から５３までのいずれか一項に記載の方法。
【0215】
条項５５：第１の透明導電性酸化物層及び／又は第２の透明導電性酸化物層が、少なくとも８０ｎｍ、又は詳細には少なくとも１２０ｎｍ、より詳細には少なくとも１８０ｎｍ、より詳細には少なくとも２４０ｎｍ、又はより詳細には少なくとも３６０ｎｍの厚さを有する、条項４６から５５までのいずれか一項に記載の方法。
【0216】
条項５６：第１の透明導電性酸化物層及び／又は第２の透明導電性酸化物層が、多くとも４００ｎｍ、詳細には多くとも３６０ｎｍ、より詳細には多くとも２４０ｎｍ、より詳細には多くとも１８０ｎｍ、より詳細には多くとも１２０ｎｍ、又はより詳細には多くとも８０ｎｍの厚さを有する、条項４６から５５までのいずれか一項に記載の方法。
【0217】
条項５７：被覆物品が、５～２５オーム／平方、詳細には５～２０オーム／平方、より詳細には５～１８オーム／平方の範囲内のシート抵抗を有する、条項４６から５６までのいずれか一項に記載の方法。
【0218】
条項５８：少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のａ＊、並びに少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のｂ＊を有する色を被覆物品に提供するように、第１の下層膜が第１の下層厚さを有し、第２の下層膜が第２の下層厚さを有し、埋込み膜が埋込み膜厚さを有する、条項４６から５７までのいずれか一項に記載の方法。
【0219】
条項５９：第１の下層膜厚さが１１ｎｍ～１５ｎｍであり、且つ／又は第２の下層膜厚さが２９ｎｍ～３４ｎｍである、条項４６から５８までのいずれか一項に記載の方法。
【0220】
条項６０：透明導電性酸化物層の上に保護層を付着させるステップをさらに含み、保護層が、第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含み、第２の保護膜が最も外側の膜であり、第２の保護膜がチタニア及びアルミナを含む、条項４６から５９までのいずれか一項に記載の方法。
【0221】
条項６１：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項６０に記載の方法。任意選択で、第１の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0222】
条項６２：第２の保護膜が、３５～６５重量パーセントのチタニア、詳細には４５～５５重量パーセントのチタニア、より詳細には５０重量パーセントのチタニアを含む、条項６０又は６１に記載の方法。
【0223】
条項６３：第２の保護膜が、６５～３５重量パーセントのアルミナ、詳細には５５～４５重量パーセントのアルミナ、より詳細には５０重量パーセントのアルミナを含む、条項６０から６２までのいずれか一項に記載の方法。
【0224】
条項６４：第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に位置決めされた第３の保護膜をさらに含み、第３の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項６０から６３までのいずれか一項に記載の方法。任意選択で、第３の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0225】
条項６５：第１の透明導電性酸化物膜及び第２の透明導電性酸化物膜が、同一の金属酸化物を含有する、条項４７から６４までのいずれか一項に記載の方法。
【0226】
条項６６：基材と、基材の少なくとも一部分の上の下層とを含む被覆物品。下層は、第１の下層膜及び第２の下層膜を有する。第１の下層膜は、第１の高屈折率材料を含む。第２の下層膜は、低屈折率材料を含む。第１の高屈折率材料は、低屈折率材料より高い屈折率を有する。第２の下層膜の少なくとも一部分の上に、第１の透明導電性酸化物膜が位置する。第１の透明導電性酸化物膜の少なくとも一部分の上に、埋込み膜が位置する。埋込み膜は、第２の高屈折率材料を含む。第２の高屈折率材料は、低屈折率材料より高い屈折率を有する。埋込み膜の少なくとも一部分の上に、第２の透明導電性酸化物膜が位置する。
【0227】
条項６７：埋込み膜が、５ｎｍ～５０ｎｍ、詳細には１０ｎｍ～４０ｎｍ、より詳細には１５ｎｍ～３０ｎｍの厚さを有する、条項６６に記載の被覆物品。
【0228】
条項６８：第２の高屈折率材料が、酸化スズ及び酸化亜鉛を含む、条項６６又は６７に記載の被覆物品。
【0229】
条項６９：第１の透明導電性酸化物膜が、第２の透明導電性酸化物膜より厚い、条項６６から６８までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0230】
条項７０：第１の透明導電性酸化物膜が、第２の透明導電性酸化物膜より薄い、条項６６から６８までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0231】
条項７１：第１の透明導電性酸化物膜が、第２の透明導電性酸化物膜とほぼ同じ厚さである、条項６６から６８までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0232】
条項７２：第１の透明導電性酸化物膜及び／又は第２の透明導電性酸化物膜が、ガリウムでドープされた酸化亜鉛（「ＧＺＯ」）、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）、インジウムでドープされた酸化亜鉛（「ＩＺＯ」）、マグネシウムでドープされた酸化亜鉛（「ＭＺＯ」）、又はスズでドープされた酸化インジウム（「ＩＴＯ」）、詳細にはＧＺＯ、ＡＺＯ、及びＩＴＯ、より詳細にはＩＴＯからなる群から選択される、条項６６から７１までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0233】
条項７３：高屈折率材料が、酸化亜鉛及び酸化スズを含む、条項６６から７２までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0234】
条項７４：低屈折率材料が、シリカ及びアルミナを含む、条項６６から７３までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0235】
条項７５：透明導電性酸化物層が、多くとも９５０ｎｍ、詳細には多くとも５５０ｎｍ、より詳細には多くとも３６０ｎｍの厚さを有する、条項６６から７４までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0236】
条項７６：被覆物品が、５～２０オーム／平方、詳細には８～１８オーム／平方、より詳細には５～１５オーム／平方の範囲内のシート抵抗を有する、条項６６から７５までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0237】
条項７７：少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のａ＊、並びに少なくとも－９及び多くとも１、詳細には少なくとも－４及び多くとも０、より詳細には少なくとも－３及び多くとも１、より詳細には少なくとも－１．５及び多くとも－０．５、より詳細には－１のｂ＊を有する色を被覆物品に提供するように、第１の下層膜が第１の下層厚さを有し、第２の下層膜が第２の下層厚さを有し、埋込み膜が埋込み膜厚さを有する、条項６６から８０までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0238】
条項７８：第１の下層膜厚さが１１ｎｍ～１５ｎｍであり、且つ／又は第２の下層膜厚さが２９ｎｍ～３４ｎｍである、条項７６から７７までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0239】
条項７９：透明導電性酸化物層の上に保護層をさらに含み、保護層が、第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含み、第２の保護膜が最も外側の膜であり、第２の保護膜がチタニア及びアルミナを含む、条項６６から７８までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0240】
条項８０：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項７９に記載の被覆物品。任意選択で、第１の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0241】
条項８１：第２の保護膜が、３５～６５重量パーセントのチタニア、詳細には４５～５５重量パーセントのチタニア、より詳細には５０重量パーセントのチタニアを含む、条項７９又は８０に記載の被覆物品。
【0242】
条項８２：第２の保護膜が、６５～３５重量パーセントのアルミナ、詳細には５５～４５重量パーセントのアルミナ、より詳細には５０重量パーセントのアルミナを含む、条項７９から８１までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0243】
条項８３：第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に位置決めされた第３の保護膜をさらに含み、第３の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項７９から８２までのいずれか一項に記載の被覆物品。任意選択で、第３の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0244】
条項８４：第１の透明導電性酸化物層及び／又は第２の透明導電性酸化物層が、多くとも４００ｎｍ、詳細には多くとも３６０ｎｍ、より詳細には多くとも２４０ｎｍ、より詳細には多くとも１８０ｎｍ、より詳細には多くとも１２０ｎｍ、又はより詳細には多くとも８０ｎｍの厚さを有する、条項６６から８３までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0245】
条項８５：基材と、基材の少なくとも一部分の上の機能層と、機能層の少なくとも一部分の上の第１の保護膜と、第１の保護膜の少なくとも一部分の上の第２の保護膜とを含む被覆物品。第２の保護膜は、チタニア及びアルミナを含み、最も外側の膜である。
【0246】
条項８６：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項８５に記載の被覆物品。
【0247】
条項８７：第２の保護膜が、３５～６５重量パーセントのチタニア、詳細には４５～５５重量パーセントのチタニア、より詳細には５０重量パーセントのチタニアを含む、条項８５又は８６に記載の被覆物品。
【0248】
条項８８：第２の保護膜が、６５～３５重量パーセントのシリカ、詳細には５５～４５重量パーセントのシリカ、より詳細には５０重量パーセントのシリカを含む、条項８５から８７までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0249】
条項８９：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項８５から８８までのいずれか一項に記載の被覆物品。任意選択で、第１の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0250】
条項９０：機能層が、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛、ガリウムでドープされた酸化亜鉛、及びスズでドープされた酸化インジウムからなる群から選択された透明導電性酸化物層、詳細にはスズでドープされた酸化インジウムを含む、条項８５から８９までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0251】
条項９１：機能層が、銀、金、パラジウム、銅、又はこれらの混合物からなる群から選択された金属、詳細には銀を含む、条項８５から９０までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0252】
条項９２：第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に位置する第３の保護膜をさらに含む、条項８５から９１までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0253】
条項９３：第３の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項８５から９１までのいずれか一項に記載の被覆物品。任意選択で、第３の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0254】
条項９４：機能層を保護する方法であって、機能層で被覆された物品を提供するステップと、機能被覆の少なくとも一部分の上に第１の保護膜を付着させるステップと、第１の保護膜の少なくとも一部分の上に第２の保護膜を付着させるステップとを含み、第２の保護膜がチタニア及びアルミナを含む、方法。
【0255】
条項９５：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項９４に記載の方法。
【0256】
条項９６：第２の保護膜が、３５～６５重量パーセントのチタニア、詳細には４５～５５重量パーセントのチタニア、より詳細には５０重量パーセントのチタニアを含む、条項９４又は９５に記載の方法。
【0257】
条項９７：第２の保護膜が、６５～３５重量パーセントのシリカ、詳細には５５～４５重量パーセントのシリカ、より詳細には５０重量パーセントのシリカを含む、条項９４から９９までのいずれか一項に記載の方法。
【0258】
条項９８：第１の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項９４から９７までのいずれか一項に記載の方法。任意選択で、第１の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0259】
条項９９：機能層が、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛、ガリウムでドープされた酸化亜鉛、及びスズでドープされた酸化インジウムからなる群から選択された透明導電性酸化物層、詳細にはスズでドープされた酸化インジウムを含む、条項９４から９８までのいずれか一項に記載の方法。
【0260】
条項１００：機能層が、銀、金、パラジウム、銅、又はこれらの混合物からなる群から選択された金属、詳細には銀を含む、条項９４から９９までのいずれか一項に記載の方法。
【0261】
条項１０１：第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、第１の保護膜と第２の保護膜との間又は第１の保護膜と機能被覆との間に位置する第３の保護膜をさらに含む、条項９４から１００までのいずれか一項に記載の方法。
【0262】
条項１０２：第３の保護膜が、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、条項９４から１０１までのいずれか一項に記載の方法。任意選択で、第３の保護膜は、チタニア及びアルミナの混合物を含まない。
【0263】
条項１０３：透明導電性酸化物層の吸収率、被覆物品の放射率、及び／又は被覆物品の吸収率を低減させる方法であって、基材を提供するステップと、透明導電性酸化物層を付着させるステップと、０％～１．０％の酸素、詳細には０％～０．５％の酸素を含む雰囲気中で透明導電性酸化物層を含む被覆物品を熱処理するステップとを含む方法。
【0264】
条項１０４：透明導電性酸化物層が、インジウムでドープされた酸化スズ（「ＩＴＯ」）又はアルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）を含む、条項１０３に記載の方法。
【0265】
条項１０５：透明導電性酸化物層が、少なくとも１２５ｎｍ、詳細には少なくとも１５０ｎｍ、より詳細には少なくとも１７５ｎｍ、及び多くとも４５０ｎｍ、多くとも４００ｎｍ、多くとも３５０ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、多くとも２５０ｎｍ、又は多くとも２５０ｎｍの厚さを有する、条項１０３又は１０４に記載の方法。
【0266】
条項１０６：透明導電性酸化物層が、インジウムでドープされた酸化スズ（「ＩＴＯ」）を含み、雰囲気が、０．７５％～１．２５％の酸素を含む、条項１０３から１０５までのいずれか一項に記載の方法。
【0267】
条項１０７：透明導電性酸化物層が、少なくとも９５ｎｍ及び多くとも２２５ｎｍの厚さを含む、条項１０３から１０６までのいずれか一項に記載の方法。
【0268】
条項１０８：透明導電性酸化物層が、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛（「ＡＺＯ」）を含み、雰囲気が、０％～０．５％の酸素、詳細には０％～０．２５％の酸素、より詳細には０％～０．１体積％の酸素、又はより詳細には０体積％の酸素を含む、条項１０３から１０７までのいずれか一項に記載の方法。
【0269】
条項１０９：透明導電性酸化物層が、少なくとも２２５ｎｍ及び多くとも４４０ｎｍの厚さを含む、条項１０８に記載の方法。
【0270】
条項１１０：基材の少なくとも一部分の上に機能被覆を付着させるステップをさらに含み、機能被覆が、基材と透明導電性酸化物層との間に位置決めされる、条項１０３から１０９までのいずれか一項に記載の方法。
【0271】
条項１１１：透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に、チタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む第１の保護膜を付着させ、第１の保護膜の少なくとも一部分の上に、チタニア及びアルミナを含む第２の保護膜を付着させるステップをさらに含み、第２の保護膜が最も外側の膜である、条項１０３から１１０までのいずれか一項に記載の方法。
【0272】
条項１１２：被覆物品のシート抵抗を低減させる方法であって、室温で透明導電性酸化物層を含む被覆を基材に付着させるステップと、少なくとも５秒、少なくとも１０秒、少なくとも３０秒、及び１２０秒、９０秒、６０秒、５５秒、５０秒、４５秒、４０秒、又は３５秒以下にわたって、透明導電性酸化物層の頂面を１９３．３℃（３８０°Ｆ）超又は少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）まで加熱するステップとを含む方法。
【0273】
条項１１３：加熱ステップが、フラッシュ・アニーリングである、条項１１２に記載の方法。
【0274】
条項１１４：透明導電性酸化物層が、少なくとも１２５ｎｍ及び多くとも９５０ｎｍである、条項１１２又は１１３に記載の方法。
【0275】
条項１１５：透明導電性酸化物層が、スズでドープされた酸化インジウムを含み、少なくとも１０５ｎｍ及び多くとも１７１ｎｍであり、処理ステップ後の被覆物品のシート抵抗が、２０Ω／□未満である、条項１１２から１１４までのいずれか一項に記載の方法。
【0276】
条項１１６：透明導電性酸化物層が、ガリウムでドープされた酸化亜鉛を含み、少なくとも３２０ｎｍ及び多くとも４８０ｎｍの厚さを有し、処理ステップ後の被覆物品のシート抵抗が、２０Ω／□未満である、条項１１２から１１５までのいずれか一項に記載の方法。
【0277】
条項１１７：透明導電性酸化物層が、アルミナでドープされた酸化物を含み、少なくとも３４４ｎｍ及び多くとも８８０ｎｍの厚さを有し、処理ステップ後の被覆物品のシート抵抗が、２０Ω／□未満である、条項１１２から１１６までのいずれか一項に記載の方法。
【0278】
条項１１８：被覆を付着させるステップが、マグネトロン・スパッタリング真空蒸着プロセスを含む、条項１１２から１１７までのいずれか一項に記載の方法。
【0279】
条項１１９：被覆を付着させるステップが、放射熱を使用しない、条項１１２から１１８までのいずれか一項に記載の方法。
【0280】
条項１２０：透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に第１の保護膜を付着させるステップであって、第１の保護膜がチタニア、アルミナ、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア、シリカ、又はこれらの混合物を含む、第１の保護膜を付着させるステップと、透明導電性酸化物層の少なくとも一部分の上に第２の保護膜を付着させるステップであって、第２の保護膜がチタニア及びアルミナを含む、第２の保護膜を付着させるステップとをさらに含み、第１の保護膜を付着させるステップ及び第２の保護膜を付着させるステップが、処理ステップの前又は後に行われる、条項１１２から１１９までのいずれか一項に記載の方法。
【0281】
条項１２１：加熱ステップが、３３５℃（６３５°Ｆ）を超えて透明導電性酸化物の頂面を上昇させない、条項１１２から１２０までのいずれか一項に記載の方法。
【0282】
条項１２２：基材がガラスであり、透明導電性酸化物が、０．３以下の吸収率を有する、条項１１２から１２１までのいずれか一項に記載の方法。
【0283】
条項１２３：基材がガラスであり、透明導電性酸化物が、少なくとも０．０５の高さの吸収率を有する、条項１１２から１２２までのいずれか一項に記載の方法。
【0284】
条項１２４：被覆物品が冷蔵庫ドアである、条項１１２から１２３までのいずれか一項に記載の方法。
【0285】
条項１２５：付着させるステップが、雰囲気に供給される酸素含有率が０％～１．５％の雰囲気中で行われる、条項１１２から１２４までのいずれか一項に記載の方法。
【0286】
条項１２６：基材がガラスであり、透明導電性酸化物が、０．２以下であり且つ少なくとも０．０５の高さの吸収率を有する、条項１１２から１２５までのいずれか一項に記載の方法。
【0287】
条項１２７：被覆物品を作製する方法であって、基材の上に透明導電性酸化物層を付着させるステップと、少なくとも５秒、少なくとも１０秒、少なくとも１５秒、少なくとも２０秒、少なくとも２５秒、少なくとも３０秒、及び１２０秒、９０秒、６０秒、５５秒、５０秒、４５秒、４０秒、又は３５秒以下にわたって、透明導電性酸化物の頂面を１９３．３℃（３８０°Ｆ）超、又は少なくとも２２３．９℃（４３５°Ｆ）まで上昇させるステップと、４３０℃（８０６°Ｆ）（又は詳細には３３５℃（６３５°Ｆ））を超えて透明導電性酸化物の頂面を上昇させないステップとを含む方法。
【0288】
条項１２８：３３５℃（６３５°Ｆ）を超えて被覆物品を加熱しないステップをさらに含む、条項１２７に記載の方法。
【0289】
条項１２９：透明導電性酸化物層が、スズでドープされた酸化インジウムを含み、少なくとも９６ｎｍ及び多くとも１７１ｎｍの厚さ並びに２５Ω／□未満のシート抵抗を有する、条項１２７から１２８までのいずれか一項に記載の方法。
【0290】
条項１３０：透明導電性酸化物の上に保護層を付着させるステップをさらに含み、保護層がチタニア及びアルミナを含む、条項１１２７から１２９までのいずれか一項に記載の方法。
【0291】
条項１３１：条項１５から２６までのいずれか一項に記載の方法によって作製された、－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のａ＊、及び－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のｂ＊を有する被覆基材。
【0292】
条項１３２：条項４６から６５までのいずれか一項に記載の方法によって作製された、－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のａ＊、及び－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のｂ＊を有する被覆基材。
【0293】
条項１３３：条項１０３から１１１までのいずれか一項に記載の方法によって作製された被覆物品。
【0294】
条項１３４：条項１１２から１２６までのいずれか一項に記載の方法によって作製された被覆物品。
【0295】
条項１３５：条項１２７から１３０までのいずれか一項に記載の方法によって作製された被覆物品。
【0296】
条項１３６：－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のａ＊、及び－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、又はより詳細には－１．５～－０．５のｂ＊を提供するための、条項１から１４又は２７から４５までのいずれか一項に記載の下層の使用。
【0297】
条項１３７：－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、より詳細には－１．５～－０．５のａ＊、及び－９～１、詳細には－４～０、より詳細には－３～１、又はより詳細には－１．５～－０．５のｂ＊を提供するための、条項１５から２６又は４６から６５までのいずれか一項に記載の第１の下層膜及び第２の下層膜の使用。
【0298】
条項１３８：シート抵抗を低下させるための、条項２７から６５までのいずれか一項に記載の埋込み膜の使用。
【0299】
条項１３９：基材上の被覆の耐久性を増大させるための、条項８５から９３までのいずれか一項に記載の保護層の使用。
【0300】
条項１４０：保護層が、少なくとも２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、又は８０ｎｍ、１００ｎｍ、又は１２０ｎｍ、及び多くとも２７５ｎｍ、２５５ｎｍ、２４０ｎｍ、１７０ｎｍ、１５０ｎｍ、１２５ｎｍ、又は１００ｎｍの厚さを有する、条項８５から９１までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【0301】
条項１４１：第１の保護膜が、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１５ｎｍ、少なくとも２０ｎｍ、少なくとも２７ｎｍ、少なくとも３０ｎｍ、少なくとも３５ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、少なくとも５４ｎｍ、少なくとも７２ｎｍ、及び多くとも８５ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、又は３０ｎｍの厚さを有することができる、条項８５から９１まで又は１４０のいずれか一項に記載の被覆物品。
【0302】
条項１４２：第２の保護膜が、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１５ｎｍ、少なくとも２０ｎｍ、少なくとも２７ｎｍ、少なくとも３５ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、少なくとも５４ｎｍ、少なくとも７２ｎｍ、及び多くとも８５ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、４５ｎｍ、３０ｎｍの厚さを有することができる、条項８５から９１まで、１４０、又は１４１のいずれか一項に記載の被覆物品。
【0303】
条項１４３：任意選択の第３の保護膜が、少なくとも５ｎｍ、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１５ｎｍ、少なくとも２７ｎｍ、少なくとも３５ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、少なくとも５４ｎｍ、少なくとも７２ｎｍ、及び多くとも８５ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、３０ｎｍ、又は多くとも３０の厚さを有することができる、条項８５から９１まで又は１４０から１４２までのいずれか一項に記載の被覆物品。
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図1d】
【図2a】
【図2b】
【図2c】
【図2d】
【図2e】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図3d】
【図3e】
【図4a】
【図4b】
【図5a】
【図5b】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図6f】
【図6g】
【図6h】
【図7a】
【図7b】
【図8a】
【図8b】
【図8c】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13a】
【図13b】
【図13c】
【図14】
【図15】
【図16a】
【図16b】
【図17a】
【図17b】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
