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特開2024-40253電波吸収体用インピーダンス整合膜、電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム、電波吸収体、及び電波吸収体用積層体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024040253
(43)【公開日】2024-03-25
(54)【発明の名称】電波吸収体用インピーダンス整合膜、電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム、電波吸収体、及び電波吸収体用積層体
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20240315BHJP
B32B 9/00 20060101ALI20240315BHJP
B32B 7/025 20190101ALI20240315BHJP
H01Q 17/00 20060101ALI20240315BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 M
B32B9/00 A
B32B7/025
H01Q17/00
【審査請求】有
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024015613
(22)【出願日】2024-02-05
(62)【分割の表示】P 2019224077の分割
【原出願日】2019-12-11
(31)【優先権主張番号】P 2018233000
(32)【優先日】2018-12-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004314
【氏名又は名称】弁理士法人青藍国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】待永 広宣
(72)【発明者】
【氏名】拝師 基希
(72)【発明者】
【氏名】中西 陽介
(72)【発明者】
【氏名】武田 雄希
(57)【要約】
【課題】高温雰囲気に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つのに有利な電波吸収体用インピーダンス整合膜を提供する。
【解決手段】インピーダンス整合膜１０は、アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含む。インピーダンス整合用インピーダンス整合膜１０は、５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有する。インピーダンス整合膜１０
は、１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する。
【選択図】図１
【解決手段】インピーダンス整合膜１０は、アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含む。インピーダンス整合用インピーダンス整合膜１０は、５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有する。インピーダンス整合膜１０
は、１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含み、
５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有し、
１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する、
電波吸収体用インピーダンス整合膜。
５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有し、
１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する、
電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項2】
０．５×１０-3～５．０×１０-3Ω・ｃｍの比抵抗を有する、請求項１に記載のインピーダンス整合膜。
【請求項3】
２００～８００Ω／□のシート抵抗を有する、請求項１又は２に記載のインピーダンス整合膜。
【請求項4】
前記酸化スズの含有量は２０質量％以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載のインピーダンス整合膜。
【請求項5】
前記酸化スズの含有量は４０質量％を超える、請求項４に記載のインピーダンス整合膜。
【請求項6】
インジウム原子、スズ原子、及び酸素原子とは異なる原子を少なくとも有する添加物をさらに含む、請求項１～５のいずれか１項に記載のインピーダンス整合膜。
【請求項7】
基材と、
請求項１～６のいずれか１項に記載のインピーダンス整合膜と、を備えた、
電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム。
請求項１～６のいずれか１項に記載のインピーダンス整合膜と、を備えた、
電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム。
【請求項8】
請求項１～６のいずれか１項に記載のインピーダンス整合膜と、
電波を反射する導電体と、
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜と前記導電体との間に配置されている誘電体層と、を備えた、
電波吸収体。
電波を反射する導電体と、
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜と前記導電体との間に配置されている誘電体層と、を備えた、
電波吸収体。
【請求項9】
前記導電体は、酸化インジウムスズを含む、請求項８に記載の電波吸収体。
【請求項10】
前記導電体は、アルミニウム、銅、鉄、アルミニウム合金、銅合金、及び鉄合金からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む、請求項８に記載の電波吸収体。
【請求項11】
前記誘電体層は、２．０～２０．０の比誘電率を有する、請求項８～１０のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項12】
前記誘電体層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、及びシクロオレフィンポリマーからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む、請求項８～１１のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項13】
粘着層をさらに備え、
前記導電体は、前記誘電体層と前記粘着層との間に配置されている、請求項８～１２のいずれか１項に記載の電波吸収体。
前記導電体は、前記誘電体層と前記粘着層との間に配置されている、請求項８～１２のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項14】
請求項１～６のいずれか１項に記載のインピーダンス整合膜と、
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜に接触して配置されている、誘電体層と、を備えた、
電波吸収体用積層体。
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜に接触して配置されている、誘電体層と、を備えた、
電波吸収体用積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電波吸収体用インピーダンス整合膜、電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム、電波吸収体、及び電波吸収体用積層体に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の酸化インジウム及び酸化スズを含む物質を用いてインピーダンス整合を図る技術が知られている。
【0003】
例えば、特許文献１によれば、従来のλ／４型電波吸収体は、抵抗皮膜であるＩＴＯ、誘電体、及び導電層を積層させた構造であると説明されている。λ／４型電波吸収体において、抵抗皮膜であるＩＴＯによりインピーダンス整合が図られる。一方、特許文献１によれば、ＩＴＯのアモルファス膜は、大気中での耐久性が低いと指摘されている。そこで、特許文献１では、優れた耐久性を発揮するλ／４型電波吸収体の製造のために、モリブデンを５重量％以上含有する合金からなるλ／４型電波吸収体用抵抗皮膜が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８－５６５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１には、ＩＴＯのアモルファス膜を抵抗皮膜に用いてλ／４型電波吸収体の耐久性を高めることができることは記載も示唆もされていない。加えて、特許文献１において、高温環境（例えば、１２５℃の環境）に長期間曝されたときの抵抗皮膜の耐久性は評価されていない。
【0006】
このような事情を踏まえて、本発明は、アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含み、高温雰囲気に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つのに有利な電波吸収体用インピーダンス整合膜を提供する。加えて、本発明は、このようなインピーダンス整合膜を備えた、電波吸収体及び電波吸収体用積層体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、
アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含み、
５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有し、
１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する、
電波吸収体用インピーダンス整合膜を提供する。
アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含み、
５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有し、
１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する、
電波吸収体用インピーダンス整合膜を提供する。
【0008】
また、本発明は、
基材と、
上記のインピーダンス整合膜と、を備えた、
電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルムを提供する。
基材と、
上記のインピーダンス整合膜と、を備えた、
電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルムを提供する。
【0009】
また、本発明は、
上記のインピーダンス整合膜と、
電波を反射する導電体と、
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜と前記導電体との間に配置されている誘電体層と、を備えた、
電波吸収体を提供する。
上記のインピーダンス整合膜と、
電波を反射する導電体と、
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜と前記導電体との間に配置されている誘電体層と、を備えた、
電波吸収体を提供する。
【0010】
また、本発明は、
上記のインピーダンス整合膜と、
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜に接触して配置されている、誘電体層と、を備えた、
電波吸収体用積層体を提供する。
上記のインピーダンス整合膜と、
前記インピーダンス整合膜の厚み方向において前記インピーダンス整合膜に接触して配置されている、誘電体層と、を備えた、
電波吸収体用積層体を提供する。
【発明の効果】
【0011】
上記の電波吸収体用インピーダンス整合膜は、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下の実施形態には限定されない。
【0014】
図１に示す通り、電波吸収体用インピーダンス整合膜１０は、例えば、電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム１５によって提供される。電波吸収体用インピーダンス整合膜１０は、抵抗膜である。電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム１５は、基材２２と、電波吸収体用インピーダンス整合膜１０と、を備えている。電波吸収体用インピーダンス整合膜１０は、例えば、基材２２の一方の主面上に成膜されている。インピーダンス整合膜１０は、酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含む。この混合物は、アモルファス構造を有する。インピーダンス整合膜１０は、５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）
以上のＨａｌｌ移動度を有する。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度は、インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ効果測定によって決定できる。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ効果測定は、例えばvan der Pauw法に従ってなされる。インピーダンス整合膜１０は、１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する。本明細書において、主成分とは、質量基準で最も多く含まれる成分を意味する。主成分は、例えば、５０質量％を超える成分でありうる。酸化インジウムと酸化スズとの混合物は、例えば、固溶体として存在
している。
以上のＨａｌｌ移動度を有する。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度は、インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ効果測定によって決定できる。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ効果測定は、例えばvan der Pauw法に従ってなされる。インピーダンス整合膜１０は、１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有する。本明細書において、主成分とは、質量基準で最も多く含まれる成分を意味する。主成分は、例えば、５０質量％を超える成分でありうる。酸化インジウムと酸化スズとの混合物は、例えば、固溶体として存在
している。
【0015】
インピーダンス整合膜１０は、５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有するこ
とにより、高温環境（例えば、１２５℃）に長期間（例えば、１０００時間）曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保ちやすい。本発明者らは、多大な試行錯誤を重ねた結果、アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含むインピーダンス整合膜において、Ｈａｌｌ移動度を上記の範囲に調整することによって、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができることを新たに見出した。
とにより、高温環境（例えば、１２５℃）に長期間（例えば、１０００時間）曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保ちやすい。本発明者らは、多大な試行錯誤を重ねた結果、アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含むインピーダンス整合膜において、Ｈａｌｌ移動度を上記の範囲に調整することによって、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができることを新たに見出した。
【0016】
インピーダンス整合膜１０が５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ移動度を有すること
により、インピーダンス整合膜１０が、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができる理由は定かではない。本発明者らは、その理由について以下のように考えている。アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含む膜において、酸素空孔がキャリアの発生源になると考えられる。このような膜において酸素空孔の密度が高いと、高温環境において酸化反応が生じやすく、膜の移動度が上昇しやすいと考えられる。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度が５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上の範囲であれば、インピーダンス整合膜１０にお
いて酸素空孔が適度な密度で存在し、高温環境においてインピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度及びキャリア密度が変動しにくいと考えられる。その結果、インピーダンス整合膜１０は、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができると考えられる。
により、インピーダンス整合膜１０が、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができる理由は定かではない。本発明者らは、その理由について以下のように考えている。アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含む膜において、酸素空孔がキャリアの発生源になると考えられる。このような膜において酸素空孔の密度が高いと、高温環境において酸化反応が生じやすく、膜の移動度が上昇しやすいと考えられる。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度が５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上の範囲であれば、インピーダンス整合膜１０にお
いて酸素空孔が適度な密度で存在し、高温環境においてインピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度及びキャリア密度が変動しにくいと考えられる。その結果、インピーダンス整合膜１０は、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができると考えられる。
【0017】
インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度は、上記の範囲である限り特定の値に限定されない。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度は、６ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上で
あってもよいし、７ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、９ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、１０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、１５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、２０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよい。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度は、例えば６５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であり、６０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５２ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４９ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４７ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４６ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、３５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよい。
あってもよいし、７ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、９ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、１０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、１５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよいし、２０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上であってもよい。インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度は、例えば６５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であり、６０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５２ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、５０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４９ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４７ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４６ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、４０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよいし、３５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以下であってもよい。
【0018】
インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度は、望ましくは、５０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）
以下である。この場合、より確実に、インピーダンス整合膜１０において酸素空孔が適度な密度で存在し、高温環境においてインピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度及びキャリア密度が変動しにくいと考えられる。その結果、インピーダンス整合膜１０は、より確実に、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができる。
以下である。この場合、より確実に、インピーダンス整合膜１０において酸素空孔が適度な密度で存在し、高温環境においてインピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度及びキャリア密度が変動しにくいと考えられる。その結果、インピーダンス整合膜１０は、より確実に、高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保つことができる。
【0019】
インピーダンス整合膜１０が１００ｎｍ未満の厚みを有することにより、インピーダンス整合膜１０の反りを抑制できる。また、インピーダンス整合膜１０においてクラックが発生しにくい。加えて、酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含むインピーダンス整合膜１０が１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有することにより、インピーダンス整合膜１０が所望のシート抵抗を有しやすい。さらに、インピーダンス整合膜
１０が１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有することにより、インピーダンス整合膜１０は、生産性及び製造コストの観点からも有利である。
１０が１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有することにより、インピーダンス整合膜１０は、生産性及び製造コストの観点からも有利である。
【0020】
インピーダンス整合膜１０の厚みは、１８ｎｍ以上であってもよく、２０ｎｍ以上であってもよく、２５ｎｍ以上であってもよく、３０ｎｍ以上であってもよい。インピーダンス整合膜１０の厚みは、９０ｎｍ以下であってもよく、８０ｎｍ以下であってもよく、７０ｎｍ以下であってもよく、６０ｎｍ以下であってもよい。
【0021】
インピーダンス整合膜１０は、例えば、０．５×１０-3～５．０×１０-3Ω・ｃｍの比抵抗を有する。これにより、インピーダンス整合膜１０がインピーダンス整合の観点から所望の特性を有しやすい。インピーダンス整合膜１０の主成分がアモルファス構造を有することによって、インピーダンス整合膜１０の比抵抗がこのような範囲に収まりやすい。インピーダンス整合膜１０の比抵抗は、０．７×１０-3Ω・ｃｍ以上であってもよく、０．８×１０-3Ω・ｃｍ以上であってもよく、１．０×１０-3Ω・ｃｍ以上であってもよい。インピーダンス整合膜１０の比抵抗は、４．８×１０-3Ω・ｃｍ以下であってもよく、４．５-3Ω・ｃｍ以下であってもよく、４．０×１０-3Ω・ｃｍ以下であってもよく、３．５×１０-3Ω・ｃｍ以下であってもよく、３．３×１０-3Ω・ｃｍ以下であってもよい。
【0022】
インピーダンス整合膜１０は、例えば、２００～８００Ω／□のシート抵抗を有する。これにより、インピーダンス整合膜１０がインピーダンス整合の観点から所望の特性を有しやすい。インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、２２０Ω／□以上であってもよく、２５０Ω／□以上であってもよく、２７５Ω／□以上であってもよく、３００Ω／□以上であってもよい。インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、８００Ω／□以下であってもよく、７００Ω／□以下であってもよく、６００Ω／□以下であってもよく、５００Ω／□以下であってもよく、４５０Ω／□以下であってもよい。
【0023】
インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、上記の主成分がアモルファス構造を有する限り、特定の値に限定されない。インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、インピーダンス整合膜１０がアモルファス状態を維持しやすいように定められていることが望ましい。インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、例えば、２０質量％以上である。この場合、インピーダンス整合膜１０がアモルファスの状態を保ちやすい。インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、２５％質量以上であってもよい。
【0024】
インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、４０質量％を超えていてもよい。この場合、インピーダンス整合膜１０が良好な耐酸性を示しやすい。
【0025】
インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、例えば９０質量％以下であり、８０質量％以下であってもよく、７０質量％以下であってもよい。インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、６０質量％以下であってもよい。インピーダンス整合膜１０における酸化スズの含有量は、望ましくは９０質量％未満であり、より望ましくは８０質量％以下である。これにより、インピーダンス整合膜１０の比抵抗が所望の範囲に調整されやすい。その結果、インピーダンス整合膜１０を１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みで形成したときに、インピーダンス整合膜１０が所望のシート抵抗を有しやすい。
【0026】
インピーダンス整合膜１０は、例えば、添加物をさらに含んでいてもよい。添加物は、例えば、インジウム原子、スズ原子、及び酸素原子とは異なる原子を少なくとも有する。インピーダンス整合膜１０に添加物を含有させることにより、比抵抗等のインピーダンス
整合膜１０の特性を調整しやすい。また、添加物を含有させることにより、場合によっては、単独ではアモルファスの状態にすることが難しい組成を有する主成分を用いてアモルファス物質を得ることができる。
整合膜１０の特性を調整しやすい。また、添加物を含有させることにより、場合によっては、単独ではアモルファスの状態にすることが難しい組成を有する主成分を用いてアモルファス物質を得ることができる。
【0027】
添加物は、例えば、ケイ素原子、チタン原子、マグネシウム原子、窒素原子、及び水素原子からなる群より選ばれる少なくとも１つの原子を有する。
【0028】
インピーダンス整合膜１０を、温度１２５℃の環境に１０００時間曝す信頼性試験を行う。インピーダンス整合膜１０の信頼性試験を行う前の初期のシート抵抗をＳｈｂ［Ω／□］と表し、インピーダンス整合膜１０の信頼性試験を行った後のシート抵抗をＳｈａ［Ω／□］と表す。インピーダンス整合膜１０において、下記式（１）よって決定されるシート抵抗変化率ΔＳｈは、例えば２５％以下であり、望ましくは２０％以下であり、より望ましくは１５％以下であり、さらに望ましくは１０％以下である。この場合、インピーダンス整合膜１０が高温環境に長期間曝されてもインピーダンス整合膜１０のシート抵抗が変動しにくい。このことは、高温環境において長期間インピーダンス整合を図る観点から有利である。
ΔＳｈ［％］＝１００×｜Ｓｈａ－Ｓｈｂ｜／Ｓｈｂ 式（１）
ΔＳｈ［％］＝１００×｜Ｓｈａ－Ｓｈｂ｜／Ｓｈｂ 式（１）
【0029】
インピーダンス整合膜１０は、耐酸性の観点から良好な特性を有していてもよい。例えば、インピーダンス整合膜１０を、常温（２０℃±１５℃：日本工業規格(JIS) Z 8703）において、０．５モル／リットル又は１．０モル／リットルの塩酸に２分間浸漬して耐酸性試験を行う。インピーダンス整合膜１０の耐酸性試験を行う前の初期のシート抵抗をＳｃｂ［Ω／□］と表し、インピーダンス整合膜１０の耐酸性試験を行った後のシート抵抗をＳｃａ［Ω／□］と表す。インピーダンス整合膜１０において、下記（２）によって決定されるシート抵抗変化率ΔＳｃは、例えば１０％以下であり、望ましくは５％以下であり、より望ましくは３％以下である。この場合、インピーダンス整合膜１０が酸と接触してもインピーダンス整合膜１０のシート抵抗が変動しにくい。このことは、酸が存在する環境においてインピーダンス整合を図る観点から有利である。なお、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、特に説明する場合を除き、信頼性試験及び耐酸性試験を行う前の初期のシート抵抗を意味する。
ΔＳｃ［％］＝１００×｜Ｓｃａ－Ｓｃｂ｜／Ｓｃｂ 式（２）
ΔＳｃ［％］＝１００×｜Ｓｃａ－Ｓｃｂ｜／Ｓｃｂ 式（２）
【0030】
基材２２は、例えば、インピーダンス整合膜１０を支持する支持体としての役割を果たす。インピーダンス整合膜１０は、例えば、所定のターゲット材を用いたスパッタリングによって基材２２の一方の主面上に成膜される。この場合、例えば、酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含むターゲット材が用いられる。ターゲット材の組成に加えて、スパッタリングにおいて供給される混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比等の所定の条件を調整することによって、インピーダンス整合膜１０のＨａｌｌ移動度を上記の範囲に調整できる。典型的には、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比が高いほど抵抗膜のＨａｌｌ移動度が高くなりやすい。混合ガスには、例えば、酸素ガスの他にアルゴンガスが含まれうる。例えば、同一組成のターゲット材を用いて、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比が異なる条件でスパッタリングを行って複数の抵抗膜のサンプルを作製し、それらのサンプルのＨａｌｌ移動度を測定する。この測定結果から、インピーダンス整合膜１０を形成するためのスパッタリングの条件を決定できる。インピーダンス整合膜１０は、場合によっては、イオンプレーティング又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の方法を用いて成膜されてもよい。
【0031】
図２Ａに示す通り、インピーダンス整合膜１０を用いて、電波吸収体１ａを提供できる。電波吸収体１ａは、インピーダンス整合膜１０と、導電体３０と、誘電体層２０とを備えている。導電体３０は、電波を反射する。誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０
の厚み方向においてインピーダンス整合膜１０と導電体３０との間に配置されている。
の厚み方向においてインピーダンス整合膜１０と導電体３０との間に配置されている。
【0032】
電波吸収体１ａは、λ／４型の電波吸収体である。電波吸収体１ａに吸収対象とする波長λOの電波が入射すると、インピーダンス整合膜１０の表面での反射（表面反射）によ
る電波と、導電体３０における反射（裏面反射）による電波とが干渉するように、電波吸収体１ａが設計されている。λ／４型の電波吸収体においては、下記の式（３）に示す通り、誘電体層の厚みｔ及び誘電体層の比誘電率εrによって吸収対象の電波の波長λOが決定される。すなわち、誘電体層の比誘電率及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電波を設定できる。式（３）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率εrの平方根を意味する。
λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr） 式（３）
る電波と、導電体３０における反射（裏面反射）による電波とが干渉するように、電波吸収体１ａが設計されている。λ／４型の電波吸収体においては、下記の式（３）に示す通り、誘電体層の厚みｔ及び誘電体層の比誘電率εrによって吸収対象の電波の波長λOが決定される。すなわち、誘電体層の比誘電率及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電波を設定できる。式（３）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率εrの平方根を意味する。
λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr） 式（３）
【0033】
電波吸収体１ａが上記のインピーダンス整合膜１０を備えていることにより、電波吸収体１ａは、高温環境に長期間曝されたときに所望の電波吸収性能を保ちやすい。電波吸収体１ａを温度１２５℃の環境に１０００時間曝す信頼性試験を行う。電波吸収体１ａは、例えば、この信頼性試験の前後において、垂直に入射する吸収対象の波長の電波に対し１０ｄＢ以上の反射減衰量を発揮しうる。反射減衰量は、例えば、JIS R 1679:2007に準拠
して測定できる。
して測定できる。
【0034】
λ／４型の電波吸収体の設計において、伝送理論を用いてインピーダンス整合膜１０の前面から見込んだインピーダンスが特性インピーダンスと等しくなるように、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗が定められる。λ／４型の電波吸収体において、インピーダンス整合膜１０に求められるシート抵抗は、λ／４型の電波吸収体に入射する電波の想定される入射角度によって変動しうる。なお、特に説明する場合を除き、「インピーダンス整合膜１０のシート抵抗」は、上記の信頼性試験の前の初期のシート抵抗の値を意味する。
【0035】
導電体３０は、吸収対象の電波を反射できる限り特に限定されないが、所定の導電性を有する。図２Ａに示す通り、導電体３０は、例えば層状に形成されている。この場合、導電体３０は、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗よりも低いシート抵抗を有する。導電体３０は、層状以外の形状を有していてもよい。
【0036】
導電体３０は、例えば、酸化インジウムスズを含んでいる。この場合、導電体３０が高い透明性を有しやすい。
【0037】
導電体３０の酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、例えば、５～１５質量％である。この場合、アニール処理によって安定的な多結晶状態の酸化インジウムスズで導電体３０を形成できる。その結果、電波吸収体１ａは高温環境に長期間曝されたときに所望の電波吸収性能をより確実に発揮しやすい。
【0038】
導電体３０は、アルミニウム、銅、鉄、アルミニウム合金、銅合金、及び鉄合金からなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。この場合、導電体３０の厚みを低減しつつ所望の導電性を実現しやすい。
【0039】
導電体３０の厚みは、特定の厚みに限定されない。例えば、導電体３０が酸化インジウムスズである場合、導電体３０は、例えば２０～２００ｎｍの厚みを有し、望ましくは５０～１５０ｎｍの厚みを有する。これにより、電波吸収体１ａが所望の電波吸収性能を発揮できるとともに、導電体３０においてクラックが発生しにくい。
【0040】
導電体３０がアルミニウム、銅、鉄、アルミニウム合金、銅合金、鉄合金からなる群よ
り選ばれる少なくとも１つである場合、導電体３０は、例えば３０ｎｍ～１００μｍの厚みを有し、望ましくは５０ｎｍ～５０μｍの厚みを有する。
り選ばれる少なくとも１つである場合、導電体３０は、例えば３０ｎｍ～１００μｍの厚みを有し、望ましくは５０ｎｍ～５０μｍの厚みを有する。
【0041】
誘電体層２０は、例えば、２．０～２０．０の比誘電率を有する。この場合、誘電体層２０の厚みを調整しやすく、電波吸収体１ａの電波吸収性能の調整が容易である。誘電体層２０の比誘電率は、例えば、空洞共振法に従って測定される１０ＧＨｚにおける比誘電率である。
【0042】
誘電体層２０は、例えば、所定の高分子によって形成されている。誘電体層２０は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、及びシクロオレフィンポリマーからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む。この場合、誘電体層２０の厚みを調整しやすく、かつ、電波吸収体１ａの製造コストを低く保つことができる。誘電体層２０は、例えば、所定の樹脂組成物を熱プレスすることによって作製できる。
【0043】
誘電体層２０は、単一の層として形成されていてもよいし、同一又は異なる材料でできた複数の層によって形成されていてもよい。誘電体層２０がｎ個の層（ｎは２以上の整数）を有する場合、誘電体層２０の比誘電率は、例えば、以下の様にして決定される。各層の比誘電率εiを測定する（ｉは、１～ｎの整数）。次に、測定された各層の比誘電率εiにその層の厚みｔiの誘電体層２０の全体Ｔに対する厚みの割合を乗じて、εi×(ｔi／Ｔ)を求める。すべての層に対するεi×(ｔi／Ｔ)を加算することによって、誘電体層２０
の比誘電率を決定できる。
の比誘電率を決定できる。
【0044】
図２Ａに示す通り、誘電体層２０は、例えば、第一層２１、第二層２２、及び第三層２３を備えている。第一層２１は、第二層２２と第三層２３との間に配置されている。第一層２１は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、及びシクロオレフィンポリマーからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む。
【0045】
電波吸収体１ａにおいて、第二層２２は、インピーダンス整合膜１０にとっての基材を兼ねている。第二層２２は、例えば、インピーダンス整合膜１０よりも導電体３０に近い位置に配置されている。図２Ｂに示す通り、第二層２２は、インピーダンス整合膜１０よりも導電体３０から遠い位置に配置されていてもよい。この場合、第一層２１及び第三層２３によって誘電体層２０が構成される。この場合、第二層２２によって、インピーダンス整合膜１０及び誘電体層２０が保護され、電波吸収体１ａが高い耐久性を有する。この場合、例えば、インピーダンス整合膜１０が第一層２１に接触していてもよい。第二層２２は、例えば、インピーダンス整合膜１０の厚みを高精度に調節するための補助材としての役割も果たす。第二層２２の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、又はシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）である。なかでも、良好な耐熱性と、寸法安定性と、製造コストとのバランスの観点から、第二層２２の材料は、望ましくはＰＥＴである。
【0046】
基材２２は、例えば１０～１５０μｍの厚みを有し、望ましくは１５～１００μｍの厚みを有する。これにより、基材２２の曲げ剛性が低く、かつ、インピーダンス整合膜１０を形成する場合に基材２２において皺の発生又は変形を抑制できる。
【0047】
電波吸収体１ａにおいて、第三層２３は、例えば、層状の導電体３０を支持している。この場合、層状の導電体３０は、例えば、金属箔又は合金箔である。層状の導電体３０は、例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の方法を用いて第三層２３上に成膜することによって作製されてもよい。第三層２３は、例えば、電波吸収体１ａにおいて、層状の導電体３０よりもインピーダンス整合膜１０に近い位置に配置されており、誘電体層２０の一部を構成している。なお、図２Ｃに示す通り、第三層２３は、層状の導電体３０よりもインピーダンス整合膜１０から遠い位置に配置されていてもよい。この場合、例えば、層状の導電体３０が第一層２１に接触している。
【0048】
第三層２３の材料として、例えば、第二層２２の材料として例示された材料を使用できる。第三層２３の材料は、第二層２２の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。良好な耐熱性と、寸法安定性と、製造コストとのバランスの観点から、第三層２３の材料は、望ましくはＰＥＴである。
【0049】
第三層２３は、例えば１０～１５０μｍの厚みを有し、望ましくは１５～１００μｍの厚みを有する。これにより、第三層２３の曲げ剛性が低く、かつ、層状の導電体３０を形成する場合に第三層２３において皺の発生又は変形を抑制できる。なお、第三層２３は、場合によっては省略可能である。
【0050】
第一層２１は、複数の層によって構成されていてもよい。特に、図２Ｂ又は図２Ｃに示す通り、インピーダンス整合膜１０及び層状の導電体３０の少なくとも１つに第一層２１が接触している場合に、第一層２１は複数の層によって構成されうる。
【0051】
第一層２１は、粘着性を有していてよいし、粘着性を有していなくてもよい。第一層２１が粘着性を有する場合、第一層２１の両主面の少なくとも一方に粘着層が接して配置されてもよいし、その両主面に接するように粘着層が配置されていなくてもよい。第一層２１が粘着性を有することにより、第一層２１とは別の粘着層を不要にできる。このため、電波吸収体１ａにおいて、第一層２１とは別の粘着層の厚みのばらつきが発生せず、電波吸収体１ａの全体の厚みのばらつきを低減できる。このため、電波吸収体１ａにおいて、安定した電波吸収性能が発揮されやすい。第一層２１が粘着性を有しない場合、望ましくは、第一層２１の両主面に接して粘着層が配置される。なお、誘電体層２０が第二層２２を含む場合、第二層２２が粘着性を有しなくても、第二層２２の両主面に接するように粘着層が配置されなくてもよい。この場合、第二層２２の一方の主面に接して粘着層が配置されうる。誘電体層２０が第三層２３を含む場合、第三層２３が粘着性を有しなくても、第三層２３の両主面に接して粘着層が配置されなくてもよい。第三層２３の少なくとも一方の主面に接して粘着層が配置されうる。
【0052】
電波吸収体１ａにおいて、例えば、インピーダンス整合膜１０に隣接する層が所定の酸成分を含有することがある。インピーダンス整合膜１０に隣接する層は、例えば、その層の一部を含む試料に対し、JIS K 0070-1992の「３．１ 中和滴定法」に従って決定され
る酸価が５以上となるように、酸成分を含有しうる。この場合、例えば、インピーダンス整合膜１０におけるシート抵抗変化率ΔＳｃが上記の範囲であれば、インピーダンス整合膜１０に隣接する層に含有される酸成分によって、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗が変動しにくい。
る酸価が５以上となるように、酸成分を含有しうる。この場合、例えば、インピーダンス整合膜１０におけるシート抵抗変化率ΔＳｃが上記の範囲であれば、インピーダンス整合膜１０に隣接する層に含有される酸成分によって、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗が変動しにくい。
【0053】
電波吸収体１ａは、所望の波長の電波を吸収するように設計されている。電波吸収体１ａが吸収可能な電波の種類は特に限定されない。電波吸収体１ａが吸収可能な電波は、例えば、特定の周波数帯域のミリ波又はサブミリ波でありうる。
【0054】
電波吸収体１ａは、様々な観点から変更可能である。例えば、電波吸収体１ａは、図３Ａに示す電波吸収体１ｂ、図３Ｂに示す電波吸収体１ｃ、図４Ａに示す電波吸収体１ｄ、又は図５Ａに示す電波吸収体１ｅのように変更されてもよい。電波吸収体１ｂ、１ｃ、１ｄ、及び１ｅは、特に説明する部分を除き、電波吸収体１ａと同様に構成されている。電波吸収体１ａの構成要素と同一又は対応する電波吸収体１ｂ、１ｃ、１ｄ、及び１ｅの構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。電波吸収体１ａに関する説明は、技術的に矛盾しない限り電波吸収体１ｂ、１ｃ、１ｄ、及び１ｅにも当てはまる。
【0055】
図３Ａに示す通り、電波吸収体１ｂは、粘着層４０ａをさらに備えている。電波吸収体１ｂにおいて、導電体３０は、誘電体層２０と粘着層４０ａとの間に配置されている。一方、図３Ｂに示す通り、電波吸収体１ｃは、粘着層４０ａ及び導電体保護層３５をさらに備えている。導電体３０は、誘電体層２０と粘着層４０ａとの間に配置されている。加えて、導電体保護層３５は、導電体３０と粘着層４０ａとの間に配置されている。
【0056】
例えば、所定の物品に粘着層４０ａを接触させて電波吸収体１ｂ又は１ｃを押し当てることによって、電波吸収体１ｂ又は１ｃを物品に貼り付けることができる。これにより、電波吸収体付物品を得ることができる。
【0057】
粘着層４０ａは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。電波吸収体１ｂは、セパレータ（図示省略）をさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、粘着層４０ａを覆っている。セパレータは、典型的には、粘着層４０ａを覆っているときに粘着層４０ａの粘着力を保つことができ、かつ、粘着層４０ａから容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ＰＥＴ等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって粘着層４０ａが露出し、電波吸収体１ｂ又は１ｃを物品に貼り付けることができる。
【0058】
電波吸収体１ｃにおいて、導電体保護層３５の材料として、例えば、第二層２２の材料として例示された材料を使用できる。導電体保護層３５により、粘着層４０ａに含まれる成分が導電体３０と接触することを防止できる。その結果、導電体３０の耐久性を高めやすい。
【0059】
電波吸収体において、誘電体層２０は、導電体３０に対して粘着性を有していてもよい。例えば、図４Ａに示す通り、電波吸収体１ｄにおいて、誘電体層２０は、粘着層４０ｂを含む複数の層を有する。粘着層４０ｂは、導電体３０に接触している。粘着層４０ｂは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。粘着層４０ｂは、例えば、第一層２１と導電体３０との間に配置されている。
【0060】
図４Ａに示す通り、誘電体層２０は、粘着層４０ｃをさらに備えている。粘着層４０ｃは、例えば、第二層２２と接触している。粘着層４０ｃがインピーダンス整合膜１０と接触するように電波吸収体１ｄが変更されてもよい。粘着層４０ｃは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。粘着層４０ｃは、例えば、第一層２１と第二層２２との間に配置されている。
【0061】
電波吸収体１ｅは、例えば、図４Ｂに示す、電波吸収体用積層体５０ａを用いて作製されうる。電波吸収体用積層体５０ａは、インピーダンス整合膜１０と、誘電体層２０とを備える。誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０の厚み方向においてインピーダンス整合膜１０に接触して配置されている。
【0062】
電波吸収体用積層体５０ａによれば、誘電体層２０は、例えば、インピーダンス整合膜
１０から離れた主面において、粘着性を有する。この場合、例えば、導電体３０に誘電体層２０を接触させ、電波吸収体用積層体５０ａを導電体３０に押し当てることによって、電波吸収体用積層体５０ａが導電体３０に貼り付き、電波吸収体１ｅを作製できる。
１０から離れた主面において、粘着性を有する。この場合、例えば、導電体３０に誘電体層２０を接触させ、電波吸収体用積層体５０ａを導電体３０に押し当てることによって、電波吸収体用積層体５０ａが導電体３０に貼り付き、電波吸収体１ｅを作製できる。
【0063】
図４Ｂに示す通り、電波吸収体用積層体５０ａにおいて、誘電体層２０は、例えば、粘着層４０ｂを含む複数の層を有する。粘着層４０ｂは、誘電体層２０をなす複数の層においてインピーダンス整合膜１０から最も離れて配置されている。
【0064】
電波吸収体用積層体５０ａは、セパレータ（図示省略）をさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、粘着層４０ｂを覆っている。セパレータは、典型的には、粘着層４０ｂを覆っているときに粘着層４０ｂの粘着力を保つことができ、かつ、粘着層４０ｂから容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ＰＥＴ等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって粘着層４０ｂが露出し、電波吸収体用積層体５０ａを導電体３０に貼り付けることができる。
【0065】
図５Ａに示す通り、電波吸収体１ｅにおいて、第一層２１は、導電体３０に接触している。第一層２１は、例えば、導電体３０に対して粘着性を有する。第一層２１は、例えば、第二層２２に接触している。第一層２１は、例えば、第二層２２に対して粘着性を有する。第一層２１がインピーダンス整合膜１０と接触するように電波吸収体１ｅが変更されてもよい。この場合、第一層２１は、例えば、インピーダンス整合膜１０に対して粘着性を有する。
【0066】
電波吸収体１ｅは、例えば、図５Ｂに示す、電波吸収体用積層体５０ｂを用いて作製されうる。電波吸収体用積層体５０ｂは、インピーダンス整合膜１０と、誘電体層２０とを備える。誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０の厚み方向においてインピーダンス整合膜１０に接触して配置されている。
【0067】
電波吸収体用積層体５０ｂにおいて、誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０から離れた主面において、粘着性を有する。例えば、第一層２１が粘着性を有する。例えば、導電体３０に第一層２１を接触させて電波吸収体用積層体５０ｂを導電体３０に押し当てることによって、電波吸収体用積層体５０ｂが導電体３０に貼り付き、電波吸収体１ｅを作製できる。
【0068】
電波吸収体用積層体５０ｂは、セパレータ（図示省略）をさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面を覆っている。セパレータは、典型的には、誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面を覆っているときに誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面の粘着力を保つことができ、かつ、誘電体層２０から容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ＰＥＴ等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面が露出し、電波吸収体用積層体５０ｂを導電体３０に貼り付けることができる。
【0069】
電波吸収体用積層体は、インピーダンス整合膜１０と、誘電体層２０とを備え、かつ、インピーダンス整合膜１０の厚み方向において誘電体層２０がインピーダンス整合膜１０に接触して配置されている限り、特定の構成に限定されない。
【実施例0070】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。まず、実施例及び比較例に関する評価方法について説明する。
【0071】
［Ｘ線回折］
Ｘ線回折装置（リガク社製、製品名：ＲＩＮＴ２２００）を用いて、Ｘ線反射率法によって、各実施例及び比較例に係る抵抗膜付フィルムの抵抗膜の厚みを測定した。結果を表１に示す。また、Ｘ線回折装置を用いて抵抗膜に対するＸ線回折パターンを得た。Ｘ線としてはＣｕ‐Ｋα線を用いた。得られたＸ線回折パターンから、各実施例及び比較例において抵抗膜は、アモルファス構造を有することが確認された。
Ｘ線回折装置（リガク社製、製品名：ＲＩＮＴ２２００）を用いて、Ｘ線反射率法によって、各実施例及び比較例に係る抵抗膜付フィルムの抵抗膜の厚みを測定した。結果を表１に示す。また、Ｘ線回折装置を用いて抵抗膜に対するＸ線回折パターンを得た。Ｘ線としてはＣｕ‐Ｋα線を用いた。得られたＸ線回折パターンから、各実施例及び比較例において抵抗膜は、アモルファス構造を有することが確認された。
【0072】
［Ｈａｌｌ移動度］
Ｈａｌｌ効果測定装置（ナノメトリクス社製、製品名：ＨＬ５５００ＰＣ）を用いて、各実施例及び比較例に係る抵抗膜について、van der Pauw法に従ってＨａｌｌ効果測定を行った。Ｈａｌｌ効果測定の結果から、各実施例及び比較例に係る抵抗膜のＨａｌｌ移動度を求めた。結果を表１に示す。なお、Ｈａｌｌ効果測定は、下記の信頼性試験及び耐酸性試験を未実施のサンプルに対して行った。
Ｈａｌｌ効果測定装置（ナノメトリクス社製、製品名：ＨＬ５５００ＰＣ）を用いて、各実施例及び比較例に係る抵抗膜について、van der Pauw法に従ってＨａｌｌ効果測定を行った。Ｈａｌｌ効果測定の結果から、各実施例及び比較例に係る抵抗膜のＨａｌｌ移動度を求めた。結果を表１に示す。なお、Ｈａｌｌ効果測定は、下記の信頼性試験及び耐酸性試験を未実施のサンプルに対して行った。
【0073】
［比抵抗］
非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ－８０ＭＡＰ）を用いて、JIS Z 2316に準拠して、渦電流測定法によって各実施例及び比較例に係る抵抗膜の初期のシート抵抗を測定した。各実施例及び比較例において、上記のように測定した抵抗膜の厚みと、上記のように測定した抵抗膜の初期のシート抵抗から、両者の積を求めることにより、比抵抗を決定した。結果を表１に示す。なお、各実施例及び比較例に係る抵抗膜の初期のシート抵抗は、後述の導電体付フィルムを重ねる前の、抵抗膜付フィルムとアクリル樹脂層との積層体を用いて測定した。
非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ－８０ＭＡＰ）を用いて、JIS Z 2316に準拠して、渦電流測定法によって各実施例及び比較例に係る抵抗膜の初期のシート抵抗を測定した。各実施例及び比較例において、上記のように測定した抵抗膜の厚みと、上記のように測定した抵抗膜の初期のシート抵抗から、両者の積を求めることにより、比抵抗を決定した。結果を表１に示す。なお、各実施例及び比較例に係る抵抗膜の初期のシート抵抗は、後述の導電体付フィルムを重ねる前の、抵抗膜付フィルムとアクリル樹脂層との積層体を用いて測定した。
【0074】
［信頼性試験］
各実施例に係る電波吸収体を１２５℃の環境に１０００時間曝して信頼性試験を実施した。各実施例に係る電波吸収体に対し、信頼性試験の前後において、JIS R 1679:2007に
準拠して、垂直に入射する７６ＧＨｚのミリ波に対する電波吸収体の反射減衰量（入射波の電力に対する反射波の電力の比をｄＢ表記した値の絶対値）を測定した。なお、本明細書における「反射減衰量」は、JIS R 1679:2007における「反射量」に対応する。比較例
に係る電波吸収体に対し、信頼性試験は実施せずに、JIS R 1679:2007に準拠して、垂直
に入射する７６ＧＨｚのミリ波に対する電波吸収体の反射減衰量を測定した。各実施例及び比較例について、５つのサンプルに対し反射減衰量を測定して求めた平均値から下記の基準に従って各実施例及び比較例に係る電波吸収体の反射減衰量を評価した。結果を表１に示す。なお、比較例に係る電波吸収体については信頼性試験を実施しなかったので、信頼性試験後の反射減衰量の評価の欄を［－］と表記した。
ＡＡ：反射減衰量の平均値が２０ｄＢ以上である。
Ａ：反射減衰量の平均値が１０ｄｂ以上２０ｄＢ未満である。
Ｘ：反射減衰量の平均値が１０ｄＢ未満である。
各実施例に係る電波吸収体を１２５℃の環境に１０００時間曝して信頼性試験を実施した。各実施例に係る電波吸収体に対し、信頼性試験の前後において、JIS R 1679:2007に
準拠して、垂直に入射する７６ＧＨｚのミリ波に対する電波吸収体の反射減衰量（入射波の電力に対する反射波の電力の比をｄＢ表記した値の絶対値）を測定した。なお、本明細書における「反射減衰量」は、JIS R 1679:2007における「反射量」に対応する。比較例
に係る電波吸収体に対し、信頼性試験は実施せずに、JIS R 1679:2007に準拠して、垂直
に入射する７６ＧＨｚのミリ波に対する電波吸収体の反射減衰量を測定した。各実施例及び比較例について、５つのサンプルに対し反射減衰量を測定して求めた平均値から下記の基準に従って各実施例及び比較例に係る電波吸収体の反射減衰量を評価した。結果を表１に示す。なお、比較例に係る電波吸収体については信頼性試験を実施しなかったので、信頼性試験後の反射減衰量の評価の欄を［－］と表記した。
ＡＡ：反射減衰量の平均値が２０ｄＢ以上である。
Ａ：反射減衰量の平均値が１０ｄｂ以上２０ｄＢ未満である。
Ｘ：反射減衰量の平均値が１０ｄＢ未満である。
【0075】
上記の信頼性試験を行った後に、各実施例に係る電波吸収体のサンプルから導電体付フィルムを剥離して試料を作製した。その後、非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ－８０ＭＡＰ）を用いて、JIS Z 2316に準拠して、渦電流測定法によってこの試料の抵抗膜のシート抵抗を測定した。この測定結果と、初期のシート抵抗の測定結果とから、上記の式（１）に基づき、各実施例に係る抵抗膜のシート抵抗変化率ΔＳｈを求めた。結果を表１に示す。なお、比較例に係る電波吸収体については信頼性試験を実施しなかったので、シート抵抗変化率ΔＳｈの欄を［－］と表記した。
【0076】
［耐酸性試験］
各実施例に係る抵抗膜付フィルムを３０ｍｍ平方に切り取った切片をスライドガラスに粘着テープで貼り付け、耐酸性試験用のサンプルを準備した。各実施例に係るサンプルを
０．５モル／リットル又は１．０モル／リットルの濃度を有する塩酸に２分間浸漬した。各実施例に係るサンプルにおいて、浸漬後の切片をスライドガラスから剥がした。その後、非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ－８０ＭＡＰ）を用いて、JIS Z 2316に準拠して、渦電流測定法によって各実施例に係るサンプルの抵抗膜のシート抵抗を測定した。この測定結果と、初期のシート抵抗の測定結果とから、上記の式（２）に基づき、各実施例に係る抵抗膜のシート抵抗変化率ΔＳｃを求めた。結果を表１に示す。なお、比較例に係る抵抗膜については、耐酸性試験は実施しなかったので、シート抵抗変化率ΔＳｃの欄を［－］と表記した。
各実施例に係る抵抗膜付フィルムを３０ｍｍ平方に切り取った切片をスライドガラスに粘着テープで貼り付け、耐酸性試験用のサンプルを準備した。各実施例に係るサンプルを
０．５モル／リットル又は１．０モル／リットルの濃度を有する塩酸に２分間浸漬した。各実施例に係るサンプルにおいて、浸漬後の切片をスライドガラスから剥がした。その後、非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ－８０ＭＡＰ）を用いて、JIS Z 2316に準拠して、渦電流測定法によって各実施例に係るサンプルの抵抗膜のシート抵抗を測定した。この測定結果と、初期のシート抵抗の測定結果とから、上記の式（２）に基づき、各実施例に係る抵抗膜のシート抵抗変化率ΔＳｃを求めた。結果を表１に示す。なお、比較例に係る抵抗膜については、耐酸性試験は実施しなかったので、シート抵抗変化率ΔＳｃの欄を［－］と表記した。
【0077】
＜実施例１＞
ＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、製品名：ダイアホイル、厚み：２３μｍ）の上に、３０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用い、アルゴンガス及び
酸素ガスを含む混合ガスを供給しながらスパッタリングを行い、実施例１に係る抵抗膜を形成した。このようにして、実施例１に係る抵抗膜付フィルム得た。スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが４４ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量
に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、０．７％であった。２５μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムと、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔とが積層された導電体付フィルムを準備した。２．６の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに成形して、アクリル樹脂層を得た。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの抵抗膜がアクリル樹脂層に接触するように実施例１に係る抵抗膜付フィルムをアクリル樹脂層に重ねた。その後、導電体付フィルムのＰＥＴフィルムがアクリル樹脂層に接触するように導電体付フィルムをアクリル樹脂層にさらに重ねた。このようにして、実施例１に係る電波吸収体を得た。実施例１に係る電波吸収体は、図２Ｂに示す電波吸収体１ａに対応する構成を有していた。アクリル樹脂層は、抵抗膜付フィルムの抵抗膜及び導電体付フィルムのＰＥＴフィルムに対し粘着性を有しており、抵抗膜付フィルム及び導電体付フィルムは、粘着剤を使用せずにアクリル樹脂層に接着した。
ＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、製品名：ダイアホイル、厚み：２３μｍ）の上に、３０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用い、アルゴンガス及び
酸素ガスを含む混合ガスを供給しながらスパッタリングを行い、実施例１に係る抵抗膜を形成した。このようにして、実施例１に係る抵抗膜付フィルム得た。スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが４４ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量
に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、０．７％であった。２５μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムと、７μｍの厚みを有するアルミニウム箔とが積層された導電体付フィルムを準備した。２．６の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに成形して、アクリル樹脂層を得た。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの抵抗膜がアクリル樹脂層に接触するように実施例１に係る抵抗膜付フィルムをアクリル樹脂層に重ねた。その後、導電体付フィルムのＰＥＴフィルムがアクリル樹脂層に接触するように導電体付フィルムをアクリル樹脂層にさらに重ねた。このようにして、実施例１に係る電波吸収体を得た。実施例１に係る電波吸収体は、図２Ｂに示す電波吸収体１ａに対応する構成を有していた。アクリル樹脂層は、抵抗膜付フィルムの抵抗膜及び導電体付フィルムのＰＥＴフィルムに対し粘着性を有しており、抵抗膜付フィルム及び導電体付フィルムは、粘着剤を使用せずにアクリル樹脂層に接着した。
【0078】
＜実施例２＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例２に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが１９ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４１６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、
混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例２に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例２に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例２に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが１９ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４１６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、
混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例２に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例２に係る電波吸収体を得た。
【0079】
＜実施例３＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例３に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３１８Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４６ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、
混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例３に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例３に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例３に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３１８Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４６ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、
混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例３に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例３に係る電波吸収体を得た。
【0080】
＜実施例４＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例４に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが９０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４５６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）である
ように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例４に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例４に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例４に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが９０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４５６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が８ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）である
ように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例４に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例４に係る電波吸収体を得た。
【0081】
＜実施例５＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例５に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが３６ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３６１Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２３ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例５に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例５に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例５に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが３６ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３６１Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２３ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例５に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例５に係る電波吸収体を得た。
【0082】
＜実施例６＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例６に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２６ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８５Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、４．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例６に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例６に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例６に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２６ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８５Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、４．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例６に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例６に係る電波吸収体を得た。
【0083】
＜実施例７＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例７に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、２０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが５０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３９６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、０．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例７に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例７に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例７に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、２０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが５０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３９６Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、０．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例７に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例７に係る電波吸収体を得た。
【0084】
＜実施例８＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例８に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、２０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３７３Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例８に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例８に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例８に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、２０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３７３Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例８に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例８に係る電波吸収体を得た。
【0085】
＜実施例９＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例９に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、２０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３６０Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３９ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、４．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例９に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例９に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例９に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、２０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３６０Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３９ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、４．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例９に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例９に係る電波吸収体を得た。
【0086】
＜実施例１０＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１０に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、７０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用い
た。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが５２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３６５Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）で
あるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１０に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１０に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１０に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、７０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用い
た。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが５２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３６５Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）で
あるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１０に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１０に係る電波吸収体を得た。
【0087】
＜実施例１１＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１１に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、７０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用い
た。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが４５ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３７８Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）で
あるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、５．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１１に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１１に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１１に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、７０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用い
た。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが４５ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３７８Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）で
あるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、５．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１１に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１１に係る電波吸収体を得た。
【0088】
＜実施例１２＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１２に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、３０重量％のＳｎＯ2及び２．５重量％のＳｉ
Ｏ2を含有している、ＳｉＯ2が添加されたＩＴＯを用いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが４２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８１Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量
に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１２に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１２に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１２に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、３０重量％のＳｎＯ2及び２．５重量％のＳｉ
Ｏ2を含有している、ＳｉＯ2が添加されたＩＴＯを用いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが４２ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８１Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が２１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量
に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１２に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１２に係る電波吸収体を得た。
【0089】
＜実施例１３＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１３に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、１５重量％のＳｎＯ2及び５重量％のＳｉＯ2を含有している、ＳｉＯ2が添加されたＩＴＯを用いた。加えて、スパッタリングにおいて
、抵抗膜の厚みが８７ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４０２Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１７ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量に対
する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１３に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１３に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１３に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、１５重量％のＳｎＯ2及び５重量％のＳｉＯ2を含有している、ＳｉＯ2が添加されたＩＴＯを用いた。加えて、スパッタリングにおいて
、抵抗膜の厚みが８７ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４０２Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１７ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量に対
する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．７％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１３に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１３に係る電波吸収体を得た。
【0090】
＜実施例１４＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１４に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、１５重量％のＳｎＯ2及び５重量％のＴｉＯ2を含有している、ＴｉＯ2が添加されたＩＴＯを用いた。加えて、スパッタリングにおいて
、抵抗膜の厚みが９８ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４４９Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量に対
する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１４に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１４に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例１４に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、１５重量％のＳｎＯ2及び５重量％のＴｉＯ2を含有している、ＴｉＯ2が添加されたＩＴＯを用いた。加えて、スパッタリングにおいて
、抵抗膜の厚みが９８ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４４９Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が１５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であるように、混合ガスの体積流量に対
する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、実施例１４に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１４に係る電波吸収体を得た。
【0091】
＜比較例１＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例１に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが１００ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が９９０Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、１．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例１に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例１に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例１に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いた
。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが１００ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が９９０Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）であ
るように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、１．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例１に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例１に係る電波吸収体を得た。
【0092】
＜比較例２＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例２に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、１５重量％のＳｎＯ2を含有しているＩＴＯを用
いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが１０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４００Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）
であるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例２に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例２に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例２に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、１５重量％のＳｎＯ2を含有しているＩＴＯを用
いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが１０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が４００Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が３１ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）
であるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、２．０％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例２に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例２に係る電波吸収体を得た。
【0093】
＜比較例３＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例３に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有しているＩＴＯを用
いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２１０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８１Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）
であるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、１．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例３に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例３に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例３に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、５０重量％のＳｎＯ2を含有しているＩＴＯを用
いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが２１０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３８１Ω／□であり、抵抗膜のＨａｌｌ移動度が４ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）
であるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、１．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例３に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例３に係る電波吸収体を得た。
【0094】
＜比較例４＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例４に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、９０重量％のＳｎＯ2を含有しているＩＴＯを用
いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが５８０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３９７Ω／□であるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例４に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例４に係る電波吸収体を得た。
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例４に係る抵抗膜付フィルムを作製した。スパッタリングのターゲット材として、９０重量％のＳｎＯ2を含有しているＩＴＯを用
いた。加えて、スパッタリングにおいて、抵抗膜の厚みが５８０ｎｍであり、抵抗膜の初期のシート抵抗が３９７Ω／□であるように、混合ガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比を調整した。アルゴンガスの体積流量に対する酸素ガスの体積流量の比は、３．３％であった。実施例１に係る抵抗膜付フィルムの代わりに、比較例４に係る抵抗膜付フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、比較例４に係る電波吸収体を得た。
【0095】
表１に示す通り、実施例１～１４に係る電波吸収体は、信頼性試験の前後において良好
な電波吸収性能を発揮できた。加えて、実施例１～６、８、１０～１４に係る抵抗膜付フィルムにおいて、ΔＳｈは、２０％以下であった。一方、比較例１～４に係る電波吸収体は、良好な電波吸収性能を発揮できなかった。アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含む抵抗膜が５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ
移動度を有し、かつ、１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有することにより、抵抗膜が高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保ちやすいことが示唆された。実施例１～６及び実施例１０～１２に係る抵抗膜付フィルムにおいて、ΔＳｃは１０％以下であり、これらの実施例に係る抵抗膜が所望の耐酸性を有することが示唆された。
な電波吸収性能を発揮できた。加えて、実施例１～６、８、１０～１４に係る抵抗膜付フィルムにおいて、ΔＳｈは、２０％以下であった。一方、比較例１～４に係る電波吸収体は、良好な電波吸収性能を発揮できなかった。アモルファス構造を有する酸化インジウムと酸化スズとの混合物を主成分として含む抵抗膜が５ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上のＨａｌｌ
移動度を有し、かつ、１６ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満の厚みを有することにより、抵抗膜が高温環境に長期間曝されたときにインピーダンス整合の観点から所望の特性を保ちやすいことが示唆された。実施例１～６及び実施例１０～１２に係る抵抗膜付フィルムにおいて、ΔＳｃは１０％以下であり、これらの実施例に係る抵抗膜が所望の耐酸性を有することが示唆された。
【0096】
【表1】
【符号の説明】
【0097】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ 電波吸収体
１０ 電波吸収体用インピーダンス整合膜
１５ 電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム
２０ 誘電体層
３０ 導電体
３５ 導電体保護層
４０ｂ 粘着層
５０ａ、５０ｂ 電波吸収体用積層体
１０ 電波吸収体用インピーダンス整合膜
１５ 電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム
２０ 誘電体層
３０ 導電体
３５ 導電体保護層
４０ｂ 粘着層
５０ａ、５０ｂ 電波吸収体用積層体
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】