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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024040628
(43)【公開日】2024-03-26
(54)【発明の名称】電気光学装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1368 20060101AFI20240318BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240318BHJP
G02F 1/1335 20060101ALI20240318BHJP
G02F 1/13 20060101ALI20240318BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1368
G09F9/30 338
G02F1/1335
G02F1/13 505
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022145095
(22)【出願日】2022-09-13
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】吉井 栄仁
【テーマコード（参考）】
2H088
2H192
2H291
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H088EA14
2H088HA02
2H088HA08
2H088HA14
2H088HA25
2H088MA06
2H088MA20
2H192AA24
2H192BC42
2H192CB02
2H192CB08
2H192CB34
2H192CB53
2H192DA15
2H192EA04
2H192EA13
2H192EA15
2H192EA66
2H192FB03
2H192FB05
2H192FB33
2H192JB02
2H291FA13Y
2H291FA56Y
2H291FA62Y
2H291FA64Y
2H291GA10
2H291GA19
2H291LA31
2H291LA40
2H291MA13
5C094AA31
5C094BA03
5C094BA43
5C094CA19
5C094DB01
5C094ED01
5C094FA02
5C094HA02
5C094HA04
5C094HA05
5C094HA08
(57)【要約】
【課題】レンズの光学性能および画素電極とトランジスターとの間の電気的接続の信頼性を両立する電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置３００は、トランジスター１と、トランジスター１に対応して設けられた画素電極１０と、トランジスター１と画素電極１０との間の層に設けられたレンズ層３４と、トランジスター１とレンズ層３４との間の層に設けられた中継層３０と、中継層３０と画素電極１０とを電気的に接続するためのコンタクトプラグ３１と、を備え、コンタクトプラグ３１は、一部が中継層３０内に設けられている。
【選択図】図６
【解決手段】液晶装置３００は、トランジスター１と、トランジスター１に対応して設けられた画素電極１０と、トランジスター１と画素電極１０との間の層に設けられたレンズ層３４と、トランジスター１とレンズ層３４との間の層に設けられた中継層３０と、中継層３０と画素電極１０とを電気的に接続するためのコンタクトプラグ３１と、を備え、コンタクトプラグ３１は、一部が中継層３０内に設けられている。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
トランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、
前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１中継層と、
前記第１中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第１接続部材と、を備え、
前記第１接続部材は、一部が前記第１中継層内に設けられている、
電気光学装置。
前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、
前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１中継層と、
前記第１中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第１接続部材と、を備え、
前記第１接続部材は、一部が前記第１中継層内に設けられている、
電気光学装置。
【請求項2】
前記第１中継層と前記レンズ層との間の層に設けられた第１透光層を備え、
前記第１接続部材は、前記レンズ層及び前記第１透光層を貫通する第１コンタクトホール内に設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第１接続部材は、前記レンズ層及び前記第１透光層を貫通する第１コンタクトホール内に設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記レンズ層と前記画素電極との間の層に、前記第１透光層よりも厚みの薄い第２透光層と、
前記レンズ層と前記第２透光層との間の層に設けられた第２中継層と、
前記第２中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第２接続部材と、を備え、
前記第２接続部材は、平面視において前記第１接続部材と重ならないように設けられている、
請求項２に記載の電気光学装置。
前記レンズ層と前記第２透光層との間の層に設けられた第２中継層と、
前記第２中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第２接続部材と、を備え、
前記第２接続部材は、平面視において前記第１接続部材と重ならないように設けられている、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記第２接続部材は、前記第２透光層を貫通する第２コンタクトホール内に設けられている、
請求項３に記載の電気光学装置。
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項5】
平面視において前記トランジスターの半導体層と重なる幅広部を有する遮光層と、
前記遮光層と前記第１中継層とを電気的に接続するための第３接続部材と、を備え、
前記第３接続部材は、平面視において前記第１接続部材と重なる位置に設けられている、
請求項３に記載の電気光学装置。
前記遮光層と前記第１中継層とを電気的に接続するための第３接続部材と、を備え、
前記第３接続部材は、平面視において前記第１接続部材と重なる位置に設けられている、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項6】
前記第１中継層と前記遮光層との間の層に第３透光層を備え、
前記第３接続部材は、前記第３透光層を貫通する第３コンタクトホール内に設けられている、
請求項５に記載の電気光学装置。
前記第３接続部材は、前記第３透光層を貫通する第３コンタクトホール内に設けられている、
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項7】
前記第３接続部材の前記第１中継層側の面積は、前記第１接続部材の前記第１中継層側の面積よりも大きい、
請求項５に記載の電気光学装置。
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項8】
前記画素電極が設けられた表示領域の外側に、前記第１中継層と同一層に設けられた第１導電層と、
前記画素電極と同一層に設けられた透明導電層と、
前記第１接続部材と同一層に、前記透明導電層と前記第１導電層とを電気的に接続する第４接続部材と、を有する端子を備える、
請求項２に記載の電気光学装置。
前記画素電極と同一層に設けられた透明導電層と、
前記第１接続部材と同一層に、前記透明導電層と前記第１導電層とを電気的に接続する第４接続部材と、を有する端子を備える、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項9】
前記透明導電層と前記第１導電層との間に、前記レンズ層と同一層に設けられた層間絶縁層を備え、
前記第４接続部材は、前記層間絶縁層を貫通する第４コンタクトホール内に設けられている、
請求項８に記載の電気光学装置。
前記第４接続部材は、前記層間絶縁層を貫通する第４コンタクトホール内に設けられている、
請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項10】
前記第１コンタクトホールが貫通する前記レンズ層の厚みは、前記第４コンタクトホールが貫通する前記層間絶縁層の厚みよりも小さい、
請求項９に記載の電気光学装置。
請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項11】
前記第１接続部材は、前記第１中継層を貫通して設けられており、前記第４接続部材は一部が前記第１導電層内に設けられている、
請求項８に記載の電気光学装置。
請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項12】
前記レンズ層と前記画素電極との間の層に、前記第１透光層よりも厚みの薄い第２透光層と、
前記レンズ層と前記第２透光層との間の層に設けられた第２中継層と、
前記第２中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第２接続部材と、を備え、
前記第２接続部材は、平面視において前記第１接続部材と一部が重なるように設けられている、
請求項２に記載の電気光学装置。
前記レンズ層と前記第２透光層との間の層に設けられた第２中継層と、
前記第２中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第２接続部材と、を備え、
前記第２接続部材は、平面視において前記第１接続部材と一部が重なるように設けられている、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項13】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置および当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
素子基板の基板本体上に形成された画素電極と、画素電極と基板との間に形成されたスイッチング素子と、画素電極とスイッチング素子との間に形成されたレンズを備えた電気光学装置が、特許文献１に記載されている。
特許文献１のものでは、画素電極とスイッチング素子との間を電気的に接続するコンタクトホールの深さが、レンズ用凹面の深さよりも浅い。
特許文献１のものでは、画素電極とスイッチング素子との間を電気的に接続するコンタクトホールの深さが、レンズ用凹面の深さよりも浅い。
【0003】
この構成は、コンタクトホールのアスペクト比が大きくなって、電気的接続の信頼性が低下しないようにしたもので、そのために、コンタクトホールを中継する中継電極は、隣り合うレンズの間において、レンズ用凹面の底よりも浅い位置に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－１３９２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本出願人は、発明者等による実験、試作等により、中継電極を、隣り合うレンズの間において、レンズ用凹面の底よりも浅い位置に形成すると、レンズの光学性能に影響を及ぼすおそれがある、という知見を得るに至った。
本発明は、例えば、上述した知見に鑑みなされたものであり、レンズの光学性能および画素電極とスイッチング素子との間の電気的接続の信頼性を両立できる電気光学装置を提供することを課題とする。
本発明は、例えば、上述した知見に鑑みなされたものであり、レンズの光学性能および画素電極とスイッチング素子との間の電気的接続の信頼性を両立できる電気光学装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本願の一態様に係る電気光学装置は、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１中継層と、前記第１中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第１接続部材と、を備え、前記第１接続部材は、一部が前記第１中継層内に設けられている。
【0007】
本願の一態様に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施形態１に係る電気光学装置の平面図。
【図3】素子基板の電気的な構成を示す等価回路図。
【図4】素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図。
【図5】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図7】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図8】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図9】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図10】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図11】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図12】素子基板の外側領域の断面構造を示す説明図。
【図13】素子基板の外側領域の一部を示す平面図。
【図15】実施形態２に係る素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図16】実施形態３に係る電子機器の一例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
【0010】
さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。また、ある構成の上面との記載は、当該構成のＺ１方向側の面、例えば「透光層の上面」は透光層のＺ１方向側の面、を示すものとする。また、ある構成の底面との記載は、当該構成のＺ２方向側の面、例えば「コンタクトプラグの底面」はコンタクトプラグのＺ２方向側の面、を示すものとする。
【0011】
１．実施形態１
本実施形態では、電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。
本実施形態では、電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。
【0012】
１．１．液晶装置の構造の概要
本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置の構造について、図１と図２とを参照して説明する。図１は、実施形態１に係る電気光学装置の平面図を示し、電気光学装置として透過型の液晶装置３００の概略的な平面構成を示す。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図であり、液晶装置３００の概略的な断面構成を示す。
本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置の構造について、図１と図２とを参照して説明する。図１は、実施形態１に係る電気光学装置の平面図を示し、電気光学装置として透過型の液晶装置３００の概略的な平面構成を示す。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図であり、液晶装置３００の概略的な断面構成を示す。
【0013】
図１および図２に示すように、液晶装置３００は、透光性を有する素子基板１００と、透光性を有する対向基板２００と、枠状のシール部材８と、液晶層Ｌｃとを有する。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。
【0014】
液晶装置３００は、画像を表示する表示領域Ａ１と、平面視において表示領域Ａ１の外側に位置する外側領域Ａ２とを有する。表示領域Ａ１には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。なお、図１に示す液晶装置３００の形状は、四角形であるが、例えば円形であってもよい。
【0015】
図２に示すように、素子基板１００と対向基板２００とは、液晶層Ｌｃを介して配置される。
本実施形態では、液晶層Ｌｃの光入射側に、対向基板２００が配置され、液晶層Ｌｃの光出射側に、素子基板１００が配置される。対向基板２００に入射した入射光ＩＬは、液晶層Ｌｃで変調されて、変調光ＭＬとして素子基板１００から射出される。
本実施形態では、液晶層Ｌｃの光入射側に、対向基板２００が配置され、液晶層Ｌｃの光出射側に、素子基板１００が配置される。対向基板２００に入射した入射光ＩＬは、液晶層Ｌｃで変調されて、変調光ＭＬとして素子基板１００から射出される。
【0016】
素子基板１００は、基体９０と層間絶縁層８２を含む複数の層間絶縁層と画素電極１０と配向膜１２とを有する。また、図示しないが、画素電極１０と層間絶縁層８２との間には、後述するレンズ層３４が設けられる。
【0017】
基体９０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体９０は、例えばガラス基板または石英基板である。複数の層間絶縁層の層間には、後述のトランジスター１が配置される。
画素電極１０は、透光性を有する。画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。
画素電極１０の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。配向膜１２は、透光性および絶縁性を有する。配向膜１２は、液晶層Ｌｃの液晶分子を配向させる。配向膜１２の材料としては、例えば酸化ケイ素またはポリイミドが挙げられる。
画素電極１０は、透光性を有する。画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。
画素電極１０の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。配向膜１２は、透光性および絶縁性を有する。配向膜１２は、液晶層Ｌｃの液晶分子を配向させる。配向膜１２の材料としては、例えば酸化ケイ素またはポリイミドが挙げられる。
【0018】
対向基板２００は、素子基板１００に対向して配置される基板である。対向基板２００は、基体２１０と絶縁層２２０と共通電極２３０と配向膜２４０とを有する。
【0019】
基体２１０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体２１０は、例えばガラス基板または石英基板である。絶縁層２２０は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２２０の材料は、例えば酸化ケイ素等の無機材料である。共通電極２３０は、複数の画素電極１０に対向して配置される電極であり、対向電極と言い換えられる。共通電極２３０は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。共通電極２３０と画素電極１０とは、液晶層Ｌｃに電界を印加する。配向膜２４０は、透光性および絶縁性を有する。
【0020】
シール部材８は、素子基板１００と対向基板２００との間に配置される。シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。
【0021】
液晶層Ｌｃは、素子基板１００、対向基板２００およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。液晶層Ｌｃは、複数の画素電極１０と共通電極２３０との間に配置される。液晶層Ｌｃは、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層Ｌｃは、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層Ｌｃに印加される電界に応じて変化する。液晶層Ｌｃは、印加される電界に応じて入射光ＩＬを変調する。
【0022】
図１に示すように、素子基板１００の外側領域Ａ２には、複数の走査線駆動回路６とデータ線駆動回路７と複数の外部端子９とが配置される。複数の外部端子９の一部は、図示しない配線を介して走査線駆動回路６またはデータ線駆動回路７に接続される。また、複数の外部端子９は、外部から共通電位が印加される端子を含む。
【0023】
１．２．素子基板の電気的な構成
図３は、素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、素子基板１００の表示領域Ａ１には、スイッチング素子としての複数のトランジスター１、ｎ本の走査線３、ｍ本のデータ線４、およびｎ本の容量線５が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４との各交差に対応してトランジスター１が配置される。
図３は、素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、素子基板１００の表示領域Ａ１には、スイッチング素子としての複数のトランジスター１、ｎ本の走査線３、ｍ本のデータ線４、およびｎ本の容量線５が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４との各交差に対応してトランジスター１が配置される。
【0024】
ｎ本の走査線３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線３のそれぞれは、対応する複数のトランジスター１のゲート電極に電気的に接続される。ｎ本の走査線３は、図１に示す走査線駆動回路６に電気的に接続される。図３に示すように、１～ｎ本の走査線３には、走査線駆動回路６から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。
【0025】
ｍ本のデータ線４のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本のデータ線４はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線４のそれぞれは、対応する複数のトランジスター１のソース領域に電気的に接続される。ｍ本のデータ線４は、図１に示すデータ線駆動回路７に電気的に接続される。図３に示すように、１～ｍ本のデータ線４には、データ線駆動回路７から画像信号Ｅ１、Ｅ２、…、およびＥｍが並行に供給される。
【0026】
ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視において格子状に配置される。隣り合う２つの走査線３と隣り合う２つのデータ線４とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。
画素Ｐ毎に画素電極１０が設けられる。画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。
画素Ｐ毎に画素電極１０が設けられる。画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。
【0027】
ｎ本の容量線５のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｎ本の容量線５はＸ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線５は、ｍ本のデータ線４およびｎ本の走査線３に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各容量線５には、共通電位またはグランド電位等の固定電位が印加される。
【0028】
補助容量２の一方の電極は、容量線５が電気的に接続される。補助容量２の他方の電極は、画素電極１０に電気的に接続され、画素電極１０に供給される画像信号の電位を保持する。
【0029】
１．３．素子基板の表示領域の断面構造
図４は、素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図であり、表示領域Ａ１に設けられた画素Ｐの断面構造を示す。
図４に示すように、表示領域Ａ１において、素子基板１００は、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０のＺ１方向に積層された、断面構造を有する。
図４は、素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図であり、表示領域Ａ１に設けられた画素Ｐの断面構造を示す。
図４に示すように、表示領域Ａ１において、素子基板１００は、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０のＺ１方向に積層された、断面構造を有する。
【0030】
基体９０と層間絶縁層８２との間には、遮光層８０が配置される。
遮光層８０は、遮光性を有する導電材料で形成される。遮光性を有する導電材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料を用いることができる。遮光層８０は、走査線３の一部を構成する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。
遮光層８０は、遮光性を有する導電材料で形成される。遮光性を有する導電材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料を用いることができる。遮光層８０は、走査線３の一部を構成する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。
【0031】
層間絶縁層８２は、透光性および絶縁性を有する。層間絶縁層８２は、例えば、酸化ケイ素等の無機材料によって、形成される。
層間絶縁層８２上には、トランジスター１が配置される。
層間絶縁層８２上には、トランジスター１が配置される。
【0032】
トランジスター１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層７０と、ゲート電極７４と、ゲート絶縁層７２とを有する。
半導体層７０は、ドレイン領域７０ｄ、ＬＤＤ領域７０ａ、チャネル領域７０ｃ、ＬＤＤ領域７０ｂおよびソース領域７０ｓを有する。
チャネル領域７０ｃは、ソース領域７０ｓとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ｂは、チャネル領域７０ｃとソース領域７０ｓとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ａは、チャネル領域７０ｃとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。
半導体層７０は、例えば、ポリシリコンであり、チャネル領域７０ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。ＬＤＤ領域７０ｂおよびＬＤＤ領域７０ａ中の不純物濃度は、ソース領域７０ｓおよびドレイン領域７０ｄ中の不純物濃度よりも低い。
半導体層７０は、ドレイン領域７０ｄ、ＬＤＤ領域７０ａ、チャネル領域７０ｃ、ＬＤＤ領域７０ｂおよびソース領域７０ｓを有する。
チャネル領域７０ｃは、ソース領域７０ｓとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ｂは、チャネル領域７０ｃとソース領域７０ｓとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ａは、チャネル領域７０ｃとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。
半導体層７０は、例えば、ポリシリコンであり、チャネル領域７０ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。ＬＤＤ領域７０ｂおよびＬＤＤ領域７０ａ中の不純物濃度は、ソース領域７０ｓおよびドレイン領域７０ｄ中の不純物濃度よりも低い。
【0033】
半導体層７０上には、ゲート絶縁層７２を介して、ゲート電極７４が設けられる。ゲート電極７４は、半導体層７０のチャネル領域７０ｃに重なる。
ゲート電極７４は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極７４は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。
ゲート電極７４は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極７４は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。
【0034】
ゲート絶縁層７２は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素で構成される。
ゲート電極７４と遮光層８０との間は、ゲート絶縁層７２と層間絶縁層８２とを貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続される。
ゲート電極７４と遮光層８０との間は、ゲート絶縁層７２と層間絶縁層８２とを貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続される。
【0035】
トランジスター１上には、層間絶縁層７６を介して、導電層６０と中継層６２とが設けられる。導電層６０と中継層６２とは、同層に設けられ、遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層７６は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
導電層６０は、データ線４の一部を構成する。導電層６０は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７３を介して、半導体層７０のソース領域７０ｓに電気的に接続される。
中継層６２は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７１を介して、半導体層７０のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
導電層６０は、データ線４の一部を構成する。導電層６０は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７３を介して、半導体層７０のソース領域７０ｓに電気的に接続される。
中継層６２は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７１を介して、半導体層７０のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
【0036】
導電層６０および中継層６２上には、層間絶縁層６４が設けられ、層間絶縁層６４上には、中継層５２が設けられる。中継層５２は、遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層６４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
中継層５２は、層間絶縁層６４を貫通するコンタクトホール６１を介して、中継層６２に電気的に接続される。
中継層５２は、層間絶縁層６４を貫通するコンタクトホール６１を介して、中継層６２に電気的に接続される。
【0037】
中継層５２上には、層間絶縁層５４を介して、補助容量２が設けられる。
補助容量２は、基体９０側に設けられた容量電極５０と、画素電極１０側に設けられた容量電極４０と、容量電極５０と容量電極４０との間に設けられた誘電体層５６とを有する。容量電極４０と容量電極５０とは、いずれも遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層５４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
補助容量２は、基体９０側に設けられた容量電極５０と、画素電極１０側に設けられた容量電極４０と、容量電極５０と容量電極４０との間に設けられた誘電体層５６とを有する。容量電極４０と容量電極５０とは、いずれも遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層５４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
【0038】
容量電極５０は、容量線５の一部を構成する。
容量電極４０は、層間絶縁層５４を貫通するコンタクトホール５１を介して、中継層５２に電気的に接続されて、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
容量電極４０は、層間絶縁層５４を貫通するコンタクトホール５１を介して、中継層５２に電気的に接続されて、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
【0039】
容量電極４０と画素電極１０との間には、レンズ層３４を含む光学機能層ＬＳが設けられる。
光学機能層ＬＳは、光量ロスを抑制するために設けられる。具体的には、画素電極１０を通過した通過光が、データ線４や容量線５等の遮光性の材料層に当たってロスとならないように、通過光の光路を調整する。光学機能層ＬＳは、透光層４２、透光層３２、レンズ層３４、および透光層２２を含む。
光学機能層ＬＳは、光量ロスを抑制するために設けられる。具体的には、画素電極１０を通過した通過光が、データ線４や容量線５等の遮光性の材料層に当たってロスとならないように、通過光の光路を調整する。光学機能層ＬＳは、透光層４２、透光層３２、レンズ層３４、および透光層２２を含む。
【0040】
透光層４２は、光路長を調整するためのパス層と称せられる光路長調整層である。透光層４２は、酸化ケイ素等の無機材料によって、形成され、透光層４２の上面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等によって平坦化されている。
【0041】
透光層３２は、レンズ層３４のレンズ面３４ｓとなる凹部３２ｃが設けられるレンズ形成層であり、透光層４２と同様に、酸化ケイ素等の無機材料によって、形成される。
透光層３２は、２層の透光層３２ａ、３２ｂから構成される。
透光層３２の凹部３２ｃは、透光層３２を成膜した後に、透光層３２をエッチングすることによって形成する。よって、透光層３２は、最初、１０μｍ程度の厚みに形成する。１０μｍ程度の透光層３２を１回で成膜することは、困難であるため、本実施形態では、成膜を２回行い、２回の成膜によって積層した透光層３２ａと透光層３２ｂとによって、透光層３２を形成する。
透光層３２は、２層の透光層３２ａ、３２ｂから構成される。
透光層３２の凹部３２ｃは、透光層３２を成膜した後に、透光層３２をエッチングすることによって形成する。よって、透光層３２は、最初、１０μｍ程度の厚みに形成する。１０μｍ程度の透光層３２を１回で成膜することは、困難であるため、本実施形態では、成膜を２回行い、２回の成膜によって積層した透光層３２ａと透光層３２ｂとによって、透光層３２を形成する。
【0042】
レンズ層３４は、透光層３２上に設けられる。レンズ層３４は、透光層３２と屈折率の異なる無機材料、例えば酸窒化ケイ素、によって形成される。レンズ層３４は、酸窒化ケイ素を、凹部３２ｃを埋めるように成膜された後、ＣＭＰ等によって平坦化される。
【0043】
透光層２２は、レンズ層３４上に設けられる。透光層２２は、光路長調整層であり、透光層４２と同様に酸化ケイ素等の無機材料によって形成される。透光層２２の層厚は、透光層３２の層厚よりも薄い。
【0044】
保護層２４は、透光層２２上に設けられる。保護層２４は、例えば、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）等の透光性および吸湿性を有する無機材料で構成される。保護層２４上に、画素電極１０が設けられる。画素電極１０上には、配向膜１２が設けられる。
【0045】
画素電極１０と容量電極４０との間は、画素コンタクトプラグ２１、中継層２０、コンタクトプラグ３１、中継層３０、およびコンタクトプラグ４１とを介して、電気的に接続される。これによって、画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
【0046】
画素コンタクトプラグ２１は、コンタクトホール２３内に設けられる。コンタクトホール２３は、保護層２４と透光層２２とを貫通して設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、コンタクトホール２３の内部にタングステン等の導電材料を充填することで形成される。画素コンタクトプラグ２１は、画素電極１０と中継層２０とに接触して、画素電極１０と中継層２０との間を電気的に接続する。
画素コンタクトプラグ２１は、コンタクトホール２３の内部にタングステン等の導電材料を充填することで形成される。画素コンタクトプラグ２１は、画素電極１０と中継層２０とに接触して、画素電極１０と中継層２０との間を電気的に接続する。
【0047】
中継層２０は、透光層２２とレンズ層３４との間に設けられる。画素コンタクトプラグ２１にタングステンを用いる場合、中継層２０は、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタン等で形成される。
【0048】
コンタクトプラグ３１は、コンタクトホール３３内に設けられる。コンタクトホール３３は、レンズ層３４と透光層３２とを貫通して設けられる。
コンタクトプラグ３１は、コンタクトホール３３の内部にタングステン等の導電材料を充填することで形成される。コンタクトプラグ３１は、中継層２０と中継層３０とに接触して、中継層２０と中継層３０との間を電気的に接続する。なお、詳しくは後述するが、本実施形態では、コンタクトホール３３は、中継層３０を貫通して、コンタクトホール３３の底面にコンタクトプラグ４１を露出する。よって、コンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１とも接触する。
コンタクトプラグ３１は、コンタクトホール３３の内部にタングステン等の導電材料を充填することで形成される。コンタクトプラグ３１は、中継層２０と中継層３０とに接触して、中継層２０と中継層３０との間を電気的に接続する。なお、詳しくは後述するが、本実施形態では、コンタクトホール３３は、中継層３０を貫通して、コンタクトホール３３の底面にコンタクトプラグ４１を露出する。よって、コンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１とも接触する。
【0049】
中継層３０は、透光層３２と透光層４２との間に設けられる。コンタクトプラグ３１にタングステンを用いる場合、中継層３０は、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタン等で形成される。
【0050】
コンタクトプラグ４１は、コンタクトホール４３内に設けられる。コンタクトホール４３は、透光層４２を貫通して設けられる。
コンタクトプラグ４１は、コンタクトホール４３の内部にタングステン等の導電材料を充填することで形成される。コンタクトプラグ４１は、中継層３０、容量電極４０。およびコンタクトプラグ３１に接触して、中継層３０およびコンタクトプラグ３１と、容量電極４０との間を電気的に接続する。
コンタクトプラグ４１は、コンタクトホール４３の内部にタングステン等の導電材料を充填することで形成される。コンタクトプラグ４１は、中継層３０、容量電極４０。およびコンタクトプラグ３１に接触して、中継層３０およびコンタクトプラグ３１と、容量電極４０との間を電気的に接続する。
【0051】
１．４．素子基板の表示領域の平面構造
図５は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に見た図である。なお、図５では、画素電極１０を実線で描画し、画素電極１０よりも基体９０側に設けられた光学機能層ＬＳに含まれる構成を破線で描画した。また、以下に示す平面図では、レンズ面３４ｓの曲面形状を二点鎖線の２重円で示し、隣り合う２つのレンズ面３４ｓ同士が接する境界を境界線３４ｂで示した。
図５は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に見た図である。なお、図５では、画素電極１０を実線で描画し、画素電極１０よりも基体９０側に設けられた光学機能層ＬＳに含まれる構成を破線で描画した。また、以下に示す平面図では、レンズ面３４ｓの曲面形状を二点鎖線の２重円で示し、隣り合う２つのレンズ面３４ｓ同士が接する境界を境界線３４ｂで示した。
【0052】
図５に示すように、画素電極１０は、Ｘ軸Ｙ軸に沿ってマトリクス状に配置される。
画素コンタクトプラグ２１は、画素電極１０の四隅の１つ、本実施形態では、平面視において図面の左下の角と重なる位置に、設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、画素電極１０の四隅の１つ、本実施形態では、平面視において図面の左下の角と重なる位置に、設けられる。
【0053】
中継層２０は、矩形の形状を有する。中継層２０の４つの角のそれぞれは、画素電極１０のＸ２方向、Ｙ２方向、および対角方向に隣り合う４つの画素電極１０の角の一つと重なるように設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、平面視において中継層２０の角の隅と重なるように位置に設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、平面視において中継層２０の角の隅と重なるように位置に設けられる。
【0054】
コンタクトプラグ３１は、中継層２０と、平面視において重なる位置に設けられる。また、本実施形態において、コンタクトプラグ３１は、画素コンタクトプラグ２１と、平面視において重ならない位置に設けられる。コンタクトプラグ３１を画素コンタクトプラグ２１と重ならにように設けるため、コンタクトプラグ３１は、中継層２０において、画素コンタクトプラグ２１が設けられる角の対角の隅に寄せて設けられる。
このように画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重ならない位置に設けた場合、画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けた場合よりも、画素コンタクトプラグ２１と重なる画素電極１０の成膜性を向上させることができる。
このように画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重ならない位置に設けた場合、画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けた場合よりも、画素コンタクトプラグ２１と重なる画素電極１０の成膜性を向上させることができる。
【0055】
コンタクトプラグ３１は、逆円錐台の形状を有する。よって、コンタクトプラグ３１の上面の外縁３１ａは、平面視において底面の外縁３１ｂの外側を囲む。
【0056】
図示しないが中継層３０は、中継層２０と同じ大きさおよび形状に設けられる。中継層２０と中継層３０とは、平面視において略完全に重なる。
図示しないがコンタクトプラグ４１は、コンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。
図示しないがコンタクトプラグ４１は、コンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。
【0057】
容量電極４０は、Ｌ字の角に設けられた幅広部４０ｗと、幅広部４０ｗから走査線３と重なるようにＸ１方向に沿って延在する延在部と、幅広部４０ｗからデータ線４と重なるようにＹ１方向に沿って延在する延在部と、を有する。
幅広部４０ｗは、コンタクトホール３３、コンタクトホール４３、コンタクトホール５１と重なるように設けられている。また、幅広部４０ｗは、中継層２０と略完全に重なる形状に設けられる。
幅広部４０ｗは、コンタクトホール３３、コンタクトホール４３、コンタクトホール５１と重なるように設けられている。また、幅広部４０ｗは、中継層２０と略完全に重なる形状に設けられる。
【0058】
本実施形態において、境界線３４ｂの交差とコンタクトプラグ３１とが重なる。これは、コンタクトプラグ３１が、レンズ層３４のレンズ面３４ｓを貫通して設けられていることを示す。なお、コンタクトホール３３の内側と重なる境界線３４ｂは、レンズ層３４にコンタクトホール３３を形成した際に、本来、無くなるが、図５では、レンズ面３４ｓが隙間なく設けられていることを示すために記載している。
【0059】
１．５．素子基板の表示領域の光学機能層の構造
図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図であり、光学機能層ＬＳの断面構造を示す。
図６に示すように、本実施形態において、コンタクトホール３３は、レンズ層３４、透光層３２、および中継層３０を貫通する部分と、コンタクトプラグ４１の上面に設けられた凹部４１ｃとを含む。
図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図であり、光学機能層ＬＳの断面構造を示す。
図６に示すように、本実施形態において、コンタクトホール３３は、レンズ層３４、透光層３２、および中継層３０を貫通する部分と、コンタクトプラグ４１の上面に設けられた凹部４１ｃとを含む。
【0060】
コンタクトホール３３のアスペクト比は、他のコンタクトホール、例えば、コンタクトホール４３のアスペクト比に比べて約２倍以上高い。本実施形態において、コンタクトホール３３の深さＬは、約５～１０μｍであり、コンタクトホール３３の内径Ｄが、約１μｍであるため、アスペクト比Ｌ／Ｄは、約５～１０である。
【0061】
凹部４１ｃは、オーバーエッチングによって形成される。
コンタクトホール３３は、ドライエッチング等の異方性エッチングによって形成する。エッチングを、レンズ層３４と透光層３２とを貫通し、中継層３０を露出する位置で止めることは、難しい。よって、本実施形態では、コンタクトホール３３を確実に中継層３０に到達させるため、オーバーエッチングを行っている。しかし、エッチングするレンズ層３４の厚みと透光層３２の厚みとの合計の層厚が、５～１０μｍと厚いため、エッチングが、中継層３０の位置で止まらなかった場合、コンタクトプラグ４１の上面に凹部４１ｃが形成される。
コンタクトホール３３は、ドライエッチング等の異方性エッチングによって形成する。エッチングを、レンズ層３４と透光層３２とを貫通し、中継層３０を露出する位置で止めることは、難しい。よって、本実施形態では、コンタクトホール３３を確実に中継層３０に到達させるため、オーバーエッチングを行っている。しかし、エッチングするレンズ層３４の厚みと透光層３２の厚みとの合計の層厚が、５～１０μｍと厚いため、エッチングが、中継層３０の位置で止まらなかった場合、コンタクトプラグ４１の上面に凹部４１ｃが形成される。
【0062】
また、詳しくは後述するが、凹部４１ｃが形成される主な理由は、本実施形態において、コンタクトホール３３と外部端子９のコンタクトホール１３３とを同じ工程で形成していることによる。
コンタクトホール１３３の形成に要する時間は、コンタクトホール３３の形成に要する時間よりも長い。よって、コンタクトホール１３３の形成が完了するまで、コンタクトホール３３のエッチングを継続した場合、コンタクトホール３３を形成するエッチングは、オーバーエッチングとなる。コンタクトホール３３を形成するエッチングが、オーバーエッチングになることで、コンタクトホール３３を形成するエッチングは、中継層３０を貫通して、コンタクトプラグ４１に凹部４１ｃを形成する。
コンタクトホール１３３の形成に要する時間は、コンタクトホール３３の形成に要する時間よりも長い。よって、コンタクトホール１３３の形成が完了するまで、コンタクトホール３３のエッチングを継続した場合、コンタクトホール３３を形成するエッチングは、オーバーエッチングとなる。コンタクトホール３３を形成するエッチングが、オーバーエッチングになることで、コンタクトホール３３を形成するエッチングは、中継層３０を貫通して、コンタクトプラグ４１に凹部４１ｃを形成する。
【0063】
コンタクトホール３３を介した電気的な接続を確実に行うため、コンタクトホール３３は、平面視においてコンタクトプラグ４１と重なる位置に設けられる。これによって、コンタクトホール３３をエッチングして形成する際に、中継層３０の一部を貫通しても、コンタクトホール３３の底は、コンタクトプラグ４１内に形成される。すなわち、コンタクトプラグ４１に凹部４１ｃが形成される。したがって、コンタクトホール３３に充填されるコンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１に直接接触するので、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ４１との電気的接続を確実に行うことができる。
【0064】
図７は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、図５の表示領域Ａ１の平面図において、画素電極１０をＺ２方向に見た際の画素電極１０、画素コンタクトプラグ２１、中継層２０、およびコンタクトプラグ３１のレイアウトを示す。図７において、画素電極１０は実線で示す。
図７に示すように、画素コンタクトプラグ２１およびコンタクトプラグ３１は、平面視において中継層２０と重なる位置に設けられる。画素コンタクトプラグ２１は、コンタクトプラグ３１と、平面視において重ならないように設けられる。画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１とが平面視において重ならないように、画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１とは、それぞれ中継層２０の対角の隅に寄せて配置される。
図７に示すように、画素コンタクトプラグ２１およびコンタクトプラグ３１は、平面視において中継層２０と重なる位置に設けられる。画素コンタクトプラグ２１は、コンタクトプラグ３１と、平面視において重ならないように設けられる。画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１とが平面視において重ならないように、画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１とは、それぞれ中継層２０の対角の隅に寄せて配置される。
【0065】
図８は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、図５の表示領域Ａ１の平面図において、中継層２０をＺ２方向に見た際の際の中継層２０、コンタクトプラグ３１、および容量電極４０のレイアウトを示す。図８において、中継層２０は実線で示す。
図８に示すように、中継層２０は、平面視において容量電極４０の幅広部４０ｗと略完全に重なる。また、中継層２０は、平面視において図示しない中継層３０と略完全に重なる。
図８に示すように、中継層２０は、平面視において容量電極４０の幅広部４０ｗと略完全に重なる。また、中継層２０は、平面視において図示しない中継層３０と略完全に重なる。
【0066】
隣り合う２つのレンズ面３４ｓが接する境界を示す境界線３４ｂは、Ｘ軸とＹ軸とに沿う２本の境界線３４ｂの交差が、コンタクトプラグ３１の外縁３１ｂおよび外縁３１ａの内側に位置している。よって、コンタクトホール３３は、レンズ層３４のレンズ面３４ｓを貫通して設けられている。
なお、境界線３４ｂとコンタクトホール３３とが、平面視において重ならないように、レンズ面３４ｓを形成してもよい。この場合、境界線３４ｂの交差が存在しなくなるため、レンズ面３４ｓは、コンタクトホール３３が設けられる位置に形成されない。よって、この場合、コンタクトホール３３は、隣り合う４つのレンズ面３４ｓの間の透光層３２にのみに設けられる。
なお、境界線３４ｂとコンタクトホール３３とが、平面視において重ならないように、レンズ面３４ｓを形成してもよい。この場合、境界線３４ｂの交差が存在しなくなるため、レンズ面３４ｓは、コンタクトホール３３が設けられる位置に形成されない。よって、この場合、コンタクトホール３３は、隣り合う４つのレンズ面３４ｓの間の透光層３２にのみに設けられる。
【0067】
図９は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、図５の表示領域Ａ１の平面図において、中継層３０をＺ２方向に見た際の際の中継層３０、コンタクトプラグ３１、コンタクトプラグ４１、および容量電極４０のレイアウトを示す。図９において、中継層３０は、実線で示す。
図９に示すように、中継層３０は、中継層２０と同様に、容量電極４０の幅広部４０ｗと略完全に重なる。
図９に示すように、中継層３０は、中継層２０と同様に、容量電極４０の幅広部４０ｗと略完全に重なる。
【0068】
図９に示すように、中継層３０の上面を含む面には、中継層３０を貫通するコンタクトプラグ３１の断面が現れる。
コンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１と重なるように設けられる。より具体的には、コンタクトプラグ３１の底面側の外縁３１ｂが、コンタクトプラグ４１の外縁４１ａの内側に位置するように設けられる。
コンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１と重なるように設けられる。より具体的には、コンタクトプラグ３１の底面側の外縁３１ｂが、コンタクトプラグ４１の外縁４１ａの内側に位置するように設けられる。
【0069】
図１０は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、図５の表示領域Ａ１の平面図において、コンタクトプラグ４１の中継層３０側の上面をＺ２方向に見た際のコンタクトプラグ４１、コンタクトプラグ３１、および容量電極４０のレイアウトを示す。図１０において、コンタクトプラグ４１は、実線で示す。
コンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１と重なるように設けられ、コンタクトプラグ４１の凹部４１ｃと接する。したがって、コンタクトプラグ４１の中継層３０側の上面を含む面には、図１０に示すように、コンタクトプラグ４１の凹部４１ｃを充填するコンタクトプラグ３１の断面が現れる。コンタクトプラグ３１の断面の面積を面積Ｓ２とし、コンタクトプラグ４１の上面の外縁４１ａで囲まれた面積を面積Ｓ１とすると、面積Ｓ１の値は、面積Ｓ２の値よりも大きい。
コンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１と重なるように設けられ、コンタクトプラグ４１の凹部４１ｃと接する。したがって、コンタクトプラグ４１の中継層３０側の上面を含む面には、図１０に示すように、コンタクトプラグ４１の凹部４１ｃを充填するコンタクトプラグ３１の断面が現れる。コンタクトプラグ３１の断面の面積を面積Ｓ２とし、コンタクトプラグ４１の上面の外縁４１ａで囲まれた面積を面積Ｓ１とすると、面積Ｓ１の値は、面積Ｓ２の値よりも大きい。
【0070】
図１１は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、図５の表示領域Ａ１の平面図において、容量電極４０をＺ２方向に見た際の容量電極４０および半導体層７０のレイアウトを示す。図１１において、容量電極４０は、実線で示す。
図１１に示すように、容量電極４０は、半導体層７０と、平面視において重なる位置に設けられる。容量電極４０の幅広部４０ｗは、半導体層７０のチャネル領域７０ｃと重なる位置に設けられ、半導体層７０のチャネル領域７０ｃの遮光層として機能する。
図１１に示すように、容量電極４０は、半導体層７０と、平面視において重なる位置に設けられる。容量電極４０の幅広部４０ｗは、半導体層７０のチャネル領域７０ｃと重なる位置に設けられ、半導体層７０のチャネル領域７０ｃの遮光層として機能する。
【0071】
１．６．素子基板の外側領域の断面構造
図１２は、素子基板の外側領域の断面構造を示す説明図であり、外側領域Ａ２に設けられた外部端子９の断面構造を示す。なお、図４に示した構成と同じ構成については、同じ符号を付して説明を省略する。
図１２は、素子基板の外側領域の断面構造を示す説明図であり、外側領域Ａ２に設けられた外部端子９の断面構造を示す。なお、図４に示した構成と同じ構成については、同じ符号を付して説明を省略する。
【0072】
図１２に示すように、端子としての外部端子９は、最上層に、透明導電層としての電極パッド１１０を備える。
電極パッド１１０は、基体９０と電極パッド１１０との間に設けられた中継層１２０、中継層１３０、中継層１４０、中継層１５０、中継層１６０、電極パッド１１０と中継層１２０との間に設けられたコンタクトプラグ１２１，１２５，１２７、中継層１２０と中継層１３０との間に設けられたコンタクトプラグ１３１，１３５，１３７，１３９、中継層１３０と中継層１４０との間に設けられたコンタクトプラグ１４１，１４５，１４７，１４９、中継層１４０と中継層１５０との間に設けられたコンタクトプラグ１５１、および中継層１５０と中継層１６０との間に設けられたコンタクトプラグ１６１を介して、表示領域Ａ１に設けられる構成、例えば容量線５や走査線駆動回路６やデータ線駆動回路７等、に電気的に接続される。
電極パッド１１０は、基体９０と電極パッド１１０との間に設けられた中継層１２０、中継層１３０、中継層１４０、中継層１５０、中継層１６０、電極パッド１１０と中継層１２０との間に設けられたコンタクトプラグ１２１，１２５，１２７、中継層１２０と中継層１３０との間に設けられたコンタクトプラグ１３１，１３５，１３７，１３９、中継層１３０と中継層１４０との間に設けられたコンタクトプラグ１４１，１４５，１４７，１４９、中継層１４０と中継層１５０との間に設けられたコンタクトプラグ１５１、および中継層１５０と中継層１６０との間に設けられたコンタクトプラグ１６１を介して、表示領域Ａ１に設けられる構成、例えば容量線５や走査線駆動回路６やデータ線駆動回路７等、に電気的に接続される。
【0073】
電極パッド１１０は、画素電極１０と同一層に設けられる。電極パッド１１０は、画素電極１０と同じ工程および同じ材料で形成される。
コンタクトホール１２３は、コンタクトホール２３と同一層に設けられる。コンタクトホール１２３は、コンタクトホール２３と同じ工程で形成される。
コンタクトホール１２３に充填されるコンタクトプラグ１２１は、画素コンタクトプラグ２１と同じ工程および同じ材料で形成される。コンタクトプラグ１２５，１２７もコンタクトプラグ１２１と同様に形成される。
コンタクトホール１２３は、コンタクトホール２３と同一層に設けられる。コンタクトホール１２３は、コンタクトホール２３と同じ工程で形成される。
コンタクトホール１２３に充填されるコンタクトプラグ１２１は、画素コンタクトプラグ２１と同じ工程および同じ材料で形成される。コンタクトプラグ１２５，１２７もコンタクトプラグ１２１と同様に形成される。
【0074】
中継層１２０は、中継層２０と同一層に設けられる。中継層１２０は、中継層２０と同じ工程および同じ材料で形成される。
中継層１３０は、中継層３０と同一層に設けられる。中継層１３０は、中継層３０と同じ工程および同じ材料で形成される。
中継層１３０は、中継層３０と同一層に設けられる。中継層１３０は、中継層３０と同じ工程および同じ材料で形成される。
【0075】
中継層１２０と中継層１３０との間には、層間絶縁層１３２と層間絶縁層１３４とが設けられる。
層間絶縁層１３２は、透光層３２と同一層に設けられる。層間絶縁層１３２は、透光層３２と同じ工程および同じ材料で形成される。層間絶縁層１３２は、成膜後に、凹部３２ｃを形成するエッチングによって、エッチバックされて、平坦化される。層間絶縁層１３２には、凹部３２ｃは形成されない。
層間絶縁層１３２上には、層間絶縁層１３４が形成される。層間絶縁層１３４は、レンズ層３４と同じ工程および同じ材料で形成される。
層間絶縁層１３２は、透光層３２と同一層に設けられる。層間絶縁層１３２は、透光層３２と同じ工程および同じ材料で形成される。層間絶縁層１３２は、成膜後に、凹部３２ｃを形成するエッチングによって、エッチバックされて、平坦化される。層間絶縁層１３２には、凹部３２ｃは形成されない。
層間絶縁層１３２上には、層間絶縁層１３４が形成される。層間絶縁層１３４は、レンズ層３４と同じ工程および同じ材料で形成される。
【0076】
中継層１２０と中継層１３０との間の層間の厚さと、中継層２０と中継層３０との間の層間の厚さとは、略同じであるが、層間絶縁層１３４とレンズ層３４とは、層厚が異なる。具体的には、層間絶縁層１３４の厚さＴ２の値は、図４に示したコンタクトホール３３が設けられる位置のレンズ層３４の厚さＴ１よりも厚い。
【0077】
コンタクトホール１３３は、コンタクトホール３３と同じ工程で形成される。コンタクトホール１３３に充填されるコンタクトプラグ１３１は、コンタクトプラグ３１と同じ工程および同じ材料で形成される。コンタクトプラグ１３５，１３７，１３９もコンタクトプラグ１３１と同様に形成される。
【0078】
中継層１４０は、容量電極４０と同一層に設けられる。中継層１４０は、容量電極４０と同じ工程および同じ材料で形成される。
コンタクトホール１４３は、コンタクトホール４３と同一層に設けられる。コンタクトホール１４３は、コンタクトホール４３と同じ工程で形成される。コンタクトホール１４３に充填されるコンタクトプラグ１４１は、コンタクトプラグ４１と同じ工程および同じ材料で形成される。コンタクトプラグ１４５，１４７，１４９もコンタクトプラグ１４１と同様に形成される。
コンタクトホール１４３は、コンタクトホール４３と同一層に設けられる。コンタクトホール１４３は、コンタクトホール４３と同じ工程で形成される。コンタクトホール１４３に充填されるコンタクトプラグ１４１は、コンタクトプラグ４１と同じ工程および同じ材料で形成される。コンタクトプラグ１４５，１４７，１４９もコンタクトプラグ１４１と同様に形成される。
【0079】
１．７．素子基板の外側領域の平面構造
図１３は、素子基板の外側領域の一部を示す平面図あり、素子基板の外側領域Ａ２の外部端子９をＺ２方向に見た図である。
図１３に示すように、コンタクトプラグ１２１，１２５，１２７は、コンタクトプラグ１３１，１３５，１３７，１３９と重ならない位置に配置されている。
コンタクトプラグ１３１は、コンタクトプラグ３１と同様に、逆円錐台の形状を有する。よって、コンタクトプラグ１３１の上面の外縁１３１ａは、平面視においてコンタクトプラグ１３１の底面の外縁１３１ｂの外側を囲むように設けられる。
図１３は、素子基板の外側領域の一部を示す平面図あり、素子基板の外側領域Ａ２の外部端子９をＺ２方向に見た図である。
図１３に示すように、コンタクトプラグ１２１，１２５，１２７は、コンタクトプラグ１３１，１３５，１３７，１３９と重ならない位置に配置されている。
コンタクトプラグ１３１は、コンタクトプラグ３１と同様に、逆円錐台の形状を有する。よって、コンタクトプラグ１３１の上面の外縁１３１ａは、平面視においてコンタクトプラグ１３１の底面の外縁１３１ｂの外側を囲むように設けられる。
【0080】
１．８．素子基板の外側領域の光学機能層の構造
図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図であり、外側領域Ａ２における光学機能層ＬＳの断面構造を示す。
図１４に示すように、本実施形態において、コンタクトホール１３３は、層間絶縁層１３４、層間絶縁層１３２、および中継層１３０に設けられた凹部１３０ｃを含む。
図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図であり、外側領域Ａ２における光学機能層ＬＳの断面構造を示す。
図１４に示すように、本実施形態において、コンタクトホール１３３は、層間絶縁層１３４、層間絶縁層１３２、および中継層１３０に設けられた凹部１３０ｃを含む。
【0081】
凹部１３０ｃは、オーバーエッチングによって形成される。コンタクトホール１３３は、ドライエッチング等の異方性エッチングによって形成されるが、層間絶縁層１３４と層間絶縁層１３２との層厚が、５～１０μｍと厚いため、エッチングを、中継層１３０を露出する位置で止めることが難しいからである。
【0082】
また、上述したように、コンタクトホール１３３は、コンタクトホール３３と同じ工程で形成している。
コンタクトホール１３３が貫通する層間絶縁層１３４の厚みと層間絶縁層１３２の厚みとの合計の層厚は、コンタクトホール３３が貫通するレンズ層３４の厚みと透光層３２の厚みとの合計の層厚と、略同じであるが、コンタクトホール１３３とコンタクトホール３３とでは、それぞれが貫通するレンズ層の厚みと透光層の厚みとの比率が異なる。
コンタクトホール１３３が貫通する層間絶縁層１３４の厚みと層間絶縁層１３２の厚みとの合計の層厚は、コンタクトホール３３が貫通するレンズ層３４の厚みと透光層３２の厚みとの合計の層厚と、略同じであるが、コンタクトホール１３３とコンタクトホール３３とでは、それぞれが貫通するレンズ層の厚みと透光層の厚みとの比率が異なる。
【0083】
具体的には、図４および図１２に示したように、層間絶縁層１３４の厚さＴ２は、レンズ層３４の厚さＴ１よりも厚い。そして、レンズ層３４および層間絶縁層１３４は透光層３２および層間絶縁層１３２よりもエッチンレートが遅い材料で形成されているため、コンタクトホール１３３の形成には、コンタクトホール３３よりも、長いエッチング時間が必要となる。
よって、コンタクトホール１３３が完了するまで、コンタクトホール３３のエッチングを継続すると、コンタクトホール３３を形成するエッチングは、中継層３０を貫通して、コンタクトプラグ４１の上面に凹部４１ｃを形成する。
よって、コンタクトホール１３３が完了するまで、コンタクトホール３３のエッチングを継続すると、コンタクトホール３３を形成するエッチングは、中継層３０を貫通して、コンタクトプラグ４１の上面に凹部４１ｃを形成する。
【0084】
本実施形態では、コンタクトプラグ３１が、レンズ層３４のレンズ面３４ｓを貫通する例を記載したが、コンタクトプラグ３１が、レンズ層３４を貫通しない構成であってもよい。具体的には、透光層３２のみを貫通する構成であってもよい。
この場合であっても、コンタクトホール１３３とコンタクトホール３３とでは、層間絶縁層１３４の厚みと層間絶縁層１３２の厚みとの比率と、レンズ層３４の厚みと透光層３２の厚みとの比率とが異なるので、コンタクトホール１３３を形成するエッチングに、コンタクトホール３３よりも、長い時間が必要となる。よって、コンタクトホール３３を形成するエッチングによって、コンタクトホール３３は、中継層３０を貫通し、コンタクトプラグ４１には、凹部４１ｃが形成される。
この場合であっても、コンタクトホール１３３とコンタクトホール３３とでは、層間絶縁層１３４の厚みと層間絶縁層１３２の厚みとの比率と、レンズ層３４の厚みと透光層３２の厚みとの比率とが異なるので、コンタクトホール１３３を形成するエッチングに、コンタクトホール３３よりも、長い時間が必要となる。よって、コンタクトホール３３を形成するエッチングによって、コンタクトホール３３は、中継層３０を貫通し、コンタクトプラグ４１には、凹部４１ｃが形成される。
【0085】
以上、述べたとおり、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００は、トランジスター１と、トランジスター１に対応して設けられた画素電極１０と、トランジスター１と画素電極１０との間の層に設けられたレンズ層３４と、トランジスター１とレンズ層３４との間の層に設けられた中継層３０と、中継層３０と画素電極１０とを電気的に接続するためのコンタクトプラグ３１と、を備え、コンタクトプラグ３１は、一部が中継層３０内に設けられている。
このように、コンタクトプラグ３１は、一部が中継層３０内に設けられている。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を良好にすることができる。
このように、コンタクトプラグ３１は、一部が中継層３０内に設けられている。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を良好にすることができる。
【0086】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、中継層３０とレンズ層３４との間の層に設けられた透光層３２を備え、コンタクトプラグ３１は、レンズ層３４及び透光層３２を貫通するコンタクトホール３３内に設けられている。
このように、コンタクトプラグ３１は、レンズ層３４及び透光層３２を貫通するコンタクトホール３３内に設けられている。よって、レンズ層３４の光学性能および画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を両立できる。
このように、コンタクトプラグ３１は、レンズ層３４及び透光層３２を貫通するコンタクトホール３３内に設けられている。よって、レンズ層３４の光学性能および画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を両立できる。
【0087】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、レンズ層３４と画素電極１０との間の層に、透光層３２よりも厚みの薄い透光層２２と、レンズ層３４と透光層２２との間の層に設けられた中継層２０と、中継層２０と画素電極１０とを電気的に接続するための画素コンタクトプラグ２１と、を備え、画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と重ならないように設けられている。
このように、画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と重ならないように設けられている。よって、画素電極１０の成膜性を向上させることができる。
このように、画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と重ならないように設けられている。よって、画素電極１０の成膜性を向上させることができる。
【0088】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、画素コンタクトプラグ２１は、透光層２２を貫通するコンタクトホール２３内に設けられている。
このように、画素コンタクトプラグ２１は、透光層２２を貫通するコンタクトホール２３内に設けられている。よって、透光層２２を含む光学機能層ＬＳの光学性能および画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を両立できる。
このように、画素コンタクトプラグ２１は、透光層２２を貫通するコンタクトホール２３内に設けられている。よって、透光層２２を含む光学機能層ＬＳの光学性能および画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を両立できる。
【0089】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、平面視においてトランジスター１の半導体層７０と重なる幅広部４０ｗを有する遮光層としての容量電極４０と、容量電極４０と中継層３０を電気的に接続するためのコンタクトプラグ４１と、を備え、コンタクトプラグ４１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられている。
このように、コンタクトプラグ４１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられている。よって、コンタクトプラグ３１が、中継層３０を貫通したとしても、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ４１との間の電気的接続を確実に行うことができる。
このように、コンタクトプラグ４１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられている。よって、コンタクトプラグ３１が、中継層３０を貫通したとしても、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ４１との間の電気的接続を確実に行うことができる。
【0090】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、中継層３０と容量電極４０の間の層に透光層４２を備え、コンタクトプラグ４１は、透光層４２を貫通するコンタクトホール４３内に設けられている。
このように、コンタクトプラグ４１は、透光層４２を貫通するコンタクトホール４３内に設けられている。よって、透光層４２を含む光学機能層ＬＳの光学性能および画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を両立できる。
このように、コンタクトプラグ４１は、透光層４２を貫通するコンタクトホール４３内に設けられている。よって、透光層４２を含む光学機能層ＬＳの光学性能および画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性を両立できる。
【0091】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、コンタクトプラグ４１の中継層３０側の面積Ｓ１は、コンタクトプラグ３１の中継層３０側の面積Ｓ２よりも大きい。
このように、コンタクトプラグ４１の中継層３０側の面積Ｓ１は、コンタクトプラグ３１の中継層３０側の面積Ｓ２よりも大きい。よって、よって、コンタクトプラグ３１が、中継層３０を貫通したとしても、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ４１との間の電気的接続を確実に行うことができる。
このように、コンタクトプラグ４１の中継層３０側の面積Ｓ１は、コンタクトプラグ３１の中継層３０側の面積Ｓ２よりも大きい。よって、よって、コンタクトプラグ３１が、中継層３０を貫通したとしても、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ４１との間の電気的接続を確実に行うことができる。
【0092】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、画素電極１０が設けられた表示領域Ａ１の外側としての外側領域Ａ２に、中継層３０と同一層に設けられた中継層１３０と、画素電極１０と同一層に設けられた透明導電層としての電極パッド１１０と、コンタクトプラグ３１と同一層に、電極パッド１１０と中継層１３０とを電気的に接続するコンタクトプラグ１３１と、を有する端子としての外部端子９を備える。
このように、外部端子９は、特に、コンタクトプラグ３１と同一層に、コンタクトプラグ１３１を備える。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続と同様に、電極パッド１１０と中継層１３０との間の電気的接続の信頼性を良好にすることができる。
このように、外部端子９は、特に、コンタクトプラグ３１と同一層に、コンタクトプラグ１３１を備える。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続と同様に、電極パッド１１０と中継層１３０との間の電気的接続の信頼性を良好にすることができる。
【0093】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、透明導電層としての電極パッド１１０と中継層１３０との間に、レンズ層３４と同一層に設けられた層間絶縁層１３４を備え、コンタクトプラグ１３１は、層間絶縁層１３４を貫通するコンタクトホール１３３内に設けられている。
このように、コンタクトプラグ１３１は、層間絶縁層１３４を貫通するコンタクトホール１３３内に設けられている。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続と同様に、コンタクトプラグ１３１によって、電極パッド１１０と中継層１３０との間を、確実に、電気的に接続することができる。
このように、コンタクトプラグ１３１は、層間絶縁層１３４を貫通するコンタクトホール１３３内に設けられている。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続と同様に、コンタクトプラグ１３１によって、電極パッド１１０と中継層１３０との間を、確実に、電気的に接続することができる。
【0094】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、コンタクトホール３３が貫通するレンズ層３４の厚みは、コンタクトホール１３３が貫通する層間絶縁層１３４の厚みよりも小さい。
このように、コンタクトホール３３が貫通するレンズ層３４の厚みは、コンタクトホール１３３が貫通する層間絶縁層１３４の厚みよりも小さい。よって、コンタクトプラグ３１の一部を中継層３０内に設けることで、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性とともに、電極パッド１１０と中継層１３０との間の電気的接続の信頼性も良好に確保することができる。
このように、コンタクトホール３３が貫通するレンズ層３４の厚みは、コンタクトホール１３３が貫通する層間絶縁層１３４の厚みよりも小さい。よって、コンタクトプラグ３１の一部を中継層３０内に設けることで、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性とともに、電極パッド１１０と中継層１３０との間の電気的接続の信頼性も良好に確保することができる。
【0095】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、コンタクトプラグ３１は、中継層３０を貫通して設けられており、コンタクトプラグ１３１は一部が中継層１３０内に設けられている。
このように、コンタクトプラグ３１は、中継層３０を貫通して設けられており、コンタクトプラグ１３１は一部が中継層１３０内に設けられている。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性とともに、電極パッド１１０と中継層１３０との間の電気的接続の信頼性も確保することができる。
このように、コンタクトプラグ３１は、中継層３０を貫通して設けられており、コンタクトプラグ１３１は一部が中継層１３０内に設けられている。よって、画素電極１０とトランジスター１との間の電気的接続の信頼性とともに、電極パッド１１０と中継層１３０との間の電気的接続の信頼性も確保することができる。
【0096】
２．実施形態２
実施形態２に係る電気光学装置としての液晶装置の構造について、図１５を参照して説明する。図１５は、実施形態２に係る素子基板の表示領域の一部を示す平面図である。実施形態２は、実施形態１とコンタクトプラグ３１が設けられる位置が異なる。なお、実施形態１と同じ構成には、同じ符号を付して、説明を省略する。
実施形態２に係る電気光学装置としての液晶装置の構造について、図１５を参照して説明する。図１５は、実施形態２に係る素子基板の表示領域の一部を示す平面図である。実施形態２は、実施形態１とコンタクトプラグ３１が設けられる位置が異なる。なお、実施形態１と同じ構成には、同じ符号を付して、説明を省略する。
【0097】
図１５に示すように、コンタクトプラグ３１は、平面視において中継層２０の略中央位置に設けられる。画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。また、コンタクトプラグ３１は、平面視において図示しないコンタクトプラグ４１と略完全に重なる位置に設けられる。
【0098】
このように、画素コンタクトプラグ２１の一部をコンタクトプラグ３１と重ねて配置する場合、画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１とを重ならないように配置する場合よりも、画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１との位置合わせを容易に行うことができる。
また、コンタクトプラグ３１は、中継層２０の略中央位置に設けられるため、中継層２０の大きさを小さくすることができる。同様に、中継層３０および容量電極４０の幅広部４０ｗの大きさを小さくすることで、遮光領域を小さくして、光が通過する開口領域を広げることができる。
また、コンタクトプラグ３１は、中継層２０の略中央位置に設けられるため、中継層２０の大きさを小さくすることができる。同様に、中継層３０および容量電極４０の幅広部４０ｗの大きさを小さくすることで、遮光領域を小さくして、光が通過する開口領域を広げることができる。
【0099】
以上、述べたとおり、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００によれば、上記実施形態の効果に加え、以下の効果を得ることができる。
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、レンズ層３４と画素電極１０との間の層に、透光層３２よりも厚みの薄い透光層２２と、レンズ層３４と透光層２２との間の層に設けられた中継層２０と、中継層２０と画素電極１０とを電気的に接続するための画素コンタクトプラグ２１と、を備え、画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と一部が重なるように設けられている。
このように、画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と一部が重なるように設けられている。よって、画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１との位置合わせを容易に行うことができる。また、中継層２０、中継層３０、および容量電極４０の幅広部４０ｗの大きさを小さくして、遮光領域を小さくして、光が通過する開口領域を広げることができる。
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、レンズ層３４と画素電極１０との間の層に、透光層３２よりも厚みの薄い透光層２２と、レンズ層３４と透光層２２との間の層に設けられた中継層２０と、中継層２０と画素電極１０とを電気的に接続するための画素コンタクトプラグ２１と、を備え、画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と一部が重なるように設けられている。
このように、画素コンタクトプラグ２１は、平面視においてコンタクトプラグ３１と一部が重なるように設けられている。よって、画素コンタクトプラグ２１とコンタクトプラグ３１との位置合わせを容易に行うことができる。また、中継層２０、中継層３０、および容量電極４０の幅広部４０ｗの大きさを小さくして、遮光領域を小さくして、光が通過する開口領域を広げることができる。
【0100】
３．実施形態３
図１６は、電子機器の一例である投射型表示装置としてのプロジェクターを示す模式図である。
プロジェクター１０００は、例えば、上述した液晶装置３００を３枚備えた３板式のプロジェクターである。液晶装置３００Ｒは赤色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｇは緑色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｂは青色の表示色に対応する。制御部１００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの動作を制御する。
図１６は、電子機器の一例である投射型表示装置としてのプロジェクターを示す模式図である。
プロジェクター１０００は、例えば、上述した液晶装置３００を３枚備えた３板式のプロジェクターである。液晶装置３００Ｒは赤色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｇは緑色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｂは青色の表示色に対応する。制御部１００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの動作を制御する。
【0101】
照明光学系１００１は、光源である照明装置１００２からの出射光のうち赤色成分ＲＬを液晶装置３００Ｒに供給し、緑色成分ＧＬを液晶装置３００Ｇに供給し、青色成分ＢＬを液晶装置３００Ｂに供給する。各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂは、照明光学系１００１から供給される各色光ＲＬ，ＧＬ，ＢＬを表示画像に応じて変調する光変調装置として機能する。
投射光学系１００３は、各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂからの出射光を合成してプロジェクタースクリーン１００４に投射する。
投射光学系１００３は、各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂからの出射光を合成してプロジェクタースクリーン１００４に投射する。
【0102】
以上、述べたとおり、本実施形態の電子機器としてのプロジェクター１０００は、上述した液晶装置３００を備える。
よって、光学性能および電気的な信頼性の高い液晶装置３００を採用することで、プロジェクター１０００の性能を向上させることができる。
よって、光学性能および電気的な信頼性の高い液晶装置３００を採用することで、プロジェクター１０００の性能を向上させることができる。
【0103】
なお、電子機器は、例示した３板式のプロジェクター１０００に限定されない。例えば、単板式、２板式、または、４枚以上の液晶装置３００を備えたプロジェクターであってもよい。また、電子機器は、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等であってもよい。
【0104】
以上、好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、上述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【符号の説明】
【0105】
１…トランジスター、２…補助容量、３…走査線、４…データ線、５…容量線、６…走査線駆動回路、７…データ線駆動回路、８…シール部材、９…外部端子、１０…画素電極、１２…配向膜、２０…中継層、２１…画素コンタクトプラグ、２２…透光層、２３…コンタクトホール、２４…保護層、３０…中継層、３１…コンタクトプラグ、３１ａ…外縁、３１ｂ…外縁、３２…透光層、３２ａ…透光層、３２ｂ…透光層、３２ｃ…凹部、３３…コンタクトホール、３４…レンズ層、３４ｂ…境界線、３４ｓ…レンズ面、４０…容量電極、４０ｗ…幅広部、４１…コンタクトプラグ、４１ａ…外縁、４１ｃ…凹部、４２…透光層、４３…コンタクトホール、５０…容量電極、５１…コンタクトホール、５２…中継層、５４…層間絶縁層、５６…誘電体層、６０…導電層、６１…コンタクトホール、６２…中継層、６４…層間絶縁層、７０…半導体層、７０ａ…ＬＤＤ領域、７０ｂ…ＬＤＤ領域、７０ｃ…チャネル領域、７０ｄ…ドレイン領域、７０ｓ…ソース領域、７１…コンタクトホール、７２…ゲート絶縁層、７３…コンタクトホール、７４…ゲート電極、７６…層間絶縁層、８０…遮光層、８１…コンタクトホール、８２…層間絶縁層、９０…基体、１００…素子基板、１１０…電極パッド、１２０…中継層、１２１…コンタクトプラグ、１２５…コンタクトプラグ、１２７…コンタクトプラグ、１３０…中継層、１３０ｃ…凹部、１３１…コンタクトプラグ、１３５…コンタクトプラグ、１３７…コンタクトプラグ、１３９…コンタクトプラグ、１３１ａ…外縁、１３１ｂ…外縁、１３２…層間絶縁層、１３３…コンタクトホール、１３４…層間絶縁層、１４０…中継層、１４１…コンタクトプラグ、１４５…コンタクトプラグ、１４７…コンタクトプラグ、１４９…コンタクトプラグ、１４３…コンタクトホール、１５０…中継層、１５１…コンタクトプラグ、１６０…中継層、１６１…コンタクトプラグ、２００…対向基板、２１０…基体、２２０…絶縁層、２３０…共通電極、２４０…配向膜、３００…液晶装置、３００Ｂ，３００Ｇ，３００Ｒ…液晶装置、１０００…プロジェクター、１００１…照明光学系、１００２…照明装置、１００３…投射光学系、１００４…プロジェクタースクリーン、１００５…制御部、Ａ１…表示領域、Ａ２…外側領域、Ｓ１…面積、Ｓ２…面積、ＬＳ…光学機能層。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】