特開 2024-4121 固体電解コンデンサおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024004121

(43)【公開日】2024-01-16

(54)【発明の名称】固体電解コンデンサおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 9/02 20060101AFI20240109BHJP

   H01G 9/048 20060101ALI20240109BHJP

   H01G 9/055 20060101ALI20240109BHJP

   H01G 9/15 20060101ALI20240109BHJP

   H01G 9/00 20060101ALI20240109BHJP

【ＦＩ】

H01G9/02

H01G9/048 B

H01G9/055 103

H01G9/15

H01G9/00 290H

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022103606

(22)【出願日】2022-06-28

(71)【出願人】

【識別番号】000103220

【氏名又は名称】エルナー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】染井 秀徳

(72)【発明者】

【氏名】山田 一樹

(57)【要約】

【課題】 十分に低いＥＳＲを実現できる固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 固体電解コンデンサは、第１セパレータと、引き出しリード端子を接続し表面に陽極酸化被膜を有する陽極箔と、第２セパレータと、引き出しリード端子を接続した陰極箔とが順次配置され、導電性高分子が形成されたコンデンサ素子を備え、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれは、前記導電性高分子を備えた状態で面方向において前記陽極箔よりも突出しかつ対向し、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータは、前記導電性高分子により電気的に接続した状態で少なくとも一部が固着され、導電性パスが形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１セパレータと、引き出しリード端子を接続し表面に陽極酸化被膜を有する陽極箔と、第２セパレータと、引き出しリード端子を接続した陰極箔とが順次配置され、導電性高分子が形成されたコンデンサ素子を備え、
前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれは、前記導電性高分子を備えた状態で面方向において前記陽極箔よりも突出しかつ対向し、
前記第１セパレータおよび前記第２セパレータは、前記導電性高分子により電気的に接続した状態で少なくとも一部が固着され、導電性パスが形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。

【請求項2】

前記導電性パスは、前記陰極箔の電気的短絡経路であることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項3】

前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれは、面方向で前記陽極箔よりも突出して対向し、前記導電性高分子を含む突出部を備え、
前記第１セパレータの前記突出部の突出長さを長さａとし、前記第２セパレータの前記突出部の突出長さを長さａ´とし、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部が対向する箇所における前記陽極箔の厚みを厚みｂとした場合に、長さａ＋長さａ´≧厚みｂの関係が成立し、
前記導電性高分子は、前記第１セパレータの前記突出部の少なくとも一部と、前記第２セパレータの前記突出部の少なくとも一部とを固着していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項4】

前記長さａおよび長さａ´は、それぞれ０．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項5】

前記第１セパレータ、前記陽極箔、前記第２セパレータ、および前記陰極箔は、共に巻回されて略柱形状を有し、
前記略柱形状の第１底面および第２底面のうち、前記第１底面に、前記陽極箔に接続された前記引き出しリード端子と、前記陰極箔に接続された前記引き出しリード端子とを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項6】

前記陽極箔は、アルミニウム箔またはアルミニウム合金箔であり、
前記陰極箔は、弁金属箔、弁金属の合金箔、または弁金属の表面に導電層を形成した箔であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項7】

前記第２底面における前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部の突出長さよりも、前記第１底面における前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部の突出長さよりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項8】

前記導電性パスにおいて、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの少なくともいずれか一方は、コンデンサ素子の円筒軸に対して傾斜していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項9】

前記コンデンサ素子は、内部に水分を含んでいることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項10】

前記第１底面における前記陽極箔の露出部において前記導電性高分子で被覆されている面積と、前記第２底面における前記陽極箔の露出部において前記導電性高分子で被覆されている面積との合計は、前記第１底面および前記第２底面における前記陽極箔の露出部の合計面積に対して、４８％以上であることを特徴とする請求項５に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項11】

前記第１底面における前記陽極箔の露出部において前記導電性高分子で被覆されている面積は、前記第１底面における前記陽極箔の露出部の面積に対して、４５％以上であることを特徴とする請求項５に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項12】

前記第１底面および前記第２底面の少なくともいずれかにおいて、中心部から外周部に向かって、前記陽極箔の露出部が前記導電性高分子で被覆される面積が増加することを特徴とする請求項５に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項13】

前記略柱形状の軸方向において、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの単位面積あたりの電解液量が、中心側よりも前記第１底面側および前記第２底面側において多いことを特徴とする請求項５に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項14】

前記導電性高分子層は、前駆体モノマーを重合させたものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項15】

前記第１セパレータおよび前記第２セパレータは、セルロース、レーヨン、およびガラス繊維から選択される少なくとも１種類以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項16】

前記コンデンサ素子に対する平面視において、前記導電性パスは、少なくとも、前記陰極箔に接続された前記リード端子が位置する側の半分の領域に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサ。

【請求項17】

第１セパレータと、引き出しリード端子を接続し表面に陽極酸化被膜を有する陽極箔と、第２セパレータと、引き出しリード端子を接続した陰極箔とが順次配置され、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれが面方向において前記陽極箔よりも突出しかつ対向するコンデンサ素子において、
前記第１セパレータおよび前記第２セパレータに前駆体モノマーを含浸させて前記コンデンサ素子内に導電性高分子を形成し、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータが前記導電性高分子により電気的に接続した状態で少なくとも一部を固着させて導電性パスを形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。

【請求項18】

前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれは、面方向で前記陽極箔よりも突出して対向し、前記導電性高分子を含む突出部を備え、
前記第１セパレータの前記突出部の突出長さを長さａとし、前記第２セパレータの前記突出部の突出長さを長さａ´とし、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部が対向する箇所における前記陽極箔の厚みを厚みｂとした場合に、長さａ＋長さａ´≧厚みｂの関係が成立し、
前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部間に前記導電性パスを形成することを特徴とする請求項１７に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

【請求項19】

コンデンサ素子に前記前駆体モノマーを含浸させて重合する工程を１回また複数回繰り返して固体電解質層を形成する際に、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータが突出する部分も同時に固着させて導電性パスを形成することを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

【請求項20】

前記第１セパレータおよび前記第２セパレータが突出する部分の前記導電性パスの表面被覆率を調整するために、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータに再度導電性ポリマーを含侵または付着させて固体電解質層を形成させることによって導電性パスを増加させることを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

アルミニウム等の弁金属箔を用いた固体電解コンデンサは、通常の電解コンデンサに存在する駆動用電解液に代えて、駆動用電解液よりも大幅に電気伝導度の高い導電性高分子ポリマーを用いて固体電解質層を両極間に形成し導通させることによってＥＳＲ（等価直列抵抗）の低減がなされている。

【0003】

通常、固体電解質層は、陽極酸化被膜が表面に形成された陽極箔と、陰極箔とを、セパレータを介して対向させて巻回されており、両弁金属箔には引き出しリード端子等の引き出し部が設けられたコンデンサ素子に、モノマーを含浸させ、その後重合等によって固化させることによって両箔間に存在させている。

【0004】

例えば、３，４－ジアルコキシチオフェンをモノマーとして用いて、アセチレングリコール系界面活性剤を添加の上、トルエンスルホン酸鉄などの重合開始剤を適量添加して加温することで、３，４－ジアルコキシチオフェンを重合している。さらに、別途重合させたポリアニオンを重合した３，４－ジアルコキシチオフェンにドープすることで表面抵抗率を低減した導電性高分子層を形成し、固体電解質層としている（例えば、特許文献１参照）。

【0005】

セパレータの材料に工夫を加えて、セパレータの空隙率を増大させ、セパレータの空隙内に導電性高分子の前駆体である液状組成物を含浸させ、導電性高分子の液状組成物を保持した状態で乾燥・あるいは重合させることによって、導電性高分子からなる高密度な固体電解質層を含むセパレータ層を形成することが可能である（例えば、特許文献２参照）。

【0006】

一方で、製品の低ＥＳＲ化を目的としたアルミ電解コンデンサの技術として、アルミ電解コンデンサ素子の端面に金属プレートを導電性接着剤にて陰極箔端面に接続（バンドル）して、突出した陰極箔同士を陽極箔の端面を超えて直接バンドルを介して電気的に接続する技術も開発されている（例えば、特許文献３参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１４－４０５５０号公報

【特許文献2】特開２０１１－９１４５７号公報

【特許文献3】特表２０２１－５１９５１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

固体電解コンデンサのような極低ＥＳＲ品においては、通常の電解液を用いた電解コンデンサでは問題視されていなかった、電極箔に電流が流れる際の電気的抵抗分が問題となる。それにより、コンデンサ素子において、電極箔の箔長末端からリード端子等の引き出し部への距離による、電極箔を引き出し部まで流れる電荷に掛かる抵抗が問題になっていた。

【0009】

そのため、特許文献３に示すような素子端面に金属のバンドルを形成することが考案されている。しかしながら、バンドル自体が金属製であることから、形成時に陽極箔の誘電体表面を傷つけるおそれがあり、素子表面の加工を行う必要がある。また、陽陰両箔間の絶縁をどのように保持するのか等、バンドルの接続が複雑になり、コストも上がってしまうという問題があった。

【0010】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、十分に低いＥＳＲを実現できる固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明に係る固体電解コンデンサは、第１セパレータと、引き出しリード端子を接続し表面に陽極酸化被膜を有する陽極箔と、第２セパレータと、引き出しリード端子を接続した陰極箔とが順次配置され、導電性高分子が形成されたコンデンサ素子を備え、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれは、前記導電性高分子を備えた状態で面方向において前記陽極箔よりも突出しかつ対向し、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータは、前記導電性高分子により電気的に接続した状態で少なくとも一部が固着され、導電性パスが形成されていることを特徴とする。

【0012】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記導電性パスは、前記陰極箔の電気的短絡経路であってもよい。

【0013】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれは、面方向で前記陽極箔よりも突出して対向し、前記導電性高分子を含む突出部を備え、前記第１セパレータの前記突出部の突出長さを長さａとし、前記第２セパレータの前記突出部の突出長さを長さａ´とし、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部が対向する箇所における前記陽極箔の厚みを厚みｂとした場合に、長さａ＋長さａ´≧厚みｂの関係が成立し、前記導電性高分子は、前記第１セパレータの前記突出部の少なくとも一部と、前記第２セパレータの前記突出部の少なくとも一部とを固着していてもよい。

【0014】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記長さａおよび長さａ´は、それぞれ０．２ｍｍ以上であってもよい。

【0015】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記第１セパレータ、前記陽極箔、前記第２セパレータ、および前記陰極箔は、共に巻回されて略柱形状を有し、前記略柱形状の第１底面および第２底面のうち、前記第１底面に、前記陽極箔に接続された前記引き出しリード端子と、前記陰極箔に接続された前記引き出しリード端子とを備えていてもよい。

【0016】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記陽極箔は、アルミニウム箔またはアルミニウム合金箔であり、前記陰極箔は、弁金属箔、弁金属の合金箔、または弁金属の表面に導電層を形成した箔であってもよい。

【0017】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記第２底面における前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部の突出長さよりも、前記第１底面における前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部の突出長さよりも大きくてもよい。

【0018】

上記固体電解コンデンサの前記導電性パスにおいて、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの少なくともいずれか一方は、コンデンサ素子の円筒軸に対して傾斜していてもよい。

【0019】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記コンデンサ素子は、内部に水分を含んでいてもよい。

【0020】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記第１底面における前記陽極箔の露出部において前記導電性高分子で被覆されている面積と、前記第２底面における前記陽極箔の露出部において前記導電性高分子で被覆されている面積との合計は、前記第１底面および前記第２底面における前記陽極箔の露出部の合計面積に対して、４８％以上であってもよい。

【0021】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記第１底面における前記陽極箔の露出部において前記導電性高分子で被覆されている面積は、前記第１底面における前記陽極箔の露出部の面積に対して、４５％以上であってもよい。

【0022】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記第１底面および前記第２底面の少なくともいずれかにおいて、中心部から外周部に向かって、前記陽極箔の露出部が前記導電性高分子で被覆される面積が増加してもよい。

【0023】

上記固体電解コンデンサの前記略柱形状の軸方向において、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの単位面積あたりの電解液量が、中心側よりも前記第１底面側および前記第２底面側において多くてもよい。

【0024】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記導電性高分子層は、前駆体モノマーを重合させたものであってもよい。

【0025】

上記固体電解コンデンサにおいて、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータは、セルロース、レーヨン、およびガラス繊維から選択される少なくとも１種類以上であってもよい。

【0026】

上記固体電解コンデンサの前記コンデンサ素子に対する平面視において、前記導電性パスは、少なくとも、前記陰極箔に接続された前記リード端子が位置する側の半分の領域に形成されていてもよい。

【0027】

本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、第１セパレータと、引き出しリード端子を接続し表面に陽極酸化被膜を有する陽極箔と、第２セパレータと、引き出しリード端子を接続した陰極箔とが順次配置され、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれが面方向において前記陽極箔よりも突出しかつ対向するコンデンサ素子において、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータに前駆体モノマーを含浸させて前記コンデンサ素子内に導電性高分子を形成し、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータが前記導電性高分子により電気的に接続した状態で少なくとも一部を固着させて導電性パスを形成することを特徴とする。

【0028】

上記固体電解コンデンサの製造方法において、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータのそれぞれは、面方向で前記陽極箔よりも突出して対向し、前記導電性高分子を含む突出部を備え、前記第１セパレータの前記突出部の突出長さを長さａとし、前記第２セパレータの前記突出部の突出長さを長さａ´とし、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部が対向する箇所における前記陽極箔の厚みを厚みｂとした場合に、長さａ＋長さａ´≧厚みｂの関係が成立し、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータの前記突出部間に前記導電性パスを形成してもよい。

【0029】

上記固体電解コンデンサの製造方法において、コンデンサ素子に前記前駆体モノマーを含浸させて重合する工程を１回また複数回繰り返して固体電解質層を形成する際に、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータが突出する部分も同時に固着させて導電性パスを形成してもよい。

【0030】

上記固体電解コンデンサの製造方法において、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータが突出する部分の前記導電性パスの表面被覆率を調整するために、前記第１セパレータおよび前記第２セパレータに再度導電性ポリマーを含侵または付着させて固体電解質層を形成させることによって導電性パスを増加させてもよい。

【発明の効果】

【0031】

本発明によれば、十分に低いＥＳＲを実現できる固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0032】

【図1】第１実施形態に係る電解コンデンサの概略図である。

【図2】（ａ）は陽極箔をシート状に展開した図であり、（ｂ）は陰極箔をシート状に展開した図であり、（ｃ）は第１セパレータをシート状に展開した図である。

【図3】陰極箔をシート状に展開した図である。

【図4】（ａ）はコンデンサ素子内の積層構造を説明するための模式的な断面図であり、（ｂ）は陽極箔の拡大断面図である。

【図5】陽極箔を挟む２層の陰極箔に導電性パスを形成するための構成について説明するための図である。

【図6】陽極箔を挟んで突出部同士が接触する様子を例示する図である。

【図7】（ａ）および（ｂ）はコンデンサ素子の上面において半径方向に導電性パスが形成された場合の効果を説明するための図である。

【図8】（ａ）は導電性高分子の形成前のコンデンサ素子の上面の画像を例示する図であり、（ｂ）は導電性高分子の形成後のコンデンサ素子の上面の画像を例示する図である。

【図9】電解コンデンサ１の製造方法のフローを例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0033】

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。

【0034】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る固体電解コンデンサ１の概略図である。固体電解コンデンサ１は、外装体として機能する金属ケース１０と、金属ケース１０に装入されたコンデンサ素子２０と、封口体３０とを備えている。

【0035】

金属ケース１０には、一端に開口部１１を有する有底筒状のアルミニウムケースが用いられる。本実施形態においては、金属ケース１０は一例として円筒状を有しているが、角筒状であってもよい。

【0036】

コンデンサ素子２０は、一対の電極箔を備えている。一対の電極箔は、陽極箔２１ａおよび陰極箔２１ｂである。第１セパレータ２２ａ、陽極箔２１ａ、第２セパレータ２２ｂ、および陰極箔２１ｂがこの順に積層され長さ方向に巻回されて、コンデンサ素子２０が構成されている。コンデンサ素子２０の形状は、金属ケース１０の内形状に略一致させてある。したがって、コンデンサ素子２０は、柱形状を有している。本実施形態におけるコンデンサ素子２０は、イオンの移動における短絡経路の効果が良く発揮できる巻回型（略円柱）に用いることが好ましいが、セパレータを介して陽極箔と陰極箔とを順次積層した積層型のコンデンサ素子（略角柱）に用いてもよい。

【0037】

陽極箔２１ａおよび陰極箔２１ｂとして、アルミニウム、タンタル、チタン、ニオブ等の弁金属およびその合金箔並びに蒸着箔等を用いることができる。蒸着膜は、例えば、チタンの蒸着膜である。陰極箔２１ｂは、弁金属箔、弁金属の合金箔、または弁金属の表面に導電層を形成した箔であってもよい。陽極箔２１ａは、表面の全体を酸化被膜が覆っている。したがって、陽極箔２１ａは、他の部材から絶縁されている。この酸化被膜が誘電体として機能することで、コンデンサ素子２０がコンデンサとして機能する。陰極箔２１ｂの表面には酸化被膜が形成されていない。なお、陰極箔２１ｂは、表面に無機層またはカーボン層が形成されていてもよい。その場合には、後述する導電性高分子２５は、無機層またはカーボン層を形成した面にも形成される。

【0038】

陽極箔２１ａには、引き出しリード端子としての陽極リード端子２３ａが接続されている。陰極箔２１ｂには、引き出しリード端子としての陰極リード端子２３ｂが接続されている。

【0039】

封口体３０は、陽極リード端子２３ａおよび陰極リード端子２３ｂが挿通される一対のリード挿通孔３１ａ，３１ｂを有するゴム封口体からなる。封口体３０は、金属ケース１０の開口部１１内に嵌合され、かしめ駒などにより開口部１１の外周に沿って形成される横絞り溝１２により気密的に強固に取り付けられる。例えば、封口体３０には、ブチルゴムなどが採用される。

【0040】

なお、本実施形態においては、コンデンサ素子２０がなす柱形状の各底面のうち、リード端子が設けられている側の底面を上面（第１底面）と称し、リード端子が設けられていない側の底面を下面（第２底面）と称する。

【0041】

図２（ａ）は、陽極箔２１ａをシート状に展開した図である。図２（ｂ）は、陰極箔２１ｂをシート状に展開した図である。図２（ａ）および図２（ｂ）で例示するように、陽極リード端子２３ａおよび陰極リード端子２３ｂは、アルミニウムなどの金属丸棒の一端側をプレスして平板として羽子板状のタブ端子部に、リード線が接続された構造を有している。陽極箔２１ａおよび陰極箔２１ｂは、このタブ端子部の平板部に固着している。なお、固着とは、乾燥して固まっていることを意味しているため、粘着とは異なる。

【0042】

図２（ｃ）は、第１セパレータ２２ａをシート状に展開した図である。第１セパレータ２２ａには、導電性高分子が形成されている。固体電解コンデンサ１では、電解液は用いられない。

【0043】

図２（ｃ）では、第１セパレータ２２ａについて説明したが、第２セパレータ２２ｂも第１セパレータ２２ａと同様の構造を有する。

【0044】

第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂは、セルロース、レーヨン、ガラス繊維などから選択される少なくとも１種類以上を材料とする。

【0045】

導電性高分子２５は、導電性を有する高分子であれば特に限定されるものではない。例えば、導電性高分子２５として、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンおよびこれらの誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の高分子を用いる。導電性高分子２５として、一般的に、ｐ－トルエンスルホン酸およびポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等からなる群より選択される少なくとも１種の酸をドーパントとするポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）が用いられる。

【0046】

ここで、陰極箔２１ｂ、導電性高分子２５の体積抵抗率（Ωｍ）について説明する。例えば、陰極箔２１ｂとしてアルミニウムを用いる場合には、陰極箔２１ｂの体積抵抗率は約２．６５×１０^－６Ωｍである。導電性高分子２５としてＰＳＳをドーパントとするＰＥＤＯＴを用いる場合には、導電性高分子２５の体積抵抗率は１．０×１０^－３～１．０×１０^－２程度である。

【0047】

本実施形態に係るコンデンサ素子２０は、陰極箔２１ｂに加えて導電性高分子２５を用いることで、高い静電容量および低いＥＳＲを実現することができる。しかしながら、ＥＳＲが十分に低くならない場合がある。この点について詳細を説明する。

【0048】

図３は、図２（ｂ）と同様に、陰極箔２１ｂをシート状に展開した図である。図３で例示するように、陰極箔２１ｂの長さ方向に電子伝導が生じるため、陰極リード端子２３ｂまでの電子伝導距離が長くなる場合がある。例えば、陰極リード端子２３ｂから最も遠い点Ｐから陰極リード端子２３ｂに至るまで、距離が長くなる傾向にある。したがって、陰極箔の厚みが薄いことも相まって、点Ｐから陰極リード端子２３ｂに至るまでの電気抵抗が大きくなり、ＥＳＲが十分に低くならない場合がある。

【0049】

特に、巻回型のコンデンサ素子においては、箔末端からリード端子への距離が長く、かつ巻回する都合上、箔長の何れか一方に寄らざるを得ないことからリード端子に遠い側の箔末端からは電荷が移動する際に電気的抵抗がより増加するという問題がある。

【0050】

また、陰極として、陽極箔と比較して箔厚が薄く金属の純度も低いものを用いると、金属箔を導通する際に抵抗が大きくなる。

【0051】

そこで、本実施形態に係るコンデンサ素子２０は、ＥＳＲを十分に低くすることができる構成を有している。まず、陰極箔間の導電性パスについて説明する。図４（ａ）は、コンデンサ素子２０内の積層構造を説明するための模式的な断面図である。図４（ａ）で例示するように、断面において、第１セパレータ２２ａ、陽極箔２１ａ、第２セパレータ２２ｂ、陰極箔２１ｂの積層単位が順に積層されている。第１セパレータ２２ａの陽極箔２１ａと反対側に、陰極箔２１ｂが位置するように見える。

【0052】

陽極箔２１ａは、金属箔２１１の表面に陽極酸化被膜２１２が形成された構造を有している。この陽極酸化被膜２１２が誘電体として機能している。図４（ｂ）で例示するように、陽極箔２１ａは、例えば、エッチング処理により拡面化し、化成処理により表面に陽極酸化被膜２１２を形成している。エッチング処理の拡面化された陽極箔は、表面に無数の細孔を有し、非常に大きい表面積を有している。陽極酸化被膜２１２は、陽極箔２１aの表面全体に厚み１０～１００ｎｍで形成されている。陰極リード端子２３ｂからの電荷は、陰極箔２１ｂを通り第１セパレータ２２ａの導電性高分子を介して陽極酸化被膜２１２を帯電させる。しかしながら、陰極リード端子２３ｂからの電荷は、図４（ａ）における陰極リード端子２３ｂから近い方の陰極箔２１ｂを通過した後、巻回している陰極箔２１ｂを通過して、図４（ａ）における陰極リード端子２３ｂから遠い方の陰極箔２1ｂを通過することになり、図４（ａ）における左側の陰極箔２1ｂから右側の陰極箔２１ｂまで到達するためには、相応の長さの経路を通過する必要がある。この２層の陰極箔２１ｂの間のセパレータに導電性高分子による導電性パス４０が形成されれば、図３で説明した陰極リード端子２３ｂから最も遠い点Ｐから陰極リード端子２３ｂに至るまでの経路にショートカットを形成することができ、ＥＳＲを低下させることができる。すなわち、陰極リード端子２３ｂからの電荷は、陰極箔２１ｂを通り導電性高分子を介して陽極酸化被膜２１２を帯電させる。電荷が陰極箔２１ｂを通る際に、第１セパレータ２２ａと第２セパレータ２２ｂとの間に導電性高分子による電気的短絡経路である導電性パスが形成されていると、陰極リード端子２３ｂからの電荷は導電性パスを介して、陰極リード端子２３ｂからより離れた外周部の陰極箔２１ｂにより短い距離で到達することとなるため、外周部の陰極箔２１ｂから外周部の導電性高分子を介して外周部の陽極酸化被膜２１２を効率的に帯電させる。結果として、より外周部の陽極箔２１ａの陽極酸化被膜２１２までの導電率が高い、すなわち素子全体の特性が低ＥＳＲとなる。

【0053】

図５は、陽極箔２１ａを挟む２層の陰極箔２１ｂに導電性パスを形成するための構成について説明するための図である。図５で例示するように、本実施形態に係るコンデンサ素子２０は、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂが、陽極箔２１ａよりも面方向で突出して対向している。図５の例では、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂは、コンデンサ素子２０の上面において陽極箔２１ａよりも上側に突出している。

【0054】

第１セパレータ２２ａが陽極箔２１ａよりも突出する突出部２２ａ１の突出長さを長さａとする。第２セパレータ２２ｂが陽極箔２１ａよりも突出する突出部２２ｂ１の突出長さを長さａ´とする。第１セパレータ２２ａの突出部２２ａ１と第２セパレータ２２ｂの突出部２２ｂ１とが対向する箇所における陽極箔２１ａの厚みを厚みｂとする。この場合において、長さａ＋長さａ´≧厚みｂの関係が成立している。

【0055】

第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂは、柔軟性を有しているため、容易に曲がり、容易に折れ曲がる傾向にある。したがって、図６で例示するように、陽極箔２１ａを挟んで、突出部２２ａ１と突出部２２ｂ１とが接触しやすくなる。この場合、第１セパレータ２２ａの導電性高分子２５と第２セパレータ２２ｂの導電性高分子２５とが接触することによって電気的に接続される。それにより、陽極箔２１ａを挟む２層の陰極箔２１ｂの間に導電性パス４０が形成される。それにより、コンデンサ素子２０のＥＳＲを低くすることができる。なお、ケース内に収納することで突出部２２ａ１と突出部２２ｂ１とに応力をかけさらに固着することができる。すなわち、本実施形態において、導電性パス４０は、突出部２２ａ１および突出部２２ｂ１が導電性高分子２５を介して固着して形成される。なお、突出部２２ａ１および突出部２２ｂ１の少なくともいずれか一方を、コンデンサ素子２０の円筒軸に対して傾斜させてあることが好ましい。例えば、突出部２２ａ１および突出部２２ｂ１の少なくともいずれか一方を、コンデンサ素子２０の中心に向けて傾斜させてあることが好ましい。当該傾斜によって、固着している箇所が衝撃に弱くても、衝撃の影響を抑制することができる。

【0056】

図７（ａ）および図７（ｂ）は、コンデンサ素子２０の上面において半径方向に導電性パスが形成された場合の効果を説明するための図である。図７（ａ）および図７（ｂ）で例示するように、コンデンサ素子２０の上面では、陽極リード端子２３ａおよび陰極リード端子２３ｂが見られる。コンデンサ素子２０の下面では、陽極リード端子２３ａおよび陰極リード端子２３ｂは見られない。

【0057】

図７（ａ）で例示するように、導電性パスが形成されていなければ、イオン伝導の経路は、複数回にわたって周回したうえで陰極リード端子２３ｂに到達する経路となる。これに対して、図７（ｂ）で例示するように、コンデンサ素子２０の上面において半径方向に導電性パス４０が形成された場合には、ショートカットを繰り返すことができ、陰極リード端子２３ｂに至るまでの経路を短縮化することができる。なお、本実施形態においては、陽極箔２１ａに絶縁性を有する陽極酸化被膜２１２が形成されていることから、陽極箔２１ａが導電性パス４０と接触してもショートは生じない。

【0058】

なお、第１セパレータ２２ａの突出部２２ａ１と第２セパレータ２２ｂの突出部２２ｂ１との間を接触させやすくする観点から、（長さａ＋長さａ´）は、厚みｂの１倍より大きいことが好ましく、２倍以上であることがより好ましい。

【0059】

同様に、第１セパレータ２２ａの突出部２２ａ１と第２セパレータ２２ｂの突出部２２ｂ１との間を接触させやすくする観点から、長さａおよび長さａ´のそれぞれは、０．２ｍｍ以上であることが好ましく、０．２５ｍｍ以上であることがより好ましく、０．３ｍｍ以上であることがさらに好ましい。例えば、陽極箔２１ａおよび陰極箔２１ｂは、コンデンサ素子２０の上面と下面とを結ぶ方向において、２．７ｍｍ以上７．５ｍｍの幅を有する。第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂは、コンデンサ素子２０の上面と下面とを結ぶ方向において、３．２ｍｍ以上８．０ｍｍの幅を有する。

【0060】

また、導電性パス４０は、陰極リード端子２３ｂに近い位置で形成されていることが好ましい。したがって、コンデンサ素子２０に対する平面視において、導電性パス４０は、少なくとも、陰極リード端子２３ｂが位置する側の半分の領域（図７（ａ）では点線よりも右側の領域）に形成されていることが、陰極側の電気的短絡経路を形成する上で電気的効率の観点から好ましい。

【0061】

なお、第１セパレータ２２ａと第２セパレータ２２ｂとが接触すると、コンデンサ素子２０を上面側から見たときに、陽極箔２１ａの上面側の露出部（端面）が導電性高分子２５によって被覆されているように見える。陽極箔２１ａの上面側端面が導電性高分子２５によって被覆されている割合（陽極端面被覆率）が高いほど、多くの導電性パス４０が形成されていることになる。そこで、陽極端面被覆率に下限を設けることが好ましい。

【0062】

本実施形態においては、陽極箔２１ａの陽極端面被覆率を、コンデンサ素子２０を上面側から見た場合の、コンデンサ素子２０の上面における陽極箔２１ａの露出の面積に対して、導電性高分子２５によって被覆されている面積と定義することができる。十分な量の導電性パス４０を得る観点から、この陽極端面被覆率は、４５％以上であることが好ましく、６９％以上であることがより好ましく、７３％以上であることがさらに好ましい。

【0063】

陽極箔２１ａの陽極端面被覆率は、導電性高分子２５の形成前のコンデンサ素子２０の上面の画像と、導電性高分子２５の形成後のコンデンサ素子２０の上面の画像とから、画像処理を行なうことによって算出することができる。まず、図８（ａ）で例示する導電性高分子２５の形成前のコンデンサ素子２０の上面の画像において、コンデンサ素子２０の全体の面積から、第１セパレータ２２ａ、第２セパレータ２２ｂ、中心部の面積、陽極リード端子２３ａ、陰極リード端子２３ｂ、陰極箔２１ｂの面積を差し引くことで、被覆前の陽極箔２１ａの露出部（端面）の面積を算出することができる。中心部の面積は、素子上面の平面視において、中心部の孔の径のうち最も長い径を直径とする円が中心部にあるものとみなし、該円の最も長い径の１／２の値を半径として、πｒ^２の計算式にて求めた面積を中心部の面積を定義する。

【0064】

次に、図８（ｂ）で例示する導電性高分子２５の形成後のコンデンサ素子２０の上面の画像において、コンデンサ素子２０の全体の面積から、第１セパレータ２２ａ、第２セパレータ２２ｂ、中心部の面積、陽極リード端子２３ａ、陰極リード端子２３ｂ、陰極箔２１ｂの面積、および導電性高分子２５によって黒く被覆された面積を差し引くことで、被覆後の陽極箔２１ａの露出部（端面）の面積を算出することができる。

【0065】

｛（被覆前の陽極箔２１ａの露出部の面積）－（被覆後の陽極箔２１ａの露出部の面積の割合）｝／（被覆前の陽極箔２１ａの露出部の面積）×１００（％）を算出することで、陽極端面被覆率を算出することができる。

【0066】

なお、図７（ｂ）で例示したように、コンデンサ素子２０の上面において、中心部よりも外周部の方が、陰極箔２１ｂが１周するのに必要な距離が長くなる。そこで、コンデンサ素子２０の上面において、中心部から外周部に向かって、導電性高分子２５によって陽極箔２１ａの露出部が被覆される面積が増加していくことが好ましい。ここで、導電性高分子２５によって陽極箔２１ａの露出部が被覆される面積が増加することは、面積の絶対値が大きくなっていくことと、１周に占める導電性高分子２５の面積割合が大きくなっていることとの少なくともいずれか一方のことを意味する。

【0067】

図５～図７（ｂ）では、コンデンサ素子２０の上面における構造について説明したが、下面においても第１セパレータ２２ａが下面側に突出する突出部２２ａ１を備え、第２セパレータ２２ｂが下面側に突出する突出部２２ｂ１を備えていてもよい。または、コンデンサ素子２０の上面および下面のいずれか一方だけに、突出部２２ａ１および突出部２２ｂ１が備わっていてもよい。

【0068】

ただし、陰極箔２１ｂにおいてコンデンサ素子２０の上面側に陰極リード端子２３ｂが接続されているため、コンデンサ素子２０の上面側に導電性パスが形成されていることが好ましい。そこで、コンデンサ素子２０の上面において、突出部２２ａ１および突出部２２ｂ１が備わっていることが好ましい。

【0069】

また、コンデンサ素子２０の上面側で多くの導電性パスが形成されていることが好ましいため、上面および下面の両方に突出部２２ａ１および突出部２２ｂ１が備わっている場合に、上面側の長さａおよび長さａ´が、下面側の長さａおよび長さａ´よりも長いことが好ましい。

【0070】

また、コンデンサ素子２０を上面側から見た場合の陽極箔２１ａの露出部の面積と、コンデンサ素子２０を下面側から見た場合の陽極箔２１ａの露出部の面積との合計に対する、導電性高分子２５によって被覆されている面積の比率は、４８％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、７３％以上であることがさらに好ましい。なお、当該比率は、コンデンサ素子２０の上面側の陽極端面被覆率と下面側の陽極端面被覆率との平均値と定義することもできる。

【0071】

続いて、電解コンデンサ１の製造方法について説明する。図９は、電解コンデンサ１の製造方法のフローを例示する図である。

【0072】

（巻回体の作製）
第１セパレータ２２ａ、陽極リード端子２３ａが接続された陽極箔２１ａ、第２セパレータ２２ｂ、および陰極リード端子２３ｂが接続された陰極箔２１ｂをこの順に積層して巻回し、外側表面を巻止めテープで固定することで巻回体を作製する。このときに、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂを陽極箔２１ａよりも上面側および下面側に突出させる。

【0073】

（導電性高分子の含浸・重合）
次に、減圧雰囲気中で、水と有機溶媒を含む前駆体モノマーに巻回体を２０分間浸漬し、その後、前駆体モノマーから巻回体を引き上げる。このようにすることで、巻回体に前駆体モノマーを含浸させることができる。余剰の前駆体モノマーを巻回体に残存させた状態で酸化剤を作用させることで、導電性パス４０を形成する。

【0074】

例えば、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータに前駆体モノマーを含浸させてコンデンサ素子２０内に導電性高分子を形成した後に、余剰の前駆体モノマーを残存させた状態で重合することで導電性パス４０を形成することができる。この場合において、

【0075】

または、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂに前駆体モノマーを含浸させて余剰の前駆体モノマーを除去して酸化剤を作用させることで重合反応を生じさせ、その後、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂに前駆体モノマーを再度含浸させて余剰の前駆体モノマーを除去して酸化剤を作用させることで、導電性パス４０を形成してもよい。この一連の手順を繰り返すことで、十分な量の導電性パス４０を形成することができる。なお、コンデンサ素子２０の内部に、水分が残留していていもよい。

【0076】

コンデンサ素子２０に前駆体モノマーを含浸させて重合する工程を１回また複数回繰り返して固体電解質層を形成する際に、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂが突出する部分も同時に固着させて導電性パス４０を形成してもよい。第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂが突出する部分の導電性パス４０の表面被覆率を調整するために、第１セパレータ２２ａおよび第２セパレータ２２ｂに再度導電性ポリマーを含侵または付着させて固体電解質層を形成させることによって導電性パスを増加させてもよい。

【0077】

（コンデンサ素子の封止）
次に、巻回体を金属ケース１０および封口体３０によって封止することによって、電解コンデンサ１が完成する。その後、定格電圧を印加しながらエージング処理を行なってもよい。

【0078】

本実施形態に係る製造方法によれば、陽極箔２１ａを挟んで、突出部２２ａ１と突出部２２ｂ１とが接触しやすくなり、陽極箔２１ａを挟む２層の陰極箔２１ｂの間に導電性パス４０が形成されるようになる。その結果、コンデンサ素子２０のＥＳＲを低くすることができる。また、前駆体モノマーの含浸時に、前駆体モノマーが含浸したセパレータが粘着性を有し、粘着性を持ったセパレータ同士が決着した状態で酸化剤を作用させることで、前駆体モノマーが重合し、セパレータと一体化した強固な導電性高分子層が形成される。

【0079】

なお、上記実施形態では、第１セパレータ２２ａ、陽極箔２１ａ、第２セパレータ２２ｂ、および陰極箔２１ｂがこの順に積層された積層単位を巻回させてあるが、それに限られない。例えば、第１セパレータ２２ａ、陰極箔２１ｂ、第２セパレータ２２ｂ、陽極箔２１ａがこの順に積層された積層単位を巻回させてもよい。

【0080】

また、上記実施形態では、コンデンサ素子２０が略円柱形状を有していたが、それに限られない。例えば、コンデンサ素子２０は、角柱などの他の柱形状を有していてもよい。

【0081】

また、上記実施形態では、コンデンサ素子２０が巻回されていたが、それに限られない。例えば、第１セパレータ２２ａ、陽極箔２１ａ、第２セパレータ２２ｂ、および陰極箔２１ｂを含む複数の積層単位が、巻回されずに積層されていてもよい。

【実施例0082】

以下、実施形態に係る電解コンデンサを作製し、特性について調べた。

【0083】

（実施例１）
実施例１では、定格電圧６３Ｖ、定格静電容量５６μＦの巻回型の固体電解コンデンサ（直径６．３ｍｍ×長さ５．７ｍｍ）を作製した。以下に、固体電解コンデンサの具体的な製造方法について説明する。

【0084】

（巻回体の作製）
準備した陽極箔に、陽極リード端子を接続した。端面に導体層を有し塗れ性改善の下処理を行った陰極箔に、陰極リード端子を接続した。その後、第１セパレータ、陰極箔、第２セパレータ、および陽極箔をこの順に積層し、リード端子を巻き込みながら巻回し、外側表面を巻止めテープで固定することで巻回体を作製した。このときに、巻回体の上面（リード端子側）における第１セパレータの突出長さａおよび第２セパレータの突出長さａ´が０．３５ｍｍとなるように、第１セパレータおよび第２セパレータの位置を調整した。作製した巻回体を、リン酸アンモニウム水溶液に浸漬させ、陽極箔に対して、所定の電圧を印加しながら、再度化成処理を行うことにより、主に陽極箔の端面に誘電体層を形成した。その後、炭化工程を経て再度化成工程および炭化工程を経たうえで、素子を洗浄し乾燥した。陽極箔の厚みｂは、０．１２５ｍｍであった。

【0085】

（コンデンサ素子の作製）
所定容器に収容された導電性高分子前駆体モノマーに巻回体を３分間浸漬し、その後、導電性高分子前駆体モノマーから巻回体を引き上げた。このとき、導電性高分子前駆体モノマーによる陽極端面被覆率が約９６％～９９％となるように調整した。次に、導電性高分子前駆体モノマーを含浸した巻回体を、乾燥炉内で４５分間乾燥させ、乾燥した素子に常温で酸化剤を含浸し、余剰の酸化剤を除去した後に、加温による重合を進行させた。その後、必要に応じてさらに熱処理を行い、徐冷の後、導電性高分子層と導電性パスを有するアルミニウム固体電解コンデンサ素子を得た。

【0086】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出した。上面側の陽極端面被覆率は、９８．８％であった。下面側の陽極端面被覆率は、９６．１％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、９７．６％であった。

【0087】

（コンデンサ素子の封止）
固体電解コンデンサ素子を封止して、固体電解コンデンサを完成させた。その後、定格電圧を印加しながら、１時間エージング処理を行った。

【0088】

（実施例２）
導電性高分子の形成時に、導電性高分子による陽極端面被覆率が約８４％～８６％となるように調整したこと以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサを作製し、評価を行った。

【0089】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出したところ、上面側の陽極端面被覆率は、８５．７％であった。下面側の陽極端面被覆率は、８３．９％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、８４．８％であった。

【0090】

（実施例３）
導電性高分子の形成時に、導電性高分子による陽極端面被覆率が約７３～７５％となるように調整したこと以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサを作製し、評価を行った。

【0091】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出したところ、上面側の陽極端面被覆率は、７３．４％であった。下面側の陽極端面被覆率は、７４．２％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、７３．８％であった。

【0092】

（実施例４）
巻回体の上面（リード端子側）における第１セパレータの突出長さａおよび第２セパレータの突出長さａ´が０．２ｍｍとなるように、第１セパレータおよび第２セパレータの位置を調整した。導電性高分子の形成時に、導電性高分子による陽極端面被覆率が約８９～９１％となるように調整した。それ以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサを作製し、評価を行った。

【0093】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出したところ、上面側の陽極端面被覆率は、６９．３％であった。下面側の陽極端面被覆率は、７０．６％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、７０．１％であった。

【0094】

（実施例５）
導電性高分子の形成時に、導電性高分子による陽極端面被覆率が約７４～７７％となるように調整したこと以外は、実施例４と同様に電解コンデンサを作製し、評価を行った。

【0095】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出したところ、上面側の陽極端面被覆率は、５４．２％であった。下面側の陽極端面被覆率は、５６．８％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、５５．５％であった。

【0096】

（実施例６）
導電性高分子の形成時に、導電性高分子による陽極端面被覆率が約６８～７１％となるように調整したこと以外は、実施例４と同様に電解コンデンサを作製し、評価を行った。

【0097】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出したところ、上面側の陽極端面被覆率は、４５．７％であった。下面側の陽極端面被覆率は、５０．４％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、４８．１％であった。

【0098】

（比較例１）
巻回体の上面（リード端子側）における第１セパレータの突出長さａおよび第２セパレータの突出長さａ´が０．０６ｍｍとなるように、第１セパレータおよび第２セパレータの位置を調整した。導電性高分子の形成時に、導電性高分子による陽極端面被覆率が約２２～２５％となるように調整した。それ以外は、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、評価を行った。

【0099】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出したところ、上面側の陽極端面被覆率は、３４．９％であった。下面側の陽極端面被覆率は、３２．５％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、３３．７％であった。

【0100】

（比較例２）
巻回体の上面（リード端子側）における第１セパレータの突出長さａおよび第２セパレータの突出長さａ´が０．０４ｍｍとなるように、第１セパレータおよび第２セパレータの位置を調整した。導電性高分子の形成時に、導電性高分子による陽極端面被覆率が約１８～２１％となるように調整した。それ以外は、比較例１と同様に電解コンデンサを作製し、評価を行った。

【0101】

得られたコンデンサ素子の上面および下面の画像処理を行い、それぞれの陽極端面被覆率を算出したところ、上面側の陽極端面被覆率は、１８．２％であった。下面側の陽極端面被覆率は、２０．４％であった。上面および下面の陽極端面被覆率の平均値は、１９．３％であった。

【0102】

（分析）
実施例１～６および比較例１，２のそれぞれで得られた電解コンデンサについて、下記の手順で、静電容量およびＥＳＲ値を求めた。４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、電解コンデンサの周波数１００ｋＨｚにおけるＥＳＲ値（初期ＥＳＲ値）（ｍΩ）を測定した。

【0103】

実施例１では、ＥＳＲは１２．７ｍΩであった。実施例２では、ＥＳＲは１３．３ｍΩであった。実施例３では、ＥＳＲは１５．８ｍΩであった。実施例４では、ＥＳＲは１７．２ｍΩであった。実施例５では、ＥＳＲは１９．４ｍΩであった。実施例６では、ＥＳＲは２０．８ｍΩであった。比較例１では、ＥＳＲは２６．５ｍΩであった。比較例２では、ＥＳＲは３１．６ｍΩであった。結果を表１に示す。

【表1】

【0104】

比較例１，２では、ＥＳＲが高くなった。これは、長さａ＋長さａ´≧厚みｂの関係が成立していないことで、セパレータ同士の接触が得られず、陽極箔を挟む２層の陰極箔間に導電性高分子による導電性パスが形成されなかったからであると考えられる。これに対して、実施例１～６では、比較例１，２と比較してＥＳＲが低くなった。これは、長さａ＋長さａ´≧厚みｂの関係が成立したことで、セパレータ同士の接触が得られ、陽極箔を挟む２層の陰極箔間に導電性高分子による導電性パスが形成されたからであると考えられる。なお、実施例１～６のＥＳＲについて検討すると、陽極端面被覆率が高くなるほどＥＳＲが低下していることがわかる。この結果から、陽極端面被覆率が高くなるほど多くの導電性パスが形成されたからであると考えられる。

【0105】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0106】

１ 電解コンデンサ
１０ 金属ケース
１１ 開口部
１２ 横絞り溝
２０ コンデンサ素子
２１ａ 陽極箔
２１ｂ 陰極箔
２２ａ 第１セパレータ
２２ｂ 第２セパレータ
２３ａ 陽極リード端子
２３ｂ 陰極リード端子
３０ 封口体
３１ａ，３１ｂ リード挿通孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】