特開 2024-41335 磁気記録媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024041335

(43)【公開日】2024-03-27

(54)【発明の名称】磁気記録媒体

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/84 20060101AFI20240319BHJP

   G11B 5/70 20060101ALI20240319BHJP

   G11B 5/65 20060101ALI20240319BHJP

   G11B 5/78 20060101ALI20240319BHJP

   G11B 23/037 20060101ALI20240319BHJP

   G11B 21/10 20060101ALI20240319BHJP

   G11B 5/09 20060101ALI20240319BHJP

   G11B 5/851 20060101ALI20240319BHJP

   G11B 5/842 20060101ALI20240319BHJP

【ＦＩ】

G11B5/84 C

G11B5/70

G11B5/65

G11B5/78

G11B23/037

G11B21/10 B

G11B5/09 331

G11B5/851

G11B5/842 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022146082

(22)【出願日】2022-09-14

(71)【出願人】

【識別番号】000002185

【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112874

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 薫

(72)【発明者】

【氏名】山鹿 実

(72)【発明者】

【氏名】高山 貴広

(72)【発明者】

【氏名】森田 博司

【テーマコード（参考）】

5D006

5D112

【Ｆターム（参考）】

5D006EA01

5D006EA03

5D112AA22

5D112JJ02

(57)【要約】

【課題】
磁気記録媒体の使い始めの磁気記録媒体幅を決定する時間を短縮することができ、使い始めの磁気記録媒体幅を明確にできる、磁気記録媒体を提供することを目的とする
【解決手段】
幅方向に隣接する複数のサーボバンドを有する磁性層を有する磁気記録媒体であって、 ６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内であり、平均厚み（平均全厚）が５．３μｍ以下である、前記磁気記録媒体。
【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

幅方向に隣接する複数のサーボバンドを有する磁性層を有する磁気記録媒体であって、
６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内であり、
平均厚み（平均全厚）が５．３μｍ以下である、前記磁気記録媒体。

【請求項2】

３５℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内である、請求項１に記載の前記磁気記録媒体。

【請求項3】

１０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内である、請求項１に記載の前記磁気記録媒体。

【請求項4】

前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２２分以内である、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項5】

６０℃の温度環境において、前記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷが、６８０ｐｐｍ以上である、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項6】

６０℃の温度環境において、前記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷが、７００ｐｐｍ以上である、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項7】

前記サーボバンドに書き込まれたサーボパターンは、前記磁気記録媒体の幅方向に対して５～２０°のアジマス角を持って傾斜する複数のストライプを含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項8】

データ記録トラック幅が１０００ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項9】

前記磁性層が磁性粉を含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項10】

前記磁性層がスパッタ層である、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項11】

請求項１に記載の磁気記録媒体がリールに巻き付けられた状態でケースに収容されている、磁気記録カートリッジ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本技術は、磁気記録媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子データのバックアップなどの用途で磁気記録媒体が広く利用されている。磁気記録媒体の一つとして、例えば磁気テープカートリッジは、大容量・長期保存が可能なことから、ビッグデータ等の蓄積媒体としてますます注目が集まっている。

【0003】

データの記録密度を向上するために、磁気テープでは、磁気テープの全厚みが非常に薄く、かつ、データ記録トラック幅は非常に狭くなっている。このように全厚みが非常に薄く、かつ、データ記録トラック幅が狭くなると、例えば温湿度変化などの環境要因に起因する磁気テープの幅方向の変化量として最大許容される変化量がますます小さくなる。

【0004】

磁気テープの幅方向の変化量を小さくするための技術がこれまでにいくつか提案されてきている。例えば、下記特許文献１に開示された磁気テープは、非磁性支持体の幅方向のヤング率をＸ且つバック層の幅方向のヤング率をＹとしたときに、Ｘが８５０ｋｇ／ｍｍ^２以上であるか又は８５０ｋｇ／ｍｍ^２未満の場合はＸ×Ｙが６×１０^５以上であり、且つ、磁性層を含む層の幅方向のヤング率をＺとしたときＹ／Ｚが６．０以下であることを特徴とする。

【0005】

また、磁気テープの幅方向の変化に対応するため記録再生装置を調節する技術がこれまでにいくつか提案されている。例えば、下記特許文献２では、記録再生装置において、各記録トラックに対する記録再生ヘッドの位置決め（トラッキング）制御を実行し、テープ情報やデータバンドを特定するためのサーボバンド識別情報が埋め込まれた所定形状のサーボパターンが記録されたサーボバンドに関し、隣接するサーボバンドの間隔（サーボバンドピッチ）の変化に対応するために磁気テープの走行時に加えるテンションを変化させる技術が提案されている。特許文献２で提案された技術では、基準となる初期の磁気テープの幅情報をメモリに入れ、再生時に初期の磁気テープの幅情報を参考にして、磁気テープに加えるテンションを変化させている。また、下記特許文献３では、記録再生装置のデータライトヘッドを磁気テープの幅方向に対して傾けて配置する技術が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００５－３３２５１０号公報

【特許文献2】特開２００５－２８５２６８号公報

【特許文献3】特開２００５－２５９１９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかし、記録再生装置によってデータの記録又は再生をする際、磁気テープを走行させ始めた際の磁気テープの幅は、磁気テープの長手方向の張力や巻き圧力によって変形させられており、幅方向の変化が安定するまでに時間を要する。このため、基準となる初期の磁気テープ幅情報をメモリに入れる時期が遅くなるといった問題がある。

【0008】

以上のような事情に鑑み、本技術は、磁気記録媒体の使い始めの磁気記録媒体幅を決定する時間を短縮することができ、使い始めの磁気記録媒体幅を明確にできる、磁気記録媒体を提供することを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本技術は、幅方向に隣接する複数のサーボバンドを有する磁性層を有する磁気記録媒体であって、
６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内であり、
平均厚み（平均全厚）が５．３μｍ以下である、前記磁気記録媒体を提供する。
本技術に従う、磁気記録媒体は、３５℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内でありうる。
本技術に従う、磁気記録媒体は、１０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内でありうる。
本技術に従う、磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２２分以内でありうる。
本技術に従う、磁気記録媒体は、６０℃の温度環境において、前記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷが、６８０ｐｐｍ以上でありうる。
本技術に従う、磁気記録媒体は、６０℃の温度環境において、前記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷが、７００ｐｐｍ以上でありうる。
前記サーボバンドに書き込まれたサーボパターンは、前記磁気記録媒体の幅方向に対して５～２０°のアジマス角を持って傾斜する複数のストライプを含みうる。
本技術に従う、磁気記録媒体は、データ記録トラック幅が１０００ｎｍ以下でありうる。
本技術の一つの実施態様に従い、磁気記録媒体は、前記磁性層が磁性粉を含みうる。
本技術の他の実施態様に従い、磁気記録媒体は、前記磁性層がスパッタ層でありうる。
本技術は、前記磁気記録媒体がリールに巻き付けられた状態でケースに収容されている、磁気記録カートリッジを提供する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図2】第１の実施形態に係る磁気記録媒体を上方（磁性層側）からみた模式図である。

【図3】第１の実施形態に係る磁気記録媒体のデータバンドにおける記録トラックを示す拡大図である。

【図4】第１の実施形態に係る磁気記録媒体のサーボバンドに書き込まれたサーボパターンの一部を示す拡大図である。

【図5A】磁気記録媒体の幅変化量測定装置の構成を示す斜視図である。

【図5B】磁気記録媒体の幅変化量測定装置の詳細を示す模式図である。

【図6】幅変化量測定における温度、湿度の設定状況を示す図である。

【図7】温度１０℃を維持したまま、相対湿度を１０％から４０％まで上昇させた場合の測定時間とサンプル１０Ｓの幅との関係を示す図である。

【図8】図７の点線部分を拡大する図である。

【図9】図７の点線部分をさらに拡大する図である。

【図10】記録再生装置の例の構成を示す概略図である。

【図11】上記記録再生装置におけるドライブヘッドを下側（テープ走行面）から見た概略図である。

【図12】上記ドライブヘッドにおける第１のドライブヘッド部がデータ信号の記録／再生を行っているときの様子を示す図である。

【図13】（Ａ）はサーボパターンの配置例を示す概略平面図、（Ｂ）はその再生波形を示す図である。

【図14】第１のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（Ａ）及び第２のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（Ｂ）の構成例を示す概略図である。

【図15】第１のサーボパターンの再生波形（Ａ）及び第２のサーボパターンの再生波形（Ｂ）をそれぞれ示す図である。

【図16】データバンドをドライブヘッドがトラッキングする説明図である。

【図17】サーボトレースラインの測定方法を説明する図である。

【図18】本技術の一実施形態に係るサーボパターン記録装置を示す概略正面図である。

【図19】上記サーボパターン記録装置の一部を示す部分拡大図である。

【図20】上記サーボパターン記録装置におけるサーボライトヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。

【図21】上記サーボライトヘッドの要部の概略断面図である。

【図22】上記サーボライトヘッドの要部の概略平面図である。

【図23】上記サーボパターン記録装置における駆動部の構成を示すブロック図である。

【図24】第１のパルス信号における第１サーボサブフレームの記録信号波形（Ａ）及び第２のパルス信号における第１サーボサブフレームの記録信号波形をそれぞれ示す模式図である。

【図25】記録再生装置の他の例の構成を示す概略図である。

【図26】データライトヘッドを下方（バック層側）から見た概略図である。

【図27】データライトヘッドのアジマス角の角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、アジマス損失Ｌθとの関係を示す図である（記録波長：０．１μｍ）。

【図28】データライトヘッドのアジマス角θにおける角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、磁気記録媒体５０１の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量との関係を示す図である。

【図29】磁気記録媒体の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量を示す図である。

【図30】データライトヘッドのアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、アジマス損失Ｌθとの関係を示す図である（記録波長：０．０７μｍ）。

【図31】本技術の第１実施形態に係るサーボパターン記録装置を示す図である。

【図32】第１実施例に係るサーボライトヘッド及びサーボライトヘッドに入力されるパルス信号を示す図である。

【図33】第１実施例に係るサーボライトヘッドが有するサーボ素子の拡大図である。

【図34】第１実施例に係るサーボライトヘッドにより磁気記録媒体にサーボパターンが書き込まれるときの様子を示す図である。

【図35】第２実施例に係るサーボライトヘッド及びサーボライトヘッドが有するサーボ素子の拡大図である。

【図36】第２実施例に係るサーボライトヘッドにより磁気テープにサーボパターンが書き込まれるときの様子を示す図である。

【図37】第２実施例において、サーボライトヘッドの座標系を基準としてサーボライトヘッドを表した図である。

【図38】サーボライトヘッドの対向面において低摩擦加工が施されたときの様子を示す図である。

【図39】図３５の右側の図の拡大図であって、第１のサーボ素子及び第２のサーボ素子における具体的な寸法の一例を示す図である（ＸＹＺ座標系基準）。

【図40】図３７の右側の図の拡大図であって、第１のサーボ素子及び第２のサーボ素子における具体的な寸法の一例を示す図である（Ｘ"Ｙ"Ｚ"座標系基準）。

【図41】変形例における磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図42】第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図43】スパッタ装置の構成を示す概略図である。

【図44】第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図45】磁気記録カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。

【図46】磁気記録カートリッジの変形例の構成の一例を示す分解斜視図である。

【図47】６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内である磁気記録媒体のサーボトラック幅変化量を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。

【0012】

本技術について、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の説明
２．第１の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）磁気記録媒体の製造方法
（５）記録再生装置の例
（６）サーボパターン記録装置の例
（７）記録再生装置の他の例
（８）サーボパターン記録装置の他の例
（９）変形例
３．第２の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）スパッタ装置の構成
（５）磁気記録媒体の製造方法
（６）変形例
４．第３の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
５．本技術に係る磁気記録カートリッジの一実施形態
６．本技術に係る磁気記録カートリッジの変形例
７．実施例

【0013】

１．本技術の説明

【0014】

高記録密度が求められる次世代磁気記録テープは極めて薄くなっており、温度や湿度の環境変化に対して磁気記録テープの幅寸法を安定化させることが非常に困難になってくる。このため、使い始めである初期の磁気記録テープの幅情報を記録再生装置のメモリにインプットし、再生時にインプットされた磁気記録テープの幅情報を参考にして、磁気記録テープを記録再生装置（ドライブ内）で走行させるときに磁気記録テープの長手方向のテンションをコントロールすることによって幅寸法の変化を調節することが行われている。

【0015】

しかしながら、記録再生装置によってデータの記録又は再生をする際、磁気記録テープを走行させ始めた際の磁気記録テープの初期幅は、磁気記録テープの長手方向の張力や巻き圧力によって変形させられており、幅方向の変化が安定するまでに時間を要する。このため、基準となる磁気記録テープの初期幅情報をメモリに入れる時期が遅くなるといった問題がある。

【0016】

本発明者は、所定の温度環境下において、磁気記録媒体の湿度変化への追随速度を早くすることにより、磁気記録テープを走行させ始めた際の磁気記録媒体の幅変化が少なくなり、短時間で磁気記録媒体の幅を決定できることを見出した。

【0017】

すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内であり、好ましくは２２分以内、より好ましくは２０分以内、さらに好ましくは１８分以内でありうる。前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が上記数値範囲内となることにより、短時間で前記磁気記録媒体の幅を決定することができる。

【0018】

また、本技術に従う磁気記録媒体は、３５℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が好ましくは２４分以内であり、より好ましくは１０分以内であり、さらに好ましくは９分以内、さらにより好ましくは８分以内でありうる。

【0019】

さらに、本技術に従う磁気記録媒体は、１０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が好ましくは２４分以内であり、より好ましくは９分以内であり、さらに好ましくは８分以内、さらにより好ましくは７分以内でありうる。各温度環境下において前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間の測定方法は、以下２の（３）で説明する。

【0020】

本技術に従う磁気記録媒体は、６０℃の温度環境において、前記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷが、好ましくは６８０ｐｐｍ以上であり、より好ましくは７００ｐｐｍ以上、さらに好ましくは７２０ｐｐｍ以上でありうる。幅変化量ΔＷが、６８０ｐｐｍ以上の範囲内であると、磁気記録媒体の張力による幅変化量を多くすることができ、環境による幅変化に追従させることができる。幅変化量ΔＷの測定方法は、以下２の（３）で説明する。

【0021】

本技術に従う磁気記録媒体は、好ましくは長尺状の磁気記録媒体であり、例えば、磁気記録テープ（特には長尺状の磁気記録テープ）でありうる。

【0022】

本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、非磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に備えていてもよく、これらの層に加えて、他の層を含んでいてよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。前記磁気記録媒体は、例えば、塗布型の磁気記録媒体であってよく又は真空薄膜型の磁気記録媒体であってよい。前記塗布型の磁気記録媒体について、以下２．においてより詳細に説明する。真空薄膜型の磁気記録媒体について、以下３．においてより詳細に説明する。上記４つの層以外に前記磁気記録媒体に含まれる層については、これらの説明を参照されたい。

【0023】

本技術に従う磁気記録媒体の平均厚み（平均全厚）は、５．３μｍ以下であり、好ましくは５．１μｍ以下、より好ましくは４．９μｍ以下、さらに好ましくは４．６μｍ以下でありうる。前記磁気記録媒体はこのように薄いものであるので、例えば、1つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られる磁気記録媒体（テープ）長をより長くすることができ、これにより1つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。磁気記録媒体の厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔ_Ｔである。平均厚み（平均全厚）の測定方法は、以下２の（３）で説明する。

【0024】

本技術に従う磁気記録媒体の非磁性層の厚みは、好ましくは１．２μｍ以下、より好ましくは０．９μｍ以下、さらに好ましくは０．６μｍ以下でありうる。また、非磁性層の厚みの下限値は特に限定されるものではないが、好ましくは０．３μｍ以上でありうる。非磁性層の厚みの測定方法は、以下２の（３）で説明する。

【0025】

本技術に従う磁気記録媒体のベース層の厚みは、好ましくは４．４μｍ以下、より好ましくは４．２μｍ以下、さらに好ましくは４．０μｍ以下でありうる。ベース層の厚みの下限値は特に限定されるものではないが、好ましくは３μｍ以上でありうる。ベース層の厚みの測定方法は、以下２の（３）で説明する。

【0026】

本技術に従う磁気記録媒体のバック層の厚みは、好ましくは０．６μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．４μｍ以下でありうる。バック層の厚みの下限値は特に限定されるものではないが、好ましくは０．２μｍ以上でありうる。バック層の厚みの測定方法は、以下２の（３）で説明する。

【0027】

２．第１の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）

【0028】

（１）磁気記録媒体の構成
まず、図１及び図２を参照して、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。図１は、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。磁気記録媒体１０は、例えば、垂直配向処理が施された磁気記録媒体であって、図１に示すように、長尺状のベース層（基体ともいう）４１と、ベース層４１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）４２と、下地層４２上に設けられた磁性層（記録層ともいう）４３と、ベース層４１の他方の主面上に設けられたバック層４４とを備える。以下では、磁気記録媒体１０の両主面のうち、磁性層４３が設けられた側の面を磁性面といい、当該磁性面とは反対側の面（バック層４４が設けられた側の面）をバック面という。

【0029】

磁気記録媒体１０は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置に用いられうる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下である。

【0030】

図２は、第１の実施形態に係る磁気記録媒体を上方（磁性層側）からみた模式図である。図２に示すように、磁性層４３は、データが書き込まれる長手方向（Ｘ軸方向）に長い複数のデータバンドｄ（データバンドｄ０～ｄ３）と、サーボパターン６が書き込まれる長手方向に長い複数のサーボバンドｓ（サーボバンドｓ０～ｓ４）とを有している。サーボバンドｓは、幅方向（Ｙ軸方向）で各データバンドｄを挟み込む位置に配置される。

【0031】

本技術において、磁性層４３の表面全体の面積に対するサーボバンドｓの面積の比率は、典型的には、４．０％以下とされる。なお、サーボバンドｓの幅は、１／２インチのテープ幅で、例えば９６μｍ以下とされる。磁性層４３の表面全体の面積に対するサーボバンドｓの面積の比率は、例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。

【0032】

図２に示す例では、データバンドｄの本数が４本とされ、サーボバンドｓの本数が５本とされた場合の例が示されている。なお、データバンドｄの本数、サーボバンドｓの本数は、適宜変更することができる。

【0033】

データバンドｄは、長手方向に長く、幅方向に整列された複数の記録トラック５を含む。１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数は、例えば、１０００本から２５００本程度とされる。データは、この記録トラック５に沿って、記録トラック５内に記録される。データバンドｄに記録されるデータにおける長手方向の１ビット長は、例えば、４８ｎｍ以下とされる。サーボバンドｓは、後述するサーボパターン記録装置（図１８参照）によって記録される所定形状のサーボパターン６を含む。

【0034】

ここで、ＬＴＯ規格の磁気記録媒体１０は、世代ごとに記録トラック５の数が増加して記録容量が飛躍的に向上している。一例を挙げると、初代のＬＴＯ－１では記録トラック５の数が３８４本であったが、ＬＴＯ－２からＬＴＯ－８では記録トラック５の数がそれぞれ順に、５１２本、７０４本、８９６本、１２８０本、２１７６本、３５８４本及び６６５６本である。データの記録容量についても同様に、ＬＴＯ－１では１００ＧＢ（ギガバイト）であったのが、ＬＴＯ－２からＬＴＯ－８ではそれぞれ順に、２００ＧＢ、４００ＧＢ、８００ＧＢ、１．５ＴＢ（テラバイト）、２．５ＴＢ、６．０ＴＢ及び１２ＴＢである。

【0035】

本実施形態では、記録トラック５の本数や記録容量は、特に限定されず、適宜変更可能である。但し、例えば、記録トラック５の本数や記録容量が多く（例えば、６６５６本以上、１２ＴＢ以上：ＬＴＯ８以降）、磁気記録媒体１０の幅の変動の影響を受けやすいような磁気記録媒体１０に適用されると有利である。例えば、磁気記録媒体１０として、テープ全体のヤング率（テープ長手方向のヤング率）が、８ＧＰａ以下の磁気テープが適用される。

【0036】

（データバンド及びサーボバンド）

【0037】

図３は、データバンドｄにおける記録トラック５を示す拡大図である。図３に示すように、記録トラック５は、長手方向に長く、幅方向に整列され、また、幅方向でトラック毎に所定のデータ記録トラック幅（トラックピッチ）Ｗｄを有している。このデータ記録トラック幅Ｗｄは、ＬＴＯ－８では、２．０μｍ以下とされ、好ましくは１０００ｎｍ以下であってよい。なお、このようなデータ記録トラック幅Ｗｄは、例えば、データが記録された磁気記録媒体１０を磁気力顕微鏡（MFM）を用いて観察することで測定することができる。もしくは、ドライブヘッドを利用した測定方法として、テープ走行時の変動を無視するため、ドライブヘッドをRead While Write（記録時再生）状態とし、ドライブヘッドのAzimuthを変化させた場合の出力変化からデータ記録トラック幅Ｗｄを測定することができる。（IEEE_Sept1996_Crosstrack Profiles of Thin Film MR Tape Heads Using the Azimuth Displacement Method）

【0038】

図４は、サーボバンドｓに書き込まれたサーボパターン６の一部を示す拡大図である。図４に示すように、サーボパターン６は、その詳細については後述するが、幅方向（Ｙ軸方向）に対して所定のアジマス角αを持って傾斜する複数のストライプを含む。本実施形態において、例えば、アジマス角αは好ましくは５～２０°であってよい。この複数のストライプは、幅方向（Ｙ軸方向）に対して時計回りに傾斜する第１のストライプ群６１と、幅方向に対して反時計回りに傾斜する第２のストライプ群６２とに分類される。第１のストライプ群６１及び第２のストライプ群６２は、典型的には、４本又は５本のストライプを含む。なお、サーボパターン６の形状などは、例えば、磁気記録媒体１０の磁性層４３を、フェリコロイド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０の磁性層４３を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。

【0039】

図４には、サーボパターン６上を後述するサーボリードヘッド１３２（図７参照）によってトレースされるラインであるサーボトレースラインＴが破線により示されている。サーボトレースラインＴは、長手方向（Ｘ軸方向）に沿って設定され、また、幅方向に所定の間隔Ｐｓを開けて設定される。

【0040】

１本のサーボバンドｓあたりのサーボトレースラインＴの本数は、例えば、３０本から６０本程度とされる。隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、データ記録トラック幅Ｗｄの値と同じであり、例えば、２．０μｍ以下とされる。ここで、隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、データ記録トラック幅Ｗｄを決定付ける値とされている。つまり、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓが狭められると、データ記録トラック幅Ｗｄが小さくなり、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数が増える。結果として、データの記録容量が増えることになる。

【0041】

（２）各層の説明

【0042】

（ベース層）

【0043】

ベース層４１は、磁気記録媒体１０の支持体として機能しうるものであり、例えば可撓性を有する長尺状の非磁性基体であり、特には非磁性のフィルムでありうる。ベース層４１の厚みは、例えば、好ましくは４．５μｍ以下、より好ましくは４．２μｍ以下であり、さらに好ましくは３．６μｍ以下でありうる。なお、ベース層４１の下限の厚みは、例えば、フィルムの製膜上の限界又はベース層４１の機能などの観点から定められてよい。ベース層４１は、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、芳香族ポリエーテルケトン樹脂、及びその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含みうる。ベース層４１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、又は、積層されていてもよい。

【0044】

前記ポリエステル系樹脂は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層４１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。

【0045】

前記ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）及びＰＰ（ポリプロピレン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

【0046】

前記セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、及びＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

【0047】

前記ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）及びＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

【0048】

前記芳香族ポリエーテルケトン樹脂は、例えば、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＥＫＫ（ポリエーテルケトンケトン）、及びＰＥＥＫＫ（ポリエーテルエーテルケトンケトン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層４１は、ＰＥＥＫから形成されてよい。

【0049】

前記その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、及びＰＵ（ポリウレタン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

【0050】

（磁性層）

【0051】

磁性層４３は、例えば垂直記録層でありうる。磁性層４３は、磁性粉を含みうる。磁性層４３は、磁性粉に加えて、例えば、結着剤及び導電性粒子をさらに含みうる。磁性層４３は、必要に応じて、例えば、潤滑剤、研磨剤、及び防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

【0052】

磁性層４３の厚みｔ_ｍは、好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１２０ｎｍであり、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍでありうる。磁性層４３の厚みｔ_ｍが上記数値範囲内にあることが、電磁変換特性の向上に貢献する。

【0053】

磁性層４３は、好ましくは垂直配向している磁性層である。本明細書内において、垂直配向とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が３５％以下であることをいう。
なお、磁性層４３は、面内配向（長手配向）している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体１０が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。

【0054】

（磁性粉）

【0055】

磁性層４３に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えば、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。特に好ましくは、前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉、コバルトフェライト磁性粉、又はストロンチウムフェライト磁性粉を含みうる。なお、ε酸化鉄はＧａ及び／又はＡｌを含んでいてもよい。これらの磁性粒子については、例えば、磁性層４３の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。

【0056】

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄは、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、更により好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下でありうる。

【0057】

上記の磁性粉の平均粒子サイズＤは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などにより加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５００個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、それぞれの粒子の最大粒子サイズｄ_ｍａｘを測定して、磁性粉の最大粒子サイズｄ_ｍａｘの粒度分布を求める。ここで、“最大粒子サイズｄ_ｍａｘ”とは、いわゆる最大フェレ径を意味し、具体的には、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のものをいう。その後、求めた最大粒子サイズｄ_ｍａｘの粒度分布から最大粒子サイズｄ_ｍａｘのメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄとする。

【0058】

磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、ＢａＦｅ及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体１０の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。

【0059】

本技術の一つの好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

【0060】

ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気記録媒体１０の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粒子の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

【0061】

ε酸化鉄粒子は、複合粒子の構造を有していてもよい。より具体的には、ε酸化鉄粒子は、ε酸化鉄部と、軟磁性を有する部分もしくは、ε酸化鉄より飽和磁化量σｓが高く、保磁力Ｈｃが小さい磁性を有する部分（以下「軟磁性を有する部分等」という。）とを備える。

【0062】

ε酸化鉄部は、ε酸化鉄を含む。ε酸化鉄部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

【0063】

軟磁性を有する部分等は、少なくともε酸化鉄部と一部で接している。具体的には、軟磁性を有する部分等は、ε酸化鉄部を部分的に覆っていてもよいし、ε酸化鉄部の周囲全体を覆っていてもよい。

【0064】

軟磁性を有する部分（ε酸化鉄より飽和磁化量σｓが高く、保磁力Ｈｃが小さい磁性を有する部分）は、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、ε酸化鉄部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

【0065】

また、軟磁性を有する部分は、例えば、Ｆｅ_３Ｏ_４、γ－Ｆｅ_２Ｏ_３、またはスピネルフェライト等を含んでいてもよい。

【0066】

ε酸化鉄粒子が、上記のように軟磁性を有する部分等を備えることで、熱安定性を確保するためにε酸化鉄部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（複合粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。

【0067】

ε酸化鉄粒子が、上記複合粒子の構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、上記複合粒子の構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種である。

【0068】

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２－ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

【0069】

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粒子の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粒子の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば４０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粒子の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粒子の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

【0070】

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粒子の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粒子の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粒子を垂直配向させる際に、磁性粒子に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粒子の垂直配向性を向上することができる。

【0071】

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０Ａに収容された磁気記録媒体１０を巻き出し、磁気記録媒体１０とリーダーテープとの接続部から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気記録媒体１０を切り出す。続いて、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

【0072】

得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ像を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ像から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粒子の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

【0073】

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１３００ｎｍ^３以下である。一般的に磁気記録媒体１０のノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粒子の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粒子の平均粒子サイズを２０ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粒子の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粒子の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

【0074】

ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粒子の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粒子の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粒子の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ^３

【0075】

ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粒子の平均体積は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０Ａに収容された磁気記録媒体１０を巻き出し、磁気記録媒体１０とリーダーテープＬＴとの接続部から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気記録媒体１０を切り出す。続いて、切り出された磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

【0076】

得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ像から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。
次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粒子の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ^３

【0077】

本技術の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）磁性粉であってもよい。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば、高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。

【0078】

バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。

【0079】

磁性層４３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層４３の厚みｔ_ｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１２０ｎｍであることが好ましい。また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。

【0080】

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト磁性粉は、コバルトフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「コバルトフェライト磁性粒子」という。）を含む。コバルトフェライト磁性粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。コバルトフェライトは、Ｃｏを含むコバルトフェライトである。コバルトフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。

【0081】

コバルトフェライトは、例えば、以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

【0082】

コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。

【0083】

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉が、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には、例えば、バリウムフェライト又はストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えば、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

【0084】

（結着剤）

【0085】

結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

【0086】

前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムなどが挙げられる。

【0087】

また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよく、これらの例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

【0088】

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、リチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。

【0089】

更に、極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ^－は、弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。

【0090】

（添加剤）

【0091】

磁性層４３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、β、又はγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。

【0092】

（下地層）

【0093】

下地層４２は、非磁性粉及び結着剤を主成分として含む非磁性層である。上述の磁性層４３に含まれる結着剤に関する説明が、下地層４２に含まれる結着剤についても当てはまる。下地層４２は、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤、及び防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

【0094】

下地層４２の厚みは、好ましくは１．２μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下でありうる。また、下地層４２の厚みの下限値は、特に限定されないが、好ましくは０．２μｍ以上、より好ましくは０．４μｍ以上である。

【0095】

（非磁性粉）

【0096】

下地層４２に含まれる非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えば、オキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。

【0097】

（バック層）

【0098】

バック層４４は、結着剤及び非磁性粉を含みうる。バック層４４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤、及び帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。上述の下地層４２に含まれる結着剤及び非磁性粉について述べた説明が、バック層４４に含まれる結着剤及び非磁性粉についても当てはまる。

【0099】

バック層４４に含まれる無機粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。無機粒子の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズＤと同様にして求められる。

【0100】

バック層４４の厚みｔ_ｂは、ｔ_ｂ≦０．６μｍであることが好ましい。バック層４４の厚みｔ_ｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体１０の厚みｔ_Ｔをｔ_Ｔ≦５．６μｍにした場合でも、下地層４２及びベース層４１の厚みを厚く保つことができ、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。

【0101】

（３）物性及び構造

【0102】

（６０℃における磁気記録媒体の幅変化量ΔＷ）

【0103】

本技術においては、６０℃における磁気記録媒体の幅変化量ΔＷは、以下の手順で測定される。なお、測定温度６０℃は、記録再生装置内のドライブ内温度の上限値に近い温度である。

【0104】

まず、磁気記録カートリッジ１０Ａに収容された磁気記録媒体１０を巻き出し、磁気記録媒体１０とリーダーテープとの接続部から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプル１０Ｓを３つ作製する。

【0105】

次に、６０℃環境下でサンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ、０．６Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．２Ｎ、０．６Ｎ、及び１．０Ｎの荷重におけるサンプル１０Ｓの幅を３点測定する。続いて、以下の式より測定したサンプル１０Ｓの幅変化量Δｗを求める。なお、０．６Ｎの荷重をかけた場合の測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。上記測定を切り出し位置の異なる３つのサンプル１０Ｓに対して行い、得られた各サンプル１０Ｓの幅変化量Δｗの測定値を単純平均（算術平均）した平均値を磁気記録媒体１０の幅変化量Δｗとする。

【数1】

（但し、式中、Ｄ（０．２Ｎ）及びＤ（１．０Ｎ）はそれぞれ、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ及び１．０Ｎの荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅を示す。）

【0106】

各荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅は以下のようにして測定される。まず、測定装置としてキーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ－７０００を組み込んだ、図５Ａに示す測定装置を準備し、この測定装置にサンプル１０Ｓをセットする。具体的には、長尺状のサンプル（磁気記録媒体）１０Ｓの一端を固定部２３１により固定する。次に、図５Ａに示すとおり、サンプル１０Ｓを、５本の略円柱状且つ棒状の支持部材２３２にセットする。サンプル１０Ｓは、そのバック面が５本の支持部材２３２に接するように、これら支持部材にセットされる。５本の支持部材２３２（特にその表面）はいずれもステンレス鋼ＳＵＳ３０４から形成されており、その表面粗さＲ_Ｚ（最大高さ）は０．１５μｍ～０．３μｍである。

【0107】

５本の棒状の支持部材２３２の配置を、図５Ｂを参照しながら説明する。図５Ｂに示されるとおり、サンプル１０Ｓは、５本の支持部材２３２にセットされている。５本の支持部材２３２について、以下では、固定部２３１に最も近い方から「第１支持部材」、「第２支持部材」、「第３支持部材」（スリット２３２Ａを有する）、「第４支持部材」、及び「第５支持部材」（重り２３３に最も近い）という。これら５本の支持部材の直径は、７ｍｍである。第１支持部材と第２支持部材との距離ｄ_１（特にはこれら支持部材の中心の間の距離）は２０ｍｍである。第２支持部材と第３支持部材との距離ｄ_２は３０ｍｍである。第３支持部材と第４支持部材との距離ｄ_３は３０ｍｍである。第４支持部材と第５支持部材との距離ｄ_４は２０ｍｍである。また、サンプル１０Ｓのうち第２支持部材、第３支持部材、及び第４支持部材の間にセットされている部分が、重力方向に対して略垂直の平面を形成するように、これら３つの支持部材は配置されている。また、サンプル１０Ｓが、第１支持部材と第２支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ_１＝３０°の角度を形成するように、第１支持部材及び第２支持部材は配置されている。さらに、サンプル１０Ｓが、第４支持部材と第５支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ_２＝３０°の角度を形成するように、第４支持部材及び第５支持部材は配置されている。
また、５本の支持部材２３２のうち、第３支持部材は回転しないように固定されているが、その他の４本の支持部材は全て回転可能である。

【0108】

サンプル１０Ｓは、支持部材２３２上でサンプル１０Ｓの幅方向に移動しないように保持される。なお、支持部材２３２のうち、発光器２３４及び受光器２３５の間に位置し且つ固定部２３１と荷重をかける部分とのほぼ中心に位置する支持部材２３２にはスリット２３２Ａが設けられている。スリット２３２Ａを介して発光器２３４から受光器２３５に光Ｌが照射されるようになっている。スリット２３２Ａのスリット幅は１ｍｍであり、光Ｌは、スリット２３２Ａの枠に遮られることなく、当該幅を通り抜けられる。

【0109】

続いて、温度６０℃、相対湿度４０ＲＨ％の一定環境下に制御されたチャンバー内（ＥＳＰＥＣ社製、型番：ＰＤＲ－３Ｊ）に測定装置を収容した後、サンプル１０Ｓの他端に、０．２Ｎの荷重をかけるための重り２３３を取り付け、サンプル１０Ｓを上記環境内に３時間置く。３時間置いた後に、サンプル１０Ｓの幅を測定する。次に、０．２Ｎの荷重をかけるための重りを、０．６Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。最後に、１．０Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。以上のとおり、重り２３３の重さを調整することによりサンプル１０Ｓの長手方向に加わる荷重を変化させることができる。各荷重が加えられた状態で、発光器２３４から受光器２３５に向けて光Ｌを照射し、長手方向に荷重が加えられたサンプル１０Ｓの幅を測定する。当該幅の測定は、サンプル１０Ｓがカールしていない状態で行われる。発光器２３４及び受光器２３５は、デジタル寸法測定器ＬＳ－７０００に備えられているものである。

【0110】

（磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間（テープ追随時間））

【0111】

図６に示すように、所定の温度環境下において湿度を変化させた後にサンプル１０Ｓの幅が安定するまでの時間（テープ追随時間とも称す）を求め、湿度変化開始時間からサンプル１０Ｓの幅が安定するまでの時間をサンプル１０Ｓの幅が安定するまでの時間とする。このサンプル１０Ｓの幅が安定する時間は、サンプル１０Ｓが湿度変化へ追随する時間ともいう。幅が安定するまでの時間を求める方法を以下に説明する。

【0112】

まず、磁気記録カートリッジ１０Ａに収容された磁気記録媒体１０を巻き出し、磁気記録媒体１０とリーダーテープとの接続部から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ２５０ｍｍの長さに新たに切り出し、サンプル１０Ｓを３つ作製する。すなわち、幅変化量ΔＷの測定に際し、切り出したサンプル１０Ｓとは別のサンプル１０Ｓを新たに切り出す。測定に使用する測定装置は、上記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷの測定で使用するものと同じである。幅変化量ΔＷの測定値の算出と同様に、切り出し位置の異なる３つのサンプル１０Ｓについてそれぞれ測定を行い、得られた各サンプル１０Ｓの測定値を単純平均（算術平均）した平均値を磁気記録媒体１０の幅が安定するまでの時間（テープ追随時間）とする。

【0113】

図６は、幅変化量測定ΔＷにおける温度、湿度の設定状況を示す図である。前記測定装置を温度１０℃、相対湿度１０ＲＨ％の一定環境に制御されたチャンバー内（ＥＳＰＥＣ社製、型番：ＰＤＲ－３Ｊ）に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に荷重をかけ、長手方向に０．５５Ｎでサンプル１０Ｓが引っ張られた状態となるようにして、上記環境中に３時間置く。図６に示すように、温度１０℃を維持したまま、相対湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％まで上昇させ、サンプル１０Ｓの幅を３時間測定する。相対湿度上昇速度は設定せず、相対湿度上昇速度は恒温槽の機能に任せることとするが、最大で４．３ＲＨ％／分程度となる。その後、図６に示すようにチャンバー内を温度３５℃、相対湿度１０ＲＨ％の環境に制御し、上記環境中にサンプル１０Ｓを３時間置く。温度３５℃を維持したまま、相対湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％まで上昇させ、サンプル１０Ｓの幅を３時間測定する。相対湿度上昇速度は設定せず、相対湿度上昇速度は恒温槽の機能に任せることとするが、最大で４．３ＲＨ％／分程度となる。その後、図６に示すようにチャンバー内を温度６０℃、相対湿度１０ＲＨ％の環境に制御し、上記環境中にサンプル１０Ｓを３時間置く。温度６０℃を維持したまま、相対湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％まで上昇させサンプル１０Ｓの幅を３時間測定する。相対湿度上昇速度は設定せず、相対湿度上昇速度は恒温槽の機能に任せることとするが、最大で４．３ＲＨ％／分程度となる。

【0114】

図７～９は、温度１０℃を維持したまま、相対湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％まで上昇させた場合の測定時間とサンプル１０Ｓの幅との関係を示す図である。図７は温度１０℃を維持したまま、相対湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％まで上昇させた場合の測定時間とサンプル１０Ｓの幅との関係を示す図であり、図８は点線で囲んだ部分の拡大図であり、図９は点線部分をさらに拡大した図である。

【0115】

サンプル１０Ｓの幅測定において、幅変化が±０．０５μｍ以内に６分間連続でなった時点で、幅が安定した最初の時間を安定までに要した時間とし、１０ＲＨ％から湿度を切り替え始めた最初の時点（０分）から安定までに要した時間までをサンプル１０Ｓ（磁気記録媒体）の幅が安定するまでの時間（テープ追随時間）とする。例えば、温度１０℃を維持したまま、相対湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％まで上昇させた場合、図７～９に示されるように１０ＲＨ％から湿度を切り替え始めた最初の時点が３．０時間であり、幅変化が±０．０５μｍ以内となった最初の時間が、３．２時間なので、幅が安定するまでの時間は、以下の式より１２分となる。
幅が安定するまでの時間＝（３．２－３．０）×６０＝１２分

【0116】

（磁気記録媒体の平均厚み（平均全厚）ｔ_Ｔ）

【0117】

磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）ｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、磁気記録カートリッジ１０Ａに収容された磁気記録媒体１０を巻き出し、磁気記録媒体１０とリーダーテープＬＴとの接続部から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。

【0118】

（非磁性層の厚み）

【0119】

磁気記録媒体１０を、その主面に対して垂直に薄く加工して試験片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向で少なくとも１０点以上の位置で非磁性層（下地層）４２の厚みを測定した後、それらの測定値を単純平均（算術平均）して非磁性層（下地層）４２の厚み（μｍ）とする。

【0120】

（ベース層の厚み）

【0121】

ベース層４１の厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、磁気記録カートリッジ１０Ａに収容された磁気記録媒体１０を巻き出し、磁気記録媒体１０とリーダーテープＬＴとの接続部から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベース層４１以外の層を、例えば、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）等の溶剤や希塩酸等で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（ベース層４１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）してベース層４１の厚み［μｍ］とする。

【0122】

（バック層の厚み）

【0123】

バック層４４の厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、磁気記録カートリッジ１０Ａに収容された磁気記録媒体１０を巻き出し、磁気記録媒体１０とリーダーテープＬＴとの接続部から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。続いて、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）等の溶剤や希塩酸等で除去した後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

【0124】

（磁性層の厚みｔ_ｍ）

【0125】

磁性層４３の厚みｔ_ｍは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、その主面に対して垂直に薄く加工して試験片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向で少なくとも１０点以上の位置で磁性層４３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純平均（算術平均）して磁性層４３の厚みｔ_ｍ（ｎｍ）とする。

【0126】

（４）磁気記録媒体の製造方法

【0127】

次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、非磁性層（下地層）形成用塗料を調製する。次に、磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料及び非磁性層（下地層）形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置、及び混練装置を用いることができる。

【0128】

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えば、メタノール、エタノール、及びプロパノールなどのアルコール系溶媒；例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、及びエチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、及びジオキサンなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；並びに、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、及びクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらのうちの１つが用いられてもよく、又は、２以上の混合物が用いられてもよい。

【0129】

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、及びロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、及び超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

【0130】

次に、非磁性層（下地層）形成用塗料をベース層４１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層４２を形成する。続いて、この下地層４２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層４３を下地層４２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層４１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えば、ソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層４１の長手方向（走行方向）に磁場配向させたのちに、ベース層４１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理をすることで、垂直方向における保持力「Ｈｃ１」と長手方向における保持力「Ｈｃ２」との比Ｈｃ２／Ｈｃ１を低くすることができ、磁性粉の垂直配向度を向上させることができる。磁性層４３の形成後、ベース層４１の他方の主面にバック層４４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

【0131】

比Ｈｃ２／Ｈｃ１は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中の固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保持力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。比Ｈｃ２／Ｈｃ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも好ましい。なお、比Ｈｃ２／Ｈｃ１の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合されて使用されてもよい。

【0132】

その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば、１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。

【0133】

（５）記録再生装置の例

【0134】

［記録再生装置の構成］

【0135】

次に、図１０を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録及び再生を行う記録再生装置３０の構成の一例について説明する。図１０は、記録再生装置３０を示す図である。記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０にデータを記録し、又は、磁気記録媒体１０に記録されたデータを再生することが可能なデータ記録／再生装置である。

【0136】

図１０に示すように、記録再生装置３０は、カートリッジ１０Ａを装填可能に構成されている。記録再生装置３０は、１つのカートリッジ１０Ａを装填可能に構成されるが、複数のカートリッジ１０Ａを同時に装填可能に構成されてもよい。

【0137】

記録再生装置３０は、スピンドル３１と、巻取りリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ドライブヘッド３６と、リーダライタ３７と、制御装置３８とを備える。記録再生装置３０は、温度計３９、湿度計４０などをさらに備えてもよい。

【0138】

スピンドル３１は、カートリッジ１０Ａの下シェル１１ｂに形成された開口部１４を介してテープリール１３のチャッキングギヤに係合するヘッド部を有する。スピンドル３１は、リールスプリング１６の付勢力に抗してテープリール１３を所定距離上昇させ、リールロック部材１７によるリールロック機能を解除する。これによりテープリール１３は、スピンドル３１によりカートリッジケース１１の内部において回転可能に支持される。

【0139】

スピンドル駆動装置３３は、制御装置３８からの指令に応じて、スピンドル３１を回転させる。巻取りリール３２は、テープローディング機構（不図示）を介してカートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端（リーダーピン２２）を固定可能に構成される。

【0140】

複数のガイドローラ３５は、カートリッジ１０Ａと巻取りリール３２との間に形成されるテープパスがドライブヘッド３６に対して所定の相対位置関係となるように磁気記録媒体１０の走行をガイドする。リール駆動装置３４は、制御装置３８からの指令に応じて、巻取りリール３２を回転させる。

【0141】

磁気記録媒体１０に対してデータの記録／再生が行われるとき、スピンドル駆動装置３３及びリール駆動装置３４により、スピンドル３１及び巻取りリール３２が回転し、磁気記録媒体１０が走行する。磁気記録媒体１０の走行方向は、図１０において矢印Ａ１で示す順方向（テープリール１３側から巻取りリール３２側へ巻き出す方向）、及び、矢印Ａ２で示す逆方向（巻取りリール３２側からテープリール１３側へ巻き戻す方向）での往復が可能とされている。

【0142】

なお、本実施形態では、スピンドル駆動装置３３によるスピンドル３１の回転、及びリール駆動装置３４による巻取りリール３２の回転の制御により、データ記録／再生時における磁気記録媒体１０の長手方向（Ｘ軸方向）でのテンションが調整可能とされる。磁気記録媒体１０のテンションの調整は、スピンドル３１、巻取りリール３２の回転の制御に代えて（あるいは、この制御に加えて）、ガイドローラ３５の移動の制御、ダンサーローラを含むテンション制御ユニット等により行われてもよい。

【0143】

磁気記録媒体１０の走行時のテンションは、典型的には、後述するサーボパターン記録装置１００によって磁気記録媒体１０へサーボパターン６を記録したときのテンションと同じ値（以下、基準テンションともいう）に設定される。また、記録再生装置３０がテンション調整可能に構成されることで、磁気記録媒体１０の内部歪や経時変化に起因する磁気記録媒体１０の幅寸法の変化にも対応可能となる。具体的には、磁気記録媒体１０の幅寸法が広がる方向に変化した場合にはテンションを基準テンションよりも高く調整し、サーボバンドピッチが狭まる方向に変化した場合にはテンションを基準テンションよりも低く調整する。サーボパターン記録時の基準テンションや基準テンション時における磁気記録媒体１０の幅寸法等に関する情報は、カートリッジメモリ９に格納される。

【0144】

リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９に対して管理情報を記録することが可能に構成されている。また、リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９から管理情報を読み出すことが可能に構成されている。管理情報としては、テープカートリッジ１０Ａ及び磁気記録媒体１０の製品情報、使用履歴情報、磁気記録媒体０１に記録されている情報の概要などが挙げられる。製品情報には、製造情報、磁気記録媒体１０の記録トラック５の数、ＩＤ等の固有情報が含まれる。使用履歴情報としては、アクセス日時、アドレス情報、リーダライタ３７との通信履歴、記録再生装置３０に対するローディング／アンローディング時の異常の有無等が含まれる。リーダライタ３７とカートリッジメモリ９との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ１４４４３方式が採用される。

【0145】

制御装置３８は、例えば、制御部、記憶部、通信部などを含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、記録再生装置３０の各部を統括的に制御する。

【0146】

記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク、半導体メモリ等の可搬性の記録媒体から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。記憶部は、リーダライタ３７から読み出されたカートリッジメモリ９の情報、温度計３９及び湿度計４０の出力等を一時的に又は非一時的に記憶する。通信部は、ＰＣ（Personal Computer）、サーバ装置等の他の装置との間で互いに通信可能に構成されている。

【0147】

ドライブヘッド３６は、制御装置３８からの指令に応じて、磁気記録媒体１０に対してデータを記録することが可能に構成されている。また、ドライブヘッド３６は、制御装置３８からの指令に応じて、磁気記録媒体１０に書き込まれたデータを再生することが可能に構成されている。

【0148】

ドライブヘッド３６は、例えば、２つのサーボリードヘッド、複数のデータライト／リードヘッド等を有するヘッドユニットで構成される。図１１は、ドライブヘッド３６を下側（テープ走行面）から見た概略図である。

【0149】

図１１に示すように、ドライブヘッド３６は、第１のドライブヘッド部３６ａと、第２のドライブヘッド部３６ｂとを含む。第１のドライブヘッド部３６ａ及び第２のドライブヘッド部３６ｂは、Ｘ'軸方向（磁気記録媒体１０の走行方向（図２においてＸ軸方向））で対称に構成されている。第１のドライブヘッド部３６ａ及び第２のドライブヘッド部３６ｂは、Ｙ'軸方向（磁気記録媒体１０の幅方向（図２においてＹ軸方向））に移動可能に構成されている。

【0150】

第１のドライブヘッド部３６ａは、磁気記録媒体１０が順方向（図１０においてＡ１方向）に走行しているときに使用されるドライブヘッドである。一方、第２のドライブヘッド部３６ｂは、磁気記録媒体１０が逆方向（図１０においてＡ２方向）に走行しているときに使用されるドライブヘッドである。第１のドライブヘッド部３６ａ及び第２のドライブヘッド部３６ｂは、基本的に同様の構成であるため、第１のドライブヘッド部３６ａについて代表的に説明する。

【0151】

第１のドライブヘッド部３６ａは、ヘッド本体１３１と、２つのサーボリードヘッド１３２と、複数のデータライト／リードヘッド１３３とを有する。

【0152】

サーボリードヘッド１３２は、磁気記録媒体１０のサーボバンドｓに記録された磁気的情報から発生する磁束をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive effect）などにより読み取ることで、サーボ信号を再生可能に構成されている。つまり、サーボリードヘッド１３２により、サーボバンドｓ上に記録されたサーボパターン６が読み取られることで、サーボ信号が再生される。

【0153】

サーボリードヘッド１３２は、ヘッド本体１３１における幅方向（図１１においてＹ'軸方向）の両端側にそれぞれ１つずつ設けられる。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ：Anisotropic Magneto Resistive effect）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive effect）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive effect）などを含む。２つのサーボリードヘッド１３２の幅方向（Ｙ'軸方向）における間隔であるサーボリードヘッドピッチＰ１は、磁気記録媒体１０における隣接する２つのサーボバンドｓ間の距離（サーボバンドピッチ）の規格値の中心値（２８５８．８μｍ）に設定される。

【0154】

データライト／リードヘッド１３３は、幅方向（Ｙ'軸方向）に沿って、等間隔に配置されている。また、データライト／リードヘッド１３３は、２つのサーボリードヘッド１３２に挟み込まれる位置に配置されている。データライト／リードヘッド１３３の数は、例えば、２０個～４０個程度とされるが、この個数ついては特に限定されず、本実施形態では、３２個（３２チャンネル）である。

【0155】

データライト／リードヘッド１３３は、データライトヘッド１３４と、データリードヘッド１３５とを含む。データライトヘッド１３４は、磁気ギャップから発生する磁界によって、磁気記録媒体１０のデータバンドｄに対してデータ信号を記録することが可能に構成されている。また、データリードヘッド１３５は、磁気記録媒体１０のデータバンドｄに記録された磁気的情報から発生する磁界をＭＲ素子などにより読み取ることで、データ信号を再生可能に構成されている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）などを含む。

【0156】

第１のドライブヘッド部３６ａにおいては、データライトヘッド１３４が、データリードヘッド１３５の左側（磁気記録媒体１０が順方向に流れる場合の上流側）に配置される。一方、第２のドライブヘッド部３６ｂにおいては、データライトヘッド１３４が、データリードヘッド１３５の右側（磁気記録媒体１０が逆方向に流れる場合の上流側）に配置される。なお、データリードヘッド１３５は、データライトヘッド１３４が磁気記録媒体１０にデータ信号を書き込んだ直後に、このデータ信号を再生可能とされている。なお上記に代えて、第１のドライブヘッド部３６ａのデータライトヘッド１３４で書き込まれたデータ信号が、第２のドライブヘッド部３６ｂのデータリードヘッド１３５で再生されてもよい。

【0157】

図１２は、第１のドライブヘッド部３６ａがデータ信号の記録／再生を行っているときの様子を示す図である。なお、図１２に示す例では、磁気記録媒体１０が順方向（Ａ１方向）に走行しているときの様子が示されている。

【0158】

図１２に示すように、第１のドライブヘッド部３６ａがデータ信号の記録／再生を行うとき、２つのサーボリードヘッド１３２のうち一方のサーボリードヘッド１３２は、隣接する２つのサーボバンドｓのうち一方のサーボバンドｓ上に位置し、このサーボバンドｓ上のサーボパターン６を読み取る。また、２つのサーボリードヘッド１３２のうち他方のサーボリードヘッド１３２は、隣接する２つのサーボバンドｓのうち他方のサーボバンドｓ上に位置し、このサーボバンドｓ上のサーボパターン６を読み取る。

【0159】

制御装置３８は、サーボパターン６の再生波形に基づいて、サーボリードヘッド１３２が、目的とするサーボトレースラインＴ（図４参照）上を正確にトレースしているかどうかを判定する。

【0160】

この原理について説明する。図４に示すように、サーボパターン６における第１のストライプ群６１と、第２のストライプ群６２とでは、幅方向（Ｙ軸方向）に対して傾斜する方向が逆となっている。このため、上側のサーボトレースラインＴでは、第１のストライプ群６１と第２のストライプ群６２との間の長手方向（Ｘ軸方向）での距離は、相対的に狭くなっている。一方、下側のサーボトレースラインＴ上では、第１のストライプ群６１と、第２のストライプ群６２との間の長手方向（Ｘ軸方向）での距離は、相対的に広くなっている。このため、第１のストライプ群６１の再生波形が検出された時刻と、第２のストライプ群６２の再生波形が検出された時刻との差を求めれば、サーボリードヘッド１３２が磁気記録媒体１０に対して幅方向（Ｙ軸方向）で、現在どの位置に位置するかが分かる。

【0161】

従って、制御装置３８は、サーボパターン６の再生波形に基づいて、目的とするサーボトレースラインＴ上をサーボリードヘッド１３２が正確にトレースしているかどうかを判定することができる。そして、制御装置３８は、目的とするサーボトレースラインＴ上をサーボリードヘッド１３２が正確にトレースしていない場合には、ドライブヘッド３６を幅方向（Ｙ'軸方向）に移動させて、ドライブヘッド３６の位置あるいはトラッキングを調整する。なお、サーボリードヘッド１３２がトレースするサーボトレースラインＴの測定方法については後述する（図１２，１３参照）。

【0162】

図１２に戻り、データライト／リードヘッド１３３は、磁気記録媒体１０の走行時に磁気記録媒体１０が幅方向に変動した場合、サーボトレースラインＴに沿うように位置を調整し、記録トラック５内にデータ信号を記録する。

【0163】

磁気記録媒体１０がテープカートリッジ１０Ａから全て引き出されると、今度は、逆方向（Ａ２方向）に磁気記録媒体１０が走行される。このとき、ドライブヘッド３６として、第２のドライブヘッド部３６ｂが使用される。サーボトレースラインＴは、先ほどのサーボトレースラインＴに隣接するサーボトレースラインＴが使用される。この場合、ドライブヘッド３６は、幅方向（Ｙ'軸方向）において、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ分（＝記録トラック幅Ｗｄ分）、移動される。この場合、先ほどデータ信号が記録された記録トラック５に隣接する記録トラック５に対して、第２のドライブヘッド部３６ｂのデータライトヘッド１３４によってデータ信号が記録される。

【0164】

このように、磁気記録媒体１０は、順方向及び逆方向に走行方向が変えられて何往復もされながら、記録トラック５に対してデータ信号が記録される。例えば、サーボトレースラインＴの本数が、１００本であり、第１のドライブヘッド部３６ａ（あるいは、第２のドライブヘッド部３６ｂ）に含まれるデータライト／リードヘッド１３３の数が３２個の場合を想定する。この場合、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数は、１００×３２で３２００本であり、この記録トラック５すべてにデータ信号を記録するためには、磁気記録媒体１０を５０往復させることになる。

【0165】

（サーボパターン）

【0166】

続いて、サーボパターン６の詳細について説明する。
サーボパターン６は、「ＥＣＭＡ－３１９規格」に準拠したデータ構造を有する。図１３（Ａ）はサーボパターン６の配置例を示す概略平面図、図１３（Ｂ）はその再生波形を示す図である。

【0167】

タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボでは、サーボパターンは、２種以上の異なる形状の複数の方位角傾斜（azimuthal slope）パターンを含む。異種の形状の２つの傾斜パターンを読み取った時間間隔と、同種の形状の２つの傾斜パターンを読み取った時間間隔とにより、サーボリードヘッド１３２の位置を認識する。こうして認識されたサーボリードヘッド１３２の位置に基づき、磁気記録媒体１０の幅方向（Ｙ軸方向）におけるドライブヘッド３６の位置が制御される（図１１，１２参照）。

【0168】

図１３（Ａ）に示すように、サーボパターン６は、第１サーボサブフレームＳＳＦ１と、第２サーボサブフレームＳＳＦ２とを有するサーボフレームＳＦを形成する。サーボフレームＳＦは、テープ長手方向に沿って所定の間隔をおいて磁気記録媒体１０の長手方向に配列される。各サーボフレームＳＦは、「１」又は「０」の一つのビットを符号化する。つまり、１つのサーボフレームＳＦは、１ビットに相当する。

【0169】

第１サーボサブフレームＳＳＦ１は、Ａバースト６ａとＢバースト６ｂとにより構成される。Ａバースト６ａは、テープ長手方向に対して第１の方向に傾斜した５本の直線パターン（図４における第１のストライプ群６１に相当）からなり、Ｂバースト６ｂは、テープ長手方向に上記第１の方向とは逆の第２の方向に傾斜した５本の直線パターン（図４における第２のストライプ群６２に相当）からなる。

【0170】

一方、第２サーボサブフレームＳＳＦ２は、Ｃバースト６ｃとＤバースト６ｄとにより構成される。Ｃバースト６ｃは、上記第１の方向に傾斜した４本の直線パターン（図４における第１のストライプ群６１に相当）からなり、Ｄバースト６ｄは、上記第２の方向に傾斜した４本の直線パターン（図４における第２のストライプ群６２に相当）からなる。

【0171】

サーボフレームＳＦ及び各サーボサブフレームＳＳＦ１，ＳＳＦ２の長さ、各バースト６ａ～６ｄを傾斜する傾斜部の配列間隔等は、磁気記録媒体の種類や仕様等に応じて任意に設定可能である。

【0172】

サーボパターン６の再生波形は、典型的には図１３（Ｂ）に示すようなバースト波形を示し、信号Ｓ６ａはＡバースト６ａに、信号Ｓ６ｂはＢバースト６ｂに、信号Ｓ６ｃはＣバースト６ｃに、そして、信号Ｓ６ｄはＤバースト６ｄに、それぞれ相当する。

【0173】

タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボでは、一のデータバンドに隣接する２つのサーボバンド上のサーボパターン６を読み取ることで、位置誤差信号（ＰＥＳ：Position Error Signal）を生成し、当該データバンド内の記録トラックに対する記録再生ヘッドを適切に位置決めする。典型的には、所定速度で走行する磁気記録媒体１０からサーボパターン６を読み取り、互いに同種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバースト６ａとＣバースト６ｃとの間の距離（時間間隔）ＡＣと、互いに異種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバースト６ａとＢバースト６ｂとの間の距離（時間間隔）ＡＢとの比（あるいは、Ｃバースト６ｃとＡバースト６ａとの距離ＣＡと、Ｃバースト６ｃとＤバースト６ｄとの距離ＣＤとの比）を算出し、その値が記録トラックごとに定められた設定値となるようにドライブヘッド３６をテープ幅方向（Ｙ'軸方向）に移動させる（図１２参照）。

【0174】

（データバンドの特定）

【0175】

各サーボバンドｓ（ｓ０～ｓ４）には、各データバンドについて異なる組み合わせのサーボバンド識別情報が書き込まれる。例えば、データバンドｄ０に隣接する２つのサーボバンドｓ２，ｓ３から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせは、データバンドｄ１に隣接するサーボバンドｓ１，ｓ２から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせと、データバンドｄ２に隣接するサーボバンドｓ３，ｓ４から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせと、データバンドｄ３に隣接する２つのサーボバンドｓ０，ｓ１から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせと、それぞれ異なる。このように、一のデータバンドに隣接する２つのサーボバンドから得られるサーボバンド識別情報を、他のデータバンドに隣接する２つのサーボバンドから得られるサーボバンド識別情報と異ならせることにより、個々のデータバンドの特定が可能となる。

【0176】

本実施形態においては、記録再生するべきデータバンドｄ０～ｄ４を特定するために、２種類のサーボバンドが用いられる。上述のように、サーボバンドには、サーボバンド識別情報が埋め込まれる。サーボバンド識別情報は、複数ビットの情報であり、典型的には、４ビットであるが、８ビットであってもよいし、４ビット及び８ビット以外の他の複数ビットであってもよい。

【0177】

本実施形態において、上記２種類のサーボバンドは、第１のサーボバンド識別情報が記録される第１のサーボバンドと、第２のサーボバンド識別情報が記録される第２のサーボバンドとを有する。第１のサーボバンド識別情報は、４ビットの情報（例えば「１００１」）であり、第２のサーボバンド識別情報は、第１のサーボバンド識別情報とは異なる４ビットの情報（例えば「０１１１」）である。

【0178】

第１及び第２のサーボバンド識別情報を構成する符号「０」、「１」の組み合わせは、サーボパターン６の再生波形から識別される。つまり、サーボパターン６の再生波形は、符号「０」、「１」の変調波に相当し、当該再生波形を復調し、且つ、例えば４ビット組み合わせることで、第１及び第２のサーボバンド識別情報が読み出される。以下、第１及び第２のサーボバンド識別情報について、図１４及び図１５を参照して説明する。

【0179】

図１４（Ａ），（Ｂ）は、第１のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（以下、第１のサーボパターン６０１ともいう）及び第２のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（以下、第２のサーボパターン６０２ともいう）の構成例を示す概略図である。同図に示すように、第１のサーボパターン６０１及び第２のサーボパターン６０２はいずれも、一方の符号（例えば「１」）を表すサーボフレームＳＦ１と、他方の符号（例えば「０」）を表すサーボフレームＳＦ０とを含む２種のサーボフレームＳＦの組み合わせからなる。各サーボフレームＳＦ１，ＳＦ０は、第１サーボサブフレームＳＳＦ１及び第２サーボサブフレームＳＳＦ２からなるサーボフレームＳＦを構成単位とする点で共通するが、第１サーボサブフレームＳＳＦ１（Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂ）が相互に異なる。

【0180】

図１４（Ａ）に示すように、符号「１」を表すサーボフレームＳＦ１においては、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂをそれぞれ構成する５本の傾斜パターンを図中左側から順に第１傾斜部、第２傾斜部、第３傾斜部、第４傾斜部及び第５傾斜部としたとき、第２、第４傾斜部がそれぞれ第１、第５傾斜部側に偏った位置に配置される。これに対して、図１４（Ｂ）に示すように、符号「０」を表すサーボフレームＳＦ０においては、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂを構成する傾斜パターンの一部の配列間隔がサーボフレームＳＦ１と異なっている。図示の例では、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂをそれぞれ構成する５本の傾斜パターンは、第２、第４傾斜部がそれぞれ第３傾斜部側に偏った位置に配置される。このため、サーボフレームＳＦ０におけるＡバースト６ａ及びＢバースト６ｂについては、第２傾斜部と第３傾斜部、並びに第３傾斜部と第４傾斜部との間隔が最も小さく、第１傾斜部と第２傾斜部、並びに第４傾斜部と第５傾斜部との間隔が最も大きくなっている。

【0181】

図１５（Ａ），（Ｂ）は、第１のサーボパターン６０１及び第２のサーボパターン６０２の再生波形ＳＰ１，ＳＰ２をそれぞれ示している。各サーボフレームＳＦ１，ＳＦ０の再生波形は、各バースト部６ａ～６ｄ各々の傾斜部に対応する位置にピークを有するバースト信号で構成される。上述のように、サーボフレームＳＦ０については、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂの構成がサーボフレームＳＦ１のＡバースト６ａ及びＢバースト６ｂと異なるため、その異なる傾斜部の間隔に対応してバースト信号Ｓ６ａ及びＳ６ｂのピーク位置にずれが生じる。したがって、このピーク位置のずれが生じている部位とそのずれ量、ずれ方向を検出することにより、サーボフレームＳＦに書き込まれた情報の読み出しが可能となる。ここでは例えば、図１５（Ａ）に示すサーボフレームＳＦ１が１つのビット「１」を表し、図１５（Ｂ）に示すサーボフレームＳＦ０が他の１つのビット「０」を表す。これら２つのサーボフレームＳＦ１，ＳＦ０を任意に例えば４ビット組み合わせることで、第１及び第２のサーボバンド識別情報を構成することができる。

【0182】

（サーボバンドピッチの測定方法）

【0183】

続いて、磁気記録媒体１０のサーボバンドピッチの測定方法について説明する。サーボバンドピッチの測定は、温度２５℃±３℃、湿度５０％±５％の環境下で行う。
ここで、サーボバンドピッチとは、１つのデータバンド（例えば、データバンドｄ０）に隣接する２つのサーボバンド（サーボバンドｓ２、ｓ３）間の距離を示す指標である。より詳細には、サーボバンドピッチとは、上記２つのサーボバンドのうち一方のサーボバンドに記録されたサーボパターンの中心と他方のサーボバンドに記録されたサーボパターンの中心との間の距離をいう。また以下の説明では、サーボバンドピッチを、サーボリードヘッドピッチＰ１（図１１参照）との差分という意味で用いる場合もある。

【0184】

サーボバンドピッチは、記録再生装置３０により測定される。ここでは図１６に示すように、サーボバンドｓ２とサーボバンドｓ３との間に挟まれたデータバンドｄ０をドライブヘッド３６がトラッキングする例について説明する。

【0185】

記録再生装置３０を用いたサーボバンドピッチの測定方法は、上述のように、記録再生装置３０によって磁気記録媒体１０を走行させ、２つのサーボリードヘッド１３２の各サーボバンド上でのサーボトレースラインＴをそれぞれ測定し、測定した各サーボトレースラインＴのサーボパターン６に対する相対位置からサーボバンドピッチを測定する。

【0186】

図１６において実線で示すサーボトレースラインＴの間隔は、磁気記録媒体１０の幅が変化していないときのサーボバンドピッチ（ドライブヘッド３６の２つのサーボリードヘッド１３２の配置間隔であるサーボリードヘッドピッチＰ１）を示している。また、図１６において破線で示すサーボトレースラインＴの間隔は、磁気記録媒体１０の幅が広がったときのサーボバンドピッチ（Ｐ２）に相当する。

【0187】

図１７は、サーボトレースラインＴの測定方法を説明する図である。記録再生装置３０は、サーボパターン６に対するサーボトレースラインＴの位置に応じた波形のサーボ再生信号を出力する（図１５参照）。典型的には、互いに同種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバーストおよびＣバースト間の距離ＡＣと、互いに異種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバーストおよびＢバースト間の距離ＡＢとを算出し、下記［数２］式で各サーボリードヘッド１３２のサーボトレースラインＴの位置を測定する。なお、θは、図４おける角度αに相当する上記各傾斜パターンのアジマス角であり、本例では、１２°とする。

【0188】

【数2】

【0189】

ここで、距離ＡＣは、ＡバーストおよびＣバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＡＣ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＡＣ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＡＣ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＡＣ４でもよい。これらの距離ＡＣ（ＡＣ１～ＡＣ４）は、サーボ再生波形における振幅の正の最大値を示す位置（上ピーク位置）間の距離をいう。

【0190】

距離ＡＢについても同様に、ＡバーストおよびＢバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＡＢ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＡＢ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＡＢ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＡＢ４でもよい。典型的には、距離ＡＣ１が採用される場合は距離ＡＢ１が採用され、距離ＡＣ２が採用される場合は距離ＡＢ２が採用され、距離ＡＣ３が採用される場合は距離ＡＢ３が採用され、距離ＡＣ４が採用される場合は距離ＡＢ４が採用される。

【0191】

そして、［数２］式を用いて算出された、距離ＡＢおよび距離ＡＣの割合から求められるサーボパターン上の各サーボトレースラインＴの位置を表す数値の差分から、サーボバンドピッチを求める。ここでは、測定する２つのサーボバンドのうち、テープエッジ側のサーボバンド（サーボバンドｓ３）の測定値からの、テープ中央側のサーボバンド（サーボバンドｓ２）の測定値の差分をとる。その値の正負は、テープ幅の変化の方向を意味し、正の場合はサーボバンドピッチが狭まったことに相当し、負の場合はサーボバンドピッチが広がったことに相当する。上記差分がゼロの場合は、テープ幅の変動が無いことを意味する。

【0192】

サーボバンドピッチは、多数のサーボフレームの差分から求めることが好ましく、例えば、１００～１０００００個のサーボフレームの差分から計算される測定値の平均値であってもよい。測定時におけるテープテンションは、サーボパターン６の記録時のテンション（基準テンション、例えば、０．５５Ｎ）とし、磁気記録媒体１０の全長にわたって一定のテンションで測定を行う。

【0193】

なお、サーボトレースラインＴの測定方法は上記の例に限られず、例えば、ＣバーストおよびＡバースト間の距離ＣＡと、ＣバーストおよびＤバースト間の距離ＣＤとを算出し、下記［数３］式でサーボトレースラインＴの位置を測定してもよい。

【0194】

【数3】

【0195】

ここで、距離ＣＡは、ＣバーストおよびＡバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＣＡ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＣＡ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＣＡ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＣＡ４でもよい。これらの距離ＣＡ（ＣＡ１～ＣＡ４）は、サーボ再生波形における振幅の正の最大値を示す位置間の距離をいう。

【0196】

距離ＣＤについても同様に、ＣバーストおよびＤバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＣＤ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＣＤ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＣＤ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＣＤ４でもよい。典型的には、距離ＣＡ１が採用される場合は距離ＣＤ１が採用され、距離ＣＡ２が採用される場合は距離ＣＤ２が採用され、距離ＣＡ３が採用される場合は距離ＣＤ３が採用され、距離ＣＡ４が採用される場合は距離ＣＤ４が採用される。

【0197】

さらに、サーボバンドピッチの測定には、［数２］式を用いた測定値と［数３］式を用いた測定値との平均値が用いられてもよい。さらに、［数２］式における距離ＡＣ，ＡＢおよび［数３］式における距離ＣＡ，ＣＤとして、サーボ再生波形における振幅の負の最大値を示す位置（下ピーク位置）間の距離が採用されてもよい。あるいは、［数２］式における距離ＡＣ，ＡＢおよび［数３］式における距離ＣＡ，ＣＤとして、サーボ再生波形における振幅の正の最大値を示す位置（上ピーク位置）間の距離と負の最大値を示す位置（下ピーク位置）間の距離との平均値が採用されてもよい。

【0198】

図１６に示すように、サーボトレースラインＴが破線で示す位置にある場合、サーボバンドｓ２においては距離ＡＢが３８．５μｍ、距離ＡＣが７６μｍ、サーボバンドｓ３においては距離ＡＢが３７．５μｍ、距離ＡＣが７６μｍであるとする。
サーボバンドｓ２においては、
（３８．５／７６）×（７６／２ｔａｎ１２°）＝９０．５６４１［μｍ］
サーボバンドｓ３においては、
（３７．５／７６）×（７６／２ｔａｎ１２°）＝８８．２１１８［μｍ］
となる。これらの値の差分は、
８８．２１１８－９０．５６４１＝－２．３５２３［μｍ］
となる。
したがって、この場合におけるサーボバンドピッチＰ２は、サーボリードヘッドピッチＰ１より、２．３５２３μｍだけ広い値として求められる。

【0199】

なお、図１６に示すように、サーボトレースラインＴが実線で示す位置にある場合、サーボバンドｓ２およびサーボバンドｓ３のいずれにおいても距離ＡＢが３８μｍ、距離ＡＣが７６μｍとなる。この場合、サーボバンドｓ２およびサーボバンドｓ３のいずれにおいても８９．３８８０［μｍ］であり、それらの差分は０［μｍ］となる。つまり、この場合のサーボバンドピッチは、サーボリードヘッドピッチＰ１と同一を意味する。

【0200】

（テンション制御）

【0201】

記録再生装置３０は、上述のようにして測定されたサーボパターンピッチに基づき、測定されたサーボパターンピッチがサーボリードヘッドピッチＰ１と同一となるように磁気記録媒体１０のテンションを制御する。

【0202】

本実施形態では、磁気記録媒体１０へのデータの記録あるいは磁気記録媒体１０からのデータの再生に先立って、データを記録あるいは再生する１つのデータバンドを挟む２つのサーボバンドからサーボ信号を読み取り、読み取った各サーボ信号からこれら２つのサーボバンドピッチがサーボリードヘッドピッチＰ１よりも広いか狭いかを判定する。サーバンドピッチがサーボリードヘッドピッチＰ１よりも広い場合にはテンションを高くし、サーボバンドピッチがサーボリードヘッドピッチＰ１よりも狭い場合にはテンションを低くする。このようにサーボバンドピッチの大きさに応じてテンションの大きさを調整することで、当該データバンドについて所望とするトラッキング制御を安定に行うことができる。

【0203】

記録再生装置３０は、１つのデータバンドについてのサーボバンドピッチとテンションとの関係を１往復のテープ走行により取得し、その取得データをカートリッジメモリ９へ記録する。記録再生装置３０は、上記１つのデータバンドについて測定したサーボバンドピッチとテンションとの関係を、他のデータバンドに対するデータの記録再生時にも同様に適用する。

【0204】

（６）サーボパターン記録装置の例

【0205】

［サーボパターン記録装置の構成］

【0206】

続いて、磁気記録媒体１０のサーボバンドｓにサーボパターン６を記録するサーボパターン記録装置の例の構成について説明する。図１８は、本技術の一実施形態に係るサーボパターン記録装置１００を示す概略正面図である。図１９は、サーボパターン記録装置１００の一部を示す部分拡大図である。

【0207】

サーボパターン記録装置１００は、磁気記録媒体１０の搬送方向の上流側から順番に、送り出しローラ１１１、前処理部１１２、サーボライトヘッド１１３、再生ヘッド部１１４及び巻き取りローラ１１５を備えている。サーボパターン記録装置１００はさらに、駆動部１２０及びコントローラ１３０を備えている。コントローラ１３０は、サーボパターン記録装置１００の各部を統括的に制御する制御部や、制御部の処理に必要な各種のプログラムやデータが記憶された記憶部、データを表示させる表示部、データを入力する入力部などを有する。

【0208】

送り出しローラ１１１は、ロール状の磁気記録媒体１０（サーボパターン６記録前）を回転可能に支持することが可能とされている。送り出しローラ１１１は、モータなどの駆動源の駆動に応じて回転され、回転に応じて磁気記録媒体１０を下流側に向けて送り出す。

【0209】

巻き取りローラ１１５は、ロール状の磁気記録媒体１０（サーボパターン６記録後）を回転可能に支持することが可能とされている。巻き取りローラ１１５は、モータなどの駆動源の駆動に応じて送り出しローラ１１１と同調して回転し、サーボパターン６が記録された磁気記録媒体１０を回転に応じて巻き取っていく。送り出しローラ１１１及び巻き取りローラ１１５は、搬送経路上において磁気記録媒体１０を一定の速度で移動させることが可能とされている。

【0210】

サーボライトヘッド１１３は、例えば、磁気記録媒体１０の上方側（磁性層４３側）に配置される。サーボライトヘッド１１３は、磁気記録媒体１０の下側（ベース層４１側）に配置されてもよい。サーボライトヘッド１１３は、矩形波のパルス信号に応じて所定のタイミングで磁界を発生し、磁気記録媒体１０が有する磁性層４３（前処理後）の一部に対して磁場を印加する。

【0211】

これにより、サーボライトヘッド１１３は、第１の方向に磁性層４３の一部を磁化させて磁性層４３にサーボパターン６を記録する（磁化方向は図１９中、黒の矢印参照）。サーボライトヘッド１１３は、サーボライトヘッド１１３の下側を磁性層４３が通過するときに、５つのサーボバンドｓ０～ｓ４に対してそれぞれサーボパターン６を記録することが可能とされている。

【0212】

サーボパターン６の磁化方向である第１の方向は、磁性層４３の上面に垂直な垂直方向の成分を含む。すなわち、本実施形態では、垂直配向若しくは無配向の磁性粉が磁性層４３に含まれるので、磁性層４３に記録されるサーボパターン６は、垂直方向の磁化成分を含む。

【0213】

前処理部１１２は、例えば、サーボライトヘッド１１３よりも上流側において、磁気記録媒体１０の下側（ベース層４１側）に配置される。前処理部１１２は、磁気記録媒体１０の上側（磁性層４３側）に配置されてもよい。前処理部１１２は、図１９においてＹ'軸方向（磁気記録媒体１０の幅方向）を回転の中心軸として回転可能な永久磁石１１２ａを含む。永久磁石１１２ａの形状は、例えば、円柱形状や、多角柱形状とされるが、これらに限られない。

【0214】

永久磁石１１２ａは、サーボライトヘッド１１３によってサーボパターン６が記録される前に、直流磁界によって磁性層４３の全体に対して磁場を印加して、磁性層４３全体を消磁する。これにより、永久磁石１１２ａは、サーボパターン６の磁化方向とは反対方向の第２の方向に予め磁性層４３を磁化させることができる（図１９中、白の矢印参照）。このように、２つの磁化方向をそれぞれ反対方向にさせることで、サーボパターン６を読み取ることで得られるサーボ信号の再生波形を上下方向（±）で対称とすることができる。

【0215】

なお、上記第２の方向の調整方法としては、例えば、永久磁石１１２ａの回転角度を任意とし、磁性層４３全体を消磁後に、磁性層４３にサーボパターン６を記録し、その再生波形の傾きに基づいて、磁気記録媒体１０の幅方向を中心とする永久磁石１１２ａの回転角度を調整するようにしてもよい。

【0216】

再生ヘッド部１１４は、サーボライトヘッド１１３よりも下流側において、磁気記録媒体１０の上側（磁性層４３側）に配置される。再生ヘッド部１１４は、前処理部１１２によって前処理され、かつ、サーボライトヘッド１１３によってサーボパターン６が記録された磁気記録媒体１０の磁性層４３から上記サーボパターン６を読み取る。再生ヘッド部１１４によって読み取られたサーボパターン６の再生波形は、表示部の画面上に表示される。典型的には、再生ヘッド部１１４は、再生ヘッド部１１４の下側を磁性層４３が通過するときに、サーボバンドｓの表面から発生する磁束を検出する。このとき検出された磁束がサーボ信号としてのサーボパターン６の再生波形となる。

【0217】

図２０は、サーボライトヘッド１１３の構成を概略的に示す斜視図、図２１は、サーボライトヘッド１１３の要部の概略断面図、図２２は、サーボライトヘッド１１３の要部の概略平面図である。

【0218】

図２０および図２１に示すように、サーボライトヘッド１１３は、磁気テープ１の各サーボバンドｓ０～ｓ４にサーボパターン６を記録するための複数の磁性コアｈ０～ｈ４と、各磁性コアｈ０～ｈ４の間を接合する接着層ｈｓとを有する。

【0219】

各磁性コアｈ０～ｈ４はそれぞれ、センダストやパーマロイ、フェライト等の軟磁性材料で構成されるヘッドブロック４０と、ヘッドブロック４０に巻回されたコイル７０とを有する。各磁性コアｈ０～ｈ４は、磁気記録媒体１０の各サーボバンドｓ０～ｓ４に対応して配置された記録部４０１を構成し、各サーボバンドｓにサーボパターン６を記録するための磁気ギャップｇを有する。

【0220】

磁気ギャップｇは、相互に逆方向に傾斜する一対の直線部（「／」及び「＼」）からなり、一方の直線部「／」はＡバースト６ａ及びＣバースト６ｃを、他方の直線部「＼」はＢバースト６ｂ及びＤバースト６ｄをそれぞれ記録する。各ヘッドブロックｈ１～ｈ５の磁気ギャップｇは、サーボライトヘッド１１３の長手方向（Ｙ'方向）に平行な軸線上に整列するように配置される。磁気ギャップｇの配列間隔は、サーボライトヘッド１１３の長手方向のパターン幅Ｐｗにおける中心間の距離であり、その大きさは、サーボリードヘッドピッチＰ１とされる。各磁性コアｈ０～ｈ４は相互に磁気的に分離されており、２つ以上のサーボバンドに同時に異なる種類のサーボパターン６を記録可能に構成される。

【0221】

図２３は、駆動部１２０の構成を示すブロック図である。図２３に示すように、駆動部１２０は、コントローラ１３０（図１８参照）からの出力に基づき、サーボ情報をパルス情報に変換する変換器１２１と、変換器１２１の出力に基づいてパルス信号を生成する信号生成部１２２と、生成されたパルス信号を増幅する増幅器１２３とを有する。信号生成部１２２及び増幅器１２３は、各磁性コアｈ０～ｈ４に対応して複数ずつ設けられており、各磁性コアｈ０～ｈ４に巻回されたコイル７０へそれぞれ固有のパルス信号を出力することが可能に構成される。

【0222】

コントローラ１３０は、第１のサーボバンド識別情報を記録するべきサーボバンドの位置（本例では、サーボバンドｓ０，ｓ１，ｓ４）と、第２のサーボバンド識別情報を記録するべきサーボバンドの位置（本例では、サーボバンドｓ２，ｓ３）とに関するデータを格納したメモリを備える。コントローラ１３０は、当該メモリに格納されたデータに基づいて、駆動部１２０を制御する。

【0223】

変換器１２１は、各サーボバンドｓ０～ｓ４に記録するべきサーボバンド識別情報に対応する情報を各磁性コアｈ０～ｈ４に対応する信号生成部１２２へ個々に出力する。本実施形態では、サーボバンドｓ０、ｓ１、ｓ４に対応する磁性コアｈ０、ｈ１及びｈ４に第１のサーボバンド識別情報を含む第１のサーボパターン６０１（図１４（Ａ））を記録するための第１のパルス信号ＰＳ１を出力し、サーボバンドｓ２，ｓ３に対応するヘッドブロックｈ２，ｈ３に第２のサーボバンド識別情報を含む第２のサーボパターン６０２（図１４（Ｂ））を記録するための第２のパルス信号ＰＳ２を出力する。

【0224】

図２４（Ａ），（Ｂ）に、第１のパルス信号ＰＳ１及び第２のパルス信号ＰＳ２における第１サーボサブフレームＳＳＦ１の記録信号波形をそれぞれ模式的に示す。同図に示すように、第１及び第２のパルス信号ＰＳ１，ＰＳ２は、５つのパルス群からなる第１パルス群ＳＰＦ１と、４つのパルス群からなる第２パルス群ＳＰＦ２とを含む。第１パルス群ＳＰＦ１は、Ａバースト６ａの各傾斜部を記録するための信号であり、第２パルス群ＳＰＦ２は、Ｂバースト６ｂの各傾斜部を記録するための信号である。

【0225】

図２４（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のパルス信号ＰＳ１と第２のパルス信号ＰＳ２との間には、第１パルス群ＳＰＦ１における２番目及び４番目のパルスの立ち上がり時刻が異なっており、パルス信号ＰＳ２の方がパルス信号ＰＳ１よりも２番目のパルスの立ち上がり時刻が遅く、４番目のパルスの立ち上がり時刻が早い。これにより、図１４（Ａ），（Ｂ）に示したようなＡバースト６ａの傾斜部の配列間隔の一部が相互に相違する第１サーボサブフレームＳＳＦ１が形成される。

【0226】

さらに、第１のパルス信号ＰＳ１と第２のパルス信号ＰＳ２は、それぞれ同位相（同一のタイミング）で磁性コアｈ０～ｈ４に送信される。これにより、各磁性コアｈ０～ｈ４においてサーボバンドｓ０，ｓ１，ｓ４には第１のサーボパターン６０１（第１のサーボバンド識別情報）が、サーボバンドｓ２，ｓ３には第２のサーボパターン６０２（第２のサーボバンド識別情報）が同位相で記録される。

【0227】

（７）記録再生装置の他の例

【0228】

［記録再生装置の他の例］

【0229】

図２５は、記録再生装置５００を示す図である。記録再生装置５００は、磁気記録媒体５０１にデータを記録することが可能とされており、また、磁気記録媒体５０１に記録されたデータを再生することが可能とされている。

【0230】

記録再生装置５００は、カートリッジ５１０を装填可能に構成されている。カートリッジ５１０は、巻回された磁気記録媒体５０１をその内部において回転可能に収容可能に構成されている。記録再生装置５００は、１つのカートリッジ５１０を装填可能に構成されていてもよいし、複数のカートリッジ５１０を同時に装填可能に成されてもよい。

【0231】

記録再生装置５００は、スピンドル５１１と、巻取りリール５１２と、スピンドル駆動装置５１３と、リール駆動装置５１４と、データライトヘッド５２０と、制御装置５１５と、幅測定部５１６と、角度調整部５１７と、複数のガイドローラ５１８とを備えている。

【0232】

スピンドル５１１は、その回転により、カートリッジ５１０内部に収容された磁気記録媒体５０１を回転させることが可能に構成されている。スピンドル駆動装置５１３は、制御装置５１５からの指令に応じて、スピンドル５１１を回転させる。

【0233】

巻取りリール５１２は、テープローディング機構（不図示）を介してカートリッジ５１０から引き出された磁気記録媒体５０１の先端を固定可能に構成されている。リール駆動装置５１４は、制御装置５１５からの指令に応じて、巻取りリール５１２を回転させる。

【0234】

複数のガイドローラ５１８は、カートリッジ５１０と巻取りリール５１２との間に形成される搬送経路がデータライトヘッド５２０に対して所定の相対位置関係となるように磁気記録媒体５０１の走行をガイドする。

【0235】

データライトヘッド５２０は、磁気記録媒体５０１がデータライトヘッド５２０の下側を通過するときに、制御装置５１５からの指令に応じて、磁気記録媒体５０１のデータバンドｄ（記録トラック５）に対して、データを記録することが可能に構成されており、また、記録したデータを再生することが可能に構成されている。

【0236】

データライトヘッド５２０により磁気記録媒体５０１に対してデータの記録／再生が行われるとき、スピンドル駆動装置５１３及びリール駆動装置５１４により、スピンドル５１１及び巻取りリール５１２が回転し、磁気記録媒体５０１が走行する。磁気記録媒体５０１の走行方向は、図２５において矢印Ａ１で示す順方向（スピンドル５１１側から巻取りリール５１２側へ巻き出す方向）、及び、矢印Ａ２で示す逆方向（巻取りリール５１２側からスピンドル５１１側へ巻き戻す方向）での往復が可能とされている。

【0237】

データライトヘッド５２０は、磁気記録媒体５０１の順方向での走行及び逆方向での走行の両方向において、データの記録／再生が可能とされている。

【0238】

特に、本実施形態では、データライトヘッド５２０は、データライトヘッド５２０の長手方向（Ｙ'軸方向）が、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して、所定の角度θ（第１のヘッドアジマス角θ）傾斜して配置される（後述の図２６参照）。

【0239】

本実施形態の説明において、データライトヘッド５２０の長手方向（Ｙ'軸方向）が、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して傾斜する角度を、データライトヘッド５２０のアジマス角θと呼ぶ。なお、データライトヘッド５２０の構成についての詳細は、図２６等を参照して後述する。

【0240】

幅測定部５１６は、幅測定部５１６の下側を磁気記録媒体５０１が通過するときの磁気記録媒体５０１の幅を測定することが可能に構成されている。つまり、幅測定部５１６は、データライトヘッド５２０が磁気記録媒体５０１に対してデータの記録／再生を行うときの磁気記録媒体５０１の幅を測定することが可能に構成されている。幅測定部５１６は、磁気記録媒体５０１の幅を測定して制御装置５１５へと送信する。

【0241】

幅測定部５１６は、例えば、光センサ等のような各種のセンサにより構成される。幅測定部５１６は、磁気記録媒体５０１の幅を測定可能なセンサであればどのようなセンサが用いられてもよい。なお、磁気記録媒体５０１の幅は、それぞれ隣接するサーボパターン６を読み取り、位置信号の差分を求めることで、予測することもできる。この場合、幅測定部５１６は省略することができる。

【0242】

角度調整部５１７は、データライトヘッド５２０を上下方向の軸（Ｚ軸）周りに回動可能に保持することが可能に構成されている。角度調整部５１７は、制御装置５１５からの指令に応じて、データライトヘッド５２０のアジマス角θを調整することが可能に構成されている。

【0243】

制御装置５１５は、例えば、制御部、記憶部、通信部などを含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、記録再生装置５００の各部を統括的に制御する。

【0244】

記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク、半導体メモリ等の可搬性の記録媒体から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。通信部は、ＰＣ（Personal Computer）、サーバ装置等の他の装置との間で互いに通信可能に構成されている。

【0245】

特に、本実施形態では、制御装置５１５（制御部）は、幅測定部５１６から磁気記録媒体５０１の幅の情報を取得し（あるいは、サーボ信号から磁気記録媒体の幅を予測し）、磁気記録媒体５０１の幅の情報に基づいて、角度調整部５１７によりデータライトヘッド５２０のアジマス角θ（図２６参照）を調整する。

【0246】

本実施形態では、データライトヘッド５２０のアジマス角θを調整することで、磁気記録媒体５０１の幅の変動に対応している。典型的には、磁気記録媒体５０１の幅が相対的に広くなったとき、データライトヘッド５２０のアジマス角θは小さくされ、逆に、磁気記録媒体５０１の幅が相対的に狭くなったとき、データライトヘッド５２０のアジマス角θは大きくされる。

【0247】

磁気記録媒体５０１の幅は、例えば、温度、湿度、磁気記録媒体５０１の長手方向に加えられるテンション等、様々な理由で変動する場合がある。

【0248】

（データライトヘッド５２０）

【0249】

次に、データライトヘッド５２０の構成について詳細に説明する。図２６は、データライトヘッド５２０を下方（バック層側）から見た概略図である。

【0250】

データライトヘッド５２０の説明では、データライトヘッド５２０の長手方向をＹ'軸方向とし、データライトヘッド５２０の幅方向をＸ'軸方向とし、データライトヘッド５２０の上下方向をＺ'軸方向とする。また、磁気記録媒体５０１の長手方向（走行方向）をＸ軸方向とし、磁気記録媒体５０１の幅方向をＹ軸方向とし、磁気記録媒体５０１の厚さ方向をＺ軸方向とする。なお、磁気記録媒体５０１の方向は、データライトヘッド２０の下側を通過するときの磁気記録媒体５０１の方向が基準である。

【0251】

図２６に示すように、データライトヘッド５２０は、第１のデータライトヘッド５２０ａと、第２のデータライトヘッド５２０ｂとを含む。なお、本明細書中の説明において、２つのデータライトヘッド５２０を特に区別しない場合には、これらをまとめて単にデータライトヘッド５２０と呼び、２つのデータライトヘッド５２０を特に区別する場合に、これらを第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂと呼ぶ。

【0252】

第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂは、データライトヘッド５２０の幅方向（Ｙ'軸方向）で対象に構成されているが、基本的に同様の構成である。第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂは、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に一体的に移動可能とされており、これにより、全てのデータバンドｄ０～ｄ３のうちいずれかのデータバンドｄに対してデータを書き込むことができる。

【0253】

第１のデータライトヘッド５２０ａは、磁気記録媒体５０１が順方向（図２５においてＡ１方向）に走行しているときに使用されるヘッドである。一方、第２のデータライトヘッド５２０ｂは、磁気記録媒体５０１が逆方向（図２５においてＡ２方向）に走行しているときに使用されるヘッドである。

【0254】

データライトヘッド５２０は、磁気記録媒体５０１に対向する対向面５２１を有している。対向面５２１は、データライトヘッド５２０の長手方向（Ｙ'軸方向）に長くデータライトヘッド５２０の幅方向（Ｘ'軸方向）に短い形状を有している。対向面５２１には、２つのサーボリード部５２２と、複数のデータライト／リード部５２３が設けられている。

【0255】

サーボリード部５２２は、データライトヘッド５２０の長手方向（Ｙ'軸方向）の両端側にそれぞれ１つずつ設けられる。サーボリード部５２２は、磁気記録媒体５０１のサーボバンドｓに記録されたサーボパターン６による磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive effect）などにより読み取ることで、サーボ信号を再生可能に構成されている。

【0256】

ＭＲ素子としては、例えば、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ：Anisotropic Magneto Resistive effect）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive effect）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive effect）などが用いられる。

【0257】

データライト／リード部５２３は、データライトヘッド５２０の長手方向（Ｙ'軸方向）に沿って、等間隔に配置されている。また、データライト／リード部５２３は、２つのサーボリード部５２２に挟み込まれる位置に配置されている。データライト／リード部５２３の数は、例えば、２０個～４０個程度とされるが、この個数ついては特に限定されない。

【0258】

データライト／リード部５２３は、データライト部５２４と、データリード部５２５とを含む。データライト部５２４は、磁気ギャップから発生する磁界によって、磁気記録媒体５０１のデータバンドｄに対してデータを記録することが可能に構成されている。

【0259】

また、データリード部５２５は、磁気記録媒体５０１のデータバンドｄに記録されたデータによる磁界をＭＲ素子などにより読み取ることで、データ信号を再生可能に構成されている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）などが用いられる。

【0260】

第１のデータライトヘッド５２０ａにおいては、データライト部５２４が、データリード部５２５の左側（磁気記録媒体５０１が順方向に流れる場合の上流側）に配置される。一方、第２のデータライトヘッド５２０ｂにおいては、データライト部５２４が、データリード部５２５の右側（磁気記録媒体５０１が逆方向に流れる場合の上流側）に配置される。

【0261】

データリード部５２５は、そのデータリード部５２５と組とされるデータライト部５２４が磁気記録媒体５０１にデータを書き込んだ直後に、そのデータ信号を再生可能とされている。なお、上記に代えて、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂのうち、一方のデータライトヘッド５２０のデータライト部５２４で書き込まれたデータが他方のデータライトヘッド５２０のデータリード部５２５で再生されてもよい。

【0262】

磁気記録媒体５０１は、順方向及び逆方向に走行方向が変えられて何往復もされながら、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂにより、記録トラック５に対してデータが記録される。

【0263】

角度調整部５１７は、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂを上下方向の軸（Ｚ'軸）回りに回動可能に保持することが可能とされている。また、角度調整部５１７は、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂを、上下方向の軸回りに個別に回動させることが可能とされている。

【0264】

角度調整部５１７は、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂの長手方向が、磁気記録媒体５０１の幅方向に対して、アジマス角θ傾斜して配置されるように、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂの角度を調整する。

【0265】

ここで、第１のデータライトヘッド５２０ａのサーボリード部５２２及びデータライト／リード部５２３におけるＹ軸方向（磁気記録媒体５０１の幅方向）の位置と、第２のデータライトヘッド５２０ｂのサーボリード部５２２及びデータライト／リード部５２３のＹ軸方向の位置は、同じである。これらの位置関係は、第１のデータライトヘッド５２０及び第２のデータライトヘッド５２０がＺ軸回りに回動しても変わらない。

【0266】

つまり、角度調整部５１７は、第１のデータライトヘッド５２０のサーボリード部５２２及びデータライト／リード部５２３におけるＹ軸方向（磁気記録媒体５０１の幅方向）の位置と、第２のデータライトヘッド５２０ｂのサーボリード部５２２及びデータライト／リード部５２３のＹ軸方向の位置とが同じとなるように、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂを個別に回動可能とされる。

【0267】

本実施形態では、データライトヘッド５２０のアジマス角θに対して、基準となる基準角Ｒｅｆθが設定されており、また、データライトヘッド５２０のアジマス角θは、基準角Ｒｅｆθ±ｘ°で表される角度範囲が設定されている。

【0268】

図２６に示す例では、基準角Ｒｅｆθが、磁気記録媒体５０１の幅方向に対して時計回り（下側：磁気記録媒体５０１側から見て）の方向に設定されている場合の一例が示されている。一方、基準角Ｒｅｆθは、磁気記録媒体５０１の幅方向に対して反時計回り（下側：磁気記録媒体５０１側から見て）の方向に設定されていてもよい。

【0269】

（基準角Ｒｅｆθ及び角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°等）

【0270】

次に、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける基準角Ｒｅｆθ、並びに、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°について説明する。

【0271】

図２７は、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、アジマス損失Ｌθとの関係を示す図である（記録波長：０．１μｍ）。図２７において、横軸は、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値を示しており、縦軸は、アジマス損失Ｌθを示している。

【0272】

アジマス損失Ｌθ［ｄＢ］は、以下の式により表される。
Ｌθ＝－２０Ｌｏｇ１０［ｓｉｎ｛（πＷ／λ）ｔａｎθ｝／（πＷ／λ）ｔａｎθ］
式中、Ｗは、再生トラック幅であり、λは、データの記録波長であり、θは、データライトヘッド５２０のアジマス角である。

【0273】

図２７では、再生トラック幅Ｗが、それぞれ、０．８μｍ、０．５μｍ、０．４μｍ、０．３μｍ、０．２μｍとされた場合の５つのグラフが示されている。図２７では、記録波長λは、０．１μｍとされた。ここで、再生トラック幅Ｗが０．８μｍとされたグラフは、ＬＴＯ－９に対応しており、再生トラック幅Ｗが０．５μｍ、０．４μｍ、０．３μｍ、０．２μｍとされたグラフは、ＬＴＯ－１０以降（推定値）に対応している。

【0274】

図２７から理解されるように、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°が同じ場合、再生トラック幅Ｗが狭い方がアジマス損失Ｌθが小さいことが分かる。

【0275】

これは、つまり、本実施形態のように、データライトヘッド５２０のアジマス角θの調整により、磁気記録媒体５０１の幅の変動に対処する形態の場合、アジマス損失Ｌθの観点からは、記録トラック５の数が多く、再生トラック幅Ｗが狭い磁気記録媒体５０１（例えば、ＬＴＯ－１０以降）であるほど有利であることを意味している。

【0276】

ここで、アジマス損失Ｌθを許容することができる値が、０．０５［ｄＢ］以下であると仮定する。また、磁気記録媒体５０１における再生トラック幅Ｗが０．５μｍ以下であると仮定する（ＬＴＯ－１０以降（推定値））。

【0277】

この場合、図２７の点線で示されているように、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける角度範囲は、最大でＲｅｆθ±０．７°とされる。このため、本実施形態では、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける角度範囲において、Ｒｅｆθ±ｘ°のｘの値は、典型的には０．７°以下とされる。

【0278】

図２８は、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、磁気記録媒体５０１の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量との関係を示す図である。

【0279】

図２８において、横軸は、データライトヘッド２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値を示しており、縦軸は、磁気記録媒体５０１の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量を示している。

【0280】

図２９は、磁気記録媒体５０１の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量を示す図である。図２９に示すように、この補正量は、ａ-ｂで表される。

【0281】

ここで、ａの値は、データライトヘッド５２０のアジマス角θがＲｅｆθ－ｘ°とされた場合における、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）での２つのサーボリード部５２２間の距離である。一方、ｂの値は、データライトヘッド５２０のアジマス角θがＲｅｆθ＋ｘ°とされた場合における、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）での２つのサーボリード部５２２間の距離である。

【0282】

図２８に戻り、図２８では、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける基準角Ｒｅｆθが、２．５°、５°、７．５°、１０°、１２．５°、１５°で変化された場合における６つのグラフが示されている。

【0283】

図２８から、角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°が同じであれば、基準角Ｒｅｆθが大きくなるほど補正量が大きくなることが分かる。

【0284】

ここで、上述のように、アジマス損失Ｌθが０．０５［ｄＢ］以下であり、再生トラック幅Ｗが０．５μｍ以下であるとすると、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける角度範囲は、最大でＲｅｆθ±０．７°である（図２８の縦の破線参照）。この条件に加えて、さらに、上記補正量が１０μｍ以上であるとする（図２８の横の破線参照）。

【0285】

図２８から理解されるように、これらの条件を満たすためには、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθが７．５°では若干不足であり、基準角Ｒｅｆθが１０°であれば十分であることが分かる。つまり、上記条件を満たすためには、基準角Ｒｅｆθは、８°以上とされる。

【0286】

なお、ここでの説明は、本実施形態において、基準角Ｒｅｆθを８°以上にしなければならないといった趣旨ではない。つまり、本実施形態においては、基準角Ｒｅｆθは、２．５°以上、５°以上、７．５°以上、８°以上、１０°以上、１２．５°以上、１５°以上等、適宜設定することができる。

【0287】

図３０は、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、アジマス損失Ｌθとの関係を示す図である（記録波長：０．０７μｍ）。図３０において、横軸は、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値を示しており、縦軸は、アジマス損失Ｌθを示している。図３０では、データの記録波長λが、０．０７μｍとされた。

【0288】

図２７及び図３０の違いは、図２７では、データの記録波長λが０．１μｍとされていたのに対して、図３０では、、データの記録波長λが０．０７μｍとされている点である。なお、ＬＴＯ－１０以降では、データの記録波長λは、０．１μｍ以下、０．０７μｍ以下等とされることが推定される。

【0289】

図２７及び図３０の比較から理解されるように、データの記録波長λが小さくなるほどアジマス損失は増加することが分かる。

【0290】

図３０において、再生トラック幅Ｗが０．５μｍであるグラフに着目する。データの記録波長λが０．０７μｍであり、かつ、再生トラック幅Ｗが０．５μｍである場合において、アジマス損失を０．０５［ｄＢ］以下とするためには、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値を０．４８°以下とすればよい。

【0291】

図２８において、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値が０．４８°である箇所に着目する（図２８の横軸参照）。データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲が、Ｒｅｆθ±０．４８°である場合において、上記補正量を１０μｍ以上とする場合、基準角Ｒｅｆθを１２．５°以上とすればよいことが分かる。

【0292】

また、図３０において、再生トラック幅Ｗが０．４μｍであるグラフに着目する。データの記録波長λが０．０７μｍであり、かつ、再生トラック幅Ｗが０．４μｍである場合において、アジマス損失を０．０５［ｄＢ］以下とするためには、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値を０．６°以下とすればよい。

【0293】

図２８において、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値が０．６°である箇所に着目する（図２８の横軸参照）。データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲が、Ｒｅｆθ±０．６°である場合において、上記補正量を１０μｍ以上とする場合、基準角Ｒｅｆθを１０°以上とすればよいことが分かる。

【0294】

なお、ここでの説明から理解されるように、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°は、データの記録波長λが小さくなるほど小さくなる。また、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°は、再生トラック幅Ｗが小さくなるほど大きくなる（図２７、図３０参照）。

【0295】

また、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける基準角Ｒｅｆθは、データの記録波長λが小さくなるほど大きくなる。また、データライトヘッド５２０のアジマス角θにおける基準角Ｒｅｆθは、再生トラック幅Ｗが小さくなるほど小さくなる（図２８参照）。

【0296】

ここで、ＬＴＯの規格が、ＬＴＯ－９からＬＴＯ‐１０、ＬＴＯ‐１１、・・・と世代が進むに従って、データの記録波長λが順次小さくなることが予測され、また、再生トラック幅Ｗも順次小さくなることが予測される。これに応じて、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値を適切な値に設定し（例えば、０．７°以下、０．６°以下、０．５°以下、０．４°以下・・・等）、また、データライトヘッド５２０のアジマス角θの基準角Ｒｅｆθを適切な値に設定すればよい（例えば、２．５°以上、５°以上、７．５°以上、８°以上、１０°以上、１２．５°以上、１５°以上・・・等）。

【0297】

（８）サーボパターン記録装置の他の例

【0298】

［サーボパターン記録装置の他の例の構成］

【0299】

次に、本技術の一実施形態に係るサーボパターン記録装置７０１について説明する。図３１は、サーボパターン記録装置７０１を示す図である。

【0300】

図３１に示すように、サーボパターン記録装置７０１は、送り出しローラ７３１、消磁部７３２、サーボライトヘッド７４０、サーボリードヘッド７３５、巻き取りローラ７３６及び４対のキャプスタンローラ７３７を備えている。

【0301】

送り出しローラ７３１は、ロール状の磁気記録媒体７１０を回転可能に支持することが可能とされている。送り出しローラ７３１は、モータ等の駆動に応じて回転され、回転に応じて磁気記録媒体７１０を下流側に向けて送り出す。

【0302】

巻き取りローラ７３６は、ロール状の磁気記録媒体７１０を回転可能に支持することが可能とされている。巻き取りローラ７３６は、モータ等の駆動に応じて回転し、回転に応じて磁気記録媒体７１０を巻き取っていく。

【0303】

４対のキャプスタンローラ７３７は、それぞれ、磁気記録媒体７１０を上下方向の両側から挟み込むことが可能とされている。４対のキャプスタンローラ７３７は、モータ等の駆動に応じて回転し、回転に応じて磁気記録媒体７１０を搬送経路において搬送する。

【0304】

送り出しローラ７３１、巻き取りローラ７３６及び４対のキャプスタンローラ７３７は、搬送経路内において磁気記録媒体７１０を一定の速度で搬送させることが可能とされている。

【0305】

サーボライトヘッド７４０は、例えば、磁気記録媒体７１０の上方側（磁性層４３側）に配置される。サーボライトヘッド７４０は、矩形波のパルス信号に応じて所定のタイミングでサーボバンドｓに磁場を印加し、サーボバンドｓにサーボパターン６を記録する。

【0306】

サーボライトヘッド７４０は、サーボライトヘッド７４０の下側を磁気記録媒体７１０が通過するときに、全てのサーボバンドｓ（ｓ０～ｓ４）に対してそれぞれサーボパターン６を記録することが可能とされている。なお、サーボライトヘッド７４０の構成についての詳細は、図３２～図３８を参照して後述する。

【0307】

消磁部７３２は、例えば、サーボライトヘッド７４０よりも上流側において、磁気記録媒体７１０の下側（ベース層４１側）に配置される。消磁部７３２は、例えば、２つの永久磁石７３３、７３４により構成される。永久磁石７３３、７３４は、サーボライトヘッド７４０によってサーボパターン６が記録される前に、直流磁界によって磁性層４３の全体に対して磁場を印加して、磁性層４３の全体を消磁する。

【0308】

サーボリードヘッド７３５は、サーボライトヘッド７４０よりも下流側において、磁気記録媒体７１０の上側（磁性層４３側）に配置される。サーボリードヘッド７３５は、磁気記録媒体７１０に記録されたサーボパターン６から発生する磁界を読み取ることで、サーボパターン６の情報を再生可能に構成されている。

【0309】

サーボリードヘッド７３５は、サーボリードヘッド７３５の下側を磁気記録媒体７１０が通過するときに、全てのサーボバンドｓ（ｓ０～ｓ４）からサーボパターン６を読み取ることが可能とされている。サーボリードヘッド７３５によって読み取られたサーボパターン６の情報は、サーボパターン６が正確に記録されたかどうかの確認のために用いられる。

【0310】

サーボリードヘッド７３５のタイプは、例えば、インダクティブ型、ＭＲ型（Magneto Resistive）、ＧＭＲ型（Giant Magneto Resistive）、ＴＭＲ型（Tunnel Magneto Resistive）等である。

【0311】

図示は省略しているが、サーボパターン記録装置７０１は、サーボパターン記録装置７０１の各部を統括的に制御する制御装置を備えている。

【0312】

制御装置は、例えば、制御部、記憶部、通信部などを含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、サーボパターン記録装置７０１の各部を統括的に制御する。

【0313】

記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク、半導体メモリ等の可搬性の記録媒体から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。通信部は、例えば、ＰＣやサーバ装置等の他の装置との間で互いに通信可能に構成されている。

【0314】

（サーボライトヘッド７４０）

【0315】

次に、サーボライトヘッド７４０の構成について詳細に説明する。上述のように、記録再生装置５００におけるデータライトヘッド５２０は、磁気記録媒体５０１の幅方向に対して傾いて配置される。従って、データライトヘッド５２０が正確にサーボパターン６を読み取ることができるように、第１のサーボパターン６ａ（「／」）及び第２のサーボパターン６ｂ（「＼」）は、磁気記録媒体５０１の幅方向に対して非対称となるように書き込まれる。この非対称のサーボパターン６の書き込みは、本実施形態に係るサーボライトヘッド７４０により実行される。

【0316】

本実施形態においては、サーボライトヘッド７４０の形態について、第１実施例及び第２実施例の２種類が存在する。第１実施例では、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向）が、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して平行に配置される（後述の図３２～図３４参照）。一方、第２実施例では、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）が、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して所定の角度傾斜して配置される（後述の図３５～図３８参照）。

【0317】

（第１実施例）
まず、サーボライトヘッド７４０の第１実施例について説明する。図３２は、サーボライトヘッド７４０ａと、サーボライトヘッド７４０ａに入力されるパルス信号とを示す図である。図３３は、サーボライトヘッド７４０ａが有するサーボ素子７４２の拡大図である。図３４は、サーボライトヘッド７４０ａにより磁気記録媒体５０１にサーボパターン６が書き込まれるときの様子を示す図である。なお、図３２～図３４では、サーボライトヘッド７４０ａの磁気記録媒体５０１と対向する面が示されている。

【0318】

これらの図に示すように、サーボライトヘッド７４０ａは、長手方向（Ｙ"軸方向）に長く、幅方向（Ｘ"軸方向）に短い形状を有している。なお、図３２～図３４では、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向がＹ"軸方向とされ、サーボライトヘッド７４０ａの幅方向がＸ"軸方向とされ、サーボライトヘッド７４０ａの上下方向がＺ"軸方向とされている。また、磁気記録媒体５０１の長手方向（搬送方向）がＸ軸方向とされ、磁気記録媒体５０１の幅方向がＹ軸方向とされ、磁気記録媒体５０１の厚さ方向がＺ軸方向とされている。なお、これについては、図３５～図３８においても同様である。

【0319】

第1実施例では、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向）が磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に一致しており、サーボライトヘッド７４０ａの幅方向（Ｘ"軸方向）が磁気記録媒体５０１の長手方向（Ｘ軸方向）に一致している。

【0320】

サーボライトヘッド７４０ａは、磁気記録媒体５０１に対向する対向面７４１を有している。対向面７４１は、長手方向（Ｙ"軸方向）に長く、幅方向（Ｘ"軸方向）に短い形状を有している。

【0321】

サーボライトヘッド７４０ａは、対向面７４１上において、５対のサーボ素子７４２（磁気ギャップ）を有している。５対のサーボ素子７４２は、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向）において、所定の間隔（サーボ素子ピッチ：ＳＰ）を開けて配置される。

【0322】

サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向）（磁気記録媒体５０１の幅方向：Ｙ軸方向）において、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２の間隔（サーボ素子ピッチ）は、例えば、２８５８．８±４．６μｍとされる。なお、この値は、磁気記録媒体５０１において、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）で互いに隣接する２本のサーボバンドｓの間隔（サーボバンドピッチ：ＳＰ）に対応する。

【0323】

一対のサーボ素子７４２は、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向）（磁気記録媒体５０１の幅方向：Ｙ軸方向）に対して非対称に構成された第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）を含む（特に、図３３参照）。

【0324】

第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）は、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向）（磁気記録媒体５０１の幅方向：Ｙ軸方向）に対して、第１の角度θｓ１で傾斜する。第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）は、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向）（磁気記録媒体５０１の幅方向：Ｙ軸方向）に対して、第１の角度θｓ１とは逆向きに第２の角度θｓ２で傾斜する。

【0325】

第１の角度θｓ１及び第２の角度θｓ２は、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθと関連しており、それぞれ以下の式により表される。
θｓ１＝Ｒｅｆθ＋θａ
θｓ２＝Ｒｅｆθ－θａ
ここで、Ｒｅｆθは、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθであり、θａは、サーボアジマス角である。

【0326】

仮に、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθが１０°とされ、サーボアジマス角θａが１２°とされた場合、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の第１の角度θｓ１は、２２°とされ、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の第２の角度θｓ２は、２°とされる。

【0327】

サーボライトヘッド７４０ａの幅方向（Ｘ"軸方向）（磁気記録媒体５０１の長手方向：Ｘ軸方向）において、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の間隔は、例えば、サーボ素子の長さの幅方向成分ＳＬの１／２の位置において３８μｍとされる。

【0328】

ここで、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）において、第１の角度θｓ１に沿う方向（磁気記録媒体５０１の幅方向に対して２２°の方向）を第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向とする。また、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）において、第２の角度θｓ２に沿う方向（磁気記録媒体５０１の幅方向に対して－２°の方向）を第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向とする。

【0329】

第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向における長さは、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向における長さとは異なっており、ここでの例では、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向での長さは、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向での長さよりも長い。

【0330】

一方、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向の長さにおける、磁気記録媒体５０１の幅方向の成分ＳＬ（Ｙ軸方向）と、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向の長さにおける、磁気記録媒体５０１の幅方向の成分ＳＬ（Ｙ軸方向）とは同じである。サーボ素子７４２の長さの幅方向成分ＳＬは、例えば、９６±３μｍとされる。

【0331】

図３２には、５対のサーボ素子７４２に対してそれぞれ入力されるパルス信号が示されている。また、図３４には、そのパルス信号が５対のサーボ素子７４２に入力されることにより、磁気記録媒体５０１のサーボバンドｓに書き込まれたサーボパターン６が示されている。

【0332】

ここで、上述のように、データライトヘッド５２０は、磁気記録媒体５０１の幅方向に対して、アジマス角θ傾斜して配置される。この場合において、５対のサーボ素子７４２に対して、同時刻に同位相のパルス信号が入力され、磁気記録媒体５０１の幅方向に平行な位置に同位相のサーボパターン６が書き込まれた場合を想定する。この場合、傾斜して配置されたデータライトヘッド５２０の２つのサーボリード部５２２により同時刻に読み取られるサーボパターン６の位相が異なってしまうことになる。

【0333】

そこで、第１実施例では、５対のサーボ素子７４２に同時刻に入力されるパルス信号の位相を異ならせることで、同位相のサーボパターン６を磁気記録媒体５０１の幅方向に対して非平行に書き込むこととしている。

【0334】

サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ"軸方向：磁気記録媒体５０１の幅方向）で互いに隣接する２対のサーボ素子７４２に対して入力されるパルス信号の位相差は、ＳＰ×ｔａｎ（Ｒｅｆθ）に対応する。ここで、ＳＰ（サーボバンドピッチ＝サーボ素子ピッチ）は、互いに隣接する２つのサーボバンドｓにおける磁気記録媒体５０１の幅方向での間隔、または、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２における磁気記録媒体５０１の幅方向での間隔である。また、Ｒｅｆθは、データライトヘッド５２０における基準角である。

【0335】

仮に、ＳＰの値が２８５８．８μｍであるとし、データライトヘッド５２０における基準角Ｒｅｆθが１０°であるとする。この場合、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２に対して入力されるパルス信号の位相差は、２８５８．８μｍ×ｔａｎ１０°＝５０４．０８μｍに対応する。

【0336】

ここで、サーボバンドｓ４のサーボ素子７４２の入力パルスを基準としたサーボバンドｓ３、サーボバンドｓ２、サーボバンドｓ１、サーボバンドｓ０のサーボ素子７４２の入力パルスの位相差は、順番に、５０４．０８μｍ、１００８．１７μｍ、１５１２．２５μｍ、２０１６．３３μｍに対応する位相とされる。

【0337】

５本のサーボバンドｓに対応する５対のサーボ素子７４２に対して、同時刻に入力されるパルス信号の位相について、最も先に進んだ位相の入力パルスが入力されるのは、サーボバンドｓ０のサーボ素子７４２である。入力パルスの位相の順番は、次いで、サーボバンドｓ１のサーボ素子７４２、サーボバンドｓ２のサーボ素子７４２、サーボバンドｓ３のサーボ素子７４２、サーボバンドｓ４のサーボ素子７４２の順番である。

【0338】

例えば、サーボバンドｓ０のサーボ素子７４２及びサーボバンドｓ１のサーボ素子７４２で説明すると、同時刻において、サーボバンドｓ０のサーボ素子７４２には、サーボバンドｓ１のサーボ素子７４２よりも５０４．０８μｍに対応する位相分、先の位相のパルス信号が入力される。

【0339】

同様に、磁気記録媒体５０１の幅方向で互いに隣接する２つのサーボバンドｓに書き込まれるサーボパターン６の、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）での位相差は、ＳＰ×ｔａｎ（Ｒｅｆθ）で表される。

【0340】

仮に、ＳＰの値が２８５８．８μｍであるとし、データライトヘッド５２０における基準角Ｒｅｆθが１０°であるとする。この場合、互いに隣接する２つのサーボバンドｓに書きこまれるサーボパターン６における、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）での位相差は、２８５８．８μｍ×ｔａｎ１０°＝５０４．０８μｍに対応する。

【0341】

サーボバンドｓ４のサーボパターン６を基準としたサーボバンドｓ３、サーボバンドｓ２、サーボバンドｓ１、サーボバンドｓ２のサーボパターン６の位相差は、順番に、５０４．０８μｍ、１００８．１７μｍ、１５１２．２５μｍ、２０１６．３３μｍに対応する位相とされる。

【0342】

５本のサーボバンドｓにそれぞれ書き込まれたサーボパターン６について、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）で、最も先に進んだ位相となるのは、サーボバンドｓ０のサーボパターン６である。位相の順番は、次いで、サーボバンドｓ１のサーボパターン６、サーボバンドｓ２、のサーボパターン６、サーボバンドｓ３のサーボパターン６、サーボバンドｓ４のサーボパターン６の順番である。

【0343】

例えば、サーボバンドｓ０のサーボパターン６及びサーボバンドｓ１のサーボパターン６で説明すると、磁気記録媒体５０１の幅方向で、サーボバンドｓ０のサーボパターン６の位相は、サーボバンドｓ１のサーボパターン６よりも５０４．０８μｍに対応する位相分、先の位相とされる。

【0344】

磁気記録媒体５０１において、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対してデータライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθ（１０°）の方向では、５本のサーボバンドｓに書きこまれたサーボパターン６の位相は、同位相とされる。

【0345】

（第２実施例）
次に、サーボライトヘッド７４０の第２実施例について説明する。図３５は、第２実施例に係るサーボライトヘッド７４０ｂ及びサーボライトヘッド７４０ｂが有するサーボ素子７４２の拡大図である。図３６は、第２実施例に係るサーボライトヘッド７４０ｂにより磁気記録媒体５０１にサーボパターン６が書き込まれるときの様子を示す図である。図３５及び図３６では、サーボライトヘッド７４０ｂの磁気記録媒体５０１と対向する面が示されている。なお、後述の図３７～図４０についても同様に、サーボライトヘッド７４０の磁気記録媒体５０１と対向する面が示されている。

【0346】

これらの図に示すように、サーボライトヘッド７４０ｂは、長手方向（Ｙ"軸方向）に長く、幅方向（Ｘ"軸方向）に短い形状を有している。

【0347】

第２実施例では、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）が磁気記録媒体５０１の幅方向に対して所定の角度（第２のヘッドアジマス角）傾斜して配置される。サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）が磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して傾斜する角度は、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθと関連しており、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθと一致している（例えば、１０°）。

【0348】

サーボライトヘッド７４０ｂは、磁気記録媒体５０１に対向する対向面７４１を有している。対向面７４１は、長手方向（Ｙ"軸方向）に長く、幅方向（Ｘ"軸方向）に短い形状を有している。

【0349】

サーボライトヘッド７４０ｂは、対向面７４１上において、５対のサーボ素子７４２（磁気ギャップ）を有している。５対のサーボ素子７４２は、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）において、所定の間隔（サーボ素子ピッチ：ＳＰ１）を開けて配置される。

【0350】

互いに隣接する２対のサーボ素子７４２における、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）での間隔（サーボ素子ピッチ：ＳＰ１）は、例えば、２８５８．８±４．６μｍとされる。なお、この値は、磁気記録媒体５０１において、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）で互いに隣接する２本のサーボバンドｓの間隔（サーボバンドピッチ：ＳＰ１）に対応する。

【0351】

また、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２において、磁気記録媒体の長手方向（Ｘ軸方向）での位置の差は、ＳＰ１×ｔａｎ（Ｒｅｆθ）で表される。ここで、ＳＰ１（サーボバンドピッチ＝サーボ素子ピッチ）は、互いに隣接する２つのサーボバンドｓにおける磁気記録媒体５０１の幅方向での間隔、または、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２における磁気記録媒体５０１の幅方向での間隔である。また、Ｒｅｆθは、データライトヘッド５２０における基準角である。

【0352】

仮に、ＳＰ１の値が２８５８．８μｍであるとし、データライトヘッド５２０における基準角Ｒｅｆθが１０°であるとする。この場合、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２において、磁気記録媒体の長手方向（Ｘ軸方向）での位置の差は、２８５８．８μｍ×ｔａｎ１０°＝５０４．０８μｍである。

【0353】

一対のサーボ素子７４２は、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して非対称に構成された第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）を含む（特に、図３５の右側参照）。

【0354】

第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）は、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して、第１の角度θｓ１で傾斜する。第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）は、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して、第１の角度θｓ１とは逆向きに第２の角度θｓ２で傾斜する。

【0355】

第１の角度θｓ１及び第２の角度θｓ２は、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθと関連しており、それぞれ以下の式により表される。
θｓ１＝Ｒｅｆθ＋θａ
θｓ２＝Ｒｅｆθ－θａ
ここで、Ｒｅｆθは、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθであり、θａは、サーボアジマス角である。

【0356】

仮に、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθが１０°とされ、サーボアジマス角θａが１２°とされた場合、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の第１の角度θｓ１は、２２°とされ、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の第２の角度θｓ２は、２°とされる。

【0357】

磁気記録媒体５０１の長手方向（Ｘ軸方向）において、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の間隔は、例えば、サーボ素子７４２の長さの幅方向成分ＳＬの１／２の位置において、３８μｍとされる。

【0358】

ここで、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）において、第１の角度θｓ１に沿う方向（磁気記録媒体５０１の幅方向に対して２２°の方向）を第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向とする。また、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）において、第２の角度θｓ２に沿う方向（磁気記録媒体５０１の幅方向に対して－２°の方向）を第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向とする。

【0359】

第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向における長さは、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向における長さとは異なっており、ここでの例では、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向での長さは、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向での長さよりも長い。

【0360】

一方、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向の長さにおける、磁気記録媒体５０１の幅方向の成分（Ｙ軸方向）ＳＬ１と、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向の長さにおける、磁気記録媒体５０１の幅方向の成分（Ｙ軸方向）ＳＬ１とは同じである。サーボ素子７４２の長さの幅方向成分ＳＬ１は、例えば、９６±３μｍとされる。

【0361】

図３９は、図３５の右側の図の拡大図であって、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）における具体的な寸法の一例を示す図である（ＸＹＺ座標系基準）。

【0362】

図３９に示すように、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向における長さは、１０３．５３９３μｍ（＝９６μｍ／ｃｏｓ２２°）とされる。また、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向における長さは、９６．０５８５μｍ（＝９６μｍ／ｃｏｓ２°）とされる。

【0363】

また、第１のサーボ素子７４２ａの上端部と、第２のサーボ素子７４２ｂの上端部との間の間隔（Ｘ軸方向）は、１６．９３０６μｍ（＝３８μｍ－４８μｍ×ｔａｎ２２°－４８μｍ×ｔａｎ２°＝３８μｍ－１９．３９３２μｍ－１．６７６２μｍ）である。

【0364】

また、第１のサーボ素子７４２ａの下端部と、第２のサーボ素子７４２ｂの下端部との間の間隔（Ｘ軸方向）は、５９．０６９５μｍ（＝９６μｍ×ｔａｎ２２°＋１６．９３０６μｍ＋９６μｍ×ｔａｎ２°＝３８．７８６５μｍ＋１６．９３０６μｍ＋３．３５２４μｍ）である。

【0365】

ここで、上述の第１実施形態では、５対のサーボ素子７４２に対してそれぞれ入力されるパルス信号に位相差が設定されていた。一方、第２実施例においては、サーボライトヘッド７４０ｂが傾けて配置されているので、パルス信号に対して位相差を設定する必要はない。つまり、５対のサーボ素子７４２に対しては、同時刻に同位相に対応するパルス信号がそれぞれ入力される。

【0366】

図３６には、５対のサーボ素子７４２によって５本のサーボバンドｓにそれぞれ書き込まれたサーボパターン６が示されている。

【0367】

磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）で互いに隣接する２つのサーボバンドｓに書き込まれるサーボパターン６の、磁気記録媒体５０１の幅方向での位相差は、ＳＰ１×ｔａｎ（Ｒｅｆθ）で表される。

【0368】

仮に、ＳＰ１の値が２８５８．８μｍであるとし、データライトヘッド５２０における基準角Ｒｅｆθが１０°であるとする。この場合、互いに隣接する２つのサーボバンドｓに書きこまれるサーボパターン６の位相差は、２８５８．８μｍ×ｔａｎ１０°＝５０４．０８μｍとされる。

【0369】

なお、サーボバンドｓ４のサーボパターン６を基準としたサーボバンドｓ３、サーボバンドｓ２、サーボバンドｓ１、サーボバンドｓ１のサーボパターン６の位相差は、順番に、５０４．０８μｍ、１００８．１７μｍ、１５１２．２５μｍ、２０１６．３３μｍに対応する位相とされる。

【0370】

５本のサーボバンドｓにそれぞれ書き込まれたサーボパターン６について、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）で、最も先に進んだ位相となるのは、サーボバンドｓ０のサーボパターン６である。位相の順番は、次いで、サーボバンドｓ１のサーボパターン６、サーボバンドｓ２、のサーボパターン６、サーボバンドｓ３のサーボパターン６、サーボバンドｓ４のサーボパターン６の順番である。

【0371】

例えば、サーボバンドｓ０のサーボパターン６及びサーボバンドｓ１のサーボパターン６で説明すると、磁気記録媒体５０１の幅方向で、サーボバンドｓ０のサーボパターン６の位相は、サーボバンドｓ１のサーボパターン６よりも５０４．０８μｍに対応する位相分、先の位相とされる。

【0372】

磁気記録媒体５０１において、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対してデータライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθ（１０°）の方向では、５本のサーボバンドｓに書きこまれたサーボパターン６の位相は、同位相とされる。

【0373】

以上の説明では、磁気記録媒体５０１の座標系（ＸＹＺ座標系）を基準したサーボライトヘッド７４０ｂの構成について説明した。以降では、サーボライトヘッド７４０ｂの座標系（Ｘ"Ｙ"Ｚ"座標系）を基準したサーボライトヘッド７４０ｂの構成について説明する。

【0374】

図３７は、第２実施例において、サーボライトヘッド７４０ｂの座標系を基準としてサーボライトヘッド７４０ｂを表した図である。

【0375】

図３７に示すように、５対のサーボ素子７４２は、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）において、所定の間隔（サーボ素子ピッチ：ＳＰ２）を開けて配置される。サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）において、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２の間隔（サーボ素子ピッチ：ＳＰ２）は、ＳＰ１×ｃｏｓ－１（Ｒｅｆθ）で表される。

【0376】

例えば、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）において、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２の間隔（サーボ素子ピッチ：ＳＰ１）が、２８５８．８μｍであり、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθが１０°であるとする。この場合、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）において、互いに隣接する２対のサーボ素子７４２の間隔（サーボ素子ピッチ：ＳＰ２）は、２９０２．９μｍとなる。

【0377】

ここで、上述の第１実施例では、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の対称軸は、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に非平行とされており、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）に対しても非平行とされていた。一方、第２実施例では、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の対称軸は、磁気記録媒体５０１の幅方向（Ｙ軸方向）に対して非平行とされ、一方でサーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）に対しては平行とされている。

【0378】

第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）は、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）に対して、サーボアジマス角θａで傾斜する。一方、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）は、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）に対して、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）とは逆向きに、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）と同じサーボアジマス角θａで傾斜する。

【0379】

ここで、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）において、サーボアジマス角θａに沿う方向（サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向に対して＋１２°の方向）を第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向とする。また、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）において、サーボアジマス角θａに沿う方向（サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向に対して－１２°の方向）を第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向とする。

【0380】

第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向における長さは、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向における長さとは異なっており、ここでの例では、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向での長さは、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向での長さよりも長い。

【0381】

さらに、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長手方向の長さにおける、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向成分ＳＬ２１（Ｙ"軸方向）、及び、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長手方向の長さにおける、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向成分ＳＬ２２（Ｙ"軸方向）も異なっている。

【0382】

図４０は、図３７の右側の図の拡大図であって、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）における具体的な寸法の一例を示す図である（Ｘ"Ｙ"Ｚ"座標系基準）。

【0383】

仮に、サーボ素子７４２の長さにおける、磁気記録媒体５０１の幅方向成分ＳＬ１（Ｙ軸方向）が、９６μｍであり、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθが１０°であり、サーボアジマス角θａが１２°であるとする。この場合、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長さにおける、サーボライトヘッド７４０のｂ長手方向成分ＳＬ２１（Ｙ"軸方向）は、１０１．２７６７μｍ（＝１０３．５０９３μｍ×ｃｏｓ１２°）である。また、この場合、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長さにおける、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向成分ＳＬ２２（Ｙ"軸方向）は、９３．９５９μｍ（＝９６．０５８５μｍ×ｃｏｓ１２°）μｍである。

【0384】

また、サーボライトヘッド７４０ｂの幅方向（Ｘ"軸方向）において、第１のサーボ素子７４２ａの上端部と、第２のサーボ素子７４２ｂの上端部との間の間隔は、１６．６７３μｍ（＝１６．９３０６μｍ×ｃｏｓ１０°）である。また、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）において、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の上端部の位置と、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の上端部の位置との差は、２．９４μｍ（＝１６．９３０６μｍ×ｓｉｎ１０°）である。

【0385】

また、サーボライトヘッド７４０ｂの幅方向（Ｘ"軸方向）において、第１のサーボ素子７４２ａの下端部と、第２のサーボ素子７４２ｂの下端部との間の間隔は、５８．１７２１μｍ（＝５９．０６９５μｍ×ｃｏｓ１０°）である。また、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向（Ｙ"軸方向）において、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の下端部の位置と、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の下端部の位置との差は、１０．２５７３μｍ（＝
５９．０６９５μｍ×ｓｉｎ１０°）である。

【0386】

また、サーボライトヘッド７４０ｂの幅方向（Ｘ"軸方向）において、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）及び第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の間隔（中央）は、例えば、３８．８２５３μｍ（３８μｍ×ｃｏｓ１０°＋（３８μｍ×ｓｉｎ１０°）×ｔａｎ１２°＝３７．４２２７μｍ＋６．５９８６μｍ×ｔａｎ１２°＝３７．４２２７μｍ＋１．４０２６μｍ）である。

【0387】

（第１実施例及び第２実施例の比較）
次に、第１実施例及び第２実施例の比較について説明する。

【0388】

図３４の右側には、第１実施例に係るサーボライトヘッド７４０ａにより書き込まれたサーボパターン６を、データライトヘッド５２０の２つのサーボリード部５２２により読み取っているときの様子が示されている。

【0389】

上述のように、第１実施例に係るサーボライトヘッド７４０ａでは、サーボライトヘッド７４０ａを磁気記録媒体５０１の幅方向に対して傾けずに配置し、サーボ素子７４２に入力されるパルス信号の位相を調整することでサーボパターン６を書き込むといった方法が用いられている。

【0390】

ここで、サーボライトヘッド７４０ａによって磁気記録媒体５０１に対してサーボパターン６を書き込むとき、磁気記録媒体５０１が幅方向（Ｙ軸方向に）に微動する場合がある。

【0391】

仮に、第１実施例のサーボライトヘッド７４０ａにおいて、サーボバンドｓ０のサーボ素子７４２が、サーボバンドｓ０に対して、或る時刻ｔ１に或る位相ｐｈ１のサーボパターン６を書き込んだとする。その後の時刻ｔ２（磁気記録媒体５０１が搬送方向に５０４．０８μｍ搬送された時刻）に、サーボバンドｓ１のサーボ素子７４２が、サーボバンドｓ１に対して、その位相ｐｈ１のサーボパターン６を書き込んだとする。

【0392】

この場合において、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に、磁気記録媒体５０１が幅方向に微動してしまった場合を想定する。この場合、サーボバンドｓ０での位相ｐｈ１のサーボパターン６の位置と、サーボバンドｓ１での位相ｐｈ１のサーボパターン６の位置との間隔（基準角Ｒｅｆθ（１０°）の方向）が、既定の値（２つのサーボリード部５２２の間隔：基準角Ｒｅｆθ（１０°）の方向）とは異なってしまうことになる。

【0393】

これが原因で誤差が生じ、データライトヘッド５２０がサーボパターン６を正確にサーボトレースできない場合がある。

【0394】

一方、図３６の右側には、第２実施例に係るサーボライトヘッド７４０ｂにより書き込まれたサーボパターン６を、データライトヘッド５２０の２つのサーボリード部５２２により読み取っているときの様子が示されている。

【0395】

第２実施例に係るサーボライトヘッド７４０ｂでは、サーボライトヘッド７４０ｂを磁気記録媒体５０１の幅方向に対して傾けて配置し、サーボ素子７４２に入力されるパルス信号の位相を同位相としてサーボパターン６を書き込むといった方法が用いられている。

【0396】

仮に、第２実施例のサーボライトヘッド７４０ｂにおいて、サーボバンドｓ０のサーボ素子７４２及びサーボバンドｓ１のサーボ素子７４２が、サーボバンドｓ０及びサーボバンドｓ１に対して、同時刻ｔ１に同位相ｐｈ１のサーボパターン６を書き込んだとする。

【0397】

その後、サーボバンドｓ０のサーボ素子７４２及びサーボバンドｓ１のサーボ素子７４２が、サーボバンドｓ０及びサーボバンドｓ１に対して、同時刻ｔ２に同位相ｐｈ２のサーボパターン６を書き込んだとする。

【0398】

この場合において、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に、磁気記録媒体５０１が幅方向に微動してしまった場合を想定する。この場合、サーボバンドｓ０での位相ｐｈ１のサーボパターン６の位置と、サーボバンドｓ１での位相ｐｈ１のサーボパターン６の位置との間隔（基準角Ｒｅｆθ（１０°）の方向）は、サーボバンドｓ０での位相ｐｈ２のサーボパターン６の位置と、サーボバンドｓ１での位相ｐｈ２のサーボパターン６の位置との間隔と同じである。これらの間隔は、既定の値（２つのサーボリード部５２２の間隔：基準角Ｒｅｆθ（１０°）の方向）と同じであり、一定である。

【0399】

つまり、第２実施例では、サーボパターン６書き込み時の磁気記録媒体５０１の幅方向への微動によらず、互いに隣接するサーボバンドｓにおける同位相のサーボパターン６の間隔（基準角Ｒｅｆθの方向）を一定にすることができる。これにより、データライトヘッド５２０がサーボパターン６を正確にサーボトレースすることができる。

【0400】

ここでの説明から理解されるように、サーボパターン６書き込み時の磁気記録媒体５０１の幅方向への微動の観点からは、第１実施例よりも第２実施例の方が有利である。但し、これは、第１実施例による方法を採用することができないといった趣旨ではなく、第１実施例についても本技術の一例として含まれる。例えば、サーボパターン６書き込み時の磁気記録媒体５０１の幅方向への微動が無視できるレベルであったり、あるいは、サーボパターン６書き込み時の磁気記録媒体５０１の幅方向への微動を無視できる程度に抑制することができたりするのであれば、第１実施例による方法が採用されてもよい。

【0401】

（対向面７４１の低摩擦加工）

【0402】

サーボライトヘッド７４０は、その対向面７４１において、磁気記録媒体５０１との間に意図的に空気を巻き込み摩擦抵抗を低減するための低摩擦加工が施されていてもよい。

【0403】

図３８は、サーボライトヘッド７４０の対向面７４１において低摩擦加工が施されたときの様子を示す図である。図３８の左側には、第１実施例に係るサーボライトヘッド７４０ａの対向面７４１に低摩擦加工が施されたときの様子が示されている。また、図３８の右側には、第２実施例に係るサーボライトヘッド７４０ｂの対向面７４１に低摩擦加工が施されたときの様子が示されている。

【0404】

図３８の左側（第１実施例）を参照して、サーボライトヘッド７４０ａの対向面７４１は、サーボライトヘッド７４０の長手方向（Ｙ軸方向：磁気記録媒体５０１の幅方向）において、サーボ素子７４２が設けられた領域に対応する第１の領域７４３と、サーボ素子７４２が設けられていない領域に対応する第２の領域７４４を有する。

【0405】

第２の領域７４４には、サーボライトヘッド７４０ａの幅方向（Ｘ軸方向：磁気記録媒体５０１の長手方向）に沿う複数の溝が、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向（Ｙ軸方向：磁気記録媒体５０１の幅方向）に沿って整列されている。

【0406】

図３８の右側（第２実施例）を参照して、サーボライトヘッド７４０ｂの対向面７４１は、サーボライトヘッド７４０の長手方向（磁気記録媒体５０１の幅方向に対して基準角Ｒｅｆθの方向）において、サーボ素子７４２が設けられた領域に対応する第１の領域７４３と、サーボ素子７４２が設けられていない領域に対応する第２の領域７４４を有する。

【0407】

第２の領域７４４には、サーボライトヘッド７４０ｂの幅方向（Ｘ"軸方向）に対して基準角Ｒｅｆθの方向（Ｘ軸方向：磁気記録媒体５０１の長手方向）に沿う複数の溝が、サーボライトヘッド７４０の長手方向（Ｙ"軸方向）に対して基準角Ｒｅｆθの方向（Ｙ軸方向：磁気記録媒体５０１の幅方向）に沿って整列されている。

【0408】

ここで、図３８の左側の例（第１実施例）では、サーボライトヘッド７４０ａの幅方向に対して平行な方向に沿う複数の溝が、サーボライトヘッド７４０ａの長手方向に対して平行な方向に沿って整列されている。これに対して、図３８の右側の例（第２実施例）では、サーボライトヘッド７４０ｂの幅方向に対して非平行な方向に沿う複数の溝が、サーボライトヘッド７４０の長手方向に対して非平行な方向に沿って整列されている。

【0409】

図３８に示す２つの例（第１実施例及び第２実施例）では、対向面７４１に低摩擦加工が施されているので、摩擦による磁気記録媒体５０１の振動を抑制することができ、これにより、サーボパターン６を正確に書き込むことができる。

【0410】

特に、図３８の右側の例では、サーボライトヘッド７４０ｂの幅方向（Ｘ"軸方向）に対して基準角Ｒｅｆθの方向（Ｘ軸方向：磁気記録媒体５０１の長手方向）に沿う複数の溝が、サーボライトヘッド７４０の長手方向（Ｙ"軸方向）に対して基準角Ｒｅｆθの方向（Ｙ軸方向：磁気記録媒体５０１の幅方向）に沿って整列されている。これにより、サーボライトヘッド７４０を、磁気記録媒体５０１の幅方向に対して基準角Ｒｅｆθ傾けて配置したとしても、適切に磁気記録媒体５０１との間の摩擦を低減させることができる

【0411】

（９）変形例

【0412】

［変形例１］

【0413】

磁気記録媒体１０が、図４１に示すように、ベース層４１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層４５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層４５は、環境に応じたベース層４１の寸法変形を抑える為の層である。例えば、その寸法変形を及ぼす原因の一例としてベース層４１の吸湿性が挙げられ、バリア層４５によりベース層４１への水分の侵入速度を低減できる。バリア層４５は、金属又は金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、及びＺｒＯ_２のうちの少なくとも１種を用いることができるし、上記金属の酸化物の何れかを用いることもできる。またダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを用いることもできる。

【0414】

バリア層４５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層４３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層４５の厚みに応じて適宜調整される。

【0415】

［変形例２］

【0416】

磁気記録媒体１０、５０１は、ライブラリ装置に組み込まれてもよい。すなわち、本技術は、少なくとも一つの磁気記録媒体１０、５０１を備えているライブラリ装置も提供する。当該ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０、５０１の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、上記で述べた記録再生装置３０、５００を複数備えるものであってもよい。

【0417】

［変形例３］

【0418】

磁気記録媒体１０、５０１は、サーボライタによるサーボ信号書き込み処理に付されてもよい。当該サーボライタが、サーボ信号の記録時などに磁気記録媒体１０、５０１の長手方向のテンションを調整することで、磁気記録媒体１０、５０１の幅を一定又はほぼ一定に保ちうる。この場合、当該サーボライタは、磁気記録媒体１０、５０１の幅を検出する検出装置を備えうる。当該サーボライタは、当該検出装置の検出結果に基づき、磁気記録媒体１０、５０１の長手方向のテンションを調整しうる。

【0419】

３．第２の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）

【0420】

（１）磁気記録媒体の構成

【0421】

第２の実施形態に係る磁気記録媒体８１０は、長尺状の垂直磁気記録媒体であり、図４２に示すように、フィルム状のベース層８１１と、軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）８１２と、第１のシード層８１３Ａと、第２のシード層８１３Ｂと、第１の下地層８１４Ａと、第２の下地層８１４Ｂと、磁性層８１５とを備える。ＳＵＬ８１２、第１、第２のシード層８１３Ａ、８１３Ｂ、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂ、及び磁性層８１５は、例えば、スパッタリングにより形成された層（以下「スパッタ層」ともいう）などの真空薄膜でありうる。

【0422】

ＳＵＬ８１２、第１、第２のシード層８１３Ａ、８１３Ｂ、及び第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂは、ベース層８１１の一方の主面（以下「表面」という。）と磁性層８１５との間に設けられ、ベース層８１１から磁性層８１５の方向に向かってＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂの順序で積層されている。ベース層８１１の表面にスパッタリングにより形成された層（以下「スパッタ層」ともいう）などの真空薄膜が設けられることにより、ベース層単体自身の水蒸気透過率よりもさらに低下させることができる。

【0423】

磁気記録媒体８１０が、必要に応じて、磁性層８１５上に設けられた保護層８１６と、保護層８１６上に設けられた潤滑層８１７とをさらに備えるようにしてもよい。また、磁気記録媒体８１０が、必要に応じて、ベース層８１１の他方の主面（以下「裏面」という。）上に設けられたバック層８１８をさらに備えるようにしてもよい。

【0424】

以下では、磁気記録媒体８１０の長手方向（ベース層８１１の長手方向）を機械方向（ＭＤ：Machine Direction）という。ここで、機械方向とは、磁気記録媒体８１０に対する記録及び再生ヘッドの相対的な移動方向、すなわち記録再生時に磁気記録媒体８１０が走行される方向を意味する。

【0425】

第２の実施形態に係る磁気記録媒体８１０は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体８１０は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気記録媒体の１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ^２以上の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体８１０を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり１００ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。

【0426】

第２の実施形態に係る磁気記録媒体８１０は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型またはトンネル磁気抵抗効果（Tunneling Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドとを有する記録再生装置（データを記録再生するための記録再生装置）に用いて好適なものである。また、第２の実施形態に係る磁気記録媒体８１０は、サーボ信号書込ヘッドとしてリング型の記録ヘッドが用いられるものであることが好ましい。磁性層８１５には、例えばリング型の記録ヘッドによりデータ信号が垂直記録される。また、磁性層８１５には、例えばリング型の記録ヘッドによりサーボ信号が垂直記録される。

【0427】

（２）各層の説明

【0428】

（ベース層）

【0429】

ベース層８１１については、第１の実施形態におけるベース層４１に関する説明が当てはまるので、ベース層８１１についての説明は省略する。

【0430】

（ＳＵＬ）

【0431】

ＳＵＬ８１２は、アモルファス状態の軟磁性材料を含む。軟磁性材料は、例えば、Ｃｏ系材料及びＦｅ系材料のうちの少なくとも１種を含む。Ｃｏ系材料は、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、又はＣｏＺｒＴａＮｂを含む。Ｆｅ系材料は、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、又はＦｅＣｏＴａを含む。

【0432】

ＳＵＬ８１２は、単層のＳＵＬであり、ベース層８１１上に直接設けられている。ＳＵＬ８１２の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

【0433】

ＳＵＬ８１２の平均厚みは、第１の実施形態における磁性層４３の平均厚みの測定方法と同じ方法で求められる。なお、後述する、ＳＵＬ８１２以外の層の平均厚み（すなわち、第１、第２のシード層８１３Ａ、８１３Ｂ、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂ、及び磁性層８１５の平均厚み）も、第１の実施形態における磁性層４３の平均厚みの測定方法と同じ方法で求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、各層の厚みに応じて適宜調整される。

【0434】

（第１、第２のシード層）

【0435】

第１のシード層８１３Ａは、Ｔｉ及びＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有している。また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、スパッタリング法などの成膜法で第１のシード層８１３Ａを成膜する際に、第１のシード層８１３Ａ内に微量に含まれる不純物酸素であってもよい。

【0436】

ここで、“合金”とは、Ｔｉ及びＣｒを含む固溶体、共晶体、及び金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。“アモルファス状態”とは、Ｘ線回折または電子線回折法などにより、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。

【0437】

第１のシード層８１３Ａに含まれるＴｉ及びＣｒの総量に対するＴｉの原子比率は、好ましくは３０原子％以上１００原子％以下、より好ましくは５０原子％以上１００原子％以下の範囲内である。Ｔｉの原子比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立方格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、第１のシード層８１３Ａ上に形成される第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂの配向性が低下する虞がある。

【0438】

上記Ｔｉの原子比率は次のようにして求められる。磁性層８１５側から磁気記録媒体８１０をイオンミリングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy、以下「ＡＥＳ」という。）による第１のシード層８１３Ａの深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行う。次に、得られたデプスプロファイルから、膜厚方向におけるＴｉ及びＣｒの平均組成（平均原子比率）を求める。次に、求めたＴｉ及びＣｒの平均組成を用いて、上記Ｔｉの原子比率を求める。

【0439】

第１のシード層８１３ＡがＴｉ、Ｃｒ、及びＯを含む場合、第１のシード層８１３Ａに含まれるＴｉ、Ｃｒ、及びＯの総量に対するＯの原子比率は、好ましくは１５原子％以下、より好ましくは１０原子％以下である。Ｏの原子比率が１５原子％を超えると、ＴｉＯ_２結晶が生成することにより、第１のシード層８１３Ａ上に形成される第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂの結晶核形成に影響を与えるようになり、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂの配向性が低下する虞がある。上記Ｏの原子比率は、上記Ｔｉの原子比率と同様の解析方法を用いて求められる。

【0440】

第１のシード層８１３Ａに含まれる合金が、Ｔｉ及びＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素は、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｌ、及びＷからなる群より選ばれる１種以上の元素であってよい。

【0441】

第１のシード層８１３Ａの平均厚みは、好ましくは２ｎｍ以上１５ｎｍ以下、より好ましくは３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

【0442】

第２のシード層８１３Ｂは、例えば、ＮｉＷ又はＴａを含み、結晶状態を有している。第２のシード層８１３Ｂの平均厚みは、好ましくは３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。

【0443】

第１、第２のシード層８１３Ａ、８１３Ｂは、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂに類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられるシード層ではなく、当該第１、第２のシード層８１３Ａ、８１３Ｂのアモルファス状態によって第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂの垂直配向性を向上するシード層である。

【0444】

（第１、第２の下地層）

【0445】

第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂは、磁性層８１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁性層８１５がＣｏ系合金を含む場合には、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂは、Ｃｏ系合金と同様の六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。これは、磁性層８１５の配向性を高め、且つ、第２の下地層８１４Ｂと磁性層８１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えばＲｕ－ＳｉＯ_２、Ｒｕ－ＴｉＯ_２、及びＲｕ－ＺｒＯ_２などのＲｕ合金酸化物が挙げられ、Ｒｕ合金はこれらのうちのいずれか一つであってよい。

【0446】

上述のように、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂの材料として同様のものを用いることができる。しかしながら、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂそれぞれの目的とする効果が異なっている。具体的には、第２の下地層８１４Ｂについてはその上層となる磁性層８１５のグラニュラ構造を促進する膜構造であり、第１の下地層８１４Ａについては結晶配向性の高い膜構造である。このような膜構造を得るためには、第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂそれぞれのスパッタ条件などの成膜条件を異なるものとすることが好ましい。

【0447】

第１の下地層８１４Ａの平均厚みは、好ましくは３ｎｍ以上１５ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。第２の下地層８１４Ｂの平均厚みは、好ましくは７ｎｍ以上４０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。

【0448】

（磁性層）

【0449】

磁性層（記録層ともいう）８１５は、磁性材料が垂直に配向した垂直磁気記録層でありうる。磁性層８１５は、記録密度を向上する観点からすると、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えば、ＳｉＯ_２などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁性層８１５を構成することができる。

【0450】

Ｃｏ系合金は、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、Ｃｒ、及びＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、さらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、Ｎｉ及びＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

【0451】

強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含む。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物及び金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、及びＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ_２）を含む金属酸化物が好ましい。金属酸化物の具体例としては、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、及びＨｆＯ_２などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、及びＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。金属窒化物の具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮ、及びＡｌＮなどが挙げられる。

【0452】

強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（１）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性の更なる向上を実現できるからである。
（Ｃｏ_ｘＰｔ_ｙＣｒ_{１００－ｘ－ｙ}）_{１００－ｚ}－（ＳｉＯ_２）_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７５、１０≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）

【0453】

なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁性層８１５側から磁気記録媒体８１０をイオンミリングしながら、ＡＥＳによる磁性層８１５の深さ方向分析を行い、膜厚方向におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＯの平均組成（平均原子比率）を求める。

【0454】

磁性層８１５の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］は、好ましくは９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍ、より好ましくは９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦２０ｎｍ、更により好ましくは９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１５ｎｍである。磁性層８１５の平均厚みｔ_ｍが上記数値範囲内にあることによって、電磁変換特性を向上することができる。

【0455】

（保護層）

【0456】

保護層８１６は、例えば、炭素材料又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含み、保護層８１６の膜強度の観点からすると、炭素材料を含むことが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）、又はダイヤモンドなどが挙げられる。

【0457】

（潤滑層）

【0458】

潤滑層８１７は、少なくとも１種の潤滑剤を含む。潤滑層８１７は、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤など、をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：

【化1】

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素基又は炭化水素基であり、Ｅｓはエステル結合であり、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）

【0459】

上記カルボン酸系化合物は、下記の一般式（２）又は（３）で表されるものであることが好ましい。
一般式（２）：

【化2】

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素基又は炭化水素基である。）
一般式（３）：

【化3】

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素基又は炭化水素基である。）

【0460】

潤滑剤は、上記の一般式（２）及び（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含むことが好ましい。

【0461】

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を磁性層８１５または保護層８１６などに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６～５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４～２０であることが好ましい。Ｒｆ基は、例えば、飽和又は不飽和の直鎖、分岐鎖、又は環状の炭化水素基であってよいが、好ましくは飽和の直鎖状炭化水素基でありうる。

【0462】

例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般式（４）で表される基であることが望ましい。
一般式（４）：

【化4】

（但し、一般式（４）において、ｌは、８～３０、より望ましくは１２～２０の範囲から選ばれる整数である。）

【0463】

また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般式（５）で表される基であることが望ましい。
一般式（５）：

【化5】

（但し、一般式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から互いに独立に選ばれる整数で、ｍ＝２～２０、ｎ＝３～１８、より望ましくは、ｍ＝４～１３、ｎ＝３～１０である。）

【0464】

フッ化炭化水素基は、上記のように分子内の１箇所に集中していても、また下記一般式（６）のように分散していてもよく、－ＣＦ_３や－ＣＦ_２－ばかりでなく－ＣＨＦ_２や－ＣＨＦ－等であってもよい。
一般式（６）：

【化6】

（但し、一般式（５）及び（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）

【0465】

一般式（４）、（５）、及び（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。

【0466】

特に、一般式（１）、（２）、及び（３）におけるＲｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐことが好ましい。

【0467】

また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであってもよい。

【0468】

一般式（１）におけるＲ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であることが好ましい。

【0469】

また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、及びハロゲンから選ばれる１又は複数の元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。

【0470】

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含むことが好ましい。
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
C₁₇H₃₅COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(C₁₈H₃₇)COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CHF₂(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₁OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
C₁₈H₃₇OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₉(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₂COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₅(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₉H₁₉)CH₂CH=CH(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₆H₁₃)(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CH₃(CH₂)₃(CH₂CH₂CH(CH₂CH₂(CF₂)₉CF₃))₂(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH

【0471】

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、例えば、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、及びエステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、前記汎用溶剤として、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、及びシクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。

【0472】

保護層８１６が炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層８１６上に塗布すると、保護層８１６上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑層８１７を形成することができる。

【0473】

なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録媒体８１０の表面に潤滑層８１７として保持されるのみならず、磁気記録媒体８１０を構成する磁性層８１５及び保護層８１６などの層に含まれ、保有されていてもよい。

【0474】

（バック層）

【0475】

バック層８１８については、第１の実施形態におけるバック層４４に関する説明が当てはまる。

【0476】

（３）物性及び構造

【0477】

上記２．の（３）において述べた物性及び構造に関する説明の全てが、第２の実施形態についても当てはまる。そのため、第２の実施形態の磁気記録媒体の物性及び構造についての説明は省略する。

【0478】

（４）スパッタ装置の構成

【0479】

以下、図４３を参照して、第２の実施形態に係る磁気記録媒体８１０の製造に用いられるスパッタ装置８２０の構成の一例について説明する。このスパッタ装置８２０は、ＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂ及び磁性層８１５の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図４３に示すように、成膜室８２１と、金属キャン（回転体）であるドラム８２２と、カソード８２３ａ～８２３ｆと、供給リール８２４と、巻き取りリール８２５と、複数のガイドローラ８２７ａ～８２７ｃ、８２８ａ～８２８ｃとを備える。スパッタ装置８２０は、例えば、ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。

【0480】

成膜室８２１は、排気口８２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室８２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室８２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム８２２、供給リール８２４、及び巻き取りリール８２５が配置されている。成膜室８２１の内部には、供給リール８２４とドラム８２２との間におけるベース層８１１の搬送をガイドするための複数のガイドローラ８２７ａ～８２７ｃが設けられていると共に、ドラム８２２と巻き取りリール８２５との間におけるベース層８１１の搬送をガイドするための複数のガイドローラ８２８ａ～８２８ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール８２４から巻き出されたベース層８１１が、ガイドローラ８２７ａ～８２７ｃ、ドラム８２２、及びガイドローラ８２８ａ～８２８ｃを介して巻き取りリール８２５に巻き取られる。ドラム８２２は円柱状の形状を有し、長尺状のベース層８１１はドラム８２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム８２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば、－２０℃程度に冷却される。成膜室８２１の内部には、ドラム８２２の周面に対向して複数のカソード８２３ａ～８２３ｆが配置されている。これらのカソード８２３ａ～８２３ｆにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード８２３ａ、８２３ｂ、８２３ｃ、８２３ｄ、８２３ｅ、８２３ｆにはそれぞれ、ＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂ、磁性層８１５を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード８２３ａ～８２３ｆにより複数の種類の膜、すなわちＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂ、及び磁性層８１５が同時に成膜される。

【0481】

上述の構成を有するスパッタ装置８２０では、ＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂ、及び磁性層８１５をRolltoRoll法により連続成膜することができる。

【0482】

（５）磁気記録媒体の製造方法

【0483】

第２の実施形態に係る磁気記録媒体８１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。

【0484】

まず、図４３に示したスパッタ装置８２０を用いて、ＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂ、及び磁性層８１５をベース層８１１の表面上に順次成膜する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室８２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室８２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード８２３ａ～８２３ｆにセットされたターゲットをスパッタする。これにより、ＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂ、及び磁性層８１５が、走行するベース層８１１の表面に順次成膜される。

【0485】

スパッタ時の成膜室８２１の雰囲気は、例えば、１×１０^－５Ｐａ～５×１０^－５Ｐａ程度に設定される。ＳＵＬ８１２、第１のシード層８１３Ａ、第２のシード層８１３Ｂ、第１の下地層８１４Ａ、第２の下地層８１４Ｂ、及び磁性層８１５の膜厚及び特性は、ベース層８１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスなどのプロセスガスの圧力（スパッタガス圧）、及び投入電力などを調整することにより制御可能である。

【0486】

次に、磁性層８１５上に保護層８１６を成膜する。保護層８１６の成膜方法としては、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（Physical Vapor Deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。

【0487】

次に、結着剤、無機粒子、及び潤滑剤などを溶剤に混練、分散させることにより、バック層成膜用の塗料を調製する。次に、ベース層８１１の裏面上にバック層成膜用の塗料を塗布して乾燥させることにより、バック層８１８をベース層８１１の裏面上に成膜する。

【0488】

次に、例えば、潤滑剤を保護層８１６上に塗布し、潤滑層８１７を成膜する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。次に、必要に応じて、磁気記録媒体８１０を所定の幅に裁断する。以上により、図４２に示した磁気記録媒体８１０が得られる。

【0489】

（６）変形例

【0490】

磁気記録媒体８１０が、ベース層８１１とＳＵＬ８１２との間に下地層をさらに備えるようにしてもよい。ＳＵＬ８１２はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ８１２上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ８１２の上に形成される第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂの結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが好ましいが、ベース層８１１からの水分などのガスの放出の影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ８１２上に形成される第１、第２の下地層８１４Ａ、８１４Ｂの結晶配向を乱してしまう虞がある。ベース層８１１からの水分などのガスの放出の影響を抑制するためには、上述のように、ベース層８１１とＳＵＬ８１２との間に、Ｔｉ及びＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有する下地層を設けることが好ましい。この下地層の具体的な構成としては、第２の実施形態の第１のシード層８１３Ａと同様の構成を採用することができる。

【0491】

磁気記録媒体８１０が、第２のシード層８１３Ｂ及び第２の下地層８１４Ｂのうちの少なくとも１つの層を備えていなくてもよい。但し、ＳＮＲの向上の観点からすると、第２のシード層８１３Ｂ及び第２の下地層８１４Ｂの両方の層を備えることがより好ましい。

【0492】

磁気記録媒体８１０が、単層のＳＵＬに代えて、ＡＰＣ－ＳＵＬ（Antiparallel Coupled ＳＵＬ）を備えるようにしてもよい。

【0493】

４．第３の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）

【0494】

（１）磁気記録媒体の構成

【0495】

第３の実施形態に係る磁気記録媒体８３０は、図４４に示すように、ベース層８１１と、ＳＵＬ８１２と、シード層８３１と、第１の下地層８３２Ａと、第２の下地層８３２Ｂと、磁性層８１５とを備える。なお、第３の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

【0496】

ＳＵＬ８１２、シード層８３１、第１、第２の下地層８３２Ａ、８３２Ｂは、ベース層８１１の一方の主面と磁性層８１５との間に設けられ、ベース層８１１から磁性層８１５の方向に向かってＳＵＬ８１２、シード層８３１、第１の下地層８３２Ａ、第２の下地層８３２Ｂの順序で積層されている。

【0497】

（シード層）

【0498】

シード層８３１は、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＦｅを含み、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面がベース層８１１の表面に平行になるように優先配向している。ここで、優先配向とは、Ｘ線回折法のθ－２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度が他の結晶面からの回折ピークより大きい状態、またはＸ線回折法のθ－２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度のみが観察される状態を意味する。

【0499】

シード層８３１のＸ線回折の強度比率は、ＳＮＲの向上の観点から、好ましくは６０ｃｐｓ／ｎｍ以上、より好ましくは７０ｃｐｓ／ｎｍ以上、さらにより好ましくは８０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。ここで、シード層８３１のＸ線回折の強度比率は、シード層８３１のＸ線回折の強度Ｉ（ｃｐｓ）をシード層１３１の平均厚みＤ（ｎｍ）で除算して求められる値（Ｉ／Ｄ（ｃｐｓ／ｎｍ））である。

【0500】

シード層８３１に含まれるＣｒ、Ｎｉ、及びＦｅは、以下の式（２）で表される平均組成を有することが好ましい。
Ｃｒ_Ｘ（Ｎｉ_ＹＦｅ_{１００－Ｙ}）_{１００－Ｘ}・・・（２）
（但し、式（２）中において、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）Ｘが上記範囲内であると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。同様にＹが上記範囲内であると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。

【0501】

シード層８３１の平均厚みは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。シード層８３１の平均厚みをこの範囲内にすることで、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向を向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。なお、シード層８３１の平均厚みは、第１の実施形態における磁性層４３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、シード層８３１の厚みに応じて適宜調整される。

【0502】

（第１、第２の下地層）

【0503】

第１の下地層８３２Ａは、面心立方格子構造を有するＣｏ及びＯを含み、カラム（柱状結晶）構造を有している。Ｃｏ及びＯを含む第１の下地層８３２Ａでは、Ｒｕを含む第２の下地層８３２Ｂとほぼ同様の効果（機能）が得られる。Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比（（Ｏの平均原子濃度）／（Ｃｏの平均原子濃度））が１以上である。濃度比が１以上であると、第１の下地層８３２Ａを設ける効果が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。

【0504】

カラム構造は、ＳＮＲ向上の観点から、傾斜していることが好ましい。その傾斜の方向は、長尺状の磁気記録媒体８３０の長手方向であることが好ましい。このように長手方向が好ましいのは、以下の理由による。本実施形態に係る磁気記録媒体８３０は、いわゆるリニア記録用の磁気記録媒体であり、記録トラックは磁気記録媒体８３０の長手方向に平行となる。また、本実施形態に係る磁気記録媒体８３０は、いわゆる垂直磁気記録媒体でもあり、記録特性の観点からすると、磁性層８１５の結晶配向軸が垂直方向であることが好ましいが、第１の下地層８３２Ａのカラム構造の傾きの影響で、磁性層８１５の結晶配向軸に傾きが生じる場合がある。リニア記録用である磁気記録媒体８３０においては、記録時のヘッド磁界との関係上、磁気記録媒体８３０の長手方向に磁性層８１５の結晶配向軸が傾いている構成が、磁気記録媒体８３０の幅方向に磁性層８１５の結晶配向軸が傾いている構成に比べて、結晶配向軸の傾きによる記録特性への影響を低減できる。磁気記録媒体８３０の長手方向に磁性層８１５の結晶配向軸を傾かせるためには、上記のように第１の下地層８３２Ａのカラム構造の傾斜方向を磁気記録媒体８３０の長手方向とすることが好ましい。

【0505】

カラム構造の傾斜角は、好ましくは０°より大きく６０°以下であることが好ましい。傾斜角が０°より大きく６０°以下の範囲では、第１の下地層８３２Ａに含まれるカラムの先端形状の変化が大きくほぼ三角山状になるため、グラニュラ構造の効果が高まり、低ノイズ化し、ＳＮＲが向上する傾向がある。一方、傾斜角が６０°を超えると、第１の下地層８３２Ａに含まれるカラムの先端形状の変化が小さくほぼ三角山状とはなりにくいため、低ノイズ効果が薄れる傾向がある。

【0506】

カラム構造の平均粒径は、３ｎｍ以上１３ｎｍ以下である。平均粒径が３ｎｍ未満であると、磁性層８１５に含まれるカラム構造の平均粒径が小さくなるため、現在の磁性材料では記録を保持する能力が低下する虞がある。一方、平均粒径が１３ｎｍ以下であると、ノイズを抑制し、より良好なＳＮＲを得ることができる。

【0507】

第１の下地層８３２Ａの平均厚みは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。第１の下地層８３２Ａの平均厚みが１０ｎｍ以上であると、第１の下地層８３２Ａの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。一方、第１の下地層８３２Ａの平均厚みが１５０ｎｍ以下であると、カラムの粒径が大きくなることを抑制できる。したがって、ノイズを抑制し、より良好なＳＮＲを得ることができる。なお、第１の下地層８３２Ａの平均厚みは、第１の実施形態における磁性層４３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、第１の下地層８３２Ａの厚みに応じて適宜調整される。

【0508】

第２の下地層８３２Ｂは、磁性層８１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁性層８１５がＣｏ系合金を含む場合には、第２の下地層８３２Ｂは、Ｃｏ系合金と同様の六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。磁性層８１５の配向性を高め、かつ、第２の下地層８３２Ｂと磁性層８１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方最密充填構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ－ＳｉＯ_２、Ｒｕ－ＴｉＯ_２またはＲｕ－ＺｒＯ_２などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。

【0509】

第２の下地層８３２Ｂの平均厚みは、一般的な磁気記録媒体における下地層（例えば、Ｒｕを含む下地層）よりも薄くてもよく、例えば、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが可能である。第２の下地層８３２Ｂの下に上述の構成を有するシード層８３１及び第１の下地層８３２Ａを設けているので、第２の下地層８３２Ｂの平均厚みが上述のように薄くても良好なＳＮＲが得られる。なお、第２の下地層８３２Ｂの平均厚みは、第１の実施形態における磁性層４３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、第２の下地層８３２Ｂの厚みに応じて適宜調整される。

【0510】

５．本技術に係る磁気記録カートリッジの一実施形態

【0511】

［カートリッジの構成］

【0512】

本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジ（テープカートリッジともいう）も提供する。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えばリールに巻き付けられていてよい。当該磁気記録カートリッジは、例えば 記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよい。前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。

【0513】

図４５は本技術の一実施形態に係るテープカートリッジ１０Ａを示す分解斜視図である。本実施形態の説明では、テープカートリッジ１０Ａとして、ＬＴＯ規格に準拠するテープカートリッジを例に挙げて説明する。

【0514】

図４５に示すように、テープカートリッジ１０Ａは、カートリッジケース１１と、テープリール１３と、磁気記録媒体１０とを備えている。カートリッジケース１１は、上シェル１１ａと下シェル１１ｂとを複数本のネジ部材により結合することで構成されている。カートリッジケース１１の内部には、磁気記録媒体１０を巻装した単一のテープリール１３が回転可能に収容されている。

【0515】

テープリール１３の底部中央には、記録再生装置３０のスピンドル３１（図１０参照）と係合するチャッキングギヤ（図示略）が環状に形成されている。このチャッキングギヤは、下シェル１１ｂの中央に形成された開口部１４を介して外部へ露出している。このチャッキングギヤの内周側には、スピンドル３１と磁気的に吸着される環状の金属プレート１５が固定されている。

【0516】

上シェル１１ａの内面とテープリール１３との間には、リールスプリング１６、リールロック部材１７及びスパイダ１８が配置されている。これらにより、カートリッジ１０Ａの非使用時におけるテープリール１３の回転を抑止するリールロック機構が構成される。

【0517】

カートリッジケース１１の一側壁部には、磁気記録媒体１０の一端を外部へ引き出すためのテープ引出し口１９が設けられている。この側壁部の内方には、テープ引出し口１９を開閉するスライドドア２０が配置されている。スライドドア２０は、記録再生装置３０のテープローディング機構（不図示）との係合によりトーションバネ２１の付勢力に抗してテープ引出し口１９を開放する方向にスライドするように構成される。

【0518】

磁気記録媒体１０の一端部には、リーダーピン２２が固着されている。リーダーピン２２は、テープ引出し口１９の内方側に設けられたピン保持部２３に対して着脱可能に構成される。ピン保持部２３は、カートリッジケース１１の上壁内面（上シェル１１ａの内面）及び底壁内面（下シェル１１ｂの内面）において、リーダーピン２２の上端部及び下端部をそれぞれ弾性的に保持する弾性保持具２４を備えている。

【0519】

そして、カートリッジケース１１の他の側壁内方には、磁気記録媒体１０に記録された情報の誤消去防止用のセイフティタブ２５のほか、磁気記録媒体１０に記録されたデータに関する内容および磁気テープ１に関する情報を非接触で読み書き可能なカートリッジメモリ９が配置されている。

【0520】

６．本技術に係る磁気記録カートリッジの変形例

【0521】

［カートリッジの構成］

【0522】

上述の磁気記録カートリッジの一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジである場合について説明したが、本技術の磁気記録カートリッジは、２リールタイプのカートリッジであってもよい。すなわち、本技術の磁気記録カートリッジは、磁気テープが巻き取られるリールを１つ又は複数（例えば２つ）有してよい。以下で、図４６を参照しながら、２つのリールを有する本技術の磁気記録カートリッジの例を説明する。

【0523】

図４６は、２リールタイプのカートリッジ９２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ９２１は、合成樹脂製の上ハーフ９０２と、上ハーフ９０２の上面に開口された窓部９０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材９２３と、上ハーフ９０２の内側に固着されリール９０６、９０７の浮き上がりを防止するリールホルダー９２２と、上ハーフ９０２に対応する下ハーフ９０５と、上ハーフ９０２と下ハーフ９０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール９０６、９０７と、リール９０６、９０７に巻かれた磁気記録媒体ＭＴ１と、上ハーフ９０２と下ハーフ９０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド９０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気記録媒体ＭＴ１を保護するバックリッド９０９Ａとを備える。

【0524】

リール９０６は、磁気記録媒体ＭＴ１が巻かれる円筒状のハブ部９０６ａを中央部に有する下フランジ９０６ｂと、下フランジ９０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ９０６ｃと、ハブ部９０６ａと上フランジ９０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート９１１とを備える。リール９０７はリール９０６と同様の構成を有している。

【0525】

窓部材９２３には、リール９０６、９０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー９２２を組み付けるための取付孔９２３ａが各々設けられている。磁気記録媒体ＭＴ１は、第１の実施形態における磁気記録媒体Ｔと同様である。

【0526】

本技術は、以下のような構成を採用することもできる。
［１］
幅方向に隣接する複数のサーボバンドを有する磁性層を有する磁気記録媒体であって、
６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内であり、
平均厚み（平均全厚）が５．３μｍ以下である、前記磁気記録媒体。
［２］
３５℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内である、［１］に記載の前記磁気記録媒体。
［３］
１０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内である、［１］又は［２］に記載の前記磁気記録媒体。
［４］
前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２２分以内である、［１］～［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［５］
６０℃の温度環境において、前記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷが、６８０ｐｐｍ以上である、［１］～［４］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［６］
６０℃の温度環境において、前記磁気記録媒体の幅変化量ΔＷが、７００ｐｐｍ以上である、［１］～［４］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［７］
前記サーボバンドに書き込まれたサーボパターンは、前記磁気記録媒体の幅方向に対して５～２０°のアジマス角を持って傾斜する複数のストライプを含む、［１］～［６］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［８］
データ記録トラック幅が１０００ｎｍ以下である、［１］～［７］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［９］
前記磁性層が磁性粉を含む、［１］～［８］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［１０］
前記磁性層がスパッタ層である、［１］～［８］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［１１］
［１］～［１０］のいずれかに記載の磁気記録媒体がリールに巻き付けられた状態でケースに収容されている、磁気記録カートリッジ。

【0527】

７．実施例

【0528】

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

【0529】

以下の実施例及び比較例において、磁気テープの幅変化量ΔＷ、幅が安定するまでの時間（テープ追随時間）、磁気テープの厚みｔ_Ｔ、非磁性層（下地層）の厚み、ベース層の厚み、バック層の厚み、及び磁性層の厚みｔ_ｍは、第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。なお、サーボトラック幅変化量は以下の方法により求められた値である。

【0530】

［サーボトラック幅変化量］

【0531】

サーボトラック幅変化量の測定方法について説明する。サーボトラック幅変化量の測定は、温度２５℃±３℃、湿度５０％±５％の環境下で行う。サーボトラック幅変化量の測定に際し、データバンド０のサーボバンドピッチを、記録再生装置３０により測定する。

【0532】

記録再生装置３０を用いたサーボトラック幅変化量の測定方法は、上記２．の（５）のように、記録再生装置３０によって磁気記録媒体１０を走行させ、２つのサーボリードヘッド１３２の各サーボバンド上でのサーボトレースラインＴをそれぞれ測定し、測定した各サーボトレースラインＴのサーボパターン６に対する相対位置からサーボバンドピッチを測定する。磁気記録媒体１０の初回走行時の全長のサーボバンドピッチと７往復走行時の全長のサーボバンドピッチとの差を求め、その最大値をサーボトラック幅変化量とする。図４７は、６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内である本技術に従う磁気記録媒体のサーボトラック幅変化量を示す図である。

【0533】

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにダイノミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

【0534】

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）磁性粉（六角板状、平均アスペクト比２．９、平均粒子体積：１４００ｎｍ^３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：３０質量部
（重合度３００、数平均分子量Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
ポリウレタン樹脂（樹脂溶液：ポリウレタン樹脂の配合量３０質量％、シクロヘキサノンの配合量７０質量％）：２２質量部
（ポリウレタン樹脂：数平均分子量Ｍｎ＝２５０００、Ｔｇ１１０℃）
酸化アルミニウム粉末：４質量部
（α－Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．１μｍ）

【0535】

（第２組成物）
カーボンブラック：３．０質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＳ、算術平均粒子径７０ｎｍ）
ポリウレタン樹脂（樹脂溶液：ポリウレタン樹脂の配合量３０質量％、シクロヘキサノンの配合量７０質量％）：６．５質量部
（ポリウレタン樹脂：数平均分子量Ｍｎ＝２５０００、Ｔｇ１１０℃）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．０質量部
トルエン：１２１．０質量部
シクロヘキサノン：１１６．０質量部

【0536】

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：３．０質量部と、ステアリン酸：２質量部とを添加した。

【0537】

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにダイノミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

【0538】

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１１μｍ）
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：６０質量部
（重合度３００、数平均分子量Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：３質量部
（α－Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．１μｍ）

【0539】

（第４組成物）
カーボンブラック：３０質量部
（旭カーボン社製、商品名：＃８０）
ポリウレタン樹脂（樹脂溶液：ポリウレタン樹脂の配合量３０質量％、シクロヘキサノンの配合量７０質量％）：５５質量部
（ポリウレタン樹脂：数平均分子量Ｍｎ＝２５０００、Ｔｇ７０℃）
ｎ－ブチルステアレート：２．５質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１００．０質量部

【0540】

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：３．５質量部と、ステアリン酸：２．０質量部とを添加した。

【0541】

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１６０質量部
（樹脂溶液：ポリウレタン樹脂の配合量３０質量％、シクロヘキサノンの配合量７０質量％）
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：１０質量部

【0542】

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、磁気テープを以下に説明するとおりにして作製した。

【0543】

まず、磁気テープのベース層となる支持体として、長尺状を有する、平均厚み４．０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴフィルムという）（ベースフィルム）を準備した。次に、ＰＥＴフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＴフィルムの一方の主面上に、最終製品にしたときの平均厚みが０．７５μｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に最終製品にしたときの平均厚みが６０ｎｍとなるように磁性層を形成した。

【0544】

続いて、下地層及び磁性層が形成されたＰＥＴフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、最終製品にしたときの平均厚みが０．３５μｍとなるようにバック層を形成した。そして、下地層、磁性層、およびバック層が形成されたＰＥＴフィルムに対して６０℃で硬化処理を行った。その後、７０℃で２０時間アニール処理を行い、カレンダー処理を行って磁性層表面を平滑化した。

【0545】

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、長尺状を有する、磁気テープが得られた。得られた磁気テープは、磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２４分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７５０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０１６μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0546】

当該１／２インチ幅の磁気テープをカートリッジケース内に設けられたリールに巻き付けて、磁気記録カートリッジを得た。当該磁気テープにサーボパターンを記録した。当該サーボパターンは、ハの字のサーボフレームの列からなり、当該サーボフレームは、互いに既知の間隔で、長手方向に平行に２列以上予め記録された。磁気テープを０．５５Ｎのテンションで磁気記録カートリッジに巻き込んだ状態で、２５℃±３℃、５０ＲＨ％±５％の環境下において、磁気記録カートリッジ内に収容されている磁気テープを、記録再生装置へと巻き込むように走行させながら（いわゆる順方向に走行させながら）サーボバンドピッチの測定を行った。記録再生装置によって磁気テープを走行させ、２つのサーボリードヘッドの各サーボバンド上でのサーボトレースラインをそれぞれ測定し、測定した各サーボトレースラインのサーボパターンに対する相対位置からサーボバンドピッチを測定する。磁気テープの初回走行時の全長のサーボバンドピッチと７往復走行時の全長のサーボバンドピッチとの差を求め、その最大値をサーボトラック幅変化量とした。

【0547】

［実施例２］
実施例１とは、ベース層として、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルムを用いた点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２４分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７８０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０１５μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0548】

［実施例３］
実施例１とは、裁断前に６０℃で２０時間アニール処理を行い、さらにカートリッジの状態にして４０℃で３０時間のひずみ緩和処理を行った点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２２分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７３０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０１２μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0549】

［実施例４］
実施例１とは、ベース層として、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルムを用い、さらにカートリッジの状態にして４０℃で３０時間のひずみ緩和処理を行った点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２１分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７６０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０１１μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0550】

［実施例５］
実施例１とは、ベース層として、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルムを用い、裁断前に７０℃で２０時間のアニール処理を行わないで、カートリッジの状態にして４０℃で３０時間のひずみ緩和処理を行った点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２４分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７８０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０１６μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0551】

［比較例１］
実施例１とは、裁断前に６０℃で１５時間のアニール処理を行った点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２５分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７６０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０２１μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0552】

［比較例２］
実施例１とは、通常の効果処理を行わず、裁断前に７０℃で２０時間のアニール処理を行わず、カートリッジの状態にして４０℃で１０時間のひずみ緩和処理を行った点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２５分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７５５ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０２３μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0553】

［比較例３］
実施例１とは、ベース層として、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルムを用い、通常の効果処理を行わず、裁断前に７０℃で２０時間のアニール処理を行わず、カートリッジの状態にして４０℃で１０時間のひずみ緩和処理を行った点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２５分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７５５ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０２３μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0554】

［比較例４］
実施例１とは、通常の効果処理のみを行い、裁断前に７０℃で２０時間のアニール処理を行わない点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２６分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは７５０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０４１μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0555】

［比較例５］
実施例１とは、ベース層として、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルムを用い、通常の効果処理のみを行い、裁断前に７０℃で２０時間のアニール処理を行わない点以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。磁気テープの温度６０℃における幅が安定するまでの時間は２７分であり、６０℃における幅変化量ΔＷは８２０ｐｐｍであり、サーボトラック幅変化量は０．０４２μｍであり、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍであった。

【0556】

表１は、実施例１～５及び比較例１～５の磁気テープの構成及び評価結果を示す。

【0557】

【表1】

【0558】

なお、表１中の各記号は、以下の測定値を意味する。
ｔ_Ｔ：磁気テープの厚み（単位：μｍ）
ｔ_ｍ：磁性層の平均厚み（単位：ｎｍ）
ｔ_ｂ：バック層の平均厚み（単位：μｍ）

【0559】

表１に示される結果より、以下のことが分かる。

【0560】

実施例１～５の磁気テープはいずれも、６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、前記磁気テープの幅が安定するまでの時間が２５分以内であり、短時間にサーボトラック幅変化量が０．０２μｍ以下となり張力変化せず、幅が安定し、幅を決定することができるものであった。

【0561】

以上、本技術の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

【0562】

例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

【0563】

また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

【0564】

また、本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

【符号の説明】

【0565】

１０ 磁気記録媒体
４１ ベース層
４２ 下地層
４３ 磁性層
４４ バック層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】

【図45】

【図46】

【図47】

【手続補正書】

【提出日】2023-05-31

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0010】

【図1】第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図2】第１の実施形態に係る磁気記録媒体を上方（磁性層側）からみた模式図である。

【図3】第１の実施形態に係る磁気記録媒体のデータバンドにおける記録トラックを示す拡大図である。

【図4】第１の実施形態に係る磁気記録媒体のサーボバンドに書き込まれたサーボパターンの一部を示す拡大図である。

【図5A】磁気記録媒体の幅変化量測定装置の構成を示す斜視図である。

【図5B】磁気記録媒体の幅変化量測定装置の詳細を示す模式図である。

【図6】幅変化量測定における温度、湿度の設定状況を示す図である。

【図7】温度１０℃を維持したまま、相対湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％まで上昇させた場合の測定時間とサンプル１０Ｓの幅との関係を示す図である。

【図8】図７の点線部分を拡大する図である。

【図9】図７の点線部分をさらに拡大する図である。

【図10】記録再生装置の例の構成を示す概略図である。

【図11】上記記録再生装置におけるドライブヘッドを下側（テープ走行面）から見た概略図である。

【図12】上記ドライブヘッドにおける第１のドライブヘッド部がデータ信号の記録／再生を行っているときの様子を示す図である。

【図13】（Ａ）はサーボパターンの配置例を示す概略平面図、（Ｂ）はその再生波形を示す図である。

【図14】第１のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（Ａ）及び第２のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（Ｂ）の構成例を示す概略図である。

【図15】第１のサーボパターンの再生波形（Ａ）及び第２のサーボパターンの再生波形（Ｂ）をそれぞれ示す図である。

【図16】データバンドをドライブヘッドがトラッキングする説明図である。

【図17】サーボトレースラインの測定方法を説明する図である。

【図18】本技術の一実施形態に係るサーボパターン記録装置を示す概略正面図である。

【図19】上記サーボパターン記録装置の一部を示す部分拡大図である。

【図20】上記サーボパターン記録装置におけるサーボライトヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。

【図21】上記サーボライトヘッドの要部の概略断面図である。

【図22】上記サーボライトヘッドの要部の概略平面図である。

【図23】上記サーボパターン記録装置における駆動部の構成を示すブロック図である。

【図24】第１のパルス信号における第１サーボサブフレームの記録信号波形（Ａ）及び第２のパルス信号における第１サーボサブフレームの記録信号波形（Ｂ）をそれぞれ示す模式図である。

【図25】記録再生装置の他の例の構成を示す概略図である。

【図26】データライトヘッドを下方（バック層側）から見た概略図である。

【図27】データライトヘッドのアジマス角の角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、アジマス損失Ｌθとの関係を示す図である（記録波長：０．１μｍ）。

【図28】データライトヘッドのアジマス角θにおける角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、磁気記録媒体５０１の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量との関係を示す図である。

【図29】磁気記録媒体の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量を示す図である。

【図30】データライトヘッドのアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°と、アジマス損失Ｌθとの関係を示す図である（記録波長：０．０７μｍ）。

【図31】本技術の第１実施形態に係るサーボパターン記録装置を示す図である。

【図32】第１実施例に係るサーボライトヘッド及びサーボライトヘッドに入力されるパルス信号を示す図である。

【図33】第１実施例に係るサーボライトヘッドが有するサーボ素子の拡大図である。

【図34】第１実施例に係るサーボライトヘッドにより磁気記録媒体にサーボパターンが書き込まれるときの様子を示す図である。

【図35】第２実施例に係るサーボライトヘッド及びサーボライトヘッドが有するサーボ素子の拡大図である。

【図36】第２実施例に係るサーボライトヘッドにより磁気テープにサーボパターンが書き込まれるときの様子を示す図である。

【図37】第２実施例において、サーボライトヘッドの座標系を基準としてサーボライトヘッドを表した図である。

【図38】サーボライトヘッドの対向面において低摩擦加工が施されたときの様子を示す図である。

【図39】図３５の右側の図の拡大図であって、第１のサーボ素子及び第２のサーボ素子における具体的な寸法の一例を示す図である（ＸＹＺ座標系基準）。

【図40】図３７の右側の図の拡大図であって、第１のサーボ素子及び第２のサーボ素子における具体的な寸法の一例を示す図である（Ｘ"Ｙ"Ｚ"座標系基準）。

【図41】変形例における磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図42】第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図43】スパッタ装置の構成を示す概略図である。

【図44】第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

【図45】磁気記録カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。

【図46】磁気記録カートリッジの変形例の構成の一例を示す分解斜視図である。

【図47】６０℃の温度環境において、湿度を１０ＲＨ％から４０ＲＨ％に上昇させた際、磁気記録媒体の幅が安定するまでの時間が２４分以内である磁気記録媒体のサーボトラック幅変化量を示す図である。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0144】

リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９に対して管理情報を記録することが可能に構成されている。また、リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９から管理情報を読み出すことが可能に構成されている。管理情報としては、テープカートリッジ１０Ａ及び磁気記録媒体１０の製品情報、使用履歴情報、磁気記録媒体１０に記録されている情報の概要などが挙げられる。製品情報には、製造情報、磁気記録媒体１０の記録トラック５の数、ＩＤ等の固有情報が含まれる。使用履歴情報としては、アクセス日時、アドレス情報、リーダライタ３７
との通信履歴、記録再生装置３０に対するローディング／アンローディング時の異常の有無等が含まれる。リーダライタ３７とカートリッジメモリ９との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ１４４４３方式が採用される。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0250】

データライトヘッド５２０の説明では、データライトヘッド５２０の長手方向をＹ'軸方向とし、データライトヘッド５２０の幅方向をＸ'軸方向とし、データライトヘッド５２０の上下方向をＺ'軸方向とする。また、磁気記録媒体５０１の長手方向（走行方向）をＸ軸方向とし、磁気記録媒体５０１の幅方向をＹ軸方向とし、磁気記録媒体５０１の厚さ方向をＺ軸方向とする。なお、磁気記録媒体５０１の方向は、データライトヘッド５２０の下側を通過するときの磁気記録媒体５０１の方向が基準である。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２７９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0279】

図２８において、横軸は、データライトヘッド５２０のアジマス角θの角度範囲Ｒｅｆθ±ｘ°におけるｘの値を示しており、縦軸は、磁気記録媒体５０１の幅変動に基づくサーボバンドピッチ差に対する補正量を示している。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２６５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0265】

ここで、第１のデータライトヘッド５２０ａのサーボリード部５２２及びデータライト／リード部５２３におけるＹ軸方向（磁気記録媒体５０１の幅方向）の位置と、第２のデータライトヘッド５２０ｂのサーボリード部５２２及びデータライト／リード部５２３のＹ軸方向の位置は、同じである。これらの位置関係は、第１のデータライトヘッド５２０ａ及び第２のデータライトヘッド５２０ｂがＺ軸回りに回動しても変わらない。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３４１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0341】

サーボバンドｓ４のサーボパターン６を基準としたサーボバンドｓ３、サーボバンドｓ２、サーボバンドｓ１、サーボバンドｓ０のサーボパターン６の位相差は、順番に、５０４．０８μｍ、１００８．１７μｍ、１５１２．２５μｍ、２０１６．３３μｍに対応する位相とされる。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３６９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0369】

なお、サーボバンドｓ４のサーボパターン６を基準としたサーボバンドｓ３、サーボバンドｓ２、サーボバンドｓ１、サーボバンドｓ０のサーボパターン６の位相差は、順番に、５０４．０８μｍ、１００８．１７μｍ、１５１２．２５μｍ、２０１６．３３μｍに対応する位相とされる。

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３８３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0383】

仮に、サーボ素子７４２の長さにおける、磁気記録媒体５０１の幅方向成分ＳＬ１（Ｙ軸方向）が、９６μｍであり、データライトヘッド５２０の基準角Ｒｅｆθが１０°であり、サーボアジマス角θａが１２°であるとする。この場合、第１のサーボ素子７４２ａ（「／」）の長さにおける、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向成分ＳＬ２１（Ｙ"軸方向）は、１０１．２７６７μｍ（＝１０３．５０９３μｍ×ｃｏｓ１２°）である。また、この場合、第２のサーボ素子７４２ｂ（「＼」）の長さにおける、サーボライトヘッド７４０ｂの長手方向成分ＳＬ２２（Ｙ"軸方向）は、９３．９５９μｍ（＝９６．０
５８５μｍ×ｃｏｓ１２°）μｍである。

【手続補正9】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【図37】