特開 2024-42442 ＭＥＭＳセンサ及びＭＥＭＳセンサの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024042442

(43)【公開日】2024-03-28

(54)【発明の名称】ＭＥＭＳセンサ及びＭＥＭＳセンサの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01P 15/08 20060101AFI20240321BHJP

   G01P 15/125 20060101ALI20240321BHJP

   H01L 29/84 20060101ALI20240321BHJP

【ＦＩ】

G01P15/08 102F

G01P15/08 102E

G01P15/125 Z

H01L29/84 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022147165

(22)【出願日】2022-09-15

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100184343

【弁理士】

【氏名又は名称】川崎 茂雄

(74)【代理人】

【識別番号】100197561

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 三喜男

(72)【発明者】

【氏名】乾 喜行

(72)【発明者】

【氏名】藤田 有真

【テーマコード（参考）】

4M112

【Ｆターム（参考）】

4M112AA02

4M112BA07

4M112CA22

4M112DA06

4M112DA09

4M112EA03

(57)【要約】

【課題】電極がストッパ部に貼り付くことを抑制するとともに第１基板と第２基板との接合強度を向上させる。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサは、空洞１２を有する第１基板１０と、第１基板１０に接合される第２基板２０とを備える。第１基板１０に、空洞１２内に移動可能に配置される電極１３と第２基板２０に接合される被シール部１７とが設けられ、第２基板２０に、電極１３の移動を規制するストッパ部２３と被シール部１７に接合されるシール部２７とが設けられる。被シール部１７は、第１基板１０上の第１金属層１９によって形成され、シール部２７は、第２基板２０上の第２金属層２９によって形成される。ストッパ部２３上に多結晶層２５が形成されるとともに第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶層２５が形成される。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面に空洞の一部が露出する空洞を有する第１基板と、
前記空洞を覆うように前記第１基板に接合される第２基板と、
を備え、
前記第１基板に、前記空洞内に移動可能に配置されるセンサ素子の電極と前記第２基板に接合される被シール部とが設けられ、
前記第２基板に、前記電極の第２基板側への移動を規制するストッパ部と前記被シール部に接合されるシール部とが設けられ、
前記被シール部は、前記第１基板上の第１金属層によって形成され、
前記シール部は、前記第２基板上の第２金属層によって形成され、
前記ストッパ部上に多結晶層が形成されるとともに前記第２基板と前記第２金属層との間に多結晶層が形成される、
ＭＥＭＳセンサ。

【請求項2】

前記第２基板は、単結晶シリコン基板であり、
前記多結晶層は、多結晶シリコン層である、
請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。

【請求項3】

前記被シール部と前記シール部とは、前記第１金属層と前記第２金属層との共晶接合によって接合される、
請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。

【請求項4】

前記第２金属層は、前記第１金属層より厚さが薄く形成される、
請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。

【請求項5】

前記第１金属層は、Ａｌ層であり、前記第２金属層は、Ｇｅ層である、
請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。

【請求項6】

前記センサ素子は、静電容量型加速度センサ素子である、
請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。

【請求項7】

第１基板の表面に空洞の一部が露出する空洞を形成するとともに前記第１基板に前記空洞内に移動可能に配置されるセンサ素子の電極を形成し、
前記空洞を覆うように前記第１基板に接合される第２基板に前記電極の第２基板側への移動を規制するストッパ部を形成し、
前記第１基板に前記第２基板に接合される被シール部を形成する第１金属層を形成し、
前記第２基板に前記被シール部に接合されるシール部を形成する第２金属層を形成し、
前記ストッパ部上に多結晶層を形成するとともに前記第２基板と前記第２金属層との間に多結晶層を形成し、
前記被シール部に前記シール部を接合して前記第１基板に前記第２基板を接合する、
ＭＥＭＳセンサの製造方法。

【請求項8】

前記第２基板は、単結晶シリコン基板であり、
前記多結晶層は、多結晶シリコン層である、
請求項７に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

【請求項9】

前記被シール部と前記シール部とは、前記第１金属層と前記第２金属層との共晶接合によって接合される、
請求項７に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

【請求項10】

前記第２金属層は、前記第１金属層より厚さが薄く形成される、
請求項７に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

【請求項11】

前記第１金属層は、Ａｌ層であり、前記第２金属層は、Ｇｅ層である、
請求項７に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

【請求項12】

前記センサ素子は、静電容量型加速度センサ素子である、
請求項７に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＭＥＭＳセンサ及びＭＥＭＳセンサの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体微細加工技術を用いて製造されるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）センサが知られている。特許文献１には、デバイス側基板とリッド側基板とをガラスフリットによって接合し、デバイス側基板に設けられたセンサ素子の電極を封止したＭＥＭＳセンサが開示されている。

【0003】

デバイス側基板とリッド側基板の接合に採用し得る接合技術として、デバイス側基板とリッド側基板とにそれぞれ形成した金属膜を接合させる金属接合も知られている。金属接合は、ガラスフリットによる接合に比してＭＥＭＳセンサのコンパクト化を図ることが可能である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国特許第８３１９２５４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

センサ素子の電極が移動可能に配置されるＭＥＭＳ加速度センサなどのＭＥＭＳセンサでは、電極が設けられた第１基板に第２基板を金属接合によって接合するとともに、電極が第２基板側に過度に撓んで変位することを抑制するように第２基板に電極の移動を規制するストッパ部が設けられる場合がある。

【0006】

第２基板に電極の移動を規制するストッパ部が設けられる場合、第１基板に設けられた電極が第２基板側に撓んで第２基板のストッパ部に接触するときに、電極がストッパ部に貼り付いてセンサ素子の信頼性を低下させるおそれがあることから、電極がストッパ部に貼り付くことを抑制することが望まれる。

【0007】

また、第１基板上に形成された第１金属層と第２基板上に形成された第２金属層とを金属接合によって接合する場合、第１基板と第２基板との接合強度を向上させることが望まれる。

【0008】

本開示は、電極を有する第１基板に第２基板を接合するとともに第２基板に電極の移動を規制するストッパ部が設けられるＭＥＭＳセンサにおいて、電極がストッパ部に貼り付くことを抑制するとともに第１基板と第２基板との接合強度を向上させることを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示は、表面に空洞の一部が露出する空洞を有する第１基板と、前記空洞を覆うように前記第１基板に接合される第２基板と、を備え、前記第１基板に、前記空洞内に移動可能に配置されるセンサ素子の電極と前記第２基板に接合される被シール部とが設けられ、前記第２基板に、前記電極の第２基板側への移動を規制するストッパ部と前記被シール部に接合されるシール部とが設けられ、前記被シール部は、前記第１基板上の第１金属層によって形成され、前記シール部は、前記第２基板上の第２金属層によって形成され、前記ストッパ部上に多結晶層が形成されるとともに前記第２基板と前記第２金属層との間に多結晶層が形成される、ＭＥＭＳセンサを提供する。

【0010】

本開示によれば、第１基板に電極が移動可能に設けられ、第１基板に接合する第２基板にストッパ部が設けられ、ストッパ部上に多結晶層が形成される。これにより、ストッパ部上に多結晶層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして電極がストッパ部に接触するときの接触面積を小さくし、電極がストッパ部に貼り付くことを抑制することができる。ストッパ部に非粘着性を有するフッ素樹脂コーティングなどを用いることができない場合においても、電極とストッパ部との貼り付きを抑制することができる。

【0011】

被シール部が第１基板上の第１金属層によって形成され、被シール部に接合されるシール部が第２基板上の第２金属層によって形成され、第２基板と第２金属層との間に多結晶層が形成される。これにより、第１金属層と第２金属層とが金属接合される場合、第２基板と第２金属層との間に多結晶層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして密着性を向上させ、第１基板と第２基板との接合強度を向上させることができる。

【0012】

従って、電極を有する第１基板に第２基板を接合するとともに第２基板に電極の移動を規制するストッパ部が設けられるＭＥＭＳセンサにおいて、電極がストッパ部に貼り付くことを抑制するとともに第１基板と第２基板との接合強度を向上させることができる。

【0013】

また、本開示は、第１基板の表面に空洞の一部が露出する空洞を形成するとともに前記第１基板に前記空洞内に移動可能に配置されるセンサ素子の電極を形成し、前記空洞を覆うように前記第１基板に接合される第２基板に前記電極の第２基板側への移動を規制するストッパ部を形成し、前記第１基板に前記第２基板に接合される被シール部を形成する第１金属層を形成し、前記第２基板に前記被シール部に接合されるシール部を形成する第２金属層を形成し、前記ストッパ部上に多結晶層を形成するとともに前記第２基板と前記第２金属層との間に多結晶層を形成し、前記被シール部に前記シール部を接合して前記第１基板に前記第２基板を接合する、ＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。

【0014】

本開示によれば、第１基板に移動可能に電極が形成され、第１基板に接合される第２基板にストッパ部が形成され、ストッパ部上に多結晶層が形成される。これにより、ストッパ部上に多結晶層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして電極がストッパ部に接触するときの接触面積を小さくし、電極がストッパ部に貼り付くことを抑制することができる。ストッパ部に非粘着性を有するフッ素樹脂コーティングなどを用いることができない場合においても、電極とストッパ部との貼り付きを抑制することができる。

【0015】

第１基板上に被シール部を形成する第１金属層が形成され、第２基板上に被シール部に接合されるシール部を形成する第２金属層が形成され、第２基板と第２金属層との間に多結晶層が形成される。これにより、第１金属層と第２金属層とが金属接合される場合、第２基板と第２金属層との間に多結晶層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして密着性を向上させ、第１基板と第２基板との接合強度を向上させることができる。

【0016】

従って、電極を有する第１基板に第２基板を接合するとともに第２基板に電極の移動を規制するストッパ部が設けられるＭＥＭＳセンサにおいて、電極がストッパ部に貼り付くことを抑制するとともに、第１基板と第２基板との接合強度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、本開示の第１実施形態に係るＭＥＭＳセンサの平面図である。

【図2】図２は、第１基板アセンブリの平面図である。

【図3】図３は、図２に示す第１基板アセンブリの要部拡大図である。

【図4】図４は、図３のIV－IV線に沿うＭＥＭＳセンサの断面図である。

【図5】図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿うＭＥＭＳセンサの断面図である。

【図6】図６は、接合前の第１基板アセンブリ及び第２基板アセンブリを示す図である。

【図7】図７は、第１基板アセンブリの製造方法を説明する図である。

【図8】図８は、第１基板アセンブリの製造方法を説明する図である。

【図9】図９は、第１基板アセンブリの製造方法を説明する図である。

【図10】図１０は、第２基板アセンブリの製造方法を説明する図である。

【図11】図１１は、本開示の第２実施形態に係るＭＥＭＳセンサを示す図である。

【図12】図１２は、従来のＭＥＭＳセンサの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の実施形態について添付図面を参照しながら説明する。

【0019】

図１は、本開示の第１実施形態に係るＭＥＭＳセンサの平面図である。図１に示すように、本開示の第１実施形態に係るＭＥＭＳセンサ１は、センサ素子２として静電容量型加速度センサ素子を有する静電容量型加速度センサである。ＭＥＭＳセンサ１は、センサ素子２を有するデバイス側基板としての第１基板１０を有する第１基板アセンブリ１１と、第１基板１０に接合されるリッド側基板としての第２基板２０を有する第２基板アセンブリ２１とを備えている。ＭＥＭＳセンサ１は、半導体微細加工技術を用いて第１基板１０及び第２基板２０を加工して製造される。

【0020】

以下では、第１基板１０及び第２基板２０の表面に沿う所定方向をＸ方向とするとともにＸ方向と直交する方向をＹ方向とし、Ｘ方向及びＹ方向と直交する第１基板１０及び第２基板２０の厚さ方向をＺ方向とする。図１では、第２基板２０が第１基板１０のＺ方向上側に接合されたＭＥＭＳセンサ１が示されている。図１では、第１基板１０に形成される配線を省略して示している。

【0021】

センサ素子２は、Ｘ方向に作用する加速度を検出するセンサ素子２である。センサ素子は、これに限定されるものでなく、Ｙ方向に作用する加速度を検出するセンサ素子、あるいはＺ方向に作用する加速度を検出するセンサ素子であってもよい。

【0022】

センサ素子２は、第２基板２０が第１基板１０に接合されることにより、第２基板２０によって覆われて密閉されている。第１基板１０には、互いにＸ方向に離間して複数、具体的には５つのパッド部３が設けられている。パッド部３は、外部の電子部品などに接続されている。パッド部３は、センサ素子２に電気信号を入力したりセンサ素子２の電気信号を出力したりするようになっている。

【0023】

図２は、第１基板アセンブリの平面図である。図３は、図２に示す第１基板アセンブリの要部拡大図であり、図２のＡ１部を拡大して示している。図４は、図３のIV－IV線に沿うＭＥＭＳセンサの断面図である。図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿うＭＥＭＳセンサの断面図である。

【0024】

図４及び図５に示すように、第１基板アセンブリ１１は、表面である第１主面１０ａと、第１主面１０ａの反対側の裏面である第２主面１０ｂとを有する第１基板１０を備えている。第１基板１０は、平面視で、Ｘ方向に延びる２辺とＹ方向に延びる２辺とを有して矩形状に形成されている。第１基板１０として、不純物をドーピングして導電性を付与した、例えば１Ω・ｍ～５Ω・ｍの抵抗率を有する導電性単結晶シリコン基板が用いられる。第１基板１０の第１主面１０ａは、表面粗さＳａ（算術平均粗さ）が１ｎｍ以下に形成されている。

【0025】

第１基板１０は、図２に示すように、中央側にセンサ素子２に対応して第１主面１０ａに一部が露出する空洞１２を有している。空洞１２は、図５に示すように、第１主面１０ａから第１基板１０の厚さ方向に略直方体状に窪んで形成され、底壁部１２ａと底壁部１２ａから第１基板１０の厚さ方向に延在する側壁部１２ｂとを有している。

【0026】

第１基板１０は、図３及び図４に示すように、センサ素子２の電極１３を形成する梁部１４と、梁部１４を支持する支持部１５とを有している。梁部１４は、第１基板１０の空洞１２内に配置され、空洞１２内に浮いた状態で支持部１５に支持されている。梁部１４は、第１基板１０の一部によって形成されている。支持部１５は、図２に示すように、センサ素子２の周囲を囲むように平面視で略四角形状に環状に形成されている。支持部１５の内周面は、空洞１２の側壁部１２ｂを構成する。

【0027】

梁部１４によって形成される電極１３は、支持部１５に支持された状態で空洞１２内に移動可能に配置される。電極１３は、固定電極３０と、固定電極３０に対してＸ方向に相対的に移動可能である可動電極４０とを備えている。固定電極３０及び可動電極４０は、第１基板１０の厚さ方向に同一厚さで形成されている。図３に示すように、梁部１４は、支持部１５に接続される支持用梁部１４ａと、固定電極用梁部１４ｂと、可動電極用梁部１４ｃとを備えている。

【0028】

固定電極用梁部１４ｂ及び可動電極用梁部１４ｃはそれぞれ、支持用梁部１４ａに分離部１６を介して接続されている。分離部１６は、固定電極用梁部１４ｂ及び可動電極用梁部１４ｃと支持用梁部１４ａとをそれぞれ電気的に分離するとともに機械的に連結する。分離部１６は、酸化シリコンを有し、絶縁膜である酸化シリコンによって形成されている。

【0029】

固定電極３０は、図２及び図３に示すように、支持用梁部１４ａに分離部１６を介して接続される接続部３１と、接続部３１に接続されるベース部３２と、ベース部３２に接続されると共にＹ方向に延在するように櫛歯状に形成される複数の電極部３３とを有している。接続部３１は、平面視で格子状に設けられ、ベース部３２は、平面視で梯子状に設けられている。複数の電極部３３は、ベース部３２からＹ方向に直線状に延在するとともにＸ方向に等間隔に離間して櫛歯状に配置されている。

【0030】

可動電極４０は、支持用梁部１４ａに分離部１６を介して接続される接続部４１と、接続部４１に接続されてＹ方向に延在するバネ部４４と、バネ部４４を介して接続部４１に接続されるベース部４２と、ベース部４２に接続されると共にＹ方向に延在するように櫛歯状に形成される複数の電極部４３とを有している。

【0031】

接続部４１は、Ｘ方向一方側に配置される第１接続部４５とＸ方向他方側に配置される第２接続部４６とを備えている。第１接続部４５及び第２接続部４６はそれぞれ、センサ素子２のＸ方向内側にＸ方向に直線状に延在する第１横直線部分４１ａ（図３参照）と、センサ素子２のＸ方向外側にＸ方向に直線状に延在する第２横直線部分４１ｂ（図２参照）と、センサ素子２のＹ方向一方側にＹ方向に直線状に延在する複数の縦直線部分４１ｃ（図２参照）とを有している。

【0032】

第１接続部４５及び第２接続部４６はそれぞれ、第１横直線部分４１ａが分離部１６を介して支持用梁部１４ａに接続されている。第１接続部４５及び第２接続部４６はそれぞれ、複数の縦直線部分４１ｃがそれぞれ分離部１６を介して固定電極３０のベース部３２に接続されるとともに、第２横直線部分４１ｂがバネ部４４に接続されている。分離部１６は、隣接する２つの領域を電気的に分離するとともに機械的に連結する。分離部１６は、酸化シリコンを有し、絶縁膜である酸化シリコンによって形成されている。

【0033】

バネ部４４は、図２に示すように、第１接続部４５に接続される第１バネ部４７と第２接続部４６に接続される第２バネ部４８とを備えている。第１バネ部４７及び第２バネ部４８は、センサ素子２のＸ方向両側に配置されてＹ方向に延び、Ｘ方向に作用する加速度に応じてＸ方向に移動可能に構成されている。

【0034】

ベース部４２は、平面視でＹ方向に直線状に延在する複数の第１縦直線部分４２ａ及び第２縦直線部分４２ｂと、平面視でＸ方向に直線状に延在する複数の横直線部分４２ｃとを有し、格子状に設けられている。第１縦直線部分４２ａと第２縦直線部分４２ｂとは、Ｘ方向に交互に配置され、Ｘ方向一方側の第１縦直線部分４２ａのＹ方向一方側に第１バネ部４７が接続され、Ｘ方向他方側の第２縦直線部分４２ｂのＹ方向一方側に第２バネ部４８が接続されている。

【0035】

第１縦直線部分４２ａ及び第２縦直線部分４２ｂは、横直線部分４２ｃに設けられた分離部１６によって電気的に分離される。複数の第１縦直線部分４２ａは、横直線部分４２ｃ上に設けられた複数のコンタクト及び配線を介して電気的に接続される。複数の第２縦直線部分４２ｂは、横直線部分４２ｃ上に設けられた複数のコンタクト及び配線を介して電気的に接続される。

【0036】

複数の電極部４３は、ベース部４２からＹ方向他方側に直線状に延在するとともにＸ方向に等間隔に離間して櫛歯状に配置されている。複数の電極部４３は、第１縦直線部分４２ａからＹ方向に直線状に延在する複数の第１電極部４３ａと、第２縦直線部分４２ｂからＹ方向に直線状に延在する複数の第２電極部４３ｂとを有している。

【0037】

第１電極部４３ａと第２電極部４３ｂとは、一対として固定電極３０の電極部３３間に配置され、第１電極部４３ａ及び第２電極部４３ｂはそれぞれ、対向する固定電極３０の電極部３３と接触しないように配置されている。一対の第１電極部４３ａ及び第２電極部４３ｂは、Ｘ方向に直線状に延在する複数の横直線部分４３ｃによって接続されると共に分離部１６によって電気的に分離されている。

【0038】

可動電極４０は、第１電極部４３ａを備えた第１可動電極４０ａと、第２電極部４３ｂを備えた第２可動電極４０ｂとを有している。第１可動電極４０ａは、第１電極部４３ａ、ベース部４２の第１縦直線部分４２ａ、第１バネ部４７及び第１接続部４５を備え、第２可動電極４０ｂは、第２電極部４３ｂ、ベース部４２の第２縦直線部分４２ｂ、第２バネ部４８及び第２接続部４６を備えている。

【0039】

センサ素子２にＸ方向の加速度が作用すると、加速度に応じて固定電極３０の電極部３３に対して可動電極４０の電極部４３が相対的に移動して電極部３３と電極部４３との間の間隔が変化して固定電極３０と可動電極４０との間の静電容量、具体的には固定電極３０及び第１可動電極４０ａ間並びに固定電極３０及び第２可動電極４０ｂ間の静電容量が変化する。ＭＥＭＳセンサ１は、固定電極３０と可動電極４０との間の静電容量の変化を電気信号として取り出すことで加速度を検出できるようになっている。

【0040】

ＭＥＭＳセンサ１では、図３に示すように、固定電極３０に、パッド部３と電気的に接続する配線が固定電極用のコンタクト５を介して接続され、第１可動電極４０ａに、パッド部３と電気的に接続する配線が第１可動電極用のコンタクト６を介して接続され、第２可動電極４０ｂに、パッド部３と電気的に接続する配線が第２可動電極用のコンタクトを介して接続されている。第１基板１０には、パッド部３と電気的に接続する配線が基板用のコンタクト７を介して接続されている。

【0041】

第２基板アセンブリ２１は、図４及び図５に示すように、表面である第１主面２０ａと、第１主面２０ａの反対側の裏面である第２主面２０ｂとを有する第２基板２０を備えている。第２基板２０は、平面視で、Ｘ方向に延びる２辺とＹ方向に延びる２辺とを有して矩形状に形成されている。第２基板２０として、不純物をドーピングして導電性を付与した、例えば１Ω・ｍ～５Ω・ｍの抵抗率を有する導電性単結晶シリコン基板が用いられる。第２基板２０の第１主面２０ａは、第１基板１０の第１主面１０ａと同様に、表面粗さＳａ（算術平均粗さ）が１ｎｍ以下に形成されている。

【0042】

第２基板２０は、空洞１２を覆うように第１基板１０に接合される。第１基板１０に、第２基板２０に接合される被シール部１７が形成され、第２基板２０に、被シール部１７に接合されるシール部２７が形成されている。

【0043】

被シール部１７は、図２に示すように、空洞１２の周囲に配置され、平面視で略四角枠状に環状に形成される。被シール部１７は、図５に示すように、第１基板１０の第１主面１０ａ上にスパッタ法によって形成された第１金属層としてのＡｌ層１９によって形成されている。

【0044】

シール部２７は、図１に示すように、被シール部１７に対応して平面視で略四角枠状に環状に形成され、図５に示すように、第２基板２０の第１主面２０ａ上に蒸着法によって形成された第２金属層としてのＧｅ層２９によって形成されている。

【0045】

Ｇｅ層２９は、第２基板２０上にＣＶＤ法によって形成された多結晶層である多結晶シリコン層２５上に形成されている。Ａｌ層１９は、第１基板１０上に多結晶シリコン層を設けることなく形成されている。Ｇｅ層２９は、Ａｌ層１９より厚さが薄く形成される。Ａｌ層１９は、例えば１０００ｎｍ形成され、Ｇｅ層２９は、例えば４００ｎｍ形成される。多結晶シリコン層２５は、例えば１００ｎｍ形成される。多結晶シリコン層２５は、第１基板１０の第１主面１０ａ及び第２基板２０の第１主面２０ａより表面粗さが大きく形成される。多結晶シリコン層２５は、表面粗さＳａ（算術平均粗さ）が、例えば１０ｎｍ～２０ｎｍに形成される。

【0046】

第２基板２０に形成されたシール部２７は、第１基板１０に形成された被シール部１７に接合される。これにより、第１基板１０に設けられた空洞１２は、第２基板２０によって覆われて密閉される。第２基板２０のシール部２７と第１基板１０の被シール部１７とは、金属接合によって接合される。第１基板１０と第２基板２０とが重ね合わせられるとともに所定の加圧が加えられた状態で、例えば４３０度などの所定温度に加熱されることにより、Ａｌ層１９とＧｅ層２９とが金属接合、具体的には共晶接合して接合される。

【0047】

第２基板２０は、図５に示すように、第１主面２０ａから第２基板２０の厚さ方向に略直方状に窪む空洞２２を有している。空洞２２は、底壁部２２ａと底壁部２２ａから第２基板２０の厚さ方向に延在する側壁部２２ｂとを有している。

【0048】

第２基板２０には、センサ素子２の電極１３の第２基板側への移動を規制するストッパ部２３が設けられている。ストッパ部２３は、空洞２２の底壁部２２ａから第２基板２０の厚さ方向に第２基板２０の第１主面２０ａまで延在するように形成されている。ストッパ部２３は、第２基板２０の第１主面２０ａより底壁部２２ａ側に設けるようにしてもよい。

【0049】

ストッパ部２３は、図１に示すように、Ｙ方向に離間してＸ方向に直線状に平行に延びる２つの直線部２４を備えている。ストッパ部２３は、電極１３に対向するように形成され、２つの直線部２４が、Ｙ方向に延在するバネ部４４、固定電極３０の複数の電極部３３及び可動電極４０の複数の電極部４３の上方に離間して配置されている。

【0050】

ストッパ部２３上には、多結晶層である多結晶シリコン層２５が形成されている。ＭＥＭＳセンサ１では、ストッパ部２３における電極１３に対向する対向面は、多結晶シリコン層２５における電極１３に対向する対向面２５ａである。第１基板１０に設けられた電極１３が第２基板側に過度に撓んで第２基板２０のストッパ部２３に接触するとき、電極１３は、ストッパ部２３上に形成された多結晶シリコン層２５に接触する。

【0051】

このように、第２基板２０に電極１３の移動を規制するストッパ部２３が電極１３の上方に配置されることにより、電極１３が第２基板側に過度に撓んで移動することを抑制することができ、電極１３が折れることを抑制することができる。

【0052】

ＭＥＭＳセンサ１では、電極１３を有する第１基板１０に第２基板２０を接合するとともに第２基板２０に電極１３の移動を規制するストッパ部２３が設けられている。第１基板１０の被シール部１７は、Ａｌ層１９によって形成され、第２基板２０のシール部２７は、Ｇｅ層２９によって形成され、第２基板２０のストッパ部２３上には多結晶シリコン層２５が形成され、第２基板２０とＧｅ層２９との間に多結晶シリコン層２５が形成されている。

【0053】

図６は、接合前の第１基板アセンブリ及び第２基板アセンブリを示す図である。図６に示すように、第２基板２０のシール部２７を形成するＧｅ層２９は、第２基板２０上に形成された多結晶シリコン層２５上に形成されている。Ｇｅ層２９は、第２基板２０上に多結晶シリコン層が形成されない場合に比して、多結晶シリコン層２５によって、第１基板１０の被シール部１７に対向する対向面の表面粗さＳａが大きく形成される。

【0054】

図６では、第１基板１０の被シール部１７を形成するＡｌ層１９上に形成されるＡｌ酸化膜８を示している。図６に示すように、Ａｌ層１９上には、自然酸化膜であるＡｌ酸化膜８が形成され、Ａｌ酸化膜８は、例えば５ｎｍ程度の厚さで形成される。Ｇｅ層２９の表面粗さＳａは、多結晶シリコン層２５によって、ＧｅがＡｌ酸化膜８を通過するように１０ｎｍ～２０ｎｍに形成される。これにより、被シール部１７上にＡｌ酸化膜８が形成される場合においても、Ａｌ酸化膜８を貫通してＡｌとＧｅとを接触させて金属接合させることができる。

【0055】

Ａｌ層１９とＧｅ層２９とが金属接合、具体的には共晶接合されるとき、第２基板２０とＧｅ層２９との間に多結晶シリコン層２５が形成されない場合に比して、第２基板２０とＧｅ層２９との間の多結晶シリコン層２５と、共晶反応によって生成される共晶粒子との密着性を向上させることができ、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0056】

前述したように、Ｇｅ層２９は、Ａｌ層１９より厚さが薄く形成されている。これにより、Ａｌ層１９とＧｅ層２９とが共晶接合されるとき、Ａｌ層１９は、反Ｇｅ層側が共晶反応することなくＧｅ層側のみを共晶反応させることができるので、第１基板１０とＡｌ層１９との間に多結晶シリコン層２５を形成することなく、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0057】

多結晶シリコン層２５は、ストッパ部２３上にも形成されている。ストッパ部２３は、多結晶シリコン層２５によって、多結晶シリコン層２５が形成されない場合に比して、電極１３に対向する対向面２５ａの表面粗さＳａが大きく形成されている。これにより、ストッパ部２３上に多結晶シリコン層が形成されない場合に比して、表面粗さＳａを大きくして電極１３がストッパ部２３に接触するときの接触面積を小さくし、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制することができる。

【0058】

図１２は、従来のＭＥＭＳセンサの断面図である。図１２では、図５に示すＭＥＭＳセンサ１の断面と同じ断面で示している。図１２に示すＭＥＭＳセンサ１０１は、第２基板２０のシール部１２７が第２基板２０上に形成されたＡｌ層１２９によって形成され、第１基板１０の被シール部１１７が第１基板１０上に形成されたＡｌ層１１９によって形成され、シール部１２７と被シール部１１７との間に配置されたガラスフリット１０２によって第１基板１０と第２基板２０とが接合されて封止されている。

【0059】

図１２に示すＭＥＭＳセンサ１０１はまた、ガラスフリット１０２による第１基板１０と第２基板２０との接合前に、第１基板１０及び第２基板２０にそれぞれ非粘着性を有するフッ素樹脂コーティングなどの撥水コート層１０３が形成され、電極１３及びストッパ部２３上に撥水コート層１０３が形成される。ＭＥＭＳセンサ１０１では、撥水コート層１０３によってストッパ部２３への電極１３の貼り付きが抑制されて第１基板１０と第２基板２０とがガラスフリット１０２によって接合されている。

【0060】

ＭＥＭＳセンサ１では、第１基板１０と第２基板２０とを金属接合によって接合することで、ガラスフリットによる接合に比してコンパクト化を図ることができる。また、第２基板２０のストッパ部２３上に多結晶シリコン層２５が形成されることで、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制することができる。第１基板１０と第２基板２０とを金属接合する場合など、ストッパ部２３に非粘着性を有するフッ素樹脂コーティングなどを用いることができない場合においても、電極１３とストッパ部２３との貼り付きを抑制することができる。

【0061】

次に、ＭＥＭＳセンサ１の製造方法について説明する。
図７から図９は、第１基板アセンブリの製造方法を説明する図である。図７及び図８は、図３のIV－IV線に沿う第１基板アセンブリの断面を示し、図９は、図２のＶ－Ｖ線に沿う第１基板アセンブリの断面を示している。ＭＥＭＳセンサ１の製造では、単結晶シリコン基板である第１基板１０及び第２基板２０が準備される。

【0062】

第１基板１０には、図７に示すように、分離部１６に対応する部分が除去されてトレンチ１８が形成される。トレンチ形成後に、トレンチ１８及び第１基板１０の第１主面１０ａ全体が熱酸化され、酸化シリコン膜によって分離部１６が形成されるとともに第１基板１０の第１主面１０ａ上に酸化シリコン膜が形成される。分離部１６が形成されると、第１基板１０の第１主面１０ａ上の酸化シリコン膜が除去される。

【0063】

次に、スパッタ法によって、第１基板１０の被シール部１７に対応する部分にＡｌ層１９が形成される。第１基板１０にはまた、パッド部３、コンタクト及び配線が形成される。その後に、フォトリソグラフィ及び異方性エッチングによって第１基板１０がパターニングされ、電極１３を残すようにトレンチが形成される。次いで、等方性エッチングによって前記トレンチが深く形成されるとともに、第１基板１０の第１主面１０ａに平行な方向にエッチングされ、図８及び図９に示すように、第１主面１０ａに一部が露出する空洞１２が形成されるとともに空洞１２内に電極１３を形成する梁部１４が浮いた状態で配置され、第１基板アセンブリ１１が製造される。

【0064】

図１０は、第２基板アセンブリの製造方法を説明する図である。第２基板２０には、図１０に示すように、ＣＶＤ法によって第２基板２０のシール部２７及びストッパ部２３に対応する部分に多結晶シリコン層２５が形成される。第２基板２０のシール部２７に対応する部分に形成される多結晶シリコン層２５と、第２基板２０のストッパ部２３に対応する部分に形成される多結晶シリコン層２５とは同時に形成されることが好ましいが、同時に形成しなくてもよい。

【0065】

次に、蒸着法によって第２基板２０のシール部２７に対応する部分にＧｅ層２９が形成される。Ｇｅ層２９は、第２基板２０上に形成された多結晶シリコン層２５上に形成される。

【0066】

そして、フォトリソグラフィ及びエッチングによってシール部２７及びストッパ部２３がパターニングされ、第２基板２０に空洞２２が形成されるとともにシール部２７及びストッパ部２３が形成され、第２基板アセンブリ２１が製造される。

【0067】

このようにして、第１基板１０に空洞１２内に移動可能に配置される電極１３が形成されるとともに被シール部１７が形成された第１基板アセンブリ１１が製造され、第２基板２０に電極１３に対向するようにストッパ部２３が形成されるとともにシール部２７が形成された第２基板アセンブリ２１が製造される。

【0068】

第１基板アセンブリ１１及び第２基板アセンブリ２１の製造後、第１基板１０の被シール部１７に第２基板２０のシール部２７が重ね合わせられて接合され、第１基板１０に空洞１２を覆うように第２基板２０が接合される。第１基板アセンブリ１１と第２基板アセンブリ２１との接合は、例えば４３０度などの所定温度に加熱されることによる共晶接合によって行われる。

【0069】

このように、本実施形態に係るＭＥＭＳセンサ１の製造方法では、第１基板１０に空洞１２が形成されるとともに空洞１２内に移動可能に配置される電極１３が形成され、第２基板２０に電極１３の第２基板側への移動を規制するストッパ部２３が形成され、第１基板１０に被シール部１７を形成する第１金属層１９が形成され、第２基板２０にシール部２７を形成する第２金属層２９が形成され、ストッパ部２３上に多結晶シリコン層２５が形成されるとともに第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶シリコン層２５が形成され、被シール部１７にシール部２７が接合されて第１基板１０に第２基板２０が接合される。

【0070】

これにより、第１基板１０に空洞１２内に移動可能に電極１３が形成され、第１基板１０に接合される第２基板２０にストッパ部２３が形成され、ストッパ部２３上に多結晶シリコン層２５が形成されるので、ストッパ部２３上に多結晶シリコン層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして電極１３がストッパ部２３に接触するときの接触面積を小さくし、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制することができる。

【0071】

また、第１基板１０上に被シール部１７を形成する第１金属層１９が形成され、第２基板２０上に被シール部１７に接合されるシール部２７を形成する第２金属層２９が形成され、第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶シリコン層２５が形成されるので、第１金属層１９と第２金属層２９とが金属接合される場合、第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶シリコン層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして密着性を向上させ、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。第１金属層１９と第２金属層２９とが共晶接合される場合、第２基板２０と第２金属層２９との間に形成された多結晶シリコン層２５と、共晶反応によって生成される共晶粒子との密着性を向上させることができ、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0072】

ＭＥＭＳセンサ１では、梁部１４は、支持用梁部１４ａを備え、固定電極用梁部１４ｂ及び可動電極用梁部１４ｃと支持用梁部１４ａとがそれぞれ分離部１６を介して接続されているが、支持用梁部１４ａを備えることなく、分離部１６を支持部１５に設けるようにしてもよい。

【0073】

図１１は、本開示の第２実施形態に係るＭＥＭＳセンサを示す図であり、図１１では、接合前の第１基板アセンブリ１１及び第２基板アセンブリ２１を示している。第２実施形態に係るＭＥＭＳセンサ６１は、第１実施形態に係るＭＥＭＳセンサ１に対し、第１金属層１９を第２金属層２９と同一厚さに形成するとともに第１基板１０と第１金属層１９との間に多結晶層を形成したものであり、同様の構成については説明を省略する。

【0074】

第２実施形態に係るＭＥＭＳセンサ６１についても、第１実施形態に係るＭＥＭＳセンサ１と同様に、電極１３を有する第１基板１０に第２基板２０を接合するとともに第２基板２０に電極１３の移動を規制するストッパ部２３が設けられている。第１基板１０の被シール部１７は、Ａｌ層１９によって形成され、第２基板２０のシール部２７は、Ｇｅ層２９によって形成され、第２基板２０のストッパ部２３上には多結晶シリコン層２５が形成され、第２基板２０とＧｅ層２９との間に多結晶シリコン層２５が形成されている。

【0075】

ＭＥＭＳセンサ６１では、被シール部１７を形成するＡｌ層１９とシール部２７を形成するＧｅ層２９とは同一厚さに形成され、第１基板１０とＡｌ層１９との間に多結晶層である多結晶シリコン層３５が形成されている。Ａｌ層１９は、第１基板１０上にＣＶＤ法によって形成された多結晶シリコン層３５上に形成されている。Ａｌ層１９及びＧｅ層２９はそれぞれ、例えば５００ｎｍ形成される。多結晶シリコン層２５，３５は、例えば１００ｎｍ形成される。

【0076】

ＭＥＭＳセンサ６１では、被シール部１７を形成するＡｌ層１９とシール部２７を形成するＧｅ層２９とは同一厚さに形成され、第２基板２０とＧｅ層２９との間に多結晶シリコン層２５が形成されるとともに第１基板１０とＡｌ層１９との間に多結晶シリコン層３５が形成される。

【0077】

被シール部１７を形成するＡｌ層１９とシール部２７を形成するＧｅ層２９とが同一厚さに形成される場合、Ａｌ層１９とＧｅ層２９とが共晶接合されるとき、多結晶シリコン層２５と共晶反応によって液相から生成される共晶粒子との密着性を向上させるとともに、多結晶シリコン層３５と共晶反応によって液相から生成される共晶粒子との密着性を向上させ、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0078】

ＭＥＭＳセンサ１，６１では、被シール部１７を形成する第１金属層としてＡｌ層１９が用いられ、シール部２７を形成する第２金属層としてＧｅ層２９が用いられているが、第１金属層及び第２金属層として、Ａｌ及びＧｅとは別の共晶反応する第１金属と第２金属とを用いるようにしてもよい。

【0079】

ＭＥＭＳセンサ１，６１では、第１金属層１９、第２金属層２９、多結晶シリコン層２５，３５がそれぞれスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法によって形成されているが、他の方法によって形成するようにしてもよい。ＭＥＭＳセンサ１，６１は、静電容量型加速度センサであるが、電極が移動可能に配置される他のセンサにも適用可能である。

【0080】

このように、本実施形態に係るＭＥＭＳセンサ１，６１では、第１基板１０に電極１３が移動可能に設けられ、第１基板１０に接合する第２基板２０にストッパ部２３が設けられ、ストッパ部２３上に多結晶層２５が形成される。これにより、ストッパ部２３上に多結晶層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして電極１３がストッパ部２３に接触するときの接触面積を小さくし、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制することができる。ストッパ部２３に非粘着性を有するフッ素樹脂コーティングなどを用いることができない場合においても、電極１３とストッパ部２３との貼り付きを抑制することができる。

【0081】

また、被シール部１７が第１基板１０上の第１金属層１９によって形成され、被シール部１７に接合されるシール部２７が第２基板２０上の第２金属層２９によって形成され、第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶層２５が形成される。これにより、第１金属層１９と第２金属層２９とが金属接合される場合、第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして密着性を向上させ、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0082】

従って、電極１３を有する第１基板１０に第２基板２０を接合するとともに第２基板２０に電極１３の移動を規制するストッパ部２３が設けられるＭＥＭＳセンサ１，６１において、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制するとともに第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0083】

また、第２基板２０は、単結晶シリコン基板であり、多結晶層２５は、多結晶シリコン層である。これにより、単結晶シリコン基板である第２基板２０のストッパ部２３上に多結晶シリコン層２５が形成されるとともに、単結晶シリコン基板である第２基板２０とシール部２７を形成する第２金属層２９との間に多結晶シリコン層２５が形成されたＭＥＭＳセンサ１，６１において、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制するとともに、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0084】

また、被シール部１７とシール部２７とは、第１金属層１９と第２金属層２９との共晶接合によって接合される。これにより、第１金属層１９と第２金属層２９とが共晶接合されるとき、第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶層が形成されない場合に比して、第２基板２０と第２金属層２９との間に形成された多結晶層２５と共晶反応によって生成される共晶粒子との密着性を向上させることができ、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0085】

また、第２金属層２９は、第１金属層１９より厚さが薄く形成される。これにより、第１金属層１９と第２金属層２９とが共晶接合されるとき、第１金属層１９は、反第２金属層側が共晶反応することなく第２金属層側のみを共晶反応させ、第１基板１０と第１金属層１９との間に多結晶層を形成することなく、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0086】

また、第１金属層１９は、Ａｌ層１９であり、第２金属層２９は、Ｇｅ層２９である。これにより、Ａｌ層１９とＧｅ層２９とが共晶接合されて第１基板１０と第２基板２０とが接合されるＭＥＭＳセンサ１，６１において、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0087】

また、センサ素子２は、静電容量型加速度センサ素子２である。これにより、静電容量型加速度センサ素子２を有するＭＥＭＳセンサ１，６１において、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制するとともに、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0088】

また、本実施形態に係るＭＥＭＳセンサ１，６１の製造方法では、第１基板１０に空洞１２内に移動可能に電極１３が形成され、空洞１２を覆うように第１基板１０に接合される第２基板２０にストッパ部２３が形成され、ストッパ部２３上に多結晶層２５が形成される。これにより、ストッパ部２３上に多結晶層２５が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして電極１３がストッパ部２３に接触するときの接触面積を小さくし、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制することができる。ストッパ部２３に非粘着性を有するフッ素樹脂コーティングなどを用いることができない場合においても、電極１３とストッパ部２３との貼り付きを抑制することができる。

【0089】

また、第１基板１０上に被シール部１７を形成する第１金属層１９が形成され、第２基板２０上に被シール部１７に接合されるシール部２７を形成する第２金属層２９が形成され、第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶層２５が形成される。これにより、第１金属層１９と第２金属層２９とが金属接合される場合、第２基板２０と第２金属層２９との間に多結晶層が形成されない場合に比して、表面粗さを大きくして密着性を向上させ、第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0090】

従って、電極１３を有する第１基板１０に第２基板２０を接合するとともに第２基板２０に電極１３の移動を規制するストッパ部２３が設けられるＭＥＭＳセンサ１，６１において、電極１３がストッパ部２３に貼り付くことを抑制するとともに第１基板１０と第２基板２０との接合強度を向上させることができる。

【0091】

本発明は、例示された実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改良及び設計上の変更が可能である。

【0092】

［付記１］
表面に空洞の一部が露出する空洞を有する第１基板と、
前記空洞を覆うように前記第１基板に接合される第２基板と、
を備え、
前記第１基板に、前記空洞内に移動可能に配置されるセンサ素子の電極と前記第２基板に接合される被シール部とが設けられ、
前記第２基板に、前記電極の第２基板側への移動を規制するストッパ部と前記被シール部に接合されるシール部とが設けられ、
前記被シール部は、前記第１基板上の第１金属層によって形成され、
前記シール部は、前記第２基板上の第２金属層によって形成され、
前記ストッパ部上に多結晶層が形成されるとともに前記第２基板と前記第２金属層との間に多結晶層が形成される、
ＭＥＭＳセンサ。
［付記２］
前記第２基板は、単結晶シリコン基板であり、
前記多結晶層は、多結晶シリコン層である、
付記１に記載のＭＥＭＳセンサ。
［付記３］
前記被シール部と前記シール部とは、前記第１金属層と前記第２金属層との共晶接合によって接合される、
付記１又は付記２に記載のＭＥＭＳセンサ。
［付記４］
前記第２金属層は、前記第１金属層より厚さが薄く形成される、
付記１から付記３の何れかに記載のＭＥＭＳセンサ。
［付記５］
前記第１金属層は、Ａｌ層であり、前記第２金属層は、Ｇｅ層である、
付記１から付記４の何れかに記載のＭＥＭＳセンサ。
［付記６］
前記センサ素子は、静電容量型加速度センサ素子である、
付記１から付記５の何れかに記載のＭＥＭＳセンサ。
［付記７］
第１基板の表面に空洞の一部が露出する空洞を形成するとともに前記第１基板に前記空洞内に移動可能に配置されるセンサ素子の電極を形成し、
前記空洞を覆うように前記第１基板に接合される第２基板に前記電極の第２基板側への移動を規制するストッパ部を形成し、
前記第１基板に前記第２基板に接合される被シール部を形成する第１金属層を形成し、
前記第２基板に前記被シール部に接合されるシール部を形成する第２金属層を形成し、
前記ストッパ部上に多結晶層を形成するとともに前記第２基板と前記第２金属層との間に多結晶層を形成し、
前記被シール部に前記シール部を接合して前記第１基板に前記第２基板を接合する、
ＭＥＭＳセンサの製造方法。
［付記８］
前記第２基板は、単結晶シリコン基板であり、
前記多結晶層は、多結晶シリコン層である、
付記７に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
［付記９］
前記被シール部と前記シール部とは、前記第１金属層と前記第２金属層との共晶接合によって接合される、
付記７又は付記８に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
［付記１０］
前記第２金属層は、前記第１金属層より厚さが薄く形成される、
付記７から付記９の何れか１項に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
［付記１１］
前記第１金属層は、Ａｌ層であり、前記第２金属層は、Ｇｅ層である、
付記７から付記１０の何れかに記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
［付記１２］
前記センサ素子は、静電容量型加速度センサ素子である、
付記７から付記１１の何れかに記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

【符号の説明】

【0093】

１，６１，１０１ ＭＥＭＳセンサ
２ センサ素子
１０ 第１基板
１２ 空洞
１３ 電極
１７，１１７ 被シール部
１９ 第１金属層
２０ 第２基板
２３ ストッパ部
２５，３５ 多結晶層
２７，１２７ シール部
２９ 第２金属層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】