特開 2024-42589 液晶表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024042589

(43)【公開日】2024-03-28

(54)【発明の名称】液晶表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20240321BHJP

   G02F 1/1335 20060101ALI20240321BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1343

G02F1/1335 510

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022147401

(22)【出願日】2022-09-15

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】曽我部 光史

【テーマコード（参考）】

2H092

2H291

【Ｆターム（参考）】

2H092GA13

2H092GA25

2H092GA26

2H092GA29

2H092GA30

2H092HA04

2H092JA25

2H092JA28

2H092JA34

2H092JA37

2H092JA41

2H092JA46

2H092JB13

2H092JB32

2H092JB38

2H092JB42

2H092KA12

2H092KA13

2H092KA18

2H092NA01

2H092QA05

2H092RA10

2H291FA22X

2H291FA22Z

2H291HA15

2H291LA21

(57)【要約】

【課題】画面に表示された画像を、レンズを通して拡大して表示する際に、画質の低下を抑制する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１方向に延在する走査信号線と、走査信号線と交差するデータ信号線と、画素電極及び画素電極に対向する共通電極と液晶層とを含む画素とを有する。共通電極は画素電極と重なる領域にスリットが設けられ、スリットは第１方向に対し第１の角度を成して直線状に延在するスリット中央部を含み、データ信号線はスリット中央部に隣接する部分が第１方向に対して第２の角度を成しており、第１の角度と第２の角度とが異なっている。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に延在する走査信号線と、
前記走査信号線と交差するデータ信号線と、
画素電極及び前記画素電極に対向する共通電極と、液晶層と、を含む画素と、
を有し、
前記共通電極は、前記画素電極と重なる領域にスリットが設けられ、
前記スリットは、前記第１方向に対し第１の角度を成して直線状に延在するスリット中央部を含み、
前記データ信号線は、前記スリット中央部に隣接する部分が、前記第１方向に対して第２の角度を成しており、
前記第１の角度と前記第２の角度とが異なっていることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項2】

前記スリットは、前記スリット中央部の少なくとも一端から連続するスリット端部を有し、
前記スリット端部は、前記スリット中央部の一端から前記データ信号線の方向に傾いて延在する、請求項１に記載の液晶表示装置。

【請求項3】

前記走査信号線及び前記データ信号線と重なり、前記画素電極及び前記スリットの少なくとも一部と重なる開口部が設けられた遮光層を有し、
前記開口部の前記データ信号線に沿った一辺が前記第１方向と成す角度が、前記第２の角度と同じである、請求項１に記載の液晶表示装置。

【請求項4】

前記走査信号線は、第１走査信号線と、前記第１走査信号線に離隔して配置される第２走査信号線と、を含み、
前記データ信号線は、前記第１走査信号線と前記第２走査信号線との間に２つの屈曲部を有し、
前記データ信号線は、前記２つの屈曲部の間の直線部分が前記第１方向と成す角度が前記第２の角度と同じである、請求項１に記載の液晶表示装置。

【請求項5】

第１方向に延在する走査信号線と、
前記走査信号線と交差するデータ信号線と、
帯状に延びる画素電極及び前記画素電極に対向する共通電極と、液晶層と、を含む画素と、
を有し、
前記画素電極は、前記第１方向に対し第１の角度を成して直線状に延在する画素電極中央部を含み、
前記データ信号線は、前記画素電極中央部に隣接する部分が、前記第１方向に対して第２の角度を成しており、
前記第１の角度と前記第２の角度とが異なっていることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項6】

前記画素電極は、前記画素電極中央部の一端から連続する画素電極端部を有し、
前記画素電極端部は、前記画素電極中央部の一端から前記データ信号線の方向に傾いて延在する、請求項５に記載の液晶表示装置。

【請求項7】

前記走査信号線及び前記データ信号線と重なり、前記画素電極の少なくとも一部と重なる開口部が設けられた遮光層を有し、
前記開口部の前記データ信号線に沿った一辺が前記第１方向と成す角度が、前記第２の角度と同じである、請求項５に記載の液晶表示装置。

【請求項8】

第１偏光軸を有する第１偏光板と、第１偏光軸に直交する第２偏光軸を有する第２偏光板とをさらに有し、
前記第１の角度及び前記第２の角度は、前記第１偏光軸及び前記第２偏光軸と交差する、請求項１又は５に記載の液晶表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明一実施形態は、液晶表示装置の画素の構造に関する。

【背景技術】

【0002】

ＶＲ（Virtual Reality：仮想現実）ゴーグルは、３次元のオブジェクトを立体表示し、視点移動に伴って立体画像の表示を変更することにより、利用者に仮想現実感を生じさせる。例えば、利用者に対し、２枚のレンズを通してディスプレイスクリーン上で分割スクリーン画像を視認させるレンズアセンブリを備えたＶＲゴーグルが開示されている（特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特表２０１７－５１１０４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ＶＲゴーグルを使用するユーザは、レンズを介して液晶表示装置の画面に表示される画像を拡大して視認するため、レンズを介さない通常の使用態様では視認されない微妙な画質不良等が視認されてしまうことがある。

【0005】

本発明は、液晶表示装置の画面に表示される画像の画質不良を抑制することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１方向に延在する走査信号線と、走査信号線と交差するデータ信号線と、画素電極及び画素電極に対向する共通電極と液晶層とを含む画素とを有する。共通電極は画素電極と重なる領域にスリットが設けられ、スリットは第１方向に対し第１の角度を成して直線状に延在するスリット中央部を含み、データ信号線はスリット中央部に隣接する部分が第１方向に対して第２の角度を成しており、第１の角度と第２の角度とが異なっている。

【0007】

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１方向に延在する走査信号線と、走査信号線と交差するデータ信号線と、帯状に延びる画素電極及び画素電極に対向する共通電極と液晶層とを含む画素とを有する。画素電極は第１方向に対し第１の角度を成して直線状に延在する第１電極部分を含み、データ信号線は第１電極部分に隣接する部分が第１方向に対して第２の角度を成しており、第１の角度と第２の角度とが異なっている。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の第１基板側の構成を示す断面図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素の構成を示す断面図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素部の構成を示す平面図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素部に設けられる遮光層及び半導体層の構成を示す平面図である。

【図5】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素部に設けられる走査信号線及びデータ信号線の構成を示す平面図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素部に設けられる接続電極及び画素電極の構成を示す平面図である。

【図7】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素部に設けられる共通補助電極の構成を示す平面図である。

【図8】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素部に設けられる共通電極の構成を示す平面図である。

【図9】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素の詳細な構成を説明する平面図である。

【図10】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す図である。

【図11】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の第１基板側の構成を示す断面図である。

【図12】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素の詳細な構成を説明する平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有しない。

【0010】

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域よりも上方（又は下方）に位置することを意味する。

【0011】

本発明の各実施の形態において、基板上に第１導電層、第１絶縁層、半導体層がこの順に積層される場合、第１導電層から半導体層へ向かう方向を上又は上方という。逆に、半導体層から第１導電層へ向かう方向を下又は下方という。以下の説明で、例えば、基板上の半導体層という表現は、上記のように基板と半導体層との上下関係を説明しているに過ぎず、基板と半導体層との間に第１導電層及び第１絶縁層のような他の層が配置されていてもよい。上方又は下方は、複数の層が積層された構造における積層順を意味するものであり、トランジスタの上方の画素電極と表現する場合、特段の限定がない限り、平面視でトランジスタと画素電極とが重ならない位置関係であってもよい。

【0012】

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を図１乃至図１０を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が設けられた構造を有する。

【0013】

１．液晶表示装置の構成
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置１００Ａを構成する一方の基板である第１基板ＳＵＢ１の断面図を示す。第１基板ＳＵＢ１には、第１トランジスタＴｒ１、第２トランジスタＴｒ２、データ信号線ＤＬ、第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２、接続電極ＺＴＣＯ、画素電極ＰＴＣＯ、共通補助電極ＣＭＴＬ、及び共通電極ＣＴＣＯが設けられる。第１トランジスタＴｒ１は画素ＰＸに含まれる素子であり、第２トランジスタＴｒ２は駆動回路に含まれる素子である。駆動回路は画素ＰＸを駆動する回路である。

【0014】

接続電極ＺＴＣＯ、画素電極ＰＴＣＯ、共通電極ＣＴＣＯには、「ＴＣＯ」という記号が含まれる。ＴＣＯという記号に特段の意味はないが、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ等の透明導電性酸化物（Transparent Conductive Oxide）又はこれに類似するものを示すときに用いられることがある。

【0015】

１－１．第１トランジスタＴｒ１
第１トランジスタＴｒ１は、半導体層ＯＳ、ゲート絶縁層ＧＩ１、及びゲート電極ＧＬ１を含む。半導体層ＯＳは、例えば、酸化物半導体層又は多結晶シリコン層である。ゲート電極ＧＬ１は半導体層ＯＳに対向する。ゲート絶縁層ＧＩ１は半導体層ＯＳとゲート電極ＧＬ１との間に設けられる。図１は、ゲート電極ＧＬ１より基板ＳＵＢ側に半導体層ＯＳが設けられたトップゲート型の構造を例示する。第１トランジスタＴｒ１は、また、ゲート電極ＧＬ１と半導体層ＯＳとの位置関係が逆であるボトムゲート型トランジスタであってもよい。

【0016】

半導体層ＯＳは、第１半導体領域ＯＳ１及び第２半導体領域ＯＳ２を含む。第１半導体領域ＯＳ１は、半導体層ＯＳがゲート電極ＧＬ１と重なる領域であり、第１トランジスタＴｒ１の中でチャネルと呼ばれる領域に相当する。第２半導体領域ＯＳ２はソース領域及びドレイン領域に該当する。第１トランジスタＴｒ１は、ゲート電極ＧＬ１に印加されるゲート電圧に応じてオン状態とオフ状態とが制御される。

【0017】

ゲート電極ＧＬ１の上に第２絶縁層ＩＬ２が設けられる。第２絶縁層ＩＬ２の上にデータ信号線ＤＬが設けられる。データ信号線ＤＬは、第２絶縁層ＩＬ２及びゲート絶縁層ＧＩ１に設けられたコンタクトホールＷＣＯＮを介して第２半導体領域ＯＳ２と接続される。データ信号線ＤＬは、画像の階調に関連するデータ信号を伝送する配線である。第２絶縁層ＩＬ２及びデータ信号線ＤＬの上に第３絶縁層ＩＬ３が設けられる。第３絶縁層ＩＬ３の上に接続電極ＺＴＣＯが設けられる。接続電極ＺＴＣＯは、第３絶縁層ＩＬ３、第２絶縁層ＩＬ２、及びゲート絶縁層ＧＩ１に設けられるコンタクトホールＺＣＯＮを介して第２半導体領域ＯＳ２と接続される。接続電極ＺＴＣＯは透明導電膜で形成される。

【0018】

接続電極ＺＴＣＯの上に第４絶縁層ＩＬ４が設けられる。第４絶縁層ＩＬ４は平坦化層とも呼ばれる絶縁層である。第４絶縁層ＩＬ４は、下層に設けられた半導体層ＯＳ、ゲート電極ＧＬ１等によって形成される凹凸を埋め込み平坦な表面を提供する。第４絶縁層ＩＬ４の上に画素電極ＰＴＣＯが設けられる。画素電極ＰＴＣＯは第４絶縁層ＩＬ４に設けられたコンタクトホールＰＣＯＮにおいて接続電極ＺＴＣＯと接続される。画素電極ＰＴＣＯは、透明導電膜で形成される。

【0019】

画素電極ＰＴＣＯの上に第５絶縁層ＩＬ５が設けられる。第５絶縁層ＩＬ５の上に共通補助電極ＣＭＴＬ及び共通電極ＣＴＣＯが設けられる。断面視において共通補助電極ＣＭＴＬと共通電極ＣＴＣＯとは接触するが、平面視においては異なるパターンを有する。共通補助電極ＣＭＴＬは金属層である。共通電極ＣＴＣＯは透明導電層である。共通補助電極ＣＭＴＬの電気抵抗は共通電極ＣＴＣＯの電気抵抗よりも低い。共通補助電極ＣＭＴＬは遮光層としても機能する。例えば、共通補助電極ＣＭＴＬは、第５絶縁層ＩＬ５を介して第４絶縁層ＩＬ４のコンタクトホールＰＣＯＮに設けられ、この部分を遮光する。また。共通補助電極ＣＭＴＬは、例えば、隣接する画素からの光を遮光し、混色の発生を抑制する。

【0020】

コンタクトホールＰＣＯＮの位置にスペーサＳＰが設けられる。スペーサＳＰは、共通電極ＣＴＣＯの上に設けられる。スペーサＳＰは全ての画素に対応して設けられる構成も可能であるし、一部の画素のコンタクトホールＰＣＯＮにのみ設けられる構成も採用可能である。

【0021】

第１基板ＳＵＢ１に第１遮光層ＬＳ１が設けられる。第１遮光層ＬＳ１は画素ＰＸの領域に設けられる。図１は、第１遮光層ＬＳ１として、第１遮光層ＬＳ１ａ、ＬＳ１ｂを示す。ただし、第１遮光層ＬＳ１は第１遮光層ＬＳ１ａのみ又は第１遮光層ＬＳ１ｂのみで形成されていてもよい。第１遮光層ＬＳ１は、少なくともゲート電極ＧＬ１と半導体層ＯＳとが重なる領域に設けられる。第１遮光層ＬＳ１は、第１基板ＳＵＢ１側から入射した光が第１半導体領域ＯＳ１に到達することを抑制する。第１遮光層ＬＳ１が導電性の膜で形成される場合、第１遮光層ＬＳ１に電圧が印加されてもよい。第１遮光層ＬＳ１に電圧が印加される場合、第１遮光層ＬＳ１とゲート電極ＧＬ１とは電気的に接続されてもよい。

【0022】

１－２．第２トランジスタＴｒ２
駆動回路は第２トランジスタＴｒ２（ｐチャネル型トランジスタＴｒ２－１及びｎチャネル型トランジスタＴｒ２－２）を含む。ｐチャネル型トランジスタＴｒ２－１及びｎチャネル型トランジスタＴｒ２－２は、いずれもゲート電極ＧＬ２、ゲート絶縁層ＧＩ２、半導体層Ｓを含む。半導体層Ｓは、第１半導体領域Ｓ１、第２半導体領域Ｓ２、第３半導体領域Ｓ３を含む（第３半導体領域Ｓ３はｎチャネル型トランジスタＴｒ２－２の半導体層Ｓにのみ設けられる）。半導体層Ｓにおいて、第１半導体領域Ｓ１はチャネルを形成する領域に該当し、第２半導体領域Ｓ２はソース領域及びドレイン領域を形成する領域に該当し、第３半導体領域Ｓ３は低濃度ドレイン（ＬＤＤ）を形成する領域に該当する。ゲート電極ＧＬ２は第１半導体領域Ｓ１に重なる領域を含む。ゲート絶縁層ＧＩ２は半導体層Ｓとゲート電極ＧＬ２との間に設けられる。

【0023】

図１は、第２トランジスタＴｒ２において、ゲート電極ＧＬ２が半導体層Ｓの第１基板ＳＵＢ１側に設けられたボトムゲート型トランジスタを例示する。第２トランジスタＴｒ２は、半導体層Ｓとゲート電極ＧＬ２との位置関係が逆であるトップゲート型トランジスタであってもよい。

【0024】

半導体層Ｓの上に第１絶縁層ＩＬ１及びゲート絶縁層ＧＩ１が設けられる。ｐチャネル型トランジスタＴｒ２－１、ｎチャネル型トランジスタＴｒ２－２に対しゲート絶縁層ＧＩ１は層間膜として機能する。これらの絶縁層の上に第２配線Ｗ２が設けられる。第２配線Ｗ２は、第１絶縁層ＩＬ１及びゲート絶縁層ＧＩ１に設けられた開口を介して第２半導体領域Ｓ２と接続される。第２配線Ｗ２の上に第２絶縁層ＩＬ２が設けられる。第２絶縁層ＩＬ２の上に第１配線Ｗ１が設けられる。第１配線Ｗ１は、第２絶縁層ＩＬ２に設けられた開口を介して第２配線Ｗ２と接続される。

【0025】

ゲート電極ＧＬ２と第１遮光層ＬＳ１ｂとは同一層である。第２配線Ｗ２とゲート電極ＧＬ１とは同一層である。ここで、同一層とは、複数の部材が、１つの層がパターニングされることによって形成されたものであることを意味する。

【0026】

２．画素の部分的な断面構造
図２は、画素ＰＸの部分的な断面構造の一例を示す。画素ＰＸは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の液晶層ＬＣを含む。図１を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１は、第１遮光層ＬＳ１、第１トランジスタＴｒ１、接続電極ＺＴＣＯ、画素電極ＰＴＣＯ、共通補助電極ＣＭＴＬ、共通電極ＣＴＣＯを含む。第２基板ＳＵＢ２は、第２遮光層ＢＭ、カラーフィルタ層（第１カラーフィルタ層ＣＦ１、第２カラーフィルタ層ＣＦ２）、オーバーコート層ＯＣを含む。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間隔（セルギャップ）はスペーサＳＰによって一定の間隔となるように保持される。

【0027】

第２遮光層ＢＭは、例えば、黒色の顔料を含む有機樹脂材料で形成される。第２遮光層ＢＭは、画素ＰＸの境界領域に設けられる。また、第２遮光層ＢＭは、第１カラーフィルタ層ＣＦ１と第２カラーフィルタ層ＣＦ２の境界領域に設けられる。第１カラーフィルタ層ＣＦ１と第２カラーフィルタ層ＣＦ２は所定の色に着色され透光性を有する層であり、それぞれ異なる色相に着色されている。第１カラーフィルタ層ＣＦ１及び第２カラーフィルタ層ＣＦ２の上にはオーバーコート層ＯＣが設けられる。なお、図２は、液晶層ＬＣの初期配向状態を規定する配向膜を省略して示している。

【0028】

第１基板ＳＵＢ１側に第１偏光板ＰＬ１、第２基板ＳＵＢ２側に第２偏光板ＰＬ２が設けられる。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は直線偏光板であり、偏光軸を直交させた状態（クロスニコル）に配置される。

【0029】

図２に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置１００Ａは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣが設けられ、画素電極ＰＴＣＯと共通電極ＣＴＣＯで液晶層ＬＣの配向状態を制御する透過型の液晶表示装置である。液晶の駆動方式は、次節で示されるように、共通電極ＣＴＣＯにはスリットが設けられたＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式が適用される。

【0030】

３．画素の平面レイアウト
図３は、画素部１０２の部分的な平面図であり、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３を示す。例えば、第１画素ＰＸ１は青色に対応する画素であり、第２画素ＰＸ２は緑色に対応する画素であり、第３画素ＰＸ３は赤色に対応する画素である。

【0031】

なお、図３は、説明のためＸ軸及びＹ軸を示し、Ｘ軸に平行な方向をＸ軸に沿った方向又はＸ軸方向と説明し、Ｙ軸に平行な方向をＹ軸に沿った方向又はＹ軸方向と呼ぶものとする。また、Ｘ軸方向を第１方向、Ｙ軸方向を第１方向に交差する第２方向と読み替えることもできるものとする。

【0032】

図３は、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３が、Ｘ軸に沿った方向に沿って配列する態様を示す。画素部１０２は、第１乃至第３の画素を一組とした構成が、Ｘ軸に沿った方向及びＹ軸に沿った方向に配列される。

【0033】

第１画素ＰＸ１は、第１半導体層ＯＳａ、第１接続電極ＺＴＣＯ１、及び第１画素電極ＰＴＣＯ１を含み、第２画素ＰＸ２は、第２半導体層ＯＳｂ、第２接続電極ＺＴＣＯ２、及び第２画素電極ＰＴＣＯ２を含み、第３画素ＰＸ３は、第３半導体層ＯＳｃ、第３接続電極ＺＴＣＯ３、及び第３画素電極ＰＴＣＯ３を含む。また、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３は、共通電極ＣＴＣＯを含む。共通電極ＣＴＣＯは、第１画素電極ＰＴＣＯ１、第２画素電極ＰＴＣＰ２、第３画素電極ＰＴＣＯ３に平面視で重なっている。共通電極ＣＴＣＯは、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３に共有される電極であり、画素部１０２の全体に亘って広がる大きさを有する。

【0034】

第１画素電極ＰＴＣＯ１は矩形ではなく屈曲した形状を有するが、Ｙ軸方向に沿った長さＰＹＬが、Ｘ軸方向に沿った長さＰＸＬに比べて長い形状を有する。第２画素電極ＰＴＣＯ２、第３画素電極ＰＴＣＯ３についても同様である。

【0035】

共通電極ＣＴＣＯは、第１スリットＳＬ１、第２スリットＳＬ２、第３スリットＳＬ３を有する。第１スリットＳＬ１は第１画素電極ＰＴＣＯ１と重なり、第２スリットＳＬ２は第２画素電極ＰＴＣＯ２と重なり、第３スリットＳＬ３は第３画素電極ＰＴＣＯ３と重なる。別言すれば、第１スリットＳＬ１は、第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２との間に設けられ、第２スリットＳＬ２は、第２データ信号線ＤＬ２と第３データ信号線ＤＬ３との間に設けられ、第３スリットＳＬ３は、第３データ信号線ＤＬ３と第４データ信号線ＤＬ４との間に設けられる。

【0036】

液晶表示装置１００ＡはＦＦＳモードで駆動される。ＦＦＳモードの場合、画素電極ＰＴＣＯと共通電極ＣＴＣＯとの間に生じるフリンジ電界により液晶層ＬＣの液晶分子の配向方向が制御される。図１、図２には示されないが、液晶表示装置１００Ａはバックライトを含み、液晶層ＬＣの配向状態によってバックライトからの光を制御して画像が表示される。

【0037】

画素部１０２は、Ｘ軸方向に延びる走査信号線ＳＣＬ（第１走査信号線ＳＣＬ１、第２走査信号線ＳＣＬ２）と、Ｙ軸方向に延びるデータ信号線ＤＬ（第１データ信号線ＤＬ１、第２データ信号線ＤＬ２、第３データ信号線ＤＬ３、第４データ信号線ＤＬ４）が配設される。

【0038】

４．画素部を構成する各層の詳細なレイアウト
以下に、画素部１０２を構成する各層のレイアウトの詳細を示す。

【0039】

４－１．第１遮光層及び半導体層
図４は、第１遮光層ＬＳ１、及び第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、第３半導体層ＯＳｃを示す。第１遮光層ＬＳ１、はＸ軸方向に延在するパターンを有する。第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、第３半導体層ＯＳｃは、鉤形に屈曲しＹ軸方向に延在する島状のパターンを有する。第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、第３半導体層ＯＳｃは、第１遮光層ＬＳ１と交差する部分を有し、Ｘ軸方向に配列される。第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃは、第１遮光層ＬＳ１の上層側に配置される。

【0040】

４－２．走査信号線、データ信号線
図５は走査信号線ＳＣＬ（第１走査信号線ＳＣＬ１、第２走査信号線ＳＣＬ２）及びデータ信号線ＤＬ（第１データ信号線ＤＬ１、第２データ信号線ＤＬ２、第３データ信号線ＤＬ３、第４データ信号線ＤＬ４）を示す。第１走査信号線ＳＣＬ１は、第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃと交差するようにＸ軸方向に延在する。なお、本実施形態においては第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃは第１走査信号線ＳＣＬ１と斜め方向で交差しているが、これらが直交する構成も採用可能である。第２走査信号線ＳＣＬ２は、第１走査信号線ＳＣＬ１からＹ軸方向に１画素分だけ離れた位置に設けられる。第１走査信号線ＳＣＬ１が第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃと交差する部分はゲート電極（図１に示す「ＧＬ１」に相当）として機能する。第１走査信号線ＳＣＬ１（ゲート電極ＧＬ１）は第１遮光層ＬＳ１のパターンの内側に設けられており、長さ方向に亘って第１遮光層に重畳している。

【0041】

第１データ信号線ＤＬ１、第２データ信号線ＤＬ２、第３データ信号線ＤＬ３、及び第４データ信号線ＤＬ４は、Ｙ軸方向に延在し、第１走査信号線ＳＣＬ１、第２走査信号線ＳＣＬ２と交差する。図１に示すように、第１走査信号線ＳＣＬ１とデータ信号線ＤＬとの間には、ゲート絶縁層ＧＩ１及び第２絶縁層ＩＬ２が設けられる。コンタクトホールＷＣＯＮ１、ＷＣＯＮ２、ＷＣＯＮ３は、それぞれ第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃの島状パターンの一方の端部の付近において、第１データ信号線ＤＬ１、第２データ信号線ＤＬ２、第３データ信号線ＤＬ３と重なる領域に設けられる。第１半導体層ＯＳａの主たる部分は第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２との間に配置され、Ｙ軸方向に延びている。第１半導体層ＯＳａの一方の端部は、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２に挟まれた部分からコンタクトホールＷＣＯＮ１の方向に向かって屈曲するパターンを有する。第１半導体層ＯＳａは、コンタクトホールＷＣＯＮ１において第１データ信号線ＤＬ１と接続される。第２半導体層ＯＳｂ及び第３半導体層ＯＳｃについても同様である。

【0042】

４－３．接続電極及び画素電極
図６に示すように、コンタクトホールＺＣＯＮ１、ＺＣＯＮ２、ＺＣＯＮ３は、それぞれ第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃの島状パターンと重なる。コンタクトホールＷＣＯＮ１、ＷＣＯＮ２、ＷＣＯＮ３が第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃの一方の端部の側に設けられるのに対し、コンタクトホールＺＣＯＮ１、ＺＣＯＮ２、ＺＣＯＮ３は第１半導体層ＯＳａ、第２半導体層ＯＳｂ、及び第３半導体層ＯＳｃの他方の端部の側に設けられる。

【0043】

第１接続電極ＺＴＣＯ１は、第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２との間に配置され、第１半導体層ＯＳａと重なる。第１接続電極ＺＴＣＯ１は、コンタクトホールＺＣＯＮ１において第１半導体層ＯＳａと接続される。第１接続電極ＺＴＣＯ１は、Ｙ軸方向に延在し、第１走査信号線ＳＣＬ１を越える領域まで延伸している。同様に、第２半導体層ＯＳｂは第２接続電極ＺＴＣＯ２と、第３半導体層ＯＳｃは第３接続電極ＺＴＣＯ３と接続される。

【0044】

図６に示すように、第１画素電極ＰＴＣＯ１はコンタクトホールＰＣＯＮ１により第１接続電極ＺＴＣＯ１と接続される。コンタクトホールＰＣＯＮ１は、コンタクトホールＺＣＯＮ１から第１データ信号線ＤＬ１側にやや離間した位置であって、当該第１走査信号線ＳＣＬ１（ゲート電極ＧＬ１）のパターンと重なる領域に設けられる。第２画素電極ＰＴＣＯ２と第２接続電極ＺＴＣＯ２とを接続するコンタクトホールＰＣＯＮ２及び第３画素電極ＰＴＣＯ３と第３接続電極ＺＴＣＯ３とを接続するコンタクトホールＰＣＯＮ３についても同様である。

【0045】

第１画素電極ＰＴＣＯ１は、第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２との間においてく字状に屈曲した形状を呈し、走査信号線ＳＣＬ（ゲート電極ＧＬ１）、半導体層ＯＳ１ａ、及び第１接続電極ＺＴＣＯ１と重なり、Ｙ軸方向に延在している。具体的には、第１画素電極ＰＴＣＯ１は、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２の屈曲部ＤＬＢ２に隣接する位置で屈曲し、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２に挟まれてＹ軸方向に沿って延在する。第１画素電極ＰＴＣＯ１は、屈曲部ＤＬＢ２を超えてＹ軸のプラス方向（Ｙ（＋）方向）に延在し、コンタクトホールＰＣＯＮ１と重なる領域を有する。第１画素電極ＰＴＣＯ１の一方の端縁Ｐｘ１は、コンタクトホールＰＣＯＮ１を超えた位置にある。また、第１画素電極ＰＴＣＯ１は、屈曲部ＤＬＢ２からＹ軸のマイナス方向（Ｙ（－）方向）に沿って延在し、その他方の端縁Ｐｘ２が第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２の第２屈曲部ＤＬＢ３に隣接して又はその近傍に位置している。第２画素電極ＰＴＣＯ２及び第３画素電極ＰＴＣＯ３についても同様である。

【0046】

４－４．共通補助電極
図７は共通補助電極ＣＭＴＬを示す。共通補助電極ＣＭＴＬは、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３を含む。第１開口部ＯＰ１は、第１画素電極ＰＴＣＯ１と一部が重なり、第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２とに挟まれた領域に配置される。第１開口部ＯＰ１のＹ軸方向に延在する開口端縁Ｏｙ１、Ｏｙ２は、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２に沿って設けられる。第１開口部ＯＰ１のＹ軸方向に延在する開口端縁Ｏｙ１、Ｏｙ２は、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２の端部と重なっていてもよいし、当該端部より内側又は外側に位置していてもよい。第１開口部ＯＰ１は、第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２に沿ってＹ軸方向に延在し、くの字状に屈曲した形状を有する。具体的には、第１開口部ＯＰ１は、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２の屈曲部ＤＬＢ３で屈曲し、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２に挟まれてＹ軸方向に沿って延在する。第１開口部ＯＰ１は、屈曲部ＤＬＢ３を超えてＹ軸のプラス方向（Ｙ（＋）方向）に沿って延在し、その一方の開口端縁Ｏｘ１は第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２の屈曲部ＤＬＢ２に隣接して又はその近傍に位置する。第１開口部ＯＰ１の一方の開口端縁Ｏｘ１は、コンタクトホールＰＣＯＮ１の手前に位置しており、第１開口部ＯＰ１はコンタクトホールＰＣＯＮ１とは重ならない。また、第１開口部ＯＰ１は、第２屈曲部Ｂｅ２からＹ軸のマイナス方向（Ｙ（－）方向）に沿って延在し、その他方の開口端縁Ｏｘ２は第１画素電極ＰＴＣＯ１の他方の端縁より外側に位置している。第２画素電極ＰＴＣＯ２に対応して配置される第２開口部ＯＰ２、第３画素電極ＰＴＣＯ３に対応して配置される第３開口部ＯＰ３についても同様である。

【0047】

このように、第１画素電極ＰＴＣＯ１と第１開口部ＯＰ１とは全部が重ならず、Ｙ軸方向の沿った端縁が相互にずれるように配置されている。別言すれば、第１開口部ＯＰ１は、第１画素電極ＰＴＣＯ１がコンタクトホールＰＣＯＮ１と重なる領域とは重ならないように配置されており、コンタクトホールの段差によって形成される液晶の配向乱れの影響が出ないようにされている。第２画素電極ＰＴＣＯ２と第２開口部ＯＰ２、第３画素電極ＰＴＣＯ３と第３開口部ＯＰ３との関係についても同様である。

【0048】

共通補助電極ＣＭＴＬは金属膜で形成され、画素部１０２の全体に広がる大きさを有する。したがって、開口部ＯＰ（図７に示すような、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３）が設けられた領域が画素部１０２の透過領域となり、それ以外の領域は非透過領域となる。したがって、共通補助電極ＣＭＴＬは、遮光層としての機能を有する。また、共通補助電極ＣＭＴＬは、この上に透明導電膜で画素部１０２の略全面に形成される共通電極ＣＴＣＯの抵抗を低減する補助電極として用いられる。

【0049】

上記の構成によれば、共通補助電極ＣＭＴＬの第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３の大きさを調整することで、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３から出射される光量が調整される。

【0050】

４－５．共通電極
図８は共通電極ＣＴＣＯを示す。共通電極ＣＴＣＯは複数の画素に対して共通に設けられ、第１画素電極ＰＴＣＯ１、第２画素電極ＰＴＣＯ２及び第３画素電極ＰＴＣＯ３と重畳している。共通電極ＣＴＣＯには、平面視で第１画素電極ＰＴＣＯ１と重なる領域に第１スリットＳＬ１が設けられる。第１スリットＳＬ１は、また、第１開口部ＯＰ１と重なるように設けられる。共通電極ＣＴＣＯは透明導電膜で形成され、第１スリットＳＬ１は透明導電膜が除去されることにより形成される。第２画素電極ＰＴＣＯ２及び第３画素電極ＰＴＣＯ３に対しても、同様に第２スリットＳＬ２、第３スリットＳＬ３が設けられる。

【0051】

４－６．画素を構成する各部材の材質
第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２として、ガラス基板、石英基板、およびサファイア基板など、透光性を有し、可撓性を有しない剛性基板を用いることができる。一方、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が可撓性を有する基板が用いられてもよい。可撓性基板の基板材料としては、ポリイミド基板、アクリル基板、シロキサン基板、またはフッ素樹脂基板などが用いられる。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の耐熱性を向上させるために、上記の樹脂に不純物を導入してもよい。

【0052】

走査信号線ＳＣＬ（ゲート電極ＧＬ１）、ゲート電極ＧＬ２、データ信号線ＤＬ、第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２、第１遮光層ＬＳ１、及び共通補助電極ＣＭＴＬとして、金属材料を用いることができる。例えば、これらの部材として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ビスマス（Ｂｉ）、銀（Ａｇ）、及びこれらの合金又は化合物が用いられる。上記の部材として、上記の材料が単層で用いられてもよく、積層で用いられてもよい。

【0053】

ゲート絶縁層ＧＩ１、ＧＩ２及び第１絶縁層ＩＬ１、第２絶縁層ＩＬ２、第３絶縁層ＩＬ３、第４絶縁層ＩＬ４、第５絶縁層ＩＬ５として、絶縁層性材料を用いることができる。例えば、第１絶縁層ＩＬ１、第２絶縁層ＩＬ２、第３絶縁層ＩＬ３、第５絶縁層ＩＬ５として、として、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、窒化シリコン（Ｓｉ_ｘＮ_ｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ_ｘ）などの無機絶縁層を用いることができる。これらの絶縁層として、欠陥が少ない絶縁層を用いることができる。第４絶縁層ＩＬ４として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、又はシロキサン樹脂などの有機絶縁材料を用いることができる。なお、ゲート絶縁層ＧＩ１、ＧＩ２及び第１絶縁層ＩＬ１、第２絶縁層ＩＬ２、第３絶縁層ＩＬ３、第５絶縁層ＩＬ５として、上記の有機絶縁材料が用いられてもよい。上記の部材として、上記の材料が単層で用いられてもよく、積層で用いられてもよい。

【0054】

なお、絶縁層の一例として、ゲート絶縁層ＧＩ１として厚さが１００ｎｍのＳｉＯ_ｘが用いられる。また、第１絶縁層ＩＬ１として総厚さが６００ｎｍ～７００ｎｍのＳｉＯ_ｘ／Ｓｉ_ｘＮ_ｙ／ＳｉＯ_ｘが用いられる。ゲート絶縁層ＧＩ２として総厚さが６０～１００ｎｍのＳｉＯ_ｘ／Ｓｉ_ｘＮ_ｙが用いられる。第２絶縁層ＩＬ２として総厚さが３００ｎｍ～５００ｎｍのＳｉＯ_ｘ／Ｓｉ_ｘＮ_ｙ／ＳｉＯ_ｘが用いられる。第３絶縁層ＩＬ３として総厚さが２００ｎｍ～５００ｎｍのＳｉＯ_ｘ（単層）、Ｓｉ_ｘＮ_ｙ（単層）、又はこれらの積層が用いられる。第４絶縁層ＩＬ４として厚さが２μｍ～４μｍの有機層が用いられる。第５絶縁層ＩＬ５として厚さが５０ｎｍ～１５０ｎｍのＳｉ_ｘＮ_ｙ（単層）が用いられる。

【0055】

半導体層ＯＳとして、半導体の特性を有する酸化金属（酸化物半導体）を用いることができる。半導体層ＯＳは透光性を有する。例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）を含む酸化物半導体を用いることができる。特に、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：４の組成比を有する酸化物半導体を用いることができる。ただし、本実施形態で使用されるＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む酸化物半導体は上記の組成に限定されるものではなく、上記とは異なる組成の酸化物半導体を用いることもできる。例えば、移動度を向上させるためにＩｎの比率を上記より大きくしてもよい。また、バンドギャップを大きくし、光照射による影響を小さくするためにＧａの比率を上記より大きくしてもよい。

【0056】

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む酸化物半導体に他の元素が添加されていてもよい。例えば、当該酸化物半導体にＡｌ、Ｓｎなどの金属元素が添加されていてもよい。上記の酸化物半導体以外にもＩｎ及びＧａを含む酸化物半導体（ＩＧＯ）、Ｉｎ及びＺｎを含む酸化物半導体（ＩＺＯ）、Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎを含む酸化物半導体（ＩＴＺＯ）、並びにＩｎ及びＷを含む酸化物半導体などが半導体層ＯＳとして用いられてもよい。半導体層ＯＳはアモルファスであってもよく、結晶性であってもよい。半導体層ＯＳはアモルファスと結晶の混相であってもよい。

【0057】

接続電極ＺＴＣＯ、画素電極ＰＴＣＯ（第１画素電極ＰＴＣＯ１、第２画素電極ＰＴＣＯ２、及び第３画素電極ＰＴＣＯ３）、及び共通電極ＣＴＣＯとして、透明導電層が用いられる。当該透明導電層として、酸化インジウム及び酸化スズの混合物（ＩＴＯ）及び酸化インジウム及び酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ）を用いることができる。当該透明導電層として、上記以外の材料が用いられてもよい。

【0058】

５．画素の詳細な構造
図９は、第１画素ＰＸ１の平面図を示す。第１データ信号線ＤＬ１は、Ｘ軸のプラス方向とマイナス方向に屈曲しながらＹ軸方向に延在する。第１データ信号線ＤＬ１をＹ軸のプラス方向からマイナス方向にみていくと、当該第１データ信号線ＤＬ１は、第１半導体層ＯＳａと交差した後、屈曲部ＤＬＢ１でＸ軸のプラス方向に屈曲し、第１走査信号線ＳＣＬ１に対して斜めに交差する。第１データ信号線ＤＬ１は、第１走査信号線ＳＣＬ１に交差した後、屈曲部ＤＬＢ２でＸ軸のマイナス方向に屈曲してＹ軸方向に延在し、第４半導体層ＯＳｄと交差する。そして、第１データ信号線ＤＬ１は、屈曲部ＤＬＢ３でＸ軸のプラス方向に再び屈曲し、第２走査信号線ＳＣＬ２に対して斜めに交差する。第１データ信号線ＤＬ１は、このような周期的な屈曲パターンを有してＹ軸方向に延在する。このような屈曲する配線パターンは、第２データ信号線ＤＬ２及びそれ以外のデータ信号線ＤＬについても同様である。

【0059】

第１画素電極ＰＴＣＯ１は、第１走査信号線ＳＣＬ１と重なる領域からＹ軸方向に延在するように設けられる。第１画素電極ＰＴＣＯ１のＹ軸方向に延在する辺Ｐｙ１、Ｐｙ２は第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２の屈曲パターンに合わせて屈曲している。第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２は金属膜で形成され遮光性を有する。第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２は、信号を伝達する配線としての機能に加え、第１画素電極ＰＴＣＯ１に対する遮光膜としての機能を有する。

【0060】

共通補助電極ＣＭＴＬは、コンタクトホールＰＣＯＮが形成される領域を遮光する。第１開口部ＯＰ１は光を透過する領域であり、第１画素電極ＰＴＣＯ１のコンタクト領域以外の領域と重なるように配置される。第１開口部ＯＰ１は、また、第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２の屈曲パターンに合わせて屈曲する形状を有する。このように、共通補助電極ＣＭＴＬは、共通電極ＣＴＣＯの低抵抗化を図るための補助電極としての機能に加え、第１画素電極ＰＴＣＯ１に対する遮光膜としての機能を有する。

【0061】

共通電極ＣＴＣＯに設けられる第１スリットＳＬ１は、第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２との間に配置される。第１スリットＳＬ１は、共通電極ＣＴＣＯを形成する透明導電膜が細長く除去された領域である。図９は、第１スリットＳＬ１の形状を説明するため、複数の部分に分割して各部に符号を付して示している。具体的に、図９は、第１スリットＳＬ１を、スリット中央部ＳＬＭと、その両側に位置するスリット端部ＳＬＥ１、ＳＬＥ２とに分けて示す。スリット中央部ＳＬＭは、第１スリットＳＬ１の主要な部分である。スリット中央部ＳＬＭは、第１画素電極ＰＴＣＯ１及び第１開口部ＯＰ１と重なっている。スリット端部ＳＬＥ１は、スリット中央部ＳＬＭから連続する第１走査信号線ＳＣＬ１側の部位であり、スリット端部ＳＬＥ２は、スリット中央部ＳＬＭから連続する第２走査信号線ＳＣＬ２側の部位である。

【0062】

スリット中央部ＳＬＭは、細長い矩形状のパターンがＹ軸方向に延在するが、Ｙ軸方向に平行ではなくＸ軸方向に傾いている。別言すれば、スリット中央部ＳＬＭは、第１データ信号線ＤＬ１の傾きに対応して傾いている。ここで、Ｘ軸に対するスリット中央部ＳＬＭの傾き角度と、第１データ信号線ＤＬ１が傾く角度は異なっている。例えば、スリット中央部ＳＬＭの一辺をＬ１とし、これに隣接する第１データ信号線ＤＬ１の一辺をＬ２とした場合、Ｘ軸に対する辺Ｌ１が成す第１の角度θａ１と、Ｘ軸に対する辺Ｌ２が成す第２の角度θａ２とは異なっている。具体的に、第１の角度θａ１と第２の角度θａ２とは、１度以上５度以下、好ましくは１度以上３度以下の範囲で異なっている。図９は、第１の角度θａ１が第２の角度θａ２より上記の範囲で小さい場合を示すが、第１の角度θａ１が第２の角度θａ２より上記の範囲で大きくてもよい。

【0063】

このように、Ｙ軸方向に延在する第１データ信号線ＤＬ１や第１開口部ＯＰ１の開口端部に対してスリットを傾けることにより、当該データ信号線や開口部とスリットとのＸ軸方向の距離がＹ軸方向に亘って変化することとなる。より具体的には、図９で見た場合に、第１データ信号線ＤＬ１の第２屈曲部ＤＬＢ２から第３屈曲部ＤＬＢ３に向かうにつれて、第１データ信号線ＤＬ１又は第１開口部ＯＰ１の開口端部とスリットとの間隔が徐々に小さくなっていく。

【0064】

第１の角度θａ１と第２の角度θａ２とを１度以上５度以下、好ましくは１度以上３度以下の範囲で異ならせることで、液晶表示装置１００Ａの画面に画像を表示する際に画素レベルで周期的な濃淡（縞模様）が発生することが抑制される。第１の角度θａ１と第２の角度θａ２の差が５度を超えると、表示される画像の色を正確に表現できなくなる可能性も生じるため好ましくない。また、角度差が１度より小さいと、上記に述べる効果を十分に得ることができなくなる可能性があるため好ましくない。

【0065】

また、第１スリットＳＬ１のスリット端部ＳＬＥ１、ＳＬＥ２は、スリット中央部ＳＬＭと異なる角度で傾いている。例えば、図９に示すように、スリット端部ＳＬＥ２の一辺をＬ４としたとき、この一辺Ｌ４がＸ軸と成す角度はθａ４として表される。第４の角度θａ４は、第１の角度θａ１より小さくなっている。第１の角度θａ１と第４の角度θａ４との関係から明らかなように、スリット端部ＳＬＥ２は、スリット中央部ＳＬＭから第１データ信号線ＤＬ１の方向に傾いている。スリット端部ＳＬＥ１は、スリット端部ＳＬＥ１を反転させた形状であり、第２データ信号線ＤＬ２の方向に傾いている。

【0066】

また、スリット中央部ＳＬＭが傾斜する第１の角度θａ１は、偏光板の偏光軸と異なるように設定される。偏光板の偏光軸がＸ軸と交差する角度をθａ３とすると、第１の角度θａ１及び第２の角度θａ２と偏光軸の角度θａ３は異なる角度を有することが好ましい。偏光軸に対して、スリット中央部ＳＬＭの第１の角度θａ１は、１０±５度の範囲で傾いていることが好ましい。このような配置によっても、液晶表示装置１００Ａの画面に表示される画像を、レンズを通して拡大して表示する際に、周期的な濃淡（縞模様）が視認されないようにすることができる。

【0067】

また、共通補助電極ＣＭＴＬの第１開口部ＯＰ１の第１データ信号線ＤＬ１１に沿った一辺は、Ｘ軸に対して第２の角度θａ２と同じ角度で傾斜している。第１開口部ＯＰ１は遮光膜としての機能を有するので、第１開口部ＯＰ１の当該一辺の角度を第１データ信号線ＤＬ１の第２の角度θａ２に置き換えて、上記と同様の説明をすることができる。

【0068】

図９は、第１画素ＰＸ１ついて示すが、スリットＳＬの角度θａ１とデータ信号線ＤＬの第２の角度θａ２との関係は画素部１０２における他の画素も同様である。

【0069】

本実施形態で示すように、画素に設けられるスリットの角度に対して、遮光膜となるデータ信号線の角度を異ならせることで、表示装置１００Ａの画面に表示された画像を、レンズを通して拡大して表示する際に、周期的な濃淡（縞模様）が視認されることを防ぐことができる。

【0070】

６．液晶表示装置の構成
図１０は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置１００Ａの構成を示す。液晶表示装置１００Ａは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、ドライバＩＣ１１０、及びフレキシブルプリント回路基板１１２を含む。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には図示されないシール材が設けられる。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とはシール材で張り合わされる。

【0071】

第１基板ＳＵＢ１は、複数の画素ＰＸが配列される画素部１０２と、画素部１０２の外側の領域に設けられる走査信号線駆動回路１０４、データ信号線選択回路１０６、及びフレキシブルプリント回路基板１１２と接続を形成する端子部１０８を含む。フレキシブルプリント回路基板１１２にはドライバＩＣ１１０が実装される。画素部１０２は、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３を含む。走査信号線ＳＣＬは走査信号線駆動回路１０４と接続され、第１データ信号線ＤＬ１、第２データ信号線ＤＬ２、第３データ信号線ＤＬ３はデータ信号線選択回路１０６に接続される。

【0072】

図１に示す第１トランジスタＴｒ１は第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３に設けられる。第２トランジスタＴｒ２は走査信号線駆動回路１０４、データ信号線選択回路１０６に適用される。また、図３に示す第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３によって画素部１０２が形成される。

【0073】

本実施形態によれば、データ信号線ＤＬやデータ信号線ＤＬに沿う開口部ＯＰの辺に対してスリットＳＬを傾けることで、スリットＳＬとデータ信号線ＤＬや開口部ＯＰの辺との距離がＹ軸方向に沿って徐々に変化することとなり、これが共通電極ＣＴＣＯと画素電極ＰＴＣＯの間に電位差を設けた場合における電界の分布や液晶分子の配向状態に微妙な変化を与えることになる。この結果、液晶表示装置１００Ａの画面に表示された画像において、画素ＰＸごとに生じる可能性がある周期的な濃淡（縞模様）の発生が抑制され、例えユーザがレンズ等を通して当該表示画面を見たとしても、当該縞模様が視認されないようにすることができる。これにより、ＶＲゴーグルなどの用途において、高精細化を実現すると共に、画質の向上を図ることができる。

【0074】

［第２実施形態］
本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を図１１乃至図１２を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、画素電極及び共通電極の構成が第１実施形態と異なる。以下、本実施形態に係る液晶表示装置の構成を、第１実施形態と相違する部分を中心に説明する。

【0075】

図１１は、本実施形態に係る液晶表示装置１００Ｂの構成する一方の基板である第１基板ＳＵＢ１の断面図を示す。図１１に示す液晶表示装置１００Ｂは、第４絶縁層ＩＬ４より下層側の構造が同じであるが、画素電極ＰＴＣＯ及び共通電極ＣＴＣＯの構成が相違する。

【0076】

図１１に示すように、共通補助電極ＣＭＴＬ及び共通電極ＣＴＣＯが設けられる。共通補助電極ＣＭＴＬ及び共通電極ＣＴＣＯの上に第５絶縁層ＩＬ５が設けられる。画素電極ＰＴＣＯは、第５絶縁層ＩＬ５の上に設けられる。画素電極ＰＴＣＯは、第４絶縁層ＩＬ４及び第５絶縁層ＴＬ５を貫通するコンタクトホールＰＣＯＮにおいて接続電極ＺＴＣＯと接続される。コンタクトホールＰＣＯＮの領域にはスペーサＳＰが設けられてもよい。

【0077】

本実施形態に係る液晶表示装置１００Ｂは、共通電極ＣＴＣＯの上に絶縁層を挟んで画素電極ＰＴＣＯが設けられた構造を有する。次に、図１２を参照して、液晶表示装置１００Ｂにおける第１画素ＰＸ１Ｂの構造を説明する。

【0078】

図１２は、第１画素ＰＸ１Ｂの平面図を示す。第１画素ＰＸ１Ｂは、第１トランジスタＴｒ１、第１画素電極ＰＴＣＯ１、共通電極ＣＴＣＯを含む。なお、共通電極ＣＴＣＯは、複数の画素に共有される電極であり、第１画素ＰＸ１の全体を占める大きさを有するので、図１２ではその形状についての表示が省略されている。

【0079】

第１トランジスタＴｒ１は半導体層ＯＳによって形成される。半導体層ＯＳは、鉤形に屈曲したパターンを有し、走査信号線ＳＣＬと２回交差するように配置される。走査信号線ＳＣＬが半導体層ＯＳと交差する領域がゲート電極として機能するので、第１トランジスタＴｒ１は２つのチャネル領域を有する。第１トランジスタＴｒ１は、コンタクトホールＷＣＯＮで第１データ信号線ＤＬ１と接続され、コンタクトホールＺＣＯＮで接続電極ＺＴＣＯと接続される。画素電極ＰＴＣＯは第１データ信号線ＤＬ１と第２データ信号線ＤＬ２とに挟まれて配置され、コンタクトホールＰＣＯＮにおいて接続電極ＺＴＣＯと接続される。このような屈曲する配線パターンは、第２データ信号線ＤＬ２についても同様である。

【0080】

画素電極ＰＴＣＯは、一端が接続電極ＺＴＣＯと接続され、Ｙ軸方向に延在する他端が容量電極ＣＳＥと接続される。容量電極ＣＳＥは、Ｘ軸方向に延在する容量線ＣＳＬと重なるように配置される。

【0081】

図１２に示すように、走査信号線ＳＣＬはＸ軸方向に延在し、第１データ信号線ＤＬ１はＹ軸方向に延在する。第１データ信号線ＤＬ１は、走査信号線ＳＣＬと直交し、画素電極ＰＴＣＯに隣接する領域で複数回に亘って屈曲するパターンを有する。例えば、第１データ信号線ＤＬ１は、屈曲部ＤＬＢ１においてＸ軸に対してθｂ５（θｂ５≠９０度）の角度で屈曲し、屈曲部ＤＬＢ２においてＸ軸に対してθｂ２（θｂ２＞θｂ５）の角度で屈曲する。第１データ信号線ＤＬ１は、屈曲部ＤＬＢ３において、再びＸ軸に対してθｂ５の角度で屈曲し、屈曲部ＤＬＢ４においてＸ軸に対して直角となるように屈曲し、容量線ＣＳＬと直交する。

【0082】

画素電極ＰＴＣＯは、走査信号線ＳＣＬ及び容量線ＣＳＬ、並びに第１データ信号線ＤＬ１及び第２データ信号線ＤＬ２に囲まれた領域でデータ信号線と同様に屈曲するパターンを有する。図１２は、説明のため、画素電極ＰＴＣＯを、画素電極中央部ＰＥＭと、画素電極端部ＰＥ１、ＰＥ２とに分けて示す。画素電極ＰＴＣＯの画素電極中央部ＰＥＭは、画素電極の主要な部分である。画素電極ＰＴＣＯの画素電極端部ＰＥ１は、半導体層ＯＳに接続する側の部分であり、画素電極端部ＰＥ２は容量電極ＣＳＥに接続する側の部分である。

【0083】

画素電極ＰＴＣＯの画素電極中央部ＰＥＭは、Ｙ軸方向に延在する帯状のパターンを有するが、Ｙ軸に平行ではなくＸ軸方向に傾いている。別言すれば、画素電極ＰＴＣＯの画素電極中央部ＰＥＭは、第１データ信号線ＤＬ１の傾きに対応して傾いている。ここで、画素電極ＰＴＣＯの画素電極中央部ＰＥＭの傾斜角と、第１データ信号線ＤＬ１の傾斜角とは異なっている。例えば、画素電極中央部ＰＥＭの一辺をＬｂ１とし、第１データ信号線ＤＬ１の屈曲部ＤＬＢ２と屈曲部ＤＬＢ３の間の一辺をＬｂ２とした場合、Ｘ軸に対する辺Ｌｂ１が成す第１の角度θｂ１と、Ｘ軸に対する辺Ｌｂ２が成す第２の角度θｂ２とは異なっている。具体的に、第１の角度θｂ１と第２の角度θｂ２とは、１度以上５度以下、好ましくは１度以上３度以下の範囲で異なっている。図１２は、第１の角度θｂ１が第２の角度θｂ２より上記の範囲で小さい場合を示すが、第１の角度θｂ１が第２の角度θｂ２より上記の範囲で大きくてもよい。

【0084】

また、画素電極ＰＴＣＯの画素電極端部ＰＥ１、ＰＥ２は、画素電極中央部ＰＥＭと異なる角度で傾いている。例えば、図１２に示すように、画素電極ＰＴＣＯの画素電極端部ＰＥ２の一辺をＬｂ４としたとき、この一辺Ｌｂ４がＸ軸と成す角度はθｂ４として表される。第４の角度θｂ４は、第１の角度θｂ１より小さくなっている（θｂ４＜θｂ１）。第１の角度θｂ１と第４の角度θｂ４との関係から明らかなように、画素電極ＰＴＣＯの画素電極端部ＰＥ２は、画素電極中央部ＰＥＭから第１データ信号線ＤＬ１の方向に傾いている。画素電極ＰＴＣＯの画素電極端部ＰＥ１は、画素電極端部ＰＥ２を反転させた形状であり、第２データ信号線ＤＬ２の方向に傾いている。このように、画素電極ＰＴＣＯの帯状に延びる部分は２つの屈曲部を有し、画素電極の主要な構成部分である画素電極中央部ＰＥＭの両側にある画素電極端部ＰＥ１、ＰＥ２がデータ信号線ＤＬの方向に傾いている。さらには、当該第４の角度θｂ４と第１の角度θｂ１、第２の角度θｂ２とはそれぞれ異なる角度を有している構成も採用可能であるし、いずれか２つの角度乃至３つの角度が同じ構成も採用可能である。

【0085】

図１２には示されないが、画素電極ＰＴＣＯの上には配向膜が設けられる。配向膜には配向処理（例えば、ラビング処理、光配向処理）が施される。配向膜に対する配向処理の方向は、偏光板の偏光軸の方向と同じ方向になるように形成される。偏光軸がＸ軸方向に対して成す第３の角度θｂ３は、例えば、９０度である。この偏光軸に対して、第１データ信号線ＤＬ１の第２の角度θｂ２は、１０±２度の範囲で傾いていることが好ましい。

【0086】

また、共通補助電極ＣＭＴＬの開口部ＯＰの第１データ信号線ＤＬ１１に沿った一辺は、Ｘ軸に対して第２の角度θｂ２と同じ角度で傾斜している。開口部ＯＰは遮光膜としての機能を有するので、開口部ＯＰの当該一辺の角度を第１データ信号線ＤＬ１の第２の角度θｂ２に置き換えて、上記と同様の説明をすることができる。

【0087】

本実施形態に係る液晶表示装置１００Ｂは、第２画素電極ＰＴＣＰ２と共通電極ＣＴＣＯの積層順が異なるが、画素電極ＰＴＣＯの帯状パターンの角度をデータ信号線ＤＬが延在する方向の角度を所定の範囲で異ならせることで、表示装置１００Ｂの画面に表示される画像を、レンズを通して拡大して表示する際に、周期的な濃淡（縞模様）が視認されないようにすることができる。

【0088】

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の液晶表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0089】

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0090】

１００：液晶表示装置、１０２：画素部、１０４：走査信号線駆動回路、１０６：データ信号線選択回路、１０８：端子部、１１０：ドライバＩＣ、１１２：フレキシブルプリント回路基板、ＣＦ１：第１カラーフィルタ層、ＣＦ２：第２カラーフィルタ層、ＣＭＴＬ：共通補助電極、ＣＳＬ：容量線、ＣＴＣＯ：共通電極、ＤＬ：データ信号線、ＤＬ１：第１データ信号線、ＤＬ２：第２データ信号線、ＤＬ３：第３データ信号線、ＤＬＢ１、ＤＬＢ２、ＤＬＢ３、ＤＬＢ４：屈曲部、ＧＩ１：ゲート絶縁層、ＧＩ２：ゲート絶縁層、ＧＬ１：ゲート電極、ＧＬ２：ゲート電極、ＩＬ１：第１絶縁層、ＩＬ２：第２絶縁層、ＩＬ３：第３絶縁層、ＩＬ４：第４絶縁層、ＩＬ５：第５絶縁層、ＬＣ：液晶層、ＬＳ１：第１遮光層、ＯＳ：半導体層、ＯＳ１：第１半導体領域、ＯＳ２：第２半導体領域、ＯＳａ：第１半導体層、ＯＳｂ：第２半導体層、ＯＳｃ：第３半導体層、ＯＳｄ：第４半導体層、ＰＣＯＮ：コンタクトホール、ＰＥＭ：画素電極中央部、ＰＥ１、ＰＥ２：画素電極端部、ＰＬ１：第１偏光板、ＰＬ２：第２偏光板、ＰＴＣＯ：画素電極、ＰＴＣＯ１：第１画素電極、ＰＴＣＯ２：第２画素電極、ＰＴＣＯ３：第３画素電極、Ｓ：半導体層、Ｓ１：第１半導体領域、Ｓ２：第２半導体領域、Ｓ３：第３半導体領域、ＳＣＬ：走査信号線、ＳＣＬ１：第１走査信号線、ＳＣＬ２：第２走査信号線、ＳＬ：スリット、ＳＬ１：第１スリット、ＳＬ２：第２スリット、ＳＬ３：第３スリット、ＳＬＭ：スリット中央部、ＳＬＥ１、ＳＬＥ２：スリット端部、ＳＵＢ１：第１基板、ＳＰ：スペーサ、ＰＸ１：第１画素、ＰＸ２：第２画素、ＰＸ３：第３画素、Ｔｒ１：第１トランジスタ、Ｔｒ２：第２トランジスタ、Ｗ１：第１配線、Ｗ２：第２配線、ＷＣＯＮ：コンタクトホール、ＷＣＯＮ１、ＷＣＯＮ２、ＷＣＯＮ３：コンタクトホール、ＺＣＯＮ：コンタクトホール、ＺＴＣＯ：接続電極、ＺＴＣＯ１：第１接続電極、ＺＴＣＯ２：第２接続電極、ＺＴＣＯ３：第３接続電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】