特開 2024-42661 プラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024042661

(43)【公開日】2024-03-28

(54)【発明の名称】プラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20240321BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240321BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240321BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20240321BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

H01L21/302 101B

H01L21/31 C

C23C16/44 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023142069

(22)【出願日】2023-09-01

(31)【優先権主張番号】10-2022-0116697

(32)【優先日】2022-09-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2023-0015153

(32)【優先日】2023-02-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】390019839

【氏名又は名称】三星電子株式会社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(74)【代理人】

【識別番号】100135079

【弁理士】

【氏名又は名称】宮崎 修

(72)【発明者】

【氏名】高 亨植

【テーマコード（参考）】

4K030

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030FA01

4K030KA05

4K030KA30

4K030KA45

4K030KA46

5F004BA04

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB28

5F004BB29

5F004BC06

5F004BD04

5F045AA08

5F045BB15

5F045DP03

5F045EB03

5F045EB09

5F045EB10

5F045EC02

5F045EF05

5F045EH14

5F045EJ02

5F045EK07

5F045EM05

5F045EN04

5F131AA02

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA11

5F131BA17

5F131CA06

5F131CA12

5F131DA22

5F131DA42

5F131HA28

(57)【要約】

【課題】プラズマシャッターを正確に整列して工程空間を密閉することができるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】工程チャンバーと、前記工程チャンバーを密閉するプラズマシャッターと、前記工程チャンバーに結合される上部ライナー（ｌｉｎｅｒ）と、を含む基板処理装置が提供される。前記工程チャンバーは、基板に対する工程が進行される工程空間と、及び前記工程空間から外側に延長されて、前記工程空間を外部に連結させる挿入通路と、を提供し、前記上部ライナーは、延長ライナーを含み、前記延長ライナーは、前記挿入通路を定義する通路天井（ｃｅｉｌｉｎｇ）の内側一端から上に延長される連結内側面に対向し、前記プラズマシャッターが上昇して前記工程空間が密閉された状態で、前記プラズマシャッターの上端（ｕｐｐｅｒ ｅｎｄ）は、前記連結内側面と前記延長ライナーとの間に挿入される。
【選択図】図１５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

工程チャンバーと、
前記工程チャンバーを密閉するプラズマシャッターと、
前記工程チャンバーに結合される上部ライナー（ｌｉｎｅｒ）と、を含む基板処理装置であって、
前記工程チャンバーは、
基板に対する工程が進行される工程空間と、
前記工程空間から外側に延長されて、前記工程空間を外部に連結させる挿入通路と、を提供し、
前記上部ライナーは、延長ライナーを含み、
前記延長ライナーは、前記挿入通路を定義する通路天井の内側の一端から上に延長される連結内側面に対向し、
前記プラズマシャッターが上昇して前記工程空間が密閉された状態で、前記プラズマシャッターの上端（ｕｐｐｅｒ ｅｎｄ）は、前記連結内側面と前記延長ライナーとの間に挿入される、基板処理装置。

【請求項2】

前記延長ライナーの下面のレベルは、前記通路天井のレベルより低い、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記延長ライナーは、前記連結内側面から内側に１ｍｍ乃至１５ｍｍ離隔されている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記上部ライナーは、前記工程チャンバー上の上部ライナー本体をさらに含み、
前記延長ライナーは、前記上部ライナー本体から下に延長される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記上部ライナーは、前記上部ライナー本体から下に延長される内側ライナーを含み、
前記内側ライナーは、前記挿入通路の底より下にさらに延長され、
前記内側ライナーは、前記挿入通路と前記工程空間を連結するように前記内側ライナーを貫通するライナー挿入ホールを提供し、
前記延長ライナーは、前記内側ライナーの中で前記ライナー挿入ホールの上に位置する部分を意味し、
前記延長ライナーの下面は、前記ライナー挿入ホールを定義する、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

遮断ドアと、
前記遮断ドアの後ろに結合される連結ブロックと、を含むプラズマシャッターであって、
前記遮断ドアは、
プラズマ遮断面を有する遮断部材と、
前記プラズマ遮断面の反対側で前記遮断部材に結合される支持部材と、を含み、
前記プラズマ遮断面は、平面視において曲線を描くように前記連結ブロックに向かって凸に曲げられ、
前記遮断部材の上面のレベルは、前記支持部材の上面のレベルより高い、プラズマシャッター。

【請求項7】

前記プラズマ遮断面は、Ｙ_２Ｏ_３を含む、請求項６に記載のプラズマシャッター。

【請求項8】

前記支持部材に結合されるガスケットをさらに含み、
前記支持部材の前記上面は、ガスケットグルーブを提供し、
前記ガスケットは、前記ガスケットグルーブに挿入される、請求項６に記載のプラズマシャッター。

【請求項9】

遮断ドアと、
前記遮断ドアの後ろに結合される連結ブロックと、
ガスケット（ｇａｓｋｅｔ）と、を含むプラズマシャッターであって、
前記遮断ドアは、
プラズマ遮断面を有する遮断部材と、
前記プラズマ遮断面の反対側で前記遮断部材に結合される支持部材と、を含み、
前記遮断部材の上面のレベルは、前記支持部材の上面のレベルより高く、
前記支持部材の前記上面は、前記ガスケットを収容するガスケットグルーブを提供し、
前記ガスケットは、ニッケル（Ｎｉ）合金を含む、プラズマシャッター。

【請求項10】

前記ガスケットの直径は、３．０ｍｍ乃至６．０ｍｍである、請求項９に記載のプラズマシャッター。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置に関し、より詳細には、正確な整列が可能であるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子は、様々な工程を経て製造することができる。例えば、半導体素子は、シリコン等のウエハに対するフォト工程、蝕刻工程、蒸着工程等を経て製造することができる。このような工程で、様々な流体を使用することができる。例えば、蝕刻工程及び／又は蒸着工程でプラズマを使用することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

韓国特許第１０－１３３２２１９ Ｂ１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、プラズマシャッターを正確に整列して工程空間を密閉することができるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置を提供することである。

【0005】

本発明が解決しようとする課題は、パーティクル発生を減少させ得るプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置を提供することである。

【0006】

本発明が解決しようとする課題は、プラズマ散布を改善することができるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置を提供することである。

【0007】

本発明が解決しようとする課題は、基板に対する工程収率を向上させることができるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置を提供することである。

【0008】

本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないその他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上述の解決しようとする課題を達成するために、本発明の一実施形態による基板処理装置は、工程チャンバーと、前記工程チャンバーを密閉するプラズマシャッターと、前記工程チャンバーに結合される上部ライナー（ｌｉｎｅｒ）と、を含み、前記工程チャンバーは、基板に対する工程が進行される工程空間と、及び前記工程空間から外側に延長されて、前記工程空間を外部に連結させる挿入通路と、を提供し、前記上部ライナーは延長ライナーを含み、前記延長ライナーは、前記挿入通路を定義する通路天井（ｃｅｉｌｉｎｇ）の内側一端から上に延長される連結内側面に対向し、前記プラズマシャッターが上昇して前記工程空間が密閉された状態で、前記プラズマシャッターの上端（ｕｐｐｅｒ ｅｎｄ）は、前記連結内側面と前記延長ライナーとの間に挿入することができる。

【0010】

上述の解決しようとする課題を達成するために、本発明の一実施形態によるプラズマシャッターは、遮断ドアと、及び前記遮断ドアの後ろに結合される連結ブロックと、を含み、前記遮断ドアは、プラズマ遮断面を有する遮断部材と、前記プラズマ遮断面の反対側で前記遮断部材に結合される支持部材と、を含み、前記プラズマ遮断面は、平面視において曲線を描くように前記連結ブロックに向かって凸に曲げられ、前記遮断部材の上面のレベルは、前記支持部材の上面のレベルより高くするができる。

【0011】

上述の解決しようとする課題を達成するために、本発明の一実施形態によるプラズマシャッターは、遮断ドアと、前記遮断ドアの後ろに結合される連結ブロックと、ガスケットと、を含み、前記遮断ドアは、プラズマ遮断面を有する遮断部材と、前記プラズマ遮断面の反対側で前記遮断部材に結合される支持部材と、を含み、前記遮断部材の上面のレベルは、前記支持部材の上面のレベルより高く、前記支持部材の前記上面は、前記ガスケットを収容するガスケットグルーブを提供し、前記ガスケットはニッケル（Ｎｉ）合金を含むことができる。

【0012】

その他の実施形態の具体的な事項は、以下の詳細な説明及び図面に含まれている。

【発明の効果】

【0013】

本発明のプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置によれば、プラズマシャッターを正確に整列して工程空間を密閉することができる。

【0014】

本発明のプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置によれば、パーティクル発生を減少させることができる。

【0015】

本発明のプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置によれば、プラズマ散布を改善することができる。

【0016】

本発明のプラズマシャッター及びこれを含む基板処理装置によれば、基板に対する工程収率を向上させることができる。

【0017】

本発明の効果は以上で言及したことに制限されず、言及されていないその他の効果は、以下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の実施形態による基板処理装置を示した断面図である。

【図2】図１のＸ領域を拡大して示した断面図である。

【図3】図１のＹ領域を拡大して示した断面図である。

【図4】図１のＹ領域を拡大して示した断面図である。

【図5】本発明の実施形態によるプラズマシャッターを示した平面図である。

【図6】本発明の実施形態によるプラズマシャッターを示した斜視図である。

【図7】本発明の実施形態によるプラズマシャッターを示した部分拡大斜視図である。

【図8】本発明の実施形態による上部ライナーを示した斜視図である。

【図9】本発明の実施形態による基板処理方法を示した順序図である。

【図10】図９の順序図にしたがう基板処理方法を示した図面である。

【図11】図９の順序図にしたがう基板処理方法を示した図面である。

【図12】図９の順序図にしたがう基板処理方法を示した図面である。

【図13】図９の順序図にしたがう基板処理方法を示した図面である。

【図14】図９の順序図にしたがう基板処理方法を示した図面である。

【図15】図９の順序図にしたがう基板処理方法を示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、添付された図面を参照して本発明の実施形態に対して説明する。本明細書の全文に亘って同一な参照符号は、同一な構成要素を指すことができる。

【0020】

図１は、本発明の実施形態による基板処理装置を示した断面図である。

【0021】

以下では、Ｄ１を第１方向、第１方向Ｄ１に交差されるＤ２を第２方向、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の各々に交差されるＤ３を第３方向と称することができる。また、第３方向Ｄ３は垂直方向と称されることもある。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の各々は水平方向と称されることもある。

【0022】

図１を参照すれば、基板処理装置Ａを提供することができる。基板処理装置Ａは、基板に対する蝕刻工程及び／又は蒸着工程等を遂行することができる。本明細書で使用する基板という用語は、シリコン（Ｓｉ）ウエハを意味することがあるが、これに限定されない。基板処理装置Ａは、プラズマを利用して基板を処理することができる。このために、基板処理装置Ａは、様々な方法でプラズマを生成することができる。例えば、基板処理装置Ａは、ＣＣＰ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａｓ）及び／又はＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａｓ）装備であり得る。しかし、以下では便宜上ＣＣＰを基準に図示する。基板処理装置Ａは、工程チャンバー１、ステージ７、シャワーヘッド８、プラズマシャッター３、シャッター駆動装置６、上部ライナー５、ＤＣパワー発生装置２、ＲＦパワー発生装置４、真空ポンプＶＰ、及びガス供給装置ＧＳを含むことができる。

【0023】

工程チャンバー１は、工程空間１１ｈを提供することができる。工程空間１１ｈで基板に対する工程が進行され得る。工程空間１１ｈは、外部空間から分離され得る。基板に対する工程が進行される途中に、工程空間１１ｈは、実質的な真空状態になることができる。工程チャンバー１は、円筒形状を有し得るが、これに限定されない。

【0024】

工程チャンバー１は、挿入通路１３ｈをさらに提供することができる。挿入通路１３ｈは、工程空間１１ｈに連結され得る。例えば、挿入通路１３ｈは、工程空間１１ｈから外側に延長され得る。挿入通路１３ｈは、工程空間１１ｈを外部に連結することができる。基板は、挿入通路１３ｈを通じて工程空間１１ｈに入ることができる。これに対する詳細な内容は後述する。

【0025】

ステージ７は、工程チャンバー１内に位置することができる。即ち、ステージ７は、工程空間１１ｈ内に位置することができる。ステージ７は、基板を支持及び／又は固定することができる。基板がステージ７上に安着された状態で、基板に対する工程が進行され得る。ステージ７に対するより詳細な内容は後述する。

【0026】

シャワーヘッド８は、工程チャンバー１内に位置することができる。即ち、シャワーヘッド８は、工程空間１１ｈ内に位置することができる。シャワーヘッド８は、ステージ７から上に離隔配置され得る。シャワーヘッド８は、ガスホール８ｈ（図３参照）を提供することができる。ガス供給装置ＧＳから供給されたガスは、シャワーヘッド８を通じて工程空間１１ｈ内に均一に噴射され得る。シャワーヘッド８は、上部ライナー５によって支持され得る。これに対する詳細な内容は後述する。

【0027】

プラズマシャッター３は、工程チャンバー１を密閉することができる。プラズマシャッター３が閉じられれば、工程空間１１ｈと挿入通路１３ｈが分離され得る。プラズマシャッター３が閉じられれば、工程空間１１ｈは、外部から隔離され得る。プラズマシャッター３に対する詳細な内容は後述する。

【0028】

シャッター駆動装置６は、プラズマシャッター３を駆動することができる。より具体的に、シャッター駆動装置６は、プラズマシャッター３が工程チャンバー１を密閉するか、或いは開放するようにプラズマシャッター３を上昇及び下降させることができる。このために、シャッター駆動装置６は、油圧装置、モーター等のアクチュエータを含むことができる。シャッター駆動装置６は、挿入通路１３ｈの下に位置することができるが、これに限定されない。ガイドボールＢＡに対する詳細な内容は後述する。

【0029】

上部ライナー５は、工程チャンバー１に結合され得る。ガイドボールＢＡに対する詳細な内容は後述する。

【0030】

ＤＣパワー発生装置２は、ステージ７にＤＣパワーを印加することができる。ＤＣパワー発生装置２が印加するＤＣパワーによって、基板をステージ７上の一定位置に固定されることができる。

【0031】

ＲＦパワー発生装置４は、ステージ７にＲＦパワーを供給することができる。これによって、工程空間１１ｈ内のプラズマを制御することができる。これに対する詳細な内容は後述する。

【0032】

真空ポンプＶＰは、工程空間１１ｈに連結され得る。真空ポンプＶＰによって、基板に対する工程が進行する途中に工程空間１１ｈに真空圧が印加され得る。

【0033】

ガス供給装置ＧＳは、工程空間１１ｈにガスを供給することができる。このために、ガス供給装置ＧＳは、ガスタンク、圧縮器、及びバルブ等を含むことができる。ガス供給装置ＧＳによって工程空間１１ｈに供給されたガスの一部はプラズマになり得る。

【0034】

図２は、図１のＸ領域を拡大して示した断面図である。

【0035】

図２を参照すれば、ステージ７は、チャック７１及び冷却プレート７３を含むことができる。

【0036】

チャック７１上に基板が配置され得る。チャック７１は、基板を一定位置に固定することができる。このために、チャック７１は、チャックボディー７１１、プラズマ電極７１３、チャック電極７１５、及びヒーター７１７を含むことができる。

【0037】

チャックボディー７１１は、円筒形状を有することができる。チャックボディー７１１は、セラミック等を含むことができるが、これに限定されない。チャックボディー７１１の上面上に基板が配置され得る。フォーカスリングＦＲ及び／又はエッジリングＥＲがチャックボディー７１１を囲むことができる。

【0038】

プラズマ電極７１３は、チャックボディー７１１内に位置することができる。プラズマ電極７１３は、アルミニウム（Ａｌ）等を含むことができる。プラズマ電極７１３は、円板形状を有することができるが、これに限定されない。プラズマ電極７１３にＲＦパワーが印加され得る。より具体的に、ＲＦパワー発生装置４がプラズマ電極７１３にＲＦパワーを印加することができる。プラズマ電極７１３に印加されたＲＦパワーによって、工程空間１１ｈ（図１参照）内のプラズマが制御され得る。

【0039】

チャック電極７１５は、チャックボディー７１１内に位置することができる。チャック電極７１５は、プラズマ電極７１３より上に位置することができる。チャック電極７１５にＤＣパワーが印加され得る。より具体的に、ＤＣパワー発生装置２がチャック電極７１５にＤＣパワーを印加することができる。チャック電極７１５に印加されたＤＣパワーによって、チャックボディー７１１上の基板が一定位置に固定され得る。チャック電極７１５は、アルミニウム（Ａｌ）等を含むことができるが、これに限定されない。

【0040】

ヒーター７１７は、チャックボディー７１１内に位置することができる。ヒーター７１７は、チャック電極７１５とプラズマ電極７１３との間に位置することができる。ヒーター７１７は、熱線を含むことができる。例えば、ヒーター７１７は、同心円を描く熱線を含むことができる。ヒーター７１７は、周囲に熱を放出することができる。したがって、チャックボディー７１１等の温度を上昇させることができる。

【0041】

冷却プレート７３は、チャック７１下に位置することができる。即ち、チャック７１は、冷却プレート７３上に位置することができる。冷却プレート７３は、冷却孔７３ｈを提供することができる。冷却孔７３ｈに冷却水が流れ得る。冷却孔７３ｈ内の冷却水は、冷却プレート７３から熱を吸収することができる。

【0042】

図３及び図４は、図１のＹ領域を拡大して示した断面図であり、図５は、本発明の実施形態によるプラズマシャッターを示した平面図であり、図６は、本発明の実施形態によるプラズマシャッターを示した斜視図であり、図７は、本発明の実施形態によるプラズマシャッターを示した部分拡大斜視図であり、図８は、本発明の実施形態による上部ライナーを示した斜視図である。

【0043】

図３及び図４を参照すれば、基板処理装置Ａ（図１参照）は、中間ライナー９１及び下部ライナー９３をさらに含むことができる。中間ライナー９１は、上部ライナー５の下に位置することができる。中間ライナー９１の一端は、工程チャンバー１に連結され得る。中間ライナー９１の他端は、ステージ７（図１参照）に連結され得る。中間ライナー９１は、スリット（符号なし）を提供することができる。即ち、中間ライナー９１は、バッフル（ｂａｆｆｌｅ）であり得る。下部ライナー９３は、中間ライナー９１の下に位置することができる。下部ライナー９３は、工程チャンバー１の内側面及び／又はステージ７に結合され得る。実施形態で、中間ライナー９１及び下部ライナー９３の各々は、アルミニウム（Ａｌ）を含むことができるが、これに限定されない。

【0044】

挿入通路１３ｈは、水平方向に延長され得る。挿入通路１３ｈは、工程チャンバー１によって定義され得る。より具体的に、工程チャンバー１の通路天井１３ｃ及び通路底１３ｂによって挿入通路１３ｈが定義され得る。通路天井１３ｃは、通路底１３ｂと対向することができる。通路天井１３ｃは、通路底１３ｂから上に離隔され得る。通路天井１３ｃと通路底１３ｂとの間に挿入通路１３ｈが定義され得る。工程チャンバー１は、連結内側面１３ｉを含むことができる。連結内側面１３ｉは、通路天井１３ｃの内側一端から上に延長され得る。

【0045】

図３、図４、及び図８を参照すれば、上部ライナー５は、工程チャンバー１に結合され得る。より具体的に、上部ライナー５の少なくとも一部は、工程チャンバー１の内側面に結合され得る。上部ライナー５は、上部ライナー本体５１及び内側ライナー５３を含むことができる。

【0046】

上部ライナー本体５１は、工程チャンバー１の上に位置することができる。上部ライナー本体５１は、リング形状を有することができる。上部ライナー本体５１は、シャワーヘッド８を支持することができる。即ち、シャワーヘッド８は、上部ライナー本体５１の上に配置され得る。上部ライナー本体５１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。

【0047】

内側ライナー５３は、上部ライナー本体５１から下に延長され得る。内側ライナー５３は、挿入通路１３ｈの底である通路底１３ｂより下に延長され得る。内側ライナー５３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。内側ライナー５３は、中空の円筒形状を有することができる。内側ライナー５３は、ライナー挿入ホール５３ｈを提供することができる。ライナー挿入ホール５３ｈは、内側ライナー５３の一側を貫通することができる。ライナー挿入ホール５３ｈは、挿入通路１３ｈと工程空間１１ｈとの間に位置することができる。挿入通路１３ｈと工程空間１１ｈは、ライナー挿入ホール５３ｈによって連結され得る。図４に図示されるように、内側ライナー５３の中でライナー挿入ホール５３ｈ上に位置した部分を延長ライナー５３３と称することがある。内側ライナー５３の中で延長ライナー５３３を除いた部分を内側ライナー本体５３１と称することがある。内側ライナー本体５３１の下端のレベルは、通路底１３ｂのレベルより低くすることができる。内側ライナー本体５３１の下端は、中間ライナー９１に接することができるが、これに限定されない。

【0048】

延長ライナー５３３は、連結内側面１３ｉから内側に離隔され得る。したがって、延長ライナー５３３と連結内側面１３ｉとの間にギャップＧＰが形成され得る。連結内側面１３ｉは、延長ライナー５３３に対向することができる。より具体的に、延長ライナー５３３の外側面（符号なし）が連結内側面１３ｉに対向することができる。ギャップＧＰの幅は、第１距離ＤＳ１と称することがある。第１距離ＤＳ１は、例えば約１ｍｍ乃至約１５ｍｍであり得る。より具体的に、第１距離ＤＳ１は、約１ｍｍ乃至約１０ｍｍであり得る。しかし、これに限定されない。

【0049】

延長ライナー５３３の下面５３３ｂがライナー挿入ホール５３ｈを定義することができる。即ち、延長ライナー５３３の下面５３３ｂのレベルは、通路天井１３ｃのレベルより低くなり得る。延長ライナー５３３の下面５３３ｂのレベルと通路天井１３ｃのレベルの差を第２距離ＤＳ２と称することがある。第２距離ＤＳ２は、例えば６ｍｍ乃至１０ｍｍであり得る。
図３、図４、図５、図６、及び図７を参照すれば、プラズマシャッター３は、遮断ドア３１、連結ブロック３３、及びガスケット３５を含むことができる。図３に図示されたように、プラズマシャッター３の一部は、延長ライナー５３３と連結内側面１３ｉとの間に挿入され得る。より具体的に、プラズマシャッター３が閉鎖された状態で、遮断ドア３１の上端が延長ライナー５３３と連結内側面１３ｉとの間に形成されるギャップＧＰに挿入され得る。

【0050】

遮断ドア３１は、遮断部材３１１及び支持部材３１３を含むことができる。

【0051】

遮断部材３１１は、プラズマ遮断面３１１ｐを有することができる。プラズマ遮断面３１１ｐは、遮断部材３１１の前面であり得る。プラズマ遮断面３１１ｐは、工程空間１１ｈに露出される得る。より具体的に、プラズマ遮断面３１１ｐは、ライナー挿入ホール５３ｈを通じて工程空間１１ｈに露出され得る。プラズマ遮断面３１１ｐは、内側ライナー５３より外側に位置することができる。プラズマ遮断面３１１ｐは、内側ライナー５３の外面に接することができるが、これに限定されない。プラズマ遮断面３１１ｐは、Ｙ_２Ｏ_３を含むことができる。例えば、プラズマ遮断面３１１ｐにＹ_２Ｏ_３がコーティングされていてもよい。遮断部材３１１の中で、プラズマ遮断面３１１ｐ以外の部分は、アルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。プラズマ遮断面３１１ｐは、図５に図示されたように、平面視において弧（ａｒｃ）形状を有することができる。プラズマ遮断面３１１ｐは、平面視において曲線を描くように連結ブロック３３に向かって凸に曲がることができる。プラズマ遮断面３１１ｐの曲率中心は、工程空間１１ｈ内に位置することができる。プラズマ遮断面３１１ｐの曲率半径を第１半径Ｒ１と称することがある。第１半径Ｒ１は、例えば約２７０ｍｍ乃至約２９５ｍｍであるが、これに限定されない。

【0052】

支持部材３１３は、遮断部材３１１の背面上に位置することができる。支持部材３１３は、プラズマ遮断面３１１ｐの反対側で遮断部材３１１に結合され得る。図４に図示されたように、支持部材３１３の上面３１３ｕは、遮断部材３１１の上面３１１ｕより下に位置することができる。即ち、遮断部材３１１の上面３１１ｕのレベルは、支持部材３１３の上面３１３ｕのレベルより高くなり得る。遮断部材３１１の上面３１１ｕのレベルと支持部材３１３の上面３１３ｕのレベルとの間の差を第３距離ＤＳ３と称することがある。第３距離ＤＳ３は、例えば４ｍｍ乃至８ｍｍであり得る。支持部材３１３は、アルミニウム（Ａｌ）を含むことができるが、これに限定されない。

【0053】

プラズマシャッター３の上端は、遮断部材３１１の上面３１１ｕを意味することがある。プラズマシャッター３が上昇して閉鎖されれば、遮断部材３１１の一部がギャップＧＰに挿入され得る。即ち、プラズマシャッター３が上昇して閉鎖されれば、遮断部材３１１の上面３１１ｕが延長ライナー５３３と連結内側面１３ｉとの間に挿入され得る。また、プラズマシャッター３が上昇して工程空間１１ｈが密閉された状態で、支持部材３１３の上面３１３ｕは、通路天井１３ｃに接することができる。

【0054】

支持部材３１３の上面３１３ｕは、ガスケットグルーブ３１３ｈを提供することができる。ガスケットグルーブ３１３ｈは、支持部材３１３の上面３１３ｕで下に一定深さ陥入された孔であり得る。ガスケットグルーブ３１３ｈは、支持部材３１３の延長方向に沿って延長され得る。ガスケットグルーブ３１３ｈの幅は、約３．０ｍｍ乃至約７．０ｍｍであり得る。

【0055】

連結ブロック３３は、遮断ドア３１の後ろに結合され得る。連結ブロック３３は、直方体形状を有することができるが、これに限定されない。連結ブロック３３は、遮断ドア３１とシャッター駆動装置６を連結することができる。

【0056】

ガスケット３５は、ガスケットグルーブ３１３ｈに挿入され得る。ガスケット３５は、ニッケル（Ｎｉ）合金を含むことができる。例えば、ガスケット３５は、ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）を含むことができる。ガスケット３５は。スパイラルガスケットを含むことができる。即ち、図７には図示しなかったが、ガスケット３５は、螺旋形状を有することができる。ガスケット３５の直径は、約３．０ｍｍ乃至約６．０ｍｍであり得る。

【0057】

再び図３及び図４を参照すれば、シャッター駆動装置６は、プラズマシャッター３に結合され得る。より具体的に、シャッター駆動装置６は、連結ブロック３３の下面上に結合され得る。シャッター駆動装置６は、プラズマシャッター３を上昇及び下降させることができる。このために、シャッター駆動装置６は、多様な種類のアクチュエータを含むことができる。例えば、シャッター駆動装置６は、モーター、油圧シリンダー等を含むことができる。シャッター駆動装置６は、挿入通路１３ｈの下に位置することができるが、これに限定されない。

【0058】

図９は、本発明の実施形態による基板処理方法を示した順序図である。

【0059】

図９を参照すれば、基板処理方法（Ｓ）を提供することができる。基板処理方法（Ｓ）は、図１乃至図８を参照して説明した基板処理装置Ａ（図１参照）を利用して基板を処理する方法であり得る。基板処理方法（Ｓ）は、基板処理装置内に基板をローディングすること（Ｓ１）、基板処理装置内にガスを供給すること（Ｓ２）、及び基板処理装置内にプラズマを形成すること（Ｓ３）を含むことができる。

【0060】

基板処理装置内に基板をローディングすること（Ｓ１）は、プラズマシャッターを開放すること（Ｓ１１）、基板を挿入すること（Ｓ１２）、及びプラズマシャッターを閉鎖すること（Ｓ１３）を含むことができる。

【0061】

以下では、図１０乃至図１５を参照して、図９の基板処理方法（Ｓ）を詳細に説明する。

【0062】

図１０乃至図１５は、図９の順序図にしたがう基板処理方法を示した図面である。

【0063】

図１０及び図９を参照すれば、プラズマシャッターを開放すること（Ｓ１１）はシャッター駆動装置６がプラズマシャッター３を下降させることを含むことができる。プラズマシャッター３が下降すれば、工程空間１１ｈと挿入通路１３ｈがライナー挿入ホール５３ｈ（図４参照）によって連結され得る。

【0064】

基板を挿入すること（Ｓ１２）は、基板Ｗが挿入通路１３ｈ及びライナー挿入ホール５３ｈを順に通過して工程空間１１ｈ内に入ることを含むことができる。基板Ｗはロボットアーム（図示せず）等によって工程空間１１ｈ内に入ることができる。

【0065】

図１１、図１２、及び図９を参照すれば、基板Ｗは、ステージ７上に配置され得る。ＤＣパワー発生装置２によってチャック電極７１５にＤＣパワーが印加されれば、基板Ｗは、ステージ７上の一定位置に固定され得る。

【0066】

図１３及び図９を参照すれば、基板処理装置内にガスを供給すること（Ｓ２）は、ガス供給装置ＧＳが工程空間１１ｈにガスＧを供給することを含むことができる。ガスＧは、シャワーヘッド８を経て基板Ｗ上に分配され得る。

【0067】

図１４及び図９を参照すれば、基板処理装置内にプラズマを形成すること（Ｓ３）は、ＲＦパワー発生装置４がプラズマ電極７１３にＲＦパワーを印加することを含むことができる。プラズマ電極７１３にＲＦパワーが印加されれば、工程空間１１ｈ内のガスの一部がプラズマＰＬに変換され得る。

【0068】

図１５を参照すれば、遮断ドア３１の上端一部が延長ライナー５３３と工程チャンバー１との間に挿入され得る。遮断ドア３１の上端付近の隙間が存在しないことがあり得る。したがって、プラズマＰＬが挿入通路１３ｈ等に漏洩されることを防止することができる。また、工程チャンバー１とプラズマＰＬの接触を遮断することができる。

【0069】

本発明の例示的な実施形態によるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理方法によれば、プラズマシャッターの一部が上部ライナーと工程チャンバーとの間に挿入され得る。したがって、プラズマシャッターを正確な位置に配置することができる。したがって、プラズマシャッターの誤整列が防止され得る。即ち、工程空間が正確に密閉され得る。

【0070】

本発明の例示的な実施形態によるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理方法によれば、プラズマシャッターが上部ライナーと工程チャンバーとの間に挿入されるので、工程中にプラズマと工程チャンバーとの間の接触を遮断することができる。したがって、工程中に工程チャンバー等からパーティクルが発生することを防止することができる。したがって、工程チャンバー内で基板等がパーティクルによって汚染されることを防ぐことがきる。

【0071】

本発明の例示的な実施形態によるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理方法によれば、プラズマがプラズマシャッターの上端付近の隙間を通じて漏洩されることを防止することができる。したがって、プラズマの散布が改善され得る。したがって、基板に対する工程収率が向上され得る。

【0072】

本発明の例示的な実施形態によるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理方法によれば、ガスケットをニッケル合金で形成することができる。したがって、工程進行に応じてガスケットが破損されることを防止することができる。より具体的に、工程進行に応じてガスケットの電気抵抗が上昇することを抑制することができる。したがって、ガスケットの寿命が長くなって、より長く使用することができる。また、ガスケットの直径を増加させることができる。したがって、接地（ｇｒｏｕｎｄ）効果が向上され得る。

【0073】

本発明の例示的な実施形態によるプラズマシャッター及びこれを含む基板処理方法によれば、工程チャンバー及び／又は上部ライナー等がパーティクルによって汚染されることを防止することができる。したがって、各部品の寿命が増加され得る。

【0074】

以上、添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更しなくとも他の具体的な形態で実施され得ることを理解することができる。したがって、以上で記述した実施形態は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないことと理解しなければならない。

【符号の説明】

【0075】

Ａ 基板処理装置
１ 工程チャンバー
１１ｈ 工程空間
１３ｈ 挿入通路
３ プラズマシャッター
３１ 遮断ドア
３１１ 遮断部材
３１３ 支持部材
３３ 連結ブロック
３５ ガスケット
５ 上部ライナー
５１ 上部ライナー本体
５３ 内側ライナー
５３１ 内側ライナー本体
５３３ 延長ライナー
５３ｈ ライナー挿入ホール
６ シャッター駆動装置
７ ステージ
２ ＤＣパワー発生装置
４ ＲＦパワー発生装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】